Транзистор irfz24n параметры: Транзистор IRFZ24N: характеристики, datasheet и аналоги

Транзистор IRFZ24N: характеристики, datasheet и аналоги

В данном тексте подробно рассмотрены характеристики МОП (MOSFET) транзистора IRFZ24N. Встречается в стабилизаторах, преобразователях, вторичных источниках питания, блоках управления и узлах радиоэлектроники. Его производство выполняется по технологии HEXFET, руководствуясь разработками International Rectifier.

Распиновка

Производятся в корпусе TO220 модификации AB с медным никелированным основанием. Возможно подключение с общими затвором, стоком или истоком.

Цоколевка IRFZ24N приведена ниже. Расшифровка обозначений на рисунке следующая:

• G – Gate, затвор, база.
• D – Drain, сток, коллектор.
• S – Source, исток, эмиттер.

Коллектор физически соединён с радиатором. В результате в расстоянии до корпуса создаётся термическое сопротивление 0,5-1,0 К/Вт. Без последнего элемента – увеличивается до 1-5 К/Вт.

Данные актуальны для нормальных условий без учёта изоляционной прокладки. Особое отверстие обеспечивает взаимодействие с печатными платами.

Существуют другие модели транзистора IRFZ24N. Например, серия с применением технологии Trench гарантирует меньшее сопротивление открытого канала, при использование в импульсных источников питания.

Характеристики

Превышение допустимых показателей чревато повреждением и некорректным функционированием устройства в котором работает данный транзистор. Для IRFZ24N максимальные характеристики равны:

• Напряжение пробоя – 55 В;
• Максимальный ток коллектора – 17 А;
• Сопротивление открытого канала – 0,07 Ω;
• Диапазон температур: от -55 до +175 °C.

Электрические характеристики

Название	Режимы	Значение
Напряжение затвора, В	VGD = VGS, ID = 10 A	2,0 – 4,0
Ток утечки сток-исток, мкА	VGS = 0 В, VDS = 55 В	До 25
	VGS = 0 В, VDS = 44 В, TJ = 150 °C	До 250
Ток утечки, нА	VGS = 20 В	До 100
Заряд затвора, нКл	ID = 10 A, VDG = 44 В, VGS = 10 В	20
Заряд затвор-исток, нКл		5,3
Заряд затвор-сток, нКл		7,6
Задержка включения, нс	ID = 10 A, VDD = 28 В, RG = 24 Ом RD = 2,6 Ом	4,9
Нарастание, нс		34
Задержка выключения, нс		19
Спад, нс		27
Индуктивность стока, нГн	—	4,5
Индуктивность истока, нГн	—	7,5
Входная емкость, пФ	VGS = 0 В, VDS = 25 В, f = 1,0 мГц	370
Выходная емкость, пФ		140
Обратная переходная емкость, пФ		65
Ток истока постоянный, А	—	17
Ток истока импульсный, А	—	68
Напряжение на диоде, В	TJ = 25 °C, IS = 10 A, VGS = 0 В	1,3
Обратное восстановление, нс	TJ = 25 °C, IS = 10 A, di = 100 A	83
Обратное восстановление заряда, нКл		180

Аналоги

Два транзистора можно назвать полными аналогами IRFZ24N:

• STB140NF55T4;
• STB140NF55-1.

Функциональные аналоги имеют похожие свойства. К таковым относятся:

• 2SK2232, BUK452-60A;
• BUK452-60B, BUK7575-55;
• BUZ71, PHP3055E;
• RFP3055, RFP3055;
• BUK7675-55, MTB15N06V.

Производители и DataSheet

Ниже приведены все известные производители IRFZ24N и их datasheet:

• International Rectifier;
• Kersemi Electronic Co;
• NXP Semiconductors;
• Artschip Electronics Co.

На российском рынке популярны изделия компании Philips (NXP Semiconductors).

IRFZ24N характеристики транзистора, datasheet, цоколевка и аналоги

Главная » Транзисторы

По своим техническим характеристикам IRFZ24N является мощным n-канальным МОП (MOSFET) транзистором. Он изготавливается по технологии HEXFET® пятого поколения, разработанной компанией International Rectifier (IR). Этот способ производства позволяет добиться минимального сопротивления n-канала полевика, при большой скорости переключения и высокой надежности. Благодаря этим преимуществам хорошо подходит для использования в импульсных блоках питания, системах управления электрическим приводом.

Многие путают рассматриваемое устройство с транзистором IRFZ24. Имейте ввиду, что последний имеет близкие по своим значениям, но все же немного другие параметры.

Содержание

1. Цоколевка
2. Технические характеристики
3. Электрические
4. Аналоги
5. Производители

Цоколевка

Распиновка IRFZ24N у большинства производителей выполнена в стандартном пластиковом корпусе ТО-220AB, с максимальной рассеиваемой мощностью около 50 Вт. Благодаря низкому тепловому сопротивлению и невысокой стоимости эта упаковка завоевала широкое распространение. Расположение выводов показано на рисунке. Цифрой 1 обозначен затвор (G), под номером 2 – сток (D), 3 – исток (S). Радиатор имеет характерное отверстие для крепления устройства на печатную плату и физический контакт со стоком.

На российском рынке встречаются и более совершенные транзисторы данного типа. Таким устройством является IRFZ24N, также в корпусе ТО220AB, от компании Philips Semiconductor. Они отличаются от классических тем, что выпускаются с применением так называемой «траншейной» технологии  (Trench MOSFET) и имеют в сравнении с ними немного лучшие характеристики. Например, сопротивление открытого n-канала у них меньше, чем у обычного планарного полевого транзистора MOSFET. Кроме того предусмотрена защита от электростатических разрядов, при использовании в импульсных источниках питания до 2 кВ.

Технические характеристики

Рассмотрим максимально возможные характеристики MOSFET-транзистора IRFZ24N:

• напряжение сток-исток (V_DSSmax) до 55 В;
• сопротивление открытого N-канала (R_DS(ON)) до 0.07 Ом;
• допустимый рабочий ток стока(I_{D max}): при температуре кристалла T_C = +25^ОС до 17 А; при T_C = +100^ОС до 12 А;
• пиковый (импульсный) ток стока (I_{DМ max}) — 68 А;
• рассеиваемая мощность при T_C = +25^ОС (P_D) — 45 Вт;
• предельно допустимое отпирающее напряжение между затвором и истоком (V_{GS max}) ±20 В;
• максимальная энергия единичного импульса (E_AS) – 71 мДж;
• пиковый неповторяющийся ток, допустимый в лавинных условиях (I_AR) – 10 А;
• неповторяющаяся энергия, которая может быть рассеяна в условиях лавинного пробоя (E_AR) – 4,5 мДж;
• наибольший возможный импульс на восстанавливающемся диоде dv/dt – 5. 0 В/нс;
• диапазон температур, при которых может храниться изделие от — 55 до +175 °C;
• температура пайки (не более 10 секунд) – 300 (на расстоянии 1,6 миллиметра от упаковки).

При этом надо знать, что реальные рабочие значения у устройства должны быть меньше предельно допустимых примерно на 20-30%.

Электрические

Электрические параметры IRFZ24N приведены в таблице ниже. Других значения при которых производились измерения, приведены в отдельном столбе. Температура перехода (T_J) равна +25^ОС, если не указано другого.

Аналоги

Полным аналогом irfz24n считается транзистор STB140NF55 (STMicroelectronics) . Правда у них корпус ТО220, но расположение выводов (распиновка) совпадает с оригиналом. В большинстве случаев, при его использовании, не потребуется вносить дополнительных изменений в схему. А вот еще возможные варианты замены для рассматриваемого устройства с похожими параметрами: 2SK1114, BUZ10, BUZ101, BUZ101S, BUZ104, BUZ104S, HUF75307P3, HUF75309P3, IRFZ24A, MTP15N06V, MTP20N06V, RFP14N05, RFP14N06, RFP15N06, SFP16N06, STP140NF55, STP16NE06, STP20N06, STPNE06, STP20NF06, 2SK2311, IRFIZ24A, 2SK2311, IRFWZ24A, STB16NF06LT.

Производители

Выпуском этого изделия занимаются такие зарубежные фирмы: Inchange Semiconductor, International Rectifier, TRANSYS Electronics, Philips Semiconductors, ARTSCHIP Electronics, Kersemi Electronic, NXP Semiconductors.

В России продаются транзисторы, изготовленные следующими компаниями: International Rectifier, Philips Semiconductors. Нажав на название можно скачать datasheet на irfz24n от интересующего производителя.

MOSFET

IRFZ24N – Infineon Technologies

• Компания
• Наши подразделения
• Правление
• Наблюдательный совет
• Наши местоположения
• Закупки
• Качество
• Награды Infineon
• Кибербезопасность

• Устойчивое развитие
• Экологическая устойчивость и защита климата
• Безопасность и здоровье
• Деловая этика
• Корпоративное гражданство
• Управление цепочкой поставок КСО
• Права человека
• Отчетность CSR

• Пресс
• Общая информация
• Пресс-релизы
• Новости рынка
• Пресс-подборки
• Медиапул
• События
• Контакты

• Инвестор
• Краткий обзор Infineon
• Новости и события
• Отчеты и презентации
• Инфинеон Поделиться
• Фиксированный доход
• Корпоративное управление
• Обслуживание акционеров
• Контакт

• Выставки и конференции

• Открытия
• Новая мобильность
• Интернет вещей
• Энергоэффективность
• Все открытия

• Дом
• Продукты
• Мощность
• МОП-транзистор (Si/SiC)
• N-канальный силовой МОП-транзистор
• ИРФЗ24Н

Обзор

Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор 55 В в корпусе TO-220

Обзор характеристик

• Плоскоячеистая структура для широкой SOA
• Оптимизировано для максимально широкой доступности от партнеров-дистрибьюторов
• Квалификация продукта в соответствии со стандартом JEDEC
• Кремний, оптимизированный для приложений, переключающихся ниже <100 кГц
• Стандартный блок питания для поверхностного монтажа
• Сильноточный рейтинг

Преимущества

• Повышенная надежность
• Широкая доступность от партнеров-дистрибьюторов
• Квалификация промышленного стандарта
• Высокая производительность в низкочастотных приложениях
• Замена существующих устройств
• Способность к сильному току

Parametrics

Документы

Поддержка дизайна

Видео

Партнеры

Обучение

Упаковка

Качество

Поддержка

Контакты

Фелер 404

Фелер 404 изображение/svg+xml

Auswahl von Land und Sprache beeinflusst Deine Geschäftsbedingungen, Produktpreise und Sonderangebote

Sprache

Верунг

Preise

нетто

брутто

нетто

брутто

Nutze diesuchmaschine, um Themen zu finden, die Dich interessieren:

Каталог Ви кауфт человек Хильфе

или по телефону: Дом

Abonnieren Sie jetzt

В том же информационном бюллетене вы найдете самые интересные и интересные сведения о новых продуктах, товарах и услугах на веб-сайте TME.
Hier können Sie sich auch von der Liste abmelden.

* Pflichtfeld

AnmeldenAuf Mitteilungsblatt verzichten

Ich habe mich mit der Ordnung des TME-Bulletins bekannt gemacht und erteile meine Zustimmung, damit das elektronische Informationsbulletin des TME-Dienstes meine E-Mail-Adresse geschickt wird. Орден бюллетеней TME

*

1. Трансфер Multisort Elektronik sp. о.о. mit Sitz в Лодзи, Адрес: ул. Устронная 41, 93-350 Łódź teilt hiermit mit, dass sie der Administrator Ihrer personenbezogenen Daten sein wird.
2. Ein Datenschutzbeauftragter wird beim Administrator der personenbezogenen Daten ernannt und kann per E-Mail unter [email protected] kontaktiert werden.
3. Ihre Daten werden verarbeitet auf Grundlage von Art. 6 Абс. 1 лит. a) der Verordnung des Europäischen Parlaments und des Rates (EU) 2016/679 vom 27.

April 2016 zum Schutz natürlicher Personen bei der Verarbeitung personenbezogener Daten und zum freien Datenverkehr und zur Aufhebung der Richtlinie 95/46/EG (nachstehend “DSGVO” genannt), um an die angegebene E-Mail-Adresse den elektronischen Newsletter von TME zu senden.
4. Die Angabe der Daten ist freiwillig, jedoch für den Versand des Newsletters erforderlich.
5. Ihre personenbezogenen Daten werden gespeichert, bis Ihre Einwilligung für die Verarbeitung Ihre personenbezogenen Daten widerufen.
6. Sie haben das Recht auf Zugang, Berichtigung, Löschung oder Einschränkung der Verarbeitung Ihrer Daten;
Soweit Ihre personenbezogenen Daten aufgrund einer Einwilligung verarbeitet werden, haben Sie das Recht, die Einwilligung zu widerufen. Der Widerruf der Einwilligung berührt nicht die Rechtmäßigkeit der Verarbeitung auf der Grundlage der Einwilligung vor dem Widerruf.
7. Soweit Ihre Daten zum Zwecke des Vertragsabschlusses und der Vertragsabwicklung oder aufgrund Ihrer Einwilligung verarbeitet werden, haben Sie auch das Recht, Ihre personenbezogenen Daten zu übertragen, d. час von der verantwortlichen Stelle in structurierter, allgemein üblicher und maschinenlesbarer Form zu erhalten. Sie können diese Daten einen anderen Datenadministrator übersenden.
8. Sie haben auch das Recht, eine Beschwerde bei der für Datenschutz zuständigen Aufsichtsbehörde einzureichen.

больше Венигер

TME-Newsletter abonnieren

Angebote – Rabatte – Neuheiten. Sei auf dem Laufenden mit dem Angebot von TME

AGB zum Информационный бюллетень Auf Mitteilungsblatt verzichten

Daten werden verarbeitet

Die Operation wurde erfolgreich durchgeführt.

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuche noch einmal.

Логин

Пароль

Логин и пароль заранее.