Универсальный внешний накопитель для всех iOS-устройств, совместим с PC/Mac, Android
Header Banner
8 800 100 5771 | +7 495 540 4266
c 9:00 до 24:00 пн-пт | c 10:00 до 18:00 сб

Транзистор 2n2222: 2N2222 транзистор: характеристики, цоколевка, аналоги, параметры

0 Comments

Содержание

Цифровые микросхемы транзисторы.

Микросхемы ТТЛ (74…).

На рисунке показана схема самого распространенного логического элемента — основы микросхем серии К155 и ее зарубежного аналога — серии 74. Эти серии принято называть стандартными (СТТЛ). Логический элемент микросхем серии К155 имеет среднее быстродействие tзд,р,ср.= 13 нс. и среднее значение тока потребления Iпот = 1,5…2 мА. Таким образом, энергия, затрачиваемая этим элементом на перенос одного бита информации, примерно 100 пДж.

Для обеспечения выходного напряжения высокого уровня U1вых. 2,5 В в схему на рисунке потребовалось добавить диод сдвига уровня VD4, падение напряжения на котором равно 0,7 В. Таким способом была реализована совместимость различных серий ТТЛ по логическим уровням. Микросхемы на основе инвертора, показанного на рисунке (серии К155, К555, К1533, К1531, К134, К131, К531), имеют очень большую номенклатуру и широко применяются.

Динамические параметры микросхем ТТЛ серии
ТТЛ серия Параметр Нагрузка
Российские Зарубежные Pпот. мВт. tзд.р. нс Эпот. пДж. Cн. пФ. Rн. кОм.
К155 КМ155 74 10 9 90 15 0,4
К134 74L 1 33 33 50 4
К131 74H 22 6 132 25 0,28
К555 74LS 2 9,5 19 15 2
К531 74S 19 3 57 15 0,28
К1533 74ALS 1,2 4 4,8 15 2
К1531 74F 4 3 12 15 0,28

При совместном использовании микросхем ТТЛ высокоскоростных, стандартных и микромощных следует учитывать, что микросхемы серии К531 дают увеличенный уровень помех по шинам питания из-за больших по силе и коротких по времени импульсов сквозного тока короткого замыкания выходных транзисторов логических элементов.

При совместном применении микросхем серий К155 и К555 помехи невелики.

Взаимная нагрузочная способность логических элементов ТТЛ разных серий
Нагружаемый
выход		 Число входов-нагрузок из серий
К555 (74LS) К155 (74) К531 (74S)
К155, КM155, (74) 40 10 8
К155, КM155, (74), буферная 60 30 24
К555 (74LS) 20 5 4
К555 (74LS), буферная 60 15 12
К531 (74S) 50 12 10
К531 (74S), буферная 150 37
30

Выходы однокристальных, т. е. расположенных в одном корпусе, логических элементов ТТЛ, можно соединять вместе. При этом надо учитывать, что импульсная помеха от сквозного тока по проводу питания пропорционально возрастет. Реально на печатной плате остаются неиспользованные входы и даже микросхемы (часто их специально «закладывают про запас») Такие входы логического элемента можно соединять вместе, при этом ток Ioвх. не увеличивается. Как правило, микросхемы ТТЛ с логическими функциями И, ИЛИ потребляют от источников питании меньшие токи, если на всех входах присутствуют напряжения низкого уровня. Из-за этого входы таких неиспользуемых элементов ТТЛ следует заземлять.

Статические параметры микросхем ТТЛ
Параметр
Условия измерения		 К155 К555 К531 К1531
Мин. Тип. Макс. Мин. Тип. Макс. Мин. Тип. Макс. Мин. Макс.
U1вх, В
схема		 U1вх или U0вх Присутствуют на всех входах 2 2 2 2
U0вх, В
схема		 0,8 0,8
0,8
U0вых, В
схема		Uи.п.= 4,5 В 0,4 0,35 0,5 0,5 0,5
I0вых= 16 мА I0вых= 8 мА I0вых= 20 мА
U1вых, В
схема		 Uи. п.= 4,5 В 2,4 3,5 2,7 3,4 2,7 3,4 2,7
I1
вых= -0,8 мА		 I1вых= -0,4 мА I1вых= -1 мА
I1вых, мкА с ОК
схема		U1и.п.= 4,5 В, U1вых=5,5 В 250 100 250
I1вых, мкА Состояние Z
схема		 U1и.п.= 5,5 В, U1вых= 2,4 В на входе разрешения Е1 Uвх= 2 В 40 20 50
I0вых, мкА Состояние Z
схема		 U1и.
п.= 5,5 В, Uвых= 0,4 В, Uвх= 2 В		 -40 -20 -50
I1вх, мкА
схема		U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 2,7 В 40 20 50 20
I1вх, max, мА U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 10 В 1 0,1 1 0,1
I0вх, мА
схема		 U1и.п.= 5,5 В, U0вх= 0,4 В
-1,6 -0,4 -2,0 -0,6
Iк. з., мАU1и.п.= 5,5 В, U0вых= 0 В -18 -55 -100 -100 -60 -150

Транзисторы 2N2222 и A1015 – маркировка, цоколевка, основные параметры.

Транзисторы 2N2222 и 2N2222A.

Транзисторы кремниевые структуры n-p-n, высокочастотные переключающие. Используются в качестве ключевых элементов и в схемах усиления постоянного тока. Выпускаются в корпусе TO-18. Тип прибора указывается на корпусе.
На рисунке ниже – цоколевка 2N2222.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока при токе коллектора 10 мА и напряжении коллектор-эмиттер 10 в – 75

Граничная частота передачи тока :
У транзисторов 2N2222 – 250МГц.
У транзисторов 2N2222A – 300МГц.

Максимальное напряжение коллектор – эмиттер:
У транзисторов 2N2222 – 30 в.
У транзисторов 2N2222A – 40 в.

Максимальное напряжение коллектор – база:
У транзисторов 2N2222 – 60 в.
У транзисторов 2N2222A – 75 в.

Максимальное напряжение эмиттер – база

:
У транзисторов 2N2222 – 5 в.
У транзисторов 2N2222A – 6 в.

Максимальный ток коллектора постоянный и пульсирующий – 800 мА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер :
У транзисторов 2N2222 при токе коллектора 150 мА, базы 15 мА – 0,4 в.
У транзисторов 2N2222A при токе коллектора 150 мА, базы 15 мА – 0,3 в.

Напряжение насыщения база-эмиттер :
У транзисторов 2N2222 при токе коллектора 150 мА, базы 15 мА – 1,3 в.
У транзисторов 2N2222A при токе коллектора 150 мА, базы 15 мА – 1,2 в.

Рассеиваемая мощность коллектора – 500 мВт.

Использованы материалы с Popular Transistors

Транзисторы A1015O, A1015Y, A1015GR.

Транзисторы A1015 кремниевые маломощные широкого применения, структуры p-n-p, Корпус пластиковый TO-92. Маркировка буквенно – цифровая, на корпусе. На рисунке ниже – цоколевка A1015.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока :
У транзисторов A1015O – от 70 до 140
У транзисторов A1015Y – от 120 до 240
У транзисторов A1015GR – от 200 до 400

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер – 50 в.

Максимально допустимое напряжение коллектор-база – 50 в.

Максимально допустимое напряжение коллектор-база – 5 в.

Максимальный ток коллектора – 150 мА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер – 0,3 в.

Рассеиваемая мощность коллектора – 0,4 Вт.

Граничная частота передачи тока – 4 МГц.


На главную страницу

Использование каких – либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт “Электрика это просто”.

2N2222 (транзистор биполярный NPN) от 0.75 грн

2N2222
Производитель: CDIL
Material: 2N2222-CDI NPN THT transistors
 под заказ 1573 шт
срок поставки 7-14&nbspдня (дней)
2+ 37. 22 грн
5+ 22.45 грн
25+ 12.99 грн
26+ 9 грн
120+ 8.59 грн
 2N2222
Производитель: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 30V 0.6A TO-18
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Frequency – Transition: 250MHz
Power – Max: 500mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Current – Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Voltage – Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Current – Collector (Ic) (Max): 600mA
Transistor Type: NPN
Manufacturer: STMicroelectronics
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Base Part Number: 2N22
Supplier Device Package: TO-18
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
 товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
 2N2222
Производитель: ON Semiconductor
Description: NPN MED GEN PUR AMP TO-18
Manufacturer: ON Semiconductor
Base Part Number: 2N2222
Supplier Device Package: TO-18
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Power – Max: 500mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1. 6V @ 50mA, 500mA
Voltage – Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Current – Collector (Ic) (Max): 800mA
Transistor Type: NPN
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
 товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
 2N2222
Производитель: MICROSS/On Semiconductor
Description: DIE TRANS NPN MED PWR GEN PURP
Manufacturer: MICROSS/On Semiconductor
Packaging: Tray
Part Status: Active
 товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
 2N2222
Производитель: STMicroelectronics
Bipolar Transistors – BJT NPN General Purpose
 товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
 2N2222
Производитель:
CAN
 под заказ 68595 шт
срок поставки 14-28&nbspдня (дней)
 2N2222
Производитель: ST

 под заказ 500000 шт
срок поставки 14-28&nbspдня (дней)
 2N2222
Производитель:
02+
под заказ 4000 шт
срок поставки 14-28&nbspдня (дней)

100 шт.

транзистор 2N2222 2N2222A TO 92 Новый NPN Тип низкомощный транзистор|Интегральные схемы|

информация о продукте

Характеристики товара

  • Название бренда: AGUHAJSU
  • Происхождение: Китай
  • Состояние: Новый
  • Тип: Integrated Circuits
  • Номер модели: 2N2222
  • Применение: multipurpose
  • Рабочая температура: V
  • Напряжение электропитания: V
  • Мощность рассеивания: W
  • Упаковка: TO-92
  • Индивидуальное изготовление: Да
  • Unit Type: lot (100 pieces/lot)
  • 1kg (0.22lb.)”> Package Weight: 0.1kg (0.22lb.)
  • Package Size: 13cm x 10cm x 3cm (5.12in x 3.94in x 1.18in)

описание продукта

Качество транзисторы 2n2222 для электронных проектов

О продукте и поставщиках:
Alibaba.com предлагает большой выбор. транзисторы 2n2222 на выбор в соответствии с вашими потребностями.  транзисторы 2n2222 являются жизненно важными частями практически любого электронного компонента. Их можно использовать для создания материнских плат, калькуляторов, радиоприемников, телевизоров и многого другого. Выбирая правильно. транзисторы 2n2222, вы можете быть уверены, что создаваемый вами продукт будет высокого качества и очень хорошо работает. Ключевые факторы выбора продуктов включают предполагаемое применение, материал и тип, среди прочего. 
транзисторы 2n2222 состоят из полупроводниковых материалов и обычно имеют не менее трех клеммы, которые можно использовать для подключения к внешней цепи. Эти устройства работают как усилители или переключатели в большинстве электрических цепей. транзисторы 2n2222 охватывают два типа областей, которые возникают из-за включения примесей в процессе легирования. В качестве усилителей. транзисторы 2n2222 скрывают низкий входной ток в большую выходную энергию, и они направляют небольшой ток для управления огромными приложениями, работающими как переключатели.  
Изучите прилагаемые таблицы данных вашего. транзисторы 2n2222 для определения опорных ног, эмиттера и коллектора для безопасного и надежного соединения. Файл. транзисторы 2n2222 на сайте Alibaba.com используют кремний в качестве первичной полупроводниковой подложки благодаря их превосходным свойствам и желаемому напряжению перехода 0,6 В. Основные параметры для. транзисторы 2n2222 для любого проекта включает в себя рабочие токи, рассеиваемую мощность и напряжение источника. 
Откройте для себя удивительно доступный. транзисторы 2n2222 на Alibaba.com для всех ваших потребностей и предпочтений. Доступны различные материалы и стили для безопасной и удобной установки и эксплуатации. Некоторые аккредитованные продавцы также предлагают послепродажное обслуживание и техническую поддержку.

2N2222 транзистор характеристики и его российские аналоги

Биполярный транзистор 2N2222 — описание производителя.

Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2N2222

Тип материала: Si

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100

Корпус транзистора: TO18

2N2222 Datasheet (PDF)

SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTOR 2N2222AC1 • High Speed Saturated Switching • Hermetic Surface Mounted Package. • >1.2. 2n2222ahr.pdf Size:1138K _upd

2N2222AHR Hi-Rel 40 V, 0.8 A NPN transistor Datasheet — production data Features Parameter ESCC JANS 1 2 BVCEO min 40 V 50 V 3 IC (max) 0. 8 A TO-18 3 3 hFE at 10 V — 150 mA 100 4 1 1 2 2 • Hermetic packages LCC-3 UB • ESCC and JANS qualified Pin 4 in UB is connected to the metallic lid. • Up to 100 krad(Si) low dose ratee Description Figure 1. Internal schematic

SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTOR 2N2222AC1 • High Speed Saturated Switching • Hermetic Surface Mounted Package. • >1.4. p2n2222ag.pdf Size:165K _upd

P2N2222A Amplifier Transistors NPN Silicon Features • These are Pb—Free Devices* http://onsemi.com COLLECTOR 1 MAXIMUM RATINGS (TA =25°C unless otherwise noted) Characteristic Symbol Value Unit 2 BASE Collector—Emitter Voltage VCEO 40 Vdc Collector—Base Voltage VCBO 75 Vdc 3 Emitter—Base Voltage VEBO 6.0 Vdc EMITTER Collector Current — Continuous IC 600 mAdc Total Devi

SILICON SWITCHING NPN TRANSISTOR 2N2222AC3A, 2N2222AC3B 2N2222AC3C • High Speed Saturated Switching • Hermetic LCC3 Ceramic package. • Variant B to MIL-PRF-19500/255 outline • Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise stated) VCBO Collector – Base Voltage 75V VCEO Collector – Emitter Voltage 50V VEBO Emitter – Bas

SILICON SWITCHING NPN TRANSISTOR 2N2222AC3A, 2N2222AC3B 2N2222AC3C • High Speed Saturated Switching • Hermetic LCC3 Ceramic package. • Variant B to MIL-PRF-19500/255 outline • Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise stated) VCBO Collector – Base Voltage 75V VCEO Collector – Emitter Voltage 50V VEBO Emitter – Bas

TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Website: http: //www.microsemi.com RADIATION HARDENED NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/255 DEVICES LEVELS JANSM – 3K Rads (Si) 2N2221A 2N2222A JANSD – 10K Rads (Si) 2N2221AL 2N2222AL JANSP – 30K Rads (Si) 2N2221AUA 2N2222AUA

SILICON SWITCHING NPN TRANSISTOR 2N2222AC3A, 2N2222AC3B 2N2222AC3C • High Speed Saturated Switching • Hermetic LCC3 Ceramic package. • Variant B to MIL-PRF-19500/255 outline • Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise stated) VCBO Collector – Base Voltage 75V VCEO Collector – Emitter Voltage 50V VEBO Emitter – Bas

1.9. mtp2n2222a.pdf Size:238K _motorola

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by P2N2222A/D Amplifier Transistors NPN Silicon P2N2222A COLLECTOR 1 2 BASE 3 EMITTER MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit 1 2 Collector�Emitter Voltage VCEO 40 Vdc 3 Collector�Base Voltage VCBO 75 Vdc CASE 29�04, STYLE 17 Emitter�Base Voltage VEBO 6. 0 Vdc TO�92 (TO�226AA) Collector Current � Continuous IC 600 mAdc

1.10. p2n2222a.pdf Size:238K _motorola

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by P2N2222A/D Amplifier Transistors NPN Silicon P2N2222A COLLECTOR 1 2 BASE 3 EMITTER MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit 1 2 Collector�Emitter Voltage VCEO 40 Vdc 3 Collector�Base Voltage VCBO 75 Vdc CASE 29�04, STYLE 17 Emitter�Base Voltage VEBO 6.0 Vdc TO�92 (TO�226AA) Collector Current � Continuous IC 600 mAdc

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D125 2N2222; 2N2222A NPN switching transistors 1997 May 29 Product specification Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN switching transistors 2N2222; 2N2222A FEATURES PINNING � High current (max. 800 mA) PIN DESCRIPTION � Low voltage (max. 40 V). 1 emitter 2 ba

2N2218-2N2219 2N2221-2N2222 HIGH-SPEED SWITCHES DESCRIPTION The 2N2218, 2N2219, 2N2221 and 2N2222 are sili- con planar epitaxial NPN transistors in Jedec TO-39 (for 2N2218 and 2N2219) and in Jedec TO-18 (for 2N2221 and 2N2222) metal cases. They are designed for high-speed switching applications at collector currents up to 500 mA, and feature use- ful current gain over a wide range of col

2N2219A 2N2222A � HIGH SPEED SWITCHES PRELIMINARY DATA DESCRIPTION The 2N2219A and 2N2222A are silicon Planar Epitaxial NPN transistors in Jedec TO-39 (for 2N2219A) and in Jedec TO-18 (for 2N2222A) metal case. They are designed for high speed switching application at collector current up to 500mA, and feature useful current gain over a wide range of collector current, low leakage cur

2N2219A 2N2222A � HIGH SPEED SWITCHES PRELIMINARY DATA DESCRIPTION The 2N2219A and 2N2222A are silicon Planar Epitaxial NPN transistors in Jedec TO-39 (for 2N2219A) and in Jedec TO-18 (for 2N2222A) metal case. They are designed for high speed switching application at collector current up to 500mA, and feature useful current gain over a wide range of collector current, low leakage cur

DATA SHEET 2N2221A 2N2222A NPN SILICON TRANSISTOR JEDEC TO-18 CASE DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N2221A, 2N2222A types are Silicon NPN Planar Epitaxial Transistors designed for small signal general purpose and switching applications. MAXIMUM RATINGS: (TA=25�C) SYMBOL UNITS Collector-Base Voltage VCBO 75 V Collector-Emitter Voltage VCEO 40 V Emitter-Base Voltage VEBO

MCC 2N2222 Micro Commercial Components TM 20736 Marilla Street Chatsworth Micro Commercial Components CA 91311 2N2222A Phone: (818) 701-4933 Fax: (818) 701-4939 Features � High current (max.800mA) � Low voltage (max.40V) NPN Switching � Lead Free Finish/RoHS Compliant(Note 1) (“P” Suffix designates Transistors RoHS Compliant. See ordering information) Maximum Ratings Symbol Ra

1.17. p2n2222a-d.pdf Size:164K _onsemi

P2N2222A Amplifier Transistors NPN Silicon Features � These are Pb—Free Devices* http://onsemi.com COLLECTOR 1 MAXIMUM RATINGS (TA =25�C unless otherwise noted) Characteristic Symbol Value Unit 2 BASE Collector—Emitter Voltage VCEO 40 Vdc Collector—Base Voltage VCBO 75 Vdc 3 Emitter—Base Voltage VEBO 6.0 Vdc EMITTER Collector Current — Continuous IC 600 mAdc Total Device Dis

1.18. 2n2222aub.pdf Size:250K _optek

Product Bulletin JANTX, JANTXV, 2N2222AUB September 1996 Surface Mount NPN General Purpose Transistor Type JANTX, JANTXV, 2N2222AUB Feature Absolute Maximum Ratings (TA = 25o C unless otherwise noted) Collector-Base Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75 V �Ceramic surface mount package Collector-Emitter Voltage. . . . . . . . .

1.19. 2n2222aua.pdf Size:186K _optek

1.20. p2n2222 a.pdf Size:240K _cdil

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTORS P2N2222 P2N2222A EBC TO-92 Complementary Silicon Transistors For Switching And Linear Applications DC Amplifier & Driver For Industrial Applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C unless otherwise specified) DESCRIPTION SYMBOL 2222 2222A UNIT Collecto

1.21. 2n2222au.pdf Size:326K _first_silicon

SEMICONDUCTOR 2N2222AU TECHNICAL DATA General Purpose Transistor NPN Silicon These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SC-323/SC-70 package which 3 is designed for low power surface mount applications. Features 1 2 compliance with RoHS requirements. • We declare that the material of product SC-70 / SOT– 323 ORDERING INFO

1.22. 2n2222ae.pdf Size:462K _first_silicon

SEMICONDUCTOR 2N2222AE TECHNICAL DATA General Purpose Transistor NPN Silicon These transistors are designed for general purpose amplifier 3 applications. They are housed in the SC-89 package which is designed for low power surface mount applications. 1 Features 2 compliance with RoHS requirements. • We declare that the material of product SC-89 ORDERING INFORMATION COLLECTOR

1.23. 2n2222as.pdf Size:446K _first_silicon

SEMICONDUCTOR 2N2222AS TECHNICAL DATA General Purpose Transistor NPN Silicon 3 compliance with RoHS requirements. • We declare that the material of product 2 1 ORDERING INFORMATION † SOT–23 Device Maring Shipping 2N2222AS 1P 3000 / Tape & Reel COLLECTOR 3 1 MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C) BASE Rating Symbol Max Unit 2 Collector-Emitter Voltage VCEO 40 Vdc EMITTER Col

Radiation Hardened NPN Silicon Switching Transistors 2N2221A, 2N2221AL, 2N2221AUA, 2N2221AUB 2N2222A, 2N2222AL, 2N2222AUA, 2N2222AUB Features • Qualified to MIL-PRF-19500/255 • Levels: Commerical JANS JANSM-3K Rads (Si) JANSD-l0K Rads (Si) JANSP-30K Rads (Si) JANSL-50K Rads (Si) JANSR-l00K Rads (Si) • TO-18 (TO-206AA), Surface mount UA & UB Packages Absolute Maximum Ra

ГлавнаяО сайтеТеорияПрактикаКонтакты

Юмор:
Заходи тихо, говори четко, проси мало, уходи быстро. /Н.Фоменко/

Справка об аналогах биполярного высокочастотного npn транзистора 2N2222.

Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного высокочастотного npn транзистора 2N2222 .

Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.

Можно попробовать заменить транзистор 2N2222
транзистором КТ3117А;

транзистором MM513;
транзистором TBC847;
транзистором TBC846;
транзистором 2SC1709;
транзистором 2SC1707;
транзистором 2SC1707H;
транзистором 2SC1707A;
транзистором 2SC1833;
транзистором 2T6552;
транзистором 2SC1071;

Коллективный разум.

Добавлено пользователями:
КТ315 — аналог;
комментарий: Всегда заменяю данным отечественным транзистором. Замена качественная, никогда не подводила. Только с ножками не всегда удобно.;
пользователь: Андрей , дата записи: 2015-03-10 21:22:15

пользователь: AMI , дата записи: 2015-05-20 15:09:22

дата записи: 2017-01-01 08:08:02

2N904 — аналог;
дата записи: 2015-07-13 12:54:10

2SC1213 — возможный аналог;
дата записи: 2019-04-23 11:35:45

Добавить аналог транзистора 2N2222.

Вы знаете аналог или комплементарную пару транзистора 2N2222? Добавьте. Поля, помеченные звездочкой, являются обязательными для заполнения.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Транзисторы 2N2222 и 2N2222A.

Т ранзисторы кремниевые структуры n-p-n, высокочастотные переключающие. Используются в качестве ключевых элементов и в схемах усиления постоянного тока. Выпускаются в корпусе TO-18. Тип прибора указывается на корпусе.
На рисунке ниже — цоколевка 2N2222.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока при токе коллектора 10 мА и напряжении коллектор-эмиттер 10 в — 75

Граничная частота передачи тока :
У транзисторов 2N2222 — 250МГц.
У транзисторов 2N2222A — 300МГц.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер:
У транзисторов 2N2222 — 30 в.
У транзисторов 2N2222A — 40 в.

Максимальное напряжение коллектор — база:
У транзисторов 2N2222 — 60 в.
У транзисторов 2N2222A — 75 в.

Максимальное напряжение эмиттер — база:
У транзисторов 2N2222 — 5 в.
У транзисторов 2N2222A — 6 в.

Максимальный ток коллектора постоянный и пульсирующий — 800 мА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер :
У транзисторов 2N2222 при токе коллектора 150 мА, базы 15 мА — 0,4 в.
У транзисторов 2N2222A при токе коллектора 150 мА, базы 15 мА — 0,3 в.

Напряжение насыщения база-эмиттер :
У транзисторов 2N2222 при токе коллектора 150 мА, базы 15 мА — 1,3 в.
У транзисторов 2N2222A при токе коллектора 150 мА, базы 15 мА — 1,2 в.

Рассеиваемая мощность коллектора — 500 мВт.

Транзисторы A1015O, A1015Y, A1015GR.

Транзисторы A1015 кремниевые маломощные широкого применения, структуры p-n-p, Корпус пластиковый TO-92. Маркировка буквенно — цифровая, на корпусе. На рисунке ниже — цоколевка A1015.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока :
У транзисторов A1015O — от 70 до 140
У транзисторов A1015Y — от 120 до 240
У транзисторов A1015GR — от 200 до 400

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер — 50 в.

Максимально допустимое напряжение коллектор-база — 50 в.

Максимально допустимое напряжение коллектор-база — 5 в.

Максимальный ток коллектора — 150 мА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер — 0,3 в.

Рассеиваемая мощность коллектора — 0,4 Вт.

Граничная частота передачи тока — 4 МГц.

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт “Электрика это просто”.

Транзистор 2N2222, биполярный NPN, 40V, 0.6A, корпус TO-92

Описание

Что такое транзистор 2N2222?

Транзистор 2N222 — это обычный биполярный транзистор с отрицательным положительным и отрицательным (NPN) током, который находит применение во многих различных видах электронного оборудования. Он используется как для усиления аналоговых сигналов, так и для коммутации. Функциональные части транзистора 2N2222 заключены в так называемый корпус TO-18, напоминающий небольшую металлическую банку. Широкий спектр применения транзистора 2N2222 и его небольшой размер делают его — и его варианты — наиболее широко используемыми транзисторами в электронике.

Транзистор 2N2222, биполярный NPN, 40V, 0.6A, корпус TO-92

Функциональная часть транзистора 2N2222 представляет собой конструкцию NPN BJT. Транзистор 2N2222 сделан из германия или кремния, который был насыщен положительно или отрицательно измененным материалом в процессе, называемом «легирование». У 2N2222 есть положительно заряженный участок, расположенный между двумя отрицательно заряженными участками. Результирующие два соединения между тремя секциями — это то, где 2N2222 получает название «биполярный переходный транзистор». Используемые материалы расположены в порядке отрицательного, положительного, а затем отрицательного, поэтому устройство также называется NPN-транзистором.

2N2222 имеет три провода, которые используются для пайки его к печатным платам: коллектор, эмиттер и основание. Когда на коллекторе транзистора присутствует электронный сигнал, подача сигнала на базу транзистора приведет к излучению сигнала от эмиттера устройства. Таким образом, 2N2222 часто используется для включения и выключения сигналов.

Способность переключения транзистора 2N2222 также делает его полезным в качестве простого затвора «и». При использовании в этом качестве транзистор будет отправлять сигнал только при наличии двух отдельных сигналов: одного на его коллекторе и одного на его основании. Это позволяет использовать 2N2222 для автоматического управления потоком сигналов в цепи в зависимости от того, какие сигналы присутствуют или отсутствуют.

В приложениях усиления 2N2222 принимает аналоговый сигнал, такой как аудиосигнал, через коллектор, и к его базе подается отдельный сигнал. Выход на эмиттере транзистора будет тогда идентичен сигналу коллектора, за исключением того, что его мощность увеличивается на величину, пропорциональную сигналу, приложенному к его базе. Кроме того, изменение сигнала, подаваемого на базу, будет влиять на усиление сигнала, выходящего из излучателя.

Эксплуатационные характеристики делают устройство 2N2222 малым и средним током (до 600 мА), маломощным (до 625 мВ), средним напряжением (до 40 В). Хотя эти параметры могут показаться ограничивающими полезность 2N2222, 2N2222 идеально подходит для множества приложений по обработке и обработке сигналов до усиления высокой мощности. Биполярные транзисторы 2N2222 также используются для обработки сигналов до и после применения на более совершенных цифровых устройствах.
Хотя 2N2222 был первым в своем роде, он породил несколько вариантов, которые в совокупности называются транзисторами типа «2N2222», поскольку все они имеют функционально-конструктивные и эксплуатационные характеристики, идентичные оригинальному транзистору 2N2222. Главным среди этих вариантов является транзистор P2N2222, который заключен в небольшой черный корпус TO-92, выполненный из эпоксидной смолы или пластика. Сочетание большого количества применений для 2N2222 и экономичного пакета TO-92 сделало P2N2222 наименее дорогим и наиболее используемым транзистором в электронике.

Похожее

Основы 2N2222

Здравствуйте, друзья, надеюсь, у вас все отлично. В сегодняшнем уроке я расскажу о новом электронном компоненте под названием 2N2222. Я собираюсь обсудить все основные детали этого транзистора. Это биполярный транзистор NPN, с которым связан широкий спектр приложений.

Вот схема расположения выводов 2N2222, а затем я начну с основных деталей:

Основы 2N2222

  • 2N2222 – это NPN-транзистор, что означает, что он имеет один легированный P слой, расположенный между двумя легированными N слоями.
  • Это биполярный переходной транзистор, сокращенно BJT.
  • Он имеет три терминала с именами:
    • Излучатель.
    • Коллектор.
    • База.
  • Это транзистор, управляемый током.
  • Имеет ток коллектора 800 мА.
  • Рассеиваемая мощность 2N2222 составляет 500 мВт.
  • Может работать при температуре от -65 ° C до 200 ° C.
  • Напряжение коллекторной базы 2n2222 равно 60.
  • Коллектор-эмиттер 2n2222 Напряжение 30.
  • Базовое напряжение эмиттера 2n2222 равно 5.

Рабочий из 2Н2222

  • Как я уже упоминал, это транзистор, управляемый током.
  • Итак, небольшой ток на базовом выводе используется для управления большим током между двумя другими выводами.
  • Используется для коммутации из-за быстрого времени отклика.

Приложения 2N2222

Он имеет широкий спектр приложений, и я собираюсь обсудить некоторые из них здесь:

  • Используется для усиления тока.
  • Он также используется в качестве переключателя для автоматического включения или выключения любых приборов.
  • Благодаря малому времени отклика его можно использовать для широтно-импульсной модуляции.
  • В основном используется во встроенных проектах и ​​проектах автоматизации.

Итак, это все, что касается транзистора с биполярным переходом, названного 2N2222. Если у вас, ребята, возникнут какие-либо проблемы во время работы над транзистором, спрашивайте в комментариях, и я постараюсь их решить. Встретимся, ребята, в следующем уроке.А пока береги себя и развлекайся !!! 🙂

P2N2222A – Усилитель на транзисторах NPN Silicon

% PDF-1.4 % 1 0 объект > эндобдж 5 0 obj > эндобдж 2 0 obj > эндобдж 3 0 obj > поток BroadVision, Inc.2020-08-11T13: 15: 24 + 02: 002013-01-10T10: 59: 36-07: 002020-08-11T13: 15: 24 + 02: 00application / pdf

  • P2N2222A – Транзисторы усилителя NPN Silicon
  • ОН Полупроводник
    • Acrobat Distiller 9. 5.2 (Windows) uuid: 1ca78d3c-5ccb-4f9a-9db0-82cb7dac7684uuid: c3548396-96b1-49ea-867f-6c1babf837e3 конечный поток эндобдж 4 0 объект > эндобдж 6 0 obj > эндобдж 7 0 объект > эндобдж 8 0 объект > эндобдж 9 0 объект > эндобдж 10 0 obj > эндобдж 11 0 объект > эндобдж 12 0 объект > эндобдж 13 0 объект > эндобдж 14 0 объект > эндобдж 15 0 объект > эндобдж 16 0 объект > эндобдж 17 0 объект > поток HnF ^), rw, | Xq # – 䂖 6> RR “2, sfd” 73pBp

    } -ݏ HH_4 # zSDH9% D @ (8ei򩸱. // hF +

    Страница не найдена | MIT

    Перейти к содержанию ↓
    • Образование
    • Исследовать
    • Инновации
    • Прием + помощь
    • Студенческая жизнь
    • Новости
    • Выпускников
    • О MIT
    • Подробнее ↓
      • Прием + помощь
      • Студенческая жизнь
      • Новости
      • Выпускников
      • О MIT
    Меню ↓ Поиск Меню Ой, похоже, мы не смогли найти то, что вы искали!
    Попробуйте поискать что-нибудь еще! Что вы ищете? Увидеть больше результатов

    Предложения или отзывы?

    Напряжение

    – Может ли этот транзистор (2N2222) принимать 6 В на эмиттер-базу? Я неправильно читаю таблицу?

    Это ваша схема, нарисованная как схема, которую нужно читать для понимания, а не как электрическая схема (которая больше касается подключения всего, а не понимания этого. )

    смоделировать эту схему – Схема создана с помощью CircuitLab

    Идея, проиллюстрированная на вашей схеме, где светодиод и токоограничивающий резистор включены последовательно в цепь коллектора, является распространенным (и разумным) подходом. BJT работает как «полупроводниковый переключатель», и это один из нескольких подходов к такому поведению. Все идет нормально.

    Но идея напрямую привязать \ $ + 5 \: \ text {V} \ $ к базе, когда эмиттер также прибит к земле , не очень распространена и не годится.Это прямо помещает полный, смещенный вперед \ $ 5 \: \ text {V} \ $ через диод база-эмиттер. Имейте в виду:

    1. Вам нужно всего лишь от \ $ 600 \: \ text {mV} \ $ до, возможно, даже \ $ 900 \: \ text {mV} \ $ (в большинстве случаев), чтобы использовать BJT в качестве переключателя.
    2. За каждый дополнительный \ $ 60 \: \ text {mV} \ $ (обычно) вы получите в 10 раз больше тока коллектора (если это разрешено частями схемы, подключенными к коллектору) и в 10 раз больше тока базы (всегда возможно. В общих чертах, базовый ток будет экспоненциально связан с приложенным напряжением прямого смещения между базой и эмиттером.

    Вы применяли \ $ 5 \: \ text {V} \ $ !! Это намного больше того, что вы должны были использовать. Таким образом, BJT буквально затоплялся током базы. Конечно, становилось жарко! Он рассеивал серьезную мощность. Мог бы даже повредить устройство (я бы, наверное, выбросил деталь, сделав что-то подобное).

    Вот почему резистор часто применяется в цепи базы.

    смоделировать эту схему

    Падение напряжения на базовом резисторе является простой линейной зависимостью от тока, проходящего через него.Ток перехода база-эмиттер BJT является экспоненциальной зависимостью. Так как переход база-эмиттер BJT пытается быстро увеличить ток, последовательно включенный резистор противодействует этому быстрому изменению, понижая напряжение. Очень быстро выяснится, что напряжение на резисторе падает настолько, чтобы напряжение на переходе база-эмиттер было близко к тому, где оно должно быть.

    Используя резистор, вы разрешаете базовому напряжению «найти стабильное и разумное падение напряжения» для его работы.

    Как указывали другие, раздел Maximum Ratings также определяет абсолютно наихудший случай с обратным смещением напряжения для базы-эмиттера. Это связано с тем, что диод с PN переходом база-эмиттер не может справиться с большим напряжением обратного смещения в типичном BJT. Диоды, используемые в мостовых выпрямителях, часто могут выдерживать очень большие напряжения обратного смещения на них. Но не так много с BJT. Они не предназначены для того, чтобы справляться с подобным стрессом. Вместо этого они просто ломаются и сходят лавины.Таким образом, рейтинги говорят вам, чего следует остерегаться. Часто люди добавляют отдельный диод (ориентированный против прямого направления перехода база-эмиттер BJT), идущий от базы к земле в таком случае, чтобы защитить BJT … на всякий случай.

    Транзистор 2N2222: todo lo que necesitas saber

    El транзистор 2N2222 или PN2222 – это транзистор, который используется для управления BC548. Por tanto, si te gusta el DIY y eres un maker, seguramente en algún momento имеет necesitado uno de estos dispositivos.En este caso, PN2222 – это транзистор силицио-де-баха-потенция и конструкция для приложений линейного усиления и конмутации.

    El motivo de que sea tan requireado es que es bueno ampificando pequeñas corrientes y Voltagees pequeñas o medianas, además de poder trabajar con frecuencias medianamente altas. Eso quiere decir que tiene un uso general y es bastante Popular Entre los eficionados de radio . Los que lo sean sabrán que es uno de los transistores usados ​​para la construcción del transceptor BITX, o que allowió que el club de radioaficionados Norcal lanzara en 1999 un desafío para construir un transceptor de radio con solo 22 transistores de este tipo sin ningún tipo de CI adicional.

    Aligual que el BC548 se fabrica mediante processos de epitaxia. Биполярный транзистор и тип NPN . En la actualidad suele tener varios encapsulados posibles, como el TO-92 de plástico, que suele ser la forma de presentarlo más común y también otros como TO-18, SOT-23, SOT-223, и т. Д.

    ¿Qué es exáctamente un transistor?

    Ya que la radio or transistor se llamó así debido a este dispositivo del que hablamos, мне нравится, когда я хочу познакомиться, так что транзистор и история истории.Los transistores no son más que dispositivos similares a los interruptores y con Capacidad para ampificar la señal. Es decir, son los sustitutos de los primitivos tubos de vacío o válvulas de vacío que tantos issuesas daban.

    Esas válvulas eran similares a las bombillas tradicionales, por lo que se podían fundir y se debían sustituir con frecuencia. Además tenían un elevado tamaño y no allowían Crear aparatos de sizeses reducidas. El calor que generaban también era otro проблема.Con la llegada de la electrónica de estado sólido , es decir, de los semiconductores , per la creación de este tipo de dispositivos mucho más baratos, reducidos y fiables.

    Номер транзистора, подключенный к соединению , резистор передачи , решено, резистор передачи включен. Recuerda que resistor es una resistencia. Además, como sabrás, la invención wave en Europa con las primeras patentes del físico Lilienfeld (1925).Результат algo adelantado a su época, ya que no econtraron aplicaciones prácticas para él en esa década ni en la siguiente y además era un transistor de efecto de campo, un Concepto más avanzado incluso que los bipolares.

    Oskar Heil también hizo un dispositivo similar en Alemania en 1934, y más tarde Robert Pohl y Rudolf Hilsch también harían Experimentos relacionados con este tipo de dispositivos en una Universidad alemana. De forma casi paralela, en Estados Unidos en Bell Labs de la AT&T también se install haciendo Experimentos sin éxito, hasta que después de la II Guerra Mundial la suerte cambió para ellos y cuando volvieron del campo de la conalla Venir con las idea «refrescadas».

    John Bardeen, Wlater Brattain y William Shockley представляет собой патентный образец транзистора истории и гананду Premio Nobel. В 1948 году изобрел контактный транзистор, un dispositivo muy grande, muy tosco y poco practico que era costoso de fabricar y solía fallar a veces y había que recolocarlo en algunos casos. Desde ese punto se evolucionarían hasta los transistores actuales.

    Pero si deseas saber cómo funciona exáctamente este dispositivo que revolucionó la electrónica y el mundo tecnológico, aquí te dejo este GIF con un símil sobre el transistor y un quetra mejo en quétra vid Para captar la idea del funcionamiento de un transistor:

    Приведено в исходное состояние, когда оно установлено на базе транзистора NPN, чтобы оно соответствовало сборщику на эмисоре.Pero lo hace ampificada, ya que si te fijas en la imageen, se suma el torrente de agua de la base y el del colector. Es un simil bastante sencillo, aunque en el sistema electrónico deberías sustituir el agua por electronices…

    Si deseas ver una image algo más esclarecedora desde el punto de vista del funcionamiento de las zonas de semiconductores, es decir, de los portadores de carga , aquí tienes esta otra images:

    En la image se puede apreciar que cuando se aplica unatensión negativa en el emisor, empuja a los portadores de carga negativos (electronices) y en la base los portadores de carga positivos (huecos) «Absorpen» electronices para queedan saltar al коллектор …

    En el caso de un PNP sería similar, pero cambia las polarizaciones o formas de conectar el транзистор.

    Характеристики 2n2222:

    2N2222 или PN2222 часто изготавливается для Philips Semiconductor , используется только один из элементов, изготовленных из материалов Fairchild Semiconductor, изготовленных с использованием Siemens, COMSET Semiconductor, 9012, SEMIC22 и т. Д.

    El 2N2222A – инкапсулировано в металлическом типе TO-18 y cualificado para uso en aplicaciones militares (MIL-STD) por su robustez, rango de temperaturas aceptable, и т. Д.Si observamos los datasheets que aportan estos fabricnates, las características que vamos a encontrar en este transistor son:

    • Вольтажный коллектор на корте : 50 В
    • Corriente de colector constante : 800 мА
    • Potencia disipada : 500 мВт
    • Ganancia de corriente :> 100hFE, típicamente se alcanzan 150.
    • Frecuencia de trabajo : 250-300 Mhz, lo que permite su aplicación en Radio de alta frecuencia
    • Тип : бипола NPN
    • Encapsulados: TO-92 из пластика, TO-18 из металла, SOT-23 и SOT-223, estos dos últimos de tipo SMD.
    • Complementario (PNP) : 2N2907
    • Equivalente : puedes usar el BC548 que vimos en el anterior post, pero recuerda girarlo 180º al Invertir los pines de colector y emisor… También podrías usar el 2N3904 de características muy parteue de la similares, pero sarónés en el 2N2222. Si el circuito es solo para señales pequeñas se podría sustituir perfectamente. También el 2N2219 es подобный, pero para Mayor Potencia.En este caso, al tener un formato TO-39 (hasta 3w) y soportar hasta 300 Mhz, puede ser usado en transmisores y ampificadores for HF y VHF e incluso algunos casos de UHF con потенции de salida de 1 и 2 vatios.
    • Эквивалент SMD : для монтирования поверхностного транзистора 2n2222 SMD с инкапсулированным SOT-23.

    Лист данных:

    Un datasheet es un documento , normalmente un PDF, con las características detalladas del dispositivo electrónico.Los Crea el propio, изготовленные с использованием особых свойств продукта, por tanto, podemos encontrar que no hay los mismos parámetros en dos datasheet sobre un 2n2222 de fabricantes different. Aquí puedes descargar algunos de ellos:

    Espero que te haya ayudado esta guía sobre el 2N222 o PN2222.


    Что такое транзистор 2N2222? (с изображением)

    Транзистор 2N222 представляет собой обычный биполярный переходный транзистор (БЮТ) с отрицательно-положительно-отрицательным соединением (NPN), который находит применение во многих различных типах электронного оборудования.Он используется как для усиления аналогового сигнала, так и для коммутации. Функционирующие части транзистора 2N2222 заключены в так называемый корпус TO-18, который напоминает небольшую металлическую банку. Широкий спектр применения транзистора 2N2222 и его небольшие размеры делают его и его варианты наиболее широко используемыми транзисторами в электронике.

    Функциональная часть транзистора 2N2222 представляет собой конструкцию NPN BJT. Транзистор 2N2222 изготовлен из германия или кремния, пропитанного положительно или отрицательно измененным материалом в процессе, называемом «легированием». 2N2222 имеет положительно заряженную секцию, зажатую между двумя отрицательно заряженными секциями. В результате двух соединений между тремя секциями 2N2222 получил название «транзистор с биполярным переходом». Используемые материалы расположены в порядке: отрицательный, положительный, затем отрицательный, поэтому устройство также называют NPN-транзистором.

    2N2222 имеет три вывода, которые используются для пайки к печатным платам: коллектор, эмиттер и база. Когда на коллекторе транзистора присутствует электронный сигнал, подача сигнала на базу транзистора вызовет излучение сигнала из эмиттера устройства. Таким образом, 2N2222 часто используется для включения и выключения сигналов.

    Коммутационные возможности транзистора 2N2222 также делают его полезным в качестве простого затвора «и».При использовании в этом качестве транзистор будет посылать сигнал только тогда, когда присутствуют два отдельных сигнала: один на его коллекторе и один на базе . Это позволяет использовать 2N2222 для автоматического управления потоком сигналов в цепи в зависимости от того, какие сигналы присутствуют, а какие нет.

    В приложениях усиления 2N2222 принимает аналоговый сигнал, такой как аудиосигнал, через свой коллектор, и отдельный сигнал подается на его базу.Выходной сигнал эмиттера транзистора будет идентичен сигналу коллектора, за исключением того, что его мощность увеличивается на величину, пропорциональную сигналу, приложенному к его базе. Кроме того, изменение сигнала, подаваемого на базу, будет изменять усиление сигнала, выходящего из эмиттера.

    Эксплуатационные характеристики делают 2N2222 слаботочным и среднетоковым (до 600 миллиампер), маломощным (до 625 милливатт), средним напряжением (до 40 вольт). Хотя может показаться, что эти параметры ограничивают полезность 2N2222, 2N2222 идеально подходит для множества приложений обработки сигналов и обработки сигналов до усиления высокой мощности. Транзисторы 2N2222 также используются для обработки сигналов до и после подачи на более совершенные цифровые устройства.

    Хотя 2N2222 был первым в своем роде, он породил ряд вариантов, которые собирательно называются транзисторами типа 2N2222, поскольку все они имеют общие функциональные и рабочие характеристики, идентичные исходным транзисторам 2N2222.Главным среди этих вариантов является транзистор P2N2222, заключенный в небольшой черный корпус TO-92, сделанный из эпоксидной смолы или пластика. Сочетание большого количества применений для 2N2222 и экономичного корпуса TO-92 сделало P2N2222 наименее дорогим и наиболее часто используемым транзистором в электронике.

    2N2222 NPN Bipolar Transistor TO-18 Metal Package купить по низкой цене в Индии

    2N2222 – полупроводниковое устройство, используемое для усиления или переключения электронных сигналов и электроэнергии.Он состоит из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами для подключения к внешней цепи. Напряжение или ток, приложенные к одной паре выводов транзистора, контролируют ток через другую пару выводов. Поскольку управляемая (выходная) мощность может быть выше управляющей (входной) мощности, транзистор может усиливать сигнал. Сегодня некоторые транзисторы упакованы индивидуально, но гораздо больше встроено в интегральные схемы.

    Характеристики: –

    • Упаковка металлических банок

    • Передовые технологические процессы

    • Низкое напряжение ошибки

    • Высокая скорость переключения

    • Работа при полном напряжении

    • Высокая мощность и способность выдерживать ток

    Подробные технические характеристики: –

    Полярность транзистора НПН
    Напряжение коллектор-база (VCBO) 60 В
    Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) 30 В
    Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 В
    Постоянный ток коллектора (IC) 800 мА
    Входная емкость (Cib) 30пФ
    Выходная емкость (Cob) 8пФ
    Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) 300
    Диапазон рабочих температур -65-200 ° С
    Рассеиваемая мощность (PD) 1.

    Больше новостей

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

    © 2019 «Tree of life» — Производство и продажа аксессуаров для iPhone

    * iPad, iPhone, iPod, iPod classic, iPod nano, iPod shuffle и iPod touch являются торговыми марками компании Apple Inc, зарегистрированными в США и других странах. Apple Store является торговой маркой компании Apple Inc. PhotoFast является зарегистрированной торговой маркой компании PhotoFast Company Limited.

    Вступайте в клуб любителей