Транзистор irfz44n: Транзистор IRFZ44N: параметры, цоколевка, аналог, datasheet

распиновка, схемы, аналоги и как подключить

Полевой МОП-транзистор irfz44n — мощное устройство с кремниевой основой. Он имеет индуцированный нормально закрытый канал, изолированный с помощью затвора. Устройство было специально создано для включения в высокоскоростные низковольтные системы коммутации, источники питания, преобразователи, схемы управления двигателями.

Схема подключения

В кремниевой структуре транзистора есть 2 p-n перехода. Если отпирающее напряжение не подается, нет проходящего тока, транзистор закрыт. При подаче положительного отпирающего напряжения: на затвор «+»и исток «—», электрическое поле приводит к возникновению n-проводимого канала.

Если подать питание на нагрузку, в индуцированном канале начнется движение стокового тока ID.

От уровня напряжения, подаваемого на затвор, зависит число электронов, притягивающихся в область стока-истока, которая расширяется для движения тока. Это может происходить до того, как график линейной и отсечки переключатся между областями. Далее, в области насыщения увеличение показателя тока прекращается.

Рабочий режим (область насыщения) используется для схем усиления. В irfz44n datasheet процедура перехода в данный режим для различных значений V GS может быть показана с помощью графиков стандартных выходных параметров. Увидеть границы области насыщения для mosfet можно на почти горизонтально расположенной к оси напряжения стока-истока линии.

В каких режимах функционирует полевой транзистор

Режим отсечки

Как уже упоминалось, расстояние между стоком и истоком, регулируется затвором. Алгоритм работы транзистора виден в простейшей схеме, управляющей качеством освещения от лампы накаливания. Когда на затворе отсутствует напряжение, он закрыт, и электрический ток через лампу накаливания не течет.

Для управления светом лампы нужна смена напряжения на затворе по отношению к истоку. У нас n-канальный транзистор, поэтому на затвор подается напряжение со знаком “+”. В окончательном виде irfz44n схема выглядит так:

Так каким же должно быть напряжение на затворе, чтобы ток внутри цепи стока-истока был максимальным?

Возьмем стрелочный блок питания irfz44n для регуляции напряжения. Соберем его по схеме и подадим на затвор 1 В. Лампа не загорится. Если же увеличить напряжение до 3,5 В, амперметр покажет появление тока в лампе накаливания. Но она все равно не загорится, так как такой силы тока не хватает для накала вольфрамовой нити.

Читайте в отдельной статье про полевой транзистор.

Режим активной работы irfz44n

Напряжение в районе 3,5 В частично приоткрывает транзистор. Этот показатель отличается у разных видов полевиков и находится в пределах 0,5-5 В. В даташит этот показатель именуют Gate threshold voltage (предельное напряжение затвора).

Если плавно регулировать величину канала устройства, повышая напряжение, поданное на затвор, становится видно постепенное накаливание нити лампы. Корректируя уровень напряжения, можно создать необходимый уровень освещения. Это и объясняет название данного режима — активный. При нем сопротивление индуцируемого канала транзистора меняется, согласно напряжению на затворе.

В результате активной работы устройство может перегреться. Поэтому необходимо пользоваться охлаждающим радиатором, рассеивающим тепло в окружающую среду.

Режим насыщения irfz44n

Для полного открытия полевого транзистора требуется подача напряжения до того момента, пока лампа не станет гореть на уровне всего канала. В данном режиме сопротивление канала стока-истока находится в минимуме и почти не сопротивляется течению электрического тока.

Примечательно, что само устройство в данном случае не нагревается. Это можно объяснить формулой: P= I2C R. При сопротивлении, равном каким-то сотым долям ома транзистору просто не с чего нагреваться.

Так что, самые мягкие режимы для полевика — это полное открытие или закрытие канала. Если он закрыт, сопротивление канала стремится к бесконечности, а ток, проходящих через него, минимален по закону Ома. Если подставить эти значения в формулу выше, будет понятно, что рассеянная мощность приближается к нулю.

Главные характеристики irfz44n

Полный список параметров транзистора не приведен в даташит, поскольку он может потребоваться лишь специалистам по разработке. Большинству даже опытных пользователей нужно знать лишь часть характеристик для включения irfz44n устройства в различные электронные схемы.

При температуре не более 25 градусов транзистор имеет следующие ключевые параметры:

1. Наибольшее напряжение стока-истока — 55 Вольт.
2. Наибольший ток стока — 49 Ампер.
3. Сопротивление проводного канала стока-истока — 5 микроОм.
4. Рассеивающаяся мощность — 94 Ватт.

В ряде технических описаний наименование mosfet irfz44n транзистора с изоляцией затвора начинается с аббревиатуры МДП, что обозначает:

1. Металл.
2. Диэлектрик.
3. Полупроводник.

У этих устройств может быть 2 вида каналов:

• встроенный;
• индуцированный.

Эти полупроводниковые приборы обладают затвором, разделенным с кремниевой подложкой тончайшей прослойкой диэлектрического материала. Его толщина около 0,1 мкм.

Распиновка irfz44n

Больше всего rfz44n распространен в корпусе ТО220 из пластика с отверстием для винта, который входит в дискретные полевые транзисторы с высокой мощностью. Вид цоколевки irfz44n с «фасада» таков:

1. С левой стороны — затвор.
2. С правой — исток.
3. Центральный канал — это сток, который электрически соединен с вмонтированным в корпус радиатором.

Под брендом IR выпускаются варианты с корпусами D2PAK и ТО-262, с таким же назначением выводов, как у ТО-220.

Маркировка irfz44n

Приставка irf свидетельствует о том, что устройства производят на предприятиях, относящихся к компании International Rectifier (США). 14 лет назад году ее сотрудники продали технологии изготовления Vishay Intertechnology, а еще через 8 лет IR присоединилась к Infineon Technologies. Сегодня детали с такой же приставкой в названии выпускает ряд ещё нескольких независимых предприятий.

Некоторые технические описания устройства содержат в конце маркировки символы PbF, что в расшифровке означает plumbum free — бессвинцовый метод производства транзисторов. Он становится популярен во многих странах, так как многие химические соединения, вредные для экологии и для здоровья людей, на сегодняшний день запрещены к применению.

В даташит оригинала упоминается фирменная HEXFET-технология производства, созданная International Rectifier Corporation. Благодаря ей серьезно уменьшается сопротивление электронных деталей и температура нагрева во время их работы. Она же делает необязательным использование радиатора-охладителя.

IRFZ44N от производителя IR, имеющие структуру HEXFET, обладают самым низким сопротивлением стока-истока в 17,5 мОм. В техническом описании к этим устройствам есть отметка Power MOSFET. Она означает, что данные транзисторы — это мощные полупроводниковые приборы.

Аналоги

Стопроцентной замены irfz44n нет, но есть несколько транзисторов, схожих с ними в описании и параметрах. Среди них:

• IRFZ44E.
• IRFZ46N.
• IRFZ45.
• IRFZ40.
• BUZ102.
• IRLZ44Z.
• STP45NF06.
• HUF75329P3.
• IRF3205.

Среди российских аналогов — КП723 и КП812А1. Они работают при чуть меньшей температуре, ниже 150 градусов.

Изготовители

Можно найти русскоязычный перевод DataSheet irfz44n, но более точная информация дана в англоязычной версии изготовителя. Основными производителями радиоэлектронных элементов являются:

1. Infineon Technologies (брэнд International Rectifier).
2. Philips Semiconductors.
3. INCHANGE Semiconductor.
4. Leshan Radio Company.

Способы проверки irfz44n

Простая проверка полевого транзистора заключается в действиях по схеме.

Полевые транзисторы широко используются в современной технике, например, блоках питания, контроллерах напряжения компьютеров и других электронных девайсов, а также бытовой техники. Это и стиральные машины, и кофемолки, и осветители. Приборы часто выходят из строя, и в этих случаях нужно выявить, а затем устранить конкретную неполадку. Поэтому знать способы проверки транзисторов — обязательно.

Подключите черный щуп к стоку, а красный — к истоку. На дисплее высветится показатель перехода вмонтированного встречно расположенного диода. Запишите его. Отстраните красный щуп от истока и дотроньтесь им до затвора. Это способ частичного открытия полевика.

Верните красный щуп в прежнюю позицию (к истоку). Посмотрите на уровень перехода, он чуть снизился при открытии транзистора. Перенесите черный щуп со стока к затвору, и тем самым закройте транзистор. Верните его обратно и понаблюдайте за изменениями показателя перехода при полном закрытии irfz44n.

У затвора рабочего полевого транзистора должно быть сопротивление, приближенное к бесконечности.

По такой схеме проверяются n-канальные устройства, p-канальные тоже, но с щупами другой полярности.

Проверять мосфет-транзисторы можно и по небольшим схемам, к которым их подключают. Это быстрый и точный метод. Но если проверки устройства требуются нечасто, или у вас нет возможности собирать схемы, то способ с мультиметром — идеальное решение.

irfz44n — это относительно современная группа транзисторов, которые управляются не с помощью электричества, как в случае с биполярными устройствами, а посредством напряжения — то есть поля. Этим и объясняется аббревиатура MOSFET. Проверка транзистора указанным способом помогает понять, какая именно деталь вышла из строя.

Схемы включения

Полевики подключаются 3 основными способами, где есть общий:

1. Сток — ОС.
2. Исток — ОИ.
3. Затвор — ОЗ.

Практика показывает, что усилительные каскады обычно включают вторую схему, по аналогии с биполярными транзисторами. ОИ серьезно усиливает мощность, но каскад с такой схемой имеет низкие частоты. Причина этому — существенная входная емкость затвора-истока.

Проверка полевого транзистора с помощью транзистометра

Это недорогое и довольно примитивное китайское устройство есть почти у всех, кто разбирается в электронике. Проверка с его помощью очень проста.

Вставьте проверяемое устройство в «кроватку» и нажмите объемную кнопку зеленого цвета. Прибор тут же выдаст результат, что перед вами n-канальный полевик типа МОП. Он же установит, как расположены выводы устройства, какова емкость затвора, каково максимальное напряжение при открытии. Иными словами, транзистометр — это просто чудо-прибор.

Безопасность при эксплуатации полевых транзисторов

Все варианты полевиков, не важно, имеют они p-n переходы, или это МОП-варианты, сильно подвержены влиянию перегрузок электричеством на затворах. Прежде всего, это относится к электростатике, которая накапливается в организме людей и устройствах для измерения разных величин.

Недопустимые значения электростатики для irfz44n — это 50-100 В. При управляющем p-n переходе — это 250 В. Работая с таким транзистором, необходимо заземлиться с помощью антистатического браслета, либо взять руками открытую батарею до прикосновения к устройству.

В ряде экземпляров полевиков есть встроенные для защиты частицы. Они называются стабилитронами. Их встраивают между затвором и истоком. Они должны защищать от электростатического заряда, но она не дает гарантии на 100%, и перестраховка необходима.

Желательно провести заземление измерительной и паяльной аппаратуры. Сегодня это происходит в автоматическом режиме с помощью розеток европейского типа, так как они оснащены заземляющими проводниками.

Преимущества полевых транзисторов

Первый плюс устройства — управление посредством электрополя, а не тока. Это делает схему проще и уменьшает мощность, которая затрачивается на управление.

Второй — в присутствии не только основных, но и второстепенных носителей электрического тока. Это дает прибору время рассасывания, и оно задерживает выключение устройства.

Третий — повышенная температурная устойчивость. Когда на транзистор подается напряжение, его температура возрастает, по закону Ома увеличивается и сопротивление. А значит, уменьшается и сила тока.

С биполярными транзисторами все сложнее, там при возрастании температуры увеличивается и число ампер. А значит, такие транзисторы не термоустойчивы. Есть вероятность опасного разогрева внутри них, который приводит к поломке. А термоустойчивость полевиков увеличивает нагрузочную способность при параллельной схеме соединения устройств.

Где приобрести irfz44n

Транзистор irfz44n купить можно в любом магазине радиоэлектронике, либо с доставкой из интернет-магазина АлиЭкспресс по ссылке.

Транзистор IRFZ44N: характеристики, datasheet, аналоги, распиновка

Как пишут производители в технических характеристиках на IRFZ44N, этот МОП-транзистор построен на кремниевой основе и имеет индуцированный n-канал и изолированный затвор. Его рекомендуется использовать в низковольтных блоках питания, стабилизаторах и схемах управления электрическими двигателями. Отличается низкой скоростью переключения.

Цоколевка

IRFZ44N изготавливается в корпусе ТО-220. Данный корпус является стандартным для транзисторов мощностью до 50 Вт. Самая левая ножка является затвором, посередине расположен сток, а справа исток. Увидеть расположение ножек можно на рисунке.

Технические характеристики

Производители, чаще всего, помещают максимально допустимые значения в начале своей технической документации. В них приведены предельные режимы эксплуатации, превышение которых приведёт к выхожу прибора из строя. Тестирование проводится при температуре +25°С.

Приведём характеристики для IRFZ44N:

• длительный ток стока
• при температуре +25°С Ic max = 49 А;
• при температуре +100°С Ic max = 35 А.
• кратковременный ток стока Icи max = 35 А;
• мощность Рс max = 94 Вт;
• линейный к-т снижения мощности 0,63 Вт/°С;
• напряжение насыщения З – И Uзи = ±20 В;
• лавинный ток Iл = 25 А;
• пиковое диодное восстановление dv/dt = 5 В/нс;
• температура кристалла Тj = 175°С;
• рабочая температура Tamb = от -55 до +175°С;
• температура хранения Tstg = от -55 до +175°С;
• тепловое сопротивление кристалл корпус RθJC = 1,4 °С/Вт;
• тепловое сопротивление кристалл радиатор RθCS = 0,5 °С/Вт;
• тепловое сопротивление кристалл воздух RθJА = 62 °С/Вт.

Теперь перейдём к рассмотрению электрических характеристик. Для IRFZ44N производители выделили отдельный раздел, который показывает исток-сток показатели диода. Все измерения, как и для предельных значений, производились при температуре +25°С. Другие параметры проведения тестирования находятся в колонке «Условия измерения» в приведённой ниже таблицы.

Электрические (при Т = +25 оC)
Параметры	Условия измерения	Обозн.	min	Тип.	max	Ед. изм
Напряжение пробоя С — И	Ic = 250мкА, Uзи = 0	Uси(проб.)	55			В
Температурный к-т напряжения пробоя	Δ Uси(проб.) /ΔTj	Ic=1мА		0,058		В/°С
Сопротивление С — И открытого транзистора	Ic = 25А, Uзи = 10В	Rси(вкл)			17,5	мОм
Пороговое напряжение затвора	Ic = 250мкА, Uси= Uзи	Uзи(пор. )	2		4	В
Проводимость в прямом направлении	Ic = 25А, Uси = 25В	Gпр.	19			S
Ток утечки сток-исток	Uси = 55В	Ic ут.			25	мкА
	Uси = 55В, TJ = 150°C				250	нА
Ток утечки затвор-исток	Uзи=20В	Iз ут.			100	нА
Ток утечки затвор-исток обратный	Uзи=-20В	Iз ут.			-100	нА
Заряд затвора	Ic=28А, Uси=44В, Uзи=10В				63	нКл
Заряд затвор-исток					14	нКл
Заряд затвор-сток					23	нКл
Время задержки выключения	Uс=28В, Ic=25А,   Rз=12ом, Uзи=10В			12		нс
Время нарастания				60		нс
Время задержки выключения				44		нс
Время спада				47		нс
Индуктивность cтока		Lc		4,5		нГн
Индуктивность иcтока		Lи		7,5		нГн
Ёмкость входа	Uзи=0В, Uси=25В, f=1МГц	Свх.		1470		пФ
Ёмкость выхода		Свых.		360
Обратная ёмкость		Сос		88
Энергия лавины моноимпульса	I AS =25А, L=0.47мГн	E AS		530	150	мДж
Исток-сток:
Непрерывный ток истока (диод)		Iи			49	А
Импульсный ток истока (диод)		Iи им			160	А
Прямое напряжение диода	IC = 25 A, Uзи = 0 В, TJ = 25°C	Uид			1,3	В
Время восстановления при переключении в обратном направлении	Iд = 25 А, TJ = 25°C, di/dt =100мкс	tвост.			95	нс
Заряд обратного восстановления		Qобр.вост.		170	260	нКл

Аналоги

МОП-транзисторов полностью совпадающих по всем значениям с IRFZ44N не существует. Перечислим наиболее подходящие по параметрам устройства: BUZ102, IRFZ45, irfz44n IRFZ40, IRF3205, STP45NF06, STP50N06, IRLZ44Z, STP55NF06. Помните, что перечисленные транзисторы не являются полными аналогами, поэтому перед заменой нужно изучить характеристики обеих приборов.

Производители

Среди крупных производителей IRFZ44N (datasheet по ссылки) можно назвать следующие компании:

• International Rectifier;
• Inchange Semiconductor Company;
• NXP Semiconductors;
• Kersemi Electronic;
• First Components International;
• Suntac Electronic;
• Thinki Semiconductor;
• TRANSYS Electronics;
• Tiger Electronic.

Наиболее часто в отечественных магазинах встречаются изделия International Rectifier.

Полупроводниковые и системные решения – Infineon Technologies

Новый TRENCHSTOP™ IGBT7 H7, 1200 В

TRENCHSTOP™ IGBT7 H7, 1200 В, предназначен для применения в системах обезуглероживания, таких как фотогальваника

Скачать техническое описание

PCIM Europe 2023

С 9 по 11 мая. Зал 7 / Стенд 412. В этом году мы все о декарбонизации и цифровизации

Полная программа здесь

Приборная панель TRAVEO™ T2G

TRAVEO™ T2G предлагает более высокое разрешение дисплея, превосходную производительность и несколько дисплеев с динамическим контентом. Все это при меньшем энергопотреблении и меньшем объеме памяти

Узнать больше

Превращение зеленого водорода в реальность

Сочетание возобновляемых источников энергии и эффективных силовых полупроводников делает экологически чистый водород возможным. Наши решения поддерживают устойчивую экономику h3

Узнайте, как

Высококачественный звук для интеллектуальных устройств

Микрофоны XENSIV™ MEMS со сверхнизким уровнем шума и сверхмалым энергопотреблением обеспечивают высокое качество звука во время разговора, активное шумоподавление и длительное время работы от батареи

Посмотреть вебинар по запросу

SECORA™ Pay теперь доступна с технологией 28 нм

Мы расширяем портфолио решений SECORA™ Pay, используя технологию 28 нм для лучшей производительности транзакций в сочетании с простым в интеграции полносистемным решением

Узнать больше

Новости

03 апреля 2023 г. | Business & Financial Press

Infineon оптимизирует свой профиль обезуглероживания: подразделение промышленных приложений будет работать под названием Green Industrial Power (GIP)

28 марта 2023 г. | Business & Financial Press

Устойчивая динамика бизнеса: Infineon ожидает более сильных результатов за второй финансовый квартал и весь 2023 финансовый год

Новости рынка

23 марта 2023 г. | Новости рынка

Infineon AIROC™ CYW20829 SoC Bluetooth LE с новейшей спецификацией Bluetooth 5.4

Посетите Infineon в Твиттере

IRFZ44N MOSFET: эквивалент, распиновка, упаковка, области применения и техническое описание

Byadharsh Обновлено 18 марта 2022 г.

IRFZ44N МОП-транзистор IRFZ44N MOSFET

Спецификация IRFZ44N MOSFET

• N-канальный MOSFET
• Напряжение пробоя сток-исток ( В _{BR ( DSS )} ) равно 55 В
• Напряжение затвор-исток ( В _gs ) составляет +/- 20 В
• Затвор с пороговым напряжением ( В _г(й) ) 2 4В
• Ток стока ( I _д ) есть 49А
• Импульсный ток стока ( I _DM ) 160A
• Рассеиваемая мощность ( P _D ) 94 Вт
• Сопротивление сток-исток в открытом состоянии ( R _{DS (ON)} ) 032 Ом
• Ток утечки затвора на корпус ( I _GSS ) 100 нА
• Общий заряд ворот ( Q _г ) это 63nC
• Время обратного восстановления ( trr ) составляет от 63 до 95 нс
• Время нарастания ( tr ) составляет 60 нс
• Термическое сопротивление перехода к корпусу (R _th j-c) равно 5℃/Вт
• Температура перехода ( T _J ) находится в пределах от -55 до 175℃

Распиновка полевого МОП-транзистора IRFZ44N Распиновка полевого МОП-транзистора IRFZ44N

Номер контакта	Имя контакта	Описание
1	Ворота	Gate активирует устройство MOSFET
2	Слив	В клемме стока протекал ток в МОП-транзистор
3	Источник	В источнике терминальный ток вытекает из МОП-транзистора

 

Корпус IRFZ44N MOSFET

В устройстве IRFZ44N MOSFET в качестве полупроводникового устройства будет использоваться корпус TO-220C.

Корпус TO-220C используется для изготовления эпоксидных и пластиковых материалов, эпоксидный материал обладает хорошей термостойкостью, поэтому они используются в устройствах POWER MOSFET.

Задняя сторона МОП-транзистора выполнена из металла, который используется для передачи тепла, выделяемого компонентом. Для процесса передачи мы используем радиатор, присоединив его к МОП-транзистору.

Транзистор AC128

Описание электрических характеристик МОП-транзистора IRFZ44N

В этом разделе мы попытаемся объяснить электрические характеристики и области применения МОП-транзистора IRFZ44N.

Характеристики напряжения

Характеристики напряжения на выводах полевого МОП-транзистора IRFZ44N: напряжение пробоя сток-исток составляет 55 В, напряжение затвор-исток составляет 20 В, а пороговое напряжение затвор-исток составляет от 2 до 4 В, характеристики напряжения на выводах показывают, что это устройство средней мощности с приложениями на устройствах электропитания.

Характеристики тока

Характеристики тока полевого МОП-транзистора IRFZ44N значение тока стока составляет 49 А, импульсный ток стока составляет 160 А, а ток утечки затвора на корпус составляет 100 мкА, значение тока стока показывает максимальную нагрузочную способность устройства.

Характеристики рассеяния

Рассеивание мощности полевого МОП-транзистора IRFZ44N составляет 94 Вт, это рассеиваемая мощность или теплоемкость устройства.

Сопротивление сток-исток в открытом состоянии

Значение сопротивления сток-исток во включенном состоянии составляет 0,032 Ом, сопротивление полевого МОП-транзистора в открытом состоянии означает общее сопротивление устройства.

Температура перехода

Температура перехода этого МОП-транзистора составляет 175 ℃ .

Время обратного восстановления (trr)

Время обратного восстановления полевого МОП-транзистора IRFZ44N составляет от 63 до 95 нс, это время, необходимое для разрядки перед началом проведения.

МОП-транзистор IRFZ44N ТЕХНИЧЕСКОЕ ОПИСАНИЕ IRFZ44N MOSFET Datahate

Если вам нужен таблица данных в PDF, пожалуйста, нажмите на эту ссылку

IRFZ44N MOSFET эквивалент

MOSFETS, такой как IRF2807, IRFB3207, IRFB4710, 2SFETS MOSFETS MOSFETS MOSFETS MOSFETS MOSFETS MOSFETS MOSFETS.

Электрические и физические характеристики всех этих МОП-транзисторов одинаковы, поэтому мы можем легко заменить IRFZ44N этими МОП-транзисторами.

IRFZ44N против IRF2807 против IRFZ48

Ниже приведено сравнение электрических характеристик IRFZ44N, IRF2807 и IRFZ48.

Характеристики	IRFZ44N	IRF2807	IRFZ48
Напряжение пробоя сток-исток (VBR (DSS))	55В	75В	60В
Напряжение затвор-исток (Vgs)	20 В	20 В	20 В
Пороговое напряжение затвора (Vg(th))	от 2 до 4 В	от 4 В	от 2 до 4 В
Ток стока (Id)	49 А	82 А	50 А
Общий заряд затвора (кг)	63nC	–	–
Рассеиваемая мощность (PD)	94 Вт	230 Вт	190 Вт
Температура перехода (ТДж)	175°C	175°C	175°C
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (RDS)	0,032 Ом	13 МОм	0,018 Ом
Время нарастания (tr)	60 нс	64 нс	250 нс
Пакет	ТО-220АБ	ТО-220АБ	ТО-220АБ

Почти все электрические характеристики каждого МОП-транзистора одинаковы, в этих трех МОП-транзисторах IRF2807 имеет более высокие значения тока и рассеиваемой способности.

Каждый из этих трех полевых МОП-транзисторов в основном используется в источниках питания и высокоскоростных коммутационных устройствах.

Кривые характеристик IRFZ44N MOSFET Выходные характеристики IRFZ44N MOSFET

На рисунках показаны выходные характеристики IRFZ44N MOSFET, оба графика показывают, что когда напряжение затвор-исток контролирует ток стока, поскольку каждый раз, когда напряжение затвора увеличивается, сток ток пропорционально.

Характеристики сопротивления в открытом состоянии IRFZ44N MOSFET

На рисунке показаны характеристики сопротивления в открытом состоянии IRFZ44N MOSFET, кривая сопротивления в открытом состоянии построена с зависимостью сопротивления сток-исток в открытом состоянии от температуры перехода.

При постоянных значениях напряжения и тока значение сопротивления во включенном состоянии увеличивается до фиксированного значения.

Применение IRFZ44N MOSFET

• Высокоскоростные коммутационные устройства
• Устройства электропитания
• Преобразователи
• Устройства управления двигателем
• Мостовые схемы

Похожие сообщения

МОП-транзистор

CS630 MOSFET Спецификация, схема выводов, ЭКВИВАЛЕНТ, спецификация

Бьядхарш 15 февраля 2022 г.

CS630 N-канальный МОП-транзистор Спецификация CS630 MOSFET Это N-канальный МОП-транзистор Напряжение сток-исток (Vds) составляет 200 В Напряжение затвор-исток (Vgs) составляет 30В Затвор-пороговое напряжение…

Подробнее CS630 MOSFET Лист данных, распиновка, ЭКВИВАЛЕНТ, спецификацияПродолжить

МОП-транзистор

IRF840 MOSFET Лист данных: ЭКВИВАЛЕНТ, распиновка, спецификация

Byadharsh 11 июля 2022 г. 11 июля 2022 г.

IRF840 MOSFET Спецификация IRF840 MOSFET IRF840 — это N-канальное устройство POWER MOSFET Напряжение сток-исток (VDS) составляет 500 В Напряжение затвор-исток (VGS) составляет +/- 20 В Затвор до порога…

Подробнее IRF840 MOSFET Datasheet: ЭКВИВАЛЕНТ, распиновка, спецификацияПродолжить

МОП-транзистор

IRF640 MOSFET: распиновка, спецификация, аналог, даташит

Byadharsh 12 октября 2022 г.

IRF640 MOSFET Спецификация IRF640 IRF640 — это N-канальный силовой полевой МОП-транзистор Напряжение сток-исток (VDS) составляет 200 В Напряжение затвор-исток (VGS) составляет +/- 20 В Затвор до порогового напряжения…

Подробнее IRF640 MOSFET: распиновка, спецификация, эквивалент, техническое описаниеПродолжить

МОП-транзистор

IRF511 MOSFET: распиновка, аналог, спецификация, даташит

Byadharsh 29 октября 2022 г.

IRF511 MOSFET IRF511 Спецификация MOSFET IRF511 представляет собой кремниевый затвор с улучшенным N-канальным режимом. POWER MOSFET. Напряжение сток-исток (VDS) равно 80 В Напряжение затвор-исток (VGS) равно +/- 20 В… Подробнее IRF511 MOSFET: распиновка, эквивалент, спецификация, техническое описаниеПродолжить

МОП-транзистор

IRF530 MOSFET:ЭКВИВАЛЕНТ, распиновка, спецификация, применение, техническое описание

Byadharsh 20 мая 2022 г.