Транзистор d882 характеристики: 2SD882 , , datasheet, , , D882

Содержание

Кт815б характеристики транзистора, цоколевка, аналог, datasheet

Маркировка транзисторов

Транзистор КТ315. Тип транзистора указывается в этикетке, а также на корпусе прибора в виде буквы указывалась группа. На корпусе указывается полное название транзистора или только буква, которая сдвинута к левому краю корпуса. Товарный знак завода может не указываться. Дата выпуска ставится в цифровом или кодированном обозначении (при этом могут указывать только год выпуска). Точка в составе маркировки транзистора указывает на его применяемость – в составе цветного телевидения. Старые же (произведенные до 1971 года) транзисторы КТ315 маркировались буквой, стоящей посередине корпуса. При этом первые выпуски маркировались лишь одной большой буквой, а примерно в 1971 году перешли на привычную двухстрочную. Пример маркировки транзистора КТ315 показан на рисунке 1. Следует также отметить, что транзистор КТ315 был первым массовым транзистором с кодовой маркировкой в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13. Подавляющее большинство транзисторов КТ315 и КТ361 (характеристики такие же, как у КТ315, а проводимость p-n-p) было выпущено в корпусах желтого или красно-оранжевого цветов, значительно реже можно встретить транзисторы розового, зелёного и черного цветов. В маркировку транзисторов предназначенных для продажи помимо буквы обозначающей группу, товарного знака завода и даты изготовления входила и розничная цена, например «ц20к», что означало цена 20 копеек.

Транзистор КТ315-1. Тип транзистора также указывается в этикетке, а на корпусе указывается полное название транзистора, а также транзисторы могут маркироваться кодовым знаком. Пример маркировки транзистора КТ315-1 приведен на рисунке 2. Маркировка транзистора кодовым знаком приведена в таблице 2.

Цветомузыкальная приставка на П213.

Очень несложную цветомузыкальную приставку можно собрать
на трех транзистрах П213. Три раздельных усилительных каскада предназначены
для усиления трех полос звуковой частоты. Каскад на транзисторе VT1 усиливает
сигнал на частоте свыше 1000Гц, на транзисторе VT2 – от 1000 до 200Гц,
на транзисторе VT3 – ниже 200гЦ. Разделение частот осуществляется простыми RC- фильтрами.

Входной сигнал берется с выхода акустических колонок. Его уровень
регулируется с помощью потенциометра R1. Для подстройки
уровня яркости каждого канала используются подстроечные резисторы R3, R5, R7.
Смещение на базах транзисторов определяется значениями резисторов R2, R4, R6. Нагрузкой
каждого каскада являются две параллельно включенные лампочки (6,3 В х 0,28 А). Питается

схема от блока питания с выходным напряжением 8-9 В и максимальным током свыше 2А.

Транзисторы П213 могут иметь значительный разброс по усилению тока.
Поэтому, значения резисторов R2, R4, R6 необходимо подбирать для каждого каскада — индивидуально. Ток коллектора при этом настраивается на такую величину, чтобы нити накала ламп немного светились в отсутствии входного
сигнала.
При этом транзисторы обязательно будут греться. Стабильность работы
германиевых полупроводниковых приборов очень зависит от температуры.
Поэтому, необходимо установить П213 на радиаторы — площадью от 75 кв.см.

Таблица 5 – Предельно-допустимые режимы эксплуатации транзистора КТ315

Параметр, единица измерения	Обозначение	Норма параметра
КГ315А	КГ315Б	КГ315В	КГ315Г	КТЗ15Д	КГ315Е	КГ315Ж	КГ315И	КТ315Н	КТ315Р
Макс. допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер, (RBE = 10 кОм), В 1)	UCERmax	25	20	40	35	40	35	–	–	20	35
Макс. допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при коротком замыкании в цепи эмиттер-база, В 1)	UCES max	–	–	–	–	–	–	20	60	–	–
Макс. допустимое постоянное напряжение коллектор-база, В 1)	UCB max	25	20	40	35	40	35	–	–	20	35
Макс. допустимое постоянное напряжение эмиттер-база, В 1)	UEB max	6	6	6	6	6	6	6	6	6	6
Макс. допустимый постоянный ток коллектора, мА 1)	IC max	100	100	100	100	100	100	100	100	100	100
Макс. допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт 2)	PC max	200	200	200	200	200	200	200	200	200	200
Макс. допустимая температура перехода, ⁰С	tj max	125	125	125	125	125	125	125	125	125	125

Примечание: 1. Для всего диапазона рабочих температур. 2. При tатв от минус 60 до 25 °С. При повышении температуры более 25 °С PCmax рассчитывается по формуле:

где Rt hjα – общее тепловое сопротивление переход-окружающая среда, равное 0,5 °С/мВт.

Рисунок 3 – Типовые входные характеристики транзисторов КТ315 при UCE = 0, tатв = (25±10) °С

Рисунок 4 – Типовые выходные характеристики транзисторов типа КТ315 при tатв = (25±10) °С

Рисунок 5 – Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер от постоянного тока коллектора для транзисторов КТ315 при IC/IB = 10, tатв = (25±10) °С

Рисунок 6 – Зависимость статического коэффициента передачи тока от постоянного тока эмиттера для транзисторов КТ315 при UCB = 10, tатв = (25±10) °С

Рисунок 7 – Зависимость модуля коэффициента передачи тока по высокой частоте от постоянного тока эмиттера при UCB = 10, f = 100 МГц, tатв = (25±10) °С

Рисунок 8 – Зависимость постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте от напряжения коллектор-база при IE = 5 мА, tатв = (25±10) °С для КТ315

Рисунок 9 – Зависимость постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте от тока эмиттера при UCB = 10 В, f = 5 МГц, tатв = (25±10) °С для КТ315

Технические характеристики

D882 имеет достаточно хорошие технические параметры. Не много транзисторов, в корпусе TO-126, могут похвастаться возможностью пропускать через себя импульсные токи величиной до 6 А. Рассмотрим другие его максимальные значения предельно допустимых эксплуатационных значений:

напряжение между: К-Б — V_CBO (U_кб_max) до 40 В; К-Е — V_CEO (U_кэ_max) до 30 В;Э-Б — V_EBO (U_эб_max) до 6 В;
коллекторный ток: постоянный I_C (I_к_max) = 3 А; переменный, при t_P < 5ms — I_C_M (I_ки_max) до 6 А;
ток базы I_B (I_{Б max}) = 3 А до 1 А;
мощность рассеиваемая на коллекторе Р_С (Р_к_max) до 1.25 Вт;
тепловое сопротивление перехода Rthj-case — 10 ° C/Вт;
диапазон температур хранения и использования T_stg = -55 … 150 оС;
температура кристалла T_J до 150 оС.

Электрические параметры

Электрические параметры D882 тоже неплохие. Они представлены в даташит в виде отдельной таблицы с дополнительными условиями их измерений. Температуре окружающей среды, при этом, составляет не более 25 оС.

Коэффициента усиления по току

В зависимости от коэффициента передачи тока (hFE) транзистор D882 делятся на четыре группы по буквам: R (маленькое) – от 60 до 120; О (среднее) от 100 до 200; Y (высокое)– от 160 до 320; GR (самое большое) от 200 до 400.

Влияние радиатора

Стоит учитывать сильный нагрев D882 при использовании в предельно допустимых режимах, которые могут привести к выходу его из строя. Вероятности такого исхода очень высока, поэтому не рекомендуется длительная эксплуатация устройства на максимальных значениях.

Большое значение, в повышении надежности и уменьшении нагрева транзистора при работе, имеет его система охлаждения. Ниже приведен график зависимости рассеиваемой мощности (по горизонтали) от температуры окружающей среды (по вертикали). При тестировании изготовитель использует алюминиевый радиатор толщиной 10 мм.

Как видно из графика, при температуре вокруг корпуса выше +25ОС рассеиваемая мощность D882 начинает понижаться, а при +150ОС падает до ноля. На рисунке наглядно показана положительная роль использования радиатора для подобных электронных устройств.

Таблица 2 – Маркировка транзистора КТ315-1 кодовым знаком

Тип транзистора	Маркировочная метка на срезе боковой поверхности корпуса	Маркировочная метка на торце корпуса
KT315A1	Треугольник зеленого цвета	Точка красного цвета
KT315Б1	Треугольник зеленого цвета	Точка желтого цвета
KT315В1	Треугольник зеленого цвета	Точка зеленого цвета
KT315Г1	Треугольник зеленого цвета	Точка голубого цвета
KT315Д1	Треугольник зеленого цвета	Точка синего цвета
KT315Е1	Треугольник зеленого цвета	Точка белого цвета
KT315Ж1	Треугольник зеленого цвета	Две точки красного цвета
KT315И1	Треугольник зеленого цвета	Две точка желтого цвета
KT315Н1	Треугольник зеленого цвета	Две точки зеленого цвета
KT315Р1	Треугольник зеленого цвета	Две точки голубого цвета

Транзистор КТ815

Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
КТ815А	—	BD165, TIP29, 2N4921, 2N4910 3 , DTL1651 1 , 2SD146 1 , 2SD236 1
КТ815Б	—	BD167, MJE720, 2SC1419 3 , BD233 2 , BD813 *3 , BD165
КТ815В	—	BD169, MJE721, KD235, BD815 3 , BD167, 2N1481 1 , 2N1479 3 , 2N4922 2 , 2N4911 3 , 2SD147 3
КТ815Г	—	BD818, MJE722, 2N1482 1 , 2N1480 1 , BD169 2 , 2N4923, 2N4912 3 , DT41653 *3
Структура	—	n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	P_{K max,}P * _{K, τ max},P ** _{K, и max}	КТ815А	—	10*	Вт
КТ815Б	—	10*
КТ815В	—	10*
КТ815Г	—	10*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	f_гр, f * _h31б, f _h31э, f * _max	КТ815А	—	≥3	МГц
КТ815Б	—	≥3
КТ815В	—	≥3
КТ815Г	—	≥3
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	U_{КБО проб. ,} U * _{КЭR проб.,} U ** _{КЭО проб.}	КТ815А	0.1к	40*	В
КТ815Б	0.1к	50*
КТ815В	0.1к	70*
КТ815Г	0.1к	100*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	U_{ЭБО проб.,}	КТ815А	—	5	В
КТ815Б	—	5
КТ815В	—	5
КТ815Г	—	5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	I_{K max,} I * _{К , и max}	КТ815А	—	1.5(3*)	А
КТ815Б	—	1.5(3*)
КТ815В	—	1.5(3*)
КТ815Г	—	1.5(3*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	I_КБО, I * _КЭR, I ** _КЭO	КТ815А	40 В	≤0. 05	мА
КТ815Б	40 В	≤0.05
КТ815В	40 В	≤0.05
КТ815Г	40 В	≤0.05
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h_21э, h * _21Э	КТ815А	2 В; 0.15 А	≥40*
КТ815Б	2 В; 0.15 А	≥40*
КТ815В	2 В; 0.15 А	≥40*
КТ815Г	2 В; 0.15 А	≥30*
Емкость коллекторного перехода	c_к, с * _12э	КТ815А	5 В	≤60	пФ
КТ815Б	5 В	≤60
КТ815В	5 В	≤60
КТ815Г	5 В	≤60
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	r_{КЭ нас}, r_{БЭ нас, К} * _у.р.	КТ815А	—	≤1. 2	Ом, дБ
КТ815Б	—	≤1.2
КТ815В	—	≤1.2
КТ815Г	—	≤1.2
Коэффициент шума транзистора	К_ш, r * _b, P ** _вых	КТ815А	—	—	Дб, Ом, Вт
КТ815Б	—	—
КТ815В	—	—
КТ815Г	—	—
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τ_к, t_рас, t * _выкл, t *** _пк(нс)	КТ815А	—	—	пс
КТ815Б	—	—
КТ815В	—	—
КТ815Г	—	—

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Зарубежные прототипы

КТ815Б — BD135
КТ815В — BD137
КТ815Г — BD139

14 thoughts on “ КТ815 параметры ”

Мощным данный транзистор назвать нельзя, не смотря на 8-ку в маркировке. Он ближе к средней мощности, а в мощных схемах используется как предварительный для 819-х и выше

Как основной недостаток, я бы выделил разброс коэффициента усиления, а в некоторых схемах это важно. Почему то не приведена граничная частота, а она тоже не очень высокая

Одним словом — обычный, среднепараметризованный транзистор для бытового использования. Да, еще там начальная нелинейность подзатянута, не для всех классов усиления хороши.

Граничная частота КТ815 для схемы с общим эмиттером составляет 3 МГц. p. s. Как и всех отечественных «чисто гражданских» транзисторов разброс параметров КТ815 очень большой.

Предполагаю, что гражданскими транзисторами «КТ» являлась отбраковка военных транзисторов «2Т». Протестировали кристаллы, те что получше — в металл, похуже в пластик. Именно из-за такого разброса на заводах была даже такая профессия «регулировщик».

На алиэкспрессе можно и на перемаркированные детали попасть. Я покупаю только если есть положительные отзывы. Думаю цены на BD139 и BD140 такие потому что раритет. Если в схеме нужны биполярные на небольшую мощность, я ставлю что-то из серии BCP51 — BCP56. И в Китае делают хорошую продукцию, но только под контролем американских, европейский, японских или южнокорейских фирм

Контролировать работу необходимо, причем не только китайских, но и всех узко… вы понимаете. А делать это сейчас очень и очень несложно, не выходя из, скажем AMD-шного офиса, находящегося в Германии почему-то. Все линии автоматизированы, все данные поступают на сервер и могут контролироваться в реальном режиме времени из любой точки мира. К нему-же и видео наблюдение подстегнуто. Смотришь, пошел курить опий, берешь микрофон и, на доступном японамамском, вежливо просишь вернуться назад.

Загранкомандировки технологам оплачивать не нужно.

Возможно, что и перемаркировка. Но, когда только сделал характериограф, из любопытства тыкал в него все что под руку попадалось, в том числе и транзисторы с распая корейской аудио-видео аппаратуры. Транзисторы из одного раскуроченного музыкального центра LG имеют близкие параметры, а те же транзисторы из другого МЦ сделанного годом-двумя раньше отличаются от них как небо и земля. Транзисторы из одной партии похожи друг на друга, а вот когда они из разных партий, тут уже возможны варианты…

Старый, добрый КТ815, именно на нём делал свои первые самоделки, они встречались практически во всей советской аппаратуре. Даже сейчас, если порыться в хламе, штук 10-15 выпаять можно.

Транзистор удобен в практике. Их много почти у каждого в загашнике. Относительно не большой, и мощный, не дорогой. Разной проводимости КТ814 (p-n-p) и КТ815 (n-p-n).

По характеристикам указана предельная температура 150 °C, но на практике сталкивался с выходом из строя в блоках питания КТ815 уже при температуре близкой к 100 °C, возникала холостая проводимость между К-Э. При перегревах выходных каскадов на КТ815 и КТ814 в УМЗЧ иногда происходили необратимые изменения ВАХ, но усилитель продолжал дальше работать с незначительными искажениями. Часто использовал такие транзисторы в схемах стабилизации частоты вращения моторчиков на старых магнитолах, и в коммутации к радиоуправляемым моделям.

Таблица 1 – Краткие технические характеристики транзисторов КТ315 и КТ315-1

Тип

Структура

PК max, PК* т. max, мВт

fгр, МГц

UКБО max, UКЭR*max, В

UЭБО max, В

IК max, мА

IКБО, мкА

h31э, h31Э*

CК, пФ

rКЭ нас, Ом

rб, Ом

τк, пс

KT315A1

n-p-n

150

≥250

100

≤0,5

20…90 (10 В; 1 мА)

≤7

≤20

≤40

≤300

KT315Б1

n-p-n

150

≥250

100

≤0,5

50…350 (10 В; 1 мА)

≤7

≤20

≤40

≤300

KT315В1

n-p-n

150

≥250

100

≤0,5

20…90 (10 В; 1 мА)

≤7

≤20

≤40

≤300

KT315Г1

n-p-n

150

≥250

100

≤0,5

50…350 (10 В; 1 мА)

≤7

≤20

≤40

≤300

KT315Д1

n-p-n

150

≥250

100

≤0,5

20…90 (10 В; 1 мА)

≤7

≤20

≤40

≤300

KT315Е1

n-p-n

150

≥250

100

≤0,5

20…90 (10 В; 1 мА)

≤7

≤20

≤40

≤300

KT315Ж1

n-p-n

100

≥250

100

≤0,5

30…250 (10 В; 1 мА)

≤7

≤20

≤40

≤300

KT315И1

n-p-n

100

≥250

100

≤0,5

30 (10 В; 1 мА)

≤7

≤20

≤40

≤300

KT315Н1

n-p-n

150

≥250

100

≤0,5

50…350 (10 В; 1 мА)

≤7

–

KT315Р1

n-p-n

150

≥250

100

≤0,5

150…350 (10 В; 1 мА)

≤7

–

КТ315А

n-p-n

150 (250*)

≥250

100

≤0,5

30…120* (10 В; 1 мА)

≤7

≤20

≤40

≤300

КТ315Б

n-p-n

150 (250*)

≥250

100

≤0,5

50…350* (10 В; 1 мА)

≤7

≤20

≤40

≤500

КТ315В

n-p-n

150 (250*)

≥250

100

≤0,5

30…120* (10 В; 1 мА)

≤7

≤20

≤40

≤500

КТ315Г

n-p-n

150 (250*)

≥250

100

≤0,5

50…350* (10 В; 1 мА)

≤7

≤20

≤40

≤500

КТ315Д

n-p-n

150 (250*)

≥250

40* (10к)

100

≤0,6

20…90 (10 В; 1 мА)

≤7

≤30

≤40

≤1000

КТ315Е

n-p-n

150 (250*)

≥250

35* (10к)

100

≤0,6

50…350* (10 В; 1 мА)

≤7

≤30

≤40

≤1000

КТ315Ж

n-p-n

100

≥250

20* (10к)

≤0,6

30…250* (10 В; 1 мА)

≤7

≤25

–

≤800

КТ315И

n-p-n

100

≥250

60* (10к)

≤0,6

≥30* (10 В; 1 мА)

≤7

≤45

–

≤950

КТ315Н

n-p-n

150

≥250

35* (10к)

100

≤0,6

50…350* (10 В; 1 мА)

≤7

≤5,5

–

≤1000

КТ315Р

n-p-n

150

≥250

35* (10к)

100

≤0,5

150…350* (10 В; 1 мА)

≤7

≤20

–

≤500

Примечание: 1. IКБО – обратный ток коллектора – ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера, измеренный при UКБ = 10 В; 2. IК max – максимально допустимый постоянный ток коллектора; 3. UКBO max – пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе кол- лектора и разомкнутой цепи эмиттера; 4. UЭБO max – пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора; 5. UКЭR max – пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер; 6. РК.т max – постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом; 7. PК max – максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора; 8. rб – сопротивление базы; 9. rКЭ нас – сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером; 10. CК – емкость коллекторного перехода , измеренная при UК = 10 В; 11. fгp – граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы общим эмиттером; 12. h3lэ – коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме мало сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно; 13. h3lЭ – статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала; 14. τк – постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте.

Проверка КТ815

Не всегда покупаемые элементы оказываются в рабочем состоянии. Пусть бракованные элементы попадаются не так часто, но любой радиолюбитель или просто покупатель обязан знать, как проверить такой прибор.

Во-первых

, проверить работоспособность КТ815 можно специальным пробником, но рассмотрим проверку обычным мультиметром , так как предыдущий прибор есть далеко не у всех.

Для проверки при помощи мультиметра, прибор нужно перевести в режим прозвонки. Сначала прикладываем отрицательный щуп к базе, а положительный к коллектору. На дисплее должно отобразиться значение от 500 до 800 мв. Затем меняем щупы, поставив на базу положительный, а на эмиттер отрицательный. Значения должны примерно равны прошлым.

Затем нужно проверить обратное падение напряжение

. Для этого поставим сначала отрицательный щуп на базу, а положительный на коллектор. Должны получится единица. В случае с замером на базе и эмиттере, произойдёт то же самое.

Таблица 3 – Зарубежные аналоги транзистора КТ315

Отечественный транзистор	Зарубежный аналог	Возможность купить	Предприятие производитель	Страна производитель
КТ315А	BFP719	нет	Unitra CEMI	Польша
КТ315Б	BFP720	нет	Unitra CEMI	Польша
КТ315В	BFP721	нет	Unitra CEMI	Польша
КТ315Г	BFP722	нет	Unitra CEMI	Польша
КТ315Д	2SC641	есть	Hitachi	Япония
КТ315Е	2N3397	есть ~ 4$	Central Semiconductor	США
КТ315Ж	2N2711	есть ~ 9$	Sprague electric corp.	США
BFY37, BFY37i	есть	ITT Intermetall GmbH	Германия
КТ315И	2SC634	есть ~ 16$	New Jersey Semiconductor	США
есть	Sony	Япония
КТ315Н	2SC633	есть ~ 1$	Sony	Япония
КТ315Р	BFP722	нет	Unitra CEMI	Польша

Зарубежным прототипом транзистора КТ315-1 являются транзисторы 2SC544, 2SC545, 2SC546 предприятие производитель Sanyo Electric, страна производства Япония. Транзисторы 2SC545, 2SC546 также можно приобрести, ориентировочная цена составляет около 6$.

Цветомузыкальная приставка на П213.

Очень несложную цветомузыкальную приставку можно собрать на трех транзистрах П213. Три раздельных усилительных каскада предназначены для усиления трех полос звуковой частоты. Каскад на транзисторе VT1 усиливает сигнал на частоте свыше 1000Гц, на транзисторе VT2 – от 1000 до 200Гц, на транзисторе VT3 – ниже 200гЦ. Разделение частот осуществляется простыми RC- фильтрами.

Входной сигнал берется с выхода акустических колонок. Его уровень регулируется с помощью потенциометра R1. Для подстройки уровня яркости каждого канала используются подстроечные резисторы R3, R5, R7. Смещение на базах транзисторов определяется значениями резисторов R2, R4, R6. Нагрузкой каждого каскада являются две параллельно включенные лампочки (6,3 В х 0,28 А). Питается схема от блока питания с выходным напряжением 8-9 В и максимальным током свыше 2А.

Транзисторы П213 могут иметь значительный разброс по усилению тока. Поэтому, значения резисторов R2, R4, R6 необходимо подбирать для каждого каскада — индивидуально. Ток коллектора при этом настраивается на такую величину, чтобы нити накала ламп немного светились в отсутствии входного сигнала. При этом транзисторы обязательно будут греться. Стабильность работы германиевых полупроводниковых приборов очень зависит от температуры. Поэтому, необходимо установить П213 на радиаторы — площадью от 75 кв. см.

Транзисторы — купить. или найти бесплатно.

Где сейчас можно найти советские транзисторы? В основном здесь два варианта — либо купить, либо — получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.

Во время промышленного коллапса начала 90-х, образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки — можно купить. Если же нет — всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -«Гулливер».

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — можно попытаться добыть транзисторы (и другие детали) из нее. Транзисторы П213 можно найти радиоле Бригантина, приемнике ВЭФ Транзистор 17, приемниках Океан, Рига 101, Рига 103, Урал Авто-2. Транзисторы КТ815 в приемниках Абава РП-8330, Вега 342, магнитофонах «Азамат»(!), Весна 205-1, Вильма 204- стерео и т. д.

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

Новое поколение Джобсов или как MediaTek создал свой маленький «Кикстартер»

Амбициозная цель компании MediaTek — сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы. Уже сейчас для этого есть все возможности, от мини-сообществ, в которых можно посмотреть чужие проекты до прямых контактов с настоящими производителями электроники. Начать проектировать гаджеты может любой талантливый разработчик — порог входа очень низкий.

КТ815 параметры сходные для всех модификаций

Таблица с предельно допустимыми электрическими режимами:

Параметры	Обозначение	Значение
Напряжение эмиттер — база	Uэб max	5 В
Постоянный ток коллектора	Iк max	1,5 А
Импульсный ток коллектора	Iк max	3 А
Максимально допустимый постоянный ток базы	Iб max	0,5 А
Рассеиваемая мощность коллектора	Pк max	10 Вт
Температура перехода	Tпер	150 °C

Основные электрические параметры КТ815 при Токр. среды = 25°С

Паpаметpы	Обозначение	Режимы измеpения	Min	Maх	Ед.измеp
Обратный ток коллектора	Iкбо	Uкэ=50 В (А,Б), Uкэ=65 В (В,Г)	50	мкА
Обратный ток коллектор-эмиттер	Iкэо	Rэб ≤ 100 Ом, Uкэ=50 В (А,Б), Uкэ=65 В (В,Г)	100	мкА
Статический коэффициент передачи тока	h31э	Uкб=2 В, Iэ=0,15 А	40,30(Г)	275
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	Uкэ нас	Iк=0,5 А, Iб=50 мА	0,6	В

Оцените статью:

D882 транзистор характеристики, российские аналоги, цоколевка

FTD882D Datasheet (PDF)

1.1. ftd882d.pdf Size:371K _first_silicon

SEMICONDUCTOR
FTD882D
TECHNICAL DATA
FTD882D TRANSISTOR
A
I
FEATURES
C
J
Low Speed Switching
DIM MILLIMETERS
A 6 50 ± 0 2
B 5 60 ± 0 2
C 5 20 ± 0 2
MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) D 1 50 ± 0 2
E 2 70 ± 0 2
F 2 30 ± 0 1
Symbol Parameter Value Unit H
H 1 00 MAX
I 2 30 ± 0 2
L
F F
VCBO Collector-Base Voltage 40 V
J 0 5 ± 0 1
L 0 50 ± 0 10
1 2 3

4. 1. ftd882.pdf Size:114K _first_silicon

SEMICONDUCTOR
FTD882
TECHNICAL DATA
AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER
LOW SPEED SWITCHING
D
E
A
FEATURES
Complementary to FTB772.
C
F G
DIM MILLIMETERS
B
A 8.3 MAX
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
B 11.3±0.3
C 4.15 TYP
1 2 3
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT D 3.2±0.2
E 2.0±0.2
H F 2.8±0.1
VCBO
Collector-Base Voltage 40 V I
G 3.2±0.1
H 1.27±0.1
VCEO K
Collector-Emitter V

4.2. ftd882f.pdf Size:289K _first_silicon

SEMICONDUCTOR
FTD882F
TECHNICAL DATA
A
FTD882F NPN TRANSISTOR
C
H
G
FEATURES
Power dissipation
D
D
K
F F
DIM MILLIMETERS
A 4.70 MAX
MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted)
_
+
B 2.50 0.20
C 1.70 MAX
1 2 3
D 0.45+0.15/-0.10
Symbol Parameter Value Unit
E 4.25 MAX
_
+
F 1.50 0. 10
VCBO Collector-Base Voltage 40 V
G 0.40 TYP
1. BASE
H 1.8 MAX
2. COLLE

D882S Datasheet (PDF)

1.1. tsd882s.pdf Size:244K _update

TSD882S
Low Vcesat NPN Transistor
TO-92 SOT-89
Pin Definition:
Pin Definition: PRODUCT SUMMARY
1. Base
1. Emitter
BVCBO 60V
2. Collector
2. Collector
3. Emitter
3. Base
BVCEO 50V
IC 3A
VCE(SAT) 0.5V @ IC / IB = 2A / 200mA
Features Ordering Information
● Low VCE(SAT) 0.25 @ IC / IB = 2A / 200mA (Typ.)
Part No. Package Packing
● Complementary part with TSB

1.2. 2sd882s.pdf Size:141K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
2SD882S NPN SILICON TRANSISTOR
MEDIUM POWER LOW
VOLTAGE TRANSISTOR
FEATURES
* High current output up to 3A
* Low saturation voltage
* Complement to 2SB772S
APPLICATIONS
* Audio power amplifier
* DC-DC convertor
* Voltage regulator
ORDERING INFORMATION
Order Number Pin Assignment
Package Packing
Lead Free Halogen Free 1 2 3
2SD882

1. 3. d882ss.pdf Size:154K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
D882SS NPN SILICON TRANSISTOR
MEDIUM POWER LOW
VOLTAGE TRANSISTOR
FEATURES
* High Current Output up to 3A
* Low Saturation Voltage
* Complement to B772SS
APPLICATIONS
* Audio Power Amplifier
* DC-DC Convertor
* Voltage Regulator
ORDERING INFORMATION
Ordering Number Pin Assignment
Package Packing
Normal Lead Free Halogen Free 1 2 3

1.4. d882s.pdf Size:209K _secos

D882S
NPN Plastic Encapsulated Transistor
Elektronische Bauelemente
RoHS Compliant Product
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free
TO-92
FEATURES
? Power Dissipation
G H
J
Millimeter
REF.
A D
Min. Max.
CLASSIFICATION OF hFE
A 4.40 4.70
B
B 4.30 4.70
C 12.70 —
K
D 3.30 3.81
E 0.36 0.56
Rank R 0 Y GR
F 0.36 0.51
E C F G 1.27 TYP.
60-120 160-320 200-400

1.5. d882s.pdf Size:206K _lge

D882S
Transistor(NPN)
1. EMITTER
TO-92
2.COLLECTOR
3.BASE
Features

Power dissipation
MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted)
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage 40 V
VCEO Collector-Emitter Voltage 30 V
VEBO Emitter-Base Voltage 5 V
IC Collector Current -Continuous 3 A
Dimensions in inches and (millimeters)
PC Collector Power Dissipation 0.

1.6. hsd882s.pdf Size:55K _hsmc

Spec. No. : HE6544
HI-SINCERITY
Issued Date : 1992.11.25
Revised Date : 2006.07.28
MICROELECTRONICS CORP.
Page No. : 1/5
HSD882S
NPN Epitaxial Planar Transistor
Description
The HSD882S is suited for the output stage of 0.75W audio, voltage regulator, and relay
driver.
TO-92
Absolute Maximum Ratings
• Maximum Temperatures
Storage Temperature…………………………………

1.7. btd882sa3.pdf Size:302K _cystek

Spec. No. : C848A3-H
Issued Date : 2003.05.31
CYStech Electronics Corp.
Revised Date :2013.03.21
Page No. : 1/7
Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor
BVCEO 50V
IC 3A
BTD882SA3
RCESAT (Typ) 125mΩ
Features
• Low VCE(sat), typically 0.25V at IC / IB = 2A / 0.2A
• Excellent current gain characteristics
• Complementary to BTB772SA3
• Pb-free lead plating and h

1.8. btd882st3.pdf Size:249K _cystek

Spec. No. : C858T3
Issued Date : 2011.06.28
CYStech Electronics Corp.
Revised Date :
Page No. : 1/7
Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor
BVCEO 30V
IC 3A
BTD882ST3
RCESAT(typ) 150mΩ
Features
• Low VCE(sat), 0.3V typ. at IC / IB = 2A / 0.2A
• Excellent current gain characteristics
• Complementary to BTB772ST3
• Pb-free lead plating package
Symbol Outline

1.9. hd882s.pdf Size:26K _shantou-huashan

N P N S I L I C O N T R A N S I S T O R
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.
HD882S
█ AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER
LOW SPEED SWITCHING
█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃）
TO-92
Tstg——Storage Temperature⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯ -55~150℃
Tj——Junction Temperature⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯150℃
PC——Collector Dissipation⋯⋯

B882 Datasheet Download — Sanyo Semicon Device

Номер произв	B882
Описание	2SB882
Производители	Sanyo Semicon Device
логотип
1Page Ordering number:926C PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Darlington Tranasistors 2SB882/2SD1192 Driver Applications Applications · Motor drivers, printer hammer drivers, relay drivers, voltage regulator control. Features · High DC current gain. · High current capacity and wide ASO. · Low saturation voltage. Package Dimensions unit:mm 2010C [2SB882/2SD1192] ( ) : 2SB882 Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C Parameter Collector-to-Base Voltage Collector-to-Emitter Voltage Emitter-to-Base Voltage Collector Current Collector Current (Pulse) Collector Dissipation Symbol VCBO VCEO VEBO IC ICP PC Junction Temperature Storage Temperature Tj Tstg Electrical Characteristics at Ta = 25˚C Tc=25˚C Conditions Parameter Collector Cutoff Current Emitter Cutoff Current DC Current Gain Gain-Bandwidth Product Collector-to-Emitter Saturation Voltage Symbol Conditions ICBO IEBO hFE fT VCE(sat) VCB=(–)40V, IE=0 VEB=(–)5V, IC=0 VCE=(–)2V, IC=(–)5A VCE=(–)5V, IC=(–)5A IC=(–)5A, IB=(–)10mA Base-to-Emitter Saturation Voltage VBE(sat) IC=(–)5A, IB=(–)10mA JEDEC : TO-220AB EIAJ : SC-46 1 : Base 2 : Collector 3 : Emitter Ratings (–)70 (–)60 (–)6 (–)10 (–)15 1. 75 40 150 –55 to +150 Unit V V V A A W W ˚C ˚C Ratings min typ 2000 5000 20 0.9 (–)1.0 max (–)0.1 (–)3.0 (–)1.5 (–)2.0 Unit mA mA MHz V V V Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft’s control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using any SANYO products described or contained herein in such applications. SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges,or other parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained herein. SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Bussiness Headquaters TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN 91098HA (KT)/10996TS (KOTO) 8-4329/D251MH/4067KI/2045MW, TS No.926–1/4 Parameter Collector-to-Base Breakdown Voltage Collector-to-Emitter Breakdown Voltage Turn-ON Time Storage Time Fall Time Switching Time Test Circuit 2SB882/2SD1192 Symbol Conditions V(BR)CBO V(BR)CEO ton IC=(–)5mA, IE=0 IC=(–)50mA, RBE=∞ See specified Test Circuit tstg See specified Test Circuit tf See specified Test Circuit Electrical Connection Ratings min typ (–)70 (–)60 (0.5) 0.6 (1.5) 3.0 (1.7) 1.8 max Unit V V µs µs µs µs µs µs No.926–2/4 2SB882/2SD1192 No.926–3/4
Всего страниц	4 Pages
Скачать PDF

Биполярный транзистор D882SS — описание производителя.

Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: D882SS

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 45
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100

Корпус транзистора: SOT-23

D882SS

Datasheet (PDF)

1.1. d882ss.pdf Size:154K _utc

5. 1. tsd882s.pdf Size:244K _update

5.2. 2sd882s.pdf Size:141K _utc

5.3. d882s.pdf Size:209K _secos

5.4. d882s.pdf Size:206K _lge

D882S
Transistor(NPN)
1.EMITTER
TO-92
2.COLLECTOR
3.BASE
Features

5.5. hsd882s.pdf Size:55K _hsmc

Spec. No. : HE6544
HI-SINCERITY
Issued Date : 1992.11.25
Revised Date : 2006.07.28
MICROELECTRONICS CORP.
Page No. : 1/5
HSD882S
NPN Epitaxial Planar Transistor
Description
The HSD882S is suited for the output stage of 0. 75W audio, voltage regulator, and relay
driver.
TO-92
Absolute Maximum Ratings
• Maximum Temperatures
Storage Temperature…………………………………

5.6. btd882sa3.pdf Size:302K _cystek

5.7. btd882st3.pdf Size:249K _cystek

5. 8. hd882s.pdf Size:26K _shantou-huashan

Другие транзисторы… USS4350
, USS4450
, USS5350
, UT2274
, X1049A
, 2SC2328A
, 2SD882S
, 8050S
, TIP31
, HE8051
, MMBT1815
, MMBT9013
, MMBT9014
, MMBT945
, MN2510
, 2SA928A
, 2SB772S
.

Результаты подбора транзистора (поиска аналога)

Type	Mat	Struct	Pc	Ucb	Uce	Ueb	Ic	Tj	Ft	Hfe	Caps
2DC4672	Si	NPN	0.9		50		3		180	82	SOT89
2SC5566-TD-E	Si	NPN	3. 5	100	50	6	4	150	400	200	SOT89
2SC5569-TD-E	Si	NPN	3.5	100	50	6	7	150	330	200	SOT89
2SC5964-TD-E	Si	NPN	3.5	100	50	6	3	150	380	200	SOT89
2SC5964-TD-H	Si	NPN	3.5	100	50	6	3	150	380	200	SOT89
2SC6094-TD-E	Si	NPN	3.5	100	60	6.5	3	150	390	300	SOT89
2SCR533PFRA	Si	NPN	0.5	50	50	6	3	150	320	180	SOT89
2SD2098Q	Si	NPN	0. 5	50	50		5	150	150	120	SOT89
2SD2098R	Si	NPN	0.5	50	50		5	150	150	180	SOT89
2SD2098S	Si	NPN	0.5	50	50		5	150	150	270	SOT89
2SD2402	Si	NPN	2	50	30	6	5	150	170	100	SOT89
2SD882A	Si	NPN	0.5	70	60	6	3	150	50	60	SOT89
2SD965A	Si	NPN	0.75	40	30	7	5	150	150	230	SOT89
2STF1360	Si	NPN	1. 4	80	60	6	3	150	130	160	SOT89
BD882-GR	Si	NPN	0.5	40	30	6	3	150	50	60	SOT89
BD882-O	Si	NPN	0.5	40	30	6	3	150	50	60	SOT89
BD882-R	Si	NPN	0.5	40	30	6	3	150	50	60	SOT89
BD882-Y	Si	NPN	0.5	40	30	6	3	150	50	60	SOT89
BTC4672M3	Si	NPN	2	100	60	6	5	150	210	250	SOT89
BTD1616AM3	Si	NPN	2. 1	120	60	7	3	150	100	200	SOT89
BTD2098AM3	Si	NPN	2	40	30	6	5	150	150	270	SOT89
BTD2150AM3	Si	NPN	2	80	50	6	3	150	90	120	SOT89
CHT4672XGP	Si	NPN	2	50	50	6	3	150	210	82	SOT89
CHT5824XGP	Si	NPN	2	60	60	6	3	150	200	120	SOT89
D882	Si	NPN	0.5	40	30	6	3	150	50	60	SOT89
D882H	Si	NPN	0. 5	70	70	6	3	150	50	60	SOT893L
DNLS350Y	Si	NPN	1		50		3		100	300	SOT89
DSS4540X	Si	NPN	2		40		4		70	300	SOT89
DXT651	Si	NPN	1		60		3		200	100	SOT893L
FCX1051A	Si	NPN	1		40		3		155	270	SOT89
FCX1053A	Si	NPN	2		75		3		140	300	SOT89
FCX619	Si	NPN	1. 5		50		3		100	300	SOT89
FJC1963	Si	NPN	0.5	50	30	6	3	150		120	SOT89
FTD1624	Si	NPN	1	60	50	6	3	150	150	100	SOT89
FTD882F	Si	NPN	0.5	40	30	6	3	150	50	60	SOT89
GSTM882	Si	NPN	0.5	40	30	6	3	150	50	60	SOT89
INC5002AP1	Si	NPN	0.5	80	60	6	3	150	200	100	SOT89
KTD1624	Si	NPN	1	60	50	6	3	150	150	100	SOT89
L2SD882P	Si	NPN	0. 5	40	30	6	3	150	50	160	SOT89
L2SD882Q	Si	NPN	0.5	40	30	6	3	150	50	100	SOT89
PBSS4330X	Si	NPN	0.55	50	30	6	3	150	100	300	SOT89
PBSS4540X	Si	NPN	0.55	40	40	6	4	150	70	300	SOT89
ST2SC4541U	Si	NPN	1	80	50	6	3	150	100	120	SOT89
ST2SC4672U	Si	NPN	2	60	50	6	3	150	210	82	SOT89
STC4350F	Si	NPN	1	60	50	6	3	150	210	120	SOT89
TSD2150A	Si	NPN	0. 6	80	50	6	3	150	90	200	SOT89 TO92
USS4350	Si	NPN	2	60	50	6	3	150	100	200	SOT223 SOT89
WTM1624	Si	NPN	0.5	60	50	6	3	150	150	150	SOT89
WTM882	Si	NPN	0.5	40	30	6	3	150	90	60	SOT89
ZX5T150	Si	NPN	0.5	70	60	6	3	150	50	160	SOT89
ZXTN19055DZ	Si	NPN	2.1		55		6		140	250	SOT89
ZXTN19100CZ	Si	NPN	2. 4		100		5.25		150	200	SOT89
ZXTN2007Z	Si	NPN	2.1		30		6		140	100	SOT89
ZXTN2010Z	Si	NPN	2.1		60		5		130	100	SOT89
ZXTN2011Z	Si	NPN	2.1		100		4.5		130	100	SOT89
ZXTN25040DZ	Si	NPN	1.8		40		5		190	300	SOT89
ZXTN25060BZ	Si	NPN	1.8		60		5		185	90	SOT89

Всего результатов: 57

STD882D Datasheet (PDF)

1. 1. std882d.pdf Size:290K _auk

STD882D
NPN Silicon Transistor
Description
PIN Connection
• Suitable for low voltage large current drivers
• Excellent hFE Linearity
• Complementary pair with STB772D
• Switching Application
Features
• Low collector saturation voltage
VCE(sat)=0.4V(Max.)
TO-252
Ordering Information
Type NO. Marking Package Code
STD882D STD882 TO-252
Absolute maximu

4.1. gstd882.pdf Size:343K _upd

GSTD882
NPN Epitaxial Planar Transistors
Product Description Features
This device is designed as a general purpose Lead(Pb)-Free
amplifier and switch.
Packages & Pin Assignments
TO-252
Pin Description
1 Base
2 Collector
3 Emitter
Marking Information
P/N Package Rank Part Marking
GSTD882F TO-252 (R) / (O) / (Y) / (GR) D882
Ordering Information
Part Number Package Qua

4.2. gstd882.pdf Size:343K _globaltech_semi

H882 Datasheet (PDF)

1.1. ch882gp.pdf Size:104K _upd

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD
CH882GP
SMALL FLAT
NPN Epitaxial Transistor
VOLTAGE 30 Volts CURRENT 3 Ampere
APPLICATION
* Power driver and Dc to DC convertor .
FEATURE
* Small flat package. (DPAK)
DPAK/TO-252
* Low saturation voltage VCE(sat)=0.5V(max.)(IC=2A)
* High speed switching time: tstg= 1.0uSec (typ.)
* PC= 1.5 W (mounted on ceramic substrate).
.094 (2.38)
.086 (2.19)
* H

1.2. ksh882.pdf Size:226K _upd

KSH882
KSH882
◎ SEMIHOW REV.A2,Mar 2008
KSH882
2
KSH882
Audio Frequency Power Amplifier
Audio Frequency Power Amplifier
— Low Speed Switching
— Complement to KSH772
3 Amperes
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings TC=25℃ unless otherwise noted
1 Watts
TO-126
CHARACTERISTICS SYMBOL RATING UNIT
1. Emitter
2. Collector
3. Base
Collector-Base Voltage VCBO

1.3. h882.pdf Size:817K _shantou-huashan

NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.
H882
█ APPLICATIONS
Audio Frequency Power Amplifier , Switching Power Amplifier.
█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃）
TO-126ML
Tstg——Storage Temperature⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯ -55~150℃
Tj——Junction Temperature⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯ 150℃
PC——Collecto

1.4. ch882gp.pdf Size:104K _chenmko

D882P Datasheet (PDF)

1. 1. d882pc.pdf Size:117K _jdsemi

R
D882PC
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor
ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.
◆Si NPN
◆RoHS COMPLIANT
1．
1．
1．APPLICATION
1．
Charger、Emergency lamp and
Electric toy control circuit
2．
2．
2．FEATURES
2．

1.2. d882p.pdf Size:119K _jdsemi

R
D882P
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor
ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.
◆Si NPN
◆RoHS COMPLIANT
1．
1．
1．APPLICATION
1．
Charger、Emergency lamp and
Electric toy control circuit
2．
2．
2．FEATURES
2．

1.3. d882pc 2.pdf Size:118K _jdsemi

R
D882PC
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
深圳市晶导电子有限公司
www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor
ShenZhen Jingdao Electronic Co. ,Ltd.
◆Si NPN
◆RoHS COMPLIANT
1．
1．
1．APPLICATION
1．
Charger、Emergency lamp and
Electric toy control circuit
2
2．
2．
2．FEATURES
2

D882H Datasheet (PDF)

1.1. d882h.pdf Size:129K _upd

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors
D882H TRANSISTOR (NPN)
SOT-89-3L
FEATURE
 Low VCE(sat)
 Large current capacity
1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
MAKING: D882H
MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted)
Symbol Parameter Value Unit
VCBO Collector-Base Voltage 70 V
VCEO Collector-Emitter Voltage 70

1.2. st2sd882ht.pdf Size:439K _semtech

ST 2SD882HT
NPN Silicon Power Transistor
The transistor is subdivided into four groups, R,
Q, P and E, according to its DC current gain.
E
C
B
TO-126 Plastic Package
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25℃)
Parameter
Symbol Value Unit
Collector Base Voltage
VCBO 60 V
Collector Emitter Voltage
VCEO 30 V
Emitter Base Voltage
VEBO 5 V
Collector Current
IC 3 A
Collector C

HSD882S Datasheet (PDF)

1. 1. hsd882s.pdf Size:55K _hsmc

4.1. hsd882.pdf Size:50K _hsmc

Spec. No. : HE6004
HI-SINCERITY
Issued Date : 1998.03.15
Revised Date : 2005.08.15
MICROELECTRONICS CORP.
Page No. : 1/5
HSD882
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
The HSD882 is designed for using in output stage of 1w audio amplifier, voltage
regulator, DC-DC converter and relay driver.
TO-126ML
Absolute Maximum Ratings (TA=25°C)
• Maximum Temperatures
Storage Temperat

D882SS Datasheet (PDF)

1. 1. d882ss.pdf Size:154K _utc

5.1. tsd882s.pdf Size:244K _update

5.2. 2sd882s.pdf Size:141K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO. , LTD
2SD882S NPN SILICON TRANSISTOR
MEDIUM POWER LOW
VOLTAGE TRANSISTOR
FEATURES
* High current output up to 3A
* Low saturation voltage
* Complement to 2SB772S
APPLICATIONS
* Audio power amplifier
* DC-DC convertor
* Voltage regulator
ORDERING INFORMATION
Order Number Pin Assignment
Package Packing
Lead Free Halogen Free 1 2 3
2SD882

5.3. d882s.pdf Size:209K _secos

5.4. d882s.pdf Size:206K _lge

D882S
Transistor(NPN)
1. EMITTER
TO-92
2.COLLECTOR
3.BASE
Features

5.5. hsd882s.pdf Size:55K _hsmc

5.6. btd882sa3.pdf Size:302K _cystek

5.7. btd882st3.pdf Size:249K _cystek

5.8. hd882s.pdf Size:26K _shantou-huashan

аналоги, чем заменить, характеристики, аналог

Аналоги транзистора D882:

Type	Mat	Struct	Pc	Vcb	Vce	Veb	Ic	Tj	Ft	Cc	Hfe	Caps
2SC2751	Si	NPN	120,00	500,00	400,00	7,00	15,00	175,00			100,00	TO126
2SC2751A	Si	NPN	120,00	500,00			15,00	175,00			120,00	TO126
2SC2823	Si	NPN	70,00	120,00			7,00	150,00			120,00	TO126
2SC4342	Si	NPN	12,00	150,00			3,00	150,00			10000,00	TO126
2SC5694	Si	NPN	10,00	60,00	50,00	6,00	7,00	150,00	330,00	28,00	150,00	TO126ML
2SD1210	Si	NPN	80,00	150,00			10,00	150,00			5000,00	TO126
2SD1288	Si	NPN	70,00	120,00			7,00	150,00			60,00	TO126
2SD1289	Si	NPN	80,00	120,00			8,00	150,00			60,00	TO126
2SD1296	Si	NPN	100,00	150,00			15,00	150,00			12000,00	TO126
2SD1297	Si	NPN	100,00	150,00			25,00	150,00			12000,00	TO126
2SD1298	Si	NPN	150,00	500,00			10,00	150,00			600,00	TO126
2SD1299	Si	NPN	100,00	150,00			15,00	150,00			5000,00	TO126
2SD1308	Si	NPN	40,00	150,00			8,00	150,00			6000,00	TO126
2SD1309	Si	NPN	40,00	150,00			8,00	150,00			6000,00	TO126
2SD1311	Si	NPN	40,00	100,00			4,00	150,00			65,00	TO126
2SD1457	Si	NPN	60,00	100,00			6,00	175,00			4000,00	TO126
2SD1506	Si	NPN	10,00	60,00			3,00	150,00			60,00	TO126
2SD1514	Si	NPN	100,00	100,00			15,00	150,00			4000,00	TO126
2SD1515	Si	NPN	100,00	200,00			15,00	150,00			4000,00	TO126
2SD1566	Si	NPN	60,00	150,00			10,00	150,00			9000,00	TO126
2SD1612	Si	NPN	40,00	120,00			6,00	150,00			5000,00	TO126
2SD1613	Si	NPN	40,00	120,00			8,00	150,00			5000,00	TO126
2SD1643	Si	NPN	40,00	80,00			3,00	150,00			1000,00	TO126
2SD1680	Si	NPN	70,00	330,00	200,00		7,00	150,00			60,00	TO126
2SD1691	Si	NPN	20,00	60,00	60,00	7,00	5,00	150,00			100,00	TO126
2SD1691O	Si	NPN	20,00	60,00	60,00	7,00	5,00	150,00			100,00	TO126
2SD1691Q	Si	NPN	20,00	60,00	60,00	7,00	5,00	150,00			200,00	TO126
2SD1691Y	Si	NPN	20,00	60,00	60,00	7,00	5,00	150,00			160,00	TO126
2SD1692	Si	NPN	15,00	150,00	100,00	8,00	3,00	150,00			3000,00	TO126
2SD1692G	Si	NPN	15,00	150,00	100,00	8,00	3,00	150,00			14000,00	TO126
2SD1692O	Si	NPN	15,00	150,00	100,00	8,00	3,00	150,00			3000,00	TO126
2SD1692Y	Si	NPN	15,00	150,00	100,00	8,00	3,00	150,00			7000,00	TO126
2SD1693	Si	NPN	15,00	80,00	60,00	8,00	3,00	150,00			4000,00	TO126
2SD1694	Si	NPN	10,00	80,00			3,00	150,00			1500,00	TO126
2SD1726	Si	NPN	25,00	60,00			7,00	175,00			4000,00	TO126
2SD1814	Si	NPN	30,00	120,00			10,00	150,00			5000,00	TO126
2SD1831	Si	NPN	70,00	100,00			10,00	150,00			1000,00	TO126
2SD1839	Si	NPN	80,00	365,00			5,00	150,00			20000,00	TO126
2SD1899L	Si	NPN	10,00	60,00	60,00	7,00	3,00	150,00	120,00	30,00	100,00	TO126F
2SD1900	Si	NPN	25,00	60,00			4,00	150,00			5000,00	TO126
2SD1901	Si	NPN	25,00	60,00			8,00	150,00			5000,00	TO126
2SD1923	Si	NPN	25,00	80,00			4,00	150,00			5000,00	TO126
2SD1924	Si	NPN	25,00	80,00			8,00	150,00			5000,00	TO126
2SD1925	Si	NPN	25,00	120,00			3,00	150,00			5000,00	TO126
2SD1926	Si	NPN	30,00	200,00	200,00		10,00	150,00			5000,00	TO126
2SD1927	Si	NPN	25,00	120,00	120,00		6,00	150,00			5000,00	TO126
2SD2032	Si	NPN	20,00	80,00			4,00	150,00			3000,00	TO126
2SD2034	Si	NPN	25,00	80,00			3,00	150,00			60,00	TO126
2SD2035	Si	NPN	25,00	80,00			4,00	150,00			60,00	TO126
2SD2036	Si	NPN	25,00	100,00			7,00	150,00			60,00	TO126
2SD2037	Si	NPN	20,00	60,00			3,00	150,00			60,00	TO126
2SD2038	Si	NPN	25,00	80,00			5,00	150,00			60,00	TO126
2SD2042	Si	NPN	20,00	60,00			5,00	150,00			10000,00	TO126
2SD2043	Si	NPN	25,00	120,00			6,00	150,00			10000,00	TO126
2SD2044	Si	NPN	25,00	80,00			3,00	150,00			1000,00	TO126
2SD2250	Si	NPN	100,00	160,00	140,00		7,00	150,00			6000,00	TO126
2SD479	Si	NPN	40,00	40,00		5,00	4,00	150,00			6000,00	TO126
2SD480	Si	NPN	40,00	60,00		5,00	4,00	150,00			6000,00	TO126
2SD481	Si	NPN	40,00	80,00		5,00	4,00	150,00			6000,00	TO126
2SD882	Si	NPN	10,00	40,00	30,00	5,00	3,00	150,00	90,00	45,00	60,00	TO126
2SD882G	Si	NPN	10,00	40,00	30,00	5,00	3,00	150,00	90,00	45,00	200,00	TO126
2SD882O	Si	NPN	10,00	40,00	30,00	5,00	3,00	150,00	90,00	45,00	100,00	TO126
2SD882R	Si	NPN	10,00	40,00	30,00	5,00	3,00	150,00	90,00	45,00	60,00	TO126
2SD882Y	Si	NPN	10,00	40,00	30,00	5,00	3,00	150,00	90,00	45,00	160,00	TO126
3DA3422	Si	NPN	10,00	40,00	40,00	5,00	3,00	150,00	100,00	35,00	80,00	TO126F TO225F
BD675BPL	Si	NPN	40,00	45,00	45,00	5,00	4,00	150,00	260,00		800,00	TO126
BTC1510T3	Si	NPN	10,00	150,00	150,00	5,00	10,00	150,00			2000,00	TO126
BTC1806D3	Si	NPN	15,00	100,00	50,00	6,00	5,00	150,00	210,00	25,00	250,00	TO126ML
BTD2150AD3	Si	NPN	10,00	50,00	50,00	5,00	3,00	150,00	90,00	45,00	180,00	TO126ML
BTD882D3	Si	NPN	10,00	50,00	50,00	5,00	3,00	150,00	90,00	45,00	180,00	TO126ML
BTD882ST3	Si	NPN	10,00	60,00	30,00	6,00	3,00	150,00	270,00	16,00	180,00	TO126
BTD882T3	Si	NPN	10,00	40,00	30,00	5,00	3,00	150,00	90,00	45,00	180,00	TO126
CSD1506P	Si	NPN	10,00	60,00	50,00	5,00	3,00	150,00	90,00	40,00	82,00	TO126
CSD1506Q	Si	NPN	10,00	60,00	50,00	5,00	3,00	150,00	90,00	40,00	120,00	TO126
CSD1506R	Si	NPN	10,00	60,00	50,00	5,00	3,00	150,00	90,00	40,00	180,00	TO126
CSD882	Si	NPN	10,00	40,00	30,00	5,00	3,00	150,00	90,00	45,00	60,00	TO126
CSD882E	Si	NPN	10,00	40,00	30,00	5,00	3,00	150,00	90,00	45,00	200,00	TO126
CSD882P	Si	NPN	10,00	40,00	30,00	5,00	3,00	150,00	90,00	45,00	160,00	TO126
CSD882Q	Si	NPN	10,00	40,00	30,00	5,00	3,00	150,00	90,00	45,00	100,00	TO126
CSD882R	Si	NPN	10,00	40,00	30,00	5,00	3,00	150,00	90,00	45,00	60,00	TO126
ECG2340	Si	NPN	45,00		60,00		8,00	150,00			2000,00	TO126
ECG2345	Si	NPN	60,00		120,00		6,00	150,00			750,00	TO126
ECG257	Si	NPN	70,00		80,00		5,00	150,00			750,00	TO126
ECG259	Si	NPN	75,00		100,00		8,00	150,00			250,00	TO126
FH681	Si	NPN	40,00	100,00	100,00	5,00	4,00	150,00			750,00	TO126
H882	Si	NPN	10,00	40,00	30,00	5,00	3,00	150,00	90(TYP)	45,00	60,00	TO126
HBD681	Si	NPN	40,00	100,00	100,00	5,00	4,00	150,00			750,00	TO126F
HD122	Si	NPN	40,00	100,00	100,00	5,00	5,00	150,00			1000,00	TO126ML
HS882	Si	NPN	10,00	40,00	30,00	5,00	3,00	150,00	90(TYP)	45,00	60,00	TO126
HSD882	Si	NPN	10,00	40,00	30,00	5,00	3,00	150,00	90,00	45,00	100,00	TO126ML
HT882	Si	NPN	10,00	40,00	30,00	5,00	3,00	150,00	90,00	45,00	100,00	TO126
KSD1691	Si	NPN	20,00	60,00	60,00	7,00	5,00	150,00			100,00	TO126
KSD1691O	Si	NPN	20,00	60,00	60,00	7,00	5,00	150,00			100,00	TO126
KSD1691Q	Si	NPN	20,00	60,00	60,00	7,00	5,00	150,00			200,00	TO126
KSD1691Y	Si	NPN	20,00	60,00	60,00	7,00	5,00	150,00			160,00	TO126
KSD1692	Si	NPN	15,00	150,00	100,00	8,00	3,00	150,00			3000,00	TO126
KSD1692G	Si	NPN	15,00	150,00	100,00	8,00	3,00	150,00			14000,00	TO126
KSD1692O	Si	NPN	15,00	150,00	100,00	8,00	3,00	150,00			3000,00	TO126
KSD1692Y	Si	NPN	15,00	150,00	100,00	8,00	3,00	150,00			7000,00	TO126
KSD1693	Si	NPN	15,00	80,00	60,00	8,00	3,00	150,00			4000,00	TO126
KSD882	Si	NPN	10,00	40,00	30,00	5,00	3,00	150,00	90,00	45,00	60,00	TO126
KSD882G	Si	NPN	10,00	40,00	30,00	5,00	3,00	150,00	90,00	45,00	200,00	TO126
KSD882O	Si	NPN	10,00	40,00	30,00	5,00	3,00	150,00	90,00	45,00	100,00	TO126
KSD882R	Si	NPN	10,00	40,00	30,00	5,00	3,00	150,00	90,00	45,00	60,00	TO126
KSD882Y	Si	NPN	10,00	40,00	30,00	5,00	3,00	150,00	90,00	45,00	160,00	TO126
KSE800	Si	NPN	40,00	60,00	60,00	5,00	4,00	150,00			750,00	TO126
KSE801	Si	NPN	40,00	60,00	60,00	5,00	4,00	150,00			750,00	TO126
KSE802	Si	NPN	40,00	80,00	80,00	5,00	4,00	150,00			750,00	TO126
KSE803	Si	NPN	40,00	80,00	80,00	5,00	4,00	150,00			750,00	TO126
KSH882	Si	NPN	10,00	40,00	30,00	5,00	3,00	150,00	90,00	45,00	60,00	TO126
KTC5706	Si	NPN	20,00	80,00	50,00	6,00	5,00	150,00	400,00	13,00	200,00	TO126
KTD1411	Si	NPN	15,00	80,00	60,00	10,00	4,00	150,00			3000,00	TO126
KTD1691	Si	NPN	20,00	60,00	60,00	7,00	5,00	150,00			160,00	TO126
KTD882	Si	NPN	10,00	40,00	30,00	5,00	3,00	150,00	90,00	45,00	100,00	TO126
MJE800	Si	NPN	40,00	60,00	60,00	5,00	4,00	150,00			750,00	TO126
MJE800G	Si	NPN	40,00	60,00	60,00	5,00	4,00	150,00			100,00	TO126
MJE801	Si	NPN	40,00	60,00	60,00	5,00	4,00	150,00			750,00	TO126
MJE802	Si	NPN	40,00	80,00	80,00	5,00	4,00	150,00			750,00	TO126
MJE802G	Si	NPN	40,00	80,00	80,00	5,00	4,00	150,00			100,00	TO126
MJE803	Si	NPN	40,00	80,00	80,00	5,00	4,00	150,00			750,00	TO126
MJE803G	Si	NPN	40,00	80,00	80,00	5,00	4,00	150,00			100,00	TO126
NTE2345	Si	NPN	60,00	120,00	120,00	5,00	6,00				750,00	TO126
SGS120	Si	NPN	65,00	60,00	60,00		5,00	175,00			1000,00	TO126
SGS121	Si	NPN	65,00	80,00	80,00		5,00	175,00			1000,00	TO126
SGS122	Si	NPN	65,00	100,00	100,00		5,00	175,00			1000,00	TO126
SGS130	Si	NPN	65,00	60,00	60,00		8,00	175,00			1000,00	TO126
SGS131	Si	NPN	65,00	80,00	80,00		8,00	175,00			1000,00	TO126
SGS132	Si	NPN	65,00	100,00	100,00		8,00	175,00			1000,00	TO126
SGS6386	Si	NPN	65,00	60,00	40,00		8,00	175,00			1000,00	TO126
SGS6387	Si	NPN	65,00	80,00	60,00		10,00	175,00			1000,00	TO126
SGS6388	Si	NPN	65,00	100,00	80,00		10,00	175,00			1000,00	TO126
ST2SD1691T	Si	NPN	20,00	60,00	60,00	7,00	8,00	150,00			100,00	TO126
ST2SD882HT	Si	NPN	10,00	60,00	30,00	5,00	3,00	150,00	90,00	45,00	60,00	TO126
ST2SD882T	Si	NPN	10,00	40,00	30,00	5,00	3,00	150,00	90,00	45,00	60,00	TO126
TSD882CK	Si	NPN	10,00	60,00	30,00	6,00	3,00	150,00	270,00	16,00	180,00	TO126
ZBD853	Si	NPN	25,00	200,00	100,00	6,00	4,00	200,00	130,00	35,00	100,00	TO126

Автор: Редакция сайта

D882 TRANSISTOR PDF

Европейская компания STMicroelectronics выпускает его в похожей по параметрам фирменной упаковке с наименованием SOT Слева на право: эмиттер Э , коллектор К , база Б. Распиновки их имеет зеркальный вариант, слева на право — БКЭ. Технические характеристики D имеет достаточно хорошие технические параметры. Не много транзисторов, в корпусе TO, могут похвастаться возможностью пропускать через себя импульсные токи величиной до 6 А.

Author:	Kazrataxe Nikorn
Country:	Bermuda
Language:	English (Spanish)
Genre:	Love
Published (Last):	21 November 2010
Pages:	196
PDF File Size:	1.94 Mb
ePub File Size:	4.49 Mb
ISBN:	145-4-81666-636-8
Downloads:	26770
Price:	Free* [*Free Regsitration Required]
Uploader:	Fenrimi

If the current is not limited both the LED and the D transistor can be damaged. The emitter pin of the D transistor is connected to the ground pin of the power supply. Step 5: Solder two sensing wires and the positive power wire to their respective places. Step 6: Now power the circuit. Led should be turned on when the water is touched in both sensing wires.

How It Works: As you can see, one of the sensing wires is directly connected with the positive supply. Other sensing wire is connected to the base pin of the D transistor through a resistor. When the water is touched in both sensing wires Conclusion: This circuit can be used to indicate an overflow of a water tank. Or a water level of a water tank.

You can integrate this with other circuits and fully automate the pump systems. You can visit here. Follow us for more projects or follow us on social media.

540 2EZ PDF

2SD882 Bipolar Transistor

DIABLO DEMONBANE PDF

transistor d882 Рекламный

FUNDUSZE PRZEDAKCESYJNE W POLSCE PDF

2SD882 D882 SOT-89 30V NPN SMD Transistor

FRESA Y CHOCOLATE SENEL PAZ PDF

How to Make Audio Amplifier Using D882 Transistor

Зарядка NoName для Samsung D880 Duos/E210/G600/L600/M600

Особые правила Соблюдайте любые особые предписания, действу…

Страница 3

Изображение
Текст

Особые правила

Соблюдайте любые особые предписания, действующие в той или иной ситуации, и обязательно выключайте телефон везде, где его использование запрещено, может вызывать помехи или создает угрозу безопасности.

Водонепроницаемость

Телефон не является водонепроницаемым. Оберегайте его от попадания влаги.

Разумное использование

Во время разговора радиотелефон должен находиться в обычном положении (рядом с ухом).

Вызов службы экстренной помощи

Введите местный номер экстренной службы, затем нажмите клавишу

Храните телефон в недоступном для детей месте

Храните телефон, а также все его компоненты и аксессуары в недоступном для детей месте.

Аксессуары и аккумуляторы

Используйте только рекомендованные компанией Samsung аккумуляторы и другие аксессуары, например гарнитуры и кабели для передачи данных. Использование любых аксессуаров, отличных от рекомендованных, может привести к поломке устройства, травме и представлять угрозу безопасности.

Квалифицированное обслуживание

Доверяйте ремонт телефона только квалифицированному персоналу.

Более подробную информацию по технике безопасности см. в разделе «Охрана здоровья и техника безопасности» на стр. 47.

• Замена аккумулятора на батарею неверного типа может

привести к взрыву.

• Утилизируйте использованные аккумуляторы в

соответствии с инструкциями изготовителя.

Длительное использование гарнитуры при очень высокой громкости может привести к нарушениям слуха.

Память и скорость работы

Под хранение файлов и других данных во внутренней памяти Samsung D880 зарезервировано 40 Мб

[пользователю доступно 36 Мб]. Не стоит забывать, что телефон поддерживает карты microSD до 4Гб.

За аппаратную часть слайдера отвечают два процессора

на базе ARM9 и ARM7. Первый работает на частоте 144 МГц, отвечает за Java-приложения и внутренние процессы. Второй обрабатывает процессы, связанные с обеспечением сотовой сети.

О данном руководстве, Специальные

Страница 4

Изображение
Текст

О данном руководстве

Данное руководство пользователя содержит краткие сведения об использовании телефона. В данном руководстве используются следующие обозначения.

Необходимо внимательно изучить приведенные далее сведения о безопасности и функциях телефона.

→

С помощью клавиш перемещения перейдите к указанному пункту, а затем выберите его.

[

]

Обозначает клавишу на телефоне например, [

Обозначает программную клавишу, функция которой отображается на экране телефона например, <Меню

• Одновременная работа двух SIM-карт

Оцените преимущества одновременного использования двух телефонных номеров без необходимости замены SIM-карт или использования двух телефонов.

Специальные

функции телефона

• Фото- и видеокамера

Встроенная камера телефона позволяет делать фотоснимки и записывать видео.

• MP3-плеер

Прослушивайте музыкальные файлы на телефоне. При воспроизведении музыки вы можете использовать другие функции телефона.

Samsung SGH-D880 DuoS — Серьёзный аппарат

В этом году мобильной связи в России исполнилось 20 лет. А мне в этом году исполняется 24 года! Т.е. чисто теоретически ещё в дошкольном возрасте мне уже можно было звонить корешам по мобиле и приглашать их выйти поиграть со мной в песочнице ☺. Увы, не судьба. Как вы сами знаете, у нас в стране мобильный телефон пришёл в массы только в начале XXI века. Пришёл внезапно, стремительно. Вместе с приходом телефонов пришли и муки выбора. Помните, как тяжело было выбрать свой первый телефон, хотя на прилавке было всего-то не более 20-ти моделей? Не менее тяжело было выбирать второй, третий телефон и т.д., ведь уже действительно было из чего выбрать! Вот и мой отец в 2008 году тоже серьёзно задумался…

Нужен был отцу новый мобильник. Старый Samsung Х100 вроде бы его всем устраивал. Но мы всей семьёй смогли отстоять свою точку зрения: деревянная труба не соответствует образу солидного мужчины! Надо приобрести что-то поприличней! Плюс ко всему отцу симку корпоративную выдали. Так что пусть Х100 остаётся как запасной, а в качестве основного надо купить что-нибудь новое. На этом короткий «семейный совет» закончился.

А по телику с утра до вечера рекламу крутят про новый телефон с двумя sim-картами. Крутят и крутят! В городе плакаты висят. Люди только про него и говорят. Никто его ещё в руках не держал, но сплетни уже разошлись быстрее, чем скорость света: стильный слайдер, дорогой, два полноценных радиомодуля, супер набор функций — это вам не китайское фуфло!!! Такой мобильник из кармана достанешь, и окружающих зависть живьём прямо изнутри сожрёт! Да и качественный должен быть, Samsung всё-таки. Одногруппник, работавший в салоне сотовой связи, говорил о бешеных темпах продаж таких аппаратов. Решили и мы остановить выбор на нём. Отцу подходит по всем критериям. И переходить с Самсунга на Самсунг ему было бы удобнее, т.к. в плане эксплуатации телефоны должны быть подобны (тут мы, конечно, ошиблись). Время шло, а философский вопрос «брать или не брать?» был всё ещё открыт.

В одно прекрасное утро я проснулся, умылся, оделся, поел и в универ ушёл. А когда вернулся домой — отец уже с порога начал хвастаться обновкой. Всё-таки купил! Так у нас

появился Samsung SGH-D880 DuoS. Да, действительно
у нас
, т.к. такой красавец, да ещё и с корпоративной симкой с 10-12 килорублями на балансе, стал пользоваться бешеной популярностью у всех членов семьи ☺.

Моя увлечённость мобильными устройствами в ту пору набирала силу, и отцовский телефон вызвал неподдельный интерес. По меню я мало шарился, там было много не понятных функций. Было просто приятно держать дорогую вещь в руках, наслаждаться её внешним видом. Две особенности аппарата сразу бросились в глаза. Во-первых, габариты. Даже для 2008 года телефон мне показался ужасно толстым! Я, конечно, сразу придумал ему оправдание: два радиомодуля внутри — это вам не в тапки гадить! Да и для мужской руки самое то! Во-вторых, сразу же обнаружился люфт между верхней и нижней частью корпуса. Ненужный зазор было видно невооружённым глазом, он чувствовался на ощупь при сдвиге и при этом противно скрипел. Оправдание этому я не придумал до сих пор. Ну не укладывается у меня в голове, как может быть в телефоне за 10 штук такое плохое качество сборки ☹.

С момента покупки прошло уже три года. Отец использует телефон до сих пор. Если бы он сам писал отзыв и пользовался бы стандартными вопросами Хелпикса, то часть текста выглядела бы примерно так:

… — Какие функции телефона вы используете часто? — Звонки, будильник.

— Какие функции телефона вы используете изредка? — Фотокамера.

— Какие функции не используете совсем? — Всё остальное.

— Были неприятности, ремонт, глюки? — Нет. …

Поэтому за отзыв взялся я и старался писать как можно более подробно. Благо, за три года накопилась информация и есть что поведать миру.

1. Как он выглядит

Тут, как говорится, лучше один раз увидеть, чем сто раз услышать. Хотя, думаю, первый самсунговский дуос знают «в лицо» практически все. Кто всё же не знает или забыл — смотрите фотки:

Кратко прокомментирую фотографии. Фото 1, 2 — лицевая сторона телефона соответственно в закрытом и открытом положении. Сразу обращают на себя внимание кнопки с бесформенными пятнами зелёного и красного цвета. Это, как можно догадаться, клавиши приёма и отбоя вызова. Почему-то именно они подверглись такому интенсивному износу. Да, согласен, они очень часто используются при эксплуатации мобильника, и, казалось бы, удивляться тут нечему. Но софт-клавиши и навигационная клавиша сохранились почти в первозданном виде, хотя, на мой взгляд, используются не реже (а то и чаще). Как такое получилось? Остальные элементы корпуса так же мало изношены (не вооружённым глазом сразу и не заметишь).

На фото 3 изображён правый бок телефона. Там располагается серебристая кнопка спуска камеры и аудио/ТВ/зарядный/USB-разъём, спрятанный под заглушкой. Есть тут и место крепления ремешка, но на фотке его почти не видно.

Фото 4 — левый бок телефона. Тут имеется серебристая спаренная клавиша регулировки громкости и кнопка переключения между sim-картами. Последняя не выступает за пределы корпуса, что исключает её случайные нажатия.

Фото 5 — телефон со снятой аккумуляторной батареей. Видны установленные симки и карта памяти.

Специально для оценки размеров устройства я сделал фотографию 6:

Тут рядом с объектом отзыва различные предметы обихода и герои других моих отзывов: безымянная NokLa (отзыв) и Alcatel OT-710D (отзыв).

Видно, что длина и ширина мобилы не очень большая. А что касается толщины, то, как я уже упоминал выше, телефон очень «толстый» (см. фото 3, 4), занимает более 18 мм пространства в этом направлении. Но, как бы там ни было, DuoS выглядит солидно. Думаю, что моё мнение по этому поводу поддерживают многие.

2. Обзор меню и личное мнение насчёт основных функций

На дисплее в режиме ожидания отображается вся необходимая информация. Что есть что, объяснять не буду, смотрите фото 7, там всё понятно. Меню (фото

— матрица 3*4, иконки местами не меняются. На мой взгляд, тут меню более продумано, чем в Samsung SGH-E790 (мой отзыв про него). Работать с устройством действительно удобно, всё что нужно — «на поверхности», что не нужно — спрятано поглубже.

Телефонная книга. Удобно ли будет пользоваться телефоном — во многом зависит именно от реализации телефонной книги.

На мой взгляд, в ДуоСе эта функция реализована превосходно. Для одного абонента можно сохранить 10 номеров и 2 e-mail адреса!!! В памяти телефона можно хранить до 1000 контактов. Имя и фамилия абонента записываются по отдельности, на каждое выделено по 20 символов. Персонализация контакта — картинка и мелодия звонка. Опции телефонной книги — аж 22 пункта! Настройки, состояние памяти, редактирование, печать через Bluetooth — вот некоторые из них. Выбор sim-карты, с которой следует произвести вызов, осуществляется специальной кнопкой (см. фото 4).

Работа двух sim-карт — главная особенность телефона. Радиомодуля тут два. А это значит, что при разговоре по одной симке вторая остаётся доступной. На неё так же можно принять входящий вызов и, переключаясь между симками, можно говорить то с одним, то с другим собеседником. Можно поступить по-другому. При разговоре по одной симке есть возможность самому совершить звонок по другой симке, не прерывая первого разговора. Всё реализовано на высшем уровне. Очень жаль, что не все телефоны с двумя симками способны на такое. Хотя, с другой стороны, не так уж часто возникает необходимость вести два разговора одновременно.

В журнале звонков можно посмотреть входящие, исходящие, пропущенные и последние вызовы. В этих списках вызовы с обеих sim-карт находятся вместе. Отсортировать их друг от друга невозможно. С одной стороны, это и не нужно. С другой стороны, даже в моём мегабюджетном Alcatel OT-710D такая функция есть и пользуюсь я ей часто (точнее, всегда, т.к. в отличие от ДуоСа там нельзя вызовы с разных симок объединить в один список). Так что даже не знаю, как расценивать такое положение дел…

Сообщения. Просмотр списков сообщений не отличается от просмотра списков вызовов — сообщения с обеих симок находятся в общей куче и разделить их нельзя (в Алкателе наоборот).

Sim-карта, которую следует использовать при отправке сообщения, выбирается так же, как и в случае с голосовым вызовом.

Стоит принять во внимание, что телефон хорошо держит сигнал сети (обоими радиомодулями) и без искажений воспроизводит голос собеседника. Тогда с учётом вышеизложенного могу подвести итог: основные функции телефона реализованы превосходно и как «звонилка» и «СМС-отправлялка/принималка» D880 сможет удовлетворить даже самого искушённого юзера.

3. Дополнительные функции

Сразу скажу, что перечень дополнительных функций не выходит за рамки обычного. Не стоит забывать, что D880 не смартфон, поэтому его функционал можно незначительно расширить лишь за счёт java-приложений.

Начну с камеры. Это моя любимая функция в ДуоСе. Вспышки, к сожалению, нет. Зато разрешение матрицы 3 мегапикселя и есть автофокус. Лично для меня автофокус в камере мобильного телефона вещь редкая. Не могу припомнить ни одного родственника или знакомого, чей девайс обладал бы такой функцией. Да и у меня таких телефонов не было никогда. Поэтому наличие автофокуса в ДуоСе вызывает у меня восхищение, иначе это чувство не назовёшь! Ведь в этом случае можно с лёгкостью фотографировать мелкие предметы, текст и вообще всё что хочешь, и не надо делать лишних телодвижений в попытках поймать оптимальное фокусное расстояние. Мне, как аспиранту-машиностроителю, часто приходится фотографировать «многоэтажные» формулы из книг (см. фото 17). Был бы ДуоС моим — у меня бы вообще проблем с этим не было (камера OT-710D не справляется с текстом, с цифровиком таскаться неохота). Не нравится только то, что при фотографировании отдалённых объектов (когда фотаешь пейзаж, например) получается несколько размытое изображение (фото 12). Т.е. на дальних расстояниях автофокус не срабатывает должным образом. Ниже привожу примеры фотографий, сделанные ДуоСом (все настройки по максимуму):

Погода была пасмурная, освещение само собой не очень, потому фотки на улице (11, 12, 13) явно не получились. А вот фото 14, 15 и 16 я считаю очень удачными — автофокус отработал на все 100%. На последней фотографии — разворот книги. Читабельным получился не только текст, но и формулы. На мой взгляд, камера отличная!

Видеокамера в мобильнике для меня не является интересной функцией. Поэтому буду краток: тут можно снимать видеоролики максимум 352*288, формат МР4, длина записи ограничивается свободной памятью. Сделал видеоролик, смотрите, что получилось (кстати, реально не мог придумать, что заснять, кроме движущихся автомобилей).

Комплектация, Начало работы

Страница 8

Изображение
Текст

Комплектация

Убедитесь в наличии всех компонентов

• Телефон • Зарядное устройство • Аккумулятор • Руководство пользователя Дополнительные аксессуары можно приобрести у местных дилеров компании Samsung.

Начало работы

Первые шаги при работе с телефоном

Подготовка телефона к работе и

зарядка

Комплект поставки телефона и дополнительные аксессуары, имеющиеся в наличии у дилеров компании Samsung, могут различаться в зависимости от страны или оператора мобильной связи.

Размеры. Комплект поставки

Samsung D880 Duos явно не относится к тонким аппаратам

. Судите сами, размеры слайдера составляют 104x51x20 мм при весе 121 грамм.

Первые эмоции у людей, которые брали аппарат в руки были: «Ой, какой пузатый!», «А он толстячок!». D880 действительно толстоват и тому есть причины. Производителю потребовалось дополнительное место для установки не одного, а сразу двух радиопередатчиков [для каждой из SIM-карт свой]. Толщину принесли в жертву функциональности. Носить «Duos» в брюках или в кармане рубашки неудобно.

Комплект поставки включает в себя:

Телефон Samsung D880 Duos
Аккумулятор 1200 мАч, литий-полимерный
Зарядное устройство
Стереогартитура
Интерфейсный кабель для синхронизации с ПК
Диск с программным обеспечением
Инструкция
Краткое руководство

Распиновка

Цоколевка транзистор d882 выполнена в пластмассовом корпусе ТО-126. Европейская компания STMicroelectronics выпускает его в похожей по параметрам фирменной упаковке с наименованием SOT-32. Слева на право: эмиттер (Э), коллектор (К), база (Б).

Многие производители выпускают D882 в корпусе для поверхностного монтажа на плату (SMD) — SOT-89. Распиновки их имеет зеркальный вариант, слева на право — БКЭ.

Справка об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора 2SD880-Y.

Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора 2SD880-Y

Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.

Можно попробовать заменить транзистор 2SD880-Y транзистором 2N6500; транзистором BD241A; транзистором КТ805АМ;

Биполярный транзистор D880 – описание производителя. Основные параметры.

Даташиты.

Наименование производителя: D880
Тип материала: Si

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100

Корпус транзистора: TO220

D880 Datasheet (PDF)

1.1. pmd880.pdf Size:129K _upd

PMD880 NPN SILICON TRIPLE DIFFSUED TRANSISTOR …designed for audio frequency power amplifier applications. TO-220AB MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 °C) Characteristic Symbol Value Unit Collector Base Voltage VCBO 60 V Collector Emitter Voltage VCEO 60 V Emitter Base Voltage VEBO 7 V Collector Current IC 3 A Base Current IB 0.5 A Collector Power Dissipation Ta = 25 °C Pc 1. 5 W Colle

1.2. ksd880.pdf Size:59K _fairchild_semi

KSD880 Low Frequency Power Amplifier � Complement to KSB834 TO-220 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25�C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Current 3 A IB Base Current 0.3 A PC Collector Dissip

1.3. 2sd880.pdf Size:149K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SD880 NPN SILICON TRANSISTOR NPN EPITAXIAL TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SD880 is designed for audio frequency power amplifier applications. FEATURES * High DC Current Gain: hFE=200(Max.)(VCE=5V, IC=0.5A) * Low Saturation Voltage: VCE(SAT)=1.0V(Max.)(IC=3A, IB=0.3A) * High Power Dissipation: PC=30W (TC=25°C) * Complementary to 2SB834 O

D882 TRANSISTOR PDF

Author:	Tam Bragar
Country:	Peru
Language:	English (Spanish)
Genre:	Technology
Published (Last):	27 February 2004
Pages:	16
PDF File Size:	15.98 Mb
ePub File Size:	2.37 Mb
ISBN:	494-8-38917-535-8
Downloads:	42362
Price:	Free* [*Free Regsitration Required]
Uploader:	Kigalrajas

Circuit Diagram: Circuit Diagram This is the basic circuit diagram of our water level indicator circuit. You can observe the positive pin of the LED is connected to the positive supply. Both these resistors are there to limit the current flowing through the led and the base pin of the D transistor as well. If the current is not limited both the LED and the D transistor can be damaged. The emitter pin of the D transistor is connected to the ground pin of the power supply.

Step 5: Solder two sensing wires and the positive power wire to their respective places. Step 6: Now power the circuit.

Led should be turned on when the water is touched in both sensing wires. How It Works: As you can see, one of the sensing wires is directly connected with the positive supply.

Other sensing wire is connected to the base pin of the D transistor through a resistor. When the water is touched in both sensing wires Conclusion: This circuit can be used to indicate an overflow of a water tank. Or a water level of a water tank. You can integrate this with other circuits and fully automate the pump systems. You can visit here. Follow us for more projects or follow us on social media.

EL CARCELERO DE ISBILIYA PDF

d882 transistor

DE QUEBRADORES Y CUMPLIDORES PDF

How to Make D882 Double Transistor to Audio Amplifier

CPCTC WORKSHEET PDF

2SD882 Bipolar Transistor

Распиновка транзистора

D882, эквивалент, применение, характеристики

2SD882 или D882 – это транзистор общего назначения в корпусе TO-126, в этом посте вы найдете распиновку транзистора D882, эквивалент, использование, функции, альтернативные замены и другие подробности об этом транзисторе.

Характеристики / технические характеристики:

Тип упаковки: TO-126
Тип транзистора: NPN
Максимальный ток коллектора (I _C): 3A
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (В _CE): 30 В
Максимальное напряжение коллектор-база (В _CB): 40 В
Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO): 5 В
Макс.рассеиваемая мощность коллектора (шт.): 10 Вт
Максимальная частота перехода (fT): 90 МГц
Минимальное и максимальное усиление постоянного тока (h _FE): 60-400
Максимальная температура хранения и эксплуатации должна быть: от -55 до +150 по Цельсию

Дополнительный PNP:

PNP Дополнительный 2SD882 – 2SB772.

Аналог:

BD349, MJE802, BD185, MJE182, BD189, TIP122L, BD131, BD187, 2SD1693, 2SC4342, 2SD1018, 2SD1712 (конфигурация выводов некоторых транзисторов может отличаться от D882, всегда проверяйте конфигурацию выводов перед использованием или заменой

в цепи)

2SD882 Транзистор объяснено / Описание:

2SD882 – транзистор общего назначения, и это устройство с довольно высокими характеристиками, в соответствии с его характеристиками, этот транзистор идеально подходит для использования в широком спектре электронных проектов для образовательных, коммерческих и любителей.D882 можно использовать для самых разных целей переключения и усиления. Он обладает некоторыми очень интересными функциями, максимальный ток коллектора составляет 3 А, чего достаточно для управления многими реле, светодиодами, лампами, двигателями, некоторыми частями электронной схемы и т. Д., Минимальное напряжение насыщения коллектора составляет всего 0,3 В.

Кроме того, с его выходной мощностью 10 Вт он может использоваться в выходном каскаде аудиоусилителя или также может использоваться отдельно в качестве усилителя.

Где и как использовать:

2SD882 можно использовать в различных приложениях.Например, его можно использовать в цепях питания, цепях регулятора напряжения, цепях зарядного устройства, приводных двигателях, переключении любой нагрузки до 3 А и т. Д. Часть из вышеуказанных приложений он также будет работать при использовании для усиления аудиосигналов, и его можно использовать. в небольших аудиоусилителях, выходных каскадах цепей приемника, цепях звонка, цепях, связанных со звуком и т. д.

Заявки:

Драйвер реле

Усилитель звука

Коммутационные нагрузки до 3 А

Дарлингтонские пары

Как безопасно продолжать работу в цепи:

Чтобы получить максимальную производительность от этого транзистора, рекомендуется не управлять нагрузкой более 3 А, всегда оставаться ниже 200 мА от максимальной номинальной нагрузки для безопасности и всегда использовать соответствующий радиатор.Не используйте устройство при напряжении выше 30 В и всегда используйте подходящий базовый резистор. Не эксплуатируйте и не храните транзистор при температуре ниже -55 по Цельсию и выше +150 по Цельсию.

транзистор% 20br% 20d882 техническое описание и примечания по применению

кб * 9Д5Н20П Аннотация: Стабилитрон khb9d0n90n 6v транзистор khb * 2D0N60P транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9D0N90N схема ktd998 транзистор Текст: текст файла отсутствует	Оригинал	PDF	2N2904E BC859 KDS135S 2N2906E BC860 KAC3301QN KDS160 2N3904 BCV71 KDB2151E хб * 9Д5Н20П khb9d0n90n Стабилитрон 6в хб * 2Д0Н60П транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI Схема КХБ9Д0Н90Н ktd998 транзистор
KIA78 * pI Аннотация: транзистор КИА78 * п ТРАНЗИСТОР 2Н3904 хб * 9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004АФ МОП-транзистор хб * 2Д0Н60П KIA7812API Текст: Текст файла отсутствует	Оригинал	PDF	2N2904E BC859 KDS135S 2N2906E BC860 KAC3301QN KDS160 2N3904 BCV71 KDB2151E KIA78 * pI транзистор KIA78 * р ТРАНЗИСТОР 2Н3904 хб * 9Д5Н20П khb9d0n90n KID65004AF Транзистор MOSFET хб * 2Д0Н60П KIA7812API
2SC4793 2sa1837 Аннотация: 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn to-220 транзистор 2SC5359 2SC5171 эквивалент транзистора 2sc5198 эквивалентный NPN транзистор Текст: текст файла отсутствует	Оригинал	PDF	2SA2058 2SA1160 2SC2500 2SA1430 2SC3670 2SA1314 2SC2982 2SC5755 2SA2066 2SC5785 2SC4793 2sa1837 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор нпн к-220 транзистор 2SC5359 Транзисторный эквивалент 2SC5171 2sc5198 эквивалент NPN транзистор
транзистор Аннотация: транзистор ITT BC548 транзистор pnp транзистор pnp BC337 транзистор pnp BC327 транзистор NPN pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 транзистор PNP Текст: текст файла отсутствует	OCR сканирование	PDF	2N3904 2N3906 2N4124 2N4126 2N7000 2N7002 BC327 BC328 BC337 BC338 транзистор транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор BC327 NPN транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 ТРАНЗИСТОР PNP
CH520G2 Аннотация: Транзистор CH520G2-30PT цифровой 47к 22к PNP NPN FBPT-523 транзистор npn переключающий транзистор 60в CH521G2-30PT R2-47K транзистор цифровой 47к 22к 500ма 100мА Ch4904T1PT Текст: Текст файла отсутствует	Оригинал	PDF	A1100) QFN200 CHDTA143ET1PT FBPT-523 100 мА CHDTA143ZT1PT CHDTA144TT1PT CH520G2 CH520G2-30PT транзистор цифровой 47к 22к ПНП НПН FBPT-523 транзистор npn переключающий транзистор 60 в CH521G2-30PT R2-47K транзистор цифровой 47k 22k 500ma 100ma Ch4904T1PT
транзистор 45 ф 122 Аннотация: Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 136634 транзистор tlp 122 транзистор транзистор ac 127 транзистор 502 транзистор f 421 Текст: Текст файла отсутствует	OCR сканирование	PDF	TLP120 TLP121 TLP130 TLP131 TLP160J транзистор 45 ф 122 Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 136 634 транзистор TLP 122 ТРАНЗИСТОР транзистор ac 127 транзистор 502 транзистор f 421
CTX12S Резюме: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F Текст: Текст файла недоступен	Оригинал	PDF	2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F
Варистор RU Аннотация: Транзистор SE110N 2SC5487 SE090N 2SA2003 Транзистор высокого напряжения 2SC5586 SE090 RBV-406 Текст: Текст файла отсутствует	Оригинал	PDF	2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор РУ SE110N транзистор 2SC5487 SE090N 2SA2003 транзистор высокого напряжения 2SC5586 SE090 РБВ-406
Q2N4401 Аннотация: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751 Текст: Текст файла недоступен	Оригинал	PDF	RD91EB Q2N4401 D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751
fn651 Резюме: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343 Текст: Текст файла недоступен	Оригинал	PDF	2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 fn651 CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 РБВ-4156Б SLA4037 2sk1343
2SC5471 Аннотация: Транзистор 2SC5853 2sa1015 Транзистор 2sc1815 Транзистор 2SA970 Транзистор 2SC5854 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий PNP-транзистор Текст: Текст файла отсутствует	Оригинал	PDF	2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 2SC2240 2SA970 2SC2459 2SA1049 A1587 2SC4117 2SC5471 2SC5853 2sa1015 транзистор 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP
Mosfet FTR 03-E Аннотация: mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона V / 65e9 транзистор 2SC337 mosfet ftr 03 транзистор DTC143EF Текст: текст файла отсутствует	OCR сканирование	PDF	2SK1976 2SK2095 2SK2176 О-220ФП 2SA785 2SA790 2SA790M 2SA806 Mosfet FTR 03-E mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона Транзистор V / 65e9 2SC337 mosfet ftr 03 транзистор DTC143EF
fgt313 Аннотация: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A Diode SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096 диод ry2a Текст: Текст файла отсутствует	Оригинал	PDF	2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 fgt313 транзистор fgt313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 fgt412 РБВ-3006 FMN-1106S SLA5096 диод ry2a
транзистор 91330 Аннотация: ТРАНЗИСТОР tlp 122 R358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120 Текст: Текст файла отсутствует	OCR сканирование	PDF	4Н25А 4Н29А 4Н32А 6Н135 6N136 6N137 6N138 6N139 CNY17-L CNY17-M транзистор 91330 ТРАНЗИСТОР TLP 122 R358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120

1999 – ТВ системы горизонтального отклонения Резюме: РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРОВ an363 TV горизонтальные отклоняющие системы 25 транзисторов горизонтальное сечение tv горизонтальное отклонение переключающие транзисторы TV горизонтальные отклоняющие системы mosfet горизонтальное сечение в электронном телевидении CRT TV электронная пушка TV обратноходовой трансформатор Текст: текст в файле отсутствует	Оригинал	PDF	16 кГц 32 кГц, 64 кГц, 100 кГц.Системы горизонтального отклонения телевизора РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРОВ an363 Системы горизонтального отклонения телевизора 25 транзистор горизонтального сечения тв Транзисторы переключения горизонтального отклонения ТВ системы горизонтального отклонения MOSFET горизонтальный участок в ЭЛТ телевидении Электронная пушка для телевизора Обратный трансформатор ТВ
транзистор Аннотация: силовой транзистор npn к-220 транзистор PNP PNP МОЩНЫЙ транзистор TO220 демпферный диод транзистор Дарлингтона силовой транзистор 2SD2206A npn транзистор Дарлингтона TO220 Текст: Текст файла отсутствует	Оригинал	PDF	2SD1160 2SD1140 2SD1224 2SD1508 2SD1631 2SD1784 2SD2481 2SB907 2SD1222 2SD1412A транзистор силовой транзистор нпн к-220 транзистор PNP ПНП СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР ТО220 демпферный диод Транзистор дарлингтона силовой транзистор 2SD2206A npn darlington транзистор ТО220
1999 – транзистор Аннотация: МОП-транзистор POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2sk 2SK тип Низкочастотный силовой транзистор n-канальный массив fet высокочастотный транзистор TRANSISTOR P 3 транзистор mp40 список Текст: Текст файла отсутствует	Оригинал	PDF	X13769XJ2V0CD00 О-126) MP-25 О-220) MP-40 MP-45 MP-45F О-220 MP-80 MP-10 транзистор МОП МОП-транзистор 2sj 2sk транзистор 2ск Тип 2СК Низкочастотный силовой транзистор n-канальный массив FET высокочастотный транзистор ТРАНЗИСТОР P 3 транзистор mp40 список
транзистор 835 Аннотация: Усилитель с транзистором BC548, стабилизатор транзистора AUDIO Усилитель с транзистором BC548, транзистор 81 110 Вт 85 транзистор 81 110 Вт 63 транзистор транзистор 438 транзистор 649 РУКОВОДСТВО ПО ТРАНЗИСТОРАМ Текст: Текст файла отсутствует	OCR сканирование	PDF	BC327; BC327A; BC328 BC337; BC337A; BC338 BC546; BC547; BC548 BC556; транзистор 835 Усилитель на транзисторе BC548 ТРАНЗИСТОРНЫЙ регулятор Усилитель АУДИО на транзисторе BC548 транзистор 81110 вт 85 транзистор 81110 вт 63 транзистор транзистор 438 транзистор 649 НАПРАВЛЯЮЩАЯ ТРАНЗИСТОРА
2002 – SE012 Аннотация: sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 sanken SE140N STA474 UX-F5B Текст: Текст файла отсутствует	Оригинал	PDF	2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 SE012 sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 Санкен SE140N STA474 UX-F5B
2SC5586 Реферат: транзистор 2SC5586 диод RU 3AM 2SA2003 СВЧ диод 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A RG-2A Diode Dual MOSFET 606 2sc5287 Текст: Текст файла отсутствует	Оригинал	PDF	2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 2SC5586 транзистор 2SC5586 диод РУ 3АМ 2SA2003 диод СВЧ 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A Диод РГ-2А Двойной полевой МОП-транзистор 606 2sc5287
pwm инверторный сварочный аппарат Аннотация: KD224510 250A транзистор Дарлингтона Kd224515 Powerex демпферный конденсатор инвертор сварочная схема KD221K75 kd2245 kd224510 инструкция по применению транзистор Текст: текст файла отсутствует	OCR сканирование	PDF
варикап диоды Аннотация: БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР gsm-модуль с микроконтроллером МОП-транзистор с каналом p Hitachi SAW-фильтр с двойным затвором МОП-транзистор в УКВ-усилителе Транзисторы MOSFET-транзистор с каналом p MOSFET-транзистор Hitachi VHF fet lna Низкочастотный силовой транзистор Текст: текст отсутствует	OCR сканирование	PDF	PF0032 PF0040 PF0042 PF0045A PF0065 PF0065A HWCA602 HWCB602 HWCA606 HWCB606 варикап диоды БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР модуль gsm с микроконтроллером P-канал MOSFET Hitachi SAW фильтр МОП-транзистор с двойным затвором в усилителе УКВ Транзисторы mosfet p channel Мосфет-транзистор Hitachi vhf fet lna Низкочастотный силовой транзистор
Лист данных силового транзистора для ТВ Аннотация: силовой транзистор 2SD2599 эквивалент 2SC5411 транзистор 2sd2499 2Sc5858 эквивалентный транзистор 2SC5387 2SC5570 компоненты в горизонтальном выходе Текст: Текст файла отсутствует	Оригинал	PDF	2SC5280 2SC5339 2SC5386 2SC5387 2SC5404 2SC5411 2SC5421 2SC5422 2SC5445 2SC5446 Техническое описание силового транзистора телевизора силовой транзистор 2SD2599 эквивалент транзистор 2sd2499 2Sc5858 эквивалент транзистор 2SC5570 компоненты в горизонтальном выводе
2009 г. – 2sc3052ef Аннотация: 2n2222a SOT23 КОД SMD МАРКИРОВКИ s2a 1N4148 SMD LL-34 КОД SMD ТРАНЗИСТОРА SOT23 2n2222 sot23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 полупроводник перекрестная ссылка toshiba smd маркировочный код транзистора Текст файла отсутствует.	Оригинал	PDF	24 ГГц BF517 B132-H8248-G5-X-7600 2sc3052ef 2n2222a SOT23 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА s2a 1Н4148 СМД ЛЛ-34 ПАКЕТ SMD КОДА ТРАНЗИСТОРА SOT23 2н2222 сот23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 перекрестная ссылка на полупроводник toshiba smd маркировка транзистора
2007 – DDA114TH Аннотация: DCX114EH DDC114TH Текст: Текст файла недоступен	Оригинал	PDF	DCS / PCN-1077 ОТ-563 150 МВт 22 кОм 47 кОм DDA114TH DCX114EH DDC114TH

Распиновка транзистора BD139, характеристики, эквивалент и техническое описание

BD139 – NPN транзистор средней мощности

BD139 NPN транзистор

Распиновка транзистора BD139

Нажмите, чтобы увеличить

Конфигурация контактов

Номер контакта	Имя контакта	Описание
1	Излучатель	Ток утекает через эмиттер, нормально соединенный с землей
2	Коллектор	Ток протекает через коллектор, обычно подключенный к нагрузке
3	База	Управляет смещением транзистора. Используется для включения или выключения транзистора.

Характеристики

Пластиковый корпус NPN-транзистора
Непрерывный ток коллектора (IC) составляет 1,5 А
Напряжение коллектор-эмиттер (VCE) 80 В
Напряжение коллектор-база (VCB) 80В
Напряжение пробоя базы эмиттера (VBE) составляет 5 В
Коэффициент усиления постоянного тока (hfe) от 40 до 160
Доступен в упаковке К-225

Примечание. Полную техническую информацию о можно найти в описании транзистора BD139 в нижней части этой страницы.

BD139 Эквивалентные NPN транзисторы

BD136, BD138, BD140

Альтернатива транзистору BD139

D882

Другие NPN транзисторы

TIP31C, SL100, S8050, BC547, 2N2222, 2N4401

BD139 Обзор транзистора

BD139 – это NPN-транзистор, поэтому коллектор и эмиттер будут оставаться открытыми (с обратным смещением), когда базовый вывод удерживается на земле, и будут закрыты (с прямым смещением), когда сигнал подается на базовый вывод

BD139 имеет значение усиления от 40 до 160, это значение определяет мощность усиления транзистора.Максимальный ток, который может протекать через вывод коллектора, составляет 1,5 А, поэтому мы не можем подключать нагрузки, потребляющие более 1,5 А, с помощью этого транзистора. Для смещения транзистора мы должны подавать ток на вывод базы, этот ток (IB) должен быть ограничен до 1/10 тока коллектора, а напряжение на выводе база-эмиттер должно быть максимум 5 В.

Когда этот транзистор полностью смещен, он может позволить току максимум 1,5 А через коллектор и эмиттер. Этот этап называется областью насыщения, и типичное напряжение, допустимое на коллектор-эмиттер (VCE) или базовый эмиттер (VBE), может составлять 80 В.Когда ток базы снимается, транзистор полностью отключается, этот этап называется зоной отсечки.

Изначально BD139 производился компанией Phillips с частотой 160 МГц для определенных аудиоприложений, позже они были клонированы другими производителями, такими как Samsung, ST и т. Д.

Где использовать BD136 Транзистор

Являясь NPN-транзистором средней мощности с током коллектора 1,5 А, этот транзистор может использоваться для управления (вкл. / Выкл.) Большими нагрузками, потребляющими менее 1.5А. Он также имеет очень меньшее напряжение насыщения (напряжение базового эмиттера VBE), всего 5 В, что упрощает использование этой ИС в цифровой электронике, которая имеет рабочее напряжение 5 В.

Еще одна особенность этого транзистора заключается в том, что он поставляется в пластиковом корпусе, в то время как большинство транзисторов средней мощности доступны только в металлическом корпусе. Это снижает стоимость транзистора, а также, поскольку корпус не проводящий, на него не будут влиять другие шумы в цепи. Благодаря этой особенности этот транзистор широко используется в усилителях.

Итак, если вы ищете NPN-транзистор средней мощности в пластиковом корпусе, то этот транзистор может быть для вас правильным выбором.

Приложения

Радиочастотные усилители
Цепи переключения
Цепи усиления
Усилители звуковой частоты
Цепи драйвера нагрузки

Размеры (ТО-225)

Выбор замены транзистора »Примечания по электронике

При ремонте схемы или даже при создании новой часто невозможно найти точный компонент электроники – мы расскажем вам, как выбрать подходящую замену.

Transistor Tutorial:
Transistor Basics Усиление: Hfe, hfe и бета Характеристики транзистора Коды нумерации транзисторов и диодов Выбор транзисторов на замену

При работе с электронным оборудованием, будь то проектирование электронных схем, сборка или ремонт, иногда необходимо выбрать транзистор для замены. Либо тип транзистора может не оказаться под рукой, либо он может быть недоступен.

К счастью, обычно можно использовать тип транзистора для замены, так как часто существует значительная степень совпадения между спецификациями различных типов транзисторов, и, глядя на основные характеристики, обычно можно выбрать правильные заменяемые транзисторы.

Это объяснение сосредоточено на биполярных транзисторах, но можно применить аналогичную логику к другим электронным компонентам, включая полевые транзисторы, чтобы гарантировать, что можно найти подходящую замену.

При поиске подходящей замены транзистора необходимо ознакомиться с основными техническими характеристиками транзистора. После определения характеристик и параметров транзистора можно проверить наличие других типов транзисторов для замены с аналогичными параметрами, которые смогут работать в рассматриваемой схеме.

При рассмотрении возможных замен транзисторов необходимо учитывать множество параметров. К ним будут относиться основные параметры работы транзистора. Они также будут включать параметры, связанные с окружающей средой, и физические параметры. Все это необходимо учитывать при выборе подходящего транзистора на замену.

BC547 Транзистор с пластиковыми выводами

Основные параметры транзистора

К счастью, многие транзисторы, используемые в разработке электронных схем, относятся к типам общего назначения.Их спецификации не особенно требовательны, и можно использовать различные транзисторы общего назначения. Сегодня характеристики даже транзисторов общего назначения чрезвычайно высоки, и их можно использовать в самых разных приложениях.

Однако следует более пристально рассмотреть транзисторы, которые выполняют более строгую роль. Их спецификации необходимо изучить более внимательно, чтобы гарантировать, что любые заменители будут иметь аналогичную спецификацию.

При поиске подходящей замены транзистора необходимо учитывать следующие основные параметры транзистора:

Используемый полупроводниковый материал: Большинство транзисторов изготовлены из германия или кремния.Другие типы обычно используются только в очень специализированных приложениях.
Важно знать, какой тип транзистора, потому что существует разница в падении напряжения прямого смещения базы-эмиттера. Для германия оно составляет около 0,2 – 0,3 вольт, а для кремния – около 0,6 вольт. Схема будет рассчитана на конкретное падение напряжения.
Полярность: Совершенно необходимо выяснить, является ли транзистор типом NPN или PNP.Установите неправильный тип, и он испытает напряжение, обратное всем ожидаемым, и, вероятно, будет разрушено. Типы транзисторов: символы цепи транзистора NPN и транзистора PNP
Общее применение: Хотя не всегда необходимо точно соответствовать предполагаемому назначению транзистора, различные области его характеристик будут адаптированы к предполагаемому применению.
Возможные типы приложений могут включать: коммутационные, аналоговые, маломощные, ВЧ-усилители, малошумящие и т. Д.Введите правильный шрифт, и он может не работать. Например, маломощный транзистор общего назначения вряд ли будет хорошо работать в коммутационном приложении, даже если он имеет высокий предел или предел частоты.
Корпус и схема расположения выводов: У транзисторов много корпусов. Часто необходимо как можно точнее подобрать заменяющий корпус транзистора, чтобы транзистор мог физически соответствовать. Также в пакете могут быть указаны другие параметры.
Пробой напряжения: Необходимо убедиться, что транзистор способен выдерживать напряжения, которые он может увидеть. Необходимо проверить параметры транзистора, такие как Vceo и т. Д.
Коэффициент усиления по току: . Параметр усиления по току транзистора обычно имеет очень широкий разброс. Обычно это цитируется как Β или hfe. Хотя они немного отличаются, для всех эквивалентных схем такого рода параметры транзисторов одинаковы.
Необходимо выбрать транзистор на замену с примерно таким же коэффициентом усиления по току. Обычно не проблема подобрать транзистор на замену с более высоким коэффициентом усиления. Часто может быть приемлемо меньшее усиление по току.
Предел частоты: Верхний предел частоты для транзистора обычно указывается в его футах. Обычно важно обеспечить соответствие транзистора любым частотным ограничениям.
Рассеиваемая мощность: Необходимо убедиться, что заменяемый транзистор может рассеивать достаточную мощность.Часто тип упаковки является хорошим показателем этого.

Это основные параметры, которые важны для большинства приложений, но обратите внимание на любые другие параметры транзистора, которые могут потребоваться при выборе транзистора для замены.

Подбор транзистора на замену

При выборе подходящего заменяющего транзистора для использования в электронной схеме необходимо учитывать несколько этапов при выборе.Они могут быть продвинуты в логическом порядке, чтобы сузить выбор и сделать лучшую альтернативу замене транзистора.

Пошаговая инструкция:

Выберите транзистор той же полярности: Первый главный критерий выбора – это транзистор PNP или NPN.
Выберите транзистор для замены из того же материала: Большинство транзисторов либо кремниевые, либо германиевые.Поскольку напряжения смещения и другие характеристики различаются, необходимо выбрать транзистор для замены из того же материала.
Выберите тот же функциональный тип транзистора: Транзисторы обычно имеют указание на их применение в технических описаниях. Если возможно, замена должна иметь такое же применение.
Выберите замену в том же корпусе: Выбор транзистора на замену с тем же корпусом и распиновкой значительно упростит замену.Различия в корпусе для транзисторов с малым сигналом обычно не являются проблемой, но для более крупных, где могут быть задействованы радиаторы и т. Д., Разные пакеты могут вызвать серьезные проблемы.
Также, если соединения контактов различны, следует позаботиться о том, чтобы правильные выводы были выбраны правильными соединениями. Распиновка многих транзисторов – EBC, но есть и другие конфигурации выводов, которые могут легко запутать многих людей.
Выберите транзистор на замену с тем же напряжением пробоя: Убедитесь, что значения для V _CEO и V _CBO и т. Д. Не меньше, чем у исходного транзистора.
Проверьте, может ли он принимать ток: Убедитесь, что новый транзистор может пропускать требуемый ток – он должен иметь I _Cmax больше или равное исходному транзистору.
Выберите транзистор с аналогичным Hfe: Необходимо убедиться, что коэффициент усиления по току заменяющего транзистора примерно такой же, как у исходного. Значения коэффициента усиления по току обычно сильно различаются даже для транзисторов одного типа, поэтому допустимы некоторые вариации.
Выберите транзистор для замены с эквивалентным Ft: Необходимо убедиться, что транзистор для замены сможет работать на соответствующих частотах, поэтому рекомендуется использовать аналогичный или немного более высокий Ft. Не выбирайте транзистор с гораздо более высоким Ft, так как это может увеличить риск колебаний.
Выберите транзистор с аналогичным рассеиванием мощности: Необходимо убедиться, что заменяющий транзистор может справиться с мощностью, которая будет рассеиваться внутри схемы.Выбор транзистора на замену с аналогичным типом банки часто означает, что оба транзистора имеют одинаковую рассеиваемую мощность.
Проверьте наличие каких-либо специальных функций: Убедитесь, что выбраны перечисленные выше функции, но могут быть некоторые дополнительные функции, которые необходимо учитывать. Обычно они требуются, когда транзисторы используются в специализированных приложениях.

После выбора транзистора для замены его можно установить в схему и проверить работоспособность.В большинстве случаев он будет работать удовлетворительно, но иногда могут возникать проблемы. В этом случае необходимо повторно изучить способ, которым был сделан выбор транзистора для замены, и посмотреть, были ли допущены какие-либо ошибки, или поискать другие параметры, которые могут повлиять на работу схемы транзистора.

Что делать, если я не могу найти оригинальные детали транзистора?

Иногда очень легко узнать параметры конкретного транзистора, поскольку их можно найти в Интернете или в справочнике транзисторов.Если это невозможно, потому что маркировка не видна, или данные не могут быть найдены, то не все потеряно.

По-прежнему можно многое узнать о транзисторе из его корпуса, а также о схеме, в которой он используется. Таким образом обычно можно найти подходящий транзистор на замену. Приведенные ниже пошаговые инструкции помогут определить основные параметры транзистора.

Пошаговая инструкция:

Эти инструкции изложены в примерном порядке: сначала наиболее значимые параметры следуют за менее значимыми:

Это транзистор? Это может показаться очевидным вопросом, но иногда некоторые устройства могут показаться транзисторами на первый взгляд.Это может быть полевой транзистор, транзистор Дарлингтона или даже какое-то другое устройство. В качестве альтернативы, иногда небольшие регуляторы напряжения содержатся в корпусах, подобных корпусу транзистора. Другие устройства также могут появляться в корпусах, которые на первый взгляд могут показаться транзисторными. Тщательное изучение заявки позволит убедиться в этом.
Кремний или германий: Важно выяснить, является ли транзистор кремниевым или германиевым.Обнаружить это можно разными способами. Если исходный транзистор все еще работает, это можно обнаружить, измерив напряжение на переходе база-эмиттер, когда он смещен в прямом направлении. Это должно быть от 0,2 до 0,3 В для германиевого транзистора и 0,6 В для других разновидностей. В качестве альтернативы можно определить тип, посмотрев на другие транзисторы в схеме. Часто во всем оборудовании используется одна и та же технология. Это не всегда так, поэтому будьте осторожны!
Рассеиваемая мощность: Это часто определяется корпусом, в котором размещен транзистор.Посмотрите спецификации других транзисторов в тех же корпусах, и это послужит хорошим ориентиром. Пакеты, предназначенные для установки на радиаторах, будут более гибкими, потому что они часто могут рассеивать больше мощности в зависимости от радиатора. С этими пакетами лучше быть осторожнее.
Максимальное напряжение: Представление о максимальном напряжении можно получить из схемы, в которой оно используется. На всякий случай убедитесь, что максимальное рабочее напряжение заменяемого транзистора как минимум в два раза превышает напряжение шины цепи, в которой он работает
Текущее усиление: Текущее усиление транзисторов, как известно, трудно определить.Транзисторы большой мощности часто предлагают меньшее усиление – более старые типы силовых транзисторов могут иметь всего 20-50, тогда как транзисторы меньшего размера могут обеспечивать коэффициент усиления где-то между 50 и 1000.
Максимальная частота: Необходимо убедиться, что сменный транзистор способен работать на требуемой частоте. Посмотрите на компоненты схемы и функции схемы. Обычно можно оценить частоту срабатывания. Затем возьмите это и выберите транзистор на замену, который может легко работать на этой частоте.
Любое другое: Хотя большинство основных моментов было рассмотрено в пунктах выше, всегда лучше следить за другими параметрами, которые могут повлиять на выбор замены транзистора. Это особенно верно для специализированных схем, где некоторые особенности производительности могут быть критичными.

Выбрать транзистор для замены обычно довольно просто. Доступно огромное количество типов транзисторов, и спецификации многих типов транзисторов совпадают, что во многих случаях делает выбор транзистора для замены довольно простым.

Часто бывает полезно проверить складские запасы у местных продавцов или надежных дистрибьюторов электронных компонентов. Часто бывает необходимо выбрать транзистор, который можно получить быстро и легко. Проверка того, что может быть доступно у продавца или дистрибьютора электронных компонентов, поможет принять окончательное решение.

Возможность выбора транзистора на замену может быть очень полезной, если не удается найти точный тип транзистора. Вполне вероятно, что похожий может быть доступен под рукой или, возможно, у местного продавца.В любом случае полезно иметь возможность выбрать заменяющий транзистор с хорошей вероятностью его работы.

Другие электронные компоненты:
резисторы Конденсаторы Индукторы Кристаллы кварца Диоды Транзистор Фототранзистор Полевой транзистор Типы памяти Тиристор Разъемы Разъемы RF Клапаны / трубки Аккумуляторы Переключатели Реле
Вернуться в меню «Компоненты».. .

Основная информация о транзисторе D882

Транзистор – это устройство, которое управляет потоком электроэнергии и электронных сигналов в схему. Он имеет способность усиливать и переключать электронный сигнал, чтобы помочь электронной схеме выполнить определенное действие для электронного устройства.

Транзистор D882 – это обычный тип транзистора, который используется во многих электрических приложениях. Чаще всего он используется в схемах зарядных устройств, схемах регуляторов напряжения, схемах питания, усилителях аудиосигналов и приводных двигателях.Например, в усилителях звука чаще всего используется транзистор D882. Все, от цепей звонка до цепей приемника, использует этот транзистор.

Вот технические характеристики транзистора D882:

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 30 В
Максимальное напряжение коллектор-база: 40 В
Максимальный ток коллектора: 3A
Максимальное напряжение эмиттер-база: 5 В
Максимальное рассеивание коллектора: 10 Вт
Максимальная частота перехода: 90 МГц
Минимальное усиление постоянного тока: 60
Максимальное усиление постоянного тока: 400

Из этого транзистора можно сделать целый аудиоусилитель.Просто обратите внимание, что его максимальный ток коллектора составляет 3А, что означает, что все переключаемые нагрузки должны быть менее 3А. Это обеспечит безопасность при работе с усилителем. Но должен быть и хороший базовый резистор. А если вы эксплуатируете транзистор при температуре ниже -55 ° C или выше 150 ° C, то ваш транзистор выйдет из строя.

D882-BP datasheet – Технические характеристики: Полярность: NPN; Тип корпуса: PLASTIC,

0-1393845-4 : реле Dpco 12 В постоянного тока.

1N5407 : Пакет = DO-201AD ;; Максимум.Обратное напряжение VRM (В) = 800 ;; Максимум. Aver. Rect. Текущий io (A) = 3 ;; Ifsm (A) = 200.

1N5817Gthru1N5819G :. Пластиковый пакет имеет классификацию воспламеняемости в лаборатории Underwriters 94V-0 Низкие потери мощности, высокий КПД Для использования в низковольтных высокочастотных инверторах, в приложениях защиты от свободного хода и защиты от полярности. Защитное кольцо для защиты от перенапряжения. миллиметров) Корпус: формованный пластик JEDEC DO-204AL.

2SC5623 :.Что касается изменения названий, упомянутых в документе, таких как Hitachi Electric и Hitachi XX, на Renesas Technology Corp. Полупроводниковые операции Mitsubishi Electric и Hitachi были переданы Renesas Technology Corporation 1 апреля 2003 года. Эти операции включают микрокомпьютер, логику, аналоговую и дискретные устройства, и микросхемы памяти.

BUZ173 : P-канальный силовой транзистор Sipmos. Максимальные характеристики Параметр Обозначение Значения Единица Рабочая температура Температура хранения Термическое сопротивление корпуса микросхемы Тепловое сопротивление микросхемы в соответствии с окружающей средой Категория влажности DIN, климатическая категория DIN 40 IEC, Электрические характеристики DIN IEC 68-1, = 25C, если не указано иное Параметр Обозначение мин.Динамические характеристики Значения тип. Максимум. Единица .

FR101G : Стекло пассивировано. Пакет = ДО-41 ;; Максимум. Обратное напряжение VRM (В) = 50 ;; Максимум. Aver. Rect. Текущий io (A) = 1 ;; Ifsm (A) = 30.

FZT653 : NPN-транзистор средней мощности. ВЫПУСК 3 ФЕВРАЛЬ 1995 * Низкое напряжение насыщения ДОПОЛНИТЕЛЬНАЯ ИНФОРМАЦИЯ ТИПА ПАРАМЕТРЫ FZT753 Напряжение коллектор-база Коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Пиковое импульсное напряжение Непрерывный ток коллектора Рассеиваемая мощность при Tamb = 25 ° C Диапазон рабочих температур и температур хранения ПАРАМЕТР Коллектор-база Напряжение пробоя Коллектор -Эмиттер.

IRLI2203G : Силовой полевой МОП-транзистор HexFET (r): 30 В, 52a. Усовершенствованный технологический процесс Изолированный корпус со сверхнизким сопротивлением при высоковольтной изоляции = 2,5 кВ (среднеквадратичное значение) между стоком и проводом на пути утечки. = 4,8 мм логический привод затвора RDS (включен) и полевые транзисторы HEXFET четвертого поколения 10 В от International Rectifier используют передовые технологии обработки для достижения минимально возможного сопротивления в открытом состоянии на площади кремния. Это преимущество.

UGF18CT :. Обратное напряжение до 200 В Прямой ток 18 А Время обратного восстановления 20 нс Пластиковый корпус имеет классификацию воспламеняемости в лаборатории Underwriters 94V-0 Идеально подходит для автономных диодов, приложений коррекции коэффициента мощности. Мягкие характеристики восстановления. Превосходное переключение при высоких температурах. Оптимизировано для снижения коммутационных потерь. Стеклянный пассивированный чип.

FDMS8670S : N-канал 30 В PowerTrench SyncFET FDMS8670S был разработан для минимизации потерь при преобразовании энергии. Достижения как в кремниевых, так и в корпусных технологиях были объединены, чтобы предложить самое низкое значение rDS (on) при сохранении отличных характеристик коммутации. Дополнительным преимуществом этого устройства является эффективный монолитный диод Шоттки с корпусом.

EPR1532S-RCTR : ТЕЛЕКОМ ТРАНСФОРМАТОР. s: Категория: Сигнал; Другие типы трансформаторов / применение: Телеком; Монтаж: чип-трансформатор; Рабочая температура: от 0 до 70 C (от 32 до 158 F); Стандарты: RoHS.

ES1A-HE3 : 1 А, 50 В, КРЕМНИЙ, СИГНАЛЬНЫЙ ДИОД, DO-214AC. s: Пакет: БЕСПЛАТНЫЙ, ПЛАСТИК, SMA, 2 PIN; Количество диодов: 1; IF: 1000 мА; Соответствует RoHS: RoHS.

GK001T-TL : 2000 мА, 200 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР. s: Полярность: NPN; Тип упаковки: TP-FA, 3 PIN.

MBR16100CT-1 : 8 А, КРЕМНИЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД, TO-262AA. s: Аранжировка: Common Catode; Тип диода: общего назначения, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД; Применение диодов: выпрямитель; IF: 8000 мА; Упаковка: ПЛАСТИК, ТО-262, 3 контакта; Количество контактов: 3; Количество диодов: 2.

PM7200.110100 : КОНДЕНСАТОР, МЕТАЛЛИЗИРОВАННАЯ ПЛЕНКА, ПОЛИЭСТЕР, 100 В, 0,1 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Конфигурация / Форм-фактор: Конденсатор с выводами; Технология: пленочные конденсаторы; Приложения: общего назначения; Электростатические конденсаторы: полиэстер; Диапазон емкости: 0,1000 мкФ; Допуск емкости: 10 (+/-%); WVDC: 100 вольт; Тип установки: сквозное отверстие; Операционная.

ST90-125L2KIE3 : КОНДЕНСАТОР, ТАНТАЛ, НЕ ТВЕРДЫЙ, ПОЛЯРИЗОВАННЫЙ, 125 В, 90 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ.s: Конфигурация / Форм-фактор: Конденсатор с выводами; Приложения: общего назначения; Электролитические конденсаторы: танталовые; Соответствие RoHS: Да; : Поляризованный; Диапазон емкости: 90 мкФ; Допуск емкости: 20 (+/-%); WVDC: 125 вольт; Тип установки: сквозное отверстие; Операционная.

T2251N70TOH : 3550 А, 7000 В, SCR. s: VDRM: 7000 вольт; VRRM: 7000 вольт; IT (RMS): 3550 ампер; IGT: 350 мА; Количество контактов: 3.

VSB52 : 0,75 А, 20 В, КРЕМНИЙ, МОСТ-ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД.s: Тип диода: BRIDGE RECTIFIER DIODE; Применение диодов: выпрямитель; IF: 75000 мА; Упаковка: ПЛАСТИК, ДИП-4; Количество контактов: 4; Количество диодов: 4.

LEAP № 451

Игра с комплектом генератора высоковольтной дуги, в котором используется повышающий трансформатор с простым управлением с обратной связью силового транзистора D882.

Вот небольшая демонстрация.

Банкноты

Это версия очень распространенного комплекта высоковольтной дуги. По сути, это повышающий трансформатор с простой обратной связью силового транзистора D882.Фактически это демонстрация той же схемы, которая используется на «плазменных зажигалках».

Технические характеристики

Входное напряжение: 3,7-4,2 В
Входной ток: <= 2A
Выходное напряжение: <= 15 кВ
Выходной ток: <= 0,4 А
Расстояние воспламенения с поляризацией высокого напряжения: <= 0,5 см

Базовая схема

Я перерисовал базовую схему здесь, в EasyEDA.

bigclivedotcom разобрал коммерческую «плазменную зажигалку», и неудивительно, что в ней используется та же схема, что и в этом комплекте.

Детали

Это простая схема из нескольких частей – большая часть волшебства происходит в обмотках трансформатора.

Интересно, что в комплект, который я купил, входили по два каждого транзистора, диода и резистора. Узнали ли они, что люди, покупающие дуги высокого напряжения, более чем склонны выкурить хотя бы одну деталь? !!

Арт.	Кол-во	Примечания
Повышающая катушка 15KVE-1	1	3 обмотки
Резистор 470 Ом	1	2 x 470 Ом в комплекте.Другие версии этого набора используют 120 Ом или 200 Ом
FR107 Диод	1	2 поставлено
Силовой транзистор NPN	1	2 в комплекте. Без опознавательных знаков, но выглядит как D882
Изолированный провод	2	для разъема питания
Радиатор	1	для транзистора, с крепежной гайкой и болтом (гайка на самом деле не требуется, так как радиатор имеет монтажное отверстие с резьбой)
термоусадочная трубка	3 см	предположительно для изоляции соединений, если построен некрасивый стиль

Многие из доступных в настоящее время комплектов, похоже, были немного модернизированы, включая переключатель и печатную плату.

Детали повышающего трансформатора

Обмотка	Индуктивность	Примечание
Первичный	17 мкГн	более толстый магнитный провод
Обратная связь	27 мкГн	более тонкий магнитный провод
Дуга / вторичная	1,5H	установлен напротив первичной обмотки и обмотки обратной связи

Первичная обмотка и обмотка обратной связи имеют концы для подключения к положительному источнику питания, уже намотанные вместе.Надеюсь, это обеспечит правильное подключение!

Строительство

Я использовал одностороннюю макетную плату размером 5 x 7 см для установки набора, добавив:

Переключатель кнопочный
Штекерное гнездо 5,5 x 2,1 мм для блока питания

Производительность

Работает нормально.

Транзистор d882 характеристики: 2SD882 , , datasheet, , , D882

Кт815б характеристики транзистора, цоколевка, аналог, datasheet

Маркировка транзисторов

Цветомузыкальная приставка на П213.

Таблица 5 – Предельно-допустимые режимы эксплуатации транзистора КТ315

Технические характеристики

Электрические параметры

Коэффициента усиления по току

Влияние радиатора

Таблица 2 – Маркировка транзистора КТ315-1 кодовым знаком

Транзистор КТ815

Зарубежные прототипы

Таблица 1 – Краткие технические характеристики транзисторов КТ315 и КТ315-1

Проверка КТ815

Таблица 3 – Зарубежные аналоги транзистора КТ315

Цветомузыкальная приставка на П213.

Транзисторы — купить. или найти бесплатно.

Новое поколение Джобсов или как MediaTek создал свой маленький «Кикстартер»

КТ815 параметры сходные для всех модификаций

D882 транзистор характеристики, российские аналоги, цоколевка

FTD882D Datasheet (PDF)

D882S Datasheet (PDF)

B882 Datasheet Download — Sanyo Semicon Device

Биполярный транзистор D882SS — описание производителя.

D882SS

Результаты подбора транзистора (поиска аналога)

STD882D Datasheet (PDF)

H882 Datasheet (PDF)

D882P Datasheet (PDF)

D882H Datasheet (PDF)

HSD882S Datasheet (PDF)

D882SS Datasheet (PDF)

аналоги, чем заменить, характеристики, аналог

D882 TRANSISTOR PDF

2SD882 Bipolar Transistor

transistor d882 Рекламный

2SD882 D882 SOT-89 30V NPN SMD Transistor

How to Make Audio Amplifier Using D882 Transistor

Related Articles

Зарядка NoName для Samsung D880 Duos/E210/G600/L600/M600

Особые правила Соблюдайте любые особые предписания, действу…

Память и скорость работы

О данном руководстве, Специальные

Samsung SGH-D880 DuoS — Серьёзный аппарат

Комплектация, Начало работы

Размеры. Комплект поставки

Распиновка

Справка об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора 2SD880-Y.

Биполярный транзистор D880 – описание производителя. Основные параметры.

D880 Datasheet (PDF)

D882 TRANSISTOR PDF

d882 transistor

How to Make D882 Double Transistor to Audio Amplifier

2SD882 Bipolar Transistor

Related Articles

D882, эквивалент, применение, характеристики

транзистор% 20br% 20d882 техническое описание и примечания по применению

кб * 9Д5Н20П

KIA78 * pI

2SC4793 2sa1837

транзистор

CH520G2

транзистор 45 ф 122

CTX12S

Варистор RU

Q2N4401

fn651

2SC5471

Mosfet FTR 03-E

fgt313

транзистор 91330

1999 – ТВ системы горизонтального отклонения

транзистор

1999 – транзистор

транзистор 835

2002 – SE012

2SC5586

pwm инверторный сварочный аппарат

варикап диоды

Лист данных силового транзистора для ТВ