Транзистор irfz44n: Транзистор IRFZ44N: параметры, цоколевка, аналог, datasheet

распиновка, схемы, аналоги и как подключить

Полевой МОП-транзистор irfz44n — мощное устройство с кремниевой основой. Он имеет индуцированный нормально закрытый канал, изолированный с помощью затвора. Устройство было специально создано для включения в высокоскоростные низковольтные системы коммутации, источники питания, преобразователи, схемы управления двигателями.

Схема подключения

В кремниевой структуре транзистора есть 2 p-n перехода. Если отпирающее напряжение не подается, нет проходящего тока, транзистор закрыт. При подаче положительного отпирающего напряжения: на затвор «+»и исток «—», электрическое поле приводит к возникновению n-проводимого канала.

Если подать питание на нагрузку, в индуцированном канале начнется движение стокового тока ID.

От уровня напряжения, подаваемого на затвор, зависит число электронов, притягивающихся в область стока-истока, которая расширяется для движения тока. Это может происходить до того, как график линейной и отсечки переключатся между областями. Далее, в области насыщения увеличение показателя тока прекращается.

Рабочий режим (область насыщения) используется для схем усиления. В irfz44n datasheet процедура перехода в данный режим для различных значений V GS может быть показана с помощью графиков стандартных выходных параметров. Увидеть границы области насыщения для mosfet можно на почти горизонтально расположенной к оси напряжения стока-истока линии.

В каких режимах функционирует полевой транзистор

Режим отсечки

Как уже упоминалось, расстояние между стоком и истоком, регулируется затвором. Алгоритм работы транзистора виден в простейшей схеме, управляющей качеством освещения от лампы накаливания. Когда на затворе отсутствует напряжение, он закрыт, и электрический ток через лампу накаливания не течет.

Для управления светом лампы нужна смена напряжения на затворе по отношению к истоку. У нас n-канальный транзистор, поэтому на затвор подается напряжение со знаком “+”. В окончательном виде irfz44n схема выглядит так:

Так каким же должно быть напряжение на затворе, чтобы ток внутри цепи стока-истока был максимальным?

Возьмем стрелочный блок питания irfz44n для регуляции напряжения. Соберем его по схеме и подадим на затвор 1 В. Лампа не загорится. Если же увеличить напряжение до 3,5 В, амперметр покажет появление тока в лампе накаливания. Но она все равно не загорится, так как такой силы тока не хватает для накала вольфрамовой нити.

Читайте в отдельной статье про полевой транзистор.

Режим активной работы irfz44n

Напряжение в районе 3,5 В частично приоткрывает транзистор. Этот показатель отличается у разных видов полевиков и находится в пределах 0,5-5 В. В даташит этот показатель именуют Gate threshold voltage (предельное напряжение затвора).

Если плавно регулировать величину канала устройства, повышая напряжение, поданное на затвор, становится видно постепенное накаливание нити лампы. Корректируя уровень напряжения, можно создать необходимый уровень освещения. Это и объясняет название данного режима — активный. При нем сопротивление индуцируемого канала транзистора меняется, согласно напряжению на затворе.

В результате активной работы устройство может перегреться. Поэтому необходимо пользоваться охлаждающим радиатором, рассеивающим тепло в окружающую среду.

Режим насыщения irfz44n

Для полного открытия полевого транзистора требуется подача напряжения до того момента, пока лампа не станет гореть на уровне всего канала. В данном режиме сопротивление канала стока-истока находится в минимуме и почти не сопротивляется течению электрического тока.

Примечательно, что само устройство в данном случае не нагревается. Это можно объяснить формулой: P= I2C R. При сопротивлении, равном каким-то сотым долям ома транзистору просто не с чего нагреваться.

Так что, самые мягкие режимы для полевика — это полное открытие или закрытие канала. Если он закрыт, сопротивление канала стремится к бесконечности, а ток, проходящих через него, минимален по закону Ома. Если подставить эти значения в формулу выше, будет понятно, что рассеянная мощность приближается к нулю.

Главные характеристики irfz44n

Полный список параметров транзистора не приведен в даташит, поскольку он может потребоваться лишь специалистам по разработке. Большинству даже опытных пользователей нужно знать лишь часть характеристик для включения irfz44n устройства в различные электронные схемы.

При температуре не более 25 градусов транзистор имеет следующие ключевые параметры:

1. Наибольшее напряжение стока-истока — 55 Вольт.
2. Наибольший ток стока — 49 Ампер.
3. Сопротивление проводного канала стока-истока — 5 микроОм.
4. Рассеивающаяся мощность — 94 Ватт.

В ряде технических описаний наименование mosfet irfz44n транзистора с изоляцией затвора начинается с аббревиатуры МДП, что обозначает:

1. Металл.
2. Диэлектрик.
3. Полупроводник.

У этих устройств может быть 2 вида каналов:

• встроенный;
• индуцированный.

Эти полупроводниковые приборы обладают затвором, разделенным с кремниевой подложкой тончайшей прослойкой диэлектрического материала. Его толщина около 0,1 мкм.

Распиновка irfz44n

Больше всего rfz44n распространен в корпусе ТО220 из пластика с отверстием для винта, который входит в дискретные полевые транзисторы с высокой мощностью. Вид цоколевки irfz44n с «фасада» таков:

1. С левой стороны — затвор.
2. С правой — исток.
3. Центральный канал — это сток, который электрически соединен с вмонтированным в корпус радиатором.

Под брендом IR выпускаются варианты с корпусами D2PAK и ТО-262, с таким же назначением выводов, как у ТО-220.

Маркировка irfz44n

Приставка irf свидетельствует о том, что устройства производят на предприятиях, относящихся к компании International Rectifier (США). 14 лет назад году ее сотрудники продали технологии изготовления Vishay Intertechnology, а еще через 8 лет IR присоединилась к Infineon Technologies. Сегодня детали с такой же приставкой в названии выпускает ряд ещё нескольких независимых предприятий.

Некоторые технические описания устройства содержат в конце маркировки символы PbF, что в расшифровке означает plumbum free — бессвинцовый метод производства транзисторов. Он становится популярен во многих странах, так как многие химические соединения, вредные для экологии и для здоровья людей, на сегодняшний день запрещены к применению.

В даташит оригинала упоминается фирменная HEXFET-технология производства, созданная International Rectifier Corporation. Благодаря ей серьезно уменьшается сопротивление электронных деталей и температура нагрева во время их работы. Она же делает необязательным использование радиатора-охладителя.

IRFZ44N от производителя IR, имеющие структуру HEXFET, обладают самым низким сопротивлением стока-истока в 17,5 мОм. В техническом описании к этим устройствам есть отметка Power MOSFET. Она означает, что данные транзисторы — это мощные полупроводниковые приборы.

Аналоги

Стопроцентной замены irfz44n нет, но есть несколько транзисторов, схожих с ними в описании и параметрах. Среди них:

• IRFZ44E.
• IRFZ46N.
• IRFZ45.
• IRFZ40.
• BUZ102.
• IRLZ44Z.
• STP45NF06.
• HUF75329P3.
• IRF3205.

Среди российских аналогов — КП723 и КП812А1. Они работают при чуть меньшей температуре, ниже 150 градусов.

Изготовители

Можно найти русскоязычный перевод DataSheet irfz44n, но более точная информация дана в англоязычной версии изготовителя. Основными производителями радиоэлектронных элементов являются:

1. Infineon Technologies (брэнд International Rectifier).
2. Philips Semiconductors.
3. INCHANGE Semiconductor.
4. Leshan Radio Company.

Способы проверки irfz44n

Простая проверка полевого транзистора заключается в действиях по схеме.

Полевые транзисторы широко используются в современной технике, например, блоках питания, контроллерах напряжения компьютеров и других электронных девайсов, а также бытовой техники. Это и стиральные машины, и кофемолки, и осветители. Приборы часто выходят из строя, и в этих случаях нужно выявить, а затем устранить конкретную неполадку. Поэтому знать способы проверки транзисторов — обязательно.

Подключите черный щуп к стоку, а красный — к истоку. На дисплее высветится показатель перехода вмонтированного встречно расположенного диода. Запишите его. Отстраните красный щуп от истока и дотроньтесь им до затвора. Это способ частичного открытия полевика.

Верните красный щуп в прежнюю позицию (к истоку). Посмотрите на уровень перехода, он чуть снизился при открытии транзистора. Перенесите черный щуп со стока к затвору, и тем самым закройте транзистор. Верните его обратно и понаблюдайте за изменениями показателя перехода при полном закрытии irfz44n.

У затвора рабочего полевого транзистора должно быть сопротивление, приближенное к бесконечности.

По такой схеме проверяются n-канальные устройства, p-канальные тоже, но с щупами другой полярности.

Проверять мосфет-транзисторы можно и по небольшим схемам, к которым их подключают. Это быстрый и точный метод. Но если проверки устройства требуются нечасто, или у вас нет возможности собирать схемы, то способ с мультиметром — идеальное решение.

irfz44n — это относительно современная группа транзисторов, которые управляются не с помощью электричества, как в случае с биполярными устройствами, а посредством напряжения — то есть поля. Этим и объясняется аббревиатура MOSFET. Проверка транзистора указанным способом помогает понять, какая именно деталь вышла из строя.

Схемы включения

Полевики подключаются 3 основными способами, где есть общий:

1. Сток — ОС.
2. Исток — ОИ.
3. Затвор — ОЗ.

Практика показывает, что усилительные каскады обычно включают вторую схему, по аналогии с биполярными транзисторами. ОИ серьезно усиливает мощность, но каскад с такой схемой имеет низкие частоты. Причина этому — существенная входная емкость затвора-истока.

Проверка полевого транзистора с помощью транзистометра

Это недорогое и довольно примитивное китайское устройство есть почти у всех, кто разбирается в электронике. Проверка с его помощью очень проста.

Вставьте проверяемое устройство в «кроватку» и нажмите объемную кнопку зеленого цвета. Прибор тут же выдаст результат, что перед вами n-канальный полевик типа МОП. Он же установит, как расположены выводы устройства, какова емкость затвора, каково максимальное напряжение при открытии. Иными словами, транзистометр — это просто чудо-прибор.

Безопасность при эксплуатации полевых транзисторов

Все варианты полевиков, не важно, имеют они p-n переходы, или это МОП-варианты, сильно подвержены влиянию перегрузок электричеством на затворах. Прежде всего, это относится к электростатике, которая накапливается в организме людей и устройствах для измерения разных величин.

Недопустимые значения электростатики для irfz44n — это 50-100 В. При управляющем p-n переходе — это 250 В. Работая с таким транзистором, необходимо заземлиться с помощью антистатического браслета, либо взять руками открытую батарею до прикосновения к устройству.

В ряде экземпляров полевиков есть встроенные для защиты частицы. Они называются стабилитронами. Их встраивают между затвором и истоком. Они должны защищать от электростатического заряда, но она не дает гарантии на 100%, и перестраховка необходима.

Желательно провести заземление измерительной и паяльной аппаратуры. Сегодня это происходит в автоматическом режиме с помощью розеток европейского типа, так как они оснащены заземляющими проводниками.

Преимущества полевых транзисторов

Первый плюс устройства — управление посредством электрополя, а не тока. Это делает схему проще и уменьшает мощность, которая затрачивается на управление.

Второй — в присутствии не только основных, но и второстепенных носителей электрического тока. Это дает прибору время рассасывания, и оно задерживает выключение устройства.

Третий — повышенная температурная устойчивость. Когда на транзистор подается напряжение, его температура возрастает, по закону Ома увеличивается и сопротивление. А значит, уменьшается и сила тока.

С биполярными транзисторами все сложнее, там при возрастании температуры увеличивается и число ампер. А значит, такие транзисторы не термоустойчивы. Есть вероятность опасного разогрева внутри них, который приводит к поломке. А термоустойчивость полевиков увеличивает нагрузочную способность при параллельной схеме соединения устройств.

Где приобрести irfz44n

Транзистор irfz44n купить можно в любом магазине радиоэлектронике, либо с доставкой из интернет-магазина АлиЭкспресс по ссылке.

Аналоги для IRFZ44N / Infineon

Исходное наименование		i	Упаковка	Корпус	Тип	Uси	Iс(25°C)	RDS on	Rси (вкл)	Uзатв (ном)	Uзатв(макс)	Qзатв	Pрасс	Примечание	Cзатв	Особенности	Карточка товара
IRFZ44N (INFIN)			в линейках 50 шт	TO-220-3										HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Полностью совместимая по корпусу, выводам и основным параметрам замена
IRFZ44PBF (VISH/IR)	P=		в линейках 50 шт	TO-220-3
IRFZ44VPBF (INFIN)	P=		в линейках 50 шт											HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Аналогичная по основным параметрам, но без гарантии совместимости по корпусу или выводам замена
STP60NF06 (ST)	A+		в линейках 50 шт											Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 60V, 0. 016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
WMK80N06T1 (WAYON)	A+		в линейках 1000 шт	TO-220-3
WMB52N06T1 (WAYON)	A+		в коробках 3000 шт
WMQ098N06LG2 (WAYON)	A+		3000 шт
WMO80N06T1 (WAYON)	A+		в ленте 2500 шт
WMO076N06LG2 (WAYON)	A+		в ленте 2500 шт
STP75NF75 (ST)	A+		в линейках 50 шт											Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0. 011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
STP65NF06 (ST)	A+		в линейках 50 шт											Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 60V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
CSD18537NQ5A (TI)	A+		в ленте 2500 шт	DFN-8 TDFN8										60-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET
WMQ060N06LG2 (WAYON)	A+		1 шт
IRF2805PBF (INFIN)	A+		в линейках 50 шт											HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
IRF1010EZPBF (INFIN)	A+		в линейках 50 шт											HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
IPD088N06N3GBTMA1 (INFIN)	A+		2500 шт
IPB054N06N3GATMA1 (INFIN)	A+		в ленте 1000 шт											Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0. 0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
ISZ0703NLSATMA1 (INFIN)	A+		в ленте 550 шт
IRL3705ZPBF (INFIN)	A+		в линейках 50 шт											HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
AUIRF2807 (INFIN)	A+		в линейках 50 шт											Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0. 013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
IRFZ44ZPBF (INFIN)	A+		в линейках 50 шт											HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
IRFZ44NSTRLPBF (INFIN)	A+		в ленте 800 шт
ISC0703NLSATMA1 (INFIN)	A+		в ленте 600 шт
IRFR2405PBF (INFIN)	A+		в линейках 75 шт	TO-252-3 DPAK										HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
IRFI1010NPBF (INFIN)	A+		в линейках 50 шт											HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
IRFR48ZPBF (INFIN)	A+		в линейках 75 шт											HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
IRFZ48NPBF (INFIN)	A+		в линейках 50 шт											HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Близкий по наименованию товар
IRFZ44NS (YOUTAI)   IRFZ44NS (INFIN)	SN			—

Полупроводниковые и системные решения – Infineon Technologies

Что наши клиенты говорят о CoolSiC™

Будь то солнечная энергия, зарядка электромобилей, центр обработки данных или тягач, карбид кремния кардинально меняет способы производства, передачи и потребления энергии.

Смотреть видео

Объявление конкурса дизайна «Основное»

Приглашаем всех новаторов! Примите новый вызов проектирования, сосредоточившись на ядре Arm® Cortex®-M0+ на двухъядерном микроконтроллере PSoC™ 62 с ModusToolbox™

. Оставить заявку …

Электрификация основного электрораспределения

Узнайте, как мегатенденции в автомобилестроении вызывают децентрализацию и электрификацию системы электроснабжения.

кликните сюда

Экологически чистая мобильность

Мобильность — экологичная, умная, персональная. Как Infineon способствует устойчивой мобильности?

Узнайте здесь

Производительность GiGaNtic в адаптерах/зарядных устройствах USB-C

Первая в отрасли комбинированная ИС с коррекцией коэффициента мощности и гибридной обратной связью для конструкций сверхвысокой плотности. Узнай одним из первых!

Скачать техническое описание

Новинка! PSoC™ 62S2 Wi-Fi BT Matter Pioneer Kit

Надежное решение Matter over Wi-Fi со сверхнизким энергопотреблением, которое поможет вам быстро выйти на рынок

Учить больше

Новости

13 октября 2022 г. | Деловая и финансовая пресса

Infineon и VinFast расширяют сотрудничество в области электромобилей

06 октября 2022 г. | Business & Financial Press

Содействие развитию электромобильности и экологически чистой энергии: Infineon открывает новый завод по производству мощных полупроводниковых модулей в Цеглед

Новости рынка

31 октября 2022 г. | Новости рынка

Новая энергонезависимая память EXCELON™ F-RAM от Infineon, 8 и 16 Мбит, поступила в продажу

Посетите Infineon в Twitter

Hoja de datos ( техническое описание в формате PDF ) электронных компонентов

Номер пьезы	Описание	Фабрикантес	ПДФ
24FC64F	ЭСППЗУ	Микрочип	ПДФ
74AHC164	8-БИТНЫЕ ПАРАЛЛЕЛЬНЫЕ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫЕ РЕГИСТРЫ Сдвига	Диоды	ПДФ
74АХК164	8-битный сдвиговый регистр с последовательным вводом/выводом	Филипс	ПДФ
74AHCT164	8-битный сдвиговый регистр последовательного ввода/вывода	Филипс	ПДФ
74AUP1G57	КОНФИГУРИРУЕМЫЕ МНОГОФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ ВОРОТА	Диоды	ПДФ
74AUP1G57	Универсальный конфигурируемый логический вентиль с двумя входами малой мощности	Фэирчайлд Полупроводник	ПДФ
74АУП1Г58	Конфигурируемый многофункциональный вентиль с низким энергопотреблением	NXP Полупроводники	ПДФ
74АУП1Г97	КОНФИГУРИРУЕМЫЕ МНОГОФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ ВОРОТА	Диоды	ПДФ
74АУП1Г97	Универсальный конфигурируемый логический элемент малой мощности с двумя входами	Фэирчайлд Полупроводник	ПДФ
74AUP1G98	Универсальный конфигурируемый логический элемент малой мощности с двумя входами	Фэирчайлд Полупроводник	PDF
74АУП1Г98	Конфигурируемый многофункциональный вентиль с низким энергопотреблением	NXP Полупроводники	ПДФ
74AUP1G98	КОНФИГУРИРУЕМЫЕ МНОГОФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ ВОРОТА	Диоды	ПДФ
74АУП2Г02	ДВОЙНЫЕ НОРМАЛЬНЫЕ ВОРОТА	Диоды	ПДФ
74АУП2Г125	ДВОЙНОЙ 3-СОСТОЯННЫЙ БУФЕР	Диоды	ПДФ
Una ficha técnica, hoja técnica u hoja de datos (datasheet на английском языке), también ficha de characterísticas u hoja de characterísticas, es un documento que резюме el funcionamiento y otras characteristicas de un componente (por ejemplo, un componente electronico) o subsistema por ejemplo, una fuente de alimentación) con el suficiente detalle para ser utilizado por un ingeniero de diseño y diseñar el componente en un sistema. Больше новостей Добавить комментарий Отменить ответ Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены * Комментарий * Имя * Email * Сайт