Π£Π½ΠΈΠ²Π΅Ρ€ΡΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ внСшний Π½Π°ΠΊΠΎΠΏΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ для всСх iOS-устройств, совмСстим с PC/Mac, Android
Header Banner
8 800 100 5771 | +7 495 540 4266
c 9:00 Π΄ΠΎ 24:00 ΠΏΠ½-ΠΏΡ‚ | c 10:00 Π΄ΠΎ 18:00 сб
0 Comments

Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅

TIP121G ΠΎΡ‚ 132 Ρ€ΡƒΠ±Π»Π΅ΠΉ Π² Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠΈ 50 ΡˆΡ‚ производства ONSEMI TIP121G

всСго Π² Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠΈ 50 ΡˆΡ‚

ΠšΠΎΠ»ΠΈΡ‡Π΅ΡΡ‚Π²ΠΎΠ¦Π΅Π½Π° β‚½/ΡˆΡ‚
1 391
3 178
10 62200″> 157
50
141
250 52100″> 132

Π’ ΠΊΠΎΡ€Π·ΠΈΠ½Ρƒ

ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Π΅

+19 Π±Π°Π»Π»ΠΎΠ²

БСсплатная доставка

ΠšΡƒΠΏΠΈΡ‚ΡŒ TIP121G ΠΎΡ‚ 1 ΡˆΡ‚ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ банковской ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ прямо сСйчас Π½Π° нашСм сайтС.
Π Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅ΠΌ с частными ΠΈ ΡŽΡ€ΠΈΠ΄ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΠΌΠΈ Π»ΠΈΡ†Π°ΠΌΠΈ.

TIP121G описаниС ΠΈ характСристики

Вранзистор: NPN; биполярный; Π”Π°Ρ€Π»ΠΈΠ½Π³Ρ‚ΠΎΠ½; 80Π’; 5А; 2Π’Ρ‚; TO220AB

  • ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ

    ON SEMICONDUCTOR

  • Π’ΠΈΠ΄ транзистора

    Π”Π°Ρ€Π»ΠΈΠ½Π³Ρ‚ΠΎΠ½

  • Π’ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°

    5А

  • НапряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр

    80Π’

  • Π’ΠΈΠΏ транзистора

    NPN

  • ΠŸΠΎΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ

    биполярный

  • РассСиваСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ

    2Π’Ρ‚

  • ΠšΠΎΡ€ΠΏΡƒΡ

    TO220AB

  • ΠœΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΆ

    THT

  • Π’ΠΈΠ΄ ΡƒΠΏΠ°ΠΊΠΎΠ²ΠΊΠΈ

    Ρ‚ΡƒΠ±Π°

  • Π’ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Π° Ρ€Π°Π΄ΠΈΡ‚ΠΎΡ€Π°

    1,15. ..1,39ΠΌΠΌ

  • ВСс

    1.993g

БСсплатная доставка
Π·Π°ΠΊΠ°Π·ΠΎΠ² ΠΎΡ‚ 5000 β‚½

Доставим прямо Π² Ρ€ΡƒΠΊΠΈ ΠΈΠ»ΠΈ Π² блиТайший ΠΏΡƒΠ½ΠΊΡ‚ Π²Ρ‹Π΄Π°Ρ‡ΠΈ


Π‘ΠΌΠ΅ΠΆΠ½Ρ‹Π΅ Ρ‚ΠΎΠ²Π°Ρ€Ρ‹

SMICA TO220

ΠŸΡ€ΠΎΠΊΠ»Π°Π΄ΠΊΠ° тСплопроводящая: силиконовая; TO220; 0,4К/Π’Ρ‚; L: 18ΠΌΠΌ

ΠΎΡ‚ 26 β‚½

+195 Π±Π°Π»Π»ΠΎΠ²

ΠŸΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½Π΅Π΅

IB 6

Π˜Π·ΠΎΠ»ΡΡ†ΠΈΠΎΠ½Π½Π°Ρ Π²Ρ‚ΡƒΠ»ΠΊΠ°; TO220; UL94V-0; 6ΠΌΠΌ; -40Γ·250Β°C; 30ΠΊΠ’/ΠΌΠΌ

ΠΎΡ‚ 26 β‚½

+195 Π±Π°Π»Π»ΠΎΠ²

ΠŸΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½Π΅Π΅

NIPPEL TO220

Π˜Π·ΠΎΠ»ΡΡ†ΠΈΠΎΠ½Π½Π°Ρ Π²Ρ‚ΡƒΠ»ΠΊΠ°; TO220; 6,1ΠΌΠΌ; макс. 130Β°C

ΠΎΡ‚ 26 β‚½

+195 Π±Π°Π»Π»ΠΎΠ²

ΠŸΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½Π΅Π΅

MICA-TO220

ΠŸΡ€ΠΎΠΊΠ»Π°Π΄ΠΊΠ° тСплопроводящая: слюдяная; TO220; 1,2К/Π’Ρ‚; L: 18ΠΌΠΌ

ΠΎΡ‚ 26 β‚½

+195 Π±Π°Π»Π»ΠΎΠ²

ΠŸΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½Π΅Π΅

FIX-TC-1

Π˜Π·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π΄ΠΈΡΡ‚Π°Π½Ρ†ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ элСмСнт; ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠ°ΠΌΠΈΠ΄; 5,4ΠΌΠΌ; TO220

ΠΎΡ‚ 26 β‚½

+195 Π±Π°Π»Π»ΠΎΠ²

ΠŸΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½Π΅Π΅

SMICA TO220-2

ΠŸΡ€ΠΎΠΊΠ»Π°Π΄ΠΊΠ° тСплопроводящая: силиконовая; TO220; 0,4К/Π’Ρ‚; L: 20ΠΌΠΌ

ΠΎΡ‚ 26 β‚½

+195 Π±Π°Π»Π»ΠΎΠ²

ΠŸΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½Π΅Π΅

HS-142-38

Π Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€: ΡˆΡ‚Π°ΠΌΠΏΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ; TO220; Ρ‡Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ; L: 38,1ΠΌΠΌ; 6,2К/Π’Ρ‚; алюминий

ΠΎΡ‚ 26 β‚½

+195 Π±Π°Π»Π»ΠΎΠ²

ΠŸΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½Π΅Π΅

HS-112-25

Π Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€: ΡˆΡ‚Π°ΠΌΠΏΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ; TO220; Ρ‡Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ; L: 25,4ΠΌΠΌ; W: 12ΠΌΠΌ; H: 6,5ΠΌΠΌ

ΠΎΡ‚ 26 β‚½

+195 Π±Π°Π»Π»ΠΎΠ²

ΠŸΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½Π΅Π΅

291-h46AB

Π Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€: ΡˆΡ‚Π°ΠΌΠΏΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ; U; TO220; Ρ‡Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ; L: 21,8ΠΌΠΌ; W: 25,4ΠΌΠΌ; 291

ΠΎΡ‚ 26 β‚½

+195 Π±Π°Π»Π»ΠΎΠ²

ΠŸΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½Π΅Π΅

289-AB

Π Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€: ΡˆΡ‚Π°ΠΌΠΏΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ; U; TO202,TO218,TO220; Ρ‡Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ; L: 18,1ΠΌΠΌ

ΠΎΡ‚ 26 β‚½

+195 Π±Π°Π»Π»ΠΎΠ²

ΠŸΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½Π΅Π΅

ΠŸΠΎΡ…ΠΎΠΆΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ²Π°Ρ€Ρ‹

NTE2543

Вранзистор: NPN; биполярный; Π”Π°Ρ€Π»ΠΈΠ½Π³Ρ‚ΠΎΠ½; 250Π’; 6А; 40Π’Ρ‚; TO220FP

ΠΎΡ‚ 827 β‚½

+1241 Π±Π°Π»Π»

ΠŸΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½Π΅Π΅

TIP122

Вранзистор: NPN; биполярный; Π”Π°Ρ€Π»ΠΈΠ½Π³Ρ‚ΠΎΠ½; 100Π’; 5А; 2Π’Ρ‚; TO220

ΠΎΡ‚ 40 β‚½

+6000 Π±Π°Π»Π»ΠΎΠ²

ΠŸΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½Π΅Π΅

MJ11022G

Вранзистор: NPN; биполярный; Π”Π°Ρ€Π»ΠΈΠ½Π³Ρ‚ΠΎΠ½; 250Π’; 15А; 175Π’Ρ‚; TO3

ΠΎΡ‚ 1 306 β‚½

+195900 Π±Π°Π»Π»ΠΎΠ²

ΠŸΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½Π΅Π΅

NTE274

Вранзистор: NPN; биполярный; Π”Π°Ρ€Π»ΠΈΠ½Π³Ρ‚ΠΎΠ½; 80Π’; 4А; 50Π’Ρ‚; TO66

ΠΎΡ‚ 2 409 β‚½

+3614 Π±Π°Π»Π»ΠΎΠ²

ΠŸΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½Π΅Π΅

MPSA29

Вранзистор: NPN; биполярный; Π”Π°Ρ€Π»ΠΈΠ½Π³Ρ‚ΠΎΠ½; 100Π’; 0,8А; 625ΠΌΠ’Ρ‚; TO92

ΠΎΡ‚ 31. 4 β‚½

+23550 Π±Π°Π»Π»ΠΎΠ²

ΠŸΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½Π΅Π΅

BDX33C

Вранзистор: NPN; биполярный; Π”Π°Ρ€Π»ΠΈΠ½Π³Ρ‚ΠΎΠ½; 100Π’; 10А; 70Π’Ρ‚; TO220AB

ΠΎΡ‚ 82 β‚½

+12300 Π±Π°Π»Π»ΠΎΠ²

ΠŸΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½Π΅Π΅

BU931T

Вранзистор: NPN; биполярный; 500Π’; 10А; 175Π’Ρ‚; TO220AB

ΠΎΡ‚ 460 β‚½

+17250 Π±Π°Π»Π»ΠΎΠ²

ΠŸΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½Π΅Π΅

KSP13TA

Вранзистор: NPN; биполярный; Π”Π°Ρ€Π»ΠΈΠ½Π³Ρ‚ΠΎΠ½; 30Π’; 0,5А; 0,625Π’Ρ‚; TO92

ΠΎΡ‚ 17 β‚½

+5100 Π±Π°Π»Π»ΠΎΠ²

ΠŸΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½Π΅Π΅

NTE2644

Вранзистор: NPN; биполярный; Π”Π°Ρ€Π»ΠΈΠ½Π³Ρ‚ΠΎΠ½; 60Π’; 2А; 0,9Π’Ρ‚; TO92L

ΠΎΡ‚ 215 β‚½

+323 Π±Π°Π»Π»Π°

ΠŸΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½Π΅Π΅

TIP150

Вранзистор: NPN; биполярный; Π”Π°Ρ€Π»ΠΈΠ½Π³Ρ‚ΠΎΠ½; 300Π’; 7А; 80Π’Ρ‚; TO220-3

ΠΎΡ‚ 506 β‚½

+759 Π±Π°Π»Π»ΠΎΠ²

ΠŸΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½Π΅Π΅

2N6039

Вранзистор: NPN; биполярный; Π”Π°Ρ€Π»ΠΈΠ½Π³Ρ‚ΠΎΠ½; 80Π’; 4А; 1,5/40Π’Ρ‚; TO126

ΠΎΡ‚ 33 β‚½

+12375 Π±Π°Π»Π»ΠΎΠ²

ΠŸΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½Π΅Π΅

STP03D200

Вранзистор: NPN; биполярный; Π”Π°Ρ€Π»ΠΈΠ½Π³Ρ‚ΠΎΠ½; 1,2ΠΊΠ’; 0,1А; 40Π’Ρ‚; TO220AB

ΠΎΡ‚ 1 420 β‚½

+213000 Π±Π°Π»Π»ΠΎΠ²

ΠŸΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½Π΅Π΅

Π’Π°ΡˆΠ° заявка ΠΎΡ‚ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½Π°. Π’ блиТайшСС врСмя ΠΌΡ‹ свяТСмся с Π’Π°ΠΌΠΈ ΠΏΠΎ ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π°ΠΌ.

20800078

Enclosure, Accessory, Coding Pegs Π‘Ρ€ΠΎΠΊ поставки 3-4 Π½Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈ

ΠŸΠΎΠ·Π΄Ρ€Π°Π²Π»ΡΠ΅ΠΌ! Π’Ρ‹ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠ»ΠΈ Π±Π΅ΡΠΏΠ»Π°Ρ‚Π½ΡƒΡŽ доставку Π½Π° ваш Π·Π°ΠΊΠ°Π·!

ΠžΡ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ‚ΡŒ Π·Π°ΠΊΠ°Π·

Π—Π°ΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½ΠΎΠ΅ количСство Π½Π΅ являСтся ΠΊΡ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΌ. ΠŸΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ количСство Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΊΡ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΌ .

Π’Π²Π΅Π΄ΠΈΡ‚Π΅ Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€ вашСго мобильного Ρ‚Π΅Π»Π΅Ρ„ΠΎΠ½Π°

НаТимая Π½Π° ΠΊΠ½ΠΎΠΏΠΊΡƒ Β«ΠŸΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ БМБ с ΠΊΠΎΠ΄ΠΎΠΌ для рСгистрации», Π’Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π΅Ρ‚Π΅ условия ΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΡΠΊΠΎΠ³ΠΎ соглашСния.

Π’Π²Π΅Π΄ΠΈΡ‚Π΅ Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€ вашСго мобильного Ρ‚Π΅Π»Π΅Ρ„ΠΎΠ½Π°

НаТимая Π½Π° ΠΊΠ½ΠΎΠΏΠΊΡƒ Β«ΠŸΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ БМБ с ΠΊΠΎΠ΄ΠΎΠΌ доступа», Π’Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π΅Ρ‚Π΅ условия ΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΡΠΊΠΎΠ³ΠΎ соглашСния.

Π’Π²Π΅Π΄ΠΈΡ‚Π΅ Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€ вашСго мобильного Ρ‚Π΅Π»Π΅Ρ„ΠΎΠ½Π°

НаТимая Π½Π° ΠΊΠ½ΠΎΠΏΠΊΡƒ Β«ΠŸΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ БМБ с ΠΊΠΎΠ΄ΠΎΠΌ доступа», Π’Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π΅Ρ‚Π΅ условия ΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΡΠΊΠΎΠ³ΠΎ соглашСния.

Π’Π²Π΅Π΄ΠΈΡ‚Π΅ Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€ вашСго мобильного Ρ‚Π΅Π»Π΅Ρ„ΠΎΠ½Π°

НаТимая Π½Π° ΠΊΠ½ΠΎΠΏΠΊΡƒ Β«ΠŸΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ БМБ с ΠΊΠΎΠ΄ΠΎΠΌ доступа», Π’Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π΅Ρ‚Π΅ условия ΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΡΠΊΠΎΠ³ΠΎ соглашСния.

Π‘ΠΎΡ…Ρ€Π°Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ профиля

Π”Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ сохранСны!

ΠžΡ‚ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ ΡƒΠ΄Π°Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π½Π΅Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ

Π’Π²Π΅Π΄ΠΈΡ‚Π΅ Π½Π°Π·Π²Π°Π½ΠΈΠ΅ Π—Π°ΠΏΠΈΡΡŒ начинаСтся Π½Π° строкС

12

ΠŸΡ€Π΅Π΄Π²Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ просмотр вашСго Ρ„Π°ΠΉΠ»Π° отобраТаСтся Π½ΠΈΠΆΠ΅. Π’Π°ΡˆΠΈ столбцы Π±Ρ‹Π»ΠΈ сопоставлСны Π½Π° основС содСрТания вашСго Ρ„Π°ΠΉΠ»Π°. ΠŸΠΎΠΆΠ°Π»ΡƒΠΉΡΡ‚Π°, просмотритС Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚Ρ‹ ΠΈ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠΉΡ‚Π΅ Π²Ρ‹ΠΏΠ°Π΄Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ списки Π½Π°Π΄ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΌ столбцом, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ внСсти ΠΊΠ°ΠΊΠΈΠ΅-Π»ΠΈΠ±ΠΎ измСнСния, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΡΠΎΠΏΠΎΡΡ‚Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ столбцы, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΌΡ‹ Π½Π΅ смогли ΠΎΡ‚ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΈΡ‚ΡŒ автоматичСски. ВрСбуСтся столбСц ΠΊΠ°ΠΊ для Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€Π° Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»ΠΈ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ для количСства.

ΠšΡƒΠ΄Π° Π΄ΠΎΡΡ‚Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ Π·Π°ΠΊΠ°Π·?

Москва


Π”ΠΎΠ±Π°Π²ΡŒΡ‚Π΅ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ адрСс, ΡƒΠ΄ΠΎΠ±Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΡƒΠ½ΠΊΡ‚ Π²Ρ‹Π΄Π°Ρ‡ΠΈ ΠΈΠ»ΠΈ постамат, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π·Π°Ρ€Π°Π½Π΅Π΅ ΡƒΠ²ΠΈΠ΄Π΅Ρ‚ΡŒ условия доставки Ρ‚ΠΎΠ²Π°Ρ€ΠΎΠ²

Π’Ρ‹Π±Π΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅ Π³ΠΎΡ€ΠΎΠ΄

ΠšΡ€Π°Ρ‚ΠΊΠΈΠ΅, основныС характСристики Π·Π°Ρ€ΡƒΠ±Π΅ΠΆΠ½Ρ‹Ρ… транзисторов Π½Π° Π’Ρ€Π΅ΠΌΠΎΠ½Ρ‚.

su
Π’ΠΈΠΏ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π° ОписаниС
STA434A P/N-ΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΡ†Π° 2×60Π’ 4A 20Π’Ρ‚
STA441C N-ΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΡ†Π° 4×160Π’ 1,5А Ξ²>40
STA451C P/N-ΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΡ†Π° 2×60Π’ ЗА Ξ²>40
STA471A N-ΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΡ†Π° 4×60Π’ 2А Ξ²>2000
STA8012 ΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°
STA901M ΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°
STP3NA60 N-FET 600Π’ 2,9А 80Π’Ρ‚
STP3NA60F N-FET 600Π’ 2,1А 40Π’Ρ‚
STP4NA60 N-FET 600Π’ 4.3А 100Π’Ρ‚
STP4NA60F N-FET 600Π’ 2,7А 40Π’Ρ‚
STP4NA80 N-FET 800Π’ 4А 110Π’Ρ‚
STP4NA80F N-FET 800Π’ 2,5А 45Π’Ρ‚
STW15NA50 N-FET 500Π’ 14,6А 190Π’Ρ‚
SUP70N06-14 N-FET 60Π’ 70А 142Π’Ρ‚
THD200FI SI-N 1500Π’ 10A 60Π’Ρ‚
TIP102 N-DARL 100Π’ 8А 80Π’Ρ‚
TIP107 P-DARL 100Π’ 15А80Π’Ρ‚
TIP112 N-DARL 100Π’ 2А 50Π’Ρ‚
TIP117 P-DARL 100Π’ 2А 50Π’Ρ‚
TIP122 N-DARL 100Π’ 5А 65Π’Ρ‚
TIP127 P-DARL 100Π’ 5А 65Π’Ρ‚
TIP132 N-DARL 100Π’ 8А 70Π’Ρ‚
TIP137 P-DARL 100Π’ 8А 70Π’Ρ‚
TIP142 N-DARL 100Π’ 10А 125Π’Ρ‚
TIP142T N-DARL 100Π’ 10А 80Π’Ρ‚
TIP147 P-DARL+D 100Π’ 10А 125Π’Ρ‚
TIP152 N-DARL+D 400/400Π’ 7А 80Π’Ρ‚
TIP162 N-DARL 380Π’ 10А 3Π’Ρ‚
TIP2955 SI-Π  100Π’ 15А 90Π’Ρ‚
TIP29E SI-N 180Π’ 2А 30Π’Ρ‚ >3ΠœΠ“Ρ†
Π’ΠΈΠΏ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π°ΠžΠΏΠΈΡΠ°Π½ΠΈΠ΅
TIP3055 SI-N 100Π’ 15А 90Π’Ρ‚
TIP33C SI-N 115Π’ 10А 80Π’Π’
TIP34C SI-Π  100Π’ 10А 80Π’Ρ‚ 3ΠœΠ“Ρ†
TIP35C SI-N 100Π’ 25А 125Π’Ρ‚ 3ΠœΠ“Ρ†
TIP36C SI-Π  100Π’ 25А 125Π’Ρ‚ 3ΠœΠ“Ρ†
TIP41C SI-N 100Π’ 6А 65Π’Ρ‚ 3ΠœΠ“Ρ†
TIP42C SI-Π  140Π’ 6А 65Π’Ρ‚
TIP50 SI-N 400B 1А 40Π’Ρ‚ 2мкс
TIP54 SI-N 500Π’ ЗА 100Π’Ρ‚ >2,5ΠœΠ“Ρ†
TIPL760 SI-N 850/400Π’ 4А 75Π’Ρ‚
TIPL760A SI-N 100Π’ 4А 80Π’Π’ 12ΠœΠ“Ρ†
TIPL761A SI-N 1000Π’ 4А 100Π’Ρ‚
TIPL762A SI-N 800Π’ 6А 120Π’Ρ‚
TIPL763A SI-N 1000Π’ 8А 120Π’Ρ‚ 8ΠœΠ“Ρ†
TIPL790A SI-N 150Π’ 10А 70 Π’Ρ‚ 10ΠœΠ“Ρ†
TIPL791A SI-N 450Π’ 4А 75Π’Ρ‚
U440 2xN-FET 25Π’ Π—ΠžΠΌΠ 0,35Π’Ρ‚
UPA63H 2xN-FET 60Π’ ldss>20ΠΌA
UPA81C N-ΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΡ†Π° 8×40Π’ 0,4А Ξ²>1000
VN10KM N-FET 60Π’ 0,31A Up
VN66AFD N-FET 60Π’ 2А 12Π’Ρ‚ Up
VN88AFD N-FET 80Π’ 1,ЗА 20Π’Ρ‚ Up
ZTX213 SI-Π  45Π’ 0,2А 0,3Π’Ρ‚ 350ΠœΠ“Ρ†
ZTX342 SI-N 120Π’ 0,1А 0,3Π’Ρ‚
ZTX450 SI-N 60Π’ 1А 1Π’Ρ‚ 150ΠœΠ“Ρ†
ZTX550 SI-P60B 1А 1Π’Ρ‚ >150ΠœΠ“Ρ†
ZTX653 SI-N 120Π’ 2А 1Π’Ρ‚ >140ΠœΠ“Ρ†
ZTX753 SI-P120B 2А 1Π’Ρ‚
ZTX753M1TA SI-P 120B 2А 1Π’Ρ‚

TIP112 Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² транзистора, характСристики, Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈ, ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΠ΅ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠ΅

TIP112 β€” ΡƒΠ½ΠΈΠ²Π΅Ρ€ΡΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ транзистор срСднСй мощности, ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ для ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈ усилСния. Π’ этом постС описываСтся распиновка транзистора TIP112, характСристики, эквивалСнт, использованиС ΠΈ другая информация ΠΎΠ± этом транзисторС.

Π Π΅ΠΊΠ»Π°ΠΌΠ½Ρ‹Π΅ объявлСния

Π Π΅ΠΊΠ»Π°ΠΌΠ½Ρ‹Π΅ объявлСния

Β 

Π₯арактСристики/тСхничСскиС характСристики:
  • Π’ΠΈΠΏ ΡƒΠΏΠ°ΠΊΠΎΠ²ΠΊΠΈ:Β  ВО-220
  • Π’ΠΈΠΏ транзистора: NPN
  • Макс. Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (I C ): 2A
  • МаксимальноС напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр (Π’ CE ): 100 Π’
  • МаксимальноС напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π° (Π’ CB ): 100 Π’
  • МаксимальноС напряТСниС эмиттСр-Π±Π°Π·Π° (VEBO): 5 Π’
  • Макс. Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²Ρ‹Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (ΡˆΡ‚.): 50 Π’Ρ‚
  • МинимальноС ΠΈ максимальноС усилСниС постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (Ρ‡ FE ): 500 Π΄ΠΎ 1000
  • Макс. Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° хранСния ΠΈ рабочая Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π°: ΠΎΡ‚ -65 Π΄ΠΎ +150 ΠΏΠΎ ЦСльсию

Β 

PNP Π”ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅:

PNP Π”ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊ TIP112 – это TIP117

Β 

Π—Π°ΠΌΠ΅Π½Π° ΠΈ эквивалСнт: 90 максимальноС напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π° транзистора 100Π’, Π½ΠΎ Ссли ваша Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ° ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ 60 Π’, Π²Ρ‹ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ транзистор NPN этой сСрии, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎ соотвСтствуСт TIP112, Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€Π° Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»Π΅ΠΉ TIP110 ΠΈ TIP111. Π”Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Ρ‹Π΅ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈ: 2SC1880, 2SC19.44, 2SC1983, 2SC1984, 2SD679, 2SD689, 2SD990, BD411, BD412, TIP132, TIP122 , TIP102 , 2SD1828, 2SD1830, 2SD1892, 30SD266, 22SD24 JF122, MJF6388.

Β 

Вранзистор TIP112 ОбъяснСниС/описаниС:

TIP112 прСдставляСт собой транзистор Π”Π°Ρ€Π»ΠΈΠ½Π³Ρ‚ΠΎΠ½Π° Π² корпусС TO-220. Вранзистор Π”Π°Ρ€Π»ΠΈΠ½Π³Ρ‚ΠΎΠ½Π° β€” это Ρ‚ΠΈΠΏ транзистора, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ содСрТит Π΄Π²Π° транзистора Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ соСдинСны Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ (ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° Π΄ΠΈΠ°Π³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ΅ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ Π½Π° ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ распиновки TIP112), Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΠΊΡ€Π°Ρ‚Π½ΠΎ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ усилСниС транзистора. Вранзистор TIP112 Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ обСспСчиваСт коэффициСнт усилСния ΠΎΡ‚ 500 Π΄ΠΎ 1000, Π½ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ транзисторы, ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ постоянному Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Π΄ΠΎ 20 000 ΠΈ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅. Вранзистор TIP112 ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ для использования Π² ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠΌ спСктрС ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… ΠΈ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ назначСния Π² ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ элСктроникС, Π½ΠΎ Π΅Π³ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π² ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΈ Ρ…ΠΎΠ±Π±ΠΈ-ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚Π°Ρ…. МаксимальноС напряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром составляСт 100 Π’, поэтому ΠΎΠ½ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΎΠΉ Π΄ΠΎ 100 Π’. ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° транзистора составляСт 2 Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°, поэтому ΠΎΠ½ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π½Π΅ΠΏΡ€Π΅Ρ€Ρ‹Π²Π½ΠΎ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΎΠΉ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ 2 А, Π° ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° составляСт 4 А, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ½ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π½Π΅ΠΏΡ€Π΅Ρ€Ρ‹Π²Π½ΠΎ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΎΠΉ 4 А Π² Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ миллисСкунд. Однако для управлСния любой Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΎΠΉ транзистор Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€. Π•Π³ΠΎ низкая ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊ Π½Π°ΡΡ‹Ρ‰Π΅Π½ΠΈΡŽ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр Π΄Π΅Π»Π°Π΅Ρ‚ Π΅Π³ΠΎ ΠΈΠ΄Π΅Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ для использования Π² устройствах с Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ напряТСниСм ΠΈ с ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΎΡ‚ Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΉ.

Β 

Π“Π΄Π΅ ΠΌΡ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅ΠΌ Π΅Π³ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ:

Вранзистор TIP112 ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π² Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… цСлях ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΈ усилСния ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ назначСния. ΠŸΡ€ΠΈ использовании Π² качСствС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Ρ ΠΎΠ½ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΎΠΉ Π΄ΠΎ 2 А, Π½ΠΎ Π½Π΅ рСкомСндуСтся для ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ с высокой ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ, Π½ΠΎ это Π½Π΅ ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΅Π³ΠΎ нСльзя ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ для управлСния Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ°ΠΌΠΈ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΎΠΊ, ΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Π³ΠΎ для Π»ΡŽΠ±Ρ‹Ρ… ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΡ… Ρ†Π΅Π»Π΅ΠΉ. Ρ†Π΅Π»Π΅Π²ΠΎΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ. Помимо этого, Π΅Π³ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π² качСствС усилитСля ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ назначСния Π² Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… прилоТСниях. Π‘ΠΎΠ»Π΅Π΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Π΅Π³ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π°Ρ€Π΄ΡƒΠΈΠ½ΠΎ ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… элСктронных ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρ„ΠΎΡ€ΠΌ для управлСния Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ°ΠΌΠΈ.

Β 

ΠŸΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΡ:

ΠΡƒΠ΄ΠΈΠΎΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ

ΠšΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΡ

Π”Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Ρ‹ Π΄Π²ΠΈΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ

Π‘ΠΎΠ»Π½Π΅Ρ‡Π½Ρ‹Π΅ Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΈ

ΠŸΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΡ для аккумуляторов2

0 ЗарядныС устройства для аккумуляторов3

Β 

Руководство ΠΏΠΎ бСзопасной эксплуатации / ΠΠ±ΡΠΎΠ»ΡŽΡ‚Π½Ρ‹Π΅ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ значСния:

Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ бСзопасно ΡΠΊΡΠΏΠ»ΡƒΠ°Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ этот транзистор ΠΈ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ срок слуТбы этого устройства, рСкомСндуСтся Π½Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Π³ΠΎ Π°Π±ΡΠΎΠ»ΡŽΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ максимум ΠΈ всСгда ΠΎΡΡ‚Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π½ΠΈΠΆΠ΅ 20%. ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ транзистора составляСт 2 А, поэтому Π½Π΅ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΠΉΡ‚Π΅ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΡƒ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 1,6 А. МаксимальноС напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр составляСт 100 Π’, поэтому Π½Π΅ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΠΉΡ‚Π΅ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΡƒ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 80 Π’. Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠΉΡ‚Π΅ подходящий Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ с транзистором ΠΈ всСгда Ρ…Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‚Π΅ ΠΈΠ»ΠΈ эксплуатируйтС транзистор ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ -65Β°C ΠΈ Π½ΠΈΠΆΠ΅ 150Β°C.

Β 

ВСхничСскоС описаниС:

Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π·Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΈΡ‚ΡŒ тСхничСскоС описаниС, просто скопируйтС ΠΈ Π²ΡΡ‚Π°Π²ΡŒΡ‚Π΅ ссылку Π½ΠΈΠΆΠ΅ Π² Π°Π΄Ρ€Π΅ΡΠ½ΡƒΡŽ строку Π±Ρ€Π°ΡƒΠ·Π΅Ρ€Π°.

https://cdn.datasheetspdf.com/pdf-down/T/I/P/TIP112_FairchildSemiconductor.pdf ОбновлСно

Вранзистор TIP112 Вранзистор TIP112

Вранзистор TIP112 элСктричСскиС характСристики
  • TIP112 прСдставляСт собой NPN-транзистор Darlington POWER
  • .
  • НапряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром 100 Π’
  • НапряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ 100 Π’
  • НапряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ эмиттСром ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ 5Π’
  • Π’ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° 2A
  • Π˜ΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° 4A
  • Π‘Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ 50 мА
  • РассСиваСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ 50 Π’Ρ‚
  • ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Ρ€Π°Π²Π΅Π½ ΠΎΡ‚ 500 Π΄ΠΎ 1000hFE
  • Π’Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° соСдинСния ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° хранСния ΠΎΡ‚ -65 Π΄ΠΎ +150℃
  • НапряТСниС насыщСния ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром ( Π’ CE (SAT) ) Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ 5 Π’
  • ВСрмичСскоС сопротивлСниС, соСдинСниС с корпусом 5℃/Π’Ρ‚
  • Выходная Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ 100 ΠΏΠ€
  • Высокий коэффициСнт усилСния постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°
  • НизкоС напряТСниС насыщСния

TIP112 Распиновка TIP112 Распиновка
НомСр ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π° Имя ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π° ОписаниС
1 Π‘Π°Π·Π° Базовая ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΠ° ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ для запуска транзистора
2 ΠšΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ Π’ΠΎΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€
3 Π˜Π·Π»ΡƒΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ Π’ΠΎΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· эмиттСр

Β 

ΠšΠΎΡ€ΠΏΡƒΡ TIP112

Вранзистор TIP112 прСдставляСт собой транзистор Π”Π°Ρ€Π»ΠΈΠ½Π³Ρ‚ΠΎΠ½Π° NPN Π² корпусС TO-220, Ρ‚Ρ€Π΅Ρ…ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ корпус ΠΈΠ· эпоксидно-пластикового ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΄Π΅Π»Π°Π΅Ρ‚ корпус Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ тСрмостойким ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹ΠΌ.

ВО-220 Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΌΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΈ сквозной корпус, поэтому ΠΊ Π½Π΅ΠΌΡƒ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠΊΡ€Π΅ΠΏΠΈΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€.

TIP112 NPN-транзистор Π”Π°Ρ€Π»ΠΈΠ½Π³Ρ‚ΠΎΠ½Π°

TIP112 β€” это NPN-транзистор Π”Π°Ρ€Π»ΠΈΠ½Π³Ρ‚ΠΎΠ½Π°. Π­Ρ‚Π° комбинация получаСтся ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ соСдинСния Π΄Π²ΡƒΡ… Π½Π°Π±ΠΎΡ€ΠΎΠ² NPN-транзисторов встрСчно-ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ. Π­Ρ‚ΠΈ Ρ‚ΠΈΠΏΡ‹ транзисторов ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Π‘ΠžΠ›Π¬Π¨ΠžΠ• Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ коэффициСнта усилСния ΠΈΠ·-Π·Π° соСдинСния.

ОписаниС элСктричСских характСристик транзистора TIP112 ΠΈ примСчания ΠΏΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ

Π’ этом Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»Π΅ ΠΌΡ‹ объясняСм Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹Π΅ элСктричСскиС характСристики транзистора TIP112, это ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎ Π² процСссС Π·Π°ΠΌΠ΅Π½Ρ‹.

Π₯арактСристики напряТСния

Π₯арактСристики напряТСния транзистора TIP112: напряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром составляСт 100 Π’, напряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ составляСт 100 Π’, Π° напряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ эмиттСром ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ составляСт 5 Π’, напряТСниС Π½Π° ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΠ°Ρ… ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ это Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½ΠΎΠ΅ устройство.

НапряТСниС насыщСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр составляСт 2,5 Π’, Ρ‡Ρ‚ΠΎ являСтся Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ напряТСния, Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹ΠΌ для ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ устройства.

ЗначСния напряТСния Π½Π° ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΠ°Ρ… ΠΈ напряТСния насыщСния транзистора TIP112 ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ Π½Π° Ρ‚ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ½ использовался для ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ.

Π₯арактСристики Ρ‚ΠΎΠΊΠ°

Π—Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° транзистора TIP112 составляСт 2 А, ΠΎΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΎΡ‡Π½ΡƒΡŽ ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ устройства.

Π—Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° транзистора TIP112 составляСт 4 А, этот Ρ‚ΠΎΠΊ Π² Π΄Π²Π° Ρ€Π°Π·Π° ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°.

Π₯арактСристики рассСяния

Π—Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ рассСивания транзистора TIP112 составляСт 50 Π’Ρ‚, ΠΎΠ½ΠΎ рассчитываСтся ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ произвСдСния напряТСния ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. Π­Ρ‚ΠΎ Π² основном зависит ΠΎΡ‚ корпуса транзистора TIP112.

ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ

ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ транзистора TIP112 составляСт ΠΎΡ‚ 500 Π΄ΠΎ 1000, ΠΎΠ½ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ устройства ΠΊ ΡƒΡΠΈΠ»Π΅Π½ΠΈΡŽ.

Π’Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° соСдинСния/Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° хранСния

ЗначСния Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ соСдинСния ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ хранСния ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ ΠΎΡ‚ -65 Π΄ΠΎ 150℃.

Выходная Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ

Π—Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Смкости транзистора TIP112 составляСт 100 ΠŸΡ„.

TIP112 DATASHEET

Если Π²Π°ΠΌ Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ тСхничСскоС описаниС Π² Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ‚Π΅ pdf, поТалуйста, Π½Π°ΠΆΠΌΠΈΡ‚Π΅ Π½Π° эту ссылку 415, TIP102, TIP122, BDT65B ΠΈ BDW42 , ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ΅ ΠΈΠ· этих транзисторных устройств ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² качСствС Π·Π°ΠΌΠ΅Π½Ρ‹ транзистора TIP112.

Вранзисторы TIP112 Π² основном ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ для Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€ΠΎΠ² ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ, связанных с ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ, поэтому Π½Π°ΠΌ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ характСристики, ΠΊΠ°ΠΊ Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»ΠΈ PINOUT, Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ усилСния ΠΏΠΎ постоянному Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ ΠΈ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния транзистора ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄ процСссом Π·Π°ΠΌΠ΅Π½Ρ‹.

TIP112 ΠšΠΎΠΌΠΏΠ»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ транзистор

TIP112 ΠŸΠ°Ρ€Π° NPN-транзисторов Π”Π°Ρ€Π»ΠΈΠ½Π³Ρ‚ΠΎΠ½Π° ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€Π½ΡƒΡŽ ΠΏΠ°Ρ€Ρƒ TIP117 PNP-транзисторов, ΠΈ ΠΎΠ±Π° ΠΎΠ½ΠΈ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ элСктричСскиС характСристики, поэтому ΠΈΡ… Π»Π΅Π³ΠΊΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π² схСмных прилоТСниях.

TIP112 ΠΈΠ»ΠΈ 2N6045 ΠΈΠ»ΠΈ TIP102
Π₯арактСристики TIP112

5

4

354 TIP102
НапряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ (Π’ CB ) Β Β Β Β  100 Π’ 100 Π’ 100 Π’
НапряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром (Π’ CE ) 100 Π’ 100 Π’ 100 Π’
НапряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ эмиттСром ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ (Π’ EB ) 5 Π’ 5 Π’ 5 Π’
НапряТСниС насыщСния ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром (Π’ CE (SAT) ) 2,5 Π’ 2 Π΄ΠΎ 4 Π’ 2 Π’
Π’ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (I C ) 2A 8A 8A
Π˜ΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° 4A 15A
Π‘Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ 50 мА 120 мА
РассСиваСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ 50 Π’Ρ‚ 75 Π’Ρ‚ 80 Π’Ρ‚
Π’Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° (T J ) ΠΎΡ‚ -65 Π΄ΠΎ +150Β°C ΠΎΡ‚ -65 Π΄ΠΎ +150Β°C ΠΎΡ‚ -65 Π΄ΠΎ +150℃
Π’Π΅Ρ€ΠΌΠΎΡΡ‚ΠΎΠΉΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ 2,5 ℃/Π’Ρ‚ 1,67 ℃/Π’Ρ‚ 1,56 ℃/Π’Ρ‚
УсилСниС (h FE ) ΠΎΡ‚ 500 Π΄ΠΎ 1000hFE ΠΎΡ‚ 1000 Π΄ΠΎ 20000hFE ΠΎΡ‚ 10000 Π΄ΠΎ 20000Hfe
Выходная Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ 100ΠΏΠ€ 200ΠŸΡ„
ΠŸΠ°ΠΊΠ΅Ρ‚ ВО-220 ВО-220 ВО-220

ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ транзисторов TIP112
  • Π›ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹Π΅ ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ примСнСния
  • УсилитСли ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ назначСния
  • НизкоскоростныС ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ прилоТСния
  • ΠŸΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΡ для Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€ΠΎΠ² Π΄Π²ΠΈΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ
  • Π‘ΠΎΠ»Π½Π΅Ρ‡Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Π½Π΅Π»ΠΈ
  • ЦСпь зарядного устройства аккумулятора

ΠšΡ€ΠΈΠ²Ρ‹Π΅ характСристик транзистора TIP112 ΠšΡ€ΠΈΠ²Π°Ρ характСристики усилСния ΠΏΠΎ постоянному Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ транзистора TIP112

На Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΠ΅ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° кривая характСристики усилСния ΠΏΠΎ постоянному Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ транзистора TIP112, Π½Π° Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΠ΅ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ коэффициСнта усилСния ΠΏΠΎ постоянному Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°.

ΠŸΡ€ΠΈ постоянном напряТСнии ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр ΠΊΡ€ΠΈΠ²Ρ‹Π΅ коэффициСнта усилСния ΠΏΠΎ постоянному Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ строятся ΠΏΡ€ΠΈ Π΄Π²ΡƒΡ… значСниях Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹.

ИзмСнСниС коэффициСнта усилСния ΠΏΠΎ постоянному Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ начинаСтся с особСнно Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ³ΠΎ значСния ΠΈ достигаСт Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высокого ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°, Π° Π·Π°Ρ‚Π΅ΠΌ ΠΏΠ°Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π² ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅.

Π₯арактСристики области бСзопасной Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистора TIP112

На Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΠ΅ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Ρ‹ характСристики области бСзопасной Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистора TIP112, Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊ зависимости Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΎΡ‚ напряТСния ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром.

ΠšΡ€ΠΈΠ²Π°Ρ бСзопасного Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅Π³ΠΎ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π° транзистора TIP112 ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° с Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌΠΈ характСристиками, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Π΅ значСния, Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΈ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ усилСния ΠΏΠΎ постоянному Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ.

ΠŸΠΎΡ…ΠΎΠΆΠΈΠ΅ сообщСния

Вранзистор

ВСхничСскоС описаниС транзистора

BC639: Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³, спСцификация, распиновка

Π‘ΡŒΡΠ΄Ρ…Π°Ρ€Ρˆ

Вранзистор BC639 Вранзистор BC639 элСктричСскиС характСристики BC639 прСдставляСт собой силовой NPN-транзистор ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ назначСния. НапряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром составляСт 80 Π’. НапряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ составляСт 80 Π’. НапряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ эмиттСром ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ составляСт…

ΠŸΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½Π΅Π΅ ВСхничСскоС описаниС транзистора BC639: эквивалСнт, спСцификация, Ρ€Π°ΡΠΏΠΈΠ½ΠΎΠ²ΠΊΠ°ΠŸΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΠΆΠΈΡ‚ΡŒ

Вранзистор

Вранзистор

TIP36C: Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³, Ρ†ΠΎΠΊΠΎΠ»Π΅Π²ΠΊΠ°, спСцификация, Π΄Π°Ρ‚Π°ΡˆΠΈΡ‚

Π‘ΡŒΡΠ΄Ρ…Π°Ρ€Ρˆ

Вранзистор TIP36C БпСцификация TIP36C TIP36C β€” ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ транзистор PNP POWER НапряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром составляСт -100 Π’ НапряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ составляСт –100 Π’ НапряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ эмиттСром ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ составляСт –5 В…

ΠŸΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½Π΅Π΅ Вранзистор TIP36C: эквивалСнт, распиновка, спСцификация, тСхничСскоС ΠΎΠΏΠΈΡΠ°Π½ΠΈΠ΅ΠŸΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΠΆΠΈΡ‚ΡŒ

Вранзистор

Вранзистор 2N2905: Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³, распиновка, корпус, Π΄Π°Ρ‚Π°ΡˆΠΈΡ‚

Π‘ΡŒΡΠ΄Ρ…Π°Ρ€Ρˆ

Π”ΠΎΠ±Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€ΠΈΠΉ

Π’Π°Ρˆ адрСс email Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Π½. ΠžΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ поля ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ *