Транзистор с102 характеристики: 15M Datasheets on electronic components. . Datasheet search

Маркировка радиодеталей, Коды SMD C1, C1*, C1**, C1-, C1-**, C1-***, C101, C102, C103, C104, C105, C106, C114TS, C114YS, C124ES, C124XS, C125TS, C142, C144GS, C144TS, C144WS, C145, C14F, C14K, C14R, C1740S, C175, C17F, C17H, C17K, C17P, C17R, C17S, C1815, C1=**, C1G, C1L, C1O, C1Y. Даташиты 2SC1740S, 2SC1815, APS1016ES5, BGM1011, BZT52H-C47, BZX585-B2V4, DTC114TSA, DTC114YSA, DTC124ESA, DTC124XSA, DTC125TSA, DTC144GSA, DTC144TSA, DTC144WSA, KRC101, KRC102, KRC103, KRC104, KRC105, KRC106, KSC1623, RT8020GQW, RT8020PQW, RT9013B-18PU5, RT9161-21PX, RT9161-25PV, RT9169-25PB, RT9193-18PQV, RT9913CPQV, SN74LVC1G14DBVR, SN74LVC1G17DBVR, SST111.

C1	SOD-123F	BZT52H-C47	NXP	Стабилитрон
C1	SOD-523	BZX585-B2V4	NXP	Стабилитрон
C1	SOT-23	SST111	Vishay	N-канальный JFET
C1*	VDFN-6 2×2	RT9193-18PQV	Richtek	Стабилизатор напряжения
C1**	SOT-25	APS1016ES5	APSemi	Понижающий преобразователь
C1-	SOT-363	BGM1011	Philips (Now NXP)	MMIC усилитель
C1-	SOT-89	RT9161-21PX	Richtek	Стабилизатор напряжения
C1-**	WDFN-12 3×3	RT8020PQW	Richtek	Понижающий преобразователь
C1-**	VQFN-24 4×4	RT9913CPQV	Richtek	ИС управления питанием
C1-***	SOT-353	RT9013B-18PU5	Richtek	Стабилизатор напряжения
C1-***	SOT-23	RT9161-25PV	Richtek	Стабилизатор напряжения
C1-***	SOT-25	RT9169-25PB	Richtek	Стабилизатор напряжения
C101	TO-92	KRC101	KEC	Цифровой NPN транзистор
C102	TO-92	KRC102	KEC	Цифровой NPN транзистор
C103	TO-92	KRC103	KEC	Цифровой NPN транзистор
C104	TO-92	KRC104	KEC	Цифровой NPN транзистор
C105	TO-92	KRC105	KEC	Цифровой NPN транзистор
C106	TO-92	KRC106	KEC	Цифровой NPN транзистор
C114TS	SPT / SC-72	DTC114TSA	ROHM	Цифровой NPN транзистор
C114YS	SPT / SC-72	DTC114YSA	ROHM	Цифровой NPN транзистор
C124ES	SPT / SC-72	DTC124ESA	ROHM	Цифровой NPN транзистор
C124XS	SPT / SC-72	DTC124XSA	ROHM	Цифровой NPN транзистор
C125TS	SPT / SC-72	DTC125TSA	ROHM	Цифровой NPN транзистор
C142	SOT-25	SN74LVC1G14DBVR	Texas Instruments	Инвертирующие триггеры Шмитта
C144GS	SPT / SC-72	DTC144GSA	ROHM	Цифровой NPN транзистор
C144TS	TO-92	DTC144TSA	TIP	Цифровой NPN транзистор
C144WS	SPT / SC-72	DTC144WSA	ROHM	Цифровой NPN транзистор
C145	SOT-25	SN74LVC1G14DBVR	Texas Instruments	Инвертирующие триггеры Шмитта
C14F	SOT-25	SN74LVC1G14DBVR	Texas Instruments	Инвертирующие триггеры Шмитта
C14K	SOT-25	SN74LVC1G14DBVR	Texas Instruments	Инвертирующие триггеры Шмитта
C14R	SOT-25	SN74LVC1G14DBVR	Texas Instruments	Инвертирующие триггеры Шмитта
C1740S	SPT / SC-72	2SC1740S	ROHM	NPN транзистор
C175	SOT-25	SN74LVC1G17DBVR	Texas Instruments	Триггер Шмитта
C17F	SOT-25	SN74LVC1G17DBVR	Texas Instruments	Триггер Шмитта
C17H	SOT-25	SN74LVC1G17DBVR	Texas Instruments	Триггер Шмитта
C17K	SOT-25	SN74LVC1G17DBVR	Texas Instruments	Триггер Шмитта
C17P	SOT-25	SN74LVC1G17DBVR	Texas Instruments	Триггер Шмитта
C17R	SOT-25	SN74LVC1G17DBVR	Texas Instruments	Триггер Шмитта
C17S	SOT-25	SN74LVC1G17DBVR	Texas Instruments	Триггер Шмитта
C1815	TO-92	2SC1815	Toshiba	NPN транзистор
C1=**	WDFN-12 3×3	RT8020GQW	Richtek	Понижающий преобразователь
C1G	SOT-23	KSC1623	Fairchild	NPN транзистор
C1L	SOT-23	KSC1623	Fairchild	NPN транзистор
C1O	SOT-23	KSC1623	Fairchild	NPN транзистор
C1Y	SOT-23	KSC1623	Fairchild	NPN транзистор

автореферат диссертации по радиотехнике и связи, 05.

12.04, диссертация на тему:Транзисторные линейные сверхширокополосные и полосовые усилители ОВЧ- и УВЧ-диапазонов с повышенными выходной мощностью и КПД

Введение 2003 год, диссертация по радиотехнике и связи, Титов, Александр Анатольевич

АКТУАЛЬНОСТЬ ПРОБЛЕМЫ. По мере развития систем связи, навигации и радиолокации, систем телевидения и радиовещания возрастает потребность в передаче радиосигналов на большие расстояния. Одновременно возрастают требования к таким параметрам указанных радиотехнических систем и комплексов как коэффициент полезного действия (КПД), уровень выходной мощности, полоса рабочих частот, линейность амплитудной и неравномерность амплитудно-частотных характеристик, допустимая величина амплитудно-фазовой конверсии, уровень внеполосных излучений, массога-баритные показатели, стоимость [1-4], которые в значительной мере определяются применяемыми в них усилителями мощности (УМ) [5-8]. Это обуславливает возрастание как потребности в УМ, так и требований предъявляемых к этим усилителям.

Одним из основных при этом является требование повышения энергетических характеристик используемых УМ, то есть требование повышения их выходной мощности и КПД.

Актуальность разработок линейных сверхширокополосных (многоок-тавных) усилителей мощности (СУМ) с выходной мощностью десятки ватт и полосовых (с полосой пропускания менее октавы) усилителей мощности (ПУМ) с выходной мощностью сотни ватт ультравысокочастотного (УВЧ) диапазона и диапазона очень высоких частот (ОВЧ) с повышенными энергетическими характеристиками подтверждает большое число публикаций, посвященных вопросам теории, расчету, оптимизации параметров УМ, вопросам создания УМ различных частотных диапазонов с различными полосами пропускания и уровнями выходной мощности [3, 5, 6, 9-122].

Сложность проблемы достижения высоких энергетических характеристик рассматриваемых УМ обусловлена необходимостью одновременного решения множества противоречивых задач, таких как:

– анализ работы УМ в линейном и нелинейном режимах;

– увеличение коэффициента использования транзисторов по выходной мощности и уменьшение искажений амплитудной характеристики, уменьшение величины амплитудно-фазовой конверсии и внеполосных излучений;

– максимальное использование транзисторов по коэффициенту усиления и полосе рабочих частот;

– изменения режима работы транзисторов в УМ по постоянному току и сохранение линейных и нелинейных характеристик усилителей;

– повышение надежности УМ в условиях их работы на несогласованную нагрузку и максимального использования транзисторов УМ по выходной мощности.

Перечисленные задачи дают возможность сформулировать комплекс научных проблем, успешное решение которых позволит обеспечить повышение энергетических характеристик усилителей мощности ОВЧ – и УВЧ-диапазонов. К этому комплексу проблем в первую очередь относятся:

– исследование возможностей и разработка основ создания сверхширокополосных усилителей мощности с автоматической регулировкой режима работы транзисторов по постоянному току;

– разработка метода параметрического синтеза мощных усилительных каскадов, позволяющего осуществлять реализацию максимально возможного коэффициента усиления при одновременном обеспечении заданного допустимого уклонения его амплитудно-частотной характеристики от требуемой формы.

– разработка метода синтеза нелинейной модели передаточной характеристики мощного усилительного каскада, формируемой по общепринятой малосигнальной эквивалентной схеме замещения транзистора и позволяющей осуществлять анализ каскада при его работе как в режиме существенной, так и в режиме несущественной нелинейности;

– исследование возможности и разработка основ создания сверхширокополосных усилителей мощности, предназначенных для усиления пико-секундных импульсов неограниченной длительности;

– исследование возможности и разработка основ построения малогабаритных диплексеров, предназначенных для реализации телевизионных полосовых усилителей мощности с выходной мощностью до 1 кВт по схеме с раздельным усилением радиосигналов изображения и звукового сопровождения.

Требуемые уровни выходной мощности усилителей превышают возможности современной элементной базы. Поэтому при создании УМ часто используются различные методы повышения выходной мощности, основанные на применении схем сложения мощностей, отдаваемых несколькими транзисторами [6, 13, 30, 36, 105-108, 123-127], и реализации оптимальных условий работы активного элемента [13, 35, 128-131].

В сверхширокополосных усилителях мощности ОВЧ – и УВЧ-диапазонов традиционным является использование транзисторов в режиме класса А с фиксированной рабочей точкой (ФРТ) [61, 64, 69, 73, 83, 105, 109, 124, 126, 132]. Использование режимов с отсечкой, в таких усилителях, неприемлемо по следующим причинам. В диапазоне частот выше 0,01 – 0,05 fj, где fy – граничная частота коэффициента усиления тока базы транзистора, ввиду неминимально-фазового сдвига сигнала в транзисторе и фазового сдвига, обусловленного конечным временем распространения сигнала в цепи обратной связи, нет возможности для построения усилителей с глубокой общей отрицательной обратной связью, обеспечивающей уменьшение искажений формы выходного сигнала [18, 26, 128, 131, 133-135].

Реализация глубокой местной отрицательной обратной связи для минимизации искажений невозможна, во-первых, из-за малого коэффициента усиления активного элемента в верхней части рабочего диапазона частот, а во-вторых, в силу того, что использование отрицательной обратной связи в мощных усилителях связано с поглощением значительной части выходной мощности в резистивных элементах цепи отрицательной обратной связи [53, 123, 126, 128, 136-138].

Однако при работе транзистора в режиме класса А с фиксированной рабочей точкой, он используется по мощности на 55-65 % [128, 139-143]. Повышение выходной мощности, отдаваемой транзисторами СУМ, возможно благодаря введению автоматической регулировки режима (АРР) работы активного элемента по постоянному току [128, 140, 144-146]. Существует два метода реализации АРР, это автоматическая регулировка напряжения питания (АРН) [29, 147-159] и автоматическая регулировка потребляемого тока (APT) [62, 139-146, 160-163]. Актуальность и целесообразность использования АРН и APT в усилителях мощности класса А возросла в последнее время, что подтверждается появлением множества патентов на усилители с АРН [164-177] и APT [178-210]. Отсутствие сравнительной оценки эффективности использования АРН и APT в сверхширокополосных усилителях мощности затрудняет обоснованность выбора систем регулирования при разработке СУМ с автоматической регулировкой режима.

В [211] показано, что в не стабилизированном усилительном каскаде с ФРТ эффект детектирования (ЭД) [212], обусловленный нелинейностью входной цепи активного элемента, приводит к потерям выходной мощности до 40 %. Известные схемные решения СУМ с автоматической регулировкой режима предназначены для работы на согласованную нагрузку и не имеют механизмов компенсации влияния ЭД на работу системы регулирования. Вопросы влияния ЭД на изменение заданного закона регулирования и количественной оценки потерь выходной мощности каскада с АРР, обусловленных этим эффектом, не исследованы. Отсутствие схемных решений построения СУМ с автоматической регулировкой режима, предназначенных для работы на несогласованную нагрузку в условиях перегрузки по входу и обеспечивающих устранение влияния ЭД на работу системы регулирования, объясняет ограниченную область применения АРР в сверхширокополосных усилителях мощности.

Средний КПД сверхширокополосных усилителей мощности, при работе транзисторов в режиме с ФРТ и при усилении сигналов различной амплитуды, составляет 3-10 % [44, 46, 52, 126, 213-216]. В то же время, использование АРР позволяет в 2-3 раза повысить средний КПД сверхширокополосных усилителей мощности благодаря уменьшению потребляемой мощности при его работе в режиме усиления слабых сигналов [29, 62, 139-144, 160-163, 147-159, 217, 218]. Однако вопрос оптимального выбора области регулирования и влияния АРР на качественные показатели сверхширокополосных усилителей мощности, в которых она применяется, остался не исследованным.

Известно, что потенциально достижимый коэффициент усиления транзистора падает с ростом частоты усиливаемого сигнала со скоростью 6 дБ на октаву [18, 19, 24, 219]. Поэтому реальный коэффициент усиления одного каскада многокаскадного усилителя мощности ОВЧ – и УВЧ-диапазонов составляет величину порядка 4-10 дБ [6, 9, 13, 32, 44, 53, 123, 126, 213-216, 219]. В этом случае увеличение коэффициента усиления каждого каскада, например, на 2 дБ позволяет повысить КПД всего усилителя в 1,2-1,4 раза [144]. В усилителях мощности ОВЧ – и УВЧ-диапазонов выравнивание амплитудно-частотной характеристики (АЧХ), обеспечение режима максимального использования усилительных свойств применяемых транзисторов и постоянства сопротивления нагрузки для внутреннего генератора транзистора выходного каскада достигаются благодаря использованию корректирующих цепей (КЦ) [6, 13, 24, 32, 40, 42, 52, 53, 107-111, 213, 214, 216, 220-231]. Современные методы параметрического синтеза усилительных каскадов с КЦ не позволяют осуществлять реализацию максимально возможного для заданного схемного решения коэффициента усиления при одновременном обеспечении заданного допустимого уклонения АЧХ от требуемой формы [6, 13, 24, 40, 42, 53, 219, 232-251]. Задача нахождения значений элементов КЦ, обеспечивающих максимальный коэффициент усиления каскада, в каждом конкретном случае может быть решена с помощью программ оптимизации. Однако наличие хорошего начального приближения многократно сокращает этап последующей оптимизации или делает его излишним [13, 219, 220, 232, 252].

Значительные потери выходной мощности и КПД усилителя связаны, в ряде случаев, с необходимостью реализации высокой линейности его амплитудной характеристики (АХ), малой величины амплитудно-фазовой конверсии (АФК), то есть малой величины изменения фазы усиленного сигнала от изменения его амплитуды [1, 6, 9, 13, 38, 253]. Например, при разработке СУМ для аппаратуры специального назначения, требование ограничения сжатия коэффициента усиления уровнем 0,5 дБ в усилителях с ФРТ приводит к 25-35 % уменьшению выходной мощности относительно номинального значения, то есть значения выходной мощности, соответствующей сжатию коэффициента усиления на 1 дБ [146, 212]. Следует ожидать повышения линейности АХ, уменьшения АФК и интермодуляционных искажений в сверхширокополосных усилителях мощности при использовании автоматической регулировки режима, что связано с взаимной компенсацией двух нелинейных эффектов: сжатия коэффициента усиления с увеличением выходного сигнала; возрастания коэффициента усиления тока базы биполярного транзистора с увеличением его коллекторного тока, либо возрастания значения крутизны полевого транзистора с увеличением тока стока.

В соответствии с требованиями ГОСТ [254, 255], уровень любого побочного (внеполосного) радиоизлучения телевизионных (ТВ) передатчиков с выходной мощностью более 25 Вт должен быть не менее чем на минус 60 дБ ниже пиковой мощности радиосигнала в синхроимпульсе. Для реализации этого требования в ТВ передатчиках с выходной мощностью более 1 кВт используется раздельное усиление радиосигналов изображения и звукового сопровождения с последующим их сложением в антенне с использованием диплексеров [256]. В маломощных ТВ передатчиках (с выходной мощностью менее 1 кВт [254, 255]), составляющих около 85 % от общего парка ТВ передатчиков [256], используется совместное усиление радиосигналов изображения и звукового сопровождения, что обусловлено большими размерами известных в настоящее время диплексеров. Необходимость обеспечения требований ГОСТ по подавлению интермодуляционных составляющих в спектре ТВ сигнала передатчиков с совместным усилением радиосигналов изображения и звукового сопровождения приводит к тому, что транзисторы усилителей этих передатчиков используются по мощности на 20-25 %, а их КПД оказывается в 2-2,5 раза меньше достижимого значения [6, 9, 13, 221, 253, 256]. В этом случае удается реализовать уровень интермодуляционных помех на выходе передатчиков минус 25-35 дБ [6]. Для уменьшения уровня внеполосного излучения до величины минус 60 дБ, на выходе ТВ передатчиков с совместным усилением радиосигналов изображения и звукового сопровождения устанавливаются полосовые фильтры, поглощающие от 15 до 20 % выходной мощности передатчика [221]. Потерь выходной мощности и КПД в маломощных ТВ передатчиках можно избежать благодаря созданию малогабаритных диплексеров, пригодных для разработки телевизионных ПУМ с выходной мощностью до 1 кВт по схеме с раздельным усилением радиосигналов изображения и звукового сопровож-денияАнализ линейности АХ и АФК усилителей мощности, работающих в различных режимах, в настоящее время ведется различными методами, что затрудняет машинное проектирование [22, 41, 50, 131, 257-292]. Это связано с тем, что используемые нелинейные модели транзисторов, предназначенные для анализа работы усилительных каскадов в режиме существенной нелинейности, не позволяют в рамках указанных моделей перейти к общепринятой малосигнальной эквивалентной схеме замещения транзистора при изменении режима работы от существенной к несущественной нелинейности и режиму малого сигнала [22, 128, 257-261, 293-306]. В этой связи актуальной является задача разработки нелинейной модели передаточной характеристики мощного усилительного каскада, формируемой по общепринятой инерционной малосигнальной эквивалентной схеме замещения транзистора с нелинейными элементами, и позволяющей осуществлять анализ линейности АХ и АФК усилительного каскада при его работе как в режиме существенной, так и в режиме несущественной нелинейности.

Традиционно повышение выходной мощности разрабатываемых усилителей связано с использованием более мощных транзисторов, либо схем сложения мощности, отдаваемой несколькими менее мощными транзисторами. Оба эти варианта оказываются не реализуемыми при разработке СУМ, предназначенных для усиления импульсных сигналов со спектром, лежащим в полосе частот от нуля (либо единиц герц) до единиц гигагерц. Построение усилителей с указанной полосой рабочих частот на мощных транзисторах оказывается невозможным ввиду высоких добротностей входных импедансов мощных транзисторов и большой величины «паразитных» параметров пассивных элементов применяемых при построении УМ, что приводит к появлению неконтролируемых резонансов внутри полосы пропускания разрабатываемых усилителей и искажению формы их АЧХ, фазочастотной (ФЧХ) и переходной (ПХ) характеристик [44, 53, 307, 308]. Повышение выходной мощности рассматриваемых усилителей с помощью устройств сложения мощности, отдаваемой несколькими менее мощными транзисторами, также затруднительно, так как известные методы построения устройств сложения мощности не позволяют осуществить их реализацию с коэффициентом перекрытия по частоте более чем в 103 -104 раза [128, 232, 309-312]. Не исследованным остается вопрос возможности повышения выходной мощности СУМ, предназначенных для усиления импульсных сигналов, на основе использования многоканальных структур с частотным разделением каналов, применяемых в сверхширокополосных усилителях гармонических сигналов [313-322].

Цель работы – развитие научно-технических основ построения, исследование, создание и внедрение линейных усилителей мощности ОВЧ – и УВЧ-диапазонов с повышенными выходной мощностью и КПД, предназначенных для усиления непрерывных и импульсных сигналов.

ЗАДАЧИ ИССЛЕДОВАНИИ. Поставленная цель достигается решением следующих основных задач.

1. Разработка метода параметрического синтеза мощных усилительных каскадов с корректирующими цепями, позволяющего осуществлять реализацию максимально возможного для заданного схемного решения коэффициента усиления при одновременном обеспечении заданного допустимого уклонения амплитудно-частотной характеристики от требуемой формы.

2. Разработка метода синтеза полиномиальных моделей передаточных характеристик мощных усилительных каскадов, формируемых по общепринятой инерционной малосигнальной эквивалентной схеме замещения транзистора с нелинейными элементами и позволяющих осуществлять анализ основных нелинейных характеристик усилительных каскадов при их работе как в режиме существенной, так и в режиме несущественной нелинейности.

3. Исследование и аппроксимация режимных зависимостей граничной частоты и дифференциального коэффициента передачи тока базы мощных биполярных транзисторов и крутизны мощных полевых транзисторов.

4. Сравнительный анализ эффективности использования автоматической регулировки напряжения питания и автоматической регулировки потребляемого тока в сверхширокополосных усилителях мощности. Исследование влияния эффекта детектирования на работу усилительных каскадов с автоматической регулировкой режима. Исследование возможности повышения линейности амплитудной характеристики и уменьшения амплитудно-фазовой конверсии мощных сверхширокополосных усилительных каскадов путем введения автоматической регулировки режима, при одновременном увеличении их выходной мощности и КПД.

5. Исследование возможности повышения выходной мощности усилителей, предназначенных для усиления пикосекундных импульсов неограниченной длительности, на основе использования многоканальных структур с частотным разделением каналов.

6. Исследование возможности создания малогабаритных диплексеров на низкодобротных режекторных фильтрах, пригодных для использования в телевизионных полосовых усилителях мощности, реализуемых по схеме с раздельным усилением радиосигналов изображения и звукового сопровождения.

7. Разработка новых схемных решений построения сверхширокополосных усилителей мощности с автоматической регулировкой режима, предназначенных для работы на несогласованную нагрузку в условиях перегрузки по входу и обеспечивающих устранение влияния эффекта детектирования на работу системы регулирования.

8. Разработка новых схемных решений повышения линейности амплитудных характеристик полосовых усилителей мощности и схем их защиты от рассогласования по выходу и от перегрузки по входу в условиях максимального использования транзисторов усилителей по выходной мощности.

9. Апробация научных результатов и практических разработок, создание и внедрение в системы различного назначения усилителей мощности с повышенными энергетическими характеристиками.

ИСПОЛЬЗУЕМЫЕ МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЙ. В работе использованы методы теории линейных и нелинейных электрических цепей, дифференциального и интегрального исчислений, оптимального синтеза, автоматического регулирования, линейной алгебры, функций комплексного переменного, теории фильтров и аппроксимации функций, аналитического и численного моделирования на ЭВМ.

Достоверность основных теоретических положений и выводов подтверждена экспериментально в процессе исследований, а также созданием широкого класса усилителей мощности, внедренных в состав радиотехнических систем и комплексов различного назначения.

НАУЧНАЯ НОВИЗНА. Научной новизной обладают следующие основные результаты работы.

1. Метод параметрического синтеза усилительных каскадов с корректирующими цепями, основанный на синтезе функции-прототипа передаточной характеристики каскада, соответствующей заданному допустимому уклонению его АЧХ от требуемой формы.

2. Метод синтеза полиномиальной модели передаточной характеристики мощного усилительного каскада, основанный на аппроксимации зависимости обратной величины малосигнального мгновенного значения коэффициента прямой передачи каскада от мгновенного значения напряжения на его выходе степенным полиномом с комплексными коэффициентами.

3. Зависимости между разносом частот стыковки каналов, порядком фильтров частотно-разделительных цепей, их схемной реализацией и формой амплитудно-частотной, фазочастотной и переходной характеристик, доказывающие возможность полного устранения искажений импульсных сигналов, обусловленных многоканальной структурой устройства, и минимизации перекрытия рабочих частот канальных усилителей.

4. Обоснование возможности использования малогабаритных диплексеров, выполненных на низкодобротных режекторных фильтрах и малогабаритных направленных ответвителях, для реализации раздельного усиления радиосигналов изображения и звукового сопровождения в телевизионных полосовых усилителях мощности.

5. Новые технические решения построения сверхширокополосных усилителей мощности с автоматической регулировкой потребляемого тока, обеспечивающие устранение влияния эффекта детектирования на работу системы регулирования и предназначенные для работы на несогласованную нагрузку, импульсных усилителей многоканальной структуры с частотным разделением каналов, позволяющих осуществлять реализацию канальных усилителей с использованием достоинств схемных решений построения усилителей заданного частотного диапазона.

ХОЗЯЙСТВЕННОЕ И ПРАКТИЧЕСКОЕ ЗНАЧЕНИЕ РАБОТЫ заключается в разработке, создании и внедрении сверхширокополосных и полосовых усилителей мощности с повышенными энергетическими характеристиками, что позволило повысить КПД, выходную мощность, быстродействие и эффективность серийных и специальных приборов, установок и систем теле- и радиовещания.

На основе разработанных методов и проведенных исследований созданы новые схемные решения, теоретические и практические методики анализа, проектирования и построения усилителей мощности, включающие следующие:

1. Методика расчета усилительных каскадов с корректирующими цепями, позволяющая осуществлять проектирование усилителей с заданным допустимым уклонением АЧХ от требуемой формы по таблицам нормированных значений элементов корректирующих цепей, и сократить благодаря этому время, необходимое для проектирования и экспериментальной отработки макетов.

2. Методика проектирования усилителей с автоматической регулировкой потребляемого тока, обеспечивающая повышение линейности их амплитудных характеристик и уменьшение амплитудно-фазовой конверсии, реализацию максимального быстродействия системы регулирования.

3. Принципы построения усилителей с автоматической регулировкой потребляемого тока, обеспечивающих линейное усиление сигналов в диапазоне изменения сопротивления нагрузки от холостого хода до короткого замыкания, полное устранение влияния эффекта детектирования на уровень выходной мощности, что значительно расширяет область применения этих усилителей по сравнению с известными схемными решениями.

4. Схемные решения построения многоканальных импульсных усилителей с частотно-разделительными цепями и методика расчета этих цепей, позволяющие минимизировать взаимное перекрытие рабочих частот канальных усилителей и исключить искажения АЧХ и переходной характеристики, обусловленные разделением спектра усиливаемого сигнала.

5. Методика проектирования полосовых усилителей мощности телевизионных передатчиков с использованием малогабаритных диплексеров выполненных на низкодобротных режекторных фильтрах и малогабаритных направленных ответвителях, позволяющая в два-три раза повысить выходную мощность имеющегося парка маломощных телевизионных передатчиков.

6. Пакет прикладных программ для ЭВМ по проектированию широкополосных и полосовых усилителей мощности в линейном и нелинейном режимах работы.

РЕАЛИЗАЦИЯ РЕЗУЛЬТАТОВ РАБОТЫ. Результаты исследований и разработок диссертации использованы при проектировании и создании усилителей мощности систем и комплексов различного назначения в соответствии с техническими заданиями на хоздоговорные и госбюджетные НИР по заказам НИИ и предприятий России и стран СНГ, АН СССР, Министерства промышленности средств связи (Государственного комитета по оборонным отраслям . промышленности), Министерства радиопромышленности СССР, предприятий телевизионного и радиовещания, государственных предприятий и предприятий со смешанной формой собственности.

Под руководством и при непосредственном участии автора созданы и внедрены следующие разработки.

1. Широкополосные усилители мощности устройств нелинейной локации (НИИ «Проект», г. Томск, 1987-1995 г.).

2. Усилители мощности передатчиков телевизионного вещания с раздельным усилением радиосигналов изображения и звукового сопровождения (государственное предприятие «Промсвязь», г. Алматы, 1997-2000 г.).

3. Усилители мощности передатчиков телевизионного вещания (областной центр телекоммуникаций, г. Томск, 1990-1996 г.).

4. Усилители мощности передатчиков УКВ ЧМ вещания (областной центр телекоммуникаций, г. Томск, 1990-1996 г.).

5. Усилители мощности передатчиков телевизионного вещания (радиотелевизионный передающий центр «Астана», г. Астана, 1993-1999 г.).

6. Модули усиления радиосигналов аппаратуры специального назначения (НИИ «Проект», г. Томск, 1987-1992 г.).

7. Широкополосные усилители мощности генераторов стандартных сигналов (частное предприятие «Бриг», г. Юрга, 1996-1999 г.).

8. Усилители мощности многоканальных систем связи (ОАО «Томсктелеком», г. Томск, 2000 г.).

9. Широкополосные усилители передатчиков телевизионных радиосигналов (государственное предприятие «Промсвязь», г. Алматы, 1995 г.).

Ю.Широкополосный усилитель мощности для системы радиоспектроскопии (институт химической кинетики и горения СО РАН, г. Новосибирск, 1993 г.).

11. Усилитель мощности передатчика пейджинговой связи фирмы «Motorola» (предприятие ООО «Эдисон Плюс», г. Томск, 1998 г.).

12.Широкополосный усилитель мощности для системы контроля устройств связи, телевизионного и радиовещания (предприятие ООО «Эдисон Плюс», г. Томск, 1998 г.).

13.Полосовой усилитель мощности комплексов специального назначения (госпредприятие «Завод им. Масленникова», г. Самара, 1990 г.).

14.Широкополосный усилитель мощности комплексов специального назначения (государственное предприятие «Завод им. Масленникова», г. Самара, 1990 г.).

15.Широкополосный усилитель мощности модулятора лазерного излучения (частное предприятие, свидетельство ПД-Г № 7837, г. Томск, 1999 г.).

16.Широкополосный усилитель мощности системы изучения особенностей распространения радиоволн в городских условиях (ООО «Полдень», г. Томск, 1995 г.).

17.Полосовой усилитель мощности системы изучения особенностей распространения радиоволн в городских условиях (ООО «Полдень», г. Томск, 1997 г.).

18.Усилитель мощности передатчика пейджинговой связи (ООО «ТиМ», г. Белово, 1997 г.).

19.Усилитель мощности передатчика телевизионного вещания ДМВ диапазона (ЗАО «Телерадиокомпания ТВ-2», г. Томск, 1997 г.).

20.Широкополосный усилитель мощности системы проверки ТВ передатчиков (областной центр телекоммуникаций, г. Томск, 1997 г.).

21.Сверхширокополосный усилительно-преобразовательный тракт для аппаратуры радиофизических измерений (проблемная лаборатория радиотехнических систем ТИАСУР, г. Томск, 1987 г.).

22.Сверхширокополосный усилительно-преобразовательный блок аппаратуры радиофизических измерений (проблемная лаборатория радиотехнических систем ТИАСУР, г. Томск, 1987 г.).

23. Усилительно-преобразовательный тракт широко диапазонного радиоприемника для пассивных радиолокационных систем (проблемная лаборатория радиотехнических систем ТИАСУР, г. Томск, 1984 г.).

24.Транзисторный сверхширокополосный малошумящий СВЧ – усилитель (проблемная лаборатория радиотехнических систем ТИАСУР, г. Томск, 1984 г.).

25.Полосовой усилитель мощности передатчика пейджинговой связи (ООО «Планет-Т», г. Томск, 2001 г.)

26.Усилитель мощности РРЛ «МАЛЮТКА» (ООО «Техноспорт», г. Томск, 2000 г.)

27.Полосовой усилитель мощности передатчика пейджинговой связи (ООО «Инвест-проект», г. Томск, 2001 г.)

28.Сверхширокополосный усилитель постоянного тока (государственное предприятие «Промсвязь», г. Алматы, 1999 г.).

Документы о внедрении разработанных устройств приведены в приложении Б к диссертационной работе.

Результаты работы используются в учебном процессе в Томском государственном университете систем управления и радиоэлектроники при дипломном проектировании, учебно – и научно-исследовательской работе студентов, в лекциях, лабораторных практикумах и при курсовом проектировании по базовым дисциплинам «Основы автоматизированного проектирования радиоэлектронных устройств», «Аналоговые электронные устройства». С использованием результатов работы для студентов специальностей 200700 -«Радиотехника» и 201600 – «Радиоэлектронные системы» изданы учебные пособия «Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на полевых транзисторах» и «Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах».

ОСНОВНЫЕ НАУЧНЫЕ ПОЛОЖЕНИЯ, ВЫНОСИМЫЕ НА ЗАЩИТУ.

1. Использование предлагаемого метода параметрического синтеза усилительных каскадов с корректирующими цепями позволяет осуществлять реализацию максимально возможного для заданного схемного решения коэффициента усиления каскада при одновременном обеспечении заданного допустимого уклонения его АЧХ от требуемой формы.

2. Для синтеза полиномиальной модели передаточной характеристики мощного усилительного каскада, предназначенной для анализа основных нелинейных характеристик каскада при его работе как в режиме существенной, так и в режиме несущественной нелинейности, может быть использована общепринятая инерционная малосигнальная эквивалентная схема замещения транзистора с нелинейными элементами.

3. Использование автоматической регулировки потребляемого тока в сверхширокополосных усилителях мощности, работающих на согласованную нагрузку, позволяет на 10-20 % уменьшить амплитудно-фазовую конверсию и сжатие коэффициента усиления, при одновременном увеличении до двух раз их выходной мощности и сохранении формы АЧХ и неизменного уровня нелинейных составляющих второго и третьего порядка в спектре выходного сигнала.

4. Неискаженное, по определенному критерию, усиление импульсных сигналов в многоканальных усилителях с частотным разделением каналов обеспечивает разнос частот стыковки каналов и ограничение порядка используемых частотно-разделительных цепей.

5. Возможна реализация раздельного усиления радиосигналов изображения и звукового сопровождения в телевизионных полосовых усилителях мощности на основе использования малогабаритных диплексеров, выполненных на низкодобротных режекторных фильтрах и малогабаритных направленных ответвителях.

6. Результаты расчетов и экспериментальных исследований, результаты практической разработки усилителей мощности, подтверждающие эффективность и достоверность проведенных научных исследований.

АПРОБАЦИЯ РАБОТЫ. Основные разделы и результаты работы докладывались и обсуждались на всесоюзных семинарах ЦП НТОРЭС им. А.С. Попова (Москва, 1978, 1979, 1980, 1981, 1983, 1984, 1985, 1986, 1987), на международных научно-технических конференциях (НТК) и симпозиумах «Конверсия науки – международному сотрудничеству, СИБКОНВЕРС’95, СИБКОНВЕРС’97, СИБКОНВЕРС’99» (Томск, 1995, 1997, 1999), «Актуальные проблемы электронного приборостроения, АПЭП – 98, АПЭП – 2000» (Новосибирск, 1998, 2000), «НАУЧНАЯ СЕССИЯ МИФИ-2003» (Москва, 2003), на всесоюзном семинаре «Наносекундные с субнаносекундные усилители» (Томск, 1976), на всесоюзных и всероссийских НТК «Измерительные комплексы и системы» (Томск, 1981), «Радиоприемные и усилительные устройства» (Москва, 1988), «Проблемы современной радиоэлектроники и систем управления» (Томск, 2002), «АВИОНИКА-2003» (Томск, 2003), на межрегиональных НТК «Современная радиоприемная усилительная аппаратура» (Москва, 1988), Современные проблемы радиоэлектроники» (Москва, 1988), «Элементы и узлы современной приемно-усилительной аппаратуры» (Москва, 1990), «Проблемы создания аппаратуры радиосвязи и радиоэлектронных устройств народнохозяйственного и бытового назначения» (Омск, 1990), «Элементы и узлы современной приемной и усилительной техники» (Ужгород, 1991), «Региональный рынок труда в условиях структурных изменений экономики» (Кемерово, 1995), на региональных НТК «Элементы приемно-усилительных устройств» (Таганрог, 1977, 1980), «Радиотехнические и информационные системы и устройства» (Томск, 1999), «Радиотехнические устройства, информационные технологии и системы управления» (Томск, 2001), на областных НТК «Разработка и исследование радиотехнических систем и устройств» (Томск, 1981, 1983), «Радиотехнические методы и средства измерения» (Томск, 1985), «Проблемы радиотехники, электроники и связи» (Томск, 1989). Еилительных каскадов с АРН и APT по КПД, быстродействию канала управления, простоте реализации и массогабаритным показателям осуществлен выбор наиболее перспективной системы регулирования. Проанализировано влияние эффекта детектирования на работу усилительного каскада с APT. Предложены новые схемные решения сверхширокополосных усилителей с APT, в которых обеспечивается полное устранение влияния эффекта детектирования на уровень выходной мощности усилителя и предназначенных для работы на несогласованную нагрузку в условиях перегрузки по входу.

Во втором разделе осуществлены исследование и аппроксимация режимных зависимостей граничной частоты и дифференциального коэффициента передачи тока базы мощных биполярных транзисторов и крутизны мощных полевых транзисторов. Разработан метод синтеза полиномиальной модели передаточной характеристики мощных усилительных каскадов, основанный на аппроксимации зависимости обратной величины мгновенного малосигнального значения комплексного коэффициента прямой передачи усилительного каскада от мгновенного значения выходного напряжения с использованием общепринятой инерционной малосигнальной эквивалентной схемы замещения транзистора с нелинейными элементами. На основе разработанного метода синтеза проведены исследования влияния выбора области регулирования на характеристики сверхширокополосного усилительного каскада с APT, влияния выбора величины базового смещения на характеристики полосового усилительного каскада, работающего в режиме с отсечкой коллекторного тока. Показано, что использование APT позволяет повысить линейность амплитудной характеристики усилительного каскада, уменьшить АФК, при одновременном увеличении практически вдвое уровня его выходной мощности и сохранении формы АЧХ. Дано теоретическое обоснование возможности увеличения динамического диапазона усилительных каскадов, работающих в режиме с отсечкой коллекторного тока, на основе оптимального выбора величины напряжения базового смещения транзисторов этих каскадов.

Третий раздел работы посвящен разработке метода параметрического синтеза мощных усилительных каскадов с КЦ, позволяющего осуществлять реализацию максимально возможного, для заданного схемного решения, коэффициента усиления и обеспечивающего, тем самым, повышение КПД проектируемого усилителя мощности. Метод основан на нахождении дробно-рациональной функции комплексного переменного, описывающей коэффициент передачи усилительного каскада, синтезе функции-прототипа, соответствующей заданной форме АЧХ каскада, решении системы нелинейных уравнений относительно нормированных значений элементов КЦ. С использованием разработанного метода синтезированы оптимальные дробно-рациональные функции-прототипы, синтезированы и табулированы нормированные значения элементов КЦ, наиболее часто применяемых при построении сверхширокополосных и полосовых усилителей мощности ОВЧ- и УВЧ-диапазонов.

Четвертый раздел работы посвящен решению проблемы повышения выходной мощности СУМ, предназначенных для усиления импульсных сигналов со спектром, лежащим в полосе частот от нуля (либо единиц герц) до единиц гигагерц, решению проблемы повышения выходной мощности ПУМ телевизионных передатчиков с выходной мощностью до 1 кВт. Доказана возможность построения импульсных усилителей на основе использования многоканальных структур с частотным разделением каналов, что позволяет осуществлять реализацию канальных усилителей с использованием достоинств схемных решений усилителей заданного частотного диапазона и повышение, благодаря этому, их выходной мощности. Предложены схемные решения частотно-разделительных цепей многоканальных усилителей импульсных сигналов с частотным разделением каналов, получены соотношения для расчета значений элементов предлагаемых цепей. Доказана теоретически и подтверждена экспериментально возможность реализации раздельного усиления радиосигналов изображения и звукового сопровождения в телевизионных ПУМ с выходной мощностью до 1 кВт на основе использования малогабаритных диплексеров, выполненных на низкодобротных режек-торных фильтрах и малогабаритных направленных ответвителях. Показано, что применение предлагаемых малогабаритных диплексеров и дополнительных маломощных усилителей радиосигнала звукового сопровождения дает возможность в два-три раза повысить выходную мощность имеющегося парка маломощных телевизионных передатчиков.

В приложении А дано описание схемных решений, технических характеристик и особенностей построения усилителей мощности, реализованных на основе использования результатов исследований, приведенных в основной части работы. В приложении Б представлены документы о внедрении разработанных устройств.

IC Datashee-Технические характеристики,усилитель,процессор,транзисторы,диодные,интегральных схем и других полупроводниковых Datasheets поиска и загрузки IC-Datasheet.com

B32521-C6154 B32521-C6223 B32521-C6333 B32521-C6473 B32521-C6683 B32521-C684 B32521-N8103 B32521-N8153 B32521-N8223 B32521-N8333 B32521-N8682 B32522 B32522-C105 B32522-C106 B32522-C1105 B32522-C1155 B32522-C1225 B32522-C1334 B32522-C1335 B32522-C1474 B32522-C1475 B32522-C155 B32522-C1684 B32522-C225 B32522-C3104 B32522-C3105 B32522-C3155 B32522-C3224 B32522-C3334 B32522-C335 B32522-C3474 B32522-C3684 B32522-C475 B32522-C6104 B32522-C6154 B32522-C6224 B32522-C6334 B32522-C6473 B32522-C684 B32522-C685 B32522-N3105 B32522-N3155 B32522-N6104 B32522-N6154 B32522-N6224 B32522-N6334 B32522-N6474 B32522-N6684 B32522-Q8104 B32522-Q8154 B32522-Q8224 B32522-Q8333 B32522-Q8473 B32522-Q8683 B32523-Q106 B32523-Q1155 B32523-Q1225 B32523-Q1335 B32523-Q1475 B32523-Q1685 B32523-Q3105 B32523-Q3155 B32523-Q3225 B32523-Q3335 B32523-Q335 B32523-Q3474 B32523-Q3684 B32523-Q475 B32523-Q6105 B32523-Q6224 B32523-Q6334 B32523-Q6474 B32523-Q6684 B32523-Q685 B32523-Q8104 B32523-Q8154 B32523-Q8224 B32523-Q8334 B32523-Q8474 B32524 B32524-Q1106 B32524-Q1156 B32524-Q1336 B32524-Q1475 B32524-Q1685 B32524-Q3106 B32524-Q3155 B32524-Q3225 B32524-Q3335 B32524-Q3475 B32524-Q3685 B32524-Q6155 B32524-Q6225 B32524-Q6335 B32524-Q6405 B32524-Q6475 B32524-Q8105 B32524-Q8155 B32524-Q8334 B32524-Q8474 B32524-Q8684 B32529 B32529-C102 B32529-C103 B32529-C105 B32529-C1102 B32529-C1103 B32529-C1104 B32529-C1105 B32529-C1152 B32529-C1153 B32529-C1154 B32529-C1222 B32529-C1223 B32529-C1224 B32529-C1332 B32529-C1333 B32529-C1334 B32529-C1472 B32529-C1473 B32529-C1474 B32529-C152 B32529-C153 B32529-C154 B32529-C155 B32529-C1682 B32529-C1683 B32529-C1684 B32529-C222 B32529-C223 B32529-C224 B32529-C225 B32529-C3102 B32529-C3103 B32529-C3104 B32529-C3152 B32529-C3153 B32529-C3154 B32529-C3222 B32529-C3223 B32529-C3224 B32529-C332 B32529-C333 B32529-C3332 B32529-C3333 B32529-C3334 B32529-C334 B32529-C3472 B32529-C3473 B32529-C3474 B32529-C3682 B32529-C3683 B32529-C472 B32529-C473 B32529-C474 B32529-C484 B32529-C5105 B32529-C5155 B32529-C5225 B32529-C5474 B32529-C5684 B32529-C6103 B32529-C6104 B32529-C6152 B32529-C6153 B32529-C6222 B32529-C6223 B32529-C6332 B32529-C6333 B32529-C6402 B32529-C6472 B32529-C6473 B32529-C6682 B32529-C6683 B32529-C682 B32529-C683 B32529-C8102 B32529-C8103 B32529-C8152 B32529-C8222 B32529-C8332 B32529-C8472 B32582 B32582-A9152 B32582-A9222 B32582-A9332 B32582-A9472 B32583 B32583-A9103 B32583-A9682 B32584 B32584-A7473 B32584-A7563 B32620-A222 B32620-A3104 B32620-A3223 B32620-A332 B32620-A3333 B32620-A3683 B32620-A4103

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30

Зарубежные переносные

И. Ф.Белов Е.В.Никольский ЗАРУБЕЖНЫЕ ПЕРЕНОСНЫЕ РАДИОПРИЕМНИКИ И МАГНИТОЛЫ (СПРАВОЧНОЕ ПОСОБИЕ) Издательство «Радио и связь», 1984 Предисловие Техническая информация в такой области радиоэлектроники, как бытовая радиоаппара­тура, всегда привлекает внимание не только специалистов, занимающихся ее проектирова­нием, обслуживанием, ремонтом, но и широкого круга радиолюбителей. Ведущие зарубежные фирмы выпускают очень широкий ассортимент переносной и стационарной бытовой радиоаппаратуры. При этом все больше производится сложной комби­нированной аппаратуры — радиол, магнитол, магнитофонов, магниторадиол, а также радио­приемников с различными дополнительными устройствами, улучшающими их эксплуатацион­ные показатели. Некоторые модели этой радиоаппаратуры представляют практический интерес для специалистов и радиолюбителей. В настоящее время в нашей стране находится в эксплуатации большой парк различной импортной бытовой радиоаппаратуры (радиоприемники, радиолы, магнитолы и пр. ). Не­соблюдение правил эксплуатации радиоаппаратуры, истечение срока службы могут привести к снижению эффективности работы и к ее отказу. Однако из-за отсутствия электрических схем зарубежной бытовой радиоаппаратуры и ограниченного количества запасных дета­лей ее ремонт в радиомастерских и ателье вызывает большие трудности. Учитывая это, авторы на основе отечественных и зарубежных публикаций, а также своего практиче­ского опыта сделали попытку в настоящей книге собрать и систематизировать сведения 0J5 основных схемных и конструктивных особенностях транзисторных радиовещательных переносных приемников и кассетных магнитол некоторых ведущих зарубежных фирм. При подготовке рукописи авторы стремились более полно осветить практические вопросы, связанные, в частности, с отысканием и устранением неисправностей в бытовой радио­аппаратуре. В главной своей части книга содержит основные технические характеристики типовых зарубежных моделей, краткое описание их электрических схем и специфических особенно­стей, а также некоторые другие данные, необходимые при ремонте и настройке радиоаппа­ратуры. В приложении приведены принципиальные электрические схемы более 50 моделей пере­носных радиоприемников и кассетных магнитол ведущих фирм ФРГ, Японии и других стран. Главы 1 — 3, 5, 6, описание приемника Satellit 3000 (приложения 1, 3) подготовлены И. Ф. Беловым; описание магнитолы С 6200 Automatic и приложение 2 подготовлены Е. В. Никольским и И. Ф. Беловым; описания моделей Bush 8409 и приемников Alba 744, Prima-Boy 700 и Touring 107 подготовлены Ю. И. Сухановым. Авторы, считают своим приятным долгом выразить искреннюю благодарность рецензенту А. Ф. Ососкову за внимательный просмотр рукописи, полезные замечания и советы по улуч­шению рукописи книги. Все замечания и пожелания по содержанию книги следует направлять в адрес издатель­ства «Радио и связь»: Москва, 101000, Почтамт, а/я 693. 1. ОСНОВНЫЕ ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПЕРЕНОСНЫХ РАДИОПРИЕМНИКОВ И КАССЕТНЫХ МАГНИТОЛ Зарубежные ведущие фирмы выпускают разно­образный ассортимент бытовой переносной радио­вещательной аппаратуры — от высококачествен­ных престижных моделей экстра-класса, не усту­пающих по своим параметрам стационарным мо­делям, до карманных и миниатюрных однодиапазонных приемников-сувениров. С появлением кас­сетных магнитофонов широкое развитие получили переносные магнитолы. При этом основное внима­ние уделялось совершенствованию магнитофон­ной части, улучшению электрических, акустических параметров и внешнего оформления. К каждому виду бытовой радиоаппаратуры предъявляется определенный комплекс техни­ческих, экономических и эксплуатационных требо­ваний. Поэтому ниже рассмотрим основные качественные показатели, характеризующие пере­носные радиовещательные приемники и магни­толы. 1.1. Переносные радиоприемники Наиболее важные параметры радиовещатель­ного приемника следующие: диапазон принимае­мых частот, чувствительность, избирательность пососеднему и зеркальным каналам, полоса вос­производимых частот, коэффициент гармоник, вы­ходная мощность и потребление электроэнергии от источника питания. Диапазоны принимаемых частот (волн). Для передачи и приема звуковых радиовещательных программ Международным электротехническим комитетом (МЭК) выделен определенный спектр . частот, так называемый радиовещательный диа­пазон. Радиовещательный спектр частот (длин волн) разбит на четыре диапазона: длинноволновый (ДВ), средневолновый (СВ), коротковолновый (KB) и ультракоротковолновый (УКВ). Переда­ча и прием радиовещательных программ в диапа­зонах ДВ, СВ и KB осуществляется с амплитуд­ной модуляцией (AM), а в диапазоне УКВ — с частотной модуляцией (ЧМ). Границы радиовещательных диапазонов в каж­дой стране устанавливаются в соответствии с ре­комендациями МЭК- В табл. 1 приведены грани­цы для радиовещательных диапазонов, установ­ленные Госстандартом СССР, и принятые в стра­нах Западной Европы, США и Японии. Во многих развитых странах широко распро­странено радиовещание в диапазонах УКВ, что обусловлено большим числом радиостанции и плотным их размещением, а также рядом пре­имуществ в качестве приема ЧМ вещания. Таблица 1 Границы радиовещательных диапазонов Диапазон Частота. MHz Длина волн, m СССР ДВ 0,15…0,405 2000…740,9 СВ 0,525…1,605 571,4…186,9 KB 3,95…12,1 75,9…24,8 УКВ 65,8…73,0 4,56…4,11 Зап. Европа, США и Япония ДВ 0,145(0,147)… 2070..1152 0,26(0,285) СВ 0,510. .. 1,605 587… 186,9 (1,620) KB 3,95…26,1 75,9… 11,45 УКВ 87,5…104 3,43…2,88 УКВ (США) 87,5… 108 3,43.. .2,78 УКВ (Яп.) 76,0…90,0 3,95…3,34 Основные преимущества ЧМ вещания: расши­рение полосы воспроизводимых звуковых частот и большая помехоустойчивость радиоприема. По­этому ведущие зарубежные фирмы диапазон УКВ вводят практически во всех типах радиоприем­ников, включая малогабаритные и карманные. В связи с тем что радиовещательные станции в диапазоне KB распределены неравномерно по диапазону, а сосредоточены в определенных участках шириной 100. ..300 kHz, в высококлас­сных радиоприемниках для удобства настройки на частоту требуемой станции диапазон KB разделяется на несколько поддиапазонов КВ. Среди них могут быть 2 — 3 полурастянутых или несколь­ко растянутых на всю шкалу настройки радио­приемника (табл. 2). Достарыңызбен бөлісу:

Библиография | Научно-исследовательский радиофизический институт

Библиография | Научно-исследовательский радиофизический институт

2020

• Sheiner O., Rakhlin A., Fridman V., Vybornov F. New ionospheric index for Space Weather services // Advances in Space Research. 2020. V. 66. Iss. 6. P. 1415-1426
• V. Bakhmetieva, Yu.Yu. Kulikov, I.N. Zhemyakov. Mesosphere Ozone and the Lower Ionosphere under Plasma Disturbance by Powerful High-Frequency Radio Emission // Atmosphere. 2020. V. 11. Iss. 11. 1154
• I. Grigoriev, V. G. Lapin, E.E. Kalinina. Generation of Internal Gravity Waves in the Thermosphere during Operation of the SURA Facility under Parametric Resonance Conditions // Atmosphere. 2020. V. 11. Iss. 11. 1169
• V. Vasilyev, A.G. Setov, V.L. Frolov, K.G. Ratovsky,A.B. Beletsky, A.V. Oinats, Yu.V. Yasyukevich, A.V. Medvedev. Modern heating facility for research into the mid-latitude ionosphere // Solar-Terrestrial Physics. 2020. V. 6. Iss. 2. P. 49–62
• Бахметьева Н.В., Вяхирев В.Д., Григорьев Г.И., Егерев М.Н., Калинина Е.Е., Толмачева А.В., Жемяков И.Н., Виноградов Г.Р., Юсупов К.М. Динамика мезосферы и нижней термосферы по результатам наблюдений на стенде СУРА // Геомагн. и аэрономия. 2020. Т. 60. № 1. С. 99-115
• А.С. Пузанов, С.В. Оболенский, В.А. Козлов. Разогрев и релаксация энергии электронно-дырочного газа в треке первичного атома отдачи // Физика и техника полупроводников. 2020. Т. 54. № 8. С. 791-795
• И.Ю. Забавичев, А.С. Пузанов, С.В. Оболенский, В.А. Козлов. Влияние потенциала рассеяния на радиационных дефектах на перенос носителей заряда в GaAs-структурах // Физика и техника полупроводников. 2020. Т. 54. № 9. С. 945-951
• Е.А. Тарасова, С.В. Оболенский, C.В. Хазанова, Н.Н. Григорьева, О.Л. Голиков, А.Б. Иванов, А.С. Пузанов. Компенсация нелинейности сток-затворной вольт-амперной характеристики в полевых транзисторах с длиной затвора ∼ 100 нм // Физика и техника полупроводников. 2020. Т. 54. № 9. С. 968-973
• Д.И. Дюков, А.Г. Фефелов, А.В. Коротков, Д.Г. Павельев, В.А. Козлов, Е.С. Оболенская, А.С. Иванов, С.В. Оболенский. Сравнение эффективности перспективных гетероструктурных умножительных диодов терагерцового диапазона частот // Физика и техника полупроводников. 2020. Т. 54. № 10. С. 1158-1162
• О.А. Шейнер. Оценка потенциальной геоэффективности корональных выбросов массы по солнечному микроволновому радиоизлучению // 2020. Труды XXIV научной конференции по радиофизике, посвящённой 75-летию радиофизического факультета, Нижний Новгород, 13-31 мая 2020 г. Нижний Новгород: ННГУ, 2020. С. 152-153
• Г.И. Григорьев, В.Г. Лапин. Возбуждение внутренних гравитационных волн внешними источниками в атмосфере при наличии переменного во времени ветра // 2020. Труды XXIV научной конференции по радиофизике, посвящённой 75-летию радиофизического факультета, Нижний Новгород, 13-31 мая 2020 г. Нижний Новгород: ННГУ, 2020. С. 132-135
• Н.В. Бахметьева, Г.И. Григорьев, И.Н. Жемяков, Е.Е. Калинина, А.В. Толмачева. Динамика нижней ионосферы земли по наблюдениям на стенде СУРА в 2018–2019 гг. // 2020. Труды XXIV научной конференции по радиофизике, посвящённой 75-летию радиофизического факультета, Нижний Новгород, 13-31 мая 2020 г. Нижний Новгород: ННГУ, 2020. С. 120-123
• Выборнов Ф.И., Котик Д.С., Ройзен А.М. Моделирование электромагнитного излучения молнии высоковольтным импульсным генератором ГИН500 // 2020. Проблемы использования и инновационного развития внутренних водных путей в бассейнах великих рек. Труды конгресса «Великие реки» 2020, Выпуск 9, 2020 г. С. 1-5
• Дугин Н.А., Беляев Г.Р. Исследование влияния анизотропной проводимости на параметры волноводных антенн // 2020. Проблемы использования и инновационного развития внутренних водных путей в бассейнах великих рек. Труды конгресса «Великие реки» 2020, Выпуск 9, 2020 г. С. 1-3
• Погорелко Н.А., Сергеев Е.Н., Грач С.М., Зыков Е.Ю. Развитие методики определения положения искусственных ионосферных неоднородностеи, ответственных за ракурсное рассеяние радиоволн на короткой трассе, по ионограммам наклонного зондирования // Известия вузов. Радиофизика. 2020 (принята к печати)
• Григорьев Г.И., Заборонкова Т.М., Коган Л.П. Интенсивность поля электромагнитной волны при рассеянии в случайно неоднородной среде с дискретными неоднородностями // Радиотехника и электроника. (направлено в печать)
• А.В. Толмачева, Г.И. Григорьев. Политропические процессы в нижней термосфере // Известия вузов. Радиофизика.(направлено в печать)
• С. В. Оболенский, Е. А. Тарасова, C. В. Хазанова, А. С. Пузанов, Н. Н. Григорьева. Анализ нелинейных искажений сигналов в полевых транзисторах с 2D газом до и после воздействия нейтронов // Физика и техника полупроводников. (направлено в печать)
• В. В. Бибикова, И. Ю. Забавичев, В. А. Козлов, С. В. Оболенский, А. А. Потехин, А. С. Пузанов. Особенности оценки эквивалентности лазерных методов имитации воздействия тяжелых заряженных частиц космического пространства на субмикронные элементы интегральных схем // Физика и техника полупроводников. (направлено в печать)
• И. Ю. Забавичев, К. А. Насеткин, А. C. Пузанов, С. В. Оболенский, В. А. Козлов. Влияние потенциала рассеяния носителей заряда на радиационных дефектах на изменение подвижности в GaAs короткоканальных транзисторных структурах после нейтронного воздействия // Физика и техника полупроводников. (направлено в печать)
• А. А. Потехин, А. С. Пузанов, С. В. Оболенский, В. А. Козлов. Транспорт носителей заряда в полупроводниковых элементах с одиночными кластерами радиационных дефектов // Физика и техника полупроводников. (направлено в печать)
• Д. Г. Павельев, Д. И. Дюков, А. Г. Фефелов, Е. С. Оболенская, А. В. Коротков, С. В. Оболенский. Сравнение эффективности перспективных гетероструктурных умножительных диодов ТГц диапазона частот // Физика и техника полупроводников. (направлено в печать)
• Т. А. Шоболова, С. В. Оболенский, Ю. А. Кабальнов. Моделирование характеристик биполярных транзисторов на структурах «кремний на изоляторе» при воздействии гамма – нейтронного излучения // Физика и техника полупроводников. (направлено в печать)
• Бахметьева Н.В., Григорьев Г.И., Калинина Е.Е., Толмачева А.В. Способ определения высотного профиля электронной концентрации в Е-области ионосферы Земли // 2020. Заявка на патент на изобретение

2019

• Bakhmetieva N.V., Grigoriev G.I., Tolmacheva A.V., Zhemyakov I.N.. Investigations of atmospheric waves in the earth lower ionosphere by means of the method of the creation of the artificial periodic irregularities of the ionospheric plasma // Atmosphere. 2019. V. 10. Iss. 8. P. 450
• Bubukin I.T., Rakut’ I.V., Agafonov M.I., Pankratov A.L., Troitskii A.V., Lapchenko V.A., Gorbunov R.V., Zinchenko I.I., Nosov V.I., Vdovin V.F.. Analysis of the Results of Astroclimate Research at the Kara-Dag Radioastronomical Station in Crimea and the Possibilities for Reducing the Influence of the Atmosphere on Millimeter-Band Radioastronomical Observations // Journal of Experimental and Theoretical Physics . 2019. V. 129. Iss. 1. P. 35–45
• Kukinov A.A., Balashova T.V., Ilichev V.A., Trufanov A.N., Ivin, M.N., Obolensky S.V., Bochkarev M.N. X-Ray excited luminescence of organo-lanthanide complexes // Physical Chemistry Chemical Physics. 2019. V. 21. Iss. 29. P. 16288-16292
• Ermakova E.N., Demekhov A.G., Yahnina T.A., Yahnin A.G., Raita T.. Dynamics of the Spectra of Multiband Pc1 Pulsations in the Presence of Multiple Regions of Ion–Cyclotron Instability in the Magnetosphere // Radiophysics and Quantum Electronics . 2019. V. 62. Iss. 1. P. 1-25
• Uryadov V.P., Vybornov F.I., Pershin A.V.. Extrapolation of the Maximum Usable Frequency by Adapting the IRI-2007 Ionospheric Model According to Oblique Sounding Data in the Euro-Asian Region // Radiophysics and Quantum Electronics . 2019. V. 61. Iss. 12. P. 867-880
• Obolenskii S.V., Kukinov A.V., Balashova T.V., Trufanov A.N., Ivin M.N., Kuznetsova O.V., Bochkarev M.N.. Computer Simulation of the Destruction of the Organic Lanthanide Complexes under Ionizing Radiation // Russian Journal of Coordination Chemistry. 2019. V. 45. Iss. 6. P. 420–426
• Balashova T.V., Obolensky S.V., Trufanov A.N., Ivin M.N., Ilichev V.A., Kukinov A.A., Baranov E.V., Fukin G.K., Bochkarev M.N.. Impact of n,γ-irradiation on organic complexes of rare earth metals // Scientific Reports . 2019. V. 9. Iss. 1. P. 13314
• Kabalnov Yu.A., Trufanov A.N., Obolensky S.V.. Investigation into the Radiation Hardness of Photodiodes Based on Silicon-on-Sapphire Structures // Semiconductors. 2019. V. 53. Iss. 3. P. 368–374
• Puzanov A.S., Venediktov M.M., Obolenskiy S.V., Kozlov V.A.. Computational and Experimental Simulation of Static Memory Cells of Submicron Microcircuits under the Effect of Neutron Fluxes // Semiconductors. 2019. V. 53. Iss. 9. P. 1222–1228
• Umnyagin G.M., Degtyarov V.E., Obolenskiy S.V.. Numerical Simulation of the Current–Voltage Characteristics of Bilayer Resistive Memory Based on Non-Stoichiometric Metal Oxides // Semiconductors. 2019. V. 53. Iss. 9. P. 1246–1248
• Zabavichev I.Yu., Potehin A.A., Puzanov A.S., Obolenskiy S.V., Kozlov V.A.. Simulation of the Formation of a Cascade of Displacements and Transient Ionization Processes in Silicon Semiconductor Structures under Neutron Exposure // Semiconductors. 2019. V. 53. Iss. 9. P. 1249–1254
• Урядов В.П., Выборнов Ф.И., Першин А.В. Особенности распространения коротковолновых сигналов на трассах наклонного зондирования во время солнечной и магнитной активности в сентябре 2017 года // Известия высших учебных заведений. Радиофизика. 2019. Т. 62. № 2. С. 95-109
• Bubukin I. T., Rakut I. V., Agafonov M. I., Pankratov A. L., Troitskii A. V., Lapchenko V. A., Gorbunov R. V., Zinchenko I. I., Nosov V. I., Vdovin V. F. Analysis of the Results of Astroclimate Research at theTheoretical Physics. Theoretical Physics. © Pleiades Publishing, Inc., (WoS, Scopus), I/F= 1.119. Russian Text © The Author(s), 2019, published in Zhurnal Eksperimental’noi i Teoreticheskoi Fiziki, 2019, Vol. 156, No. 1, pp. 43–55. 2019. V. 129, No. 1, pp. 35–45. 2019. Iss 1063-7761.
• Bubukin I. T., Rakut I. V., Agafonov M. I., Pankratov A. L., Troitskii A. V., Lapchenko V. A., Gorbunov R. V., Zinchenko I. I., Nosov V. I., Vdovin V. F . Astroclimate Research at the Kara-Dag Radioastronomical Station in Crimea and the Possibilities for Reducing the Influence of the Atmosphere on Millimeter-Band Radioastronomical Observations // Journal of Experimental and Theoretical Physics. 2019. V. 129, No. 1, pp. 35–45.
• Урядов В. П., Выборнов Ф.И., Першин А.В. Особенности распространения коротковолновых сигналов на трассах наклонного зондирования во время солнечной и магнитной активности в сентябре 2017 года // Изв. Вузов. Радиофизика.. 2019, т.62, №2, с.95-109.
• V.Tolmacheva, N.V.Bakhmetieva, G.I. Grigoriev, M.N. Egerev. Turbopause Range Measured by the Method of the Artificial Periodic Irregularities // Advances in Space Research. Vol. 64, Issue 10, Pages 1968-1974 .https://doi.org/10.1016/j.asr.2019.05.002
• V.Bakhmetieva, Gennady I. Grigoriev, Ariadna V. Tolmacheva, Ilia N. Zhemyakov. Investigations of Atmospheric Waves in the Earth Lower Ionosphere by means of the Method of the Creation of the Artificial Periodic Irregularities of the Ionospheric Plasma // Atmosphere. Special Issue «Atmospheric Acoustic-Gravity Waves»https://doi.org/10.3390/atmos10080450 — 06 Aug 2019. 2019, 10(8), 450;
• Бахметьева Н.В., В.Д. Вяхирев, Г.И. Григорьев, М.Н. Егерев, Е.Е. Калинина, А.В. Толмачева, И.Н. Жемяков, Г. Р. Виноградов, К. М. Юсупов. Динамика мезосферы и нижней термосферы по результатам наблюдений на стенде СУРА // Геомагнетизм и аэрономия. 2019. т. 59, № 6.
• Бахметьева Н.В.., А.Ф. Андрианов, В.Д. Вяхирев, Е.Е. Калинина, А.А.Красильников, Ю.Ю. Куликов. Исследование вариаций мезосферного озона при возмущении ионосферы излучением стенда СУРАс одновременной диагностикой ионосферной плазмы // Известия вузов. Радиофизика. 2019. т. 62.№ 5, 366-382
• Н.В. Бахметьева, А.В. Толмачева, Г.И. Григорьев. Способ определения коэффициента амбиполярной диффузии в нижней ионосфере Земли // Патент на изобретение № 2696015 от 30.07.2019.

2018

• Bakhmetieva N. V., Frolov V. L., Vyakhirev V. D., Кalinina E. E., Akchurin A. D., Zykov E. Y. The lower ionosphere response to its disturbances by powerful radio waves // Adv. Space Res., 2018. V. 61, pp. 1919-1930
• V. Streltsov, J.-J. Berthelier, A.A. Chernyshov, V.L. Frolov, F.Honary, M.J. Kosch, R. P. McCoy, E. V. Mishin, M. T. Rietveld. Past, Present and Future of Active Radio Frequency Experiments in Space. // Space Science Review. (2018) 214:118
• Uryadov V.P., Vybornov F.I., Kolchev A.A. et al. Impact of heliogeophysical disturbanced on ionospheric HF channels. // Advances in Space Research. 2018, v. 61, pp.1837-1849
• J. Engebretson, J. L. Posch, D. J. Braun, W. Li, Q. Ma, A. C. Kellerman, C.‐L. Huang,  S. G. Kanekal,  C. A. Kletzing,  J. R. Wygant.  H. E. Spence, D. N. Baker, J. F. Fennell, V. Angelopoulos,  H. J. Singer,  M. R. Lessard, R. B. Horne, T. Raita, K. Shiokawa, R. Rakhmatulin,  E. Dmitriev,  E. Ermakova. EMIC Wave Events During the Four GEM QARBM Challenge Intervals. // J. Geophys. Res., 2018, v. 123, pp.  6394-6423
• V. Bakhmet’eva, G.I. Grigoriev, A.V. Tolmacheva, E.E. Kalinina. Atmospheric Turbulence and Internal Gravity Waves Examined by the Method of Artificial Periodic Irregularities. // Russian Journal of Physical Chemistry B, 2018, Vol. 12, No. 3, pp. 510–521
• G. Lapin, N.V. Bakhmet’eva, G.I. Grigoriev. Instability of Interaction of a Triplet of Internal Gravity Waves under Conditions of a Constant Wind and Nonlinear Desynchronism. // Russian Journal of Physical Chemistry B, 2018, Vol. 12, No. 3, pp. 543–548
• Vertogradov G.G., Uryadov V.P., Chaika E.G., Valov V.A., Vybornov F.I., Pershin A.V., Starodubrovsky A.S. Single-station location of radio emission sources in the decameter wavelength range using a wide-aperture direction finder and a chirp ionosonde-radio direction finder. // Radiophysics and Quantum Electronics, Vol. 60, No. 12, May, 2018
• D. Tereshchenko, V.A. Turyansky, B.Z. Khudukon, R.Yu. Yurik, and V.L. Frolov. On spatial structuring of the F2 layer studied by the satellite radio sounding of the ionosphere disturbed by high-power HF radio waves. // Radiophysics and Quantum Electronics, 2018. Vol. 60, No. 8, pp. 609-617
• L. Frolov, V.O. Rapoport, E.A. Shorokhova, M. Parrot, J.L. Rauch. The Results of Measurements of Characteristics of Artificial Electromagnetic and Plasma Perturbations in the Outer Ionosphere of the Earth Using the DEMETER Satellite. // Moscow University Physics Bulletin, 2018. Vol. 73, No. 1, pp. 17–40
• Бахметьева Н. В., Григорьев Г. И., Толмачева А. В., Калинина Е. В. Атмосферная турбулентность и внутренние гравитационные волны – результаты экспериментальных исследований методом создания искусственных периодических неоднородностей // Химическая физика, 2018. Т. 37, № 5, с. 19-30
• Лапин В. Г., Бахметьева Н. В., Григорьев Г. И. Неустойчивость взаимодействия триплета внутренних гравитационных волн при наличии ветра и стационарное решение, обусловленное нелинейным рассинхронизмом // Химическая физика. 2018. Т. 37, № 5, с. 56-62
• Д.С. Котик, Ф.И. Выборнов, А.В. Рябов, А.В.Першин, В.А. Яшнов. Обнаружение наземными методами турбулентности, генерируемой во внешней ионосфере излучением мощного сверхдлинноволнового передатчика. // 2018, Известия вузов. Радиофизика, том 61, № 6, с. 456-461
• Вертоградов Г.Г., Урядов В.П., Выборнов  Ф.И., Першин А.В. Моделирование распространения декаметровых радиоволн в условиях волновых возмущений // Изв. Вузов. Радиофизика 2018, т.61, №6, с. 462-473
• В.Л. Фролов, Р.Ю. Лукьянова, А.С. Белов, И.А. Болотин, М.Н. Добровольский, А.О. Рябов, Е.А. Шорохова. Характеристики плазменных возмущений, возбуждаемых на высотах 450 – 500 км при работе стенда СУРА. // Изв. вузов. Радиофизика, 2018. Т. 45, № 5, с. 359-373
• А.О. Рябов, В.В. Назаров. Лабораторное исследование возбуждения и распространения мод Бернштейна. // Инновации и инвестиции, 2018. № 7. С. 160 – 164
• А.О. Рябов. Определение ионного состава внешней ионосферы на основе характеристик КНЧ-СНЧ волн, регистрируемых во время работы стенда СУРА. // Физика плазмы, 2018. Т. 44. № 11. С. 916-921

2017

• Фролов В.Л. Искусственная турбулентность среднеширотной ионосферы. Монография, изд. ННГУ, 2017
• James H. G., Frolov V. L., Andreeva E. S., Padokhin A. M., Siefring C. L. Sura heating facility transmissions to the CASSIOPE/e-POP satellite // Radio Sci., 2017. V. 52, pp. 259-270
• Pasmanik D. L., Demekhov A. G. Peculiarities of VLF wave propagation in the Earth’s magnetosphere in the presence of artificial large scale inhomogeneity // J. Geophys. Res. Space Physics, 2017. V. 122, pp. 8124-8135
• Бахметьева Н. В., Бубукина В. Н., Вяхирев В. Д., Григорьев Г. И., Толмачева А. В., Калинина Е. В. Вертикальные скорости и температура нейтральной компоненты в верхней атмосфере // Химическая физика, 2017. Т. 36, № 12, с. 44-50
• Бахметьева Н. В., Григорьев Г. И., Толмачева А. В., Калинина Е. Е., Егерев М. Н. Внутренние гравитационные волны в нижней термосфере с линейным профилем температуры: теория и эксперимент // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 2017, Т. 60, № 2, с. 113-123
• Бахметьева Н. В., Вяхирев В. Д., Калинина Е. Е., Комраков Г. П. Нижняя ионосфера земли во время частных солнечных затмений по наблюдениям вблизи Нижнего Новгорода // Геомагнетизм и аэрономия, 2017. Т. 57, № 1, с. 64-78
• Клименко В. В., Грач С. М., Сергеев Е. Н., Шиндин А. В. Характеристики искусственного свечения ионосферы при омическом нагреве и при ускорении электронов плазменной турбулентностью, инициированными мощным радиоизлучением стенда «Сура» // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 2017, Т. 60, № 6, с. 481-501
• Когогин Д. А., Насыров И. А., Грач С. М., Шиндин А. В., Загретдинов Р. В. Динамика крупномасштабных ионосферных неоднородностей, стимулированных мощным коротковолновым излучением стенда “Сура”, по данным измерений на сети наземных станций глобальных навигационных спутниковых систем //Геомагнетизм и аэрономия, 2017. Т. 57, № 1, с. 100-115
• Сергеев Е. Н., Грач С. М. Исследование динамики плазменной турбулентности по измерениям диагностического искусственного радиоизлучения ионосферы. II. Результаты численного моделирования // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 2017. Т. 60, № 2, с. 97-112
• Терещенко Е. Д., Турянский В. А., Худукон Б. З., Юрик Р. Ю., Фролов В.Л. О пространственной структуризации F2-слоя по данным спутникового радиопросвечивания ионосферы, возмущенной мощным КВ-радиоизлучением. // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 2017, Т. 60, № 8, с. 680-691
• Фролов В. Л., Болотин И. А., Вертоградов Г. Г., Вертоградов В. Г. Генерация сверхмелкомасштабных искусственных ионосферных неоднородностей при модификации ионосферы мощными КВ радиоволнами. // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 2017. Т. 60, № 6, с. 502-508
• Шиндин А. В., Клименко В. В., Когогин Д. А., Белецкий А. Б., Грач С. М., Насыров И. А., Сергеев Е. Н. Пространственные характеристики области генерации искусственного свечения ионосферы в линии 630 нм при воздействии радиоизлучением стенда «Сура» // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 2017. Т. 60, № 11, с. 949-966

2016

• Andreeva E. S., Frolov V. L., Kunitsyn V. E., Kryukovskii A. S., Lukin D. S., Nazarenko M. O., Padokhin A. M. Radiotomography and HF-raytracing of the artificially disturbed ionosphere above the Sura heating facility // Radio Sci. 2016. V. 51, pp. 638–644
• Bakhmetieva N. V., Grach S. M., Sergeev E. N., Shindin A. V., Milikh G. M., Siefring C. L., Bernhardt P. A., McCarrick M. Artificial periodic irregularities in the high latitude ionosphere excited by the HAARP facility // Radio Sci. 2016. V. 51, pp. 999-1009
• Bareev D. D., Gavrilenko V. G., Grach S. M., Sergeev E. N. Estimation of HF artificial ionospheric turbulence characteristics using comparison of calculated plasma wave decay rates with the measured decay rates of the stimulated electromagnetic emission // Adv. Space Res., 2016. V. 57, pp. 802-812
• Nasyrov I. A., Kogogin D. A., Shindin A. V., Grach S. M., Zagretdinov R. V. The measurement of the ionospheric total content variations caused by a powerful radio emission of «Sura» facility on a network of GNSS-receivers // Adv. Space Res., 2016. V. 57, pp. 1015-1020
• Mishin E., Pedersen T., Watkins B., Lehtinen N., Eliasson B., Grach S. Artificial ionospheric layers driven by high-frequency radiowaves: An assessment // J. Geophys. Res. Space Physics, 2016. V. 121, pp. 3497-3524
• Zhang X., Frolov V., Zhou C., Zhao S., Ruzhin Y., Shen X., Zeren Z., Liu J. Plasma perturbations HF- induced in the topside ionosphere // J. Geophys. Res. Space Physics, 2016. V. 121, pp. 10,052-10,063
• Бахметьева Н. В., Бубукина В. Н., Вяхирев В. Д., Калинина Е. Е., Комраков Г. П. Реакция нижней ионосферы на частные солнечные затмения 1 августа 2008 г. и 20 марта 2015 г. по наблюдениям рассеяния радиоволн естественными и искусственными неоднородностями ионосферной плазмы // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 2016. Т. 59, № 10, с. 873-886
• Болдырев М. С., Наумов Н. Д., Никольский В. А., Урядов В. П. Модель рассеяния коротких радиоволн искусственными ионосферными неоднородностями //Успехи прикладной физики, 2016. Т. 4, № 1, с. 41-45
• Болотин И. А., Фролов В. Л., Вертоградов Г. Г., Вертоградов В. Г. Влияние эффекта магнитного зенита на генерацию сверхмелкомасштабных искусственных ионосферных неоднородностей // Изв. ВУЗов. Физика, 2016. Т. 59, № 12-3, с. 15-18
• Болотин И. А., Фролов В. Л., Акчурин А. Д., Зыков Е. Ю. Об особенностях генерации искусственных ионосферных неоднородностей с поперечными масштабами 50-200 м // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 2016. Т. 59, № 12, с. 1087-1097
• Вертоградов Г. Г., Вертоградова Е. Г., Урядов В. П. Исследование пространственной структуры искусственной ионосферной турбулентности с помощью техники наклонного зондирования // Физические основы приборостроения, 2016. Т. 5, № 5, с. 20-31
• Грач С. М., Сергеев Е. Н. , Мишин Е. В., Шиндин А. В. Динамические характеристики плазменной турбулентности ионосферы, инициированной воздействием мощного коротковолнового излучения // УФН, 2016. Т. 186, № 11, с. 1189-1228
• Зыков Е. Ю., Фролов В. Л. Результаты зондирования возмущенной области ионосферы над стендом «Сура» при использовании казанского цифрового ионозонда // Изв. ВУЗов. Физика, 2016. Т. 59, № 12-3, с. 33-36
• Когогин Д. А., Шиндин А. В., Насыров И. А., Грач С. М. Динамика крупномасштабных ионосферных неоднородностей, стимулированных мощным радиоизлучением, по совместному анализу вариаций полного электронного содержания и искусственного оптического свечения // Изв. ВУЗов. Физика, 2016. Т. 59, № 12-3, с. 3-6
• Сергеев Е. Н., Грач С. М., Фролов В. Л., Шиндин А. В. Диагностика генерации, релаксации и переноса искусственных плазменных возмущений с помощью коротких импульсов мощной радиоволны // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 2016. Т. 59, № 11, с. 977-990
• Фролов В. Л., Комраков Г. П., Глухов Я. В., Андреева Е. С., Куницын В. Е., Курбатов Г. А. Пространственная структура крупномасштабных возмущений концентрации плазмы, возбуждаемых при модификации F2-области ионосферы мощными короткими радиоволнами // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 2016. Т. 59, № 2, с. 91-98
• Фролов В. Л., Рапопорт В. О., Шорохова Е. А., Белов А. С., Парро М., Рош Ж. Л. Характеристики электромагнитных и плазменных возмущений, индуцируемых на высотах внешней ионосферы земли при модификации F2-области мощным радиоизлучением стенда «Сура» // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 2016. Т. 59, № 3, с. 198-222
• Шерстюков Р. О., Фролов В. Л., Акчурин А. Д. Контроль возмущенности ионосферы над стендом «Сура» с помощью построения двумерных карт вариаций полного электронного содержания // Изв. ВУЗов. Физика, 2016. Т. 59, № 12-3, с. 23-27

2015

• Grach S. M., Sergeev E. N., Mishin E. V., Shindin A. V., McCarrick M. Intermediate downshifted maximum of stimulated electromagnetic emission at high-power HF heating: A new twist on an old problem // J. Geophys. Res. Space Physics, Wiley-Blackwell, 2015. V. 120, pp. 666-674
• Kotik D. S., Ryabov A. V., Ermakova E. N., Pershin A. V. Dependence of characteristics of SURA induced artificial ULF/VLF signals on geomagnetic activity // Earth Moon Planets, 2015. V. 116, pp. 79-88
• Tolmacheva A. V., Bakhmetieva N. V., Grigoriev G. I., Kalinina E. E. The main results of the long-term measurements of the neutral atmosphere parameters by the artificial periodic irregularities techniques // Adv. Space Res., 2015. V. 56, pp. 1185-1193
• Вертоградов Г. Г., Урядов В. П., Вертоградов В. Г., Вертоградова Е. Г., Кубатко С. В. Скорость дрейфа мелкомасштабных искусственных ионосферных неоднородностей по данным многочастотного доплеровского коротковолнового радара. 1. Метод расчета и его аппаратная реализация // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 2015. Т. 58, № 5, с. 339-351
• Вертоградов Г. Г., Урядов В. П., Вертоградов В. Г., Вертоградова Е. Г., Кубатко С. В. Скорость дрейфа мелкомасштабных искусственных ионосферных неоднородностей по данным многочастотного доплеровского коротковолнового радара. 2. Результаты наблюдений и моделирования // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 2015. Т. 58, № 6, с. 423-432
• Толмачева А. В. Результаты измерений частоты соударений ионов с молекулами в нижней термосфере методом резонансного рассеяния радиоволн на искусственных периодических неоднородностях // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 2015. Т. 58, № 4, с. 268-276
• Фролов В. Л. Пространственная структура возмущений плотности плазмы, индуцируемых в ионосфере при ее модификации мощными КВ-радиоволнами: обзор результатов экспериментальных исследований. // Солнечно-земная физика, 2015. Т. 1, № 2, с. 22-45
• Фролов В. Л., Болотин И. А., Комраков Г. П., Глухов Я. В., Андреева Е. С., Куницын В. Е., Курбатов Г. А. GPS-диагностика крупномасштабных возмущений плотности плазмы, возбуждаемых во внешней ионосфере Земли при модификации F2-области ионосферы мощными КВ радиоволнами // Гелиогеофизические исследования, 2015. № 13, с. 49-61
• Фролов В. Л., Рапопорт В. О., Шорохова Е. А., Айдакина Н. А. , Гущин М. Е., Зудин И. Ю., Коробков С. В., Костров А. В., Парро М., Рош Ж.-Л. Тонкая структура дактов плотности, формируемых при активном радиочастотном воздействии на лабораторную и космическую плазмы // Письма в ЖЭТФ, 2015. Т. 101, № 5, с. 342-346
• Фролов В. Л., Шорохова Е. А., Куницын В. Е., Андреева Е. С., Падохин А. М. Особенности возбуждения крупномасштабных неоднородностей концентрации плазмы при модификации области F2 ионосферы мощными короткими радиоволнами // Изв. вузов Радиофизика, 2015. Т. 53, № 10, с. 797-810
• Черногор Л. Ф., Панасенко С. В., Фролов В. Л., Домнин И. Ф. Наблюдения волновых возмущений в ионосфере на харьковском радаре некогерентного рассеяния при воздействии на околоземную плазму мощным радиоизлучением // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 2015. Т. 53, № 2, с. 85-99

2014

• Бахметьева Н. В., Григорьев Г. И., Лапин В. Г. О влиянии вихревых движений в мезосфере и нижней термосфере на эволюцию сигнала, рассеянного искусственными периодическими неоднородностями // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 2014. Т. 57, № 5, с. 400-412
• Сергеев Е. Н., Грач С. М. Пространственно-временная динамика искусственной плазменной турбулентности по измерениям характеристик диагностического искусственного радиоизлучения ионосферы. Часть I. Результаты эксперимента // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 2014. Т. 57, № 2, с. 89-109
• Токарев Ю. В. Мелкомасштабная турбулентность магнитослоя Земли // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 2014. Т. 57, № 3, с. 179-193
• Фролов В. Л., Болотин И. А., Комраков Г. П., Першин А. В., Вертоградов Г. Г., Вертоградов В. Г., Вертоградова Е. Г., Куницын В. Е., Падохин А. М., Курбатов Г. А., Акчурин А. Д., Зыков Е. Ю. Генерация искусственных ионосферных неоднородностей при воздействии на среднеширотную ионосферу Земли мощными короткими радиоволнами с необыкновенной поляризацией // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 2014. Т. 57, № 6, с. 437-463
• Черногор Л. Ф., Фролов В. Л., Барабаш В. В. Апериодические крупномасштабные возмущения в нижней ионосфере // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 2014. Т. 57, № 2, с. 110-128
• Черногор Л. Ф., Фролов В. Л. Вариации уровня и спектра геомагнитных пульсаций, сопровождающие воздействие на ионосферу мощным радиоизлучением стенда «Сура» // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 2014. Т. 57, № 5, с. 378-399
• Шиндин А. В., Грач С. М., Клименко В. В., Насыров И. А., Сергеев Е. Н., Белецкий А. Б., Тащилин М. А., Гумеров Р. И. Оптическое свечение на длинах волн 630 и 557,7 нм при КВ воздействии на ионосферу излучением стенда «Сура» в области 4-й гармоники электронного гирорезонанса // Изв. Вузов. Радиофизика, 2014. Т. 57, № 11, с. 849-864

2013

• Bakhmetieva N. V., Grigoriev G. I., Tolmacheva A. V. Perspective ground-based method for diagnostics of the lower ionosphere and neutral atmosphere // Baltic Astronomy, 2013. V. 22, no. 1, pp.15-24
• Sergeev E., Grach S., Shindin A., Mishin E., Bernhardt P., Briczinski S., Isham B., Broughton M., LaBelle J., and Watkins B. Artificial ionospheric layers during frequency stepping near the 4th gyroharmonic // Phys. Rev. Lett., 2013. V. 110, 065002
• Snegirev S. D., Bakhmetieva N. V., Dugin N. A., Karashtin A. N., Uryadov V. P. Radio astronomical and radio physical studies in the near earth space in the Radiophysical Research Institute // Baltic Astronomy, 2013. V. 22, no. 1, pp. 43-51
• Vybornov F. I., Rakhlin A. V. The multifractal structure of small-scale artificial ionospheric turbulence // Baltic Astronomy, 2013. V. 22, no. 1, pp. 67-73
• Вертоградов Г. Г., Урядов В. П., Вертоградов В. Г., Вертоградова Е. Г., Кубатко С. В. Ионозонд-радиопеленгатор с линейной частотной модуляцией сигнала — новый инструмент для исследований ионосферы и распространения радиоволн // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 2013. Т. 56, № 5, с. 287-306
• Григорьев Г. И., Бахметьева Н. В., Толмачева А. В., Калинина Е. Е. Время релаксации искусственных периодических неоднородностей ионосферной плазмы и диффузия в неоднородной атмосфере // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 2013. Т. 56, № 4, с. 207-218
• Котик Д. С., Рябов А. В., Ермакова Е. Н., Першин А. В., Иванов В. Н., Есин В. П. Свойства УНЧ/ОНЧ сигналов, генерируемых стендом СУРА в верхней ионосфере // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 2013. Т. 56, № 6, с. 382-394
• Куликов Ю. Ю., Фролов В. Л. Влияние искусственно возмущенной ионосферы на мезосферный озон // Химическая физика, 2013. Т. 32, № 11, с. 26-30
• Куликов Ю. Ю., Фролов В. Л., Григорьев Г. И., Демкин В. М., Комраков Г. П., Красильников А. А., Рыскин В. Г. Отклик мезосферного озона на нагрев нижней ионосферы мощным КВ радиоизлучением // Геомагнетизм и аэрономия, 2013. Т. 53. № 1, с. 102-109
• Ружин Ю. Я., Кузнецов В. Д., Пластинин Ю. А., Карабаджак Г. Ф., Фролов В. Л., Парро М.. Авроральная активность, вызванная мощным радиоизлучением стенда «СУРА» // Геомагнетизм и аэрономия, 2013. Т. 53, № 1, с. 1-7
• Толмачева А. В., Григорьев Г. И., Бахметьева Н. В. Вариации параметров верхней атмосферы, полученные методом искусственных периодических неоднородностей плазмы // Химическая физика, 2013. Т. 32, № 9, с. 89-96
• Фролов В. Л., Митяков Н. А., Шорохова Е. А., Парро М. Структура электрического поля мощной короткой радиоволны во внешней ионосфере Земли // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 2013. Т. 51, № 6, с. 361-381
• Черногор Л. Ф., Фролов В. Л. Особенности распространения акустико-гравитационных волн, генерируемых мощным периодическим радиоизлучением // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 2013. Т. 51, № 4, с. 219-239
• Черногор Л. Ф., Фролов В. Л. Особенности волновых возмущений в ионосфере при периодическом нагреве плазмы радиоизлучением стенда «СУРА» // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 2013. Т. 51, № 5, с. 307-321

2012

• Kunitsyn V. E., Andreeva E. S., Frolov V. L., Komrakov G. P., Nazarenko M. O., Padokhin A. M. Sounding of HF heating-induced artificial ionospheric disturbances by navigation satellite radio transmissions // Radio Sci., 2012. V. 47, RS0L15
• Shindin A. V., Sergeev E. N., Grach S. M. Applications of broadband radio signals for diagnostics of electron density profile dynamics and spatial plasma motion in the HF-pumped ionosphere // Radio Sci. , 2012. V. 47, RS0N04
• Бахметьева Н. В., Фролов В. Л., Вяхирев В. Д., Калинина Е. Е., Болотин И. А., Акчурин А. Д., Зыков Е. Ю. О формировании искусственных плазменных возмущений в нижней ионосфере // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 2012. Т. 55, № 1-2, с. 106-121
• Болотин И. А., Фролов В. Л., Акчурин А. Д., Зыков Е. Ю., Юсупов К. М., Диагностика искусственных ионосферных неоднородностей с использованием коротких радиотрасс зондирования // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 2012. Т. 55, № 1-2, с. 66-78
• Вертоградов Г. Г., Вертоградова Е. Г., Урядов В. П., Вертоградов В. Г., Комраков Г. П., Крашенинников И. В., Черкашин Ю. Н., Валов В. А., Бредихин Д. В., Макаров А. В. Кластерная структура искусственной ионосферной турбулентности по данным радарных измерений с помощью ионозонда-радиопеленгатора // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 2012. Т. 55, № 1-2, с. 1-13
• Вертоградов Г. Г., Урядов В. П., Вертоградов В. Г., Вертоградова Е. Г., Кубатко С. В., Черкашин Ю. Н., Валов В. А. ЛЧМ ионозонд-радиопеленгатор и его применение в ионосферных исследованиях // Физические основы приборостроения, 2012. Т. 1, № 4, с. 24-43
• Грач С. М., Клименко В. В., Шиндин А. В., Насыров И. А., Сергеев Е. Н., Яшнов В. А., Погорелко Н. А. Оптическое свечение при воздействии на ионосферу радиоизлучением стенда СУРА: результаты экспериментов 2010 года // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 2012. Т. 55, № 1-2, с. 37-56
• Грач С. М., Погорелко Н. А., Яшнов В. А. Расчет амплитудных и поляризационных характеристик радиоволн декаметрового диапазона для условий воздействия на ионосферу мощным радиоизлучением // Вестник ННГУ им. Н. И. Лобачевского, Радиофизика, 2012. № 6, ч. 1, с. 43-50
• Домнин И. Ф., Панасенко С. В., Урядов В. П., Черногор Л. Ф. Результаты радиофизических исследований волновых процессов в ионосферной плазме в период ее нагрева мощным радиоизлучением стенда СУРА // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 2012. Т. 55, № 4, с. 280-293
• Куликов Ю.Ю., Григорьев Г.И., Красильников А.А., Фролов В.Л. Вариации микроволнового излучения мезосферы при нагреве ионосферы мощными короткими радиоволнами // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 2012. Т. 55, № 1-2, с. 57-65
• Ружин Ю. Я., Кузнецов В. Д., Ковалев В. И., Карабаджак Г. Ф., Пластинин Ю. А., Фролов В. Л., Комраков Г. П., Парро М. О иозможности локализация суббури нагревным стендом «Сура» // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 2012. Т. 55, № 1-2, с. 94-105
• Рябов А. В., Котик Д. С. Генерация УНЧ-пульсаций в ионосфере при воздействии на нее мощным КВ-радиоизлучением // Вестник ННГУ им. Н. И. Лобачевского, Радиофизика, 2012. № 3, ч. 1, с. 65-70
• Сергеев Е. Н., Зыков Е. Ю., Акчурин А. Д., Насыров И. А., Вертоградов Г. Г., Вертоградов В. Г., Ким В. Ю., Полиматиди В. П., Грач С. М. Результаты комплексных исследований возмущенной области ионосферы с помощью КВ-локации в широкой полосе частот и искусственного радиоизлучения ионосферы // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 2012. Т. 55, № 1-2, с. 79-93
• Фролов В. Л. Об особенностях воздействия мощными радиоволнами с Х-поляризацией на ионосферу земли и наблюдаемых при этом эффектах // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 2012. Т. 55, № 1-2, с. 122-139
• Фролов В. Л., Болотин И. А., Комраков Г. П., Вертоградов Г. Г., Вертоградов В. Г., Вертоградова Е. Г., Акчурин А. Д., Бочкарев В. В., Дрешер А. М., Зыков Е. Ю., Латыпов Р. Р., Петрова И. Р., Юсупов К. М., Куницын В. Е., Падохин А. М., Курбатов Г. А. Гирогармонические свойства генерации искусственных ионосферных неоднородностей // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 2012. Т. 55, № 6, с. 393-420
• Черногор Л. Ф., Домнин И. Ф., Панасенко С. В., Урядов В. П. Апериодические крупномасштабные возмущения в Е-области ионосферы, стимулированные мощным радиоизлучением // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 2012. Т. 55, № 3, с. 173-185
• Черногор Л. Ф., Фролов В. Л. Перемещающиеся ионосферные возмущения, генерируемые периодическим нагревом плазмы мощным высокочастотным радиоизлучением // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 2012. Т. 55, № 1-2, с. 14-36
• Черногор Л. Ф., Фролов В. Л., Пушин В. Ф. Колебания инфразвукового диапазона в ионосфере при воздействии на нее мощным радиоизлучением // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 2012. Т. 55, № 5, с. 327-340
• Шиндин А. В., Грач С. М., Сергеев Е. Н., Рябов А. В. Пространственная корреляция крупномасштабных неоднородностей плотности (по данным анализа GPS-cигналов)и искусственного оптического свечения в линии 630 нм в ионосфере, возмущенной мощной радиоволной // Вестник ННГУ им. Н. И. Лобачевского, Радиофизика, 2012. № 4, ч. 1, с. 105-113

2011

• Kunitsyn V. E., Padokhin A. M., Vasiliev A. E., Kurbatov G. A., Frolov V. L., Komrakov G. P.. Study of GNSS-measured Ionospheric Total Electron Content variations generated by powerful HF heating // Adv. Space Res., 2011. V. 47, no. 10, pp. 1743-1749
• Бареев Д. Д., Гавриленко В. Г., Грач С. М., Сергеев Е. Н. Определение характеристик высокочастотной искусственной ионосферной турбулентности путем сравнения рассчитанных и измеренных декрементов затухания плазменных волн // Вестник ННГУ им. Н. И. Лобачевского, Радиофизика, 2011. № 5, ч. 3, с. 160-167
• Благовещенская Н. Ф., Борисова Т. Д., Корниенко В. А., Ритвелд М. Т., Йоман Т. К., Райт Д. М., Розер М., Люр Х., Мишин Е. В., Рос С., Фролов В. Л., Паро М., Рош Ж.-Л.. Эффекты модификации высокоширотной ионосферы, мощным коротковолновым радиоизлучением. 2. Результаты координированных спутниковых и наземных наблюдений // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 2011. Т. 54, № 2, с. 97-112
• Выборнов Ф. И., Алимов В. А., Рахлин А. В. Фазовый метод исследования фрактальной структуры турбулентности ионосферной плазмы // Современные проблемы дистанционного зондирования Земли из космоса, 2011. Т. 8, № 1, с. 295-302
• Выборнов Ф. И., Алимов В. А., Рахлин А. В. Исследование эффекта магнитного зенита методом радиопросвечивания ионосферы сигналами искусственных спутников Земли на частоте 400 МГц // Современные проблемы дистанционного зондирования Земли из космоса, 2011. Т. 8, № 4, с. 94-99
• Рябов А. В., Грач С. М., Шиндин А. В., Котик Д. С. Исследование характеристик крупномасштабных неоднородностей ионосферы, вызванных воздействием на нее мощного коротковолнового радиоизлучения, с помощью сигналов GPS // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 2011. Т. 54, № 7, с. 607-623
• Толмачева А. В., Бахметьева Н. В., Вяхирев В. Д., Бубукина В. Н., Калинина Е. Е. Высотно-временные вариации электронной концентрации в E-слое ионосферы // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 2011. Т. 54, № 6, с. 403-414
• Черногор Л. Ф., Фролов В. Л., Комраков Г. П., Пушин В. Ф. Вариации спектра ионосферных волновых возмущений при периодическом нагреве плазмы мощным высокочастотным радиоизлучением // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 2011. Т. 54, № 2, с. 81-96

2010

• Rapoport V. O., Frolov V. L., Polyakov S. V., Komrakov G. P., Ryzhov N. A., Markov G. A., Belov A. S., Parrot M., and Rauch J.-L. VLF electromagnetic field structures in ionosphere disturbed by Sura RF heating facility // J. Geophys. Res., V. 115, A10322
  Бахметьева Н. В., Беликович В. В., Егерев М. Н., Толмачева А. В. Искусственные периодические неоднородности, волновые явления в нижней ионосфере и спорадический слой Е // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 2010. Т. 53, № 2, с. 77-90
• Бахметьева Н. В., Беликович В. В., Вяхирев В. В., Фролов В. Л., Калинина Е. Е. Обратное рассеяние радиоволн искусственными неоднородностями ионосферной плазмы на высотах 120 — 180 км // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 2010. Т. 53, № 5-6, с. 338-355
• Вертоградов Г. Г., Урядов В. П., Вертоградов В. Г., Вертоградова Е. Г., Плохотнюк Е. Ф., Кубатко С. В., Хайдэу Ю. М., Понятов А. А., Шумаев В. В., Черкашин Ю. Н., Валов В. А., Бредихин Д. В., Макаров А. В. Диагностика искусственно-возмущенной ионосферы с помощью современной техники зондирования // Электромагнитные волны и электронные системы, 2010. Т. 15. № 5, с. 22-29
• Вертоградов Г. Г., Урядов В. П., Вертоградова Е. Г., Понятов А. А. Сверхдальнее зондирование ионосферного канала с помощью ионозонда/пеленгатора с линейной частотной модуляцией сигнала // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 2010. Т. 53, № 3, с.176-187
• Марков Г. А., Белов А. С., Фролов В. Л., Рапопорт В. О., Парро М. Возбуждение магнитосферного мазера воздействием на ионосферу Земли мощным коротковолновым радиоизлучением наземного передатчика // ЖЭТФ, 2010. Т. 198, № 6(12), с. 1037-1042
• Митяков Н. А., Алимов В. А., Зиничев В. А., Комраков Г. П., Митяков С. Н. Исследование мелкомасштабной турбулентности в слое F ионосферы методом обратного рассеяния коротких радиоволн // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 2010. Т. 53, № 5-6, с. 329–337
• Митяков С. Н., Катаева Л. Ю., Беляев И. В., Петрухин Р. А., Катаева Н. А. Система централизованной обработки эксперментальных данных исследования естественных и искусственных возмущений ионосферы // Естественные и технические науки, 2010. № 6, с. 10-17
• Фролов В. Л., Комраков Г. П., Куницын В. Е., Падохин А. М., Васильев А. В., Курбатов Г. А. Зондирование возмущенной излучением нагревного стенда Сура ионосферы сигналами навигационных ИСЗ системы GPS // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 2010. Т. 53, № 7, с. 421-444
• Шиндин А. В., Сергеев Е. Н., Грач С. М. Фазовый метод зондирования возмущенной области ионосферы с помощью широкополосных радиосигналов // Вестник ННГУ им. Н. И. Лобачевского, Радиофизика, 2010. № 6, с. 48-55

2009

• Алимов В. А., Выборнов Ф. И., Мясников Е. Н., Рахлин А. В., Фролов В. Л. Эффект магнитного зенита и некоторые особенности мультифрактальной структуры мелкомасштабной искусственной ионосферной турбулентности // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 2009. Т. 52, № 9, с. 679-689
• Гуревич А. В., Караштин А. Н., Рябов В. А., Чубенко А. П., Щепетов А. С.. Нелинейные явления в ионосферной плазме. Влияние космических лучей и пробоя на убегающих электронах на грозовые разряды // УФН, 2009. Т. 179, № 7, с. 779-789
• Зиничев В. А., Комраков Г. П., Митяков Н. А., Рапопорт В. О. Обратное рассеяние в слоях Е и F при вертикальном падении радиоволн на ионосферу // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 2009. Т. 52, № 1, с. 13–17
• Толмачева А. В., Беликович В. В., Калинина Е. Е. Результаты измерений атмосферных параметров с помощью искусственных периодических неоднородностей с разными пространственными масштабами // Геомагнетизм и аэрономия, 2009. Т. 49, № 2, с. 254-261
• Урядов В. П., Вертоградов Г. Г., Вертоградов В. Г., Кубатко С. В., Понятов А. А., Черкашин Ю. Н., Крашенинников И. В., Валов В. А., Комраков Г. П., Макаров А. В., Бредихин Д. В. Зондирование искусственно-возмущенной ионосферы с помощью ионозонда/пеленгатора с линейной частотной модуляцией сигнала // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 2009. Т. 52, № 4, с. 267-278

2008

• Norin L., Grach S. M., Leyser T. B., Thide B., Sergeev E. N., Berlin M. Ionospheric plasma density irregularities measured by stimulated electromagnetic emission // J. Geophys. Res., 2008. V. 113, A09314
• Алимов В. А., Выборнов Ф. И., Рахлин А. В. О фрактальной структуре мелкомасштабных перемещающихся ионосферных возмущений // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 2008. Т. 51, № 1, с. 22-30
• Алимов В. А., Выборнов Ф. И., Рахлин А. В. О фрактальной структуре крупномасштабных неоднородностей электронной концентрации перемещающихся возмущений в средне-широтной ионосфере // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 2008. Т. 51, № 3, с. 191-198
• Алимов В. А., Выборнов Ф. И., Рахлин А. В. О некоторых особенностях фрактальной структуры развитой мелкомасштабной ионосферной турбулентности // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 2008. Т. 51, № 4, с. 287-294
• Алимов В. А., Выборнов Ф. И., Рахлин А. В. Мультифрактальная структура перемежаемости развитой ионосферной турбулентности // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 2008. Т. 51, № 6, с. 485-493
• Алимов В. А., Выборнов Ф. И., Рахлин А. В. К вопросу об истинных значениях показателей спектров мелкомасштабной ионосферной турбулентности // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 2008. Т. 51, № 7, с. 571-574
• Алимов В. А., Выборнов Ф. И., Мясников Е. Н., Рахлин А. В. О фрактальной структуре искусственной ионосферной турбулентности // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 2008. Т. 51, № 11, с. 970-976
• Бахметьева Н. В., Беликович В. В. Результаты исследований спорадического слоя Е методом резонансного рассеяния радиоволн на искусственных периодических неоднородностях ионосферной плазмы // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 2008. Т. 51, № 11, с. 956-969
• Беликович В. В., Бахметьева Н. В., Бубукина В. Н., Вяхирев В. Д., Калинина Е. Е., Комраков Г. П., Толмачева А. В. Результаты определения электронной концентрации в Е-области ионосферы по временам релаксации искусственных периодических неоднородностей с разными масштабами // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 2008. Т 51, № 6, с. 477-485
• Вертоградов Г. Г., Урядов В. П., Вертоградова Е. Г. Расчет оптимальных рабочих частот связной радиолинии по данным наклонного зондирования ионосферы // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 2008. Т. 51, № 1, с. 10-21
• Грач С. М., Сеpгеев Е. Н., Яшнов В. А., Котов П. В. Спектры искусственного радиоизлучения ионосферы при свипировании частоты воздействия в области электронных циклотронных гармоник. II. Обсуждение результатов // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 2008. Т. 51, № 7, с. 553-570
• Котов П. В., Сеpгеев Е. Н., Грач С. М. Спектры искусственного радиоизлучения ионосферы при свипировании частоты воздействия в области электронных циклотронных гармоник. I. Результаты эксперимента // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 2008. Т. 51, № 6, с. 461-476
• Митяков Н. А., Комраков Г. П., Сазонов Ю. А. Использование антенны стенда «СУРА» для повышения эффективной мощности ионозонда // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 2008. Т. 51, № 10, с. 830-836
• Урядов В. П., Вертоградов Г. Г., Понятов А. А., Вертоградов В. Г., Кубатко С. В., Черкашин Ю. Н., Крашенинников И. В., Комраков Г. П., Валов В. А. О структуре и динамике области ионосферы с искусственными мелкомасштабными неоднородностями по данным комплексных измерений характеристик рассеянных радиосигналов // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 2008. Т. 51, № 12, с. 1011-1025
• Фролов В. Л., Вертоградов Г. Г., Вертоградов В. Г. Об особенностях суточных вариаций характеристик диагностического радиоизлучения ионосферы и их связи с эволюцией искусственных ионосферных неоднородностей // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 2008. Т. 51, № 4, с. 273-286
• Фролов В. Л., Недзвецкий Д. И., Урядов В. П., Иванов В. А., Иванов Д. В., Лащевский А. Р., Рябова Н. В. Гирогармонические свойства среднемасштабной искусственной ионосферной турбулентности, проявляющиеся при нагреве F2-области ионосферы мощной радиоволной О-поляризации // Изв. ВУЗов. Радиофизика, 2008. Т. 51, № 5, с. 367-375
• Фролов В. Л., Рапопорт В. О., Комраков Г. П., Белов А. С., Марков Г. А., Парро М., Мишин Е. В. Создание дактов плотности при нагреве ионосферы Земли мощным КВ радиоизлучением // Письма в ЖЭТФ, 2008. Т. 88, № 11-12, с. 908-913

Ps4 блок питания схема

Q001 приобретает почти синусоидальную форму Демпфирующая цепь С005, R002 и D005 защищает транзистор Q001 от перегрузки.
Напряжения вторичных обмоток III и IV трансформатора Т001 выпрямляются диодами с барьером Шоттки D101, D102. Их отличает малое прямое падение напряжения, что улучшает энергетические характеристики источника питания. Резисторы R101, R102 — балластные: они создают нагрузку, необходимую для устойчивого функционирования преобразователя при различных режимах работы приставки. Стабилитрон D103 с напряжением стабилизации 10 В ограничивает возможные при переходных процессах всплески напряжения. Пройдя

сглаживающие фильтры (С101, L101, С103 и С102, L102, С104), выпрямленные напряжения через выключатель SW101 и разъем CN101 поступают на процессорную плату.
После замыкания контактов выключателя SW101 при наличии обоих питающих напряжений загорается зеленый светодиод PD101, включенный в коллекторную цепь транзистора Q101. Он состоит из

ОБЫЧНОГО ТРАНЗИСТОРА И РЕЗИСТИВНОГО ДЕЛИТЕЛЯ В ЦЕПИ БАЗЫ. ВХОД ПОСЛЕДНЕГО МОЖНО СОЕДИНЯТЬ НЕПОСРЕДСТВЕННО С ВЫХОДОМ ЦИФРОВОЙ ТТЛ ИЛИ КМОП МИКРОСХЕМЫ.
ВЫХОДНЫЕ НАПРЯЖЕНИя ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ СТАБИЛИЗИРОВАНЫ. РЕГУЛИРОВАНИЕ ПРОИСХОДИТ С ПОМОЩЬЮ МИКРОСХЕМЫ IС101, НА ВХОД КОТОРОЙ ЧЕРЕЗ ДЕЛИТЕЛЬ ИЗ РЕЗИСТОРОВ R106, R107 ПОСТУПАЕТ НАПРЯЖЕНИЕ, ПРОПОРЦИОНАЛЬНОЕ ВЫХОДНОМУ В ЦЕПИ +3,3 В, А НА ДРУГОЙ ВХОД — ОПОРНОЕ НАПРЯЖЕНИЕ. ВЫХОД IC101 ЧЕРЕЗ РЕЗИСТОРЫ R103, R104 И СВЕТОДИОД ОПТРОНА РС001 ПОДКЛЮЧАЕТСЯ К ЦЕПИ +8 В. ПРИ ПОВЫШЕНИИ ЛЮБОГО ИЗ ВЫХОДНЫХ НАПРЯЖЕНИЙ ТОК ЧЕРЕЗ СВЕТОДИОД УВЕЛИЧИВАЕТСЯ. В РЕЗУЛЬТАТЕ ИЗМЕНЯЕТСЯ СОПРОТИВЛЕНИЕ УЧАСТКА КОЛЛЕКТОР-ЭМИТТЕР ФОТОТРАНЗИСТОРА ОПТРОНА В ЦЕПИ ОБРАТНОЙ СВЯЗИ БЛОКИНГ-ГЕНЕРАТОРА.
ЭТОТ ПРОЦЕСС ВЫЗЫВАЕТ ТАКОЕ ИЗМЕНЕНИЕ ЧАСТОТЫ И ДЛИТЕЛЬНОСТИ ГЕНЕРИРУЕМЫХ ИМПУЛЬСОВ, ЧТО ВЫХОДНЫЕ НАПРЯЖЕНИЯ ВОЗВРАЩАЮТСЯ К УСТАНОВИВШИМСЯ ЗНАЧЕНИЯМ. НАПРИМЕР, ПРИ УВЕЛИЧЕНИИ НАГРУЗКИ В 1,5 РАЗА ЧАСТОТА ПРЕОБРАЗОВАНИЯ СНИЖАЕТСЯ СО 160 ДО 120 КГЦ С ОДНОВРЕМЕННЫМ УВЕЛИЧЕНИЕМ ОТНОСИТЕЛЬНОЙ ДЛИТЕЛЬНОСТИ ОТКРЫТОГО СОСТОЯНИЯ ТРАНЗИСТОРА Q001 (ТО ЕСТЬ ВРЕМЕНИ НАКОПЛЕНИЯ ЭНЕРГИИ). ЦЕПИ R010, С008 И R105, С105 ПРИДАЮТ СИСТЕМЕ АВТОМАТИЧЕСКОГО РЕГУЛИРОВАНИЯ НАПРЯЖЕНИЕ ДИНАМИЧЕСКУЮ УСТОЙЧИВОСТЬ. КОЭФФИЦИЕНТ СТАБИЛИЗАЦИИ ДОВОЛЬНО ВЫСОК: НАПРЯЖЕНИЕ В ЦЕПИ +3,3 В ИЗМЕНЯЕТСЯ ВСЕГО НА 0,5% ПРИ УВЕЛИЧЕНИИ ТОКА НАГРУЗКИ С 0,035 ДО 1 А. ДЛЯ НАПРЯЖЕНИЯ +8 В ЭТОТ ПОКАЗАТЕЛЬ ХУЖЕ: 11% ПРИ ИЗМЕНЕНИИ ТОКА НАГРУЗКИ ОТ 0,075 ДО 1 А. ПРИ КОРОТКОМ ЗАМЫКАНИИ ЛЮБОГО ИЗ ВЫХОДОВ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ПЕРЕХОДИТ” В РЕЖИМ СТАБИЛИЗАЦИИ ТОКА. ПОСЛЕ УСТРАНЕНИЯ ЗАМЫКАНИЯ НОРМАЛЬНАЯ РАБОТА ВОССТАНАВЛИВАЕТСЯ АВТОМАТИЧЕСКИ.
КАК УЖЕ ГОВОРИЛОСЬ, ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ФУНКЦИОНИРУЕТ ВСЕ ВРЕМЯ, ПОКА СЕТЕВАЯ ВИЛКА ВСТАВЛЕНА В РОЗЕТКУ, ДАЖЕ ЕСЛИ КОНТАКТЫ ВЫКЛЮЧАТЕЛЯ SW101 «POWER» РАЗОМКНУТЫ. ОТКРЫВАЯ ИГРОВУЮ ПРИСТАВКУ ДЛЯ РЕМОНТА, НЕ ЗАБЫВАЙТЕ О ВЫСОКОМ НАПРЯЖЕНИИ НА ЭТОЙ ПЛАТЕ (ДО 300 В).
НА ПЛАТЕ ПИТАНИЯ НАХОДИТСЯ ТАЙМЕР 1С102, ФОРМИРУЮЩИЙ СИГНАЛ СБРОСА ДЛЯ ПРОЦЕССОРНОЙ ПЛАТЫ. В МОМЕНТ ВКЛЮЧЕНИЯ ПРИСТАВКИ КНОПКОЙ SW101, А ТАКЖЕ ПРИ НАЖАТИИ И ОТПУСКАНИИ КНОПКИ SW102 НА ВЫХОДЕ ТАЙМЕРА ПОЯВЛЯЕТСЯ ИМПУЛЬС НИЗКОГО ЛОГИЧЕСКОГО УРОВНЯ ДЛИТЕЛЬНОСТЬЮ 500 МС. ВРЕМЯЗАДАЮЩИМ ЭЛЕМЕНТОМ ЯВЛЯЕТСЯ КОНДЕНСАТОР С106. ЦЕПЬ D105, R111, R112, D106 ОБЕСПЕЧИВАЕТ ГЕНЕРАЦИЮ СИГНАЛА СБРОСА ПРИ КРАТКОВРЕМЕННОМ УМЕНЬШЕНИИ НАПРЯЖЕНИЯ В ЦЕПИ +8 В. В РЕЗУЛЬТАТЕ ПОСЛЕ ТАК

называемых просадок сетевого напряжения центральный процессор автоматически перезапускается. Напряжение стабилизации D105 составляет 5,1 В.
Транзистор Q101 при необходимости можно заменить обычным маломощным n-p-n транзистором, включив последовательно в его базовую цепь резистор сопротивлением -10 кОм. В качестве IС101 допустимо использовать TLP431CLP, TL1431 (TEXAS INSTRUMENTS), I1A174 (HITACHI), КР142ЕН19. В последнем случае нужно иметь в виду, что встречаются приборы с нестандартным расположением выводов. Оптрон TLP621 (РС001) можно заменить на TLP521 или NEC256.
Для повышения надежности платы питания и уменьшения помех другим электронным приборам, создаваемых ею в момент подключения к сети, в разрыв одного из сетевых проводов (например, последовательно с плавкой вставкой F001) рекомендуется добавить резистор сопротивлением 10-100 Ом и номинальной мощностью не менее 2 Вт.

Приставка не включается
Возможные причины: неисправность источника питания; короткое замыкание пли обрыв цепей питания; неисправность процессорного модуля. Алгоритм поиска неисправности:

1. Проверить выходные напряжения импульсного стабилизатора. В случае их отсутствия убедиться в исправности предохранителя F001. Если предохранитель неисправен, а новый предохранитель при замене сразу перегорает, проверить диодный мост D001 — D004 и транзистор Q001.
2. При выходе напряжений за пределы 7,6-8,2 и 3,2-3,4 В осмотреть выходные цепи блока питания (диоды D101 — D104, конденсаторы С101 — С104 и микросхему IC101).
3. Проверить блоки приставки на отсутствие коротких замыканий. При возникновении замыкания часто происходит обрыв одного из печатных проводников в цепи питания, поэтому следует тщательно осмотреть платы и удостовериться в целостности проводников
4. Если короткого замыкания нет, проверить внутренний стабилизатор игровой приставки. Напряжения на выходе стабилизатора должны быть в пределах 5±0,1 и 8±0,25 В. Если напряжение выходит за указанные границы, в стабилизаторе следует проверить диоды D2, D3 и микросхему IC501.
5. После проверки цепей питания необходимо проверить формирование сигнала RESET. При нажатии на кнопку RESET на контакте разъема CN101/5 должен появиться кратковременный импульс низкого уровня. Наличие на этом контакте постоянного низкого уровня или отсутствие импульса при нажатии кнопки позволяет сделать вывод о неисправности кнопки SW102 или микросхемы IC102.

Приставка работает нестабильно
Возможные причины: неисправность импульсного стабилизатора или внутреннего стабилизатора;

загрязнение контактов разъема для подключения картриджа.
Алгоритм поиска неисп равности:

1. Проверить выходное напряжение импульсного стабилизатора. Сбой возникает из-за малой нагрузочной способности стабилизатора. Часто эта проблема вызвана неисправностью микросхемы IC101.
2. Проверить надежность контактных соединений в разъемах приставки, при необходимости протереть контакты разъемов спиртом.
3. Проверить внутренний стабилизатор игровой приставки. Особое внимание следует обратить на уровень пульсаций выходного напряжения. Они не должны превышать 100 мВ.
4.Возможным способом решения проблемы является установка в цепи питания дополнительных

конденсаторов номиналом 100 мкФ х 16 В и 0,01 мкФ на каждой плате приставки и в картридже.

Не работают некоторые кнопки пульта
Возможные причины: загрязнение пульта или неисправность микросхемы.
Алгоритм поиска неисправности:

1. Протереть спиртом плату пульта и резиновую прокладку с токопроводящими площадками.
2. Если неисправны токопроводящие площадки на резиновой прокладке, то можно восстановить их, наклеив кусочки фольги. Удобнее использовать фольгу от сигаретных пачек: она имеет бумажную основу, что обеспечивает лучшее приклеивание к резине.
3.Токопроводящее покрытие на плате воссоздается с помощью очищенного монтажного провода.

Q001 приобретает почти синусоидальную форму Демпфирующая цепь С005, R002 и D005 защищает транзистор Q001 от перегрузки.
Напряжения вторичных обмоток III и IV трансформатора Т001 выпрямляются диодами с барьером Шоттки D101, D102. Их отличает малое прямое падение напряжения, что улучшает энергетические характеристики источника питания. Резисторы R101, R102 — балластные: они создают нагрузку, необходимую для устойчивого функционирования преобразователя при различных режимах работы приставки. Стабилитрон D103 с напряжением стабилизации 10 В ограничивает возможные при переходных процессах всплески напряжения. Пройдя

сглаживающие фильтры (С101, L101, С103 и С102, L102, С104), выпрямленные напряжения через выключатель SW101 и разъем CN101 поступают на процессорную плату.
После замыкания контактов выключателя SW101 при наличии обоих питающих напряжений загорается зеленый светодиод PD101, включенный в коллекторную цепь транзистора Q101. Он состоит из

ОБЫЧНОГО ТРАНЗИСТОРА И РЕЗИСТИВНОГО ДЕЛИТЕЛЯ В ЦЕПИ БАЗЫ. ВХОД ПОСЛЕДНЕГО МОЖНО СОЕДИНЯТЬ НЕПОСРЕДСТВЕННО С ВЫХОДОМ ЦИФРОВОЙ ТТЛ ИЛИ КМОП МИКРОСХЕМЫ.
ВЫХОДНЫЕ НАПРЯЖЕНИя ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ СТАБИЛИЗИРОВАНЫ. РЕГУЛИРОВАНИЕ ПРОИСХОДИТ С ПОМОЩЬЮ МИКРОСХЕМЫ IС101, НА ВХОД КОТОРОЙ ЧЕРЕЗ ДЕЛИТЕЛЬ ИЗ РЕЗИСТОРОВ R106, R107 ПОСТУПАЕТ НАПРЯЖЕНИЕ, ПРОПОРЦИОНАЛЬНОЕ ВЫХОДНОМУ В ЦЕПИ +3,3 В, А НА ДРУГОЙ ВХОД — ОПОРНОЕ НАПРЯЖЕНИЕ. ВЫХОД IC101 ЧЕРЕЗ РЕЗИСТОРЫ R103, R104 И СВЕТОДИОД ОПТРОНА РС001 ПОДКЛЮЧАЕТСЯ К ЦЕПИ +8 В. ПРИ ПОВЫШЕНИИ ЛЮБОГО ИЗ ВЫХОДНЫХ НАПРЯЖЕНИЙ ТОК ЧЕРЕЗ СВЕТОДИОД УВЕЛИЧИВАЕТСЯ. В РЕЗУЛЬТАТЕ ИЗМЕНЯЕТСЯ СОПРОТИВЛЕНИЕ УЧАСТКА КОЛЛЕКТОР-ЭМИТТЕР ФОТОТРАНЗИСТОРА ОПТРОНА В ЦЕПИ ОБРАТНОЙ СВЯЗИ БЛОКИНГ-ГЕНЕРАТОРА.
ЭТОТ ПРОЦЕСС ВЫЗЫВАЕТ ТАКОЕ ИЗМЕНЕНИЕ ЧАСТОТЫ И ДЛИТЕЛЬНОСТИ ГЕНЕРИРУЕМЫХ ИМПУЛЬСОВ, ЧТО ВЫХОДНЫЕ НАПРЯЖЕНИЯ ВОЗВРАЩАЮТСЯ К УСТАНОВИВШИМСЯ ЗНАЧЕНИЯМ. НАПРИМЕР, ПРИ УВЕЛИЧЕНИИ НАГРУЗКИ В 1,5 РАЗА ЧАСТОТА ПРЕОБРАЗОВАНИЯ СНИЖАЕТСЯ СО 160 ДО 120 КГЦ С ОДНОВРЕМЕННЫМ УВЕЛИЧЕНИЕМ ОТНОСИТЕЛЬНОЙ ДЛИТЕЛЬНОСТИ ОТКРЫТОГО СОСТОЯНИЯ ТРАНЗИСТОРА Q001 (ТО ЕСТЬ ВРЕМЕНИ НАКОПЛЕНИЯ ЭНЕРГИИ). ЦЕПИ R010, С008 И R105, С105 ПРИДАЮТ СИСТЕМЕ АВТОМАТИЧЕСКОГО РЕГУЛИРОВАНИЯ НАПРЯЖЕНИЕ ДИНАМИЧЕСКУЮ УСТОЙЧИВОСТЬ. КОЭФФИЦИЕНТ СТАБИЛИЗАЦИИ ДОВОЛЬНО ВЫСОК: НАПРЯЖЕНИЕ В ЦЕПИ +3,3 В ИЗМЕНЯЕТСЯ ВСЕГО НА 0,5% ПРИ УВЕЛИЧЕНИИ ТОКА НАГРУЗКИ С 0,035 ДО 1 А. ДЛЯ НАПРЯЖЕНИЯ +8 В ЭТОТ ПОКАЗАТЕЛЬ ХУЖЕ: 11% ПРИ ИЗМЕНЕНИИ ТОКА НАГРУЗКИ ОТ 0,075 ДО 1 А. ПРИ КОРОТКОМ ЗАМЫКАНИИ ЛЮБОГО ИЗ ВЫХОДОВ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ПЕРЕХОДИТ” В РЕЖИМ СТАБИЛИЗАЦИИ ТОКА. ПОСЛЕ УСТРАНЕНИЯ ЗАМЫКАНИЯ НОРМАЛЬНАЯ РАБОТА ВОССТАНАВЛИВАЕТСЯ АВТОМАТИЧЕСКИ.
КАК УЖЕ ГОВОРИЛОСЬ, ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ФУНКЦИОНИРУЕТ ВСЕ ВРЕМЯ, ПОКА СЕТЕВАЯ ВИЛКА ВСТАВЛЕНА В РОЗЕТКУ, ДАЖЕ ЕСЛИ КОНТАКТЫ ВЫКЛЮЧАТЕЛЯ SW101 «POWER» РАЗОМКНУТЫ. ОТКРЫВАЯ ИГРОВУЮ ПРИСТАВКУ ДЛЯ РЕМОНТА, НЕ ЗАБЫВАЙТЕ О ВЫСОКОМ НАПРЯЖЕНИИ НА ЭТОЙ ПЛАТЕ (ДО 300 В).
НА ПЛАТЕ ПИТАНИЯ НАХОДИТСЯ ТАЙМЕР 1С102, ФОРМИРУЮЩИЙ СИГНАЛ СБРОСА ДЛЯ ПРОЦЕССОРНОЙ ПЛАТЫ. В МОМЕНТ ВКЛЮЧЕНИЯ ПРИСТАВКИ КНОПКОЙ SW101, А ТАКЖЕ ПРИ НАЖАТИИ И ОТПУСКАНИИ КНОПКИ SW102 НА ВЫХОДЕ ТАЙМЕРА ПОЯВЛЯЕТСЯ ИМПУЛЬС НИЗКОГО ЛОГИЧЕСКОГО УРОВНЯ ДЛИТЕЛЬНОСТЬЮ 500 МС. ВРЕМЯЗАДАЮЩИМ ЭЛЕМЕНТОМ ЯВЛЯЕТСЯ КОНДЕНСАТОР С106. ЦЕПЬ D105, R111, R112, D106 ОБЕСПЕЧИВАЕТ ГЕНЕРАЦИЮ СИГНАЛА СБРОСА ПРИ КРАТКОВРЕМЕННОМ УМЕНЬШЕНИИ НАПРЯЖЕНИЯ В ЦЕПИ +8 В. В РЕЗУЛЬТАТЕ ПОСЛЕ ТАК

называемых просадок сетевого напряжения центральный процессор автоматически перезапускается. Напряжение стабилизации D105 составляет 5,1 В.
Транзистор Q101 при необходимости можно заменить обычным маломощным n-p-n транзистором, включив последовательно в его базовую цепь резистор сопротивлением -10 кОм. В качестве IС101 допустимо использовать TLP431CLP, TL1431 (TEXAS INSTRUMENTS), I1A174 (HITACHI), КР142ЕН19. В последнем случае нужно иметь в виду, что встречаются приборы с нестандартным расположением выводов. Оптрон TLP621 (РС001) можно заменить на TLP521 или NEC256.
Для повышения надежности платы питания и уменьшения помех другим электронным приборам, создаваемых ею в момент подключения к сети, в разрыв одного из сетевых проводов (например, последовательно с плавкой вставкой F001) рекомендуется добавить резистор сопротивлением 10-100 Ом и номинальной мощностью не менее 2 Вт.

Приставка не включается
Возможные причины: неисправность источника питания; короткое замыкание пли обрыв цепей питания; неисправность процессорного модуля. Алгоритм поиска неисправности:

1. Проверить выходные напряжения импульсного стабилизатора. В случае их отсутствия убедиться в исправности предохранителя F001. Если предохранитель неисправен, а новый предохранитель при замене сразу перегорает, проверить диодный мост D001 — D004 и транзистор Q001.
2. При выходе напряжений за пределы 7,6-8,2 и 3,2-3,4 В осмотреть выходные цепи блока питания (диоды D101 — D104, конденсаторы С101 — С104 и микросхему IC101).
3. Проверить блоки приставки на отсутствие коротких замыканий. При возникновении замыкания часто происходит обрыв одного из печатных проводников в цепи питания, поэтому следует тщательно осмотреть платы и удостовериться в целостности проводников
4. Если короткого замыкания нет, проверить внутренний стабилизатор игровой приставки. Напряжения на выходе стабилизатора должны быть в пределах 5±0,1 и 8±0,25 В. Если напряжение выходит за указанные границы, в стабилизаторе следует проверить диоды D2, D3 и микросхему IC501.
5. После проверки цепей питания необходимо проверить формирование сигнала RESET. При нажатии на кнопку RESET на контакте разъема CN101/5 должен появиться кратковременный импульс низкого уровня. Наличие на этом контакте постоянного низкого уровня или отсутствие импульса при нажатии кнопки позволяет сделать вывод о неисправности кнопки SW102 или микросхемы IC102.

Приставка работает нестабильно
Возможные причины: неисправность импульсного стабилизатора или внутреннего стабилизатора;

загрязнение контактов разъема для подключения картриджа.
Алгоритм поиска неисп равности:

1. Проверить выходное напряжение импульсного стабилизатора. Сбой возникает из-за малой нагрузочной способности стабилизатора. Часто эта проблема вызвана неисправностью микросхемы IC101.
2. Проверить надежность контактных соединений в разъемах приставки, при необходимости протереть контакты разъемов спиртом.
3. Проверить внутренний стабилизатор игровой приставки. Особое внимание следует обратить на уровень пульсаций выходного напряжения. Они не должны превышать 100 мВ.
4.Возможным способом решения проблемы является установка в цепи питания дополнительных

конденсаторов номиналом 100 мкФ х 16 В и 0,01 мкФ на каждой плате приставки и в картридже.

Не работают некоторые кнопки пульта
Возможные причины: загрязнение пульта или неисправность микросхемы.
Алгоритм поиска неисправности:

1. Протереть спиртом плату пульта и резиновую прокладку с токопроводящими площадками.
2. Если неисправны токопроводящие площадки на резиновой прокладке, то можно восстановить их, наклеив кусочки фольги. Удобнее использовать фольгу от сигаретных пачек: она имеет бумажную основу, что обеспечивает лучшее приклеивание к резине.
3.Токопроводящее покрытие на плате воссоздается с помощью очищенного монтажного провода.

Дата: 03.12.2017 // 0 Комментариев

Сегодня мы опять отрыли старый блок питания для переделки в зарядку это Compaq PS-5201-4B. Тот, кто захочет использовать этот блок питания в своих радиолюбительских поделках, может столкнуться с неожиданными проблемами, решения которых мы сегодня и продемонстрируем.

Переделка в зарядное устройство блока питания Compaq PS-5201-4B

Помощи по переделки Compaq PS-5201-4B попросил наш постоянный читатель Андрей из Иваново. Этот блок использовался на материнках COMPAQ DeskPro 2000 ATX. Это ни АТ блок питания, ни АТХ, некая переходная версия или серия, черт его знает.

Блок построен на основе ШИМ CS3844N, ключ K1081.

Разъем питания визуально и по размеру подходит к современным материнкам, но распиновка проводов совсем другая и несовместима со стандартными моделями ATX плат. Отдельно присутствует кнопка включения, к которой идут два белых провода.

У тех, кто столкнулся с Compaq PS-5201-4B, всегда возникают проблемы со стартом блока без родной материнской платы. При попытке запустить блок с помощью кнопки он на секунду включается и останавливается. Для решения этого вопроса пришлось нарисовать участок схемы этого блока.

Включение тиристора TYN610 на плате очень интересное. Стоит между шинами +5 В и нулем. Управляющий электрод подключен через стабилитроны к шине +5 В и +3,3 В. Если нагрузка по этим шинам небольшая, напряжение может быть выше пробоя одного из стабилитронов, тиристор открывается и сваливает БП в кроткое замыкание шину +5 В. В итоге срабатывает защита и БП останавливается. При отключении защиты от КЗ тиристор будет сильно нагреваться, так как коротит шину +5 В, т.е. некая защита для старта без материнок или от перенапряжения.

Для нормальной работы блока без родной материнской платы необходимо удалить этот тиристор.

После удаления тиристора для работы блока на холостом ходу ему необходима минимальная нагрузка. Для шины +12 В минимальный ток составляет около 0,2 А, т.е. достаточно подключить на шину резистор мощностью 5-10 Вт и сопротивлением 50-60 Ом.

Для тонкой подстройки выходного напряжения на блоке уже присутствует подстроечный резистор (выделенный зеленой рамкой) с помощью его можно поднять выходное напряжение до 12,7 В.

Кому хочется получить на выходе блока 14 В, необходимо изменить номинал резистора, включенного последовательно с подстроечником (выделенный желтой рамкой). При уменьшении номинала этого резистора с 1,2 кОм до 1 кОм на выходе уже можно получить 15,2 В.

Переделка в зарядное устройство блока питания Compaq PS-5201-4B на этом окончена. Достаточно выставить выходное напряжение на уровне 14,2 В, и можно пользоваться блоком, как зарядкой.

При использовании подобного блока в качестве зарядного устройства, необходимо задуматься об установке защиты от переполюсовки, которая спасет устройство при неверном подключении АКБ.

Технические характеристики транзисторов

C102

Таблицы технических данных транзисторов C102

Темы серии «Божья коровка», книги для детей, английская коллекция arvindgupta. P2n2222a усилитель на транзисторах npn кремниевые особенности это pb. Диоды и транзисторы калифорнийский университет, беркли. Бесплатные книги по транзисторным схемам, электронные книги, онлайн-учебники. Рабочие характеристики основаны на целевых спецификациях, результатах моделирования и / или измерениях прототипа. Semiconductor fta1027, технические данные, ftc1027, транзистор npn b, дополнительные функции для высоковольтных приложений fta1023 e dim мм a 8.Малосигнальный транзистор Sipmos имеет площадь логического уровня в режиме расширения pchannel и расположение выводов, совместимых с корпусами sot23 supersot23, прошедшими лавинную обработку без свинца. C102m datasheet, c102m pdf, c102m data sheet, c102m manual, c102m pdf, c102m, datenblatt, electronics c102m, alldatasheet, free, datasheet, datasheets, data sheet. Эта публикация заменяет всю ранее предоставленную информацию. Кембриджские конденсаторы конденсаторы с103 транзисторный эквивалент с102 по 92. Проверьте наш раздел бесплатных электронных книг и руководств по транзисторным схемам.

Раньше их публиковали как большие толстые книги. Транзисторы To92 в пластиковом капсуле Транзистор s9018 npn имеет максимальные характеристики t a25. Серия Божья коровка, книги для детей, английский язык, добавлено транзисторное радио, дата 20160525 07. В случае обоих устройств мы поговорим о нелинейных моделях, анализе линии нагрузки и приложениях. В некоторых случаях может быть превышен указанный ток коллектора. C102japan nte аналог nte105 транзистор pnp немецкий.При приложении электрического поля электроны движутся в противоположном направлении. C3199 datasheet 50v, 150ma, npn transistor kec, ktc3199 datasheet, c3199 pdf, распиновка c3199, эквивалент, данные, схема, выход, ic, схема c3199. В заключение мы рассмотрим, как транзисторы можно использовать в качестве логических устройств. Полезный динамический диапазон расширяется до 100 мА в качестве переключателя и до 100 МГц в качестве усилителя. В случае транзистора эта таблица максимальных номиналов, вероятно, единственная.

Напряжение на нагрузочном резисторе усилителя r l будет разницей между транзистором источника питания.С 2008 года alldatasheet стал самым популярным и мощным сайтом для поисковых таблиц. Elektronische bauelemente npn транзистор в пластиковом корпусе. Elektronische bauelemente npn залитый пластиком. Конструкция транзисторных схем. Изготовление транзисторной радиоприемной книги «Божья коровка» серии «Божья коровка». Руководство по выбору биполярных силовых транзисторов январь 2003 г. содержание страница продукта транзисторы общего назначения горизонтальное отклонение выходные транзисторы страница продукта dpak d2pak sot223 ipak to126 транзисторы тодарлингтона dpak ipak to126 to220 to220f to3p to3pf переключающие транзисторы dpak d2pak to9222206 to2203.Я получаю даташиты из вашей схемы, определяющей выходной ток. Сбросьте r103 por delay, значение конденсатора внешнего фильтра c101, c102. Теория транзисторов и других полупроводниковых устройств 1. Предлагает линейку составных продуктов, объединяющих два элемента с уменьшенными размерами корпусов, что способствует монтажу корпусов с высокой плотностью. Таблица данных печатается только для справочной информации. Заказы на 4 или более отправления в тот же день или в течение 48 часов. Последние списки производителей в каталоге позволяют мгновенно получить представление о любом электронном компоненте.

Sipmos smallsignaltransistor краткое описание продукта v r id. Многие из них, обычно один или два на атом металла, могут свободно перемещаться по всему металлу. У нас самая широкая линейка биполярных силовых транзисторов в отрасли, а приверженность Motorola к качеству и полному удовлетворению потребностей клиентов идет вместе с ними. C102 japan nte аналог nte105 транзистор pnp немецкий. Клиенты Philips, использующие или продающие эти продукты для использования в таких приложениях, делают это на свой страх и риск и соглашаются полностью возместить Philips любой ущерб, возникший в результате такого неправильного использования или продажи.Mpf102, mpf102 datasheet, mpf102 jfet nchannel transistor datasheet, купить транзистор mpf102. Ckcomponents, alldatasheet, datasheet, сайт поиска технических данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников. Текущая версия программного обеспечения включает данные более 230 различных ИПК. Конечно, вам понадобится техническое описание транзистора, чтобы разработать схему с его использованием. Этот раздел содержит бесплатные электронные книги и руководства по транзисторным схемам, некоторые ресурсы в этом разделе можно просмотреть в Интернете, а некоторые из них можно загрузить.В таблице данных указан максимально допустимый выходной ток, и ваша конструкция должна его ограничивать.

Усилитель общего назначения Npn это устройство разработано как усилитель общего назначения и переключатель. Основы физики полупроводников, диоды, нелинейная модель диода, анализ линии нагрузки, модели диодов с большим сигналом, модель смещенных диодов, транзисторы, модель bjt с большим сигналом, анализ линии нагрузки, модель малых сигналов и усиление транзисторов. После определения характеристик и параметров транзистора это возможно.Работает от основной сети переменного тока 100 В и 200 В, таблица данных c102, схема c102, таблица данных c102. Работает от основной сети переменного тока 100 В и 200 В, таблица данных c105, схема c105, таблица данных c105. Соответствует требованиям RoHS, аттестовано в соответствии с aec q101. Не содержит галогенов в соответствии с IEC612492. Справочник по основам транзисторов Allieds. В технических паспортах содержится информация о продукте, который Macom Technology Solutions рассматривает для разработки.

Toshiba кремниевый транзистор pnp эпитаксиальный процесс pct. Примечания к выбору транзисторной замены электроники.В таблице данных указан максимально допустимый выходной ток, и ваша конструкция должна ограничивать выходной ток до меньшего. Но схема, показанная выше, является симметричной, поэтому может быть включен как правый, так и левый свет. Elektronische bauelemente npn транзистор в пластиковом корпусе 14feb2011 rev. Лучшие результаты Описание производителя модели ecad из 6 частей. 17 апреля 2019 г., если вы не можете искать это здесь, больше нигде в мире. Спецификация jisc7012 для номеров деталей транзисторов начинается с 2s. B типичная характеристика 1 0 0 с 100 125 температура, tc.

C102 техническое описание, перекрестная ссылка, примечания по схемам и применению в формате pdf. Sanken, alldatasheet, datasheet, сайт поиска данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников. C102 pnp техническое описание, перекрестные ссылки, схемы и примечания по применению в формате pdf. A1015 pnp эпитаксиальный кремниевый транзистор элитные предприятия h. Изготовление транзисторного радио-божьей коровки книжный интернет-архив. C102 m транзистор транзистор c102 транзистор c114 c103 транзистор c103 k транзистор c114 схема ha614fh драйвер двигателя Hitachi транзистор c112 текст.Спецификации, упомянутые в этой публикации, могут быть изменены без предварительного уведомления. Диоды и транзисторы pdf 28p В этой заметке рассматриваются следующие темы. Alldatasheet был создан в 2003 году, чтобы помочь инженерам быстро, легко и эффективно находить данные из огромного объема. Бесплатные пакеты доступны максимальные рейтинги рейтинг символ значение единицы коллекционер. Соответствует требованиям RoHS, аттестовано в соответствии с aec q101 Без галогенов в соответствии с максимальными номинальными характеристиками iec61249221 при t j. Если вы не можете найти его здесь, больше нигде в мире.В этом программном обеспечении icdatabook вы найдете назначение контактов, схемы соединений, таблицы функций и наиболее важные технические характеристики, доступные для серий 40x и 74x ic. 14-полюсные поворотные переключатели серии A, таблица данных a102, схема a102, таблица данных a102.

C102 – параметры, поиск аналогов. Электропроводность в металлах Металлы заполнены электронами. Абсолютные максимальные рейтинги t a 25c, если не указано иное. Mosfet обеспечивает низкое сопротивление эксплуатации даже в компактных корпусах.Техническое описание полевого транзистора, pdf-файл полевого транзистора, технический паспорт полевого транзистора, техническое описание, техническое описание, pdf. Бесплатные книги по транзисторным схемам, скачать электронные книги онлайн. Абсолютные максимальные характеристики эпитаксиального кремниевого транзистора Ksc1815 npn ta25c, если не указано иное, электрические характеристики ta25c, если не указано иное, символ классификации hfe, единицы значения параметра, vcbo, напряжение коллекторной базы, 60 В, vceo, напряжение коллекторного передатчика, 50 В, Vebo, напряжение базы эмиттера, 5 В, ток коллектора IC, 150 мА, ib база.Максимальные характеристики бесплатных устройств ta 25c, если не указано иное, характерный символ значения блока коллектора. Устройство и применение схем переключения транзисторов. Toshiba транзистор кремний pnp эпитаксиальный тип pct процесс 2sc1959 звуковая частота маломощный усилитель приложений драйвер каскад усилитель приложений переключение приложений отличная линейность hfe. Fairchild Semiconductor оставляет за собой право вносить изменения в любое время без предварительного уведомления для улучшения конструкции. Эта страница содержит список бесплатных электронных книг, онлайн-учебников и учебных пособий по транзисторным схемам.

Справочники по транзисторам и диодам для инженеров-проектировщиков – полезное дополнение к вашей технической библиотеке. Эпитаксиальный планарный npn-транзистор, техническое описание krc102m, схема krc102m, технические данные krc102m. 22 октября 2010 г., конечно, вам понадобится техническое описание транзистора, чтобы разработать схему с его использованием. Таблица данных масштабируемого буфера памяти Intel c102 c104 9, февраль 2014 г. Введение 1. Краткие характеристики продукции Sipmos smallsignaltransistor v. Таблица данных транзисторов и диодов Texas Instruments, 1-е издание 1973 г., таблицы данных для диодов с 1n251 и транзисторов с 2n117 на acrobat 7 pdf 34.Техническое описание транзистора, транзистор pdf, техническое описание транзистора, техническое описание, техническое описание, pdf. Kec, alldatasheet, datasheet, сайт поиска данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников. C102 datasheet, c102 pdf, c102 data sheet, c102 manual, c102 pdf, c102, datenblatt, electronics c102, alldatasheet, free, datasheet, datasheets, data sheet, datas. Mmbtrc106ss резистор смещения для поверхностного монтажа, транзисторы npn npn smd transistoren mit eingangsspannungsteiler, версия 20110210, рассеиваемая мощность, verlustleistung 200 мВт 0.Далее мы поговорим о диодах, а затем о биполярном переходном транзисторе. Расхищение огромного количества информации в хакерских таблицах.

1089 258 1096 1258 1536 1225 1128 1232 659 348 1430 490 1246 471 1389 19 1137 1181 844 1034 1400 834 955 72 41 1179 1144 968 1398 258934 749 842 344523 1261 1362

B57620-C102-J62 техническое описание – Технические характеристики: Категория / Применение: Общее использование; Монтаж

10ERB60 : Device = FRD () ;; Пиковое обратное напряжение (В) = 600 ;; Средний выпрямленный ток (А) = 1 ;; Условия (cace или температура окружающей среды) = Ta = 37: P.C.Board ;; Бросок тока в прямом направлении (A) = 35 ;; Максимальная рабочая температура перехода (C) = 150 ;; Температура хранения (C) = от -40 до 150 ;; Пиковое прямое напряжение (В) = 1,13 ;; Пиковый прямой ток (A) = 1 ;; Вершина горы.

2SC4052 :. Температура хранения Коллектор температуры перехода к базе Напряжение от коллектора к эмиттеру Напряжение от эмиттера к базе Напряжение коллектора Ток коллектора постоянного тока Пик тока базы постоянного тока Пик тока базы постоянного тока Суммарная диссипация диэлектрической прочности на транзисторе Обозначение крутящего момента при установке Tstg Tj VCBO VCEO VCEX VEBO BP PT Vdis TOR Электрические характеристики (Tc = 25) Поз.

BLW96 / B : Транзистор RF Sot-121. Файл продукта в Discrete Semiconductors, SC08a Август 1986 Кремниевый планарный эпитаксиальный транзистор N-P-N, предназначенный для использования в мощном промышленном и военном передающем оборудовании класса A, AB и B, работающем в ВЧ-диапазоне. и v.h.f. группа. Транзистор отлично работает как линейный усилитель в с.с.б. Приложения. Сопротивление стабилизировано.

NTGS3443T1 : силовой полевой МОП-транзистор 2 ампера, 20 вольт, корпус: Tsop, контакты = 6.Сверхнизкое RDS (вкл.) Повышенная эффективность, продлевающая срок службы батареи Миниатюрный корпус TSOP6 для поверхностного монтажа Управление питанием в портативных продуктах и ​​продуктах с питанием от батарей, то есть: номинальное напряжение между затвором и источником напряжения, постоянное тепловое сопротивление, переход к окружающей среде (Примечание 1) Общая рассеиваемая мощность = 25 ° C Ток утечки, непрерывный 25 ° C .

RFP42N03L : 42a, 30 В, 0,025 Ом, логический уровень, N-канальный силовой полевой МОП-транзистор. 30 В, 0,025 Ом, логический уровень, N-канальный силовой МОП-транзистор Это силовые МОП-транзисторы с N-каналом, изготовленные с использованием процесса MegaFET.Этот процесс, в котором используются размеры элементов, приближающиеся к размерам схем LSI, обеспечивает оптимальное использование кремния, что приводит к выдающейся производительности. Они были разработаны для использования в таких приложениях, как регуляторы переключения, переключение.

SCAS05FF : Однофазный двухполупериодный мост сверхбыстрого восстановления, 50-150 В, 20 А.

0805J0160331JXR : КОНДЕНСАТОР, КЕРАМИЧЕСКИЙ, МНОГОСЛОЙНЫЙ, 16 В, X7R, 0,00033 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ НА ПОВЕРХНОСТИ, 0805. s: Конфигурация / форм-фактор: Чип-конденсатор; Технология: Многослойная; Приложения: общего назначения; Конденсаторы электростатические: керамический состав; Соответствие RoHS: Да; Диапазон емкости: 3.30Е-4 мкФ; Допуск емкости: 5 (+/-%); WVDC: 16 вольт; Тип установки :.

CMPDM8120 : 860 мА, 20 В, P-КАНАЛ, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛ, МОП-транзистор. s: Полярность: P-канал; Режим работы полевого МОП-транзистора: Улучшение; V (BR) DSS: 20 вольт; rDS (вкл.): 0,1500 Ом; PD: 350 милливатт; Тип упаковки: ПАКЕТ, СООТВЕТСТВУЮЩИЙ ROHS-3; Количество блоков в ИС: 1.

RN4A : 3 А, 600 В, КРЕМНИЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД. s: Упаковка: AXIAL PACKAGE-2; Количество диодов: 1; VRRM: 600 вольт; IF: 3000 мА; trr: 0.1000 нс.

TRS1.5-1T-13-2 + : ВЧ-ТРАНСФОРМАТОР 10 МГц – 2000 МГц. s: Категория: Сигнал; Другие типы трансформаторов / применение: RF; Монтаж: чип-трансформатор; Рабочая температура: от -40 до 85 C (от -40 до 185 F).

1008-100F : 1 ЭЛЕМЕНТ, 0,01 мкГн, ФЕНОЛИЧЕСКИЙ ЯДЕР, ИНДУКТОР ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ, SMD. s: Вариант монтажа: Технология поверхностного монтажа; Устройств в упаковке: 1; Основной материал: фенольный; Стиль отведения: J; Применение: общего назначения, ВЧ дроссель; Диапазон индуктивности: 0.0100 мкГн; Номинальный постоянный ток: 1562 мА; Рабочая температура: от -55 до 125 C (от -67 до 257 F).

2N5210L34Z : 100 мА, 50 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-92. s: Полярность: NPN.

2SC4837-R : 4 А, 50 В, NPN, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР. s: Полярность: NPN; Тип упаковки: ФЛП-3.

30CPQ135 : 30 А, КРЕМНИЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД, TO-247AD. s: Аранжировка: Common Catode; Тип диода: общего назначения, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД; Применение диодов: выпрямитель; IF: 30000 мА; Пакет: ПАКЕТ ПЛАСТИКОВЫЙ-3; Количество контактов: 3; Количество диодов: 2.

671-9847 : ТРАНСФОРМАТОР DATACOM ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЯ (-ий) ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ. s: Категория: Сигнал; Другие типы трансформаторов / применения: импульсные трансформаторы, DATACOM TRANSFORMER; Монтаж: Чип-трансформатор.

Искать

может быть отправлен в тот же день. Paypal принят, закажите онлайн сегодня!

Тщательно выберите номер детали, производителя и упаковку из приведенной ниже таблицы, а затем добавьте в корзину, чтобы перейти к оформлению заказа.

Купите сейчас, и вы получите удовольствие
✓Отправьте заказ в тот же день!
✓ Доставка по всему миру!
✓ Распродажа с ограниченным сроком
✓ Легкий возврат.

Обзор продукта
Название продукта	Поиск
Доступное количество	Возможна немедленная отправка
Модель NO.
Код ТН ВЭД	8529 0
Минимальное количество	От одного куска
Атрибуты продукта
Категории	Поиск
идентификатор товара
артикул
gtin14
mpn
Состояние детали	Активный

Все основные кредитные и дебетовые карты через PayPal.
Paypal (AMEX принимается через Paypal)
Мы также принимаем банковский перевод. Просто отправьте нам электронное письмо с URL-адресами или кодами продукта. Включите свой адрес доставки и предпочтительный способ доставки. Затем мы отправим вам полные инструкции по электронной почте.

Мы никогда не храним данные вашей карты, они остаются в Paypal

Товары доставляются почтовыми службами и оплачиваются по себестоимости.
Товары будут отправлены в течение 1-2 рабочих дней с момента оплаты. Доставка может быть объединена при покупке большего количества.
Другие способы перевозки могут быть доступны при оформлении заказа – вы также можете сначала связаться со мной для уточнения деталей.

Судоходная компания	Расчетное время доставки	Информация для отслеживания
Плоская транспортировочная	30-60 дней	Нет в наличии
Заказная Авиапочта	15-25 дней	В наличии
DHL / EMS / FEDEX / TNT	5-10 дней	В наличии
Окончательный срок поставки Может быть задержан вашей местной таможней из-за таможенного оформления.

Благодарим за покупку нашей продукции на нашем сайте.
Чтобы иметь право на возмещение, вы должны вернуть товар в течение 30 календарных дней с момента покупки. Товар должен быть в том же состоянии, в котором вы его получили, и не иметь каких-либо повреждений.
После того, как мы получим ваш товар, наша команда профессионалов проверит его и обработает ваш возврат. Деньги будут возвращены на исходный способ оплаты, который вы использовали при покупке. При оплате кредитной картой возврат средств может появиться в выписке по кредитной карте в течение 5–10 рабочих дней.
Если товар поврежден каким-либо образом или вы инициировали возврат по прошествии 30 календарных дней, вы не имеете права на возврат.
Если что-то неясно или у вас есть вопросы, свяжитесь с нашей службой поддержки клиентов.

См. Подробную информацию о защите покупок PayPal.
Получите заказанный товар или верните свои деньги.
Покрывает вашу закупочную цену и первоначальную доставку.
Если вы не получите товар в течение 25 дней, просто сообщите нам, будет выпущена новая посылка или замена.
PayPal Защита покупателей
Защита вашей покупки от клика до доставки
Вариант 1) Полный возврат средств, если вы не получили свой заказ
Вариант 2) Полный или частичный возврат, если товар не соответствует описанию
Если ваш товар значительно отличается от нашего описания продукта, вы можете: A: вернуть его и получить полный возврат средств, или B: получить частичный возврат и сохранить товар.

Спецификация или техническая спецификация в формате PDF доступны по запросу для загрузки.

Почему выбирают нас?

Расположен в Шэньчжэне, центре электронного рынка Китая.

100% гарантия качества комплектующих: Подлинный оригинал.

Достаточный запас на ваш срочный запрос.

Опытные коллеги помогут вам решить проблемы и снизить риски с помощью производства по требованию.

Быстрая доставка: компоненты, имеющиеся на складе, могут быть отправлены в тот же день.

Круглосуточное обслуживание.

Каковы ваши основные продукты?

Наша основная продукция
Интегральные схемы (ИС)	Дискретный полупроводник	Потенциометры, переменные R
Аудио специального назначения	Принадлежности	Реле
Часы / синхронизация	Мостовые выпрямители	Датчики, преобразователи
Сбор данных	Diacs, Sidacs	Резисторы
Встроенный	Диоды	Индукторы, катушки, дроссели
Интерфейс	МОП-транзисторы	Фильтры
Изоляторы – Драйверы ворот	БТИЗ	Кристаллы и генераторы
Линейный	JFET (эффект поля перехода)	Разъемы, межкомпонентные соединения
Логика	РЧ полевые транзисторы	Конденсаторы
Память	РЧ Транзисторы (БЮТ)	Изоляторы
PMIC	SCR	светодиод
	Транзисторы (БЮТ)
	Транзисторы
	Симисторы

Какая цена?

Все цены являются ценами за единицу в долларах США (USD).

Цена на некоторые детали нестабильна в зависимости от рынка, пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последней и лучшей цены.

Какой способ оплаты?

PayPal, кредитные карты через PayPal, банковский перевод, Western Union, MoneyGram.

Покупатель несет ответственность за все расходы по доставке.

Свяжитесь с нами, если вы предпочитаете другой способ оплаты.

Что такое возврат и замена?

Если есть какие-либо проблемы с качеством, убедитесь, что все эти предметы должны быть возвращены в их первоначальном состоянии, чтобы претендовать на возврат или замену.(Любые использованные или поврежденные предметы не подлежат возврату или замене).

Какое минимальное количество для заказа вашей продукции?

Минимальное количество заказа от ОДНОЙ штуки.

Вы можете купить столько, сколько захотите.

Когда вы пришлете мне детали?

Мы отправим вам детали в тот же день после получения оплаты.

Как разместить заказ?

Добавьте товар в корзину, а затем перейдите к оформлению заказа на нашем веб-сайте.

Предлагаете ли вы техническую поддержку?

Да, наш технический инженер поможет вам с информацией о распиновке 2SD1733TLR, указаниями по применению, замена, даташит в pdf, руководство, схема, аналог, перекрестная ссылка.

Предлагаете ли вы гарантию?

Да, мы предоставляем 6 месяцев гарантии на наш продукт.

Как сделать наш бизнес долгосрочным и хорошим?

Мы поддерживаем хорошее качество и конкурентоспособные цены.

Мы уважаем каждого клиента как друга и ведем бизнес добросовестно!

По любым другим вопросам, пожалуйста, свяжитесь с нами.Мы всегда к вашим услугам!

Техническое описание транзисторов

C102 | Huku.zhaabh.site

C Datasheet (PDF) huku.zhaabh.site SizeK _diodes DMCUFDB ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ПАРНЫЙ МОП-транзистор Краткое описание продукта Характеристики Низкое внутреннее сопротивление ID max Устройство BVDSS RDS (ON) max TA = + 25 ° C Низкая входная емкость 25 мОм при VGS = VA Низкий профиль, мм Макс.высота Q1 12 В 30 мОм @ VGS = VA ESD HBM Защищено вверх.

Работает на главной линии переменного тока V и V, техническое описание C, схема C, техническое описание C: SANKEN, все данные, технические данные, сайт поиска технических данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников.Intel® C / C Scalable Memory Buffer 9 Datasheet Февраль Введение Режим блокировки подканалов В режиме блокировки подканалов одна команда, отправляемая на шину Intel® SMI 2 CMD #, нацелена на два модуля DIMM, по одному на каждой шине DRAM за Intel® C / C Масштабируемая память.

C Datasheet, C PDF, C Data Sheet, C manual, C pdf, C, datenblatt, Electronics C, alldatasheet, free, datasheet, Datasheets, технический паспорт, данные. Таблица данных C, таблицы данных C, C pdf, схема C: SANKEN – Работа с основной линией переменного тока V и V, все таблицы данных, таблицы данных, сайт поиска данных электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников.

C Datasheet PDF, Ищу Datasheet C, C PDF Datasheet, C-эквивалент, C Схема, C Datasheets, Перекрестная ссылка, DATASHEETBANK, Загрузка PDF, Сайт бесплатного поиска. Паспорт всех транзисторов. Поиск по перекрестным ссылкам. База данных транзисторов. Это PDF-формат хорошо известной книги о расположении выводов оборудования, в которой описаны выводы различных компьютерных, электрических и электронных устройств. Ручная книга, которую нужно иметь!

RRQ030P03HZGTR: Транзисторы

кБ: различные выводы: huku.zhaabh.site 28/03 / Внешний жесткий диск 1 ТБ: кБ: Western Digital: My World Book Жесткий диск: транзисторный huku.zhaabh.site: 30/08 / транзистор де. C Datasheet (PDF) huku.zhaabh.site SizeK _diodes DMCUFDB ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЙ РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ ПАРА МОП-транзистор Краткое описание продукта Характеристики ID MAX • Устройство с низким сопротивлением в открытом состоянии V (BR) DSS RDS (ON) max TA = + 25 ° C • Низкая входная емкость • Низкопрофильный, мм Макс. Высота 34 мОм при VGS = VA • Затвор с защитой от электростатического разряда 40 мОм при VGS = VA Q1.

Micro Electronics Transistors & IC Data Book Выпуск 1 Micro Electronics Ltd. c Acrobat 7 Pdf Mb. Отсканировано артмисом с помощью Canon DRC +. Паспорт продукта Ред.02 – 28 августа 5 из 13 NXP Semiconductors BCM62B Согласованный двойной транзистор PNP / PNP [1] VBEsat уменьшается примерно на мВ / К с повышением температуры.

[2] VBE уменьшается примерно на 2 мВ / К с повышением температуры.

Технические данные по транзисторам и диодам Texas Instruments *…

[3] Устройство, установленное на печатной плате FR4, односторонняя медная, луженая, стандартная площадь основания. Пер. Диоды и транзисторы (PDF 28P) В этой заметке рассматриваются следующие темы: основы физики полупроводников, диоды, нелинейная модель диода, анализ линии нагрузки, модели диодов для больших сигналов, модель смещенных диодов, транзисторы, модель BJT для больших сигналов, анализ линий нагрузки, малые Модель сигнала и транзистор.

Архив технических данных содержит более миллиона технических описаний электронных компонентов. Описание Руководство по замене транзисторов по питанию Японский производитель справочников и др. Техническое описание 2SC Пожалуйста, просмотрите текущие списки для этого технического описания. Может быть несколько доступных плюс дополнительные фотографии, краткие данные и спецификации. 2N Datasheet, 2N PDF, 2N Data sheet, 2N manual, 2N pdf, 2N, datenblatt, Electronics 2N, alldatasheet, free, datasheet, Datasheets, data sheet, datas sheet, databook, free datasheet.

Кремниевые планарные транзисторы NPN: ARTSCHIP ELECTRONICS CO 2N Сверхбыстрый стабилизатор переходных процессов LDO: Central Semiconductor C. · База данных программного обеспечения IC, содержащая информацию о более чем полупроводниках, таких как транзисторы и интегральные схемы. Как есть информация Теги datasheet, Download, electronic software, ic, Download book транзисторные схемы TALKING ELECTRONICS.

Скачать таблицу размеров AWG в метрических единицах. Номер калибра и таблица размеров провода. ОПИСАНИЕ ТРАНЗИСТОРА NPN 2N и 2N – это кремниевые эпитаксиальные планарные NPN-транзисторы в металлическом корпусе jedec TO, предназначенные для использования в бытовых и промышленных приложениях, работающих от сети.

Техническая литература, разработка продуктов, спецификации, лист данных. Книга эквивалентов транзисторов Книга эквивалентов транзисторов Доступная книга эквивалентов транзисторов Техническое описание, книга эквивалентов транзисторов с коротким сроком выполнения заказа, вы получите книгу эквивалентов транзисторов, время выполнения заказа в книге эквивалентов транзисторов, книгу эквивалентов транзисторов в формате PDF, футляр для упаковки, упаковка huku.zhaabh.site, wecome на huku.zhaabh.site!

Цифровой транзистор серии DTCE, NPN, мА, 50 В (встроенный транзистор с резистором смещения) Краткое описание Параметр Значение SOT SOTFL VCC 50 В IC (МАКС.) мА R1 10 кОм DTCEM DTCEEB R2 10 кОм (VMT3) (EMT3F) SOT SOTFL lОсобенности 1) Встроенные резисторы смещения, R1 = R2 = 10 кОм 2) Встроенные резисторы смещения позволяют конфигурировать.

2N2222A Назначение выводов, характеристики, эквивалент и техническое описание

2SAEB HZG Транзистор общего назначения (В, мА) Техническое описание Квалифицированный рабочий параметр AEC-Q Значение параметра SOTFL SC VCEOV ICmA EMT3F l Характеристики Внутренняя цепь 1) Превосходная линейность hFE. 2) Дополняет 2SCEB HZG. Цифровой транзистор серии DTCJ NPN мА, 50 В (встроенный транзистор смещения резистора) Техническое описание l Краткое описание Параметр Значение SOT SOTFL VCC 50 В IC (МАКС.) мА R1 кОм DTCJM DTCJEB R2 47 кОм (VMT3) (EMT3F) SOT SOTFL lОсобенности 1) Встроенные резисторы смещения.

DTCEU3 HZG NPN Цифровой транзистор, 50 В, мА (встроенный транзистор смещения) Техническое описание Квалифицированный AEC-Q Краткое описание Параметр Значение SOT VCC 50 В SC IC (МАКС.) МА R1 22 кОм R2 22 кОм (UMT3) Характеристики Внутренняя цепь 1) Встроенное смещение Резисторы, R1 = R2 = 22 кОм 2) Встроенные резисторы смещения позволяют конфигурировать.

· Лист данных C – Vceo = V, транзистор NPN – KEC, техническое описание KTC, C pdf, распиновка C, эквивалент, данные C, схема C, руководство C.Справочник по малосигнальным транзисторам Motorola Motorola Inc Acrobat 7 Pdf Mb. Отсканировано artmisa с использованием планшетного ПК Canon DRC +. Цифровые транзисторы DTCEUB HZG NPN, мА 50 В (встроенные транзисторы смещения резистора) Техническое описание Квалифицированный AEC-Q l Outline Параметр Значение UMT3F VCC 50 В IC (МАКС.) МА R1 10 кОм R2 10 кОм (SC) l Характеристики Внутренняя цепь 1) Встроенные резисторы смещения, R1 = R2 = 10 кОм 2) Встроенные резисторы смещения позволяют конфигурировать.

ТЕХНИЧЕСКИЙ ЛИСТ Спецификация продукта Заменяет данные от 23 апреля 11 октября DISCRETE SEMICONDUCTORS Книга по коммутирующим транзисторам 2N NPN, половина страницы M3D 11 октября 2 Philips Semiconductors Спецификация продукта Переключающий транзистор NPN.2N Биполярные транзисторы малой мощности Страница 2 06/04/06 Абсолютные максимальные номинальные значения В (Ta = 25 ° C, если не указано иное) Описание Символ 2N Блок Коллектор Эмиттер Напряжение VCEO 30 Базовое напряжение коллектора CBO 60 В Базовое напряжение эмиттера VEBO 5 Ток коллектора Непрерывный IC мА Рассеиваемая мощность при Ta = 25 ° C Снижение номинальных значений выше 25 ° C.

DTCY серии NPN, мА, 50 В, цифровой транзистор (встроенный транзистор смещения) Лист данных l Краткое описание Параметр Значение SOT SOTFL VCC 50 В IC (МАКС.) МА R1 10 кОм DTCYM DTCYEB R2 47 кОм (VMT3) (EMT3F) Встроенные функции SOTFL 1) Подмагничивающие резисторы, R1 = 10 кОм, R2 = 47 кОм.2) Встроенные резисторы смещения позволяют конфигурировать. RRQP03HZG Лист данных lЭлектрические характеристики (Ta = 25 ° C) Параметр Обозначение Условия Значения Ед. Изм. Мин. Тип.

Лист данных C102, аналог, поиск по перекрестным ссылкам …

Макс. Входная емкость Ciss VGS = 0V – – Выходная емкость Coss VDS = V – 70 – pF Обратная передаточная емкость Crss f = 1MHz – 70 – Время задержки включения td (on) * 4 VDD V, VGS =.

RQ3EAJ Лист данных lЭлектрические характеристики (Ta = 25 ° C) Параметр Обозначение Условия Значения Ед. Изм. Мин.Тип. Максимум. Входная емкость Ciss VGS = 0 В – – Выходная емкость Coss VDS = 15 В – – пФ Емкость обратной передачи Crss f = 1 МГц – – Включение. Высокочастотный транзистор-усилитель 2SCK (11 В, 50 мА, ГГц) Краткое описание Параметр Значение SOT SC VCEO 11 В IC 50 мА SMT3 l Особенности Внутренняя цепь 1) Высокая переходная частота (тип.

)

fT = ГГц) 2) Малое rbb ‘Cc и высокое усиление (обычно 4 пс) 3) Малый NF. ТЕХНИЧЕСКИЙ ПАСПОРТ Спецификация продукта Заменяет данные от 23 июня, 19 февраля, ДИСКРЕТНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ, BSP, N-канальный режим улучшения, вертикальный D-MOS-транзистор, книга на полстранице, M3D, 19 февраля. 2 Philips Semiconductors. Спецификация продукта. N-канальный режим улучшения, вертикальный D-MOS транзистор.· 2NA – это NPN-транзистор, поэтому коллектор и эмиттер будут оставаться открытыми (с обратным смещением), когда базовый вывод удерживается на земле, и будут закрыты (с прямым смещением), когда сигнал подается на базовый вывод.

2NA имеет коэффициент усиления, равный этому значению, определяющему усилительную способность транзистора. Максимальное количество тока. Цифровые транзисторы серии DTCJ NPN, мА 50 В (встроенные транзисторы смещающего резистора) Техническое описание l Краткое описание Параметр Значение VMT3 EMT3F VCC 50 В IC (МАКС.) МА R1 кОм DTCJM DTCJEB R2 47 кОм (SCAA) (SC) EMT3 UMT3F lFeatures 1) Встроенное смещение Резисторы.

Транзистор 2N 2 Вт (Tamb = 25 поиск в таблицах данных, таблицы данных, сайт поиска электронных таблиц. 4 высокоскоростных входа 80/50 кГц, 4 высокоскоростных выхода 1 ~ кГц. Полный текст «Справочник транзисторов и диодов, 1-е изд.» См. Другие форматы. 4 B транзистор GA NPN транзисторы Дарлингтона BST50; BST51; BST52 СПЕЦИФИКАЦИЯ СОСТОЯНИЯ Примечания 1. Перед началом или завершением проектирования ознакомьтесь с последними выпущенными техническими данными. 2. Состояние устройства (устройств), описанного в этих данных таблица могла быть изменена с момента публикации этой таблицы данных.

Та же категория: 2SD NPN эпитаксиальный планарный кремниевый транзистор, приложение для сильноточной коммутации.

DTC114EUBHZG: Транзисторы

M27WB6TR: 4 Mbit kb X 8 Low Voltage UV EPROM and OTP huku.zhaabh.site СОВМЕСТИМ с M27C НИЗКОЕ ПОТРЕБЛЕНИЕ: 15 мкА макс. Ток в режиме ожидания 15 мА макс. Активный ток при 5 МГц ВЫСОКАЯ ПРОГРАММА ТЕХНОЛОГИЯ 2, т.

C, C, C, C, C, C Микросхема конденсатора 1 F GRM21BR71HKA12L Murata C, C, C, C Микросхема конденсатора 1 нФ CX7R2EM TDK D Красный светодиод, LH NKN-1 OSRAM Q NPN Биполярный транзистор BCALT1G ON Semiconductor R k, Чип-резистор CRCWK20JNEA Vishay на 1/8 Вт.Транзисторы высоковольтные NPN 2N; 2N СПЕЦИФИКАЦИЯ СОСТОЯНИЯ Примечания 1. Перед тем, как приступить к проектированию или завершить проектирование, ознакомьтесь с последней выпущенной таблицей данных. 2. Статус продукта устройства (устройств), описанного в этом техническом паспорте, мог измениться с момента его публикации.

Лист данных: ULNx, ULQx Высоковольтные, сильноточные транзисторные массивы Дарлингтона (Rev. P), 09 июля, электронная книга: 11 способов защиты вашего тракта питания, информационный документ: июль

03, Замечания по применению: Основы переключателей питания (Rev.A) 26 апреля, Технические статьи: Как переключатель нагрузки может продлить срок службы батареи вашего устройства?

март. Рабочие параметры 2N аналогичны CK от Raytheon, и многие книги для любителей будут использовать их как взаимозаменяемые. J. A. Stanley’s “Электроника для начинающих” укажет 2N или CK в списке деталей. Allied Radio, которая продавала оба транзистора через свой каталог, продала книгу проектов под названием «Понимание транзисторов и проекты транзисторов», посвященную основам транзисторов 2N: схематическое изображение транзистора показано слева.

Обратите внимание на стрелку, направленную вниз к эмиттеру. Это означает, что это транзистор NPN (ток течет в направлении стрелки).

См. Техническое описание по адресу: huku.zhaabh.site Базовый коллекторный эмиттер Q1 2N Транзистор представляет собой усилитель тока. Транзисторы – более сложные устройства, чем резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и диоды. В то время как эти электронные компоненты имеют лишь несколько спецификаций, таких как сопротивление в омах и максимальные ватты рассеиваемой мощности, у транзисторов есть множество спецификаций.

Вы можете найти полные технические характеристики любого транзистора, просмотрев его лист данных []. Значение этого постоянного тока может быть задано уравнением; (VD) / (R3 + R5). POT R5 может быть отрегулирован для получения постоянного тока, равного huku.zhaabh.site, постоянного тока, обеспечиваемого схемой Q1, если тестируемый транзистор является транзистором NPN, и схемой Q2, если транзистор Тестируемый PNP-транзистор подключен к базе транзистора.

· Справочник транзисторов и диодов.Первое издание на компакт-диске в формате PDF. Отличный справочник – страницы в удобном для чтения формате Adobe PDF на CDROM. Руководства по выбору транзисторов. Транзистор huku.zhaabh.site Рейтинг:% положительный. SL – транзистор малой мощности общего назначения. Его можно использовать для различных применений, таких как схемы переключения, схемы усиления, производство логических вентилей и т. Д. Распиновка транзистора SL, спецификации, эквивалент и таблица данных.

C102 Transistor Datasheet Book: Решено: Техническое описание конкретного транзистора…

Ответ на В таблице данных для конкретного транзистора указано минимальное значение βDC, равное 50, и максимальное значение βDC, значение какого диапазона.

Adcom GFA-555 MKII

Характеристики:

• Непрерывная мощность 200 Вт на 8 Ом и 325 Вт на 4 Ом
• низкий уровень искажений THD <0,04% от 20 Гц до 20 кГц
• высокий коэффициент демпфирования> 800
• может управлять громкоговорителями с очень низким импедансом и высокой реактивной способностью.
• очень сильные пики тока переходят в низкое сопротивление (более 60 ампер на канал)
• Биполярный выходной транзистор типа ТО-3 с тройным драйвером Дарлингтона конфигурация выходного каскада
• блок питания с тороидальным трансформатором 1500 ВА и емкостью фильтра 60000 мкФ

Хотя Adcom GFA-555MKII является хорошо спроектированным усилителем, он имеет некоторые недостатки.

Анализ цепей

В этом усилителе используется дискретный дифференциальный входной каскад класса A, за которым следует каскад усиления напряжения класса A (VAS), который усиливает входной сигнал до напряжения, необходимого на выходе усилителя. Этот сигнал высокого напряжения управляет сильноточным выходным каскадом тройного повторителя Дарлайтона, который усиливает ток примерно в 50000 раз.

Входной сигнал связан по переменному току с помощью C101 и фильтруется через сеть C102 и R103. Транзисторы малой мощности Q101 и Q102 образуют дифференциальный входной каскад.Коэффициент усиления без обратной связи определяется R105 и током смещения через Q101 и Q102. Коэффициент усиления слабого сигнала составляет примерно 825 / (2×25) = 16. Следующий каскад усиления напряжения состоит из Q107 с Q108 в качестве нагрузки источника тока. Смещение постоянного тока устанавливается R116, D103 и D104. Коэффициент усиления без обратной связи определяется R112 и R113, причем R201, R301, C105, C201 и C301 обеспечивают компенсацию высоких частот.

Обратная связь обеспечивается от выхода к базе Q102 сетью R123, R124 и C106. C106 обеспечивает спад на высоких частотах выше 200 кГц, улучшая стабильность за счет получения высокочастотной обратной связи до тройного Дарлингтона.

Усилитель имеет глобальную отрицательную обратную связь, связанную по постоянному току, и для этого требуется коррекция ошибок постоянного тока, обеспечиваемая IC101. Любой дисбаланс постоянного тока в усилителе корректируется с помощью R125, R126, R127, C107, C110 и IC101. Любая ошибка постоянного тока на выходе усилителя возвращается через IC101 для регулировки постоянного тока через входной транзистор.

Схема смещения R117 – R119 и Q307 формирует напряжение смещения постоянного тока с температурной компенсацией на входе выходного каскада тройного повторителя Дарлингтона.Шунтирование средних и высоких частот обеспечивается C104.

R901 и C901 обеспечивают нагрузку на усилитель на высоких частотах, стабилизируя усилитель при различных условиях нагрузки.

Выходной каскад состоит из двух наборов по 4 параллельных транзистора, работающих как эмиттерные повторители, управляемые другой парой эмиттерных повторителей. Такая конфигурация сводит к минимуму искажения, вызванные изменяющимся сопротивлением нагрузки. Выходные транзисторы имеют балластные резисторы 0,22 Ом для обеспечения разделения тока и стабильности смещения.

Примечание. Вся эта информация взята из Руководства по эксплуатации Adcom GFA-555 MKII и Руководства по обслуживанию Adcom GFA-555 MKII. Вы можете скачать их здесь (сначала необходимо зарегистрироваться): Руководства по обслуживанию.

Общие недостатки:

• отсутствие защиты динамиков
• неправильный размер VAS транзистора
• отсутствие радиатора для VAS транзистора
• Отсутствие питающих байпасных конденсаторов схемы входных каскадов

ОБНОВЛЕНИЯ

В этой статье я проиллюстрирую, как я преобразовал этот усилитель в усилитель очень высокого класса с большим улучшением качества звука и общей стабильностью.

Улучшения основного источника питания

Adcom GFA-555MKII имеет мощный источник питания с 2 мостовыми выпрямителями по 25 А и 4 конденсаторами по 15000 мкФ. Я заменил оригинальный мостовой выпрямитель KBP2504 на 25 А на мостовой выпрямитель FB5006 на 50 А. Я заменил шунтирующие конденсаторы 100 нФ на новый тип WIMA MKS2 и заменил разрядный резистор конденсатора на 4,7 кОм. Я добавил конденсатор 10 нФ 380 В X2 на стороне переменного тока мостового выпрямителя для фильтрации высокочастотных шумов на переменном токе.

Список изменений
Описание	Кол-во	Оригинальные детали	Новые запчасти
D801, D802	2	KBP2504 25A 400 В	FB5006 50 А 600 В
C806, C807, C808, C809	4	100 нФ 100 В	100 нФ 250 В WIMA MKS2
R801, R802, R803, R804	4	3.9 кОм 3 Вт Металлооксид	4,7 кОм 5 Вт Металлооксид
Фильтр на стороне переменного тока мостового выпрямителя	2	Нет	10 нФ 380 В X2

Улучшения питания на плате входного каскада

Adcom GFA-555MKII не имеет выделенных байпасных конденсаторов на плате входных каскадов.Я добавил пару конденсаторов для шины: один 120 мкФ 200 В Nichicon Aluminium Electrolytic и один 47 нФ MKM4 250 В WIMA (вы также можете использовать 100 нФ). Это первое и простое обновление, которое создает обходной фильтр между основным источником питания и шинами, которые идут к плате входных каскадов.

Это улучшает эффективность фильтрации источника питания и снижает пульсации и шум.

Список изменений
Описание	Кол-во	Оригинальные детали	Новые запчасти
Для обхода питания платы входных каскадов	4	Нет	120 мкФ 200 В Nichicon алюминиевый электролитический колпачок
Для обхода питания платы входных каскадов	4	Нет	47 нФ MKM4 250 В WIM

Улучшения питания на платах выходных каскадов

Выходные каскады имеют шунтирующие конденсаторы C202, C302, C252, C351.Эти конденсаторы при нормальном использовании и по прошествии нескольких лет имеют тенденцию к вздутию. В моем образце усилителя я обнаружил их неисправные и неисправные.

Я заменил их на 120 мкФ 200 В Nichicon Aluminium Electrolytic и добавил полипропиленовую пленку Sprague Orange Drop 22 нФ 600 В (вы также можете использовать 100 нФ).

Это улучшает эффективность фильтрации источника питания и снижает пульсации и шум.

Список изменений
Описание	Кол-во	Оригинальные детали	Новые запчасти
C202, C302, C252, C352	4	Электролитический колпачок 47 мкФ 160 В	120 мкФ 200 В Nichicon алюминиевый электролитический колпачок
параллельно с C202, C302, C252, C352	4	Нет	22nF 600V Полипропиленовая пленка Sprague Orange Drop

Новые компоненты на плате входного каскада

Я заменил все транзисторы и все конденсаторы на плате входного каскада, кроме C103 и C153.Поменял триммеры R119, R169 (для настройки смещения) на многооборотный прецизионный. Я сопоставил все транзисторы с одинаковым Hfe.

Список изменений
Описание	Кол-во	Оригинальные детали	Новые запчасти
Q101, Q102, Q151, Q152 (входной каскад)	4	2SC2362
Q103, Q153, Q307, Q257	4	2SC2240
Q104, Q106, Q154, Q156 (PNP)	4	2SA1016
Q105, Q107, Q155, Q157 (VAS PNP)	4	2SA1210 / 2SA1142	2SA1837
Q108, Q158 (VAS NPN)	2	2SC2912 / 2SC2682	2SC4793
D101, D102, D103, D104, D151, D152, D153, D154	8	1SS178	1N4148
C101, C151 (входной сигнал)	2	1 мкФ 100 В MKC	1 мкФ WIMA MKP4 250 В
R119, R169	2	Триммер 2 кОм	Триммер многооборотный, 2 кОм
C104, C154	2	4,7 мкФ 50 В	4,7 мкФ 63 В ELNA SILMIC II
C107, C108, C110, C157, C158, C160	6	100 нФ 50 В	WIMA MKS2 0.1 мкФ 250 В
C102, C152	2	330 пФ 100 В слюда	300pF 500V посеребренная слюда
C105, C155	2	15 пФ 500 В слюда	22pF 500V посеребренная слюда
C106, C156	2	33pF 500V слюда	33pF 500V посеребренная слюда
C109, C159	2	470 мкФ 25 В	470 мкФ 35 В

Новые транзисторы VAS и добавлен радиатор

Транзисторы каскада усиления напряжения (VAS) – это Q107, Q157, Q108, Q158, и они не имеют подходящего размера.Оригинальные детали – 2SA1210 / 2SC2912, и они имеют максимальное напряжение коллектор-эмиттер 200 В. Если выбор напряжения на первичной обмотке трансформатора установлен, например, на 220 В, а у меня есть напряжение 230 В на линии распределения электроэнергии, например, в В некоторых европейских странах, таких как Италия, напряжение постоянного тока, которое я измерил на шинах источника питания, составляет 86,8 В. Это означает, что общая сумма постоянного напряжения между коллектором и эмиттером транзисторов VAS составляет 2×86,8 = 173,6 В, что очень близко к 200 В. учитывая зону безопасной эксплуатации 2SC2912.В моем образце усилителя я обнаружил, что установлены транзисторы 2SC2682, которые имеют VCEO = 180 В, что является очень низким значением, учитывая рабочее напряжение 173,6 В. Это приводит к сокращению срока службы транзисторов и вероятному отказу. Я не знаю, зачем Adcom установил этот тип транзисторов, но для меня это не лучший выбор.

Новые транзисторы, которые я установил, – это Toshiba 2SC4793 (NPN) и 2SA1837 (PNP) (обратите внимание, что эти транзисторы имеют перевернутый вывод по сравнению с оригинальными 2SA1210 / 2SC2912).Эти транзисторы имеют более высокое напряжение коллектор-эмиттер, более высокий ток и большую рассеиваемую мощность.

Транзисторы каскада усиления напряжения (ВАС)
Характеристики	Обозначение	Оригинальные детали 2SC2912 (NPN) 2SA1210 (PNP) Рейтинг	Новые запчасти 2SC4793 (NPN) 2SA1837 (PNP) Рейтинг
Напряжение коллектор-база	VCBO	200 В	230 В
Напряжение коллектор-эмиттер	VCEO	200 В	230 В
Напряжение эмиттер-база	ВЭБО	5 В	5 В
Коллекторный ток	IC	0.14 А	1 А
Рассеиваемая мощность коллектора при Ta = 25 ° C	ПК	1 Вт	2 Вт
Рассеиваемая мощность коллектора при Tc = 25 ° C	ПК	10 Вт	20 Вт

Примечание. Транзисторы Toshiba 2SC4793 (NPN) и 2SA1837 (PNP) имеют инвертированное расположение выводов по сравнению с исходными 2SA1210 / 2SC2912.

Список изменений
Описание	Кол-во	Оригинальные детали	Новые запчасти
Q105, Q107, Q155, Q157 (VAS PNP и генератор тока)	4	2SA1210 / 2SA1142	2SA1837
Q108, Q158 (VAS NPN)	2	2SC2912 / 2SC2682	2SC4793

Другая хорошо известная проблема этого усилителя и причина очень большой неисправности – перегрев транзисторов VAS.Не знаю, почему в Adcom не спроектировали установку радиаторов на VAS-транзисторы, но для меня это очень серьезный недостаток этого усилителя. Без радиатора транзисторы каскада VAS очень горячие (их нельзя трогать), что ставит под угрозу всю стабильность усилителя. О перегреве этих транзисторов свидетельствует также потемнение припоя печатной платы.

Я спроектировал и изготовил индивидуальный радиатор для транзисторов VAS и источника относительного тока. В этом режиме температура этих транзисторов остается на уровне 51 ° C, что является очень хорошим результатом.Эти транзисторы теперь могут работать в своей безопасной рабочей области, не регенерируют температурно-зависимый шум и имеют больший запас стабильности. Добавление радиаторов – очень важное обновление для этого усилителя.

Новые компоненты на платах выходных каскадов

Я заменил все транзисторы на новые, более производительные. Я заменил все старые транзисторы Toshiba на новые транзисторы согласованной пары On-Semi. Новые транзисторы обладают гораздо большей безопасной рабочей зоной и большей допустимой нагрузкой по току, что увеличивает нагрузочную способность привода и повышает стабильность при высоких температурах.

Важным усовершенствованием является замена оригинальных резисторов R901, R951 на новые резисторы типа Metal Oxide мощностью 5 Вт. В моем образце исходные резисторы были сломаны, и усилитель перешел в колебание.

Список изменений
Описание	Кол-во	Оригинальные детали	Новые запчасти
Q201, Q251 (предв. NPN)	2	2SC2912 / 2SC2682	MJE15034
Q202, Q252 (драйвер NPN)	2	2SD1047	NJW3281G
Q203, Q204, Q205, Q206, Q253, Q254, Q255, Q256, (конечный выходной каскад NPN)	8	2SD424	MJ21194
Q301, Q351 (предводитель PNP)	2	2SA1210 / 2SA1142	MJE15035
Q302, Q352 (драйвер PNP)	2	2SB817	NJW1302G
Q303, Q304, Q305, Q306, Q353, Q354, Q355, Q356 (конечный выходной каскад PNP)	8	2SB554	MJ21193
R901, R951	2	10 Ом 2 Вт	Металлооксидные пленочные резисторы 10 Ом 5 ​​Вт
C901, C951	2	100 нФ 100 В	100 нФ 630 В MKP SCR
C201, C251	2	68pF 500V слюда	68pF 500V посеребренная слюда

Примечание. Транзисторы On-Semi MJE15034 (NPN) и MJE15035 (PNP) имеют инвертированное расположение выводов по сравнению с исходными 2SA1210 / 2SC2912.

Добавление защиты динамиков

Adcom GFA-555MKII не имеет схемы защиты динамиков и не имеет Anti-Bump при включении.

Я добавил схему защиты динамиков, которая также имеет функцию Anti-Bump. Эта схема основана на интегрированном чипе UPC1237, и вы также можете найти его на Ebay. Для питания этой схемы я использовал вторичную шину главного трансформатора, которая изначально предназначена для дополнительного двигателя вентилятора.Эта шина имеет 22 В переменного тока, и я построил небольшую схему с мостовым выпрямителем и конденсатором, чтобы получить напряжение 31 В постоянного тока для питания схемы защиты динамиков.

Другие моды

Я установил разъем питания IEC с небольшим тороидальным ферритовым фильтром и заменил разъемы динамиков.

Фото после апгрейдов

Наши услуги

Мы предлагаем услуги по ремонту / восстановлению / обновлению, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы узнать цену.

MITSUBISHI M54522P

DtSheet

Загрузить

MITSUBISHI M54522P

Открыть как PDF

Похожие страницы

MITSUBISHI M54532P

MITSUBISHI M63826P

MITSUBISHI M54567P

MITSUBISHI M63824GP

MITSUBISHI M54526

MITSUBISHI M54531P_99

MITSUBISHI M54523FP

MITSUBISHI M63828DP

MITSUBISHI M63827WP

MITSUBISHI M54534P

MITSUBISHI M63830P

MITSUBISHI M54519

MITSUBISHI M63836FP_06

MITSUBISHI M54566FP

MITSUBISHI M54531WP

MITSUBISHI M54525AGP

MITSUBISHI M63834FP

POWEREX M54585KP

MITSUBISHI M63804GP

MITSUBISHI M54585KP

MITSUBISHI M54585WP

MITSUBISHI M54539P

dtsheet © 2021 г.

О нас DMCA / GDPR Злоупотребление здесь

C10200 Бескислородный (OFHC) медный сплав

Ленты, вращающийся снаряд	ВОЕННЫЙ MIL-B-20292, MIL-B-18907
Пруток	AMS 4602, ASME SB152, SB133, ASTM B152, SAE J463, J461
Бар, Автобус	ASTM B187, SAE J463, J461
Припой присадочный металл	ФЕДЕРАЛЬНЫЙ QQ-B-650
Фитинги	ASME B16.22
Фольга, печатные схемы	ASTM B451
Ниппели	ASTM B687
Труба	ASME SB42, ASTM B698, B42
Труба, автобус	ASTM B188
Пластина	AMS 4501, ASME SB152, ASTM B152, SAE J463, J461
Пластина плакированная	ASTM B432
Стержень	AMS 4602, ASME SB152, ASTM B152, SAE J463, J461
Штанга, Автобус	ASTM B187
Формы	AMS 4602, SAE J461, J463
Фигуры, автобус	ASTM B187
Лист	AMS 4501, ASME SB152, ASTM B152, SAE J461, J463
Лист, плакированный	ASTM B506
Лист, печатные схемы	ASTM B451
Полоса	AMS 4501, ASME SB152, ASTM B152, SAE J461, J463
Полоса, плакированная	ASTM B506
Полоса, печатные схемы	ASTM B451
Трубка	ASTM B698
Обслуживание труб, систем кондиционирования и охлаждения	SAE J461, J463
Трубка, автобус	ASTM B188
Трубка, бухты	ASTM B743
Трубка, конденсатор	ASME SB111, ASTM B111
Труба ребристая	ASME SB359, ASTM B359
Трубка, прямоугольный волновод	ASTM B372, ВОЕННЫЙ MIL-W-85
Трубка бесшовная	ASME SB75, ASTM B641, B75, ВОЕННЫЙ MIL-T-24107
Трубка бесшовная, светлый отожженный	ASTM B68
Трубка, бесшовная для систем кондиционирования воздуха и охлаждения на месте эксплуатации	SAE J461, J463
Трубка, бесшовная для торпеды	ВОЕННЫЙ МИЛ-Т-3235
Трубка, U-образное колено	ASME SB395, ASTM B395
Трубка сварная	ASTM B716, B641, B447, ВОЕННЫЙ MIL-T-24107, SAE J461, J463
Трубка сварная для систем кондиционирования воздуха и охлаждения	ASTM B640
Проволока, покрытая свинцовым сплавом	ASTM B189
Проволока с никелевым покрытием	ASTM B355
Проволока с серебряным покрытием	ASTM B298
Проволока оловянная	ASTM B33, B246
Проволока плоская	ASTM B272
Тянутая проволока	ASTM B1, ФЕДЕРАЛЬНЫЙ QQ-W-343
Тянутая проволока средней твердости	ASTM B2, ФЕДЕРАЛЬНЫЙ QQ-W-343
Проволока металлизация	ВОЕННЫЙ MIL-W-6712
Проволока, мягкая	AMS 4701, ASTM B3, B738, B48, F9, FEDERAL QQ-W-343
Многожильный провод	ASTM B8, B174, B470, B172, B173, B286, B496, B226, FEDERAL QQ-B-575

.