Универсальный внешний накопитель для всех iOS-устройств, совместим с PC/Mac, Android
Header Banner
8 800 100 5771 | +7 495 540 4266
c 9:00 до 24:00 пн-пт | c 10:00 до 18:00 сб
0 Comments

Содержание

C9014 транзистор характеристики и его российские аналоги

Биполярный транзистор S9014C — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: S9014C

Тип материала: Si

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200

Корпус транзистора: TO92

S9014C Datasheet (PDF)

MCC S9014-B Micro Commercial Components TM 20736 Marilla Street Chatsworth S9014-C Micro Commercial Components CA 91311 Phone: (818) 701-4933 S9014-D Fax: (818) 701-4939 Features • TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors • Capable of 0. 4Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation. NPN Silicon • Collector-current 0.1A • Collector-base Voltage 50V Transistors • Operating and

GSTS9014LT1 NPN General Purpose Transistor Product Description Features This device is designed as a general purpose Collector-Emitter Voltage : 45V amplifier and switch. Collector Current : 100mA Lead(Pb)-Free Packages & Pin Assignments SOT-23 Pin Description 1 Base 2 Emitter 3 Collector Marking Information P/N Package Rank Part Marking GSTS9014LT1F SOT-23 Q 14Q

5.4. ss9014.pdf Size:38K _fairchild_semi

SS9014 Pre-Amplifier, Low Level & Low Noise � High total power dissipation. (PT=450mW) � High hFE and good linearity � Complementary to SS9015 TO-92 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25�C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VEBO Emitter-B

5.5. ss9014.pdf Size:47K _samsung

SS9014 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR PRE-AMPLIFIER, LOW LEVEL & LOW NOISE TO-92 � High total power dissipation. (PT=450mW) � High hFE and good linearity � Complementary to SS9015 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit V Collector-Base Voltage VCBO 50 V Collector-Emitter Voltage VCEO 45 V Emitter-Base Voltage VEBO 5 mA Collector Current IC 100 mW

STS9014 NPN Silicon Transistor Description PIN Connection • General purpose application C • Switching application Features B • Excellent hFE linearity : hFE(IC=0.1 mA) / hFE(IC=2 mA) = 0.95(Typ.) • Low noise : NF=10dB(Max.) at f=1KHz E • Complementary pair with STS9015 TO-92 Ordering Information Type NO. Marking Package Code STS9014 STS9014 TO-92 Abso

5.7. s9014.pdf Size:253K _secos

S9014 NPN Silicon Elektronische Bauelemente Pre-Amplifier, Low Level & Low Noise RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free SOT-23 FEATURES Collector ? Dim Min Max 3 3 ? A 2.800 3.040 B 1.200 1.400 Power dissipation 1 1 ? C 0.890 1.110 2 Base PCM : 0.2 W D 0.370 0.500 Collector Current G 1. 780 2.040 2 ICM : 0.1 A A Emitter H 0.013 0.100 L Co

5.8. s9014t.pdf Size:130K _secos

S9014T NPN Silicon Elektronische Bauelemente Pre-Amplifier, Low Level & Low Noise RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free TO-92 FEATURES 4.55±0.2 3.5±0.2 ? Power dissipation ? PCM : 0.4 W Collector current ICM : 0.1 A Collector-base voltage V(BR)CBO : 50 V 0.43+0.08 –0.07 46+0.1 0. –0.1 Operating & storage junction temperature (1.27 Typ.)

5.9. s9014w.pdf Size:263K _secos

S9014W NPN Silicon Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free SOT-323 FEATURE Complementary to S9015W A L 3 3 Top View C B 1 1 2 2 K E PACKAGING INFORMATION Weight: 0.0074 g D Collector H J F G 3 Millimeter Millimeter REF. REF. Min. Max. Min. Max. MARKING CODE 1 A 1.80

5.10. s9014.pdf Size:821K _htsemi

S901 4 TRANSISTOR (NPN) SOT-23 1. BASE FEATURES 2. EMITTER Complementary to S9015 3. COLLECTOR MARKING: J6 unless otherwise noted) MAXIMUM RATINGS (TA=25? Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Continuous 0.1 A PC Collector Power Dissipation 0.2 W Tj Jun

5.11. s9014w.pdf Size:458K _htsemi

S901 4W TRANSISTOR(NPN) SOT–323 FEATURES ? Complementary to S9015W ? Small Surface Mount Package MAXIMUM RATINGS (Ta=25? unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit 1. BASE V Collector-Base Voltage 50 V CBO 2. EMITTER V Collector-Emitter Voltage 45 V CEO 3. COLLECTOR V Emitter-Base Voltage 5 V EBO IC Collector Current 100 mA P Collector Power Dissipation 20

5.12. s9014.pdf Size:241K _gsme

? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM9014 FEATURES ¦FEATURES ?? FEATURES Excellent HFE Linearity HFE . HFE(0.1mA)/ hFE(2mA)=0.95(Typ.) High HFE ? HFE:HFE=200?700 Low Noise . NF=1dB(Typ.),10dB(Max.). Complementary to GM9015 ? GM9015 ?? MAXIMUM RATINGS (Ta=25 ) ¦MAX

S9014(NPN) TO-92 Bipolar Transistors TO-92 1. EMITTER 2. BASE 3. COLLECTOR Features High total power dissipation.(PC=0.45W) High hFE and good linearity Complementary to S9015 MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V Dimensions in inches and (millimeters) VEBO Emit

S9014 SOT-23 Transistor(NPN) SOT-23 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR Features Complementary to S9015 MARKING: J6 Dimensions in inches and (millimeters) MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Continuous 0.1 A PC Co

5.15. s9014.pdf Size:824K _wietron

S9014 NPN General Purpose Transistors TO-92 1. EMITTER 1 2 2. BASE 3 3. COLLECTOR ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C) Rating Symbol Value Unit Collector-Emitter Voltage V CEO 45 Vdc Collector-Base Voltage VCBO 50 Vdc Emitter-Base Voltage VEBO 5.0 Vdc Collector Current IC 100 mAdc PD 0.4 Total Device Dissipation T =25 C W A Junction Temperature T 150 j C -55 to +150 Storage

5.16. s9014lt1.pdf Size:191K _wietron

S9014LT1 3 1 2 SOT-23 Value V CEO 45 50 5.0 100 225 1.8 556 S9014QLT1=14Q S9014RLT1=14R S9014SLT1=14S S9014TLT1=14T 0.1 45 50 100 100 u 0.1 40 0.1 u 3.0 WEITRON 1/ 28-Apr-2011 http://www.weitron.com.tw S9014LT1 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25 C unless otherwise noted) (Countinued) Characteristics Symbol Max Unit Min ON CHARACTERISTICS DC Current Gain hFE 1000

5.17. s9014.pdf Size:280K _can-sheng

TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES High total power dissipation.(PC=0. 45W) TO-92 High hFE and good linearity Complementary to S9015 MAXIMUM RATINGS MAXIMUM RATINGS MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) MAXIMUM RATINGS 1.EMITTER Symbol Parameter

5.18. s9014 sot-23.pdf Size:317K _can-sheng

 深圳市灿升实业发展有限公司 ShenZhen CanSheng Industry Development Co.,Ltd. www.szcansheng.com SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors S9014 TRANSISTOR (NPN) FEATURES Complimentary to S9015 MARKING:J6 MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units (符号) (参数名称) (额定值) (单位) VCBO Collector-Base Vo

5.19. s9014.pdf Size:347K _shenzhen-tuofeng-semi

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors S9014 TRANSISTOR (NPN) TO-92 FEATURES 1. EMITTER 2. BASE Power dissipation 3. COLLECTOR PCM: 0.4 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 0.1 A 1 2 3 Collector-base voltage V(BR)CBO: 50 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃

5.20. s9014lt1.pdf Size:588K _shenzhen-tuofeng-semi

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co. , Ltd SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors S9014LT1 TRANSISTOR( NPN ) FEATURES · High total power dissipation.(pc=0.2w) ·Complementary to S9015LT1 MARKING: L6 J6 MAXIMUM RATINGS* TA=25℃ unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VEBO Emitt

Эпитаксиальный биполярный кремниевый транзистор S9014 (или SS9014) по своим характеристикам является высокочастотным, средней мощности, NPN-структуры. Характеризуется большим коэффициентом передачи тока, низким уровнем шумов и хорошей линейностью. В связи с этим, он часто встречаются в радио-приемниках (передатчиках), различных схемах предварительного усиления сигнала.

Распиновка

Полупроводниковый кристалл s9014 размещен в стандартном пластиковом корпусе TO-92 для дырочного монтажа. Существуют также SMD-экземпляры в SOT-23, для поверхностного монтажа. Оба корпуса имеют три контакта и его цоколевка выглядит стандартно для такого типа транзисторов: эмиттер, коллектор, база.

Транзисторы S9014 (A, B, C ,D) выпускаются в корпусе ТО-92, а S9014 (H и L) в корпусе для поверхностного монтажа SOT-23.

Характеристики

У всех устройств серии s9014 одинаковые предельно допустимые режимы эксплуатации и электрические характеристики. Различия есть только в значениях коэффициента усиления по току (HFE). Так же следует обратить внимание на то, что у SMD-транзисторов в корпусе SOT-23 максимальная допустимая рассеиваемая мощность на коллекторе не более 200 мВ (mW), а в остальном предельные характеристики схожи с параметрами устройств в корпусе ТО-92.

Предельно допустимые режимы эксплуатации

Рассмотрим подробнее значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации (при температуре окружающей среды 25°С).

Электрические параметры

Одной из важнейших характеристик для всех высокочастотников является коэффициент шума (FШ), во многом он предопределяет возможность применения транзистора в схемах усиления слабых сигналов. Значение FШ определяется при заданном сопротивлении источника сигнала (Rs) на частоте генерации 1 кГц. У s9014 коэффициент шума, в параметрах большинства производителей, не превышает 10 дБ. Поэтому этот высокочастотный транзистор относят к малошумящим. Чтобы добиться наименьшего уровня шума, его применяют при пониженных значениях напряжения коллектор-база и тока эмиттера. Температура при этом должна быть низкой, так как при её возрастании собственные шумы транзистора увеличиваются.

Классификация H

FE

Как указывалось ранее, серия s9014 имеет разный коэффициент усиления по току, который может достигать величины в 1000 HFE. Выбрать транзистор с необходимым коэффициентом усиления можно по следующей классификации.

Аналоги

Аналогов зарубежных и российских у транзистора s9014 достаточно много. Из иностранных можно обратить внимание на такие: BC547, BC141, BC550, 2SC2675, 2SC2240. Отечественный аналог можно подобрать из КТ3102, КТ6111.

Комплементарная пара

Комплементарной парой к s9014 является транзистор с p-n-p-структурой s9015.

Маркировка

SS9014 это один из популярнейших транзисторов южнокорейской компании Samsung. Часто они маркируется на корпусе без префикса “S”. Похожие по характеристикам устройства выпускаются разными производителями и могут встретится с другой маркировкой, например: С9014, Н9014, L9014 и К9014. Корпус SMD-транзисторов S9014H, S9014L маркируется цифро-буквенным кодом “j6”.

Применение

Устройство нашло широкое применение в различных схемах усиления звука приемо-передающей аппаратуры, микрофонных усилителей, жучков (подслушивающих приборов) и других шпионских приспособлений. Очень часто встречаются в блоках питания к бытовым приборам, электронных таймерах, схемах стабилизации тока, разных мигалках, пищалках и др. А вот пример схемы по сборке простейшего «Катчера Бровина».

Безопасность при эксплуатации

Не допускайте предельно допустимые значения эксплуатационных параметров при использовании устройства в своих схемах.

При пайке контактов не допустимо приближать жало паяльника к устройству ближе, чем на 5 миллиметров. Температура пайки не должна быть более +250 градусов, а временной период пайки каждого вывода не более 3 секунд.

Производители

Вы можете скачать datasheet от s9014 на русском языке. Ниже перечислены некоторые производители данного устройства с документацией.

Даташит поиск по электронным компонентам в формате pdf на русском языке. Бесплатная база содержит более 1 000 000 файлов доступных для скачивания. Воспользуйтесь приведенной ниже формой или ссылками для быстрого поиска (datasheet) по алфавиту.Если вы не нашли нужного Вам элемента, обратитесь к администрации проекта .

Транзистор S9014: характеристики, аналоги и цоколевка

По свои характеристикам транзистор S9014 отлично подходит для использования в предварительных каскадах усилителей низкой частоты. Отличается от других биполярных транзисторов низким уровнем шумов. Его структура n-p-n

Цоколевка

Он выпускается в корпусах двух типов: ТО-92 (может использоваться для дырочного монтажа) и SOT-23 (для навесного). Во втором исполнении маркируется буквами J6, которые наносятся сверху. Ознакомиться с расположением выводов и внешним видом устройств можно по рисунку.

Технические характеристики

Максимально допустимые характеристики S9018 это то, на что нужно обратить внимание при подборе транзистора для замены. Их превышение и эксплуатация на предельных рабочих режимах в течении длительного времени может стать причиной поломке изделия. Приведём данные характеристики:

  • напряжение К-Б: VCBO = 50 В;
  • напряжение К-Э: VCEO = 45 В;
  • напряжение Э-Б: VEBO = 5 В;
  • ток коллектора IC = 100 мА;
  • мощность, рассеиваемая на коллекторе
  • в корпусе ТО-92: РС = 450 мВт;
  • в корпусе SOT-23: РС = 200 мВт.
  • температура кристалла: Tj = 150°С;
  • диапазон температур хранения: Tstg = -55 … 150°С.

Теперь займёмся рассмотрением электрических параметров. Они также важны, так как от них зависят возможности транзистора. Стандартная температура тестирования +25°С. Другие важные параметры измерения можно найти в столбце «Условия измерения» следующей таблицы.

Электрические характеристики транзистора S9014 (при Т = +25 оC)
ПараметрыУсловия измеренияОбозн.min maxЕд. изм
Напряжение К-Б, необходимое для пробоя IC = 100мкA, IЕ = 0V(BR)CВO50В
Напряжение К-Э, необходимое для пробояIC=0,1мA, IВ= 0V(BR)CEО45В
Напряжение Э-Б, необходимое для пробояIE= 100мкA, IC= 0V(BR)EBO5В
Обратный ток коллектораVCВО= 50 В, IЕ = 0ICВO0,1мкА
Обратный ток К-ЭVCEО=35В, IB = 0ICEО1мкА
Обратный ток эмиттераVEBО = 3В, IC = 0IEBO0,1мкА
Статический к-т усиления в схеме с ОЭVCE=5В,IC= 1мAhFE
60
1000
Напряжение насыщения коллектор-эмиттерIC=100мA, IB=5мAV CE(sat)0,3В
Напряжение насыщения база-эмиттерIC=100мA, IB=5мAV ВE(sat)1В
Граничная частота коэффициента передачи токаVCE=5В, IC= 10мA,

f = 30 МГц

fT150МГц

Производители делят S9014 в корпусе ТО-92, в зависимости от величины статического к-та усиления, на четыре категории:

  • A от 60 до 150;
  • B от 100 до 300;
  • C от 200 до 600;
  • D от 400 до 1000.

Для транзисторов в SOT-23 существует две категории:

  • L от 200 до 450;
  • H от 450 до 1000;

Аналоги

При необходимости S9014 можно заменить на такие зарубежные транзисторы: KSP42, KSP43, BC547, KTC9014, BC141, MPSA42, MPSA43, BC550, MPSW05, MPSW06, 2SC2240, MPSW42. Существую также российские аналоги – это КТ3102 и КТ6111. В зависимости от коэффициента усиления их рекомендуется менять:

  • S9014А на КТ3102А и КТ6111А;
  • S9014В на КТ3102Б и КТ6111Б;
  • S9014С на КТ3102В и КТ6111В;
  • S9014D на КТ3102Г и КТ6111Г.

В качестве дополняющего транзистора (комплементарной пары) используется S9015.

Производители

Основные производители S9014 и их datasheet:

  • Galaxy Semi-Conductor Holdings;
  • DONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS;
  • Shenzhen Jin Yu Semiconductor;
  • Weitron Technology;
  • Jiangsu High diode Semiconductor;
  • GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL;
  • Diode Semiconductor Korea;
  • Tiger Electronic;
  • SHIKUES Electronics.

На отечественном рынке можно встретить транзисторы следующих компаний:

  • ON Semiconductor;
  • Fairchild Semiconductor;
  • SeCoS Halbleitertechnologie GmbH;
  • Dc Components;
  • Jiangsu Changjiang Electronics Technology.

NPN

ТРАНЗИСТОР

C 9014 NPN – TOMSON ELECTRONICS

C 9014 ТРАНЗИСТОР

  • Полярность: NPN
  • Коллектор – Базовое напряжение: 50 В
  • Напряжение коллектор-эмиттер: 50 В
  • Базовое напряжение эмиттера: 5 В
  • Ток коллектора: 100 мА
  • Рассеиваемая мощность коллектора: 625 мВт
  • Диапазон рабочих температур и температур хранения: от -55 до +150 градусов C

Щелкните здесь для получения дополнительной информации – ТЕХНИЧЕСКОЕ ОПИСАНИЕ

 

Правила доставки:

Чтобы ваш заказ был доставлен вам в кратчайшие сроки и в хорошем состоянии, мы отправляем наши товары только через DELHIVERY, DTDC и SPEEDPOST.

В зависимости от веса и пункта назначения магазин автоматически рассчитает стоимость доставки заказа (дополнительную информацию см. в разделе Стоимость доставки). Обычно доставка в любую точку Индии занимает от 1 до 10 дней.

Наша команда стремится отправить все товары в вашем заказе вместе, но это может быть невозможно в любое время из-за свойства или доступности продуктов, в любом случае мы сообщим клиенту, прежде чем приступить к отправке.

Время доставки и доставки:

Заказы, размещенные до 16:00, будут упакованы и отправлены в тот же день.

Местный самовывоз посылок доступен до 18:00. Мы также предлагаем гипердоставку для заказов, размещенных до 15:00 в Кочи в радиусе 15 км от магазина.

Мы прилагаем все усилия, чтобы упаковать и отправить заказ в тот же день или в течение 24 часов с момента получения заказа. Заказы, сделанные в воскресенье, будут отправлены в понедельник, а заказы, сделанные в праздничные дни, будут отправлены на следующий рабочий день.

В связи с пандемией правительство наложило определенные ограничения на работу наших партнеров по доставке, поэтому можно ожидать небольшую задержку в передаче посылок соответствующим партнерам по доставке.

Логистические партнеры гарантируют доставку посылок в течение 1-10 дней в любую точку Индии. Дальнейшие задержки не зависят от нас. У каждого из наших партнеров по доставке есть свой способ доставки и промежуточные транзитные узлы в каждом месте.

В результате точное время доставки невозможно предсказать, поэтому  мы просим всех наших клиентов планировать свои заказы соответствующим образом, чтобы посылка дошла до вас за достаточное время.

Гарантия и повреждения при транспортировке:

Все товары поставляются со стандартной гарантией не менее 7 дней (если иное не указано на странице продукта), чтобы защитить клиентов от любых производственных дефектов.

Если у вас возникли проблемы с вашим заказом, пожалуйста, сообщите нам об этом в течение этого срока, с момента доставки товара. Мы заменим или отремонтируем поврежденные продукты бесплатно, а расходы по доставке несет Tomson Electronics. В случае, если у нас нет товара на складе, чтобы обеспечить замену, и клиент больше не в состоянии ждать, мы выдадим 100% возврат средств.

Если вы обнаружите, что доставленная посылка была повреждена или повреждена, и считаете, что это могло привести к повреждению продукта внутри, вы должны щелкнуть изображение посылки, отказаться принять доставку и сообщить в нашу службу поддержки клиентов +91. 8606650999 вместе с номером вашего заказа. Мы приложим все усилия, чтобы обеспечить замену в кратчайшие сроки.

Для обмена поврежденного товара:


  1. Пожалуйста, пришлите нам фотографии товара.
  2. Мы оценим ущерб, а затем примем решение об обмене или возврате товара.
  3. Если конкретный товар отсутствует на складе для замены, и клиент больше не в состоянии ждать, мы обеспечим полный возврат средств.

Кроме того, гарантия не действует, если изделие подвергалось неправильному использованию, статическому разряду, небрежному обращению, аварии, модификации, пайке или каким-либо образом изменено.

Из-за характера продуктов и конкурентоспособных цен, которые мы предлагаем, мы не можем обеспечить возврат без нашей строгой действительной проверки.

Отслеживание заказа:

Вы можете отслеживать свой заказ по телефону https://www.tomsonelectronics.com/pages/track-your-order

: [email protected] или через SMS, отправленное на ваш зарегистрированный номер мобильного телефона, во время оформления заказа, от службы доставки.

Внесение изменений в заказ:

Чтобы внести изменения в заказ, вы можете связаться с нами по электронной почте или позвонить нам через службу поддержки +91 8606650999 в течение 2 часов после оформления заказа. Вы можете внести изменения в следующие поля:


  1. Продукт
  2. Количество
  3. Адрес
  4. Номер телефона
  5. Курьерская служба 

Примечание. Любые дополнительные расходы, связанные с внесением изменений, будут взиматься до отправки заказа.

Отмена заказа:

За отмену заказа может взиматься комиссия банка в размере 5% в зависимости от способов оплаты, используемых клиентом (большинство поставщиков платежных шлюзов взимают комиссию, даже если заказ был отменен и возвращен). Из-за характера продуктов и конкурентоспособных цен, которые мы предлагаем, мы не можем обеспечить отмену заказа и возврат без нашей строгой действительной проверки.

Возврат:

Мы делаем все возможное, чтобы предоставить точные описания и продукты самого высокого качества, как указано на веб-сайте. Мы не можем заверить клиента в точности описаний, поскольку они взяты из сторонних источников. По любым вопросам, касающимся продукта, рекомендуется обращаться в нашу службу поддержки клиентов.

В интересах защиты наших клиентов от повреждений при транспортировке, несоответствия товара или отсутствия деталей мы предоставляем клиентам 7 дней с даты доставки, чтобы сообщить о проблеме нашему менеджеру по работе с клиентами через окно чата на нашем веб-сайте или связаться с нами. на + 91 86066 50999, наши инженеры службы поддержки проверят проблему и проведут вас через процесс возврата/возврата средств.

Все возвраты должны включать копию оригинального упаковочного листа, прилагаемого к вашей посылке.

При получении товара наши специалисты определят причину повреждения и приступят к возврату.

Запасные части будут немедленно отправлены покупателю, при этом расходы по доставке несет Tomson Electronics. В случае, если товар отсутствует на складе во время процесса, и клиент больше не в состоянии ждать, мы предоставим клиенту 100% возврат средств.

Все возмещения будут получены клиентом в течение 2-3 дней после утверждения вашего возмещения.

Кроме того, гарантия не действует, если изделие подвергалось неправильному использованию, статическому разряду, небрежному обращению, аварии, модификации, пайке или каким-либо образом изменено. Из-за характера продуктов и конкурентоспособных цен, которые мы предлагаем, мы не можем обеспечить отмену заказа и возврат без нашей строгой действительной проверки.

Пределы ответственности:

Мы не несем ответственности за неправильную установку продуктов. При подключении электрических компонентов необходимо соблюдать электрическую полярность.

Tomson Electronics оставляет за собой право принимать окончательное решение по всем запросам на отмену и возврат средств.

ВАЖНО

Как правило, наш интернет-магазин рассчитывает точную стоимость доставки, но в случае каких-либо проблем или ошибок мы можем пересчитать стоимость доставки и отправляем такие заказы только после их принятия от вас. Если вы не принимаете стоимость доставки, вы получите полный возврат средств.

Вышеупомянутое время доставки является наилучшим случаем. Ваша посылка может быть задержана из-за обработки, погодных условий или других причин. Мы не берем на себя ответственность за своевременную доставку посылок, так как это полностью зависит от поставщика услуг.

транзистор%20c9014 спецификация и примечания по применению

Модель ECAD Производитель Описание Загрузить техпаспорт Купить Часть org/Product”> БД9В101МУФ-ЛБ РОМ Полупроводник 16–60 В, 1 А, 1 канал, 2,1 МГц, синхронный понижающий преобразователь со встроенным полевым транзистором (промышленного класса) БД9Г102Г-ЛБ РОМ Полупроводник 6–42 В, 0,5 А, 1 канал, простой понижающий преобразователь со встроенным полевым транзистором (промышленного класса) BD9G341AEFJ РОМ Полупроводник 12–76 В, понижающий импульсный стабилизатор со встроенным силовым МОП-транзистором 150 мОм org/Product”> БД9А600МУВ РОМ Полупроводник Входное напряжение от 2,7 В до 5,5 В, встроенный полевой МОП-транзистор 6 А, одиночный синхронный понижающий преобразователь постоянного тока в постоянный BD9G341AEFJ-LB РОМ Полупроводник 12–76 В, понижающий импульсный стабилизатор со встроенным силовым МОП-транзистором 150 мОм (промышленного класса) BD9C601EFJ РОМ Полупроводник Вход от 4,5 В до 18 В, 6,0 А Встроенный MOSFET 1-канальный синхронный понижающий преобразователь постоянного тока в постоянный

транзистор%20c9014 Листы данных Контекстный поиск

org/Product”> org/Product”> org/Product”> org/Product”> org/Product”> org/Product”> org/Product”> org/Product”> org/Product”>

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Каталог Технический паспорт MFG и тип ПДФ Ярлыки для документов
хб*9Д5Н20П

Реферат: khb9d0n90n 6v стабилитрон khb * 2D0N60P транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9D0N90N схема ktd998 транзистор
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2N2904E до н.э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E хб*9Д5Н20П хб9д0н90н 6В стабилитрон хб*2Д0Н60П транзистор КХБ7Д0Н65Ф Транзистор BC557 киа*278R33PI Схема КХБ9Д0Н90Н транзистор ктд998
КИА78*ПИ

Реферат: Транзистор КИА78*р ТРАНЗИСТОР 2Н3904хб*9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004АФ ТРАНЗИСТОР мосфет КИА7812АПИ хб*2Д0Н60П
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2N2904E до н.э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E КИА78*пи транзистор КИА78*р ТРАНЗИСТОР 2N3904 хб*9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004AF ТРАНЗИСТОР MOSFET KIA7812API хб*2Д0Н60П
2SC4793 2sa1837

Реферат: 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn to-220 эквивалент 2sc5198 транзистор 2SC5359 2SC5171 транзистор эквивалент NPN транзистор
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2SA2058 2SA1160 2SC2500 2SA1430 2SC3670 2SA1314 2SC2982 2SC5755 2SA2066 2SC5785 2SC4793 2sa1837 2СК5200, 2СА1943, 2СК5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn к-220 эквивалент 2sc5198 транзистор 2SC5359 эквивалент транзистора 2SC5171 НПН-транзистор
транзистор

Реферат: Транзистор ITT BC548 pnp транзистор pnp BC337 pnp транзистор pnp bc547 транзистор BC327 NPN транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 TRANSISTOR PNP
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF 2Н3904 2Н3906 2Н4124 2Н4126 2N7000 2Н7002 до н. э.327 до н.э.328 до н.э.337 до н.э.338 транзистор транзистор ИТТ BC548 п-н-п транзистор транзистор п-н-п BC337 п-н-п транзистор pnp bc547 транзистор BC327 NPN-транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2н3904 ТРАНЗИСТОР ПНП
Ч520Г2

Реферат: Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47к 22к ПНП НПН ФБПТ-523 Ч521Г2-30ПТ npn переключающий транзистор 60в транзистор Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904T1PT
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF А1100) QFN200 ЧДТА143ЕТ1ПТ ФБПТ-523 100 мА ЧДТА143ЗТ1ПТ ЧДТА144ТТ1ПТ CH520G2 Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47k 22k PNP NPN ФБПТ-523 Ч521Г2-30ПТ npn-переключающий транзистор 60 В транзистор Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904Т1ПТ
транзистор 45 ф 122

Реферат: Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 136 tlp 122 634 транзистор транзистор ac 127 TRANSISTOR транзистор 502 транзистор f 421
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF TLP120 TLP121 TLP130 TLP131 TLP160J транзистор 45 ф 122 Транзистор переменного тока 51 Моск 3021 СИМИСТОР 136 тлп 122 634 транзистор транзистор переменного тока 127 ТРАНЗИСТОР транзистор 502 транзистор ф 421
СТХ12С

Реферат: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N ​​2SC5586 2SK1343 CTPG2F
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 фн651 SLA4037 sla1004 СТВ-34Д SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F
Варистор RU

Аннотация: транзистор SE110N 2SC5487 2SA2003 SE090N высоковольтный транзистор SE090 RBV-406 2SC5586
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор RU SE110N транзистор 2SC5487 2SA2003 SE090N высоковольтный транзистор SE090 РБВ-406 2SC5586
К2Н4401

Резюме: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 Q2N1132 D1N750 D02CZ10 D1N751
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF РД91ЭБ Q2N4401 Д1Н3940 Q2N2907A Д1Н1190 Q2SC1815 Q2N3055 Q2N1132 Д1Н750 D02CZ10 Д1Н751
фн651

Реферат: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 фн651 СТВ-34Д 2SC5586 ХВР-1×7 STR20012 sap17n 2сд2619 РБВ-4156Б SLA4037 2ск1343
2SC5471

Реферат: 2SC5853 2sa1015 транзистор 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 2Sc5720 транзистор 2SC5766 низкочастотный малошумящий транзистор PNP
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 2SC2240 2SA970 2SC2459 2SA1049 А1587 2SC4117 2SC5471 2SC5853 транзистор 2са1015 транзистор 2sc1815 Транзистор 2SA970 2SC5854 транзистор 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP
Мосфет FTR 03-E

Резюме: mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона DTC114EVA DTC143EF V/65e9 транзистор транзистор 2SC337
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF 2SK1976 2SK2095 2SK2176 О-220ФП 2SA785 2SA790 2SA790M 2SA806 Мосфет FTR 03-E мт 1389 фе 2СД122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона DTC114EVA DTC143EF Транзистор V/65e9 транзистор 2SC337
фгт313

Реферат: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A диод SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096 диодов ry2a
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 фгт313 транзистор фгт313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 фгт412 РБВ-3006 ФМН-1106С SLA5096 диод ry2a
транзистор 91 330

Реферат: tlp 122 ТРАНЗИСТОР TLP635F 388 транзистор R358 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF 4Н25А 4Н29А 4Н32А 6Н135 6Н136 6Н137 6Н138 6Н139 CNY17-L CNY17-M транзистор 91 330 тлп 122 ТРАНЗИСТОР TLP635F 388 транзистор Р358 395 транзистор транзистор ф 421 IC 4N25 симистор 40 РИА 120
1999 – Системы горизонтального отклонения телевизора

Реферат: РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА an363 TV горизонтальные системы отклонения 25 транзистор горизонтальная секция tv Горизонтальное отклонение переключающие транзисторы TV горизонтальные системы отклонения mosfet CRT TV электронная пушка горизонтальная секция в элт-телевидение TV трансформатор обратного хода
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 16 кГц 32 кГц, 64 кГц, 100 кГц. Системы горизонтального отклонения телевизора РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА Ан363 Системы горизонтального отклонения телевизора 25 транзистор горизонтальной секции телевизор Переключающие транзисторы с горизонтальным отклонением Мосфет системы горизонтального отклонения телевизора ЭЛТ ТВ электронная пушка горизонтальная секция в ЭЛТ-телевизоре Обратный трансформатор для телевизора
транзистор

Аннотация: силовой транзистор npn к-220 PNP СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР TO220 транзистор PNP демпферный диод транзистор Дарлингтона 2SD2206A силовой транзистор npn транзистор дарлингтона TO220
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2СД1160 2СД1140 2СД1224 2СД1508 2SD1631 2SD1784 2СД2481 2SB907 2СД1222 2СД1412А транзистор силовой транзистор npn к-220 СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР PNP TO220 транзистор PNP демпферный диод Транзистор Дарлингтона 2СД2206А силовой транзистор нпн дарлингтон транзистор ТО220
1999 – транзистор

Реферат: POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2sk 2SK тип n-канальный полевой массив Низкочастотный силовой транзистор транзистор mp40 TRANSISTOR P 3 high hfe транзистор список
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF X13769XJ2V0CD00 О-126) МП-25 О-220) МП-40 МП-45 МП-45Ф О-220 МП-80 МП-10 транзистор МОЩНЫЙ МОП-транзистор FET 2sj 2sk транзистор 2ск тип 2СК n-канальный полевой массив Силовой низкочастотный транзистор транзистор мп40 ТРАНЗИСТОР Р 3 высокочастотный транзистор список
транзистор 835

Реферат: Усилитель на транзисторе BC548 TRANSISTOR регулятор АУДИО Усилитель на транзисторе BC548 транзистор 81 110 w 85 транзистор 81 110 w 63 транзистор транзистор 438 TRANSISTOR GUIDE транзистор 649
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF БК327; БК327А; до н. э.328 БК337; БК337А; до н.э.338 до н.э.546; до н.э.547; до н.э.548 до н.э.556; транзистор 835 Усилитель на транзисторе BC548 ТРАНЗИСТОРНЫЙ регулятор Усилитель ЗВУКА на транзисторе BC548 транзистор 81 110 Вт 85 транзистор 81 110 Вт 63 транзистор транзистор 438 ТРАНЗИСТОР РУКОВОДСТВО транзистор 649
2002 – SE012

Реферат: SE090 SE140N SE115N диод 2SC5487 sta474a 8050e SE110N SLA-7611
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 SE012 SE090 SE140N SE115N диод 2SC5487 sta474a 8050е SE110N SLA-7611
2SC5586

Реферат: транзистор 2SC5586 диод RU 3AM 2SA2003 диод СВЧ однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A 2SC5487 RG-2A диод Dual MOSFET 606 TFD312S-F
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 2SC5586 транзистор 2SC5586 диод РУ 3АМ 2SA2003 диод для микроволновой печи однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A 2SC5487 Диод РГ-2А Двойной МОП-транзистор 606 ТФД312С-Ф
PWM ИНВЕРТОРНЫЙ сварочный аппарат

Реферат: KD224510 250A транзистор Дарлингтона Kd224515 демпфирующий конденсатор powerex инвертор сварочная схема kd2245 kd224510 примечания по применению транзистор KD221K75
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF
варикап диоды

Реферат: БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР МОП-транзистор с двойным затвором в усилителе УКВ Hitachi SAW Фильтр gsm-модуль с микроконтроллером p-канальный mosfet Транзисторы mosfet p-канал Mosfet-транзистор Hitachi Низкочастотный силовой транзистор УКВ-полевой транзистор lna
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF PF0032 PF0040 PF0042 ПФ0045А PF0065 ПФ0065А HWCA602 HWCB602 ХВКА606 HWCB606 варикапные диоды БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР МОП-транзистор с двойным затвором в усилителе УКВ Хитачи ПАВ Фильтр gsm модуль с микроконтроллером p-канальный мосфет Транзисторы mosfet p канал МОП-транзистор хитачи Силовой низкочастотный транзистор УКВ Фет лна
Техническое описание силового транзистора
для телевизора

Реферат: силовой транзистор 2SD2599 эквивалент 2SC5411 транзистор 2sd2499 транзистор 2Sc5858 эквивалент 2SC5570 компоненты в горизонтальном выходе 2SC5855
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 2SC5280 2SC5339 2SC5386 2SC5387 2SC5404 2SC5411 2SC5421 2SC5422 2SC5445 2SC5446 Технический паспорт силового транзистора телевизора силовой транзистор Эквивалент 2SD2599 транзистор 2sd2499 транзистор эквивалент 2Sc5858 2SC5570 компоненты в горизонтальном выводе 2SC5855
2009 – 2sc3052ef

Реферат: 2n2222a SOT23 ТРАНЗИСТОР SMD МАРКИРОВКА КОД s2a 1N4148 SMD LL-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2n2222 sot23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 полупроводниковая перекрестная ссылка toshiba smd код маркировки транзистора
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 24 ГГц BF517 Б132-Х8248-Г5-С-7600 2sc3052ef 2н2222а СОТ23 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА s2a 1Н4148 СМД ЛЛ-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2н2222 сот23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 смд 1Н4148 СОД323 полупроводниковая перекрестная ссылка toshiba smd маркировка код транзистора