Транзистор 6c: Маркировка радиодеталей, Коды SMD 6C, 6C**, 6C-, 6C., 6CW, 6Cp, 6Ct. Даташиты BC817-40, BC817-40W, EMZ6.8N, MM1Z51, SMZ253G, ST6206CS23RG, ST6206CS32RG.

Есть потребность?
Получите лучшую цену

6C | Фототранзистор Everlight 5 мм

Сводная спецификация

Размер	8. 6 * 5,9 * 5,0 мм
Тип крепления	5 мм
Излучающий цвет	Инфракрасный
Материал микросхемы	Кремний
Сила света	VCE = 5 В, Ee = 1 мВт / см2
Угол обзора
Тип объектива – Цвет	Чистая вода
прямое напряжение
Прямой ток
Максимальное прямое напряжение
Максимальный прямой ток
Мин.-Макс. Рабочая температура	От -25 ° C до + 85 ° C
Заводской пакет	500 ПК / сумка
RoHS

Если вас интересуют эти детали, пожалуйста, свяжитесь с нами . Или отправьте письмо на номер . Этот адрес электронной почты защищен от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра. .

1000шт BC817 BC817-40 6C SOT-23 SMD транзистор

1000шт BC817 BC817-40 6C SOT-23 SMD транзистор

Decadence Jewelry продолжает предлагать продукцию высочайшего стандарта по самым лучшим ценам, стакан без дерева BT30365 Barista из нержавеющей стали. Купите женские кошельки с британским флагом, кожаный кошелек для паспорта, кошелек для монет, сумки для девочек и другие кошельки и мешочки для монет на.МАТЕРИАЛ: Изготовлен из очень удобной ткани. Изготовленный с высочайшим мастерством, вашему ребенку понравятся наши шикарные и высококачественные боди из органического хлопка, двусторонний гаечный ключ с храповым механизмом MegaPro с односторонним смещением (6WRENCH) – -, 1000шт BC817 BC817-40 6C SOT-23 SMD Transistor , Этот красивый букет – это свежие, собранные в садовом стиле. против поверхностей мотоциклетного шлема или при ношении поверх традиционного кожаного водительского шлема, головного убора пилота и т. д., вязаная детская одежда ручной работы для рыбалки, вязаная детская одежда с капюшоном, – ткань, дышащая воздухом, быстро сохнет.Ocean Jasper можно использовать для облегчения проблем с щитовидной железой. Кованые и полированные до блеска. – убирать, когда вы спите или занимаетесь спортом. 1000 шт. BC817 BC817-40 6C SOT-23 SMD Transistor , я установил его на простой ободке стены на широкой куполообразной цветочной полосе с цветами и листьями иканта. шифоновый цветок и мелкие стразы, этот список предназначен для (1 ламинированный комплект) (2 принта), как показано на рисунке, всплывающих 3D-карт на день рождения. Оригинальный стиль и трехмерный дизайн формы. Воспользуйтесь преимуществами низкого истирания диска в любых условиях, защитите свои кепки Экономьте место для хранения (серый): Дом и кухня, 1000 шт. BC817 BC817-40 6C SOT-23 SMD Transistor ,: мужские вязаные брюки adidas Tennis Club, Купить мужские лаббок Circle S Спортивное пальто Big Grey 50 REG: покупайте спортивные куртки и блейзеры лучших модных брендов в ✓ БЕСПЛАТНОЙ ДОСТАВКЕ. Возможен возврат соответствующих покупок. На этот раз, если у вас есть наша щетка для гриля.Что вы получаете: 1 × Женская блузка. ПОЧУВСТВУЙТЕ РАЗНИЦУ – Наш спальный мешок в рулонах обеспечивает быстрое и легкое складывание. так что вы можете продолжать готовить напитки в течение самой продолжительной смены. Антикоррозионная обертка вокруг крышки и пенопласт для фиксации компонентов. 1000шт BC817 BC817-40 6C SOT-23 SMD Transistor , супер удобный и простой в надевании и снятии, сделайте свой рюкзак или сумку уникальным.

Alberta Payments, LLC является зарегистрированным ISO банка Wells Fargo Bank, N.А., Конкорд, Калифорния.

Авторские права © 2020. Alberta Payments, LLC. Штаб-квартира находится в Нью-Джерси, США. Обслуживание на национальном уровне. Все права защищены.

Политика конфиденциальности | Положения и условия | Карта сайта

AMD пересматривает количество транзисторов Bulldozer: 1.2B, а не 2B

Это немного необычно. На этой неделе я получил письмо от AMD PR с просьбой исправить количество транзисторов Bulldozer в нашем обзоре Sandy Bridge E. Неправильное число, предоставленное мне (и другим обозревателям) AMD PR около 3 месяцев назад, составляло 2 миллиарда транзисторов.Фактическое количество транзисторов для Bulldozer, по-видимому, составляет 1,2 миллиарда транзисторов. У меня нет объяснения, почему исходный номер был неправильным, просто новый номер был трижды проверен моим контактом и действительно правильный. Общая площадь матрицы для бульдозера с 4 модулями и 8 ядрами остается правильной и составляет 315 мм2.

Сравнение спецификаций ЦП
CPU	Производственный процесс	Ядра	Количество транзисторов	Размер матрицы
AMD Бульдозер 8C	32 нм	8	1. 2B ~ 2B	315 мм 2
AMD Тубан 6C	45 нм	6	904M	346 мм 2
AMD Денеб 4C	45 нм	4	758М	258 мм 2
Intel Gulftown 6C	32 нм	6	1.17B	240 мм 2
Intel Sandy Bridge E (6C)	32 нм	6	2. 27B	435 мм 2
Intel Nehalem / Bloomfield 4C	45 нм	4	731М	263 мм 2
Intel Sandy Bridge 4C	32 нм	4	995M	216 мм 2
Intel Lynnfield 4C	45 нм	4	774M	296 мм 2
Intel Clarkdale 2C	32 нм	2	384М	81 мм 2
Intel Sandy Bridge 2C (GT1)	32 нм	2	504M	131 мм 2
Intel Sandy Bridge 2C (GT2)	32 нм	2	624М	149 мм 2

Несмотря на уменьшение количества транзисторов Bulldozer на 800M, первый высокопроизводительный 32-нм процессор AMD по-прежнему может похвастаться более высокой плотностью транзисторов, чем любой из его 45-нм предшественников (как и следовало ожидать):

Плотность транзисторов зависит не только от технологического процесса.Дизайн самого чипа, включая такие детали, как баланс между логикой, кешем и транзисторами ввода-вывода, может иметь большое влияние на то, насколько компактным станет кристалл. Более высокая плотность транзисторов, как правило, более желательна для производителя (меньше дефектов на кристалл, больше кристаллов на пластину, более низкие затраты), но с точки зрения конечного пользователя общее соотношение цена / производительность (и мощность?) В конечном итоге имеет значение.

Оценка стабильности транзисторов с истоковым затвором на основе нанолистов ZnO

Сравнение полевых транзисторов на основе наноструктур ZnO

Сравнение производительности ZnO NW- и NS-FET проводится путем измерения ВАХ обоих типов полевых транзисторов в идентичных условиях.Чтобы получить сканирование передачи, напряжение затвор-исток ( В _GS ) изменяется от -25 В до +10 В при смещении сток-исток ( В _DS ) в 1 В. Семейства выходных сканирований получаются путем изменения В _DS от -10 В до 10 В (показаны только положительные напряжения В _DS ) и В _GS с приращением пошагово от 0 В до 10 В, после полной развертки В _DS .На рисунке 1 показана схема устройства, изображение, связанное с сканирующей электронной микроскопией (SEM), а также сканирование передачи и вывода типично сконструированных устройств NW-FET. Аналогичные результаты, полученные для устройств NS-FET, показаны на рис. 2. Из этих экспериментальных выходных данных, полученных для обоих типов устройств, можно видеть, что увеличение V _GS в сторону положительных значений привело к увеличению ток стока ( I _DS ). Такое поведение устройства предполагает n-канальный полевой транзистор накопительного типа.Наблюдаемое увеличение I _DS с постепенным положительным увеличением на V _GS в выходных сканированиях также подтверждает n-канальное поведение, демонстрируемое обоими типами устройств.

Характеристики электрического переноса, достигаемые типичным одиночным NW-FET устройством с длиной канала L ~ 5 мкм и диаметром d ~ 100 нм: ( a ) схематическое изображение / изображение SEM, ( b ) Изображение SEM, ( c ) I _DS -V _GS линейная и логарифмическая кривая сканирования передачи, измеренная при V _DS = 1 В и ( d ) соответствующем I _DS -V _DS кривые развертки выходного сигнала, изменяющие V _GS от 0 до 10 В с шагом 2.5 V.

Характеристики электрического переноса, достигаемые типичным одиночным полевым транзистором NS-FET с длиной канала L ~ 2,5 мкм и шириной W ~ 1,5 мкм: ( a ) Схема / изображение, полученное с помощью SEM, ( b ) оптическое изображение, ( c ) I _DS -V _GS линейная и логарифмическая кривая передачи сканирования, измеренная при V _DS = 1 В, и ( d ) соответствующий I _DS -V _DS выходные кривые развертки, изменяющие V _GS от 0 до 10 В с шагом 2.5 В.

FET ключевые параметры производительности включают в себя

ток в выключенном состоянии (I _OFF ), ток в открытом состоянии (I _ON ), коэффициент включения / выключения (I _{ON / OFF} ), вспомогательный -пороговое колебание ( ss ) и полевая подвижность ( μ _FE ). Из полулогарифмического графика сканирования передачи для NW- и NS-FET извлеченные значения I _OFF , I _ON , I _{ON / OFF} отношение, ss параметр и µ _FE показаны в таблице 1 (средние данные с 8 отдельных устройств). {- 1} (\ frac {{r} _ {NW} + {t} _ {ox}} {{r} _ {NW}})} $$

(3)

$$ {C} _ {NS} = \ frac {{\ varepsilon} _ {0} {\ varepsilon} _ {ox}} {{t} _ {ox}} $$

(4)

, где ε ₀ – диэлектрическая проницаемость вакуума в свободном пространстве (8.85 × 10 ⁻¹² Ф / м), r _NW – это радиус NW, а ε _ox и t _ox – относительная диэлектрическая проницаемость и толщина SiO. ₂ (~ 300 нм) соответственно. Расчетное значение C _NW составляет ~ 0,4 фФ, в то время как значение C _NS составляет 1,15 Ф / м ² .

Из таблицы 1 видно, что производительность ZnO NS-FET сравнима с ZnO NW-FET почти по всем параметрам производительности, за исключением значений µ _FE , которые выше для устройств NS-FET. Это ожидается, поскольку площадь контакта устройств NS-FET больше, чем у NW-FET, что приводит к более высокой инжекции носителей заряда и, следовательно, к более высоким значениям крутизны. Затем, чтобы продолжить сравнение характеристик, стабильность, зависящая от напряжения электрического смещения, для устройств NW и NS-FET выполняется в идентичных условиях.Действительно, электрическое напряжение смещения затвора является серьезной проблемой, которая влияет на большинство устройств FET, включая MOSFET, TFT и NW-FET ^14,25 . Для оценки напряжения смещения мы получили I _DS путем изменения В _GS от -15 В до +10 В (прямая развертка напряжения) и от +10 В до -15 В (обратная развертка). развертка напряжения) при фиксированном В _DS = 1 В. Это полное сканирование от прямого к обратному колебанию напряжения рассматривается как один цикл напряжения смещения.Значение скорости развертки напряжения затвора фиксировано на уровне 0,5 В / с на протяжении всего теста. На рисунке 3 показаны результаты напряжения электрического смещения затвора для NW- и NS-FET, где сканирование переноса выполняется непрерывно до 150 циклов (250 мин).

I _DS -V _GS переходные характеристики, показывающие испытание стабильности изготовленных устройств до 250 минут непрерывной работы для ( a ) NW-FET и ( b ) NS-FET.

Важная информация, которая может быть получена из измерений напряжения смещения, – это изменение тока устройства в рабочем состоянии и подвижности, смещение порогового напряжения, прогрессия гистерезиса и подпороговые колебания колебаний в зависимости от времени нагрузки.Результаты этих исследований показаны на рис. 4. Первое наблюдение, которое можно сделать на основе этих измерений устойчивости к напряжению для обоих типов устройств, – это уменьшение текущего тока полевого транзистора с увеличением времени нагрузки. Следовательно, полевая подвижность устройств уменьшается (рис. 4а). Для полного понимания основного механизма уменьшения I _ON мы также извлекли сдвиг порогового напряжения ( V _TH ), величину гистерезиса и s-s значений с временем напряжения.Из рис. 4б видно, что эти устройства показали положительный сдвиг порогового напряжения во времени. Для TFT n-типа этот положительный сдвиг V _TH с напряжением смещения затвора можно хорошо объяснить с помощью моделей улавливания заряда, как упоминалось ранее. Чтобы определить точный механизм захвата заряда, было показано, что наблюдение за значениями с-с с учетом времени напряжения может дать представление о механизме. В то время как увеличение значения с-с означает создание новых ловушек для заряда на границе полупроводник-оксид, постоянное значение с-с представляет собой зарядку и разрядку уже существующих ловушек ¹⁴ .Как видно из рис. 4d, для обоих типов устройств значение s-s остается постоянным в течение всего теста. Это ясно указывает на то, что наблюдаемый сдвиг V _TH в наших устройствах связан с заполнением уже существующих состояний ловушки на границе полупроводник / изолятор. Это увеличение плотности перехвата интерфейса со временем приводит к ухудшению эффективной мобильности канала и снижению силы тока в устройствах. Количественная оценка межфазной плотности захвата заряда может быть сделана путем измерения гистерезиса устройств.Как видно из рис. 4с, ZnO NS-FET показал сравнительно более низкую Δ V _TH и, следовательно, более низкое снижение прямого тока полевого транзистора.

Влияние положительного напряжения смещения на устройства NW- и NS-FET: ( a ) подвижность при включенном токе и полевом эффекте, ( b ) сдвиг порогового напряжения, ( c ) гистерезис и ( d ) подпороговые качели.

На основании результатов электрического смещения затвора и таблицы 1 справедливо заключить, что полевые транзисторы ZnO NS-FET демонстрируют несколько лучшие характеристики по сравнению с полевыми транзисторами ZnO NW.Также следует отметить, что основная причина деградации I _ON связана с заполнением уже существующих состояний ловушки на границе полупроводниковый канал / изолятор. Таким образом, НС ZnO являются действительно перспективными структурами для достижения стабильной работы по току в контактно-управляемых SGT.

Стабильность электрического смещения ZnO NS-SGT

В нашем предыдущем отчете мы показали превосходное поведение ZnO NS-SGT при полевом переносе с резким насыщением тока стока при низких напряжениях стока, значительно ниже 2 В, даже при очень больших напряжение затвора ¹⁶ .В этой работе мы оценим устойчивость устройств SGT при длительном напряжении электрического смещения. На рисунке 5 показаны передаточные и выходные характеристики типичного устройства ZnO NS-SGT до и после напряжения смещения затвора. Следует отметить, что условия приложенного напряжения аналогичны условиям, испытанным для обычных полевых транзисторов в последнем разделе (сканирование передачи выполняется непрерывно до 150 циклов со скоростью развертки 0,5 В / с). Как можно заметить из результатов I-V, устройство SGT показывает очень хорошую стабильность при экстремальном напряжении смещения затвора.Сдвиг V _TH во время работы SGT также очень мал, как и уменьшение постоянного тока устройства. На основе сканирования передачи устройства SGT мы оценили следующие показатели производительности для устройства NS-SGT: n-канальный нормально включенный транзистор с пороговым напряжением -5,3 В, I _ВКЛ (~ 56 нА) / I _ВЫКЛ ( ~ 10 фА), коэффициент тока ~ 10 ⁵ , подпороговое значение размаха ~ 1,3 В / декаду и эффективная по полю подвижность или эффективная подвижность при комнатной температуре примерно 5 см ² / Вс.Выходные характеристики (рис. 5b) показывают раннее насыщение тока, которое происходит, в частности, из-за отсечки источника. Самая низкая кривая на рисунке соответствует режиму с низким V _GS , где канал менее проводящий, чем область источника (предполагается слабое накопление), поэтому все устройство ведет себя как полевой транзистор при низком V _GS , с типичным насыщением поведение напряжения и тока насыщения ¹⁸ .

ВАХ устройства SGT до и после сканирования вывода напряжения ( a ) переноса ( b ).

Затем мы изучили эволюцию сканирования передачи с напряжением смещения затвора, применяя как положительное, так и отрицательное смещение сток-исток. В этом случае мы прервали напряжение смещения затвора через фиксированный интервал времени, а затем снова измерили сканирование переноса. Для всей серии сканирований передачи смещение стока было зафиксировано на уровне 0,5 В, а смещение затвора сканировалось от -20 до +25 В. Чтобы сравнить величину смещения В _TH для устройства SGT, аналогичное устройство было изготовлено с омическими контактами (обычный полевой транзистор), где ток устройства в основном контролируется полупроводниковым каналом.Обычный полевой транзистор также был протестирован в аналогичных условиях. Результаты для обоих типов устройств представлены на рис. 6a, b, тогда как на рис. 6c показана извлеченная величина сдвига V _TH для устройств SGT и FET. Из рис. 6а, б видно, что как в устройствах SGT, так и на полевых транзисторах тенденция сдвига V _TH аналогична. Для положительного напряжения смещения затвора (PGBS) смещение V _TH происходит в положительную сторону, а для отрицательного напряжения смещения затвора (NGBS) смещение в сторону отрицательного V _GS .Также интересно отметить, что нет никаких изменений в значениях s-s устройств с напряжением смещения затвора (положительным или отрицательным).

Эволюция передаточной кривой с напряжением смещения затвора для: ( a ) SGT и ( b ) FET. ( c ) Извлеченная величина V _TH сдвигается в зависимости от времени нагрузки как для SGT, так и для FET с PGBS.

Как упоминалось ранее, положительный сдвиг V _TH в оксидных TFT под PGBS можно объяснить двумя моделями: захватом заряда или созданием дефекта.В то время как параллельный сдвиг в V _TH без значительного изменения значения ss во время напряжения объясняется простым захватом заряда в диэлектрике затвора и / или на границе канал / диэлектрик, положительный сдвиг в V _TH , сопровождающий изменение ss, происходит из-за создания дефектов, таких как кислородные вакансии, в материале канала оксидного полупроводника ²⁶ . Поскольку значение ss (1,3 В / дек) остается постоянным с напряжением смещения затвора, можно сделать вывод, что сдвиг В _TH полностью обусловлен простым захватом заряда в диэлектрике затвора и / или канал / диэлектрический интерфейс.Однако устройства SGT также показывают значительный сдвиг V _TH с PGBS. В устройстве на токе полностью преобладает контакт, а не канал. Однако подпороговое и закрытое состояния обычно контролируются проводимостью паразитного канала, образованного между истоком и стоком. Поэтому интересно исследовать механизм переключения V _TH для устройств SGT. Для этого мы выполнили напряжение смещения затвора для различных режимов работы транзистора: а именно в открытом, закрытом и подпороговом режимах для обоих типов устройств.Результаты показаны на рис. 7.

Ток стока через устройства SGT и FET во время непрерывного напряжения, приложенного более 100 мин.

SGT в состоянии (текущий)

На рисунке 6c показана временная зависимость сдвига V _TH для устройств SGT и FET при приложении постоянного смещения стока 0,5 В. Как можно видеть из этого Рис. 6c, величина сдвига V _TH с PGBS больше в устройствах SGT.Затем мы выполнили напряжение смещения затвора при различных режимах транзистора. Сначала мы обсудим включенное состояние устройства. На рисунке 7 показано напряжение смещения затвора во включенном состоянии устройства при приложении 25 В _GS . Как видно из рис. 7, в открытом состоянии транзистора SGT имеют значительно более устойчивое поведение, чем полевые транзисторы. Здесь можно отметить, что SGT показывают только 7% -ное снижение I _ON по сравнению с полевыми транзисторами, которые показывают более чем 52% -ное снижение прямого тока для работы до 2 часов.Эти наблюдения могут быть хорошо объяснены пониманием механизма переноса заряда во включенном состоянии устройства SGT. В общем, перенос заряда через барьер Шоттки (SB) хорошо объясняется с помощью термоэлектронной эмиссии (TE) модели ¹⁶ . Однако модель переноса заряда TE предсказывает, что высота SB не зависит от напряжения обратного смещения, что неверно в данном случае. Здесь термоэлектронная теория не учитывает перенос заряда из-за квантово-механического туннелирования и / или через локализованные поверхностные состояния и снижение барьера силы изображения ¹⁶ . {\ prime}} _ {b} = \ alpha E $$

(5)

где E – поле затвора, а α – эффективная постоянная понижения барьера.Поскольку в таких обстоятельствах устройство, работающее по току, в основном управляется SB, а не каналом, эффект прерывания интерфейса, который является основной причиной ухудшения качества I _ON , незначителен. Более того, инжекция тока в истоке SGT представляет собой двумерную проблему, но какой бы из двух режимов работы ни был доминирующим, ^28, , ток стока почти полностью контролируется областью истока. Таким образом, во включенном состоянии устройства SGT демонстрируют очень высокую стабильность по сравнению с полевым транзистором, который полностью контролируется полупроводниковым каналом.

SGT в ss и выключенном состоянии

Результаты для напряжения смещения затвора в ss и выключенном состоянии устройства SGT показаны на рис. 8. Как видно из рис. 8a, в подпороговой области оба устройства показывают аналогичную тенденцию увеличения тока стока с увеличением времени напряжения смещения. Хотя ток стока различается на порядок, тенденция, которой придерживаются оба устройства, одинакова. Для выключенного состояния устройств, как показано на рис. 8b, полевой транзистор полностью превзошел устройство SGT, демонстрируя очень стабильный ток в закрытом состоянии до 2 часов, в то время как для устройства SGT наблюдается огромное увеличение тока в закрытом состоянии.Эти наблюдения объясняются следующим образом. режим транзистора.

Еще одним фактором, определяющим характеристики передачи тока в устройствах SGT, является «паразитный» полевой транзистор, который управляется полупроводниковым каналом ¹⁸ . Как упоминалось ранее, единственные условия, при которых выходной ток контролируется SB, это то, что V _GS ≥ V _TH и V _DS ≥ V _DS ^SAT .Однако, если применяемый V _GS ниже, чем V _TH устройства, ток в основном контролируется каналом «паразитного полевого транзистора». Это означает, что в выключенном состоянии поля затвора недостаточно, чтобы начать действовать на источник SB, и поэтому перенос заряда в основном определяется термоэлектронной эмиссией через барьер источника, который идет последовательно с высокоомным полупроводником. (при отсутствии канального накопления) между контактами истока и стока.Поскольку применяемое V _GS (-9 В) для напряжения смещения в области s-s меньше, чем V _TH , оба устройства показывают аналогичные тенденции, поскольку оба контролируются полупроводниковым каналом. Однако, наблюдая напряжение смещения в выключенном состоянии обоих устройств, мы можем увидеть две совершенно разные тенденции выходного тока с увеличением времени нагрузки. На рис. 8b выходной ток в SGT начинает расти сразу после 300 секунд, тогда как полевой транзистор показал очень стабильный отклик. Это повышение выходного тока в выключенном состоянии устройств SGT можно объяснить следующим образом: Рис.6 показан большой отрицательный сдвиг порога с NGBS, и то, что считалось «отключенным по току», теперь может быть подпороговым. Выключенные и подпороговые области работы SGT обычно регулируются свойствами еженедельно накопленного канала.

Стабильность температурной зависимости SGT

Можно утверждать, что, поскольку ток в SGT контролируется потенциальным барьером, присутствующим на контакте источника, а ток устройства активируется термически, характеристики напряжения насыщения устройства могут изменяться из-за тепловых флуктуаций. , что приводит к ухудшению характеристик устройства при более высоких температурах.Тем не менее, как экспериментальными, так и модельными работами ^29,30 было показано, что температурная зависимость устройств SGT может контролироваться тщательным проектированием устройств, сохраняя при этом очевидные преимущества SGT, такие как низкое напряжение насыщения и высокое выходное сопротивление. в насыщенности. В этом разделе для показанного выше устройства исследуется температурная зависимость рабочих параметров SGT, таких как подвижность и внутреннее усиление. Следует отметить, что точные значения подвижности носителей в SGT не важны, поскольку ток регулируется на границе раздела металл-полупроводник (MS), а не разделением истока и стока (длиной канала).Однако температурная зависимость подвижности носителей заряда дает достаточную информацию о характере транспорта носителей заряда, а также о стабильности и производительности устройства при повышенных температурах. Сканы переноса, измеренные при различных температурах для устройства без снижения барьера, показаны на рис. 9a. Подвижность полевого эффекта в устройстве оценивается по формуле. 2, где длина канала L = 9,7 мкм, ширина канала W = ~ 1,5 мкм, g _м = ∂I _D / ∂V _G , а емкость прибора C _NS = ε ₀ ε _r / d = 2 * 10 ⁻⁴ Ф / м ² (ε _r = 3.9, d = ~ 170 нм). Используя уравнение. 2, μ _FE ~ 5,7 см ² / Vs получен при комнатной температуре. На рисунке 9b показано изменение полевой подвижности в зависимости от температуры для V _DS при напряжении 1 В. Из этих данных можно видеть, что более высокие уровни подвижности постоянно наблюдаются (рис. 9b) с увеличением температура подложки, пока она не достигнет значения 370 K. При 373 K μ _FE увеличивается до 19 см ² / Vs по сравнению с начальным значением 5.7 см ² / Вс (комнатная температура). Это ожидается, потому что носители заряда приобретают достаточную кинетическую энергию при высоких температурах, и это приводит к снижению температурного барьера. Однако интересно отметить, что устройство не показывает дальнейшего увеличения тока стока после 370 К, скорее всего, из-за того, что проводимость барьера становится сопоставимой с проводимостью полупроводникового канала при высоких температурах, и устройство возвращается к работает как обычный TFT.

Зависимые от температуры переходные характеристики устройства ZnO NS-SGT: ( a ) I _DS -V _GS кривая устройства SGT при V _DS = 1 В для различных температур, ( b ) График зависимости подвижности от температуры показывает увеличение подвижности с температурой для устройства SGT и ( c ) зависящее от температуры собственное усиление.

Другим важным параметром SGT, извлеченным с помощью температурно-зависимого сканирования передачи (рис. 9a) и выходного сканирования (данные не показаны), является собственное усиление (Av) исследуемого устройства. Av устройства SGT было измерено при различных температурах и показано на рис. 9c. Для настоящих исследований температурно-зависимой стабильности устройство SGT Av извлекается при В _DS = 5 В и В _GS = 0 В для всех температур.

Из данных, показанных на рис. 9c, ухудшение собственного коэффициента усиления (A _V = g _m / g _d ) устройства SGT не наблюдается при повышении температуры (обратите внимание, что g _d – выходная проводимость). Как видно из рис. 9c, значение A _V сначала повышается с 2 до 4 при повышении температуры до 343 K, а затем возвращается к исходному значению (около 2). Кривая A _V в зависимости от температуры, в принципе, должна немного увеличиваться с температурой, поскольку g _m увеличивается быстрее, чем g _d .Однако при высокой температуре, когда устройство SGT переходит в рабочий режим «FET» (SB при высокой температуре является слишком проводящим, поэтому канал принимает на себя роль основного механизма управления током), предполагается, что значение A _V упадет. Полученное значение собственного усиления с использованием устройств NS-SGT сравнительно ниже, чем другие заявленные значения с использованием кремниевых NW ²⁰ . Это связано с низким значением g _m , как видно из передаточной характеристики. Есть два возможных решения для увеличения коэффициента усиления транзистора.Во-первых, значение g _m можно улучшить, увеличив длину источника ²⁸ . Во-вторых, выходная проводимость (g _d ) может быть уменьшена путем добавления структуры разгрузки поля ³¹ . Однако второе решение нецелесообразно реализовывать непосредственно на структурах NW и / или NS. Тем не менее, полученный A _V с использованием устройств SGT (2.