Маркировка радиодеталей, Коды SMD 7002, 7005, 702, 702⚫, 702*, 703 *, 7030L, 704, 705, 709, 709**, 70N10L, 70T. Даташиты 2N7002, 2N7002-G, 2N7002DW, 2N7002E, 2N7002K, 2N7002L, 2N7002MTF, 2V7002K, 2V7002L, FAN7005M, FCX705, G709RCUf, G709T1Uf, L2N7002LT1G, MTN138ZN3, MTN7002N3, MTN7002ZHN3, MTNK1N3, MTNK2N3, PH7030L, SPB70N10L, SPI70N10L, SPP70N10L, TK71570AS.
| Код SMD | Корпус | Наименование | Производитель | Описание | Даташит |
|---|---|---|---|---|---|
| 7002 | SOT-23 | 2N7002 | WEJ | N-канальный MOSFET | |
| 7005 | SOP-8 | FAN7005M | Fairchild | Аудио усилитель | |
| 702 | SOT-23 | 2N7002 | National | N-канальный MOSFET | |
| 702 | SOT-23 | 2N7002 | Zetex (Now Diodes) | N-канальный MOSFET | |
| 702 | SOT-23 | 2N7002 | Taitron | N-канальный MOSFET | |
| 702 | SOT-23 | 2N7002 | Central | N-канальный MOSFET | |
| 702 | SOT-23 | 2N7002 | MegaPower | N-канальный MOSFET | |
| 702 | SOT-23 | 2N7002 | Fairchild | N-канальный MOSFET | |
| 702 | SOT-363 | 2N7002DW | Panjit | N-канальные MOSFETы | |
| 702 | SOT-23 | 2N7002MTF | Fairchild | N-канальный MOSFET | |
| 702 | SOT-23 | L2N7002LT1G | LRC | N-канальный MOSFET | |
| 702 | SOT-23 | MTN138ZN3 | CYStech | N-канальный MOSFET | |
| 702 | SOT-23 | MTN7002N3 | CYStech | N-канальный MOSFET | |
| 702 | SOT-23 | MTN7002ZHN3 | CYStech | N-канальный MOSFET | |
| 702 | SOT-23 | MTNK1N3 | CYStech | N-канальный MOSFET | |
| 702⚫ | SOT-23 | MTNK2N3 | CYStech | N-канальный MOSFET | |
| 702* | SOT-23 | 2N7002 | Supertex | N-канальный MOSFET | |
| 702* | SOT-23 | 2N7002-G | Supertex | N-канальный MOSFET | |
| 702* | SOT-23 | 2N7002L | ON | N-канальный MOSFET | |
| 702* | SOT-23 | 2V7002L | ON | N-канальный MOSFET | |
| 703 * | SOT-23 | 2N7002E | ON | N-канальный MOSFET | |
| 7030L | SOT-669 | PH7030L | NXP | N-канальный MOSFET | |
| 704 | SOT-23 | 2N7002K | ON | N-канальный MOSFET | |
| 704 | SOT-23 | 2V7002K | ON | N-канальный MOSFET | |
| 705 | SOT-89 | FCX705 | Zetex (Now Diodes) | Составной PNP транзистор | |
| 709 | TDFN-8 2×2 | G709RCUf | GMT | Датчик температуры | |
| 709** | SOT-25 | G709T1Uf | GMT | Датчик температуры | |
| 70N10L | TO-263-3 | SPB70N10L | Infineon | N-канальный MOSFET | |
| 70N10L | TO-263-3 | SPI70N10L | Infineon | N-канальный MOSFET | |
| 70N10L | TO-220-3-1 | SPP70N10L | Infineon | N-канальный MOSFET | |
| 70T | SOT-23 | TK71570AS | Toko | Стабилизатор напряжения |
Транзисторы с каналом N SMD
Channel kind
depleted enhanced
Transistor kind
dual gate FETKY, HEXFET HEXFET
Вид упаковки
бобина бобина, лента
Время включения
13.
7нс
17нс
21.5нс
8.8нс
Время выключения
15нс 20нс 51.2нс
Выход
N-MOSFET
Выходной ток
4.4А 59А 850мА
Заряд затвора
1.3нC
10.4нC
10.5нC
100нC
106.7нC
107нC
108нC
10нC
11.5нC
11.9нC
110нC
11нC
12.2нC
12.7нC
12.8нC
120нC
12нC
13.2нC
13.3нC
13.6нC
130нC
133.3нC
13нC
14.5нC
142нC
143нC
14нC
15.6нC
150нC
15нC
16.7нC
160нC
16нC
17.3нC
17.4нC
170нC
17нC
180нC
186нC
18нC
19.3нC
19.7нC
190нC
19нC
2.3нC
2.4нC
2.
9нC
200нC
20нC
21.3нC
216нC
21нC
22.7нC
22нC
23.3нC
236нC
23нC
24 (N)/26 (P)нC
24.7нC
24нC
25нC
26.5нC
26нC
274нC
27нC
28нC
29.3нC
29нC
3.5нC
300нC
305нC
30нC
31нC
32нC
33нC
34нC
35нC
36нC
37нC
38нC
39нC
3нC
4.2нC
4.3нC
4.4нC
4.5нC
4.6нC
4.7нC
4.8нC
40нC
41нC
42нC
43.3нC
43нC
44.7нC
44нC
45.3нC
46нC
47.3нC
48нC
49.3нC
5.4нC
5.5нC
5.6нC
50нC
52нC
53нC
54нC
56нC
57нC
58нC
59нC
6.
Корпус
3X3.3
PQFN3X3
PQFN3X5
PQFN5X6
PQFN8
QFN14
SC-59
SC70-6
SC75
SO10RF
SO8
SOT143
SOT223
SOT23
SOT23-3
SOT26
SOT323
SOT363
SOT523
SOT563
SOT669
SOT89
SOT89-3
SOT89-4
TDFN8
TO220
TO220AB
TO223
TO252
TO252/DPAK
TO252AA
TO262
TO263
TO263AB
TO271AA
TO92
TSDSON-8 FL
TSOP6 Монтаж
SMD THT
Мощность
0.2Вт
1.25Вт
1.38Вт
1.3Вт
1.4Вт
1.56Вт
1.5Вт
1.6Вт
1.7Вт
1.8Вт
1.8кВт
1.98Вт
10.4Вт
100Вт
101Вт
102Вт
104.2Вт
104Вт
105Вт
107Вт
10Вт
110Вт
113Вт
114Вт
115Вт
119Вт
11Вт
12.
6Вт
260Вт
260мВт
26Вт
27.8Вт
272Вт
277.8Вт
278Вт
27Вт
28.4Вт
280мВт
28Вт
29.7Вт
290Вт
290мВт
294Вт
29Вт
2Вт
3.1Вт
3.2Вт
3.3Вт
3.4Вт
3.57Вт
3.5Вт
3.6Вт
3.7Вт
3.8Вт
300Вт
300мВт
307Вт
30Вт
31.25Вт
310Вт
31Вт
320Вт
325мВт
32Вт
33.3Вт
33.8Вт
330Вт
33Вт
34.7Вт
34Вт
350Вт
350мВт
357Вт
35Вт
36.7Вт
360мВт
36Вт
370Вт
375Вт
37Вт
380Вт
38Вт
39Вт
3Вт
4.2Вт
4.5Вт
400мВт
40Вт
41Вт
42Вт
43Вт
44.
Напряжение затвор-исток
-2.
1В
-3.5В
-3В
1.6В
12В
16В
1В
2.4В
2.5В
20В
2В
30В
4В
800мВ
±12В
±16В
±20В
±25В
±30В
±6В
±8В
Напряжение коллектор-эмиттер
1.2кВ
Напряжение сток-исток
-55В 1.7кВ 100В 10В 120В 12В 150В 18В 190В 1кВ 200В 20В 240В 24В 250В 25В 300В 30В 34В 350В 35В 400В 40В 42В 450В 500В 50В 55В 560В 600В 60В 650В 65В 700В 70В 75В 7В 800В 80В 8В 900В 90В
Номинальный ток
330мА
Полярность
полевой
Принципиальная схема
посмотрите
Серия
C3M™ Z-FET™
Сопротивление в открытом состоянии
0.
0011Ом
0.00159Ом
0.0017Ом
0.0028Ом
0.0041Ом
0.0046Ом
0.005Ом
0.0065Ом
0.006Ом
0.0075Ом
0.0081Ом
0.0085Ом
0.009Ом
0.0105Ом
0.011Ом
0.012Ом
0.0135Ом
0.013Ом
0.0145Ом
0.014Ом
0.0155Ом
0.015Ом
0.0165Ом
0.018Ом
0.01Ом
0.021Ом
0.022Ом
0.024Ом
0.025Ом
0.028Ом
0.02Ом
0.031Ом
0.032Ом
0.034Ом
0.035Ом
0.036Ом
0.03Ом
0.041Ом
0.042Ом
0.045Ом
0.04Ом
0.054Ом
0.05Ом
0.075Ом
0.082Ом
0.085Ом
0.08Ом
0.093Ом
0.095Ом
0.09Ом
0.117Ом
0.11Ом
0.12Ом
0.15Ом
0.18Ом
0.19Ом
0.
1Ом
0.23Ом
0.24Ом
0.25Ом
0.26Ом
0.27Ом
0.28Ом
0.2Ом
0.35Ом
0.3Ом
0.4мОм
0.4Ом
0.56Ом
0.65Ом
0.7мОм
0.7Ом
0.8мОм
0.8Ом
0.95мОм
0.95Ом
0.97мОм
0.9мОм
1.05мОм
1.1мОм
1.25мОм
1.2мОм
1.2Ом
1.3мОм
1.3Ом
1.45мОм
1.4мОм
1.4Ом
1.59мОм
1.5мОм
1.5Ом
1.65мОм
1.6мОм
1.6Ом
1.75мОм
1.76Ом
1.7мОм
1.85мОм
1.8мОм
1.8Ом
1.95мОм
1.9мОм
10.4мОм
10.5мОм
10.7мОм
10.8мОм
10.9мОм
1000мОм
100мОм
104мОм
105мОм
10мОм
10Ом
11.5мОм
11.7мОм
11.
8мОм
11.9мОм
110мОм
115мОм
117мОм
11мОм
12.1мОм
12.3мОм
12.4мОм
12.6мОм
120мОм
125мОм
12мОм
12Ом
13.4мОм
13.5мОм
13.8мОм
13.9мОм
130мОм
13мОм
13Ом
14.3мОм
14.4мОм
14.5мОм
140мОм
145мОм
14мОм
14Ом
15.5мОм
15.8мОм
150мОм
15мОм
15Ом
16.5мОм
160мОм
165мОм
16мОм
16Ом
17.5мОм
17мОм
18.9мОм
180мОм
185мОм
18мОм
19.6мОм
190мОм
195мОм
199мОм
19мОм
1кОм
1мОм
1Ом
2.1мОм
2.2мОм
2.3мОм
2.4мОм
2.5мОм
2.5Ом
2.6мОм
2.7мОм
2.
7Ом
2.8мОм
2.8Ом
2.9мОм
200мОм
20мОм
20Ом
210мОм
21мОм
225мОм
22мОм
230мОм
235мОм
23мОм
24.5мОм
24мОм
25.2мОм
250мОм
25мОм
25Ом
26.5мОм
26мОм
27мОм
28.5мОм
280мОм
28мОм
290мОм
299мОм
29мОм
2мОм
2Ом
3.1мОм
3.2мОм
3.2Ом
3.3мОм
3.4мОм
3.5мОм
3.5Ом
3.6мОм
3.7мОм
3.8мОм
3.9мОм
300мОм
30мОм
30Ом
310мОм
31мОм
32мОм
330мОм
33мОм
340мОм
34мОм
35мОм
35Ом
36.3мОм
360мОм
36мОм
37мОм
380мОм
399мОм
39мОм
3мОм
3Ом
4.
1мОм
4.2мОм
4.3мОм
4.4мОм
4.5мОм
4.6мОм
4.7мОм
4.8мОм
4.9мОм
40.7мОм
400мОм
40мОм
420мОм
425мОм
42мОм
42Ом
43мОм
44мОм
450мОм
45мОм
45Ом
460мОм
46мОм
48мОм
4мОм
4Ом
5.1мОм
5.1Ом
5.2мОм
5.3мОм
5.4мОм
5.5мОм
5.6мОм
5.7мОм
5.8мОм
5.9мОм
500мОм
500Ом
50мОм
520мОм
52мОм
53мОм
54мОм
550мкОм
55мОм
560мОм
57.5мОм
5мОм
5Ом
6.1мОм
6.2мОм
6.3мОм
6.5мОм
6.6мОм
6.7мОм
6.8мОм
6.9мОм
600мОм
60мОм
60Ом
62мОм
63мОм
650мОм
65мОм
660мОм
66мОм
6мОм
6Ом
7.
2мОм
7.3мОм
7.5мОм
7.5Ом
7.6мОм
7.7мОм
7.9мОм
700Ом
70мОм
725мОм
75мОм
78мОм
7мОм
7Ом
8.1Ом
8.2мОм
8.3мОм
8.4мОм
8.5мОм
8.7мОм
8.8мОм
8.9мОм
800мОм
80мОм
82мОм
830мОм
85мОм
8мОм
8Ом
9.1мОм
9.2мОм
9.3мОм
9.4мОм
9.5мОм
9.7мОм
9.8мОм
9.9мОм
900мОм
90мОм
950мОм
95мОм
970мкОм
99мОм
9мОм
Тепловое сопротивление переход-корпус
1.04К/Вт
1.05К/Вт
1.09К/Вт
1.11К/Вт
1.14К/Вт
1.1К/Вт
1.2К/Вт
1.32К/Вт
1.38К/Вт
1.42К/Вт
1.4К/Вт
1.64К/Вт
1.66К/Вт
1.
69К/Вт
1.6К/Вт
1.73К/Вт
1.75К/Вт
1.7К/Вт
1.83К/Вт
1.87К/Вт
1.89К/Вт
1.8К/Вт
1.9К/Вт
1045мК/Вт
13К/Вт
1К/Вт
2.12К/Вт
2.2К/Вт
2.3К/Вт
2.4К/Вт
2.65К/Вт
2.73К/Вт
2.7К/Вт
2К/Вт
3.12К/Вт
3.15К/Вт
3.1К/Вт
3.2К/Вт
3.3К/Вт
3.4К/Вт
3.5К/Вт
3.75К/Вт
3К/Вт
4.1К/Вт
4.28К/Вт
4.3К/Вт
4.7К/Вт
400мК/Вт
450мК/Вт
470мК/Вт
500мК/Вт
510К/Вт
510мК/Вт
570мК/Вт
600мК/Вт
610мК/Вт
650мК/Вт
7.6К/Вт
750мК/Вт
770мК/Вт
850мК/Вт
900мК/Вт
920мК/Вт
950мК/Вт
Тепловое сопротивление переход-среда
100К/Вт
120К/Вт
45К/Вт
50К/Вт
60К/Вт
62.
5К/Вт
Технология
CoolMOS™ CoolMOS™ CE OptiMOS™ OptiMOS™ 2 OptiMOS™ 3 OptiMOS™ 5 OptiMOS™ FD SIPMOS™
Тип канала
обогащенный
Тип транзистора
IGBT logic level N-JFET N-MOSFET N-MOSFET x2 N/P-MOSFET x2 МОП n-канал. x2 МОП n-канальный полевой n-канальный полевой n-канальный, TrenchMOS
Ток коллектора
5А
Ток стока
-3.4А
0.115А
1.1А
1.2А
1.4А
1.5А
1.6А
1.7А
1.8А
1.9А
10.1А
10.3А
10.4А
10.6А
10.9А
100А
100мА
103А
104А
105А
106А
108А
10А
10мА
11.3А
11.4А
11.5А
110А
112А
114А
115мА
116А
117А
119А
11А
12.
1А
12.4А
12.5А
12.7А
120А
120мА
123А
124А
127А
12А
13.1А
13.3А
13.4А
13.5А
13.6А
13.8А
130А
131А
135А
13А
14.4А
140А
140мА
145А
14А
15.2А
150А
150мА
155А
156А
15А
15мА
16.1А
16.6А
160А
161А
162А
166А
16А
17.5А
170А
170мА
173А
17А
180А
180мА
184А
185А
18А
190А
190мА
192А
195А
198А
19А
1А
1мА
2.1А
2.2А
2.3А
2.4А
2.5А
2.6А
2.7А
2.8А
2.9А
20.2А
20.
7А
20.8А
200А
200мА
20А
21.3А
210А
213А
216А
21А
21мА
22.4А
220А
220мА
22А
23.5А
230А
230мА
23А
240А
246А
24А
250мА
255А
25А
260А
260мА
26А
270А
27А
280А
280мА
28А
293А
295А
29А
2А
3.1А
3.2А
3.3А
3.4А
3.5А
3.6А
3.7А
3.8А
3.9А
300А
300мА
30А
30мА
31.2А
31А
320А
324А
32А
33А
340А
343А
34А
350мА
35А
360мА
362А
36А
37А
380А
38А
397А
39А
3А
4.
1А
4.2А
4.3А
4.4А
4.5А
4.6А
4.7А
4.9А
4/0.9А
400А
400мА
40А
40мА
41А
426А
429А
42А
43А
44А
450мА
45А
46А
47А
48А
49А
4А
5.1А
5.2А
5.3А
5.4А
5.5А
5.6А
5.7А
5.8А
500мА
50А
50мА
51А
52А
53А
540мА
54А
55А
56А
57А
58А
59А
5А
5мА
6.1А
6.2А
6.3А
6.5А
6.5мА
6.6А
6.7А
6.8А
6.9А
600мА
60А
60мА
61А
62А
63А
64А
65А
660мА
66А
67А
680мА
68А
69А
6А
7.
1А
7.3А
7.5А
7.6А
7.7А
7.8А
700мА
70А
71А
72А
73А
74А
750мА
75А
76А
77А
79А
7А
8.1А
8.2А
8.3А
8.5А
8.7А
800мА
80А
81А
82А
83А
84А
85А
86А
87А
880мА
88А
890мА
89А
8А
9.1А
9.2А
9.3А
9.4А
9.5А
9.7А
9.9А
900мА
90А
90мА
91А
92А
93А
94А
950мА
95А
960мА
96А
97А
98А
99А
9А
Производитель
ADVANCED POWER ELECTRONICS ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR CREE DIODES INCORPORATED Fairchild Semiconductor INFINEON (IRF) INFINEON TECHNOLOGIES IXYS MICROCHIP (SUPERTEX) MICROCHIP TECHNOLOGY NXP ON SEMICONDUCTOR ST MICROELECTRONICS TAIWAN SEMICONDUCTOR TEXAS INSTRUMENTS TOSHIBA VISHAY
Маркировка электронных компонентов, Коды SMD 7002, 7005, 702, 702⚫, 702*, 703*, 7030L, 704, 705, 709, 709**, 70N10L, 70T.
Datasheets 2N7002, 2N7002-G, 2N7002DW, 2N7002E, 2N7002K, 2N7002L, 2N7002MTF, 2V7002K, 2V7002L, FAN7005M, FCX705, G709RCUf, G709T1Uf, L2N7002LT1G, MTN138ZN3, MTN7002N3, MTN7002ZHN3, MTNK1N3, MTNK2N3, PH7030L, SPB70N10L, SPI70N10L, SPP70N10L, TK71570AS .| Код SMD | Упаковка | Название устройства | Производитель | Данные | Спецификация |
|---|---|---|---|---|---|
| 7002 | СОТ-23 | 2N7002 | WEJ | N-канальный МОП-транзистор | |
| 7005 | СОП-8 | FAN7005M | Fairchild | Усилитель мощности звука | |
| 702 | СОТ-23 | 2N7002 | Национальный | N-канальный МОП-транзистор | |
| 702 | СОТ-23 | 2N7002 | Zetex (теперь диоды) | N-канальный МОП-транзистор | |
| 702 | СОТ-23 | 2N7002 | Тайтрон | N-канальный МОП-транзистор | |
| 702 | СОТ-23 | 2N7002 | Центральный | N-канальный МОП-транзистор | |
| 702 | СОТ-23 | 2N7002 | МегаПауэр | N-канальный МОП-транзистор | |
| 702 | СОТ-23 | 2N7002 | Fairchild | N-канальный МОП-транзистор | |
| 702 | СОТ-363 | 2N7002DW | Panjit | N-канальные МОП-транзисторы | |
| 702 | СОТ-23 | 2N7002MTF | Fairchild | N-канальный МОП-транзистор | |
| 702 | СОТ-23 | L2N7002LT1G | LRC | N-канальный МОП-транзистор | |
| 702 | СОТ-23 | MTN138ZN3 | CYStech | N-канальный МОП-транзистор | |
| 702 | СОТ-23 | MTN7002N3 | CYStech | N-канальный МОП-транзистор | |
| 702 | СОТ-23 | MTN7002ZHN3 | CYStech | N-канальный МОП-транзистор | |
| 702 | СОТ-23 | MTNK1N3 | CYStech | N-канальный МОП-транзистор | |
| 702⚫ | СОТ-23 | MTNK2N3 | CYStech | N-канальный МОП-транзистор | |
| 702* | СОТ-23 | 2N7002 | Supertex | N-канальный МОП-транзистор | |
| 702* | СОТ-23 | 2N7002-G | Supertex | N-канальный МОП-транзистор | |
| 702* | СОТ-23 | 2N7002L | ON | N-канальный MOSFET | |
| 702* | СОТ-23 | 2V7002L | ON | N-канальный MOSFET | |
| 703 * | СОТ-23 | 2N7002E | ON | N-канальный МОП-транзистор | |
| 7030л | СОТ-669 | PH7030L | NXP | N-канальный МОП-транзистор | |
| 704 | СОТ-23 | 2N7002K | ON | N-канальный MOSFET | |
| 704 | СОТ-23 | 2V7002K | ON | N-канальный MOSFET | |
| 705 | СОТ-89 | FCX705 | Zetex (теперь диоды) | Транзистор Дарлингтона PNP | |
| 709 | ТДФН-8 2х2 | G709RCUf | GMT | Датчик температуры | |
| 709** | СОТ-25 | G709T1Uf | GMT | Датчик температуры | |
| 70N10L | ТО-263-3 | SPB70N10L | Infineon | N-канальный МОП-транзистор | |
| 70N10L | ТО-263-3 | SPI70N10L | Infineon | N-канальный МОП-транзистор | |
| 70N10L | ТО-220-3-1 | SPP70N10L | Infineon | N-канальный МОП-транзистор | |
| 70т | СОТ-23 | TK71570AS | Toko | Линейный регулятор напряжения |
2N7002 N-Channel Mosfet — SOT-23 Пакет
Нажмите, чтобы увеличить
11,53 ₹ (без учета всех налогов)
- Производитель: Nexperia
- Производитель: 2N7002
- Тип продукта: МОП-транзистор
- Тип транзистора: 1 N-канальный
Ссылка клиента:
2N7002 N-Channel Mosfet – SOT-23 Количество в упаковке
Для массовых запросов, пожалуйста, напишите нам по электронной почте [email protected]
Сравните
Добавить в список желаний
Артикул: ST2009SD0699 Категории: Mosfet, SMD Component, SMD Components Теги: Транзистор SI2302, SMD, SMD N-Channel Logic Level MOSFET, SMD Transistor, Устройство для поверхностного монтажа, Транзистор
- Описание продукта
- ИНФОРМАЦИЯ О ПРОДУКТЕ
- информация о доставке
- Перевозка и доставка
Описание продукта
2N7002 N-канальный МОП-транзистор — SOT-23, упаковка
MOSFET расшифровывается как полевой транзистор на основе оксида металла и кремния или полевой транзистор на основе оксида металла и полупроводника.
Это также называется IGFET, что означает полевой транзистор с изолированным затвором. Logic Level Drive MOSFET означает, что MOSFET может управляться выходным напряжением (60 В) логической ИС общего назначения. Когда логическая ИС общего назначения не имеет достаточного выходного тока, полевой МОП-транзистор не может управляться.
Особенности и преимущества:
- Подходит для источников управления вентилями с логическим уровнем
- Высокоскоростное переключение
- Комплект для поверхностного монтажа
- Технология Trench MOSFET
Характеристики/характеристики:
- Производитель: Nexperia
- Производитель: 2N7002
- Тип продукта: МОП-транзистор
- Тип транзистора: 1 N-канальный
- Полярность транзистора: N-канальный
- Количество каналов: 1 канал
- Vds – Напряжение пробоя сток-исток: 60 В
- Id — непрерывный ток стока: 300 мА
- Rds On — сопротивление сток-исток: 5 Ом
- Vgs – Напряжение затвор-исток: – 30 В, + 30 В
- Vgs th — пороговое напряжение затвор-исток: 1 В
- Минимальная рабочая температура: – 65℃
- Максимальная рабочая температура: +150℃
- Pd — рассеиваемая мощность: 830 мВт
- Режим канала: расширение
- Конфигурация: одинарная
- Типичное время задержки выключения: 11 нс
- Типичное время задержки включения: 2,5 нс
- Способ монтажа: SMD/SMT
- Упаковка/кейс: SOT-23-3
Применение:
- Трансляторы логических уровней
- Драйверы высокоскоростных линий
Техническое описание: 2N7002
Комплектация:
- 1 x 2N7002 N-канальный МОП-транзистор — пакет SOT-23
Примечание Изображения продукта показаны только в иллюстративных целях и могут отличаться от фактического продукта.
ИНФОРМАЦИЯ О ПРОДУКТЕ
Детали поставки
Доставка и доставка
Мы делаем все возможное, чтобы добраться до каждого уголка Индии, используя несколько лучших курьерских служб, работающих в стране, таких как Delhivery, DTDC, BlueDart, XpressBees, Ecom Express и т. д. согласно отзывам. для курьера-партнера на территории заказчика. Некоторые внутренние районы Индии, которые не покрываются этими курьерскими службами, покрываются нами через India-Post. Мы ежедневно прилагаем все усилия, чтобы отправить заказ в тот же день, когда он был заказан, или в течение следующих 24 часов с момента размещения заказа. Большинство заказов, размещенных до 13:00, отправляются и отправляются в тот же день. Заказы размещаются почтой, которая запланирована на отгрузку на следующий день. Такие же усилия прилагаются в течение всей недели, включая будни, а иногда и выходные и праздничные дни.
