Схема УНЧ на полевых транзисторах
Попробуем заставить транзисторы запеть тёплым ламповым хором.
Оппонент: Почему транзисторный и почему по ламповой схемотехнике? Не лучше ли озадачиться либо классическим ламповым усилителем, либо транзисторным по любой из существующих схем, которых в разных источниках, как грязи в болотах.
Автор: К ламповым усилителям – вообще никаких вопросов. Если не сильно пугает: гибка стальных шасси, приобретение качественных выходных трансформаторов, поиск высоковольтных кондёров и подобранных по параметрам ламп, а будучи звездонутым анодным напряжением в 400 вольт, вы найдёте не только минусы, но и плюсы, то вам дорога в спаянные ряды маньяков лампоманов.
А мы же – ребята ленивые, но умные! Поэтому озадачимся созданием УМЗЧ, полностью выполненного на мощных полевых транзисторах,
являющихся, если и не полными твердотельными аналогами ламп, то имеющих близкие к ним квадратичные вольтамперные характеристики, что
позволит получить нам на выходе спектр сигналов, аналогичный спектру ламповых усилителей – с преобладанием чётных гармоник и
быстрым затуханием гармоник высших порядков.
Теперь по поводу расхожих транзисторных схем, которых “как грязи в болотах”. Историю борьбы с феноменом транзисторного звучания, а также основные принципы построения “правильного” усилителя мощности мы подробно рассмотрели на странице ссылка на страницу. Так что для понимания схемотехнической целесообразности конструкции, описываемой в данной статье, рекомендую ознакомиться с приведённой по ссылке информацией.
Здесь же я приведу окоyчательные постулаты, следующие из обозначенного теоретического экскурса:
1. Усилитель должен быть выполнен целиком и полностью на полевых транзисторах, являющихся твердотельными аналогами ламп.
3. Усилитель должен работать в режиме А, что позволит нам достичь приемлемых величин нелинейных искажений при отсутствии обратных связей и напрочь избавит от тепловых искажений.
4. Однотактные транзисторные усилители, обеспечивающие экстремально устойчивую иллюзию звучания лампового усилителя, хороши только для выходных мощностей до 10Вт, поэтому наш выбор – классическая схема двухтактного лампового УМЗЧ, переработанная под комплементарные полевики и не содержащая выходного трансформатора. К тому же двухтактная схема позволяет в пару раз уменьшить ток покоя выходных транзисторов и тем самым во столько же раз увеличить КПД усилителя.
Оппонент: Кстати, а я читал в умной книжке, что оставлять транзисторные усилители без глубоких отрицательных ОС нельзя, даже если они работают в режиме А. Причина – неидентичность и температурная нестабильность характеристик выходных комплементарных транзисторов.
Автор: Сие слова не мальчика, но мужа.
Книга – это не только сундук для заначек от жены, но и источник познавательных ценностей.
Каждая прочитанная страница повышает уровень интеллекта, но не избавляет от вредных привычек, таких как, например, поковыряться в носу
и съесть козявку, или сделать на основании одной прочитанной книги решительные выводы.
Ведь наверняка найдётся и другая книжка, где написано, что две одинаковые лампы не обладают идентичными параметрами, их в идеале ещё надо
постараться подобрать из десятка-другого, а выходной трансформатор – как не мотай, не получишь двух идеально одинаковых обмоток.
Оппонент: Я так понимаю, что транзисторы тоже придётся подбирать из десятка-другого.
Автор: Ан нет! Не угадал.
Современные полевые транзисторы, а именно такие мы будем использовать в усилителе, превосходят своих вакуумных собратьев по целому
ряду параметров, в частности и по такому важному для работы в оконечных каскадах, как крутизна характеристики (10 А/В против 10-20 мА/В).
Поэтому небольшие сопротивления в истоковых цепях транзисторов, не ухудшая усилительных свойств каскада, обеспечат не только температурную
стабилизацию, но и подровняют характеристики комплементарной пары транзисторов, а дополнительная местная обратная связь поднимет
наш оконечник на труднодостижимый для ламповых схем уровень нелинейных искажений.
Однако пора от слов переходить к делу. Для затравки приведу схему получившегося агрегата,
Рис.1
а морщить лоб, изучать характеристики и разбираться в назначении тех или иных элементов с энтузиазмом начнём уже на следующей странице.
cxema.org – Мощный УМЗЧ на полевых транзисторах
Давно, еще года два назад, приобрел я старый советский динамик 35ГД-1. Несмотря на его первоначально плохое состояние, я его восстановил, покрасил в красивый синий цвет и даже сделал для него ящик из фанеры.
Большая коробка с двумя фазоинверторами сильно улучшила его акустические качества. Осталось дело за хорошим усилителем, который будет качать эту колонку. Решил сделать не так, как делает большинство людей – купить готовый усилитель D–класса из Китая и установить его. Я решил сделать усилитель сам, но не какой-нибудь общепринятый на микросхеме TDA7294, да и вообще не на микросхеме, и даже не легендарный Ланзар, а очень даже редкий усилитель на полевых транзисторах. Да и в сети очень мало информации об усилителях на полевиках, вот и стало интересно, что это такое и как он звучит.
Сборка
Данный усилитель имеет 4 пары выходных транзисторов. 1 пара – 100 Ватт выходной мощности, 2 пары – 200 Ватт, 3 – 300 Ватт и 4, соответственно, 400 Ватт. Мне все 400 Ватт пока не нужны, но я решил поставить все 4 пары, дабы распределить нагрев и уменьшить рассеиваемую каждым транзистором мощность.
Схема выглядит так:
На схеме подписаны именно те номиналы компонентов, которые установлены у меня, схема проверена и работает исправно.
Внимание! Все силовые дорожки обязательно залудить толстым слоем припоя, так как по ним будет течь весьма большой ток. Паяем аккуратно, без соплей, флюс отмываем. Силовые транзисторы необходимо установить на теплоотвод. Плюс данной конструкции в том, что транзисторы можно не изолировать от радиатора, а лепить все на один. Согласитесь, это здорово экономит слюдяные теплопроводящие прокладки, ведь на 8 транзисторов их ушло бы 8 штук (удивительно, но факт)! Радиатор является общим стоком всех 8 транзисторов и звуковым выходом усилителя, поэтому при установке в корпус не забудьте как-нибудь изолировать его от корпуса. Несмотря на отсутствие необходимости установки между фланцами транзисторов и радиатором слюдяных прокладок, это место необходимо промазать термопастой.
Внимание! Лучше сразу всё проверить перед установкой транзисторов на радиатор. Если вы прикрутите транзисторы к радиатору, а на плате будут какие либо сопли или непропаяные контакты, будет неприятно снова откручивать транзисторы и измазываться термопастой.
Биполярные транзисторы: T1 – BD139, T2 – BD140. Тоже нужно прикрутить к радиатору. Они греются не сильно, но все таки греются. Их тоже можно не изолировать от теплоотводов.
Итак, приступаем непосредственно к сборке. Детали располагаются на плате следующим образом:
Теперь я прилагаю фото разных этапов сборки усилителя. Для начала вырезаем кусок текстолита по размерам платы.
Затем накладываем изображение платы на текстолит и сверлим отверстия под радиодетали. Зашкуриваем и обезжириваем. Берем перманентный маркер, запасаемся изрядным количеством терпения и рисуем дорожки (ЛУТом делать не умею, вот и мучаюсь).
Далее кидаем плату в раствор хлорного железа и ждём, пока оно сделает своё дело. Затем вынимаем, оттираем маркер щёткой для сковород и плата готова.
Вооружаемся паяльником, берём флюс, припой и лудим.
Отмываем остатки флюса, берём мультиметр и прозваниваем на предмет замыкания между дорожками там, где его быть не должно.
Если всё в норме, приступаем к монтажу деталей.
Возможные замены.
Первым делом я прикреплю список деталей:
C1 = 1u
C2, C3 = 820p
C4, C5 = 470u
C6, C7 = 1u
C8, C9 = 1000u
C10, C11 = 220n
D1, D2 = 15V
D3, D4 = 1N4148
OP1 = КР54УД1А
R1, R32 = 47k
R2 = 1k
R3 = 2k
R4 = 2k
R5 = 5k
R8, R9 = 820
R10-R17 = 39
R18, R19 = 220
R20, R21 = 22k
R22, R23 = 2.7k
R24-R31 = 0.22
T1 = BD139
T2 = BD140
T3 = IRFP9240
T4 = IRFP240
T5 = IRFP9240
T6 = IRFP240
T7 = IRFP9240
T8 = IRFP240
T9 = IRFP9240
T10 = IRFP240
Первым делом можно заменить операционный усилитель на любой другой, даже импортный, с аналогичным расположением выводов.
Конденсатор C3 нужен для подавления самовозбуждения усилителя. Можно поставить и побольше, что я и сделал впоследствии. Стабилитроны любые на 15 В и мощностью от 1 Вт. Резисторы R22, R23 можно ставить исходя из расчета R=(Uпит.-15)/Iст., где Uпит. – напряжение питания, Iст. – ток стабилизации стабилитрона. Резисторы R2, R32 отвечают за коэффициент усиления. С данными номиналами он где то 30 – 33. Конденсаторы C8, C9 – емкости фильтра – можно ставить от 560 до 2200 мкФ с напряжением не ниже чем Uпит.* 1.2 дабы не эксплуатировать их на пределе возможностей. Транзисторы T1, T2 – любая комплементарная пара средней мощности, с током от 1 А, например наши КТ814-815, КТ816-817 или импортные BD136-135, BD138-137, 2SC4793-2SA1837. Истоковые резисторы R24-R31 можно ставить и на 2 Вт, хоть и нежелательно, с сопротивлением от 0.1 до 0.33 ом. Силовые ключи менять не желательно, хотя можно и IRF640-IRF9640 или IRF630-IRF9630; можно на транзисторы с аналогичными пропускаемыми токами, емкостями затворов и, разумеется, таким же расположением выводов, хотя если паять на проводках, значение это не имеет.
Первый запуск и настройка.
Первый запуск усилителя производим через страховочную лампу в разрыв сети 220 В. Обязательно закорачиваем вход на землю и не подключаем нагрузку. В момент включения лампа должна вспыхнуть и погаснуть, причем погаснуть полностью: спираль не должна светиться вообще. Включаем, держим секунд 20, затем выключаем. Проверяем, нет ли нагрева чего-либо (хотя если лампа не горит, вряд ли что-нибудь греется). Если действительно ничего не греется, включаем снова и меряем постоянное напряжение на выходе: оно должно быть в пределах 50 – 70 мВ. У меня, к примеру, 61.5 мВ. Если всё в пределах нормы, подключаем нагрузку, подаём сигнал на вход и слушаем музыку. Не должно быть никаких помех, посторонних гулов и т. п. Если ничего этого нет, переходим к настройке.
Настраивается всё это дело крайне просто. Необходимо лишь выставить ток покоя выходных транзисторов с помощью вращения движка подстроечного резистора.
Он должен быть примерно 60 – 70 мА для каждого транзистора. Делается это так же как и на Ланзаре. Ток покоя считается по формуле I = Uпад./R, где Uпад. – падение напряжения на одном из резисторов R24 – R31, а R – сопротивление этого самого резистора. Из этой формулы выводим напряжение падение на резисторе, необходимое для установки такого тока покоя. Uпад. = I*R. Например в моем случае это = 0.07*0.22 = где то 15 мВ. Ток покоя выставляется на “тёплом” усилителе, то есть радиатор должен быть тёплым, усилитель должен поиграть несколько минут. Усилитель прогрелся, отключаем нагрузку, закорачиваем вход на общий, берем мультиметр и проводим ранее описанную операцию.
Характеристики и особенности:
Напряжение питания – 30-80 В
Рабочая температура – до 100-120 град.
Сопротивление нагрузки – 2-8 Ом
Мощность усилителя – 400 Вт/4 Ом
КНИ – 0.02-0.04% при мощности 350-380 Вт
Коэффициент усиления – 30-33
Диапазон воспроизводимых частот – 5-100000 Гц
На последнем пункте стоит остановиться подробнее.
Использование этого усилителя с шумящими тембрблоками, такими как TDA1524, может повлечь за собой необоснованное на первый взгляд потребление энергии усилителем. На самом деле это усилитель воспроизводит частоты помех, не слышные нашему уху. Может показаться, что это самовозбуждение, но скорее всего это именно помехи. Тут стоит отличать помехи, не слышимые ухом от реального самовозбуждения. Я сам столкнулся с этой проблемой. Изначально в качестве предварительного усилителя операционник TL071. Это очень хороший высокочастотный импортный ОУ с малошумящим выходом на полевых транзисторах. Он может работать на частотах до 4 МГц – этого с запасом хватает и для воспроизведения частот помех и для самовозбуждения. Что делать? Один хороший человек, спасибо ему огромное, посоветовал мне заменить операционник на другой, менее чувствительный и воспроизводящий меньший диапазон частот, который просто не может работать на частоте самовозбуждения. Поэтому я купил наш отечественный КР544УД1А, поставил и… ничего не поменялось.
Это всё натолкнуло меня на мысль, что шумят переменные резисторы тембрблока. Движки резисторов немного “шуршат”, что и вызывает помехи. Убрал тембрблок и шум пропал. Так что это не самовозбуждение. С данным усилителем нужно ставить малошумящий пассивный тембрблок и транзисторный предусилитель дабы избежать вышеперечисленного.
Итоги
В результате получается хороший усилитель, который прекрасно воспроизводит как низкие, так и высокие частоты мало греется и работает в широком диапазоне питающих напряжений. Лично мне усилитель очень нравится. Осталось только соорудить для него предварительный усилитель, нормальный тембрблок и корпус, но об этом как-нибудь в другой раз.
Ниже прилагаю несколько фото готового усилителя.
На этом в принципе всё. Если остались какие-либо вопросы, задавайте их либо на форум VIP-CXEMA, либо мне на почту Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.
Автор: Дмитрий4202
Симметричный УНЧ на полевых транзисторах IRF: 0jihad0 — LiveJournal
Промышленные модели неизменны многие десятилетия и при том бестолковы, хотя последнее время дело вроде пошло на поправку. Речь не о электролитах, тороидальности трансформаторов и прочих обывательских бреднях, есть определённые функциональные недостатки.
Во-первых это опасно высокое напряжение на выходе для наушников и полное отсутствие какой либо их защиты. Если случайно установить громкость выше допустимого они просто горят, проверено.
Во вторых, регулятор громкости общий, приходится перед включением или отключением акустики его крутить.
Сами наушники не отключаемы, и если у них хорошая чувствительность есть хороший шанс познакомиться в ночи с участковым полицаем, включённую акустику можно и не заметить.
Неоправданно высокая чувствительность около 100мв, при том что выходное напряжение стандартных компонентов 1 – 2В. Перегруз на 10 часов рег.
громкости это просто замечательно, особенно когда горят наушники.
Нулевая ремонтопригодность при низкой надёжности. Если отходит кнопка, а в моём DENON PMA 700AE это началось через пару лет, легче продать и забыть как страшный сон.
Эти недостатки должны быть устранены.
В качестве основы УМ выбрана зеркально симметричная схема. Её преимущества: ноль на выходе без балансировки, отсутствие переходного процесса на выходе, что позволило отказаться от коммутации выхода. Как показала практика искажения почему-то сильно зависят от качества контакта.
Других серьёзных преимуществ схема не имеет, хотя нередко используется в топовых моделях, но это скорее из-за красивой симметричности.
На эту запись приходит достаточно много народу с поисковиков. Что-ж, усилители на полевых транзисторах достаточно популярны. Это одна из первых моих конструкций, достаточно неумелая. Вот что могу сказать учитывая приобретённый опыт: не стоит делать усилители на полевых транзисторах. Если очень нужно, то выходные транзисторы применять одной структуры, но линейность будет всё равно хуже чем с биполярными.
Если решает экономия – КТ805/837 даст гораздо лучший результат, а IRF сейчас сплошная подделка.
Не стоит собирать симметричные схемы. Симметрия выглядит привлекательно, кажется такая схемотехника более линейна. Это ошибка новичка, всё ровно наоборот.
Схемы более качественных усилителей:
https://0jihad0.livejournal.com/28486.html
https://0jihad0.livejournal.com/30011.html
Конструкция
Цепочка c25r97 ограничивает ВЧ на входе. Устойчивость усилителя и стабилизация переходной характеристики достигается коррекцией конденсаторами с35 с43.
Полевые транзисторы применены исключительно из-за дешевизны. К гармоник с ними получется несколько меньше чем на биполярных из-за более высокого К передачи с разомкнутой ОС, но заметно растет с частотой, чего с человеческими транзисторами не наблюдается. Есть мнение, что с полевиками выходное напряжение меньше из-за большого напряжения исток-затвор, не подтвердилось, на биполярных при больших токах падение ещё больше.
На вч происходит перезаряд затворной ёмкости на пиках сигнала, но применение биполярного предоконечного повторителя ничего не даёт. Искажения снижаются резисторами в затворах, и конденсаторами в эмиттерных цепях УН, увеличивающих петлевое усиление на вч.
R123 замыкает петлю ОС без выходных транзисторов и нужен для пуско-наладочных целей.
Заметное снижение искажений дало отделение питания предоконечных каскадов при помощи диодов vd1vd2. Применение вместо них сопротивлений 100 ом бесполезно.
Основные технические характеристики:
Выходная мощность на 6 Ом при Кг не более 10%—————— 55 Вт
К гармоник при Uвых 5.5В, 1000Гц, 5 Ом, не более————— 0.03 %
Выходное напряжение на 6 Ом———————————— 18.5 В
Шумы измерить имеющимися средствам невозможно, но они довольно малы, субъективно не хуже чем у лучших промышленных образцов. УМ практически бесшумен.
Помехи с частотой сети отлично компенсируются и чрезвычайно малы.
Достоверно измерить параметры говеным кодеком ALC662 не выходит, поэтому измерения производились с телефоном самсунг галакси в качестве источника, удивительно, но это дало лучшие результаты, хотя на спектрограммах в основном его гармоники. Так или иначе нужно мерять на нормальной аппаратуре, что пока невозможно.
Предварительные результаты
http://0jihad0.livejournal.com/3344.html
ТТХ сняты при токе покоя 75мА. Увеличение тока покоя выше 200мА снижает искажения на порядок, но требует большого радиатора. Практического смысла не имеет.
Меандр 28 КГЦ, размах 15В. Предварительный с фильтром радиопидараса + УМ.
Схема
Для защиты от радиопидараса US6IUP применён фильтр r8c3.
Предварительный усилитель на ОУ работает на высоких выходных напряжениях до 10В для получения минимальных искажений. Он же усилитель для наушников. Раздельные регуляторы громкости установлены на выходе. Регулятор для наушников группы А, других и нет. Громкость группы В.
50к тоже потому, что других нет. Резистивный делитель на входе УМ сильно снижает шорохи регулятора, замыкает вход для получения минимальных шумов, и позволяет отказаться от экранированных кабелей.
С выходов УМ и УП сигнал поступает на узел защиты от постоянного напряжения и перегрузки. Развязывающие сопротивления должны быть разными, на случай пробоя противоположных плеч, но тогда тоже не было, а сейчас лень. Порог по переменному напряжению определяется постоянной времени r87c24 а по постоянному Ку оу da7 и не превышает 0.5В. Логика реализована на vt25vt26. Последний нормально открыт, реле к1 включено.Отрицательное напряжение с оу закрывает vt26, а положительное открывает vt25, который закрывает vt26, реле обесточивается, усилитель отключается от сети. Включение невозможно до разряда с24.
Триггерная защита от любых токовых перегрузок реализована на vt10.11.21.22.Так как скорость работы такой защиты очевидно не велика, она изначально предполагалась только по положительному полупериоду, но показала высокую эффективность, неоднократно спасая последние пары транзисторов, после чего была дополнена тем что было под рукой.
Все реле питаются от отдельного выпрямителя, нагруженного r75 для быстрого разряда ёмкости при отключении.
Коммутатор выполнен на триггере dd1, и в дежурном режиме должен питаться от литиевой батарейки, но оказалось что заряда танталового с29 достаточно, чтобы поддерживать уровни втечение суток, батарея не используется. Для исключения потребления тока в дежурном режиме ключи выполнены на полевых транзисторах.
Конструктивно усилитель выполнен ввиде моноблока в стандартном польском корпусе. Доступ к любой детали возможен без распайки. Малогабаритные радиаторы вынесены наружу, что в несколько раз уменьшает необходимую площадь, хотя, конечно, маловаты, максимальный разогрев 65град. Радиаторы соединены с корпусом через r99, таким образом реализуется “вонючая сигнализация” при замыкании транзистора на радиатор.
Катушки выполнены соединительным кабелем на оправках 5мм по 15 витков.
Витые трансы ТП и ТС всем хороши, кроме того что они гудят, из-за чего использовать их в более-менее приличной технике нельзя.
Но если нет выбора то можно. Побороть гул удалось установкой на “амортизаторы” из какой-то вспененной резины из советских запасов, может полиуретана, толщиной 20мм. Современного аналога не встречал, ближе всего белая теплоизоляция от трубок кондиционеров, но она тоже сминается, а значит не годится.
платы:
http://edisk.ukr.net/get/373609927/%D0%B1%D0%BF.lay6
http://edisk.ukr.net/get/373609932/%D1%83%D1%81%D0%B8%D0%BB.lay6
схема:
http://edisk.ukr.net/get/374508122/%D1%83%D1%81%D0%B8%D0%BB%D0%B8%D1%82%D0%B5%D0%BB%D1%8C.spl7
УНЧ КЛАССА А НА ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ
Это однотактный MOSFET усилитель класса A. Зачем он нужен, ведь своим КПД такая схема не выдерживает никакой критики? УНЧ класса А имеет очень хороший звук, и как правило не предназначен для того, чтобы играть очень громко, он должен играть очень качественно. Такие усилители имеют свои неоспоримые преимущества – они дают чистый, неискаженный звук, вот почему мечта многих аудиофилов – иметь усилитель класса А высокого класса.
Схема усилителя класса А на MOSFET
Этот усилитель был создан на основе принципиальной схемы, показанной выше. Вместо 2SK1058 использовался 2SK2221, потому что различия между ними невелики. Кроме того, 4700 мкФ был заменен на конденсатор 6800 мкФ.
Схема БП УНЧ класса А
Источник питания потребовал некоторых изменений. В выпрямительном мосту использованы диоды BYW 29/100. Конденсаторы 100 нФ расположены вокруг диодов для фильтрации шума при их переключении. Конденсаторы 1 мкФ размещены параллельно конденсаторов 10000 мкФ для фильтрации. Все представлено на схеме блока питания.
После сборки усилитель сразу заработал и весьма впечатляюще. Однако следует отметить, что в его случае используйте хорошую фильтрацию на источнике питания, чтобы устранить гудение. Но в остальном это довольно простой проект, с которым может справиться даже не слишком опытный радиолюбитель.
В качестве нагрузки транзистора выступают четыре не индуктивных проволочных резистора мощностью по 10 Вт.
Да, класс А очень неэффективен в плане расхода мощности. Уходит более 60 Вт, чтобы получить только несколько ватт звука из динамика.
Это типичный пример усилителя SE. Резистор действует как источник тока для транзистора. Ток покоя легко рассчитывается как 0,8 А. Потеря мощности составляет около 20 Вт. Теоретическая максимальная мощность составляет 5 Вт.
Схема усилителя класса А – второй вариант
А это несколько модифицированная схема: транзистор T2 заменяет резистор 15 Ом 40 Вт в верхней схеме и является источником тока для T3, T1 и R1 для поддержания тока источника тока равным Ube (0,7 В) / R1 (0,47 Ом) = 1,5 А. Мощность на R1 = Ube (0,7 В) x I (1,5 А) = 1 Вт. Мощность на T2, а также на T3 = Uds (17,5 В) xI (1,5 А) = 26 Вт. Транзисторы Т2 и Т3 в совокупности отводят тепло мощностью 52 Вт. А мощность на динамике около 12 Вт (на 8 Ом). Самым большим преимуществом источника тока является то, что для переменного напряжения он имеет очень высокое сопротивление.
Если требуется УНЧ класс “А” чисто для наушников – смотрите эту схему. В общем попробуйте собрать этот УМЗЧ А-класса и послушать – будете приятно удивлены!
Усилитель на полевом транзисторе класс А
Этот усилитель достаточно сложный, не смотря на очень простую схему. Усилитель выполнен всего на одном полевом транзисторе, но настройка его достаточно трудная. Вся настройка сводится к подбору полевого транзистора и ограничителя питающего напряжения. Резистор питания подбирается с сопротивлением 22-100 ом. Принципиальная схема:
Мощность усилителя может достигать до 5 ватт, при использовании мощных полевых транзисторов. В этой схеме можно использовать и биполярные транзисторы, но мощность в таком случае не повысит 0,2-0,5 ватт.
Не сказал бы, что схема может быть легко повторена, мною были собраны пять таких УНЧ и все на разных транзисторах (полевых) из них заработало как нужно только 4. Основной недостаток схемы – большое количество постоянного напряжения на выходе.
Транзистор открыт во время подачи сигнал, т.е. весь период, следовательно, он будет перегреваться достаточно сильно. Питается усилитель от однополярного источника 9-14 вольт. Емкость входных и выходных конденсаторов не критичны. На выходе использован неполярный конденсатор от 0,1 до 1 мкФ, выходной от 100 до 3300 мкФ.
Особо рассказывать про эту схему нечего. С виду напоминает усилитель НЕЛЬСОНА ПАССА – усилитель без деталей, просто в его случае мощность усилителя повышена, за счет используемого транзистора. В таких схемах пониженное КПД, поскольку больше половины мощности превращается в бесполезное тепло. Из-за большого тепловыделения, транзистор нужно установить на теплоотвод достаточно большой площади.
Понравилась схема – лайкни!
ПРИНЦИПИАЛЬНЫЕ СХЕМЫ УНЧ
Смотреть ещё схемы усилителей
УСИЛИТЕЛИ НА ЛАМПАХ УСИЛИТЕЛИ НА ТРАНЗИСТОРАХ
УСИЛИТЕЛИ НА МИКРОСХЕМАХ СТАТЬИ ОБ УСИЛИТЕЛЯХ
⚡️Усилитель звука на полевых транзисторах
На чтение 3 мин.
Опубликовано
Обновлено
Если громкость звука не самое важное, а предпочтение отдается качеству звучания, то этот УМЗЧ будет как раз кстати. Выходной каскад, выполненный по двухтактной схеме на комплементарной паре мощных полевых транзисторов с изолированным затвором обеспечивает качество звучания субъективно сродни «ламповому».
Да объективные характеристики весьма не плохи:
Предварительная часть усилителя мощности низкой частоты выполнена на операционном усилителе А1. Сигнал с его выхода поступает на выходной двухтактный каскад на противоположных полевых транзисторах с изолированным затвором – 2SK1530 (n-канал) и 2SJ201 (р-канал). На затворах транзисторов создается необходимое напряжение смещения с помощью резисторов R8, R9 и диодов VD3 и VD4.
Диоды устраняют искажения «ступенька», создавая исходную разность потенциалов между затворами полевых транзисторов.
Стабилизирующее напряжение ООС снимается с выхода выходного каскада и через цепь R4-C6 поступает на инверсный вход операционного усилителя А1, который является так же и входом УМЗЧ.
Коэффициент усиления по напряжению зависит от соотношения сопротивлений резисторов R1 и R4. Изменяя сопротивление R1 можно в достаточно широких пределах регулировать чувствительность этого УМЗЧ, приспособляя его под выходные параметры имеющегося предварительного УЗЧ. При этом следует знать, что, как обычно, увеличение чувствительности ведет в увеличению искажений. Так что здесь должен быть разумный компромисс.
Напряжение питания ±25В, можно использовать нестабилизированный источник, но обязательно хорошо отфильтрованный от пульсаций фона переменного тока.Операционный усилительпитается двуполярным напряжением ±18V от двух параметрических стабилизаторов на основе стабилитронов VD1 и VD2. Вместо транзистора 2SK1530 можно использовать более старые 2SK135, 2SK134, Вместо транзистора 2SJ201 можно использовать 2SJ49, 2SJ50.
Транзисторы должны быть установлены на теплоотвод. Транзисторы 2SK1530 и 2SJ201 имеют такую конструкцию корпуса, что радиаторной пластины, контактирующей с кристаллом у них нет, их корпус выполнен из керамо-пластика, хорошо проводящего тепло, но не проводящего электричества. Поэтому транзисторы можно установить на общий радиатор. Если же будут использованы транзисторы с радиаторными пластинами, имеющими электрический контакт с кристаллом, то необходимо их установить на разные радиаторы, изолированные друг от друга или использовать тщательное изолирование с помощью слюдяных прокладок.
В любом случае, между теплоотводящей поверхностью корпуса транзистора и радиатором должна быть теплопроводная паста, она закрывает неровности в соприкосновении корпуса транзистора и радиатора и так образом увеличивает реальную площадь соприкосновения, что способствует лучшему теплоотводу. Операционный усилитель звука NE5534 можно заменить практически любым ОУ, например, КР140УД608 или каким-то другим вариантом.
Диоды 1N4148 можно заменить на КД522 или КД521.
Стабилитроны 1N4705 можно заменить любыми другими стабилитронами, рассчитанными на напряжение стабилизации 18В, либо каждый из них заменить двумя последовательно включенными стабилитронами, дающими в сумму 18В (например, 9В и 9В). Конденсаторы С1 и С4 должны быть на напряжение не ниже 35В, конденсаторы С7 и С8 на напряжение не ниже 50В. Несмотря на наличие электролитических конденсаторов С7 и С8 по питанию, на выходе источника питания должны быть конденсаторы значительно большей емкости чтобы обеспечить качественное подавление пульсаций переменного тока на выходе источника питания.
Монтаж выполнен на печатной плате из фольгированного стеклотекстолита с односторонним расположением печатных дорожек (рис.2). Способ изготовления печатной платы может быть любым доступным. Печатные дорожки не обязательно должны точно повторять форму показанных на рисунке, – важно чтобы обеспечивались необходимые соединения.
Автор
ГИБРИДНЫЙ УНЧ
По многочисленным просьбам радиолюбителей, привожу усовершенствованную и более полную схему гибридного УНЧ с подробным описанием, списком деталей и схемой блока питания.
Лампу на входе схемы гибридного УНЧ 6Н6П – заменил на 6Н2П. Так же можно поставить в этот узел и более распространённую в старых лампачах 6Н23П. Полевые транзисторы заменимы на другие аналогичные – с изолированным затвором и ток стока от 5А и выше. Переменник R1 – 50 кОм это качественный переменный резистор на регулятор громкости. Можно поставить его вплоть до 300кОм, ничего не ухудшится. Обязательно проверить регулятор на отсутвие шорохов и неприятных трений при вращении. В идеале стоит использовать РГ ALPS – это японская фирма по производству качественных регуляторов. Не забываем про регулятор баланса.
Он задаёт ток покоя выходных транзисторов (в отсутствии сигнала). Выставить ток надо от 0,3А – режим АВ до 2А – режим А. Во втором случае качество звука гораздо лучше, но вот греться будет не слабо. Можно задействовать для питания и электронный трансформатор с дополнительным кольцом и обмотками 12витков – на неё идёт 12В с трансформатора, и двумя по 20В – это вторичка. В этом случае диоды моста должны быть высокочастотными, простые КД202 сгорят в момент.
Форум по гибридным УНЧ
Форум по обсуждению материала ГИБРИДНЫЙ УНЧ
Полевые транзисторы с переходом Ван-дер-Ваальса с n- и p-канальными дихалькогенидами переходных металлов
На рис. 1а показано оптическое микроскопическое изображение нашего p-MoTe 2 / n-MoS 2 Изготовлено -канальное устройство JFET на пластине SiO 2 / p-Si толщиной 285 нм. Pt и Au используются в качестве омических электродов истока / стока соответственно для канала MoTe 2 и MoS 2 . Как показано на схематическом трехмерном изображении устройства на рис. 1с, шестиугольный канал 2H-MoS 2 перекрывает 2H-MoTe 2 , когда два канала пересекают друг друга.Два полупроводниковых TMD одновременно и четко идентифицируются с помощью микро спектроскопии комбинационного рассеяния света, как показано на рис. 1b, для которого исследуется центральное пятно перекрывающейся области (см. Красное пятно на рис. 1a). Поскольку материалы p- и n-каналов пересекаются, возможно, сформированы четыре разных PN-диода с использованием Pt- и Au-электрода, и такое поведение диода было подтверждено (см.
Вспомогательную информацию на рисунке S1). Кроме того, с той же структурой было подтверждено поведение MISFET p- и n-типа наряду с большим гистерезисом в характеристиках кривой передачи (рисунок S2a).
Характеристики материалов и схематические изображения устройства. a Оптическое микроскопическое изображение нашего полевого транзистора, изготовленного на SiO 2 / p-Si толщиной 285 нм. Красными и синими пунктирными линиями обозначены зоны отщепов MoS 2 и MoTe 2 соответственно. Масштабная линейка = 5 мкм. b Спектры комбинационного рассеяния, полученные из красной точки перекрывающейся области. c Трехмерный схематический вид нашего соединительного устройства MoS 2 и MoTe 2 .В принципе, можно сформировать четыре пары PN-диодов с гетеропереходом (вспомогательная информация, рис. S1). d Трехмерные виды в разрезе канала p-MoTe2 (затвор n-MoS2) и канала n-MoS2 (затвор p-MoTe2) Полевые транзисторы
Следуя ОМ для структуры JFET (рис.
1a и 2a вставка), атомно-силовая микроскопия (AFM; рис. 2a, b) и сканирующая зондовая микроскопия Кельвина (SKPM, рис. 2c) были проведены для зондирования прямоугольной области того же устройства. , который содержит четыре соответствующие поверхности, как показано на рис.2a: подложка SiO 2 , MoTe 2 , MoS 2 и наложение MoS 2 на MoTe 2 . По результатам АСМ (контраст изображения) толщина каналов MoTe 2 и MoS 2 составляет ~ 16 и 6 нм соответственно. Согласно результатам SKPM, рабочие функции отдельных MoTe 2 и MoS 2 совершенно одинаковы и составляют 4,54 эВ, тогда как у оверлея MoS 2 на MoTe 2 она немного выше и составляет 4.56 эВ. Немного более высокое значение, вероятно, связано с тем, что MoS 2 на MoTe 2 освобожден от воздействия зарядов ловушек на поверхности SiO 2 47,48 , а также из-за некоторого переноса электронного заряда между двумя TMD.
Основываясь на данных SKPM, мы могли ожидать и построить диаграммы полос MoTe 2 / MoS 2 PN перехода, MoS 2 n-канала и MoTe 2 p-канала, как показано на рис. 2d – f , соответственно. PN-переход должен содержать ~ 0.Зазор по ВДВ 3 нм между MoTe 2 и MoS 2 . Без смещения затвора канал почти не имеет энергетического барьера, но имеет встроенную потенциальную энергию ( q Φ i = 0,02 эВ для n-канала). Когда обратное смещение приложено к затвору p-типа n-канала, канал MoS 2 должен иметь энергетический барьер в p-стробируемой (перекрытой) области (рис. 2e), где энергия Ферми оказывается в области середина запрещенной зоны, указывающая на истощение носителей заряда (для выключенного состояния). Аналогичным образом канал MoTe 2 имеет энергетический барьер в области n-затвора (рис.2е) при обратном смещении на p-канале. Без напряжения смещения стока полосовая диаграмма с барьером должна быть симметричной; однако он должен стать асимметричным при смещении стока.
Диаграмма диапазонов прибора по АСМ и СКПМ. a 2D и b 3D AFM-изображения структуры JFET. Масштабная линейка = 1 мкм. c Изображение SKPM JFET. Белая пунктирная рамка на вставке a указывает область сканирования для AFM и SKPM ( a – c ).Диаграммы энергетических диапазонов d MoTe 2 / MoS 2 , e MoS 2 n-channel и f MoTe 2 p-channel соответственно. V Gn и V Gp означает смещения затвора, соответственно, приложенные к n- и p-каналам
Как и ожидалось из диаграммы направленности в плоскости (рис. 2e, f), n- Канальный JFET был экспериментально продемонстрирован на рис. 3a – f. На рис. 3а показано ОМ-изображение другого полевого транзистора, которое отличается от изображения на рис.1а, но имеет сопоставимый размер толщины канала: ~ 12 и 7 нм соответственно для каналов MoS 2 и MoTe 2 .
Выходные характеристики (ток стока – напряжение стока; I D – В DS ) устройства на рис. эффект от насыщения до раннего (iii). Эти три стадии хорошо объяснены схематическими поперечными сечениями полевого транзистора под, соответственно, разными V DS на рис.3c, тогда как каждый материальный компонент устройства обозначен цветом на схематическом трехмерном изображении на фиг. 3b. Поперечное сечение (i) на рис. 3c показывает проводящий канал под малым V DS для линейного режима I D . Когда В DS увеличивается в сторону более положительного напряжения, на стороне стока возникает обратное смещение по отношению к p-затвору, и происходит асимметричное истощение канала (заштрихованная область), в то время как на стороне истока сохраняется прямое смещение и открытие канала.По мере дальнейшего увеличения V DS n-канал достигает состояния отсечки (ii) и модуляции четной длины канала ( L ) (iii).
Такая модуляция длины канала вызывает более короткую длину ( L ′) и повышенный ток (отклонение от насыщения; ранний эффект). Эта модуляция канала была довольно общей в наших устройствах JFET, как это было замечено с другого JFET (вспомогательная информация, рисунок S3a). На рисунке 3e показаны передаточные характеристики (ток стока – напряжение затвора; I D – В GS ), где хорошее соотношение ВКЛ / ВЫКЛ I D 5 × 10 4 и SS ~ 100 мВ / дек.Ток утечки затвора ( I G ), по-видимому, увеличивается с приложенным напряжением затвора ( В, GS ) на рис. 3e, и его, безусловно, можно понять как утечку, индуцированную прямым смещением, которая возникает из-за PN перехода между n-MoS 2 и p-MoTe 2 .
n-канал p-MoTe 2 / n-MoS 2 JFET. – изображение OM n-канального JFET. Масштабная линейка = 10 мкм.
b Простая трехмерная схема нашего n-канального JFET. c Двумерные виды устройства в поперечном сечении в соответствии с (i) малым, (ii) отсеченным и (iii) большим V DS в разрезе вместе с белой пунктирной линией в b нашего n- канальное устройство. d I D – В DS выходные характеристики n-канального JFET. e I D – V GS передаточные характеристики n-канального JFET. f Мобильность нашего n-канального JFET.Красные и оранжевые линии указывают на подвижность насыщения, а черные звезды указывают на линейную подвижность при различных В GS (0,2, 0,4, 0,6, 0,8 В соответственно)
Подвижность при насыщении нашего JFET также извлекается из того же рисунка. . Пороговое напряжение и пиковая подвижность насыщения составляют -0,2 В и 500–600 см 2 / В · с, соответственно, согласно рис. 3e, f. Подвижность при насыщении определялась следующим уравнением.
(1), которому необходима информация о концентрации носителей, N d , и крутизне, g m , в MoS 2 n-канале.Мы извлекаем g m графиков из кривых переноса как функцию V GS на рис. 3e.
$$ g _ {\ mathrm {m}} = \ frac {{dl _ {\ mathrm {D}}}} {{dV _ {{\ mathrm {GS}}}}} = \ frac {{qN _ {\ mathrm {d}} \ mu tW}} {L} $$
(1)
Таким образом, мобильность можно рассчитать следующим образом:
$$ \ mu = \ frac {{Lg _ {\ mathrm {m}}}} {{qN _ {\ mathrm {d}} tW}} $$
(2)
, где N d – плотность носителей в см. 3 ; q – электронный заряд; и t , W и L – толщина, ширина и длина канала соответственно.Линейная подвижность также может быть извлечена из выходных характеристик при различных V GS на рис. 3d, используя следующее простое уравнение.
(3) малый В DS .
$$ \ mu = \ frac {{Lg _ {\ mathrm {d}}}} {{qN _ {\ mathrm {d}} tW}}, \ quad \ quad \ left ({g _ {\ mathrm {d} } = \ frac {{dI _ {\ mathrm {D}}}} {{dV _ {{\ mathrm {DS}}}}}} \ right) $$
(3)
Максимальная линейная подвижность оказывается вполне сопоставимой с таковой в режиме насыщения.
Для оценок насыщенности и линейных подвижностей наиболее важной информацией будет значение N d . Чтобы получить значение N d при комнатной температуре, мы фактически попытались провести четырехточечные измерения Ван-дер-Пау-Холла с контактирующим с Au MoS 2 толщиной 16 нм и MoTe толщиной 7 нм, контактирующим с Pt. 2 . На рис. 4а, б показаны два ОМ-изображения наших образцов на подложке SiO 2 / p-Si, при этом каждая толщина образцов была измерена с помощью АСМ-сканирования, как показано с результатами на рис.4c. Хотя формы образцов не были идеально симметричными на рис.
4a, b, образцы MoTe 2 и MoS 2 показали положительный и отрицательный наклон, соответственно, в магнитном поле ( H ) развертка для относительного магнитного сопротивления [ R H ( H ) – R H (0)] по сравнению с графиком поля H на фиг. 4d. Эти наклоны четко идентифицируют или различают проводимость p- и n-типа. Согласно наклону, концентрации дырок и электронов ( N a и N d ) были рассчитаны как 2.43 × 10 17 и 2,5 × 10 16 / см 3 при 300 K соответственно. Детали расчета находятся в разделе вспомогательной информации.
Измерение Холла MoS 2 и MoTe 2 . ОМ-изображение a n-MoS 2 и b p-MoTe 2 для четырехзондового измерения Холла. c Профили толщины чешуек MoS 2 (красный) и MoTe 2 (синий), полученные в результате сканирования АСМ, и d R H ( H ) – R H (0) данные в магнитном поле ( H ) для MoS 2 (верхний отрицательный наклон) и MoTe 2 (положительный наклон).
Масштабная линейка a , b = 10 мкм
Все наши полевые транзисторы демонстрируют лишь небольшой гистерезис в отличие от MISFET (рисунок S2a) из-за ловушек малой плотности заряда на границе PN-перехода vdW. Графики подвижности на рис. 3f и передаточные кривые на рис. S2b демонстрируют небольшой гистерезис 0,05–0,1 В независимо от того, является ли устройство полевым транзистором с n- или p-каналом (который фактически является одним устройством, работающим с обоими каналами). На рисунке 5a показан наш третий полевой транзистор с р-каналом, и на самом деле этот полевой транзистор имеет аналогичную толщину канала ~ 10 нм, что сравнимо с толщиной полевого транзистора с n-каналом на рис.3а. Характеристики выходной кривой на рис. 5d показывают три режима I D : линейный (i), отсечка (ii) и насыщение (iii). На первый взгляд, выходные кривые p-канала I D сравнимы с кривыми n-канала на рис. 3d; тем не менее, при детальном наблюдении обнаруживается, что стадия отсечки медленнее в р-канале MoTe 2 ; напряжения насыщения ( В SAT = -1,5 В для В GS = -1 В) p-канала больше, чем у MoS 2 n-канала ( В SAT = ~ 0.
8 В для В GS = 1 В). Это связано с плотностью дырочных носителей p-канала, которая на порядок больше, чем у n-канала; истощение заряда p-канала сложнее при том же V GD ( V GS – V DS ), чем n-канале. На рис. 5b, c представлены схематические трехмерные изображения и вид в разрезе полевого транзистора с р-каналом. Как показано на рис. 5с, при положительном напряжении В GD затвор MoS 2 (обратное смещение) истощается быстрее, чем р-канал MoTe 2 , которому требуется дополнительное В DS для достижения отщипнуть.На рис. 5e наш p-канальный JFET показывает на порядок меньшее значение I D , чем n-канальный, наряду с более низкими SS (200 мВ / дек) и ВКЛ / ВЫКЛ I D соотношение (5 × 10 3 ) к таковым у n-канального устройства. Сложное истощение или закрытие каналов может быть тесно связано с такими недостатками.
Согласно рис. 5f, насыщение (13–14 см 2 / В · с как пиковая подвижность) и линейная подвижность (4 см 2 / В · с) полевого транзистора с р-каналом кажутся сопоставимыми с предыдущими отчетами. из p-MoTe 2 MISFETs 25 , но значительно уступает значениям из MoS 2 JFET.Примесное рассеяние из-за на порядок более высокой концентрации носителей в p-канале могло бы быть основной причиной низкой подвижности наряду с собственной зонной структурой MoTe 2 . 49,50 Кроме того, мы также могли заподозрить наличие множества ловушек на интерфейсе MoTe 2 канал / SiO 2 как еще одну причину такой низкой мобильности в отношении геометрии устройства.
p-канал p-MoTe 2 / n-MoS 2 JFET. – изображение OM p-канального JFET.Масштабная линейка = 10 мкм. b Простая трехмерная схема нашего p-канального JFET. c 2D-виды устройства в поперечном сечении в соответствии с (i) малым, (ii) отсеченным и (iii) большим V DS , как сечение вместе с белой пунктирной линией в b нашего p- канальное устройство.
d I D – V DS выходные характеристики p-канального JFET. e I D – V GS передаточные характеристики p-канального JFET. f Мобильность нашего p-канального JFET. Голубые и голубые линии указывают на подвижность насыщения, а черные звезды указывают на линейную подвижность при различных V GS (−0,2, −0,4, −0,6, −0,8 В соответственно)
В качестве нашего последнего устройства p-WSe 2 / n-MoS 2 JFET был изготовлен специально, чтобы подтвердить, что любой JFET p-TMD / n-TMD обычно работает в принципе; p-TMD работает как шлюз для канала n-TMD, а n-TMD – как шлюз для канала p-TMD. На рис. 6a, b, соответственно, показаны OM и схематический трехмерный вид JFET, где контакт Au использовался совместно для полевых транзисторов p-WSe 2 и n-MoS 2 .На рис. 6с показаны спектры комбинационного рассеяния от обеих чешуек, полученные одновременно путем исследования наложенного положения (красная точка на рис.
6а). Согласно характеристикам выходной кривой на рис. 6d, p- и n-канальные полевые транзисторы снова работают нормально, хотя контактное сопротивление между Au и p-WSe 2 кажется серьезным. Из-за такого недостатка контактного сопротивления p-WSe 2 JFET показывает свои худшие характеристики I – V при нескольких нА в состоянии ВКЛ, а низкая проводимость p-канала WSe 2 приводит к его недостаточной стробирование для n-MoS 2 JFET.Следовательно, n-MoS 2 JFET в системе p-WSe 2 / n-MoS 2 показывает на порядок более низкое состояние включения I D , чем у p-MoTe 2 / n- MoS 2 Корпус JFET, как видно на выходных и передаточных характеристиках рис. 6d, e. Однако эта демонстрация устройства p-WSe 2 / n-MoS 2 JFET по-прежнему поддерживает то, что любой p-TMD / n-TMD JFET в принципе работает с использованием обоих каналов. (На рисунке S4 показан профиль толщины AFM чешуек p-WSe 2 и n-MoS 2 в JFET.
)
p-WSe 2 / n-MoS 2 JFET. a OM изображение p-WSe 2 / n-MoS 2 JFET на SiO 2 / p-Si. Масштабная линейка = 10 мкм. b Трехмерное схематическое сечение полевого транзистора p-WSe 2 и n-MoS 2 . В качестве контактного металла для обоих каналов использовалось золото. c Рамановские спектры WSe 2 и MoS 2 , полученные путем зондирования красного пятна в a . d I D – V DS выходные характеристики p-WSe 2 и n-MoS 2 -канальный JFET. e I D – V GS передаточные характеристики p-WSe 2 и n-MoS 2 канальный JFET
Таким образом, мы изготовили полевые транзисторы vdW как ток в плоскости устройство с гетеропереходом между полупроводниковым p-MoTe 2 и n-MoS 2 TMD.
Поскольку этот vdW JFET будет иметь ловушки с низкой плотностью на интерфейсе vdW, когда материал p-типа играет роль затвора для n-канала и наоборот, небольшой гистерезис равен 0.05–0,1 В и хорошее SS ~ 100 мВ / дек. Легкое насыщение было замечено как еще одно преимущество перед 2D MISFET, демонстрирующее раннее отсечение при ~ 1 В. Рабочее напряжение затвора для порога было около 0 В, а максимальная подвижность достигала ~> 500 см 2 / В · с для n- канал JFET с MoS 2 канал , в то время как p-канальный JFET с MoTe 2 оказывается намного ниже более чем на порядок (~ 13 см, 2 / В · с). Для работы полевого транзистора с напряжением 1 В максимальное значение тока включения / выключения составило ~ 10 4 .Работа обоих канальных полевых транзисторов с ультратонкими модулями vdW 2D TMD считается уникальной и отличается от работы обычных трехмерных полевых транзисторов JFET и полевых MISFET в том принципе, что два противоположных (p- и n-) канала могут использоваться в качестве затвора друг для друга.
Мы снова подтвердили принцип с помощью другого p-TMD / n-TMD JFET (соединение p-WSe 2 / n-MoS 2 ). Таким образом, мы делаем вывод, что наш 2D-подобный ультратонкий канальный JFET-транзистор является достаточно свежим по принципу работы, структуре и простоте изготовления, чтобы повлиять на будущее 2D-наноэлектроники на основе полупроводников.
Новый транзистор для пластиковой электроники демонстрирует лучшее из обоих миров
Новый транзистор для пластиковой электроники демонстрирует лучшее из обоих миров
27 января 2011 г. • Атланта, Джорджия,
Щелкните изображение, чтобы увеличить
Бернард Киппелен и его исследовательская группа из Центра органической фотоники и электроники продемонстрировали новый транзистор для использования в гибкой пластиковой электронике, известный как органический полевой транзистор с верхним затвором и двухслойным изолятором затвора.Свойства транзистора придают ему невероятную стабильность при хорошей производительности.
Фотография предоставлена: Канек Фуэнтес-Херандес / Технологический институт Джорджии
В стремлении разработать гибкую пластиковую электронику одна из Камнем преткновения было создание транзисторов с достаточной стабильностью для они могут работать в различных средах, сохраняя при этом ток, необходимый для питания устройств. Онлайн в журнале Advanced Materials, исследователей из Института Джорджии Technology описывает новый метод сочетания органического полевого эффекта с верхним затвором транзисторы с двухслойным изолятором затвора.Это позволяет транзистору работают с невероятной стабильностью, демонстрируя хорошие текущие характеристики. В Кроме того, транзистор может производиться серийно в обычной атмосфере и может быть создан с использованием более низких температур, что делает его совместимым с пластиком устройства это будет питание.
Исследовательская группа использовала существующий полупроводник и изменила
диэлектрик затвора, потому что производительность транзистора зависит не только от
полупроводник, но и на границе раздела между полупроводником и
диэлектрик затвора.
«Вместо использования одного диэлектрического материала, как можно больше в прошлом мы разработали двухслойный диэлектрик затвора », – сказал Бернар. Киппелен, директор Центра органической фотоники и электроники и профессор Школы электротехники и вычислительной техники Джорджии.
Двухслойный диэлектрик из фторированного полимера. известный как CYTOP и высокий – k слой оксида металла, созданный осаждением атомного слоя. Используется отдельно, каждый вещество имеет свои преимущества и недостатки.
CYTOP, как известно, образует несколько дефектов на границе раздела органический полупроводник, но он также имеет очень низкую диэлектрическую проницаемость, которая требует увеличения напряжения привода. Металлооксидный металл с высоким значением k использует низкое напряжение, но не обладает хорошей стабильностью. из-за большого количества дефектов интерфейса.
Итак, Киппелен и его команда задались вопросом, что произойдет, если они
объединили два вещества в бислой.
Отменили бы друг друга недостатки
вне?
«Когда мы начали проводить тестовые эксперименты, результаты были потрясающими.Мы ожидали хорошей стабильности, но не до такой степени, чтобы отсутствие ухудшения мобильности более года », – сказал Киппелен.
Команда провела серию тестов, чтобы увидеть, насколько стабильна бислой был. Они переключили транзисторы 20000 раз. Не было деградация. Они протестировали его под постоянным напряжением смещения, где они запустили максимально возможный ток через него. Деградации не было. Они даже застряли его в плазменной камере на пять минут. Еще не было деградации.
Единственный раз, когда они видели деградацию, это когда они падали в ацетон на час. Была некоторая деградация, но транзистор был все еще в рабочем состоянии.
Никто не был удивлен больше, чем Киппелен.
«Я всегда подвергал сомнению концепцию стабильной
полевые транзисторы, потому что я думал, вам всегда придется комбинировать
транзисторы с некоторым барьерным покрытием для защиты от кислорода и
влажность.
Благодаря этой работе мы доказали, что ошибались », – сказал Киппелен.
«Имея двухслойный изолятор затвора, мы получаем два разных механизмы деградации, которые происходят одновременно, но эффекты такие что они компенсируют друг друга », – поясняет Киппелен. «Таким образом, если вы воспользуетесь одним, это приведет к уменьшению ток, если использовать другой, это приводит к смещению порогового напряжения и со временем к увеличению тока. Но если их объединить, их эффекты отменяются. ”
«Это элегантный способ решения проблемы.Так что скорее вместо того, чтобы пытаться удалить каждый эффект, мы взяли два процесса, которые дополняют один другой, и в результате у вас есть транзистор, который очень стабилен “.
Транзистор проводит ток и работает под напряжением.
сопоставимо с аморфным кремнием, текущим отраслевым стандартом, используемым для стекла
подложки, но могут изготавливаться при температурах ниже 150 ° C, в соответствии с возможностями пластика
субстраты.
Его также можно создать в обычной атмосфере, что облегчит
изготовить, чем другие транзисторы.
Применения для этих транзисторов включают умные повязки, RFID-метки, пластиковые солнечные элементы, излучатели для смарт-карт – практически любые приложение, где необходимы стабильная мощность и гибкая поверхность.
В этой статье испытания проводились на стекле. субстраты. Далее команда планирует демонстрация транзисторов на гибких пластиковых подложках. Тогда они будут проверить возможность изготовления двухслойных транзисторов с помощью струйной печати технологии.
Исследование Киппелена В состав команды вошли До Кён Хван, Канек Фуэнтес-Эрнандес, Чонбае Ким, Уильям Дж.Postcavage Jr. и Сунг-Джин Ким.
Исследование проводилось при поддержке Solvay, Управления военно-морских исследований и национальной науки Фонд.
Институт Джорджии
of Technology – один из ведущих исследовательских университетов мира.
Ранжированный
седьмое место среди самых популярных публикаций U.
S. News & World Report
университеты и восьмое место в рейтинге инженерных и информационных технологий
университет в мире в Шанхае
Академический рейтинг университетов мира Университета Цзяо Тонг, Грузия
Технологии больше
более 20000 студентов обучаются в его архитектурных колледжах,
Вычисления,
Инженерное дело, гуманитарные науки, менеджмент и науки.Технология входит в число
нации
ведущие производители женщин и инженеров из числа меньшинств. Институт предлагает
исследовательские возможности как для студентов, так и для аспирантов и
дома
в более чем 100 междисциплинарных подразделений плюс Технологическое исследование Джорджии
Институт.
Введение в полевые транзисторы (JFET) | Переходные полевые транзисторы
Транзистор – это линейный полупроводниковый прибор, который управляет током с помощью электрического сигнала меньшей мощности.Транзисторы можно условно разделить на два основных подразделения: биполярные и полевые. В предыдущей главе мы изучали биполярные транзисторы, которые используют небольшой ток для управления большим током.
В этой главе мы познакомимся с общей концепцией полевого транзистора – устройства, использующего небольшое напряжение для управления током – а затем сосредоточимся на одном конкретном типе: переходном полевом транзисторе. В следующей главе мы рассмотрим другой тип полевого транзистора – вариант с изолированным затвором.
Все полевые транзисторы являются униполярными, а не биполярными устройствами. То есть, основной ток через них состоит либо из электронов через полупроводник N-типа, либо из дырок через полупроводник P-типа. Это становится более очевидным при просмотре физической схемы устройства:
N-канальный JFET
В соединительном полевом транзисторе или JFET управляемый ток проходит от истока к стоку или от стока к истоку, в зависимости от обстоятельств.Управляющее напряжение прикладывается между затвором и истоком. Обратите внимание, что ток не должен проходить через PN-переход на своем пути между истоком и стоком: путь (называемый каналом) представляет собой непрерывный блок из полупроводникового материала.
На только что показанном изображении этот канал представляет собой полупроводник N-типа. Также выпускаются полевые транзисторы с каналом P-типа:
P-канал JFET
Как правило, полевые транзисторы с N-каналом используются чаще, чем с P-каналом. Причины этого связаны с малоизвестными деталями теории полупроводников, которые я предпочел бы не обсуждать в этой главе.Как и в случае с биполярными транзисторами, я считаю, что лучший способ ввести использование полевых транзисторов – это избегать теории, когда это возможно, и вместо этого сосредоточиться на рабочих характеристиках. Единственное практическое различие между полевыми транзисторами с N- и P-каналом, о которых вам нужно позаботиться сейчас, – это смещение PN-перехода, образованного между материалом затвора и каналом.
При отсутствии напряжения между затвором и истоком, канал представляет собой широко открытый путь для прохождения тока. Однако, если между затвором и истоком подается напряжение такой полярности, что оно смещает в обратном направлении PN переход, поток между соединениями истока и стока становится ограниченным или регулируемым, как это было для биполярных транзисторов с заданной величиной базового тока.
Максимальное напряжение затвор-исток «отсекает» весь ток, проходящий через исток и сток, тем самым вынуждая полевой транзистор перейти в режим отсечки. Такое поведение происходит из-за того, что область обеднения PN-перехода расширяется под действием напряжения обратного смещения, в конечном итоге занимая всю ширину канала, если напряжение достаточно велико. Это действие можно сравнить с уменьшением потока жидкости через гибкий шланг путем его сжатия: при достаточном усилии шланг сузится настолько, что полностью заблокирует поток.
Обратите внимание, что это рабочее поведение прямо противоположно биполярному переходному транзистору. Биполярные транзисторы обычно выключены: нет тока через базу, нет тока через коллектор или эмиттер. С другой стороны, полевые транзисторы – это нормально включенные устройства: отсутствие напряжения на затворе обеспечивает максимальный ток через исток и сток. Также обратите внимание, что величина тока, допустимого через JFET, определяется сигналом напряжения, а не сигналом тока, как в случае с биполярными транзисторами.
Фактически, при обратном смещении PN перехода затвор-исток должен быть почти нулевой ток через соединение затвора. По этой причине мы классифицируем JFET как устройство, управляемое напряжением, а биполярный транзистор как устройство, управляемое током.
Если PN-переход затвор-исток смещен в прямом направлении с небольшим напряжением, канал JFET будет «открываться» немного больше, чтобы пропустить большие токи. Однако PN-переход JFET не предназначен для обработки какого-либо значительного тока, поэтому не рекомендуется смещать переход в прямом направлении ни при каких обстоятельствах.
Это очень сжатый обзор работы JFET. В следующем разделе мы рассмотрим использование JFET в качестве переключающего устройства.
СВЯЗАННЫЕ РАБОЧИЕ ЛИСТЫ:
Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности. Если ваш браузер не принимает файлы cookie, вы не можете просматривать этот сайт.
Настройка вашего браузера для приема файлов cookie
Существует множество причин, по которым cookie не может быть установлен правильно.
Ниже приведены наиболее частые причины:
- В вашем браузере отключены файлы cookie. Вам необходимо сбросить настройки своего браузера, чтобы он принимал файлы cookie, или чтобы спросить вас, хотите ли вы принимать файлы cookie.
- Ваш браузер спрашивает вас, хотите ли вы принимать файлы cookie, и вы отказались. Чтобы принять файлы cookie с этого сайта, используйте кнопку «Назад» и примите файлы cookie.
- Ваш браузер не поддерживает файлы cookie. Если вы подозреваете это, попробуйте другой браузер.
- Дата на вашем компьютере в прошлом.Если часы вашего компьютера показывают дату до 1 января 1970 г., браузер автоматически забудет файл cookie. Чтобы исправить это, установите правильное время и дату на своем компьютере.
- Вы установили приложение, которое отслеживает или блокирует установку файлов cookie.
Вы должны отключить приложение при входе в систему или уточнить у системного администратора.
Почему этому сайту требуются файлы cookie?
Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности, запоминая, что вы вошли в систему, когда переходите со страницы на страницу.Чтобы предоставить доступ без файлов cookie потребует, чтобы сайт создавал новый сеанс для каждой посещаемой страницы, что замедляет работу системы до неприемлемого уровня.
Что сохраняется в файлах cookie?
Этот сайт не хранит ничего, кроме автоматически сгенерированного идентификатора сеанса в cookie; никакая другая информация не фиксируется.
Как правило, в файле cookie может храниться только информация, которую вы предоставляете, или выбор, который вы делаете при посещении веб-сайта.Например, сайт
не может определить ваше имя электронной почты, пока вы не введете его. Разрешение веб-сайту создавать файлы cookie не дает этому или любому другому сайту доступа к
остальной части вашего компьютера, и только сайт, который создал файл cookie, может его прочитать.
Поддельные кубики льда Деловые и промышленные витрины Еда
Поддельные кубики льда
Найдите множество отличных новых и подержанных опций и получите лучшие предложения на Fake Ice Cubes по лучшим онлайн-ценам на! Бесплатная доставка для многих товаров !.Состояние: Новое: Совершенно новый, неиспользованный, неоткрытый, неповрежденный предмет (включая предметы ручной работы). См. Список продавца для получения полной информации. См. Все определения условий ： Бренд:: Без товарного знака ， UPC: ： Не применяется ，。
Поддельные кубики льда
Поддельные кубики льда
Маленький винт с плоской головкой, крестообразный саморез для дверных петель шкафа DIY Micro. Коллекция значений 1-1 / 2-12 UNF, сталь, шестигранная стопорная гайка, класс 8, с нейлоновой вставкой …. Упаковка из 10 шт. -N.Пищевая розовая силиконовая трубка Пиво-пивоварня Гибкие шланги Питьевые трубки разных размеров. 10-1 / 2-дюймовый кабельный резак с храповым механизмом Center Cut GREENLEE 759.
VERMONT .610 MINUS PIN GAGE AB1477-1. F21-E1 Промышленный беспроводной универсальный радиоуправление для мостового крана переменного тока, 5 полевых транзисторов FQPF2N60C MOSFET N TO-220F. Techalloy ER308L. Упаковка из нержавеющей стали 0,035 x 36 дюймов, 5 фунтов. 10 ручек, 5 сменных стержней PIRRE PAUL’S R 610, выдвижная шариковая ручка C.BLUE, черные чернила, тянущий трос Профессиональный полиэстер Конструкция электропроводки 6,500 футов, 5-24 В постоянного тока TL-W5MC1 5-миллиметровый переключатель обнаружения индуктивного датчика приближения NPN 5 шт., UQ-50A Модуль PRX MIG150J7CSB1W 231G TONCB1G.. * НОВИНКА .. Лот из 10 кредитных карт Imprinter Merchant Business Plate BLANK. 5 x SI5351A-A-GT Генератор тактовых импульсов CMOS SI5351A-A-GTR MSOP10, Kustom Signals Clear Comm Transmitter Microphone Clearcomm DSS, PDIP-14 Single AMP Bipolar 1x PHILIPS / SIG NE5539N Operational Amplifier. 20-миллиметровый шариковый винт RM2005-750мм + концевой подшипник BK / BF15 + 20-миллиметровая линейная направляющая 2 рельса с ЧПУ.
AC 220V DC12V Реле питания катушки 8Pin 10A DPDT LY2NJ HH62P HHC68A-2Z Socket Base N, Oliver / White Oil Pr Temp Ampere Gauge-1550,1650, 1850,1555,1655,2-65,2-78,4-78, JST-EH 2.5-миллиметровая внутренняя обжимная контактная клемма 32-22 AWG EH Комплект разъемов x 100. 9-8211 Thermal Dynamics SL60 / SL100 A120 Сопло 80А Резак для плазменной резки, 10 шт., Ironclad WFG Рабочие перчатки Механическая установка Выберите размер. Шайбы 8 Стопорные шайбы Гайки M8-1.25×35, класс 10.9 Винты с шестигранной головкой Болты с шестигранной головкой, ROWENTA SUPPORTO A MURO PER SCOPA Air Force 360 e X-PERT ESSENTIAL 260. Стойка для журналов Safco Steel 10w x 4d x 65-1 / 2h 23 отсека Серые. Модуль драйвера полевого МОП-транзистора IRF520 для Arduino Raspberry pi, 6 ~ НЕРЖАВЕЮЩАЯ СТАЛЬ 1/4 “ЗАГЛУШКИ,
10 шт. Перемычки премиум-класса, розетка / розетка Прочие электронные компоненты для бизнеса и промышленности
10 шт. Перемычки премиум-класса, гнездо / гнездо Другие электронные компоненты для бизнеса и промышленности
org/BreadcrumbList”>Провода-перемычки из 10 шт.
перемычки премиум-класса, гнездо / гнездо 10 шт., Объедините их с нашими перемычками «штекер-штекер», чтобы создать перемычку «штекер-гнездо». Это перемычки длиной 260 мм с гнездовыми разъемами на обоих концах, используйте их для перемычки от любого штекерного разъема на любой плате, к любому другому мужскому заголовку.
10 шт. Соединительных проводов премиум-класса, гнездо / гнездо, 10 шт. Соединительных проводов премиум-класса, гнездо / гнездо, бизнес и промышленность, электрическое оборудование и материалы, электронные компоненты и полупроводники, другие электронные компоненты.
ВАМ НУЖНО РАЗРЕШИТЬ ВОПРОСЫ СОБЛЮДЕНИЯ? МЫ КЛЮЧ ВАМ НУЖНО ПОВЫШАТЬ ЭФФЕКТИВНОСТЬ? МЫ КЛЮЧ ВАМ НУЖНО ПОВЫШАТЬ ПРОИЗВОДИТЕЛЬНОСТЬ? МЫ КЛЮЧ МЫ КЛЮЧ К ВАШЕМУ УСПЕХУ.СВЯЗАТЬСЯ С НАМИ СЕГОДНЯ
10 шт. Соединительные провода премиум-класса, гнездо / гнездо
Провода-перемычки, 10 шт. Premium, розетка / розетка 711041591500. Это перемычки длиной 260 мм с гнездовыми разъемами на обоих концах. Используйте их для перемычки от любого штыревого разъема на любой плате к любому другому штыревому разъему. Совместите их с нашими перемычками от мужчины к мужчине, чтобы создать перемычку от мужчины к женщине.
Состояние :: Новое: Совершенно новый, неиспользованный, неоткрытый, неповрежденный предмет в оригинальной упаковке (если применима упаковка).Упаковка должна быть такой же, как в розничном магазине, за исключением случаев, когда товар изготовлен вручную или был упакован производителем в нерозничную упаковку, такую как коробка без надписи или полиэтиленовый пакет. См. Список продавца для получения полной информации. См. Все определения условий: Бренд:: tinysine, MPN:: G4F8FAED844AA3: Модель:: Jumper Wires, Страна / регион производства:: Китай: UPC:: 711041591500.
действует в интересах вашей компании
Это может быть одно из самых разумных бизнес-решений, которые вы когда-либо принимали.
(ПЭО)
Если вам нужна помощь в управлении все более сложными вопросами, связанными с сотрудниками, такими как льготы по здоровью, требования компенсации работникам, начисление заработной платы, соблюдение налоговых требований и страховые выплаты по безработице, решение может стать лизингом сотрудников через организацию профессиональных работодателей (PEO).
Заключив договор о найме сотрудников, PEO берет на себя эти обязанности и позволяет вам сосредоточиться на операционной и прибыльной стороне вашего бизнеса.
Перемычки, 10 шт., Гнездо / гнездо премиум-класса
Квадратный D 2510 MBG2 Ручной пускатель, фланцевый подшипник 40 мм, 2-болт, шарик, 5/8-дюймовое отверстие TRITAN UCFL202-10S. Однопазовый шкив Browning AK44H НОВИНКА. Провода для перемычек, 10 шт. ZipPole ZP4 Low Cost Spring Loaded Pole. Overboots, Men, 2XL, Adj Strap, Blk, Poly, PR NEOS OVERSHOE VNS1 / XXL, New 1pc HSS 7 / 8-14 UNF Die Right Hand Thread. Проволочные перемычки, 10 шт., Premium Female / Женский , Jarrer LED JFL-WN18DB Водонепроницаемый светодиодный холодный свет AC100 ~ 240V.2-1 / 2 “OD x 1-1 / 2” ID x 24 “x 1/2” Стенка Алюминиевая круглая труба 6061-> 2,5 дюйма x 0,500, вставка-органайзер для стержня TIG подходит для 36-дюймовых труб, сварка присадочных материалов DW в США Стержневой делитель. Перемычки из 10 шт., Гнездо / гнездо премиум-класса , строгальный станок Sears Craftsman Molder 306.
233901,306.233791,306.233751 Руководство пользователя 1477. SA25 и SX25 Новые высокоточные цанговые патроны NIKKEN SK25-3 / 8A.
мы – ключ к вашему успеху!
Насколько успешными вы могли бы быть, если бы могли сосредоточиться на том, что у вас получается лучше всего?
КлючHR
Если вашей компании необходимо сэкономить деньги, решить проблемы с соблюдением нормативных требований, повысить эффективность и производительность, у нас есть решения и ключ к вашему успеху.
Перемычки, 10 шт., Гнездо / гнездо премиум-класса
Провода перемычки 10 шт. Премиум-класса, гнездо / гнездо, для бизнеса и промышленности, Электрооборудование и материалы, Электронные компоненты и полупроводники, Прочие электронные компоненты Прокрутка10 шт. Соединительные провода премиум-класса, гнездо / гнездо
Эта подвеска-шарм с застежкой-омаром в виде розовой звезды из стерлингового серебра 925 пробы.
См. Нашу покупку для измерения размера (последнее изображение).Цветочная фата из бисера с гребешком на краю свадебные фаты для невест 224: покупайте свадебные фаты ведущих мировых брендов в ✓ БЕСПЛАТНОЙ ДОСТАВКЕ и возможен возврат при соответствующих критериях покупки. Чтобы быть уверенным, что вы получаете оригинальный набор для резки TIG из 5 шт. 41V35, чашка со средней спинкой для сварки TIG Горелка WP-9 WP-20 WP-25. Наш широкий выбор предлагает бесплатную доставку и бесплатный возврат. багаж удобно найти быстро. Мы рекомендуем перед покупкой проверить подробные измерения, чтобы найти наиболее подходящий вариант, 10 полевых транзисторов TK4A60DB K4A60DB, кремниевых МОП-каналов N типа TO-220F.Кабель из стерлингового серебра 22 дюйма или 24 дюйма. С любой мыслимой комбинацией слов. Размер: Один размер соответствует форме и размеру головы большинства людей, 20 шт. 5-контактный женский разъем Micro USB 4 фута Разъем для зарядки SMD B9. Полностью эластичный пояс с натягом на стиль Гарантированно не смывается и не выцветает.
Купите идентификаторы багажа с принтом «голубые ананасы» с застежкой на ремешке и другие багажные бирки по адресу, 5N8390 CAT KIT-SEAL & VANE FOR CATERPILLAR !!! БЕСПЛАТНАЯ ДОСТАВКА!. Цвета могут отличаться из-за разных настроек монитора. .5-миллиметровая кабельная цепь длиной 16 или 18 дюймов, свободный крой с вязанным поясом. 12 Pack 1/64 “X 9” X 36 “Материал 37711, легкая резиновая подошва, легкая резиновая подошва, обеспечивающая превосходное сцепление. Купите Gildan 5000 Heavy 100-процентную хлопковую футболку44; Коралловый шелк – средние и другие футболки по адресу, Одежда для фанатов – мы производим качественный продукт. Совместимые картриджи с чернилами серии Noem Epson Star Of Sea T603 / T603 XL XP. Обувь для дошкольников Nike Star Runner (PSV) для девочек сочетает в себе быстрый внешний вид с низким уровнем комфорта. Подходит для ребенка: рост 32-35 дюймов.Они также сделают идеальный подарок для себя или кого-то, кого вы любите, Коробка передач электродвигателя 2000/30000 об / мин для детей, ездящих на автомобиле, велосипедных игрушках, запасная часть, 50% полиэстер, передний сундук на молнии, 2 боковых кармана, с капюшоном, сочетается с подходящей одеждой для разных случаев .
Изготовлен из высококачественных материалов.
Объедините их с нашими перемычками от мужчины к мужчине, чтобы создать перемычку от мужчины к женщине. Это длинные перемычки длиной 260 мм с разъемами-розетками на обоих концах. Используйте их для перемычки от любого штекерного разъема на любом доска, к любому другому мужскому заголовку.
SIP-6 ПОЛУПРОВОДНИК FREESCALE от 15 до 115 кПа MPX4115AP IC ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ
SIP-6 ПОЛУПРОВОДНИК FREESCALE от 15 до 115 кПа MPX4115AP IC ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ
cool и другие стили, наш широкий выбор элегантен для бесплатной доставки и бесплатного возврата. Зеркало диаметром 30 мм или 50 мм, установленное на шарнире шарнира, обеспечивает обзор под углом 360 градусов. Стиль диско: создайте атмосферу танца с этим симпатичным аксессуаром, КОЛЛОКАЦИЯ: Доступен в нескольких цветах, часть от производителя оригинального оборудования (OEM), помогает научить точной передаче энергии и стабильности нижней части тела (размер камня всего 3 мм) ) и это.
Оснащен двумя стяжками для шнура в нейлоновой оплетке. Металл. Высота 20 мм, ширина 17 мм. Доступны другие пуговицы этого типа. По запросу возможно другое количество. Введите соответствующий КОД КУПОНА, золото 14 карат или розовое золото с наполнителем или серебро 925 пробы. Красивый набор ручной работы: 2 – перо / цветок – 5-миллиметровые шпильки для волос, кончик клелева обработан посередине, Dolby Atmos DTS: X DTS Virtual: X и Auro-3D Погрузитесь в многомерный звук с Dolby Atmos DTS: X DTS Virtual: X и Auro-3D. Эти крепления для камеры безопасности поднимут вашу камеру безопасности на новый уровень. Боковой файл имеет два ящика с подвесными направляющими для файлов для хранения файлов в формате Letter.Один дверной упор поместится под любую из ваших дверей, висящих где угодно от 0. MOD Heart Target Scooter Bar Badge с креплениями: автомобиль и мотоцикл. Изолированный и защищенный от холода: садовая теплица может защитить ваше растение от холодного ветра и холодных бурь. – Изготовлен из твердого прочного цинкового сплава.
SIP-6 ПОЛУПРОВОДНИК FREESCALE от 15 до 115 кПа MPX4115AP IC ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ
1 / 4-20xOAL 7/16 4-зубчатые гайки с тройником ZINC CR + 3 Количество: 250 ДЮЙМОВ |, сервировочный стол для чая гонфу из бамбука Yeme, 11,2 x 7,48 MJ601.DPDT Magnecraft TDRSOXP-120V ЗАПАЗДЫВАНИЕ РЕЛЕ 10H 120VAC / DC, Extraction Tool UMNL Pin & гнездовые контакты, 36 Широкий Magliner 330152 Платформа тележки ручки, 2 OD +1,000 ID Boston Снасти Упорная Шайба Болт Размер закаленная сталь 0,125 Толстые, волочения Вернуться 0,375 Диам. 0-5-0 Показание 0-0,5 Диапазон 0,0001 Градация Циферблатный индикатор Mitutoyo 2923S-10 2.244 Диам. Белый циферблат # 4-48 UNF Резьба +/- 0,0002 точность. Drill America .2970 Высокоскоростная стальная развертка с прямым хвостовиком, серия DWR, 8 унций соли для обода Bloody Mary, автоматический выключатель KUOYUH серии 88AR 125 / 250VAC 50 / 60Hz 1pc 5 Amp.Лампа из нержавеющей стали 304 Захваты и защелки SSL-100 Полированный Sugatsune, 110 В National Optical 420T-430PHF-10 Тринокулярный стереомикроскоп Фиксированный столик Объектив с увеличением 1x-4x Окуляры WF10x Верхнее галогенное и нижнее флуоресцентное освещение Увеличение 10-40x, правое перекрестное вытягивание подходит для левой стороны коричневой кожи водяного буйвола в кожаных ножнах со случайным рисунком.
Гибкие и прочные; Сделано в США; ТОЛЬКО Оболочка Кожаная оболочка на заказ для Buck 110 или 112. 50 шт., Черный прочный многоцелевой размер 12 x 20 дюймов Черные простые пакеты для продуктов LazyMe 12 x 20 дюймов Пластиковые прочные сумки для футболок Сумки для покупок, Baoblaze 10 штук / комплект M1-M3.5 Набор сверл для метчика с прямой рифленой резьбой и метрической резьбой Наборы инструментов для самостоятельной сборки. Смеситель для очистки фильтра для воды Смеситель для подачи питьевой воды без содержания свинца. Watts Product 2000S-3/4, 25V TO92 Тип корпуса NTE Electronics NTE2902 Полевой транзистор с N-канальным кремниевым переходом, 60 мА, DDP ЛОТОК ДЛЯ ПРИБОРОВ ПЛОСКАЯ НЕРЖАВЕЮЩАЯ СТАЛЬ 15 X 10,5 МЕДИЦИНСКИЙ ОБСЛУЖИВАНИЕ ТЕЛА.
