Транзистор 2n3904 характеристики: 2N3904 транзистор характеристики, аналоги, datasheet, параметры, цоколевка, маркировка

характеристики (параметры), российские аналоги, цоколевка

2N3904 — кремниевый NPN планарно-эпитаксиальный транзистор общего назначения или для переключающих схем. Конструктивное исполнение ТО-92.

Содержание

1. Корпус и цоколевка
2. Характерные особенности
3. Предельные эксплуатационные характеристики
4. Типовые термические характеристики
5. Электрические характеристики
6. Модификации транзистора 2N3904
7. Аналоги
8. Графические иллюстрации характеристик
9. Диаграммы

Корпус и цоколевка

Характерные особенности

• Низкие токи утечки: ICEX = 50 нА, IBL = 50 нА при UCE = 30 В, UEB = 3 В.
• Высокая линейность коэффициента усиления по току.
• Низкие напряжения насыщения: UCE(sat) = 0,3 В при IC = 50 мА, IB = 5 мА.
• Низкое значение выходной емкости: Cob = 4 pF при UCB = 5 В.
• Комплементарная пара — транзистор 2N3906.

Предельные эксплуатационные характеристики

При температуре окружающей среды 25°C.

Типовые термические характеристики

Характеристика	Обознач.	Величина
Тепловое сопротивление коллекторный переход – внешняя среда, °С/Вт	RƟJA	200
Тепловое сопротивление коллекторный переход – корпус транзистора, °С/Вт	RƟJC	83,3

Электрические характеристики

Значения в таблице действительныпри температуре внешней среды T_a = 25°C.

٭ — Характеристики сняты в импульсном режиме: ширина импульса ≤ 300 мкс, коэффициент заполнения ≤ 2 %.

Модификации транзистора 2N3904

Практически все изделия с кодом 2N3904 многочисленных производителей обладают завидной повторяемостью электрических и временных параметров. Некоторые отличия наблюдаются в параметрах, характеризующих динамические свойства транзистора (f_T, С_obo), и которые вполне могут быть отнесены к расхождениям в методиках контроля этих параметров у производителя.

Заметная разница возникает лишь в случаях, когда производитель применяет другие конструкции корпусов, отличные от ТО-92. Изменение теплового сопротивления на участках контакта п/п структуры с корпусом и корпуса с внешней средой приводит к заметным изменениям предельной допустимой мощности рассеивания при сохранении допустимой температуры нагрева. Данные, полученные по материалам сайта alltransistors.com приведены в таблице модификаций транзисторов 2N3904.

Аналоги

Для замены подойдут транзисторы кремниевые, со структурой NPN, общего назначения и для переключающих схем.

Российское производство.

Зарубежное производство.

Все представленные транзисторы выполненны в корпусе ТО-92.

٭ — пустые ячейки таблицы – информация отсутствует.

Примечание: параметры аналогов взяты из даташип производителя.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Нормализованная зависимость статического коэффициента усиления по току h_FE от коллекторной нагрузки I_C при различных значениях температуры коллекторного p-n перехода T_j.

Рис. 2. Области насыщения транзистора. Зависимость изменения напряжения коллектор-эмиттер U_CE от управляющего тока базы I_B [мА] при различных коллекторных нагрузках I_C.

Рис. 3. Изменение напряжений насыщения база-эмиттер U_BE(sat)и коллектор-эмиттер U_CE(sat) в зависимости от коллекторной нагрузки I_C.

Рис. 4. Зависимость коэффициентов температурных изменений напряжений насыщения U_BE(sat) и U_CE(sat) от коллекторной нагрузки I_C.

Рис. 5. h-параметр «Коэффициент усиления по току» в зависимости от коллекторной нагрузки I_C.

Рис. 6. h-параметр «Входной импеданс» в зависимости от коллекторной нагрузки I_C.

Рис. 7. h-параметр «Обратная связь по напряжению коллектора» в зависимости от коллекторной нагрузки I_C.

Рис. 8. h-параметр «Выходная проводимость» в зависимости от коллекторной нагрузки I_C.

Рис. 9. Зависимость входной емкости C_ibo и выходной емкости C_obo от величин обратного смещения p-n переходов транзистора U_R.

Рис. 10. Зависимости коэффициента шума NF транзистора от частоты работы f при различных значениях коллекторного тока I_C. Кривые сняты для значений сопротивления источника сигнала (source resistance) 200 Ом, 500 Ом и 1,0 кОм.

Рис. 11. Зависимость коэффициента шума NF транзистора от сопротивления источника сигнала R_S при различных значениях коллекторной нагрузки I_C.

Рис. 12. Зависимости времени задержки t_d и времени нарастания t_r от коллекторной нагрузки I_C при различных напряжениях питания U_CC и соотношении токов коллектора и базы как 10:1.

Рис. 13. Зависимость времени нарастания импульса t_r от коллекторной нагрузки I_C при разных температурах:

сплошная линия – T_j = 25°C;

прерывистая линия — T_j = 125°C.

Рис. 14. Зависимость времени рассасывания t_s неосновных носителей зарядов в p-n структуре от величины коллекторного тока I_C.   

Сплошные линии — T_j = 25°C.

Прерывистые линии — T_j = 125°C.

Рис. 15. Зависимости времени спада t_f импульса от коллекторной нагрузки I_C при разных отношениях тока коллектора I_C к току управления (базы) I_B.

Сплошные линии — T_j = 25°C.

Прерывистые линии — T_j = 125°C.

Диаграммы

Рис. 16 Диаграмма входного напряжения и схема измерений времени задержки (t_d) и времени нарастания (t_r). Коэффициент заполнения импульсной последовательности (duty cycle) = 2%.

Рис.17 Диаграмма входного напряжения и схема измерений времени рассасывания (t_s) заряда коллекторного перехода и времени спадания (t_f). Коэффициент заполнения импульсной последовательности (duty cycle) = 2%.

C_S – суммарная емкость монтажа и коннекторов.

Характеристики транзистора, datasheet и аналоги

По своим техническим характеристикам, транзистор 2N3904 подходит для использования в переключающих схемах и предварительных каскадов усилителей низкой частоты. Это кремниевое устройство n-p-n структуры, изготовленный по эпитаксиально-планарной технологии. Его отличительной особенностью является низкое напряжение насыщения на коллекторе и маленькая выходная ёмкость.

Цоколевка

Цоколевку 2N3904 будем рассматривать в корпусе ТО-92. Есть также аналоги в SOT-223 и SOT-23 (MMBT3904), который маркируется как «1А». Если транзистор расположить так, чтобы сторона с маркировкой была прямо перед вами, а ножки смотрели вниз, то ножки будут расположены так: слева коллектор, в середине база, а справа эмиттер. Внешний вид и геометрические размеры 2N3904 представлены на рисунке.

Технические характеристики

Теперь рассмотрим предельно допустимые параметры, так как они являются наиболее важными и именно на них нужно смотреть при поиске замены и конструировании новых устройств. Работа транзистора при значениях выше максимальных приведёт к выходу устройства из строя. Тестирование проводилось при температуре +25°С.

Для 2N3904 эти характеристики равны:

• напряжение К – Б U_{кб max} (V_CBO) = 60 В;
• напряжение К – Э U_{кэ max} (V_CЕO) = 40 В;
• напряжение Э – Б U _{эб max} (V_ЕBO) = 6 В;
• ток через коллектор I_{к max} (I_C) = 200 мА;
• мощность P_{к max} (P_D) = 0,625 Вт;
• температура рабочая и хранения T_stg = -50 … +150°С;
• предельная температура кристалла Т_j = 150°С.

Следующими идут электрические значения, они важны для понимания функциональных возможностей устройства. Измеряются при стандартной комнатной температуре +25°С. Остальные значения приведены в отдельной колонке «Условия измерения».

Электрические характеристики транзистора 2N3904 (при Т = +25°C)
Параметры	Обозначения	Условия измерения	min	max	Ед. изм
Напряжение пробоя К – Б	Uкб(проб.) (BVCBO)	IК=-10 мA, IЭ=0	60		В
Напряжение пробоя К –Э	Uкэ(проб.) (BVCЕO)	IК=-1 мA, IБ=0	40		В
Напряжение пробоя Э – Б	Uэб(проб.) (BVЕBO)	IЭ=-10 мкA, IК=0	6		В
Обратный ток К-Э	Iкэо (ICEX)	Uкэ= 30 В, IЭб=3 В		50	нА
Статический к-т передачи тока	h21э	IК=-10 мA, Uкэ=-1 В	100	300
Напряжение насыщения К — Э	Uкэ(нас. ) (VCE(sat))	IК = 50 мA, IБ = 5 мA		0,3	В
Граничная частота к-та передачи тока	fгр	Uкэ = 20 B,IК = 10мA f= 100 МГц	300		МГц
Ёмкость коллекторного перехода	Cк (Cob)	Uкб = 5 В, IЭ = 0, f=1мГц		4	пФ
Время задержки	tзд (td)	VCC=3Vdc, VBE(off)=0,5Vdc. IC=10 mAdc, IB1= 1 mAdc		35	нс
Время нарастания	tнр (tr)			35	нс
Время рассасывания	tрас (ts)	VCC=3Vdc,IC=10mA dc, IB1=IB2=1mAdc		200	нс
Время спада	tсп (tf)			50	нс

Аналоги

Заменить 2N3904 можно на следующие аналоги:

• 2N4124;
• 2N4401;
• 9013;
• BC237;
• MPSA20;
• MPSA06.

При необходимости можно заменить данное устройство на 2N3903, но при этом нужно понимать, какие параметры важны в данном случае и изучить технические параметры обеих транзисторов. Имеются также российские аналоги:

• КТ3117Б;
• КТ375А;
• КТ375Б;
• КТ6137А.

Комплементарная пара для рассматриваемого устройства – 2N3906.

Производители и Datasheet

Ниже производителей производителей и их dataheet на 2N390:

• Unisonic Technologies;
• KEC(Korea Electronics);
• Micro Commercial Components;
• First Silicon;
• Seme LAB;
• SeCoS Halbleitertechnologie GmbH;
• AUK corp;
• NXP Semiconductors;
• STMicroelectronics;
• Foshan Blue Rocket Electronics.

В отечественных магазинах продаются транзисторы следующих компаний:

• ON Semiconductor;
• Fairchild Semiconductor;
• Dc Components;
• Central Semiconductor;
• Diotec Semiconductor.

2N3904 Transistor Pinout, эквивалент, характеристики и техническое описание

23 ноября 2017 – 0 комментариев

2N3904 Транзистор
Транзистор NPN 2N3904 Распиновка

• Биполярный транзистор NPN
• Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) не более 300
• Непрерывный ток коллектора (IC) составляет 200 мА
• Напряжение база-эмиттер (VBE) равно 6 В
• Напряжение коллектор-эмиттер (VCE) составляет 40 В
• Напряжение коллектор-база (VCB) составляет 60 В
• Доступен в пакете To-92

Примечание.

BC549, BC636, BC639, 2N2222 TO-92, 2N2222 TO-18, 2N2369, 2N3055, 2N3906, 2SC5300 90009200 900092009200 900092009200920092009200 90009200 90009200 9000 9000 9000 9000 9000 9000 90009200 90009200 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000, 20003

Краткое описание 2N3904:

2N3904 представляет собой NPN-транзистор , следовательно, коллектор и эмиттер остаются открытыми (смещены в обратном направлении), когда базовый вывод удерживается на земле, и закрываются (смещены в прямом направлении), когда поступает сигнал. подается на базовый штифт. 2N3904 имеет коэффициент усиления 300; это значение определяет усиливающую способность транзистора. Максимальное количество тока, которое может протекать через вывод коллектора, составляет 200 мА, поэтому мы не можем подключать нагрузки, потребляющие более 200 мА, с помощью этого транзистора. Чтобы сместить транзистор, мы должны подать ток на вывод базы, этот ток (IB) должен быть ограничен 5 мА.

Когда этот транзистор полностью смещен, он может пропускать через коллектор и эмиттер максимум 200 мА. Этот этап называется областью насыщения, и типичное напряжение, допустимое на коллектор-эмиттер (VCE) или коллектор-база (VCB), может составлять 40 В и 60 В соответственно. Когда ток базы удаляется, транзистор полностью закрывается, этот этап называется областью отсечки, а напряжение базы-эмиттера может составлять около 600 мВ.

Когда транзистор используется в качестве переключателя , он работает в области насыщения и отсечки , как описано выше. Как уже говорилось, транзистор будет действовать как открытый ключ во время прямого смещения и как закрытый переключатель во время обратного смещения, это смещение может быть достигнуто путем подачи требуемой величины тока на базовый вывод. Как уже упоминалось, ток смещения не должен превышать 5 мА. Все, что превышает 5 мА, убьет транзистор; следовательно, резистор всегда добавляется последовательно с базовым выводом. Значение этого резистора (RB) можно рассчитать по приведенным ниже формулам.

RB = VBE / IB 

.
Коэффициент усиления по постоянному току = ток коллектора (IC) / ток базы (IB)