Транзистор smd: как расшифровать их кодовые обозначения

Содержание

как расшифровать их кодовые обозначения

Содержание:

Все радиодетали постоянно миниатюризируются, в первую очередь из-за сложности строения новых плат и необходимости уместить на них большое количество элементов. Встает вопрос о том, как указать на корпусе все технические характеристики. Для этого разработана специальная маркировка smd транзисторов, которая помогает прочитать электронщику все свой параметры.

С каждым годом маркировка усложняется, увеличивается, а площадь, на которую она наносится постоянно сокращается. В данной статье будет подробно рассмотрена вся имеющаяся маркировка, из чего она состоит, как ее прочитать и использовать. В качестве дополнения содержатся видеоролики с полезным материалом, а также файл, в котором перечислены необходимые условные обозначения.

Различные тразисторы.

Зачем нужна маркировка

Современному радиолюбителю сейчас доступны не только обычные компоненты с выводами, но и такие маленькие, темненькие, на которых не понять что написано, детали. Они называются “SMD”. По-русски это значит “компоненты поверхностного монтажа”. Их главное преимущество в том, что они позволяют промышленности собирать платы с помощью роботов, которые с огромной скоростью расставляют SMD-компоненты по своим местам на печатных платах, а затем массово “запекают” и на выходе получают смонтированные печатные платы. На долю человека остаются те операции, которые робот не может выполнить. Пока не может.

Маркировка на практике

Применение чип-компонентов в радиолюбительской практике тоже возможно, даже нужно, так как позволяет уменьшить вес, размер и стоимость готового изделия. Да ещё и сверлить практически не придётся. Другое важное качество компонентов поверхностного монтажа заключается в том, что благодаря своим малым размерам они вносят меньше паразитных явлений.

Дело в том, что любой электронный компонент, даже простой резистор, обладает не только активным сопротивлением, но также паразитными ёмкостью и индуктивностью, которые могут проявится в виде паразитных сигналов или неправильной работы схемы. SMD-компоненты обладают малыми размерами, что помогает снизить паразитную емкость и индуктивность компонента, поэтому улучшается работа схемы с малыми сигналами или на высоких частотах.

Разнообразные корпуса транзисторов.

Маркировка SMD компонентов

SMD компоненты все чаще используются в промышленных и бытовых устройствах. Поверхностный монтаж улучшил производительность по сравнению с обычным монтажом, так как уменьшились размеры компонентов, а следовательно и размеры дорожек. Все эти факторы снизили паразитические индуктивности и емкости в электрических цепях.

Код	Сопротивление
101	100 Ом
471	470 Ом
102	1 кОм
122	1.2 кОм
103	10 кОм
123	12 кОм
104	100 кОм
124	120 кОм
474	470 кОм

Полезная информация: как проверить транзистор с помощью мультимера.

Маркировка импортных SMD

Маркировка импортных SMD транзисторов происходит в основном по нескольким принятым системам. Одна из них – это система маркировки полупроводниковых приборов JEDEC.Согласно ей первый элемент – это число п-н переходов, второй элемент – тип номинал, третий – серийный номер, при наличие четвертого – модификации.

Вторая распространенная система маркировка – европейская. Согласно ей обозначение SMD транзисторов происходит по следующей схеме: первый элемент – тип исходного материала, второй – подкласс прибора, третий элемент – определение применение данного элемента, четвертый и пятый – основную спецификацию элемента.

Третьей популярной системой маркировки является японская. Эта система скомбинировала в себе две предыдущие. Согласно ей первый элемент – класс прибора, второй – буква S, ставится на всех полупроводниках, третий – тип прибора по исполнению, четвертый – регистрационный номер, пятый – индекс модификации, шестой – (необязательный) отношение к специальным стандартам.

Что бы к Вам ни попало в руки, для полной идентификации данного элемента следует применять маркировочные таблицы и по ним определить все характеристики данного элемента. По оценкам специалистов соотношение между производством ЭРЭ в обычном и SMD-исполнении должно приблизиться к 30:70. Многие радиолюбители уже начинают с успехом осваивать применение SMD в своих конструкциях.

Какие бывают стандарты маркировки

Маркировка, которая наносится на корпус SMD-элементов, как правило, отличается от их фирменных названий. Причина банальная – нехватка места из-за миниатюрности корпуса. Проблема особенно актуальна для ЭРЭ, которые размещаются в корпусах с шестью и менее выводами.

Это миниатюрные диоды, транзисторы, стабилизаторы напряжения, усилители и т.д. Для разгадки “что есть что” требуется проводить настоящую экспертизу, ведь по одному маркировочному коду без дополнительной информации очень трудно идентифицировать тип ЭРЭ. С момента появления первых SMD-приборов прошло более 20 лет.

Несмотря на все попытки стандартизации, фирмы-изготовители до сих пор упорно изобретают все новые разновидности SMD-корпусов и бессистемно присваивают своим элементам маркировочные коды.

Материал в тему: прозвон транзистора своими руками.

Полбеды, что наносимые символы даже близко не напоминают наименование ЭРЭ, – хуже всего, что имеются случаи “плагиата”, когда одинаковые коды присваивают функционально разным приборам разных фирм.

Тип	Наименование ЭРЭ	Зарубежное название
A1	Полевой N-канальный транзистор	Feld-Effect Transistor (FET), N-Channel
A2	Двухзатворный N-канальный полевой транзистор	Tetrode, Dual-Gate
A3	Набор N-канальных полевых транзисторов	Double MOSFET Transistor Array
B1	Полевой Р-канальный транзистор	MOS, GaAs FET, P-Channel
D1	Один диод широкого применения	General Purpose, Switching, PIN-Diode
D2	Два диода широкого применения	Dual Diodes
D3	Три диода широкого применения	Triple Diodes
D4	Четыре диода широкого применения	Bridge, Quad Diodes
E1	Один импульсный диод	Rectifier Diode
E2	Два импульсных диода	Dual
E3	Три импульсных диода	Triple
E4	Четыре импульсных диода	Quad
F1	Один диод Шоттки	AF-, RF-Schottky Diode, Schottky Detector Diode
F2	Два диода Шоттки	Dual
F3	Три диода Шоттки	Tripple
F4	Четыре диода Шоттки	Quad
K1	“Цифровой” транзистор NPN	Digital Transistor NPN
K2	Набор “цифровых” транзисторов NPN	Double Digital NPN Transistor Array
L1	“Цифровой” транзистор PNP	Digital Transistor PNP
L2	Набор “цифровых” транзисторов PNP	Double Digital PNP Transistor Array
L3	Набор “цифровых” транзисторов \| PNP, NPN	Double Digital PNP-NPN Transistor Array
N1	Биполярный НЧ транзистор NPN (f < 400 МГц)	AF-Transistor NPN
N2	Биполярный ВЧ транзистор NPN (f > 400 МГц)	RF-Transistor NPN
N3	Высоковольтный транзистор NPN (U > 150 В)	High-Voltage Transistor NPN
N4	“Супербета” транзистор NPN (г“21э > 1000)	Darlington Transistor NPN
N5	Набор транзисторов NPN	Double Transistor Array NPN
N6	Малошумящий транзистор NPN	Low-Noise Transistor NPN
01	Операционный усилитель	Single Operational Amplifier
02	Компаратор	Single Differential Comparator
P1	Биполярный НЧ транзистор PNP (f < 400 МГц)	AF-Transistor PNP
P2	Биполярный ВЧ транзистор PNP (f > 400 МГц)	RF-Transistor PNP
P3	Высоковольтный транзистор PNP (U > 150 В)	High-Voltage Transisnor PNP
P4	“Супербета” транзистор PNP (п21э > 1000)	Darlington Transistor PNP
P5	Набор транзисторов PNP	Double Transistor Array PNP
P6	Набор транзисторов PNP, NPN	Double Transistor Array PNP-NPN
S1	Один сапрессор	Transient Voltage Suppressor (TVS)
S2	Два сапрессора	Dual
T1	Источник опорного напряжения	“Bandgap”, 3-Terminal Voltage Reference
T2	Стабилизатор напряжения	Voltage Regulator
T3	Детектор напряжения	Voltage Detector
U1	Усилитель на полевых транзисторах	GaAs Microwave Monolithic Integrated Circuit (MMIC)
U2	Усилитель биполярный NPN	Si-MMIC NPN, Amplifier
U3	Усилитель биполярный PNP	Si-MMIC PNP, Amplifier
V1	Один варикап (варактор)	Tuning Diode, Varactor
V2	Два варикапа (варактора)	Dual
Z1	Один стабилитрон	Zener Diode

Зарубежная маркировка SMD

В таблице ниже обобщена информация о маркировочных кодах полупроводниковых приборов ведущих зарубежных фирм. Для компактности в настоящий справочный материал не включены приборы-двойники, имеющие одинаковую маркировку и одинаковое название, но производимые разными изготовителями. Например, транзистор BFR93A выпускается не только фирмой Siemens, но и Philips Semiconductors, и Temic Telefunken.

Таблица маркировочных кодах полупроводниковых приборов ведущих зарубежных фирм.

Среди 18 представленных типов корпусов наиболее часто встречается SOT-23 – Small Outline Transistor. Он имеет почтенный возраст и пережил несколько попыток стандартизации.

Выше были приведены нормы конструктивных допусков, которыми руководствуются разные фирмы. Несмотря на рекомендации МЭК, JEDEC, EIAJ, двух абсолютно одинаковых типоразмеров в табл.1 найти невозможно.

Интересно почитать: что такое биполярные транзисторы.

Приводимые сведения будут подспорьем специалистам, ремонтирующим импортную радиоаппаратуру. Зная маркировочный код и размеры ЭРЭ, можно определить тип элемента и фирму-изготовитель, а затем по каталогам найти электрические параметры и подобрать возможную замену.

Кроме того, многие фирмы используют свои собственные названия корпуса. Следует отметить, что отечественные типы корпусов, такие как КТ-46 – это аналог SOT-23, KT-47 – это аналог SOT-89, КТ-48 – это аналог SOT-143, были гостированы еще в 1988 году.

Выпущенные за это время несколько десятков разновидностей отечественных SMD-элементов маркируют, как правило, только на упаковочной таре, транзисторы КТ3130А9 – еще и разноцветными метками на корпусе. Самые “свежие” типы корпусов – это SOT-23/5 (или, по-другому, SOT-23-5) и SOT-89/5 (SOT-89-5), где цифра “5” указывает на количество выводов.

Назвать такие обозначения удачными – трудно, поскольку их легко можно перепутать с трехвыводными SOT-23 и SOT-89. В продолжение темы заметим, что появились сообщения о сверхминиатюрном 5-выводном корпусе SOT-323-5 (JEDEC specification), в котором фирма Texas Instruments планирует выпускать логические элементы PicoGate Logic серии ACh2G и ACHT1G.

Из всех корпусов “случайным” можно назвать относительно крупногабаритный SOT-223. Обычно на нем помещаются если не все, то большинство цифр и букв названия ЭРЭ, по которым однозначно определяется его тип. Несмотря на миниатюрность SMD-элементов, их параметры, включая рассеиваемую мощность, мало чем отличаются от корпусных аналогов.

Для сведения, в справочных данных на транзисторы в корпусе SOT-23 указывается максимально допустимая мощность 0,25-0,4 Вт, в корпусе SOT-89 – 0,5-0,8 Вт, в корпусе SOT-223 – 1-2 Вт.

Маркировочный код элементов может быть цифровым, буквенным или буквенно-цифровым. Количество символов кода от 1 до 4, при этом полное наименование ЭРЭ содержит 5-14 знаков.

Материал в тему: как проверить полевой транзистор.

Самые длинные названия применяют:

американская фирма Motorola,
японская Seiko Instruments
тайваньская Pan Jit.

Код	Тип	ЭРЭ	Фирма	Рис.	Код	Тип	ЭРЭ	Фирма	Рис.
Код	Тип	ЭРЭ	Фирма	Рис.	7E	MUN5215DW1T1	K2	MO	2Q
11	MUN5311DW1T1	L3	MO	2Q	7F	MUN5216DW1T1	K2	MO	2Q
12	MUN5312DW1T1	L3	MO	2Q	7G	MUN5230DW1T1	K2	MO	2Q
12	INA-12063	U2	HP	2Q	7H	MUN5231DW1T1	K2	MO	2Q
13	MUN5313DW1T1	L3	MO	2Q	7J	MUN5232DW1T1	K2	MO	2Q
14	MUN5314DW1T1	L3	MO	2Q	7K	MUN5233DW1T1	K2	MO	2Q
15	MUN5315DW1T1	L3	MO	2Q	7L	MUN5234DW1T1	K2	MO	2Q
16	MUN5316DW1T1	L3	MO	2Q	7M	MUN5235DW1T1	K2	MO	2Q
1С	BC847S	N5	SI	2Q	81	MGA-81563	U1	HP	2Q
1P	BC847PN	P6	SI	2Q	82	INA-82563	U1	HP	2Q
31	MUN5331DW1T1	L3	MO	2Q	86	INA-86563	U1	HP	2Q
32	MUN5332DW1T1	L3	MO	2Q	87	INA-87563	U1	HP	2Q
33	MUN5333DW1T1	L3	MO	2Q	91	IAM-91563	U1	HP	2Q
34	MUN5334DW1T1	L3	MO	2Q	A2	MBT3906DW1T1	P5	MO	2Q
35	MUN5335DW1T1	L3	MO	2Q	A3	MBT3906DW9T1	P5	MO	2Q
36	ATF-36163	A1	HP	2Q	A4	BAV70S	E4	SI	2Q
3C	BC857S	P5	SI	2Q	E6	MDC5001T1	U3	MO	2Q
3X	MUN5330DW1T1	L3	MO	2Q	H5	MBD770DWT1	F2	MO	2Q
46	MBT3946DW1T1	P6	MO	2Q	II	AT-32063	N2	HP	2Q
51	INA-51063	U2	HP	2Q	M1	CMY200	U1	SI	2R
52	INA-52063	U2	HP	2Q	M4	MBD110DWT1	F2	MO	Q
54	INA-54063	U2	HP	2Q	M6	MBF4416DW1T1	A3	MO	2Q
6A	MUN5111DW1T1	L2	MO	2Q	MA	MBT3904DW1T1	N5	MO	2Q
6B	MUN5112DW1T1	L2	MO	2Q	MB	MBT3904DW9T1	N5	MO	2Q
6C	MUN5113DW1T1	L2	MO	2Q	MC	BFS17S	N5	SI	2Q
6D	MBF5457DW1T1	A3	MO	2Q	RE	BFS480	N5	SI	2Q
6D	MUN5114DW1T1	L2	MO	2Q	RF	BFS481	N5	SI	2Q
6E	MUN5115DW1T1	L2	MO	2Q	RG	BFS482	N5	SI	2Q
6F	MUN5116DW1T1	L2	MO	2Q	RH	BFS483	N5	SI	2Q
6G	MUN5130DW1T1	L2	MO	2Q	T4	MBD330DWT1	F2	MO	2Q
6H	MUN5131DW1T1	L2	MO	2Q	W1	BCR10PN	L3	SI	2Q
6J	MUN5132DW1T1	L2	MO	2Q	WC	BCR133S	K2	SI	2Q
6K	MUN5133DW1T1	L2	MO	2Q	WF	BCR08PN	L3	SI	2Q
6L	MUN5134DW1T1	L2	MO	2Q	WK	BCR119S	K2	SI	2Q
6M	MUN5135DW1T1	L2	MO	2Q	WM	BCR183S	K2	SI	2Q
7A	MUN5211DW1T1	K2	MO	2Q	WP	BCR22PN	L3	SI	2Q
7B	MUN5212DW1T1	K2	MO	2Q	Y2	CLY2	A1	SI	2R
7C	MUN5213DW1T1	K2	MO	2Q	6s	CGY60	U1	SI	2R
7D	MUN5214DW1T1	K2	MO	2Q	Y7s	CGY62	U1	SI	2R

Заключение

Рейтинг автора

Написано статей

Информация о маркировочных кодах, содержащаяся в литературе, требует критического подхода и осмысления. К сожалению, красиво оформленный каталог с безукоризненной полиграфией не гарантируют от опечаток, ошибок, разночтений и противоречий, поэтому исходите из данных, что приведены в справочнике о маркировке радиоэлементов.

В заключение хотелось бы поблагодарить источники, которые были использованы для подбора материала к данной статье:

www.mp16.ru

www.rudatasheet.ru

www.texnic.ru

www.solo-project.com

www.ra4a.narod.ru

ПолупроводникиЧто такое биполярный транзистор

ПолупроводникиSMD транзисторы

SMD Транзисторы в SOT корпусах

Маркировка	Код	Характеристики транзистора
BC807- 40	5C	Биполярный транзистор в SOT 23, pnp, 45 B, 500 мА, hFE 250 – 600
BC817- 40	6C	Биполярный транзистор в SOT 23, npn, 45 В, 500 мА, hFE 250 – 600
BC847B	1Fp	Биполярный транзистор в SOT 23, npn, 45 В, 100 мА, hFE 200 – 450
BC847BDW1T1	1F	Два транзистора в SOT363, npn, 45 В, 100 ма, hFE 420 – 800
BC847BW	1F	Биполярный транзистор в SOT 323, npn, 45 В, 100 мА, hFE 220 – 475
BC847C	1Gp	Биполярный транзистор в SOT 23, npn, 45 В, 100 мА, hFE 420 – 800
BC847CW	1G	Биполярный транзистор в SOT 323, npn, 45 В, 100 мА, hFE 420 – 800
BC857B	3Fp	Биполярный ранзистор в SOT 23, pnp, 45 В, 100 мА, hFE 220 – 475
BC857BDW1T1	3F	Два транзистора в SOT363, pnp, 45 В, 100 ма, hFE 420 – 800
BC857BW	3F	Биполярный транзистор в SOT 323, pnp, 45 В, 100 мА, hFE 220 – 475
BC857C	3Gp	Биполярный транзистор в SOT 23, pnp, 45 В, 100 мА, hFE 420 – 800
BC857CW	3G	Биполярный транзистор в SOT 323, p-n-p, 45 В, 100 мА, hFE 420 – 800
BFG520/XR	N48	СВЧ транзистор в SOT143R, 15 B, 70 мA, 9 ГГц
BFG541	BFG541	СВЧ транзистор в SOT223, 20 В, 120 мА, 9 ГГц
BFG591	BFG591	СВЧ транзистор в SOT223, 20 В, 200 мА, 7 ГГц
BFR92A	P2p	СВЧ транзистор в SOT23, 15 В, 25 мА, 5 ГГц
BFR93A	R2	СВЧ транзистор в SOT23, 12 В, 35 мА, 5 ГГц
BFS17A	E2p	ВЧ транзистор в SOT23, 15 В, 25 мА, 2,8 ГГц
BSS138PS,115	NZ	MOSFET транзистор в SOT 363, двойной N-канал, 60 В 0,32 А
FDS6982AS		MOSFET сборка в SO-8, N-канал, 30 В, 8,6 А
HE8050GD-AB3-R		Транзистор средней мощности в SOT 89, n-p-n, 25 В, 1500 мА, hFE 85 – 500
HE8550LD-AB3-R		Транзистор средней мощности в SOT 89, p-n-p, 25 В, 1500 мА, hFE 85 – 500
IRFR5305TRPBF		MOSFET транзистор в TO-252-3, P-канал, 55 В, 31 А
IRF5305PBF		MOSFET транзистор в TO-220AB, P-канал, 55 В, 31 А
IRLML2502TRPBF	1G	MOSFET транзистор в SOT 23, N-канал, 20 В 4,2 А
IRLML5203TRPBF	1H	MOSFET транзистор в SOT 23, N-канал, 30 В 3,0 А
IRLML6401TRPBF	1F	MOSFET транзистор в SOT 23, P-канал, 12 В, 4,3 А
KST42	1D	Биполярный транзистор в SOT 23, npn, 300 B, 500 мА, hFE > 25
MMBT3904LT1	1AM	Биполярный транзистор в SOT 23, npn, 40 В, 200 мА, hFE 100 – 300
MMBT3906LT1	2A	Биполярный транзистор в SOT 23, pnp, 40 В, 200 мА, hFE 100 – 300
MMBT2222ALT1	1P	Транзистор средней мощности в SOT 23, npn, 40 В, 600 мА, hFE 75 – 300
MMBTA42LT1	1D	Высоковольтный транзистор в SOT 23, npn, 300 В, 500 мА, hFE >25
MMBTA92LT1	2D	Высоковольтный транзистор в SOT 23, pnp, 300 В, 500 мА, hFE >25
2SD2114KW		Составной транзистор Дарлингтона в SOT 23, npn, 20 В, 500 мА, hFE 1200 – 2700
UMF5N	5F	Транзисторный ключ в SOT363, pnp/npn, 12/50 В, 500/30 мА, hFE 270 – 680
UMD9N	D9	Два транзисторных ключа в SOT363, pnp/npn, 50 В 100 мА, hFE min 68

Цены в формате .

pdf, .xls

Транзистор для поверхностного монтажа (SMD-транзистор)

Транзистор для поверхностного монтажа в мобильном телефоне — SMT-транзистор представляет собой компонент SMD, изготовленный из полупроводников, таких как кремний или германий. Типы SMD-транзисторов: NPN, PNP

Транзистор для поверхностного монтажа или SMT-транзистор представляет собой электронный компонент SMD, изготовленный из полупроводникового материала, такого как кремний или германий. Существует 2 типа транзисторов для поверхностного монтажа:

Тип NPN
ПНП Тип

Содержание

Выводы транзистора

Имеется три вывода транзистора для поверхностного монтажа или сквозного транзистора:

Амперметр (E) – Течет ток при получении прямого смещения. Электроны испускаются в NPN-транзисторах, тогда как PNP-транзисторы излучают « дырок ».
Коллектор (C) – Вывод транзистора, принимающий испускаемые электроны или дырки. Коллектор всегда работает или в режиме обратного смещения.
Основание (B) – Слой между амперметром и коллектором называется основанием. База демонстрирует свойство показывать низкое сопротивление при прямом смещении перехода амперметра и высокое при обратном смещении коллекторного перехода.

Факты о транзисторе

Символ : Q или V, TR
Функция : Переключение, усиление, регулирование напряжения.
Модуль : Транзисторы идентифицируются в соответствии с кодом.

Цифровой транзистор для поверхностного монтажа

Цифровой транзистор, сопротивление встроено в базу и амперметр. Этот транзистор также называется RET ( Resistance Equipped Transistor ). Этот тип транзистора используется в мобильных телефонах для уменьшения потребляемого тока.

Полевой транзистор (FET)

Этот тип транзистора управляется напряжением, а не током. Протекание рабочего тока через полупроводниковый канал переключается и регулируется действием электрического заряда в области вблизи канала, называемой затвором. Это так называемый униполярный транзистор. FET может быть типа P-Channel или типа N-Channel.

Metal Oxide Semiconductor (MOSFET)

MOSFET – это активные полупроводниковые компоненты. MOSFET имеет 3 вывода – исток, сток и затвор. Существует 2 типа MOSFET:

P-Channel MOSFET ( PMOS )
N-канальный MOSFET ( NMOS )

Как читать код SMD-транзистора

Все SMD-транзисторы маркируются кодами для обозначения типа используемого полупроводника и типа транзистора.

Здесь я объясняю, как читать код SMD-транзистора:

Первый алфавит:

A = Германий
B = Кремний
C = арсенид галлия
D = антимид индия

Второй алфавит:

C = Усилитель звуковой частоты
D = Усилитель мощности звуковой частоты
F = Радиочастотный усилитель малой мощности
P = Радиочастотный усилитель высокой мощности

Следовательно, идентификация транзистора с кодом BC486 будет:

B = Кремний
C = Усилитель звуковой частоты
Транзистор = Кремниевый усилитель звуковой частоты

Дополнительные примеры:

BD 187 = B для кремния, D для усилителя мощности звуковой частоты
AD 486 = A для германия, D для усилителя мощности звуковой частоты
AC 140 = A для германия, C для усилителя звуковой частоты

7CW SMD транзистор Цена

0 Корзина

(0 отзывы)

Расчетное время доставки: 2 дня

Цена:

~~1,50 рупий /ПК~~

Цена со скидкой:

1,20 рупий /ПК

Количество:

(В наличии)

Продано

Электрический ученик

2/kalibari Road, Pachim Hanki, Khowai, Tripura, 799202

(0 отзывы клиентов)

Самые продаваемые продукты

Описание Загрузки обзоры

7CW SMD Transistor MMBT2222A Переключающий транзистор NPN.

Переключающий транзистор NPN в пластиковом корпусе SOT23. Дополнение PNP: PMBT2907A.

ХАРАКТЕРИСТИКИ :

Высокий ток (макс. 600 мА)
Низкое напряжение (макс. 40 В).
Коммутация и линейное усиление.
MARKING CODE : 7CW
TYPE NUMBER : MMBT2222A

Using a Transistor :

Inverter and UPS
Other Electronic Device
PACKAGE : SOT23

LIMITING VALUES :

Напряжение коллектор-база ВКВО с открытым эмиттером − 75 В
Напряжение коллектор-эмиттер VCEO разомкнутая база − 40 В
VEBO напряжение эмиттер-база с открытым коллектором − 6 В
Ток коллектора ИС (постоянный) − 600 мА
Пиковый ток коллектора ICM – 800 мА
Пиковый базовый ток IBM – 200 мА
Ptot суммарная мощность рассеяния Tamb ≤ 25 °C; примечание 1 – 250 мВт
Tstg температура хранения −65 +150 °C
Температура перехода Tj – 150 °C
Работая температура окружающей среды TAMB -65 +150 ° C

7CW SMD Транзисторная распуская :

Загрузить спецификацию SMD транзистора 7CW PDF

На этот товар еще не было отзывов.