Универсальный внешний накопитель для всех iOS-устройств, совместим с PC/Mac, Android
Header Banner
8 800 100 5771 | +7 495 540 4266
c 9:00 до 24:00 пн-пт | c 10:00 до 18:00 сб

Транзистор тип 41: TIP41 , , datasheet, , ,

0 Comments

Содержание

TIP41C транзистор характеристики, datasheet, цоколевка, аналоги

Технические характеристики биполярного силового транзистора TIP41C позволяют использовать его в усилителях мощности и управляющих схемах, в которых нужна высокая скорость переключения. Также, их часто можно встретить в выходных каскадах высококачественных системах Hi-Fi. Данный компонент изготавливается из кремния (Si) по планарной технологии и имеет n-p-n структуру .

Цоколевка

Распиновка  TIP41C выполнена в корпусе (ТО-220), он изготавливается из пластмассы и имеет три жестких вывода. Как показано на рисунке ниже, их назначение у данного транзистора такое: первый вывод слева — база, второй – коллектор, третий – эмиттер.

Радиатор ТО-220 конструктивно объединен с коллекторным выводом. Эта особенность большинства транзисторов в подобном исполнении. Однако стоит отметить, что такое соединение отсутствует у устройства в полностью изолированном корпусе TO-220F (от Unisonic Technologies), так как у  него попросту отсутствует металлизированный теплоотвод.

Характеристики

Транзистор TIP41c характеризуются следующими предельно допустимыми значениями, при температуре корпуса  (TC) не более 25 оC:

  • Напряжение между коллектором базой (VCBO) не должно быть больше – 100 В.
  • Напряжение между коллектором и эмиттером (VCEO) должно быть менее – 100 В.
  • Максимально возможное напряжение между эмиттером и базой (VEBO) – 5 В.
  • Постоянный (DC) предельный ток коллектора (IC) – 6 А.
  • Кратковременный (импульсный) допустимый ток коллектора (ICP) – 10 A.
  • Минимальная граничная частота (FT) до 3 МГц.
  • Ток базы (IB) – 2 А.
  • Максимальная мощность рассеиваемая на коллекторе (PC) – 65 Вт, или 2 Вт (при Tокр.ср. =25 оC).
  • Максимальная температура перехода (TJ) – 150 о
  • Диапазон рабочих температур (TSTG) от -65 до +150 о

В спецификациях различных производителей его параметры обычно приводятся вместе с братьями-близнецами TIP41A и TIP41B. Они отличаются от рассматриваемого, только более низкими предельно допустимыми значениями пропускаемых напряжений. В остальном являются его полной копией.

Электрические

За превышение вышеприведенных предельных значений придется расплачивается покупкой нового устройства. Обобщенные электрические характеристики TIP41C, представлены в следующей таблице. Они так же приведены с учетом TC не превышающей 25 оC:

Особенности маркировки

Обозначение, выведенное на корпусе tip41C говорит о том, что он впервые был изготовлен на заводах американского производителя радиоэлектронных компонентов Texas Instruments. Первые две буквы «TI» указывают на маркировку этой известной компании, а последующая «P» на высокую мощность прибора (от английского слова «power»). Далее идет символ «С», который определяет принадлежность прибора к группе по максимально возможному напряжению в нагрузке (до 100 В).

В 2004 году ON Semiconductor, следуя новым экологическим нормам, выпустила усовершенствованный tip41CG.  Символ «G» указывает на отсутствие в устройстве свинца и соответствие его европейской директиве, ограничивающей содержание вредных веществ в радиоэлементах (Restriction of Hazardous Substances).

Аналоги и комплементарная пара

Для TIP41C замену или аналог достаточно сложно подобрать. Наиболее подходящими для него являются: 2SC2334, 2SD525, 2SD1059, BD711, BD911, BDT41C, MJE5180. Близкими по параметрам будут такие отечественные транзисторы как: КТ819Г и КТ8212А. В качестве комплементарной пары, в даташит многих производителей указан TIP42C.

Производители

Нажав по ссылке с именем производителя, можно скачать datasheet на tip41c, которых чаще всего встречается на прилавках российских магазинов: ON Semiconductor, Fairchild, STMicroelectronics и Inchange Semiconductor. Это полупроводниковый триод, изобретенный в 60-х года прошлого века компанией Texas Instruments, продолжают выпускать: KEC (Korea Electronics), Micro Commercial Components, Weitron Technology, Tiger Electronic, Thinki Semiconductor, Unisonic Technologies, Power Innovations, Boca Semiconductor Corporation, Wing Shing Computer Components, Dc Components, SemiHow, Inchange Semiconductor Company Limited, New Jersey Semi-Conductor Products, Guangdong Kexin Industrial, SeCoS Halbleitertechnologie GmbH и другие.

Звуковой усилитель класса В

В ходе данного эксперимента будет собран звуковой усилитель, который можно использовать для усиления выходного сигнала небольшого радиоприёмника, CD-плеера или другого источника звуковых сигналов. Для обработки стереофонического сигнала необходимо собрать два идентичных усилителя, — один для левого канала, а другой — для правого.

Для получения входного сигнала просто соедините усилитель с выходом радиоприёмника или другого звукового устройства следующим образом:

Представленный усилитель также хорошо подходит для усиления «линейных” аудиосигналов высококачественных модульных компонентов. Он обеспечивает значительную звуковую мощность при воспроизведении через достаточно мощную акустическую систему, и может эксплуатироваться без радиаторов на транзисторах (хотя прежде чем от них отказаться вам следует поэкспериментировать, поскольку рассеиваемая мощность зависит от используемой акустической системы).
 

НЕОБХОДИМЫЕ КОМПОНЕНТЫ

  • Четыре 6-вольтовых батарейки

  • Сдвоенный операционный усилитель, рекомендуемая модель TL082 (каталожный номер Radio Shack 276-1715)

  • Один мощный NPN-транзистор, тип корпуса TO-220 — (каталожный номер Radio Shack 276-2020 или эквивалентный)

  • Один мощный PNP-транзистор, тип корпуса TO-220 — (каталожный номер Radio Shack 276-2027 или эквивалентный)

  • Один переключающий диод 1N914 (каталожный номер Radio Shack 276-1620)

  • Один конденсатор, 47 мкФ, допустимое рабочее напряжение 35 В (каталожный номер Radio Shack 272-1015 или эквивалентный)

  • Два конденсатора, 0,22 мкФ, неполяризованные (каталожный номер Radio Shack 272-1070 или эквивалентные)

  • Один потенциометр 10 кОм с линейной функциональной характеристикой (каталожный номер Radio Shack 271-1715)

В представленной схеме необходимо использовать операционный усилитель с высокой скоростью нарастания выходного напряжения.

По этой причине не следует использовать ОУ LM741 или LM1458.

Чем ближе соответствуют друг другу транзисторы по своим параметрам, тем лучше. Если возможно, попробуйте найти транзисторы TIP41 и TIP42 — мощные NPN и PNP транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью 65 Вт. Если вам не удастся найти NPN-транзистор TIP41, то его вполне можно заменить транзистором TIP3055. Не следует использовать слишком большие транзисторы (например, в корпусе TO-3), поскольку в этом случае операционный усилитель будет с трудом обеспечивать достаточный ток на базы транзисторов, необходимый для корректной работы звукового усилителя.

Цели эксперимента

  • Как собрать двухтактный усилитель класса B на дополняющих транзисторах.

  • Искажение типа «ступенька» в схеме двухтактного усилителя.

  • Использование отрицательной обратной связи для исправления нелинейности схемы.

ПРИНЦИПИАЛЬНАЯ СХЕМА


 

РИСУНОК


 

ИНСТРУКЦИИ

Назначение любого усилителя — воспроизведение кривой входного сигнала с наибольшей возможной точностью. Абсолютная точность здесь невозможна, и любые отличия между выходным и входным сигналами называются искажениями. В случае звукового усилителя искажения могут проявляться в виде неприятных на слух звуков. Существует множество конфигураций звуковых усилителей, каждая из которых обладает своими преимуществами и недостатками. Данная схема представляет собой усилитель «класса B», или двухтактный усилитель.

Для большей части «мощных” усилителей характерна конфигурация класса B, в которой один транзистор пропускает в нагрузку ток в ходе одного полупериода, а второй — в ходе второго полупериода. В данной схеме ни один из транзисторов не остаётся включённым в ходе полного цикла, то есть для каждого из них имеется время для «отдыха» и остывания. Таким образом мы получаем энергоэффективный усилительный каскад, которому однако свойственны нелинейные искажения типа «ступенька», относящиеся к моментам перехода сигнала через нуль, которые очень заметны и неприятны на слух.

Ниже показана кривая, эквивалентная звуку постоянной высоты и постоянной громкости:

В двухтактном усилителе транзисторы усиливают поочерёдно отрицательную и положительную полуволны следующим образом:

Однако в момент «передачи управления» от одного транзистора к другому, вместо правильной синусоидальной формы сигнал на выходе усилителя может выглядеть следующим образом:

В данном случае искажение обусловлено тем, что между временем отключения одного транзистора и включением второго присутствует некоторая задержка.

Данный тип искажений, когда форма кривой становится плоской в точке перехода через нуль называют искажением типа «ступенька». Для их устранения на каждый транзистор комплементарной пары обычно подают небольшое начальное смещение. Таким образом точки включения/выключения двух транзисторов накладываются друг на друга, и оба транзистора проводят в течение некоторого промежутка времени при переходе через нуль (на рисунке это показано отрезками сиреневого цвета).

Такой вариант усиления чаще называется классом AB, поскольку каждый из транзисторов «открыт” более 50% времени от общей длительно цикла. Недостатком подобного подхода является увеличение энергопотребления, поскольку в те моменты, когда работают оба транзистора некоторый ток не подаётся в нагрузку, а «закорачиватся» с одной линии питания на другую (с -V на +V). Помимо увеличения потребляемой энергии, на транзисторах рассеивается большая мощность. При увеличении температуры транзисторов изменяются их характеристики (падение напряжения в режиме прямого тока V

бэ, коэффициент ?, сопротивления переходов), что затрудняет правильное смещение.

В данном эксперименте транзисторы работают в истинном классе В. То есть, они никогда не проводят в одно и то же время. Благодаря этому уменьшается энергопотребление и сокращается рассеиваемая мощность, однако схема не будет избавлена от искажений типа «ступенька». В нашей схеме для смягчения искажений типа «ступенька» используется операционный усилитель с отрицательной обратной связью для включения на некоторое время транзисторов в «мёртвой» зоне перехода через нуль.

Первый (крайний слева) операционный усилитель на схеме представляет собой простой буфер. Данный буфер помогает сократить загрузку входных RC-цепочек, которые необходимы для удаления из входного сигнала напряжения смещения, что позволит предотвратить усиление и подачу на динамики напряжения постоянного тока, который может их повредить. Без этого операционного усилителя, фильтрующая цепочка будет сокращать частотные характеристики в области нижних частот («басы”), и выделять верхние частоты.

Второй операционный усилитель работает как инвертирующий усилитель, коэффициент усиления которого контролируется потенциометром 10 кОм. Это необходимо для регулирования уровня громкости. Как правило, резисторы обратной связи инвертирующих операционных усилителей устанавливаются непосредственно между выходом усилителя и инвертирующим входом, как показано на рисунке:

Если бы мы подавали на базу конечный выходной сигнал транзисторной пары, то мы бы создавали значительные искажения типа «ступенька», поскольку при работе транзисторов присутствовала бы «мёртвая зона» при переходе напряжения базы от + 0,7 В до — 0,7 В:

Если вы уже собрали усилитель полностью, то вы можете упростить его схему до показанной выше и услышать разницу получаемого звука. Если же вы ещё не приступили к сборке схемы, то показанная выше схема может стать отправной точкой. Схема будет осуществлять усиление звука, однако звук будет просто ужасный!

Причина возникновения искажений заключается в том, что когда выходной сигнал операционного сигнала находится между + 0.7 В и — 0.7 В, ни один из транзисторов не будет проводить, и выходное напряжение, подаваемое на динамик будет равно 0 В для целого промежутка в 1,4 В напряжения базы. Таким образом, мы имеем некоторую «зону” входного сигнала, для которой в выходном сигнале не будет происходить никаких изменений. Именно в таких случаях применяются сложные методы смещения, необходимые для сокращения этого промежутка 1,4 В. Обычно применяется что-то вроде этого:

Падение на двух последовательно-включённых диодах будет составлять примерно 1,4 В, что эквивалентно суммарному падению напряжения Vбэ двух транзисторов, благодаря чему каждый транзистор будет готов включиться, когда входной сигнал составляет 0 В, что исключает существовавшую прежде «мёртвую” область 1,4 В.

К сожалению, такое решение не может считаться идеальным: по мере нагрева транзисторов, падение напряжения в режиме прямого тока Vбэ сократится с 0,7 В до приблизительно 0,5-0,6 В. Диоды не подвергаются такому сильному нагреву, поскольку не проводят сколько нибудь существенного тока, а, следовательно, здесь не будет наблюдаться такого изменения в падении напряжения. Таким образом, диоды будут продолжать обеспечивать то же напряжение смещения 1,4 В, в то время как транзисторам, в связи с нагревом, будет требоваться меньшее напряжение смещения.

В результате схема начнёт работать в классе АВ, когда некоторое время оба транзистора находятся в проводящем состоянии. Конечно же, это приведёт к большей рассеиваемой мощности на транзисторах, что обострит ещё больше ситуацию с изменением падения напряжения.

Обычным решением этой проблемы является установка на выводы эмиттеров резисторов «обратной связи» для термокомпенсации.

Это решение не исключает одновременного включение двух транзисторов, а лишь снижает остроту проблемы и предотвращает ухода параметров из-за изменения температуры. Кроме того, это приводит к негативному эффекту появления сопротивления в цепи тока нагрузки, что ограничивает выходной ток усилителя.

В показанной схеме для обеспечения напряжения смещения 0,7 В для составных транзисторов используется один диод. Этого недостаточно для ликвидации «мёртвой» зоны сигнала, однако уменьшает её по меньшей мере на 50%.

Поскольку падение напряжения одного диода всегда меньше, чем суммарное падение напряжения двух переходов база-эмиттер, транзисторы никогда не будут включаться одновременно, тем самым будет предотвращаться работа усилительного каскада в классе АВ. Затем, для того чтобы избавиться от искажений типа «ступенька», сигнал обратной связи операционного усилителя берётся с выхода (эмиттеров составных транзисторов) следующим образом:

При наличии цепи обратной связи от эмиттеров транзисторов, операционный усилитель может чувствовать «мёртвую” зону, в которой не проводит ни один из транзисторов, и подавать затем необходимый сигнал напряжения на базы транзисторов, для того чтобы они вновь начали проводить. Для этого потребуется операционный усилитель с высокой скоростью нарастания выходного напряжения. Более медленные операционные усилители, такие как LM741 или LM1458 могут не справиться с высокой скоростью изменения напряжения (параметр dv/dt), что необходимо для значительного сокращения искажений.

Для того чтобы привести схему к окончательному виду нужно добавить лишь пару конденсаторов. Конденсатор 47 мкФ, который ставится параллельно с диодом, помогает поддерживать напряжение смещения 0,7 В на постоянном уровне, несмотря на значительные колебания напряжения на выходе операционного усилителя. А конденсатор 0,22 мкФ, установленный между базой и эмиттером NPN-транзистора, помогает сократить искажения типа «ступенька» при малом уровне громкости.

 

 

TIP41C to-220 | Биполярные транзисторы

Код товара :M-109-4944
Обновление:2020-11-17
Тип корпуса :TO-220

 

 

Дополнительная информация:

Обратите внимание, что транзисторы одной марки могут иметь различный тип корпуса (исполнение), поэтому смотрите картинку и параметры корпуса. На нашем сайте опубликованы только основные параметры и характеристики. Полная информация о том как проверить TIP41C to-220, чем его заменить, схема включения, отечественный аналог, цоколевка, полный Datasheet и другие данные по этому транзистору, может быть найдена в PDF файлах раздела DataSheet и на сайтах поисковых систем Google, Яндекс и тд.

 

В магазине указаны розничные цены. Для оптовиков, мы готовы предложить оптовые цены (скидки), в этом случае, присылайте ваш запрос на наш емайл, мы отправим вам коммерческое предложение.

 

Что еще купить вместе с TIP41C to-220 ?

 

Огромное количество электронных компонентов и технической информации на сайте Dalincom, может затруднить Вам поиск и выбор требуемых дополнительных радиотоваров, радиодеталей, инструментов и тд. Следующую информационную таблицу мы подготовили для Вас, на основании выбора других наших покупателей.

 

Сопутствующие товары
КодНаименованиеКраткое описаниеРозн. цена

** более подробную информацию (фото, описание, маркировку, параметры, технические характеристики, и тд. ) вы сможете найти перейдя по ссылке описания товара
4944TIP41C to-220Транзистор TIP41C – NPN Epitaxial Silicon Transistor, 100V, 6A, TO-22011 pyб.
2384TIP42CТранзисторы TIP42C – PNP Epitaxial Silicon Transistor (DARLINGTON), 100V, 6A, TO-22011 pyб.
9246Конденсатор 470uF 16V (JCCON)Конденсатор электролитический 470 мкф 16в, LOW ESR, 105°C, 8х12мм, JCCON, радиальные выводы2.4 pyб.
2297Слюда для микроволновой печи 130×130Слюдяная прокладка для СВЧ печи, толщина 0.4мм, размер 130×130мм29 pyб.
1422Высоковольтный предохранитель 0.9A 5KVВысоковольтные предохранители для микроволновых печей 0.9A 5KV, размер 6×40 мм14 pyб.
1666Батарейка CR2032Литиевая батарейка CR2032 – 3V (используется в материнских платах, калькуляторах, часах и др. )14 pyб.
2122Припой SUOER 0.8мм, 100гр.Припой высокого качества SUOER с флюсом, Sn60Pb40, мягкий, в катушке, диаметр 0.8мм, вес 100 грамм277 pyб.
5077DC-DC преобразователь на LM2596S (1.25V~35V)Преобразователь напряжения (понижающий) на микросхеме LM2596S (1.25V~35V) с плавной регулировкой78 pyб.
2035Модифицированный акриловый клей DY-J37 (20 гр.)Двухкомпонентный модифицированный акриловый клей DY-J37 (Modified Acrylic Adhesive) – два тюбика по 10 грамм43 pyб.
2756Термоусадочная трубка, черная, 6 ммТермоусадочная трубка SALIPT диаметр 6.0 мм, цвет черный14 pyб.

 

Цифровые микросхемы транзисторы.

Микросхемы ТТЛ (74…).

На рисунке показана схема самого распространенного логического элемента — основы микросхем серии К155 и ее зарубежного аналога — серии 74. Эти серии принято называть стандартными (СТТЛ). Логический элемент микросхем серии К155 имеет среднее быстродействие tзд,р,ср.= 13 нс. и среднее значение тока потребления Iпот = 1,5…2 мА. Таким образом, энергия, затрачиваемая этим элементом на перенос одного бита информации, примерно 100 пДж.

Для обеспечения выходного напряжения высокого уровня U1вых. 2,5 В в схему на рисунке потребовалось добавить диод сдвига уровня VD4, падение напряжения на котором равно 0,7 В. Таким способом была реализована совместимость различных серий ТТЛ по логическим уровням. Микросхемы на основе инвертора, показанного на рисунке (серии К155, К555, К1533, К1531, К134, К131, К531), имеют очень большую номенклатуру и широко применяются.

Динамические параметры микросхем ТТЛ серии
ТТЛ серия Параметр Нагрузка
Российские Зарубежные Pпот. мВт. tзд.р. нс Эпот. пДж. Cн. пФ. Rн. кОм.
К155 КМ155 74 10 9 90 15 0,4
К134 74L 1 33 33 50 4
К131 74H 22 6 132 25 0,28
К555 74LS 2 9,5 19 15 2
К531 74S 19 3 57 15 0,28
К1533 74ALS 1,2 4 4,8 15 2
К1531 74F 4 3 12 15 0,28

При совместном использовании микросхем ТТЛ высокоскоростных, стандартных и микромощных следует учитывать, что микросхемы серии К531 дают увеличенный уровень помех по шинам питания из-за больших по силе и коротких по времени импульсов сквозного тока короткого замыкания выходных транзисторов логических элементов. При совместном применении микросхем серий К155 и К555 помехи невелики.

Взаимная нагрузочная способность логических элементов ТТЛ разных серий
Нагружаемый
выход		 Число входов-нагрузок из серий
К555 (74LS) К155 (74) К531 (74S)
К155, КM155, (74) 40 10 8
К155, КM155, (74), буферная 60 30 24
К555 (74LS) 20 5 4
К555 (74LS), буферная 60 15 12
К531 (74S) 50 12 10
К531 (74S), буферная 150 37 30

Выходы однокристальных, т. е. расположенных в одном корпусе, логических элементов ТТЛ, можно соединять вместе. При этом надо учитывать, что импульсная помеха от сквозного тока по проводу питания пропорционально возрастет. Реально на печатной плате остаются неиспользованные входы и даже микросхемы (часто их специально «закладывают про запас») Такие входы логического элемента можно соединять вместе, при этом ток Ioвх. не увеличивается. Как правило, микросхемы ТТЛ с логическими функциями И, ИЛИ потребляют от источников питании меньшие токи, если на всех входах присутствуют напряжения низкого уровня. Из-за этого входы таких неиспользуемых элементов ТТЛ следует заземлять.

Статические параметры микросхем ТТЛ
Параметр Условия измерения К155 К555 К531 К1531
Мин. Тип. Макс. Мин. Тип. Макс. Мин. Тип. Макс. Мин. Макс.
U1вх, В
схема		 U1вх или U0вх Присутствуют на всех входах 2 2 2 2
U0вх, В
схема		 0,8 0,8 0,8
U0вых, В
схема		Uи.п.= 4,5 В 0,4 0,35 0,5 0,5 0,5
I0вых= 16 мА I0вых= 8 мА I0вых= 20 мА
U1вых, В
схема		 Uи.п.= 4,5 В 2,4 3,5 2,7 3,4 2,7 3,4 2,7
I1вых= -0,8 мА I1вых= -0,4 мА I1вых= -1 мА
I1вых, мкА с ОК
схема		U1и.п.= 4,5 В, U1вых=5,5 В 250 100 250
I1вых, мкА Состояние Z
схема		 U1и.п.= 5,5 В, U1вых= 2,4 В на входе разрешения Е1 Uвх= 2 В 40 20 50
I0вых, мкА Состояние Z
схема		 U1и.п.= 5,5 В, Uвых= 0,4 В, Uвх= 2 В -40 -20 -50
I1вх, мкА
схема		U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 2,7 В 40 20 50 20
I1вх, max, мА U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 10 В 1 0,1 1 0,1
I0вх, мА
схема		 U1и.п.= 5,5 В, U0вх= 0,4 В -1,6 -0,4 -2,0 -0,6
Iк.з., мАU1и.п.= 5,5 В, U0вых= 0 В -18 -55 -100 -100 -60 -150

Зарубежные транзисторы и их отечественные аналоги – замена транзисторов на отечественные

Транзистор – популярный полупроводниковый прибор, выполняющий в электросхемах функции формирования, усиления или преобразования электросигналов и переключения электроимпульсов. Выделяют три типа этих приборов:

  • Однопереходные – иначе называются «двухбазовыми диодами». Представляют собой трехэлектродные полупроводники с одним p-n переходом;
  • Биполярные – имеют два p-n перехода;
  • Полевые – специальный класс, могут служить выключателями или регуляторами тока.

Домашним мастерам, специалистам по ремонту радиоаппаратуры, конструкторам часто требуется подобрать отечественный аналог импортных приборов или наоборот. В некоторых случаях это необходимо для экономии средств – российская продукция гораздо дешевле импортной. Это можно сделать несколькими способами:

  • Найти data sheets – техническую документацию к зарубежным электронным компонентам, в которой указываются основные параметры, обозначение на схемах и краткое описание. Затем воспользоваться справочниками на отечественные устройства. И методом подбора найти российские аналоги транзисторов или близкие по характеристикам устройства. Это длительный и сложный путь.
  • Использовать таблицу, представленную на нашем сайте. Она поможет заменить зарубежный транзистор отечественным или уменьшить диапазон поиска до нескольких экземпляров.

В нашем каталоге транзисторов вы можете подобрать и купить отечественные аналоги зарубежных транзисторов.

Таблицы зарубежных аналогов транзисторов

Если вы нашли неточность в таблицах аналогов или хотите дополнить их – напишите об этом в комментариях внизу страницы!

Таблица аналогов биполярных транзисторов

Зарубежные Отечественные
2SC3217 2T9155A
2SC3660 2T9155B
2SC3218 2T9155Б
Bak0510-50 2T9156БС
BF423C 2Т3129В9-Г9,2Т3152В
KF423 2Т3129Д9, 2Т3152Б
BFY80 2Т3130А9
2N2463 2Т3130Б9
2N2459 2Т3130В9
2N735A 2Т3130Г9
2N844 2Т3130Д9
PBC108A, B 2Т3133А2
2N4260 2Т3135А1
2N4261 2Т3135Б1
S923TS 2Т3152А, Г, Д
PBC107B 2Т3158А2
2N2906A 2Т3160А2
DC5108 2Т370А9
CX954 2Т370Б9
BD825 2Т642А2
2N2218 2Т649А2
SF123A 2Т672А2
BD202 2Т818А
1561-1015 2Т874А
1561-1008 2Т874Б
SDT69504 2Т880Д
2N3584 2Т881Д
2SA1009AM 2Т887А, Б
BLY47A 2Т892А, 2Т892Б
2N5050 2Т892В
2SC2093 2Т9102А2, Б2, 2Т9103Б2
2307(A) 2Т9103А2
NE243499 2Т9108А2
NE080481E-12 2Т9109А
THA-15 2Т9111А
THX-15 2Т9111Б
AM1416200 2Т9114А, Б
SDR075 2Т9117А, 2Т9118А
2DR405B 2Т9117Б
MRF846 2Т9117В
LDR405B 2Т9118Б
MRF846 2Т9118В
NE3001 2Т9119А2
PZB27020V 2Т9122А
Ph2214-60 2Т9122Б
MSC81400M 2Т9127В, Г
MSC81325M 2Т9127Д, Е
TN20 2Т9130А
2SA1584 2Т9143А
2023-6 2Т9146А
2023-12 2Т9146Б
2023-16 2Т9146В
2SC3217 2Т9155А
2SC3218 2Т9155Б, КТ9142А
2SC3660 2Т9155В, КТ9152А
222430 2Т9158А
2023-6 2Т9158Б
MRF544 2Т9159А
AM1416200 2Т986А, Б
MPF873 2Т987А
AM1416200 2Т994А2—2Т994В2
2N5177 2Т998А
2SC3218* KT9142A
2SC3660* KT9152A
SD1483 KT9174A
SD1492* Г101A
ADY25 ГТ 701А, П210Б
SD1492 ГТ101А
AC128 ГТ402И
AC127 ГТ404Б
AD162 ГТ703Г
AU106 ГТ810А, КТ812Б
BC239B КТ 3102Ж
SS9012 КТ209
2N2784 КТ3101АМ
BC109BP КТ3102И
BC455D КТ3107Е1
BC456B КТ3107И1
BC526C КТ3107К1-Л1
BF680 КТ3109А1
BF979 КТ3109Б1
BF970 КТ3109В1
2N2615 КТ3132Д2
2N2616 КТ3132Е2
2N2906 КТ313А1
2N2906A КТ313Б1
2SA1090 КТ313В1
2SA876H КТ313Г1
PXT2222 КТ3153А9
BFP720 КТ315В1
2N3397 КТ315Р1
2SD1220Q КТ3169А9, 2Т3129А9
2SA1660 КТ3171А9, 2Т3129Б9
2SD814 КТ3176А9
MPS6513 КТ3184Б9
TBC547A КТ3186А
BCW47B КТ3187А
BC408 КТ342А
BC107B КТ342Б, КТ3102Б
2SC404 КТ359А3
SS9015 КТ361, КТ3107
2SA556 КТ361Ж (И)
BSW62A КТ361К (Л, М)
BSW63A КТ361Н (П)
MD5000A КТ363А
2N3839 КТ370А9
2N5651 КТ370Б9
BC147 КТ373А
2N3904 КТ375А, КТ375Б
2SC601 КТ396А2
2N709 КТ397А2
MJE13001 КТ538А
2SC64 КТ6110А (Б)
2N1051 КТ6110В (Г, Д)
BF337 КТ6113А (Б, В)
BF338 КТ6113Г (Д, Е)
2SA738B КТ6116А (Б)
2N3114 КТ6117А
2N3712 КТ6117Б
BD136 КТ626Е, КТ6109А
BC527-6 КТ629А2
BD386 КТ629А3
2N2368 КТ633А
2N3303 КТ635А
BD370A6 КТ639А1
BD372 КТ639Б1
2N2218A КТ647А2
MPS706 КТ648А2
2SA715C КТ664Б9
BF177 КТ671А2, 2Т3130Е9
BF179B КТ682Б2
BD166 КТ720А
2N4238 КТ721А
BD168 КТ722А
2N3054 КТ723А
BD170 КТ724А
BD165 КТ728А
BUY90 КТ8107В (Г)
MIE13005 КТ8121А2
MIE13004 КТ8121Б2
2SD401A КТ8146А
2SC4055 КТ8146Б
TIP41C КТ8212А—В
BU2506D КТ8248А1
BUD44D2 КТ8261А
STD18202 КТ828Г
BU205 КТ838Б
2SB834 КТ842В
2SD1279 КТ846Б
BVX14 КТ846В
BD223 КТ856А1
BD944 КТ856Б1
2N5839 КТ862Б
2N5840 КТ862В
2SC1173 КТ862Г
2SC1624 КТ863Б
2SC1625 КТ863В
2SC2794 КТ866А
2N4913 КТ866Б
BU508 КТ872
2SA1682-5 КТ9115А, Б, КТ9143А, Б, В
SD1015 КТ9116А
MRF422 КТ9116А, В
I02015A КТ9116Б
2SC3596F КТ9142А
TCC2023-6L КТ9150А, 2Т9155В
2SC3812 КТ9151АС
2023-15T КТ9152А
27AM05 КТ9170А
SDT3207 КТ9171А, Б
LT1739 КТ9171В
2SB596 КТ9176А
MJE2801T КТ9177А
SD1483 КТ917А
2N6180 КТ9180А, Б, 2Т877Г
2N6181 КТ9180В, Г
D44H7 КТ9181А, Б
MRF430 КТ9181В, Г
2N5102 КТ921А, В
2N2219 КТ928Б
BC303 КТ933А
2N5996 КТ945Б
2N5642 КТ945В, Г
2N5643 КТ949А
2SC2331 КТ961, КТ9171
2N4440 КТ972В
2N5995 КТ972Г
LOT-1000D1-12B КТ979А
2N4976 КТ996А2
2SC976 КТ996Б2
2N4128 КТ997В
MP42 МП42Б
ASZ18 П217В, ГТ711

Биполярные транзисторы до 40 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
SG769 2Т3133А npn 0.3 ТО-126
2Т837В,Е pnp 8 ТО-220
2SA1020 2Т860В pnp 2 ТО-39
2Т877В pnp 20 ТО-3
KT315H n-p-n 20 0.1
KT503A n-p-n 25 0.15
KT503B n-p-n 25 0.15
KT686F p-n-p 25 0.8
KTJ107B p-n-p 25 0.1
авзтт p-n-p 30 7.5
ГТ313А p-n-p 15 0.03
ГТ313Б p-n-p 15 0.03
ГТ313В p-n-p 15 0.03
ГТ328А p-n-p 15 0.01
ГТ328Б p-n-p 15 0.01
ГТ328В p-n-p 15 0.01
ГТ346А p-n-p 20 0.01
ГТ346Б p-n-p 20 0.01
ГТ346В p-n-p 20 0.01
К13115Г-2 n-p-n 7 0.08
КГ117Г n-база 30 0.05
КГ201А(М) n-p-n 20 0.02
КТ117А n-баэа 30 0.05
КТ117Б n-баэа 30 0.05
КТ117В n-база 30 0.05
КТ201Б(М) n-p-n 20 0.02
КТ201В(М) n-p-n 10 0.02
КТ201Г(М) n-p-n 10 0.02
КТ201Д(М) n-p-n 10 0.02
КТ203Б(М) p-n-p 30 0.01
КТ203В(М) p-n-p 15 0.01
КТ208А(1) p-n-p 20 0.3
КТ208Б(1) p-n-p 20 0.3
КТ208В(1) p-n-p 20 0.3
КТ208Г(1) p-n-p 30 0.3
КТ208Д(1) p-n-p 30 0.3
КТ208Е(1) p-n-p 30 0.3
КТ209А p-n-p 15 0.3
КТ209Б p-n-p 15 0.3
КТ209Б1 p-n-p 15 0.3
КТ209В p-n-p 15 0.3
КТ209В1 p-n-p 15 0.3
КТ209В2 p-n-p 15 0.3
КТ209Г p-n-p 30 0.3
КТ209Д p-n-p 30 0.3
КТ209Е p-n-p 30 0.3
КТ306Б(М) n-p-n 10 0.03
кт306в(М) n-p-n 10 0.03
кт306г(М) n-p-n 10 0.03
кт306д(М) n-p-n 10 0.03
КТ3101А-2 n-p-n 15 0.02
КТ3102K(M) n-p-n 20 0.1
КТ3102В(М) n-p-n 30 0.1
КТ3102Г(М) n-p-n 20 0.1
КТ3102Д(М) n-p-n 30 0.1
КТ3102Е(М) n-p-n 20 0.1
КТ3102Ж(М) n-p-n 20 0.1
КТ3102И(М) n-p-n 20 0.1
КТ3107Г p-n-p 25 0.1
BC179AP КТ3107Д p-n-p 25 0.1
BC179 КТ3107Е p-n-p 20 0.1
КТ3107Ж p-n-p 20 0.1
КТ3107К p-n-p 25 0.1
КТ3107Л p-n-p 20 0.1
КТ3109А p-n-p 25 0.05
КТ3109Б p-n-p 20 0.05
КТ3109В p-n-p 20 0.05
КТ3115А-2 n-p-n 10 0.08
КТ3115В-2 n-p-n 10 0.08
КТ3120А n-p-n 15 0.02
КТ3123А-2 p-n-p 15 0.03
КТ3123Б-2 p-n-p 15 0.03
КТ3123В-2 p-n-p 10 0.03
КТ3126А p-n-p 20 0.02
КТ3126Б p-n-p 20 0.02
КТ3127А p-n-p 20 0.02
кт3128А(1) p-n-p 40 0.02
КТ3129В-9 p-n-p 30 0.1
КТ3129Г-9 p-n-p 30 0.1
КТ3129Д-9 p-n-p 20 0.1
КТ312А n-p-n 20 0.03
BFY39 КТ312Б n-p-n 35 0.03
КТ312В n-p-n 20 0.03
КТ3130В-9 n-p-n 30 0.1
КТ3130Г-9 n-p-n 20 0.1
КТ3130Д-9 n-p-n 30 0.1
КТ3130Е-9 n-p-n 20 0.1
КТ3130Ж-9 n-p-n 30 0.1
2N2712 КТ315А n-p-n 25 0.1
2N2926 КТ315Б n-p-n 20 0.1
КТ315В n-p-n 40 0.1
КТ315Г n-p-n 35 0.1
BFP722 КТ315Г1 n-p-n 35 0.1
2SC634 КТ315Д n-p-n 40 0.1
КТ315Е n-p-n 35 0.1
2SC641 КТ315Ж n-p-n 20 0.05
КТ315Р n-p-n 35 0.1
КТ3168А-9 n-p-n 15 0.03
КТ316А(М) n-p-n 10 0.05
КТ316Б(М) n-p-n 10 0.05
КТ316В(М) n-p-n 10 0.05
КТ316Г(М) n-p-n 10 0.05
КТ316Д(М) n-p-n 10 0.05
КТ325А(М) n-p-n 15 0.03
КТ325Б(М) n-p-n 15 0.03
КТ325В(М) n-p-n 15 0.03
КТ326А(М) p-n-p 15 0.05
КТ326Б(М) p-n-p 15 0.05
КТ339А(М) n-p-n 25 0.03
КТ339Б n-p-n 15 0.03
КТ339В n-p-n 25 0.03
КТ339Г n-p-n 25 0.03
КТ339Д n-p-n 25 0.03
КТ342А(М) n-p-n 30 0.05
КТ342Б(М) n-p-n 25 0.05
КТ342В(М) n-p-n 10 0.05
КТ342ГМ n-p-n 30 0.05
КТ342ДМ n-p-n 25 0.05
КТ345А p-n-p 20 0.2
КТ345Б p-n-p 20 0.2
КТ345В p-n-p 20 0.2
КТ347А p-n-p 15 0.05
КТ347Б p-n-p 9 0.05
КТ347В p-n-p 6 0.05
КТ349А p-n-p 15 0.05
BC178 КТ349Б p-n-p 15 0.05
КТ349В p-n-p 15 0.05
КТ350А p-n-p 20 0.6
КТ351А p-n-p 15 (-0.4)
КТ351Б p-n-p 15 (-0.4)
КТ352А p-n-p 15 (-0.2)
КТ352Б p-n-p 15 (-0.2)
КТ355АМ n-p-n 15 0.03
2SA555 КТ361А p-n-p 25 0.1
КТ361Б p-n-p 20 0.1
КТ361В p-n-p 40 0.1
КТ361Г p-n-p 35 0.1
КТ361Г1 p-n-p 35 0.1
КТ361Д p-n-p 40 0.05
КТ361Е p-n-p 35 0.05
BC251 КТ361И p-n-p 15 0.05
КТ363А(М) p-n-p 15 0.03
КТ363Б(М) p-n-p 12 0.03
КТ368А(М) n-p-n 15 0.03
КТ371А n-p-n 10 0.02
КТ372А n-p-n 15 0.01
КТ372Б n-p-n 15 0.01
КТ382А(М) n-p-n 10 0.02
КТ382Б(М) n-p-n 10 0.02
КТ391А-2 n-p-n 10 0.01
КТ391Б-2 n-p-n 10 0.01
КТ391В-2 n-p-n 10 0.01
КТ399А n-p-n 15 0.02
КТ399АМ n-p-n 15 0.03
2N3906 КТ501 Ж,И,К pnp 0.3 ТО-92
КТ501А p-n-p 15 0.3
КТ501Б p-n-p 15 0.3
КТ501В p-n-p 15 0.3
КТ501Г p-n-p 30 0.3
КТ501Д p-n-p 30 0.3
КТ501Е p-n-p 30 0.3
КТ502А p-n-p 25 0.15
КТ502Б p-n-p 25 0.15
КТ502В p-n-p 40 0.15
КТ502Г p-n-p 40 0.15
2SC1815 КТ503 А,Б npn 0.15 ТО-92
КТ503В n-p-n 40 0.15
КТ503Г n-p-n 40 0.15
КТ603А n-p-n 30 0.3
КТ603Б n-p-n 30 0.3
Кт603в n-p-n 15 0.3
КТ603Г n-p-n 15 0.3
Кт603д n-p-n 10 0.3
КТ603Е n-p-n 10 0.3
Кт603и n-p-n 30 0.3
BC547  КТ6111 (А-Г) npn 0.1 ТО-92
2SA1266  КТ6112 (А-В) pnp 0.1 ТО-92
КТ6127Г p-n-p 30 2
КТ6127Д p-n-p 12 2
КТ6127Е p-n-p 12 2
2N4403  КТ626А pnp 0.5 ТО-126
КТ626Г p-n-p 20 0.5
КТ626Д p-n-p 20 0.5
BD136 КТ639А,Б,В pnp 1.5 ТО-126
КТ639И p-n-p 30 1.5
КТ644В p-n-p 40 0.6
КТ644Г p-n-p 40 0.6
2N3904 КТ645Б n-p-n 40 0.3 ТО-92
2N4401  КТ646Б n-p-n 40 1 ТО-126
BC337  КТ660А npn 0.8 ТО-92
КТ660Б n-p-n 30 0.8
BC557  КТ668 (А-В) pnp 0.1 ТО-92
КТ680А n-p-n 25 0.6
КТ681А p-n-p 25 0.6
BC635 КТ684А npn 1 ТО-92
КТ685 А,В pnp 40 0.6 ТО-92
КТ685д p-n-p 25 0.6
КТ685Е p-n-p 25 0.6
КТ685Ж p-n-p 25 0.6
BC327 КТ686 А,Б,В pnp 45 0.8 ТО-92
КТ686Г p-n-p 25 0.8
КТ686Д p-n-p 25 0.8
КТ686Ж p-n-p 25 0.8
BC636 КТ692А pnp 1 ТО-39
КТ695А n-p-n 25 0.03
КТ698Г n-p-n 30 2
КТ698Д n-p-n 12 2
КТ698Е n-p-n 12 2
КТ8111Б’ n-p-n 40 0.02
КТ8111В” n-p-n 30 0.02
КТ8130А* p-n-p 40 4
КТ8131А* n-p-n 40 4
КТ814А pnp 25 1.5 ТО-126
КТ814Б p-n-p 40 1.5
BD135 КТ815А npn 30 1.5 ТО-126
BD434 КТ816А p-n-p 40 3
КТ816А2 p-n-p 40 3
2SB856 КТ816Б pnp 3 ТО-126
BD435 КТ817А,Б npn 40 3 ТО-126
TIP33 КТ818А pnp 40 10 ТО-220
КТ818АМ p-n-p 40 15
TIP34 КТ819А,Б npn 40 10 ТО-220,
9527 КТ819АМ n-p-n 40 15
КТ825Е* p-n-p 30 0.02
КТ829Г npn 8 ТО-220
КТ835А p-n-p 30 3
КТ835Б pnp 7.5 ТО-220
КТ837Ж p-n-p 30 7.5
КТ837И p-n-p 30 7.5
КТ837К p-n-p 30 7.5
FMMT717 КТ852Г pnp 2 ТО-220
КТ853Г pnp 8 ТО-220
2SD1062 КТ863А npn 30 10 ТО-220
КТ896В* p-n-p 30 0.02
КТ943А npn 2 ТО-126
КТ972Б npn 4 ТО-126
2SB857 КТ973Б  pnp 4 ТО-126
ктзб1Ж p-n-p 10 0.05
ктзевБ(М) n-p-n 15 0.03
КТЗОвА(М) n-p-n 10 0.03
КТЭ72В n-p-n 15 10
СТ837У p-n-p 30 7.5
СТ837Ф p-n-p 30 7.5

Биполярные транзисторы до 60 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2Т708Б pnp 2.5 ТО-39
MJE2955 2Т709В pnp 10  ТО-3
2Т709В2* p-n-p 60 10
BDX85 2Т716В,В1 npn 60 10 ТО-3
BDX78 2Т818В p-n-p 60 15
2Т819В p-n-p 60 15
2Т825В pnp 20 ТО-3
2Т825В2 pnp 60 15 ТО-220
2Т830Б pnp 2 ТО-39
2Т831Б npn 2 ТО-39
2Т836В pnp 3 ТО-39
2Т837Б,Д pnp 8 ТО-220
MJE3055 2Т875В npn 10 ТО-3
2Т877Б pnp 20 ТО-3
2Т880В pnp 2 ТО-39
2Т881В npn 2 ТО-39
2SC3402  503В,Г npn 0.15 ТО-92
ICT814B p-n-p 60 1.5
KT6S8B n-p-n 50 2
ГТ806Г p-n-p 50 15
ГТ905Б p-n-p 60 3
КТ203А(М) p-n-p 60 0.1
КТ208Ж(1) p-n-p 45 0.3
КТ208И(1) p-n-p 45 0.3
КТ208К(1) p-n-p 45 0.3
КТ208Л(1) p-n-p 60 0.3
КТ208М(1) p-n-p 60 0.3
КТ209Ж p-n-p 45 0.3
КТ209И p-n-p 45 0.3
КТ209К p-n-p 45 0.3
КТ209Л p-n-p 60 0.3
КТ209М p-n-p 60 0.3
BC182 КТ3102А(М) n-p-n 50 0.1
КТ3102Б(М) n-p-n 50 0.1
BC212 КТ3107А p-n-p 45 0.1
BCY78 КТ3107Б p-n-p 45 0.1
BCY78 КТ3107И p-n-p 45 0.1
КТ3108А p-n-p 60 0.2
КТ3108Б p-n-p 45 0.2
КТ3108В p-n-p 45 0.2
PN5132 КТ3117А(1) n-p-n 60 0.4
КТ3129А-9 p-n-p 50 0.1
КТ3129Б-9 p-n-p 50 0.1
КТ3130А-9 n-p-n 50 0.1
КТ3130Б-9 n-p-n 50 0.1
КТ313А(М) p-n-p 60 0.35
2N2907 КТ313Б(М) p-n-p 60 0.35
КТ315И n-p-n 60 0.05
КТ361К p-n-p 60 0.05
КТ501Ж p-n-p 45 0.3
КТ501И p-n-p 45 0.3
КТ501К p-n-p 45 0.3
КТ501Л p-n-p 60 0.3
КТ501М p-n-p 60 0.3
КТ502Д p-n-p 60 0.15
КТ502Е p-n-p 60 0.15
BSR41 КТ530А npn 1 TO-92
КТ6127В p-n-p 50 2
BD138  КТ626Б pnp 60 0.5 ТО-126
BC637  КТ630Д,Е npn 1 ТО-39
КТ639А p-n-p 45 1.5
КТ639Б p-n-p 45 1.5
КТ639В p-n-p 45 1.5
КТ639Г p-n-p 60 1.5
BD138 КТ639Г,Д pnp 60 1.5 ТО-126
2N3545 КТ644(А-Г) pnp 60 0.6 ТО-126
КТ645А npn 60 0.3 ТО-92
BD137  КТ646А npn 0.5 ТО-126
КТ659А npn 1.2 ТО-39
2SA684  КТ661А  pnp 0.6 ТО-39
BC556 КТ662А pnp 0.4 ТО-39
КТ668А p-n-p 45 0.1
КТ668Б p-n-p 45 0.1
КТ668В p-n-p 45 0.1
КТ683Д n-p-n 60 1
2SD1616 КТ683Д,Е npn 60 1 ТО-126
КТ685Б p-n-p 60 0.6
BC638 КТ685Б,Г pnp 60 0.6 ТО-92
SA1245 КТ686А p-n-p 45 0.8
КТ686Б p-n-p 45 0.8
КТ686В p-n-p 45 0.8
2SC2655  КТ698В npn 2 ТО-92
КТ801Б n-p-n 60 2
КТ8106Б n-p-n 45 0.02 ТО-220
КТ8111А’ n-p-n 50 0.02
КТ8111В9 npn 20 ТО-218
КТ8116В npn 8 ТО-220
КТ8118Б* n-p-n 60 8
2SA1469  КТ8130Б pnp 60 4 ТО-126
КТ8131Б’ n-p-n 60 4
КТ815Б n-p-n 45 1.5
2SB1366  КТ816В pnp 60 3 ТО-126
КТ817Б n-p-n 45 3
КТ817Б2 n-p-n 45 3
2N5191  КТ817В npn 60 3 ТО-126
КТ818Б p-n-p 50 10
9535 КТ818БМ p-n-p 50 15
КТ819Б n-p-n 50 10
2N3055 КТ819БМ n-p-n 50 15
КТ825Д* p-n-p 60 20
КТ827В npn 60 20 ТО-3
TIP3055 КТ8284А npn 12 ТО-220
TIP120 КТ829В npn 60 8 ТО-220
КТ837Б p-n-p 60 7.5
КТ837В p-n-p 60 7.5
КТ837Г p-n-p 45 7.5
КТ837Д p-n-p 45 7.5
КТ837Л p-n-p 60 7.5
КТ837М p-n-p 60 7.5
КТ852В pnp 2 ТО-220
КТ853В pnp 8 ТО-220
КТ896Б pnp 20 ТО-220
КТ908А n-p-n 60 10
КТ908Б n-p-n 60 10
BD137 КТ961В npn 45 1.5 ТО-126
BD677 КТ972А npn 60 4 ТО-126
BD678  КТ973А pnp 4 ТО-126
КТ973А’ p-n-p 60 4
КТ997А n-p-p 45 10
КТ997Б n-p-n 45 10
КТМ7Е p-n-p 45 7.5
ОГ837Н p-n-p 60 7.5
СГ837П p-n-p 45 7.5
СГ837Р p-n-p 45 7.5
Т852В* p-n-p 60 2.5
Т852Г p-n-p 45 2.5
Т853В* p-n-p 60 8
Т853Г p-n-p 45 8
Тв37С p-n-p 45 7.5

Биполярные транзисторы до 70 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2Т831В npn 2 ТО-39
2Т837А,Г pnp 8 ТО-220
2Т860Б pnp 2 ТО-39
2Т875Б npn 10 ТО-3
2Т876Б pnp 10  ТО-3
КТ6127Б p-n-p 70 2
КТ698Б npn 2 ТО-92
КТ69ВБ n-p-n 70 2
КТ808ГМ npn 10 ТО-3
КТ814В pnp 65 1.5 ТО-126
КТ815В npn 1.5 ТО-126
КТ818В pnp 70 10 ТО-220,
КТ818ВМ p-n-p 70 15
КТ919В n-p-n 70 10
КТ919ВМ n-p-n 70 15
КТ943 Б,Д npn 2 ТО-126

Биполярные транзисторы до 80 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
TIP33B 2Т709Б pnp 10 ТО-3
2Т709Б2* p-n-p 80 10
2Т716Б,Б1 npn 10 ТО-3
2Т716б1* n-p-n 80 10
BD204 2Т818Б p-n-p 80 15
2Т819Б p-n-p 80 15
2Т825Б pnp 20 ТО-3
2Т825Б2 pnp 80 15 ТО-220
BD140  2Т830В pnp 2 ТО-39
2Т836А,Б pnp 3 ТО-39
2Т875А,Г npn 10 ТО-3
2Т876А,Г pnp 10 ТО-3
2Т877А pnp 20 ТО-3
2Т880Б pnp 2 ТО-39
BD139 2Т881Б npn 2 ТО-39
ГТ806А p-n-p 75 15
ГТ905А p-n-p 75 3
ГТ906А(М) p-n-p 75 6
КДТ8281А pnp 60 ТО-218
PN3691 КТ3117Б n-p-n 75 0.4
2SC1627 КТ503Д npn 0.15 ТО-92
КТ602В n-p-n 80 0.075
КТ602Г n-p-n 80 0.075
2SA935 КТ626В pnp 80 0.5 ТО-126
КТ684Б npn 1 ТО-92
КТ801А n-p-n 80 2
КТ808ВМ npn 10 ТО-3
КТ8106А npn 80 20 ТО-220
TIP151 КТ8111Б9 npn 20 ТО-218
2SD2025  КТ8116Б npn 80 8 ТО-220
КТ8130В* p-n-p 80 4
КТ8131В* n-p-n 80 4
TIP34B КТ819Б,В* npn 10 ТО-220
КТ827Б npn 80 20 ТО-3
КТ8284Б npn 12 ТО-220
BD679  КТ829Б npn 80 8 ТО-220
КТ837А p-n-p 80 7.5
КТ852Б pnp 2 ТО-220
BDX34B КТ853Б pnp 8 ТО-220
2N6039 КТ943В,Г npn 2 ТО-126
КТ961Б npn 1.5 ТО-126
КТД8280А npn 60 ТО-218
КТД8283А pnp 60 ТО-218
Т852Б* p-n-p 80 2.5
Т853Б’ p-n-p 80 8

Биполярные транзисторы до 130 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
1Т813А p-n-p 100 30
1Т813Б p-n-p 125 30
2Т708А pnp 2.5 ТО-39
BDX34C 2Т709А pnp 100 10  ТО-3
BDX33C 2Т716А,А1 npn 10 ТО-3
2Т716АГ* n-p-n 100 10
2Т819А p-n-p 100 15
2Т825А pnp 20 ТО-3
2Т825А2 pnp 15 ТО-220
2Т830Г pnp 2 ТО-39
SD1765 2Т831Г npn 2 ТО-39
2Т860А pnp 2 ТО-39
2Т880А,Г pnp 2 ТО-39
2Т881А,Г npn 2 ТО-39
2Т935Б npn 20 ТО-220
ГТ806Б p-n-p 100 15
ГТ806В p-n-p 120 15
КТ503Е npn 0.15 ТО-92
SK3835 КТ601А,АМ npn 100 0.03 ТО-126
КТ602А,АМ npn 0.075 ТО-126
КТ602Б(М) n-p-n 100 0.075
2SA715D КТ6102А pnp 1.5 ТО-92
BF336 КТ6103А npn 1.5 ТО-92
КТ6127А p-n-p 90 2
КТ6127Ж p-n-p 120 2
BSY52 КТ630А n-p-n 120 1 ТО-39
КТ630Б n-p-n 120 1 ТО-39
2N1613 КТ630Г n-p-n 100 1 ТО-39
2SC2240 КТ638А,Б npn 0.1 ТО-92
КТ639Е p-n-p 100 1.5
КТ6836 n-p-n 120 1
КТ683Б npn 120 1 ТО-126
КТ683В n-p-n 120 1 ТО-126
КТ683Г n-p-n 100 1 ТО-126
BC639 КТ684В npn 1 ТО-92
BD237 КТ698А npn 2 ТО-92
КТ698Ж n-p-n 120 2
2N4237 КТ719А npn 1.5 ТО-126
КТ802А n-p-n 130 5
КТ805БМ,ВМ npn 5 ТО-220
КТ807А n-p-n 100 0.5
КТ807А,Б npn 100 0.5 ТО-126
КТ808 АМ,БМ npn 10 ТО-3
TIP150 КТ8111А9 npn 20 ТО-218
КТ8115А pnp 8 ТО-220
КТ8116А npn 100 8 ТО-220
2N5400  КТ814Г pnp 1.5 ТО-126
КТ815Г npn 85 1.5 ТО-126
TIP42C  КТ816Г pnp 90 3 ТО-126
КТ817Г npn 90 3 ТО-126
КТ817Г2 n-p-n 90 3
TIP33B  КТ818Г pnp 90 10 ТО-220
КТ818ГМ p-n-p 90 15
TIP34C КТ819А,Г npn 100 10 ТО-220
2N3055 КТ819ГМ n-p-n 100 15
КТ8246 А,Б npn 15 ТО-220
КТ825* p-n-p 90 20
КТ827А npn 100 20 ТО-3
КТ8284В npn 12 ТО-220
TIP122 КТ829А npn 100 8 (5) ТО-220
КТ852А pnp 2 ТО-220
КТ853А pnp 8 ТО-220
BD946 КТ896А pnp 20 ТО-220
КТ961А npn 1.5 ТО-126
ктвзэж p-n-p 100 1.5
КТД8257А npn 20 ТО-220
КТД8278Б,В npn 20 ТО-220
КТД8280Б npn 60 ТО-218
КТД8281Б pnp 60 ТО-218
КТД8283Б pnp 60 ТО-218
ПИЛОН-3А npn 15 ТО-220
Т852А- p-n-p 100 2.5
Т853А- p-n-p 100 8

Биполярные транзисторы до 160 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
1Т813В p-n-p 150 30
ГТ806Д p-n-p 140 15
2N5401 КТ6116 pnp 0.6 ТО-92
2N5551 КТ6117 npn 0.6 ТО-92
2SC2383 КТ630В npn 150 1 ТО-39
КТ663А n-p-n 150 1
КТ683А npn 1 ТО-126
КТ698И n-p-n 160 2
2SA1186 КТ712Б pnp 10 ТО-220
КТ805АМ npn 5 ТО-220
BU289 КТ8101А n-p-n 160 16 ТО-218
КТ8101Б npn 16 ТО-218
2SA1294  КТ8102А p-n-p 160 16 ТО-218
2SA1216 КТ8102Б pnp 16 ТО-218
КТ8123А npn 150 2 ТО-220
КТ8246В,Г npn 15 ТО-220
КТ850В npn 2 ТО-220
2SA940  КТ851В pnp 2 ТО-220
КТ855Б p-n-p 150 5
КТ855Б,В pnp 150 5 ТО-220
2SC3907 КТ863БС npn 12 ТО-220
КТ899А npn 150 8 ТО-220
КТ940В npn 160 0.1 ТО-126
2N5996 КТ945А n-p-n 150 15 ТО-3
КТД8257Б npn 20 ТО-220
ПИР-2 (КТ740А) npn 20 ТО-220
2SC2230  Т611В,Г npn 0.1 ТО-126
Т850В n-p-n 150 2
Т851В p-n-p 150 2

Биполярные транзисторы до 200 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
КГвИ AM n-p-n 180 0.1
КТ504Б npn 200 1 ТО-39
2SC1473  КТ611А,Б npn 0.1 ТО-126
КТ611БМ n-p-n 180 0.1
КТ6127К p-n-p 200 2
КТ698К n-p-n 200 2
КТ712А pnp 10  ТО-220
КТ8105А n-p-n 200 20
КТ8124А n-p-n 200 7
КТ8124Б n-p-n 200 7
КТ8140А n-p-n 200 7
КТ842Б pnp 5 ТО-3
КТ851А pnp 2 ТО-220
BU406 КТ864А npn 10 ТО-3
КТ865А pnp 10 ТО-3
BVR11 КТ867А npn 25 ТО-3
КТ879А npn 200 50 КТ-5
BVT91 КТ879Б n-p-n 200 50
КТ897Б npn 200 20 ТО-218
2N6077 КТ898Б npn 200 20 ТО-218
КТД8257(А-Г) npn 20 ТО-220
КТД8278А npn 20 ТО-220
Т850А n-p-n 200 2
Т851А p-n-p 200 2

Биполярные транзисторы до 250 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2Т862А,Б npn 15 ТО-3
2Т882В npn 1 ТО-220
2SA1837 2Т883Б pnp 1 ТО-220
КТ3157А p-n-p 250 0.03
КТ504В npn 1 ТО-39
КТ505Б pnp 250 1 ТО-39
КТ604А(М) n-p-n 250 0.2
КТ604Б(М) n-p-n 250 0.2
КТ605А(М) n-p-n 250 0.1
0.1 КТ605А,Б npn 250 0.1 ТО-126
КТ844А npn 10 ТО-3
КТ850А,Б npn 2 ТО-220
КТ851Б pnp 2 ТО-220
КТ855А pnp 5 ТО-220
MJE15032 КТ857А npn 250 7 ТО-220
КТ940Б npn 250 0.1 ТО-126
КТ969А npn 0.1 ТО-126
КТ999А n-p-n 250 0.05
КТЭвЭА n-p-n 250 0.1
Т850Б n-p-n 250 2
Т851Б p-n-p 250 2
Т855А p-n-p 250 5

Биполярные транзисторы до 300 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
MJE340  2Т882Б npn 1 ТО-220
2Т883А pnp 1 ТО-220
MJE13002 КТ504А npn 1 ТО-39
КТ505А p-n-p 300 1
2SA1371 КТ6104А pnp 0.15 ТО-92
BFJ57 КТ6105А npn 0.15 ТО-92
КТ8109А,Б npn 7 ТО-220
КТ8109Б* n-p-n 300 7
КТ8121Б npn 300 4 ТО-220
КТ8124В npn 7 ТО-220
КТ812В n-p-n 300 8
КТ8232А,Б npn 20 ТО-218
КТ8258Б npn 4 ТО-220
КТ8259Б npn 8 ТО-220
КТ8260А npn 15 ТО-220
КТ8285А npn 30 ТО-218
КТ842А pnp 5 ТО-3
КТ854Б npn 10 ТО-220
КТ890(А-В) npn 20 ТО-218
КТ892А,В npn 15 ТО-3
КТ897А npn 20 ТО-218
КТ898А npn 20 ТО-218
2SA1091  КТ9115А pnp 300 0.1 ТО-126
КТ940А n-p-n 300 0.1
КТД8252(А-Г) npn 15 ТО-220
КТД8262(А-В) npn 7 ТО-220
КТД8279(А-В) npn 10 ТО-220
MJE350 Т505А pnp 1 ТО-39
2SC2482  Т940А npn 0.1 ТО-126

Биполярные транзисторы до 400 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2SA1625  2Т509А pnp 0.02 ТО-39
MJE13009  2Т862В npn 10 ТО-3
2SC4138 2Т862Г npn 10 ТО-3
MJE13003  2Т882А npn 1 ТО-220
2Т885А npn 40 ТО-3
ав40Б n-p-n 350 8
BUX84 КТ704Б,В npn 2.5
КТ809А n-p-n 400 3
BU208A КТ8104А n-p-n 350 20
2SC2625 КТ8117А npn 400 10 ТО-218
КТ8121А npn 400 4 ТО-220
2SC3039 КТ8124А,Б npn 7 ТО-220
MJE13007 КТ8126А npn 8 ТО-220
КТ8136А n-p-n 400 10
MJE13005 КТ8258А npn 4 ТО-220
2SC4834 КТ8259А npn 8 ТО-220
КТ8260Б npn 15 ТО-220
КТ8285Б npn 30 ТО-218
КТ834В npn 400 15 ТО-3
2SD1409 КТ840А,Б npn 6 ТО-3
2SC3306 КТ841Б npn 10 ТО-3
BUT11 КТ845А npn 5 ТО-3
КТ848А npn 15 ТО-3
2SC2335 КТ858А npn 400 7 ТО-220
2N4914 КТ890А* n-p-n 350 20
2N4915 КТ890Б* n-p-n 350 20
КТ890В* n-p-n 350 20
MI10000 КТ892Б npn 400 15 ТО-3
КТД8279А npn 10 ТО-220
Т840А n-p-n 400 6
Т848А n-p-n 400 15
Т854Б n-p-n 400 10

Биполярные транзисторы до 500 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2Т812Б n-p-n 500 10
2Т856В npn 10 ТО-3
2Т885Б npn 40 ТО-3
ICT8110B n-p-n 450 7
KT8120A n-p-n 450 8
SF123C КТ6107А npn 0.13 ТО-92
BD140 КТ6108А pnp 0.13 ТО-92
2SC3970 КТ704А npn 2.5
КТ8108А n-p-n 500 5
КТ8108Б n-p-n 500 5
КТ8110А n-p-n 450 7
КТ8110Б n-p-n 450 7
BUL310 КТ8120А npn 3 ТО-220
КТ812Б npn 500 8 ТО-3
КТ8260В npn 15 ТО-220
КТ8285В npn 30 ТО-218
КТ834А n-p-n 500 15
КТ834А,Б npn 450 15 ТО-3
КТ854А npn 10 ТО-220
ПИР-1 npn 20 ТО-218

Биполярные транзисторы до 600 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2SC5249 2Т884Б npn 2 ТО-220
КТ506Б npn 600 2 ТО-39
КТ8107В n-p-n 600 5
КТ8144Б npn 25 ТО-3
2SC5386 КТ8286А npn 5 ТО-218
2SC2027 КТ828Б n-p-n 600 5
2SD2499  КТ828Б,Г npn 5 ТО-3
2SC5387 КТ841А,В npn 10 ТО-3
2SC4706  КТ847А npn 15 ТО-3
ST1803 КТ856А1,Б1 npn 10 ТО-218
КТ878В npn 600 30 ТО-3
2SA1413 КТ887Б pnp 2 ТО-3
КТ888Б pnp 0.1 ТО-39
СТ841А n-p-n 600 10
СТ841В n-p-n 600 10
Т854А n-p-n 600 10

Биполярные транзисторы до 700 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2Т812А n-p-n 700 10
2Т856Б npn 10 ТО-3
КТ8107(А-Г) npn 700 8 ТО-220
КТ8114А n-p-n 700 8
КТ8127А(1) n-p-n 700 5
КТ8127Б(1) n-p-n 700 5
КТ8127В(1) n-p-n 700 5
КТ8129А n-p-n 700 5
BUh200 КТ812А npn 700 10 ТО-3
КТ8137А npn 1.5 ТО-126
КТ826(А-В) npn 700 1 ТО-3
КТ8286Б npn 5 ТО-218
КТ887А pnp 2 ТО-3
Т847А n-p-n 650 15

Биполярные транзисторы до 800 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2Т884А npn 2 ТО-220
КТ506А npn 2 ТО-39
КТ8118А npn 800 3 ТО-220
2SC3998 КТ8144А npn 25 ТО-3
КТ8286В npn 5 ТО-218
SML804 КТ828А,В npn 800 5 ТО-3
2SC3150 КТ859А npn 800 3 ТО-220
2SC5002  КТ868Б npn 6 КТ-9
BVP38 КТ878Б npn 800 30 ТО-3
СТ841Б n-p-n 800 10

Биполярные транзисторы до 900 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
КТ888А pnp 0.1 ТО-39
2SC3979 КТ868А npn 6 КТ-9
2Т856А npn 10 ТО-3
КТ878А npn 30 ТО-3

Биполярные транзисторы до 1500 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
BU108 КТ8107А n-p-n 1500 8
BU508 КТ838А npn 5 ТО-3
BU2520 КТ839А npn 10 ТО-3
BU2506 КТ846А npn 5 ТО-3
BU2508  КТ872А,Б npn 8 ТО-218
2SC5270 КТ886А1 npn 10 ТО-218
BU1508 КТ886Б1 npn 8 ТО-218
Т846А n-p-n 1500 5
Т846В n-p-n 1500 5
Т848Б n-p-n 1200 5

Биполярные транзисторы свыше 2000 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2Т713А npn 2500 3 ТО-3
КТ710А npn 5 ТО-3

Однопереходные транзисторы

Зарубежные Отечественные
2N1573 КТ117ВМ
2N1923 КТ117АМ

Мощные полевые транзисторы

Импортные Отечественные
IRFZ10 КП739Б
IRFZ15 КП739В
IRF740 КП740
IRFZ24 КП740А
IRFZ20 КП740Б
IRFZ25 КП740В
IRFZ48 КП741А
IRFZ46 КП741Б
STH75N06 КП742А
STH75N05 КП742Б
IRF510 КП743А
IRF511 КП743Б
IRF512 КП743В
IRF520 КП744А
IRF521 КП744Б
IRF522 КП744В
IRL520 КП744Г
IRF530 КП745А
IRF531 КП745Б
IRF532 КП745В
IRL530 КП745Г
IRF540 КП746А
IRF541 КП746Б
IRF542 КП746В
IRL540 КП746Г
IRFP150 КП747А
IRF610 КП748А
IRF611 КП748Б
IRF612 КП748В
IRF620 КП749А
IRF621 КП749Б
IRF622 КП749В
IRF640 КП750А
IRF641 КП750Б
IRF642 КП750В
IRL640 КП750Г
IRF720 КП751А
IRF721 КП751Б
IRF722 КП751В
IRF730 КП752А
IRF731 КП752Б
IRF732 КП752В
IRF830 КП753А
IRF831 КП753Б
IRF832 КП753В
STP40N10 КП771А
IRF820 КП820
IRF830 КП830
IRF840 КП840
IRF150 КП150
IRF240 КП240
IRF250 КП250
IRF340 КП340
IRF350 КП350
BF410C КП365А
BF960 КП382А
IRF440 КП440
IRF450 КП450
ZVN2120 КП501А
BSS124 КП502
BSS129 КП503
BSS88 КП504
BSS295 КП505
IRF510 КП510
IRF520 КП520
IRF530 КП530
IRF540 КП540
IRF610 КП610
IRF620 КП620
IRF630 КП630
IRF640 КП640
BUZ90 КП707Б1
IRF710 КП710
IRF350 КП717Б
BUZ45 КП718А
IRF453 КП718Е1
IRF720 КП720
BUZ36 КП722А
IRFZ44 КП723А
IRFZ45 КП723Б
IRFZ40 КП723В
IRLZ44 КП723Г
MTP6N60 КП724А
IRF842 КП724Б
TPF450 КП725А
BUZ90A КП726А
BUZ71 КП727А
IRFZ34 КП727Б
IRLZ34 КП727В
BUZ80A КП728А
IRF730 КП730
IRGPH50F КП730А
IRF710 КП731А
IRF711 КП731Б
IRF712 КП731В
IRF630 КП737А
IRF634 КП737Б
IRF635 КП737В
IRFZ14 КП739А

Слабые полевые транзисторы

Импортные Отечественные
U1899E КП329A
2N2841 КП301Г
2N3332 КП301Б
2N3365 КП329A
2N3368 КП329A
2N3369 КП333A
2N3331 КП307B
2N3370 КП329A
2N3436 КП329A
2N3438 КП333A
2N3458 КП333A
2N3459 КП329A
2N3460 КП329A
2N3796 КП303B
2N3797 КП303Г
2N3819 КП307Б
2N3823 КП329A
2N3909 КП301B
2N3971 КП902A
2N3972 КП902A
2N4038 КП329A
2N4091 КП902A
2N4092 КП902A
2N4220 КП329Б
2N4220A КП329Б
2N4221 КП333A
2N4221A КП329A
2N4222A КП329A
2N4224 КП329A
2N4302 КП329Б
2N4303 КП329Б
2N4304 КП329Б
2N4351 КП333A
2N4352 КП304A
2N4360 КП301B
2N4393 КП902A
2N4416A КП329A
2N4860 КП333Б
2N4867 КП333A
2N5078 КП333A
2N5163 КП307Ж
2N5458 КП304A
2N5457 КП307E
2N5459 КП307Б
2N5654 КП329Б
2N6656 КП801Б
2SK11 КП303Д
2SK12 КП303Г
2SK15 КП303Г
2SK68A КП329A
2SK21H КП306A
2SK39 КП350A
BFW11 КП333Б
BF244 КП329А
BF245 КП329А
BF256B КП329А
BF960 КП327А
BF981 КП327Б
BSV79 КП333А
BSV80 КП333А
BUZ20 КП704А
CP652 КП907B
E100 КП333Б
E102 КП333Б
E111 КП329Б
E112 КП333Б
IRF120 КП922Б
MPF103 КП307Б
MPF102 КП303E
M103 КП304A
TIS68 КП307E
UC714 КП329Б
U1897E КП333A

Была ли статья полезна?

Да

Нет

Оцените статью

Что вам не понравилось?

Другие материалы по теме


Анатолий Мельник

Специалист в области радиоэлектроники и электронных компонентов. Консультант по подбору деталей в компании РадиоЭлемент.


Усилитель Дарлингтона

   Усилитель, называется именно так, не по причине, что его автор ДАРЛИНГТОН, а потому, что выходной каскад усилителя мощности построен на дарлингтоновских (составных) транзисторах.  

   Для справки: два транзистора одинаковой структуры соединены специальным образом для высокого усиления. Такое соединение транзисторов образует составной транзистор, или транзистор Дарлингтона – по имени изобретателя этого схемного решения. Такой транзистор используется в схемах работающих с большими токами (например, в схемах стабилизаторов напряжения, выходных каскадов усилителей мощности) и во входных каскадах усилителей, если необходимо обеспечить большой входной импеданс. Составной транзистор имеет три вывода (база, эмиттер и коллектор), которые эквивалентны выводам обычного одиночного транзистора. Коэффициент усиления по току типичного составного транзистора, у мощных транзисторов ≈1000 и у маломощных транзисторов ≈50000.

Достоинства транзистора Дарлингтона

– Высокий коэффициент усиления по току.

– Cхема Дарлингтона изготавливается в виде интегральных схем и при одинаковом токе рабочая поверхность кремния меньше, чем у биполярных транзисторов. Данные схемы представляют большой интерес при высоких напряжениях.

Недостатки составного транзистора

– Низкое быстродействие, особенно перехода из открытого состояния в закрытое. По этой причине составные транзисторы используются преимущественно в низкочастотных ключевых и усилительных схемах, на высоких частотах их параметры хуже, чем у одиночного транзистора.

– Прямое падение напряжения на переходе база-эмиттер в схеме Дарлингтона почти в два раза больше чем в обычном транзисторе, и составляет для кремниевых транзисторов около 1,2 — 1,4 В.

– Большое напряжение насыщения коллектор-эмиттер, для кремниевого транзистора около 0,9 В для маломощных транзисторов и около 2 В для транзисторов большой мощности.

Принципиальная схема УНЧ

   Усилитель можно назвать самым дешевым вариантом самостоятельного построения сабвуферного усилителя. Самое ценное в схеме – выходные транзисторы, цена которых не превышает 1$. По идее, такой усилитель усилитель можно собрать за 3-5$ без блока питания. Давайте сделаем небольшое сравнение, какой из микросхем может дать мощность 100-200 ватт на нагрузку 4 Ом? Сразу в мыслях знаменитые TDA7294. Но если сравнить цены, то дарлингтоновская схема и дешевле и мощнее TDA7294!

   Сама микросхема, без комплектующих компонентов стоит 3$ как минимум, а цена активных компонентов дарлингтоновской схемы не более 2-2,5$! Притом, что дарлингтоновская схема на 50-70 ватт мощнее TDA7294!

   При нагрузке 4 Ом усилитель отдает 150 ватт, это самый дешевый и неплохой вариант сабвуферного усилителя. В схеме усилителя использованы недорогие выпрямительные диоды, которые можно достать в любом электронном устройстве. 

   Усилитель может обеспечивать такую мощность за счет того, что на выходе использованы именно составные транзисторы, но при желании они могут быть заменены на обычные. Удобно использовать комплементарную пару КТ827/25, но конечно мощность усилителя спадет до 50-70 ватт. В дифференциальном каскаде можно использовать отечественные-КТ361 или КТ3107. 

   Полный аналог транзистора TIP41 наш КТ819А, Этот транзистор служит для усиления сигнала с диффкаскадов и раскачки выходников Эмиттерные резисторы можно использовать с мощностью 2-5 ватт, они для защиты выходного каскада. Подробнее про теххарактеристики транзистора TIP41C. Даташит для TIP41 и TIP42 скачайте тут.

– Материал p-n-перехода: Si

– Структура транзистора: NPN

– Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 65 W

– Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V

– Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 100 V

– Предельное постоянное напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

– Предельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max): 6 A

– Предельная температура p-n перехода (Tj): 150 C

– Граничная частота коэффициента передачи тока (Ft) транзистора: 3 MHz

– Ёмкость коллекторного перехода (Cc): pF

– Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe), min: 20

   Такой усилитель может быть использован как в качестве сабвуферного, так и для широкополосной акустики. Характеристики усилителя тоже неплохие. При нагрузке в 4 Ом выходная мощность усилителя порядка 150 ватт, при нагрузке в 8 Ом мощность 100 ватт, максимальная мощность усилителя может доходить до 200 ватт с питанием +/-50 вольт.


Понравилась схема – лайкни!

ПРИНЦИПИАЛЬНЫЕ СХЕМЫ УНЧ

Смотреть ещё схемы усилителей

       УСИЛИТЕЛИ НА ЛАМПАХ          УСИЛИТЕЛИ НА ТРАНЗИСТОРАХ  

   

УСИЛИТЕЛИ НА МИКРОСХЕМАХ          СТАТЬИ ОБ УСИЛИТЕЛЯХ   

    

Биполярные транзисторы. For dummies / Хабр

Предисловие

Поскольку тема транзисторов весьма и весьма обширна, то посвященных им статей будет две: отдельно о биполярных и отдельно о полевых транзисторах.

Транзистор, как и диод, основан на явлении p-n перехода. Желающие могут освежить в памяти физику протекающих в нем процессов здесь или здесь.

Необходимые пояснения даны, переходим к сути.

Транзисторы. Определение и история


Транзистор — электронный полупроводниковый прибор, в котором ток в цепи двух электродов управляется третьим электродом. (tranzistors.ru)

Первыми были изобретены полевые транзисторы (1928 год), а биполярные появилсь в 1947 году в лаборатории Bell Labs. И это была, без преувеличения, революция в электронике.

Очень быстро транзисторы заменили вакуумные лампы в различных электронных устройствах. В связи с этим возросла надежность таких устройств и намного уменьшились их размеры. И по сей день, насколько бы «навороченной» не была микросхема, она все равно содержит в себе множество транзисторов (а также диодов, конденсаторов, резисторов и проч.). Только очень маленьких.

Кстати, изначально «транзисторами» называли резисторы, сопротивление которых можно было изменять с помощью величины подаваемого напряжения. Если отвлечься от физики процессов, то современный транзистор тоже можно представить как сопротивление, зависящее от подаваемого на него сигнала.

В чем же отличие между полевыми и биполярными транзисторами? Ответ заложен в самих их названиях. В биполярном транзисторе в переносе заряда участвуют и электроны, и дырки («бис» — дважды). А в полевом (он же униполярный) — или электроны, или дырки.

Также эти типы транзисторов разнятся по областям применения. Биполярные используются в основном в аналоговой технике, а полевые — в цифровой.

И, напоследок: основная область применения любых транзисторов — усиление слабого сигнала за счет дополнительного источника питания.

Биполярный транзистор. Принцип работы. Основные характеристики


Биполярный транзистор состоит из трех областей: эмиттера, базы и коллектора, на каждую из которых подается напряжение. В зависимости от типа проводимости этих областей, выделяют n-p-n и p-n-p транзисторы. Обычно область коллектора шире, чем эмиттера. Базу изготавливают из слаболегированного полупроводника (из-за чего она имеет большое сопротивление) и делают очень тонкой. Поскольку площадь контакта эмиттер-база получается значительно меньше площади контакта база-коллектор, то поменять эмиттер и коллектор местами с помощью смены полярности подключения нельзя. Таким образом, транзистор относится к несимметричным устройствам.

Прежде, чем рассматривать физику работы транзистора, обрисуем общую задачу.

Она заключаются в следующем: между эмиттером и коллектором течет сильный ток (ток коллектора), а между эмиттером и базой — слабый управляющий ток (ток базы). Ток коллектора будет меняться в зависимости от изменения тока базы. Почему?
Рассмотрим p-n переходы транзистора. Их два: эмиттер-база (ЭБ) и база-коллектор (БК). В активном режиме работы транзистора первый из них подключается с прямым, а второй — с обратным смещениями. Что же при этом происходит на p-n переходах? Для большей определенности будем рассматривать n-p-n транзистор. Для p-n-p все аналогично, только слово «электроны» нужно заменить на «дырки».

Поскольку переход ЭБ открыт, то электроны легко «перебегают» в базу. Там они частично рекомбинируют с дырками, но большая их часть из-за малой толщины базы и ее слабой легированности успевает добежать до перехода база-коллектор. Который, как мы помним, включен с обратным смещением. А поскольку в базе электроны — неосновные носители заряда, то электирическое поле перехода помогает им преодолеть его. Таким образом, ток коллетора получается лишь немного меньше тока эмиттера. А теперь следите за руками. Если увеличить ток базы, то переход ЭБ откроется сильнее, и между эмиттером и коллектором сможет проскочить больше электронов. А поскольку ток коллектора изначально больше тока базы, то это изменение будет весьма и весьма заметно. Таким образом, произойдет усиление слабого сигнала, поступившего на базу. Еще раз: сильное изменение тока коллектора является пропорциональным отражением слабого изменения тока базы.

Помню, моей одногрупнице принцип работы биполярного транзистора объясняли на примере водопроводного крана. Вода в нем — ток коллектора, а управляющий ток базы — то, насколько мы поворачиваем ручку. Достаточно небольшого усилия (управляющего воздействия), чтобы поток воды из крана увеличился.

Помимо рассмотренных процессов, на p-n переходах транзистора может происходить еще ряд явлений. Например, при сильном увеличении напряжения на переходе база-коллектор может начаться лавинное размножение заряда из-за ударной ионизации. А вкупе с туннельным эффектом это даст сначала электрический, а затем (с возрастанием тока) и тепловой пробой. Однако, тепловой пробой в транзисторе может наступить и без электрического (т.е. без повышения коллекторного напряжения до пробивного). Для этого будет достаточно одного чрезмерного тока через коллектор.

Еще одно явления связано с тем, что при изменении напряжений на коллекторном и эмиттерном переходах меняется их толщина. И если база черезчур тонкая, то может возникнуть эффект смыкания (так называемый «прокол» базы) — соединение коллекторного перехода с эмиттерным. При этом область базы исчезает, и транзистор перестает нормально работать.

Коллекторный ток транзистора в нормальном активном режиме работы транзистора больше тока базы в определенное число раз. Это число называется коэффициентом усиления по току и является одним из основных параметров транзистора. Обозначается оно h31. Если транзистор включается без нагрузки на коллектор, то при постоянном напряжении коллектор-эмиттер отношение тока коллектора к току базы даст статический коэффициент усиления по току. Он может равняться десяткам или сотням единиц, но стоит учитывать тот факт, что в реальных схемах этот коэффициент меньше из-за того, что при включении нагрузки ток коллектора закономерно уменьшается.

Вторым немаловажным параметром является входное сопротивление транзистора. Согласно закону Ома, оно представляет собой отношение напряжения между базой и эмиттером к управляющему току базы. Чем оно больше, тем меньше ток базы и тем выше коэффициент усиления.

Третий параметр биполярного транзистора — коэффициент усиления по напряжению. Он равен отношению амплитудных или действующих значений выходного (эмиттер-коллектор) и входного (база-эмиттер) переменных напряжений. Поскольку первая величина обычно очень большая (единицы и десятки вольт), а вторая — очень маленькая (десятые доли вольт), то этот коэффициент может достигать десятков тысяч единиц. Стоит отметить, что каждый управляющий сигнал базы имеет свой коэффициент усиления по напряжению.

Также транзисторы имеют частотную характеристику, которая характеризует способность транзистора усиливать сигнал, частота которого приближается к граничной частоте усиления. Дело в том, что с увеличением частоты входного сигнала коэффициент усиления снижается. Это происходит из-за того, что время протекания основных физических процессов (время перемещения носителей от эмиттера к коллектору, заряд и разряд барьерных емкостных переходов) становится соизмеримым с периодом изменения входного сигнала. Т.е. транзистор просто не успевает реагировать на изменения входного сигнала и в какой-то момент просто перестает его усиливать. Частота, на которой это происходит, и называется граничной.

Также параметрами биполярного транзистора являются:

  • обратный ток коллектор-эмиттер
  • время включения
  • обратный ток колектора
  • максимально допустимый ток

Условные обозначения n-p-n и p-n-p транзисторов отличаются только направлением стрелочки, обозначающей эмиттер. Она показывает то, как течет ток в данном транзисторе.

Режимы работы биполярного транзистора

Рассмотренный выше вариант представляет собой нормальный активный режим работы транзистора. Однако, есть еще несколько комбинаций открытости/закрытости p-n переходов, каждая из которых представляет отдельный режим работы транзистора.


  1. Инверсный активный режим. Здесь открыт переход БК, а ЭБ наоборот закрыт. Усилительные свойства в этом режиме, естественно, хуже некуда, поэтому транзисторы в этом режиме используются очень редко.
  2. Режим насыщения. Оба перехода открыты. Соответственно, основные носители заряда коллектора и эмиттера «бегут» в базу, где активно рекомбинируют с ее основными носителями. Из-за возникающей избыточности носителей заряда сопротивление базы и p-n переходов уменьшается. Поэтому цепь, содержащую транзистор в режиме насыщения можно считать короткозамкнутой, а сам этот радиоэлемент представлять в виде эквипотенциальной точки.
  3. Режим отсечки. Оба перехода транзистора закрыты, т.е. ток основных носителей заряда между эмиттером и коллектором прекращается. Потоки неосновных носителей заряда создают только малые и неуправляемые тепловые токи переходов. Из-за бедности базы и переходов носителями зарядов, их сопротивление сильно возрастает. Поэтому часто считают, что транзистор, работающий в режиме отсечки, представляет собой разрыв цепи.
  4. Барьерный режим В этом режиме база напрямую или через малое сопротивление замкнута с коллектором. Также в коллекторную или эмиттерную цепь включают резистор, который задает ток через транзистор. Таким образом получается эквивалент схемы диода с последовательно включенным сопротивлением. Этот режим очень полезный, так как позволяет схеме работать практически на любой частоте, в большом диапазоне температур и нетребователен к параметрам транзисторов.

Схемы включения биполярных транзисторов

Поскольку контактов у транзистора три, то в общем случае питание на него нужно подавать от двух источников, у которых вместе получается четыре вывода. Поэтому на один из контактов транзистора приходится подавать напряжение одинакового знака от обоих источников. И в зависимости от того, что это за контакт, различают три схемы включения биполярных транзисторов: с общим эмиттером (ОЭ), общим коллектором (ОК) и общей базой (ОБ). У каждой из них есть как достоинства, так и недостатки. Выбор между ними делается в зависимости от того, какие параметры для нас важны, а какими можно поступиться.

Схема включения с общим эмиттером

Эта схема дает наибольшее усиление по напряжению и току (а отсюда и по мощности — до десятков тысяч единиц), в связи с чем является наиболее распространенной. Здесь переход эмиттер-база включается прямо, а переход база-коллектор — обратно. А поскольку и на базу, и на коллектор подается напряжение одного знака, то схему можно запитать от одного источника. В этой схеме фаза выходного переменного напряжения меняется относительно фазы входного переменного напряжения на 180 градусов.

Но ко всем плюшкам схема с ОЭ имеет и существенный недостаток. Он заключается в том, что рост частоты и температуры приводит к значительному ухудшению усилительных свойств транзистора. Таким образом, если транзистор должен работать на высоких частотах, то лучше использовать другую схему включения. Например, с общей базой.

Схема включения с общей базой

Эта схема не дает значительного усиления сигнала, зато хороша на высоких частотах, поскольку позволяет более полно использовать частотную характеристику транзистора. Если один и тот же транзистор включить сначала по схеме с общим эмиттером, а потом с общей базой, то во втором случае будет наблюдаться значительное увеличение его граничной частоты усиления. Поскольку при таком подключении входное сопротивление низкое, а выходное — не очень большое, то собранные по схеме с ОБ каскады транзисторов применяют в антенных усилителях, где волновое сопротивление кабелей обычно не превышает 100 Ом.

В схеме с общей базой не происходит инвертирование фазы сигнала, а уровень шумов на высоких частотах снижается. Но, как уже было сказано, коэффициент усиления по току у нее всегда немного меньше единицы. Правда, коэффициент усиления по напряжению здесь такой же, как и в схеме с общим эмиттером. К недостаткам схемы с общей базой можно также отнести необходимость использования двух источников питания.

Схема включения с общим коллектором

Особенность этой схемы в том, что входное напряжение полностью передается обратно на вход, т. е. очень сильна отрицательная обратная связь.

Напомню, что отрицательной называют такую обратную связь, при которой выходной сигнал подается обратно на вход, чем снижает уровень входного сигнала. Таким образом происходит автоматическая корректировка при случайном изменении параметров входного сигнала

Коэффициент усиления по току почти такой же, как и в схеме с общим эмиттером. А вот коэффициент усиления по напряжению маленький (основной недостаток этой схемы). Он приближается к единице, но всегда меньше ее. Таким образом, коэффициент усиления по мощности получается равным всего нескольким десяткам единиц.

В схеме с общим коллектором фазовый сдвиг между входным и выходным напряжением отсутствует. Поскольку коэффициент усиления по напряжению близок к единице, выходное напряжение по фазе и амплитуде совпадает со входным, т. е. повторяет его. Именно поэтому такая схема называется эмиттерным повторителем. Эмиттерным — потому, что выходное напряжение снимается с эмиттера относительно общего провода.

Такое включение используют для согласования транзисторных каскадов или когда источник входного сигнала имеет высокое входное сопротивление (например, пьезоэлектрический звукосниматель или конденсаторный микрофон).

Два слова о каскадах

Бывает такое, что нужно увеличить выходную мощность (т.е. увеличить коллекторный ток). В этом случае используют параллельное включение необходимого числа транзисторов.


Естественно, они должны быть примерно одинаковыми по характеристикам. Но необходимо помнить, что максимальный суммарный коллекторный ток не должен превышать 1,6-1,7 от предельного тока коллектора любого из транзисторов каскада.

Тем не менее (спасибо

wrewolf

за замечание), в случае с биполярными транзисторами так делать не рекомендуется. Потому что два транзистора даже одного типономинала хоть немного, но отличаются друг от друга. Соответственно, при параллельном включении через них будут течь токи разной величины. Для выравнивания этих токов в эмиттерные цепи транзисторов ставят балансные резисторы. Величину их сопротивления рассчитывают так, чтобы падение напряжения на них в интервале рабочих токов было не менее 0,7 В. Понятно, что это приводит к значительному ухудшению КПД схемы.

Может также возникнуть необходимость в транзисторе с хорошей чувствительностью и при этом с хорошим коэффициентом усиления. В таких случаях используют каскад из чувствительного, но маломощного транзистора (на рисунке — VT1), который управляет энергией питания более мощного собрата (на рисунке — VT2).

Другие области применения биполярных транзисторов

Транзисторы можно применять не только схемах усиления сигнала. Например, благодаря тому, что они могут работать в режимах насыщения и отсечки, их используют в качестве электронных ключей. Также возможно использование транзисторов в схемах генераторов сигнала. Если они работают в ключевом режиме, то будет генерироваться прямоугольный сигнал, а если в режиме усиления — то сигнал произвольной формы, зависящий от управляющего воздействия.

Маркировка

Поскольку статья уже разрослась до неприлично большого объема, то в этом пункте я просто дам две хорошие ссылки, по которым подробно расписаны основные системы маркировки полупроводниковых приборов (в том числе и транзисторов):

http://kazus.ru/guide/transistors/mark_all.html

и

файл .xls (35 кб)

.

Список источников:
http://ru.wikipedia.org
http://www.physics.ru
http://radiocon-net.narod.ru
http://radio.cybernet.name
http://dvo.sut.ru

Полезные комментарии:
http://habrahabr.ru/blogs/easyelectronics/133136/#comment_4419173

Распиновка транзистора

TIP41C, аналог, спецификации, техническое описание и многое другое

В этой статье описывается распиновка транзистора TIP41C, эквивалент, спецификации, техническое описание и дополнительная информация об этом транзисторе.

Характеристики / технические характеристики
  • Тип упаковки: TO-220
  • Тип транзистора: NPN
  • Максимальный ток коллектора (I C ): 6 А или 6000 мА
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (В CE ): 100 В
  • Максимальное напряжение коллектор-база (В CB ): 100 В
  • Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO): 5 В
  • Максимальное рассеивание коллектора (ПК): 65 Вт
  • Максимальная частота перехода (fT): 3 МГц
  • Минимальное и максимальное усиление постоянного тока (h FE ): 15-75
  • Максимальная температура хранения и эксплуатации должна быть: от -65 до +150 по Цельсию

PNP Дополнительный

PNP Дополнительным к TIP41C является TIP42C

Запасной и аналогичный

Транзистор TIP41C заменой и эквивалентами являются 2SD1895, MJE5180, MJE5181, BD711, BC911.Если нагрузка, которую вы хотите управлять с помощью TIP41C, находится в диапазоне от 40 В до 80 В, вы можете легко заменить точно таким же соответствием этого транзистора, а именно: TIP41 (макс. Нагрузка привода 40 В), TIP41A (макс. Нагрузка привода 60 В) и TIP41C (макс. Нагрузка 80 В).

Описание транзистора TIP41C

TIP41C – это недорогой силовой транзистор общего назначения, который можно использовать для усиления и переключения в ваших электронных схемах. Он может управлять нагрузкой максимум 6 ампер.Это может быть идеальный транзистор, если вы хотите заменить в своей схеме транзисторы TIP31, TIP31C или другие подобные транзисторы для увеличения нагрузки. Для управления нагрузками с этим транзистором следует использовать подходящий радиатор. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер и напряжение коллектор-база составляет 100 В, благодаря чему вы можете использовать его для управления максимальной нагрузкой 100 В. Кроме того, максимальное рассеивание коллектора составляет 65 Вт, что является идеальным выходом для использования этого транзистора во многих целях усиления звука.Коллектор транзистора соединен с двумя точками, одна из которых является выводом 2 транзистора, а другая – выводом металлической банки транзистора.

Где и как использовать

TIP41C можно использовать в любом приложении для коммутации и усиления общего назначения. При использовании в качестве переключателя вы можете управлять множеством нагрузок одновременно (сумма всех нагрузок не должна увеличиваться с 6А). Он может управлять двигателями постоянного тока, светодиодами высокой мощности, реле высокой мощности, лампами, устройствами и т. Д.

Кроме того, его также можно использовать для усиления общего назначения. Например, усиление сигнала. Его также можно использовать для построения простой схемы усилителя высокой мощности или, кроме этого, его также можно использовать в каскадах усилителя звука большой мощности.

Приложения

Усиление звука

Усиление сигнала

Управляющие нагрузки до 6 ампер

Приводные двигатели постоянного тока и управление ими

Дарлингтонские пары

Широкий спектр приложений общего назначения

Как добиться долгосрочной производительности в цепи

Чтобы это устройство оставалось стабильным в ваших цепях в течение многих лет, рекомендуется не нагружать нагрузку более 6 А, всегда использовать подходящий радиатор, не нагружать нагрузку более 100 В, для хорошей и стабильной работы всегда оставайтесь ниже максимальных значений и Всегда эксплуатируйте и храните устройство / транзистор при температуре выше -65 по Цельсию и ниже +150 по Цельсию.

Лист данных

Чтобы загрузить техническое описание, просто скопируйте и вставьте приведенную ниже ссылку в свой браузер.

https://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/54799/FAIRCHILD/TIP41.html

Введение в TIP41 – Инженерные проекты


Привет, друзья, надеюсь, у вас все отлично. В сегодняшнем руководстве мы подробно рассмотрим Introduction to TIP41. Это силовой транзистор NPN.Он существует в (TO-220) податливом наборе, который отмечает, что этот прием подходит для акустических, прямолинейных и перестановочных представлений. Соответствующий ему транзистор – TIP42. Он предназначен для соединения трех (3) компонентов полупроводникового материала путем легирования различными материалами. Его центральная часть – это металлическое основание, а две другие внешние части значительно легированы, чем основание. Несколько транзисторов могут усилить тривиальный ток, который затем будет приводить к достаточному усилию внимания или другим более сильным токовым маневрам.Это умение замечать изменение напряжения и работать как переключатель. TIP41 – это недорогой коллективный транзистор, который легко использовать в нескольких предложениях. В сегодняшнем посте мы рассмотрим его щит, разбитие, отклонения, права и т. Д. Я также поделюсь некоторыми ссылками, где я связал его с другими микроконтроллерами. Вы также можете получить больше материала об этом в комментариях, я расскажу вам больше об этом. Итак, давайте начнем с основного Введение в TIP41.

Введение в TIP41

  • Это силовой транзистор NPN. Он существует в (TO-220) податливом наборе, который отмечает, что этот прием подходит для акустических, прямолинейных и перестановочных представлений.
  • Это транзистор с промежуточным потреблением энергии, используемый в тех случаях, когда условия работы транзистора с меньшим сигналом могут быть очень напряженными.
  • Эти дипломаты предлагают оценки мощности, которые являются регулярными и в большинстве случаев выбрасываются в переносных источниках питания и схемах усилителей.
  • Рассматривайте эти приемы в качестве буферов для выходных фаз транзисторов в схемах акустических усилителей большей мощности или в качестве выходных фаз в схемах акустических усилителей промежуточной мощности.
  • Чтобы избежать ухудшения, постоянно используйте поглотитель тепла, если требуется чрезмерная мощность от этого средства, поскольку компендиум транзистора имеет ограничение на величину температуры, которую он может рассеять из соединения транзистора.

Распиновка TIP41

  • Это основная распиновка TIP41. Параметры
    Вывод № Тип
    Вывод № 1 Эмиттер Ток инициируется эмиттером, он обычно связан с землей.
    Контакт № 2 База Он обеспечивает смещение транзистора и работает для включения или выключения транзистора.
    Контакт № 3 Коллектор Ток проходит через коллектор, обычно это связано с нагрузкой.
    Посмотрим схему распиновки.

Характеристики TIP41

  • Здесь обсуждаются некоторые важные особенности TIP41.
    • Это транзистор с переходом NPN.
    • Напряжение на его выводах коллектора и эмиттера составляет сто вольт.
    • Его напряжение на выводах коллектора и базы составляет сто вольт.
    • Напряжение на выводах эмиттера и базы составляет пять вольт.
    • Использует токоприемник на шесть ампер.
    • Его рассеиваемая мощность составляет минус шестьдесят пять ватт (-65).
    • Его усиление составляет от минус пятнадцати до семидесяти пяти вольт.
    • Его частота перехода минус три мегагерца.
    • Он работает и сохраняет диапазон температур подключения от минус шестидесяти пяти до плюс один пятьдесят (– от 65 до +150 ° C).

Рейтинги TIP41

  • Теперь мы изучим различные параметры рейтинга TIP41, которые описаны ниже.
Обозначения Номинальные значения Параметры
В CBO

100 В

 Это напряжение на коллекторе и базе.
В CEO 100 вольт Это напряжение вокруг коллектора и эмиттера.
В EBO 5 В Это напряжение вокруг эмиттера и базы.
I C 6 ампер Это постоянный ток коллектора.
I CM 10 ампер Это импульс тока коллектора.
I B

3 ампера

Это ток в базе.

Pc 65 Вт Это рассеиваемая мощность на коллекторе (TC = 25 ° C).
T J

150 C

 Это температура перехода.

Электрические характеристики TIP41

  • После прочтения номинальных параметров исследуем электрические характеристики TIP41.
Символы Рейтинги Параметры
I CEO

0,7 мА

 Это значение тока отключения коллектора.
I EBO 1 A Это значение эмиттера, отсекающего ток.
I CES 0,4 мА Это значение тока отключения коллектора.
В CEO 100 В Это напряжение питания коллектора и эмиттера.
В CE 1,5 В Это напряжение поддержки коллектора и эмиттера.
В BE

2 В

Это значение напряжения на клеммах базы и эмиттера.

h FE 75 Это значение усиления постоянного тока.
Итак, все было о TIP41, если у вас есть какие-либо вопросы по этому поводу, задавайте их в комментариях. Спасибо за прочтение. Будьте осторожны до следующего урока.

TIP41C-BP лист данных – Технические характеристики: Тип транзистора: NPN; Напряжение

ER1A-TP: 1 А, 50 В, КРЕМНИЙ, СИГНАЛЬНЫЙ ДИОД, DO-214AA Технические характеристики: Корпус: SMB, СООТВЕТСТВУЮЩИМ с ROHS, ПЛАСТИК, HSMB, 2 КОНТАКТА; Количество диодов: 1; IF: 1000 мА; Соответствует RoHS: RoHS

P4KE20-G: 400 Вт, ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ, КРЕМНИЙ, ТВС ДИОД, DO-41 Технические характеристики: Конфигурация: Одиночный; Направление: однонаправленное; Пакет: ПАКЕТ ПЛАСТИКОВЫЙ-2; Количество контактов: 2; Количество диодов: 1; VBR: от 19 до 21 вольт; Соответствует RoHS: RoHS

P6KE160AM13: 600 Вт, ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ, КРЕМНИЙ, ТВС ДИОД, DO-15 Технические характеристики: Конфигурация: Одиночный; Направление: однонаправленное; Пакет: СООТВЕТСТВИЕ ROHS, ПЛАСТИКОВЫЙ ПАКЕТ-2; Количество контактов: 2; Количество диодов: 1; VBR: от 144 до 176 вольт

SDB206-TP: 2 А, 800 В, КРЕМНИЙ, МОСТ-ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД Технические характеристики: Тип диода: МОСТ-ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД; Применение диодов: выпрямитель; IF: 60000 мА; VBR: 800 вольт; Соответствует RoHS: RoHS; Упаковка: СООТВЕТСТВИЕ ROHS, ПЛАСТИК, SDB-1, 4 PIN; Количество контактов: 4; Количество диодов: 4

1.5KE130CU27: 1500 Вт, ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ, КРЕМНИЙ, ТВС ДИОД, DO-201AE Технические характеристики: Конфигурация: Одиночный; Направление: однонаправленное; Пакет: ПАКЕТ ПЛАСТИКОВЫЙ-2; Количество контактов: 2; Количество диодов: 1; VBR: от 12,4 до 13,7 вольт; Соответствует RoHS: RoHS

1.5KE27CA-13: 1500 Вт, ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ, КРЕМНИЙ, ТВС ДИОД, DO-201AE Технические характеристики: Конфигурация: Одиночный; Направление: однонаправленное; Пакет: ПАКЕТ ПЛАСТИКОВЫЙ-2; Количество контактов: 2; Количество диодов: 1; VBR: от 25,7 до 28,4 вольт; Соответствует RoHS: RoHS

1.5SMCJ24-T1: 1500 Вт, ДВУНАПРАВЛЕННЫЙ, КРЕМНИЙ, ТВС ДИОД, DO-214AB Технические характеристики: Конфигурация: Одиночный; Направление: двунаправленное; Пакет: SMCJ, 2 PIN; Количество контактов: 2; Количество диодов: 1; VBR: от 19 до 21 вольт; Соответствует RoHS: RoHS

1N6292A / 58-E3: 1500 Вт, ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ, КРЕМНИЙ, ТВС ДИОД, DO-201AE Технические характеристики: Конфигурация: Одиночный; Направление: однонаправленное; Пакет: ПАКЕТ ПЛАСТИКОВЫЙ-2; Количество контактов: 2; Количество диодов: 1; VBR: от 71,3 до 78,8 вольт; Соответствует RoHS: RoHS

30KP45A-AP: 30000 Вт, ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ, КРЕМНИЙ, ТВС ДИОД Технические характеристики: Конфигурация: Одиночный; Направление: однонаправленное; Упаковка: СООТВЕТСТВИЕ ROHS, ПЛАСТИК, R-6, 2 КОНТАКТА; Количество контактов: 2; Количество диодов: 1; VBR: 50.От 3 до 55 вольт; Соответствует RoHS: RoHS

3KP8.0C-T3-LF: 3000 Вт, ДВУНАПРАВЛЕННЫЙ, КРЕМНИЙ, ТВС ДИОД Технические характеристики: Конфигурация: Одиночный; Направление: двунаправленное; Упаковка: СООТВЕТСТВИЕ ROHS, ПЛАСТИК, R-6, 2 КОНТАКТА; Количество контактов: 2; Количество диодов: 1; VBR: от 8,89 до 9,83 вольт; Соответствует RoHS: RoHS

TIP41 datasheet – Эпитаксиальный кремниевый транзистор NPN

HGTP2N120BND : 12A, 1200V, NPT Series N-channel Igbt с антипараллельным сверхбыстрым диодом.

MGW14N60ED : Среднее напряжение 600-1199 Вольт. Биполярный транзистор с изолированным затвором. Спецификация Designer’sTM Биполярный транзистор с изолированным затвором Этот биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) снабжен сверхбыстрым выпрямителем с мягким восстановлением и использует усовершенствованную схему оконечной нагрузки для обеспечения расширенной и надежной возможности блокировки высокого напряжения. Его новая технология 600 В IGBT особенно подходит для приложений, требующих и того, и другого.

PBT05 :. ТРЕХФАЗНЫЕ ПОЛНОволНОВЫЕ МОСТЫ МОНТАЖ РАДИАТОРА И ШАССИ Макс.Падение прямого напряжения VF = 1,0 Макс. Постоянный обратный ток Макс. Обратный постоянный ток @ PRV и R @ PRV и 100 ° C, I R Макс. Пиковый импульсный ток, IFSM (8,3 мс) Диапазон температур хранения, TSTG EDI оставляет за собой право изменять эти значения в любое время без предварительного уведомления. ПТ (АВ). ОБЩАЯ СРЕДНЯЯ МОЩНОСТЬ.

CXTA27BK : 0,5 А, NPN, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР. s: Полярность: NPN.

EE2507 : ТРАНСФОРМАТОР DATACOM ДЛЯ. s: Категория: Сигнал; Другие типы трансформаторов / применения: импульсные трансформаторы, DATACOM TRANSFORMER.

HCT700G4 : 800 мА, 50 В, 2 КАНАЛА, NPN И PNP, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР. s: Полярность: Дополнительная; Тип упаковки: ГЕРМЕТИЧЕСКАЯ, КЕРАМИЧЕСКАЯ, LCC2-6.

MZP4729ATAG : 3,6 В, 1 Вт, КРЕМНИЙ, ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ ДИОД РЕГУЛЯТОРА НАПРЯЖЕНИЯ, DO-41. s: Тип диода: ДИОД РЕГУЛЯТОРА НАПРЯЖЕНИЯ.

PSVL54-1F : НЕЗАЩИЩЕННЫЙ, 75-150 мкГн, ПЕРЕМЕННЫЙ ИНДУКТОР, SMD. s: Вариант монтажа: Технология поверхностного монтажа; Устройств в упаковке: 1; Стиль вывода: ОБРАТНЫЙ; Конфигурация: переменная; Применение: RF Choke; Диапазон индуктивности: от 75 до 150 мкГн; Рабочая температура: от -55 до 125 C (от -67 до 257 F).

SJ5621U : 1 А, КРЕМНИЙ, СИГНАЛЬНЫЙ ДИОД. s: Пакет: MELF-1, 2 PIN; Количество диодов: 1; ЕСЛИ: 1000 мА.

STPS320U : 3 А, 20 В, КРЕМНИЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД. s: Упаковка: PLASTIC PACKAGE-2; Количество контактов: 2; IF: 3000 мА; VRRM: 20 вольт; Соответствует RoHS: RoHS.

YG872C20R : 200 В, КРЕМНИЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД, TO-220AB. s: Аранжировка: Common Catode; Тип диода: общего назначения, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД; Применение диодов: выпрямитель; IF: 125000 мА; Пакет: ТО-220, ТО-220Ф, 3 контакта; Количество контактов: 3; Количество диодов: 2.

1DF0 : КОНДЕНСАТОР, КЕРАМИЧЕСКИЙ, 1000 В, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Конфигурация / Форм-фактор: Конденсатор с выводами; Приложения: общего назначения; Конденсаторы электростатические: керамический состав; Тип установки: сквозное отверстие; Рабочая температура: от -25 до 85 C (от -13 до 185 F).

1N4001 / 100 : 1 А, 50 В, КРЕМНИЙ, СИГНАЛЬНЫЙ ДИОД, DO-204AL. s: Упаковка: DO-41, PLASTIC, DO-41, 2 PIN; Количество диодов: 1; ЕСЛИ: 1000 мА.

2DA1797Q-13 : МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР.Эпитаксиальная планарная конструкция кристалла идеально подходит для автоматизированных процессов сборки. Идеально подходит для коммутации или усиления средней мощности. Доступен дополнительный тип NPN (2DC4672), не содержит свинца, соответствует требованиям RoHS (примечание 1), не содержит галогенов и сурьмы, «зеленое» устройство (примечание 2) соответствует требованиям AEC -Q101 Стандарты высокой надежности Корпус: SOT89 Материал корпуса :.

2SD2527P : 4 А, 60 В, NPN, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР. s: Полярность: NPN; Тип упаковки: ТО-220, ТО-220Д, ПОЛНЫЙ ПАКЕТ-3.

5302DG-T60-K : 2 А, 400 В, NPN, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР, TO-126.s: Полярность: NPN; Тип упаковки: БЕЗ ГАЛОГЕНОВ ПАКЕТ-3.

TIP41 NPN Power Transistor (TO-220)

Политика возврата

В связи с типом продукции, которую мы продаем, мы принимаем ограниченный возврат. Ниже приведены условия, при которых мы можем принять запрос на возврат.

1. Производственный брак
Если вы получили продукт с производственным дефектом, сообщите нам об этом в течение 3 дней с момента получения продукта, сопровождая его соответствующими фотографиями и описанием.Как только наша служба поддержки примет возврат, мы предоставим замену или полный возврат средств, включая стоимость обратной доставки.
2. Отправлен неправильный товар

Если вы получили продукт, отличный от заказанного, свяжитесь с нами в течение 3 дней с момента получения продукта, приложив соответствующие фотографии и описание. Как только наша служба поддержки примет возврат, мы предоставим замену или полный возврат средств, включая стоимость обратной доставки.

Ограничение возврата
Мы не принимаем возврат товаров, поврежденных в результате неправильного использования.Кроме того, мы не принимаем возврат, если заказанный товар не подходит для какого-либо конкретного применения. Пожалуйста, прочтите спецификации продукта и техническое описание перед выбором и заказом продукта.
Доставка

Мы отправляем по всей Индии с фиксированной ставкой 45 индийских рупий для всех заказов на сумму менее 599 индийских рупий. Для всех заказов на сумму более 599 индийских рупий мы предлагаем бесплатную доставку. По любым вопросам, связанным с доставкой, обращайтесь в нашу службу поддержки по адресу [email protected].

Политика возврата

В связи с типом продукции, которую мы продаем, мы принимаем ограниченный возврат.Ниже приведены условия, при которых мы можем принять запрос на возврат.

1. Производственный брак
Если вы получили продукт с производственным дефектом, сообщите нам об этом в течение 3 дней с момента получения продукта, сопровождая его соответствующими фотографиями и описанием. Как только наша служба поддержки примет возврат, мы предоставим замену или полный возврат средств, включая стоимость обратной доставки.
2. Отправлен неправильный товар

Если вы получили продукт, отличный от заказанного, свяжитесь с нами в течение 3 дней с момента получения продукта, приложив соответствующие фотографии и описание.Как только наша служба поддержки примет возврат, мы предоставим замену или полный возврат средств, включая стоимость обратной доставки.

Ограничение возврата
Мы не принимаем возврат товаров, поврежденных в результате неправильного использования. Кроме того, мы не принимаем возврат, если заказанный товар не подходит для какого-либо конкретного применения. Пожалуйста, прочтите спецификации продукта и техническое описание перед выбором и заказом продукта.
Доставка

Мы отправляем по всей Индии с фиксированной ставкой 45 индийских рупий для всех заказов на сумму менее 599 индийских рупий.Для всех заказов на сумму свыше 599 индийских рупий мы предлагаем бесплатную доставку. По любым вопросам, связанным с доставкой, обращайтесь в нашу службу поддержки по адресу [email protected].

TIP41C Силовой транзистор NPN – Спецификация

TIP41C – это силовой транзистор NPN с технологией базового острова в пластиковом корпусе TO-220, который делает это устройство подходящим для аудио, линейных и коммутационных приложений. Дополнительный тип PNP – TIP42C.

Распиновка TIP41

Конфигурация выводов TIP41

9057 9057 9057 9057
Номер контакта Название контакта
1 Основание
2 Коллектор
3 Коллектор 3 Коллектор

Основные характеристики TIP41

  • Напряжение насыщения коллектор – эмиттер –
    • VCE (sat) = 1.5 В постоянного тока (макс.) При IC = 6,0 Adc
  • Поддерживающее напряжение коллектор – эмиттер –
    • VCEO (Sus) = 100 В постоянного тока (мин.) – TIP41C, TIP42C
  • Усиление высокого тока – продукт на ширину полосы
    • fT = 3,0 МГц (мин.) При IC = 500 мА пост. Тока
  • Compact TO – 220 AB Корпус
  • Высокая скорость переключения
  • hFE улучшенная линейность
  • Обозначение типа: TIP41C
  • Материал транзистора: Si
  • Полярность: NPN

Спецификация

Ic (мА) Pd (мВт) Vce (макс.) Vcb hfe

6

hfe при
6 65 100 100 15-75 3000 3
TIP41 Эквивалент / 1: Альтернативный
  • TIP100, TIP101, TIP102, TIP105, TIP106, TIP107, TIP110, TIP42C

Приложение

  • Схемы общего назначения
  • Аудиоусилитель
  • Линейный и коммутационный

Вы можете скачать это техническое описание для силового транзистора TIP41C NPN по ссылке ниже:

TIP41C NPN Power Transistor, Тип упаковки: TO-220,

О компании

Год основания 2015

Юридический статус фирмы Партнерство Фирма

Характер бизнеса Оптовик

Количество сотрудников До 10 человек

Годовой оборот До рупий50 лакх

Участник IndiaMART с ноября 2013 г.

GST29AABFY6374J1ZJ

С 2015 года Y antramaana Robotronics LLP занимается оптовой продажей высочайшего качества спектра силовых транзисторов , паяльников, паяльных проводов, мостовых выпрямителей, стабилитронов и многих других . Наша компания является индивидуальным предпринимателем, головной офис которого находится по адресу Bengaluru, Karnataka , откуда квалифицированные профессионалы внимательно следят за всей деятельностью, связанной с бизнесом.Поскольку наши клиенты являются одним из наиболее важных элементов для расширения, мы стараемся удовлетворить все их требования с максимальным усердием. Сохраняя клиентоориентированный подход к удовлетворению потребностей клиента, мы можем достичь столь надежного положения на рынке.
Мы обслуживаем все варианты покупки электронных компонентов в Интернете и доставляем к вашему порогу в небольших или больших количествах. Все электронные компоненты оригинальные и имеют 10-дневную гарантию на замену неработающих электронных компонентов.
В любом количестве, мы можем обслуживать электронные компоненты, малые или большие, не имеет значения.
У нас есть большой склад для доставки любого заказа и любого размера. Мы проводим комплексную проверку, и вы получаете все преимущества.
Приходите проверить нас! Мы постараемся превзойти любое возможное количество заказа.
В заключение мы хотели бы сказать: «Заказчик – король», и мы относимся к вам, как к единому, с любым количеством заказываемых у нас электронных компонентов. Период. Не забывай.
.

Больше новостей

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *