Транзистор tip41c параметры: TIP41C , , datasheet, , ,

Характеристики транзистора TIP41C, цоколевка, аналоги

TIP41C – NPN эпитаксиальный кремниевый транзистор, предназначен для использования в линейных схемах средней мощности.

Отечественный аналог TIP41C

Особенности

• Комплиментарная пара – TIP42C

Корпусное исполнение, цоколевка TIP41C

• пластмассовый корпус TO-220

Характеристики транзистора TIP41C

Предельные параметры TIP41C

Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (I_C):

Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (I_CP):

Постоянное напряжение между выводами коллектора и базы (V_CBO):

Постоянное напряжение между выводами коллектора и эмиттера (V_CEO):

Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы (V_EBO):

Постоянный ток, протекающий через базовый вывод (I_B):

Максимально допустимая температура перехода (T_j):

Электрические характеристики транзисторов TIP41C (Т

_C=25^oС если не указано иное)

Коэффициент усиления транзистора по току(h_FE) при постоянном напряжении коллектор-эмиттеp (V

CE) 4 V, при постоянном токе коллектоpа (I_C) 3 A:

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (V_CE(sat))

• 1.5 V при I_C = 6 A, I_B = 600 mA

Обратный ток коллектоpа при разомкнутом выводе базы (I_CEO) (I_B = 0)

Обратный ток коллектоpа при короткозамкнутых выводах эмиттера и базы (I_CES) (V_EB = 0)

• 400 μA при V_CE = 100 V

Обратный ток эмиттера (I_EBO) (I_C = 0)

Постоянное напряжение база – эмиттеp (V_BE(on)) при I_C = 6 A, V_CE = 4 V

Рабочее напряжение коллектор-эмиттеp (V_CEO(sus))

• 100 V при I_C = 30 mA, I_B = 0

Граничная частота коэффициента передачи тока (f_T)

• 3 MHz при I_C
  = 500 mA, V_CE = 10 V

Опубликовано 05.02.2020

TIP41C to-220 | Биполярные транзисторы

Код товара :	M-109-4944
Обновление:	2020-11-17
Тип корпуса :	TO-220

 

 

Дополнительная информация:

Обратите внимание, что транзисторы одной марки могут иметь различный тип корпуса (исполнение), поэтому смотрите картинку и параметры корпуса. На нашем сайте опубликованы только основные параметры и характеристики. Полная информация о том как проверить TIP41C to-220, чем его заменить, схема включения, отечественный аналог, цоколевка, полный Datasheet и другие данные по этому транзистору, может быть найдена в PDF файлах раздела DataSheet и на сайтах поисковых систем Google, Яндекс и тд.

 

В магазине указаны розничные цены. Для оптовиков, мы готовы предложить оптовые цены (скидки), в этом случае, присылайте ваш запрос на наш емайл, мы отправим вам коммерческое предложение.

 

Что еще купить вместе с TIP41C to-220 ?

 

Огромное количество электронных компонентов и технической информации на сайте Dalincom, может затруднить Вам поиск и выбор требуемых дополнительных радиотоваров, радиодеталей, инструментов и тд. Следующую информационную таблицу мы подготовили для Вас, на основании выбора других наших покупателей.

 

Сопутствующие товары

Код	Наименование	Краткое описание	Розн. цена
** более подробную информацию (фото, описание, маркировку, параметры, технические характеристики, и тд.) вы сможете найти перейдя по ссылке описания товара
4944	TIP41C to-220	Транзистор TIP41C – NPN Epitaxial Silicon Transistor, 100V, 6A, TO-220	11 pyб.
2384	TIP42C	Транзисторы TIP42C – PNP Epitaxial Silicon Transistor (DARLINGTON), 100V, 6A, TO-220	11 pyб.
2297	Слюда для микроволновой печи 130×130	Слюдяная прокладка для СВЧ печи, толщина 0.4мм, размер 130×130мм	29 pyб.
1422	Высоковольтный предохранитель 0.9A 5KV	Высоковольтные предохранители для микроволновых печей 0.9A 5KV, размер 6×40 мм	14 pyб.
9246	Конденсатор 470uF 16V (JCCON)	Конденсатор электролитический 470 мкф 16в, LOW ESR, 105°C, 8х12мм, JCCON, радиальные выводы	2.4 pyб.
1666	Батарейка CR2032	Литиевая батарейка CR2032 – 3V (используется в материнских платах, калькуляторах, часах и др.)	14 pyб.
2122	Припой SUOER 0.8мм, 100гр.	Припой высокого качества SUOER с флюсом, Sn60Pb40, мягкий, в катушке, диаметр 0.8мм, вес 100 грамм	277 pyб.
2035	Модифицированный акриловый клей DY-J37 (20 гр.)	Двухкомпонентный модифицированный акриловый клей DY-J37 (Modified Acrylic Adhesive) – два тюбика по 10 грамм	43 pyб.
5077	DC-DC преобразователь на LM2596S (1.25V~35V)	Преобразователь напряжения (понижающий) на микросхеме LM2596S (1.25V~35V) с плавной регулировкой	78 pyб.
2756	Термоусадочная трубка, черная, 6 мм	Термоусадочная трубка SALIPT диаметр 6.0 мм, цвет черный	14 pyб.

 

Условные обозначения параметров транзисторов — РадиоСхема

Обозначение	Параметр
B1-B2/Iк	статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером; в справочнике приводятся минимальное (B1) и максимальное (B2) значение и ток (Iк) при котором этот параметр определяется.
Fт	предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора.
Cк/Uк	емкость коллекторного перехода (Cк) и напряжение на коллекторе (Uк), при котором она измеряется.
Cэ/Uэ	емкость эмиттерного перехода (Cэ) и напряжение эмиттер/база (Uэ), при котором она измеряется.
tр	время рассасывания биполярного транзистора.
Uкэ(Iк/Iб)	напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Uкэ) биполярного транзистора при заданном токе коллектора (Iк) и заданном токе базы (Iб).
Iко	обратный ток коллектора.
Uкб	максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база.
Uэб	максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база.
Uкэ/R	максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ) при заданной величине сопротивления, включенного между базой и эмиттером (R).
Iбм	предельно допустимый постоянный ток базы транзистора.
Iкм/Iкнас	предельно допустимый постоянный (Iкм) ток коллектора предельно допустимый ток коллектора в режиме насыщения (Iкнас) или в импульсе.
Pк	максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на коллекторе.
Pк/Pт	максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на транзисторе без теплоотвода (Pк) и с теплоотводом (Pт).
Rпк	тепловое сопротивление перехода коллектор-корпус транзистора.
Цок	номер рисунка с расположением выводов.

Справочник по транзисторам мощным отечественным биполярным. Импортные аналоги.

								На главную страницу || Карта сайта Справочник транзисторов маломощных биполярных. Справочник транзисторов средней мощности высокочастотных, биполярных. Справочник полевых транзисторов отечественных. Справочник отечественных smd транзисторов . Каталог MOSFET транзисторов . Использование справочных данных транзисторов для расчета ключевой схемы с резистивной нагрузкой. Использование справочных данных транзистора для расчета ключевой схемы с индуктивной нагрузкой.
								От составителя: В справочник по мощным транзисторам вошла как документация из изданных еще при СССР каталогов, так и информация из справочных листков и документация с сайтов производителей. Основой является таблица, где приведено наименование транзистора, аналоги, тип проводимости, тип корпуса, максимально допустимые ток и напряжения и коэффициент усиления, то есть основные параметры, по которым выбирается транзистор. Руководствуясь этой таблицей, можно значительно сузить область поиска. Если транзистор по этим данным подходит, можно просмотреть краткий справочный листок (только для распространенных приборов, например, КТ502, КТ503, КТ814, КТ815, КТ816, КТ817, КТ818, КТ819, КТ825, КТ827, КТ829, КТ837, КТ838, КТ846, КТ940, КТ961, КТ972, КТ973, КТ8101, КТ8102), где приведены только основные параметры транзисторов (которых, впрочем, достаточно для грубых расчетов), фото с цоколевкой, аналоги и производители. Для более детального изучения характеристик нужно открыть datasheet, где уже есть графики зависимостей параметров и редко требующиеся характеристики. Фильтр параметров позволяет сформировать в справочнике списки по функциональным особенностям транзисторам Содержание: Раздел составных транзисторов (всего 49 штук) Раздел мощных высоковольтных транзисторов (всего 64 штук) Раздел p-n-p транзисторов (всего 56 штук) Раздел n-p-n транзисторов (всего 138 штук) Показать/скрыть краткое описание транзисторов Всего в справочнике приведено подробное описание более 140 отечественных мощных транзисторов и более 100 их импортных аналогов.
Фильтр параметров: n-p-n   p-n-p    Составные транзисторы   Высоковольтные   Показать все
Типы корпусов
Наименование	Аналог	Корпус	PDF	Тип	Imax, A	Umax, В	h31e max
КТ501(А-Е)	BC212	TO-18		pnp	0,3	30	240	КТ501 предназначен для применения в усилителях низкой частоты. Справочные данные транзистора КТ501 содержатся в даташит.
КТ502(А-Е)	MPSA56	TO-92		pnp	0,15	90	240	Транзистор КТ502(А-Е) в корпусе ТО-92, предназначен для применения в усилителях низкой частоты. Подробные параметры КТ502 и цоколевка приведены в даташит. Аналог КТ502 – MPSA56. Комплементарная пара КТ503.
КТ503(А-Е)	2SC2240	TO-92		npn	0,15	100	240	Универсальный транзистор КТ503(А-Е) в корпусе TO-92, предназначен для работы в усилителях НЧ. Подробные характеристики, графики зависимостей параметров и цоколевка КТ503 приведены в datasheet. Аналог КТ503 – 2SC2240. Комплементарная пара (транзистор обратной проводимости с близкими параметрами) – КТ502.
КТ504(А,Б,В)	BSS73	TO-39		npn	1	350	100	КТ504(А-В) в металлическом корпусе, для применения в преобразователях. Цоколевка и характеристики КТ504 содержатся в datasheet. Импортный аналог КТ504 – BSS73.
KТ505(А,Б)	BSS76	TO-39		pnp	1	300	100	КТ505(А,Б) в металлическом корпусе предназначен для применения в источниках вторичного электропитания (ИВЭП). Параметры и характеристики приведены в справочном листке.
КТ506(А,Б)	BUX54	TO-39		npn	2	800	30	КТ506А и КТ506Б для  переключающих устройств. Импортным аналогом КТ506 является BUX54.
2Т509А		TO-39		pnp	0,02	450	60	2Т509 для высоковольтных стабилизаторов напряжения.
КТ520(А,Б)	MPSA42	TO-92 DPAK		npn	0.5	300	40	Высоковольтный транзистор КТ520 используется в выходных каскадах видеоусилителей и высоковольтных переключательных схемах.
КТ521(А,Б)	MPSA92	TO-92		pnp	0.5	300	40	Высоковольтный транзистор КТ521 является комплиментарной парой для КТ520.
КТ529А		TO-92		pnp	1	60	250	КТ529, его параметры рассчитаны под схемы с низким напряжением насыщения. Комплементарная пара – КТ530.
КТ530А		TO-92		npn	1	60	250	Описание транзистора КТ530. Его характеристики аналогичны КТ529, является его комплементарной парой.
КТ538А	MJE13001	TO-92		npn	0.5	600	90	Высоковольтный КТ538 используется в высоковольтных переключательных схемах. Подробно параметры описаны в справочном листке.
КТ704(А-В)	MJE18002			npn	2,5	500	100	КТ704, предназначен для применения в импульсных высоковольтных модуляторах.
ГТ705(А-Д)				npn	3,5	30	250	ГТ705 предназначен для применения в усилителях мощности НЧ.
2Т708(А-В)	2SB678	TO-39		pnp	2,5	100	1500	составной транзистор 2Т708 предназначен для применения в усилителях и переключательных устройствах.
2Т709(А-В)	BDX86	TO-3		pnp	10	100	2000	мощный составной транзистор 2Т709 для усилителей и переключательных устройств. Подробно характеристики описаны в справочном листке.
КТ710А		TO-3		npn	5	3000	40	КТ710А для применения в высоковольтных стабилизаторах и переключающих устройствах.
КТ712(А,Б)	BU806	TO-220		pnp	10	200	1000	мощные составные транзисторы КТ712А и КТ712Б. Характеристики заточены для применения в источниках вторичного электропитания и стабилизаторах.
2Т713А		TO-3		npn	3	2500	20	2Т713, параметры адаптированы для применения в высоковольтных стабилизаторах
2Т716 (А-В)	2SD472H	TO-3		npn	10	100	750	2Т716 для применения в усилителях и переключающих устройствах.
2Т716 (А1-В1)	BDX33	TO-220		npn	10	100	750	составной 2Т716А1 в пластиковом корпусе. Параметры аналогичны 2Т716.
КТ719А	BD139	TO-126		npn	1,5	120	70	КТ719А для применения в линейных и переключающих схемах. Подробные характеристики и описание КТ719 приведено в справочном листке.
КТ720А	BD140			pnp	1,5	100
КТ721А	BD237			npn	1,5	100		BD237, импортный аналог КТ721А
КТ722А	BD238			pnp	1,5	100		Справочные данные BD238, аналога КТ722А
КТ723А	MJE15028			npn	10	100		Справочные данные MJE15028, импортного аналога КТ723
КТ724А	MJE15029			pnp	10	100		Справочные данные MJE15029, аналога КТ724А
КТ729	2N3771			npn	30	60		Параметры 2N3771, аналога КТ729
КТ730	2N3773			npn	16	140		Характеристики 2N3773, аналога КТ730
КТ732А	MJE4343	TO-218		npn	16	160	15	КТ732 используется в преобразователях напряжения.
КТ733А	MJE4353	TO-218		pnp	16	160	15	КТ733 – Комплементарная пара для КТ732, их характеристики идентичны.
КТ738А	TIP3055	TO-218		npn	15	70	70	КТ738 используется в усилителях и ключевых схемах.
КТ739А	TIP2955	TO-218		pnp	15	70	70	КТ739 – Комплементарная пара для КТ738.
КТ740А,А1	MJE4343	TO-220 TO-218		npn	20	160	30	КТ740 предназначен для применения в регуляторах и преобразователях напряжения. Импортный аналог КТ740 – MJE4343
КТ805(А-ВМ)	KSD363 BD243	TO-220		npn	5	160	15	КТ805АМ, КТ805БМ, КТ805ВМ в корпусе ТО-220 предназначен для применения в выходных каскадах строчной развертки и переключающих устройствах. Подробные характеристики транзистора КТ805 приведены в datasheet. Транзисторы КТ805А, КТ805Б с аналогичными параметрами выпускаются в металлостеклянном корпусе. Импортные аналоги для КТ805 – транзисторы BD243 и KSD363. По характеристикам в качестве комплиментарной пары для КТ805 подходит транзистор КТ837.
КТ807(А-БМ)				npn	0,5	100	150	КТ807 для строчной и кадровой разверток, усилителей НЧ и ИВЭП (ИВЭП – источник вторичного электропитания)
КТ808(А-ГМ)		TO-3		npn	10	130	50	КТ808 для кадровой и строчной разверток
КТ812(А-В)		TO-3		npn	10	700	30	КТ812 для применения в импульсных устройствах. Цоколевка приведена в справочном листке.
КТ814(А-Г)	BD140 ZTX753	TO-126 DPAK		pnp	1,5	100	100	Транзистор КТ814. предназначен для усилителей НЧ, импульсных устройств. Подробные характеристики КТ814 и цоколевка приведены в datasheet. Там же графики: входной характеристики, зависимости h31e от тока эмиттера, напряжения насыщения от тока коллектора и другие. Импортный аналог КТ814 – транзистор BD140. Комплементарная пара для КТ814 (транзистор обратной проводимости с близкими характеристиками) – КТ815.
КТ815(А-Г)	BD139 ZTX653	TO-126 DPAK		npn	1,5	100	100	КТ815 является комплиментарной парой для КТ814. Транзисторы КТ815А, КТ815Б, КТ815В, КТ815 параметрами отличаются по напряжению. КТ815 предназначен для усилителей НЧ и ключевых схем. Подробные характеристики КТ815 и цоколевку см. в datasheet. Приведена входная характеристика КТ815, график зависимости h31e от тока, график для напряжения насыщения. Импортным аналогом КТ815 является транзистор BD139.
КТ816(А-Г)	BD238 MJE172	TO-126 DPAK		pnp	3	80	100	КТ816 в два раза мощнее по току, чем КТ814, предназначены для применения в ключевых и линейных схемах. Транзисторы КТ816А, КТ816Б, КТ816В, КТ816Г отличаются по предельному напряжению. Подробные характеристики КТ816 и цоколевка приведены в datasheet. Там же график входной характеристики КТ816, зависимости усиления от тока, графики для напряжения насыщения. Импортным аналогом КТ816 является транзистор BD238. Комплементарная пара – КТ817.
КТ817(А-Г)	BD237 MJE182	TO-126 DPAK		npn	3	80	100	КТ817 в два раза мощнее по току, чем КТ815. Применяются в ключевых и линейных схемах. Транзисторы КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817 параметрами отличаются по Uкэ(max). Подробные характеристики КТ817 и цоколевка даны в datasheet. Кроме характеристик по постоянному току приведены графики входной характеристики, зависимости параметра h31e от тока, взаимосвязи параметров Uкэнас и Iк . Аналоги КТ817Б – транзисторы BD233 и MJE180. Аналоги КТ817В – BD235 и MJE181, импортные аналоги КТ817Г – BD237 и MJE182. Комплементарная пара – КТ816.
КТ818(А-ГМ)	BDW22 BD912	TO-220 TO-3		pnp	10 15	100	100	Мощный транзистор КТ818 предназначен для применения в усилителях. КТ818А, КТ818Б, КТ818В и КТ818Г в корпусе TO-220, а КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ и КТ818ГМ в металлическом корпусе. Подробные характеристики КТ818 и цоколевка приведены в datasheet. Там же графики зависимостей параметров, входная и выходная характеристика. Импортные аналоги КТ818 – BDW22 и BD912. Комплементарная пара – транзистор КТ819.
КТ819(А-ГМ)	BDW51 BD911	TO-220 TO-3		npn	10 15	100	100	Транзистор КТ819 является комплементарной парой для КТ818 и предназначен для применения в усилителях. Транзисторы КТ819А, КТ819Б, КТ819В и КТ819Г в корпусе TO-220, а КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ и КТ819ГМ в корпусе TO-3. Подробные параметры КТ819 и цоколевка приведены в datasheet. Там же графики зависимостей, входная и выходная характеристика. Импортные аналоги КТ819 – BDW51 и BD911.
КТ825(Г-Е)	2Т6050	TO-220 TO-3		pnp	15 20	100	18000	Мощный составной pnp транзистор КТ825 для применения в усилителях и переключающих устройствах. 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В, КТ825Г, КТ825Д и КТ825Е в металлическом корпусе. Подробные характеристики приведены в datasheet. Различие в параметрах по напряжению. Комплементарная пара для КТ825 – транзистор КТ827. Импортный аналог – 2T6050.
КТ826(А-В)		TO-3		npn	1	700	120	Биполярный транзистор КТ826 для применения в преобразователях и высоковольтных стабилизаторах. Описание КТ826 и характеристики приведены в документации.
КТ827(А-В)	2N6057 BDX87	TO-3		npn	20	100	18000	Мощный составной npn транзистор КТ827 для применения в усилителях, стабилизаторах тока, устройствах автоматики. В металлическом корпусе. Подробные характеристики КТ827А, КТ827Б, КТ827В приведены в даташит. Различаются параметрами по напряжению. Комплементарная пара для КТ827 – транзистор КТ825. Импортный аналог – 2N6057.
КТ828(А-Г)	BU207	TO-3		npn	5	800	15	характеристики КТ828, графики и параметры см. в даташит
КТ829(А-Г)	TIP122 2N6045	TO-220		npn	8	100	3000	Составной транзистор КТ829 для применения в усилителях НЧ и переключательных устройствах. Графики входных характеристик. Подробные характеристики транзисторов КТ829А, КТ829Б, КТ829В,КТ829Г в datasheet . Аналоги КТ829 – транзисторы TIP122 и 2N6045.
2Т830(А-Г)	2N5781	TO-39		pnp	2	90	160	транзистор 2Т830 для применения в усилителях мощности и ИВЭП. Аналог 2Т830 – 2N5781.
2Т831(А-В)	2N4300	TO-39		npn	2	50	200	2Т831 для усилителей НЧ и преобразователей.
КТ834(А-В)	BU323	TO-3		npn	15	500	3000	составной транзистор КТ834 для источников тока и напряжения.
КТ835(А,Б)	2N6111	TO-220		pnp	7,5	30	100	транзистор КТ835 для усилителей и преобразователей. Аналог КТ835 – импортный 2N6111
2Т836(А-В)	BD180	TO-39		pnp	3	90	100	2Т836 для усилителей мощности и ИВЭП.
КТ837(А-Ф)	2N6108 2N6111	TO-220		pnp	8	70	200	pnp транзистор КТ837 предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах. Корпус пластмассовый TO-220. Подробные параметры КТ837А, КТ837Б, КТ837В, КТ837Г, КТ837Д, КТ837Е-Ф указаны в файле. Аналог для КТ837 – транзистор 2N6108 с близкими характеристиками.
КТ838А	2SD1554 BU208	TO-3		npn	5	1500	14	Высоковольтный транзистор КТ838А для строчной развертки телевизоров . Характеристики КТ838А приведены в файле. Импортные аналоги – 2SD1554 и BU208.
КТ839А	2SC1172 MJ16212	TO-3		npn	10	1500	12	Характеристики и параметры КТ839 аналогичны транзистору КТ838, но круче по току.
КТ840(А,Б)	BUX97	TO-3		npn	6	400	100	Биполярный транзисторы КТ840А и КТ840Б для применения в переключающих устройствах. Подробные параметры приведены в файле.
КТ841(А-В)	MJ413 2N3442	TO-3		npn	10	600	35	Мощный биполярный транзистор КТ841 для применения в мощных преобразователях. Подробные параметры транзисторов КТ841А, КТ841Б, КТ841В в даташит.
КТ842(А,Б)	2SB506	TO-3		pnp	5	300	30	Биполярный транзистор КТ842 для применения в мощных преобразователях и линейных стабилизаторах напряжения.
КТ844А	MJ15011	TO-3		npn	10	250	60	КТ844 предназначен для импульсных устройств, подробное описание приведено в datasheet
КТ845А		TO-3		npn	5	400	100	КТ845А разработан для применения в импульсных устройствах.
КТ846А	BU208	TO-3		npn	5	1500	15	Высоковольтный биполярный транзистор КТ846А, входные характеристики, графики приведены в datasheet.
КТ847А	BUX48 2N6678	TO-3		npn	15	650	100	Подробное описание КТ847А, входные и выходные характеристики. Аналогом для КТ847 является BUX48.
КТ848А	BUX37	TO-3		npn	15	400	1000	Составной транзистор КТ848А для систем электронного зажигания. Характеристики КТ848 в прикрепленном файле. Аналог КТ848 – BUX37.
КТ850(А-В)	2SD401	TO-220		npn	2	250	200	КТ850 заточен для применения в усилителях мощности и переключающих устройствах. Подробное описание КТ850А, КТ850Б, КТ850В и графики  приведены в datasheet .
КТ851(А-В)	2SB546	TO-220		pnp	2	200	200	КТ851 для усилителей НЧ и переключающих устройств. Параметры КТ851А, КТ851Б, КТ851В см. в файле pdf
КТ852(А-Г)	TIP117	TO-220		pnp	2	100	1500	Составной КТ852 для усилителей и переключающих устройств. Параметры КТ852А в даташит.
КТ853(А-Г)	TIP127 2N6042	TO-220		pnp	8	100	750	Составной pnp транзистор КТ853. Предназначен для применения в усилительных схемах. Параметры КТ853А, КТ853Б, КТ853В, КТ853Г см. в pdf файле.
КТ854(А,Б)	MJE13006	TO-220		npn	10	500	50	КТ854 для применения в преобразователях и линейных стабилизаторах. Справочные данные приведены в datasheet.
КТ855(А-В)	MJE9780	TO-220		pnp	5	250	100	КТ855 для применения в преобразователях, линейных стабилизаторах. Аналог с близкими характеристиками – MJE9780.
2Т856(А-В)	BUX48	TO-3		npn	10	950	60	2Т856 для переключательных устройств. Аналог – BUX48.
КТ856(А1,Б1)	BUV48	TO-218		npn	10	600	60	КТ856 для применения в усилителях и переключающих устройствах. Справочные данные КТ856А1, КТ856Б1 см. в datasheet .
КТ857А	BU408	TO-220		npn	7	250	50	КТ857 для применения в усилителях и переключающих устройствах. Аналог – BU408.
КТ858А	BU406	TO-220		npn	7	400	60	транзистор КТ858 предназначен для применения в переключающих устройствах. Аналог – BU406. Подробное описание смотри в datasheet .
КТ859А	MJE13005	TO-220		npn	3	800	60	Высоковольтный КТ859 заточен для переключающих устройств. Параметры и цоколевка КТ859 приведены в datasheet. Импортный аналог с близкими характеристиками – MJE13005.
2Т860(А-В)		TO-39		pnp	2	90	100	2Т860 предназначен для усилителей мощности и преобразователей.
2Т862(А-Г)		TO-3		npn	15	400	100	2Т862 для применения в импульсных модуляторах и переключающих устройствах.
КТ863Б,В	D44Vh20	TO-220		npn	10	160	300	Транзистор КТ863 предназначен для применения в преобразователях, фотовспышках. Справочные характеристики см. в datasheet. Аналог КТ863 – D44Vh20.
КТ863БС	D44Vh20	TO-220 TO-263		npn	12	160	300	КТ863БС – более свежая разработка. Модификация КТ863БС1 предназначена для поверхностного монтажа.
КТ864А	2N3442	TO-3		npn	10	200	100	КТ864 для применения в ИВЭП, усилителях и стабилизаторах.
КТ865А	2SA1073	TO-3		pnp	10	200	60	Область применения транзистора КТ865 та же, что и у КТ864.
КТ867А	TIP35	TO-3		npn	25	200	100	КТ867 для применения в ИВЭП. В описании транзистора приведены графики зависимости коэффициента усиления от тока и график области максимальных режимов.
КТ868(А,Б)	BU426			pnp	6	400	60	КТ868 предназначен для применения в источниках питания телевизоров. Подробные характеристики см. в datasheet. Функциональный аналог КТ868 – BU426.
КТ872(А-В)	BU508 MJW16212	TO-218		npn	8	700	16	Высоковольтный npn транзистор КТ872 для применения в строчной развертке телевизоров. Подробное описание КТ872 приведено в справочном листе. Аналоги КТ872 – транзисторы BU508 и MJV16212.
2Т875(А-Г)	2SD1940	TO-3		npn	10	90	200	2Т875 для применения в усилителях и переключающих устройствах.
2Т876(А-Г)	MJE2955	TO-3		pnp	10	90	140	2Т876 для применения в усилителях и переключающих устройствах.
2Т877(А-В)	2N6285	TO-3		pnp	20	80	10000	Составной транзистор 2Т877 для применения в усилителях и переключающих устройствах.
КТ878(А-В)	BUX98	TO-3		npn	30	900	50	КТ878 для применения в переключающих устройствах, ИВЭП.
КТ879				npn	50	200	25	КТ879 для применения в переключающих устройствах.
2Т880(А-В)	2N6730			pnp	2	100	140	2Т880 – для усилителей и переключательных устройств.
2Т881(А-Г)	2N5150			npn	2	100	200	2Т881 – применение аналогично 2Т880
2Т882(А-В)		TO-220		npn	1	300	100	2Т882 в корпусе ТО-220 для применения в усилителях и переключающих устройствах. Цоколевка и характеристики приведены в pdf.
2Т883(А,Б)		TO-220		pnp	1	300	100	2Т883 для усилителей и переключающих устройств. Корпус ТО-220.
2Т884(А,Б)		TO-220		npn	2	800	40	2Т884 для применения в усилителях и переключающих устройствах. Подробные параметры см. в datasheet .
2Т885(А,Б)		TO-3		npn	40	500	12	мощный транзистор 2Т885 предназначен для применения в ИВЭП.
КТ886(А1,Б1)	MJW16212	TO-218		npn	10	1400	25	Высоковольтный транзистор КТ886 для применения в строчной развертке и ИВЭП. Характеристики см. в файле pdf. Аналог для КТ886 – MJW16212.
КТ887 А,Б		TO-3		pnp	2	700	120	КТ887 для переключательных схем, стабилизаторов напряжения.
КТ888 А,Б		TO-39		pnp	0,1	900	120	Высоковольтный транзистор КТ888 для применения в преобразователях и стабилизаторах напряжения ИВЭП.
КТ890(А-В)	BU323	TO-218		npn	20	350	700	Составной транзистор КТ890 предназначен для применения в схемах зажигания авто. Подробные характеристики КТ890А, КТ890Б и КТ890В приведены в pdf. Аналогом для КТ890 является BU323.
КТ892(А-В)	BU323A	TO-3		npn	15	400	300	мощный транзистор КТ892 предназначен для применения в схемах зажигания авто и других схемах с индуктивной нагрузкой.
КТ896 (А,Б)	BDW84	TO-218		pnp	20	80	10000	Составной мощный транзистор КТ896 для применения в линейных и переключающих схемах. Характеристики КТ896А и КТ896Б см. в datasheet файле. Аналог для КТ896 – BDW84.
КТ897(А,Б)	BU931Z	TO-3		npn	20	350	4000	Составной транзистор КТ897 для схем зажигания авто и других схем с индуктивной нагрузкой. Аналог для КТ897 – BU931.
КТ898 (А,Б)	BU931P	TO-218		npn	20	350	1500	Составной транзистор КТ898 для применения в ИВЭП. Параметры оптимизированы для работы на индуктивную нагрузку. Аналог КТ898 – BU931. Подробные характеристики КТ898А и КТ898Б см. в datasheet.
КТ899А	BU806	TO-220		npn	8	150	1000	Составной транзистор КТ899 для применения в усилительных и переключательных устройствах. Аналог с близкими характеристиками – BU806.
КТ8101(А,Б)	MJE4343 2SC3281	TO-218		npn	16	200	100	мощный транзистор КТ8101 предназначен для применения в усилителях НЧ, стабилизаторах и преобразователях. Подробные характеристики КТ8101А и КТ8101Б см. в datasheet. Аналог для КТ8101 – транзистор MJE4343. Комплементарная пара – КТ8102.
КТ8102(А,Б)	MJE4353 2SA1302	TO-218		pnp	16	200	100	Мощный транзистор КТ8102, область применения аналогична КТ8101, являющемуся его комплиментарной парой. Характеристики КТ8102А, КТ8102Б приведены в datasheet . Импортный аналог для КТ8102 – MJE4353.
КТ8106 (А,Б)	MJH6286	TO-218		npn	20	80	3000	Составной транзистор КТ8106 для применения в усилителях мощности и переключающих схемах. Аналог для КТ8106 – MJH6286.
КТ8107(А-В)	BU208	TO-218		npn	8	700	12	КТ8107 для применения в каскадах строчной развертки, ИВЭП, высоковольтных схемах. Подробные параметры в datasheet. Импортный аналог для КТ8107 – BU208.
КТ8109	TIP151	TO-220		npn	7	350	150	Составной транзистор КТ8109 для схем зажигания авто. Справочные данные см. в datasheet.
КТ8110 (А-В)	BUT11			npn	7	400	30	Справочные данные BUT11, импортного аналога КТ8110.
КТ8111(А9-Б9)	BDV67	TO-218		npn	20	100	750	Составной мощный транзистор КТ8111 для применения в усилителях НЧ, стабилизаторах тока и напряжения, переключателях. Аналог – BDV67.
КТ8115(А-В)	BD650 TIP127	TO-220		pnp	8 5	100	1000	Составной pnp транзистор КТ8115А для применения в усилительных и преобразователях напряжения. Аналог для КТ8115 – BD650. Комплементарная пара – КТ8116.
КТ8116(А-В)	TIP132	TO-220 DPAK		npn	8 5	100	1000	Составной транзистор КТ8116, область применения аналогична КТ8115, являющимся его комплементарной парой.
КТ8117А	BUV48	TO-218		npn	10	400	10	мощный транзистор КТ8117 предназначен для ИВЭП, управления двигателями, стабилизаторов тока.
КТ8118А	MJE8503	TO-220		npn	3	800	40	КТ8118 для высоковольтных переключательных схем, усилителей постоянного тока.
КТ8120А		TO-220		npn	8	450	10	КТ8120 для ИВЭП, схем управления электродвигателями.
КТ8121А,Б		TO-220		npn	4	400	60	КТ8121 для высоковольтных переключающих схем, преобразователей
КТ8123А		TO-220		npn	2	150	40	КТ8123 для схем вертикальной развертки ТВ, усилителей.
КТ8124(А-В)		TO-220		npn	10	400	7	Справочные данные КТ8124, предназначенного для применения в горизонтальной развертке ТВ, переключательных схемах.
КТ8126(А1,Б1)	MJE13007	TO-220		npn	8	400	30	мощный транзистор КТ8126 для применения в горизонтальной развертке ТВ, преобразователях. Справочные данные приведены в datasheet .
КТ8130 (А-В)	BD676			pnp	4	80	15000
КТ8131 (А,Б)	BD677			npn	4	80	15000
КТ8133 (А,Б)				npn	8	240	3000
КТ8137А	MJE13003	TO-126		npn	1,5	700	40	Для применения в строчной развертке ТВ, управления двигателями.
КТ8141 (А-Г)				npn	8	100	750
КТ8143 (А-Ш)		КТ-9М		npn	80	300	15	биполярный мощный высоковольтный n-p-n транзистор с диодом КТ8143 для низковольтных источников питания бортовой аппаратуры
КТ8144(А,Б)		TO-3		npn	25	800	55
КТ8146(А,Б) КТ8154(А,Б) КТ8155(А-Г)		ТО-3		npn	15 30 50	800 600 600		мощный высоковольтный транзистор для применения в источниках питания
КТ8156(А,Б)	BU807	TO-220		npn	8	200	1000	КТ8156 предназначен для применения в горизонтальных развертках малогабаритных ЭЛТ.
КТ8157(А-В)		TO-218		npn	15	1500	8	для строчных разверток ТВ с увеличенной диагональю экрана
КТ8158(А-В)	BDV65	TO-218		npn	12	100	1000	КТ8158, параметры заточены для применения в усилителях НЧ, в ключевых и линейных схемах.
КТ8159(А,Б,В)	BDV64	TO-218		pnp	12	100	1000	КТ8159, Комплементарная пара для КТ8158, параметры и область применения аналогичные.
КТ8163А				npn	7	500	40
КТ8164(А,Б)	MJE13005	TO-220		npn	4	400	60	Высоковольтный транзистор КТ8164 для импульсных источников питания.
КТ8167 (А-Г)				pnp	2	80	250
КТ8168 (А-Г)				npn	2	80	250
КТ8170(А1,Б1)	MJE13003	TO-126		npn	1.5	400	40	Высоковольтный транзистор КТ8170 для применения в импульсных источниках питания.
КТ8171 (А,Б)				npn	20	350	10000
КТ8176(А,Б,В)	TIP31	TO-220		npn	3	100	50	КТ8176 для усилителей и переключательных схем.
КТ8177(А,Б,В)	TIP32	TO-220		pnp	3	100	50	КТ8177 для усилителей и переключательных схем. Комплементарная пара для КТ8176.
КТ8192 (А-В)		ISOTOP		npn	75	1500	10	мощный npn транзистор КТ8192 для применения в электроприводе
КТ8196 (А-В)				npn	10	350	400
КТ8212(А,Б,В)	TIP41	TO-220		npn	6	100	75	КТ8212 для линейных и ключевых схем.
КТ8213(А,Б,В)	TIP42	TO-220		pnp	6	100	75	Комплементарная пара для КТ8212.
КТ8214(А,Б,В)	TIP112	TO-220		npn	2	100	1000	Составной транзистор КТ8214 предназначен для применения в ключевых и линейных схемах.
КТ8215(А,Б,В)	TIP117	TO-220		pnp	2	100	1000	Составной транзистор КТ8215 – Комплементарная пара КТ8214.
КТ8216 (А-Г)	MJD31B			npn	2	800	275
КТ8217 (А-Г)	MJD32B			pnp	10	100	275
КТ8218 (А-Г)				npn	4	100	750
КТ8219 (А-Г)				pnp	4	40	750
КТ8224(А,Б)	BU2508	TO-218		npn	8	700	7	Высоковольтный транзистор КТ8224 для применения в высоковольтных схемах ТВ приемников. Аналог – BU2508. Интегральный демпфирующий диод и резистор база-эмиттер.
КТ8228(А,Б)	BU2525	TO-218		npn	12	800	10	Высоковольтный транзистор КТ8228 для применения в высоковольтных схемах ТВ приемников. Белорусский аналог BU2525. Диод между коллектором э эмиттером, резистор между базой-эмиттером.
КТ8229А	TIP35F	TO-218		npn	25	180	75	КТ8229 для линейных и ключевых схем.
КТ8230А	TIP36F	TO-218		pnp	25	180	75	КТ8230 -Комплементарная пара для КТ8229.
КТ8231А	BU941			npn	15	500	300	datasheet на транзистор BU941
КТ8232 (А,Б)	BU941ZP	TO-218		npn	20	350	300	КТ8232 для применения в переключательных и импульсных схемах, параметры оптимизированы для схем зажигания.
КТ8246(А-Г)	КТ829	TO-220		npn	15	150	9000	Составной транзистор КТ8246 для применения в автотракторных регуляторах напряжения.
КТ8247А	BUL45D	TO-220		npn	5	700	22	Высоковольтный транзистор КТ8247 для применения в преобразователях напряжения. Аналог – BUL45. Интегральный демпфирующий диод и резистор база-эмиттер.
КТ8248А	BU2506	TO-218		npn	5	1500	60	Высоковольтный транзистор КТ8247 для применения в строчных развертках ТВ. Аналог – BU2506. Интегральный демпфирующий диод и резистор база-эмиттер.
КТ8251А	BDV65	TO-218		npn	10	180	1000	Составной npn транзистор КТ8251 для применения в линейных усилителях и ключевых преобразователях напряжения.
КТД8252(А-Г)	BU323Z	TO-220 TO-218		npn	15	350	2000	для работы на индуктивную нагрузку
КТ8254А				npn	2	800	30
КТ8255А	BU407	TO-220		npn	7	330	200	КТ8255 для применения линейных и ключевых схемах.
КТД8257(А-В)	SGSD96	TO-220		npn	20	180	1000	для применения в усилителях НЧ и переключающих устройствах.
КТ8258(А,Б)	MJE 13004	TO-220		npn	4	400	80	для использования в преобразователях, в линейных и ключевых схемах, аналог транзистора 13004
КТ8259(А,Б)	MJE13007 13007	TO-220		npn	8	400	80	для использования в преобразователях, в линейных и ключевых схемах, отечественный аналог импортного транзистора 13007
КТ8260(А-В)	MJE13008	TO-220		npn	15	500	15	для ИВЭП, преобразователей, аналог транзистора 13008.
КТ8261А	BUL44	TO-126		npn	2	400	20	КТ8261 для применения в преобразователях напряжения.
КТД8262(А-В)	SEC80	TO-220		npn	7	350	300	Для систем зажигания автотракторной техники
КТ8270А	MJE13001	TO-126		npn	0.5	600	90	КТ8270 для использования в преобразователях напряжения. Подробные справочные данные приведены в datasheet.
КТ8271(А,Б,В)	BD136	TO-126		pnp	1.5	80	250	КТ8271 для преобразователей напряжения. Подробные параметры приведены в datasheet.
КТ8272(А,Б,В)	BD135	TO-126		npn	1.5	80	250	КТ8272 для линейных усилителей и преобразователей напряжения. Комплементарная пара для КТ8271
КТД8278(А-В1)	SGSD93ST	TO-220		npn	20	180	1000	Для усилителей НЧ, переключательных устройств.
КТД8279(А-В)	2SD1071	TO-220 TO-218		npn	10	350	300	для работы на индуктивную нагрузку, в системах зажигания.
КТД8280(А-В)		TO-218		npn	60	120	1000	Составной транзистор КТД8280 для преобразователей напряжения, схем управления двигателями, источников бесперебойного питания.
КТД8281(А-В)		TO-218		pnp	60	120	1000	Составной транзистор КТД8281 для преобразователей напряжения, схем управления двигателями.
КТ8283(А-В)		TO-218		pnp	60	120	100	для преобразователей, схем управления двигателями. Параметры описаны в даташит.
КТ8284(А-В)	КТ829	TO-220		npn	12	100	500	для автотракторных регуляторов напряжения, линейных схем.
КТ8285(А-В)	BUF410	TO-218 TO-3		npn	30	450	40	для преобразователей напряжения, ИВЭП. Характеристики описаны в даташит.
КТ8286(А-В)	2SC1413	TO-218 TO-3		npn	5	800	40	для усилителей низкой частоты, переключающих устройствах, мощных регуляторах напряжения. Подробные характеристики см. в datasheet
КТ8290А	BUh200	TO-220		npn	10	700	15	Высоковольтный биполярный транзистор КТ8290 для использования в импульсных источниках питания.
КТ8296(А-Г)	KSD882	TO-126		npn	3	30	400	КТ8296 для использования в импульсных источниках питания, ключевых схемах и линейных усилителях.
КТ8297(А-Г)	KSD772	TO-126		pnp	3	30	400	КТ8297 – Комплементарная пара (транзистор с близкими характеристиками, но обратной проводимости) для КТ8296.
КТ8304А,Б		TO-220 D2PAK		npn	8	160	250	КТ8304 с демпферным диодом для автомобильных регуляторов напряжения.
ПИЛОН-3	TIP122	TO-220		npn	15	100	1000	для применения в переключающих схемах и преобразователях напряжения. Импортный аналог с близкими характеристиками – транзистор TIP122.
ПИР-1	BUV48	TO-218		npn	20	450	8	ПИР-1 для ключевых схем с индуктивной нагрузкой и усилителей с высокой линейностью.
ПИР-2	MJE4343	TO-220 TO-218		npn	20	160	30	ПИР-2 для линейных усилителей и ключевых схем.
								Справочник составлен в 2007 году, затем дополнялся и дорабатывался вплоть до 2015г. Соавторы: WWW и Ко

Биполярные транзисторы серии КТ8хх

Предприятия, отмеченные таким цветом, прекратили свое существование.

Подробная информация о производителях – в ПУТЕВОДИТЕЛе и о корпусах – здесь
тип	аналог	класс	Uкэ, В	Iк, А	h31	Uнас, В	tрас, мкс [fгр, МГц]	корпус	производитель	подробности
2Т803А	BDY23	npn	60	10	18…80	2.5	[20]	КТЮ-3-20	ИСКРА	Ге3.365.008ТУ
2Т808А	BLY47	npn	120	10	10…50	1.5	[7]	КТЮ-3-20	ИСКРА	Ге3.365.004ТУ
2Т809А	BLY49	npn	400	3	15…100	1.5	[40]	КТЮ-3-20	ИСКРА	Ге3.365.017ТУ
2Т812А		npn	700	10	5…30	2.5	3,5	КТ9	ФЗМТ	аА0.339.193ТУ
КТ814Г	BD135	pnp	100	1.5	40	0.6		КТ27	КРЕМНИЙ | ТРАНЗИСТОР
КТ815Г	BD140	npn	100	1.5	40	0.6		КТ27	КРЕМНИЙ | ТРАНЗИСТОР
КТ816Г		pnp	100	3	25	0.6		КТ27	КРЕМНИЙ | ТРАНЗИСТОР
КТ817Г		npn	100	3	25	0.6		КТ27	КРЕМНИЙ | ТРАНЗИСТОР
КТ818Г/Г2	BD239	pnp	90	10	15…275	1	[3]	КТ28/dpak	КРЕМНИЙ | ИСКРА
КТ819Г/Г2	BD244	npn	100	10	15…275	1	[3]	КТ28/dpak	КРЕМНИЙ | ИСКРА
КТ820В		pnp	100	0.5	40	0.2		б/к	КРЕМНИЙ
КТ821В		npn	100	0.5	40	0.2		б/к	КРЕМНИЙ
КТ822В		pnp	100	2	25	0.3		б/к	КРЕМНИЙ
КТ823В		npn	100	2	25	0.2		б/к	КРЕМНИЙ
КТ825А	BDX64	pnpD	100	20	750	2	4.5	КТ9	КРЕМНИЙ
КТ825А2		pnpD	100	15	500	2	4.5	КТ28	КРЕМНИЙ
КТ826А	2SC1101	npn	700	1	120	2,5	1.5	КТ9	ФЗМТ
КТ827А	2N6284	npnD	100	20	>750	2	4,5	KT9	КРЕМНИЙ | ФЗМТ	аА0.336.356ТУ
КТ828А	2SC1413	npn	800	5	4	0.5	5	КТ9	ЭЛИЗ
КТ829А/А2	BD649	npnD	100	8	750	2	[4]	KT28/dpak	ИСКРА | КРЕМНИЙ | ЭПЛ
КТ830Г	2N4236	pnp	100	2	30	0.6	1	КТ2-7	КРЕМНИЙ
КТ831Г	2N4239	npn	100	2	42	0.6	2	КТ2-7	КРЕМНИЙ
КТ832А		npn	500	0.1	50	2	6
КТ834А	BUX30	npnD	500	15	>150	2	6	KT9	КРЕМНИЙ | ФЗМТ	аА0.336.471ТУ
КТ835А	2N6107	pnp	30	3	25	0.35		КТ28	ЭЛЕКТРОНИКА
КТ836А		pnp	90	3	20	0.6	1	КТ3	КРЕМНИЙ
КТ837А	2N6111	pnp	80	7.5	120	0.9	1	КТ28	ЭЛЕКТРОНИКА | КРЕМНИЙ | ТРАНЗИСТОР
КТ838А	BU208	npn	1500	5		5	10	KT9	ЭЛЕКТРОНПРИБОР | КРЕМНИЙ
КТ839А	BU2520	npn	1500	10	7	1.5	10	КТ9	ФЗМТ	аА0.336.485ТУ
КТ840А	BU326А	npn	400	6	10	1	3.5	КТ9	КРЕМНИЙ | ИСКРА
КТ841А	BDX96	npn	600	10	20	1.5	1.0	КТ9	КРЕМНИЙ
КТ841А1		npn	600	10	10	1.5	2.0	КТ28	КРЕМНИЙ
КТ842А	2SB506A	pnp	300	5	20	1.8	0.8	КТ9	КРЕМНИЙ
КТ842А1		pnp	300	5	10	1.8	2.2	КТ28	КРЕМНИЙ
2Т844А	UPT732	npn	250	10	10…50	2.3	2	KT9	ФЗМТ
КТ845А	BU126	npn	400	5	100	1.5	4.0	КТ9	ФЗМТ	аА0.336.595ТУ
КТ846А	BU209	npn	1500	5		1	10	KT9	КРЕМНИЙ
КТ847А	BUW76	npn	360	15	10	1.5	3.0	KT9	КРЕМНИЙ | ФЗМТ	аА0.336.576ТУ
КТ848А	BUX37	npn	400	15	>20	1.5		KT9	ЭЛИЗ
КТ850А/А2	MJD340	npn	200	2	4…200	1	[20]	КТ28/dpak	КРЕМНИЙ
КТ851А/А2	MJD350	pnp	200	2	40…200	1	[20]	КТ28/dpak	КРЕМНИЙ
КТ852А	TIP117	pnpD	100	2.5	500	2,5	2,0	КТ28	КРЕМНИЙ
КТ853А/A2	MJD127	pnpD	100	8	750	2	[7]	КТ28/dpak	КРЕМНИЙ
КТ854А	MJE3007	npn	500	10	20	2	1,2	КТ28	КРЕМНИЙ | ИСКРА
КТ855А	MJE5852	pnp	250	5	20	1		КТ28	КРЕМНИЙ
КТ856А	BUX48A	npn	400	10	30	1.5	[8]	КТ9	КРЕМНИЙ | ИСКРА	аАО.339.383ТУ
КТ857А	BU409	npn	150	7	>8	1	2,5	КТ28	КРЕМНИЙ | ИСКРА
КТ858А	BU406	npn	200	7	>10	1	1,2	КТ28	КРЕМНИЙ
КТ859А	BUX84	npn	400	3	10	1.5	3,5	КТ28	КРЕМНИЙ
КТ860А		pnp	90	2	160	0.35	0.1	КТ2-7	КРЕМНИЙ
КТ861А		npn	90	2	100	0.35	0.1	КТ2-7	КРЕМНИЙ
КТ862А		npn	450	15	100	2	1	КТ57	ПУЛЬСАР
КТ863А/А2		npn	30	10	30…100	0.3	[4]	KT28/dpak	КРЕМНИЙ
КТ863БС/1		npn	160	12	200	0.55		to220/to263	СИТ
КТ864А		npn	200	10	200	0.7	3	КТ9	КРЕМНИЙ
КТ865А		pnp	200	10	200	2		КТ9	КРЕМНИЙ
КТ866А		npn	160	20	100	1.5	0,4		ПУЛЬСАР
КТ867А	BUY21	npn	200	25	>10	1.5	[25]	КТ9	ИСКРА	аАО.339.439ТУ
КТ868А	BU426A	npn	400	6	>10	1.5	0.6	КТ43	КРЕМНИЙ | ИСКРА
КТ872А	BU508А	npn	1500	8	>6	1	<1,0	KT43	КРЕМНИЙ
КТ873А		npnD	200	8	1000	1.6		КТ23
КТ874А		npn	100	30	15	1	0,5	КТ57	ПУЛЬСАР
КТ875А		npn	90	10	80	0.5	0.4	КТ9	КРЕМНИЙ
КТ876А		pnp	90	10	80	0.5	1.0	КТ9	КРЕМНИЙ
КТ877А		pnpD	80	10	>10k	2	0.7	КТ9	КРЕМНИЙ
КТ878А	BUX98	npn	400	25	50	1.5	[10]	КТ9	КРЕМНИЙ | ИСКРА	аАО.339.574ТУ
КТ879А	2N6279	npn	200	50	>20	1.1	[3]	КТ5	ИСКРА	аАО.339.609ТУ
КТ880А		pnp	100	2	250	0.35	0.5	КТ2-7	КРЕМНИЙ
КТ881А		npn	100	2	250	0.35	0.5	КТ2-7	КРЕМНИЙ
КТ882А		npn	350	1	15	1	1,4	КТ28	КРЕМНИЙ
КТ883А		pnp	300	1	25	1.8	2,8	КТ28	КРЕМНИЙ
КТ884А		npn	800	2	25	0.8	2	КТ28	КРЕМНИЙ
КТ885А		npn	400	40	12	2.5	2	КТ9
КТ886А		npn	1400	10	6	1.0	3.5	КТ9	ЭЛЕКТРОНПРИБОР	развертка
КТ886А1	2SC3412	npn	1400	10	6	1.0	3.5	КТ43	ЭЛИЗ
КТ887А		pnp	600	2	>10	5.0		КТ9	КРЕМНИЙ
КТ888А		pnp	800	0.1	100	1.0		КТ2-7	КРЕМНИЙ
КТ889А		npn	350	10		1,5	0.3	КТ9	ИСКРА
КТ890А	BU931ZP	npn	350	20		<2.0		КТ43	ЭЛИЗ	автозажигание
КТ891А		npn	250	40	50	0.7	1.0	КТ61А	ПУЛЬСАР
КТ892А	BUZ931ZD	npnD	350	15	300	1,8	5	КТ9	ИСКРА
КТ892А1	TIP661	npnD	350	15	300	1,8	5	КТ43	ИСКРА
КТ893А	BU826	npnD	800	6	500	2.0	0.8	KT43	ЭЛЕКТРОНПРИБОР
КТ894А	2SC3889	npn	700	8		2.0	4.5	КТ43	ЭЛЕКТРОНПРИБОР
КТ895А	BU508DF	npn	700	8		1.0	6.5	КТ43С	ЭЛЕКТРОНПРИБОР
КТ896A	BDW64A	pnpD	90	5	18k			KT43	КРЕМНИЙ
КТ897A	BU937	npnD	350	20	400	1.8		КТ9	КРЕМНИЙ
КТ898А	BU931ZP	npnD	350	20	400	1.6		КТ43	КРЕМНИЙ
КТ899А	2N6388	npn	150	10	1000	1.3		КТ28	ИСКРА	{=КТ829А}
КТ8101А	BD245	npn	200	16	>20	2		КТ43	КРЕМНИЙ
КТ8102А	BD246	pnp	200	16	>20	2		КТ43	КРЕМНИЙ
КТ8104А		pnpD	200	20	10k	2.2		КТ9	КРЕМНИЙ
КТ8105А		npnD	200	20	10k	2.2		КТ9	КРЕМНИЙ
КТ8106А	BDW65A	npnD	90	20	18k	2,0		КТ43	КРЕМНИЙ
КТ8107А	BU508	npn	700	8	>10	1.0	0.5	КТ43	КРЕМНИЙ | ИСКРА
КТ8108А	2SC3750	npn	850	5	>10	1.0	3.2	КТ28	ЭЛИЗ
КТ8109А	TIP151	npn	350	7	>180	1.5	1.5	КТ28	КРЕМНИЙ | ИСКРА
КТ8110А	2SC4242	npn	400	7	>15	0.8	0.3	КТ28	КРЕМНИЙ | ИСКРА
КТ8111А		npnD	100	20	>750	2.0	1.5	КТ43	ЭЛИЗ
КТ8112А		npn	400	0.5	>300	2	[10]	КТ27	КРЕМНИЙ | ИСКРА
КТ8113А		npn	1000	1	100	2.5	1.5	КТ43	ЭЛИЗ
КТ8114А									ЭЛЕКТРОНПРИБОР
КТ8115А	TIP127	pnpD	100	8	>1000	2.0	[4]	КТ28	ИСКРА | ТРАНЗИСТОР
КТ8116А	TIP122	npnD	100	8	>1000	2.0	[4]	КТ28	ИСКРА | ТРАНЗИСТОР
КТ8117А	2SC3306	npn	400	10	50	1.5	1.0	КТ43	ИСКРА
КТ8118А	2SC3150	npn	800	3	10	2.0	0.7	КТ28	ИСКРА
КТ8120А		npn	450	8		1.0	0.5
КТ8121А	MJE13005	npn	400	4		1.0	3,5	КТ28	ИСКРА
КТ8121А2	BU208	npn	700	8		1.0	0,5	КТ9	ИСКРА	{=КТ838}
КТ8124А		npn	200	7		1.0	0.7
КТ8125А		npn	100	6		1.5	0.3
КТ8126А	MJE13007	npn	400	8	>10	1.0	0.4	КТ28	ИСКРА | ТРАНЗИСТОР
КТ8127А	BU508	npn	1500	5		1.0	0.7	КТ43	ЭЛИЗ
КТ8127А1	BU508A	npn	1500	5		1.0	0.7	КТ43	ЭЛИЗ
КТ8129А		npn	700	5		5.0		КТ9	КРЕМНИЙ
КТ8130В	2N6036	pnpD	80	4	15k	2.0		КТ27	КРЕМНИЙ
КТ8131В	2N6039	npnD	80	4	15k	2.0		КТ27	КРЕМНИЙ
КТ8134Г		pnp	60	3				КТ27	ЭЛЕКТРОНИКА
КТ8135Г		npn	60	3				КТ27	ЭЛЕКТРОНИКА
КТ8136А	2SC4106	npn	600	10	50	<1,0	2.5	КТ28	ЭЛИЗ
КТ8136А1		npn	600	10	50	<1,0	2.5	КТ28	ЭЛИЗ	+диод
КТ8137А	NJE13003	npn	400	1.5	50	1.0	0.4	КТ27	ИСКРА
КТ8138Г		npn	400	7	50	0,8	0.5	КТ28	ЭЛЕКТРОНПРИБОР
КТ8140А1	BU406D	npn	400	7	>10	<1,0		КТ28	ЭЛИЗ
2Т8143х	ТК235-40	npn	240	50	15	0,8		КТ9М | КТ5	ИСКРА	АЕЯР.432140.137ТУ
2Т8144В|В1	BUX98	npn	450	25				КТ9 | КТ9М	ИСКРА	АЕЯР.432140.261ТУ
КТ8145А		npn	400	12		1.0	0.9
КТ8146А	BUX48	npn	450	15		1,5	2,5	КТ9	ИСКРА	{=КТ856}
КТ8149А	MJ2955	pnp	60	15	120	1.1	[4]	КТ9	ИСКРА
КТ8150А	2N3055	npn	60	15	120	1.1	[4]	КТ9	ИСКРА
КТ8154А		npn	450	30		1,5	2,5	КТ9	ИСКРА
КТ8155А	BUX348	npn	450	50		1,5	2,5	КТ9М	ИСКРА
КТ8156Б	BU807	npnD	200	8	100	1.5		КТ28	ТРАНЗИСТОР
КТ8157А	2SC3688	npn	800	15	8	1.5	3,0	КТ9	ИСКРА
КТ8158B	BDV65C	npnD	100	12	>1000	2.0		КТ43	ТРАНЗИСТОР
КТ8159B	BDV64C	pnpD	100	12	>1000	2.0		КТ43	ТРАНЗИСТОР
КТ8164А	MJE13005	npn	600	4				КТ28	ТРАНЗИСТОР
КТ8170А1	MJE31003	npn	400	1.5	40	1.0	[0.004]	КТ27	ТРАНЗИСТОР
КТ8174А		npnD	500	40		2,5	4,0	КТ9М	ИСКРА	{=2ТКД155-40}
КТ8175А	MJE13003	npn	700	1.5	40		0.4	КТ27	ЭЛИЗ
КТ8176B	TIP31C	npn	100	3.0	25	1.2	[0.003]	КТ28	ТРАНЗИСТОР
КТ8177B	TIP32C	pnp	100	3.0	25	1.2	[0.003]	КТ28	ТРАНЗИСТОР
КТ8181А	MJE13005	npn	700	4	50		0.4	КТ28	ЭЛИЗ
КТ8182А	MJE13007	npn	700	8	50		0.15	КТ28	ЭЛИЗ
КТ8183А	2SD900B	npn	1500	5	3		0.3	КТ9	ЭЛИЗ
КТ8183А1	2SD1911	npn	1500	5	3		0.3	КТ43	ЭЛИЗ
КТ8190Г	ESM3003	npn	300	100	10	1,5	2,5	КТ9М	ИСКРА
КТ8191А	SK200DA060D	npnD	600	200				модуль	ИСКРА
КТ8192А	BUh2215	npn	700	30	10	1,5	3,0	isotop	ИСКРА
КТ8199А	D45h3A	pnp	30	10	85			КТ28	МИКРОН
КТ8201А	MJE13001	npn	400	0.6	40		0.3	КТ27	МИКРОН
КТ8203А	MJE13003	npn	400	1.5	25		0.7	КТ27	МИКРОН
КТ8205А	MJE13005	npn	400	4	40		0.9	КТ28	МИКРОН
КТ8207А	MJE13007	npn	400	8	30		0.7	КТ28	МИКРОН
КТ8209А	MJE13009	npn	400	12	30			КТ28	МИКРОН
КТ8210А	SK100DB060D	npnD	600	100				модуль	ИСКРА
КТ8212А	TIP41C	npn						КТ28	ТРАНЗИСТОР
КТ8213А	TIP42C	pnp						КТ28	ТРАНЗИСТОР
КТ8214А	TIP110	npn						КТ28	ТРАНЗИСТОР
КТ8215А	TIP115	npn						КТ28	ТРАНЗИСТОР
КТ8216Г1	MJD31C	npn	100	10	12…275	1,5	[3]	dpak	КРЕМНИЙ
КТ8217Г1	MJD32C	pnp	100	10	12…275	1,5	[3]	dpak	КРЕМНИЙ
КТ8218Г1	MJD112	npnD	100	4	100…15k	3	[25]	dpak	КРЕМНИЙ
КТ8219Г1	MJD117	pnpD	100	4	100…15k	3	[25]	dpak	КРЕМНИЙ
КТ8221А	ESM7007	npn	700	200				модуль	ИСКРА
КТ8223А	SK1500A100D	npn	800	150				модуль	ИСКРА
КТ8224А	BU2508A	npn	700	8	5	1	6	КТ43	ТРАНЗИСТОР
КТ8224Б	BU2508D	npn	700	8	5	1	6	КТ43	ТРАНЗИСТОР	с обратным диодом
КТ8225А	BU941ZP	npn						КТ43	ТРАНЗИСТОР
КТ8228А	BU2525А	npn						КТ43	ТРАНЗИСТОР
КТ8229А	TIP35F	npn						КТ43	ТРАНЗИСТОР
КТ8230А	TIP36F	pnp						КТ43	ТРАНЗИСТОР
КТ8232А1	BU941	npn	350	20	>300	1,8	[10]	КТ43	ВЗПП-С	Darl | АДБК.432140.837ТУ
КТ8247А	BUL45D2	npn	400	5,0	>22	0.5		КТ28	ТРАНЗИСТОР	с антинасыщающим элементом
КТ8248А	BU2506F	npn	700	5.0	9	3.0		КТ43	ТРАНЗИСТОР
КТ8251А	BDV65F	npn						КТ43	ТРАНЗИСТОР
КТ8Д.252А	BU941	npnD	350	15	2k	1.8		to218 | to220 | to263	ЭПЛ	зажигание
КТ8254А	КТ506А	npn	400	2	30	0,6	[10]	dpak	КРЕМНИЙ
КТ8255А	BU407C	npn	160	7.0	>15	1.0		КТ28	ТРАНЗИСТОР
КТ8Д.257В	КТ829	npnD	100	15	850	1.8		to220 | to263	ЭПЛ	зажигание
КТ8258А	MJE13005	npn	400	4	60	0.8		to220 | to263	ЭПЛ	зажигание
КТ8259А	MJE13007	npn	400	8	60	1.2		to220 | to263	ЭПЛ	зажигание
КТ8260А	MJE13009	npn	400	12	60	1.2		to220 | to263	ЭПЛ	зажигание
КТ8261А	BUD44D2	npn	400	2.0	>10	0.65		КТ27	ТРАНЗИСТОР	с антинасыщающим элементом
КТ8Д.262А	КТ8133	npnD	300		300	1.8		to218	ЭПЛ	зажигание
2Т8266А	ESM3001	npn	200	300	10	2,0	1,0	модуль	ИСКРА
КТ8270А	MJE13001	npn	400	5.0	90	0.5		КТ27	ТРАНЗИСТОР
КТ8271А	BD136	pnp						КТ27	ТРАНЗИСТОР
КТ8272А	BD135	npn						КТ27	ТРАНЗИСТОР
КТ8277А	BUh2215	npn	700	16		1,2	0,2	КТ9М	ИСКРА
КТ8290А	BUh200	npn	400	10.0	>10	1.0		КТ28	ТРАНЗИСТОР	Р 9/06
КТ8292А	BUX348	npn	450	60		0,9	2,5	КТ9М	ИСКРА
КТ8295АС		npn	850	4.0		1.2	1,0	КТ19A-3	ФЗМТ	Р9/06 сборка
2Т8308А9|А91	BCP56	npn	80	1	63…250	0,5		КТ99-1 | КТ47	КРЕМНИЙ
2Т8309А9|А91	BCP53	pnp	80	1	100…250	0,5		КТ99-1 | КТ47	КРЕМНИЙ
2Т8310А9|А91	FZT658	npn	400	0,5	>40	0,5		КТ99-1 | КТ47	КРЕМНИЙ

Транзистор кт3107 – цоколевка, технические характеристики

Типоразмеры SMD-компонентов

Маркировка смд, информирующая о габаритах, называется типоразмером. Это цифровой код, в котором первые два символа показывают ширину элемента (в дюймах или миллиметрах), следующие два – длину. Причем компоненты с одинаковыми рабочими характеристиками могут отличаться по размерам.

SMD резисторы

В зависимости от производителя, резисторы могут иметь маркировку, состоящую из одних цифр или их сочетания с буквами. Когда она состоит из 3 или 4 цифр, последняя из них обозначает число нулей, соответствующее сопротивлению элемента. Например, код 7502 обозначает, что цифра, показывающая сопротивление, – 75000 Ом. В смешанных кодах буква отделяет дробную часть от целой: 5R7 = 5,7 Ом.

Важно! Среди smd-деталей есть резисторные элементы с сопротивлением, равным нулю. Обычно они применяются в предохранительных целях

SMD конденсаторы

Внешний вид и маркировка этого типа компонентов отличаются между собой, в зависимости от материала конденсатора. Изделия из керамики по форме схожи с резисторами и имеют аналогичную структуру типоразмеров. Для продукции из тантала коды отличаются – ставится одна из латинских букв от А до Е, показывающая размер элемента (Е – наибольший). У электролитических изделий полоса на корпусе помечает минусовой вывод, из показателей проставляются напряжение и емкость. Это единственный тип smd конденсаторов, который имеет цилиндрическую форму, и у которого на корпусе указываются сведения о емкости. У остальных типов для ее определения нужно воспользоваться мультиметром.

SMD катушки индуктивности и дроссели

У изделий, содержащих намотку, типоразмеры имеют вид четверки чисел, где первые два показывают длину в сотых долях дюйма, другие два – ширину, например: 0905 – 0,09х0,05 дюйма.

SMD диоды и стабилитроны

Диоды smd снабжены цветной полоской: одиночной (например, желтой или красной) или парой полос разного цвета. Они находятся возле вывода катода. У светодиодов обозначение полярности вариабельно в зависимости от изготовителя (это указывают в заводской документации). Один из вариантов – пометка в виде точки. Зачастую это единственная отметка на корпусе данного компонента.

Маркировка диодов smd с корпусом в виде цилиндра в отношении типоразмеров имеет такой же вид, как у резисторных и катушечных элементов. Корпуса у них, как и у стабилитронов, имеют определенный цифробуквенный код. В целом, метки на данной категории элементов зачастую не отличаются высокой информативностью, так как проектировщики не рассчитывают, что ремонт печатной платы будет производиться радиолюбителем или самим пользователем прибора. Работники сервисных центров ориентируются на заводскую документацию, в ней указывается положение разных компонентов на плате.

Важно! Иногда изготовители выпускают сборки – серии диодов, вмонтированных в один корпус. В таком элементе могут располагаться десятки диодов, однако чаще их количество невелико – 2-4

Такие компактные конструкции размещаются на плате легче и занимают меньше места, чем отдельные компоненты.

Диоды и стабилитроны

SMD транзисторы

Как и предыдущая категория деталей, транзисторы имеют скупую маркировку, в данном случае это связано с очень мелкими размерами. Указывают лишь коды, причем в их отношении отсутствуют унифицированные международные нормы. Один и тот же код может использоваться разными производителями для разных типов элемента. Не имея на руках документации на плату, порой бывает очень тяжело определить тип используемого транзистора. Детали отличаются также по степени мощности.

Корпуса транзисторов разных размеров

Резисторы: общие сведения

Эти элементы также можно встретить в любой конструкции – хоть в радиоприемнике, хоть в схеме управления на микроконтроллере. Это фарфоровая трубка, на которой с внешней стороны проведено напыление тонкой пленки металла (углерода – в частности, сажи). Впрочем, можно нанести даже графит – эффект будет аналогичный. Если резисторы имеют очень низкое сопротивление и высокую мощность, то используется в качестве проводящего слоя нихромовая проволока.

Основная характеристика резистора – это сопротивление. Используется в электрических схемах для установки необходимого значения тока в определенных цепях. На уроках физики проводили сравнение с бочкой, наполненной водой: если изменять диаметр трубы, то можно регулировать скорость струи. Стоит отметить, что от толщины токопроводящего слоя зависит сопротивление. Чем тоньше этот слой, тем выше сопротивление. При этом условные обозначения радиодеталей на схемах не зависят от размеров элемента.

Что дает применение SMD компонентов?

При использовании SMD компонентов не нужно сверлить отверстия в платах, формировать и обрезать выводы перед монтажом. Сокращается число технологических операций, уменьшается стоимость изделий.

SMD компоненты меньше обычных, поэтому плата с такими элементами и устройство в целом будут более компактными.

SMD компоненты можно монтировать с обеих сторон платы, что еще больше увеличивает плотность монтажа.

Устройство с SMD элементами будет иметь лучшие электрические характеристики за счет меньших паразитных емкостей и индуктивностей.

Есть, конечно, и минусы. Для монтажа SMD компонентов нужно специальное оборудование и технологии. С другой стороны, монтаж электронных плат давно осуществляется автоматизированными комплексами. Чего только не придумает человек!

При ремонтных работах во многих случаях можно монтировать и демонтировать SMD компоненты.

Однако и здесь не обойтись без вспомогательного оборудования. Припаять микросхему в BGA корпусе без паяльной станции невозможно! Да и планарную микросхему с сотней выводов утомительно паять вручную. Разве только из любви к процессу…

В заключение отметим, что предохранитель тоже могут иметь SMD исполнение.

Такие штуки используют на материнских платах для защиты USB или PS/2 портов.

Пользуясь случаем, напомним, что устройства с PS/2 разъемами (мыши и клавиатуры) нельзя переключать «на ходу» (в отличие от USB).

Но если случилась такая неприятность, что PS/2 устройство перестало работать после «горячей» коммутации, не спешите хвататься за голову.

Проверьте сначала SMD предохранитель вблизи соответствующего порта.

Можно еще почитать:

С вами был Виктор Геронда.

До встречи на блоге!

Цоколевка

Распиновка  TIP41C выполнена в корпусе (ТО-220), он изготавливается из пластмассы и имеет три жестких вывода. Как показано на рисунке ниже, их назначение у данного транзистора такое: первый вывод слева — база, второй – коллектор, третий – эмиттер.

Радиатор ТО-220 конструктивно объединен с коллекторным выводом. Эта особенность большинства транзисторов в подобном исполнении. Однако стоит отметить, что такое соединение отсутствует у устройства в полностью изолированном корпусе TO-220F (от Unisonic Technologies), так как у  него попросту отсутствует металлизированный теплоотвод.

Полупроводники

Это самая большая часть всех радиоэлементов, так как в число полупроводников входят не только стабилитроны, транзисторы, диоды, но и варикапы, вариконды, тиристоры, симисторы, микросхемы, и т. д. Да, микросхемы – это один кристалл, на котором может находиться великое множество радиоэлементов – и конденсаторов, и сопротивлений, и р-п-переходов.

Как вы знаете, есть проводники (металлы, например), диэлектрики (дерево, пластик, ткани). Могут быть различными обозначения радиодеталей на схеме (треугольник – это, скорее всего, диод или стабилитрон). Но стоит отметить, что треугольником без дополнительных элементов обозначается логическая земля в микропроцессорной технике.

Эти материалы либо проводят ток, либо нет, независимо от того, в каком агрегатном состоянии они находятся. Но существуют и полупроводники, свойства которых меняются в зависимости от конкретных условий. Это такие материалы, как кремний, германий. Кстати, стекло тоже можно отчасти отнести к полупроводникам – в нормальном состоянии оно не проводит ток, но вот при нагреве картина полностью обратная.

Постоянные резисторы

Что касается таких элементов, то можно выделить наиболее распространенные типы:

1. Металлизированные лакированные теплостойкие – сокращенно МЛТ.
2. Влагостойкие сопротивления – ВС.
3. Углеродистые лакированные малогабаритные – УЛМ.

У резисторов два основных параметра – мощность и сопротивление. Последний параметр измеряется в Омах. Но эта единица измерения крайне мала, поэтому на практике чаще встретите элементы, у которых сопротивление измеряется в мегаомах и килоомах. Мощность измеряется исключительно в Ваттах. Причем габариты элемента зависят от мощности. Чем она больше, тем крупнее элемент. А теперь о том, какое существует обозначение радиодеталей. На схемах импортных и отечественных устройств все элементы могут обозначаться по-разному.

На отечественных схемах резистор – это небольшой прямоугольник с соотношением сторон 1:3, его параметры прописываются либо сбоку (если расположен элемент вертикально), либо сверху (в случае горизонтального расположения). Сначала указывается латинская буква R, затем – порядковый номер резистора в схеме.

Транзисторы

Если диоды и стабилитроны можно иногда даже не встретить в конструкциях, то транзисторы вы найдете в любой (кроме детекторного приемника). У транзисторов три электрода:

1. База (сокращенно буквой «Б» обозначается).
2. Коллектор (К).
3. Эмиттер (Э).

Транзисторы могут работать в нескольких режимах, но чаще всего их используют в усилительном и ключевом (как выключатель). Можно провести сравнение с рупором – в базу крикнули, из коллектора вылетел усиленный голос. А за эмиттер держитесь рукой – это корпус. Основная характеристика транзисторов – коэффициент усиления (отношение тока коллектора и базы). Именно данный параметр наряду с множеством иных является основным для этой радиодетали. Обозначения на схеме у транзистора – вертикальная черта и две линии, подходящие к ней под углом. Можно выделить несколько наиболее распространенных видов транзисторов:

1. Полярные.
2. Биполярные.
3. Полевые.

Существуют также транзисторные сборки, состоящие из нескольких усилительных элементов. Вот такие самые распространенные существуют радиодетали. Обозначения на схеме были рассмотрены в статье.

Корпуса чип-компонентов

Корпуса для компонентов делают из различных типов материалов. В наибольшем ходу – корпуса в форме цилиндра из стекла и металла и прямоугольные коробки из керамики или пластика. Есть приборы относительно сложной конструкции, например, вертикальные розетки-коннекторы, ответственные за соединение с локальной сетью Ethernet.

Элементы монтажа можно квалифицировать по сочетанию двух параметров: габаритов и числа выводов. Наименьшее количество выводов (при их наличии), встречающееся у этих изделий, – 2. Иногда встречаются приборы с многочисленными выводами, даже более 8, это может сочетаться с очень мелким размером. Есть детали совсем без выводов, тогда припаивание осуществляется через контактные площади или специальные шарики. У разных отечественных и зарубежных производителей есть некоторые отличия в обозначениях маркировки и в размерах производимых изделий (к примеру, конденсаторы отличаются параметром высоты). Существует классификация корпусов, в которой каждому виду присваивается код из 3-5 латинских букв (например, SOT – маленький транзистор с тремя выводами).

Размеры корпусов SMD

Переменный резистор (потенциометр)

Постоянные сопротивления имеют всего два вывода. А вот переменные – три. На электрических схемах и на корпусе элемента указывается сопротивление между двумя крайними контактами. А вот между средним и любым из крайних сопротивление будет меняться в зависимости от того, в каком положении находится ось резистора. При этом если подключить два омметра, то можно увидеть, как будет меняться показание одного в меньшую сторону, а второго — в большую. Нужно понять, как читать схемы радиоэлектронных устройств. Обозначения радиодеталей тоже не лишним окажется знать.

Суммарное сопротивление (между крайними выводами) останется неизменным. Переменные резисторы используются для регулирования усиления (с их помощью меняете вы громкость в радиоприемниках, телевизорах). Кроме того, переменные резисторы активно используются в автомобилях. Это датчики уровня топлива, регуляторы скорости вращения электродвигателей, яркости освещения.

Диоды и стабилитроны

Полупроводниковый диод имеет всего два электрода: катод (отрицательный) и анод (положительный). Но какие же существуют особенности у этой радиодетали? Обозначения на схеме можете увидеть выше. Итак, вы подключаете источник питания плюсом к аноду и минусом к катоду. В этом случае электрический ток будет протекать от одного электрода к другому. Стоит отметить, что у элемента в этом случае крайне малое сопротивление. Теперь можно провести эксперимент и подключить батарею наоборот, тогда сопротивление току увеличивается в несколько раз, и он перестает идти. А если через диод направить переменный ток, то получится на выходе постоянный (правда, с небольшими пульсациями). При использовании мостовой схемы включения получается две полуволны (положительные).

Стабилитроны, как и диоды, имеют два электрода – катод и анод. В прямом включении этот элемент работает точно так же, как и рассмотренный выше диод. Но если пустить ток в обратном направлении, можно увидеть весьма интересную картину. Первоначально стабилитрон не пропускает через себя ток. Но когда напряжение достигает некоторого значения, происходит пробой, и элемент проводит ток. Это напряжение стабилизации. Очень хорошее свойство, благодаря которому получается добиться стабильного напряжения в цепях, полностью избавиться от колебаний, даже самых мелких. Обозначение радиодеталей на схемах — в виде треугольника, а у его вершины — черта, перпендикулярная высоте.

Основные виды и размеры SMD приборов

Корпуса компонентов для микроэлектроники, имеющие одинаковые номинальные значения, могут отличаться друг от друга габаритами. Их габариты определяются прежде всего по типовому размеру каждого. К примеру: резисторы обозначаются типовыми размеры от «0201» до «2512». Данные 4 цифры в маркировке SMD компонента обозначают кодировку, которая указывает длину и ширину прибора в дюймовом измерении. В размещенной таблице, типовые размеры указаны также и в мм.

Маркировка SMD компонентов — резисторы

Прямоугольные чип-резисторы и керамические конденсаторы
Типоразмер	L, мм (дюйм)	W, мм (дюйм)	H, мм (дюйм)	A, мм	Вт
0201	0.6 (0.02)	0.3 (0.01)	0.23 (0.01)	0.13	1/20
0402	1.0 (0.04)	0.5 (0.01)	0.35 (0.014)	0.25	1/16
0603	1.6 (0.06)	0.8 (0.03)	0.45 (0.018)	0.3	1/10
0805	2.0 (0.08)	1.2 (0.05)	0.4 (0.018)	0.4	1/8
1206	3.2 (0.12)	1.6 (0.06)	0.5 (0.022)	0.5	1/4
1210	5.0 (0.12)	2.5 (0.10)	0.55 (0.022)	0.5	1/2
1218	5.0 (0.12)	2.5 (0.18)	0.55 (0.022)	0.5	1
2010	5.0 (0.20)	2.5 (0.10)	0.55 (0.024)	0.5	3/4
2512	6.35 (0.25)	3.2 (0.12)	0.55 (0.024)	0.5	1
Цилиндрические чип-резисторы и диоды
Типоразмер	Ø, мм (дюйм)	L, мм (дюйм)	Вт
0102	1.1 (0.01)	2.2 (0.02)	1/4
0204	1.4 (0.02)	3.6 (0.04)	1/2
0207	2.2 (0.02)	5.8 (0.07)	1

SMD конденсаторы

Конденсаторы выполненные из керамики по размеру одинаковы с резисторами, что касается танталовых конденсаторов, то они определяются по своей, собственной шкале типовых размеров:

Танталовые конденсаторы
Типоразмер	L, мм (дюйм)	W, мм (дюйм)	T, мм (дюйм)	B, мм	A, мм
A	3.2 (0.126)	1.6 (0.063)	1.6 (0.063)	1.2	0.8
B	3.5 (0.138)	2.8 (0.110)	1.9 (0.075)	2.2	0.8
C	6.0 (0.236)	3.2 (0.126)	2.5 (0.098)	2.2	1.3
D	7.3 (0.287)	4.3 (0.170)	2.8 (0.110)	2.4	1.3
E	7.3 (0.287)	4.3 (0.170)	4.0 (0.158)	2.4	1.2

Катушки индуктивности и дроссели SMD

Индуктивные катушки могут быть выполнены в различных конфигурациях корпуса, но их значение индицируется также, исходя из типоразмеров. Такой принцип маркировки SMD и расшифровки кодовых обозначений, дает возможность значительно упростить монтаж элементов на плате в автоматическом режиме, а радиолюбителю свободнее ориентироваться.

dr>

Моточные компоненты, такие как катушки, трансформаторы и прочие, которые мы в большинстве случаев изготавливаем собственноручно, могут просто не уместится на плате. Поэтому такие изделия, также выпускаются в компактном исполнении, которые можно установить на плату.

Определить какая именно катушка требуется вашему проекту, лучше всего воспользоваться каталогом и там подобрать требующийся вариант по типовому размеру. Типовые размеры, определяют с использованием кодового обозначения маркированного 4 числами (0805). Где значение «08» определяет длину, а число «05» показывает ширину в дюймовом измерении. Фактические габариты такого SMD компонента составят 0.08х0.05 дюйма.

Диоды и стабилитроны в корпусе SMD

Что касается диодов, то они также выпускаются в корпусах как цилиндрической формы так и в виде многогранника. Типовые размеры у этих компонентов задаются идентично индуктивным катушкам, сопротивлениям и конденсаторам.

Диоды, стабилитроны, конденсаторы, резисторы
Тип корпуса	L* (мм)	D* (мм)	F* (мм)	S* (мм)	Примечание
DO-213AA (SOD80)	3.5	1.65	048	0.03	JEDEC
DO-213AB (MELF)	5.0	2.52	0.48	0.03	JEDEC
DO-213AC	3.45	1.4	0.42	—	JEDEC
ERD03LL	1.6	1.0	0.2	0.05	PANASONIC
ER021L	2.0	1.25	0.3	0.07	PANASONIC
ERSM	5.9	2.2	0.6	0.15	PANASONIC, ГОСТ Р1-11
MELF	5.0	2.5	0.5	0.1	CENTS
SOD80 (miniMELF)	3.5	1.6	0.3	0.075	PHILIPS
SOD80C	3.6	1.52	0.3	0.075	PHILIPS
SOD87	3.5	2.05	0.3	0.075	PHILIPS

Транзисторы в корпусе SMD

СМД транзисторы выполнены в корпусах, которые соответствуют их максимальном мощности. Корпуса этих полупроводниковых элементов символично можно разделить на два вида: SOT и DPAK.

Маркировка SMD компонентов

Маркировка электронных приборов в современной технике уже требует профессиональных знаний, и так просто, с кондачка в ней тяжело разобраться, особенно начинающему радиолюбителю. В сравнении с деталями выпускаемыми при Советском Союзе, где маркировка номинального значения и тип прибора наносилась в текстовом варианте, сейчас это просто мета паяльщика. Не надо было держать под рукой кипы справочной литературы, чтобы определить назначение и параметры того или иного прибора.

Однако, технологические процессы в промышленности не стоят на месте и автоматизация производства определяет свои правила. Именно SMD детали в поверхостном монтаже играют главную роль, а роботу нет никакого дела до маркировки деталей заправленных в машину, что туда поместили, то он и припаяет. Маркировка нужна специалисту, который обслуживает этого робота.

Скачать программу для расшифровки обозначения SMD деталей

Характеристики

Транзистор TIP41c характеризуются следующими предельно допустимыми значениями, при температуре корпуса  (T_C) не более 25 оC:

• Напряжение между коллектором базой (V_CBO) не должно быть больше – 100 В.
• Напряжение между коллектором и эмиттером (V_CEO) должно быть менее – 100 В.
• Максимально возможное напряжение между эмиттером и базой (V_EBO) – 5 В.
• Постоянный (DC) предельный ток коллектора (I_C) – 6 А.
• Кратковременный (импульсный) допустимый ток коллектора (I_CP) – 10 A.
• Минимальная граничная частота (F_T) до 3 МГц.
• Ток базы (I_B) – 2 А.
• Максимальная мощность рассеиваемая на коллекторе (P_C) – 65 Вт, или 2 Вт (при T_окр.ср. =25 оC).
• Максимальная температура перехода (T_J) – 150 о
• Диапазон рабочих температур (T_STG) от -65 до +150 о

В спецификациях различных производителей его параметры обычно приводятся вместе с братьями-близнецами TIP41A и TIP41B. Они отличаются от рассматриваемого, только более низкими предельно допустимыми значениями пропускаемых напряжений. В остальном являются его полной копией.

Электрические

За превышение вышеприведенных предельных значений придется расплачивается покупкой нового устройства. Обобщенные электрические характеристики TIP41C, представлены в следующей таблице. Они так же приведены с учетом T_C не превышающей 25 оC:

Оцените статью:

Tip41 схема включения – 9b5wxx5f.atspace.eu

Скачать tip41 схема включения doc

Предельные параметры TIP41C. Отечественный аналог TIP41C. Корпусное исполнение, цоколевка TIP41C. Цоколевка TIP41C в корпусе TO показана на рис. Скачать TIP41C Datasheet (Даташит) PDF Multicomp техническая документация.

TIP41C – NPN эпитаксиальный кремниевый транзистор, предназначен для использования в линейных схемах средней мощности. Отечественный аналог TIP41C. КТ Особенности. Комплиментарная пара – TIP42C. Корпусное исполнение, цоколевка TIP41C. пластмассовый корпус TO Характеристики транзистора TIP41C. Предельные параметры TIP41C. Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (IC): 6 А. Параметры транзистора TIP41C биполярного низкочастотного npn, его основные характеристики и схемы. Цоколевка, продавцы и производители транзистора TIP41C.  Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице. Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn. © Fairchild Semiconductor InternationalRev. A, February NPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25°C unless otherwise notedElectrical Characteristics TC=25°C unless otherwise noted* Pulse Test: PW≤µs, Duty Cycle≤2%Symbol datasheet search, datasheets, Datasheet search site for Electronic Components and Semiconductors, integrated circuits, diodes and other semiconductors.

Главная >> Транзисторы биполярные >> TIP41C. Справочные данные TIP41C. Нет в продаже. Транзистор кремниевый усилительный мощный структуры NPN эпитаксиальный. Предназначен работы в каскадах усиления аппаратуры низкочастотного диапазона. Выпускается в корпусе типа TO Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса. Тип прибора указывается на корпусе.

Масса прибора не более 12,6 гр. Основные параметры.  Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при токе коллектора 3 A, напряжении коллектор-эмиттер 4 A. 15 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 6 A, токе базы mA.

Технические характеристики биполярного силового транзистора TIP41C позволяют использовать его в усилителях мощности и управляющих схемах, в которых нужна высокая скорость переключения.

Также, их часто можно встретить в выходных каскадах высококачественных системах Hi-Fi. Данный компонент изготавливается из кремния (Si) по планарной технологии и имеет n-p-n структуру. Цоколевка. Распиновка TIP41C выполнена в корпусе (ТО), он изготавливается из пластмассы и имеет три жестких вывода.

Как показано на рисунке ниже, их назначение у данного транзистора такое: первый вывод слева — база, второй –.

fb2, EPUB, txt, PDF вязание домика схема

TIP41C datasheet – Силовые транзисторы NPN Silicon

Предназначен для дополнительного использования с серией TIP42 при температуре корпуса 25 ° C Постоянный ток коллектора 6 А 10 А Пиковый ток коллектора Определяемый заказчиком Доступен выбор

абсолютные максимальные номинальные значения при температуре корпуса 25 ° C (если не указано иное)

RATING TIP41 Напряжение коллектор-база (IE TIP41C TIP41 Напряжение коллектор-эмиттер (IB TIP41B TIP41C Напряжение эмиттер-база) Непрерывный ток коллектора Пиковый ток коллектора (см. Примечание 1) Непрерывный базовый ток Непрерывный рассеяние устройства при температуре корпуса 25 ° C (или ниже) (см. Примечание 2) Непрерывное рассеяние тепла устройством при температуре наружного воздуха 25 ° C (или ниже) (см. Примечание 3) Энергия индуктивной нагрузки без зажима (см. Примечание 4) Диапазон рабочих температур перехода Диапазон температур хранения Температура свинца 3.2 мм от корпуса в течение 10 секунд ПРИМЕЧАНИЯ: VEBO IC ICM IB Ptot LIC2 Tj Tstg TL VCEO V CBO СИМВОЛ ЗНАЧЕНИЕ C V UNIT

Это значение действительно для tp 0,3 мс, рабочий цикл 10%. Уменьшите линейно до температуры корпуса 150 ° C со скоростью 0,52 Вт / C. Уменьшите линейно до температуры окружающего воздуха 150 ° C со скоростью 16 мВт / ° C. Этот рейтинг основан на способности транзистора безопасно работать в цепи: = 20 мГн, IB (вкл.) 0,4 A, RBE 100, VBE (выкл.) 0,1, VCC 20 В.

ДЕКАБРЬ 1970 – ПЕРЕСМОТР СЕНТЯБРЬ 2002 Технические характеристики могут быть изменены без предварительного уведомления.

ПАРАМЕТР Напряжение пробоя коллектор-эмиттер УСЛОВИЯ ИСПЫТАНИЯ TIP41 V (BR) CEO 30 мА (см. Примечание 5) VCE 80 В ICES Ток отключения коллектор-эмиттер Ток отключения коллектора Ток отключения эмиттера Коэффициент передачи прямого тока коллектор-эмиттер напряжение насыщения Напряжение база-эмиттер Коэффициент передачи прямого тока малого сигнала Коэффициент передачи прямого тока малого сигнала VCE 100 В VCE 120 В VCE 140 В ICEO IEBO hFE V CE (sat) VBE hfe VCE 30 В VCE 60 В VEB = VCE = VCE IB = VCE A 4V VBE = 0 VBE = 0 VBE = 0 VBE 3A 6A (см. Примечания 5 и 6) (см. Примечания 5 и 6) (см. Примечания 5 и = 1 кГц = 1 МГц TIP41 / 41A TIP41B / 41C MIN mA V TYP МАКСИМАЛЬНАЯ ЕДИНИЦА

ПРИМЕЧАНИЯ: 5.Эти параметры должны быть измерены импульсным методом, = 300 с, скважность 2%. 6. Эти параметры должны измеряться с помощью контактов, считывающих напряжение, отдельно от токоведущих контактов.

ПАРАМЕТР RJC RJA Тепловое сопротивление перехода к корпусу Тепловое сопротивление перехода к свободному воздуху МИН ТИП МАКС 1,92 62,5 ЕД. С / Ш

Указанные значения напряжения и тока являются номинальными; точные значения незначительно меняются в зависимости от параметров транзистора.

VCE = 300 с, рабочий цикл <2% hFE - Коэффициент усиления постоянного тока VCE (насыщ.) - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер В 1000

Распиновка транзистора

TIP41C, аналог, спецификации, техническое описание и многое другое

В этой статье описывается распиновка транзистора TIP41C, эквивалент, спецификации, техническое описание и дополнительная информация об этом транзисторе.

Характеристики / технические характеристики

• Тип упаковки: TO-220
• Тип транзистора: NPN
• Максимальный ток коллектора (I _C ): 6 А или 6000 мА
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (В _CE ): 100 В
• Максимальное напряжение коллектор-база (В _CB ): 100 В
• Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO): 5V
• Максимальное рассеивание коллектора (ПК): 65 Вт
• Максимальная частота перехода (fT): 3 МГц
• Минимальное и максимальное усиление постоянного тока (h _FE ): 15-75
• Максимальная температура хранения и эксплуатации должна быть: -65 до +150 по Цельсию

PNP Дополнительный

PNP Дополнительным к TIP41C является TIP42C

Замена и аналог

Транзистор TIP41C заменой и эквивалентами являются 2SD1895, MJE5180, MJE5181, BD711, BC911.Если нагрузка, которую вы хотите управлять с помощью TIP41C, находится в диапазоне от 40 В до 80 В, вы можете легко заменить точно таким же соответствием этого транзистора, а именно: TIP41 (макс. Нагрузка привода 40 В), TIP41A (макс. Нагрузка привода 60 В) и TIP41C (макс. Нагрузка 80 В).

Транзистор TIP41C объяснение / описание

TIP41C – это недорогой силовой транзистор общего назначения, который можно использовать для усиления и переключения в ваших электронных схемах. Он может управлять нагрузкой максимум 6 ампер.Это может быть идеальный транзистор, если вы хотите заменить в своей схеме транзисторы TIP31, TIP31C или другие подобные транзисторы для увеличения нагрузки. Для управления нагрузками с этим транзистором следует использовать подходящий радиатор. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер и напряжение коллектор-база составляет 100 В, благодаря чему вы можете использовать его для управления максимальной нагрузкой 100 В. Кроме того, максимальное рассеивание коллектора составляет 65 Вт, что является идеальным выходом для использования этого транзистора во многих целях усиления звука.Коллектор транзистора соединен с двумя точками, одна из которых является выводом 2 транзистора, а другая – выводом металлической банки транзистора.

Где и как использовать

TIP41C можно использовать в любом приложении для коммутации и усиления общего назначения. При использовании в качестве переключателя вы можете управлять множеством нагрузок одновременно (сумма всех нагрузок не должна увеличиваться с 6А). Он может управлять двигателями постоянного тока, светодиодами высокой мощности, реле высокой мощности, лампами, устройствами и т. Д.

Кроме того, его также можно использовать для усиления общего назначения. Например, усиление сигнала. Его также можно использовать для построения простой схемы усилителя высокой мощности или, кроме этого, его также можно использовать в каскадах усилителя звука большой мощности.

Приложения

Усиление звука

Усиление сигнала

Управляющие нагрузки до 6 ампер

Приводные двигатели постоянного тока и управление ими

Дарлингтонские пары

Широкий спектр приложений общего назначения

Как добиться долгосрочной производительности в цепи

Чтобы это устройство оставалось стабильным в ваших цепях в течение многих лет, рекомендуется не нагружать нагрузку более 6 А, всегда использовать подходящий радиатор, не нагружать нагрузку более 100 В, для хорошей и стабильной работы всегда оставайтесь ниже максимальных значений и Всегда эксплуатируйте и храните устройство / транзистор при температуре выше -65 по Цельсию и ниже +150 по Цельсию.

Лист данных

Чтобы загрузить техническое описание, просто скопируйте и вставьте приведенную ниже ссылку в свой браузер.

https://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/54799/FAIRCHILD/TIP41.html

Введение в TIP41 – Инженерные проекты

Привет, друзья, надеюсь, у вас все отлично.В сегодняшнем руководстве мы подробно рассмотрим Introduction to TIP41. Это силовой транзистор NPN. Он существует в (TO-220) податливом наборе, который отмечает, что этот прием подходит для акустических, прямолинейных и перестановочных работ. Соответствующий ему транзистор – TIP42. Он предназначен для соединения трех (3) компонентов полупроводникового материала путем легирования различными материалами. Его центральная часть – это металлическое основание, а две другие внешние части заметно легированы, чем основание.Несколько транзисторов могут усилить тривиальный ток, который затем будет приводить к достаточному вниманию к усилию или другим более сильным токовым маневрам. Это умение замечать изменение напряжения и работать как переключатель. TIP41 – это недорогой коллективный транзистор, который легко использовать в нескольких предложениях. В сегодняшнем посте мы рассмотрим его щит, разбитие, отклонения, права и т. Д. Я также поделюсь некоторыми ссылками, где я связал его с другими микроконтроллерами.Вы также можете получить больше материала об этом в комментариях, я расскажу вам больше об этом. Итак, давайте начнем с основного Введение в TIP41.

Введение в TIP41

• Это силовой транзистор NPN. Он существует в (TO-220) податливом наборе, который отмечает, что этот прием подходит для акустических, прямолинейных и перестановочных работ.
• Это транзистор, потребляющий промежуточную мощность, используемый в тех случаях, когда условия работы транзистора с меньшим сигналом могут быть очень напряженными.

• Эти дипломаты предлагают регулярные оценки мощности, которые в большинстве своем выбрасываются в передвижных источниках питания и схемах усилителей.
• Рассматривайте эти приемы в качестве буферов для выходных фаз транзисторов в схемах акустических усилителей большей мощности или в качестве выходных фаз в схемах акустических усилителей промежуточной мощности.
• Чтобы избежать ухудшения, постоянно используйте поглотитель тепла, если требуется чрезмерная мощность из-за этого средства, поскольку компендиум транзистора имеет ограничение на величину температуры, которую он может рассеять из соединения транзистора.

Распиновка TIP41

• Это основная распиновка TIP41.

  Штифт #	Тип	Параметры
  Штифт # 1	Излучатель	Ток возникает от эмиттера, он обычно связан с землей.
  Штифт 2	База	Он обеспечивает смещение транзистора и работает для включения или выключения транзистора.
  Штифт 3	Коллектор	Ток проходит через коллектор, обычно это связано с нагрузкой.

  Посмотрим схему распиновки.

Характеристики TIP41

• Здесь обсуждаются некоторые важные особенности TIP41.
  • Это транзистор с переходом NPN.
  • Напряжение на его выводах коллектора и эмиттера составляет сто вольт.
  • Его напряжение на выводах коллектора и базы составляет сотню вольт.
  • Напряжение на выводах эмиттера и базы составляет пять вольт.
  • Использует токоприемник на шесть ампер.
  • Его рассеиваемая мощность составляет минус шестьдесят пять ватт (-65).
  • Его усиление составляет от минус пятнадцати до семидесяти пяти вольт.
  • Его частота перехода составляет минус три мегагерца.
  • Он работает и хранит соединение в диапазоне температур от минус шестидесяти пяти до плюс один пятьдесят (– 65–150 ° C).

Рейтинги TIP41

• Теперь мы изучаем различные рейтинговые параметры TIP41, которые описаны ниже.

Символы	Рейтинги	Параметры
В CBO	100 вольт	Это напряжение на коллекторе и базе.
V Генеральный директор	100 вольт	Это напряжение вокруг коллектора и эмиттера.
В EBO	5 вольт	Это напряжение вокруг эмиттера и базы.
I C	6 ампер	Это постоянный ток коллектора.
I CM	10 ампер	Это импульс коллекторного тока.
I B	3 ампера	Это ток у основания.
ПК	65 Вт	Это рассеиваемая мощность на коллекторе (TC = 25 ° C).
Т Дж	150 К	Это температура перехода.

Электрические характеристики TIP41

• После ознакомления с номинальными параметрами исследуем электрические характеристики TIP41.

Символы	Рейтинги	Параметры
I Генеральный директор	0.7 мА	Это значение тока отсечки коллектора.
I EBO	1 А	Это значение эмиттера, отсекающего ток.
I CES	0,4 мА	Это значение тока отключения коллектора.
V Генеральный директор	100 В	Это напряжение поддержки коллектора и эмиттера.
В CE	1,5 В	Это напряжение поддержки коллектора и эмиттера.
В BE	2 В	Это значение напряжения на клеммах базы и эмиттера.
ч FE	75	Это значение усиления постоянного тока.

Итак, все было о TIP41, если у вас есть какие-либо вопросы по этому поводу, задавайте их в комментариях.Спасибо за чтение. Будьте осторожны до следующего урока.

наконечник 41% 20 транзистор% 20 лист данных по замене и примечания по применению

2008 – TIP41 Аннотация: TIP41C ТРАНЗИСТОР TC 100 TIP41C ЭКВИВАЛЕНТНЫЙ NPN транзистор VCEO 80V 100V hfe 100 ТРАНЗИСТОР tip41c TIP41A TIP41B NPN транзистор TO220 VCEO 80V 100V NPN транзистор VCEO 80V 100V Текст: Текст файла отсутствует	Оригинал	PDF	TIP41 / TIP41A / TIP41B / TIP41C TIP42 / TIP42A / TIP42B / TIP42C TIP41 TIP41A TIP41B TIP41C TIP41 tip41c ТРАНЗИСТОР ТК 100 ЭКВИВАЛЕНТ TIP41C Транзистор NPN VCEO 80V 100V hfe 100 ТРАНЗИСТОР tip41c TIP41A TIP41B Транзистор NPN TO220 VCEO 80V 100V Транзистор NPN VCEO 80V 100V
наконечник41 Аннотация: TIP41C TIP41 Текст: Текст файла недоступен	OCR сканирование	PDF	TIP41 TIP41 / 41A / 41B / 41C) TIP42 / 42A / 42 B / 42C О-220 TIP41A TIP41B TIP41C TIP41C TIP41
1998 – тип41 Аннотация: TIP41C TIP41B TIP41A tip41 транзистор tip41 транзистор tip41 Текст: Текст файла отсутствует	Оригинал	PDF	TIP41 TIP41 / 41A / 41B / 41C) О-220 TIP42 / 42A / 42B / 42C TIP41B TIP41C TIP41A TIP41C TIP41B TIP41A tip41 транзистор наконечник транзистора41
Усилитель TIP41 Резюме: TIP41 TIP41 TIP41B TIP42 TIP42 ST TIP42 philips T-33-H Текст: Текст файла недоступен	OCR сканирование	PDF	TIP41 TIP41 7110fl2b TIP42 О-220.7Z82918 711065b Усилитель TIP41 из TIP41 TIP41B TIP42 ST TIP42 Philips Т-33-Н
TP41A Аннотация: t1p42 ТРАНЗИСТОР Tip41-Tip42 TIP41-TIP42 TIP41 / TIP42 транзистор tip41 y tip42 TIP41C Характеристическая кривая коллектора TIP41 tip41c tip42c Усилитель TIP41 Текст: Текст файла отсутствует	OCR сканирование	PDF	TIP41 TIP42 TIP41A TIP42A TIP41B TIP42B -TIP41C TIP42C 500 мА TIP41 TP41A t1p42 ТРАНЗИСТОР Tip41-Tip42 TIP41-TIP42 TIP41 / TIP42 наконечник транзистора41 y наконечник42 Характеристическая кривая коллектора TIP41C tip41c tip42c Усилитель TIP41
TIP41 Аннотация: TIP41A TIP41B Текст: Текст файла недоступен	OCR сканирование	PDF	TIP41 TIP41 / 41A / 41B / 41C) TIP42 / 42A / 42 B / 42C О-220 TIP41 TIP41A TIP41B TIP41C TIP41A TIP41B
2006 – tip41 Аннотация: TIP41C ЭКВИВАЛЕНТ TIP41C TIP41A TIP41B Текст: Текст файла недоступен	Оригинал	PDF	О-220 TIP41 / 41A / 41B / 41C О-220 TIP41A TIP41B TIP41C TIP41 От -55 до tip41 ЭКВИВАЛЕНТ TIP41C TIP41C TIP41A TIP41B
TIP41 Аннотация: ТРАНЗИСТОР tip41c S2VC TIP41B A41B Текст: Текст файла отсутствует	OCR сканирование	PDF	TIP41 B / 41C) TIP42 / 42A / 42B / 42C TIP41A TIP41B TIP41C ТРАНЗИСТОР tip41c S2VC A41B
Усилитель TIP41 Резюме: Характеристическая кривая коллектора TIP41I TIP41C TIP41 TIP41B TIP42 TIP41 Текст: Текст файла отсутствует	OCR сканирование	PDF	TIP41 TIP41B TIP42 TIP41I Т0-220.USAOBOIP41 7Z82918 Усилитель TIP41 Характеристическая кривая коллектора TIP41C TIP41 из TIP41
TIP41 Аннотация: Наконечник транзистора TIP41C 41a TIP41B Силовой транзистор TO-220 NPN 100 В, TIP 41C Транзистор TIP 41c TIP41A Транзистор TIP41C Транзистор TIP41C Текст: Текст файла отсутствует	OCR сканирование	PDF	TIP41 TIP41 / 41 B / 41C) TIP42 / 42A / 42B / 42C TIP41A TIP41B TIP41C TIP41C наконечник транзистора 41a TIP41B Транзистор силовой ТО-220 НПН 100 В, ТИП 41С TIP 41c транзистор TIP41A транзистор TIP41C Транзистор TIP41C
2005 – Нет в наличии Аннотация: Текст аннотации недоступен Текст: Текст файла отсутствует	Оригинал	PDF	TIP41 О-220 TIP41 TIP41A TIP41B TIP41C 12 августа 10 TIP41 / 41A / 41B / 41C
1970 – TIP41C Резюме: нет текста аннотации Текст: файла нет текста	Оригинал	PDF	TIP41, TIP41A, TIP41B, TIP41C TIP42 О-220 TIP41 TIP41A TIP41B TIP41C
№ из TIP41 Аннотация: TIP42D TIP42F TIP42E TIP41F TIP41E TIP41D TIP41 MSD6100 TC 30i Текст: Текст файла недоступен	OCR сканирование	PDF	TIP41D TIP42D TIP41 TIP42E TIP41F TIP42F TIP42D TIP41E TIP42E из TIP41 TIP42F MSD6100 TC 30i
2006 – Нет в наличии Резюме: нет текста аннотации Текст: файла нет текста	Оригинал	PDF	О-220 TIP41 / 41A / 41B / 41C О-220 TIP41A TIP41B TIP41C TIP41 От -55 до
Конфигурация контактов TIP41 Аннотация: TIP42A TIP42 TIP41C TIP41B TIP41A TIP41 TIP42C TIP42B Усилитель tip42c Текст: Текст файла недоступен	Оригинал	PDF	TIP41, TIP42, О-220 TIP41 TIP42 TIP41A TIP42A TIP41B TIP42B TIP41C конфигурация контактов TIP41 TIP42A TIP42 TIP41C TIP41B TIP41A TIP41 TIP42C TIP42B tip42c усилитель
2006 – Нет в наличии Резюме: нет текста аннотации Текст: файла нет текста	Оригинал	PDF	О-220 TIP41 / 41A / 41B / 41C О-220 TIP41A TIP41B TIP41C TIP41 От -55 до TIP41 / 41A TIP41B / 41C
Нет в наличии Резюме: нет текста аннотации Текст: файла нет текста	Оригинал	PDF	TIP41, TIP42, О-220 TIP41 TIP42 TIP41A TIP42A TIP41B TIP42B TIP41C
Нет в наличии Резюме: нет текста аннотации Текст: файла нет текста	OCR сканирование	PDF	TIP41 TIP41 / 41 B / 41C) 42 / 42A / 42B / 42C TIP41A TIP41B TIP41C
Нет в наличии Аннотация: Текст аннотации недоступен Текст: Текст файла отсутствует	OCR сканирование	PDF	TIP41 TIP41 / 41A / 41B / 41C) О-220 TIP42 / 42AM2 B / 42C TIP41 IP41B TIP41C
ЭКВИВАЛЕНТ TIP41C Резюме: TIP41A эквивалент TIP41 Texas Instruments Эквивалент TIP41 c2688 t1p41 texas instruments tip41 TIP41c Texas Instruments c2688 транзистор Схема транзистора tip41c Текст: текст файла отсутствует	OCR сканирование	PDF	89ei726 TIP41, TIP41A, TIP41B, TIP41C, TIP41D, TIP41E, TIP41F TIP42 TQ-220AB ЭКВИВАЛЕНТ TIP41C Эквивалент TIP41A TIP41 Texas Instruments Эквивалент TIP41 c2688 t1p41 Texas Instruments tip41 TIP41c Texas Instruments c2688 транзистор Схема транзистора tip41c
лист данных TIP41 Аннотация: TIP41 TIP41C ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ ТРАНЗИСТОР 60V ТРАНЗИСТОР tip41c Транзистор TIP42 NPN VCEO 80V 100V Эквивалент TIP41A TIP41C ЭКВИВАЛЕНТ TIP41B Текст: Текст файла отсутствует	Оригинал	PDF	TIP41 TIP41 / 41A / 41B / 41C) TIP42 / 42A / 42B / 42C О-220 TIP41 TIP41A TIP41B TIP41C лист данных TIP41 TIP41C ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР 60V ТРАНЗИСТОР tip41c транзистор TIP42 Транзистор NPN VCEO 80V 100V Эквивалент TIP41A ЭКВИВАЛЕНТ TIP41C TIP41B
2007 – тип42g Аннотация: ТРАНЗИСТОР Tip41-Tip42 TIP41CG TIP41-TIP42 TIP41 / TIP42 tip41c tip42c Эквивалент TIP41A TIP42CG техническое описание tip41 тип файла TIP42 транзистор скачать техническое описание Текст: текст файла отсутствует	Оригинал	PDF	TIP41, TIP41A, TIP41B, TIP41C TIP42, TIP42A, TIP42B, TIP42C TIP42 чаевые42г ТРАНЗИСТОР Tip41-Tip42 TIP41CG TIP41-TIP42 TIP41 / TIP42 tip41c tip42c Эквивалент TIP41A TIP42CG техническое описание тип файла tip41 TIP42 транзистор скачать техническое описание
Нет в наличии Резюме: нет текста аннотации Текст: файла нет текста	OCR сканирование	PDF	TIP41 TIP41B 7110asb 00h4S1Ô TIP41 О-220.7110fl2b DD43523 Т-33-н
TIP41 / TIP42 Резюме: TIP41-TIP42 TIP42B TIP42A TIP42 TIP41B TIP41A TIP41 T0220AB TIP41 TIP42 Текст: Текст файла недоступен	OCR сканирование	PDF	TIP41, TIP41A, TIP41B, TIP41C TIP42. TIP42A, TIP42B. TIP42C TIP41 TIP42 TIP41 / TIP42 TIP41-TIP42 TIP42B TIP42A TIP41B TIP41A T0220AB TIP41 TIP42
наконечник транзистора41 y наконечник42 Резюме: нет текста аннотации Текст: файла нет текста	OCR сканирование	PDF	TIP41, TIP41A, TIP41B, TIP41C TIP42 T0-220 TIP41 TIP41A TIP41B наконечник транзистора41 y наконечник42

Как проверить транзистор и диод »Электроника

Очень быстро и легко научиться тестировать транзистор и диод с помощью аналогового мультиметра – обычно этого достаточно для большинства приложений.

---

Учебное пособие по мультиметру Включает:
Основы работы с измерителем Аналоговый мультиметр Как работает аналоговый мультиметр Цифровой мультиметр DMM Как работает цифровой мультиметр Точность и разрешение цифрового мультиметра Как купить лучший цифровой мультиметр Как пользоваться мультиметром Измерение напряжения Текущие измерения Измерения сопротивления Тест диодов и транзисторов Диагностика транзисторных цепей

---

В то время как многие цифровые мультиметры в наши дни имеют специальные возможности для тестирования диодов, а иногда и транзисторов, не все это делают, особенно старые аналоговые мультиметры, которые все еще широко используются.Однако по-прежнему довольно легко выполнить простой тест «годен / не годен», используя простейшее оборудование.

Этот вид тестирования позволяет определить, работает ли транзистор или диод, и, хотя он не может предоставить подробную информацию о параметрах, это редко является проблемой, потому что эти компоненты проверяются при изготовлении, и производительность сравнительно редко может быть нарушена. упадут до точки, в которой они не работают в цепи.

Большинство отказов являются катастрофическими, в результате чего компонент становится полностью неработоспособным.Эти простые тесты мультиметра позволяют очень быстро и легко обнаружить эти проблемы.

Таким способом можно тестировать диоды

большинства типов – силовые выпрямительные диоды, сигнальные диоды, стабилитроны / опорные диоды, варакторные диоды и многие другие типы диодов.

Как проверить диод мультиметром

Базовый тест диодов выполнить очень просто. Чтобы убедиться, что диод работает нормально, необходимо провести всего два теста мультиметра.

Тест диода основан на том факте, что диод будет проводить только в одном направлении, а не в другом.Это означает, что его сопротивление будет отличаться в одном направлении от сопротивления в другом.

Измеряя сопротивление в обоих направлениях, можно определить, работает ли диод, а также какие соединения являются анодом и катодом.

Поскольку фактическое сопротивление в прямом направлении зависит от напряжения, невозможно дать точные значения ожидаемого прямого сопротивления, так как напряжение на разных измерителях будет разным – оно даже будет различным в разных диапазонах измерителя.

… полоса на корпусе диода представляет катод ….

Метод проверки диода аналоговым измерителем довольно прост.

Пошаговая инструкция:

1. Установите измеритель на его диапазон Ом – подойдет любой диапазон, но средний диапазон Ом, если их несколько, вероятно, лучше всего.
2. Подключите катодную клемму диода к клемме с положительной меткой на мультиметре, а анод – к отрицательной или общей клемме.
3. Установите измеритель на показания в омах, и должны быть получены “низкие” показания.
4. Поменяйте местами соединения.
5. На этот раз должно быть получено высокое значение сопротивления.

Примечания:

• На шаге 3 выше фактическое показание будет зависеть от ряда факторов. Главное, чтобы счетчик отклонялся, возможно, до половины и более. Разница зависит от многих элементов, включая батарею в глюкометре и используемый диапазон.Главное, на что следует обратить внимание, это то, что счетчик сильно отклоняется.
• При проверке в обратном направлении кремниевые диоды вряд ли покажут какое-либо отклонение измерителя. Германиевые, которые имеют гораздо более высокий уровень обратного тока утечки, могут легко показать небольшое отклонение, если измеритель установлен на высокий диапазон Ом.

Этот простой аналоговый мультиметр для проверки диода очень полезен, потому что он очень быстро показывает, исправен ли диод.Однако он не может тестировать более сложные параметры, такие как обратный пробой и т. Д.

Тем не менее, это важный тест для обслуживания и ремонта. Хотя характеристики диода могут измениться, это случается очень редко, и очень маловероятно, что произойдет полный пробой диода, и это будет сразу видно с помощью этого теста.

Соответственно, этот тип теста чрезвычайно полезен в ряде областей тестирования и ремонта электроники.

Проверка диодов мультиметром

Как проверить транзистор мультиметром

Тест диодов с помощью аналогового мультиметра может быть расширен, чтобы обеспечить простую и понятную проверку достоверности биполярных транзисторов. Опять же, тест с использованием мультиметра дает только уверенность в том, что биполярный транзистор не перегорел, но он все еще очень полезен.

Как и в случае с диодом, наиболее вероятные отказы приводят к разрушению транзистора, а не к небольшому ухудшению характеристик.

Тест основан на том факте, что биполярный транзистор можно рассматривать как состоящий из двух встречных диодов, и путем выполнения теста диодов между базой и коллектором и базой и эмиттером транзистора с использованием аналогового мультиметра, большая часть можно установить базовую целостность транзистора.

Эквивалентная схема транзистора с диодами для проверки мультиметром.

Требуется еще один тест. Транзистор должен иметь высокое сопротивление между коллектором и эмиттером при разомкнутой цепи базы, так как имеется два встречных диода.Тем не менее, возможно, что коллектор-эмиттерный тракт перегорел, и между коллектором и эмиттером был создан путь проводимости, при этом все еще выполняя диодную функцию по отношению к базе. Это тоже нужно проверить.

Следует отметить, что биполярный транзистор не может быть функционально воспроизведен с использованием двух отдельных диодов, потому что работа транзистора зависит от базы, которая является переходом двух диодов, являясь одним физическим слоем, а также очень тонкой.

Пошаговая инструкция:

Инструкции даны в основном для транзисторов NPN, поскольку они являются наиболее распространенными в использовании.Варианты показаны для разновидностей PNP – они указаны в скобках (.. .. ..):

1. Установите измеритель на его диапазон Ом – подойдет любой диапазон, но средний диапазон Ом, если их несколько, вероятно, лучше всего.
2. Подключите клемму базы транзистора к клемме с маркировкой «плюс» (обычно красного цвета) на мультиметре
3. Подключите клемму с маркировкой «минус» или «общий» (обычно черного цвета) к коллектору и измерьте сопротивление.Он должен читать обрыв цепи (для транзистора PNP должно быть отклонение).
4. Когда клемма с маркировкой «положительный» все еще подключена к базе, повторите измерение с положительной клеммой, подключенной к эмиттеру. Показание должно снова показать обрыв цепи (мультиметр должен отклоняться для транзистора PNP).
5. Теперь поменяйте местами подключение к базе транзистора, на этот раз подключив отрицательную или общую (черную) клемму аналогового измерительного прибора к базе транзистора.
6. Подключите клемму с маркировкой «плюс» сначала к коллектору и измерьте сопротивление. Затем отнесите к эмиттеру. В обоих случаях измеритель должен отклониться (указать обрыв цепи для транзистора PNP).
7. Далее необходимо подключить отрицательный или общий вывод счетчика к коллектору, а положительный полюс счетчика – к эмиттеру. Убедитесь, что счетчик показывает обрыв цепи. (Счетчик должен показывать обрыв цепи для типов NPN и PNP.
8. Теперь поменяйте местами соединения так, чтобы отрицательный или общий вывод измерителя был подключен к эмиттеру, а положительный полюс измерителя – к коллектору.Еще раз проверьте, что прибор показывает обрыв цепи.
9. Если транзистор проходит все тесты, значит, он в основном исправен и все переходы целы.

Примечания:

• Заключительные проверки от коллектора до эмиттера гарантируют, что основание не «продувалось». Иногда возможно, что между коллектором и базой и эмиттером и базой все еще присутствует диод, но коллектор и эмиттер закорочены вместе.
• Как и в случае с германиевым диодом, обратные показания для германиевых транзисторов не будут такими хорошими, как для кремниевых транзисторов. Допускается небольшой уровень тока, поскольку это является следствием присутствия неосновных носителей в германии.

Обзор аналогового мультиметра

Хотя большинство мультиметров, которые продаются сегодня, являются цифровыми, тем не менее, многие аналоговые счетчики все еще используются. Хотя они могут и не быть новейшими технологиями, они по-прежнему идеальны для многих применений и могут быть легко использованы для измерений, подобных приведенным выше.

Хотя описанные выше тесты предназначены для аналоговых счетчиков, аналогичные тесты можно проводить с цифровыми мультиметрами, цифровыми мультиметрами.

Часто цифровые мультиметры могут включать специальную функцию тестирования биполярных транзисторов, и это очень удобно в использовании. Общие характеристики тестирования с помощью специальной функции тестирования биполярных транзисторов часто очень похожи на упомянутые здесь, хотя некоторые цифровые мультиметры могут давать значение для текущего усиления.

Использование простого теста для диодов и транзисторов очень полезно во многих сценариях обслуживания и ремонта.Очень полезно иметь представление о том, работает ли диод или транзистор. Поскольку тестеры транзисторов широко не продаются, возможность использования любого мультиметра для обеспечения этой возможности особенно полезна. Это даже удобнее, потому что тест выполнить очень просто.

Другие темы тестирования:
Анализатор сети передачи данных Цифровой мультиметр Частотомер Осциллограф Генераторы сигналов Анализатор спектра Измеритель LCR Дип-метр, ГДО Логический анализатор Измеритель мощности RF Генератор радиочастотных сигналов Логический зонд Тестирование и тестеры PAT Рефлектометр во временной области Векторный анализатор цепей PXI GPIB Граничное сканирование / JTAG
Вернуться в меню тестирования.. .

Распиновка транзистора

TIP31C, конфигурация, эквивалент, схема и техническое описание

Конфигурация выводов TIP31C

TIP31C – это силовой транзистор NPN . Как и любой другой транзистор, он имеет три контакта, а именно ЭМИТТЕР, БАЗУ и КОЛЛЕКТОР. Конфигурация контактов TIP31C приведена ниже.

Номер контакта	Имя контакта	Описание
3	Излучатель (E)	Обычно подключен к ЗАЗЕМЛЕНИЮ
2	Коллектор (C)	Обычно подключен к НАГРУЗКЕ
1	База (B)	Обычно используется как ТРИГГЕР для ВКЛЮЧЕНИЯ ТРАНЗИСТОРА.

Характеристики и характеристики TIP31C

• ТРАНЗИСТОР средней мощности
• С усилением hfe до 50
• С улучшенной линейностью hfe
• Максимальное напряжение между КОЛЛЕКТОРОМ и ЭМИТТЕРОМ ТРАНЗИСТОРА: 100 В
• Максимально допустимый ток через КОЛЛЕКТОР ТРАНЗИСТОРА: 3 А постоянного тока
• Максимальное напряжение между БАЗОЙ и ЭМИТТЕРОМ ТРАНЗИСТОРА: 5 В
• Максимально допустимый ток через БАЗУ ТРАНЗИСТОРА: 1 А постоянного тока
• Максимальное напряжение на КОЛЛЕКТОРЕ и БАЗЕ ТРАНЗИСТОРА: 100 В
• Максимальная рабочая температура: 150ºC

Эквиваленты TIP31C

TIP31C TRANSISTOR имеет много замен, таких как TIP31A, 2N6122, TIP31B, MJE340K, SW4F013.Перед заменой необходимо тщательно проверить параметры и конфигурацию контактов. Замена без учета параметров напряжения, тока и усиления может привести к необратимому повреждению.

Похож на TIP31C

TIP122, TIP121, TIP120, 2N6288, 2N6290, 2N6292

Где использовать TIP31C

Для понимания использования TIP31C рассмотрим:

Case1: Если вам нужно простое ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ ДЛЯ СРЕДНИХ МОЩНЫХ НАГРУЗОК.TIP31C – один из основных транзисторов, которые легко доступны и дешевы. Благодаря своим электрическим характеристикам, подходящим для многих приложений, он довольно популярен. Так что компонент лучше всего подходит при выборе устройства случайного переключения.

Case2: Когда вы хотите УСИЛИТЬ сигнал. Коэффициент усиления у TIP31C довольно хороший, и важно то, что усиление практически линейное. Таким образом, эти характеристики делают TIP31C одним из лучших претендентов на применение в усилителях.

Case3: TIP31C может управляться импульсами МИКРОКОНТРОЛЛЕРА из-за его усиления и высокой скорости отклика.Таким образом, его можно использовать в приложениях с высокоскоростной коммутацией.

Как использовать TIP31C

TIP31C можно использовать как любой другой силовой транзистор. Здесь мы собираемся использовать TIP31C в конфигурации COMMON EMITTER, чтобы понять его работу.

В приведенной выше схеме мы – , использующий TIP31C в качестве простого переключающего устройства . Как показано на рисунке, мы используем небольшой ДВИГАТЕЛЬ ПОСТОЯННОГО ТОКА в качестве НАГРУЗКИ. ТРИГГЕР для включения ТРАНЗИСТОРА обеспечивается БЛОКОМ УПРАВЛЕНИЯ (НЕ МИКРОКОНТРОЛЛЕР, поскольку МИКРОКОНТРОЛЛЕР не может обеспечить 300 мА).Блок управления подает импульсы + 5В на базу ТРАНЗИСТОРА. ЗАЗЕМЛЕНИЕ БЛОКА УПРАВЛЕНИЯ должно быть обязательно подключено к ТРАНЗИСТОРНОМУ ЭМИТТЕРУ.

Резистор 10 Ом предназначен для ограничения тока через BASE. Этот резистор, ограничивающий ток BASE, очень важен. Точно можно выбрать из расчета:

Максимальный ток через БАЗУ = 1 А

Выберите БАЗОВЫЙ ток = 0,9 А

Максимальное напряжение между БАЗОЙ и ЭМИТТЕРОМ = 5 В

Выберите Vbe = 4.5

Напряжение на резисторе R = ВЫХОДНОЕ НАПРЯЖЕНИЕ БЛОКА УПРАВЛЕНИЯ – 4,5 = XX В

Резистор R = XX / 0,9 = YYΩ.

Поместите сопротивление YY Ω последовательно с базой, как показано на схеме.

В нормальных условиях ТРАНЗИСТОР будет ВЫКЛЮЧЕН, так как БАЗОВЫЙ ток не будет. Когда импульсы напряжения БЛОКА УПРАВЛЕНИЯ достигают БАЗЫ, ток течет через БАЗУ ТРАНЗИСТОРА. При протекании тока БАЗЫ ТРАНЗИСТОР включается. При этом будет ток КОЛЛЕКТОРА, который течет через ДВИГАТЕЛЬ.Итак, ДВИГАТЕЛЬ вращается. ДВИГАТЕЛЬ будет вращаться до тех пор, пока не появится БАЗОВЫЙ ток.

Когда выход БЛОКА УПРАВЛЕНИЯ становится НИЗКИМ, БАЗОВЫЙ ток становится НУЛЕВЫМ. Транзистор выключается, когда БАЗОВЫЙ ток становится НУЛЕВЫМ. Таким образом, ток КОЛЛЕКТОРА также становится НУЛЕМ, что приводит к ОСТАНОВКЕ ДВИГАТЕЛЯ.

Таким образом, мы можем использовать TIP31C в качестве коммутирующего устройства. Схема, использованная выше, является простой схемой тестирования, а не схемой приложения. Использование его без приспособлений, таких как HEAK SINK, FLYBACK DIODE и т. Д., Приведет к повреждению устройства.

Для использования TIP31C в качестве усилителя необходимо учитывать характеристики усиления по току. Итак, для лучшего понимания мы представим график CURRENT GAIN TIP31C. Типичный график DC GAIN для TIP31C приведен ниже.

Из графика, УСИЛЕНИЕ составляет почти 100, когда ток КОЛЛЕКТОРА составляет 1000 мА или 1 А. И УСИЛЕНИЕ падает до 60, когда ток КОЛЛЕКТОРА составляет 2000 мА или 2 А. Когда ток КОЛЛЕКТОРА превышает 2А, УСИЛЕНИЕ почти линейное. Значение этого параметра важно для АППЛИФИКАТОРОВ.Принимая во внимание эти диапазоны, мы можем принять соответствующие меры для повышения производительности.

Приложения

1. Контроль скорости двигателя постоянного тока
2. Системы освещения
3. Приложения ШИМ
4. Драйверы реле
5. Импульсный источник питания
6. Усилители звука
7. Усилители сигналов

2D-Модель

Все размеры указаны в миллиметрах

Распиновка

Tip41c tip42c.Tìm hiểu về транзистор TIP41C

Вы можете использовать 2xw rms стерео или w rms моно, которыми можно управлять.Вы можете использовать 2xw rms стерео или w rms моно, которыми можно управлять через мостовое соединение, а также регулировку низких частот с помощью перекрестной схемы с регулируемым операционным усилителем TLP этаж главного входа. Об использовании этого трансформатора было опубликовано множество статей.

Топ-5 проектов электроники с использованием транзистора TIP41

Будет протянут кабель от провода зажигания автомобиля.Этот раздел позволяет системе закрываться, когда автомобиль не работает. В представленной здесь схеме усилителя звука мощностью 1 Вт используется знаменитая интегральная схема TDAM, которая является одной из наиболее интегрированных. Это немного сбивает с толку, чтобы я сам распределял сортировку: небольшие, но отличные работы для прихода в новую схему SMPS.

Cosmetica groothandel alkmaar

Схема источника питания 1. До электронной нагрузки схемы фиктивной нагрузки были общими, но кто-то, основанный на микроконтроллере, был очень простым, эта схема на схеме.Это полноценный двухканальный драйверный транзистор, позволяющий построить стерео усилитель мощности.

С помощью каталога производителя системы данных были отобраны для работы с ним две пары комплементарных транзисторов с эффектом TIP, TIP Они обеспечивают мощность 70 Вт на канал для 8?

Выбор игрока контролируется стартовыми кнопками. Говорят, что блок питания игровой схемы PIC18f использует перезаряжаемые батареи емкостью 4 мАч, и это основано на 2 часах игры каждый день в течение получаса.

Программное обеспечение игрового проекта

PIC18f имеет исходный код и файлы hex, pcb, gerber, подготовленные с помощью игрового проекта swordfish basic, Test video PIC18f. Для каждого бита используется 1 дисплей, чтобы управлять смещением 74 дюйма и счетом. Схема NE Схема генератора прямоугольных импульсов для обеспечения тактовых импульсов и источника генератора 50 Гц, используемого с тегами Electronics Projects.

Электронные схемы. Электронные проекты. Теги: схемы аудиоусилителя схема преобразователя постоянного токаСиловая электроникаСхема STLтранзисторный усилитель.Электронные схемы Говорят, что в источнике питания игровой схемы PIC18f используется аккумуляторная батарея емкостью 4 мАч, и он основан на 2 часах игры каждый день в течение получаса. Программное обеспечение игрового проекта PIC18f имеет исходный код и файлы hex, pcb, gerber, подготовленные с помощью swordfish basic, Тестовое видео игрового проекта PIC18f.

Электронные схемы проектов, принципиальные схемы. Последние проекты Образование. JavaScript отключен.

Для удобства, пожалуйста, включите JavaScript в своем браузере, прежде чем продолжить.Мне нужна помощь с усилителем звука. Автор этой темы ConstructionK88 Дата начала 28 июл, Искать по форуму Новые сообщения. Нужна помощь с аудиоусилителем К вопросу! Практически каждая диаграмма, схема, компоновка, так много аналогий, которые я прочитал, очень подробно описали, как построить отличный аудиоусилитель. Я сам беру запчасти из старых радиоприемников и телевизоров и т. Д. Я был бы чрезвычайно признателен за схему, которая включала бы эти детали или, по крайней мере, микросхемы наконечников, чтобы создать отличный, но не обязательно ГРОМКИЙ !!!

Я хочу хорошее звучание на немного неудобных уровнях, но ничего не 16 и первую громкую машину в субботу вечером.У меня довольно много старых и современных конденсаторов npn-trans cpnp-trans, диодов, практически все компоненты, кроме более новых.

Vierne toccata latry

Если мне нужно купить больше деталей, я мог бы с таким же успехом купить усилитель в Walmart. Мне очень хотелось бы помочь собрать его из деталей, которые у меня есть, и которые я могу легко получить бесплатно из металлолома.

В настоящее время пытаюсь включить питание, с двумя батареями на 6 вольт, 7 ампер в час, двумя 6-дюймовыми динамиками по 4 Ом, но я очень готов изменить импеданс и размер динамика.Прокрутите, чтобы продолжить содержимое. Еще могу сказать, что телевизор и радио очень разные. Он сканировал в растре электронный луч мощностью 30 кВт, поэтому напряжение питания составляло 13 кВ при токе 1.

Handkommentar zum dbg

Электронный луч в телевизоре мог быть 40 кВ при токе в несколько мА. В этом сумасшедшем электронно-лучевом испарителе был резистор на 1 МОм ватт для стравливания воздуха. Да, через него было около 13 кВ. Вот список усилителей Google, в которых используются TIP41 и 42, с которого следует начать. Для транзисторов в основном это максимальное номинальное напряжение, номинальный ток и номинальная мощность, которые важны для замены других транзисторов усилителя на те, которые у вас могут быть.

Электролитические колпачки обычно могут быть больше как по емкости, так и по напряжению, чем указано, но не меньше. LM выдает менее одного ватта звуковой мощности, поэтому, скорее всего, он не удовлетворит ваши потребности. Вы можете использовать два из них в мостовой схеме, чтобы получить выходную мощность около 3 Вт, но это все еще довольно мало. Я хотел бы поблагодарить вас обоих за помощь. Таким образом, эта схема смогла обеспечить гораздо больше, чем мощность, необходимая для приведения в действие двух усилителей Mini-MosFet с полной выходной мощностью не менее 2 А 40 В при нагрузке 4 Ом без каких-либо заметных усилий. .

Все права защищены. Этот LC-метр позволяет измерять невероятно малые индуктивности, что делает его идеальным инструментом для изготовления всех типов ВЧ-катушек и индукторов. Схема включает автоматический выбор диапазона, а также переключатель сброса и обеспечивает очень точные и стабильные показания.

Формы выходных сигналов могут модулироваться как по амплитуде, так и по частоте. Счетчик является идеальным дополнением к любым источникам питания, зарядным устройствам и другим электронным проектам, в которых необходимо контролировать напряжение и ток.

Это очень полезное стендовое испытательное оборудование для тестирования и определения частоты различных устройств с неизвестной частотой, таких как генераторы, радиоприемники, передатчики, функциональные генераторы, кристаллы и т.д. как iPod, компьютер, ноутбук, проигрыватель компакт-дисков, Walkman, телевизор, спутниковый ресивер, магнитофон или другая стереосистема для передачи стереозвука с превосходной четкостью по всему дому, офису, двору или территории кемпинга.

Он также анализирует такие характеристики транзистора, как напряжение и коэффициент усиления.Это незаменимый инструмент для поиска и устранения неисправностей и ремонта электронного оборудования путем определения производительности и исправности электролитических конденсаторов. Усилитель для наушников достаточно мал, чтобы поместиться в жестяной коробке Altoids, и благодаря низкому энергопотреблению может питаться от одной батареи на 9 В. Он небольшой, энергоэффективный, но настраиваемый с помощью встроенной перфорированной платы 2 x 7, которую можно использовать для подключения различных датчиков и разъемов.

Arduino Prototype использует все стандартные компоненты со сквозными отверстиями для легкой конструкции, два из которых скрыты под разъемом IC.Вы можете управлять освещением, вентиляторами, системой переменного тока, компьютером, принтером, усилителем, роботами, гаражными воротами, системами безопасности, шторами с электроприводом, моторизованными оконными жалюзи, дверными замками, разбрызгивателями, моторизованными проекционными экранами и всем остальным, о чем вы можете подумать. В статье описывается распиновка транзистора TIP42C, эквивалент, спецификации, приложения и другая информация об этом универсальном BJT-транзисторе.

Основное различие между этими деталями – их напряжение. TIP42C имеет самое высокое напряжение нагрузки из всех.Его можно использовать для любых требований к коммутации общего назначения. Он может управлять максимальной нагрузкой -6 А или мА, а максимальное напряжение нагрузки может составлять В.

Кроме того, он также может использоваться для любых общих целей усиления.

Введение в TIP42C

Максимальное рассеивание коллектора транзистора составляет 65 Вт, благодаря чему его можно использовать для усиления звука высокой мощности, а также в каскадах звуковых усилителей. TIP42C может использоваться для решения различных задач общего назначения в электронных схемах.С максимальным током коллектора -6A он может управлять мощными переключателями, реле, транзисторами и т. Д.

Кроме того, с максимальным напряжением коллектор-эмиттер V можно также использовать его в конструкциях, требующих высокого напряжения ниже V. С другой стороны, его можно использовать в усилителях звука высокой мощности для усиления звука до 65 Вт.

Для безопасной работы TIP42C и обеспечения длительного срока службы ваших схем от этого транзистора важно всегда использовать подходящий радиатор, использовать подходящий базовый резистор, не нагружать нагрузку более -6A и В.

13 июля, 28 апреля, 2 мая, Ваш электронный адрес не будет опубликован. Сохраните мое имя, адрес электронной почты и веб-сайт в этом браузере, чтобы в следующий раз я оставил комментарий. Оставить комментарий Отменить ответ Ваш электронный адрес не будет опубликован.

Поиск компонента. Мы используем файлы cookie, чтобы обеспечить максимальное удобство использования нашего веб-сайта. Если вы продолжите использовать этот сайт, мы будем считать, что он вам нравится. Ok Политика конфиденциальности. Содержание Содержание 1 Абсолютные максимальные рейтинги. Пожалуйста, свяжитесь с ближайшим к вам офисом продаж STMicroelectronics для уточнения деталей доставки.Примечание. Для типов PNP значения напряжения и тока отрицательны. Электрические характеристики Рисунок 8. Напряжение насыщения база-эмиттер NPN Рисунок Напряжение база-эмиттер NPN Рисунок Напряжение насыщения база-эмиттер PNP Рисунок Напряжение база-эмиттер PNP Рисунок Время переключения резистивной нагрузки PNP Время переключения резистивной нагрузки NPN Рисунок Время переключения резистивной нагрузки PNP Рисунок Электрические характеристики 2.

Испытательная схема переключения индуктивной нагрузки 1 Быстрый электронный переключатель 2 Неиндуктивный резистор 3 Выпрямитель с быстрым восстановлением Рисунок Схема испытания резистивной нагрузки 1 Быстрый электронный переключатель 2 Неиндуктивный резистор Примечание. Для типов PNP значения напряжения и тока отрицательны.

Эти пакеты имеют бессвинцовое межсоединение второго уровня. Максимальные характеристики, относящиеся к условиям пайки, также указаны на этикетке внутренней коробки. Информация о контактах Запросы о ценах Запросы на детали. Моя просьба: 0 деталей. Технические характеристики TIP41C.

Напряжение пробоя коллектор-эмиттер макс. Bonase Electronics HK Co. Номер детали :. Страница Конфигурация контактов TIP31C приведена ниже. Перед заменой необходимо тщательно проверить параметры и конфигурацию контактов. Замена без учета параметров напряжения, тока и усиления может привести к необратимому повреждению.

Благодаря своим электрическим характеристикам, подходящим для многих приложений, он довольно популярен. Так что компонент лучше всего подходит при выборе устройства случайного переключения. Коэффициент усиления у TIP31C довольно хороший, и важно то, что усиление практически линейное. Таким образом, эти характеристики делают TIP31C одним из лучших претендентов на применение в усилителях.

Таким образом, его можно использовать в приложениях с высокоскоростной коммутацией. В приведенной выше схеме мы используем TIP31C в качестве простого коммутационного устройства. Этот резистор, ограничивающий ток BASE, очень важен.Точно можно выбрать, рассчитав :. Таким образом, мы можем использовать TIP31C в качестве коммутационного устройства. Схема, использованная выше, является простой схемой тестирования, а не схемой приложения. Для использования TIP31C в качестве усилителя необходимо учитывать характеристики усиления по току.

Принимая во внимание эти диапазоны, мы можем принять соответствующие меры для повышения производительности. Подпишитесь, чтобы быть в курсе последних компонентов и новостей отрасли электроники. STM32Cube с графическим инструментом конфигурации программного обеспечения сокращает усилия, время и затраты на разработку.Спецификация компонентов.

Теги NPN-транзистор. Получите нашу еженедельную рассылку! Платы разработки STM32. Экосистема STM32F32. Портфолио радаров X-Band. TIP41C – это недорогой силовой транзистор общего назначения, который можно использовать для усиления и переключения в ваших электронных схемах. Он может управлять нагрузкой максимум 6 ампер.