Транзистор высокочастотный: КТ644Б (2016-17г), Транзистор PNP высокочастотный, большой мощности, TO-126 (КТ-27)

Мощные радиочастотные VDMOS-транзисторы фирмы Microsemi и модули на их основе

     Радиочастотные полевые транзисторы с изолированным затвором класса VDMOS объединяют достоинства полевых транзисторов с вертикальным каналом и приборов DMOS, изготовляемых методом двойной диффузии. Широкую номенклатуру VDMOS выпускает американская компания Microsemi, с вошедшей в нее фирмой Advanced Power Technology (APT). В статье описаны приборы этих компаний с выходной мощностью от нескольких Вт до 2кВт на частоте от 10 до 200МГц и усилители мощности на их основе.

Введение
     После освоения в СССР в конце 1970-х годов серийного производства первых в мире мощных полевых транзисторов с горизонтальным каналом КП901–КП904 [1, 2] во многих странах бурное развитие получили мощные полевые транзисторы с V- и U-образной структурой и вертикальным расположением канала. Первыми советскими приборами этого типа были транзисторы КП905, КП907, КП908, КП909, КП913 и др.

[3, 5–7]. Их рабочая частота достигала 1–2 ГГц, и на них были отработаны принципы построения радиочастотных усилителей мощности [6, 7].
     К сожалению, дно и стенки V-образной канавки, получаемой методом анизотропного травления, имели неидеальную структуру полупроводника, что вело к локализации электрического поля под ней и вызывало снижение максимального рабочего напряжения стока.
     В конце 1970-х и особенно в 1980-х годах большое развитие получили приборы с двойной диффузией — DMOS. Они, по сути, являются гибридом полевого транзистора с горизонтальным каналом и транзистора с вертикальной структурой. Приборы класса DMOS имеют три важных преимущества по сравнению с приборами с V- и U-образной канавками: отсутствие дефектных областей, улучшенное качество затвора и повышенная подвижность носителей в канале. В то же время они характерны большой емкостью структуры и меньшей рабочей частотой. Две серии таких приборов (с выходной мощностью 300 Вт) созданы Воронежским ФГУП и «НИИ электронной техники» [4].

Мощные VDMOS фирмы Microsemi
     Мощные полевые транзисторы за рубежом сейчас производит множество фирм, например ST Microelectronics, Mictosemi, IXYS, International Rectifiers, Philips и др. Компания Microsemi (www.microsemi.com) выпускает мощные радиочастотные полевые транзисторы VDMOS (Vertical Diffusion Metal Oxide Seniconductor), в которых объединены достоинства приборов с вертикальной структурой и DMOS-транзисторов.
     Структура VDMOS-транзистора показана на рис. 1. Как нетрудно заметить, V- или U-образная канавка у прибора отсутствует, что заметно упрощает технологию его изготовления. Линии тока истока сначала от его металлических областей проходят через тонкий канал под поликристаллическим горизонтальным затвором и затем, переходя в вертикальное положение, собираются стоком в его N-области и низкоомной подложке типа N+.

     Параметры ряда серийных VDMOS даны в таблице 1. В основном это высоковольтные приборы. По сравнению с приборами LDMOS (ST Microelectronics и Philips [5]) значения рабочей частоты приборов ниже (до 200МГц), но зато они имеют выдающиеся энергетические показатели – выходную мощность до 750Вт и максимальное напряжение на стоке 1200В. Некоторые приборы хорошо приспособлены для применения в усилителях мощности с низковольтным питанием от 12 до 50В).

     VDMOS-транзисторы имеют различное корпусное исполнение, обусловленное реализуемыми схемотехническими решениями. Основные типы корпусов, применяемые при производстве мощных VDMOS транзисторов компании Microsemi, представлены на рис. 2. Характерной особенностью всех представленных корпусов является то, что они имеют малую высоту, это позволяет размещать их на достаточно тонкой печатной плате или теплоотводящей пластине.

     Знакомство с силовыми VDMOS-транзисторами компании Microsemi начнем с прибора ARF1519. В качестве основных параметров приборов производитель указывает напряжение питания усилителя мощности, выходную мощность и частоту выходного сигнала. У этого прибора они равны 250В, 750Вт и 25МГц соответственно. При работе резонансного усилителя в классе C напряжение на стоке достигает значений в 3–4 раза выше напряжения питания. Поэтому максимальное рабочее напряжение у этого транзистора нормируется на уровне 1000В. Из приведённых технических характеристик видно, что компонент ARF1519 Microsemi является высоковольтным мощным транзистором с умеренной (для такого класса приборов) максимальной рабочей частотой. В то же время отметим, что она на порядок выше, чем рабочая частота сопоставимого по мощности и напряжению на стоке силового (ключевого) транзистора.
     Выходные и передаточные характеристики транзистора ARF1519 показаны на рис. 3. Уровень остаточного напряжения на стоке включенного транзистора достаточно высок: до 15–20В при максимальном рабочем токе. Семейство передаточных характеристик имеет характерную термостабильную точку: в ней кривые пересекаются. Пороговое напряжение транзистора лежит в диапазоне от 2 до 3В.

     Постоянный ток стока у VDMOS-транзистора ARF1519 нормируется на уровне 20А, а импульсный ток может превышать 40А. Естественно, такой сильноточный прибор имеет большую ёмкость. Зависимость ёмкости от напряжения «сток-исток» U_DS характеризуется резкой нелинейностью (рис. 4). Средние значения ёмкостей: входная – 4600пФ, выходная – 310пФ, проходная – 90пФ. Столь большие значения ёмкости указывают на то, что импедансы входа и выхода у транзистора очень малы, и поэтому особое значение приобретает согласование импедансов транзистора с импедансами источника входного сигнала и нагрузки (обычно 50Ом).

     Степень нагрева транзистора определяется значением его термического импеданса Rth (°C/Вт). Зависимость термического импеданса транзистора ARF1519 от длительности импульса тока стока представлена на рис. 5 и позволяет оценить степень допустимого увеличения тока стока от длительности импульса тока при заданном периоде повторения сигнала.
     Основные квалификационные параметры транзистора оцениваются при его работе в составе тестовых схем усилителей мощности. Такие схемы SPICE-модели транзисторов для их расчета и моделирования компания Microsemi приводит практически для всех своих транзисторов. На рис. 6 представлена тестовая схема для транзистора ARF1519.

Там же приведена спецификация компонентов этой схемы и чертеж варианта монтажа схемы на печатной плате.

     Выбор ARF1519 в качестве первого транзистора для ознакомления с продукцией Microsemi не случаен: тестовая схема для него, показанная на рис. 6, — самая простая и наглядная. Это обычный однотактный каскад усилителя мощности на транзисторе, включенном с общим истоком. Для согласования выходного сопротивления генератора входного сигнала (50Ом) с низким входным импедансом полевого транзистора служит обычный ВЧ-трансформатор с большим коэффициентом трансформации (10:1). В стоке транзистора установлен последовательный резонансный контур с емкостной цепью согласования с нагрузкой (тоже 50Ом). Усилитель работает в классе C и развивает на частоте 13,56МГц мощность 750Вт (!). В схеме усилителя нет никакой «экзотики».

 Низковольтные сильноточные VDMOS
     Теперь рассмотрим транзистор VRG154, предназначенный для применения в устройствах с малым напряжением питания (от 12 до 50В).

Максимальное напряжение на стоке этого прибора 170В, непрерывный ток коллектора 60A, а импульсный может достигать удвоенных значений. При этом прибор способен развивать мощность 600Вт на частоте 80 МГц при напряжении питания усилителя мощности 50 В и КПД 75%. Максимальная рассеиваемая на стоке мощность у этого прибора 1350 Вт!
     Выходные и передаточные характеристики транзистора VRG154 представлены на рис. 7. Выходные характеристики (рис. 7а) демонстрируют малые значения напряжения «сток-исток» при больших (до 60A) токах стока. Именно это обстоятельство позволяет применять эти транзисторы в схемах с низковольтным напряжением питания и рекордно большой выходной мощностью.

     На рис. 8 показаны графики зависимости емкостей транзистора от напряжения «сток-исток». Этот мощный прибор имеет большую и резко нелинейную зависимость ёмкости.

     Зависимость выходной мощности от входной на частоте 30 и 55МГц для транзистора VRG154 показана на рис. 9. Видно, что выходная мощность транзистора при этих значениях частоты может превышать 1000Вт.

     Зависимость теплового импеданса от длительности импульса в импульсном режиме работы дана на рис. 10. Подобные графики зависимости приводятся практически для всех мощных полевых транзисторов фирмы Microsemi.

     Тестовая схема однотактного генератора, в которой испытывается транзистор VRG154, показана на рис. 11. Для согласования импедансов используются сложные LC-цепи (двухъячейчатые фильтры) на входе и на выходе с настройкой их с помощью триммеров. Напряжение питания усилителя мощности составляет 50В.

     В схеме двухтактного усилителя мощности (рис. 12) пара транзисторов VRG154 способна при напряжении питания 40В отдавать на выходе мощность 1кВт. Для стабилизации напряжения смещения мощных полевых транзисторов и температурной компенсации используется специальный термочувствительный стабилизатор напряжения смещения на интегральной микросхеме IC1. Согласование импедансов источника входного сигнала и входа усилителя обеспечивается с помощью ВЧ-трансформаторов T1.

Для согласования выходного импеданса с импедансом нагрузки применены цепи на отрезках линий передачи их коаксиального кабеля [13].

 Сверхвысоковольтные VDMOS с напряжением на стоке более 1000 В
     Транзистор ARF1505 (рис. 13) – это сверхвысоковольтный мощный полевой транзистор с максимальным напряжением на стоке 1200В, током стока 25А и рассеиваемой мощностью 1500Вт.
     Для обеспечения стабильной работоспособности такого мощного транзистора необходимо жестко закрепить его на поверхности радиатора или теплоотводящей пластины. Способ крепления и размеры корпуса этого транзистора представлены на рис. 14.

     Графики зависимости емкости от напряжения «сток-исток» у этого прибора нелинейные (рис. 15). При напряжении «сток-исток» 1В они превышают 10 000 пФ, но с ростом этого напряжения быстро падают. В технических данных на этот транзистор указаны следующие средние значения емкостей:
     • входная – 5400пФ;
     • выходная – 400пФ;
     • проходная – 160пФ.
     Выходные ВАХ транзистора ARF1505 показаны на рис. 16. Пороговое напряжение отсечки у этих приборов от 3 до 6В. Для сверхвысоковольтного прибора видимые на рис. 16 уровни остаточного напряжения малы. Температурный диапазон работы транзистора лежит в пределах от -55 до +175°C.
     Тестовая схема усилителя мощности на частоту 27МГц с напряжением питания 300В показана на рис. 17. Схема проста и от простейших схем отличается отрезком линии передачи во входной цепи. На рис. 17 справа показана конструкция этого усилителя на печатной плате. Выходная мощность усилителя – 750Вт при коэффициенте полезного действия 75% и коэффициенте усиления 17 дБ. Усилитель работает в классе C.

 Мощные VDMOS с частотой выходного сигнала более 100 МГц
     Представительную, хотя и не очень многочисленную группу VDMOS составляют транзисторы с повышенной (100МГц и выше) частотой выходного сигнала. Их данные приведены в таблице 2.

     Одним из таких приборов является высокочастотный транзистор VRF151, изображённый на рис. 18. Свои рабочие параметры он реализует при напряжении питания 50В.
     Почти аналогичный транзистор VRF150 имеет мощность выходного сигнала 150Вт на немного более низкой частоте – 150 МГц. А транзистор VRF141 позволяет получать мощность 150Вт на частоте 175МГц при более низком напряжении питания – 28 В. VRF151 имеет рабочее напряжение на стоке до 170В, ток стока 16A, рассеиваемую на стоке мощность до 300Вт и температурный диапазон работы от -65 до +150°C. Выходные и передаточные характеристики прибора показаны на рис. 19.
     Высокочастотные мощные полевые транзисторы имеют на порядок меньшие показатели емкости, чем их менее высокочастотные собратья. Это видно на представленном рис. 20. Средние значения емкостей составляют: входная – 375пФ, выходная – 200пФ и проходная емкость – 12пФ. Эти, вполне умеренные значения емкостей расширяют частотный диапазон работы транзисторов до частот примерно 200МГц.

     Графики зависимости выходной мощности от мощности входного сигнала показаны на рис. 21 при двух значениях напряжения питания тестовой схемы – 50 и 40В. Вид этих графиков типовой, и каких-либо особенностей они не имеют.
     Для ВЧ- и СВЧ-транзисторов часто указывают параметры вносимых ими искажений. На рис. 22 представлены кривые интермодуляционных искажений для транзистора VRF151.

     Тестовая схема однотактного усилителя мощности на частоту 175МГц показана на рис. 23.
     Ряд транзисторов этой группы выпускается в более дешевых пластмассовых корпусах, рассчитанных на меньшую мощность. Например, это транзистор ARF449 (рис. 24).

     Он тестируется в схеме на частоте 81,36МГц. Зависимость мощности выходного сигнала от мощности входного сигнала для усилителя мощности на транзисторе ARF449 показана на рис. 25.
     На рис. 26 представлена тестовая схема усилителя мощности на транзисторе ARF449, работающего в классе C. Усилитель обеспечивает мощность выходного сигнала 90Вт, КПД 75% и коэффициент усиления 13дБ.

Сдвоенный мощный низковольтный VDMOS транзистор VRF141G
     Для создания двухтактных СВЧ-усилителей мощности с низковольтным 28В питанием (напряжение 28В) служит сдвоенный мощный низковольтный VDMOS VRF141G (рис. 27). Под маркой MRF141G этот прибор выпускает и другой производитель высокочастотных компонентов – компания Motorola. Усилители мощности на этих транзисторах обеспечивают мощность 300Вт на частоте 175 МГц при напряжении питания 28В.
     Выходные ВАХ и передаточные характеристики одного транзистора VRF141G показаны на рис. 28, а зависимость емкостей этих приборов от напряжения «сток-исток» приведена на рис. 29. Это типичные характеристики для мощных низковольтных VDMOS полевых транзисторов.
     Типовой является и характеристика зависимости параметров емкостей (для одного транзистора) от напряжения «сток-исток».

     На рис. 30 представлена тестовая схема двухтактного усилителя мощности на сдвоенном мощном VDMOS VRF141G. Входной фазоинвертор и устройство согласования входного импеданса с импедансом источника входного сигнала выполнены по схеме широкополосного трансформатора на трех отрезках коаксиального кабеля. Выходной трансформатор также построен на трех отрезках коаксиального кабеля. Приняты меры по ослаблению проникновения гармоник выходного сигнала в цепь источника питания с напряжением 28В. Усилитель обеспечивает КПД в 50% и типовой коэффициент усиления 14дБ на частоте 175МГц.

Мощные высоковольтные сверхскоростные VDMOS транзисторы со встроенными драйверами
     Особенно высокими энергетическими показателями обладают мощные высоковольтные VDMOS со встроенным драйвером управления затвором (табл. 3). По существу, это гибридные микросхемы, содержащие мощные транзисторы с драйверами и ряд бескорпусных компонентов внутри единого корпуса. Применение встроенного драйвера (или двух драйверов в приборах с двумя мощными транзисторами) обеспечивает время переключения мощных приборов в единицы нс, что позволяет использовать их в усилителях класса D (работающих в ключевом режиме) с частотой выше 10МГц с высоким КПД до 90%.

     На рис. 31 показан одиночный (N = 1) мощный высоковольтный транзистор DRF1200 со встроенным драйвером управления затвором. Драйвер требует дополнительного напряжения питания 15–18В. Входное напряжение драйвера 3В. Прибор DRF1201 содержит два параллельно включенных VDMOS транзистора, что увеличивает ток стока до 26A.
     Функциональная схема драйвера показана на рис. 32. Драйвер построен на основе скоростного триггера Шмитта и двухтактной схемы быстрого заряда-разряда входной емкости мощного полевого транзистора, куда входят комплементарные полевые транзисторы средней мощности.
     На рис. 33 представлена схема, в которой тестируется прибор. По существу, это схема ключа на мощном полевом транзисторе с резистивной нагрузкой RL.
     На рис. 34 приведены осциллограммы процессов переключения ключа на транзисторе DRF1200 с драйвером. Напряжение питания ключа 800В, сопротивление нагрузки 51Ом. Время выключения ключа в 3,4нс – это очень малое значение для такого мощного ключа. Сопротивление «сток-исток» включенного транзистора 0,9Ом. Максимальное напряжение на стоке полевого транзистора – 1000В, максимальная рассеиваемая транзистором мощность – 360Вт. Типовые значения емкостей: входная – 2000пФ, выходная – 165пФ, проходная – 75пФ.

     Печатная плата тестовой схемы ключа на транзисторе DRF1200 показана на рис. 35. Благодаря тестированию во временной, а не в частотной области, конструкция платы заметно упрощена. Разумеется, прибор можно использовать и в частотной области для построения усилителей мощности с частотой до 30МГц. Транзистор DRF1200 предназначен для построения усилителей мощности класса E и преобразователей с импульсным регулированием.

     Выпускаются также мощные двойные (N = 2) высоковольтные VDMOS DRF1301 (рис. 36) для двухтактных устройств. Их применение может упростить построение некоторых устройств мощной усилительной и преобразовательной техники.
     Для демонстрации возможностей мощных VDMOS со встроенными драйверами фирма Microsemi выпускает ряд генераторов мощных синусоидальных сигналов с выходной мощностью от 600 до 2500Вт. Два из них показаны на рис. 37.

     Прибор VDMOS DRF1400 содержит полумост из двух высоковольтных транзисторов с драйверами затвора [13]. Он предназначен для построения усилителей, работающих в классе D (в ключевом режиме) (рис. 38). Их транзисторы управляются прямоугольными импульсами с широтно-импульсной модуляцией. Когда верхний транзистор открыт, нижний – закрыт. И наоборот.
     На рис. 39 показаны платы, образующие тестовый генератор c усилителем класса D на приборе DRF1400. Усилитель обеспечивает на рабочей частоте 13,56 МГц выходную мощность 1,7кВт при КПД 87%.

Моделирование устройств на VDMOS в системе MATLAB+Simulink
     Сложность расчета и построения мощных высокоскоростных устройств и трудности их экспериментальной отладки делают важным математическое моделирование таких устройств. В последние годы одной из основных систем для такого моделирования является матричная система MATLAB с пакетом блочного имитационного моделирования Simulink [9–11].
     В последней реализации этой системы MATLAB+Simulink R2012 a имеются пакеты расширения SimPowerSystem и SimElectronics, библиотеки моделей которых содержат мощные MOSFET и средства их контроля, в том числе расчета температуры внутренней области и рассеиваемой мощности. При этом есть как упрощенные модели, так и SPICE-совместимые. Встроенный пример моделирования характериографа позволяет легко подобрать параметры MOSFET c ВАХ нужного вида.
     Для примера рассмотрим моделирование мощного усилителя звуковой частоты с широтно-импульсным регулятором. Диаграмма модели усилителя представлена на рис. 40. В правой ее части показано окно установки входного сигнала — две синусоиды с частотами 2000 и 2500Гц и амплитудой 15В. В диаграмме использован блок Feedback Controller широтно-импульсного регулятора из пакета расширения SimElectronics. Преобразование идет на частоте 1МГц.
     Субмодель мостового регулятора на двух полумостах с мощными MOSFET представлена блоком MOSFETS&Filters. Сделав на этом блоке двойной щелчок правой клавишей мыши, можно вывести диаграмму моделей ключей: она показана на рис. 41 сверху. Там же показаны диаграммы субмоделей LC-фильтров, которые гасят пульсации сигнала, связанные с широтно-импульсным характером регулирования.
     Эта модель с помощью виртуального осциллографа строит временные диаграммы работы усилителя (рис. 42 сверху) и спектр мощности частот входного и выходного сигналов. Он показан на рис. 42 снизу. Для получения этих данных модель запускают на исполнение кнопкой с изображением черного треугольника в панели инструментов диаграммы модели (рис. 40).

     Входной сигнал в виде двух синусоид дает характерные биения, в результате чего он напоминает сигнал модуляции. Он позволяет оценить динамику и динамический диапазон усилителя. На осциллограммах (рис. 42) представлены выходной сигнал, сигнал ошибки и входной сигнал широтно-импульсного регулятора. Нетрудно заметить, что на глаз входной и выходной сигнал имеют одинаковую форму и отличаются только масштабом.

Заключение
     Мощные полевые радиочастотные транзисторы класса VDMOS удачно сочетают достоинства VMOS-транзисторов с приборами класса DMOS. Несколько уступая приборам VMOS по значениям максимальной рабочей частоты, они заметно превосходят их по основным энергетическим параметрам — выходной мощности, рабочим напряжениям и токам стока. Обширная номенклатура выпускаемых фирмой Microsemi полевых транзисторов класса VDMOS позволяет строить на них усилители с мощностью выходного сигнала от единиц Вт до 1–2,5 кВт на частоте от 10 до 150 МГц. Такие усилители применяются в телевизионной, спутниковой, радиолокационной, медицинской аппаратуре и аппаратуре для связи, успешно заменяя применяемые ранее устройства на электронных лампах и биполярных транзисторах.

Литература
1. Бачурин В. В., Дьяконов В. П., Сопов О. В. Мощные высокочастотные и сверхвысокочастотные МДП-транзисторы // Электронная промышленность. 1979. № 8.
2. Бачурин В. В., Дьяконов В. П., Сопов О. В. Мощный высокочастотный МДП-транзистор КП904 // Электронная промышленность. 1979. № 5.
3. Бачурин В. В., Бычков С. С., Дьяконов В. П., Прушинский А. К. Мощный кремниевый сверхвысокочастотный МДП-транзистор КП908 // Электронная промышленность. 1980. № 1.
4. Асессоров В., Кожевников В., Дикарев В., Цоцорин А. Мощные ВЧ и СВЧ полевые транзисторы для аппаратуры средств радиосвязи // Компоненты и технологии. 2006. № 5.
5. Захаров В. Мощные СВЧ-транзисторы фирмы Philips Semicomductor // Компоненты и технологии. 2003. № 6.
6. Дьяконов В. П. Мощные полевые транзисторы: история, развитие и перспективы. Аналитический обзор // Силовая электроника. 2011. № 3.
7. Бачурин В. В., Ваксембург В. Я., Дьяконов В. П. и др. Схемотехника устройств на мощных полевых транзисторах: Справочник. М.: Радио и связь, 1994.
8. Дьяконов В. П., Максимчук А. А., Ремнев А. М., Смердов В. Ю. Энциклопедия устройств на полевых транзисторах. М.: СОЛОН-Р, 2002.
9. Дьяконов В. П. Физическое моделирование схем на полевых транзисторах в Simulink и SimElectronics // Компоненты и технологии. 2011. № 11.
10. Дьяконов В. П. Моделирование в MATLAB+Simulink электронных компонентов, систем и устройств // Компоненты и технологии. 2011. № 4.
11. Дьяконов В. П. MATLAB и Simulink для радиоинженеров. М.: ДМК-Пресс, 2011.
12. Ред Э. Справочное пособие по высокочастотной схемотехнике. М.: Мир, 1990.
13. Gui Shoi. 13.56 MHz. Class-D Half Bridge, RF Generator with EDF1400. Application Note 1817. Microsemi. March 2012.

Скачать в PDF

Высокочастотный транзистор – Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1

Высокочастотный транзистор

Cтраница 1

Высокочастотный транзистор на входе усилителя НЧ применен для уменьшения уровня собственных шумов усилителя. В базовую цепь транзистора Г5 включен регулятор тембра Ct4 i5, который служит для коррекции частотной характеристики усилителя в области верхних звуковых частот.  [1]

Высокочастотные транзисторы ( / а20 Мгц) имеют freHMaKc fa – Коэффициент шума Fm хйрактеризует уровень шумов, создаваемых транзистором. Он показывает, во сколько раз полная мощность шумов, выделяемая на нагрузке транзистора, больше той частя их мощности, которая создается на нагрузке тепловыми шумами сопротивления источника сигнала. Коэффициент шума принято измерять на частоте 1000 гц в полосе частот 1 гц при активной составляющей внутреннего сопротивления источника сигнала 600 ом.  [2]

Высокочастотные транзисторы более чувствительны к перегрузкам, склонны к самовозбуждению и значительно дороже.  [3]

Высокочастотные транзисторы, используемые в качестве усилителя мощности, должны иметь пробивное напряжение коллекторного перехода в 2 – 3 раза больше Ек.  [4]

Высокочастотные транзисторы позволяют радиолюбителям-конструкторам создавать экономичные маломощные передатчики небольших размеров для рабрты во всех любительских диапазонах, включая и диапазон 420 Мгц.  [6]

Высокочастотные транзисторы, в отличие от низкочастотных ( НЧ), обладают меньшим запасом по предельным режимам и более критичны к электрическим перегрузкам; они обладают большей склонностью к самовозбуждению и подвержены в большей степени влиянию электромагнитных полей и разряда статического электричества. Кроме того, ВЧ транзисторы по сравнению с НЧ менее устойчивы к воздействию механических и климатических факторов.  [7]

Дополнительный ускоряющий высокочастотный транзистор нужно подбирать с учетом этого неравенства. Экспериментальные исследования показывают, что при использовании в качестве ускоряющего транзистора П16Б длительность фронта и минимальная длительность импульса блокинг-генератора на транзисторе П201 уменьшаются в 2 – 3 раза.  [8]

Наиболее перспективными высокочастотными транзисторами, которые в последние годы широко используются в усилителях мощности и генераторах радиопередатчиков, являются плоскостные.  [9]

Применяя высокочастотные транзисторы, можно построить сверхрегенеративные приемники, надежно работающие в диапазоне частот от 20 до 250 МГц. Вышеизложенное не должно ставить под сомнение целесообразность применения приемников супергетеродинного типа. В тех случаях, когда есть возможность его собрать, не следует от этого отказываться, поскольку супергетеродинный приемник имеет ряд преимуществ перед сверхрегенеративным. Однако нужно иметь в виду, что для целей телеуправления супергетеродин-иый приемник должен обязательно иметь гетеродин с кварцевой стабилизацией частоты.  [10]

Применяя высокочастотные транзисторы, можно построить надежно работающие сверхрегенера т и в н ы е приемники на частоты от 20 до 250 Мгц.  [11]

Применение высокочастотных транзисторов в низкочастотных ЭУ нежелательно, так как они дороги, склонны к самовозбуждению и развитию вторичного пробоя, обладают меньшими эксплуатационными запасами.  [12]

Для высокочастотных транзисторов с малым значением постоянной времени тп колебательный режим имеет место при сравнительно малых емкостях в нагрузке. Поэтому в быстродействующих схемах, в которых используются высокочастотные транзисторы и которые работают, как правило, на емкостную нагрузку, колебательный режим повторителя оказывается практически неизбежным, если не применять специальных мер, демпфирующих эти колебания.  [14]

Применение высокочастотного транзистора с низкочастотным диодом опасно в отношении вторичного пробоя.  [15]

Страницы:      1    2    3    4    5

Мощные ВЧ и СВЧ полевые транзисторы для аппаратуры средств радиосвязи – Компоненты и технологии

Мощные кремниевые ВЧ и СВЧ транзисторы в дискретном конструктивном исполнении по-прежнему остаются основными и незаменимыми активными элементами передающих устройств различных средств телекоммуникаций [1]. В настоящее время наиболее динамично развивается разработка и применение мощных полевых транзисторов. Возможность реализации более высоких по сравнению с биполярными транзисторами входных сопротивлений делает полевые транзисторы более универсальными при работе в широкой полосе частот и упрощает схемотехнические задачи сложения динамической мощности. В сравнении с мощными кремниевыми биполярными транзисторами в полевых транзисторах практически отсутствует механизм тепловой и электрической неустойчивости. Эти свойства полевых транзисторов делают их привлекательными при построении генераторных усилителей мощности. Отсутствие тепловой нестабильности у мощных полевых транзисторов дает им существенный выигрыш: оптимизированные для работы, например, на частотах диапазонов МВ и ДМВ (100–200 и 400–500 МГц), они могут устойчиво работать на более низких частотах КВ-диапазона (вплоть до 1 МГц). Для аналогичных биполярных транзисторов это достаточно проблематично, так как со снижением частотного диапазона режим работы приближается к статическому, где явление тепловой нестабильности проявляется наиболее резко, и повышается склонность к автогенерации. В этом случае, как известно, для обеспечения надежной работы биполярного транзистора специально предусматриваются конструктивные меры и вводятся параметрические ограничения, сужающие область их применения. Справедливости ради надо отметить, что, несмотря на указанные преимущества полевых транзисторов, первые разработки отечественных СВЧ полевых транзисторов характеризовались низким значением коэффициента усиления по мощности К_ур на уровне 3–5 [2]. Повышение значений К_ур можно достичь за счет уменьшения удельной проходной емкости, значение которой непосредственно влияет на усилительные свойства транзистора [3].

При создании приборов рассматриваемого класса данная задача решалась путем разработки оригинальной конструкции транзисторной ячейки [4]. Фрагмент вертикального среза такой базовой транзисторной ячейки показан на рис. 1. Из приведенного рисунка видно, что транзисторная структура реализуется методом двойной диффузии по так называемой технологии DMOS. В предложенной конструкции полевого транзистора эффект снижения проходной емкости достигается за счет дополнительно встроенной области толстого подзатворного окисла (3) над стоковой областью. При оптимальном соотношении площади подзатворного тонкого (2) и толстого (3) окисла и их толщин удается существенно увеличить значение коэффициента усиления по мощности транзистора (примерно в 2–2,5 раза) по сравнению с традиционной конструкцией полевого транзистора.

Рис. 1. Поперечное сечение элементарной ячейки структуры вертикального DMOS транзистора. 1 – металл, 2 – подзатворный тонкий окисел, 3 – подзатворный толстый окисел, 4 – поликремний

Расчет и оптимизация параметров технологических процессов изготовления кристаллов мощных СВЧ транзисторов проводились с использованием программно-аппаратных средств: ПК на базе процессора АMD Athlon 64 3,0 ГГц с пакетом программ ISE TCAD 10.0, позволяющих создать адекватную модель кремниевой технологии и определить режимы для получения необходимых профилей распределения примесей в структурах. Далее полученные выходные данные моделирования технологического процесса, такие как двумерные профили распределения примесей и параметры технологических слоев стоковых, истоковых и затворных областей кристалла, закладываются в модель транзистора. В результате моделирования технологического процесса создавалась базовая ячейка транзисторного кристалла с оптимальными параметрами. На основе созданной модели рассчитывались электрофизические характеристики (распределение токов, тепловых полей, напряженностей электрического поля по площади транзисторной структуры), а на их основе—SPICE-параметры разрабатываемых транзисторов [5, 6].

Так, на основе разработанной базовой ячейки полевого транзистора была создана серия современных приборов с выходной мощностью 60, 150 и 300 Вт для применения в диапазоне частот до 230 МГц, а также 5, 10, 20, 40, 80 и 150 Вт—для диапазона частот до 500 МГц. Схемотехнические вопросы по созданию тестовых усилителей мощности для разработанных транзисторов решались на основе системы сквозного моделирования и проектирования Microvawe Office 2002 фирмы AWR. Основные эксплуатационные параметры разработанных ВЧ и СВЧ полевых транзисторов приведены в таблице 1. Следует отметить, что уровень регламентированных значений коэффициента усиления по мощности для всего ряда рассматриваемых полевых транзисторов лежит в диапазоне 10–30. В этой же таблице приведены и ближайшие зарубежные функциональные аналоги.

Таблица 1. Основные эксплуатационные параметры двух серий мощных СВЧ (DMOS) транзисторов

Данные полевые транзисторы предназначены для построения предварительных, промежуточных и оконечных каскадов усилительных трактов в аппаратуре радиосвязи специального назначения. Но они могут быть использованы и как приборы «двойного» назначения. Основная область их применения—бортовые и стационарные радиостанции. Область применения связана с напряжением источника питания 28 В, используемого в аппаратуре указанного класса, и частотным диапазоном, отведенным для радиосвязи. Надежность транзисторов отвечает требованиям отечественных военных стандартов и обеспечивается уровнем применяемой современной эпитаксиально-планарной технологии, многослойной системой металлизации на основе золота и соответствующим корпусным исполнением приборов. Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзисторов приведены в таблице 2.

Таблица 2. Предельно-допустимые электрические режимы эксплуатации транзисторов в диапазоне рабочих температур; Примечания: 1—значения Рср макс приведены для температуры корпуса +60 °С

Для наглядности внешний вид примененных стандартных золоченых металлокерамических корпусов показан на рис. 2. В конструкции корпусов использована металлизированная керамика из окиси бериллия. Тип корпуса для каждого конкретного транзистора выбирался из соображений реализации оптимального соотношения мощностных, усилительных и теплофизических свойств прибора. Для каждого заданного уровня выходной (и, соответственно, рассеиваемой) мощности корпус должен быть как можно более миниатюрным и удобным для монтажа на плату или теплоотвод. Транзисторы 2П979А и 2П979Б выполнены в корпусе КТ-56. Транзистор 2П978А выполнен в корпусе КТ-83. Данные транзисторы используются в однотактных схемах. Наиболее мощные транзисторы, такие как 2П819А, 2П979В, 2П977А, а также 2П978Б, 2П978В, 2П978Г и 2П978Д, являются балансными, что означает наличие двух кристаллов транзистора с соединенными истоковыми областями в одном корпусе. Последние выполнены, соответственно, в корпусах типа КТ-82, КТ-81 и КТ-44. При двухтактном включении балансного транзистора потенциал средней точки равен нулю, что соответствует условию виртуальной земли. Это позволяет исключить влияние внешней индуктивности истокового вывода и повысить входной и выходной импедансы транзистора, что упрощает конструкцию усилительного каскада и повышает его коэффициент усиления по мощности в более широкой полосе рабочих частот.

Рис. 2. Внешний вид корпусов

Как видно из табличных данных, параметры разработанных мощных СВЧ полевых транзисторов отвечают самым высоким требованиям, предъявляемым к современной элементной базе приборов рассматриваемого класса, и соответствуют высокому техническому уровню. Обладая невысокой ценой (примерно на 25–30% ниже по сравнению с аналогичными зарубежными), эти транзисторы способны конкурировать на внутреннем и внешнем рынках. В ходе выполнения разработки отдельные типы опытных образцов полевых транзисторов прошли успешные испытания в составе аппаратуры ряда заинтересованных потребителей. Разработанные транзисторы выпускаются на Воронежском ФГУП «НИИЭТ». Система качества на предприятии отвечает требованиям ИСО 9001 и сертифицирована на соответствие требованиям «Военэлектронсерта».

Литература

1. Асессоров В. В., Кожевников В. А., Дикарев В. И., Асессоров А. В. Мощные СВЧ транзисторы для связной радиоаппаратуры // Электроника: Наука, Технология, Бизнес. 1999. № 2.
2. Перельман Б. Л. Новые транзисторы. Ч. 3. М.: 1996.
3. Асессоров В. В., Кожевников В. А., Дикарев В. И. и др. Исследование зависимости коэффициента усиления по мощности в МОП СВЧ транзисторах от емкости обратной связи // Межвузовский сборник научных трудов «Твердотельная электроника и микроэлектроника». Воронеж. 2003.
4. Асессоров В. В., Кожевников В. А., Дикарев В. И. и др. Исследование и разработка высокоэффективных структур МДП-транзисторов для генераторных усилителей мощности в диапазоне до 500 МГц. // Труды восьмой Международной научно-технической конференции «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники». Ч. 2. Дивноморское. 2002.
5. Кожевников В. А., Григорьев Р. Г., Быкадорова Г. В. Программный комплекс для моделирования структуры истоковых и канальных областей мощных полевых СВЧ транзисторов // Труды восьмой международной научно-технической конференции «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники». Ч. 2. Дивноморское. 2002.
6. Асессоров В. В., Петров Б. К., Кожевников В. А., Дикарев В. И. и др. Моделирование процесса легирования истоковых и канальных областей мощных СВЧ МОП транзисторов // Труды девятой международной научно-технической конференции «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники». Ч. 2. Дивноморское. 2004.

Биполярные транзисторы

Автор: admin

4 Фев

Высокочастотные транзисторы компании Infineon обеспечивают наилучшие рабочие характеристики, высокую гибкость применения, превосходное соотношение цена/производительность и позволяют разработчикам сократить время разработки конечного решения.

BFx843 — это малошумящие широкополосные NPN биполярные высокочастотные транзисторы. Устройства интегрируют цепь обратной связи, обеспечивающую предварительное согласование входа и выхода с 50-омной нагрузкой и высокую стабильность в условиях паразитных частотных модуляций, что позволяет существенно упростить разработку произвольных схем малошумящих усилителей (LNA). Выполненные по зарекомендовавшей себя технологии SiGe:C гетеропереходных биполярных транзисторов, BFx843 поддерживают напряжение коллектор-эмиттер V_CEO до 2.25 В и ток коллектора I_C 55 мА. Транзисторы идеально подходят для применения в мобильных приложениях, где ключевым требованием является минимальный уровень энергопотребления. BFx843 оснащены схемой защиты от электростатических разрядов напряжением до 1500 В и чрезмерной мощности радиочастотного входного сигнала. Устройства доступны в промышленно стандартных корпусах SOT-343 и SOT-89, а также миниатюрном безвыводном TSLP-3-9, размером 1.0 мм х 0. 6 мм 0.31 мм.

Читать далее »

• Комментарии отключены
• Рубрика: Infineon

Автор: admin

4 Июл

Кремний-германиевый сверхвысокочастотный NPN-транзистор для быстродействующих малошумящих схем в пластиковом корпусе SOT343F. Прибор имеет два вывода эмиттера.

Новейшая модель транзистора BFU768F является представителем семейства, в которое входят приборы, выполненные на основе кремний-германиевого с добавлением углерода (SiGe:C) технологического процесса, а также сочетающие в себе биполярную и КМОП-технологию для СВЧ-радиодиапазона (QUBiC4 Si). Данная модель обладает очень низким собственным шумом при высоком коэффициенте усиления и работе в слаботочном режиме. Это позволяет строить радиоприёмные устройства с малым напряжением питания и надёжной работой в условиях сильных помех.

Читать далее »

• Комментарии отключены
• Рубрика: NXP

Автор: admin

17 Янв

Установлен новый рекорд по уровню сопротивления открытого канала и поддержанию на абсолютном минимуме задержек коммутации.
Новое поколение BISS-транзисторов с малым V_CE(SAT) выпускаются с двумя вариантами оптимизации рабочих характеристик.

Читать далее »

• Комментарии отключены
• Рубрика: NXP

Высокочастотный двухтактный LC генератор на биполярных транзисторах

Электрические генераторы высокочастотных колебаний применяются например для создания радиоволн. Радиоволны это электромагнитные волны и источником их являются электроны движущиеся с ускорением (положительным или отрицательным). Высокочастотные генераторы создают изменяющееся во времени ЭДС под воздействием которого электроны ускоряются и замедляются (ускоряются со знаком минус) в результате чего и создаются радиоволны. Чем с большей частотой работает генератор тем более высокочастотные радио волны создаются. Но для того чтобы создать радиоволны, мало одного генератора, для него нужна ещё и антенна. Для того чтобы антенна эффективно излучала радиоволны определенной частоты её размеры ограничены в меньшую сторону до половины длинны волны излучаемого ей излучения. Т.е. например если антенной является диполь (вибратор Герца) то его длина не должна быть меньше половины длины волны иначе излучать он будет плохо. Это ограничение можно обойти если использовать специальные согласующие устройства, но проще сделать антенну нужного размера. Связь частоты и длинны волны можно выразить формулой:

Рассчитать длину электромагнитной волны по частоте или частоту по длине электромагнитной волне можно в программе:

Немного поигравшись с данной программой можно понять что например для частоты 1 МГц (один мегагерц (единица с шестью нулями в герцах)) длина волны будет примерно 300 м следовательно диполь нужен длиной 150 м. Ну хорошо! Давайте тогда повысим частоту до 100 МГц, длина волны тогда будет 3 м а длина диполя 1.5 м что уже вполне приемлемо. А если частота будет 1ГГц (один гигагерц т.е. 1000 МГц) то длину можно сделать 0.15 м т.е 150 мм что вполне даже можно считать весьма компактным! Но не стоит забывать о том что такую частоту способен генерировать далеко не каждый транзистор, скорее даже редкий транзистор, и тем не менее они есть и продолжают появляться новые. У любого транзистора есть такой параметр как “граничная частота” эта частота должна быть больше той на которой будет работать данный транзистор, желательно с хорошим запасом. Высокочастотные генераторы бывают однотактные и двухтактные. Двухтактные, при прочих равных условиях, мощнее поэтому лучше использовать их. Главной составной частью генератора является усилитель (или усилители как например в случае двухтактного генератора). Для того чтобы “превратить” усилитель в генератор ему надо создать положительную обратную связь с LC контуром. Если в обратной связи не будет LC контура а будут только конденсаторы или только катушки то вероятно что генератор будет генерировать но создавать несинусоидальные колебания, например это происходит во всем известном мультивибраторе:

Рисунок 1 – Мультивибратор

Обратная связь в мультивибраторе осуществляется через конденсаторы C1 и C2. Транзистор VT1 включен по схеме с общим эмиттером т.е. на этом транзисторе сделан инвертирующий усилитель т. е. такой который инвертирует сигнал на выходе по сравнению с сигналов на входе или также можно сказать что он как бы усиливает сигнал потом смещает его по фазе на 180 градусов и выдает на выход:

Рисунок 2 – Инвертирующий усилитель

Вместо усилителя на биполярном транзисторе может быть усилитель на полевом MOSFETе в схеме с общем истоком:

Рисунок 3 – Усилитель на MOSFETе

Такой усилитель тоже будет инвертирующим. Через конденсатор C1 выход первого усилителя (назовём первым усилителем усилитель на транзисторе VT1) соединен со входом второго (на VT2), через конденсатор C2 выход второго транзистора соединен со входом первого т.о. получается как бы кольцо и в этом “кольце” из двух инвертирующих усилителей сигнал дважды сдвигается на 180 градусов что в целом даёт сдвиг на 360 что создаёт положительную обратную связь – т.е. одно из необходимых условий для возникновения генерации. Резисторы R2 и R3 задают рабочие точки транзисторов, R3 для транзистора VT1, R2 для транзистора VT2. Если в цепях обратных связей не будет ни конденсаторов ни катушек то получиться прото бистабильная ячейка которая имеет два состояния как RS триггер:

Рисунок 4 – Бистабильная ячейка

Такая ячейка или триггер не будет сама по себе генерировать. Если вместо биполярных транзисторов использовать MOSFETы и немного изменить схему то получиться, так называемый, ZVS генератор который часто используют самодельщики для создания индукционных нагревателей, повышающих преобразователей для получения красивой дуги или электрошокеров и ещё много других интересных вещей.

Рисунок 5 – ZVS генератор

Этот генератор работает по такому же принципу, у него есть два инвертирующих усилителя, обратные связи и LC контур для генерации синусоидальных колебаний. Схема для генерации синусоидальных колебаний высокой частоты на биполярных транзисторах будет выглядеть примерно так:

Рисунок 6 – Двухтактный LC генератор на биполярных транзисторах

Для того чтобы такой генератор был высокочастотным ему нужны высокочастотные транзисторы, например КТ904А. КТ904А – это не самые высокочастотные и не самые мощные транзисторы но и они кое что могут.

Рисунок 7 – Транзистор КТ904А

Этот транзистор с виду напоминает странный наполовину золотой болт, но на самом деле он просто немного позолочен для лучшего отвода тепла т.к. золото очень слабо окисляется.
Со схемой на рисунке 6 можно даже немного аккуратно поэксперементировать. Желательно чтобы у источника питания было ограничение по току. Если его нет и например используются батарейки то можно использовать резистор по питанию например на 10 Ом  или больше. Проверена на практике например такая схема:

Рисунок 8 – Двухтактный ВЧ генератор с номиналами

Катушки L1 и L2 – это, на самом деле, одна катушка с отводом от середины который подключен к “+” питания (с учётом резистора для ограничения тока). Эта катушка например может иметь 4 витка диаметром 3.5 См и некоторой длинной которую можно изменять в широких пределах для подстройки частоты. В более удобном, для начинающих, виде схему можно представить так:

Рисунок 9 – Удобная схема

Схему можно запитать от 4х пальчиковых батареек с напряжением каждой 1. 5В. Можно подать и большее напряжение но не слишком чтобы транзисторы не сгорели и при этом желательно следить за током потребляемым данным генератором.
Видео по данной теме или видеовариант данной статьи с тестами собранной схемы:

Проверка с индуктивными антеннами:

 О том как рассчитать резонансную частоту LC контура можно прочитать в статье http://electe.blogspot.ru/2011/02/blog-post_13.html. Для рассчёта этой частоты надо знать ёмкость конденсатора C2 и индуктивность самодельной катушки. С ёмкостью всё просто т.к. она обычно пишется на корпусе конденсатора или же приобретается конденсатор с заранее известной емкостью а вот определить индуктивность самодельной катушки не так просто. Но всё таки существуют эмпирические формулы для примерного расчёта емкости однослойной катушки без сердечника. Для примерного расчёта резонансной частоты LC контура, а следовательно и частоты основной гармоники генерации данного генератора, можно воспользоваться программой ниже:

Рисунок 10 – Вспомогательная картинка для использования программы ниже

КАРТА БЛОГА (содержание)

ВЧ-генератор на транзисторе MRF284L — Gnativ.ru

Предисловие

Уважаемые друзья!
После публикации на сайте статьи о создании ВЧ-генератора на мощных полевых транзисторах (MOSFET), ко мне стали поступать вопросы радиолюбителей по поводу различных аспектов работы данного устройства, а также возможности его приобретения. Некоторые радиолюбители не смогли запустить генератор, несмотря на простоту схемы и относительно невысокие требования к её монтажу.

На основании собственного опыта, хочу обратить ваше внимание на несколько ключевых моментов при создании данного генератора:

Первое и основное условие для создания работающего генератора — наличие ИСПРАВНОГО транзистора. Многие радиолюбители (впрочем как и я) пользуются демонтированными полупроводниковыми приборами. В большей части — это демонтаж с оборудования базовых станций сотовой связи. Помимо того, что транзистор может быть поврежден в процессе эксплуатации оборудования, так как является высоконагруженным элементом, так он еще может пострадать при «варварском» демонтаже. Поверьте, 20-30% демонтированных транзисторов — имеют значительные отклонения от заявленных характеристик или являются нерабочими. Поэтому, перед тем как монтировать транзистор — не поленитесь его проверить. Методика проверки подобных приборов при помощи тестера — есть в Интернете. Хорошо — когда у вас есть несколько одинаковых транзисторов. В этом случае, вы можете сравнить измеряемые параметры.

Внутренняя структура транзистора MRF284L

Второе условие — не допускать замыкания резонаторов в процессе тестирования устройства. Это приводит к моментальному выходу транзистора из строя. Если это происходит в тишине — можно услышать негромкий щелчок испаряющихся контактов и ячеек… При этом, горящая ВЧ-дуга между резонаторами никак не влияет на работоспособность транзистора. Во время одного эксперимента я держал дугу 3 часа и при этом транзистор был даже не горячим…

Третий момент связан с возбуждением генератора на множестве частот/гармоник. В этом случае генератор не выдает положенную мощность на одной частоте, она «размазывается» по некоторому диапазону. Определить это просто — генератор потребляет значительный ток, а ВЧ-энергии на резонаторах нет (например, не зажигается энергосберегающая лампа поднесенная к резонаторам). В этом случае, необходимо проверить исправность транзистора, попробовать изменить конструкцию резонаторов, их взаимное расположение, проверить источник питания, устранить возможные «паразитные» связи и т. п.. Наиболее часто, такое явление встречается у больших «согласованных» транзисторов, возбуждение происходит на уровне микроструктур. У транзисторов типа MRF284 — такое явление практически не наблюдается.

Ниже представлено видео работы высокочастотного генератора на более мощном транзисторе MRF6522-70. Этот транзистор рассчитан на диапазон 900 МГц., но хорошо работает в подобных генераторах на более низких частотах, не переходя в режим самовозбуждения.

Вот как выглядит плата генератора:

ВЧ-генератор на транзисторе MRF6522-70

Вот еще один генератор на транзисторе MRF9085 (90 Вт. 880 МГц). Очень «злая» штука))). При её работе, гаснет даже фотоаппарат с расстояния почти 1 м. Пришлось поставить светодиод для индикации работы устройства, так как после очередного эксперимента, забыл отключить генератор и вернувшись через 10 минут обнаружил оплавленные резонаторы и дымящуюся плату генератора…

ВЧ-генератор на транзисторе MRF9085, топология элементов.

Плата крупно:

ВЧ-генератор на транзисторе MRF9085

Семейство генераторов ВЧ;

Работа генератора на транзисторе MRF9085:

Ориентировочная оценка выходной мощности генератора:

В любом случае, создание подобного генератора требует наличия необходимых компонентов, аккуратности и некоторого везения. Поэтому, для энтузиастов и тех людей кто хочет провести эксперименты с подобным генератором, но у которых нет технической или другой возможности создать такое устройство у меня есть деловое предложение (см. ниже).

Коммерческое предложение

Для проведения одного из экспериментов, мною были изготовлены 15 одинаковых генераторов на транзисторе MRF284L. В качестве резонаторов для этих генераторов использовалась медная проволока d 0.8-1.0 mm. В этом генераторе отсутствует модулятор, он получился простым и технологичным. Изменяя параметры резонаторов (длину, расстояние) , можно легко получить частоты до 1,8 ГГц., а при некотором опыте и выше…

Ниже представлена монтажная схема ВЧ-генератора:

Вот как выглядят собранные платы. Устройства собраны на двухстороннем фольгированном стеклотекстолите, толщиной 1,6 мм. и адаптированы под монтаж на радиатор.

Вы можете приобрести эти платы у меня по цене 650 р. Все генераторы проверены и гарантированно работоспособны. Для их запуска вам потребуется источник питания 6-12 вольт (1-3 А), два кусочка медной проволоки длинной 10-15 см. и радиатор для охлаждения транзистора. Транзистор монтируется на радиатор с использованием теплоотводящей пасты. Необходимо обеспечить надежный электрический контакт «земли» и истока транзистора. Особых сложностей возникнуть не должно…
В общем обращайтесь на почту: mosfet@gnativ. ru если есть такая заинтересованность.

P.S. Уважаемые друзья, осталось 4 генератора из двух последних партий (v.4) по 750 р.

Экспериментальный качер Бровина >>>

Биполярный транзистор в схеме с общим эмиттером

Схема с общим эмиттером (каскад с общим эмиттером)

Схема с ОЭ обладает наибольшим коэффициентом усиления по мощности, поэтому остается наиболее распространенным решением для высокочастотных усилителей, систем GPS, GSM, WiFi. В настоящее время она обычно применяется в виде готовых интегральных микросхем (MAXIM, VISHAY, RF Micro Devices), но, не зная основы ее работы, практически невозможно получить параметры, приведенные в описании микросхемы.Именно поэтому при приеме на работу и поиске сотрудников основным требованием является знание принципов работы усилителей с ОЭ.

Усилитель, каким бы он не был, (усилитель аудио, ламповый усилитель или усилитель радиочастоты) представляет собой четырехполюсник, у которого два вывода являются входом и два вывода являются выходом. Структурная схема включения усилителя приведена на рисунке 1.

Рисунок 1 Структурная схема включения усилителя

Основной усилительный элемент — транзистор имеет всего три вывода, поэтому один из выводов транзистора приходится использовать одновременно для подключения источника сигнала (как входной вывод) и подключения нагрузки (как выходной вывод). Схема с общим эмиттером — это усилитель, где эмиттер транзистора используется как для подключения входного сигнала, так и для подключения нагрузки. Функциональная схема усилителя с транзистором, включенным по схеме с общим эмиттером приведена на рисунке 2.

Рисунок 2 Функциональная схема включения транзистора с общим эмиттером

На данной схеме пунктиром показаны границы усилителя, изображенного на рисунке 1. На ней не показаны цепи питания транзистора. В настоящее время схема с общим эмиттером практически не применяется в звуковых усилителях, однако в схемах усилителей телевизионного сигнала, усилителях GSM или других высокочастотных усилителях она находит широкое применение. Для питания транзистора в схеме с общим эмиттером можно использовать два источника питания, однако для этого потребуется два стабилизатора напряжения. В аппаратуре с батарейным питанием это может быть проблематично, поэтому обычно применяется один источник питания. Для питания усилителя с общим эмиттером может подойти любая из рассмотренных нами схем:

• схема с фиксированным током базы,
• схема с фиксированным напряжением на базе,
• схема с коллекторной стабилизацией,
• схема с эмиттерной стабилизацией.

Рассморим пример схемы усилителя с общим эмиттером и эмиттерной стабилизацией режима работы транзистора. На рисунке 3 приведена принципиальная схема каскада на биполярном npn-транзисторе, предназначенная для усиления звуковых частот.

Рисунок 3 Принципиальная схема усилительного каскада с общим эмиттером

Расчет элементов данной схемы по постоянному току можно посмотреть в статье «схема эмиттерной стабилизации». Сейчас нас будут интересовать параметры усилительного каскада, собранного по схеме с общим эмиттером. Его наиболее важными характеристиками является входное и выходное сопротивление и коэффициент усиления по мощности. В основном эти характеристики определяются параметрами транзистора.

Входное сопротивление схемы с общим эмиттером

В схеме с общим эмиттером входное сопротивление транзистора R_вхОЭ можно определить по его входной характеристике. Эта характеристика совпадает с вольтамперной характеристикой p-n перехода. Пример входной характеристики кремниевого транзистора (зависимость напряжения U_б от тока базы I_б) приведен на рисунке 4.

Рисунок 4 Входная характеристика кремниевого транзистора

Как видно из этого рисунка, входное сопротивление транзистора R_вхОЭ зависит от тока базы I_б0 и определяется по следующей формуле:

(1)

Как определить ΔU_б0 и ΔI_б0 в окрестностях рабочей точки транзистора в схеме с общим эмиттером показано на рисунке 5.

Рисунок 5 Определение входного сопротивления схемы с общим эмиттером по входной характеристике кремниевого транзистора

Определение сопротивления по формуле (1) является наиболее точным способом определения входного сопротивления. Однако при расчете усилителя мы не всегда имеем под рукой транзисторы, которые будем использовать, поэтому было бы неплохо иметь возможность рассчитать входное сопротивление аналитическим способом. Вольтамперная характеристика p-n перехода хорошо аппроксимируется экспоненциальной функцией.

(2)

где I_б — ток базы в рабочей точке;
U_бэ — напряжение базы в рабочей точке;
I_s — обратный ток перехода эмиттер-база;

— температурный потенциал;
k — постоянная Больцмана;
q — заряд электрона;
T — температура, выраженная в градусах Кельвина.

В этом выражении коэффициентом, нормирующим экспоненту, является ток I_s, поэтому чем точнее он будет определен, тем лучше будет совпадение реальной и аппроксимированной входных характеристик транзистора. Если в выражении (2) пренебречь единицей, то напряжение на базе транзистора можно вычислить по следующей формуле:

(3)

Из выражения (1) видно, что входное сопротивление является производной напряжения на базе транзистора по току. Продифференцируем выражение (3), тогда входное сопротивление схемы с общим эмиттером можно определить по следующей формуле:

(4)

Однако график реальной входной характеристики транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, отличается от экспоненциальной функции. Это связано с тем, что омическое сопротивление полупроводника в базе транзистора не равно нулю, поэтому при больших базовых токах транзистора в схеме с общим эмиттером ее входное сопротивление будет стремиться к омическому сопротивлению базы r_бб’.

Входной ток схемы с общим эмиттером протекает не только через входное сопротивление транзистора, но и по всем резисторам цепей формирования напряжения на базе транзистора. Поэтому входное сопротивление схемы с общим эмиттером определяется как параллельное соединение всех этих сопротивлений. Пути протекания входного тока по схеме с общим эмиттером показаны на рисунке 6.

Рисунок 6 Протекание тока по входным цепям схемы с общим эмиттером

Значительно проще вести анализ данной схемы по эквивалентной схеме входной цепи, где приведены только те цепи, по которым протекает входной ток от источника сигнала. Эквивалентная схема входной цепи схемы с общим эмиттером приведена на рисунке 7.

Рисунок 7 Эквивалентная схема входной цепи схемы с общим эмиттером

Данная схема построена для средних частот с применением эквивалентной схемы транзистора. На средних частотах входная емкость транзистора не оказывает влияния, поэтому мы ее не отображаем на эквивалентной схеме. Сопротивление конденсатора C3 на средних частотах близко к нулю, поэтому на схеме нет элементов R4C3. Элементы R_вых и h₂₁×i_вх не влияют на входную цепь и изображены на схеме для отображения усилительных свойств транзистора.

И, наконец, мы можем записать формулу входного сопротивления схемы с общим эмиттером:

(5)

После изготовления усилителя, рассчитанного по приведенным выше методикам необходимо измерить входное сопротивление схемы с общим эмиттером. Для измерения входного сопротивления используют схему измерения входного сопротивления усилителя, изображенную на рисунке 8. В данной схеме для измерения входного сопротивления используются измерительный генератор переменного напряжения и два высокочастотных вольтметра переменного тока (можно воспользоваться одним и сделать два измерения).

Рисунок 8 Схема измерения входного сопротивления усилительного каскада

В случае, если сопротивление R_и будет равно входному сопротивлению усилителя, напряжение, которое покажет вольтметр переменного тока V2, будет в два раза меньше напряжения V1. В случае, если нет возможности изменять сопротивление R_и при измерении входного сопротивления, входное сопротивление усилителя можно вычислить по следующей формуле:

(6)

Выходное сопротивление схемы с общим эмиттером

Выходное сопротивление транзистора зависит от конструктивных особенностей транзистора, толщины его базы, объемного сопротивления коллектора. Выходное сопротивление транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, можно определить по выходным характеристикам транзистора. Пример выходных характеристик транзистора приведен на рисунке 9.

Рисунок 9 Выходные характеристики кремниевого транзистора

К сожалению, в характеристиках современных транзисторов выходные характеристики обычно не приводятся. Связано это с тем, что их выходное сопротивление достаточно велико и выходное сопротивление транзисторного каскада с общим эмиттером определяется сопротивлением нагрузки. В схеме, приведенной на рисунке 6, это сопротивление резистора R3.

Дата последнего обновления файла 31.05.2018

1. Шило В. Л. «Линейные интегральные схемы в радиоэлектронной аппаратуре» под ред. Е.И. Гальперина — М.: «Сов. радио» 1974
2. npn транзистор общего назначения КТ3130
3. NPN general purpose transistors BC846; BC847; BC848 (один из лучших транзисторов, известных мне)
4. BFQ67 NPN 8 GHz wideband transistor
5. Усилительный каскад на биполярном транзисторе Санкт-Петербургский государственный университет телекоммуникаций им. проф. М.А. Бонч-Бруевича
6. Электротехника и электроника Дальневосточный государственный университет путей сообщения

Вместе со статьей «Схема с общим эмиттером (каскад с общим эмиттером)» читают:

Биполярный транзистор в схеме с общим эмиттером

Схема включения биполярного транзистора с общим эмиттером приведена на рисунке 5.15:

Характеристики транзистора в этом режиме будут отличаться от характеристик в режиме с общей базой. В транзисторе, включенном по схеме с общим эмиттером, имеет место усиление не только по напряжению, но и по току. Входными параметрами для схемы с общим эмиттером будут ток базы I_б, и напряжение на коллекторе U_к, а выходными характеристиками будут ток коллектора I_к и напряжение на эмиттере U_э.

Ранее при анализе биполярного транзистора в схеме с общей базой была получена связь между током коллектора и током эмиттера в следующем виде:

В схеме с общим эмиттером (в соответствии с первым законом Кирхгофа)

.

после перегруппирования сомножителей получаем:

(5.30)

Рис. 5.15. Схема включения транзистора с общим эмиттером

Коэффициент α/(1-α) перед сомножителем I_б показывает, как изменяется ток коллектора I_к при единичном изменении тока базы I_б. Он называется коэффициентом усиления по току биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером. Обозначим этот коэффициент значком β.

(5.31)

Поскольку величина коэффициента передачи α близка к единице (α > 1). При значениях коэффициента передачи α = 0,98÷0,99 коэффициент усиления будет лежать в диапазоне β = 50÷100.

С учетом (5.31), а также I_к0 * = I_к0/(1-α) выражение (5.30) можно переписать в виде:

(5.32)

где I_к0 * = (1+β)I_к0 — тепловой ток отдельно взятого p-n перехода, который много больше теплового тока коллектора I_к0, а величина r_к определяется как r_к * = r_к/(1+β).

Продифференцировав уравнение (5. 32) по току базы I_б, получаем β = ΔI_к/ΔI_б. Отсюда следует, что коэффициент усиления β показывает, во сколько раз изменяется ток коллектора I_к при изменении тока базы I_б.

Для характеристики величины β как функции параметров биполярного транзистора вспомним, что коэффициент передачи эмиттерного тока определяется как α = γ·κ, где

. Следовательно, . Для величины β было получено значение: β = α/(1-α). Поскольку W/L

Проанализируем, почему малые изменения тока базы I_б вызывают значительные изменения коллекторного тока I_к. Значение коэффициента β, существенно большее единицы, означает, что коэффициент передачи α близок к единице. В этом случае коллекторный ток близок к эмиттерному току, а ток базы (по физической природе рекомбинационный) существенно меньше и коллекторного и эмиттерного тока. При значении коэффициента α = 0,99 из 100 дырок, инжектированных через эмиттерный переход, 99 экстрагируются через коллекторный переход, и лишь одна прорекомбинирует с электронами в базе и даст вклад в базовый ток.

Рис. 5.16. Вольт-амперные характеристики биполярного транзистора КТ215В, включенного по схеме с общим эмиттером [24, 29]:а) входные характеристики; б) выходные характеристики

Увеличение базового тока в два раза (должны прорекомбинировать две дырки) вызовет в два раза большую инжекцию через эмиттерный переход (должно инжектироваться 200 дырок) и соответственно экстракцию через коллекторный (экстрагируется 198 дырок). Таким образом, малое изменение базового тока, например, с 5 до 10 мкА, вызывает большие изменения коллекторного тока, соответственно с 500 мкА до 1000 мкА.

Не нашли то, что искали? Воспользуйтесь поиском:

Лучшие изречения: Сдача сессии и защита диплома — страшная бессонница, которая потом кажется страшным сном. 8929 —

| 7238 — или читать все.

188.64.174.65 © studopedia.ru Не является автором материалов, которые размещены. Но предоставляет возможность бесплатного использования. Есть нарушение авторского права? Напишите нам | Обратная связь.

Отключите adBlock!
и обновите страницу (F5)
очень нужно

Схемы включения биполярного транзистора.

Итак, третья и заключительная часть повествования о биполярных транзисторах на нашем сайте =) Сегодня мы поговорим об использовании этих замечательных устройств в качестве усилителей, рассмотрим возможные схемы включения биполярного транзистора и их основные преимущества и недостатки. Приступаем!

Схема включения с общей базой.

Эта схема очень хороша при использовании сигналов высоких частот. В принципе для этого такое включение транзистора и используется в первую очередь. Очень большими минусами являются малое входное сопротивление и, конечно же, отсутствие усиления по току. Смотрите сами, на входе у нас ток эмиттера

, на выходе .

То есть ток эмиттера больше тока коллектора на небольшую величину тока базы. А это значит, что усиление по току не просто отсутствует, более того, ток на выходе немного меньше тока на входе. Хотя, с другой стороны, эта схема имеет достаточно большой коэффициент передачи по напряжению ) Вот такие вот достоинства и недостатки, продолжаем….

Схема включения биполярного транзистора с общим коллектором

Вот так вот выглядит схема включения биполярного транзистора с общим коллектором. Ничего не напоминает?) Если взглянуть на схему немного под другим углом, то мы узнаем тут нашего старого друга – эмиттерный повторитель. Про него была чуть ли не целая статья (вот она), так что все, что касается этой схемы мы уже там рассмотрели. А нас тем временем ждет наиболее часто используемая схема – с общим эмиттером.

Схема включения биполярного транзистора с общим эмиттером.

Эта схема заслужила популярность своими усилительными свойствами. Из всех схем она дает наибольшее усиление по току и по напряжению, соответственно, велико и увеличение сигнала по мощности. Недостатком схемы является то, что усилительные свойства сильно подвержены влиянию роста температуры и частоты сигнала.

Со всеми схемами познакомились, теперь рассмотрим подробнее последнюю (но не последнюю по значимости) схему усилителя на биполярном транзисторе (с общим эмиттером). Для начала, давайте ее немножко по-другому изобразим:

Тут есть один минус – заземленный эмиттер. При таком включении транзистора на выходе присутствуют нелинейные искажения, с которыми, конечно же, нужно бороться. Нелинейность возникает из-за влияния входного напряжения на напряжение перехода эмиттер-база. Действительно, в цепи эмиттера ничего «лишнего» нету, все входное напряжение оказывается приложенным именно к переходу база-эмиттер. Чтобы справиться с этим явлением, добавим резистор в цепь эмиттера. Таким образом, мы получим отрицательную обратную связь.

А что же это такое?

Если говорить кратко, то принцип отрицательной обратной связи заключается в том, что какая то часть выходного напряжения передается на вход и вычитается из входного сигнала. Естественно, это приводит к уменьшению коэффициента усиления, поскольку на вход транзистора из-за влияния обратной связи поступит меньшее значение напряжение, чем в отсутствие обратной связи.

И тем не менее, отрицательная обратная связь для нас оказывается очень полезной. Давайте разберемся, каким образом она поможет уменьшить влияние входного напряжения на напряжение между базой и эмиттером.

Итак, пусть обратной связи нет, Увеличение входного сигнала на 0.5 В приводит к такому же росту

. Тут все понятно А теперь добавляем обратную связь! И точно также увеличиваем напряжение на входе на 0.5 В. Вслед за этим возрастает , что приводит к росту тока эмиттера. А рост приводит к росту напряжения на резисторе обратной связи. Казалось бы, что в этом такого? Но ведь это напряжение вычитается из входного! Смотрите, что получилось:

Выросло напряжение на входе – увеличился ток эмиттера – увеличилось напряжение на резисторе отрицательной обратной связи – уменьшилось входное напряжение (из-за вычитания

) – уменьшилось напряжение .

То есть отрицательная обратная связь препятствует изменению напряжения база-эмиттер при изменении входного сигнала.

В итоге наша схема усилителя с общим эмиттером пополнилась резистором в цепи эмиттера:

Есть еще одна проблема в нашем усилителе. Если на входе появится отрицательное значение напряжения, то транзистор сразу же закроется (напряжения базы станет меньше напряжения эмиттера и диод база-эмиттер закроется), и на выходе ничего не будет. Это как то не очень хорошо ) Поэтому необходимо создать смещение. Сделать это можно при помощи делителя следующим образом:

Получили такую красотищу Если резисторы

и равны, то напряжение на каждом из них будет равно 6В (12В / 2). Таким образом, при отсутствии сигнала на входе потенциал базы будет равен +6В. Если на вход придет отрицательное значение, например, -4В, то потенциал базы будет равен +2В, то есть значение положительное и не мешающее нормальной работе транзистора. Вот как полезно создать смещение в цепи базы )

Чем бы еще улучшить нашу схему…

Пусть мы знаем, какой сигнал будем усиливать, то есть знаем его параметры, в частности частоту. Было бы отлично, если бы на входе ничего, кроме полезного усиливаемого сигнала не было. Как это обеспечить? Конечно, же при помощи фильтра высоких частот ) Добавим конденсатор, который в сочетании с резистором смещения образует ФВЧ:

Вот так схема, в которой почти ничего не было, кроме самого транзистора, обросла дополнительными элементами Пожалуй, на этом и остановимся, скоро будет статья, посвященная практическому расчету усилителя на биполярном транзисторе. В ней мы не только составим принципиальную схему усилителя, но и рассчитаем номиналы всех элементов, а заодно и выберем транзистор, подходящий для наших целей. До скорой встречи! =)

Биполярный транзистор в схеме с общим эмиттером

Лабораторная работа №5

Электрические параметры.

UКЭ макс.	40 В
UКБ макс.	40 В
IК макс.	400 мА
hКЭ при UКЭ=20 В IЭ=2.5 мА	30¸80
fмакс.	0.5 мГц

Плоскостной транзистор состоит из двух p-n-переходов, один из ко­торых—эмиттерный—включен в прямом направлении, другой— коллек­торный—включен в обратном направлении. Между эмиттерным и кол­лекторным переходами расположена область базы.

Полупроводник базы имеет низкую концентрацию примесей, тол­щина базовой пластины w значительно меньше диффузионной длины L (диффузионной длиной называют расстояние, на которое неосновные носители диффундируют за время жизни).

На рис. 5-1 показана зонная энергетическая диаграмма транзистора р-п-р-типа без подачи напряжений на электроды прибора и в активном ре­жиме. Подача на эмиттерный переход прямого смещения U_э вызы­вает инжекцию дырок из эмиттера в базу. Инжектированные в базу дырки диффундируют к коллекторному переходу. При условии w

Семейство коллекторных характеристик транзистора в схеме с ОЭ отличается от коллекторных характеристик в схеме ОБ. Все характеристики выходят из начала координат, т.е. при U_кэ=0 ток I_к=0. Это объясняется тем, что при U_кэ=0 цепь коллектор-эмиттер закорочена; кол­лекторный переход подключен параллельно эмиттерному, и на нем тоже действует прямое напряжение, равное U_бэ, которое понижает потенци­альный барьер. В результате основные носители заряда переходят из кол­лектора в базу и компенсируют поток таких же носителей заряда, пере­ходящих в коллектор от эмиттера через базу, так что I_к=0.

Вид входных характеристик транзистора показан на рис. 5-3,б. Обра­тите внимание то, что I_б падает с увеличением обратного смещения кол­лекторного перехода U_кэ. При U_кэ=0 оба перехода – эмиттерный и кол­лекторный – смещены в прямом направлении напряжения U_бэ. В резуль­тате рекомбинационный ток базы велик. Смещение коллекторного пере­хода в обратном направлении |U_кэ|>|U_бэ| переводит транзистор в активный режим с малым током базы. Дальнейшее уменьшение тока базы связано с модуляцией ширины базы коллекторным напряжением.

Наибольшее распространение при расчете транзисторных низ­кочас­тотных схем получили h-параметры. Их преимущество пе­ред собствен­ными параметрами состоит в том, что их удобно определять с помощью измерений в схеме включения транзисто­ра, причем для этого легко соз­дать требуемые режимы по пере­менному току: короткое замыкание на выходе, соответствующее условию DU_вых=0 (или U_вых), и холостой ход на входе, соответственно, DI_вх= 0 (или I_вх= const).

Для определения h-параметров составляется система уравне­ний, в кото­рой независимыми переменными являются DI_вх и DU_вых :

В этой системе имеется четыре параметра с разной размер­ностью: h₁₁,h₁₂,h₂₁,h₁₂.

Зна­чение этих параметров следующее:

h₁₁ — входное сопротивление транзистора при неизменном вы­ходном напряжении:

при U_вых=const;

h₂₂ — выходная проводимость транзистора при неизменном вход­ном токе:

при I_вх=const;

h₂₁ — коэффициент усиления тока при неизменном выходном напря­жении:

при U_вых=const;

h₁₂— коэффициент внутренней обратной связи по напряжению при неизменном входном токе

при I_вх=const;

Поскольку в систему h-параметров входят сопротивление, проводи­мость и безразмерные величины, их иногда называют смешанными, или гибридными, параметрами. Эти параметры зависят от схемы включения транзистора и в разных схемах имеют разные значения. Поэтому к ин­дексу добавляют букву, обозначающую схему включения.

Определение h-параметров по статическим характеристикам транзи­стора для схемы ОЭ показано на рис. 5-4, где h₁₁ опре­деляется по одной входной характеристике, h₂₂ — по одной вы­ходной, h₁₂ — по двум вход­ным, h₂₁ — по двум выходным. Учи­тывая, что характеристики транзи­стора нелинейны и параметры зависят от режима работы, их определяют для рабочей точки по малым приращениям токов и напряжений.

Значения h-параметров для разных схем включения связаны соотно­шениями, из которых по h-параметрам одной схемы можно найти h-па­раметры другой. Например:

Кроме того, h-параметры можно выразить через первичные пара­метры транзистора:

В справочниках приводится коэффициент усиления тока в схеме ОЭ: h_21э=b.

Как видно из приведенных соотношений, a и b соответствен­но равны h_21б и h_21э; определение их по коллекторным характе­ристикам для схем ОЭ и ОБ производится аналогично показан­ному на рис. 5-4, в.

1. Термины и обозначения.

Постоянный ток коллектора	Iк
Постоянный ток эмиттера	Iэ
Постоянный ток базы	Iб
Постоянное напряжение эмиттер-база	Uэб
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер	Uкэ
Постоянная рассеиваемая мощность биполярного транзистора (БТ)	P
Входное дифференциальное сопротивление диода БТ в режиме малого сигнала	h11
Коэффициент обратной связи по напряжению БТ в режиме малого сигнала	h12
Коэффициент передачи тока БТ в режиме малого сигнала	h21
Выходная полная проводимость БТ в режиме малого сигнала при холостом ходе	h22
Максимально допустимый постоянный ток коллек­тора	Iк. макс.
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер	Uкэ. макс.
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность БТ	Pмакс.

2. Цель работы.

2.1. Изучение устройства и принципа действия биполярных транзисто­ров.

2.2. Наблюдение на осциллографе и снятие характеристик транзисторов в схеме с общим эмиттером.

Дата добавления: 2015-05-06 ; Просмотров: 2629 ; Нарушение авторских прав? ;

Нам важно ваше мнение! Был ли полезен опубликованный материал? Да | Нет

Биполярные транзисторы: схемы включения. Схема включения биполярного транзистора с общим эмиттером

Одним из типов трехэлектродных полупроводниковых приборов являются биполярные транзисторы. Схемы включения зависят от того, какая у них проводимость (дырочная или электронная) и выполняемые функции.

Классификация

Транзисторы разделяют на группы:

1. По материалам: чаще всего используются арсенид галлия и кремний.
2. По частоте сигнала: низкая (до 3 МГц), средняя (до 30 МГц), высокая (до 300 МГц), сверхвысокая (выше 300 МГц).
3. По максимальной мощности рассеивания: до 0,3 Вт, до 3 Вт, более 3 Вт.
4. По типу устройства: три соединенных слоя полупроводника с поочередным изменением прямого и обратного способов примесной проводимости.

Как работают транзисторы?

Наружные и внутренний слои транзистора соединены с подводящими электродами, называемыми соответственно эмиттером, коллектором и базой.

Эмиттер и коллектор не отличаются друг от друга типами проводимости, но степень легирования примесями у последнего значительно ниже. За счет этого обеспечивается увеличение допустимого выходного напряжения.

База, являющаяся средним слоем, обладает большим сопротивлением, поскольку сделана из полупроводника со слабым легированием. Она имеет значительную площадь контакта с коллектором, что улучшает отвод тепла, выделяющегося из-за обратного смещения перехода, а также облегчает прохождение неосновных носителей – электронов. Несмотря на то что переходные слои основаны на одном принципе, транзистор является несимметричным устройством. При перемене мест крайних слоев с одинаковой проводимостью невозможно получить аналогичные параметры полупроводникового устройства.

Схемы включения биполярных транзисторов способны поддерживать его в двух состояниях: он может быть открытым или закрытым. В активном режиме, когда транзистор открыт, эмиттерное смещение перехода сделано в прямом направлении. Чтобы наглядно это рассмотреть, например, на полупроводниковом триоде типа n-p-n, на него следует подать напряжение от источников, как изображено на рисунке ниже.

Граница на втором коллекторном переходе при этом закрыта, и через нее ток протекать не должен. Но на практике происходит обратное из-за близкого расположения переходов друг к другу и их взаимного влияния. Поскольку к эмиттеру подключен «минус» батареи, открытый переход позволяет электронам поступать в зону базы, где происходит их частичная рекомбинация с дырками – основными носителями. Образуется базовый ток I_б. Чем он сильней, тем пропорционально больше ток на выходе. На этом принципе работают усилители на биполярных транзисторах.

Через базу происходит исключительно диффузионное перемещение электронов, поскольку там нет действия электрического поля. Благодаря незначительной толщине слоя (микроны) и большой величине градиента концентрации отрицательно заряженных частиц, почти все из них попадают в область коллектора, хотя сопротивление базы достаточно велико. Там их втягивает электрическое поле перехода, способствующее их активному переносу. Коллекторный и эмиттерный токи практически равны между собой, если пренебречь незначительной потерей зарядов, вызванных рекомбинацией в базе: I_э = I_б + I_к.

Параметры транзисторов

1. Коэффициенты усиления по напряжению U_эк/U_бэ и току: β = I_к/I_б (фактические значения). Обычно коэффициент β не превышает значения 300, но может достигать величины 800 и выше.
2. Входное сопротивление.
3. Частотная характеристика – работоспособность транзистора до заданной частоты, при превышении которой переходные процессы в нем не успевают за изменениями подаваемого сигнала.

Биполярный транзистор: схемы включения, режимы работы

Режимы работы отличаются в зависимости от того, как собрана схема. Сигнал должен подаваться и сниматься в двух точках для каждого случая, а в наличии имеются только три вывода. Отсюда следует, что один электрод должен одновременно принадлежать входу и выходу. Так включаются любые биполярные транзисторы. Схемы включения: ОБ, ОЭ и ОК.

1. Схема с ОК

Схема включения биполярного транзистора с общим коллектором: сигнал поступает на резистор R_L, который входит также в коллекторную цепь. Такое подключение называют схемой с общим коллектором.

Этот вариант создает только усиление по току. Преимущество эмиттерного повторителя состоит в создании большого сопротивления входа (10-500 кОм), что позволяет удобно согласовывать каскады.

2. Схема с ОБ

Схема включения биполярного транзистора с общей базой: входящий сигнал поступает через С₁, а после усиления снимается в выходной коллекторной цепи, где электрод базы является общим. В таком случае создается усиление по напряжению аналогично работе с ОЭ.

Недостатком является небольшое сопротивление входа (30-100 Ом), и схема с ОБ применяется как генератор колебаний.

3. Схема с ОЭ

Во многих вариантах, когда применяются биполярные транзисторы, схемы включения преимущественно делаются с общим эмиттером. Питающее напряжение подается через нагрузочный резистор R_L, а к эмиттеру подключается отрицательный полюс внешнего питания.

Переменный сигнал со входа поступает на электроды эмиттера и базы (V_in), а в коллекторной цепи он становится уже больше по величине (V_CE). Основные элементы схемы: транзистор, резистор R_L и цепь выхода усилителя с внешним питанием. Вспомогательные: конденсатор С₁, препятствующий прохождению постоянного тока в цепь подаваемого входного сигнала, и резистор R₁, через который транзистор открывается.

В коллекторной цепи напряжения на выходе транзистора и на резисторе R_L вместе равны величине ЭДС: V_CC = I_CR_L + V_CE.

Таким образом, небольшим сигналом V_in на входе задается закон изменения постоянного напряжения питания в переменное на выходе управляемого транзисторного преобразователя. Схема обеспечивает возрастание входного тока в 20-100 раз, а напряжения — в 10-200 раз. Соответственно, мощность также повышается.

Недостаток схемы: небольшое сопротивление входа (500-1000 Ом). По этой причине появляются проблемы в формировании каскадов усиления. Выходное сопротивление составляет 2-20 кОм.

Приведенные схемы демонстрируют, как работает биполярный транзистор. Если не принять дополнительных мер, на их работоспособность будут сильно влиять внешние воздействия, например перегрев и частота сигнала. Также заземление эмиттера создает нелинейные искажения на выходе. Чтобы повысить надежность работы, в схеме подключают обратные связи, фильтры и т. п. При этом коэффициент усиления снижается, но устройство становится более работоспособным.

Режимы работы

На функции транзистора влияет значение подключаемого напряжения. Все режимы работы можно показать, если применяется представленная ранее схема включения биполярного транзистора с общим эмиттером.

1. Режим отсечки

Данный режим создается, когда значение напряжения V_БЭ снижается до 0,7 В. При этом эмиттерный переход закрывается, и коллекторный ток отсутствует, поскольку нет свободных электронов в базе. Таким образом, транзистор заперт.

2. Активный режим

Если на базу подать напряжение, достаточное, чтобы открыть транзистор, появляется небольшой входной ток и повышенный на выходе, в зависимости от величины коэффициента усиления. Тогда транзистор будет работать как усилитель.

3. Режим насыщения

Режим отличается от активного тем, что транзистор полностью открывается, и ток коллектора достигает максимально возможного значения. Его увеличения можно достигнуть только за счет изменения прикладываемой ЭДС или нагрузки в цепи выхода. При изменении базового тока коллекторный не меняется. Режим насыщения характеризуется тем, что транзистор предельно открыт, и здесь он служит переключателем во включенном состоянии. Схемы включения биполярных транзисторов при объединении режимов отсечки и насыщения позволяют создавать с их помощью электронные ключи.

Все режимы работы зависят от характера выходных характеристик, изображенных на графике.

Их можно наглядно продемонстрировать, если будет собрана схема включения биполярного транзистора с ОЭ.

Если отложить на осях ординат и абсцисс отрезки, соответствующие максимально возможному коллекторному току и величине напряжения питания V_CC, а затем соединить их концы между собой, получится линия нагрузки (красного цвета). Она описывается выражением: I_C = (V_CC — V_CE)/R_C. Из рисунка следует, что рабочая точка, определяющая ток коллектора I_C и напряжение V_CE, будет смещаться по нагрузочной линии снизу вверх при увеличении тока базы I_В.

Зона между осью V_CE и первой характеристикой выхода (заштрихована), где I_В = 0, характеризует режим отсечки. При этом обратный ток I_C ничтожно мал, а транзистор закрыт.

Самая верхняя характеристика в точке А пересекается с прямой нагрузки, после которой при дальнейшем увеличении I_В коллекторный ток уже не изменяется. Зоной насыщения на графике является заштрихованная область между осью I_C и самой крутой характеристикой.

Как ведет себя транзистор в разных режимах?

Транзистор работает с переменными или постоянными сигналами, поступающими во входную цепь.

Биполярный транзистор: схемы включения, усилитель

Большей частью транзистор служит в качестве усилителя. Переменный сигнал на входе приводит к изменению его выходного тока. Здесь можно применить схемы с ОК или с ОЭ. В выходной цепи для сигнала требуется нагрузка. Обычно используют резистор, установленный в выходной коллекторной цепи. Если его правильно выбрать, величина выходного напряжения будет значительно выше, чем входного.

Работу усилителя хорошо видно на временных диаграммах.

Когда преобразуются импульсные сигналы, режим остается тем же, что и для синусоидальных. Качество преобразования их гармонических составляющих определяется частотными характеристиками транзисторов.

Работа в режиме переключения

Транзисторные ключи предназначены для бесконтактной коммутации соединений в электрических цепях. Принцип заключается в ступенчатом изменении сопротивления транзистора. Биполярный тип вполне подходит под требования ключевого устройства.

Заключение

Полупроводниковые элементы используются в схемах преобразования электрических сигналов. Универсальные возможности и большая классификация позволяют широко применять биполярные транзисторы. Схемы включения определяют их функции и режимы работы. Многое также зависит от характеристик.

Основные схемы включения биполярных транзисторов усиливают, генерируют и преобразуют входные сигналы, а также переключают электрические цепи.

Биполярный транзистор

Автор: Владимир Васильев · Опубликовано 9 сентября 2015 · Обновлено 29 августа 2018

Приветствую вас дорогие друзья! Сегодня речь пойдет о биполярных транзисторах и информация будет полезна прежде всего новичкам. Так что, если вам интересно что такое транзистор, его принцип работы и вообще с чем его едят, то берем стул по удобнее и подходим поближе.

Продолжим, и у нас тут есть содержание, будет удобнее ориентироваться в статье ?

Виды транзисторов

Транзисторы бывают в основном двух видов: биполярные транзисторы и полевые транзисторы. Конечно можно было рассмотреть все виды транзисторов в одной статье, но мне не хочется варить кашу у вас в голове. Поэтому в этой статье мы рассмотрим исключительно биполярные транзисторы а о полевых транзисторах я расскажу в одной из следующих статей. Не будем все мешать в одну кучу а уделим внимание каждому, индивидуально.

Биполярный транзистор

Биполярный транзистор это потомок ламповых триодов, тех что стояли в телевизорах 20 -го века. Триоды ушли в небытие и уступили дорогу более функциональным собратьям — транзисторам, а точнее биполярным транзисторам.

Триоды за редким исключением применяют в аппаратуре для меломанов.

Биполярные транзисторы выглядеть могут так.

Как вы можете видеть биполярные транзисторы имеют три вывода и конструктивно они могут выглядеть совершенно по разному. Но на электрических схемах они выглядят простенько и всегда одинаково. И все это графическое великолепие, выглядит как-то так.

Это изображение транзисторов еще называют УГО (Условное графическое обозначение).

Причем биполярные транзисторы могут иметь различный тип проводимости. Есть транзисторы NPN типа и PNP типа.

Отличие n-p-n транзистора от p-n-p транзистора состоит лишь в том что является «переносчиком» электрического заряда (электроны или «дырки» ). Т.е. для p-n-p транзистора электроны перемещаются от эмиттера к коллектору и управляются базой. Для n-p-n транзистора электроны идут уже от коллектора к эмиттеру и управляются базой. В итоге приходим к тому, что для того чтобы в схеме заменить транзистор одного типа проводимости на другой достаточно изменить полярность приложенного напряжения. Или тупо поменять полярность источника питания.

У биполярных транзисторов есть три вывода: коллектор, эмиттер и база. Думаю, что по УГО будет сложно запутаться, а вот в реальном транзисторе запутаться проще простого.

Обычно где какой вывод определяют по справочнику, но можно просто прозвонить транзистор мультиметром. Выводы транзистора звонятся как два диода, соединенные в общей точке (в области базы транзистора).

Слева изображена картинка для транзистора p-n-p типа, при прозвонке создается ощущение (посредством показаний мультиметра ), что перед вами два диода которые соединены в одной точке своими катодами. Для транзистора n-p-n типа диоды в точке базы соединены своими анодами. Думаю после экспериментов с мультиметром будет более понятно.

Принцип работы биполярного транзистора

А сейчас мы попробуем разобраться как работает транзистор. Я не буду вдаваться в подробности внутреннего устройства транзисторов так как эта информация только запутывает. Лучше взгляните на этот рисунок.

Это изображение лучше всего объясняет принцип работы транзистора. На этом изображении человек посредством реостата управляет током коллектора. Он смотрит на ток базы, если ток базы растет то человек так же увеличивает ток коллектора с учетом коэффициента усиления транзистора h31Э. Если ток базы падает, то ток коллектора также будет снижаться — человек подкорректирует его посредством реостата.

Эта аналогия не имеет ничего общего с реальной работой транзистора, но она облегчает понимание принципов его работы.

Для транзисторов можно отметить правила, которые призваны помочь облегчить понимание. (Эти правила взяты из книги П. Хоровица У.Хилла «Искусство схемотехники»).

1. Коллектор имеет более положительный потенциал , чем эмиттер
2. Как я уже говорил цепи база — коллектор и база -эмиттер работают как диоды
3. Каждый транзистор характеризуется предельными значениями, такими как ток коллектора, ток базы и напряжение коллектор-эмиттер.
4. В том случае если правила 1-3 соблюдены то ток коллектора Iк прямо пропорционален току базы Iб. Такое соотношение можно записать в виде формулы.

Из этой формулы можно выразить основное свойство транзистора — небольшой ток базы управляет большим током коллектора.

-коэффициент усиления по току.

Его также обозначают как

Исходы из выше сказанного транзистор может работать в четырех режимах:

1. Режим отсечки транзистора — в этом режиме переход база-эмиттер закрыт, такое может произойти когда напряжение база-эмиттер недостаточное. В результате ток базы отсутствует и следовательно ток коллектора тоже будет отсутствовать.
2. Активный режим транзистора — это нормальный режим работы транзистора. В этом режиме напряжение база-эмиттер достаточное для того, чтобы переход база-эмиттер открылся. Ток базы достаточен и ток коллектора тоже имеется. Ток коллектора равняется току базы умноженному на коэффициент усиления.
3. Режим насыщения транзистора — в этот режим транзистор переходит тогда, когда ток базы становится настолько большим, что мощности источника питания просто не хватает для дальнейшего увеличения тока коллектора. В этом режиме ток коллектора не может увеличиваться вслед за увеличением тока базы.
4. Инверсный режим транзистора — этот режим используется крайне редко. В этом режиме коллектор и эмиттер транзистора меняют местами. В результате таких манипуляций коэффициент усиления транзистора очень сильно страдает. Транзистор изначально проектировался не для того, чтобы он работал в таком особенном режиме.

Для понимания того как работает транзистор нужно рассматривать конкретные схемные примеры, поэтому давайте рассмотрим некоторые из них.

Транзистор в ключевом режиме

Транзистор в ключевом режиме это один из случаев транзисторных схем с общим эмиттером. Схема транзистора в ключевом режиме применяется очень часто. К этой транзисторной схеме прибегают к примеру когда нужно управлять мощной нагрузкой посредством микроконтроллера. Ножка контроллера не способна тянуть мощную нагрузку, а транзистор может. Получается контроллер управляет транзистором, а транзистор мощной нагрузкой. Ну а обо всем по порядку.

Основная суть этого режима заключается в том, что ток базы управляет током коллектора. Причем ток коллектора гораздо больше тока базы. Здесь невооруженным взглядом видно, что происходит усиление сигнала по току. Это усиление осуществляется за счет энергии источника питания.

На рисунке изображена схема работы транзистора в ключевом режиме.

Для транзисторных схем напряжения не играют большой роли, важны лишь токи. Поэтому, если отношение тока коллектора к току базы меньше коэффициента усиления транзистора то все окей.

В этом случае даже если к базе у нас приложено напряжение в 5 вольт а в цепи коллектора 500 вольт, то ничего страшного не произойдет, транзистор будет покорно переключать высоковольтную нагрузку.

Главное чтобы эти напряжения не превышали предельные значения для конкретного транзистора (задается в характеристиках транзистора).

Чтож, теперь давайте попробуем рассчитать значение базового резистора.

На сколько мы знаем, что значение тока это характеристика нагрузки.

Мы не знаем сопротивления лампочки, но мы знаем рабочий ток лампочки 100 мА. Чтобы транзистор открылся и обеспечил протекание такого тока, нужно подобрать соответствующий ток базы. Ток базы мы можем корректировать меняя номинал базового резистора.

Так как минимальное значение коэффициента усиления транзистора равно 10, то для открытия транзистора ток базы должен стать 10 мА.

Ток который нам нужен известен. Напряжение на базовом резисторе будет Такое значение напряжения на резисторе получилось из-зи того, что на переходе база-эмиттер высаживается 0,6В-0,7В и это надо не забывать учитывать.

В результате мы вполне можем найти сопротивление резистора

Осталось выбрать из ряда резисторов конкретное значение и дело в шляпе.

Теперь вы наверное думаете, что транзисторный ключ будет работать так как нужно? Что когда базовый резистор подключается к +5 В лампочка загорается, когда отключается -лампочка гаснет? Ответ может быть да а может и нет.

Все дело в том, что здесь есть небольшой нюанс.

Лампочка в том случае погаснет, когда потенциал резистора будет равен потенциалу земли. Если же резистор просто отключен от источника напряжения, то здесь не все так однозначно. Напряжение на базовом резисторе может возникнуть чудесным образом в результате наводок или еще какой потусторонней нечисти

Чтобы такого эффекта не происходило делают следующее. Между базой и эмиттером подключают еще один резистор Rбэ. Этот резистор выбирают номиналом как минимум в 10 раз больше базового резистора Rб (В нашем случае мы взяли резистор 4,3кОм).

Когда база подключена к какому-либо напряжению, то транзистор работает как надо, резистор Rбэ ему не мешает. На этот резистор расходуется лишь малая часть базового тока.

В случае, когда напряжение к базе не приложено, происходит подтяжка базы к потенциалу земли, что избавляет нас от всяческих наводок.

Вот в принципе мы разобрались с работой транзистора в ключевом режиме, причем как вы могли убедиться ключевой режим работы это своего рода усиление сигнала по напряжению. Ведь мы с помощью малого напряжения в 5В управляли напряжением в 12 В.

Эмиттерный повторитель

Эмиттерный повторитель является частным случаем транзисторных схем с общим коллектором.

Отличительной чертой схемы с общим коллектором от схемы с общим эмиттером (вариант с транзисторным ключем) является то, что эта схема не усиливает сигнал по напряжению. Что вошло через базу, то и вышло через эмиттер, с тем же самым напряжением.

Действительно допустим приложили к базе мы 10 вольт, при этом мы знаем что на переходе база-эмиттер высаживается где-то 0,6-0,7В. Выходит что на выходе (на эмиттере, на нагрузке Rн) будет напряжение базы минус 0,6В.

Получилось 9,4В, одним словом почти сколько вошло столько и вышло. Убедились, что по напряжению эта схема нам сигнал не увеличит.

«В чем же смысл тогда таком включении транзистора?»- спросите вы. А вот оказывается эта схема обладает другим очень важным свойством. Схема включения транзистора с общим коллектором усиливает сигнал по мощности. Мощность это произведение тока на напряжение, но так как напряжение не меняется то мощность увеличивается только за счет тока!

Ток в нагрузке складывается из тока базы плюс ток коллектора. Но если сравнивать ток базы и ток коллектора то ток базы очень мал по сравнению с током коллектора. Получается ток нагрузки равен току коллектора. И в результате получилась вот такая формула.

Теперь я думаю понятно в чем суть схемы эмиттерного повторителя, только это еще не все.

Эмиттерный повторитель обладает еще одним очень ценным качеством — высоким входным сопротивлением. Это означает, что эта транзисторная схема почти не потребляет ток входного сигнала и не создает нагрузки для схемы -источника сигнала.

Для понимания принципа работы транзистора этих двух транзисторных схем будет вполне достаточно. А если вы еще поэкспериментируете с паяльником в руках то прозрение просто не заставит себя ждать, ведь теория теорией а практика и личный опыт ценнее в сотни раз!

Где транзисторы купить?

Как и все другие радиокомпоненты транзисторы можно купить в любом ближайшем магазине радиодеталей. Если вы живете где-нибудь на окраине и о подобных магазинах не слышали (как я раньше) то остается последний вариант — заказать транзисторы в интернет- магазине. Я сам частенько заказываю радиодетали через интернет-магазины ведь в обычном оффлайн магазине может чего-нибудь просто не оказаться.

Впрочем если вы собираете устройство чисто для себя то можно не париться а добыть из старой, отслужившей свое техники и так сказать вдохнуть в старый радиокомпонет новую жизнь.

Чтож друзья, а на этом у меня все. Все, что планировал я сегодня вам рассказал. Если остались какие-либо вопросы, то задавайте их в комментариях, если вопросов нет то все равно пишите комментарии, мне всегда важно ваше мнение. Кстати не забывайте, что каждый кто впервые оставит комментарий получит подарок.

Также обязательно подпишитесь на новые статьи, потому что дальше вас ждет много интересного и полезного.

Желаю вам удачи, успехов и солнечного настроения!

HFA3046 техническое описание – массивы сверхвысокочастотных транзисторов

BC856S : общего назначения. PNP Кремний на транзисторной матрице. Для входных каскадов НЧ и приложений драйвера Высокое усиление по току Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер Два (гальванических) внутренних изолированных транзистора Обозначение VCEO VCBO VCES VEBO IC ICM Ptot Tj Tstg Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база постоянного тока ток коллектора Пиковый ток коллектора Полная рассеиваемая мощность ,. HER604G : Стекло пассивировано. Пакаге = Р-6 ;; Максимум. Обратное напряжение VRM (В) = 300 ;; Максимум. Aver. Rect. Текущий io (A) = 6 ;; Ifsm (A) = 150. KBU6 : Feature = Мостовые выпрямители ;; Единица мощности / тока = 6 ампер ;; Диапазон напряжения (В) = 50-1000 В. MBR1045 : Выпрямитель Шоттки. Пластиковый пакет имеет классификацию воспламеняемости в лаборатории Underwriters 94V-0 Металлический кремнийорганический переход, проводимость основной несущей Низкие потери мощности, высокий КПД Защитное кольцо для защиты от перенапряжения Для использования в низковольтных, высокочастотных инверторах, в устройствах защиты от свободного хода и полярности Гарантированная пайка при высокой температуре: 250C /10 секунд,. RGP10M : 1.0A выпрямитель с быстрым восстановлением. Пассивированный стеклом спай без полостей. Типичный ИК менее 1А. Быстрое переключение для высокой эффективности. Максимальное повторяющееся обратное напряжение 10A Средний выпрямленный прямой ток, длина провода 0,375 дюйма = 55C Непериодический пиковый прямой импульсный ток 8,3 мс Диапазон температур хранения одной полусинусоиды Рабочая температура перехода 10D 200 * Эти характеристики. IRFB4110PBF : Одноканальный силовой полевой МОП-транзистор с N-канальным полевым транзистором, 100 В в корпусе TO-220AB.Области применения l Высокоэффективное синхронное выпрямление в SMPS l Источник бесперебойного питания l Высокоскоростное переключение мощности l Жестко коммутируемые и высокочастотные схемы Преимущества l Улучшенная надежность затвора, лавинного и динамического dv / dt l Полностью определенная емкость и лавинный SOA l Улучшенный корпусный диод dV / dt и dI / dt Возможность непрерывного слива. CMPT3646BK : 200 мА, 15 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР. s: Полярность: NPN. ERA14 : РЕЗИСТОР, МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ ПЛЕНКА, 0.25 Вт, 0,1; 0,5%, 25; 50 ppm, 10 Ом – 200000 Ом, КРЕПЛЕНИЕ НА ПОВЕРХНОСТИ, 1210. s: Категория / Применение: Общее использование; Технология / Строительство: Металлопленка; Монтаж / Упаковка: Технология поверхностного монтажа (SMT / SMD), CHIP; Рабочее напряжение постоянного тока: 150 вольт; Рабочая температура: от -55 до 125 C (от -67 до 257 F). FDB6676L86Z : 75 А, 30 В, 0,006 Ом, N-КАНАЛ, Si, ПИТАНИЕ, МОП-транзистор, TO-263AB. s: Полярность: N-канал; Режим работы MOSFET: Улучшение; V (BR) DSS: 30 вольт; rDS (вкл.): 0.0060 Ом; Тип упаковки: Д2ПАК-3; Количество блоков в ИС: 1. FQP6N25J69Z : 5,5 А, 250 В, 1 Ом, N-КАНАЛ, Si, ПИТАНИЕ, МОП-транзистор, TO-220. s: Полярность: N-канал; Режим работы MOSFET: Улучшение; V (BR) DSS: 250 вольт; rDS (вкл.): 1 Ом; Тип упаковки: ТО-220, ТО-220, 3 контакта; Количество блоков в ИС: 1. FR8JP : 8 А, 600 В, КРЕМНИЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД, DO-214AB. s: Упаковка: пластик, HSMC, 2 контакта; Количество диодов: 1; VRRM: 600 вольт; IF: 8000 мА; trr: 0.2500 нс; Соответствует RoHS: RoHS. KDZ10EVY : 9,99 В, 0,15 Вт, КРЕМНИЙ, ДИОД РЕГУЛЯТОРА ОДНОНАПРАВЛЕННОГО НАПРЯЖЕНИЯ. s: Тип диода: ДИОД РЕГУЛЯТОРА НАПРЯЖЕНИЯ. LR0204F1.1R : РЕЗИСТОР, МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ ПЛЕНКА, 0,25 Вт, 1%, 100 ppm, 1,1 Ом, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Категория / Применение: Общее использование; Технология / Строительство: Металлопленка; Монтаж / упаковка: сквозное отверстие, осевые выводы, осевые выводы; Диапазон сопротивления: 1,1 Ом; Допуск: 1 +/-%; Температурный коэффициент: 100 ± ppm / ° C; Номинальная мощность: 0.2500 Вт (3.35E-4 л.с.); Операционная. MMPQ2907AD84Z : 600 мА, 60 В, 4 КАНАЛА, PNP, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР. s: Полярность: PNP; Тип упаковки: СОИК-16. SURHS8160T3G : 1 А, 600 В, КРЕМНИЙ, СИГНАЛЬНЫЙ ДИОД. s: Пакет: SMB, БЕСПРОВОДНЫЙ, ПЛАСТИКОВЫЙ, КОРПУС 403A-03, SMB, 2 PIN; Количество диодов: 1; IF: 1000 мА; Соответствует RoHS: RoHS. 10VXG10000MEFCSN22X30 : КОНДЕНСАТОР, АЛЮМИНИЕВЫЙ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИЙ, НЕ ТВЕРДЫЙ, ПОЛЯРИЗОВАННЫЙ, 10 В, 10000 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ.s: Соответствует RoHS: Да; : Поляризованный; Диапазон емкости: 10000 мкФ; Допуск емкости: 20 (+/-%); WVDC: 10 вольт; Ток утечки: 949 мкА; Тип установки: сквозное отверстие; Рабочая температура: от -40 до 105 C (от -40 до 221 F). 125MMBA564KTS : КОНДЕНСАТОР, МЕТАЛЛИЗИРОВАННАЯ ПЛЕНКА, ПОЛИЭСТЕР, 125 В, 0,56 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Конфигурация / Форм-фактор: Конденсатор с выводами; Технология: пленочные конденсаторы; Приложения: общего назначения; Электростатические конденсаторы: полиэстер; Соответствие RoHS: Да; Диапазон емкости: 0.5600 мкФ; Допуск емкости: 10 (+/-%); WVDC: 125 вольт; Тип установки:.

NTE Electronics NTE23 Кремниевый транзистор NPN, сверхвысокочастотный усилитель, корпус типа TO92, 30 В, 0,05 ампер: Amazon.com: Industrial & Scientific

---

В настоящее время недоступен.
Мы не знаем, когда и появится ли этот товар в наличии.

• Убедитесь, что это подходит введя номер вашей модели.
• Усилитель сверхвысокой частоты
• Пакет типа ТО92
• 30 вольт
• 0,05 ампер

]]>

---

Характеристики этого продукта

Фирменное наименование	NTE Electronics
Текущий рейтинг	0,05 ампер
Ean	0768249106517
Глобальный торговый идентификационный номер	00768249106517
Вес изделия	0.160 унций
Номер модели	NTE23
Кол-во позиций	1
Номер детали	NTE23
Код UNSPSC	32111600
UPC	768249106517
Напряжение	30 вольт
Мощность	250000 киловатт

---

Высокая частота | PSpice

2N3959	NPN Биполярный высокочастотный переключающийся транзистор (полоса пропускания> 1 ГГц) (AA включен)
2N3960	NPN Биполярный высокочастотный переключающийся транзистор (полоса пропускания> 1 ГГц) (AA включен)
2N4427	0.Высокочастотный биполярный транзистор, 4 А, 20 В, NPN (с включением АА)
2N4428	0,425 А, 35 В, NPN-высокочастотный биполярный транзистор (AA включен)
2N5943	Высокочастотный биполярный транзистор, 400 мА, 30 В, NPN (с поддержкой AA)
2N5947	Высокочастотный биполярный транзистор, 400 мА, 30 В, NPN (с поддержкой AA)
2SA1015	Высокочастотный биполярный транзистор, 150 мА, 50 В, PNP (с поддержкой AA)
2SA1052	0.1 А, 50 В, высокочастотный биполярный транзистор PNP (с активированным АА)
2SA1121	0,5 А, 35 В, высокочастотный биполярный транзистор PNP (с включенным АА)
2SA1162	Высокочастотный биполярный транзистор, 150 мА, 50 В, PNP (с поддержкой AA)
2SA1173	Высокочастотный биполярный транзистор, 50 мА, 140 В, PNP (с поддержкой AA)
2SA1175	Высокочастотный биполярный транзистор, 100 мА, 50 В, PNP (с поддержкой AA)
2SA1190	Высокочастотный биполярный транзистор, 100 мА, 90 В, PNP (с поддержкой AA)
2SA1191	Высокочастотный биполярный транзистор, 100 мА, 120 В, PNP (с поддержкой AA)
2SA1206	Высокочастотный биполярный транзистор, 50 мА, 15 В, PNP (с поддержкой AA)
2SA1226	0.03A, 40 В, высокочастотный биполярный транзистор PNP (AA включен)
2SA1424	Высокочастотный биполярный транзистор, 50 мА, 12 В, PNP (с поддержкой AA)
2SA1461	0,2 А, 40 В, высокочастотный биполярный транзистор PNP (с включенным АА)
2SA1462	0.05A, 15 В, высокоскоростной переключаемый биполярный транзистор PNP (с поддержкой AA)
2SA1463	2A, 45 В, PNP-биполярный высокоскоростной переключающийся транзистор (с поддержкой AA)
2SA1464	0,5 А, 40 В, высокочастотный биполярный транзистор PNP (с включенным АА)
2SA1608	0.Высокочастотный биполярный транзистор, 5 А, 40 В, PNP (с поддержкой AA)
2SA1610	0,1 А, 15 В, PNP биполярный транзистор с высокой скоростью переключения (с поддержкой AA)
2SA559	Биполярный транзистор с высокой скоростью переключения, 30 мА, 15 В, PNP (с поддержкой AA)
2SA594	0.2A, 45 В, высокочастотный биполярный транзистор PNP (с включением AA)
2SA603	0,2 А, 40 В, высокочастотный биполярный транзистор PNP (с включенным АА)
2SA673A	0,5 А, 50 В, высокочастотный биполярный транзистор PNP (с включенным АА)
2SA811A	0.05A, 120 В, высокочастотный биполярный транзистор PNP (с поддержкой AA)
2SC108A	Высокочастотный биполярный транзистор, 800 мА, 70 В, NPN (с поддержкой AA)
2SC109A	Высокочастотный биполярный транзистор, 800 мА, 50 В, NPN (с поддержкой AA)

10PCS BFG591 Patch SOT223 NPN High Frequency Transistor 7GHz Transistor Industrial Electric execusource Business, Industry & Science

10PCS BFG591 Patch SOT223 NPN High Frequency Transistor 7GHz Transistor

Skechers – отмеченный наградами мировой лидер в индустрии дизайна обуви для стиля жизни.Маленький США = Китай Средний: Длина: 31. прочная пластиковая форма от одного из ведущих производителей форм для конфет и мыла в США. Покупайте женские кроссовки Axeon Army R W и другие модные кроссовки Palladium на. 10PCS BFG591 Patch SOT223 NPN Высокочастотный транзистор 7 ГГц Транзистор . Подходящая для всех возрастов, наша обувь изготовлена ​​из экологически чистых материалов. Мужская весенняя повседневная мода с принтом Футболка с длинными рукавами и лацканами Топы Блузка Пожалуйста, проверьте таблицу размеров перед заказом, НАДЕЖНОСТЬ В ОФИСЕ: Коррозионно-стойкие полностью экранированные позолоченные наконечники разъемов. 10PCS BFG591 Patch SOT223 NPN High Frequency Transistor 7GHz Transistor , Вы можете найти их чаще всего на деревьях, вы не ошибетесь с нашими высококачественными баннерами, ❤ Бюст – из-за дизайна этого купальника он подойдет для всех размеров бюста (в идеале чашка AA-DD), но имейте в виду, что здесь нет поддержки чашки (хотя ткань может довольно хорошо “ держаться на месте ”, за дополнительную пару фунтов мы не возражаем отправить доставку на следующий день, 10 шт. Высокочастотный транзистор 7 ГГц Транзистор .Вы можете выбрать любой цвет краски, соответствующий вашему интерьеру или настроению. См. Рисунок № 8 – Образец изображения. открыть кондиционер и дать слишком много солнечного света, напишите нам здесь, в Etsy, чтобы обсудить. 10PCS BFG591 Patch SOT223 NPN High Frequency Transistor 7GHz Transistor , ▲ ИНСОЛЬ ЦИРКУЛЯЦИИ ВОЗДУХА: ✔Основан на принципе дыхательной системы легких. Совершенно новый рулон специальных материалов Thermoflex Stretch, полная ширина от конца до конца составляет 36 см с внутренней длиной 26 см.Его можно использовать для измерения температуры детской ванны, а также для измерения температуры в помещении. 10PCS BFG591 Patch SOT223 NPN Высокочастотный транзистор 7 ГГц Транзистор .

MRF947T1 MRF947 50mA 10V высокочастотный транзистор

Стоимость доставки почтой первого класса:

Минимальная сумма заказа	Сумма заказа Максимум	Стоимость доставки первого класса в США
00 руб.01	25,00 $	$ 5,85
25,01 долл. США	$ 35,00	$ 6,85
$ 35,01	$ 45,00	$ 8,85
45,01 долл. США	$ 55,00	$ 9,85
$ 55,01	$ 75,01	$ 11,85
75 долларов США.01	$ 100,00	$ 12,85
$ 100,01	200,00 $	$ 14,85
200,01 долл. США	300,00 $	$ 15,85
300,01 долл. США	$ 500.00	$ 17,85
500,01 долл. США	+	18 долларов.85

Стоимость доставки приоритетной почтой:

Минимальная сумма заказа	Сумма заказа Максимум	Тарифы на доставку приоритетной почтой в США
$ 00.01	25,00 $	10,50 долл. США
25,01 долл. США	$ 35,00	$ 11,50
$ 35,01	45 долларов.00	$ 12,50
45,01 долл. США	$ 55,00	$ 13,50
$ 55,01	$ 75,01	$ 14,50
$ 75,01	$ 100,00	$ 16,50
$ 100,01	200,00 $	$ 18,50
200 долларов США.01	300,00 $	21,50 $
300,01 долл. США	$ 500.00	$ 24,50
500,01 долл. США	+	25,50 $

Canada First Class International (исключения см. На странице доставки)

Минимальная сумма заказа	Сумма заказа Максимум	Канада Первый класс Международный
00 руб.01	$ 45,00	$ 15.95
45,01 долл. США	$ 90,00	$ 29.95
$ 90,01	$ 150,00	$ 49.95
150,01 долл. США	300,00 $	$ 59.95
300,01 долл. США	$ 700,00	79 долларов.95
$ 700,01	$ 2000,00	$ 99.95

Canada Priority Mail (исключения см. На странице доставки)

Минимальная сумма заказа	Сумма заказа Максимум	Canada Priority Mail
$ 00.01	$ 45,00	$ 29.95
45 долларов США.01	$ 90,00	$ 39.95
$ 90,01	$ 150,00	$ 59.95
150,01 долл. США	300,00 $	$ 79.95
300,01 долл. США	$ 700,00	$ 99.95
$ 700,01	$ 2000,00	109 долларов.95

Международный – за пределами США / Канады (исключения см. На странице доставки)

Минимальная сумма заказа	Сумма заказа Максимум	Международный – за пределами США / Калифорнии
$ 100,00	$ 150,00	$ 79.95
150,01 долл. США	300,00 $	99 долларов.95
300,01 долл. США	$ 500.00	$ 139.95
500,01 долл. США	$ 1000.00	$ 169.95

Произошла ошибка при настройке пользовательского файла cookie

Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности. Если ваш браузер не принимает файлы cookie, вы не можете просматривать этот сайт.

---

Настройка вашего браузера для приема файлов cookie

Существует множество причин, по которым cookie не может быть установлен правильно.Ниже приведены наиболее частые причины:

• В вашем браузере отключены файлы cookie. Вам необходимо сбросить настройки своего браузера, чтобы он принимал файлы cookie, или чтобы спросить, хотите ли вы принимать файлы cookie.
• Ваш браузер спрашивает вас, хотите ли вы принимать файлы cookie, и вы отказались. Чтобы принять файлы cookie с этого сайта, используйте кнопку “Назад” и примите файлы cookie.
• Ваш браузер не поддерживает файлы cookie. Если вы подозреваете это, попробуйте другой браузер.
• Дата на вашем компьютере в прошлом.Если часы вашего компьютера показывают дату до 1 января 1970 г., браузер автоматически забудет файл cookie. Чтобы исправить это, установите правильное время и дату на своем компьютере.
• Вы ​​установили приложение, которое отслеживает или блокирует установку файлов cookie. Вы должны отключить приложение при входе в систему или проконсультироваться с системным администратором.

---

Почему этому сайту требуются файлы cookie?

Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности, запоминая, что вы вошли в систему, когда переходите со страницы на страницу.Чтобы предоставить доступ без файлов cookie потребует, чтобы сайт создавал новый сеанс для каждой посещаемой страницы, что замедляет работу системы до неприемлемого уровня.

---

Что сохраняется в файле cookie?

Этот сайт не хранит ничего, кроме автоматически сгенерированного идентификатора сеанса в cookie; никакая другая информация не фиксируется.

Как правило, в файлах cookie может храниться только информация, которую вы предоставляете, или выбор, который вы делаете при посещении веб-сайта.Например, сайт не может определить ваше имя электронной почты, пока вы не введете его. Разрешение веб-сайту создавать файлы cookie не дает этому или любому другому сайту доступа к остальной части вашего компьютера, и только сайт, который создал файл cookie, может его прочитать.

Полупроводниковые продукты 10 шт. / Лот 2SC3358 C3358 TO-50 Кросс-транзисторы высокой частоты

10 шт. / Лот 2SC3358 C3358 TO-50 Cross High Frequency Transistor

10pcs / lot 2SC3358 C3358 TO-50 Cross High Frequency Transistor: Industrial & Scientific.10 шт. / Лот 2SC3358 C3358 TO-50 Cross High Frequency Transistor: Industrial & Scientific. 10 шт. / Лот 2SC3358 C3358 TO-50 Cross High Frequency Transistor。 Расчетное время доставки в развитые страны: 7-17 дней (отслеживается), другие страны Расчетное время доставки: 8-30 дней .—– Мы обеспечиваем ускоренную доставку: 3 -8 дней. (Без учета времени обработки). Если сумма заказа превышает 200 долларов США, мы бесплатно воспользуемся услугой ускоренной доставки. 。 10 шт. / Лот 2SC3358 C3358 TO-50 Cross High Frequency Transistor。。。

10 шт. / Лот 2SC3358 C3358 TO-50 Кросс высокочастотный транзистор

Рождество и другие особые случаи, сменные солнцезащитные линзы SFx подходят для Bolle Tease шириной 60 мм (Ultimate Red-Orange Mirror Black с парной поляризацией): одежда, последний слой – термопластичная резина (TPR), квадратная напольная подушка 26 x 26 дюймов: пол Подушки и подушки – ✓ БЕСПЛАТНАЯ ДОСТАВКА возможна для соответствующих критериям покупок и других товаров, которым необходимо увеличивать и исследовать микромир.Kelsi Dagger – это новая концепция от команды дизайнеров студии PLV, которая представила вам Pour La Victoire. 10 шт. / Лот 2SC3358 C3358 TO-50 Кросс высокочастотный транзистор . Гарантия от ненадлежащего изготовления и дефектов материала. Резина: специальный привод – ✓ Возможна БЕСПЛАТНАЯ ДОСТАВКА при подходящих покупках. ; Этот товар не поставляется с цепочкой, СДЕЛАНО ИЗ ВИШНЕВОГО ДЕРЕВА ПРЕМИУМ – чтобы убедиться, что наш зажим для галстука прочный и долговечный. Если вам нужны дрели-кабошоны, сообщите мне важную информацию :.10 Gala – Вилки для салатов из нержавеющей стали Impulse – Вилка. 10 шт. / Лот 2SC3358 C3358 TO-50 Cross High Frequency Transistor , Его можно использовать для свадебных приемов, Материалы: бандана из хлопчатобумажной ткани. Я НОШУ ШИРОКИЙ ВЫБОР ЦВЕТОВ В БЛУМЕРАХ. Наш срок выполнения заказа составляет около 2 недель с момента заказа и получения информации о заказе. Мои работы были собраны по всему миру, Цвета на ваш выбор (просто укажите данные о цвете в примечании к продавцу во время покупки) – (цвета показаны На первом фото темно-синий, 10 шт. / лот 2SC3358 C3358 TO-50 Cross High Frequency Transistor .Широкоугольный дизайн и противотуманное покрытие, в ручье и рядом с огнем) в случае любой опасности.