Универсальный внешний накопитель для всех iOS-устройств, совместим с PC/Mac, Android
Header Banner
8 800 100 5771 | +7 495 540 4266
c 9:00 до 24:00 пн-пт | c 10:00 до 18:00 сб
0 Comments

Транзистор МП37 — DataSheet

Цоколевка транзистора МП37Цоколевка транзистора МП37

 

Параметры транзистора
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог МП37А 2N444A
МП37Б 2SD75
Структура  — n-p-n мВт
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max МП37А 150
МП37Б 150
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h31б, f**h31э, f***max МП37А ≥1* МГц
МП37Б ≥1*
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. МП37А 30 В
МП37Б 30
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  МП37А В
МП37Б
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max,
 I*К , и max
МП37А 20(150*) мА
МП37Б 20(150*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO МП37А 5 В ≤30 мкА
МП37Б 5 В ≤30
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э МП37А 5 В; 1 мА 15…30
МП37Б 5 В; 1 мА 25…50
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э МП37А
пФ
МП37Б
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас МП37А Ом
МП37Б
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, Pвых МП37А ≤220* Дб, Ом, Вт
МП37Б ≤220*
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) МП37А пс
МП37Б

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите

Ctrl+Enter.

rudatasheet.ru

Транзисторы МП25, МП26, МП35, МП36, МП37, МП38. Маркировка, цоколевка, параметры.

Транзистор МП25, МП26.

Транзисторы МП25, МП26 - германиевые, маломощные низкочастотные,универсальные, структуры - p-n-p.
Корпус металлостеклянный, с гибкими выводами. Предназначены для применения в переключающих устройствах и для усиления низкой частоты .
Масса - около 2 г. Маркировка буквенно - цифровая.

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max )коллектора - 200 мВт .

Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh31э ):
У транзисторов МП25, МП26, МП25А, МП26А - не менее 250 КГц;
У транзисторов МП25Б, МП26Б - не менее 500 КГц;

Максимальное напряжение коллектор - эмиттер

У транзисторов МП25, МП25А, МП25Б - 40 В
У транзисторов МП26, МП26А, МП26Б - 60 В

Максимально допустимый средний ток эмиттера - 80 мА.

Максимальный импульсный ток коллектора - 400мА;

Коэффициент передачи тока:
У МП25, МП26 - от 10 до 25.
У МП25А, МП26А - от 20 до 50.
У МП25Б, МП26Б - от 30 до 80.

Обратный ток колектора. При напряжении коллектор-база 40 в у транзисторов МП25, МП25А - 75 мкА, при температуре окружающей среды + 20 по Цельсию.
При напряжении коллектор-база 70 в у транзисторов МП26, МП26А - 75 мкА, при температуре окружающей среды + 20 по Цельсию.
При напряжении коллектор-база 40 в у транзисторов МП25, МП25А - 600 мкА, при температуре окружающей среды + 70 по Цельсию.
При напряжении коллектор-база 70 в у транзисторов МП26, МП26А - 600

мкА, при температуре окружающей среды + 70 по Цельсию.

Обратный ток эмиттера. При напряжении эмиттер-база 40 в у транзисторов МП25, МП25А, МП25Б - 75 мкА, при температуре окружающей среды + 70 по Цельсию.
При напряжении эмиттер-база 70 в у транзисторов МП26, МП26А, МП26Б - 75 мкА, при температуре окружающей среды + 70 по Цельсию.

Сопротивление базы. При напряжении эмиттер-база 20 в, токе коллектора 2,5 мА, на частоте 500 кГц У транзисторов МП25, МП25А, МП25Б - не более 150 Ом.
При напряжении эмиттер-база 35 в, токе коллектора 1,5 мА, на частоте 500 кГц У транзисторов МП26, МП26А, МП26Б - не более 150 Ом.

Емкость коллекторного перехода при частоте 465 кГц:
При напряжении коллектор-база 20 в у транзисторов МП25, МП25А, МП25Б - 70 пФ.
При напряжении коллектор-база 35 в у транзисторов МП26, МП26А, МП26Б - 50 пФ.

Существуют следующие зарубежные аналоги:

МП25А - 2SB136
МП25Б - 2SB176
МП26Б - ASY24

Транзисторы МП35, МП36, МП37, МП38.

Транзисторы МП35, МП36, МП37, МП38 - германиевые, усилительные маломощные низкочастотные, структуры n-p-n.
Корпус металлостекляный с гибкими выводами. Масса - около 2 г. Маркировка буквенно - цифровая, на боковой поверхности корпуса.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока:
У транзисторов МП35 от 13 до 125.
У МП36А находится в пределах от 15 до 45.
У транзисторов МП37, МП37А - от 15 до 30.
У транзисторов МП37Б - от 25 до 50, МП38 - от 25 до 55.
у транзисторов МП38А - от 45 до 100.

Максимальное напряжение коллектор - эмиттер. У транзисторов МП37А, МП37Б - 30в.
У транзисторов МП35, МП36А, МП37, МП38, МП38А -

15в.

Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh31э )транзистора для схем с общим эмиттером:
До 0,5 МГц у транзисторов МП35 .
До 1 МГц у транзисторов МП36А, МП37, МП37А, МП37Б.
До 2 МГц у транзисторов МП38, МП38А.

Максимальный ток коллектора. - 20мА в режиме усиления, 150мА - в ключевом режиме.

Рассеиваемая мощность коллектора - 150мВт.

Обратный ток колектора. При напряжении коллектор-база 5 в - 30 мкА, при температуре окружающей среды + 20 по Цельсию.

Обратный ток эмиттера. При напряжении эмиттер-база 5 в - 15 мкА, при температуре окружающей среды + 20 по Цельсию.

Сопротивление базы. При напряжении эмиттер-база 5 в, токе коллектора 1 мА, на частоте 500 кГц - не более 220 Ом.

Емкость коллекторного перехода

:
При напряжении коллектор-база 5 в - 60 пФ.

Существуют следующие зарубежные аналоги:
МП35А - GC525
МП36А - 153NU70
МП37 - 2N445A, 103NU70
МП37А - 106NU70
МП37Б - T322N
МП38А - 107NU70
МП35 - 101NU70


На главную страницу

Использование каких - либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт "Электрика это просто".

elektrikaetoprosto.ru

Параметры транзисторов МП26 — МП42

Добавил: Chip,Дата: 02 Сен 2013

Параметры транзисторов МП26, МП35

Тип

прибора

Структура Pк max

[ мВт ]

fгр,

f*h316

[ МГц ]

Uкбо max

[ В ]

Uэбо max

[ В ]

МП26

МП26А

МП26Б

p-n-p

p-n-p

p-n-p

200

200

200

≥0.2*

≥0.2*

≥0.5*

70

70

70

70

70

70

МП35 n-p-n 150 ≥0.5* 15

продолжение таблицы

Тип

прибора

IK max

I*K и max

[мА ]

Iкбо

[мкА ]

h31э

[ пФ ]

МП26

МП26А

МП26Б

300*

300*

400*

≤75 (70В)

≤75 (70В)

≤75 (70В)

13…25 (35В;1.5мА)

20…50 (35В;1.5мА)

30…80 (35В;1.5мА)

≤15 (35В)

≤15 (35В)

≤15 (35В)

МП35 20 (150*) 30 (5В) 13…125 (5В;1мА)

продолжение таблицы

Тип

прибора

rКЭнас

[ Ом ]

Kш [ дБ ]

     r*6 [ Ом ]

τк [ пс ]

t*pac [ нс ]

t**выкл [ нс ]

примечание

МП26

МП26А

МП26Б

≤2.2

≤2.2

≤1.8

≤1500***

≤1500***

≤1500***

МП35 ≤220*

Параметры транзисторов МП36, МП37

Тип

прибора

Структура Pк max

[ мВт ]

fгр,

f*h316

[ МГц ]

Uкбо max

[ В ]

Uэбо max

[ В ]

МП36А n-p-n 150 ≥1* 15
МП37А

МП37Б

n-p-n

n-p-n

150

150

≥1*

≥1*

30

30

продолжение таблицы

Тип

прибора

IK max

I*K и max

[мА ]

Iкбо

[мкА ]

h31э

C*12э

[ пФ ]

МП36А 20 (150*) ≤30 (5В) 13…45 (5В;1мА)
МП37А

МП37Б

20 (150*)

20 (150*)

≤30 (5В)

≤30 (5В)

15…30 (5В;1мА)

25…50 (5В;1мА)

продолжение таблицы

Тип

прибора

rКЭнас[ Ом ]

r*БЭ нас [ Ом ]

K**у. р. [ дБ ]

Kш [ дБ ]

r*6 [ Ом ]

τк [ пс ]

примечание

МП36А ≤10 (1кГц)
МП37А

МП37Б

≤220*

≤220*

Параметры транзисторов

 МП38, МП39, МП40

Тип

прибора

Структура Pк maх

[ мВт ]

fгр,

f*h316

[ МГц ]

Uкбо max

U*КЭR max

[ В ]

Uэбо max

[ В ]

МП38

МП38А

n-p-n

n-p-n

150

150

≥2*

≥2*

15

15

МП39

МП39Б

p-n-p

p-n-p

150

150

≥0.5*

≥0.5*

15* (10к)

15* (10к)

5

5

МП40

МП40А

p-n-p

p-n-p

150

150

≥1*

≥1*

15* (10к)

30* (10к)

5

5

продолжение таблицы

Тип

прибора

IK max

I*K и max

[мА ]

Iкбо

[мкА ]

h31э

[ пФ ]

МП38

МП38А

20 (150*)

20 (150*)

≤30 (5В)

≤30 (5В)

25…55 (5В;1мА)

45…100 (5В;1мА)

МП39

МП39Б

20 (150*)

20 (150*)

≤15 (5В)

≤15 (5В)

≥12 (5В;1мА)

20…60 (5В;1мА)

≤50 (5В)

≤50 (5В)

МП40

МП40А

20 (150*)

20 (150*)

≤15 (5В)

≤15 (5В)

20…40 (5В;1мА)

20…40 (5В;1мА)

≤50 (5В)

≤50 (5В)

продолжение таблицы

Тип

прибора

rКЭнас[ Ом ]

Kш [ дБ ]

r*6 [ Ом ]

τк [ пс ]

примечание

МП38

МП38А

≤220*

≤220*

МП39

МП39Б

-≤12 (1кГц)
МП40

МП40А

Параметры транзисторов МП41,МП42

Тип

прибора

Структура Pк max

[ мВт ]

fгр,

f*h316

[ МГц ]

Uкбо max

U*КЭR max

[ В ]

Uэбо max

[ В ]

МП41

МП41А

p-n-p

p-n-p

150

150

≥1*

≥1*

15* (10к)

15* (10к)

5

5

МП42

МП42А

МП42Б

p-n-p

p-n-p

p-n-p

200

200

200

≥2*

≥1.5*

≥1*

15* (3к)

15* (3к)

15* (3к)

 продолжение таблицы 

Тип

прибора

IK max

I*K и max

[мА ]

Iкбо

[мкА ]

h31э,

h*21э

C*12э

[ пФ ]

МП41

МП41А

20 (150*)

20 (150*)

≤15 (5В)

≤15 (5В)

30…60 (5В;1мА)

50…100 (5В;1мА)

≤50 (5В)

≤50 (5В)

МП42

МП42А

МП42Б

150*

150*

150*

20…35* (1В;10мА)

30…50* (1В;10мА)

458…100* (1В;10мА)

 продолжение таблицы 

Тип

прибора

rКЭнас[ Ом ]

Kш [ дБ ]

τк [ пс ]

t*pac [ нс ]

t**выкл [ нс ]

примечание

МП41

МП41А

МП42

МП42А

МП42Б

≤20

≤20

≤20

≤2000***

≤1500***

≤1000***

Цоколёвка и размеры транзисторов
МП26 — МП42




П О П У Л Я Р Н О Е:

  • Распиновка всех разъёмов компьютера
  • Цоколёвка внутренних и внешних разъёмов персонального компьютера, ноутбука.

    В компьютере есть много разных разъёмов для подключения множества различных устройств: клавиатуры, мышь, принтеры, модемы, монитор, игровой джойстик и тд.

    В таблицах, ниже приведены цоколёвка и распиновка внутренних и внешних разъёмов персонального компьютера.

    Подробнее…

  • Параметры транзисторов МП9 — МП25
  • Параметры транзисторов

     МП9, МП10, МП11, МП13

    Тип

    прибора

    Структура Pк max[ мВт ] fгр,

    f*h316

    [ МГц ]

    Uкбо max[ В ]

    Uэбо max

    [ В ]

    МП9А

    МП10

    МП10А

    МП10Б

    n-p-n

    n-p-n

    n-p-n

    n-p-n

    150

    150

    150

    150

    ≥1*

    ≥1*

    ≥1*

    ≥1*

    15

    15

    30

    30

    15

    15

    30

    30

    МП11

    МП11А

    n-p-n

    n-p-n

    150

    150

    ≥2*

    ≥2*

    15

    15

    15

    15

    МП13

    МП13А

    p-n-p

    p-n-p

    150

    150

    ≥0.5*

    ≥1*

    15

    15

    15

    15

    Подробнее…

  • Магниторезисторы
  • Магниторезисторы—

    полупроводниковые резисторы с резко выраженной зависимостью электрического сопро­тивления от магнитного поля. Действие таких рези­сторов основано на использовании магниторезистив-ного эффекта, который заключается в изменении со­противления резистора при внесении его в магнитное поле. Подробнее…


- н а в и г а т о р -


Популярность: 16 174 просм.


ПОДЕЛИТЕСЬ С ДРУЗЬЯМИ


www.mastervintik.ru

Отправить ответ

avatar
  Подписаться  
Уведомление о