Универсальный внешний накопитель для всех iOS-устройств, совместим с PC/Mac, Android
Header Banner
8 800 100 5771 | +7 495 540 4266
c 9:00 до 24:00 пн-пт | c 10:00 до 18:00 сб

Транзистор цоколевка: 13002 транзистор характеристики, datasheet, аналоги, цоколевка

0 Comments

Содержание

Цоколевки Отечественных Транзисторов

При подборе аналогов деталей по схемам, всегда возникает вопрос правильного их монтажа на печатной плате. Цоколевка (распиновка) транзисторов. Вот сейчас хочу описать и выложить на одной странице цоколевки (распиновки) всех отечественных  транзисторов, чтобы Вас вопрос расположения ножек транзисторов не вводило в заблуждение

.
2Т709А2, 2Т709Б2, 2Т709В2, 2Т716А1, 2Т716Б1, 2Т716В1, КТ812А, КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г, КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г, КТ805АМ, КТ805БМ, КТ805ВМ, КТ805ИМ, КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г, КТ835А, КТ835Б, КТ837А, КТ837Б, КТ837В, КТ837Г, КТ837Д, КТ837Е, КТ837Ж, КТ837И, КТ837К, КТ837Л, КТ837М, КТ837Н, КТ837П, КТ837Р, КТ837С, КТ837Т, КТ837У, КТ837Ф
КТ858А, КТ859А, КТ812А, КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г, КТ850А, КТ850Б, КТ850В, КТ851А, КТ851Б, КТ851В, КТ852А, КТ852Б, КТ852В, КТ852Г, КТ853А, КТ853Б, КТ853В, КТ853Г, КТ854А, КТ854Б, КТ855А, КТ855Б, КТ855В, КТ857А, КТ863А, КТ899А, КТ8108А, КТ8108Б, КТ8109А, КТ8109Б, КТ8110А, КТ8110Б, КТ8110В, КТ8140А, КТ8116А, КТ8116Б, КТ8116В, КТ8118А, КТ8120А, КТ8121А, КТ8121Б, КТ8123А, КТ8124А, КТ8124Б, КТ8124В
КТ117А, КТ117Б, КТ117В, КТ117Г
КТ201А, КТ201Б, КТ201В, КТ201Г, КТ201Д, КТ203А, КТ203Б, КТ203В, КТ3102А, КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102Г, КТ3102Д, КТ3102Е, КТ3102Ж, КТ3102И, КТ3102К, КТ3108А, КТ3108Б, КТ3108В, КТ3117А, КТ3117Б, КТ3127А, КТ3128А, КТ313А, КТ313Б, КТ316А, КТ316Б, КТ316В, КТ316Г, КТ316Д, КТ342А, КТ342Б, КТ342В, КТ347А, КТ347Б, КТ347В, КТ349А(исполнение1), КТ349Б(исполнение1), КТ349В(исполнение1), КТ363А, КТ363Б
КТ208А, КТ208Б , КТ208В , КТ208Г , КТ208Д , КТ208Е , КТ208Ж , КТ208И , КТ208К , КТ208Л , КТ208М , КТ339А , КТ339Б , КТ339В , КТ339Г , КТ339Д , КТ501А , КТ501Б , КТ501В , КТ501Г , КТ501Д , КТ501Е , КТ501Ж , КТ501И , КТ501К , КТ501Л , КТ501М
КТ201АМ, КТ201БМ, КТ201ВМ, КТ201ГМ, КТ201ДМ, КТ203АМ, КТ203БМ, КТ203ВМ, КТ208А1, КТ208Б1, КТ208В1, КТ208Г1, КТ208Д1, КТ208Е1, КТ208Ж1, КТ208И1, КТ208К1, КТ208Л1, КТ208М1, КТ209А, КТ209Б, КТ209Б1, КТ209В, КТ209В1, КТ209В2, КТ209Г, КТ209Д, КТ209Е, КТ209Ж, КТ209И, КТ209К, КТ209Л, КТ209М, КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е, КТ503А, КТ503Б, КТ503В, КТ503Г, КТ503Д, КТ503Е, КТ306АМ, КТ306БМ, КТ306ВМ, КТ306ГМ, КТ306ДМ, КТ3102АМ, КТ3102БМ, КТ3102ВМ, КТ3102ГМ, КТ3102ДМ, КТ3102ЕМ, КТ3102ЖМ, КТ3102ИМ, КТ3102КМ, КТ3107А, КТ3107Б, КТ3107В, КТ3107Г, КТ3107Д, КТ3107Е, КТ3107Ж, КТ3107И, КТ3107К, КТ3107Л, КТ3117А1, КТ3126А, КТ3126Б, КТ3128А1, КТ313АМ, КТ313БМ, КТ316АМ, КТ316БМ, КТ316ВМ, КТ316ГМ, КТ316ДМ, КТ349А(исполнение2), КТ349Б(исполнение2), КТ349В(исполнение2), КТ342АМ, КТ342БМ, КТ342ВМ, КТ342ГМ, КТ342ДМ, КТ345А, КТ345Б, КТ345В, КТ350А, КТ351А, КТ351Б, КТ352А, КТ352Б, КТ355АМ, КТ363АМ, КТ363БМ, КТ368АМ, КТ368БМ
КТ306А, КТ306Б, КТ306В, КТ306Г, КТ306Д
КТ601АМ, КТ601АМ, КТ602АМ, КТ602БМ, КТ814А, КТ814Б, КТ814В, КТ814Г, КТ815А, КТ815Б, КТ815В, КТ815Г, КТ816А, КТ816А2, КТ816Б, КТ816В, КТ816Г, КТ817А, КТ817Б, КТ817Б2, КТ817В, КТ817Г, КТ817Г2, КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г, КТ8130А, КТ8130Б, КТ8130В, КТ8131А, КТ8131Б, КТ8131В, КТ940А, КТ940Б, КТ940В, КТ961А, КТ961Б, КТ961В, КТ969А, КТ972А, КТ972Б, КТ973А, КТ973Б, КТ997А, КТ997Б, КТ9115А
КТ3101А-2, КТ3115А-2, КТ3115В-2, КТ3115Г-2, КТ3123А-2, КТ3123Б-2, КТ3123В-2, КТ372А, КТ372Б, КТ372В, КТ391А-2, КТ391Б-2, КТ391В-2
КТ3109А, КТ3109Б, КТ3109В
КТ312А, КТ312Б, КТ312В, КТ325А, КТ325Б, КТ325В
КТ3120А, КТ371А, КТ382А, КТ382АМ, КТ382Б, КТ382БМ
КТ3129А-9, КТ3129Б-9, КТ3129В-9, КТ3129Г-9, КТ3129Д-9, КТ3130А-9, КТ3130Б-9, КТ3130В-9, КТ3130Г-9, КТ3130Д-9, КТ3130Е-9, КТ3130Ж-9, КТ3168А-9
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Г1, КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж, КТ315И, КТ315Н, КТ315Р, КТ361А, КТ361Б, КТ361В, КТ361Г, КТ361Г1, КТ361Д, КТ361Е, КТ361Ж, КТ361И, КТ361К
КТ3157А, КТ325АМ, КТ325БМ, КТ325ВМ, КТ339АМ
КТ368А, КТ368Б, КТ399А, КТ399АМ
КТ504А, КТ504Б, КТ504В, КТ505А, КТ505Б, КТ506А, КТ506Б
КТ601А
КТ602А, КТ602Б, КТ602В, КТ602Г, КТ801А, КТ801Б
КТ807А, КТ807Б
КТ872А, КТ872Б, КТ872В, КТ8111А, КТ8111Б, КТ8111В, КТ8114А, КТ8114Б, КТ8114В
КТ879А, КТ879Б
КТ886А1, КТ886Б1, КТ8127А1, КТ8127Б1, КТ8127В1
КТ890А, КТ890Б, КТ890В, КТ896А, КТ896Б, КТ896В, КТ898А, КТ898Б, КТ8101А, КТ8101Б, КТ8102А, КТ8102Б, КТ8106А, КТ8106Б, КТ8117А
КТ898А1, КТ898Б1
КТ999А
ГТ313А, ГТ313Б, ГТ313В
ГТ328А, ГТ328Б, ГТ328В, ГТ346А, ГТ346Б, ГТ346В
ГТ906А
ГТ905А, ГТ905Б, ГТ906АМ
2Т713А, КТ812Б, КТ812В, 2Т812А, 2Т812Б, КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ, 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В, КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ, 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В, 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В, КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е, КТ710А, КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ, КТ812Б, КТ812В, 2Т812А, 2Т812Б, КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ, 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В, 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В, КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е, КТ826А, КТ826Б, КТ826В, КТ827А, КТ827Б, КТ827В, КТ828А, КТ828Б, КТ834А, КТ834Б, КТ834В, КТ838А, КТ839А, КТ840А, КТ840Б, КТ841А, КТ841Б, КТ841В, КТ846А, КТ846Б, КТ846В, КТ847А, КТ848А, КТ8127А, КТ8127Б, КТ8127В, КТ878А, КТ878Б, КТ878В, КТ892А, КТ892Б, КТ892В, КТ897А, КТ897Б, КТ8104А, КТ8105А, КТ8107А, КТ8107Б, КТ8107В, КТ8129А, КТ945А

Если все же у меня получился не полный список цоколевки (распиновки) транзисторов, то прошу это указать в комментариях к данному посту, или если вы заметите какие-либо ошибки, отклонения описания цоколевки (распиновки) транзисторов.

Правильная цоколёвка транзисторов Deneb-80

Приветствую!

Думаю, многим начинающим (и продолжающим) любителям электроники знакомо чувство разочарования, когда собираешься какое-то устройство по готовой схеме, а устройство отказывается работать. Проверяешь все в очередной раз. Рыщешь в интернете в поиске похожих ошибок. Убиваешь на эту простейшую схему кучу времени, а она не работает и все тут! И вроде схема-то проверенная.

Вот решил поделиться случаем из практики. Когда бился над проблемой не один день, а решение оказалось до смешного простейшим!

Думаю, хватит тянуть кота за… что попалось:) Опишу суть. 

Кому лень читать много букв, можете посмотреть все на видео: 

https://youtu.be/eFxy8aDVwOc

Собирал как-то простейший H-мост для управление моторчиком. Сопротивление обмотки его в районе 1 кОма. В инете полно похожих схем. Единственное отличие было в питании. Двигателю нужно было 24 В, а управление шло от микроконтроллера, т.е. 5 В. В общем-то, сложностей никаких возникнуть не должно. Схема следующая:

Подаём на управляющие транзисторы либо 5 В, либо 0, двигатель вращается в одну, либо в другую сторону.

Сначала для проверки подаю с контроллера на один транзистор (не важно какой) 1, на другой 0. При этом нагрузки никакой нет. Включаю питание – выгорают транзисторы! Проверяю плату на сопли, правильность соединений – все ОК! Меняю транзисторы. Не буду описывать тут весь геморрой. Только основные моменты. Ограничил ток на блоке питания до 50 мА. Включаю, транзисторы pnp потихоньку разогреваются, ток 50 мА напряжение просело до 12 В.

В итоге спалил несколько транзисторов. Перед впайкой проверяю транзисторы мультиметром на проверке диодов. По даташиту на BC557 слева направо идёт коллектор-база-эмиттер (смотрим на лицевую сторону). Вот картинки из нескольких даташитов известных фирм (On Semiconductor, NXP и Farnell):

      

Тыкаем минусовой щуп в базу, плюсовой сначала в эмиттер, потом в коллектор. В обоих случаях прибор показывает 0.7 В. Вроде все правильно. Транзистор целый, база в середине. Но! На своих ли местах коллектор и эмиттер?

Помог мне более опытный знакомый. Он усомнился в правильности цоколёвки китайских транзисторов. И высказал предположение, что коллектор с эмиттером не на своих местах, т.е. цоколёвки в даташиту не совпадает с реальной. Как это проверить?

При проверке тестером можно убедиться только в том, что переходы база-коллектор и база-эмиттер целые, и проверить тип транзистора (pnp или npn). Но нельзя определить где коллектор, а где эмиттер. Для определения нужно собрать две простенькие схемки:

Первая

И вторая

При таком включении ток базы будет определятся так: напряжение питания (5 В) минус падение напряжения на переходе база-эмиттер (0.6-0.7 В) деленное на R1 (4.7 кОм). Получается около 0.9 мА.

Подаём питание, измеряем ток. 

При правильном включении (схема 1) ток, измеренный амперметром будет равен ток базы (0.9 мА), умноженный на коэффициент усиления транзистора (по даташиту минимальный 90).

Затем меняем крайние выводы (коллектор, эмиттер) местами, снова подаем питание и смотрим ток. 

Приведу значения, которые получились у меня: при первом включении ток был равен 6 мА, при другом включении 143 мА.

В итоге оказалась, что расположение выводов купленных транзисторов не совпадает с расположением в даташитах.

В моем случае получалось, что при подаче напряжения в схему открывались эмиттерные переходы pnp транзисторов, а при открытии одного из управляющих транзисторов протекал сквозной ток.

Еще один метод определения коллекторного и эмиттерного переходов состоит в измерении сопротивления. Из-за особенностей изготовления коллекторный переход имеет меньшее сопротивление, в отличие от эмиттерного перехода. Например, у меня получались следующие значения: 6.5 МОм – сопротивление перехода база-коллектор и 6.67 МОм – сопротивление перехода база-эмиттер. Но, думаю, метод определения по измерению тока является более точным.

Мультиметр, используемый мной.

И его обзор.

Мультитестер для измерения характеристик транзисторов, ESR конденсаторов и др.

Оставить сообщение:

[contact-form-7 id=”3550″ title=”Контактная форма 1″]

См. также:

Если Вы нашли что-то полезное, поделитесь с друзьями:

  • Правильная цоколёвка транзисторов

    https://deneb-80.ru/wp-content/plugins/svensoft-social-share-buttons/images/placeholder.png

    Приветствую! Думаю, многим начинающим (и продолжающим) любителям электроники знакомо чувство разочарования, когда собираешься какое-то устройство по готовой схеме, а устройство отказывается работать. Проверяешь все в очередной раз. Рыщешь в интернете в поиске похожих ошибок. Убиваешь на эту простейшую схему кучу времени, а она не работает и все тут! И вроде схема-то проверенная. Вот решил поделиться […]

  • Facebook
  • Twitter
  • ВКонтакте
  • Одноклассники
  • Mail.ru
  • Google+
  • Livejournal

КТ805 транзистор: характеристики, цоколевка, аналоги, параметры

Транзистор КТ805 – кремниевый эпитаксиально-планарный низкочастотный, мощный биполярный транзистор n-p-n структуры. Используется в схемах выходных каскадов строчной развёртки телевизоров, систем зажигания двигателей внутреннего сгорания.
Корпус бывает двух видов:
– металлический с жесткими выводами (КТ805А, КТ805Б)
– пластмассовый с гибкими выводами (КТ805АМ, КТ805БМ, КТ805ВМ)

Цоколевка транзистора КТ805

Характеристики транзистора КТ805

Транзистор Uкбо(и),В Uкэо(и), В Iкmax(и), А Pкmax(т), Вт h31э fгр., МГц
КТ805А 60 (160) 60 (160) 5 (8) 30 >15 20
КТ805Б 60 (135) 60 (135) 5 (8) 30 >15 20
КТ805АМ 60 (160)
60 (160)		 5 (8) 30 >15 20
КТ805БМ 60 (135) 60 (135) 5 (8) 30 >15 20
КТ805ВМ 60 (135) 60 (135) 5 (8) 30 >15 20

Uкбо(и) – Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-база
Uкэо(и) – Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-эмиттер
Iкmax(и) – Максимально допустимый постоянный (импульсный) ток коллектора
Pкmax(т) – Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом)
h31э – Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
fгр – граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером

Аналоги транзистора КТ805

КТ805А: BDY60
КТ805Б: 2N3054, 2N3766, BD109, BD148, BD149
КТ805АМ: 2SC2562, 2SC3422

Цоколевка биполярных транзисторов 81-96 – РадиоСхема

Габаритные чертежи  и расположение выводов 

ГТ810, 1Т905, ГТ906 , КТ601-М, КТ602-М, КТ604-М, КТ605-М, КТ611-М, КТ639, КТ644, КТ646, КТ807-М, КТ814, КТ815, КТ816, КТ817, КТ902-М, КТ940, КТ943, КТ961, КТ969, КТ972, КТ973, КТ9115, КТ9157, КТ820-1, КТ821-1, КТ822-1, КТ823-1, КТ617, КТ618, 2Т630, 2Т632, КТ633, 2Т635, 2Т638, 2Т653, 2Т830, 2Т831, 2Т836, 2Т860, 2Т861, 2Т880, 2Т881, 2Т888, КТ325, 2Т928, 2Т933, 2Т941, 2Т968, 2Т974, КТ9141, КТ9143, КТ712, КТ829, 2Т841-1, 2Т842-1, КТ850, КТ851, КТ852, КТ853, КТ854, КТ855, КТ856-1, КТ857, КТ858, КТ859, КТ863, КТ882, КТ883, 2Т884, КТ8109, КТ997, КТ9120, 2Т862Б-Г, 2Т866, 2Т874, КТ606, КТ904, КТ907, КТ914, КТ921, ГТ905, ГТ906-М, КТ909, КТ911, КТ912, КТ610, КТ913, КТ916, 2Т939, 2Т634-2, 2Т637-2, КТ918, 2Т938-2, КТ919, 2Т937-2, 2Т942, КТ920, КТ922, КТ925, КТ929, КТ934, 2Т951, КТ983

 

 ГТ810, 1Т905, ГТ906
 КТ601-М, КТ602-М, КТ604-М, КТ605-М, КТ611-М, КТ639, КТ644, КТ646, КТ807-М, КТ814, КТ815, КТ816, КТ817, КТ902-М, КТ940, КТ943, КТ961, КТ969, КТ972, КТ973, КТ9115, КТ9157
 КТ820-1, КТ821-1 КТ822-1, КТ823-1
 КТ617, КТ618, 2Т630, 2Т632, КТ633, 2Т635, 2Т638, 2Т653, 2Т830, 2Т831, 2Т836, 2Т860, 2Т861, 2Т880, 2Т881, 2Т888, КТ325, 2Т928, 2Т933, 2Т941, 2Т968, 2Т974, КТ9141, КТ9143 КТ712, КТ829, 2Т841-1, 2Т842-1, КТ850, КТ851, КТ852, КТ853, КТ854, КТ855, КТ856-1, КТ857, КТ858, КТ859, КТ863, КТ882, КТ883, 2Т884, КТ8109, КТ997, КТ9120
 2Т862Б-Г, 2Т866, 2Т874
КТ606, КТ904, КТ907, КТ914, КТ921
ГТ905, ГТ906-МКТ909
КТ911КТ912
КТ610, КТ913, КТ916, 2Т9392Т634-2, 2Т637-2, КТ918, 2Т938-2
КТ919, 2Т937-2, 2Т942КТ920, КТ922, КТ925, КТ929, КТ934, 2Т951, КТ983

 

 

MOSFET — проверка и прозвонка » PRO-диод

MOSFET — проверка и прозвонка

24. 10.2013 | Рубрика: Статьи

Проверка и определение цоколевки MOSFET

Как показывает опыт, новички, сталкивающиеся с проверкой элементной базы подручными средствами, без каких-либо проблем справляются с проверкой диодов и биполярных транзисторов, но затрудняются при необходимости проверить столь распространенные сейчас MOSFET-транзисторы (разновидность полевых транзисторов). Я надеюсь, что данный материал поможет освоить этот нехитрый способ проверки полевых транзисторов.

Очень кратко о полевых транзисторах

На данный момент понаделано очень много всяких полевых транзисторов. На рисунке показаны  графические обозначения некоторых разновидностей полевых транзисторов.

Типы MOSFET

G-затвор, S-исток, D-сток. Сравнивая полевой транзистор с биполярным, можно сказать, что затвор соответствует базе, исток – эмиттеру, сток полевого транзистора – коллектору биполярного транзистора.

Наиболее распространены n-канальные MOSFET – они используются в цепях питания материнских млат, видеокарт и т.п. У MOSFET имеется встроенный диод:

MOSFET n-канальный (слева) и p-канальный (справа).

Транзисторы лучше рисовать с диодом — чтобы потом было проще в схеме ориентироваться. Этот диод является паразитным и от него не удается избавиться на этапе изготовления транзистора. Вообще при изготовлении MOSFET возникает паразитный биполярный транзистор, а диод – один из его переходов. Правда нужно признать, что по схемотехнике этот диод все равно частенько приходится ставить, поэтому производители транзисторов этот диод шунтируют диодом с лучшими показателями как по быстродействию, так и по падению напряжения. В низковольтные MOSFET обычно встраивают диоды Шоттки. А вообще в идеале этого диода не должно было бы быть.

Типовое включение полевого (MOSFET) транзистора:

MOSFET типовое включение

Напряжение на затворе!

У подавляющего большинства полевых транзисторов нельзя на затвор (G) подавать напряжение больше 20В относительно истока (S), а некоторые образцы могут убиться при напряжении выше пяти вольт!

Проверка полевых транзисторов (MOSFET)

И вот, иногда наступает момент, когда необходимо полевой транзистор проверить, прозвонить или определить его цоколевку.

Сразу оговоримся, что проверить таким образом можно «logic-level» полевые транзисторы, которые можно встретить в цепях питания на материнских платах и видеокартах. «logic-level» в данном случае означает, что речь идет о приборах, которые управляются, т.е. способны полностью открывать переход D-S, при приложении к затвору относительно небольшого, до 5 вольт, напряжения. На самом деле очень многие MOSFET способны открыться, пусть даже и не полностью, напряжением на затворе до 5В.

В качестве примера возьмем N-канальный MOSFET IRF1010N для его проверки (прозвонки). Известно, что у него такая цоколевка: 1 – затвор (G), 2 – сток (D), 3 – исток (S). Выводы считаются как показано на рисунке ниже.

Распиновка корпуса TO-220

1. Мультиметр выставляем в режим проверки диодов, этот режим очень часто совмещен с прозвонкой. У цифрового мультиметра красный щуп «+», а черный «–», проверить это можно другим мультиметром.

На любом уважающем себя мультиметре есть такая штуковина

Прозвонка диодов, да и вообще полупроводниковых переходов на мультиметре.

2. Щуп «+» на вывод 3, щуп «–» на вывод 2. Получаем на дисплее мультиметра значения 400…700 – это падение напряжения на внутреннем диоде.

3. Щуп «+» на вывод 2, щуп «–» на вывод 3. Получаем на дисплее мультиметра бесконечность. У мультиметров обычно обозначается как 1 в самом старшем разряде. У мультиметров подороже, с индикацией не 1999 а 4000 будет показано значение примерно 2,800 (2,8 вольта).

4. Теперь удерживая щуп «–» на выводе 3 коснуться щупом «+» вывода 1, потом вывода 2. Видим, что теперь щупы стоят так же, как и в п.3, но теперь мультиметр показывает 0…800мВ – у MOSFET открыт канал D-S. Если продолжать удерживать щупы достаточно долго, то станет заметно, что падение напряжения D-S увеличивается, что означает, что канал постепенно закрывается.

5. Удерживая щуп «+» на выводе 2, щупом «–» коснуться вывода 1, затем вернуть его на вывод 3. Как видим, канал опять закрылся и мультиметр показывает бесконечность.

Поясним, что же происходит. С прозвонкой внутреннего диода все понятно. Непонятно почему канал остается либо закрытым, либо открытым? На самом деле все просто. Дело в том, что у мощных MOSFET емкость между затвором и истоком достаточно большая, например у взятого мной транзистора IRF1010N измеренная емкость S-G составляла 3700пФ (3,7нФ). При этом сопротивление S-G составляет сотни ГОм (гигаом) и более. Не забыли – полевые транзисторы управляются электрическим полем, а не током в отличие от биболярных. Поэтому в п.4 касаясь “+” затвора (G) мы его заряжаем относительно истока (S) как обычный конденсатор и управляющее напряжение на затворе может держаться еще достаточно долго.

Помой транзистор!

Если хвататься за выводы транзистора руками, особенно жирными и влажными, емкость транзистора будет разряжаться значительно быстрее, т.к. сопротивление будет определяться не диэлектриком у затвора транзистора, а поверхностным сопротивлением. Не смытый флюс также сильно снижает сопротивление. Поэтому рекомендую помыть транзистор, перед проверкой, например, в спирто-бензиновой смеси.

P.S. Спирто-бензиновая смесь при испарении может генерировать статическое электричество, которое, как известно, негативно действует на полевые транзисторы.

Небольшие пояснения о мультиметрах

1. У цифровых мультиметров режим проверки диодов проводится измерением падения напряжения на щупах, при этом по щупам прибор пропускает стабильный ток 1мА. Именно поэтому в данном режиме прибор показывает не сопротивление, а падение напряжения. Для германиевых диодов оно равно 0,3…0,4В, для кремниевых 0,6…0,8В. Но что бы там не измерялось напряжение на щупах прибора редко превышает 3В – это ограничение накладывается схемотехникой мультиметров.
2. В п.4 при измерении падения напряжения открытого канала величина, отображаемая мультиметром может сильно меняться от различных факторов: напряжения на щупах, температуры, тока стабилизации, характеристик самого полевого транзистора.

Тренировка =)

Теперь можно потренироваться в определении цоколевки мощного транзистора. Перед нами транзистор IRF5210 и его цоколевка мне неизвестна.

1. Начну с поиска диода. Попробую все варианты подключения к мультиметру. После каждого измерения корочу ножки транзистора фольгой чтобы обеспечить разряд емкостей транзистора. Возможные варианты показаны в таблице:

Т.е. диод находится между выводами 2 и 3, соответственно затвор (G) находится на выводе 1.

2. Осталось определить, где находятся сток (D) и исток (S) и полярность (n-канал или p-канал) полевого транзистора.

2.1. Если это n-канальный транзистор, то сток (D) – 3 вывод, исток (S) – 2 вывод. Проверяем. Прикладываем «–» щуп мультиметра к выводу 2, «+» к выводу 3 – канал закрыт, так и должно быть – мы же его еще не пытались открыть. Теперь не отнимая щупа «–» от вывода 2 щупом «+» касаемся вывода 1, затем «+» опять прикладываем к выводу 3. Канал не открылся – значит, наше предположение о том, что IRF5210 n-канальный транзистор оказалось неверным.

2.2. Если это p-канальный транзистор, то сток (D) – 2 вывод, исток (S) – 3. Проверяем. Прикладываем «+» щуп мультиметра к выводу 3, «–» к выводу 2 – канал закрыт, так и должно быть – мы же его еще не пытались открыть. Теперь не отнимая щупа «+» от вывода 3 щупом «–» касаемся вывода 1, затем «–» опять прикладываем к выводу 2. Канал открылся – значит, что IRF5210 p-канальный транзистор, вывод 1 – затвор, вывод 2 – сток, вывод 3 – исток.

На самом деле все не так сложно. Буквально пол часа тренировки – и вы сможете без каких-либо проблем проверять MOSFETы и определять их цоколевку!

Метки:: MOSFET, Цоколевка

КТ315 цоколевка, КТ315 параметры, КТ315 характеристики

Транзистор КТ315 — один из самых массовых отечественных транзисторов, был запущен в производство в 1967 году. Первоначально выпускался в пластиковом корпусе КТ-13.

КТ315 цоколевка

Если расположить КТ315 маркировкой к себе выводами вниз, то левый вывод это эмиттер, центральный — коллектор, а правый — база.

В последствии КТ315 стал выпускаться и в корпусе КТ-26 (зарубежный аналог TO92), транзисторы в этом корпусе получили дополнительную ”1” в обозначении, например КТ315Г1. Цоколевка КТ315 в этом копусе такая же как и в КТ-13.

КТ315 параметры

КТ315 это маломощный кремниевый высокочастотный биполярный транзистор с n-p-n структурой. Имеет комплементарный аналог КТ361 c p-n-p структурой.
Оба этих транзистора предназначались для работы в схемах усилителей как звуковой так промежуточной и высокой частоты.
Но благодаря тому, что характеристики этого транзистора были прорывными, а стоимость ниже существующих германиевых аналогов КТ315 нашел самое широкое применение в отечественной электронной технике.

Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером (fгр.) – 250 МГц.

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (Pкmax)

  • Для КТ315А, Б, В, Г, Д, Е – 0,15 Вт;
  • Для КТ315Ж, И, Н, Р – 0,1 Вт.

Максимально допустимый постоянный ток коллектора (Iкmax)

  • Для КТ315А, Б, В, Г, Д, Е, Н, Р – 100 мА;
  • Для КТ315Ж, И – 50 мА.

Постоянное напряжение база-эмиттер — 6 В.

Основные электрические параметры КТ315 которые зависят от буквы приведены в таблице.

  • Uкбо — Максимально допустимое напряжение коллектор-база,
  • Uкэо — Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер,
  • h21э — Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером,
  • Iкбо — Обратный ток коллектора.
Наимен.Uкбо и Uкэо, Вh21эIкбо, мкА
КТ315А2530-120≤0,5
КТ315Б2050-350≤0,5
КТ315В4030-120≤0,5
КТ315Г3550-350≤0,5
КТ315Г135100-350≤0,5
КТ315Д4020-90≤0,6
КТ315Е3550-350≤0,6
КТ315Ж2030-250≤0,01
КТ315И60≥30≤0,1
КТ315Н2050-350≤0,6
КТ315Р35150-350≤0,5

Маркировка транзисторов КТ315 и КТ361

Именно с КТ315 началось кодированное обозначение отечественных транзисторов. Мне попадались КТ315 с полной маркировкой, но гораздо чаще с единственной буквой из названия смещенной чуть левее от центра, справа от буквы был логотип завода выпустившего транзистор. Транзисторы КТ361 тоже маркировались одной буквой, но буква располагалась по центру и слева и справа от неё были тире.

И конечно у КТ315 есть зарубежные аналоги, например: 2N2476, BSX66, TP3961, 40218.

Транзисторы КТ819 и КТ818 (А-Г, АМ…ГМ) характеристики, цоколевка (datasheet)

Транзисторы КТ819 , 2Т819 и КТ818 , 2Т818 широко применяются в радиоаппаратуре в качестве ключевых элементов или выходных транзисторов в звуковоспроизводящих устройствах. Транзисторы достаточно дешевы и имеют сравнительно неплохие параметры что способствовало их широкому распространению в странах СНГ.

В статье представлены основные параметры и характеристики (даташиты) транзисторов КТ819 , 2Т819 и КТ818 , 2Т818. Для каждого транзистора представлена цоколевка при выполнении в пластмассовом и металлическом корпусе.

КТ819 , 2Т819 – кремниевый транзистор структуры n-p-n.

Рис. 1. Изображение транзистора КТ819 на принципиальных схемах.

Рис. 2. КТ819 (А…Г), 2Т819 (А2…В2) в пластиковом корпусе, внешний вид и цоколевка.

Рис. 3. КТ819 (АМ…ГМ), 2Т819 (А…В) в металлическом корпусе, внешний вид и цоколевка.

Основные технические характеристики транзисторов КТ819:

ПриборПредельные параметрыПараметры при T = 25°CRТ п-к, °C/Вт
  при T = 25°C            
IК, max, АIК и, max, АUКЭ0 гр, ВUКБ0 max, ВUЭБ0 max, ВPК max, ВтTК, °CTп max, °CTК max, °Ch21ЭUКЭ
(UКБ),
В		IК (IЭ), АUКЭ нас, ВIКБ0, мАfгр, МГцКш, дБCК, пФCЭ, пФtвкл, мксtвыкл, мкс
КТ819А101525 5602512510015(5)5213 1000  2,51,67
КТ819Б101540 5602512510020(5)5213 1000  2,51,67
КТ819В101560 5602512510015(5)5213 1000  2,51,67
КТ819Г101580 5602512510012(5)5213 1000  2,51,67
КТ819АМ152025 5100251251001555213 1000  2,51
КТ819БМ152040 5100251251002055213 1000  2,51
КТ819ВМ152060 5100251251001555213 1000  2,51
КТ819ГМ152080 5100251251001255213 1000  2,51
2Т819А15208010051002515012520(5)51 3 1000  2,51,25
2Т819Б1520608051002515012520(5)51 3 1000  2,51,25
2Т819В1520406051002515012520(5)51 3 1000  2,51,25
2Т819А21520801005402515010020(5)(5)1 3 7002000 1,23,13
2Т819Б2152060805402515010020(5)(5)1 3 7002000 1,23,13
2Т819В2152040605402515010020(5)(5)1 3 7002000 1,23,13

КТ818 , 2Т818 – кремниевый транзистор структуры p-n-p

Рис. 4. Изображение транзистора КТ818 на принципиальных схемах.

Рис. 5. КТ818(А…Г), 2Т818(А-2…В-2) в пластиковом корпусе, внешний вид и цоколевка.

Рис. 6. КТ818(АМ…ГМ), 2Т818(А…В) в металлическом корпусе, внешний вид и цоколевка.

Основные технические характеристики транзисторов КТ818:

ПриборПредельные параметрыПараметры при T = 25°CRТ п-к, °C/Вт
  при T = 25°C            
IК, max, АIК и, max, АUКЭ0 гр, ВUКБ0 max, ВUЭБ0 max, ВPК max, ВтTК, °CTп max, °CTК max, °Ch21ЭUКЭ
(UКБ),
В		IК (IЭ), АUКЭ нас, ВIКБ0, мАfгр, МГцКш, дБCК, пФCЭ, пФtвкл, мксtвыкл, мкс
КТ818А101525 5602512510015(5)5213 1000  2,51,67
КТ818Б101540 5602512510020(5)5213 1000  2,51,67
КТ818В101560 5602512510015(5)5213 1000  2,51,67
КТ818Г101580 5602512510012(5)5213 1000  2,51,67
КТ818АМ152025 51002512510020551 3 1000  2,51
КТ818БМ152040 51002512510020551 3 1000  2,51
КТ818ВМ152060 51002512510020551 3 1000  2,51
КТ818ГМ152080 51002512510020551 3 1000  2,51
2Т818А15208010051002515012520(5)(5)1 3 1000  2,51,25
2Т818Б1520608051002515012520(5)(5)1 3 1000  2,51,25
2Т818В1520406051002515012520(5)(5)1 3 1000  2,51,25
2Т818А21520801005402515010020(5)(5)1 3 10002000 1,23,13
2Т818Б2152060805402515010020(5)(5)1 3 10002000 1,23,13
2Т818В2152040605402515010020(5)(5)1 3 10002000 1,23,13

Подготовлено для сайта RadioStorage. net

2N4401 Распиновка транзистора, характеристики, аналог, детали и техническое описание

Конфигурация контактов

Номер контакта

Имя контакта

Описание

1

Излучатель

Ток утекает через эмиттер, нормально соединенный с землей

2

База

Управляет смещением транзистора, используется для включения или выключения транзистора

3

Коллектор

Ток протекает через коллектор, нормально подключенный к нагрузке

Характеристики
  • NPN транзистор общего назначения
  • Усиление высокого постоянного тока (h FE ), обычно 80, когда I C = 10 мА
  • Постоянный ток коллектора (I C ) составляет 500 мА
  • Напряжение коллектор-эмиттер (В CE ) 40 В
  • Напряжение коллектор-база (В CB ) 60 В
  • Напряжение пробоя базы эмиттера (В BE ) составляет 6 В
  • Частота перехода составляет 100 МГц
  • Доступен в пакете To-92

Примечание. Полную техническую информацию можно найти в таблице данных 2N4401 , прикрепленной внизу страницы.

Альтернативные транзисторы NPN

BC549, BC636, BC639, BC547, 2N2369, 2N3055, 2N3904, 2N3906, 2SC5200,2N551

2N4401 эквивалентные транзисторы

2N3904, 2N22A

Краткое описание транзистора 2N4401

2N4401 – это NPN-транзистор , поэтому коллектор и эмиттер будут оставаться открытыми (обратное смещение), когда базовый вывод удерживается на земле, и будут закрыты (прямое смещение), когда сигнал подается на базовый вывод. 2N4401 имеет значение усиления h fe , равное 500; это значение определяет усилительную способность транзистора. Максимальный ток, который может протекать через вывод коллектора, составляет 800 мА, поэтому мы не можем подключать нагрузки, потребляющие более 500 мА, с помощью этого транзистора. Для смещения транзистора мы должны подать ток на вывод базы, этот ток (I B ) должен быть ограничен до 5 мА.

Когда этот транзистор полностью смещен, через коллектор и эмиттер может протекать максимум 800 мА .Эта стадия называется областью насыщения, и типичное напряжение, допустимое на коллектор-эмиттер (V CE ) или база-эмиттер (V BE ), может составлять 200 и 900 мВ соответственно. Когда ток базы снимается, транзистор полностью отключается, этот этап называется областью отсечки, и напряжение на базе эмиттера может составлять около 660 мВ.

Где используется транзистор 2N4401

Транзистор 2N4401 очень похож на обычно используемый NPN-транзистор 2N2222.Но есть две важные особенности, которые отличают 2N4401 и 2N222 . 2N4401 может пропускать ток коллектора только до 500 мА, а также имеет рассеиваемую мощность 652 мВт, которая может использоваться для средних нагрузок, чем по сравнению с 2N2222, но может управлять нагрузками, превышающими BC547

Итак, если вы ищете транзистор NPN, который мог бы переключать нагрузки или приличное усиление, то 2N4401 может быть правильным выбором для вашего проекта.

Как использовать транзистор 2N4401

Этот транзистор, как и все, можно использовать либо как переключатель, либо как усилитель .Напряжение база-эмиттер этого транзистора составляет 6 В, поэтому вам просто нужно подать это напряжение на базу и эмиттер транзистора, чтобы вызвать ток базы в транзистор. Этот транзистор смещает его в прямом направлении и, таким образом, замыкает соединение между коллектором и эмиттером. Однако одна важная вещь, на которую следует обратить внимание, – это базовый резистор, также известный как токоограничивающий резистор. Как следует из названия, этот резистор ограничивает ток, протекающий через транзистор, чтобы предотвратить его повреждение. Значение этого резистора можно рассчитать по формуле

R B = V BE / I B

Чтобы упростить задачу, я показал упрощенную схему, позволяющую превратить транзистор в переключатель.В реальных схемах могут потребоваться модификации. Я использовал базовое напряжение 5 В и номинал 1 кОм в качестве токоограничивающего резистора

.

Обратите внимание, что двигатель здесь потребляет около 500 мА от источника питания 12 В, поскольку 2N4401 имеет номинальный ток коллектора до 500 мА, эта схема возможна, если бы это был BC547, транзистор должен был сгореть.

Приложения
  • Может использоваться для переключения сильноточных (до 500 мА) нагрузок
  • Может также использоваться в различных коммутационных приложениях.
  • Контроль скорости двигателей
  • Инверторные и другие выпрямительные схемы
  • Может использоваться в паре Дарлингтона.

2D-модель

2D Размеры поможет вам разместить этот компонент во время изготовления схемы на печатной плате или печатной плате.

Распиновка транзистора

TIP120, техническое описание, аналог и характеристики

TIP120 – это силовой транзистор Дарлингтона NPN.Он может переключать нагрузки до 60 В с пиковым током 8 А и длительным током 5 А. Это делает его подходящим для электроники средней и большой мощности, такой как управляющие двигатели, соленоиды или светодиоды большой мощности.

Конфигурация контактов

Номер контакта

Имя контакта

Описание

1

База

Управляет смещением транзистора, используется для включения или выключения транзистора

2

Коллектор

Ток протекает через коллектор, нормально подключенный к нагрузке

3

Излучатель

Ток утекает через эмиттер, нормально соединенный с землей

Характеристики
  • NPN транзистор Дарлингтона средней мощности
  • Коэффициент усиления постоянного тока (hFE), обычно 1000
  • Непрерывный ток коллектора (IC) 5А
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCE) 60В
  • Напряжение коллектор-база (VCB) 60 В
  • Базовое напряжение эмиттера (VBE) 5 В
  • Базовый ток (IB) составляет 120 мА
  • Пиковый ток нагрузки 8А
  • Доступен в упаковке К-220

Примечание. Полную техническую информацию можно найти в техническом описании TIP120 , приведенном в конце этой страницы.

Транзисторы, эквивалентные TIP120

TIP127 (PNP), 2N5306, 2N6532, 2SD1415, 2SD2495, BDT63, BDW2, KSB601, KSD560, MJF6388

Дополнительные транзисторы PNP

TIP125, TIP126, TIP127 (PNP)

Транзисторы того же семейства

ТИП121, ТИП122 (НПН)

Альтернативные транзисторы NPN

BC549, BC636, 2N2222A, BC547, 2N2219, 2N4401, 2N3904, BD139

Обзор транзисторов TIP120

TIP122 представляет собой NPN-транзистор с парой Дарлингтона.Он работает как обычный NPN-транзистор, но, поскольку внутри него есть пара Дарлингтона, он имеет хороший номинальный ток коллектора около 5 А и коэффициент усиления около 1000. Он также может выдерживать около 60 В на своем коллекторе-эмиттере, следовательно, может использоваться для управления тяжелым током. нагрузки. Если вам нужно больше напряжения, вы можете проверить другой транзистор в том же семействе, который освещает TIP122. Пара Дарлингтона внутри этого транзистора четко показана как его внутренняя схема ниже

.

Как вы можете видеть, внутри этого корпуса TO-220 находятся два транзистора, в которых эмиттер первого транзистора соединен с базой второго транзистора, а коллекторы обоих транзисторов соединены вместе, образуя пару Дарлингтона.Это увеличивает коэффициент усиления по току и номинальный ток этого транзистора.

Где использовать транзистор TIP120

Транзистор TIP120 известен своим высоким коэффициентом усиления по току (hfe = 1000) и высоким током коллектора (IC = 5A), поэтому он обычно используется для управления нагрузками с большим током или в приложениях, где требуется высокое усиление. Этот транзистор имеет низкое напряжение база-эмиттер всего 5 В, поэтому им можно легко управлять с помощью логического устройства, такого как микроконтроллеры.Хотя следует позаботиться о том, чтобы проверить, может ли логическое устройство подавать ток до 120 мА.

Итак, если вы ищете транзистор, которым можно было бы легко управлять с помощью логического устройства для переключения мощных нагрузок или для усиления высокого тока, то этот транзистор может быть идеальным выбором для вашего приложения.

Приложения
  • Может использоваться для переключения сильноточных (до 5А) нагрузок
  • Могут использоваться как выключатели средней мощности
  • Используется там, где требуется высокое усиление
  • Контроль скорости двигателей
  • Инверторные и другие выпрямительные схемы

2D-модель Размеры

2D помогут вам разместить этот компонент во время изготовления схемы на монтажной плате или печатной плате.

2N3906 Распиновка PNP-транзистора, техническое описание, пример и применение

2N3906 – это транзистор специального назначения, который обычно используется для переключения низкого тока, среднего напряжения и переключения малой мощности , а также усиления , но он наиболее подходит для высокоскоростного переключения . На рынке он доступен в пластиковом корпусе и погружном корпусе TO-92. Поскольку диапазон его тока коллектора составляет от 10 мкА до 100 мА, он может использоваться как для низкого, так и для большого тока усиления.Он доступен на рынке в таком семействе, как 2N3903G, 2N3609RL1, 2N3906RLRGA и т. Д. Эти члены семейства имеют разные характеристики и особенности, что отличает их друг от друга.

Конфигурация распиновки 2N3906

2N3906 – это транзистор PNP (положительно отрицательно-положительный), поэтому ток течет от эмиттера к коллектору. Он состоит из трех выводов: эмиттера, базы и коллектора, и эти выводы используются для другой конфигурации. Его рабочий диапазон напряжения составляет -40 В постоянного тока, а конфигурация распиновки со схематическим обозначением показана на рисунке 1,

Рисунок 1 2N3906 Конфигурация выводов

Штифты Пояснение
Излучатель Вывод эмиттера – входной вывод, используемый для базового перехода эмиттера.
База Базовый вывод – это управляющий вывод, используемый для управления током эмиттера и коллектора.
Коллектор Контакт коллектора – это выходной контакт, используемый для подачи тока на нагрузку.

2N3906 Характеристики
  • Тип: биполярный PNP-транзистор
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 40В
  • Максимальное напряжение базы эмиттера: 5 В
  • Максимальное напряжение коллекторной базы: 40 В
  • Постоянный ток коллектора: 200 мА
  • Диапазон рабочих температур перехода: от -55 до 150 ° C 0
  • Минимальный коэффициент передачи прямого тока: 100
  • Частота перехода: 250 МГц
  • Максимальный ток коллектора: 200 мА
  • Емкость коллектора: 5 пФ
  • Максимальная рассеиваемая мощность: 250 мВт
  • Диапазон температур хранения: от -55 до 150 ° C 0
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 0.25 В
  • Постоянный ток Коэффициент усиления: 60

Для получения дополнительной информации скачайте техническое описание

2N3906 Лист данных

Где и как использовать транзистор 2N3906 Транзистор

2N3906 обычно используется для высокоскоростного переключения и усиления. Либо он используется для переключения или усиления, он работает в трех режимах работы.

  • Активная область
  • Область насыщенности
  • Зона отсечения

В активной области он работает как усилитель, что означает, что его переход эмиттер-база будет смещен в прямом направлении, а переход коллектор-база будет смещен в обратном направлении.В области насыщения он работает как закрытый переключатель, что означает, что оба перехода будут смещены в прямом направлении, а напряжение эмиттер-база будет больше 5 В, таким образом, транзистор работает как полностью закрытый переключатель. Точно так же в области отсечки он работает как разомкнутый переключатель, что означает, что оба перехода будут смещены в обратном направлении, а напряжение эмиттер-база будет меньше 5 В, таким образом, транзистор работает как полностью открытый переключатель. В этом состоянии база напрямую связана с землей.

Пример переключателя

Здесь мы объясним, как использовать транзистор в качестве переключателя?

Рисунок 2 Пример 2N3906 в качестве коммутатора

Согласно рисунку 2, когда переключатель замкнут, светодиоды будут гореть, это означает, что оба перехода будут смещены в прямом направлении и ток течет от эмиттера к коллектору, тогда светодиоды будут ярко светиться.Точно так же, когда переключатель разомкнут, оба перехода будут смещены в обратном направлении, и ток не будет течь от эмиттера к коллектору, поэтому светодиоды будут выключены. Резистор 10 кОм включен последовательно с базой для ограничения тока базы.

2N3906 Приложения Транзистор

2N3906 широко используется во многих реальных приложениях, некоторые из которых:

  • Пара транзисторов Дарлингтона
  • В схемах мигалок и двойных светодиодов
  • Приложения для высокоскоростной коммутации
  • Схемы для телевидения и бытовой техники
  • Цепи высокочастотных инверторов и преобразователей
  • В качестве переключателя высокого напряжения и низкого тока
  • В качестве переключателя для высокого усиления и низкого напряжения насыщения
  • Усилители звуковой частоты общего назначения
  • Эффективен для нагрузок с пиковым напряжением до 40 В

Физические размеры 2D Транзистор

2N3906 является транзистором погружного типа, поэтому он установлен на печатной плате. Поэтому при проектировании необходимо учитывать указанные ниже физические размеры. Это согласно спецификации .

2N2222 Распиновка транзистора, эквивалент, особенности, применение и применение

Распиновка транзистора

2N2222, аналог, особенности, применение, применение, описание транзистора и информация о том, как и где его использовать.

Характеристики / технические характеристики:
  • Тип упаковки: TO-92
  • Тип транзистора: NPN
  • Максимальный ток коллектора (I C ): 600 мА
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (В CE ): 40 В
  • Максимальное напряжение коллектор-база (В CB ): 75 В
  • Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO): 6 В
  • Макс.рассеиваемая мощность коллектора (шт.): 625 милливатт
  • Максимальная частота перехода (fT): 300 МГц
  • Минимальный и максимальный коэффициент усиления постоянного тока (h FE ): 35-300
  • Максимальная температура хранения и эксплуатации должна быть: от -55 до +150 по Цельсию

PNP Дополнительный:

PNP Дополнением к 2N2222 является 2N2907

Аналог:

2N2219, 2N1613, 2N2218, 2N2792, NTE123A, 2N3904 (конфигурация выводов НЕКОТОРЫХ транзисторов отличается от 2N2222, проверьте конфигурацию выводов перед заменой в цепи)

2N2222 Описание транзистора / Описание:

2N2222 также является одним из широко используемых транзисторов в коммерческих приборах, образовательных и хобби-проектах.Транзистор содержит одни из лучших особенностей в своем маленьком корпусе. Например, ток коллектора транзистора составляет 600 мА, что неплохо для использования его в качестве переключателя для одновременного управления множеством нагрузок в электронной схеме. Максимальное рассеивание коллектора транзистора составляет 625 мВт, что делает этот транзистор идеальным для использования в каскадах аудиоусилителя и в качестве выходного усилителя для управления небольшим аудио динамиком. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер транзистора составляет 40 В, поэтому пользователь может использовать его в любой цепи, работающей под напряжением 40 В постоянного тока.

Где и как использовать:

Благодаря своим хорошим характеристикам 2N2222 может использоваться в широком спектре электронных проектов, большой ток коллектора 600 мА делает этот транзистор идеальным для использования в ваших электронных проектах для управления реле, мощными светодиодами, другими мощными транзисторами и интегральными схемами одновременно. время. 2N2222 также может использоваться для усиления аудиосигналов, например, его можно использовать в каскадах предусилителя звука, а также в каскадах аудиоусилителя.Его также можно использовать в качестве небольшого аудиоусилителя или для управления небольшим динамиком в электронных проектах.

Приложения:

Предусилители звука

Ступени усилителя звука

Одновременное переключение множества нагрузок (благодаря выходу 600 мА в небольшом корпусе TO-92)

Пары Дарлингтона

RF Схемы

Цепи датчика

Как безопасно работать в цепи в течение длительного времени:

Чтобы получить максимальную производительность с транзистором 2N2222, пользователь не должен управлять нагрузкой более 600 мА, напряжение коллектор-эмиттер транзистора должно быть ниже 40 В.Используйте подходящий базовый резистор, который обеспечивает требуемый ток на базе транзистора. Не храните и не используйте транзистор ниже -55 и выше +150 по Цельсию.

Распиновка транзистора

BC548, технические характеристики, техническое описание и применение

BC458 – это NPN-транзистор общего назначения, используемый во многих проектах и ​​устройствах в области электроники. Транзистор BC548 используется для усиления и переключения в электрических цепях. Как и любой другой NPN-транзистор, он состоит из трех выводов: коллектора, базы и эмиттера.

Распиновка транзистора BC548 Распиновка транзистора BC548
No контакта Имя контакта Описание
1 Коллектор Ток будет проходить через клемму коллектора. Он помят буквой «С»
2 База Этот вывод управляет смещением транзистора. Обозначается буквой «B»
3 Излучатель Ток выходит через клемму эмиттера Обозначается буквой «E».

Это недорогой и широко используемый транзистор.Некоторые другие широко используемые заменители BC458: BC549 , BC547 , BC108, BC550, BC546, 2N2222

BC548 Лист данных транзистора

BC547 поставляется в двух упаковках: SMD и TO-92 соответственно.

Техническое описание BC548 (страница 1)

Щелкните эту ссылку, чтобы просмотреть полное техническое описание BC548

Вы можете найти подробную информацию о BC548 в таблице данных, приведенной выше.Технические характеристики и характеристики, такие как абсолютные максимальные рейтинги, блок-схема, методы смещения и размеры корпуса, можно найти в таблице данных.

Характеристики / технические характеристики:
  • Тип упаковки: TO-92
  • Тип транзистора: NPN
  • Максимальный ток коллектора (I C ): 500 мА
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (В CE ): 30 В
  • Диапазон усиления постоянного тока (ч FE ): 110-800
  • Максимальное напряжение коллектор-база (В CB ): 30 В
  • Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO): 5 В
  • Низкий уровень шума: <1 0 дБ
  • Макс. Рассеиваемая мощность коллектора (ПК): 625 милливатт
  • Максимальная частота перехода (fT): 150 МГц
  • Максимальная температура хранения и эксплуатации должна быть: от -55 до +150 o C

Схема применения транзистора BC548:
  • Цепи датчика
  • Предусилители звука
  • Ступени усилителя звука
  • Коммутационная нагрузка до 500 мА
  • Дарлингтонские пары

Рабочие состояния ИЛИ режимы работы BC548:

Как и любой другой транзистор, транзистор BC548 работает в трех регионах:

  • Отрезанная область.
  • Область насыщенности.
  • Активная область
Режимы работы BC548

(a) Зона отключения

В области отсечки транзистор работает как разомкнутая цепь или разомкнутый ключ. Базовый, коллекторный и эмиттерный токи в этой области равны нулю. В области отсечки коллекторный и эмиттерный переходы имеют обратное смещение. Следовательно, в области отсечки ток базы, эмиттера и коллектора равны нулю. Это дает

I C = I E = I B = 0

здесь I C = ток коллектора, I E = ток эмиттера и I B = ток базы.

(б) Область насыщения

В области насыщения транзистор работает как короткое замыкание или замкнутый ключ. Коллекторный и эмиттерный токи максимальны в этой области. В области насыщения как коллекторный, так и эмиттерный переходы смещены в прямом направлении. Другими словами, транзистор работает как короткозамкнутый или замкнутый переключатель, пропускающий максимальный ток, что означает:

I C = I E

здесь I C = ток коллектора и I E = ток эмиттера.

(в) Активная область

Активная область находится между областями отсечки и насыщения. В активной области эмиттерный переход транзистора смещен в прямом направлении, а коллекторный переход – в обратном. В активной области ток коллектора в β раз больше тока базы, т. Е.

I C = β I B

здесь, I C = ток коллектора

Β = коэффициент усиления тока

I B = базовый ток

Таким образом, ток коллектора увеличивается пропорционально току базы.

ТРАНЗИСТОР BC548 КАК ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ

Область, отвечающая за работу транзистора в качестве переключателя, – это область насыщения и область отсечки. Когда мы прикладываем достаточно большой ток к базе транзистора, он создает путь, по которому ток коллектора проходит через базу по направлению к эмиттеру.

Чтобы использовать транзистор в качестве переключателя, он должен быть переведен в область насыщения с достаточным базовым током. И транзистор работает как закрытый ключ в области насыщения.

Транзистор как замкнутый переключатель

Как только положительный сигнал (в виде напряжения и тока) снимается на базе транзистора, электрический ток между коллектором и эмиттером становится нулевым. И транзистор ведет себя как разомкнутый ключ под зоной отсечки.

Транзистор как открытый переключатель

Это просто означает, что если мы подаем сигнал (напряжение / ток) на коллектор и эмиттер, но не на базу, транзистор не будет работать.Но небольшого сигнала по базе достаточно, чтобы он заработал.

ТРАНЗИСТОР BC548 КАК УСИЛИТЕЛЬ

Транзистор действует как усилитель, увеличивая силу слабого сигнала, подаваемого на его базу. Транзисторы работают как усилители в активной или линейной области. На приведенном ниже рисунке показано, как использовать транзистор в качестве усилителя эмиттера.

BC548 Транзистор как усилитель

** Источник изображения: Instrumentationtools

В этой области с увеличением тока базы пропорционально увеличивается и ток коллектора по формуле:

I C = β I B

Здесь I C = ток коллектора

Β = коэффициент усиления тока

I B = базовый ток

Таким образом, малый входной сигнал приводит к большому выходному сигналу, что означает, что транзистор работает как усилитель.

Читать Аналогичную статью:

| Распиновка, характеристики и применение транзистора BC547

Нравится:

Нравится Загрузка …

Связанные

SS9015 Распиновка транзистора, эквивалент, характеристики, применение, техническое описание и другая информация

В этом посте вы найдете распиновку транзистора SS9015, эквивалент, спецификации, использование, техническое описание и другую информацию о том, где и как использовать этот транзистор.

Характеристики / технические характеристики:
  • Тип упаковки: TO-92
  • Тип транзистора: PNP
  • Максимальный ток коллектора (I C ): – 100 мА
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (В CE ): – 45 В
  • Максимальное напряжение коллектор-база (В CB ): – 50 В
  • Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO): – 5 В
  • Максимальное рассеивание коллектора (шт.): 400 милливатт
  • Максимальная частота перехода (fT): 150 МГц
  • Минимальное и максимальное усиление постоянного тока (h FE ): 60 – 1000
  • Максимальная температура хранения и эксплуатации должна быть: от -55 до +150 по Цельсию

PNP Дополнительный:

NPN Дополнительным к SS9015 является SS9014

Аналог:

BC557C, NTE2672, BC327-40, BC636, MPSA18, 2N2907, S8550, 2N4403, BC527, SS9012, (Показанный здесь заменяющий и эквивалентный транзистор является ближайшей возможной заменой SS9015. Но конфигурация выводов этих транзисторов может отличаться от SS9015, поэтому проверьте распиновку транзистора перед заменой в цепи.)

SS9015 Транзистор объяснено / Описание:

SS9015 – хорошо известный PNP-кремниевый BJT-транзистор. Этот транзистор в основном предназначен для усиления сигналов с низким коэффициентом усиления. Обычно, когда сигнал с низким коэффициентом усиления усиливается до высокого усиления, шум с сигналом также усиливается, но этот транзистор обладает функцией низкого шума, которая фильтрует шум из усиленного сигнала, и, следовательно, вы получите сигнал с низким уровнем шума и высоким коэффициентом усиления на выходе. .Максимальное рассеивание коллектора транзистора составляет 400 мВт, чего достаточно для непосредственного управления небольшим 2–3-дюймовым динамиком с сопротивлением 4 или 8 Ом, если имеется какой-либо небольшой входной сигнал в несколько милливатт. Помимо этого, его также можно использовать в качестве переключателя для управления нагрузками ниже -100 мА. Частота перехода составляет 150 МГц, поэтому он также может использоваться в РЧ-цепях с частотным спектром 150 МГц.

Где и как использовать:

SS9015 может использоваться для различных приложений, таких как предварительное усиление звука, усиление звука, усиление любых сигналов с низким усилением до высокого усиления и т. Д.Кроме того, он также может использоваться в качестве переключателя для управления реле, светодиодами, мощными транзисторами и т. Д. Этот транзистор может использоваться или подключаться так же, как любой другой транзистор BJT.

Приложения:

Предусилители звука

Ступени усиления звука

Усилитель сигнала

Слуховые аппараты

Цепи датчика

Коммутация нагрузки до 100 мА

Пары Дарлингтона

Как безопасно работать в цепи в течение длительного времени:

Чтобы обеспечить долгосрочную и хорошую общую производительность с SS9015 в ваших схемах, рекомендуется не использовать нагрузку более 100 мА, а напряжение нагрузки должно быть менее 45 В. Используйте подходящий базовый резистор, который обеспечивает требуемый входной ток транзистора, и всегда работайте или храните транзистор при температуре выше -55 по Цельсию и ниже +150 по Цельсию.

Лист данных

Чтобы загрузить техническое описание, просто скопируйте и вставьте приведенную ниже ссылку в свой браузер.

https://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/609126/FAIRCHILD/SS9015/+408248VDvHSEIlOpf/1aHvCh+/datasheet.pdf

Распиновка, характеристики, техническое описание и применение транзистора TIP41C

Привет, друзья! Добро пожаловать на борт.Рад тебя видеть. Сегодня в этом посте я расскажу вам о введении в Tip41c. Tip41c – это NPN-транзистор, который поставляется в корпусе TO-220 и в основном используется для усиления и коммутации. Это устройство с высокой скоростью переключения, улучшенным коэффициентом усиления по току и высоким током коллектора около 6 А, что указывает на величину нагрузки, которую это устройство может поддерживать. Напряжение коллектор-база и коллектор-эмиттер составляет 100 В (выше, чем у других биполярных транзисторов), а напряжение эмиттер-база составляет 5 В, что показывает, что для смещения этого компонента требуется только 5 В.Просто оставайтесь со мной ненадолго, поскольку я собираюсь подробно описать распиновку, техническое описание, приложения, номинальную мощность, принцип работы и физические размеры этого крошечного устройства. Давайте сразу приступим.

Введение в TIP41C
  • Tip41C – это крошечное электронное устройство, которое в основном используется для коммутации и усиления. Он относится к категории транзисторов NPN и имеет высокую мощность около 65 Вт, что соответствует количеству энергии, выделяемой во время работы этого транзистора.
  • Этот транзистор NPN имеет три контакта, также известных как клеммы, которые называются эмиттером, коллектором и базой.
  • Малый входной ток через одну пару выводов используется для создания большого тока через другие пары выводов. Этот процесс используется для целей усиления.
  • Tip41c состоит из трех слоев. Один из них представляет собой слой с примесью p, а два других – с слоем с примесью n, которые состоят из полупроводников (кремниевого материала).
  • Слой, легированный p-примесью, расположен между двумя слоями, легированными n-примесью.И слой, легированный p-примесью, является выводом базы, а знак P показывает, что положительное напряжение приложено к выводу базы, чтобы запустить действие транзистора.
  • Это устройство состоит из двух соединений. Один из них – переход база-эмиттер с прямым смещением и переход база-коллектор с обратным смещением в прямом активном режиме.
  • Коллекторный ток составляет 6 А, что намного выше, чем у других биполярных транзисторов, доступных на рынке. Этот ток определяет величину нагрузки, которую может выдержать это устройство.
  • Коэффициент усиления по току с общим эмиттером увеличивается от 15 до 75, что соответствует емкости транзистора, с помощью которого он может усилить входной ток. Это соотношение между током коллектора и током базы.
  • Частота транзистора составляет 3 МГц, что демонстрирует, как на коэффициент усиления транзистора по току влияет входная частота.
  • Это устройство контролирует низкий входной ток и производит высокий выходной ток, поэтому это устройство называется устройством с контролем тока.
  • Это биполярный транзистор, что означает, что два носителя заряда используются для процесса проводимости i.е. электроны и дырки. Электроны являются основными носителями в транзисторах NPN, а дырки – основными носителями в транзисторах PNP.

TIP41C Лист данных В технических характеристиках любого компонента указаны характеристики и характеристики устройства, благодаря которым вы понимаете, что это за продукт, и его номинальную мощность. Щелкните ссылку ниже, чтобы загрузить техническое описание Tip41c.

Распиновка TIP41C Tip41c поставляется с тремя терминалами с именами: 1: Base2: Collector3: Emitter На следующем рисунке показана распиновка Tip41c.
  • Это устройство изготовлено таким образом, что сторона коллектора покрывает всю площадь эмиттера, что затрудняет выход электронов без их сбора клеммой коллектора.
  • Все эти штифты имеют разную концентрацию легирования. Сторона коллектора слегка легирована, а сторона эмиттера более легирована по сравнению с базой и выводом эмиттера.
  • Коллекторный вывод в 10 раз слаболегирован по сравнению с выводом базы. Эти контакты используются для внешних соединений с электрической цепью.

Принцип работы TIP41C
  • Независимо от того, какой биполярный транзистор вы выберете, вывод базы отвечает за работу транзистора в каждом биполярном транзисторе. Когда на вывод базы подается положительное напряжение, он смещается, инициируя действие транзистора.
  • И ток начинает течь от коллектора к выводу эмиттера, в отличие от транзистора PNP, где ток течет от эмиттера к выводу коллектора.
  • Базовый вывод работает как регулирующий клапан, который контролирует количество электронов в этом NPN-транзисторе и количество отверстий в PNP-транзисторе.
  • Биполярные транзисторы не симметричны. Отсутствие симметрии вызвано разной концентрацией легирования выводов коллектора и эмиттера.
  • Два наиболее распространенных коэффициента усиления по току используются для демонстрации природы и способности усиления тока… один – коэффициент усиления с общим эмиттером от 10 до 75, в данном случае это соотношение между током коллектора и базой.
  • Он также известен как коэффициент усиления. Этот коэффициент сигнализирует о емкости транзисторов, он может усилить небольшой входной ток.Этот коэффициент называется бета.
  • Еще одним важным фактором является коэффициент усиления по току общей базы, который представляет собой соотношение между током коллектора и эмиттера. Величина этого усиления всегда меньше 1. Скорее всего, от 0,5 до 0,95.

Номинальная мощность TIP41C В таблице ниже показаны абсолютные максимальные значения Tip41c.49 Ток коллектора 900 Ic

0

Абсолютные максимальные характеристики Tip41C
№ Номинал Символ Значение Единица
1 Напряжение коллектора-эмиттера 10014 Вce
2 Напряжение коллектор-база Vcb 100 В
3 Напряжение эмиттер-база Veb 5 В
4 В
4 6 A
5 Коэффициент усиления по току hfe от 15 до 75
6 Рассеиваемая мощность Ptot 65 W Температура хранения Tstg от -65 до 150 C
  • Из таблицы видно, что напряжения коллектор-база и коллектор-эмиттер составляют 100 В, а напряжение эмиттер-база составляет 5 В, что означает, что для запуска транзистора требуется 5 В.
  • Общая рассеиваемая мощность составляет 65 Вт, а коэффициент усиления по току с общим эмиттером составляет от 15 до 75, что определяет емкость транзистора, который может усилить входной ток. Частота перехода составляет 3 МГц, а температура хранения от -65 до 150С.

Альтернативы TIP41C Ниже приведены альтернативы Tip41c.
  • MJE5180
  • 2SD1895
  • MJE5181
  • BC911
  • BD711
Перепроверьте распиновку альтернатив, прежде чем включать их в свой проект.Скорее всего, распиновка альтернатив не совсем совпадает с распиновкой Tip41c. Чтобы оставаться в безопасности и избежать каких-либо проблем в дальнейшем, дважды проверьте распиновку альтернатив.

Больше новостей

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *