Транзистор кт808ам – КТ808А характеристики транзистора, применение, аналоги, цоколевка

КТ808А характеристики транзистора, применение, аналоги, цоколевка

 

Если смотреть на технические характеристики транзистора КТ808A, то можно говорить о том, что он является мощным, кремниевым, биполярным, низкочастотным радиокомпонентом. Был выпущен в 70-х годах прошлого века на отечественном ульяновском заводе «Искра». Изготавливался по меза-планарной технологии.

Использовался в ключевых схемах, генераторах строчной развертки, регуляторах напряжения, импульсных источниках вторичного электропитания. Первые выходные каскады советских Hi-Fi усилителей собирались именно на нём. Его можно встретить в популярной для того времени аудиоаппаратуре: «Радиотехника-020 стерео»; «Бриг-001 стерео», «Барк-001», а также в других моделях.

Разводка выводов

Цоколевка у КТ808А типовая для металлического корпуса КТЮ-3-20 со стеклянными изоляторами и жесткими ножками. Если смотреть на устройство снизу, то коллектор будет визуально отличатся от других контактов. Выводы эмиттера и базы, немного утоплены в основании металлизированной упаковки.

 

В комплекте к транзистору прилагался накидной фланец для крепления. Технические условия изготовления содержатся в документе Ге3.365.020 ТУ.

Технические характеристики

В 70-х годах, с ростом советской промышленности, появляются кремниевые мезапланарные переключательные NPN-транзисторы повышенной мощности. Важной особенностью таких устройств были повышенные характеристики предельно допустимых параметров.

Максимальные

Предельно допустимые эксплуатационные характеристики КТ808 были достаточно высокими для того времени. Эти устройства обладали хорошим статическим коэффициентом усиления по току (h31е) – от 10 до 50. Имели увеличенное быстродействие: время включения-выключения составляло от  0.1 до 0.3 мкс, а рассасывания (Ts) от 0.75 до 3 мкс. Приведем другие основные параметры:

• максимально допустимое постоянное напряжение между коллектором и эмиттером (условия измерения сопротивление перехода база – эмиттер R
  БЭ = 10 Ом, температура кристалла не более 100 ^ОС) – 100…120 В.
• предельное импульсное напряжение между коллектором и эмиттером (условия измерения U_бэ = 2 В или R_бэ = 10 Ом, t_u < 500 мкс t_ф > 30 мкс, Q > 7, Т_п < +100 ^ОС) – до 250 В.
• наибольшее возможное напряжение между эмиттером и базой – до 4 В.
• предельно допустимый постоянный ток коллектора – до 10 А.
• наибольшая постоянная мощность, рассеиваемая на коллекторе (при температуре корпуса от -60 ^ОС до + 50^ОС) с теплоотводом – 50 Вт, и без него – 5 Вт.
• максимальная температура кристалла до + 150 ^ОС.
• рабочая температура окружающей среды от- 60 до +100 ^ОС.
• вес устройства с фланцем — не более 34 гр.

Электрические

Далее приведем значения электрических значений у КТ808A. Производитель приводит эти данные для температуры окружающей среды не более +25

ОС. Условия, при которых проводилась проверка, представлены в дополнительных пояснениях к наименованиям параметров.

Аналоги

У старичка КТ808A есть современный аналог 2T808А. Он представлен во всех спецификациях российского предприятии АО «Научно производственное предприятие «Завод Искра», как усилительный транзистор специального назначения. КТ808АМ, КТ808А3 тоже являются полными аналогами этого отечественного производителя, но имеют другой корпус КТ-9. Других полноценных замен у данного прибора не существует. Встречаются конечно достаточно редкие 2Т808Б и КТ808АТ, но они были выпущены ограниченными партиями и даже сейчас их сложно найти в продаже.

АО «НПП Завод Искра» выпускает также бескорпускную модель рассматриваемого транзистора 2Т808А-2. Она имеет молибденовую подложку с защитным покрытием и гибкие выводы.

Как можно заметить, замену сильно усложняет нестандартный корпус КТЮ-3-20, который никогда не производился за рубежом. Несмотря на это некоторые умельцы находят возможность подмены в ближайших по характеристикам: КТ808БМ, КТ808Б3, 2Т819 (КТ819), 2Т827 (КТ827), 2Т908 (КТ908), 2Т945 (КТ945).

В зависимости от типа схемы можно рассмотреть и зарубежные варианты: BDY47, 2N3055, 2N4913, 2N4914, 2N4915, 2N5427, 2N5429, 2SD201, 2SD202, 2SD203, KU606, 2SC1113, 2SC1618, 2SC1619, KD602, BUY55, KU606, 2SD867. Все они оснащены другими типами корпусов ТО-3 или ТО-66, поэтому перед заменой необходимо продумывать способ монтажа и охлаждения.

Комплементарная пара

У транзистора КТ808А отсутствует комплементарная пара. У самых первых «Бриг-001» в выходном каскаде усиления, в пару для КТ808АМ подбирали почти идентичный КТ808БМ. Такая конструкция обеспечивала хорошее усиление, но как оказалось имела и свои минусы, влияющие на качество звука. В последующем они были устранены с помощью комплементарных между собой КТ818ГМ и КТ819ГМ, что позволило значительно улучшить звучание указанных Hi-Fi-устройств.

В 1977 году советские усилители «Бриг» успешно импортировались Австралией, Францией, Великобританией.

Содержание драгметаллов

Согласно данным из информационного справочника драгоценных металлов в КТ808А, выпущенного издательством ООО «Связьоценка» в 2003 году, содержится: золота 0.0257251 гр.; серебра — 0.0804669 гр.; платины – 0 гр.; медь – 17.7 гр.; других металлов платиновой группы – 0 гр. Поэтому он представляет интерес для скупщиков радиолома, занимающимися получением ценных материала из радиодеталей. Как проводится аффинаж драгметаллов можно узнать из представленного видеоролика.

Примеры применения

В сети интернет можно найти схему нестандартного усилителя низкой частоты, собранного из минимального количества деталей с использованием транзистора КТ808А. Эта конструкция отличается простотой и превосходно работает. Она может усиливать даже слабые сигналы, например от детекторного приемника. Пример подобной схемы можно посмотреть в следующем видеоролике.

Производители

Транзистор КТ808А в России выпускают на АО «НПП Завод Искра» г. Ульяновск. Даташит этого устройства можно скачать кликнув по ссылке. А вот каталог этой компании за 2017 г., в котором представлены технические данные на  современные отечественные аналоги. В настоящее время она является частью холдинга «Концерн ВКО Алмаз — Антей».

 

shematok.ru

Транзисторы КТ808, 2Т808А – параметры, маркировка, расположение выводов(цоколевка).

Транзисторы КТ808А, КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ, 2Т808А.

Транзисторы

КТ808, 2Т808А – кремниевые, мощные, низкочастотные, структуры – n-p-n.
Корпус металлостеклянный с жесткими выводами. Предназначались для работы в ключевых схемах, генераторах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения.
Маркировка буквенно – цифровая. У транзисторов КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ корпус – T03.

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ):
У транзисторов КТ808А, 2Т808 – 50 Вт с радиатором и 5 Вт – без.
У транзисторов КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ – 60 Вт с радиатором.

Максимальное напряжение коллектор – эмиттер: У транзисторов КТ808А, КТ808АМ, – 120 в, пульсирующее – 250 в.
У транзисторов 2Т808А – 200

в, пульсирующее – 300 в.
У транзисторов КТ808БМ – 100 в, пульсирующее – 160 в.
У транзисторов КТ808ВМ – 80 в, пульсирующее – 135 в.
У транзисторов КТ808ГМ – 70 в, пульсирующее – 80 в.

Максимальное напряжение эмиттер – база – 4 в.

Максимальный ток коллектора – импульсный 10 А.

Коэффициент передачи тока:
У транзисторов КТ808А, 2Т808 – от 10 до 150, при типовом значении – 15.
У транзисторов КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ – от 20 до 125

Обратный ток коллектора при температуре окружающей среды +25 по Цельсию – не более 3

мА у транзисторов 2Т808А при напряжении коллектор – эмиттер 200 в и у транзисторов КТ808А при напряжении коллектор – эмиттер 120 в.
У транзисторов КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ – 2мА.

Обратный ток эмиттера при напряжении эмиттер-база 4в не более – 50 мА.

Напряжение насыщeния база эмиттер при токе коллектора 6 А. и токе базы 0,6 А – не более – 2,5 В.

Граничная частота передачи тока:
У транзисторов КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ – 8МГц.
У транзисторов КТ808А, 2Т808А – 7,5МГц.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ808.

КТ808А – 2N4913, 2N4914, 2SD201.
КТ808АМ – 2SC1619A, 2SD867.
КТ808БМ – 2N6374, 2SC1618.
КТ808ГМ – 2N6372, 2N6373.

На главную страницу

Использование каких – либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт “Электрика это просто”.

elektrikaetoprosto.ru

Транзистор КТ808 — DataSheet

Цоколевка транзистора КТ808	Цоколевка транзистора КТ808-1
Цоколевка транзистора КТ808-3	Цоколевка транзистора КТ808М

 

 

Параметры транзистора КТ698

Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		КТ808АМ		2SC1116 *2, 2N5633, MJ4247, KDY56 *2, BD550 *2, 2SC519A *2, КТС1617 *2, 2SC1617 *2, 2SD214, 2SD203 *2
		КТ808БМ		BDX95, BDW21C *2, 2N5758 *2, 181Т2А *2, KDY24 *2, SDT7733 *2, 2N3446, 2SC1619 *2
		КТ808ВМ		MJ2841, BD313, 2N5878, BDX93, BDW21B *2, 2N5874 *2, SDT7732, BDY17 *2
		КТ808ГМ		2N5877, BD311, MJ2840, BDX91, BDW21A *2, KDY23 *2
		КТ808А3		BD955, BDT41C *2
		КТ808Б3		BD245C, BD303B *2, NTC2334 *2, BDX77 *2, NTD569 *2, BD501В, 2N5496 *2, 2N5497 *2, BDT *2, 2N6131 *2, BD245B *2
Структура			—	n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	PK max,P*K, τ max,P**K, и max	КТ808А	—	50*	Вт
		КТ808А1	—	70*
		КТ808Б1	—	70*
		КТ808В1	—	70*
		КТ808Г1	—	70*
		КТ808А3	—	70*
		КТ808Б3	—	70*
		КТ808АМ	50 °С	60*
		КТ808БМ	50 °С	60*
		КТ808ВМ	50 °С	60*
		КТ808ГМ	50 °С	60*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	fгр, f*h31б, f**h31э, f***max	КТ808А	—	≥7.2	МГц
		КТ808А1	—	≥8
		КТ808Б1	—	≥8
		КТ808В1	—	≥8
		КТ808Г1	—	≥8
		КТ808А3	—	≥8
		КТ808Б3	—	≥8
		КТ808АМ	—	≥8
		КТ808БМ	—	≥8
		КТ808ВМ	—	≥8
		КТ808ГМ	—	≥8
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб.	КТ808А	200 имп.	120*	В
		КТ808А1	—	130*
		КТ808Б1	—	100*
		КТ808В1	—	80*
		КТ808Г1	—	70*
		КТ808А3	—	130
		КТ808Б3	—	100
		КТ808АМ	250 имп.	130*
		КТ808БМ	160 имп.	100*
		КТ808ВМ	150 имп.	80*
		КТ808ГМ	80 имп.	70*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	UЭБО проб.,	КТ808А	—	4	В
		КТ808А1	—	5
		КТ808Б1	—	5
		КТ808В1	—	5
		КТ808Г1	—	5
		КТ808А3	—	5
		КТ808Б3	—	5
		КТ808АМ	—	5
		КТ808БМ	—	5
		КТ808ВМ	—	5
		КТ808ГМ	—	5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	IK max, I*К , и max	КТ808А	—	10	А
		КТ808А1	—	10
		КТ808Б1	—	10
		КТ808В1	—	10
		КТ808Г1	—	10
		КТ808А3	—	10(15*)
		КТ808Б3	—	10(15*)
		КТ808АМ	—	10
		КТ808БМ	—	10
		КТ808ВМ	—	10
		КТ808ГМ	—	10
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	IКБО, I*КЭR, I**КЭO	КТ808А	120 В	≤3*	мкА
		КТ808А1	130 В	≤2*
		КТ808Б1	100 В	≤2*
		КТ808В1	80 В	≤2*
		КТ808Г1	70 В	≤2*
		КТ808А3	130 В	≤2*
		КТ808Б3	100 В	≤2*
		КТ808АМ	120 В	≤2*
		КТ808БМ	100 В	≤2*
		КТ808ВМ	100 В	≤2*
		КТ808ГМ	70 В	≤2*
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h21э,  h*21Э	КТ808А	3 В; 6 А	10…50*
		КТ808А1	3 В; 2 А	20..125
		КТ808Б1	3 В; 2 А	20..125
		КТ808В1	3 В; 2 А	20..125
		КТ808Г1	3 В; 2 А	20..125
		КТ808А3	3 В; 2 А	20..125
		КТ808Б3	3 В; 2 А	20..125
		КТ808АМ	3 В; 2 А	20..125*
		КТ808БМ	3 В; 2 А	20..125*
		КТ808ВМ	3 В; 2 А	20..125*
		КТ808ГМ	3 В; 2 А	20..125*
Емкость коллекторного перехода	cк,  с*12э	КТ808А	10 В	≤500	пФ
		КТ808А1	10 В	≤500
		КТ808Б1	10 В	≤500
		КТ808В1	10 В	≤500
		КТ808Г1	10 В	≤500
		КТ808А3	100 В	≤500
		КТ808Б3	100 В	≤500
		КТ808АМ	100 В	≤500
		КТ808БМ	100 В	≤500
		КТ808ВМ	100 В	≤500
		КТ808ГМ	100 В	≤500
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р.	КТ808А	—	—	Ом, дБ
		КТ808А1	—	≤0.33
		КТ808Б1	—	≤0.33
		КТ808В1	—	≤0.33
		КТ808Г1	—	≤0.33
		КТ808А3	—	—
		КТ808Б3	—	—
		КТ808АМ	—	≤0.33
		КТ808БМ	—	≤0.33
		КТ808ВМ		≤0.33
		КТ808ГМ	—	≤0.33
Коэффициент шума транзистора	Кш, r*b, P**вых	КТ808А	—	—	Дб, Ом, Вт
		КТ808А1	—	—
		КТ808Б1	—	—
		КТ808В1	—	—
		КТ808Г1	—	—
		КТ808А3	—	—
		КТ808Б3	—	—
		КТ808АМ	—	—
		КТ808БМ	—	—
		КТ808ВМ	—	—
		КТ808ГМ	—	—
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс)	КТ808А	—	≤2000*	пс
		КТ808А1	—	—
		КТ808Б1	—	—
		КТ808В1	—	—
		КТ808Г1	—	—
		КТ808А3	—	≤2000*
		КТ808Б3	—	≤2000*
		КТ808АМ	—	≤2000*
		КТ808БМ	—	≤2000*
		КТ808ВМ	—	≤2000*
		КТ808ГМ	—	≤2000*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 —  функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

rudatasheet.ru

КТ808АМ, Транзистор NPN мощный, усилительный

КТ808АМ, Транзистор NPN мощный, усилительный – 304.00 р. Доступно: 371 шт. на складе в Москве

РЭК – поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.

Производитель: Россия

Арт: 28644

Техническая спецификация

Структура	–
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	–
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	–
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	–
Статический коэффициент передачи тока hfe мин	–
Hfe при токе коллектора, А	–
Hfe при напряжении к-э, В	–
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц	–
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	–
Корпус	–
Диапазон рабочих температур, оС	–

Описание

КТ808АМ, Транзистор NPN мощный, усилительный – Транзисторы биполярные

Транзисторы биполярные КТ808АМ, Транзистор NPN мощный, усилительный

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)

Доступно: 371 шт.

Мин. кол-во	Цена
1	304.00 р.
5	283.20 р.
50	277.65 р.

Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.

r-ek.ru