Универсальный внешний накопитель для всех iOS-устройств, совместим с PC/Mac, Android
Header Banner
8 800 100 5771 | +7 495 540 4266
c 9:00 до 24:00 пн-пт | c 10:00 до 18:00 сб
0 Comments

КТ808А характеристики транзистора, применение, аналоги, цоколевка

 

Если смотреть на технические характеристики транзистора КТ808A, то можно говорить о том, что он является мощным, кремниевым, биполярным, низкочастотным радиокомпонентом. Был выпущен в 70-х годах прошлого века на отечественном ульяновском заводе «Искра». Изготавливался по меза-планарной технологии.

Использовался в ключевых схемах, генераторах строчной развертки, регуляторах напряжения, импульсных источниках вторичного электропитания. Первые выходные каскады советских Hi-Fi усилителей собирались именно на нём. Его можно встретить в популярной для того времени аудиоаппаратуре: «Радиотехника-020 стерео»; «Бриг-001 стерео», «Барк-001», а также в других моделях.

Разводка выводов

Цоколевка у КТ808А типовая для металлического корпуса КТЮ-3-20 со стеклянными изоляторами и жесткими ножками. Если смотреть на устройство снизу, то коллектор будет визуально отличатся от других контактов. Выводы эмиттера и базы, немного утоплены в основании металлизированной упаковки.

 

В комплекте к транзистору прилагался накидной фланец для крепления. Технические условия изготовления содержатся в документе Ге3.365.020 ТУ.

Технические характеристики

В 70-х годах, с ростом советской промышленности, появляются кремниевые мезапланарные переключательные NPN-транзисторы повышенной мощности. Важной особенностью таких устройств были повышенные характеристики предельно допустимых параметров.

Максимальные

Предельно допустимые эксплуатационные характеристики КТ808 были достаточно высокими для того времени. Эти устройства обладали хорошим статическим коэффициентом усиления по току (h31е) – от 10 до 50. Имели увеличенное быстродействие: время включения-выключения составляло от  0.1 до 0.3 мкс, а рассасывания (Ts) от 0.75 до 3 мкс. Приведем другие основные параметры:

  • максимально допустимое постоянное напряжение между коллектором и эмиттером (условия измерения сопротивление перехода база – эмиттер R
    БЭ
    = 10 Ом, температура кристалла не более 100 ОС) – 100…120 В.
  • предельное импульсное напряжение между коллектором и эмиттером (условия измерения Uбэ = 2 В или Rбэ = 10 Ом, tu < 500 мкс tф > 30 мкс, Q > 7, Тп < +100 ОС) – до 250 В.
  • наибольшее возможное напряжение между эмиттером и базой – до 4 В.
  • предельно допустимый постоянный ток коллектора – до 10 А.
  • наибольшая постоянная мощность, рассеиваемая на коллекторе (при температуре корпуса от -60 ОС до + 50ОС) с теплоотводом – 50 Вт, и без него – 5 Вт.
  • максимальная температура кристалла до + 150 ОС.
  • рабочая температура окружающей среды от- 60 до +100 ОС.
  • вес устройства с фланцем — не более 34 гр.

Электрические

Далее приведем значения электрических значений у КТ808A. Производитель приводит эти данные для температуры окружающей среды не более +25

ОС. Условия, при которых проводилась проверка, представлены в дополнительных пояснениях к наименованиям параметров.

Аналоги

У старичка КТ808A есть современный аналог 2T808А. Он представлен во всех спецификациях российского предприятии АО «Научно производственное предприятие «Завод Искра», как усилительный транзистор специального назначения. КТ808АМ, КТ808А3 тоже являются полными аналогами этого отечественного производителя, но имеют другой корпус КТ-9. Других полноценных замен у данного прибора не существует. Встречаются конечно достаточно редкие 2Т808Б и КТ808АТ, но они были выпущены ограниченными партиями и даже сейчас их сложно найти в продаже.

АО «НПП Завод Искра» выпускает также бескорпускную модель рассматриваемого транзистора 2Т808А-2. Она имеет молибденовую подложку с защитным покрытием и гибкие выводы.

Как можно заметить, замену сильно усложняет нестандартный корпус КТЮ-3-20, который никогда не производился за рубежом. Несмотря на это некоторые умельцы находят возможность подмены в ближайших по характеристикам: КТ808БМ, КТ808Б3, 2Т819 (КТ819), 2Т827 (КТ827), 2Т908 (КТ908), 2Т945 (КТ945).

В зависимости от типа схемы можно рассмотреть и зарубежные варианты: BDY47, 2N3055, 2N4913, 2N4914, 2N4915, 2N5427, 2N5429, 2SD201, 2SD202, 2SD203, KU606, 2SC1113, 2SC1618, 2SC1619, KD602, BUY55, KU606, 2SD867. Все они оснащены другими типами корпусов ТО-3 или ТО-66, поэтому перед заменой необходимо продумывать способ монтажа и охлаждения.

Комплементарная пара

У транзистора КТ808А отсутствует комплементарная пара. У самых первых «Бриг-001» в выходном каскаде усиления, в пару для КТ808АМ подбирали почти идентичный КТ808БМ. Такая конструкция обеспечивала хорошее усиление, но как оказалось имела и свои минусы, влияющие на качество звука. В последующем они были устранены с помощью комплементарных между собой КТ818ГМ и КТ819ГМ, что позволило значительно улучшить звучание указанных Hi-Fi-устройств.

В 1977 году советские усилители «Бриг» успешно импортировались Австралией, Францией, Великобританией.

Содержание драгметаллов

Согласно данным из информационного справочника драгоценных металлов в КТ808А, выпущенного издательством ООО «Связьоценка» в 2003 году, содержится: золота 0.0257251 гр.; серебра — 0.0804669 гр.; платины – 0 гр.; медь – 17.7 гр.; других металлов платиновой группы – 0 гр. Поэтому он представляет интерес для скупщиков радиолома, занимающимися получением ценных материала из радиодеталей. Как проводится аффинаж драгметаллов можно узнать из представленного видеоролика.

Примеры применения

В сети интернет можно найти схему нестандартного усилителя низкой частоты, собранного из минимального количества деталей с использованием транзистора КТ808А. Эта конструкция отличается простотой и превосходно работает. Она может усиливать даже слабые сигналы, например от детекторного приемника. Пример подобной схемы можно посмотреть в следующем видеоролике.

Производители

Транзистор КТ808А в России выпускают на АО «НПП Завод Искра» г. Ульяновск. Даташит этого устройства можно скачать кликнув по ссылке. А вот каталог этой компании за 2017 г., в котором представлены технические данные на  современные отечественные аналоги. В настоящее время она является частью холдинга «Концерн ВКО Алмаз — Антей».

 

shematok.ru

Транзисторы КТ808, 2Т808А – параметры, маркировка, расположение выводов(цоколевка).

Транзисторы КТ808А, КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ, 2Т808А.

Транзисторы

КТ808, 2Т808А – кремниевые, мощные, низкочастотные, структуры – n-p-n.
Корпус металлостеклянный с жесткими выводами. Предназначались для работы в ключевых схемах, генераторах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения.
Маркировка буквенно – цифровая. У транзисторов КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ корпус – T03.

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ):
У транзисторов КТ808А, 2Т808 – 50 Вт с радиатором и 5 Вт – без.
У транзисторов КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ – 60 Вт с радиатором.

Максимальное напряжение коллектор – эмиттер: У транзисторов КТ808А, КТ808АМ, – 120 в, пульсирующее – 250 в.
У транзисторов 2Т808А – 200

в, пульсирующее – 300 в.
У транзисторов КТ808БМ – 100 в, пульсирующее – 160 в.
У транзисторов КТ808ВМ – 80 в, пульсирующее – 135 в.
У транзисторов КТ808ГМ – 70 в, пульсирующее – 80 в.

Максимальное напряжение эмиттер – база4 в.

Максимальный ток коллектора – импульсный 10 А.

Коэффициент передачи тока:
У транзисторов КТ808А, 2Т808 – от 10 до 150, при типовом значении – 15.
У транзисторов КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ – от 20 до 125

Обратный ток коллектора при температуре окружающей среды +25 по Цельсию – не более 3

мА у транзисторов 2Т808А при напряжении коллектор – эмиттер 200 в и у транзисторов КТ808А при напряжении коллектор – эмиттер 120 в.
У транзисторов КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ – 2мА.

Обратный ток эмиттера при напряжении эмиттер-база 4в не более – 50 мА.

Напряжение насыщeния база эмиттер при токе коллектора 6 А. и токе базы 0,6 А – не более – 2,5 В.

Граничная частота передачи тока:
У транзисторов КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ – 8МГц.
У транзисторов КТ808А, 2Т808А – 7,5МГц.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ808.

КТ808А – 2N4913, 2N4914, 2SD201.
КТ808АМ – 2SC1619A, 2SD867.
КТ808БМ – 2N6374, 2SC1618.
КТ808ГМ – 2N6372, 2N6373.

На главную страницу

Использование каких – либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт “Электрика это просто”.

elektrikaetoprosto.ru

Транзистор КТ808 — DataSheet

Цоколевка транзистора КТ808

Цоколевка транзистора КТ808-1

Цоколевка транзистора КТ808-3

Цоколевка транзистора КТ808М

 

 

Параметры транзистора КТ698
ПараметрОбозначениеМаркировкаУсловияЗначениеЕд. изм.
АналогКТ808АМ2SC1116 *2, 2N5633, MJ4247, KDY56 *2, BD550 *2, 2SC519A *2, КТС1617 *2, 2SC1617 *2, 2SD214, 2SD203 *2
КТ808БМBDX95, BDW21C *2, 2N5758 *2, 181Т2А *2, KDY24 *2, SDT7733 *2, 2N3446, 2SC1619 *2
КТ808ВМMJ2841, BD313, 2N5878,

BDX93, BDW21B *2, 2N5874 *2, SDT7732, BDY17 *2

КТ808ГМ2N5877, BD311, MJ2840,

BDX91, BDW21A *2, KDY23 *2

КТ808А3BD955, BDT41C *2
КТ808Б3BD245C, BD303B *2, NTC2334 *2, BDX77 *2, NTD569 *2, BD501В, 2N5496 *2, 2N5497 *2, BDT *2, 2N6131 *2, BD245B *2
Структура —n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектораPK max,P*K, τ max,P**K, и maxКТ808А50*Вт
КТ808А170*
КТ808Б170*
КТ808В170*
КТ808Г170*
КТ808А370*
КТ808Б370*
КТ808АМ50 °С60*
КТ808БМ50 °С60*
КТ808ВМ50 °С60*
КТ808ГМ50 °С60*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттеромfгр, f*h31б, f**h31э, f***maxКТ808А≥7.2МГц
КТ808А1≥8
КТ808Б1≥8
КТ808В1≥8
КТ808Г1≥8
КТ808А3≥8
КТ808Б3≥8
 КТ808АМ≥8
КТ808БМ≥8
КТ808ВМ≥8
КТ808ГМ≥8
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттераUКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб.КТ808А200 имп.120*В
КТ808А1130*
КТ808Б1100*
КТ808В180*
КТ808Г170*
КТ808А3130
КТ808Б3100
КТ808АМ250 имп.130*
КТ808БМ160 имп.100*
КТ808ВМ150 имп.80*
КТ808ГМ80 имп.70*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектораUЭБО проб., КТ808А4В
КТ808А15
КТ808Б15
КТ808В15
КТ808Г15
КТ808А35
КТ808Б35
КТ808АМ5
КТ808БМ5
КТ808ВМ5
КТ808ГМ5
Максимально допустимый постоянный ток коллектораIK max, I*К , и maxКТ808А10А
КТ808А110
КТ808Б110
КТ808В110
КТ808Г110
КТ808А310(15*)
КТ808Б310(15*)
КТ808АМ10
КТ808БМ10
КТ808ВМ10
КТ808ГМ10
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттераIКБО, I*КЭR, I**КЭOКТ808А120 В≤3*мкА
КТ808А1130 В≤2*
КТ808Б1100 В≤2*
КТ808В180 В≤2*
КТ808Г170 В≤2*
КТ808А3130 В≤2*
КТ808Б3100 В≤2*
КТ808АМ120 В≤2*
КТ808БМ100 В≤2*
КТ808ВМ100 В≤2*
КТ808ГМ70 В≤2*
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттеромh21э,  h*21ЭКТ808А3 В; 6 А10…50*
КТ808А13 В; 2 А20..125
КТ808Б13 В; 2 А20..125
КТ808В13 В; 2 А20..125
КТ808Г13 В; 2 А20..125
КТ808А33 В; 2 А20..125
КТ808Б33 В; 2 А20..125
КТ808АМ3 В; 2 А20..125*
КТ808БМ3 В; 2 А20..125*
КТ808ВМ3 В; 2 А20..125*
КТ808ГМ3 В; 2 А20..125*
Емкость коллекторного переходаcк,  с*12эКТ808А10 В≤500
пФ
КТ808А110 В≤500
КТ808Б110 В≤500
КТ808В110 В≤500
КТ808Г110 В≤500
КТ808А3100 В≤500
КТ808Б3100 В≤500
КТ808АМ100 В≤500
КТ808БМ100 В≤500
КТ808ВМ100 В≤500
КТ808ГМ100 В≤500
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р.КТ808АОм, дБ
КТ808А1≤0.33
КТ808Б1≤0.33
КТ808В1≤0.33
КТ808Г1≤0.33
КТ808А3
КТ808Б3
КТ808АМ≤0.33
КТ808БМ≤0.33
КТ808ВМ≤0.33
КТ808ГМ≤0.33
Коэффициент шума транзистораКш, r*b, P**выхКТ808АДб, Ом, Вт
КТ808А1
КТ808Б1
КТ808В1
КТ808Г1
КТ808А3
КТ808Б3
КТ808АМ
КТ808БМ
КТ808ВМ
КТ808ГМ
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частотеτк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс)КТ808А≤2000*пс
КТ808А1
КТ808Б1
КТ808В1
КТ808Г1
КТ808А3≤2000*
КТ808Б3≤2000*
КТ808АМ≤2000*
КТ808БМ≤2000*
КТ808ВМ≤2000*
КТ808ГМ≤2000*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 —  функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

rudatasheet.ru

КТ808АМ, Транзистор NPN мощный, усилительный

КТ808АМ, Транзистор NPN мощный, усилительный – 304.00 р. Доступно: 371 шт. на складе в Москве

РЭК – поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

Производитель: Россия

Арт: 28644

Техническая спецификация

Структура – 
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В – 
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В – 
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) – 
Статический коэффициент передачи тока hfe мин – 
Hfe при токе коллектора, А – 
Hfe при напряжении к-э, В – 
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц – 
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт – 
Корпус – 
Диапазон рабочих температур, оС – 

Описание

КТ808АМ, Транзистор NPN мощный, усилительный – Транзисторы биполярные

Транзисторы биполярные КТ808АМ, Транзистор NPN мощный, усилительный

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)

Доступно: 371 шт.

Мин. кол-воЦена
304.00 р. 
283.20 р. 
50 277.65 р. 

Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.

r-ek.ru

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *