SS8050 транзистор характеристики: цоколевка, аналоги и datasheet
Главная » Транзисторы
Биполярный кремниевый N-P-N транзистор SS8050 по своим характеристикам и параметрам, предназначен для общего назначения коммутации и усиления. Особенностью его является то, что он выдерживает высокий ток и использует только низкое напряжение. Приведем его основные физические данные:
- Корпус — ТО-92;
- Материал изготовления-пластик;
- Выводы — пайка в MIL-STD-202;
- Методика 208;
- Комплиментарная пара — SS8550.
Ниже в таблице приведем предельно допустимые электрические режимы эксплуатации при Токр. среды = 25 ˚C:
| Обозначение | Параметр | Значение | Единицы измерения |
|---|---|---|---|
| Uкб max | Напряжение коллектор-база | 40 | В |
| Uкэ max | Напряжение коллектоp-эмиттер | 25 | В |
| Uэб max | Напряжение эмиттер-база | 6 | В |
| Iк max | Постоянный ток коллектора | 1. 5 | А |
| Pк max | Рассеиваемая мощность коллектора | 1 | Вт |
| Тj | Температура перехода | 150 | ˚C |
| Tamb | Диапазон рабочих температур | -65 до 150 | ˚C |
| Tstg | Диапазон температур хранения | -65 до 150 | ˚C |
Теперь рассмотрим электрические характеристики транзистора SS8050:
| Обозначение | Параметр | Условия испытания | Mин. | Тип | Maкс. | Единицы измерения |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Uкб проб. | Коллектор-база напряжение пробоя | IК=100 мкA, IЭ=0 | 40 | – | – | В |
| Uкэ проб. | Коллектор-эмиттер напряжение пробоя | IК=2 мA, IБ=0 | 25 | – | – | В |
| Uэб проб. | Эмиттер-база напряжение пробоя | IЭ=100 мкA, IК=0 | 6 | – | – | В |
| Iкбо | Коллектор-база ток отсечки | Uкб=35В, IЭ=0 | – | – | 100 | нА |
| Iэбо | Эмиттер-база ток отсечки | Uэб=6В, IК=0 | – | – | 100 | нА |
| h31Э | Статический коэффициент передачи тока | IК=5 мA, Uкэ=1. 0ВSS8050А SS8050B SS8050C SS8050D IК=100 мA, Uкэ=1.0В IК=800 мA, Uкэ=1.0В | – 45 85 120 160 85 40 | – 135 – – – 160 110 | – – 160 200 300 300 – | – – – – – – – |
| Uкэ(нас) | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | IК=800 мA, IБ=80 мA | – | 0.28 | В | |
| Uбэ(нас) | Напряжение насыщения база-эмиттер | IК=800 мA, IБ=80мA | – | 0.98 | В | |
| Uбэ(вкл.) | Напряжение включения база-эмиттер | lр IК=1 0 мA, Uкэ=1B | – | 0.66 | В | |
| Ск | Емкость коллекторного перехода | Uкб=10 В, IЭ=0, f=1мГц | – | 9 | пФ | |
| fгр. | Граничная частота коэф. передачи тока | Uкэ=10 B, IК=50мA, f=100 МГц | 100 | 190 | МГц |
Но также транзисторы серии SS8050 разделяются на группы по коэффициенту усиления (по току, напряжению или мощности) на следующие виды:
- SS8050B транзистор обладает коэффициентом усиления в диапазоне от 85 до 160;
- SS8050C — в диапазоне от 120 до 200;
- SS8050D — имеет коэффициент в диапазоне от 160 до 300.
Цоколевка транзистора SS8050
Цоколевка данного транзистора ничем не отличается от его сверстников, он имеет 3 жестких контакта (ножки):
- Эмиттер;
- База;
- Коллектор.
Внимание! Будьте осторожны при пайке, делайте это не ближе 5мм от основания.
Аналоги
Если вдруг под рукой нет SS8050, то его можно заменить на аналоги со схожими характеристиками:
- MPS8050;
- MPS650;
- MPS651;
- MPS651G.
Представленные выше транзисторы лучше российских аналогов и найти их можно в любой радиолавки или в интернете. А также более подробную информация можно найти в DataSheet устройства SS8050, там вы увидите графики тестирования и много другой углубленной информации.
Биполярные
характеристики (параметры), цоколевка, отечественные аналоги
Главная » Транзистор
- Биполярный кремниевый;
- Структура NPN;
- Корпус ТО-92;
- С транзистором SS8550 образуют комплементарную пару.
Содержание
- Корпус, цоколевка и маркировка
- Применение
- Таблица предельно допустимых значений
- Электрические характеристики
- Модификации транзистора
- Импортные и отечественные аналоги транзистора D209L
- Графические данные (эксплуатационные характеристики)
Корпус, цоколевка и маркировка
- SS8050 – наименование транзистора,
- Z – группа, классификация по hFE, смотри раздел «Модификации транзистора»
- ХХХ – маркировочный код.
В нижнем торце корпуса имеются три гибких вывода. Если смотреть на переднюю часть корпуса с информацией, вывода слева направо — эмиттер, база, коллектор.
Применение
По совокупности технических параметров является среднечастотным транзистором средней мощности универсального применения. Используется в источниках питания, устройствах управления нагрузкой низкого напряжения небольшой мощности, переключающих схемах разнообразного назначения и усилителях НЧ и СЧ диапазона.
Таблица предельно допустимых значений
Работа транзистора с превышением значений, указанных в таблице, может его повредить или нарушить функционирование: пропадут или изменятся усилительные и переключающие характеристики полупроводникового прибора. Не рекомендуется допускать режимы с такими нагрузками. Кроме того, длительная работа с превышением предельных значений может повлиять на надежность радиокомпонента в будущем.
Параметры таблицы действительны для температуры окружающей среды +25°C.
| Обозначение | Параметр | Величина | Ед.изм. |
|---|---|---|---|
| VCBO | Напряжение коллектор-база | 40 | V |
| VCEO | Напряжение коллектор-эмиттер | 25 | V |
| VEBO | Напряжение эмиттер-база | 5 | V |
| IC | Постоянный ток коллектор | 1,5 | A |
| PD | Мощность рассеяния | 625 | W |
| RθJA | Тепловое сопротивление корпус-воздух | 200 | °С/W |
| TJ, TSTG | Температурный диапазон хранения и функционирования | -55…+150 | °С |
Электрические характеристики
Параметры действительны при температуре воздуха 25℃.
| Обозначение | Параметр | Условия измерения | Мин. | Макс. | Ед. изм. |
|---|---|---|---|---|---|
| V(BR)CBO | Пробивное напряжение коллектор-база | IC=100uA, IE=0 | 40 | V | |
| V(BR)CEO | Пробивное напряжение коллектор-эмиттер | IC=0.1mA, IB=0 | 25 | V | |
| V(BR)EBO | Пробивное напряжение эмиттер-база | IE=100μA, IC=0 | 5 | V | |
| ICBO | Ток отсечки коллектора | VCB=40V, IE=0 | 0,1 | μA | |
| ICEO | Ток отсечки эмиттера | VCE=20V, IE=0 | 0,1 | μA | |
| IEBO | Ток отсечки эмиттера | VEB=5V, IC=0 | 0,1 | μA | |
| hFE(1) | Коэффициент усиления по постоянному току | VCE=1V, IC=100mA | 85 | ||
| hFE(2) | VCE=1V, IC=800mA | 40 | |||
| VCE(sat) | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | IC=800mA, IB=80mA | 0,5 | V | |
| VBE(sat | Напряжение насыщения база-эмиттер | IC=800mA, IB=80mA | 1,2 | V | |
| VBE | Напряжение база-эмиттер | VCE=1V, IC=10mA | 1 | V | |
| fT | Граничная частота | VCE=10V, IC=50mA, f=30MHz | 100 | MHz |
Модификации транзистора
По диапазону коэффициента усиления по току транзисторы подразделяются на 4 модификации.
В маркировке это отражается латинской буквой. Соответствие буквенной маркировки и конкретных значений диапазонов hFE, приведены в таблице.
| типы | B | C | D | D3 |
|---|---|---|---|---|
| hFE1 | 85…160 | 120…200 | 160…300 | 300…400 |
Импортные и отечественные аналоги транзистора D209L
| Аналог | VCEO | IC | PC | hFE | fT |
|---|---|---|---|---|---|
| SS8050 | 25 | 1,5 | 1 | 85 | 100 |
| Отечественное производство | |||||
| КТ698В | 50 | 2 | 0,6 | 50 | 150 |
| КТ6117А | 160 | 0,6 | 0,625 | 80 | 100 |
| Импорт | |||||
| MPS8050 | 25 | 1,5 | 0,625 | 85 | 190 |
| MPS650 | 40 | 2 | 0,625 | 75 | 75 |
| MPS651 | 60 | 2 | 0,625 | 75 | 75 |
| 2SC4145 | 2 | 1,2 | 200 | ||
| 2SD1207 | 50 | 2 | 1 | 100 | 150 |
| 2SD1207R | 50 | 2 | 1 | 100 | 150 |
| 2SD1207S | 50 | 2 | 1 | 140 | 150 |
| 2SD1207T | 50 | 2 | 1 | 200 | 150 |
| 2SD1207U | 50 | 2 | 1 | 280 | 150 |
| 2SD1347 | 50 | 3 | 1 | 100 | 150 |
| 2SD1347R | 50 | 3 | 1 | 100 | 150 |
| 2SD1347S | 50 | 3 | 1 | 140 | 150 |
| 2SD1347T | 50 | 3 | 1 | 200 | 150 |
| 2SD1347U | 50 | 3 | 1 | 280 | 150 |
| 2STL1360 | 60 | 3 | 1,2 | 160 | 130 |
| 2STX1360 | 60 | 3 | 1 | 160 | 130 |
| CD1207 | 50 | 2 | 1 | 100 | 150 |
| KTC3205 | 30 | 2 | 1 | 100 | |
| KTD1347 | 50 | 3 | 1 | 100 | 150 |
| SK3849 | 50 | 1,5 | 1 | 120 | 200 |
| SM2283 | 25 | 8 | 1 | 100 | 100 |
| STC4250L | 50 | 2 | 2 | 120 | 240 |
| STSA1805 | 60 | 5 | 1,1 | 85 | 150 |
| STSA851 | 60 | 5 | 1,1 | 85 | 130 |
| STX112 | 100 | 2 | 1,2 | 1000 | |
| TSC5988CT | 60 | 5 | 1 | 120 | 130 |
Примечание: параметры аналогов в таблице взяты из даташип производителя.
Графические данные (эксплуатационные характеристики)
Рис.1. Зависимость тока коллектора (IC) от напряжения коллектор-эмиттер (VCE).
Рис.2. Зависимость коэффициента усиления (hFE) от тока коллектора (IC).
Рис.3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)) от тока коллектора (IC).
Рис.4. Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер (VBE(sat)) от тока коллектора (IC).
Рис.5. Зависимость тока коллектора (IC) от напряжения база-эмиттер (VBE).
Рис.6. Зависимость емкости (C) от обратного напряжения (V).
Рис.7. Зависимость граничной частоты (fT) от тока коллектора (IC).
Рис.8. Зависимость мощности рассеяния (РС) от температуры воздуха (Та).
SS8050 – Эпитаксиальный кремниевый транзистор
%PDF-1.4 НПН % 1 0 объект > эндообъект 5 0 объект > эндообъект 2 0 объект > эндообъект 3 0 объект > эндообъект 4 0 объект > транслировать 2022-02-04T10:27:16+01:00BroadVision, Inc.2022-02-04T10:27:44+01:002022-02-04T10:27:44+01:00Acrobat Distiller 18.0 (Windows)application/pdf
S8050 Распиновка транзистора, характеристики, эквивалент, схема и техническое описание
1 мая 2018 – 0 комментариев
Номер контакта | Название контакта | Описание |
1 | Излучатель | Утечка тока через эмиттер |
2 | База | Управляет смещением транзистора |
3 | Коллектор | Ток протекает через коллектор |
Характеристики и характеристики
- Низковольтный, сильноточный транзистор NPN
- Малый сигнальный транзистор
- Максимальная мощность: 2 Вт
- Максимальное усиление постоянного тока (hFE) равно 400
- Непрерывный ток коллектора (IC) составляет 700 мА
- Напряжение база-эмиттер (VBE) составляет 5 В
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCE) равно 20 В
- Напряжение коллектор-база (VCB) составляет 30 В
- High Используется в двухтактной конфигурации усилителей Doe класса B
- Доступен в пакете To-92
Примечание.
Полную техническую информацию по можно найти в техническом описании S8050 , приведенном в конце этой страницы.
Дополнительные транзисторы PNP
S8550
Alternative NPN Transistors
S9014, MPSA42, SS8050, BC547, 2N2369, 2N3055, 2N3904, 2N3906
S8050 Equivalent Transistors
2N5830, S9013
Brief Описание S8050
S8050 представляет собой NPN-транзистор , следовательно, коллектор и эмиттер остаются открытыми (смещены в обратном направлении), когда базовый вывод удерживается на земле, и закрываются (смещены в прямом направлении), когда сигнал подается на базовый штифт. Он имеет максимальное значение усиления 400; это значение определяет усилительную способность транзистора в обычном режиме С8050. Поскольку он очень высокий, его обычно используют для усиления.
Однако при нормальном рабочем токе коллектора типичное значение коэффициента усиления будет равно 110. Максимальный ток, который может протекать через вывод коллектора, составляет 700 мА, поэтому мы не можем управлять нагрузками, потребляющими более 700 мА, с помощью этого транзистора. Чтобы сместить транзистор, мы должны подать ток на вывод базы, этот ток (IB) должен быть ограничен 5 мА.
Когда этот транзистор полностью смещен, он может пропускать ток до 700 мА через коллектор и эмиттер. Этот этап называется областью насыщения, и типичное напряжение, допустимое на коллектор-эмиттер (VCE) или коллектор-база (VCB), может составлять 20 В и 30 В соответственно. Когда ток базы удаляется, транзистор полностью закрывается, этот этап называется областью отсечки.
S8050 в двухтактной конфигурации
Как указано в особенности транзистора S8050 обычно используются в двухтактной конфигурации с усилителем класса B. Итак, давайте обсудим, как это делается.
