Универсальный внешний накопитель для всех iOS-устройств, совместим с PC/Mac, Android
Header Banner
8 800 100 5771 | +7 495 540 4266
c 9:00 до 24:00 пн-пт | c 10:00 до 18:00 сб
0 Comments

характеристики (параметры), российские аналоги, цоколевка

2N3904 — кремниевый NPN планарно-эпитаксиальный транзистор общего назначения или для переключающих схем. Конструктивное исполнение ТО-92.

Содержание

  1. Корпус и цоколевка
  2. Характерные особенности
  3. Предельные эксплуатационные характеристики
  4. Типовые термические характеристики
  5. Электрические характеристики
  6. Модификации транзистора 2N3904
  7. Аналоги
  8. Графические иллюстрации характеристик
  9. Диаграммы

Корпус и цоколевка

Характерные особенности

  • Низкие токи утечки: ICEX = 50 нА, IBL = 50 нА при UCE = 30 В, UEB = 3 В.
  • Высокая линейность коэффициента усиления по току.
  • Низкие напряжения насыщения: UCE(sat) = 0,3 В при IC = 50 мА, IB = 5 мА.
  • Низкое значение выходной емкости: Cob = 4 pF при UCB = 5 В.
  • Комплементарная пара — транзистор 2N3906.

Предельные эксплуатационные характеристики

При температуре окружающей среды 25°C.

ХарактеристикаОбознач.Величина
Напряжение коллектор – база транзистора, ВVCBO40
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, ВVCEO60
Напряжение эмиттер – база транзистора, ВVEBO6
Ток коллектора, АIC0,2
Рассеиваемая мощность, ВтПри температуре окружающей среды Ta = 25°CPC0,625
При температуре коллекторного перехода Tc = 25°C1,5
Предельная температура полупроводниковой структуры, °СTj150
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С° Tstg-55…+150

Типовые термические характеристики

ХарактеристикаОбознач. Величина
Тепловое сопротивление коллекторный переход – внешняя среда, °С/ВтRƟJA200
Тепловое сопротивление коллекторный переход – корпус транзистора, °С/ВтRƟJC83,3

Электрические характеристики

Значения в таблице действительныпри температуре внешней среды Ta = 25°C.

ХарактеристикаОбознач.Параметры при измеренияхЗначения
Характеристики включенного / выключенного состояния ٭
Ток коллектора выключения, нАICEXVCE = 30 В, VEB = 3 В≤ 50
Ток базы выключения, нАIBLVCE = 30 В, VEB = 3 В≤ 50
Напряжение пробоя коллектор – база, ВV(BR)CBOIC = 10мкА, IE = 0≥ 60
Напряжение пробоя коллектор – эмиттер, ВV(BR)CEOIC = 1,0мА, IB = 0≥ 40
Напряжение пробоя эмиттер – база, ВV(BR)EBOIE = 10мкА, IC = 0≥ 6
Статический коэффициент усиления по токуhFE(1)VCE = 1 В, IC = 0,1 мА≥ 40
hFE(2)VCE = 1 В, IC = 1 мА≥ 70
hFE(3)VCE = 1 В, IC = 10 мА100…300
hFE(4)VCE = 1 В, IC = 50 мА≥ 60
hFE(5)VCE = 1 В, IC = 100 мА≥ 30
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, ВVCE(sat)1IC = 10 мА, IB = 1 мА≤ 0,2
VCE(sat)2IC = 50 мА, IB = 5 мА≤ 0,3
Напряжение насыщения база-эмиттер, ВVBE(sat)1IC = 10 мА, IB = 1 мА≤ 0,85
VBE(sat)2IC = 50 мА, IB = 5 мА≤ 0,95
Характеристики в режиме малого сигнала
Частота среза, МГцfT VCE = 20 В, IC = 10 мА, f =100 МГц≥ 300
Выходная емкость коллектора, pFCobVCB = 5 В, IE = 0, f = 1 МГц≤ 4,0
Входная емкость, pFCibVBE = 0,5 В, IС = 0, f = 1 МГц≤ 8,0
Входной импеданс, кОмhieVCE = 10 В, IC = 1 мА, f = 1 кГцОт 1,0 до10
Коэффициент обратной связи по напряжению, × 10-4hreОт 0,5 до 8
Коэффициент усиления при малом сигналеhfeОт 100 до 400
Выходная проводимость, мкСмhoeОт 1 до 40
Коэффициент шума транзистора, dBNFVCE = 5В, ICE = 0,1мА, RS = 1кОм, f = 1,0 кГц≤ 5,0
Характеристики режима переключений
Времена режима переключенияВремя задержки, нсtdUCC = 3,0 В, UBE = 0,5 В, IC = 10 мА, IB1 = 1,0 мА ≤ 35
Время нарастания, нсtr≤ 35
Время рассасывания, нсtstg (ts)UCC = 3,0 В, IC = 10 мА, IB1 = IB2 = 1,0 мА ≤ 200
Время спада, нсtf≤ 50

٭Характеристики сняты в импульсном режиме: ширина импульса ≤ 300 мкс, коэффициент заполнения ≤ 2 %.

Модификации транзистора 2N3904

Практически все изделия с кодом 2N3904 многочисленных производителей обладают завидной повторяемостью электрических и временных параметров. Некоторые отличия наблюдаются в параметрах, характеризующих динамические свойства транзистора (fT, Сobo), и которые вполне могут быть отнесены к расхождениям в методиках контроля этих параметров у производителя.

Заметная разница возникает лишь в случаях, когда производитель применяет другие конструкции корпусов, отличные от ТО-92. Изменение теплового сопротивления на участках контакта п/п структуры с корпусом и корпуса с внешней средой приводит к заметным изменениям предельной допустимой мощности рассеивания при сохранении допустимой температуры нагрева. Данные, полученные по материалам сайта alltransistors.com приведены в таблице модификаций транзисторов 2N3904.

МодельТип корпусаPCДругие параметрыПроизводитель
2N3904TO-920,625Tj = от -55°C до +150°CMotorola
2N3904 SSOT-230,35Tj = от -55°C до +150°CKEC (Korea Electronics)
2N3904 EESM0,1
2N3904 UUSM
2N3904 VVSM
2N3904 SSOT-230,225FS (First Silicon)
2N3904 USOT-3230,15
2N3904 NTO-92N0,4AUK Semiconductor
MMBT 3904SOT-230,35Fairchild Semiconductor
PZT 3904SOT-2231
2N3904 – T18TO-180,31Tj = от -63°C до +200°CSEME LAB

Аналоги

Для замены подойдут транзисторы кремниевые, со структурой NPN, общего назначения и для переключающих схем.

Российское производство.

МодельPCfTUCBOUEBOIChFEКорпус
2N39040,6253006060,2От 30 до 300ТО-92
КТ375 А/Б0,2≥ 25060/3050,1100/280То-92
КТ3117 А/Б0,5≥ 20060/7540,4300То-92 и КТ1-7
КТ6137 А0,6253006060,2300ТО-92
КТ3102 А/Б0,25≥ 1505050,1200/500
КТ660 А/Б0,5≥ 20050/3050,8450

Зарубежное производство.

Все представленные транзисторы выполненны в корпусе ТО-92.

МодельPCfTUCBOUEBOICTjhFE
2N39040,6253006060,2150300
2SC24740,6٭6060,2150150
2SC24750,66060,6200
2SC24770,66060,6150
2SC61360,560080,7100
2SD13880,72006061250
2SD14900,758070614000
2SD16420,71006240
2SD16980,7510080,810000
2SD17010,75170080,810000
2SD18530,78061,52000
3DG39040,6253006060,2100
BTN3904A30,6253006060,2100
C2660,8256010217545
ECG123AP0,53007560,8200
ECG23410,83008011502000
h3N39040,6253006060,2100
HEPS00150,31300600,6135200
HEPS00250,35300600,6150100
HSE4240,314006080
KN39030,6253006060,250
KN39040,6253006060,2100
KN44010,352506060,6100
KSC10720,86080,740
KSP80970,6256060,2250
KTC32450,62540060,350
NTE460,625100120,510000
P2N2222A0,6253007560,6100

٭ — пустые ячейки таблицы – информация отсутствует.

Примечание: параметры аналогов взяты из даташип производителя.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Нормализованная зависимость статического коэффициента усиления по току hFE от коллекторной нагрузки IC при различных значениях температуры коллекторного p-n перехода Tj.

Рис. 2. Области насыщения транзистора. Зависимость изменения напряжения коллектор-эмиттер UCE от управляющего тока базы IB [мА] при различных коллекторных нагрузках IC.

Рис. 3. Изменение напряжений насыщения база-эмиттер UBE(sat)и коллектор-эмиттер UCE(sat) в зависимости от коллекторной нагрузки IC.

Рис. 4. Зависимость коэффициентов температурных изменений напряжений насыщения UBE(sat) и UCE(sat) от коллекторной нагрузки IC.

Рис. 5. h-параметр «Коэффициент усиления по току» в зависимости от коллекторной нагрузки IC.

Рис. 6. h-параметр «Входной импеданс» в зависимости от коллекторной нагрузки IC.

Рис. 7. h-параметр «Обратная связь по напряжению коллектора» в зависимости от коллекторной нагрузки IC.

Рис. 8. h-параметр «Выходная проводимость» в зависимости от коллекторной нагрузки IC.

Рис. 9. Зависимость входной емкости Cibo и выходной емкости Cobo от величин обратного смещения p-n переходов транзистора UR.

Рис. 10. Зависимости коэффициента шума NF транзистора от частоты работы f при различных значениях коллекторного тока IC. Кривые сняты для значений сопротивления источника сигнала (source resistance) 200 Ом, 500 Ом и 1,0 кОм.

Рис. 11. Зависимость коэффициента шума NF транзистора от сопротивления источника сигнала RS при различных значениях коллекторной нагрузки IC.

Рис. 12. Зависимости времени задержки td и времени нарастания tr от коллекторной нагрузки IC при различных напряжениях питания UCC и соотношении токов коллектора и базы как 10:1.

 

Рис. 13. Зависимость времени нарастания импульса tr от коллекторной нагрузки IC при разных температурах:

сплошная линия – Tj = 25°C;

прерывистая линия — Tj = 125°C.

Рис. 14. Зависимость времени рассасывания ts неосновных носителей зарядов в p-n структуре от величины коллекторного тока IC.   

Сплошные линии — Tj = 25°C.

Прерывистые линии — Tj = 125°C.

Рис. 15. Зависимости времени спада tf импульса от коллекторной нагрузки IC при разных отношениях тока коллектора IC к току управления (базы) IB.

Сплошные линии — Tj = 25°C.

Прерывистые линии — Tj = 125°C.

Диаграммы

Рис. 16 Диаграмма входного напряжения и схема измерений времени задержки (td) и времени нарастания (tr). Коэффициент заполнения импульсной последовательности (duty cycle) = 2%.

Рис.17 Диаграмма входного напряжения и схема измерений времени рассасывания (ts) заряда коллекторного перехода и времени спадания (tf). Коэффициент заполнения импульсной последовательности (duty cycle) = 2%.

CS – суммарная емкость монтажа и коннекторов.

Характеристики транзистора, datasheet и аналоги

По своим техническим характеристикам, транзистор 2N3904 подходит для использования в переключающих схемах и предварительных каскадов усилителей низкой частоты. Это кремниевое устройство n-p-n структуры, изготовленный по эпитаксиально-планарной технологии. Его отличительной особенностью является низкое напряжение насыщения на коллекторе и маленькая выходная ёмкость.

Цоколевка

Цоколевку 2N3904 будем рассматривать в корпусе ТО-92. Есть также аналоги в SOT-223 и SOT-23 (MMBT3904), который маркируется как «1А». Если транзистор расположить так, чтобы сторона с маркировкой была прямо перед вами, а ножки смотрели вниз, то ножки будут расположены так: слева коллектор, в середине база, а справа эмиттер. Внешний вид и геометрические размеры 2N3904 представлены на рисунке.

Технические характеристики

Теперь рассмотрим предельно допустимые параметры, так как они являются наиболее важными и именно на них нужно смотреть при поиске замены и конструировании новых устройств. Работа транзистора при значениях выше максимальных приведёт к выходу устройства из строя. Тестирование проводилось при температуре +25°С.

Для 2N3904 эти характеристики равны:

  • напряжение К – Б Uкб max (VCBO) = 60 В;
  • напряжение К – Э Uкэ max (VCЕO) = 40 В;
  • напряжение Э – Б U
    эб max
    (VЕBO) = 6 В;
  • ток через коллектор Iк max (IC) = 200 мА;
  • мощность Pк max (PD) = 0,625 Вт;
  • температура рабочая и хранения Tstg = -50 … +150°С;
  • предельная температура кристалла Тj = 150°С.

Следующими идут электрические значения, они важны для понимания функциональных возможностей устройства. Измеряются при стандартной комнатной температуре +25°С. Остальные значения приведены в отдельной колонке «Условия измерения».

Электрические характеристики транзистора 2N3904 (при Т = +25°C)
Параметры Обозначения Условия измерения min max Ед. изм
Напряжение пробоя К – Б Uкб(проб.) (BVCBO) IК=-10 мA, IЭ=0 60 В
Напряжение пробоя К –Э Uкэ(проб.) (BVCЕO) IК=-1 мA, IБ=0 40 В
Напряжение пробоя Э – Б Uэб(проб.) (BVЕBO) IЭ=-10 мкA, IК=0 6 В
Обратный ток К-Э Iкэо (ICEX) Uкэ= 30 В, IЭб=3 В 50 нА
Статический к-т передачи тока h21э IК=-10 мA, Uкэ=-1 В 100 300
Напряжение насыщения К — Э Uкэ(нас.
)
(VCE(sat))
IК = 50 мA, IБ = 5 мA 0,3 В
Граничная частота к-та передачи тока fгр Uкэ = 20 B,IК = 10мA f= 100 МГц 300 МГц
Ёмкость коллекторного перехода Cк (Cob) Uкб = 5 В, IЭ = 0, f=1мГц 4 пФ
Время задержки tзд (td) VCC=3Vdc, VBE(off)=0,5Vdc.

IC=10 mAdc,

IB1= 1 mAdc

35 нс
Время нарастания tнр (tr) 35 нс
Время рассасывания tрас (ts) VCC=3Vdc,IC=10mA
dc
,

IB1=IB2=1mAdc

200 нс
Время спада tсп (tf) 50 нс

Аналоги

Заменить 2N3904 можно на следующие аналоги:

  • 2N4124;
  • 2N4401;
  • 9013;
  • BC237;
  • MPSA20;
  • MPSA06.

При необходимости можно заменить данное устройство на 2N3903, но при этом нужно понимать, какие параметры важны в данном случае и изучить технические параметры обеих транзисторов. Имеются также российские аналоги:

  • КТ3117Б;
  • КТ375А;
  • КТ375Б;
  • КТ6137А.

Комплементарная пара для рассматриваемого устройства – 2N3906.

Производители и Datasheet

Ниже производителей производителей и их dataheet на 2N390:

  • Unisonic Technologies;
  • KEC(Korea Electronics);
  • Micro Commercial Components;
  • First Silicon;
  • Seme LAB;
  • SeCoS Halbleitertechnologie GmbH;
  • AUK corp;
  • NXP Semiconductors;
  • STMicroelectronics;
  • Foshan Blue Rocket Electronics.

В отечественных магазинах продаются транзисторы следующих компаний:

  • ON Semiconductor;
  • Fairchild Semiconductor;
  • Dc Components;
  • Central Semiconductor;
  • Diotec Semiconductor.

2N3904 Transistor Pinout, эквивалент, характеристики и техническое описание

23 ноября 2017 – 0 комментариев

      2N3904 Транзистор
      Транзистор NPN 2N3904 Распиновка

2N3904 Конфигурация контактов

Номер контакта

Имя контакта

Описание

1

Излучатель

Утечка тока через эмиттер

2

Базовый

Управляет смещением транзистора

3

Коллектор

Ток протекает через коллектор

 

Характеристики
  • Биполярный транзистор NPN
  • Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) не более 300
  • Непрерывный ток коллектора (IC) составляет 200 мА
  • Напряжение база-эмиттер (VBE) равно 6 В
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCE) составляет 40 В
  • Напряжение коллектор-база (VCB) составляет 60 В
  • Доступен в пакете To-92

 

Примечание.

Полную техническую информацию можно найти в техническом описании 2N3904 , приведенном в конце этой страницы.

2N3904 Эквивалентные транзисторы NPN:

BC549, BC636, BC639, 2N2222 TO-92, 2N2222 TO-18, 2N2369, 2N3055, 2N3906, 2SC5300 9000 9200 9000 9200 9200 9000 9200 9200 9200 9200 9200 9000 9200 9000 9200 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9200 9000 9200 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000, 20003

Краткое описание 2N3904:

2N3904 представляет собой NPN-транзистор , следовательно, коллектор и эмиттер остаются открытыми (смещены в обратном направлении), когда базовый вывод удерживается на земле, и закрываются (смещены в прямом направлении), когда поступает сигнал. подается на базовый штифт. 2N3904 имеет коэффициент усиления 300; это значение определяет усиливающую способность транзистора. Максимальное количество тока, которое может протекать через вывод коллектора, составляет 200 мА, поэтому мы не можем подключать нагрузки, потребляющие более 200 мА, с помощью этого транзистора. Чтобы сместить транзистор, мы должны подать ток на вывод базы, этот ток (IB) должен быть ограничен 5 мА.

Когда этот транзистор полностью смещен, он может пропускать через коллектор и эмиттер максимум 200 мА. Этот этап называется областью насыщения, и типичное напряжение, допустимое на коллектор-эмиттер (VCE) или коллектор-база (VCB), может составлять 40 В и 60 В соответственно. Когда ток базы удаляется, транзистор полностью закрывается, этот этап называется областью отсечки, а напряжение базы-эмиттера может составлять около 600 мВ.

 

2N3904 в качестве переключателя:

Когда транзистор используется в качестве переключателя , он работает в области насыщения и отсечки , как описано выше. Как уже говорилось, транзистор будет действовать как открытый ключ во время прямого смещения и как закрытый переключатель во время обратного смещения, это смещение может быть достигнуто путем подачи требуемой величины тока на базовый вывод. Как уже упоминалось, ток смещения не должен превышать 5 мА. Все, что превышает 5 мА, убьет транзистор; следовательно, резистор всегда добавляется последовательно с базовым выводом. Значение этого резистора (RB) можно рассчитать по приведенным ниже формулам.

RB = VBE / IB 

Где значение VBE должно быть 5 В для 2N3904 и тока базы (IB зависит от тока коллектора (IC). Значение IB не должно превышать мА.

 

2N3904 в качестве усилителя:

Транзисторы A действуют как усилитель при работе в активной области . Они могут усиливать мощность, напряжение и ток в различных конфигурациях

Некоторые конфигурации, используемые в схемах усилителя:

  1. Усилитель с общим эмиттером
  2. Усилитель с общим коллектором
  3. Усилитель с общей базой

 

Из вышеперечисленных типов конфигурация с общим эмиттером является популярной и наиболее часто используемой конфигурацией. При использовании в качестве усилителя усиление по постоянному току транзистора можно рассчитать по приведенным ниже формулам

.
Коэффициент усиления по постоянному току = ток коллектора (IC) / ток базы (IB) 

 

Приложения:

  • Модули драйверов, такие как драйвер реле, драйвер светодиодов и т. д.
  • Усилительные модули, такие как аудиоусилители, усилители сигналов и т. д.
  • VCB и VBE имеют высокое значение, поэтому их можно использовать для управления нагрузками до 40 В
  • Обычно используется в телевизорах и других бытовых приборах

 

2D-модель и размеры

Если вы проектируете печатную плату или плату Perf с этим компонентом, то следующее изображение из таблицы данных транзистора 2N3904 будет полезно, чтобы узнать его тип упаковки и размеры.

    Теги

    Транзистор NPN

    Силовая электроника

    Транзистор



Транзистор 2N3904 Информация о выводах, эквиваленте, использовании

В этом посте содержится информация о транзисторе 2N3904 о выводе, эквиваленте, использовании, описании, как использовать и где использовать в электронной схеме.

Объявления

Объявления

Особенности/технические характеристики:
  • Тип упаковки: TO-92
  • Тип транзистора: NPN
  • Максимальный ток коллектора (I
    C
    ):  200 мА
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (В CE ): 40 В
  • Максимальное напряжение коллектор-база (В CB ): 60 В
  • Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO):  6 В
  • Максимальное рассеивание коллектора (шт.): 625 милливатт
  • Максимальная частота перехода (fT): 300 МГц
  • Минимальное и максимальное усиление постоянного тока (h FE ):  40–300
  • Максимальная температура хранения и рабочая температура должна быть: от -55 до +150 градусов по Цельсию

 

PNP Дополнение:

PNP Дополнение к 2N3904 – 2N3906

 

9 Замена и эквивалент0002 2N2222 , S8050 , 2N4401 , BC537, SS9013 (конфигурация PIN -код некоторых транзисторов может отличаться от 2N3904 Следовательно, проверьте конфигурацию PINE, прежде чем заменить в цепи)

504.

2N3904 — широко используемый транзистор общего назначения. Он в основном используется студентами и любителями электроники в своих проектах, но также используется в коммерческих электронных продуктах. Его можно использовать в самых разных электронных приложениях для коммутации и усиления. Максимальный ток коллектора транзистора составляет 200 мА, поэтому пользователь может управлять нагрузками менее 200 мА в своих электронных приложениях. Кроме того, 2N3904 также хорошо работает в качестве усилителя, общая рассеиваемая мощность устройства составляет 625 мВт, благодаря чему его также можно использовать для усиления звука и радиочастотного сигнала.

 

 

Где мы можем его использовать и как использовать:

2N3904 можно использовать в любых электронных приложениях, которые подпадают под его электрические характеристики. ток менее 200 мА, тогда этот транзистор будет работать достаточно хорошо, и вы можете управлять различными нагрузками с помощью этого транзистора, например, реле, мощные транзисторы, светодиоды, часть электронной схемы и т.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *