Универсальный внешний накопитель для всех iOS-устройств, совместим с PC/Mac, Android
Header Banner
8 800 100 5771 | +7 495 540 4266
c 9:00 до 24:00 пн-пт | c 10:00 до 18:00 сб
0 Comments
Техническое описание транзистора

2SC2073: аналог, распиновка, спецификация

Byadharsh Обновлено

Транзистор C2073 Транзистор C2073

Транзистор C2073/2SC2073 электрические характеристики
  • C2073 представляет собой эпитаксиальный кремниевый транзистор NPN
  • Напряжение между коллектором и эмиттером 150 В
  • Напряжение между коллектором и базой 150 В
  • Напряжение между эмиттером и базой равно 9 В.0007 5В
  • Ток коллектора 5A
  • Максимальный базовый ток 5A
  • Рассеиваемая мощность 5 Вт
  • Коэффициент усиления постоянного тока от 40 до 140hFE
  • Текущая ширина полосы пропускания ( F T ) составляет 4 МГц
  • Температура перехода от -55 до 150℃
  • Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером ( В CE (SAT)
    ) равно 5 В
  • Выходная емкость (C ISS ) 35 пФ
  • Минимальная вариация между партиями для надежной работы устройства
  • Надежная работа
  • Широкая зона безопасной работы

Схема контактов транзистора C2073 Схема контактов транзистора C2073
Номер контакта Имя контакта Описание
1 База Базовая клемма используется для запуска транзистора
2 Коллектор Прохождение тока через коллектор
3 Излучатель Ток протекает через эмиттер

 

Корпус транзистора C2073

Транзистор 2SC2073/C2073 имеет корпус TO-220C, он обычно используется для силового транзистора.

Корпус TO-220 изготовлен из эпоксидной смолы/пластика, который используется для термостойкости устройства, а металлическое покрытие задней стороны используется для передачи тепла к радиатору.

Это трехконтактное устройство, в основном используемое для силовых приложений, поэтому используется этот пакет.

Маркировка корпуса

Транзисторный компонент 2SC2073 имел маркировку « C2073 » на корпусе транзистор C2073, это описание действительно полезно для лучшего понимания этого устройства.

Характеристики напряжения

Характеристики напряжения на клеммах транзистора C2073: напряжение между коллектором и базой составляет 150 В, напряжение между коллектором и эмиттером составляет 150 В, а напряжение между эмиттером и базой составляет 5 В, транзистор имеет характеристики высокого напряжения.

Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером составляет 1,5 В, это значение напряжения при определенных условиях, и значение напряжения всегда меньше, чем базовое напряжение.

Общие характеристики напряжения транзистора C2073 показывают, что это устройство имеет характеристики высокого напряжения, и они используются в силовых приложениях.

Характеристики тока

Значение тока коллектора транзистора C2073 составляет 1,5 А, это нагрузочная способность устройства, что означает, что мы можем иметь значение нагрузки ниже 1,5 А.

Базовое значение тока транзистора C2073 составляет 0,5 А, это максимальное значение тока для срабатывания устройства.

Характеристики рассеивания

Рассеиваемая мощность транзистора C2073 составляет 1,5 Вт, это рассеиваемая мощность устройства.

Рассеивающая способность устройства в основном зависит от упаковки устройства и приложений.

Характеристики усиления по току

Значение усиления по току транзистора C2073 составляет от 40 до 140hFE, усиление устройства показывает возможности усиления.

Частота перехода

Значение частоты перехода транзистора C2073 составляет 4 МГц, это частотный диапазон транзистора.

Температура перехода

При температуре перехода от -55 до 150 ℃ теплоемкость транзистора в основном зависит от корпуса.

Выходная емкость

. Значение выходной емкости транзистора C2073 составляет 35PF

C2073 Transistor DataSheet

. такие транзисторы, как 2SC1410, 2SC1447, 2SC1448, TIP41F, KSC2073, 2SD792A, 2SD610, 2SD772, 2SA940 и MJE15030, являются эквивалентом транзистора C2073. Электрические характеристики транзистора C2073/2SC2073 такие же, поэтому мы можем использовать их для процесса замены в схемах.

Дополнительная пара транзисторов C2073

PNP-транзистор 2SA940 является комплементарной парой NPN-транзистора 2SC2073/C2073.

Транзистор C2073/2SC2073 SMD версии

SMD версия транзистора FMMT625 (SOT-23) является поверхностным эквивалентом транзистора C2073.

C2073 по сравнению с 2SD401 по сравнению с TIP41F

В этой таблице мы попытаемся перечислить электрические характеристики трех транзисторных устройств, таких как C2073, 2SD401 и TIP41F, этот список действительно полезен для лучшего понимания устройств.

Характеристики C2073 2SD401 TIP41F
Напряжение между коллектором и базой (VCB)     150 В 200 В 200 В
Напряжение между коллектором и эмиттером (VCE) 150 В 150 В 160 В
Напряжение между эмиттером и базой (VEB) 5 В 5 В 5 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE (SAT)) 1,5 В       1 В 1,5 В
Ток коллектора (IC) 1,5 А 2 А 6 А
Рассеиваемая мощность 1,5 Вт 25 Вт       65 Вт
Температура перехода (TJ) от -55 до +150°C от -55 до +150°C от -65 до +150°C
Частота перехода (FT)
4 МГц
5 МГц     3 МГц
Коэффициент усиления (hFE) от 40 до 140hFE от 40 до 400hFE 15hFE
Выходная емкость 35 пФ
Пакет ТО-220С ТО-220 ТО-220

Применение транзисторов C2073
  • Применение усилителей мощности
  • Приложения для вертикального вывода
  • Приложения общего назначения
  • Пара Дарлингтона

Похожие сообщения

Транзистор

Технический паспорт транзистора 2SD313, аналог, схема расположения выводов, спецификация

Byadharsh

Транзистор 2SD313 Электрические характеристики транзистора 2SD313 2SD313 представляет собой кремниевый NPN эпитаксиально-планировочный транзистор. Напряжение между коллектором и эмиттером составляет 60 В. Напряжение между коллектором и базой составляет 60 В. Напряжение между эмиттером и базой…

Подробнее Техническое описание транзистора 2SD313, эквивалент, распиновка, спецификацияПродолжить

Транзистор

Транзистор 2N5089: аналог, распиновка, спецификация, даташит

Byadharsh

Транзистор 2N5089 Спецификация 2N5089 2N5089 представляет собой кремниевый биполярный транзистор NPN общего назначения. Напряжение между коллектором и эмиттером составляет 30 В. Напряжение между коллектором и базой составляет 30 В. Напряжение между эмиттером и базой составляет…

Подробнее Транзистор 2N5089: аналог, распиновка, спецификация, техническое описаниеПродолжить

Транзистор

Транзистор 2N5087: аналог, распиновка, спецификация, упаковка, применение, техническое описание

Byadharsh

Транзистор 2N5087 Спецификация транзистора 2N5087 2N5087 представляет собой кремниевый транзистор PNP общего назначения Напряжение между коллектором и эмиттером составляет 50 В Напряжение между коллектором и базой составляет 50 В Напряжение между эмиттером и базой составляет 3 В Коллектор…

Подробнее Транзистор 2N5087: аналог, распиновка, спецификация, упаковка, применение, техническое описаниеПродолжить

Транзистор

Транзистор C945: применение транзистора, распиновка, аналог и спецификация 

Byadharsh

Транзистор C945 Спецификация транзистора C945 Это биполярный транзистор NPN BJT Диапазон коэффициента усиления по постоянному току составляет от 40 до 700hFE. Подробнее Транзистор C945: использование транзистора, распиновка, эквивалент и техническое описание. Продолжить

Транзистор

Транзистор BC560: аналог, распиновка, спецификация, даташит

Byadharsh

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *