Tda4605 3: TDA4605-3, ШИМ-контроллер со встроенным ключом, 250кГц, Infineon

Где купить

внешних компонентов Реализована импульсная работа в условиях вторичного короткого замыкания Защита от обрыва или короткого замыкания контура управления Отключение при слишком низком напряжении сети (отключение при пониженном напряжении) Компенсация точки возврата в зависимости от напряжения сети Мягкая пуск для тихого пуска без шума, создаваемого трансформатором Реализована защита от перегрева (тепловое отключение) Встроенная схема подавления звона от паразитных колебаний трансформатора Снижение напряжения АРУ при малой нагрузке

Микросхема TDA 4605-3 управляет силовым МОП-транзистором и выполняет все необходимые функции управления и защиты в обратноходовых преобразователях свободного хода. Благодаря тому, что достигается широкий диапазон нагрузки, эта ИС применима как для бытовых, так и для промышленных источников питания. Последовательная цепь и первичная обмотка обратноходового трансформатора соединены последовательно с входным напряжением. В течение периода включения транзистора энергия запасается в трансформаторе. В период отключения энергия подается на нагрузку через вторичную обмотку. Изменяя время включения силового транзистора, ИС управляет каждой порцией энергии, передаваемой на вторичную сторону, так что выходное напряжение практически не зависит от изменений нагрузки. Необходимая управляющая информация берется из входного напряжения в период включения и из регулировочной обмотки в период выключения. Новый цикл начнется, если трансформатор полностью передал накопленную энергию в нагрузку.

В различных диапазонах нагрузки импульсный источник питания (ИИП) ведет себя следующим образом: Работа без нагрузки Источник питания работает в импульсном режиме на типичной частоте до 40 кГц. Выходное напряжение может быть немного выше или ниже номинального значения в зависимости от конструкции трансформатора и резисторов делителя управляющего напряжения. Номинальный режим работы Частота коммутации уменьшается с увеличением нагрузки и уменьшением напряжения переменного тока. Выходное напряжение зависит только от нагрузки. Точка перегрузки Максимальная выходная мощность доступна в этой точке выходной характеристики. Перегрузка Энергия, передаваемая за рабочий цикл, ограничена сверху. Поэтому выходное напряжение снижается из-за вторичной перегрузки.

Описание и функции контактов Контакт № 1 Функциональный ввод информации о вторичном напряжении. Путем сравнения регулирующего напряжения, полученного на регулировочной обмотке трансформатора, с внутренним опорным напряжением ширина выходного импульса на контакте 5 настраивается на нагрузку вторичной обмотки (нормальная, перегрузка, короткое замыкание, отсутствие нагрузки). Ввод информации о первичном токе. Повышение первичного тока в первичной обмотке моделируется на выводе как повышение напряжения с помощью внешнего RC-элемента. Когда достигается уровень напряжения, полученный из регулирующего напряжения на контакте 1, выходной импульс на контакте 5 прерывается. RC-элемент служит для установки максимальной мощности в установленной точке перегрузки. Вход для контроля первичного напряжения: При нормальной работе V3 колеблется между пороговыми значениями V3H и < V3L: SMPS выключен (напряжение в сети слишком низкое). V3H : Компенсация регулирования точки перегрузки (управляется контактом 2) начинается = 1,7. Выход заземления: Двухтактный выход обеспечивает 1 А для быстрой зарядки и разрядки емкости затвора силового МОП-транзистора. Вход напряжения питания: Стабильное внутреннее опорное напряжение VREF определяется напряжением питания, а также пороговыми значениями переключения V6 max и V6 min для детектора напряжения питания. > V6E, тогда VREF включается и выключается, когда V6A. Кроме того, логика активна только для V6 min < V6 max. Вход для плавного пуска. Запуск начнется с коротких импульсов путем подключения конденсатора от контакта 7 к земле. Вход для обратной связи колебаний. После начала генерации каждый переход напряжения обратной связи от нуля (задний фронт) через нуль (задний фронт) запускает выходной импульс на выводе 5. Порог запуска обычно составляет 50 мВ.

BSM111AR : Модуль Simopac

LRZ184-CO : Красная светодиодная матрица 2 мм

SN7000E6288 : N-канальный малосигнальный транзистор Sipmos

СПЛПЛ90_3 :

HYB39D512800TF-37 : Спектр памяти

IPB100N06S2-05 : Fet – один дискретный полупроводниковый продукт 100A 55V 300W для поверхностного монтажа; MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3 Технические характеристики: Тип монтажа: Поверхностный монтаж; Тип FET: N-канальный MOSFET, оксид металла; Напряжение стока к источнику (Vdss): 55 В; Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C: 100A; Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4,7 мОм @ 80 А, 10 В; Входная емкость (Ciss) при Vds: 5110 пФ при 25 В; Мощность – макс. : 300 Вт; Упаковка: Т

SPW17N80C3A : Fet – однодисковое полупроводниковое изделие 17A 800V 208W Сквозное отверстие; MOSFET N-CH 800V 17A TO-247 Технические характеристики: Тип монтажа: Сквозное отверстие; Тип FET: N-канальный MOSFET, оксид металла; Напряжение стока к источнику (Vdss): 800 В; Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C: 17A; Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 мОм при 11 А, 10 В; Входная емкость (Ciss) при Vds: 2320 пФ при 25 В; Мощность – макс.: 208 Вт; Упаковка: Ту

SAF-XC878-16FFI 3V3 AA: 8-битный однокристальный микроконтроллер

1N6842 : Выпрямитель Шоттки, Упаковка: SMD.5. 7516 Central Industrial Drive Riviera Beach, FL 33404 тел.: 561-842-0305 факс: 561-845-7813 ТЕХНИЧЕСКИЕ ДАННЫЕ РАЗРАБОТЧИКА: Низкопрофильная керамика SMD Высокая устойчивость к перенапряжениям Низкий обратный ток утечки Низкое прямое напряжение Сварной шов Низкая емкость Ультразвуковые алюминиевые проволочные соединения 60 ВОЛЬТ, 10 АМП ДВОЙНОЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬ ШОТТКИ С ОБЩИМ КАТОДОМ CENTERTAP Среднее значение.

APT5022AVR : 500 В, 21 А Мощный МОП-транзистор V. Power MOS — это новое поколение высоковольтных N-канальных мощных полевых МОП-транзисторов. Эта новая технология сводит к минимуму эффект JFET, увеличивает плотность упаковки и снижает сопротивление в открытом состоянии. Power MOS V также обеспечивает более высокую скорость переключения за счет оптимизированного расположения затворов. Обозначение VDSS ID IDM VGS VGSM PD TJ,TSTG TL IAR EAR EAS Параметр Drain-Source.

BAT54RLT1 : Диоды с барьером Шоттки.

HER156 : Пакет = DO-15 ;; Максимум. Обратное напряжение VRM (В) = 600 ;; Максимум. Авер. Прямо. Ток io (А)= 1,5;; Ifsm (А)= 50,

IRG4BC30K-S : Среднее напряжение 600-1199 Вольт. Сверхбыстрый дискретный Igbt-транзистор 600 В 8–25 кГц в корпусе D2-Pak.

KSR2101 : Эпитаксиальный кремниевый транзистор PNP. Схема переключения, инвертор, схема интерфейса, схема драйвера Встроенный резистор смещения = 4,7 кОм, R2 = 4,7 кОм) Дополнение к KSR1101 Абсолютные максимальные номинальные значения Ta = 25°C, если не указано иное Обозначение VCBO VCEO VEBO PC TJ TSTG Параметр Напряжение коллектор-база Коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Коллектор напряжения Коллектор тока Рассеиваемая мощность Температура перехода.

RL101-07 : Выпрямитель 1 А 50–1000 В. Низкая утечка тока Металлургически связанная конструкция Низкая стоимость Рабочая температура: до +175°C Температура хранения: до +175°C Максимальное тепловое сопротивление; 50 C/W Соединение с ведущим устройством Маркировка Максимальное повторяющееся пиковое обратное напряжение 800 В 1000 В Максимальное среднеквадратичное напряжение Максимальное постоянное блокирующее напряжение 800 В 1000 В Среднее прямое IF(AV) = 75C Пиковое прямое напряжение.

SPU30N03S2L-10 : Низкое напряжение. Например. OptiMOS®. Характеристика N-канальный логический уровень Низкое сопротивление в открытом состоянии RDS(on) Отличная зарядка затвора x RDS(on) продукт (FOM) Рабочая температура 175C Лавинный рейтинг Номинальный dv/dt Идеально подходит для приложений с быстрым переключением Максимальные номинальные значения при = 25 C, если не указано иное указанный параметр Непрерывный ток стока Предварительные данные Тепловые характеристики Параметр Характеристики.

0805х3000471KFT : КОНДЕНСАТОР КЕРАМИЧЕСКИЙ, МНОГОСЛОЙНЫЙ, 200 В, C0G, 0,00047 мкФ, ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ, 0805. s: Конфигурация/Форм-фактор: Чип-конденсатор; Технология: многослойная; диэлектрик: керамический состав; Диапазон емкости: 4,70E-4 мкФ; Допустимое отклонение емкости: 10 (+/- %); WVDC: 200 вольт; Температурный коэффициент: 30 частей на миллион/°C; Тип монтажа: технология поверхностного монтажа.

08B01V1T06-F : ТРАНСФОРМАТОР ДАННЫХ ДЛЯ. s: Категория: Сигнал ; Другие типы трансформаторов/применения: Импульсные трансформаторы, DATACOM TRANSFORMER.

C1805P472K1XML : КОНДЕНСАТОР, КЕРАМИЧЕСКИЙ, МНОГОСЛОЙНЫЙ, 100 В, BX, 0,0047 мкФ, ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ, 1805. s: Конфигурация/Форм-фактор: Чип-конденсатор; Технология: многослойная; Приложения: общего назначения; Электростатические конденсаторы: керамический состав; Диапазон емкости: 0,0047 мкФ; Допустимое отклонение емкости: 10 (+/- %); WVDC: 100 вольт; Тип монтажа: технология поверхностного монтажа.

DRA9A14T : 80 мА, 50 В, PNP, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР. s: Полярность: PNP; Тип упаковки: БЕЗ ГАЛОГЕНА И СООТВЕТСТВИЕ ROHS, SSMINI3-F3-B, 3 PIN.

EC3A04B2 : 10 мА, 30 В, N-КАНАЛЬНЫЙ, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛ, JFET. s: Полярность: N-канальный ; V(BR)DSS: 30 вольт; PD: 100 мВт; Тип упаковки: БЕЗ ГАЛОГЕНА, УЛЬТРАМИНИАТЮРНЫЙ, ECSP1006-3B, 3 PIN; Количество единиц в ИС: 1.

WBC-DSOT23R-330-K-470-M : СЕТЬ RC, СЕТЕВОЙ ФИЛЬТР С ОТВЕТВЛЕНИЕМ, 0,25 Вт, 33 Ом, 0,000047 мкФ, МОНТАЖ НА ПОВЕРХНОСТИ, ЧИП-3. s: Конфигурация: массив микросхем (дополнительная функция), резистор, конденсаторная сеть; Допуск: 10 +/- %; Температурный коэффициент: 150 ±ppm/°C; Номинальная мощность: 0,2500 Вт (3,35E-4 л.с.); Количество резисторов: 1; Диапазон емкости: 47 пФ; Допуск емкости: от -20 до 20; Операционная.

2SK3484 : 16000 мА, 100 В, N-КАНАЛ, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛ, МОП-транзистор, TO-251AA. s: Полярность: N-канальный ; MOSFET Режим работы: Улучшение; V(BR)DSS: 100 вольт; RDS(вкл. ): 0,1480 Ом; PD: 1000 мВт; Тип упаковки: ТО-251, МП-3, 3 контакта; Количество единиц в ИС: 1.

5401R2KL.5CT : RES, С РЕЗЬБОЙ, ПРОВОЛОЧНЫЙ, 2K OHMS, 5% +/-TOL. s: Тип потенциометра: Стандартный потенциометр.

Una ficha técnica, hoja técnica u hoja de datos (техническое описание на английском языке), también ficha de characterísticas u hoja de characterísticas, es un documento que резюме el funcionamiento y otras characteristicas de un componente (por ejemplo, un componente electronico) o subsistema por ejemplo, una fuente de alimentación) con el suficiente detalle para ser utilizado por un ingeniero de diseño y diseñar el componente en un sistema.

Больше новостей