Исполнительный модуль на IGBT транзисторе для нагрузки повышенной мощности
в Управление 0 7,370 Просмотров
Переключение напряжения порядка несколько сотен вольт представляет собой определенную техническую проблему. Если к этому добавить значительный ток, проходящий через ключ, дело становится еще сложнее. Именно для таких целей предназначены транзисторы IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) Приведенная в данной статье схема предназначена для включения и отключения DC нагрузки с напряжением питания до 600 В и токе 27 А, так как ровно столько способен выдержать транзистор типа IRG4PC50U. Ниже приведены максимальные параметры IRG4PC50U по datasheet: IGBT транзисторы имеют определенную особенность, которая отличает их от транзисторов типа MOSFET, а именно в состоянии насыщения они характеризуются постоянным напряжением UCEsat из-за низкого сопротивления открытого канала (RDS(on)). Транзисторы типа MOSFET, приспособленные для работы при высоких напряжениях, характеризуются относительно большим сопротивлением открытого канала (несколько сотен миллиомов, обычно 0,3…1 Ом).
Диоды D2 и D3, ограничивают напряжение затвор-эмиттер до безопасной величины (ок. ±16 В), которая в подавляющем большинстве IGBT транзисторов составляет ±20 В. Резистор R1 ограничивает ток, протекающий через светодиод в TLP250 до значения около 8 мА при входном напряжении на уровне 5 В. Конденсатор C5 является элементом рекомендованным производителем, который стабилизирует работу внутреннего операционного усилителя. Диод D4 предохраняет транзистор от пикового напряжения противоположной полярности. Вся схема собрана на односторонней печатной плате размером 61 мм×61 мм. Транзистор Т1 и диод D4 должны быть установлены на радиатор. Следует обеспечить гальваническую изоляцию между металлическими вставками, этих элементов. Дорожки, идущие к разъемам J3 и J4 следует сделать массивными, если по ним будет протекать большой ток. Схему следует питать от двухполярного блока питания с напряжением ±12…15 В. Допускается, однако, использование однополярного блока питания с напряжением в диапазоне 12…15 В.
Портативный паяльник TS80P
TS80P- это обновленная версия паяльника TS80 Smart, работающий от USB…
Подробнее
Паяльный фен YIHUA 8858
Обновленная версия, мощность: 600 Вт, расход воздуха: 240 л/час…
Подробнее
IGBTTLP250 2016-11-27
С тегами: IGBT TLP250
TLP250(TP1,F) |.Toshiba Semiconductor and Storage
Buy with confidence from
omotronic.com
TLP250(TP1,F) is warrantied and traceable.
TLP250(TP1,F)
| производитель номер части | TLP250(TP1,F) |
|---|---|
| производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Часть описания | OPTOISO 2. 5KV 1CH GATE DRVR 8SMD |
| категория | Изоляторы |
| Листки | TLP250 |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Состояние на складе | in stock |
| Доставить из | Hong Kong |
| Путь отгрузки | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- Склад:in stock
- Минимальный заказ:1
- Краткий:1
Запросить цену
- Номер детали
- Кол-во
- Контактное лицо
- Компания
- Эл. почта
- Комментарии
Ввести TLP250(TP1,F)
Мы можем поставить TLP250(TP1,F), используйте форму цитаты запроса, чтобы запросить TLP250(TP1,F) PERCE и Wead Time.
omotronic.com Профессиональный дистрибьютор электронных компонентов.С 3+ миллионами линейных элементов имеющихся электронных компонентов могут отправлять в короткие сроки, более 250 тысяч номеров деталей электронных компонентов на складе для немедленного доставки, что может включать в себя номер детали TLP250(TP1,F). Цена и время выполнения TLP250(TP1,F) в зависимости от количестваТребуется, доступность и складское место. Contact US сегодня и наш представитель продаж предоставит вам цену и доставку на части # TLP250(TP1,F). Мы с нетерпением ждем работы с вами, чтобы установить долгосрочные отношения сотрудничества
Характеристики
Отзывы
Характеристики
| Напряжение тока – поставка | 15 V ~ 30 V | Напряжение – Изоляция | 2500Vrms |
|---|---|---|---|
| Напряжение – Вперед (Vf) (Тип) | 1.6V | Технологии | Optical Coupling |
| Поставщик Упаковка устройства | 8-SMD | Серии | – |
| Время нарастания / спада (Typ) | – | Искажение ширины импульса (макс. ) |
– |
| Задержка распространения tpLH / tpHL (макс.) | 500ns, 500ns | упаковка | Cut Tape (CT) |
| Упаковка / | 8-SMD, Gull Wing | Другие названия | TLP250TP1FCT |
| Рабочая Температура | -20°C ~ 85°C | Количество каналов | 1 |
| Тип установки | Surface Mount | Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Подробное описание | 1.5A Gate Driver Optical Coupling 2500Vrms 1 Channel 8-SMD |
| Ток – Пик Выходной | 1.5A | Ток – Выходной High, Low | 500mA, 500mA |
| Ток – постоянный ток (если) (макс.) | 20mA | Переходный импеданс синфазного сигнала (мин. ) |
5kV/µs |
| Утверждения | UR | ||
Отзывы
- 0.0
- 0 Отзывы
- 5 Stars
0%
- 4 Stars
0%
- 3 Stars
0%
- 2 Stars
0%
- 1 Stars
0%
Ключевые слова TLP250(TP1,F)
- Toshiba Semiconductor and Storage TLP250(TP1,F).
- Технический лист TLP250(TP1,F)
- TLP250(TP1,F) Datasheet
- TLP250(TP1,F) PDF Datasheet.
- Скачать таблицу данных TLP250(TP1,F)
- TLP250(TP1,F) Image.
- TLP250(TP1,F) Часть
- Toshiba Semiconductor and Storage TLP250(TP1,F).
- Toshiba TLP250(TP1,F).
TLP250(F) Цена – TLP250(F) на складе
Продажа： 5
113199
5,0 из 5 звезд
2 звезды 0%
3 звезды 0,2%
4 звезды 0,4%
5 звезд 99,1%
Всего товаров: 2399931
Всего продаж: 10328244
Среднее время выполнения заказа: 0 часов
Сроки доставки (Экспресс): 0
Время доставки (Почтовое отделение): 0
Любимый
НОВЫЙ
Оригинал, сертифицированный Utsource
Оригинальные детали, сертифицированные Utsource, предоставляют следующие гарантии:
1.
Utsource гарантирует 100% оригинальность.
2. Оригинальные детали, сертифицированные Utsource, могут быть возвращены без каких-либо условий в течение 90 дней.
Не найдено, рекомендуется аналогичный техпаспорт
Все названия продуктов, товарные знаки, бренды и логотипы, используемые на этом сайте, являются собственностью соответствующих владельцев. Изображение, описание или продажа продуктов с этими названиями, товарными знаками, брендами и логотипами предназначены только для целей идентификации и не предназначены для указания на какую-либо принадлежность или разрешение какого-либо правообладателя.
Атрибуты продукта
Не найдено, рекомендуется аналогичное техническое описание
Обзоры продуктов
Представлять на рассмотрение
2339 отзывов покупателей из США
VE366236 PEDRO PENUELA
МУР1540
Соединенные Штаты Майами
Длина регистрации: 9 лет
0
0
Ответ 0
12/15/2021
Julio Cesar Mendoza
Соединенные Штаты доральный
Длина регистрации: 5 лет
0
0
Ответ 0
12/01/2021
Гленн Хэнкок
ДМ74Л04Н
Соединенные Штаты Сент-Хеленс
Длина регистрации: 3 года
0
0
Ответ 0
11/29/2021
Mukesh Ramoutar
IRFP9140НПБФ ИРФП9140 ТО-247 П КАНАЛ 100В 23А
Соединенные Штаты Майами
Длина регистрации: 1 года
0
0
Ответ 0
11/27/2021
Эрик Моралес/Секция 81468
9008Эрик Моралес/Секция 81468
.
АН28Ф512-120
Соединенные Штаты ДОРАЛЬ
Срок регистрации:1 год
0
0
Ответ 0
25.11.2021
Роберт Лэмб
CY7C028V-20AXI
Соединенные Штаты Портленд
Длина регистрации: 2 года
0
0
Ответ 0
23/23/2021
John Kohls
АТ89С52-24Ю
Соединенные Штаты Чистая вода
Срок регистрации: 3 года
0
0
Ответ 0
04.11.2021
Мэтью Гарнер
MC33074P
Соединенные Штаты Форт-Уолтон-Бич
Длина регистрации: 3 года
0
0
Ответ 0
09/01/2021
Mauricio Galvez VE17343
9
Mauricio Galvez Ve17343
Mauricio Galvez Ve17343
Mauricio Galvez Ve17343
Mauricio Galvez Ve17343
Mauricio Galvez Ve17343
W25Q32FVSIGСоединенные Штаты Майами
Срок регистрации: 4 года
0
0
Ответ 0
29.
08.2021
Томас Д.А.лессандро
IM481H
Соединенные Штаты Майн Хилл
Длина регистрации: 5 лет
0
0
Ответ 0
19.08.2021
См. Обзор>
Платежный метод
9См. Распределительный Способ оплаты для Азии
Способ оплаты для Америки
Международный способ оплаты
Процесс покупки
Путеводитель по покупкам Связанный поиск Связанный поставщик Альтернативные названия
Путеводитель по магазинам
Связанный поиск
- TLP250(F) Цена
- TLP250(F)PDF
- TLP250(F) Трудно найти
- TLP250(F) Распиновка
- TLP250(F) Устарело
- TLP250(F) Изображение
- TLP250(F) Купить
- TLP250(F) Изображение
- TLP250(F) Продать
- TLP250(F) В наличии
- TLP250(F) Поиск
- Распределитель TLP250(F)
- TLP250(F) Лист данных
- TLP250(F) Новый и оригинальный
- Приложение TLP250(F)
- Серия TLP250(F)
- TLP250(F) Замена
- TLP250(Ф) ТИ(-)
- TLP250(F) найти
- TLP250(F) покупка
- TLP250(F) нужно
- TLP250(F) торговый
- TLP250(F) магазин
- TLP250(F) Недорогой
- TLP250(F) транзистор
- TLP250 (F), эквивалент
- TLP250(F) Электронный компонент
- TLP250(F)
Связанный поставщик
Альтернативные названия
TLP250(F)
TLP250(F) имеет несколько брендов по всему миру, которые могут иметь альтернативные названия для TLP250(F) из-за региональных различий или приобретения.
TLP250(F) также может быть известен под следующими именами:
ВАРИАНТЫ ПОКУПКИ
Состояние на складе: 57606
Минимум: 25
Добавить в корзину
Общая цена:
Цена за единицу:2,12700
- ≥1: 2,12700 долларов США 1,99938 долларов США
- ≥5: 1,41800 долларов США 1,33292 доллара США
- ≥10: 1,27620 долларов США 1,19963 долларов США
- ≥20: 1,24075 долларов США 1,16631 долл. США
- ≥50: 1,20530 долларов США 1,13298 долларов США
- ≥100: 1,16985 долларов США 1,09966 долларов США
- ≥200: 1,13440 долларов США 1,06634 доллара США
- ≥500: 1,12022 доллара США 1,05301 долл. США
- ≥1000: 1,09895 долларов США 1,03301 долл. США
Подробнее: Расследование УСТАРЕЛО
Продавец
Оригинальный магазин Utsource
Всего товаров: 2399931Общий объем продаж: 10328244
Расчет фрахта
Страна:
2
2 ПЕРЕВОЗЧИК Стоимость доставки Время в пути
Экспресс: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Бесплатная доставка первых 0,5 кг для заказов на сумму более 200 $, превышение веса оплачивается отдельно.
Выставочные мероприятия UtsourceGlobal
Почему стоит выбрать UTSOURCE для покупки электронных компонентов?
Цена
Цена продукта: Более конкурентоспособная по сравнению с другими платформами
Доставка
Логистика: основные страны мира, 2-5 дней
Несколько товаров
Покупка с несколькими номерами: доставка в одном месте, оплата доставки один раз
Устаревшее и остановленное производство Специалист
Снятая с производства продукция: предоставление электронных компонентов, производство которых прекращено
Когда заказ будет отправлен?
Почему моя кредитная карта не может оплатить?
сколько стоит?
Когда заказ будет отправлен?
STM32L162RET6TR есть в наличии?
Что делать, если возникла проблема с отображением моей страницы?
JudyCustomer Manager
(888) 766 5577
+86 15302769052
+1 (312)899-4831
(Whats Anty Only).
в любое время.
4 продавца Выбор
Утсорс
Цена: 0,38 долл. США
Оригинальный склад Utsource №3
Цена: Запрос
Саутчип ЛИМИТЕД
Цена: 0,56 долл. США
Посмотреть все
Богатый ассортимент, вы можете найти все электронные компоненты основных мировых брендов
UTSOURCE — это глобальная платформа электронных компонентов. Мы можем предоставить продукты разных марок и разных кодов даты, особенно для устаревших и труднодоступных электронных компонентов. Мы предоставляем следующие бренды: Analog Devices (ADI) MAXIM, Texas Instruments (TI), Toshiba, Xilinx, Renesas, Eltek NSC, Altera, NXP, ON, LINEAR, ALLEGRO, Diodes Incorporated, Cypress Semiconductor, AVX, IDT, Intel, Nexperia, KEMET, FAIRCHILD, ROHM, Hongfa, TE, Autonics, Honeywell, Molex, Freescale, Panasonic, OMRON, Amphenol, Murata, ST, VISHAY, MICROCHIP, FLUKE, Dallas, Yageo, Broadcom и так далее.
Utsource ФБУ сервис
Utsource — это глобальная платформа онлайн-сервиса электронных компонентов, на которой собрано множество выдающихся поставщиков.
Utsource предоставляет услугу FBU (Fulfillment by Utsource), это интегрированная услуга для пользователей малого и среднего бизнеса (малых и средних предприятий). Особенности: высокая эффективность, высокая скорость, безопасность и удобство.
- Высокая эффективность
- Высокая скорость
- Безопасность
- Удобство
igbt%20ssr спецификация и примечания по применению
Лучшие результаты (6)
| Часть | Модель ECAD | Производитель | Описание | Загрузить техпаспорт | Купить Часть |
|---|---|---|---|---|---|
| UJ3C120040K3S | UnitedSiC | Мощный полевой транзистор, 65 А I(D), 1200 В, 0,045 Ом, 1-элементный, N-канальный, карбид кремния, полевой транзистор, TO-247 | |||
| UJ3C065080T3S | UnitedSiC | Мощный полевой транзистор | |||
| UF3C065030K4S | UnitedSiC | Мощный полевой транзистор, 85 А I(D), 650 В, 0,035 Ом, 1-элементный, N-канальный, карбид кремния, переходной полевой транзистор, TO-247 | |||
| UF3C065080K3S | UnitedSiC | 650 В, 80 мОм SiC FET TO-247-3L | |||
| UF3C120400K3S | UnitedSiC | 1200 В-410 мОм SiC FET TO-247-3L | |||
| UF4C120053K3S | UnitedSiC | 1200 В, 53 мОм SiC FET TO-247-3L |
org/Product”>
org/Product”>igbt%20ssr Листы данных Context Search
| Каталог данных | MFG и тип | ПДФ | Теги документов |
|---|---|---|---|
БТИЗ 200А 1200В Резюме: T0247 T0220AB BUP313D IGBT IRG4BC20KD IGBT 20A 1200В IGBT 1200В 60A T0247A BUP314D MG50Q2YS40 | OCR-сканирование | bup203 т0220) БУП212 БУП213 BUP313 BUP313D BUP314 BUP314D GT20D101-T0s GT20D201-T0s БТИЗ 200А 1200В T0247 T0220AB BUP313D БТИЗ IRG4BC20KD IGBT 20А 1200В БТИЗ 1200В 60А T0247A BUP314D MG50Q2YS40 | |
БТИЗ2 Резюме: транзистор Hitachi igbt GTO 100A 500V MBN1200E33E DIODE m7 dic 200a 300v mosfet G747 YG6260 12v igbt igbt p11 | Оригинал | IGBT-HI-00002 10А/д) 10 мА/д) УЛ94ВО IGBT2 хитачи транзистор igbt ГТО 100А 500В МБН1200Э33Э ДИОД m7 dic мосфет 200а 300в G747 YG6260 12В IGBT ИГБТ р11 | |
1998 – Драйвер затвора ИК IGBT ic Реферат: IGBT PNP 5A Драйвер IGBT IC igbt 100V 5A MOSFET IR 250 n IRF 944 200v двигатель постоянного тока igbt IRF MOSFET 10A P IGBT 1000A ir igbt 1200V 10A | Оригинал | Ан-983АЖ Ан-990АЖ Ан-937А: Ан-944: Ан-978: Ан-967: Ан-947: Драйвер затвора IR igbt ic БТИЗ ПНП ИС драйвера IGBT 5A ИГБТ 100В 5А мосфет ir 250 n ирф 944 200v двигатель постоянного тока igbt МОП-транзистор IRF 10A P БТИЗ 1000А ИК БТ 1200В 10А | |
1998 – “АН-978” IR2110 Резюме: IR2110 ЧОППЕР AN937A AN-978 IR2110 bc40f AN-937A IR2110 LDIC ПРИМЕЧАНИЯ ENG233 AN944A | Оригинал | Ан-990АЖ Ан-983АИГБТ Ан-983А IRGBC40F ИР2110 83Э-02 17Э-04 13Э-04 9Э-03 “АН-978” ИР2110 ИЗМЕЛЬЧИТЕЛЬ IR2110 АН937А Ан-978 ИР2110 bc40f Ан-937А ИР2110 ПРИМЕЧАНИЯ ENG233 АН944А | |
скм 195 гб 125 дн Аннотация: сверхбыстрый IGBT SKM200GB12E4 303GB12E4s SKM300GB123D IGBT sixpack skm 50 gb 100 d 151GB12E4s skm200gb123d мостовой выпрямитель 107 | Оригинал | 400GAL125D 101GD066HDS 151ГД066ХДС 201ГД066ХДС 202GB066HDs 302GB066HDs 402GB066HDs СЕМИКС171Х26С СЕМИКС191KD16S SEMIX241Dh26S скм 195 гб 125 дн БТИЗ сверхбыстрый СКМ200ГБ12Е4 303GB12E4s СКМ300ГБ123Д ИГБТ шесть пакетов скм 50 гб 100 д 151GB12E4s скм200гб123д мостовой выпрямитель 107 | |
1998 – IGBT Реферат: выпрямитель pwm igbt 252mJ 5A IGBT Pelly IGBT замечания по применению IGBT 60A igbt UPS IRGPC40F igbt 30A | Оригинал | Ан-984Ж 22VIGBT IRGPC40F 350ВВГЭ IGBT выпрямитель pwm igbt 252 мДж 5А БТИЗ Пелли Замечания по применению БТИЗ БТИЗ 60А IGBT ИБП IRGPC40F БТТ 30А | |
ЭКСБ841 Реферат: IGBT DRIVE 600В 300А 2mb150 bt 33f igbt 2MB150-060 IGBT 300А 1200В IGBT 600В 200А IGBT 1200В 300а IGBT 1200В .50А | Оригинал | EXB850/EXB851/EXB840/EXB841 10 кГц 40 кГц 2500 В переменного тока EXB850 EXB851 EXB840 EXB841 EXB841 IGBT ПРИВОД 600В 300А 2mb150 бт 33ф IGBT 2МБ150-060 БТИЗ 300А 1200В БТИЗ 600В 200А БТ 1200В 300А БТИЗ 1200В .50А | |
Конструкция катушки Роговского Реферат: Катушка Роговского Измерение паразитной индуктивности IGBT IGBT Pspice IGBT 5 кВ pspice Высокочастотный IGBT ШИМ IGBT Измерение катушки Роговского IGBT с ВАХ Роговского | Оригинал | D-59581Варштейн 2003-Тулуза Конструкция катушки Роговского Катушка Роговского Измерение паразитной индуктивности IGBT IGBT Pspice БТИЗ 5кВ pspice высокочастотный IGBT ШИМ IGBT измерение катушки Роговского IGBT с V-I характеристиками Роговский | |
2007 – S 170 МОП-транзистор Реферат: 600 В 20 А IGBT IGBT 400 В 20 А MOSFET 1000 В 30 А IGBT 500 В 15 А MOSFET 600 В 20 А IGBT Руководство для разработчиков HEXFET Power MOSFET Руководство для разработчиков igbt 1000 В 30 А AN898 | Оригинал | АН898 ДС00898А S 170 МОП-транзистор 600В 20А БТИЗ ИГБТ 400В 20А МОП-транзистор 1000В 30А IGBT 500В 15А мосфет 600В 20А Руководство для разработчиков БТИЗ HEXFET Power MOSFET Руководство для разработчиков ИГБТ 1000В 30А АН898 | |
1998 – 20А IGBT Реферат: IRGPC50U IRGPC50F AN-983A 600 В 20 А IGBT IGBT 600 В 35 А IGBT 600 В 20 А 600 В 30 кГц IGBT BJT 600 В IGBT 75 D | Оригинал | 94-6АЖ Страница 11 HDM-11 Ан-983А Страница 12 20A БТТ IRGPC50U IRGPC50F 600В 20А БТИЗ БТИЗ 600В 35А IGBT 600В 20А 600 В 30 кГц БТИЗ БДТ 600В БТИЗ 75 Д | |
2005 – 74hc06 Резюме: эквивалентные компоненты для scr 207a SCR 207A 15кВт igbt 200 A 1200 В TLP250 200В igbt 15кВт igbt SCR 100A 1200В 0,75кВт* LG IGBT | Оригинал | 100кВт 74hc06 эквивалентные компоненты для scr 207a СКР 207А 15кВт IGBT 200А 1200В TLP250 200В IGBT 15кВт IGBT СКР 100А 1200В 0,75 кВт * ЛГ БТИЗ | |
2002 – Время хвоста IGBT Реферат: Моделирование IGBT НАЦИОНАЛЬНЫЙ IGBT местный срок службы IGBT cross IGBT PNP Semiconductor Group igbt mitsubishi igbt cm | Оригинал | 200-В Время хвоста IGBT моделирование IGBT НАЦИОНАЛЬНЫЙ IGBT локальное время жизни БТИЗ крест БТИЗ ПНП Группа полупроводников IGBT mitsubishi igbt см | |
БТИЗ SKW30N60HS Реферат: IGBT 400V 20A dc схема сварочного аппарата IGBT сварка ТЕХНИЧЕСКИЕ ДАННЫЕ IGBT IGBT 600v 20a Измерение паразитной индуктивности для IGBT IGBT 1200V 20A IGBT сварочный аппарат IGBT параллельный | Оригинал | 10 кГц О-247 ТС100 SGP02N60HS SGP04N60HS SGP06N60HS СГП20Н60ХС СГВ20Н60ХС СГП30Н60ХС СГВ30Н60ХС БТИЗ SKW30N60HS ИГБТ 400В 20А схема сварочного аппарата постоянного тока IGBT-сварка ТЕХНИЧЕСКИЙ ПАСПОРТ БТИЗ БТИЗ 600в 20а Измерение паразитной индуктивности IGBT БТТ 1200В 20А IGBT сварочный аппарат БТИЗ параллельно | |
2005 – 74hc06 Резюме: TLP250 IGBT 10KHz IR2171 ptmb50e6c igbt rcd SCR 207A 50A 1200V SCR SCR 100A 1200V Эквивалент для SCR 207A | Оригинал | PHMB400B12 ПДМБ100Б12К 1/2LiC21/2Cse2 600В1 200А1 200V800AIGBT3 100kWIGBT 200А1200В800А 74hc06 TLP250 БТИЗ 10 кГц ИР2171 ptmb50e6c УЗО IGBT СКР 207А 50А 1200В тиристор СКР 100А 1200В Эквивалент SCR 207A | |
Драйвер затвора IGBT/MOSFET Реферат: IGBT PNP мощность BJT антинасыщающий диод Gate Drive Оптопара приводное реле IGBT привод затвора для повышающего преобразователя Драйвер затвора IGBT ic Драйвер MOSFET верхнего плеча оптопара IGBT cross IGBT преобразователь постоянного тока в постоянный зарядка конденсатора | Оригинал | 20 мая 2009 г. Драйвер затвора IGBT/MOSFET БТИЗ ПНП силовой диод BJT против насыщения Оптопара привода затвора реле привода оптопары Драйвер затвора IGBT для повышающего преобразователя Драйвер затвора IGBT IC оптопара драйвера MOSFET на стороне высокого напряжения БТИЗ крест igbt зарядка конденсатора преобразователя постоянного тока в постоянный | |
IGBT Резюме: HT45R38 HT46R47 LM339 HT46R22 HA0147T HT46R12 | Оригинал | ХТ45Р38 HA0147T ХТ46Р47 ХТ46Р22/23 ХТ46Р12/14 ХТ46Р32/34/322/342 ХТ45Р38 IGBT ЛМ339 ХТ46Р22 HA0147T ХТ46Р12 | |
2004 – Трансформатор для печатных плат без сердечника Резюме: sinamics s120 igbt драйвер трансформатора igbt 1000v 30a драйвер igbt SIEMENS IGBT 788J IGBT 1000V 100A 2ed020i12 FS75R12KE3_B3 | Оригинал | D-59581 частей на миллион/106 10нх20м 3900 частей на миллион/К ФС75Р12КЭ3 ФС100Р12КЭ3 ФС150Р12КЭ3 5966-0001Е Трансформатор без сердечника синамикс с120 Драйвер трансформатора igbt ИГБТ 1000В 30А драйвер igbt SIEMENS БТИЗ 788J БТИЗ 1000В 100А 2ed020i12 ФС75Р12КЭ3_Б3 | |
вла531 Реферат: инверторная сварочная машина монтажная плата ИБП производственная схема трансформатора схема привода двигателя постоянного тока 180 В схема контроллера скорости двигателя 300 Вт 24 В постоянного тока инвертор 12 В 220 В с IGBT схема ИБП с использованием инвертора IGBT IGBT схема инверторов 12 В 220 В схема igbt VLA531-01R | Оригинал | ||
2003 – IGBT 50 ампер 1000 вольт Реферат: Cree SiC MOSFET 12 В, 150 А, однофазная схема 24 В, 10 А, однотактная схема, 10 А, IGBT, 1000 В, 12 В, 2 А, однотактная схема, IGBT 50 А, 1200 В. Расчет основных рабочих параметров БТИЗ CPWR-AN03. Расчет температуры перехода БТИЗ. | Оригинал | ||
Расчет инвертора IGBT Реферат: 3-фазная конструкция инвертора IGBT схема привода схемы инвертора IGBT с использованием модуля IGBT igbt igbt sixpack IXAN0070 РАСЧЕТ ТЕМПЕРАТУРЫ ПЕРЕХОДА IGBT igbt 600V 100A короткое замыкание IGBT CHIP 1700V | Оригинал | IXAN0070 Расчет инвертора IGBT 3-фазный инвертор IGBT схема привода IGBT схема инвертора с использованием модуля IGBT IGBT ИГБТ шесть пакетов IXAN0070 РАСЧЕТ ТЕМПЕРАТУРЫ IGBT ПЕРЕХОДА IGBT 600В 100А короткое замыкание БТИЗ ЧИП 1700В | |
2001 – измельчитель понижающий Резюме: IGBT 6,5 кВ демпфирующий понижающий прерыватель с использованием IGBT ПРИМЕНЕНИЕ схемы постоянного тока с прерывателем Преобразователь постоянного тока в постоянный с использованием IGBT Прерыватель постоянного тока в постоянный с помощью тиристора IGBT 3 кВ 6,5 кВ IGBT Дэвид Реостатное торможение | Оригинал | ||
2000 – Плавный пуск двигателя переменного тока IC Реферат: HP3150 hp3150v IR2271 Регулятор постоянного тока с IGBT BLDC IGBT IGBT DRIVER Драйвер аналоговых устройств High Side IGBT 1200V IGBT MOTOR CONTROL IR IGBT драйвер затвора ic | Оригинал | 600В1200В ИР2137/ИР2171 ИР2171 ИС плавного пуска двигателя переменного тока HP3150 hp3150v ИР2271 Регулятор постоянного тока с IGBT BLDC БТИЗ ДРАЙВЕР БТИЗ Analog Devices Драйвер высокой стороны igbt 1200В УПРАВЛЕНИЕ ДВИГАТЕЛЕМ IGBT Драйвер затвора IR igbt ic | |
1998 – ic ir2110 Реферат: IR2110 IGBT IR2110 конструкция ir2110 применение MOSFET IGBT RECTIFIER IRGSI270F06 ir igbt ir2110 MOSFET IGBT dv | Оригинал | 92-3АЖ -11 мВ/Кл IRGPC50FIGBT 47W10W0W ИР2110 IRGSI270F06 600 нКл ic ir2110 ИР2110 БТИЗ IR2110 дизайн приложение ir2110 МОП-транзистор IGBT ВЫПРЯМИТЕЛЬ ИК БТТ МОП-транзистор ir2110 БТИЗ дв | |
IGBT Аннотация: IGBT 50V | Оригинал | ||
2011 – Примечание по применению 91 Резюме: 81227 мощный BJT диод антинасыщения Драйвер затвора IGBT ic оптопара без базового вывода для драйвера MOSFET ЭКВИВАЛЕНТ IGBT BJT изолированная базовая схема привода MOSFET IGBT драйвер затвора ic IGBT параллельный ПРИВОД ОСЦИЛЛЯЦИЯ оптопара pnp | Оригинал | 24 октября 2011 г. Больше новостей | |
org/Product”>
org/Product”>
org/Product”>
org/Product”>
org/Product”>.jpg)
org/Product”>
org/Product”>
org/Product”>
org/Product”>
org/Product”>
org/Product”>