Универсальный внешний накопитель для всех iOS-устройств, совместим с PC/Mac, Android
Header Banner
8 800 100 5771 | +7 495 540 4266
c 9:00 до 24:00 пн-пт | c 10:00 до 18:00 сб

Транзистор irfz24n параметры: Транзистор IRFZ24N: характеристики, datasheet и аналоги

0 Comments

Транзистор IRFZ24N: характеристики, datasheet и аналоги

В данном тексте подробно рассмотрены характеристики МОП (MOSFET) транзистора IRFZ24N. Встречается в стабилизаторах, преобразователях, вторичных источниках питания, блоках управления и узлах радиоэлектроники. Его производство выполняется по технологии HEXFET, руководствуясь разработками International Rectifier.

Распиновка

Производятся в корпусе TO220 модификации AB с медным никелированным основанием. Возможно подключение с общими затвором, стоком или истоком.

Цоколевка IRFZ24N приведена ниже. Расшифровка обозначений на рисунке следующая:

  • G – Gate, затвор, база.
  • D – Drain, сток, коллектор.
  • S – Source, исток, эмиттер.

Коллектор физически соединён с радиатором. В результате в расстоянии до корпуса создаётся термическое сопротивление 0,5-1,0 К/Вт. Без последнего элемента – увеличивается до 1-5 К/Вт.

Данные актуальны для нормальных условий без учёта изоляционной прокладки. Особое отверстие обеспечивает взаимодействие с печатными платами.

Существуют другие модели транзистора IRFZ24N. Например, серия с применением технологии Trench гарантирует меньшее сопротивление открытого канала, при использование в импульсных источников питания.

Характеристики

Превышение допустимых показателей чревато повреждением и некорректным функционированием устройства в котором работает данный транзистор. Для IRFZ24N максимальные характеристики равны:

  • Напряжение пробоя – 55 В;
  • Максимальный ток коллектора – 17 А;
  • Сопротивление открытого канала – 0,07 Ω;
  • Диапазон температур: от -55 до +175 °C.

Электрические характеристики

НазваниеРежимыЗначение
Напряжение затвора, ВVGD = VGS, ID = 10 A2,0 – 4,0
Ток утечки сток-исток, мкА
VGS = 0 В, VDS = 55 В		До 25
VGS = 0 В,

VDS = 44 В,

TJ = 150 °C

До 250
Ток утечки, нАVGS = 20 ВДо 100
Заряд затвора, нКлID = 10 A,

VDG = 44 В,

VGS = 10 В

20
Заряд затвор-исток, нКл5,3
Заряд затвор-сток, нКл7,6
Задержка включения, нсID = 10 A,

VDD = 28 В,

RG = 24 Ом

RD = 2,6 Ом

4,9
Нарастание, нс34
Задержка выключения, нс19
Спад, нс27
Индуктивность стока, нГн—4,5
Индуктивность истока, нГн— 7,5
Входная емкость, пФVGS = 0 В,

VDS = 25 В,

f = 1,0 мГц

370
Выходная емкость, пФ140
Обратная переходная емкость, пФ65
Ток истока постоянный, А—17
Ток истока импульсный, А—68
Напряжение на диоде, ВTJ = 25 °C,

IS = 10 A,

VGS = 0 В

1,3
Обратное восстановление, нсTJ = 25 °C,

IS = 10 A,

di = 100 A

83
Обратное восстановление заряда, нКл180

Аналоги

Два транзистора можно назвать полными аналогами IRFZ24N:

  • STB140NF55T4;
  • STB140NF55-1.

Функциональные аналоги имеют похожие свойства. К таковым относятся:

  • 2SK2232, BUK452-60A;
  • BUK452-60B, BUK7575-55;
  • BUZ71, PHP3055E;
  • RFP3055, RFP3055;
  • BUK7675-55, MTB15N06V.

Производители и DataSheet

Ниже приведены все известные производители IRFZ24N и их datasheet:

  • International Rectifier;
  • Kersemi Electronic Co;
  • NXP Semiconductors;
  • Artschip Electronics Co.

На российском рынке популярны изделия компании Philips (NXP Semiconductors).

IRFZ24N характеристики транзистора, datasheet, цоколевка и аналоги

Главная » Транзисторы

По своим техническим характеристикам IRFZ24N является мощным n-канальным МОП (MOSFET) транзистором. Он изготавливается по технологии HEXFET® пятого поколения, разработанной компанией International Rectifier (IR). Этот способ производства позволяет добиться минимального сопротивления n-канала полевика, при большой скорости переключения и высокой надежности. Благодаря этим преимуществам хорошо подходит для использования в импульсных блоках питания, системах управления электрическим приводом.

Многие путают рассматриваемое устройство с транзистором IRFZ24. Имейте ввиду, что последний имеет близкие по своим значениям, но все же немного другие параметры.

Содержание

  1. Цоколевка
  2. Технические характеристики
  3. Электрические
  4. Аналоги
  5. Производители

Цоколевка

Распиновка IRFZ24N у большинства производителей выполнена в стандартном пластиковом корпусе ТО-220AB, с максимальной рассеиваемой мощностью около 50 Вт. Благодаря низкому тепловому сопротивлению и невысокой стоимости эта упаковка завоевала широкое распространение. Расположение выводов показано на рисунке. Цифрой 1 обозначен затвор (G), под номером 2 – сток (D), 3 – исток (S). Радиатор имеет характерное отверстие для крепления устройства на печатную плату и физический контакт со стоком.

На российском рынке встречаются и более совершенные транзисторы данного типа. Таким устройством является IRFZ24N, также в корпусе ТО220AB, от компании Philips Semiconductor. Они отличаются от классических тем, что выпускаются с применением так называемой «траншейной» технологии  (Trench MOSFET) и имеют в сравнении с ними немного лучшие характеристики. Например, сопротивление открытого n-канала у них меньше, чем у обычного планарного полевого транзистора MOSFET. Кроме того предусмотрена защита от электростатических разрядов, при использовании в импульсных источниках питания до 2 кВ.

Технические характеристики

Рассмотрим максимально возможные характеристики MOSFET-транзистора IRFZ24N:

  • напряжение сток-исток (VDSSmax) до 55 В;
  • сопротивление открытого N-канала (RDS(ON)) до 0.07 Ом;
  • допустимый рабочий ток стока(ID max): при температуре кристалла TC = +25ОС до 17 А; при TC = +100ОС до 12 А;
  • пиковый (импульсный) ток стока (IDМ max) — 68 А;
  • рассеиваемая мощность при TC = +25ОС (PD) — 45 Вт;
  • предельно допустимое отпирающее напряжение между затвором и истоком (VGS max) ±20 В;
  • максимальная энергия единичного импульса (EAS) – 71 мДж;
  • пиковый неповторяющийся ток, допустимый в лавинных условиях (IAR) – 10 А;
  • неповторяющаяся энергия, которая может быть рассеяна в условиях лавинного пробоя (EAR) – 4,5 мДж;
  • наибольший возможный импульс на восстанавливающемся диоде dv/dt – 5. 0 В/нс;
  • диапазон температур, при которых может храниться изделие от — 55 до +175 °C;
  • температура пайки (не более 10 секунд) – 300 (на расстоянии 1,6 миллиметра от упаковки).

При этом надо знать, что реальные рабочие значения у устройства должны быть меньше предельно допустимых примерно на 20-30%.

Электрические

Электрические параметры IRFZ24N приведены в таблице ниже. Других значения при которых производились измерения, приведены в отдельном столбе. Температура перехода (TJ) равна +25ОС, если не указано другого.

Аналоги

Полным аналогом irfz24n считается транзистор STB140NF55 (STMicroelectronics) . Правда у них корпус ТО220, но расположение выводов (распиновка) совпадает с оригиналом. В большинстве случаев, при его использовании, не потребуется вносить дополнительных изменений в схему. А вот еще возможные варианты замены для рассматриваемого устройства с похожими параметрами: 2SK1114, BUZ10, BUZ101, BUZ101S, BUZ104, BUZ104S, HUF75307P3, HUF75309P3, IRFZ24A, MTP15N06V, MTP20N06V, RFP14N05, RFP14N06, RFP15N06, SFP16N06, STP140NF55, STP16NE06, STP20N06, STPNE06, STP20NF06, 2SK2311, IRFIZ24A, 2SK2311, IRFWZ24A, STB16NF06LT.

Производители

Выпуском этого изделия занимаются такие зарубежные фирмы: Inchange Semiconductor, International Rectifier, TRANSYS Electronics, Philips Semiconductors, ARTSCHIP Electronics, Kersemi Electronic, NXP Semiconductors.

В России продаются транзисторы, изготовленные следующими компаниями: International Rectifier, Philips Semiconductors. Нажав на название можно скачать datasheet на irfz24n от интересующего производителя.

MOSFET

Hoja de datos ( техническое описание в формате PDF ) электронных компонентов

Номер пьезы Описание Фабрикантес ПДФ
10FF РОЗЕТКИ ДЛЯ РЕАЛЕЙ
Хунфа		 ПДФ
15C01C 15 А, 0,7 А, биполярный транзистор NPN
ПО Полупроводник		 ПДФ
15C01M 0,7 А, 15 В, биполярный транзистор NPN
ПО Полупроводник		 ПДФ
2SA2016 -50В, -7А, PNP-транзистор
ПО Полупроводник		 ПДФ
2SA2040 -50В, -8А, PNP-транзистор
ПО Полупроводник		 ПДФ
2SA2112 -50В, -3А, PNP Биполярный транзистор
ПО Полупроводник		 ПДФ
2SA2124 -2А, -30В, биполярный транзистор PNP
ПО Полупроводник		 ПДФ
2SA2125 Биполярный транзистор PNP (-3A, -50V)
ПО Полупроводник		 ПДФ
2SA2126
Биполярный транзистор PNP (-50В, -3А)
ПО Полупроводник		 ПДФ
2SA2127 -50В, -2А, биполярный транзистор PNP
ПО Полупроводник		 ПДФ
2SA2153 Биполярный транзистор
ПО Полупроводник		 ПДФ
2SA2169 Биполярный транзистор
ПО Полупроводник		 ПДФ
2SA2186		 Биполярный транзистор
ПО Полупроводник		 ПДФ
2SA2202 Биполярный транзистор
ПО Полупроводник		 ПДФ

Una ficha técnica, hoja técnica u hoja de datos (datasheet на английском языке), también ficha de características u hoja de características, es un documento que резюме el funcionamiento y otras caracteristicas de un componente (por ejemplo, un componente electronico) o subsistema por ejemplo, una fuente de alimentación) con el suficiente detalle para ser utilizado por un ingeniero de diseño y diseñar el componente en un sistema.

DataSheet.es является веб-страницей, которая функционирует как репозиторий руководств или hoja de datos de muchos de los productos más Populares, allowiéndote verlos en linea o descargarlos en PDF.

Hoja de datos ( техническое описание в формате PDF ) электронных компонентов

Номер пьезы Описание Фабрикантес ПДФ
10FF РОЗЕТКИ ДЛЯ РЕАЛЕЙ
Хунфа		 ПДФ
15C01C 15 А, 0,7 А, биполярный транзистор NPN
ПО Полупроводник
ПДФ
15C01M 0,7 А, 15 В, биполярный транзистор NPN
ПО Полупроводник		 ПДФ
2SA2016 -50В, -7А, PNP-транзистор
ПО Полупроводник		 ПДФ
2SA2040 -50В, -8А, PNP-транзистор
ПО Полупроводник		 ПДФ
2SA2112 -50В, -3А, биполярный транзистор PNP
ПО Полупроводник		 ПДФ
2SA2124 -2А, -30В, биполярный транзистор PNP
ПО Полупроводник		 ПДФ
2SA2125 Биполярный транзистор PNP (-3A, -50V)
ПО Полупроводник		 ПДФ
2SA2126 Биполярный транзистор PNP (-50 В, -3 А)
ПО Полупроводник		 ПДФ
2SA2127 -50В, -2А, биполярный транзистор PNP
ПО Полупроводник		 ПДФ
2SA2153 Биполярный транзистор
ПО Полупроводник		 ПДФ
2SA2169 Биполярный транзистор
ПО Полупроводник		 ПДФ
2SA2186 Биполярный транзистор
ПО Полупроводник		 ПДФ
2SA2202 Биполярный транзистор
ПО Полупроводник		 ПДФ

Una ficha técnica, hoja técnica u hoja de datos (datasheet на английском языке), también ficha de características u hoja de características, es un documento que резюме el funcionamiento y otras caracteristicas de un componente (por ejemplo, un componente electronico) o subsistema por ejemplo, una fuente de alimentación) con el suficiente detalle para ser utilizado por un ingeniero de diseño y diseñar el componente en un sistema.

Больше новостей

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

© 2019 «Tree of life» — Производство и продажа аксессуаров для iPhone

* iPad, iPhone, iPod, iPod classic, iPod nano, iPod shuffle и iPod touch являются торговыми марками компании Apple Inc, зарегистрированными в США и других странах. Apple Store является торговой маркой компании Apple Inc. PhotoFast является зарегистрированной торговой маркой компании PhotoFast Company Limited.

Вступайте в клуб любителей