TIP121G от 132 рублей в наличии 50 шт производства ONSEMI TIP121G
всего в наличии 50 шт
Количество | Цена ₽/шт |
---|---|
1 | 391 |
3 | 178 |
10 | 62200″> 157 |
50 | 141 |
250 | 52100″> 132 |
В корзину
и получите
+19 баллов
Бесплатная доставка
Купить TIP121G от 1 шт с помощью банковской карты можно прямо сейчас на нашем сайте.
Работаем с частными и юридическими лицами.
TIP121G описание и характеристики
Транзистор: NPN; биполярный; Дарлингтон; 80В; 5А; 2Вт; TO220AB
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
-
Вид транзистора
Дарлингтон
Ток коллектора
5А
Напряжение коллектор-эмиттер
80В
Тип транзистора
NPN
Полярность
биполярныйРассеиваемая мощность
2Вт
Корпус
TO220AB
Монтаж
THT
Вид упаковки
туба
Толщина радитора
1,15.
..1,39мм
Вес
1.993g
Бесплатная доставка
заказов от 5000 ₽
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи
Смежные товары
SMICA TO220
Прокладка теплопроводящая: силиконовая; TO220; 0,4К/Вт; L: 18мм
от 26 ₽
+195 баллов
Подробнее
IB 6
Изоляционная втулка; TO220; UL94V-0; 6мм; -40÷250°C; 30кВ/мм
от 26 ₽
+195 баллов
Подробнее
NIPPEL TO220
Изоляционная втулка; TO220; 6,1мм; макс. 130°C
от 26 ₽
+195 баллов
Подробнее
MICA-TO220
Прокладка теплопроводящая: слюдяная; TO220; 1,2К/Вт; L: 18мм
от 26 ₽
+195 баллов
Подробнее
FIX-TC-1
Изолирующий дистанцирующий элемент; полиамид; 5,4мм; TO220
от 26 ₽
+195 баллов
Подробнее
SMICA TO220-2
Прокладка теплопроводящая: силиконовая; TO220; 0,4К/Вт; L: 20мм
от 26 ₽
+195 баллов
Подробнее
HS-142-38
Радиатор: штампованный; TO220; черный; L: 38,1мм; 6,2К/Вт; алюминий
от 26 ₽
+195 баллов
Подробнее
HS-112-25
Радиатор: штампованный; TO220; черный; L: 25,4мм; W: 12мм; H: 6,5мм
от 26 ₽
+195 баллов
Подробнее
291-h46AB
Радиатор: штампованный; U; TO220; черный; L: 21,8мм; W: 25,4мм; 291
от 26 ₽
+195 баллов
Подробнее
289-AB
Радиатор: штампованный; U; TO202,TO218,TO220; черный; L: 18,1мм
от 26 ₽
+195 баллов
Подробнее
Похожие товары
Транзистор: NPN; биполярный; Дарлингтон; 250В; 6А; 40Вт; TO220FP
от 827 ₽
+1241 балл
Подробнее
TIP122
Транзистор: NPN; биполярный; Дарлингтон; 100В; 5А; 2Вт; TO220
от 40 ₽
+6000 баллов
Подробнее
MJ11022G
Транзистор: NPN; биполярный; Дарлингтон; 250В; 15А; 175Вт; TO3
от 1 306 ₽
+195900 баллов
Подробнее
NTE274
Транзистор: NPN; биполярный; Дарлингтон; 80В; 4А; 50Вт; TO66
от 2 409 ₽
+3614 баллов
Подробнее
MPSA29
Транзистор: NPN; биполярный; Дарлингтон; 100В; 0,8А; 625мВт; TO92
от 31. 4 ₽
+23550 баллов
Подробнее
BDX33C
Транзистор: NPN; биполярный; Дарлингтон; 100В; 10А; 70Вт; TO220AB
от 82 ₽
+12300 баллов
Подробнее
BU931T
Транзистор: NPN; биполярный; 500В; 10А; 175Вт; TO220AB
от 460 ₽
+17250 баллов
Подробнее
KSP13TA
Транзистор: NPN; биполярный; Дарлингтон; 30В; 0,5А; 0,625Вт; TO92
от 17 ₽
+5100 баллов
Подробнее
NTE2644
Транзистор: NPN; биполярный; Дарлингтон; 60В; 2А; 0,9Вт; TO92L
от 215 ₽
+323 балла
Подробнее
TIP150
Транзистор: NPN; биполярный; Дарлингтон; 300В; 7А; 80Вт; TO220-3
от 506 ₽
+759 баллов
Подробнее
2N6039
Транзистор: NPN; биполярный; Дарлингтон; 80В; 4А; 1,5/40Вт; TO126
от 33 ₽
+12375 баллов
Подробнее
STP03D200
Транзистор: NPN; биполярный; Дарлингтон; 1,2кВ; 0,1А; 40Вт; TO220AB
от 1 420 ₽
+213000 баллов
Подробнее
Ваша заявка отправлена. В ближайшее время мы свяжемся с Вами по указанным контактам.
20800078
Enclosure, Accessory, Coding Pegs Срок поставки 3-4 недели
Поздравляем! Вы получили бесплатную доставку на ваш заказ!
Оформить заказ
Заказанное количество не является кратным. Правильное количество должно быть кратным .
Введите номер вашего мобильного телефона
Нажимая на кнопку «Получить СМС с кодом для регистрации», Вы принимаете условия пользовательского соглашения.
Введите номер вашего мобильного телефона
Нажимая на кнопку «Получить СМС с кодом доступа», Вы принимаете условия пользовательского соглашения.
Введите номер вашего мобильного телефона
Нажимая на кнопку «Получить СМС с кодом доступа», Вы принимаете условия пользовательского соглашения.
Введите номер вашего мобильного телефона
Нажимая на кнопку «Получить СМС с кодом доступа», Вы принимаете условия пользовательского соглашения.
Сохранение профиля
Данные сохранены!
Отменить удаление будет невозможно
Введите название Запись начинается на строке12
Предварительный просмотр вашего файла отображается ниже. Ваши столбцы были сопоставлены на основе содержания вашего файла. Пожалуйста, просмотрите выбранные варианты и используйте выпадающие списки над каждым столбцом, чтобы внести какие-либо изменения, а также сопоставить столбцы, которые мы не смогли отобразить автоматически. Требуется столбец как для номера детали, так и для количества.
Куда доставить заказ?
Москва
Добавьте точный адрес, удобный пункт выдачи или постамат, чтобы заранее увидеть условия доставки товаров
Выберите город
Краткие, основные характеристики зарубежных транзисторов на Времонт.

Тип прибора | Описание |
STA434A | P/N-матрица 2×60В 4A 20Вт |
STA441C | N-матрица 4×160В 1,5А β>40 |
STA451C | P/N-матрица 2×60В ЗА β>40 |
STA471A | N-матрица 4×60В 2А β>2000 |
STA8012 | матрица |
STA901M | матрица |
STP3NA60 | N-FET 600В 2,9А 80Вт |
STP3NA60F | N-FET 600В 2,1А 40Вт |
STP4NA60 | N-FET 600В 4.3А 100Вт |
STP4NA60F | N-FET 600В 2,7А 40Вт |
STP4NA80 | N-FET 800В 4А 110Вт |
STP4NA80F | N-FET 800В 2,5А 45Вт |
STW15NA50 | N-FET 500В 14,6А 190Вт |
SUP70N06-14 | N-FET 60В 70А 142Вт |
THD200FI | SI-N 1500В 10A 60Вт |
TIP102 | N-DARL 100В 8А 80Вт |
TIP107 | P-DARL 100В 15А80Вт |
TIP112 | N-DARL 100В 2А 50Вт |
TIP117 | P-DARL 100В 2А 50Вт |
TIP122 | N-DARL 100В 5А 65Вт |
TIP127 | P-DARL 100В 5А 65Вт |
TIP132 | N-DARL 100В 8А 70Вт |
TIP137 | P-DARL 100В 8А 70Вт |
TIP142 | N-DARL 100В 10А 125Вт |
TIP142T | N-DARL 100В 10А 80Вт |
TIP147 | P-DARL+D 100В 10А 125Вт |
TIP152 | N-DARL+D 400/400В 7А 80Вт |
TIP162 | N-DARL 380В 10А 3Вт |
TIP2955 | SI-Р 100В 15А 90Вт |
TIP29E | SI-N 180В 2А 30Вт >3МГц |
Тип прибора | Описание |
TIP3055 | SI-N 100В 15А 90Вт |
TIP33C | SI-N 115В 10А 80ВТ |
TIP34C | SI-Р 100В 10А 80Вт 3МГц |
TIP35C | SI-N 100В 25А 125Вт 3МГц |
TIP36C | SI-Р 100В 25А 125Вт 3МГц |
TIP41C | SI-N 100В 6А 65Вт 3МГц |
TIP42C | SI-Р 140В 6А 65Вт |
TIP50 | SI-N 400B 1А 40Вт 2мкс |
TIP54 | SI-N 500В ЗА 100Вт >2,5МГц |
TIPL760 | SI-N 850/400В 4А 75Вт |
TIPL760A | SI-N 100В 4А 80ВТ 12МГц |
TIPL761A | SI-N 1000В 4А 100Вт |
TIPL762A | SI-N 800В 6А 120Вт |
TIPL763A | SI-N 1000В 8А 120Вт 8МГц |
TIPL790A | SI-N 150В 10А 70 Вт 10МГц |
TIPL791A | SI-N 450В 4А 75Вт |
U440 | 2xN-FET 25В ЗОмА 0,35Вт |
UPA63H | 2xN-FET 60В ldss>20мA |
UPA81C | N-матрица 8×40В 0,4А β>1000 |
VN10KM | N-FET 60В 0,31A Up |
VN66AFD | N-FET 60В 2А 12Вт Up |
VN88AFD | N-FET 80В 1,ЗА 20Вт Up |
ZTX213 | SI-Р 45В 0,2А 0,3Вт 350МГц |
ZTX342 | SI-N 120В 0,1А 0,3Вт |
ZTX450 | SI-N 60В 1А 1Вт 150МГц |
ZTX550 | SI-P60B 1А 1Вт >150МГц |
ZTX653 | SI-N 120В 2А 1Вт >140МГц |
ZTX753 | SI-P120B 2А 1Вт |
ZTX753M1TA | SI-P 120B 2А 1Вт |
TIP112 Схема контактов транзистора, характеристики, аналоги, применение и многое другое
TIP112 — универсальный транзистор средней мощности, предназначенный для коммутации и усиления. В этом посте описывается распиновка транзистора TIP112, характеристики, эквивалент, использование и другая информация об этом транзисторе.
Рекламные объявления
Рекламные объявления
Характеристики/технические характеристики:
- Тип упаковки: ТО-220
- Тип транзистора: NPN
- Макс. ток коллектора (I C ): 2A
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (В CE ): 100 В
- Максимальное напряжение коллектор-база (В CB ): 100 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO): 5 В
- Макс. тепловыделение коллектора (шт.): 50 Вт
- Минимальное и максимальное усиление постоянного тока (ч FE ): 500 до 1000
- Макс. температура хранения и рабочая температура: от -65 до +150 по Цельсию
PNP Дополнение:
PNP Дополнение к TIP112 – это TIP117
Замена и эквивалент: 90 максимальное напряжение коллектор-эмиттер и коллектор-база транзистора 100В, но если ваша нагрузка менее 60 В, вы также можете использовать другой транзистор NPN этой серии, который точно соответствует TIP112, номера деталей TIP110 и TIP111.

Транзистор TIP112 Объяснение/описание:
TIP112 представляет собой транзистор Дарлингтона в корпусе TO-220. Транзистор Дарлингтона — это тип транзистора, который содержит два транзистора внутри, которые соединены таким образом (как показано на диаграмме выше на изображении распиновки TIP112), что многократно увеличивает выходное усиление транзистора. Транзистор TIP112 также обеспечивает коэффициент усиления от 500 до 1000, но есть и другие транзисторы, обеспечивающие максимальный коэффициент усиления по постоянному току до 20 000 и более. Транзистор TIP112 предназначен для использования в широком спектре коммутационных и усилительных приложений общего назначения в промышленной электронике, но его также можно использовать в образовательных и хобби-проектах. Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером составляет 100 В, поэтому он может управлять нагрузкой до 100 В. Максимальный ток коллектора транзистора составляет 2 ампера, поэтому он может непрерывно управлять нагрузкой менее 2 А, а максимальный пиковый ток коллектора составляет 4 А, что означает, что он может непрерывно управлять нагрузкой 4 А в течение миллисекунд. Однако для управления любой нагрузкой транзистор должен иметь радиатор. Его низкая способность к насыщению коллектор-эмиттер делает его идеальным для использования в устройствах с низким напряжением и с питанием от батарей.
Где мы можем его использовать и как использовать:
Транзистор TIP112 можно использовать в различных целях переключения и усиления общего назначения. При использовании в качестве переключателя он может управлять различной нагрузкой до 2 А, но не рекомендуется для приложений с высокой скоростью переключения, но это не означает, что его нельзя использовать для управления нагрузками или переключения нагрузок, пользователь может использовать его для любых общих целей. целевое приложение переключения. Помимо этого, его также можно использовать в качестве усилителя общего назначения в различных приложениях. Более того, его также можно использовать на выходе ардуино и других электронных платформ для управления нагрузками.
Приложения:
Аудиоусилитель
Коммутация
Драйверы двигателей
Солнечные батареи
Приложения для аккумуляторов2
0 Зарядные устройства для аккумуляторов3
Руководство по безопасной эксплуатации / Абсолютные максимальные значения: Чтобы безопасно эксплуатировать этот транзистор и обеспечить длительный срок службы этого устройства, рекомендуется не использовать его абсолютный максимум и всегда оставаться ниже 20%. Максимальный выходной ток транзистора составляет 2 А, поэтому не подключайте нагрузку более 1,6 А. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер составляет 100 В, поэтому не подключайте нагрузку более 80 В.
Используйте подходящий радиатор с транзистором и всегда храните или эксплуатируйте транзистор при температуре выше -65°C и ниже 150°C.
Техническое описание: Чтобы загрузить техническое описание, просто скопируйте и вставьте ссылку ниже в адресную строку браузера.
https://cdn.datasheetspdf.com/pdf-down/T/I/P/TIP112_FairchildSemiconductor.pdf
Обновлено
Транзистор TIP112 Транзистор TIP112 Транзистор TIP112 электрические характеристики - TIP112 представляет собой NPN-транзистор Darlington POWER
.- Напряжение между коллектором и эмиттером 100 В
- Напряжение между коллектором и базой 100 В
- Напряжение между эмиттером и базой 5В
- Ток коллектора 2A
- Импульсный ток коллектора 4A
- Базовый ток 50 мА
- Рассеиваемая мощность 50 Вт
- Коэффициент усиления постоянного тока равен от 500 до 1000hFE
- Температура соединения и температура хранения от -65 до +150℃
- Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером ( В CE (SAT) ) равно 5 В
- Термическое сопротивление, соединение с корпусом 5℃/Вт
- Выходная емкость 100 пФ
- Высокий коэффициент усиления постоянного тока
- Низкое напряжение насыщения
TIP112 Распиновка TIP112 Распиновка Номер контакта Имя контакта Описание 1 База Базовая клемма используется для запуска транзистора 2 Коллектор Ток протекает через коллектор 3 Излучатель Ток протекает через эмиттер
Корпус TIP112 Транзистор TIP112 представляет собой транзистор Дарлингтона NPN в корпусе TO-220, трехконтактный корпус из эпоксидно-пластикового материала, что делает корпус более термостойким и компактным.
ТО-220 более объемный и сквозной корпус, поэтому к нему можно прикрепить радиатор.
TIP112 NPN-транзистор Дарлингтона TIP112 — это NPN-транзистор Дарлингтона. Эта комбинация получается путем соединения двух наборов NPN-транзисторов встречно-параллельно. Эти типы транзисторов имеют БОЛЬШОЕ значение коэффициента усиления из-за соединения.
Описание электрических характеристик транзистора TIP112 и примечания по применению В этом разделе мы объясняем важные электрические характеристики транзистора TIP112, это очень важно в процессе замены.
Характеристики напряжения Характеристики напряжения транзистора TIP112: напряжение между коллектором и эмиттером составляет 100 В, напряжение между коллектором и базой составляет 100 В, а напряжение между эмиттером и базой составляет 5 В, напряжение на клеммах показывает, что это высоковольтное устройство.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер составляет 2,5 В, что является значением напряжения, важным для переключения устройства.
Значения напряжения на клеммах и напряжения насыщения транзистора TIP112 указывают на то, что он использовался для мощных приложений.
Характеристики тока Значение тока коллектора транзистора TIP112 составляет 2 А, оно показывает нагрузочную способность устройства.
Значение импульсного тока коллектора транзистора TIP112 составляет 4 А, этот ток в два раза превышает ток коллектора.
Характеристики рассеяния Значение рассеивания транзистора TIP112 составляет 50 Вт, оно рассчитывается путем произведения напряжения и тока. Это в основном зависит от корпуса транзистора TIP112.
Коэффициент усиления по току Коэффициент усиления по току транзистора TIP112 составляет от 500 до 1000, он показывает способность устройства к усилению.
Температура соединения/температура хранения Значения температуры соединения и температуры хранения составляют от -65 до 150℃.
Выходная емкость Значение выходной емкости транзистора TIP112 составляет 100 Пф.
TIP112 DATASHEET Если вам нужно техническое описание в формате pdf, пожалуйста, нажмите на эту ссылку 415, TIP102, TIP122, BDT65B и BDW42 , каждое из этих транзисторных устройств используется в качестве замены транзистора TIP112.
Транзисторы TIP112 в основном используются для драйверов и приложений, связанных с питанием, поэтому нам необходимо проверить такие характеристики, как детали PINOUT, значение усиления по постоянному току и значение напряжения транзистора перед процессом замены.
TIP112 Комплементарный транзистор TIP112 Пара NPN-транзисторов Дарлингтона имеет комплементарную пару TIP117 PNP-транзисторов, и оба они имеют одинаковые электрические характеристики, поэтому их легко использовать в схемных приложениях.
TIP112 или 2N6045 или TIP102 Характеристики TIP112 5
4 354 TIP102 Напряжение между коллектором и базой (В CB ) 100 В 100 В 100 В Напряжение между коллектором и эмиттером (В CE ) 100 В 100 В 100 В Напряжение между эмиттером и базой (В EB ) 5 В 5 В 5 В Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером (В CE (SAT) ) 2,5 В 2 до 4 В 2 В Ток коллектора (I C ) 2A 8A 8A Импульсный ток коллектора 4A – 15A Базовый ток 50 мА 120 мА – Рассеиваемая мощность 50 Вт 75 Вт 80 Вт Температура перехода (T J ) от -65 до +150°C от -65 до +150°C от -65 до +150℃ Термостойкость 2,5 ℃/Вт 1,67 ℃/Вт 1,56 ℃/Вт Усиление (h FE ) от 500 до 1000hFE от 1000 до 20000hFE от 10000 до 20000Hfe Выходная емкость 100пФ 200Пф – Пакет ТО-220 ТО-220 ТО-220
Применение транзисторов TIP112 - Линейные и коммутационные промышленные применения
- Усилители общего назначения
- Низкоскоростные коммутационные приложения
- Приложения для драйверов двигателей
- Солнечные панели
- Цепь зарядного устройства аккумулятора
Кривые характеристик транзистора TIP112 Кривая характеристики усиления по постоянному току транзистора TIP112 На графике показана кривая характеристики усиления по постоянному току транзистора TIP112, на графике показана зависимость коэффициента усиления по постоянному току от тока коллектора.
При постоянном напряжении коллектор-эмиттер кривые коэффициента усиления по постоянному току строятся при двух значениях температуры.
Изменение коэффициента усиления по постоянному току начинается с особенно низкого значения и достигает более высокого предела, а затем падает в конце.
Характеристики области безопасной работы транзистора TIP112 На графике показаны характеристики области безопасной работы транзистора TIP112, график зависимости тока коллектора от напряжения между коллектором и эмиттером.
Кривая безопасного рабочего диапазона транзистора TIP112 указана с такими характеристиками, как импульсные значения, значение переключения и значение усиления по постоянному току.
Похожие сообщения
Транзистор
Техническое описание транзистора BC639: аналог, спецификация, распиновка
Бьядхарш
Транзистор BC639 Транзистор BC639 электрические характеристики BC639 представляет собой силовой NPN-транзистор общего назначения.
Напряжение между коллектором и эмиттером составляет 80 В. Напряжение между коллектором и базой составляет 80 В. Напряжение между эмиттером и базой составляет…
Подробнее Техническое описание транзистора BC639: эквивалент, спецификация, распиновкаПродолжить
Транзистор
Транзистор TIP36C: аналог, цоколевка, спецификация, даташит
Бьядхарш
Транзистор TIP36C Спецификация TIP36C TIP36C — кремниевый высоковольтный транзистор PNP POWER Напряжение между коллектором и эмиттером составляет -100 В Напряжение между коллектором и базой составляет –100 В Напряжение между эмиттером и базой составляет –5 В…
Подробнее Транзистор TIP36C: эквивалент, распиновка, спецификация, техническое описаниеПродолжить
Транзистор
Транзистор 2N2905: аналог, распиновка, корпус, даташит
Бьядхарш




5
4 354 TIP102
