Транзистор j13009 2 параметры: Транзистор J13009-2: характеристики, аналоги и datasheet

Транзистор J13009-2: характеристики, аналоги и datasheet

Транзистор J13009-2, как указанно в технических характеристиках, предназначен для применения в качестве скоростного переключателя высоковольтной индуктивной нагрузки. Кроме этого он применяется в системах управления электродвигателями и импульсных инверторах. От обычного FJP13009 отличается технологией изготовления корпуса и часто маркируется как J13009-2, полное его название FJP13009h3TU. Он является кремниевым устройством с n-p-n структурой.

Цоколевка

Изготавливают J13009-2 в корпусе ТО-220. Если расположить транзистор маркировкой к себе, а ножки так, чтобы они были направлены вниз, то выводы будут расположены в таком порядке: слева будет находиться база, в середине коллектор, а справа эмиттер. С тем, как выглядит транзистор и его геометрическими размерами можно ознакомиться по рисунку.

Технические характеристики

Рассмотрение начнём с предельно допустимых значениях, как наиболее важных. Именно на них нужно обращать внимание в первую очередь при выборе устройства на замену вышедшему из строя и разработке новых схем. Эти параметры не могут быть превышены ни при каких условиях иначе J13009-2 выйдет из строя. Также не рекомендуется длительная эксплуатация при значениях близких или равных максимальным, так как в этом случае снижается надёжность и срок службы транзистора. Тестирование проводится при температуре +25°С.

Для J13009-2 максимальные характеристики равны:

• разность потенциалов между К-Э (пост.) — 400 В;
• разность потенциалов между К-Э (имп.) — 700 В;
• разность потенциалов между Э-Б — 9 В;
• ток коллектора (пост.) — 12 А;
• ток коллектора (имп.) — 24 А;
• ток через базу (пост.) — 6 А;
• ток через базу (имп.) — 12 А;
• ток через эмиттер (пост.) — 18 А;
• ток через эмиттер (имп.) — 36 А;
• мощность на коллекторе (без импользования теплоотвода) — 2 Вт;
• мощность на коллекторе (с стандартным теплоотводом) — 100 Вт;
• термо-сопротивление кристалл-корпус R_θJC = 1,25 °С/Вт;
• термо-сопротивление кристалл-воздух R_θJА = 62,5 °С/Вт;
• рабочие т-ры Tstg (T_J) = от -65 до +150^ОС.

После максимальных, рассмотрим электрические характеристики. Они влияют на функциональность и сферу применения транзистора. Измеряются они при стандартной температуре +25°C. Значения других параметров измерения, способных повлиять на результаты тестирования приведены в специальной колонке «Режимы тестирования».

Электрические характеристики транзистора J13009-2 (при Т = +25 оC)
Параметры	Режимы тестирования	Обозн.	min	typ	max	Ед. изм
Поддерживающее напряжение, К-Э	IC = 10 мA, IB = 0	VCEO(sus)	400			В
Обратный ток К-Э	VBE = 1,5 В	ICEV			1	мА
	VBE = 1,5 В, TC = 100°C				5
Обратный ток эмиттера	VEB = 9 В, IC = 0	IEBO			1	мА
Статический к-т усиления	VCE = 2 В, IC= 0. 5 A VCE = 2 В, IC = 1 A	hFE1 hFE2	8 6		40 30
Напряжение насыщения К-Э	IB = 1 А, IC = 5 A IB = 1,6 А, IC = 8 A IB = 3 B, IC = 12 A IB= 1,6 B, IC=8 A Tc=100℃	VСE(sat)			1 1,5 3 2	В В В В
Напряжение насыщения база-эмитБ-Этер	IB = 1 А, IC = 5 A IB = 1,6 А, IC = 8 A IB=1,6 B, IC=8 A, Tc=100℃	VСE(sat)			1,2 1,6 1,5	В В В
Время задержки	IC = 8 A, VCC = 125 В	td		0,06	0,1	мкс
Время нарастания		tr		0,45	1	мкс
Время закрытия		tf		0,2	0,7	мкс
Время рассасывания		tS		1,3	3	мкс
Выходная ёмкость	VCB=10В, IE=0, f= 0,1 МГц	Cob		180		пФ

Аналоги

Полным аналогом транзистору J13009-2 является MJE13009. Достаточно близкие по техническим характеристикам рассматриваемому устройству считаются:

• BUT12A;
• D209L;
• 2SC2335;
• BUJ106A.

Но перед заменой следует ознакомиться с параметрами обеих устройств и только после этого принимать решение.

Производители

Изготавливает J13009-2 американская компания Fairchild Semiconductor (скачать datasheet можно кликнув на название) Поэтому в отечественных магазинах можно найти продукцию только этой фирмы.

Транзистор 13009: характеристики, цоколевка, аналоги

13009 — кремниевый, со структурой NPN, планарно-эпитаксиальный транзистор для мощных переключающих цепей. Конструктивное исполнение: TO220 (TO220AB/F/S), TO3P, TO247.

Основная информация представленна для модели FJP13009. В разделе «модификации» имеются данные по характеристикам и для других версий транзистора.

Содержание

1. Корпус, цоколевка
2. Предназначение
3. Характерные особенности
4. Предельные эксплуатационные характеристики
5. Электрические параметры
6. Классификация по величине hFE
7. Модификации (версии) транзистора 13009
8. Аналоги
9. Отечественное производство
10. Зарубежное производство
11. Графические иллюстрации характеристик транзистора

Корпус, цоколевка

Предназначение

Транзистор разработан для использования в электронных схемах преобразователей напряжения, импульсных источников питания, схемах управления электродвигателями и реле, систем развертки ТВ-приемников.

Характерные особенности

• Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: U_(BR)CEO ≥ 400 В.
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: U_CE(sat) ≤ 1,5 В при I_C = 8 А.
• Высокая скорость переключений: t_f ≤ 0,7 мкс.

Предельные эксплуатационные характеристики

Данные в таблице действительны при температуре среды Ta=25°C, если не указано иное.

Характеристика		Обозначение	Величина
Напряжение коллектор – база транзистора, В		UCBO	700
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, В		UCEO	400
Напряжение эмиттер – база транзистора, В		UEBO	9
Ток коллектора постоянный, А		IC	12
Ток коллектора импульсный, А		ICP	24
Ток базы постоянный, А		IB	6
Предельная рассеиваемая мощность, Вт	Ta = 25°C	PC	2
	Tc = 25°C	PC	100
Предельная температура полупроводниковой структуры, °С		Tj	150
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С°		Tstg	-65…+150

Электрические параметры

Данные в таблице действительны при температуре среды Ta=25°C, если не указано иное.

Характеристика	Обозначение	Параметры при измерениях	Значения
Характеристики выключенного состояния
Выдерживаемое напряжение коллектор-эмиттер, В	UCEO(sus)	IC = 10 мА, IB = 0	≥ 400
Ток эмиттера выключения, мА	IEBO	UEB = 9,0 В, IC = 0	≤ 1,0
Характеристики включенного состояния
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В ٭	UCE(sat) (1)	IC = 5,0А, IB = 1,0 А	≤ 1,0
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В ٭	UCE(sat) (2)	IC = 8,0А, IB = 1,6 А	≤ 1,5
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В ٭	UCE(sat) (3)	IC = 12,0А, IB = 3,0 А	≤ 3,0
Напряжение насыщения база-эмиттер, В ٭	UBE(sat) (1)	IC = 5,0А, IB = 1,0 А	≤ 1,2
Напряжение насыщения база-эмиттер, В ٭	UBE(sat) (2)	IC = 8,0А, IB = 1,6 А	≤ 1,6
Статический коэффициент усиления по току ٭	hFE (1)	UCE = 5,0 В, IC = 5,0 А	8…40
	hFE (2)	UCE = 5,0 В, IC = 8,0 А	6…30
Характеристики работы в режиме малого сигнала
Граничная частота усиления (частота среза), МГц	fT	IC = 0,5 А, UCE = 10,0 В	≥ 4
Выходная емкость (коллекторного перехода), пФ	Cob	UCB = 10,0 В, f = 0,1 МГц	180
Временные характеристики при резистивной нагрузке
Время нарастания импульса тока, мкс	ton	UCC = 125 В, IC = 8,0 А, IB1 = -IB2 = 1,6 А, RL = 15,6 Ом	1,1
Время сохранения импульса, мкс	ts (tstg)		3
Время спадания импульса, мкс	tf		0,7

٭ — получено при импульсном тесте: длительность импульса ≤ 300 мкс, скважность ≤ 2%.

Классификация по величине h

_FE

Группа по величине hFE	h2	h3
Величина hFE	8…17	15…28

 

Модификации (версии) транзистора 13009

Данные по временным параметрам (t_on, t_s, t_f) в таблице приведены для резистивной нагрузки (если не указано иное).

Тип	PC Ta=25°C/Tc=25°C	UCB	UCE	UEB	IC/ICM	TJ	hFE	fT	Cob	UCE(sat)	ton / ts / tf	Корпус	Примечания
13009	2/100	700	400	9	12/-	150	8…40	≥ 4	–	≤ 0,8	0,4/7,0/0,4	TO220
13009A	2/110	700	400	9	12/-	150	8…40	≥ 4	–	≤ 0,8	0,5/8,0/0,4	TO220
13009SDL	2/100	400	200	9	15/-	150	8…30	≥ 4	–	≤ 1,0	1,0/6,0/1,0	TO220
13009T	2/95	700	400	9	11/-	150	8…40	≥ 5	–	≤ 0,8	0,4/6,0/0,4	TO220
3DD13009	2/-	700	400	9	12/-	150	8…40	≥ 4	–	≤ 1,5	-/4,0/0,9	TO220
3DD13009A8	2/100	700	400	9	12/24	150	20…35	≥ 4	–	≤ 1,0	0,6/7,0/0,25	TO220AB
3DD13009AN	3/120	700	400	9	12/24	150	20…35	≥ 4	–	≤ 1,0	0,6/7,0/0,25	TO3P(N)
3DD13009C8	2/100	700	400	9	12/24	150	20…30	≥ 5	–	≤ 1,0	0,3/6,0/0,3	TO220AB
3DD13009K	-/100	700	400	9	12/24	150	5…40	≥ 4	–	≤ 1,8	-/3,0/0,7	TO220C
3DD13009K	-/120	700	400	9	12/24	150	5…40	≥ 4	–	≤ 1,8	-/3,0/0,7	TO3PB
3DD13009X8D	2/100	350	200	9	12/24	150	15…30	≥ 4	–	≤ 1,0	1,0/4,0/1,0	TO220AB
BR3DD13009 X7R	2/90	700	400	9	8/-	150	10…40	≥ 5	–	≤ 1,5	-/9,0/0,8	TO220	MJE13009X7
BR3DD13009 X8F	2/90	700	400	9	8/-	150	10…40	≥ 5	–	≤ 1,5	-/9,0/0,8	TO220F	MJE13009X8
BR3DD13009X9F	2/90	700	400	9	8/-	150	10…40	≥ 5	–	≤ 1,5	-/9,0/0,8	TO3P	MJE13009X9
BR3DD13009 Z8F	2/100	700	400	9	12/-	150	10…40	≥ 5	–	≤ 1,2	-/12,0/0,5	TO220F	MJE13009Z8
FJA13009	-/130	700	400	9	12/24	150	6…40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO3P
FJP13009	-/100	700	400	9	12/24	150	6…40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO220
FJP13009h3TU	-/100	700	400	9	12/24	150	6…40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO220	Группы по hFE: h2, h3
FJPF13009	-/50	700	400	9	12/24	150	6…40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO220F	Группы по hFE: h2, h3
HMJE13009A	2/100	700	400	9	12/24	150	5…22	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO220AB	٭
KSE13009F	-/50	700	400	9	12/24	150	6…40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO20F
KSh23009	-/100	700	400	9	12/24	150	6…40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO220	Группы по hFE: R, O, Y1, Y2
KSh23009A	-/100	700	400	9	12/24	150	6…40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO220	Группы по hFE: R, O, Y1, Y2
KSh23009AF	-/50	700	400	9	12/24	150	6…40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO220F	Группы по hFE: R, O, Y1, Y2
KSh23009AL	-/130	700	400	9	12/24	150	6…40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO3P	Группы по hFE: R, O, Y1, Y2
KSh23009F	-/50	700	400	9	12/24	150	6…40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO220F	Группы по hFE: R, O, Y1, Y2
KSh23009L	-/130	700	400	9	12/24	150	6…40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO3P	Группы по hFE: R, O, Y
KSh23009W	-/100	700	400	9	12/-	150	6…40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO263	(D2PAK)
MJE13009	2/100	700	400	9	12/24	150	6…40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO220AB	٭
MJE13009-3PN	2/100	700	400	9	12/24	150	6…40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO3PN
MJE13009A	-/130	700	400	12	12/-	150	5…40	–	–	≤ 0,8	-/9,0/0,15	TO3P
MJE13009D	2/100	700	400	9	12/24	150	6…40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO220	٭
MJE13009F	-/50	700	400	9	12/24	150	6…28	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO220IS
MJE13009-K	2/-	700	400	9	12/24	150	≤ 40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/4,0/0,7	TO220	٭
MJE13009-K	-/80	700	400	9	12/24	150	≤ 40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/4,0/0,7	TO3P	٭
MJE13009-P	2/-	700	400	9	12/24	150	≤ 40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO220	٭
MJE13009-P	-/80	700	400	9	12/24	150	≤ 40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO3P	٭
MJE13009Z9	2/100	700	400	9	12/-	150	10…40	≥ 5	–	≤ 1,2	-/12,0/0,5	TO3P	3DD13009Z9
MJE13009ZJ	2/80	700	400	9	12/-	150	10…40	≥ 5	–	≤ 1,2	-/12,0/0,5	TO220S	BR3DD13009ZJ
MJF13009	-/50	700	400	9	12/24	150	6…40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO220F
P13009	3/120	700	400	9	12/-	150	8…40	≥ 4	–	≤ 0,8	0,4/7,0/0,4	TO3PB
P13009A	3/130	700	400	9	12/-	150	8…40	≥ 4	–	≤ 0,8	0,5/10,0/0,4	TO3PB
PHE13009	-/80	700	400	–	12/24	150	8…40	–	–	≤ 2,0	-/3,3/0,7	TO220AB	٭
SBF13009-O	2,2/50	700	400	9	12/24	150	6…40	≥ 4	–	≤ 1,5	-/10,0/0,8	TO220F
SBP13009-K	2,2/100	700	400	9	12/25	150	5…40	–	–	≤ 2,0	-/3,0/0,4	TO220	٭
SBP13009-O	-/100	700	400	9	12/25	150	6…40	–	–	≤ 1,5	-/3,0/0,4	TO220	٭
SBP13009-S	2,2/100	700	400	9	12/25	150	6…40	–	–	≤ 1,0	-/3,0/0,4	TO220	٭
SBW13009-K	-/120	700	400	9	12/25	150	5…40	≥ 4	–	≤ 2,0	-/10,0/0,8	TO3P(B)
SBW13009-O	-/110	700	400	9	12/25	150	6…40	≥ 4	–	≤ 1,5	-/10,0/0,8	TO3P(B)
SBW13009-S	-/120	700	400	9	12/25	150	6…40	≥ 4	–	≤ 1,5	-/10,0/0,8	TO3P(B)
ST13009	-/100	700	400	12	12/24	150	10…39	–	–	≤ 1,25	-/2,5/0,11	TO220	٭٭
STW13009	-/125	700	400	12	12/24	150	10…36	–	–	≤ 1,25	-/2,5/0,11	TO247	٭٭
STWh23009	-/125	700	400	12	12/24	150	11…30	–	–	≤ 1,0	-/2,5/0,14	TO247	٭٭
TS13009	-/100	700	400	9	12/24	150	6…40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,3/0,5	TO220
WBP13009-K	2,2/100	700	400	9	12/25	150	5…40	–	–	≤ 2,0	-/3,0/0,4	TO220	٭
SXW13009	-/100	700	400	–	12/-	–	8…40	–	–	–	-/4,0/-	TO220

٭ — кроме указанных в таблице, в даташит производителя также приводятся данные по временным параметрам (t_on, t_s, t_f) для случаев индуктивной нагрузки.

٭٭ — в даташит производителя (и в этой таблице) приводятся данные по временным параметрам (t_s, t_f) только для индуктивной нагрузки.

Аналоги

Для замены могут подойти кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, мощные, переключательные, высоковольтные транзисторы предназначенные для работы в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах, переключающих устройствах, преобразователях постоянного напряжения и других схемах аппаратуры общего назначения.

Отечественное производство

Тип	PC Ta=25°C//Tc=25°C	UCB	UCE	UEB	IC/ICM	TJ	hFE	fT	Cob	UCE(sat)	ton / ts / tf	Корпус	Примечания
13009	2/100	700	400	9	12/-	150	8…40	≥ 4	–	≤ 0,8	0,4/7,0/0,4	TO220
КТ840А	60	900	400	5	6/8	150	10…60	≥ 8	–	≤ 0,6	0,2/3,5/0,6	КТ-9	(ТО3)
КТ840Б		750	350				≥ 10		–
КТ840В		800	375				10…100
КТ841А, В	50	600	350	5	10/15	150	≥ 20	≥ 10	300	≤ 1,6	0,08/1,0/0,5	–	–
КТ854А	60	600	500	5	10/15	150	≥ 20	≥ 10	102	≤ 2,0	–	КТ-28-2	(ТО220АВ)
КТ856А	50	800	800	5	10/12	150	10…60	≥ 10	≤ 100	≤ 1,5	–	КТ-9	(ТО3)
КТ856Б		600	600								–
2Т856А	125	950	950	5	10/12	–	≤ 60	–	–	≤ 1,5	-/-/0,5	КТ-9	(ТО3)
2Т856Б		750	750			–		–	–
2Т856В		550	550			–		–	–
2Т856Г		850	850			–		–	–
КТ868А	70	900	400	5	6/8	150	10…60	≥ 8	≤100	≤ 1,5	–	КТ-9	(ТО3)
КТ868Б		750	375				10…100				–
КТ8107А	100	1500	–	5	8/15	–	≥ 2,25	≥ 7	–	≤ 1,0	-/3,5/0,5	КТ-9	(ТО3)
КТ8107Б	125	1500	–	5	5/7,5	–	≥ 2,25		–	≤ 3,0
КТ8107В	50	1500	–	5	5/8	–	8…12		–	≤ 1,0
КТ8107Г	100	1500	–	6	10	–	–		–	≤ 3,0
КТ8107Д	100	1200	–	6	10	–	–		–	≤ 1,0
КТ8107Е	100	1000	–	6	10	–	–		–	≤ 1,0
КТ8118А	50	900	800	–	3/10	–	10…40	≥ 15	–	≤ 2,0	–	КТ-28	(ТО220)
КТ8121А	75	700	400	–	4/8	–	8…60	≥ 4	–	≤ 1,0	–	КТ-28	(ТО220)
КТ8121Б		600	300	–		–			–		–
КТ8126А1	80	700	400	9	8/16	–	5…40	–	120	≤ 3,0	1,6/3,0/0,7	КТ-28	(ТО220)
КТ8126Б1		600	300			–		–
КТ8145В	100	500	500	8	15/-	150	≥ 10	10	–	–	–	КТ-27	(SOT32)
КТ8164А	75	700	400	9	4/8	150	10…60	≥ 4	≤110	≤ 1,0	0,8/4,0/0,9	КТ-28	(ТО220)
КТ8164Б		600	300				8…40		–

Зарубежное производство

Тип	PC Ta=25°C/Tc=25°C	UCB	UCE	UEB	IC/ICM	TJ	hFE	fT	Cob	UCE(sat)	ton / ts / tf	Корпус
13009	2/100	700	400	9	12/-	150	8…40	≥ 4	–	≤ 0,8	0,4/7,0/0,4	TO220
2SC2335	1,5/40	500	400	7	7/15	150	10…80	–	–	≤ 1,0	1,0/2,5/1,0	TO220AB
2SC2898	-/50	500	400	7	8/16	150	≥ 7	–	–	≤ 1,0	0,8/2,0/0,8	TO220C
2SC5057	-/100	900	–	–	20/-	150	38	–	–	–	–	TO3PL
2SD2625Z9	2/120	700	400	9	12/-	150	10…40	≥ 5	–	≤ 1,2	-/12,0/0,5	TO3P
3DD209L	-/120	700	400	9	12/24	150	5…40	≥ 4	–	≤ 1,8	-/3,0/0,7	TO3PN(B)
3DD3320AN	3/120	700	400	9	15/30	150	15…30	≥ 4	–	≤ 1,0	0,6/3,0/0,35	TO3P(N)
3DD13012A8	2/100	750	400	9	15/30	150	20…35	≥ 5	–	≤ 1,0	1,0/5,0/0,5	TO220AB
BUL743	-/100	1200	500	–	12/24	150	24…80	–	–	≤ 1,5	-/3,8/0,5	TO220
BU941	-/150	500	400	5	15/30	175	≥ 300	–	–	≤ 1,8	-/15,0/0,5	TO220AB
D4515	-/120	700	400	9	15-/	150	8…50	≥ 4	–	≤ 1,5	-/3,0/0,7	TO3PN
ECG379	-/100	700	400	–	12/-	175	20	≥ 4	–	–	–	TO220
MJE13007/A	-/80	700	400	9	8/-	150	5…45	–	–	≤ 3,0	–	TO220
MJE340	-/20,8	300	300	3	0,5/-	150	50…240	–	–	–	–	SOT32*
P1488	3/150	750	450	9	15/-	150	8…40	≥ 5	–	≤ 0,8	0,6/5,0/0,4	TO3PB

* — (TO126)

Примечание: данные в таблицах взяты и даташип компаний-производителей.

Графические иллюстрации характеристик транзистора

Рис. 1. Зависимость статического коэффициента усиления h_FE от величины коллекторной нагрузки I_C.

Характеристика снята при напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 5 В.

Рис. 2. Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер U_CE(sat) и база-эмиттер U_BE(sat) при различных величинах коллекторной нагрузки I_C.

Характеристики сняты при соотношении токов I_C/I_B = 3.

Рис. 3. Влияние величины коллекторной нагрузки I_C на время задержки t_D и время нарастания t_R.

t_D + t_R = t_on – время нарастания импульса (включения транзистора).

Характеристики сняты при условиях:

U_CC = 125 В напряжение питания.

U_BE(OFF) = 5 В напряжение база-эмиттер перед включением.

I_С/I_B = 5 соотношение токов нагрузки (коллектора) и управления (базы).

Рис. 4. Влияние величины коллекторной нагрузки I_C на время сохранения импульса t_s (t_stg) и время спадания импульса t_f.

Характеристики сняты при условиях:

U_CC = 125 В напряжение питания.

I_С/I_B = 5 соотношение токов нагрузки (коллектора) и управления (базы).

Рис. 5. Изменение емкости коллекторного перехода C_ob транзистора при обратном напряжении коллектор-база U_CB.

Рис. 6. Необходимое уменьшение величины предельной рассеиваемой мощности P_C при увеличении температуры корпуса транзистора T_c.

Рис. 7. Область безопасной работы транзистора для случая резистивной или емкостной нагрузки.

Кривые ограничений нагрузки сняты в режиме одиночных импульсов длительностями 10 мкс, 100 мкс и 1 мс, а также в режиме постоянного тока (характеристика обозначена “DC”).

Ограничения нагрузок:

• по величине предельного тока коллектора IC ≤ 12 А, ICP ≤ 24 А;
• по величине напряжения коллектор-эмиттер UCEO ≤ 400 В;
• по общему перегреву п/п структуры;
• по вторичному пробою п/п структуры.

Рис. 8. Область безопасной работы транзистора для случая индуктивной нагрузки.

Характеристика снимается для режима длительности импульса тока коллектора длительностью 10 мкс. Введением обратного смещения базы транзистора (IB2 = -IB1 = -1А) удается повысить устойчивость транзистора по коллекторному напряжению до UCE = 700 В.

Величина индуктивности коллекторной цепи L = 1 мГн.

Характеристики снимаются при температурах внешней среды Ta ≤ 100°C. Величина температуры не оказывает существенного влияния на ход характеристики.

Транзистор

%20j13009-2 техническое описание и примечания по применению

Модель ECAD Производитель Описание Техническое описание Скачать Купить Часть ТК065У65З Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation МОП-транзистор, N-канальный, 650 В, 38 А, 0,065 Ом при 10 В, ТОЛЛ ТК5Р1П08КМ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation MOSFET, N-канальный, 80 В, 84 А, 0,0051 Ом при 10 В, DPAK ТК190Э65З Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation N-канальный МОП-транзистор, 650 В, 0,19 Ом при 10 В, TO-220, DTMOS ТК5Р1А08QМ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation МОП-транзистор, N-канальный, 80 В, 70 А, 0,0051 Ом при 10 В, TO-220SIS ТК155Э65З Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation N-канальный МОП-транзистор, 650 В, 0,155 Ом при 10 В, TO-220, DTMOS ТК2Р4А08QМ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation МОП-транзистор, N-канальный, 80 В, 100 А, 0,00244 Ом при 10 В, TO-220SIS

транзистор%20j13009-2 Листы данных Context Search

Каталог Лист данных	MFG и тип	ПДФ	Теги документов
хб*9Д5Н20П Реферат: khb9d0n90n 6v стабилитрон khb * 2D0N60P транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9Схема Д0Н90Н на транзисторе ктд998 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2N2904E до н. э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E хб*9Д5Н20П хб9д0н90н 6В стабилитрон хб*2Д0Н60П транзистор КХБ7Д0Н65Ф Транзистор BC557 киа*278R33PI Схема КХБ9Д0Н90Н транзистор ктд998
КИА78*ПИ Реферат: Транзистор КИА78*р ТРАНЗИСТОР 2Н3904хб*9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004АФ ТРАНЗИСТОР мосфет КИА7812АПИ хб*2Д0Н60П Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2N2904E до н.э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E КИА78*пи транзистор КИА78*р ТРАНЗИСТОР 2N3904 хб*9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004AF ТРАНЗИСТОР MOSFET KIA7812API хб*2Д0Н60П
2SC4793 2sa1837 Реферат: 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn к-220 2sc5198 аналог транзистора 2SC5359Транзистор 2SC5171, эквивалентный транзистору NPN Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SA2058 2SA1160 2SC2500 2SA1430 2SC3670 2SA1314 2SC2982 2SC5755 2SA2066 2SC5785 2SC4793 2sa1837 2СК5200, 2СА1943, 2СК5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn к-220 эквивалент 2sc5198 транзистор 2SC5359 эквивалент транзистора 2SC5171 НПН-транзистор
транзистор Реферат: транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор pnp bc547 транзистор BC327 NPN транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 ТРАНЗИСТОР PNP Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	2Н3904 2Н3906 2Н4124 2Н4126 2N7000 2Н7002 до н. э.327 до н.э.328 до н.э.337 до н.э.338 транзистор транзистор ИТТ BC548 п-н-п транзистор транзистор п-н-п BC337 п-н-п транзистор pnp bc547 транзистор BC327 NPN-транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2н3904 ТРАНЗИСТОР ПНП
Ч520Г2 Реферат: Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47к 22к ПНП НПН ФБПТ-523 Ч521Г2-30ПТ npn переключающий транзистор 60в транзистор Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904T1PT Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	А1100) QFN200 ЧДТА143ЕТ1ПТ ФБПТ-523 100 мА ЧДТА143ЗТ1ПТ ЧДТА144ТТ1ПТ CH520G2 Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47k 22k PNP NPN ФБПТ-523 Ч521Г2-30ПТ npn-переключающий транзистор 60 В транзистор Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904Т1ПТ
транзистор 45 f 122 Реферат: Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 136 tlp 122 634 транзистор транзистор ac 127 TRANSISTOR транзистор 502 транзистор f 421 Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	TLP120 TLP121 TLP130 TLP131 TLP160J транзистор 45 ф 122 Транзистор переменного тока 51 Моск 3021 СИМИСТОР 136 тлп 122 634 транзистор транзистор переменного тока 127 ТРАНЗИСТОР транзистор 502 транзистор ф 421
СТХ12С Реферат: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N ​​2SC5586 2SK1343 CTPG2F Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 фн651 SLA4037 sla1004 СТВ-34Д SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F
Варистор RU Реферат: Транзистор СЭ110Н 2SC5487 2SA2003 Транзистор СЭ090Н высоковольтный Транзистор СЭ090 РБВ-406 2SC5586 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор RU SE110N транзистор 2SC5487 2SA2003 SE090N высоковольтный транзистор SE090 РБВ-406 2SC5586
К2Н4401 Резюме: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 Q2N1132 D1N750 D02CZ10 D1N751 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	РД91ЭБ Q2N4401 Д1Н3940 Q2N2907A Д1Н1190 Q2SC1815 Q2N3055 Q2N1132 Д1Н750 D02CZ10 Д1Н751
фн651 Реферат: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 фн651 СТВ-34Д 2SC5586 ХВР-1×7 STR20012 sap17n 2сд2619 РБВ-4156Б SLA4037 2ск1343
2SC5471 Реферат: 2SC5853 2sa1015 транзистор 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 2Sc5720 транзистор 2SC5766 низкочастотный малошумящий транзистор PNP Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 2SC2240 2SA970 2SC2459 2SA1049 А1587 2SC4117 2SC5471 2SC5853 транзистор 2са1015 транзистор 2sc1815 Транзистор 2SA970 2SC5854 транзистор 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP
Мосфет ФТР 03-Е Резюме: mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона DTC114EVA DTC143EF V/65e9 транзистор транзистор 2SC337 Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	2SK1976 2SK2095 2SK2176 О-220ФП 2SA785 2SA790 2SA790M 2SA806 Мосфет FTR 03-E мт 1389 фе 2СД122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона DTC114EVA DTC143EF Транзистор V/65e9 транзистор 2SC337
фгт313 Реферат: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A диод SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096 диодов ry2a Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 фгт313 транзистор фгт313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 фгт412 РБВ-3006 ФМН-1106С SLA5096 диод ry2a
транзистор 91 330 Реферат: tlp 122 ТРАНЗИСТОР TLP635F 388 транзистор R358 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120 Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	4Н25А 4Н29А 4Н32А 6Н135 6Н136 6Н137 6Н138 6Н139 CNY17-L CNY17-M транзистор 91 330 тлп 122 ТРАНЗИСТОР TLP635F 388 транзистор Р358 395 транзистор транзистор ф 421 IC 4N25 симистор 40 РИА 120
1999 – Системы горизонтального отклонения телевизора Реферат: РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА an363 TV горизонтальные системы отклонения 25 транзистор горизонтальная секция tv Горизонтальное отклонение переключающие транзисторы TV горизонтальные системы отклонения mosfet CRT TV электронная пушка горизонтальная секция в элт-телевидение TV трансформатор обратного хода Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	16 кГц 32 кГц, 64 кГц, 100 кГц. Системы горизонтального отклонения телевизора РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА Ан363 Системы горизонтального отклонения телевизора 25 транзистор горизонтальной секции телевизор Переключающие транзисторы с горизонтальным отклонением Мосфет системы горизонтального отклонения телевизора ЭЛТ ТВ электронная пушка горизонтальная секция в ЭЛТ-телевизоре Обратный трансформатор для телевизора
транзистор Аннотация: силовой транзистор npn к-220 PNP СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР TO220 транзистор PNP демпферный диод транзистор Дарлингтона 2SD2206A силовой транзистор npn транзистор дарлингтона TO220 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2СД1160 2СД1140 2СД1224 2СД1508 2SD1631 2SD1784 2СД2481 2SB907 2СД1222 2СД1412А транзистор силовой транзистор npn к-220 СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР PNP TO220 транзистор PNP демпферный диод Транзистор Дарлингтона 2СД2206А силовой транзистор нпн дарлингтон транзистор ТО220
1999 – транзистор Реферат: POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2sk 2SK тип n-канальный полевой массив Низкочастотный силовой транзистор транзистор mp40 TRANSISTOR P 3 high hfe транзистор список Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	X13769XJ2V0CD00 О-126) МП-25 О-220) МП-40 МП-45 МП-45Ф О-220 МП-80 МП-10 транзистор МОЩНЫЙ МОП-транзистор FET 2sj 2sk транзистор 2ск тип 2СК n-канальный полевой массив Силовой низкочастотный транзистор транзистор мп40 ТРАНЗИСТОР Р 3 высокочастотный транзистор список
транзистор 835 Реферат: Усилитель на транзисторе BC548 TRANSISTOR регулятор АУДИО Усилитель на транзисторе BC548 транзистор 81 110 w 85 транзистор 81 110 w 63 транзистор транзистор 438 TRANSISTOR GUIDE транзистор 649 Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	БК327; БК327А; до н. э.328 БК337; БК337А; до н.э.338 до н.э.546; до н.э.547; до н.э.548 до н.э.556; транзистор 835 Усилитель на транзисторе BC548 ТРАНЗИСТОРНЫЙ регулятор Усилитель ЗВУКА на транзисторе BC548 транзистор 81 110 Вт 85 транзистор 81 110 Вт 63 транзистор транзистор 438 ТРАНЗИСТОР РУКОВОДСТВО транзистор 649
2002 – SE012 Реферат: SE090 SE140N SE115N диод 2SC5487 sta474a 8050e SE110N SLA-7611 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 SE012 SE090 SE140N SE115N диод 2SC5487 sta474a 8050е SE110N SLA-7611
2SC5586 Реферат: транзистор 2SC5586 диод RU 3AM 2SA2003 диод СВЧ однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A 2SC5487 RG-2A диод Dual MOSFET 606 TFD312S-F Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 2SC5586 транзистор 2SC5586 диод РУ 3АМ 2SA2003 диод для микроволновой печи однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A 2SC5487 Диод РГ-2А Двойной МОП-транзистор 606 ТФД312С-Ф
PWM ИНВЕРТОРНЫЙ сварочный аппарат Реферат: KD224510 250A транзистор Дарлингтона Kd224515 демпфирующий конденсатор powerex инвертор сварочная схема kd2245 kd224510 примечания по применению транзистор KD221K75 Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF
варикап диоды Реферат: БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР МОП-транзистор с двойным затвором в усилителе УКВ Hitachi SAW Фильтр gsm-модуль с микроконтроллером P-канальный MOSFET Транзисторы MOSFET P-канальный Mosfet-транзистор Hitachi Низкочастотный силовой транзистор VHF FET LNA Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	PF0032 PF0040 PF0042 ПФ0045А PF0065 ПФ0065А HWCA602 HWCB602 ХВКА606 HWCB606 варикапные диоды БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР МОП-транзистор с двойным затвором в усилителе УКВ Хитачи ПАВ Фильтр gsm модуль с микроконтроллером p-канальный мосфет Транзисторы mosfet p канал МОП-транзистор хитачи Силовой низкочастотный транзистор УКВ Фет лна
Транзистор мощности телевизора, техническое описание Реферат: силовой транзистор 2SD2599 эквивалент 2SC5411 транзистор 2sd2499 транзистор 2Sc5858 эквивалент 2SC5570 компоненты в горизонтальном выходе 2SC5855 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SC5280 2SC5339 2SC5386 2SC5387 2SC5404 2SC5411 2SC5421 2SC5422 2SC5445 2SC5446 Технический паспорт силового транзистора телевизора силовой транзистор Эквивалент 2SD2599 транзистор 2sd2499 транзистор эквивалент 2Sc5858 2SC5570 компоненты в горизонтальном выводе 2SC5855
2009 – 2sc3052ef Реферат: 2n2222a SOT23 ТРАНЗИСТОР SMD МАРКИРОВКА КОД s2a 1N4148 SMD LL-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2n2222 sot23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 полупроводниковый перекрестный справочник toshiba smd код маркировки транзистора Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	24 ГГц BF517 Б132-Х8248-Г5-С-7600 2sc3052ef 2н2222а СОТ23 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА s2a 1Н4148 СМД ЛЛ-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2н2222 сот23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 смд 1N4148 СОД323 полупроводниковая перекрестная ссылка toshiba smd маркировка код транзистора
2007 – ДДА114ТХ Резюме: DCX114EH DDC114TH Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	DCS/PCN-1077 ОТ-563 150 МВт 22кОм 47кОм DDA114TH DCX114EH DDC114TH

Предыдущий 1 2 3 .