Цифровые микросхемы транзисторы.
Поиск по сайту
Микросхемы ТТЛ (74…).
На рисунке показана схема самого распространенного логического элемента — основы микросхем серии К155 и ее зарубежного аналога — серии 74. Эти серии принято называть стандартными (СТТЛ). Логический элемент микросхем серии К155 имеет среднее быстродействие tзд,р,ср.= 13 нс. и среднее значение тока потребления Iпот = 1,5…2 мА. Таким образом, энергия, затрачиваемая этим элементом на перенос одного бита информации, примерно 100 пДж.
Для обеспечения выходного напряжения высокого уровня U1вых. 2,5 В в схему на рисунке потребовалось добавить диод сдвига уровня VD4, падение напряжения на котором равно 0,7 В. Таким способом была реализована совместимость различных серий ТТЛ по логическим уровням. Микросхемы на основе инвертора, показанного на рисунке (серии К155, К555, К1533, К1531, К134, К131, К531), имеют очень большую номенклатуру и широко применяются.
| ТТЛ серия | Параметр | Нагрузка | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Российские | Зарубежные | Pпот. мВт. | tзд.р. нс | Эпот. пДж. | Cн. пФ. | Rн. кОм. |
| К155 КМ155 | 74 | 10 | 9 | 90 | 15 | 0,4 |
| К134 | 74L | 1 | 33 | 33 | 50 | 4 |
| К131 | 74H | 22 | 6 | 132 | 25 | 0,28 |
| К555 | 74LS | 2 | 9,5 | 19 | 15 | 2 |
| К531 | 74S | 19 | 3 | 57 | 15 | 0,28 |
| К1533 | 74ALS | 1,2 | 4 | 4,8 | 15 | 2 |
| К1531 | 74F | 4 | 3 | 12 | 15 | 0,28 |
При совместном использовании микросхем ТТЛ высокоскоростных, стандартных и микромощных следует учитывать, что микросхемы серии К531 дают увеличенный уровень помех по шинам питания из-за больших по силе и коротких по времени импульсов сквозного тока короткого замыкания выходных транзисторов логических элементов.
При совместном применении микросхем серий К155 и К555 помехи невелики.
| Нагружаемый выход |
Число входов-нагрузок из серий | ||
|---|---|---|---|
| К555 (74LS) | К155 (74) | К531 (74S) | |
| К155, КM155, (74) | 40 | 10 | 8 |
| К155, КM155, (74), буферная | 60 | 30 | 24 |
| К555 (74LS) | 20 | 5 | 4 |
| К555 (74LS), буферная | 60 | 15 | 12 |
| К531 (74S) | 50 | 12 | 10 |
| К531 (74S), буферная | 150 | 37 | 30 |
Выходы однокристальных, т.
| Параметр | Условия измерения | К155 | К555 | К531 | К1531 | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Мин. |
Тип. | Макс. | Мин. | Тип. | Макс. | Мин. | Тип. | Макс. | Мин. | Макс. | ||
| U1вх, В схема |
U1вх или U0вх Присутствуют на всех входах | 2 | 2 | 2 | 2 | |||||||
| U0вх, В схема |
0,8 | 0,8 | ||||||||||
| U0вых, В схема | Uи.п.= 4,5 В | 0,4 | 0,35 | 0,5 | 0,5 | 0,5 | ||||||
| I0вых= 16 мА | I0вых= 8 мА | I0вых= 20 мА | ||||||||||
| U1вых, В схема |
Uи. п.= 4,5 В |
2,4 | 3,5 | 2,7 | 3,4 | 2,7 | 3,4 | 2,7 | ||||
| I1вых = -0,8 мА | I1вых= -0,4 мА | I1вых= -1 мА | ||||||||||
| I1вых, мкА с ОК схема | U1и.п.= 4,5 В, U1вых=5,5 В | 250 | 100 | 250 | ||||||||
| I1вых, мкА Состояние Z схема |
U1и.п.= 5,5 В, U1вых= 2,4 В на входе разрешения Е1 Uвх= 2 В | 40 | 20 | 50 | ||||||||
| I0вых, мкА Состояние Z схема |
U1и. |
-40 | -20 | -50 | ||||||||
| I1вх, мкА схема | U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 2,7 В | 40 | 20 | 50 | 20 | |||||||
| I1вх, max, мА | U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 10 В | 1 | 0,1 | 1 | 0,1 | |||||||
| I0вх, мА схема |
U1и.п.= 5,5 В, U0вх= 0,4 В | -1,6 | -0,4 | -2,0 | -0,6 | |||||||
Iк. з., мА | U1и.п.= 5,5 В, U0вых= 0 В | -18 | -55 | -100 | -100 | -60 | -150 | |||||
характеристики (datasheeet), российские аналоги, цоколевка
Биполярный транзистор 2N3906 с PNP структурой, выполнен по эпитаксиально-планарной технологии и предназначен для обычного применения и применения в ключевых режимах. Конструктивное исполнение — ТО-92.
Содержание
- Цоколевка и монтажные размеры
- Характерные особенности
- Предельные эксплуатационные характеристики
- Типовые термические характеристики
- Электрические характеристики
- Обозначения и модификации транзистора 2N3906
- Аналоги импортного и отечественного производства
- Графические данные
Цоколевка и монтажные размеры
В нижнем торце корпуса имеются три гибких вывода (Зависит от модификации транзистора).
Если смотреть на маркировку, вывода слева направо определяются, как эмиттер, база, коллектор.
Характерные особенности
- Незначительный ток утечки в выключенном состоянии ICEX ≤ 50нА, IBL ≤ 50нА (при VCE = 30 В, VEB = 3 В).
- Малое падение напряжения в состоянии насыщения VCE(sat) ≤ 0,4 В (при IC = 50 мА и IB = 5 мА).
- Низкая выходная емкость коллектора Cob ≤ 4pF (при VCB = 5 В).
- Комплементарная пара — 2N3904A.
Предельные эксплуатационные характеристики
Примечание. Предельные характеристики транзистора подразумевают невозможность эксплуатации при превышении этих параметров без риска потери изделия или существенного ухудшения его характеристик.
| Характеристика | Обозначение | Значение | |
|---|---|---|---|
| Напряжение коллектор – база транзистора, В | VCBO | 40 | |
| Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, В | VCEO | 40 | |
| Напряжение эмиттер – база транзистора, В | VEBO | 5 | |
| Ток коллектора, мА | IC | 200 | |
| Ток базы транзистора, мА | IB | 50 | |
| Рассеиваемая мощность, Вт | При температуре окружающей среды Ta = 25°C | PC | 0,625 |
| При температуре коллекторного перехода Tc = 25°C | 1,5 | ||
| Предельная температура полупроводниковой структуры, °С | Tj | 150 | |
| Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С° | Tstg | от -50 до 150 | |
Типовые термические характеристики
| Характеристика | Обозначение | Значение |
|---|---|---|
| Тепловое сопротивление коллекторный переход – внешняя среда, °С/Вт | RƟJA | 200 |
| Тепловое сопротивление коллекторный переход – корпус транзистора, °С/Вт | RƟJC | 83,3 |
Электрические характеристики
При температуре внешней среды (Ta ) 25°C.
| Характеристика | Обозначение | Параметры при измерениях | Значения |
|---|---|---|---|
| Ток коллектора выключения, нА | ICEX | VCE = 30 В, VEB = 3 В | ≤ 50 |
| Ток базы выключения, нА | IBL | VCE = 30 В, VEB = 3 В | ≤ 50 |
| Напряжение пробоя коллектор – база, В | V(BR)CBO | IC = 10мкА, IE = 0 | ≥ 40 |
| Напряжение пробоя коллектор – эмиттер, В | V(BR)CEO | IC = 10мА, IB = 0 | ≥ 40 |
| Напряжение пробоя эмиттер – база, В | V(BR)EBO | IE = 10мкА, IC = 0 | ≥ 5 |
| Статический коэффициент усиления по току | hFE(1) | VCE = 1 В, IC = 0,1 мА | ≥ 60 |
| hFE(2) | VCE = 1 В, IC = 1 мА | ≥ 80 | |
| hFE(3) | VCE = 1 В, IC = 10 мА | от 100 до 300 | |
| hFE(4) | VCE = 1 В, IC = 50 мА | ≥ 60 | |
| hFE(5) | VCE = 1 В, IC = 100 мА | от 30 до 60 | |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | VCE(sat)1 | IC = 10 мА, IB = 1 мА | ≤ 0,25 |
| VCE(sat)2 | IC = 50 мА, IB = 5 мА | ≤ 0,4 | |
| Напряжение насыщения база-эмиттер, В | VBE(sat)1 | IC = 10 мА, IB = 1 мА | ≤ 0,85 |
| VBE(sat)2 | IC = 50 мА, IB = 5 мА | ≤ 0,95 | |
| Частота среза, МГц | fT | VCE = 20 В, IC = 10 мА, f =100 МГц | ≥ 250 |
| Выходная емкость коллектора, pF | Cob | VCB = 5 В, IE = 0, f = 1МГц | ≤ 4,5 |
| Входная емкость, pF | Cib | VBE = 0,5 В, IС = 0, f = 1МГц | ≤ 10 |
| Входной импеданс, кОм | hie | VCE = 10 В, IC = 1 мА, f = 1 кГц | от 2 до 12 |
| Коэффициент обратной связи по напряжению | hre | от 1 до 10 | |
| Коэффициент усиления при малом сигнале | hfe | от 100 до 400 | |
| Выходная проводимость, мкСм | hoe | от 3 до 60 | |
| Коэффициент шума транзистора,dB | NF | VCE = 5В, ICE = 0,1мА, Rg = 1кОм, f = от 10 Гц до 15,7 кГц | ≤ 4,0 |
| Времена режима переключения | td | См. Рис. 16 | ≤ 35 |
| tr | ≤ 35 | ||
| tstg (ts) | См. Рис. 17 | ≤ 225 | |
| tf | ≤ 75 |
Обозначения и модификации транзистора 2N3906
В информационных материалах компаний-производителей электронных компонентов встречается огромное разнообразие обозначений транзисторов типа 2n3906, отличающихся в основном набором т.н. «суффиксов». При этом в подавляющем числе случаев изделия имеют одинаковую маркировку, но различаются по особенностям технологии изготовления и монтажа (пайки) с применением или без применения экологически вредных материалов.
Вместе с тем, в ряде случаев имеются различия в параметрах, относящихся к ограничениям по мощности рассеивания и величинам тепловых сопротивлений п/п приборов. Различия возникают в случаях размещения п/п структуры в корпусах других (кроме ТО–92) типов и, по всей видимости, в силу отличий технологий изготовления у разных производителей.
Другие электрические параметры транзисторов сохраняют свои значения. Различия в значениях предельных тепловых параметров даны в сравнительной таблице.
| Обозначение транзистора | Корпус | RJƟC, °С/Вт | RƟJA, °С/Вт | PC,мВт | Компания-производитель |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N3906 | TO – 92 | 83 | 200 | 625 | ON Semiconductor |
| 2N3906BU | TO – 92 | 83 | 200 | 625 | Fairchild Semiconductor |
| 2N3906N | TO – 92N | – | – | 400 | AUK Corp. |
| 2N3906S | SOT – 23 | – | 250 | 300 | ISC (Inchange Semiconductor) |
| 2N3906U | SOT – 23 | – | 833 | 150 | First Silicon Corp. |
| 2N3906E | SOT – 23 | – | – | 100 | KEC (Korea Electronics) |
| 2N3906E1G | SOT – 23 | – | 400 | 200 | First Silicon Corp. |
| MMBT3906 | SOT – 23 | – | 357 | 350 | Fairchild Semiconductor |
| PZT3906 | SOT – 223 | – | 125 | 1000 |
Вывод: при расчетах или анализе предельных тепловых режимов работы транзистора 2n3906 нужно учитывать конкретные технические данные от конкретного производителя.
Аналоги импортного и отечественного производства
| Тип транзистора | PC | VCEO | VEBO | IC | TJ | fT | CC | hFE | Тип корпуса |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N 3906A | 0,625 | 40 | 5 | 0,2 | 150 | 250 | 4,5 | 100 | ТО-92 |
| Импортные аналоги | |||||||||
| MMBT 390 | 0,35 | 40 | 5 | 0,2 | 150 | 250 | 4,5 | 100 | SOT-23 |
| PZT 3906 | 1 | 40 | 5 | 0,2 | 150 | 250 | 4,5 | 100 | SOT-223 |
| h3N 3906 | 0,625 | 40 | 5 | 0,2 | 150 | 250 | 4,5 | 100 | ТО-92 |
| KN 3906 | 0,625 | 40 | 5 | 0,2 | 150 | 250 | 4,5 | 100 | ТО-92 |
| 2N 3905 | 0,625 | 40 | 5 | 0,2 | 150 | 200 | 4,5 | 100 | ТО-92 |
| 2SB 1014 | 0,7 | 60 | 8 | 1 | 185 | 160 | ТО-92 | ||
| 2SB 977A | 0,75 | 50 | 8 | 1 | 195 | 3000 | ТО-92 | ||
| BC 327-025 | 0,625 | 45 | 5 | 0,5 | 150 | 260 | 10 | 160 | ТО-92 |
| KN 4403 | 0,625 | 40 | 5 | 0,6 | 150 | 200 | 8,5 | 100 | ТО-92 |
| KSP 75/76/77 | 0,625 | 40/50/60 | 10 | 0,5 | 150 | 10000 | ТО-92 | ||
| TIPP 115/116/117 | 0,8 | 60/80/100 | 5 | 2 | 150 | 1000 | ТО-92 | ||
| TIS 91 (M) | 0,625 | 40 | 5 | 0,4 | 150 | 100 | ТО-92 | ||
| ECG 2342 | 0,8 | 80 | 5 | 1 | 150 | 200 | 2000 | ТО-92 | |
| BSR 62 | 0,8 | 80 | 5 | 1 | 150 | 200 | 1000 | ТО-92 | |
| Аналоги производства РФ и Республики Беларусь | |||||||||
| КТ 6109D/G | 0,625 | 40 | 5 | 0,5 | 150 | 144/112 | ТО-92 | ||
| КТ361Г/В2/Д2/К2 | 0,15 | 35 – 60 | 4 | 0,05 | 150 | 250 | 7 | 350 | ТО-92 |
| КТ502В/Г/Д /Е | 0,35 | 40 | 0,15 | 150 | 5 | 120 | ТО-92 | ||
| КТ6136А | 0,625 | 40 | 5 | 0,2 | 150 | 250 | 4,5 | 300 | ТО-92 |
| КТ313Б/В | 0,3 | 60 | 5 | 0,35 | 150 | 200 | 12 | 300 | ТО-92 |
Примечание: характеристики радиоэлементов в таблице взяты из даташит производителя.
Графические данные
Рис.1 Зависимость коэффициента усиления по току hFE от величины тока коллектора IC при различных температурах (VCE – напряжение коллектор-эмиттер).
Рис.2 Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat) от тока коллектора (IB – ток перехода база-эмиттер).
Рис.3 Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер VBE(sat) от тока коллектора (IB – ток перехода база-эмиттер).
Рис.4 Зависимость напряжения включения база-эмиттер VBE(ON) тока коллектора (VCE – напряжение коллектор-эмиттер).
Рис.5 Зависимость тока выключения ICBO транзистора от температуры окружающей среды Ta (VCB – напряжение коллектор-база).
Рис.6 Зависимость рассеиваемой транзистором мощности (PC) от температуры окружающей среды Ta.
Рис.7 Зависимость коэффициента усиления тока hfe от величины тока коллектора IC (VCE – напряжение коллектор-эмиттер, f – частота режима работы транзистора).
Рис.8 Зависимость полной выходной проводимости hoe от величины тока коллектора IC (VCE – напряжение коллектор-эмиттер, f – частота режима работы транзистора).
Рис.9 Зависимость величины входного импеданса от величины тока коллектора IC (VCE – напряжение коллектор-эмиттер, f – частота режима работы транзистора).
Рис.10 Зависимость коэффициента обратной связи по напряжению hre от тока коллектора IC.
Рис.11 Зависимости емкостей переходов эмиттер-база (Cob) и коллектор-база (Cib) от величин напряжений обратного смещения переходов эмиттер-база (VEB) и коллектор-база (VCB).
Рис.12 Зависимость коэффициента шума транзистора (NF) от частоты передаваемого сигнала f (VCE – напряжение коллектор-эмиттер, IC – ток коллектора, RS – выходное сопротивление источника сигнала).
Рис.13 Зависимость коэффициента шума транзистора (NF) от величины внутреннего сопротивления источника сигнала (VCE – напряжение коллектор-эмиттер, IC – ток коллектора, f – частота входного сигнала, поступающего от внешнего источника).
Рис.14 Зависимости отрезков времени переключения (t) от величины тока коллектора (IC) (IB1, IB2 – значения тока базы при переключениях; td – время задержки переключения; tr – время нарастания выходного сигнала; tf – время спадания выходного сигнала; ts – время рассасывания объемного заряда (или — время сохранения tstg)).
Рис.15 Зависимости времени включения (ton) и выключения (toff) от величины коллекторного тока IC (VBE(OFF) – напряжение база-эмиттер при выключении; IB1, IB2 – значения тока базы при включении и выключении).
Рис.16 Диаграмма входного напряжения и схема измерений времени задержки (td) и времени нарастания (tr). Коэффициент заполнения импульсной последовательности 2%.
Рис.17 Диаграмма входного напряжения и схема измерений времени рассасывания (tstg) заряда коллекторного перехода и времени спадания (tf). Коэффициент заполнения импульсной последовательности 2%.
CS – суммарная емкость монтажа и коннекторов.
2N3906 Распиновка, характеристики, эквивалент и техническое описание
12 декабря 2017 – 0 комментариев
Номер контакта | Название контакта | Описание |
1 | Излучатель | Утечка тока через эмиттер |
2 | Базовый | Управляет смещением транзистора |
3 | Коллектор | Ток протекает через коллектор |
Характеристики
- Биполярный PNP-транзистор
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) не более 300
- Непрерывный ток коллектора (IC) составляет 200 мА
- Базовое напряжение эмиттера (VBE) равно 5 В
- Базовый ток (IB) не более 5 мА
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCE) составляет 40 В
- Базовое напряжение коллектора (VCB) составляет 40 В
- Доступен в пакете To-92
Примечание.
Полные технические характеристики можно найти в техническом паспорте 2N3906, приведенном в конце этой страницы.
2N3906 Эквивалентные транзисторы
2N4403, MPSA13, MPSA92, MPSA55, ZTX555
Альтернатива для 2N3906
BC157, BC558, 2SA1943, BD140, S8550, TIP127, TIP42
Краткое описание 2N3906
2N3906 представляет собой транзистор PNP , следовательно, коллектор и эмиттер будет закрыт (смещен в прямом направлении), когда базовый штифт удерживается на земле, и будет разомкнут (смещен в обратном направлении), когда на базовый штырь подается сигнал. В этом отличие PNP-транзистора от NPN-транзистора: логическое состояние (синий цвет) используется для переключения между заземлением и сигнальным напряжением (эмиттер-база VBE), как показано ниже.0003
2N3906 имеет коэффициент усиления от 110 до 300, это значение определяет мощность усиления транзистора.
Максимальное количество тока, которое может протекать через вывод коллектора, составляет 200 мА, поэтому мы не можем подключать нагрузки, потребляющие более 200 мА, с помощью этого транзистора. Чтобы сместить транзистор, мы должны подать ток на вывод базы, этот ток (IB) должен быть ограничен 5 мА.
Когда этот транзистор полностью смещен, он может пропускать через коллектор и эмиттер максимум 200 мА. Этот этап называется областью насыщения, и типичное напряжение, допустимое между коллектором-эмиттером (VCE) или базой-эмиттером (VBE), может составлять 40 и 5 В соответственно. Когда ток базы удаляется, транзистор полностью закрывается, этот этап называется областью отсечки, а напряжение базы-эмиттера может составлять около 5 В.
Где использовать 2N3906
2N3906 — широко используемый PNP-транзистор. Он очень похож на транзистор bc557, за исключением того, что он имеет высокое напряжение между коллектором и эмиттером, и, следовательно, можно переключать высоковольтные нагрузки.
Этот транзистор имеет коэффициент усиления всего 300, поэтому он не подходит для схем усилителей.
Итак, если вы ищете PNP-транзистор , способный переключать высоковольтные нагрузки в пределах 0,2 А, то этот транзистор 2N3906 может оказаться для вас правильным выбором.
Как использовать 2N3906
Транзистор 2N3906 обычно используется в качестве переключающего устройства. При использовании в качестве переключателя он может работать в области насыщения и области отсечки. В транзисторе PNP по умолчанию он находится во включенном состоянии, но нельзя сказать, что он полностью включен, пока базовый вывод не будет заземлен. Если мы обеспечим заземление на базовый контакт, то транзистор будет смещен в обратном направлении и, как говорят, включен. Если питание подается на базовый контакт, он прекращает проводить ток между эмиттером и коллектором и считается выключенным. Для защиты транзистора последовательно с ним добавлено сопротивление.
Чтобы найти значение этого резистора, вы можете использовать формулу:
RB = VBE / IB
Где значение VBE для этого транзистора будет 5В. Максимальное значение обеспечения базового тока составляет 200 мА. Таким образом, из этого вы можете найти значение сопротивления, которое будет добавлено последовательно с ним. В приведенной ниже схеме напряжение базового эмиттера (VBE) равно 0 В (заземлено), поэтому транзистор PNP проводит, и двигатель вращается. Если установлено высокое значение (5 В), двигатель остановит вращение. Обратите внимание, что для PNP-транзисторов нагрузки должны быть подключены со стороны коллектора, как показано ниже. Также обратите внимание, что ток нагрузки должен быть менее 200 мА (здесь 140 мА)
Применение
- Используется для переключения высоковольтных слаботочных нагрузок
- Оптимально для нагрузок с высоким пиковым напряжением до 40 В
- Используется в различных приложениях переключения.
- Используется в схемах инверторов и преобразователей
- Используется для изготовления сирены или двойной светодиодной или ламповой мигалки.
- Можно использовать в парах Дарлингтона.
2D-модель и размеры
2D-размеры помогут вам разместить этот компонент во время изготовления схемы на плате или печатной плате.
Метки
Транзистор PNP
2N3906 pnp транзистор комплиментарный npn, замена, распиновка, конфигурация выводов, заменитель, маркировка 2N 3906, spice model, аналог smd, техпаспорт
Характеристики транзистора 2N3906
- Тип: ПНП
- Напряжение коллектор-эмиттер, макс.: -40 В
- Напряжение коллектор-база, макс.: -40 В 9 0101 Напряжение эмиттер-база, макс.: -5 В
- Ток коллектора – непрерывный, макс. : -0,2 А
- Рассеивание коллектора: 0,625 Вт
- Коэффициент усиления по постоянному току (h fe ): 100 до 300
- Частота перехода, мин: 250 МГц
- Коэффициент шума, не более: 4 дБ
- Диапазон температур перехода при эксплуатации и хранении: от -55 до +150 °C
- Упаковка: TO-92 900 06
: -0,2 АРаспиновка 2N3906
2Н3906 выпускается в пластиковом корпусе ТО-92. Если смотреть на плоскую сторону с выводами, направленными вниз, три вывода, выходящие из транзистора, слева направо — это выводы эмиттера, базы и коллектора.
Вот изображение, показывающее схему выводов этого транзистора.
Комплементарный NPN-транзистор
Комплементарный NPN-транзистор для 2N3906 — это 2N3904.
SMD версия транзистора 2N3906
N3906S (СОТ -23), KST3906 (SOT-23), KTA1504 (SOT-23), KTA1504S (SOT-23), MMBT3906 (SOT-23), MMBT3906L (SOT-23), MMBT3906LT1 (SOT-23), MMBT3906LT1G (SOT- 23), ММБТ3906LT3 (СОТ-23), ММБТ3906LT3G (SOT-23), MMBT3906T (SOT-523F), MMBT3906TT1 (SOT-416), MMBT3906TT1G (SOT-416), MMBT3906WT1 (SOT-323), MMBT3906WT1G (SOT-323), MMST3906 (SOT-323), PMBS39 06 (SOT-23), PMBT3906 (SOT-23), PMST3906 (SOT-323), PZT3906 (SOT-223) и TMBT3906 (SOT-23) — это SMD-версия транзистора 2N3906.
Эти транзисторы однотипны, имеют схожие параметры и предназначены для поверхностного монтажа.
2N3906 Транзистор в корпусе TO-92
KN3906 представляет собой версию TO-92 транзистора 2N39.06.
Замена и аналог для транзистора 2N3906
Вы можете заменить 2N3906 на 2N4403, 2SA696, 2SA697, 2SA708, BC527, BC528, KN2907, KN2907A , КН3906, КСА708, КСП2907А, КСП55, КСП56, КСП8598, КСП8599 , KTN2907, KTN2907A, MPS2907, MPS2907A, MPS2907AG, MPS2907G, MPS3906, MPS4354, MPS4355, MPS750, MPS750G, MPS751, MPS751G, MPS8598, MPS8598G, MPS8599, MPS859 9Г, МПСА55, МПСА55Г, МПСА56, МПСА56Г, МПСВ51А, МПСВ51АГ, МПСВ55, МПСВ55Г , MPSW56, MPSW56G, P2N2907A, P2N2907AG, PN200, PN2905, PN2905A, PN2907, PN2907A, PN4354, PN4355, ZTX550 или ZTX951.
2N3906 Spice Модель
.модель 2N3906 PNP ( + Is=1,41f + Хти=3 + Пример=1,11 + Ваф=18,7 + Bf=180,7 + Ne=1,5 + Исэ=0 + Iкф=80м + Хтб=1,5 + руб=4,977 + Нк=2 + Иск=0 + Икр=0 + Rc=2,5 + Сjc=9,728p + Mjc=0,5776 + Vjc = 0,75 + ФК = 0,5 + Cje=8.
