Высокочастотный транзистор: КТ644Б (2016-17г), Транзистор PNP высокочастотный, большой мощности, TO-126 (КТ-27), Кремний

справочник приборов ВЧ и СВЧ

Перейти к контенту

Поиск:

Рубрика: Электронные компоненты

---

Основные параметры:

Uмакс. — Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор — эмиттер
Iмакс. — Максимально допустимый постоянный ток коллектора
Pмакс. — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
fгран. — Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ
h31э — Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ
Iкбо — Обратный ток коллектора
Kус. — Коэффициент усиления по мощности
Kш. — Коэффициент шума транзистора

Транзисторы малой мощности

Корпус SOT-23

Название	Структура	Uмакс. , В	Iмакс., А	Pмакс., Вт	fгран., ГГц	Кш., дБ	h31э
BFR92A	N-P-N	15	25	0,3	5	2,1	40-90
BFR93A	N-P-N	12	35	0,3	6	1,9	40-90
BFR193	N-P-N	12	80	0,58	8	1,3	50-200
BFS17A	N-P-N	15	25	0,3	2,8	2,5	25-90
BFT92	P-N-P	15	25	0,3	5	2,5	20-50
BFT93	P-N-P	12	35	0,3	5	2,4	20-50

Корпус TO-50

Название	Тип	Uмакс. , В	Iмакс., А	Pмакс., Вт	fгран., ГГц	Кш., дБ	h31э
BF970	P-N-P	35	30	0,3	1	4,2	25-90
BF979	P-N-P	20	50	0,3	1,75	3,4	20-90
BFR90A	N-P-N	15	30	0,3	6	1,8	50-150
BFR91A	N-P-N	12	50	0,3	6	1,6	40-150
BFR96TS	N-P-N	15	100	0,7	5	4	25-150

Корпус TO-92

Название	Тип	Uмакс. , В	Iмакс., А	Pмакс., Вт	fгран., МГц	h31э
BF199	N-P-N	25	25	0,5	550	>38
BF240	N-P-N	40	25	0,3	>150	60-220
BF324	P-N-P	30	25	0,3	450	>25
BF450	P-N-P	40	25	0,3	375	>50
BF494	N-P-N	20	30	0,3	>260	>30
BF959	N-P-N	20	100	0,625	>600	>35

Транзисторы в других типах корпусов

Имя	Тип	Uмакс. , В	Iмакс., А	Pмакс., Вт	fгран., ГГц	h31э	Корпус
BFG425W	N-P-N	4,5	30	0,135	25	50-120	SOT343R
BFP67	N-P-N	10	50	0,2	7,5	65-150	SOT143
BFP450	N-P-N	4,5	100	0,45	24	50-150	SOT343R
BFP540	N-P-N	4,5	80	0,25	33	50-200	SOT343R
BFP620	N-P-N	2,3	80	0,185	65	100-320	SOT343R

Транзисторы высокочастотные советской разработки

Имя	Тип	Pмакс. , Вт	Iмакс., А	Uмакс., В	Iкбо., мкА	h31э
КТ3102А-Ж	N-P-N	0,25	200	20-50	< 0,05	100/250-400/1000
КТ3102АМ-КМ	N-P-N	0,25	200	20-50	< 0,05	100/250-400/1000
КТ3107	P-N-P	0,3	100	20-45	< 0,1	70/140-380/800
КТ3108	P-N-P	0,3	200	45-60	< 0,2	50/150-100/300
КТ3117А, Б	N-P-N	0,3	400	50	< 10	40/200
КТ3117А1	N-P-N	0,3	400	50	< 10	40/200
КТ3129	P-N-P	0,15	100	20-40	< 1,0	30/120-200/500
КТ3130	N-P-N	0,1	100	15-40	< 0,1	100/250-400/1000
КТ315	N-P-N	0,15	50-100	25-60	0,5	20/90-50/350
КТ3151А9, Д9	N-P-N	0,2	80	< 1,0	> 20	100
КТ3153А9	N-P-N	0,3	400	50	< 0,05	100/300
КТ3157А	P-N-P	0,2	30	< 0,1	> 50	60
КТ3172А9	N-P-N	0,2	200	20	< 0,4	40/150
КТ339АМ	N-P-N	0,26	25	25	< 1,0	> 25
КТ342АМ, БМ, ВМ	N-P-N	0,25	50	30	< 30	100/250
КТ361	P-N-P	0,15	50-100	10-45	< 1	20/90-100/350

СВЧ-транзисторы советской разработки

Имя	Тип	Pмакс. , Вт	Iмакс., А	Uмакс., В	Iкбо., мкА	h31э
КТ3101А-2	N-P-N	0,1	20	15	0,5	35/300
КТ3101АМ	N-P-N	0,1	20	15	0,5	35/300
КТ3115А-2(Б, Д)	N-P-N	0,07	8,5	7-10	0,5	15/80
КТ3120А	N-P-N	0,1	20	15	5	> 40
КТ3126А,Б	P-N-P	0,15	30	30	0,5	25/100-60/180
КТ3128А1	P-N-P	0,3	30	35	0,1	35/150
КТ3168А9	N-P-N	0,18	28	15	< 0,5	60/180
КТ326А,Б	P-N-P	0,2	50	15	0,5	20/70-45/160
КТ326АМ,БМ	P-N-P	0,2	50	15	0,5	20/70-45/160
КТ368А,Б	N-P-N	0,225	30	15	0,5	50/300
КТ368АМ,БМ	N-P-N	0,225	30	15	0,5	50/450
КТ368А9, Б9	N-P-N	0,1	30	15	0,5	50/300
КТ399АМ	N-P-N	0,15	30	15	0,5	40/170

Транзисторы средней мощности

Зарубежные

Имя	Тип	Uмакс. , В	Iмакс., А	Pмакс., Вт	fгран., ГГц	h31э	Корпус
BFG135	N-P-N	15	150	1	7	80-130	SOT223
BFG540W	N-P-N	15	120	0,5	9	100-250	SOT343N
BFG97	N-P-N	15	100	1	5,5	25-80	SOT223
BFQ19	N-P-N	15	100	1	5,5	25-80	SOT89
BLT50	N-P-N	10	500	2	0,47	25	SOT223
BLT80	N-P-N	10	250	2	0,9	25	SOT223
BLT81	N-P-N	9,5	500	2	0,9	25	SOT223

Транзисторы высокочастотные советской разработки

Имя	Структура	Pмакс. , Вт	Iмакс., А	Uмакс., В	Iкбо., мкА	h31э
КТ626А-Д	P-N-P	9	1,5	20-80	1	15/60-40/250
КТ646А,Б	N-P-N	3,5	1	40-50	10	40/200-150/300
КТ683А-Е	N-P-N	8	1	60-150		40/120-160/480
КТ6127А-К	P-N-P	0,8	2	10-200	< 20	> 30
КТ630А-Е	N-P-N	0,8	1	60-150	< 1	40/120-160/480
КТ639А-И	P-N-P	1	1,5	30-80	< 0,1	40/100-180/400
КТ644А-Г	P-N-P	1	0,6	40-60	< 0,1	40/120-100/300
КТ645А	N-P-N	0,5	0,3	50	< 10	20/200
КТ660А,Б	N-P-N	0,5	0,8	30-45	< 1	110/220-200/450
КТ664А9	P-N-P	1	1	100	< 10	40/250
КТ665А9	N-P-N	1	1	100	< 10	40/250
КТ680А	N-P-N	0,35	0,6	25	< 10	85/300
КТ681А	P-N-P	0,35	0,6	25	< 10	85/300
КТ698	N-P-N	0,6	2	12-90	< 20	20/118-50/649

Транзисторы большой мощности

Зарубежные

Имя	Тип	Uмакс. , В	Iмакс., А	Pмакс., Вт	fгран., ГГц	h31э	Корпус
BLT53	N-P-N	10	2500	35,5	3,9	25	SOT122D

ВЧ-транзисторы советской разработки

Имя	Тип	Pмакс., Вт	Iмакс., А	Uмакс., В	fгран., МГц	Кус., дБ	Iкбо., мкА
КТ9115А	P-N-P	1,2	0,1	300	> 90		< 0,05мкА
КТ9180А-В	N-P-N	12,5	3,0	40-80	> 100
КТ9181А-В	P-N-P	12,5	3,0	40-80	> 100
КТ920А	N-P-N	5,0	0,5	36	30/200	4	2
КТ920Б	N-P-N	10,0	1,0	36	30/200		4
КТ920В	N-P-N	25,0	3,0	36	30/200		7,5
КТ920Г	N-P-N	25,0	3,0	36	30/200	3,5	7,5
КТ922А	N-P-N	8,0	0,8	65	50/175	3	5
КТ922Б	N-P-N	20,0	1,5	65	50/175	3
КТ922В	N-P-N	40,0	3,0	65	50/175		40
КТ922Г	N-P-N	20,0	1,5	65	50/175		20
КТ929А	N-P-N	6,0	0,8	30	> 50	8	5
КТ940А-В, A1	N-P-N	10,0	0,1	160-300	> 90		0,5
КТ961А-В	N-P-N	12,5	1,5	60-100	> 50		10
КТ969А	N-P-N	6,0	0,1	250	> 60		0,05
КТ972А,Б	N-P-N	8,0	4,0	45-60	> 200		1
КТ973А,Б	P-N-P	8,0	4,0	45-60	> 200		1

СВЧ-транзисторы советской разработки

Имя	Тип	Pмакс. , Вт	Iмакс., А	Uмакс., В	fгран., МГц	Кус., дБ	Iкбо., мкА
КТ913А	N-P-N	4,7	0,5	55	900/1500	2	10
КТ913Б	N-P-N	8	1	55	900/1500	2	50
КТ913В	N-P-N	12	1	55	900/1500	2	50
КТ916А	N-P-N	30	2	55	200/1800	2,5	25
КТ925А	N-P-N	5,5	0,5	36	500/1250	12	7
КТ925Б	N-P-N	11	1	36	375/1100	7	12
КТ925В	N-P-N	25	3,3	36	300/550	5,3	30
КТ925Г	N-P-N	25	3,3	36	300/550	5,3	30
КТ934А	N-P-N	7,5	0,5	60	> 100		5
КТ934Б	N-P-N	15	1	60	> 100		10
КТ934В	N-P-N	30	2	60	> 100		20
КТ939А	N-P-N	4	0,4	30	> 100		1
КТ939Б	N-P-N	4	0,4	30	> 100		2

Высокочастотные полевые транзисторы (Transistors – FETs, MOSFETs – RF)

Высокочастотные полевые транзисторы (Transistors – FETs, MOSFETs – RF)

Showing – 15 of 297results

---

• CEL (California Eastern Laboratories)

  RF FET 4V 12GHZ 4MICROX

  CE3512K2
  Add to cart

• STMicroelectronics

  TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT

  PD55003L-E
  Add to cart

• Ampleon

  RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN

  BLP8G27-10Z
  Add to cart

• STMicroelectronics

  FET RF 40V 500MHZ PWRSO10

  PD55003-E
  Add to cart

• Ampleon

  RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN

  BLP10H610Z
  Add to cart

• STMicroelectronics

  TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF

  PD20010-E
  Add to cart

• Metelics (MACOM Technology Solutions)

  HEMT N-CH 28V 5W DC-6GHZ 8SOIC

  NPTB00004A
  Add to cart

• Ampleon

  RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN

  BLP10H610AZ
  Add to cart

• Wolfspeed – a Cree company

  RF MOSFET HEMT 28V DIE

  CGH60008D-GP
  4 Add to cart

• Wolfspeed – a Cree company

  RF MOSFET HEMT 28V 6QFN-EP

  CGh50006S
  Add to cart

• IXYS RF

  RF MOSFET N-CHANNEL DE475

  475-102N21A-
  00 Add to cart

• Ampleon

  RF FET LDMOS 65V 18.

  5DB SOT538A

  BLF6G21-10G,
  135 Add to cart

• Ampleon

  RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A

  BLF6G21-10G,
  112 Add to cart

• Ampleon

  RF FET LDMOS 65V 18.

  5DB SOT538A

  BLF640U
  Add to cart

• IXYS RF

  RF MOSFET 2 N-CHANNEL DE275

  IXZ2210N50L2
  Add to cart

Среднечастотные транзисторы | Nexperia

Среднечастотные транзисторы | Нексперия

Вы можете изменить настройки уведомления об изменении (CN) в My Nexperia. Эти настройки позволяют настроить представление CN в My Nexperia и электронных письмах CN.

По умолчанию вы увидите все доступные вам уведомления об изменениях.

Изменить настройки

Идеально подходит для всех ваших потребностей в настройке и усилении

Наши биполярные среднечастотные транзисторы, оптимизированные для высоких частот перехода, представляют собой высокопроизводительные миниатюрные решения.

• Параметрический поиск

• Детали
• Параметрический поиск
• Продукты
• Документация
• Спецификации
• Поддержка
• Перекрестная ссылка

Основные характеристики и преимущества

• Высокая частота перехода
• Очень низкая емкость обратной связи (тип. 0,35 пФ)
• Малые и очень маленькие корпуса

Основные области применения

ТВ-тюнер

• 0015 Усилитель ПЧ для телевизора
• Усилитель звука

Параметрический поиск

Среднечастотные транзисторы

Пожалуйста, подождите, загружаются данные. ..

Параметрический поиск недоступен.

Как пользоваться параметрическим поиском?

• Вы можете выбрать количество результатов на странице: 10, 25, 50, 100 или все результаты.
• Вы можете использовать фильтры во второй строке, чтобы сузить выбор. Нажмите на одно или несколько значений в списках, которые вы хотите выбрать. Или используйте ползунки, перетаскивая манипуляторы или заполняя поля.
• Общие характеристики — это параметры с одинаковыми значениями для всех номеров типов.
• Дополнительную информацию о номере типа можно найти, наведя указатель мыши на номер типа и щелкнув одну из ссылок во всплывающем окне.
• Вы можете сравнить два или более типовых номеров, установив флажки для типовых номеров и нажав Сравнить. Все остальные строки будут скрыты.
• Чтобы скрыть строку с параметрами фильтрации, нажмите на серую полосу со стрелками под параметрами.
• Чтобы добавить или удалить столбцы с параметрами, нажмите кнопку «Добавить/удалить параметры» в правом верхнем углу. Вы можете проверить столбцы, которые хотите видеть.
• Вы можете изменить порядок столбцов, перетащив их в нужное место.
• Вы можете загрузить результаты вашего (отфильтрованного) выбора в Excel, нажав кнопку «Загрузить Excel».

Изделия

Номер типа	Описание	Статус	Быстрый доступ
БФ550	Среднечастотный транзистор PNP	Производство	Скачать техпаспорт Образцы
BF570	Транзистор средней частоты NPN	Производство	Скачать техпаспорт Образцы
BF824	Среднечастотный транзистор PNP	Производство	Скачать техпаспорт Образцы
BF824W	Среднечастотный транзистор PNP	Производство	Скачать техпаспорт Образцы
BF840	Транзистор средней частоты NPN	Производство	Скачать техпаспорт Образцы
БФС19	Транзистор средней частоты NPN	Производство	Скачать техпаспорт Образцы
БФС20	Транзистор средней частоты NPN	Производство	Скачать техпаспорт Образцы
BFS20W	Транзистор средней частоты NPN	Производство	Скачать техпаспорт Образцы

Посетите наш центр документации для получения всей документации

SOT23_мк	пластиковая, накладная упаковка; 3 терминала; шаг 1,9 мм; Корпус 2,9 мм x 1,3 мм x 1 мм	Графика Marcom	28. 01.2017
Nexperia_Selection_guide_2022	Руководство по выбору Nexperia 2022	Руководство по выбору	05.01.2022

Если у вас есть вопросы по поддержке, сообщите нам об этом. Если вам нужна поддержка дизайна, дайте нам знать и заполните форму ответа, и мы свяжемся с вами в ближайшее время.

Или свяжитесь с нами для получения дополнительной поддержки.

Выберите подкатегорию

Выберите подкатегорию

Фильтр по типу

Спецификации

Указания по применению,
руководства и документы

Упаковка и упаковки

Качество

Брошюры, буклеты и руководства

Модели

Поддержка

Поиск в документах

Документация ({{ всего }})

Листы данных ({{ всего }}) 2

0 9 результатов поиска не найдено фильтры или используйте поле поиска выше, чтобы найти документы

length > 0″>

Введите	Титул	Дата	Скачать
{{entry.type}}	{{ запись.название }}	{{ entry.dateModified|dateIso }}	{{ abbrevString(entry.filename, 20) }}

Ничего не найдено по запросу

Эффективность выигрывает

Продукция

• Биполярные транзисторы
• Диоды
• Защита от электростатического разряда, TVS, формирование сигнала
• МОП-транзисторы
• Полевые транзисторы GaN
• Аналоговые и логические ИС
• Автомобилестроение

Высокая частота | PSpice

Высокая частота | PSpice

Перейти к основному содержанию

Бесплатная пробная версия

Библиотека моделей PSpice® включает параметризованные модели, такие как BJT, JFET, MOSFET, IGBT, SCR, дискретные элементы, операционные усилители, оптопары, регуляторы и ШИМ-контроллеры от различных производителей интегральных схем.