Транзистор мп37 – Транзистор МП37 — DataSheet

Транзистор МП37 — DataSheet

Цоколевка транзистора МП37

 

Параметры транзистора

Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		МП37А		2N444A
		МП37Б		2SD75
Структура		—	—	n-p-n	мВт
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	PK max,P*K, τ max,P** K, и max	МП37А	—	150
		МП37Б	—	150
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	fгр, f*h31б, f**h31э, f***max	МП37А	—	≥1*	МГц
		МП37Б	—	≥1*
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб.	МП37А	—	30	В
		МП37Б	—	30
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	UЭБО проб.,	МП37А	—	—	В
		МП37Б	—	—
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	IK max, I*К , и max	МП37А	—	20(150*)	мА
		МП37Б	—	20(150*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	IКБО, I*КЭR, I**КЭO	МП37А	5 В	≤30	мкА
		МП37Б	5 В	≤30
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h21э,  h*21Э	МП37А	5 В; 1 мА	15…30
		МП37Б	5 В; 1 мА	25…50
Емкость коллекторного перехода	cк,  с*12э	МП37А	—	—	пФ
		МП37Б	—	—
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	rКЭ нас,  r*БЭ нас	МП37А	—	—	Ом
		МП37Б	—	—
Коэффициент шума транзистора	Кш, r*b, Pвых	МП37А	—	≤220*	Дб, Ом, Вт
		МП37Б	—	≤220*
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс)	МП37А	—	—	пс
		МП37Б	—	—

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

rudatasheet.ru

Транзисторы МП25, МП26, МП35, МП36, МП37, МП38. Маркировка, цоколевка, параметры.

Транзистор МП25, МП26.

Транзисторы МП25, МП26 – германиевые, маломощные низкочастотные,универсальные, структуры – p-n-p.

Корпус металлостеклянный, с гибкими выводами. Предназначены для применения в переключающих устройствах и для усиления низкой частоты .
Масса – около 2 г. Маркировка буквенно – цифровая.

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max )коллектора – 200 мВт .

Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh31э ):
У транзисторов МП25, МП26, МП25А, МП26А – не менее 250 КГц;
У транзисторов МП25Б, МП26Б – не менее 500 КГц;

Максимальное напряжение коллектор – эмиттер
У транзисторов МП25, МП25А, МП25Б – 40 В
У транзисторов МП26, МП26А, МП26Б – 60 В

Максимально допустимый средний ток эмиттера

– 80 мА.

Максимальный импульсный ток коллектора – 400мА;

Коэффициент передачи тока:
У МП25, МП26 – от 10 до 25.
У МП25А, МП26А – от 20 до 50.
У МП25Б, МП26Б – от 30 до 80.

Обратный ток колектора. При напряжении коллектор-база 40 в у транзисторов МП25, МП25А – 75 мкА, при температуре окружающей среды + 20 по Цельсию.
При напряжении коллектор-база 70 в у транзисторов МП26, МП26А – 75 мкА, при температуре окружающей среды + 20 по Цельсию.
При напряжении коллектор-база 40 в у транзисторов МП25, МП25А – 600 мкА, при температуре окружающей среды + 70 по Цельсию.
При напряжении коллектор-база 70 в у транзисторов МП26, МП26А –

600 мкА, при температуре окружающей среды + 70 по Цельсию.

Обратный ток эмиттера. При напряжении эмиттер-база 40 в у транзисторов МП25, МП25А, МП25Б – 75 мкА, при температуре окружающей среды + 70 по Цельсию.
При напряжении эмиттер-база 70 в у транзисторов МП26, МП26А, МП26Б – 75 мкА, при температуре окружающей среды + 70 по Цельсию.

Сопротивление базы. При напряжении эмиттер-база 20 в, токе коллектора 2,5 мА, на частоте 500 кГц У транзисторов МП25, МП25А, МП25Б – не более 150 Ом.
При напряжении эмиттер-база 35 в, токе коллектора 1,5 мА, на частоте 500 кГц У транзисторов МП26, МП26А, МП26Б – не более 150 Ом.

Емкость коллекторного перехода при частоте 465 кГц:
При напряжении коллектор-база 20 в у транзисторов МП25, МП25А, МП25Б –

70 пФ.
При напряжении коллектор-база 35 в у транзисторов МП26, МП26А, МП26Б – 50 пФ.

Существуют следующие зарубежные аналоги:
МП25А – 2SB136
МП25Б – 2SB176
МП26Б – ASY24

Транзисторы МП35, МП36, МП37, МП38.

Транзисторы МП35, МП36, МП37, МП38 – германиевые, усилительные маломощные низкочастотные, структуры n-p-n.
Корпус металлостекляный с гибкими выводами. Масса – около 2 г. Маркировка буквенно – цифровая, на боковой поверхности корпуса.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока:
У транзисторов МП35 от 13 до 125.
У МП36А находится в пределах от 15 до 45.
У транзисторов МП37, МП37А – от

15 до 30.
У транзисторов МП37Б – от 25 до 50, МП38 – от 25 до 55.
у транзисторов МП38А – от 45 до 100.

Максимальное напряжение коллектор – эмиттер. У транзисторов МП37А, МП37Б – 30в.
У транзисторов МП35, МП36А, МП37, МП38, МП38А – 15в.

Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh31э )транзистора для схем с общим эмиттером:
До 0,5 МГц у транзисторов МП35 .
До 1 МГц у транзисторов МП36А, МП37, МП37А, МП37Б.
До 2 МГц у транзисторов МП38, МП38А.

Максимальный ток коллектора. – 20мА в режиме усиления, 150мА – в ключевом режиме.

Рассеиваемая мощность коллектора

– 150мВт.

Обратный ток колектора. При напряжении коллектор-база 5 в – 30 мкА, при температуре окружающей среды + 20 по Цельсию.

Обратный ток эмиттера. При напряжении эмиттер-база 5 в – 15 мкА, при температуре окружающей среды + 20 по Цельсию.

Сопротивление базы. При напряжении эмиттер-база 5 в, токе коллектора 1 мА, на частоте 500 кГц – не более 220 Ом.

Емкость коллекторного перехода:
При напряжении коллектор-база 5 в – 60 пФ.

Существуют следующие зарубежные аналоги:
МП35А – GC525
МП36А – 153NU70
МП37 – 2N445A, 103NU70
МП37А – 106NU70
МП37Б – T322N
МП38А – 107NU70
МП35 – 101NU70

На главную страницу

Использование каких – либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт “Электрика это просто”.

elektrikaetoprosto.ru

Параметры транзисторов МП26 — МП42

Добавил: Chip,Дата: 02 Сен 2013

Параметры транзисторов МП26, МП35

Тип прибора	Структура	Pк max [ мВт ]	fгр, f*h316 [ МГц ]	Uкбо max [ В ]	Uэбо max [ В ]
МП26 МП26А МП26Б	p-n-p p-n-p p-n-p	200 200 200	≥0.2* ≥0.2* ≥0.5*	70 70 70	70 70 70
МП35	n-p-n	150	≥0.5*	15	—

продолжение таблицы

Тип прибора	IK max I*K и max [мА ]	Iкбо [мкА ]	h31э	Cк [ пФ ]
МП26 МП26А МП26Б	300* 300* 400*	≤75 (70В) ≤75 (70В) ≤75 (70В)	13…25 (35В;1.5мА) 20…50 (35В;1.5мА) 30…80 (35В;1.5мА)	≤15 (35В) ≤15 (35В) ≤15 (35В)
МП35	20 (150*)	30 (5В)	13…125 (5В;1мА)	—

продолжение таблицы

Тип прибора	rКЭнас [ Ом ]	Kш [ дБ ]      r*6 [ Ом ]	τк [ пс ] t*pac [ нс ] t**выкл [ нс ]	примечание
МП26 МП26А МП26Б	≤2.2 ≤2.2 ≤1.8	— — —	≤1500*** ≤1500*** ≤1500***
МП35	—	≤220*	—

Параметры транзисторов МП36, МП37

Тип прибора	Структура	Pк max [ мВт ]	fгр, f*h316 [ МГц ]	Uкбо max [ В ]	Uэбо max [ В ]
МП36А	n-p-n	150	≥1*	15	—
МП37А МП37Б	n-p-n n-p-n	150 150	≥1* ≥1*	30 30	— —

продолжение таблицы

Тип прибора	IK max I*K и max [мА ]	Iкбо [мкА ]	h31э	Cк C*12э [ пФ ]
МП36А	20 (150*)	≤30 (5В)	13…45 (5В;1мА)	—
МП37А МП37Б	20 (150*) 20 (150*)	≤30 (5В) ≤30 (5В)	15…30 (5В;1мА) 25…50 (5В;1мА)	— —

продолжение таблицы

Тип прибора	rКЭнас[ Ом ] r*БЭ нас [ Ом ] K**у. р. [ дБ ]	Kш [ дБ ] r*6 [ Ом ]	τк [ пс ]	примечание
МП36А	—	≤10 (1кГц)	—
МП37А МП37Б	— —	≤220* ≤220*	— —

Параметры транзисторов

 МП38, МП39, МП40

Тип прибора	Структура	Pк maх [ мВт ]	fгр, f*h316 [ МГц ]	Uкбо max U*КЭR max [ В ]	Uэбо max [ В ]
МП38 МП38А	n-p-n n-p-n	150 150	≥2* ≥2*	15 15	— —
МП39 МП39Б	p-n-p p-n-p	150 150	≥0.5* ≥0.5*	15* (10к) 15* (10к)	5 5
МП40 МП40А	p-n-p p-n-p	150 150	≥1* ≥1*	15* (10к) 30* (10к)	5 5

продолжение таблицы

Тип прибора	IK max I*K и max [мА ]	Iкбо [мкА ]	h31э	Cк [ пФ ]
МП38 МП38А	20 (150*) 20 (150*)	≤30 (5В) ≤30 (5В)	25…55 (5В;1мА) 45…100 (5В;1мА)	— —
МП39 МП39Б	20 (150*) 20 (150*)	≤15 (5В) ≤15 (5В)	≥12 (5В;1мА) 20…60 (5В;1мА)	≤50 (5В) ≤50 (5В)
МП40 МП40А	20 (150*) 20 (150*)	≤15 (5В) ≤15 (5В)	20…40 (5В;1мА) 20…40 (5В;1мА)	≤50 (5В) ≤50 (5В)

продолжение таблицы

Тип прибора	rКЭнас[ Ом ]	Kш [ дБ ] r*6 [ Ом ]	τк [ пс ]	примечание
МП38 МП38А	—	≤220* ≤220*	—
МП39 МП39Б	—	-≤12 (1кГц)	—
МП40 МП40А	—	—	—

Параметры транзисторов МП41,МП42

Тип прибора	Структура	Pк max [ мВт ]	fгр, f*h316 [ МГц ]	Uкбо max U*КЭR max [ В ]	Uэбо max [ В ]
МП41 МП41А	p-n-p p-n-p	150 150	≥1* ≥1*	15* (10к) 15* (10к)	5 5
МП42 МП42А МП42Б	p-n-p p-n-p p-n-p	200 200 200	≥2* ≥1.5* ≥1*	15* (3к) 15* (3к) 15* (3к)	— — —

 продолжение таблицы 

Тип прибора	IK max I*K и max [мА ]	Iкбо [мкА ]	h31э, h*21э	Cк C*12э [ пФ ]
МП41 МП41А	20 (150*) 20 (150*)	≤15 (5В) ≤15 (5В)	30…60 (5В;1мА) 50…100 (5В;1мА)	≤50 (5В) ≤50 (5В)
МП42 МП42А МП42Б	150* 150* 150*	— — —	20…35* (1В;10мА) 30…50* (1В;10мА) 458…100* (1В;10мА)	— — —

 продолжение таблицы 

Тип прибора	rКЭнас[ Ом ]	Kш [ дБ ]	τк [ пс ] t*pac [ нс ] t**выкл [ нс ]	примечание
МП41 МП41А	— —	— —	— —
МП42 МП42А МП42Б	≤20 ≤20 ≤20	— — —	≤2000*** ≤1500*** ≤1000***

Цоколёвка и размеры транзисторов
МП26 — МП42

П О П У Л Я Р Н О Е:

• Распиновка всех разъёмов компьютера

Цоколёвка внутренних и внешних разъёмов персонального компьютера, ноутбука.

В компьютере есть много разных разъёмов для подключения множества различных устройств: клавиатуры, мышь, принтеры, модемы, монитор, игровой джойстик и тд.

В таблицах, ниже приведены цоколёвка и распиновка внутренних и внешних разъёмов персонального компьютера.

Подробнее…

• Параметры транзисторов МП9 — МП25

Параметры транзисторов

 МП9, МП10, МП11, МП13

Тип прибора	Структура	Pк max[ мВт ]	fгр, f*h316 [ МГц ]	Uкбо max[ В ]	Uэбо max [ В ]
МП9А МП10 МП10А МП10Б	n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n	150 150 150 150	≥1* ≥1* ≥1* ≥1*	15 15 30 30	15 15 30 30
МП11 МП11А	n-p-n n-p-n	150 150	≥2* ≥2*	15 15	15 15
МП13 МП13А	p-n-p p-n-p	150 150	≥0.5* ≥1*	15 15	15 15

Подробнее…

• Магниторезисторы

Магниторезисторы—

полупроводниковые резисторы с резко выраженной зависимостью электрического сопро­тивления от магнитного поля. Действие таких рези­сторов основано на использовании магниторезистив-ного эффекта, который заключается в изменении со­противления резистора при внесении его в магнитное поле. Подробнее…

– н а в и г а т о р –

Популярность: 16 174 просм.

ПОДЕЛИТЕСЬ С ДРУЗЬЯМИ

www.mastervintik.ru