Универсальный внешний накопитель для всех iOS-устройств, совместим с PC/Mac, Android
Header Banner
8 800 100 5771 | +7 495 540 4266
c 9:00 до 24:00 пн-пт | c 10:00 до 18:00 сб
0 Comments

Транзистор S8550: эквивалент, распиновка, спецификация

  • Напряжение между коллектором и эмиттером -25 В
  • Напряжение между коллектором и базой -40 В
  • Напряжение между эмиттером и базой -6 В
  • Ток коллектора -1,5А
  • Рассеиваемая мощность 1 Вт
  • Коэффициент усиления постоянного тока от 40 до 300hFE
  • Текущая полоса пропускания ( F T ) составляет от 100 до 200 МГц
  • Температура перехода от -65 до 150℃
  • Термическое сопротивление 125℃/Вт
  • Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером ( В CE (SAT) ) составляет от -0,28 В до -0,50 В
  • Выходная емкость 15 пФ
  • Схема контактов транзистора S8550 Схема контактов транзистора S8550
    Номер контакта Имя контакта Описание
    1 Излучатель Эмиттер действует как вход для транзистора
    2 База Срабатывает базовая клемма, которая запускает транзистор
    3 Коллектор   Клемма коллектора действует как выход транзистора

     

    Транзисторный корпус S8550

    Транзистор S8550 имел корпус устройства TO-92, это обычный транзисторный корпус общего назначения.

    Корпус ТО-92 изготовлен из эпоксидной смолы и пластика, эти материалы обладают более высокой термостойкостью, а также большей компактностью.

    Транзистор S8550 объяснение электрических характеристик и применения

    В этом разделе мы обсудим электрические характеристики транзистора S8550, это объяснение будет очень полезно для процесса замены этого транзисторного устройства.

    Характеристики напряжения

    Характеристики напряжения на выводах транзистора S8550: коллектор-база -40В, коллектор-эмиттер -25В, эмиттер-база -6В, характеристики напряжения показывают, что транзистор S8550 имели маломощные приложения.

    Значение напряжения насыщения между эмиттером и коллектором составляет от -0,28 В до -0,50 В, напряжение насыщения всегда меньше базового напряжения устройства.

    Напряжение насыщения транзистора S8550 показывает, что они имели больше применений со схемами переключения.

    Характеристики тока

    Значение тока коллектора -1,5А, значение тока транзистора S8550 показывает нагрузочную способность устройства.

    Характеристики рассеяния

    Значение рассеиваемой мощности транзистора S8850 составляет 1 Вт, это рассеиваемая мощность транзистора.

    Коэффициент усиления по току

    Коэффициент усиления по току транзистора S8850 составляет от 40 до 300hFE, это мощность усиления этого транзистора.

    Частота перехода

    Значение частоты перехода полосы пропускания транзистора S8850 составляет от 100 до 200 МГц, это диапазон частот транзистора.

    Температура перехода

     Температура перехода от -55 до 150 ℃ для транзистора S8850, это емкость устройства при изменении температуры.

    Тепловое сопротивление окружающей среды

    Значение теплового сопротивления транзистора S8550 составляет 125℃/Вт, это значение окружающей среды этого транзистора.

    Транзистор S8550 ТЕХНИЧЕСКОЕ ОПИСАНИЕ

    Если вам нужно техническое описание в формате pdf, пожалуйста, нажмите на эту ссылку

    Эквивалент транзистора S8550

    Такие транзисторы, как MPS750, MPS8550, BC527, BC528, 2N2906 и BC527, представляют собой транзисторные устройства PNP.

    Электрические характеристики этих транзисторных устройств такие же, как у транзистора S8550, поэтому мы легко заменяем их в зависимости от характеристик устройства.

    Перед процессом замены нам необходимо проверить и проверить детали PINOUT транзисторов.

    Комплементарный транзистор S8550

    Транзистор S8550 имел комплементарную пару транзисторов S8050 NPN, эти комплементарные пары нашли множество применений во многих схемах.

    SMD-версии транзистора S8850

    Транзисторное устройство S8850 имело SMD-версию транзисторных устройств, таких как MMBT3702 (SOT-23) и MPS8550 (SOT-23).

    Основные электрические характеристики транзистора S8850 версии SMD одинаковы, но характеристики рассеиваемой мощности у них разные.

    S8850, MPS750, BC527

    В таблице приведены электрические характеристики транзисторов S8550, MPS750 и BC527, это поможет лучше понять транзисторные устройства.

    Характеристики S8850 MPS750 BC527
    Напряжение между коллектором и базой (VCB)
         -40 В
    -60 В -60 В
    Напряжение между коллектором и эмиттером (VCE) -25 В -40 В -60 В
    Напряжение между эмиттером и базой (VEB) -6 В -5 В -6 В
    Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE (SAT)) от -0,28 до 0,50 В от -0,3 В до 0,5 В от -0,7 до 1,2 В
    Ток коллектора (IC) -1,5 А -2 А -1 А
    Рассеиваемая мощность 1 Вт 625 мВт 625 мВт
    Температура перехода (TJ) от -65 до +150°C от -65 до +150°C от -55 до +150°C
    Частота перехода (FT) от 100 до 200 МГц 75 МГц 100 МГц
    Коэффициент усиления (hFE) от 40 до 300hFE 75hFE от 40 до 400hFE
    Пакет ТО-92 ТО-92 ТО-92

    Транзисторные приложения S8550
    • Коммутационные устройства общего назначения
    • Цепь усилителя звука
    • Двухтактный транзистор
    • Приложения со слабым сигналом
    • Небольшие аудиопроекты
    • Нагрузка драйвера ниже -700 мА

    Характеристики транзистора S8550 Статические характеристики транзистора S8550

    На рисунке показаны статические характеристики транзистора S8550, график построен с зависимостью тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер.

    При различных значениях тока базы ток коллектора будет увеличиваться от меньшего значения к большему, тогда ток коллектора будет постоянным.

    Значение напряжения будет увеличиваться в сторону большего значения и станет бесконечным.

    Характеристики усиления по постоянному току транзистора S8550

    На рисунке показаны характеристики усиления по постоянному току транзистора S8550, график построен с зависимостью усиления по постоянному току от тока коллектора.

    При постоянном значении напряжения коллектор-эмиттер значение коэффициента усиления по току будет возрастать на начальном этапе и уменьшаться в конце.

    Значение напряжения насыщения транзистора S8550

    На рисунке показано значение напряжения насыщения транзистора S8550, график построен с напряжением насыщения база-эмиттер и значением насыщения эмиттер-коллектор с током коллектора.

    транзистор%20s8550 техническое описание и примечания по применению

    Модель ECAD Производитель Описание Загрузить техпаспорт Купить Часть BD6047AGUL РОМ Полупроводник Тип защиты от отрицательного напряжения ИС защиты от заряда со встроенным полевым транзистором
    БМ2П016-З РОМ Полупроводник ИС преобразователя постоянного тока в постоянный с ШИМ, включающая переключающий МОП-транзистор БМ2П0361К-З РОМ Полупроводник ИС преобразователя постоянного тока в постоянный с ШИМ со встроенным переключающим полевым МОП-транзистором BD9B305QUZ РОМ Полупроводник Входное напряжение от 2,7 В до 5,5 В, 3,0 А Встроенный полевой МОП-транзистор с одним синхронным понижающим преобразователем постоянного тока в постоянный БД9Д300МУВ РОМ Полупроводник Вход от 4,0 В до 17 В, 3 А Встроенный полевой МОП-транзистор с одним синхронным понижающим преобразователем постоянного тока в постоянный
    БМ2П104ЭФ РОМ Полупроводник Встроенный полевой МОП-транзистор 730 В, 100 кГц, ШИМ-преобразователь постоянного тока ИС

    транзистор%20s8550 Листы данных Context Search

    Каталог Лист данных MFG и тип ПДФ Ярлыки для документов
    хб*9Д5Н20П

    Реферат: khb9d0n90n 6v стабилитрон khb * 2D0N60P транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9D0N90N схема ktd998 транзистор
    Текст: нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF 2N2904E до н. э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E хб*9Д5Н20П хб9д0н90н 6В стабилитрон хб*2Д0Н60П транзистор КХБ7Д0Н65Ф Транзистор BC557 киа*278R33PI Схема КХБ9Д0Н90Н транзистор ктд998
    КИА78*ПИ

    Реферат: Транзистор КИА78*р ТРАНЗИСТОР 2Н3904хб*9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004АФ ТРАНЗИСТОР мосфет КИА7812АПИ хб*2Д0Н60П
    Текст: нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF 2N2904E до н.э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E КИА78*пи транзистор КИА78*р ТРАНЗИСТОР 2N3904 хб*9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004AF ТРАНЗИСТОР MOSFET KIA7812API хб*2Д0Н60П
    2SC4793 2sa1837

    Реферат: 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn to-220 эквивалент 2sc5198 транзистор 2SC5359 2SC5171 транзистор эквивалент NPN транзистор
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF 2SA2058 2SA1160 2SC2500 2SA1430 2SC3670 2SA1314 2SC2982 2SC5755 2SA2066 2SC5785 2SC4793 2sa1837 2СК5200, 2СА1943, 2СК5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn к-220 эквивалент 2sc5198 транзистор 2SC5359 эквивалент транзистора 2SC5171 НПН-транзистор
    транзистор

    Реферат: транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор pnp bc547 транзистор BC327 NPN транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 ТРАНЗИСТОР PNP
    Текст: нет доступного текста файла


    OCR-сканирование
    PDF 2Н3904 2Н3906 2Н4124 2Н4126 2N7000 2Н7002 до н. э.327 до н.э.328 до н.э.337 до н.э.338 транзистор транзистор ИТТ BC548 п-н-п транзистор транзистор п-н-п BC337 п-н-п транзистор pnp bc547 транзистор BC327 NPN-транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2н3904 ТРАНЗИСТОР ПНП
    Ч520Г2

    Реферат: Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47к 22к ПНП НПН ФБПТ-523 Ч521Г2-30ПТ npn переключающий транзистор 60в транзистор Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904T1PT

    Текст: нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF А1100) QFN200 ЧДТА143ЕТ1ПТ ФБПТ-523 100 мА ЧДТА143ЗТ1ПТ ЧДТА144ТТ1ПТ CH520G2 Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47k 22k PNP NPN ФБПТ-523 Ч521Г2-30ПТ npn-переключающий транзистор 60 В транзистор Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904Т1ПТ
    транзистор 45 f 122

    Реферат: Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 136 tlp 122 634 транзистор транзистор ac 127 TRANSISTOR транзистор 502 транзистор f 421
    Текст: Нет доступного текста файла


    OCR-сканирование
    PDF TLP120 TLP121 TLP130 TLP131 TLP160J транзистор 45 ф 122 Транзистор переменного тока 51 Моск 3021 СИМИСТОР 136 тлп 122 634 транзистор транзистор переменного тока 127 ТРАНЗИСТОР транзистор 502 транзистор ф 421
    СТХ12С

    Реферат: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N ​​2SC5586 2SK1343 CTPG2F
    Текст: нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 фн651 SLA4037 sla1004 СТВ-34Д SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F
    Варистор RU

    Реферат: Транзистор СЭ110Н 2SC5487 2SA2003 Транзистор СЭ090Н высоковольтный Транзистор СЭ090 РБВ-406 2SC5586
    Текст: нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор RU SE110N транзистор 2SC5487 2SA2003 SE090N высоковольтный транзистор SE090 РБВ-406 2SC5586
    К2Н4401

    Резюме: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 Q2N1132 D1N750 D02CZ10 D1N751
    Текст: нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF РД91ЭБ Q2N4401 Д1Н3940 Q2N2907A Д1Н1190 Q2SC1815 Q2N3055 Q2N1132 Д1Н750 D02CZ10 Д1Н751
    фн651

    Реферат: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343
    Текст: нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 фн651 СТВ-34Д 2SC5586 ХВР-1×7 STR20012 sap17n 2сд2619 РБВ-4156Б SLA4037 2ск1343
    2SC5471

    Реферат: 2SC5853 2sa1015 транзистор 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 2Sc5720 транзистор 2SC5766 низкочастотный малошумящий транзистор PNP
    Текст: нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF 2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 2SC2240 2SA970 2SC2459 2SA1049 А1587 2SC4117 2SC5471 2SC5853 транзистор 2са1015 транзистор 2sc1815 Транзистор 2SA970 2SC5854 транзистор 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP
    Мосфет FTR 03-E

    Резюме: mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона DTC114EVA DTC143EF V/65e9 транзистор транзистор 2SC337
    Текст: нет доступного текста файла


    OCR-сканирование
    PDF 2SK1976 2SK2095 2SK2176 О-220ФП 2SA785 2SA790 2SA790M 2SA806 Мосфет FTR 03-E мт 1389 фе 2СД122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона DTC114EVA DTC143EF Транзистор V/65e9 транзистор 2SC337
    фгт313

    Реферат: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A диод SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096 диод ry2a
    Текст: нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF 2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 фгт313 транзистор фгт313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 фгт412 РБВ-3006 ФМН-1106С SLA5096 диод ry2a
    транзистор 91 330

    Реферат: tlp 122 ТРАНЗИСТОР TLP635F 388 Транзистор R358 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120
    Текст: нет доступного текста файла


    OCR-сканирование
    PDF 4Н25А 4Н29А 4Н32А 6Н135 6Н136 6Н137 6Н138 6Н139 CNY17-L CNY17-M транзистор 91 330 тлп 122 ТРАНЗИСТОР TLP635F 388 транзистор Р358 395 транзистор транзистор ф 421 IC 4N25 симистор 40 РИА 120
    1999 – Системы горизонтального отклонения телевизора

    Реферат: РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА an363 TV горизонтальные системы отклонения 25 транзистор горизонтальная секция tv Горизонтальное отклонение переключающие транзисторы TV горизонтальные системы отклонения mosfet CRT TV электронная пушка горизонтальная секция в элт-телевидение TV трансформатор обратного хода
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF 16 кГц 32 кГц, 64 кГц, 100 кГц. Системы горизонтального отклонения телевизора РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА Ан363 Системы горизонтального отклонения телевизора 25 транзистор горизонтальной секции телевизор Переключающие транзисторы с горизонтальным отклонением Мосфет системы горизонтального отклонения телевизора ЭЛТ ТВ электронная пушка горизонтальная секция в ЭЛТ-телевизоре Обратный трансформатор для телевизора
    транзистор

    Аннотация: силовой транзистор npn к-220 PNP СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР TO220 транзистор PNP демпферный диод транзистор Дарлингтона 2SD2206A силовой транзистор npn транзистор дарлингтона TO220
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF 2СД1160 2СД1140 2СД1224 2СД1508 2SD1631 2SD1784 2СД2481 2SB907 2СД1222 2СД1412А транзистор силовой транзистор npn к-220 СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР PNP TO220 транзистор PNP демпферный диод Транзистор Дарлингтона 2СД2206А силовой транзистор нпн дарлингтон транзистор ТО220
    1999 – транзистор

    Реферат: POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2sk 2SK тип n-канальный полевой массив Низкочастотный силовой транзистор транзистор mp40 TRANSISTOR P 3 high hfe транзистор список
    Текст: Нет доступного текста файла


    Оригинал
    PDF X13769XJ2V0CD00 О-126) МП-25 О-220) МП-40 МП-45 МП-45Ф О-220 МП-80 МП-10 транзистор МОЩНЫЙ МОП-транзистор FET 2sj 2sk транзистор 2ск тип 2СК n-канальный полевой массив Силовой низкочастотный транзистор транзистор мп40 ТРАНЗИСТОР Р 3 высокочастотный транзистор список
    транзистор 835

    Реферат: Усилитель на транзисторе BC548 TRANSISTOR регулятор АУДИО Усилитель на транзисторе BC548 транзистор 81 110 w 85 транзистор 81 110 w 63 транзистор транзистор 438 TRANSISTOR GUIDE транзистор 649
    Текст: нет доступного текста файла


    OCR-сканирование
    PDF БК327; БК327А; до н.

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *