S16C схема: Samsung CS-21Z45ZQQ S16C ()

Содержание

Как отключить АББ в телевизорах SAMSUNG

Система АББ (расшифровывается как автобаланс белого) часто применяется в кинескопных телевизорах. Суть этой системы- отрегулировать кинескоп так, чтобы на всех его прожекторах был примерно одинаковый ток.

Если упустить все «заумности», то работает она примерно по такому принципу: после включения телевизора, система АББ дает некоторое время кинескопу прогреться, затем измеряет ток на его прожекторах. После чего настраивает видеоусилители таким образом чтобы ток на всех трех «пушках» был примерно одинаков и лишь потом включает яркость.

Задумка, в принципе, неплохая, однако с износом кинескопа она очень часто начинает капризничать. В общем-то ничего удивительного здесь нет- ведь, как правило, износ у кинескопов не всегда происходит равномерно: потеря эмиссии на разных катодах может отличаться (а иногда один из них вообще может уйти в обрыв), и тогда система АББ просто физически не сможет выравнять все прожекторы так чтобы они работали с одинаковой яркостью.

Хотя АББ применяется практически во всех кинескопных телеках, Самсунговские инженеры тут явно перестарались: практически во всех телевизорах марки SAMSUNG АББ при малейшем износе кинескопа начинает блокировать яркость.
Внешне это проявляется по-разному: или очень долгое включение яркости (приходится ждать более 1 минуты) или «моргание» яркости (картинка то появится, то исчезнет).

Как обойти АББ в Самсунгах

На первый взгляд ответ на вопрос «как обойти АББ» напрашивается сам: постараться увеличить ток катодов.
Тут есть два способа: или увеличить напряжение накала (например перемкнуть или уменьшить токоограничительный резистор в данной цепи) или попробовать увеличить ускоряющее напряжение (SCREEN).
Собственно говоря, в некоторых случаях это помогает, однако не без последствий: при увеличении напряжения накала, мы еще быстрее загубим кинескоп, а увеличение SCREEN дает временный эффект.

Но есть еще пара способов:
1. можно отключить АББ в сервисном режиме
2. Отключить АББ с помощью дополнительной схемы.

Ниже мы рассмотрим оба варианта

входим в сервисный режим телевизора

Рассматривать будем на примере Самсунговского шасси S16C.

Для данного шасси вход в сервисный режим осуществляется следующим образом: переводим телевизор в дежурный режим и штатным пультом набираем комбинацию: INFO, MENU, MUTE, POWER_ON

Делать это надо быстро, иначе может не получится.
Примечание: На различных шасси комбинация входа в сервис может отличаться.

Если все сделано правильно, должно появиться вот такое окно:

Настраиваем SCREEN

Для начала все таки нам стоит убедиться, правда-ли в «моргании яркости» виновата именно АББ. Для этого нужно попробовать выставить напряжение SCREEN. Делается это так:

В первую очередь даем кинескопу немного прогреться (желательно минуту-две, а лучше 5). Это главное правило, а иначе можно точно и не настроить.
Шаг второй: Заходим в строчку Deflection и на пульте нажимаем на кнопку MUTE. Экран должен погаснуть и появится надпись Screen Adjust:…. Плавно поворачивая ручку SCREEN на ТДКСе добиваемся чтобы надпись стала зеленого цвета, вот так:

Выходим из сервисного меню (для этого необходимо нажать кнопку POWER на пульте), даем телеку остыть минут 5-10, после чего включаем и смотрим результат.
Если ничего не изменилось (он так и продолжает моргать), тогда можно отключить АББ

Отключаем АББ через servis-mode

Для того чтобы отключить АББ в телевизоре Самсунг через сервисный режим

, необходимо опять зайти в сервис (как туда зайти смотрим выше). Теперь нам необходимо зайти в строчку Video Adjust 1 и найти там пункт AKB option. В данной опции умолчанию будет установлено значение «0»
Переводим ее в значение «1». Экран при этом должен стать немного темнее.

Примечание: на некоторых Самсунговских шасси строка AKB option может иметь несколько значений: 1, 2 и 3. Можно попробовать поэкспериментировать с разными значениями.

Далее: ручкой SCREEN на ТДКСе выставляем необходимую яркость, следя при этом чтобы не просматривались линии обратного хода.
Выход из сервисного режима: кнопка POWER на пульте.

Схема для обхода АББ

Данный вариант обхода АББ более универсальный- он позволяет отключить АББ не только в случае износа кинескопа, но и даже в случае обрыва одного из катодов оборван.
В данном случае мы зайти в сервисное меню не сможем, так как в данной ситуации яркость вообще может и не включится. Здесь нам поможет вот такая небольшая схема:

Контакт 50 BLK IN в данном случае- это вход процессора, отвечающий за работу АББ: на него приходит измеряемый сигнал теневого тока. Данная схема помогает обмануть систему АББ за счет того что она подаст на вход BLK IN имитацию что вроде как все нормально.
Конечно получить полноценное изображение при оборванном катоде не получится, но какое-то время пользоваться телевизором все-таки будет можно.

Примечание: инфа с сайта RADIO-UCHEBNIK.RU

Автомоделизм – Изменения правил

Изменения к Правилам соревнований по

трассовому автомоделизму.

П. 5.5.: изменить:

«При проведении командных соревнований участникам каждой команды

желательно иметь единую спортивную форму.»

П. 8.4.: добавить:

«При проведении соревнований в группе трассовых моделей протесты, касающиеся

несоответствия характеристик моделей ведомостям технического осмотра и

требованиям правил, подаются во время работы технической комиссии и в течении

10 минут после окончания её работы».

Ввести новый пункт:

П. 28.7. «Технический осмотр в группе трассовых моделей проводится для каждого класса

отдельно перед началом заездов в данном классе моделей. Перерыв между

окончанием работы технической комиссии и началом квалификационных заездов

должен составлять не менее 10 минут».

П. 9.6. изменить:

«Соревнования по трассовым моделям проводятся в помещении на специальной

трассе. В случае необходимости трасса должна иметь ограждение для зрителей».

П. 71.2. изменить:

«Габаритные размеры модели:

– длина модели D, не более 177,8 мм;

– ширины модели, не более 83 мм;

– высота по кабине (дуге безопасности) С, не менее 26 мм, измеряется по верху дуги или выше

бокового окна, исключая воздухозаборник;

– высота по антикрылу Е, не более 35 мм;

– расстояние от оси вращения направляющего флажка до центра задней оси, не более 125 мм;

– передний вертикальный край

А, не менее 1мм.

– высота ниши передних колёс В, от 15 до 18 мм;

Так же измеряются размеры по схеме № 2:

– F, не менее 2,5 мм;

– G, не более 30 мм;

– H, не более 25 мм;

– J, не менее 14 мм;

– K, не менее 40 мм, измеряется по краям открытого кокпита или по низу боковых окон;

– L, не более 45 мм.

Все замеры производятся на готовой к старту модели.

П. 73.2. изменить:

«Габаритные размеры модели:

– длина модели D, не более 142 мм;

– ширины модели, не более 64 мм;

– высота по кабине (дуге безопасности) С, не менее 24 мм, измеряется по верху дуги или выше

бокового окна, исключая воздухозаборник;

– высота по антикрылу Е, не более 32,5 мм;

– расстояние от оси вращения направляющего флажка до центра задней оси, не более 105 мм;

– передний вертикальный край А, не менее 1мм.

– высота ниши передних колёс В, от 13,5 до 17,5 мм;

Так же измеряются размеры по схеме № 2:

– F, не менее 1,5 мм;

– G, не более 22 мм;

– H, не более 20 мм;

– J, не менее 12 мм;

– K, не менее 30 мм, измеряется по краям открытого кокпита или по низу боковых окон;

– L, не более 37 мм.

Все замеры производятся на готовой к старту модели.

Схема № 2

П. 74.1. изменить:

Модель класса ТА-3 (G-12) воспроизводит в масштабе 1:24 современный автомобиль с

кузовом седан. Кузов должен разумно представлять вид настоящего автомобиля.

Двери кузова должны быть выделены рельефно и полностью проштампованы.

П. 74.2. изменить:

Габаритные размеры модели:

длина, не более – 177,8 мм;

ширина, не более – 83 мм;

ширина кабины (измеряется по низу боковых стёкол), не менее – 60 мм;

ширина заднего спойлера, не более – 75 мм;

высота по верху заднего спойлера, не более – 35 мм;

высота ниш передних колес, не менее – 15,2 мм;

высота по низу ветрового стекла, не менее – 23 мм;

Передний вертикальный край кузова, не менее – 1 мм.

Задняя стенка кузова позади антикрыла и задних колёс должна быть вырезана

на высоту не более 12,7 мм от поверхности трассы.

Боковые аэродинамические шайбы на заднем спойлере запрещены.

Задний спойлер должен быть ниже верха крыши.

Исключить следующие слова:

«Допускаются для использования шасси, утвержденные при проведении

Чемпионатов мира ISRA.»

П. 74.4. изменить:

«…двигатели Parma/PSE группы 16D , номера по каталогу 458, 464,464S, 498, 499,

500, 500S, 501, 501S, 502, 502S, 72000, 72001, 72014, 72015, 72016.»

Исключить следующие слова:

«Также допускаются двигатели, утвержденные при проведении Чемпионатов

мира ISRA. »

В список возможных доработок двигателя добавить следующее:

«…..укорачивание вала ротора, замена винтов крепления крышки к корпусу и

щеткодержателей к крышке на винты большего диаметра, пропиливание паза в корпусе

мотора со стороны оси заднего моста с целью уменьшения угла установки двигателя по

отношению к ней».

П. 74.7. изменить:

«Минимальный диаметр передней оси – 1,0 мм.

Минимальный диаметр задней оси – 2,36 мм.

Расстояние от верха задней оси до низа шасси не менее 8,6 мм.»

П. 75.2. добавить:

– высота, не более – 35 мм.

П. 75.4. добавить:

«…мотор Proslot Speed FX 16D, Proslot Speed FX S16D,

Proslot Speed FX 16D Bleuprinted, Proslot Speed FX 16D Bleuprinted».

«…ротора Proslot # PS-2006, # PS-2007, # PS-700 S16D, #PS-700C S16C, #PS-700S Outlaw S16D,

П. 75.3. изменить:

«Уменьшение размеров шасси запрещается, кроме доработки, разрешенной в П. 75.8.»

П. 75.4. изменить:

«…двигатели Parma/PSE группы 16D , номера по каталогу 458, 464, 464S, 498, 499, 500, 500S, 501, 501S, 502, 502S, 72000, 72001, 72014, 72015, 72016.»

Дополнить список изменений двигателя следующими строками:

«…..укорачивание вала ротора, замена винтов крепления крышки к корпусу и

щеткодержателей к крышке на винты большего диаметра».

П. 75.8. добавить:

«- разрешается растачивание отверстия под подшипник мотора в стойке крепления

мотора в сторону задней оси».

П. 76.7. дополнить:

«…в случае схода на одном повороте или участке трассы трех или более моделей.

Спортсмен может попросить об остановке заезда для проверки состояния токоведущих

шин и паза, при этом его модель должна находится в управляемом движении. Техническое

состояние трассы может быть проверено в момент любой другой остановки заезда».

Ввести новый пункт:

П. 76.8. «Механик не имеет права во время заезда заниматься ремонтом и обслуживанием

моделей участников заезда, за исключением случаев, предусмотренных п. 79.11.»

П. 77.5. изменить:

«При проведении технического осмотра кузова маркируются краской. Во всех классах

моделей на шасси пишется фамилия участника. »

П. 78.3. изменить:

«Во всех классах моделей (кроме G-7) в случае неявки на старт или в связи с

отсутствием результата участник занимает последнее место по результатам

квалификационных заездов. В случае неявки на старт или в связи с отсутствием

результата у двух и более участников, они занимают места в конце итогового списка

квалификационных заездов в соответствии с порядком вызова их на старт.

В классе моделей G-7 для каждого участника проводятся два квалификационных

заезда продолжительностью в 1 минуту. При неявке участника на старт в порядке

очереди он автоматически переводится на второй заезд. При неявке на второй заезд,

участник получает зачёт по результатам первого заезда. В случае неявки на оба

заезда участник занимает последнее место в квалификационных заездах. В случае

неявки на старт или в связи с отсутствием результата у двух и более участников, они

занимают места в конце итогового списка квалификационных заездов в соответствии

с порядком вызова их на старт..»

в группе».

П. 79.5. изменить:

«Заезды разделяются паузами, продолжительность которых определяется

Положением о соревнованиях и может составлять от 1 до 5 минут. В течение паузы

судья-информатор фиксирует результаты….. (далее по тексту)»

Ввести новые пункты:

П. 79.11. «Во время серии заездов участник имеет право вежливо обратиться к механику с

просьбой:

– передать ему (спортсмену) модель в случае её технической неисправности;

– о мелком техническом обслуживании модели (поправка кузова или щёток направляющего) только во время перерыва или остановки заезда;

– обратить внимание на его (участника) модель, находящуюся вне поля зрения механика».

П. 79.12. «Участники и механики заезда имеют право общаться с членами своей команды и

другими участниками заезда только в случае крайней необходимости».

П. 79.13. «Запрещено отвлекать механиков заезда от выполнения своих обязанностей».

П. 79.14. «Участники и механики заезда, тренеры, представители и участники команд не

имеют права комментировать и оценивать во всеуслышанье действия и работу

судей, участников заезда и механиков и некорректно высказываться в их адрес».

П. 80.1. изменить:

«При утере кузова или значительной его части, вследствие чего нарушен пункт 69.4

настоящих правил, или салона кузова допускается движение модели не более трех

кругов, после чего модель должна быть восстановлена или снята с заезда.

При нарушении – штраф 10 кругов. Если спортсмен продолжает игнорировать

указания судьи – результат заезда аннулируется».

П. 80.3. изменить:

«За нарушение пунктов 76.8, 79.6, 79.8, 79.11, 79.12 – штраф 5 кругов.

П. 80.6. изменить:

«Замена механика производится только с разрешения главного судьи. В случае

нарушения аннулируется результат данной серии заездов, в которой зафиксировано

нарушение».

Ввести несколько новых пунктов в главу 80. «Взыскания»:

П. 80.7. Спортсмен или механик просит об остановке заезда только словом «СТОП».

Каждый ложный запрос будет наказываться штрафом 5 кругов.

П. 80.8. Запрещается установка в течение заезда дополнительных механиков от команд без

разрешения главного судьи (смотри п.п.76.4.). При нарушении данного пункта одной

из команд взыскание получает спортсмен, выступающий за неё в командном зачёте:

– в первый раз – 50% стартового взноса и 5 кругов;

– во второй раз – 100% стартового взноса и 10 кругов;

– далее результат заезда аннулируется.

П. 80.9. Запрещается применение участником в течение заездов класса

нерегламентированных частей модели. В случае нарушения – дисквалификация.

П. 80.10. Запрещено неспортивное поведение участников во время заездов. За нарушение –

– в первый раз – предупреждение;

– во второй раз – штраф 10 кругов;

– в третий раз – дисквалификация участника.

П. 80.11. В случае обнаружения нарушения пункта 81.11 – дисквалификация.

П. 80.12. Манипуляции с моделями в зоне гонщиков должны проводиться участниками

корректно. В случае если участник помешал движению чужой модели своей рукой

или моделью, находящейся в руке, либо какой-то деталью своего контроллера –

штраф 5 кругов.

П. 80.13. Штраф за соответствующее нарушение Правил должен применяться в момент

нарушения и фиксироваться судьями на трассе. Во всех случаях заезд

приостанавливается, при необходимости составляется схема расположения спортсменов

и моделей на трассе и главный судья принимает решение по данному вопросу. Решение

должно быть объявлено немедленно, после чего заезд возобновляется.

В случае если нарушение не было зафиксировано должным образом и решение по нему

не было принято, то наказание к спортсмену после окончания заездов не применяется.

Если о каком либо нарушении Правил было заявлено по истечении продолжительного

времени, такие заявления к рассмотрению не принимаются.

П.81.8. добавить:

«Каждая дорожка трассы размечается в сотых долях её длины».

П.81.9. добавить:

«…фирм Parma, Koford или Champion…»

П. 81.11. изменить:

«Конструкция контроллеров для управления моделями без ограничений. Запрещено

применение в схеме контроллера устройств, повышающих напряжение на дорожке».

Схема телевизора samsung cs-21k30f1q – aventyr.ru

Скачать схема телевизора samsung cs-21k30f1q EPUB

Samsung samsung -CSK30F1Q шасси- KS9(A) в бл.питания погорели резисторы и у строчника.не смог определить их номиналов.нет элек-схемы на ТВ. TV Cs-21k30f1q CSK30F1Q1 шасси KS9A нет звука процессор TDA/PS/N3/3/ память A81DC ШИМ 5QRT УНЧ TDA aventyr.ru был замкнут выв.

Скачать бесплатно и без регистрации схемы и мануалы телевизоров SAMSUNG. Preview of SAMSUNG KS9A CHASSIS CS21M17MLZXNGC [2nd схема Click on the link for free download! Samsung(Самсунг) CSK30MJQ Телевизор Кинескопный, инструкция, поддержка, телевизор, описание, мануал, руководство, Инструкция по эксплуатации. SAMSUNG CSK30MHQ chassis KS9A.

SAMSUNG CSK30MHQ chassis KS9A. Descrição: (Description). TV DUMP. Categoria:(Category). Samsung. Tipo (Type): rar. Ремонт телевизоров Samsung. Наиболее популярные неисправности шасси KS1A Samsung в практике ремонта. Типовые дефекты. Из наиболее часто встречающихся неисправностей телевизоров Samsung, выполненных на шасси KS1A, можно выделить следующие: 1. Не переключаются каналы. После нескольких лет эксплуатации начинаются затруднения с переключением каналов.

При переключение меняются только цифры номера индикации канала. Ремонт телевизора Samsung CSv10MLR с неисправностью «Не включается». Lega Комментариев. КатегорииМастерская Ремонт кинескопных (CRT) телевизоров. Здравствуйте. Сегодня на ремонте телевизор Samsung CSv10MLR собранный шасси KS1A который не запускается. При включении слышен звук включения магнитной петли, и на этом все заканчивается.

Начал ремонт разборки и чистки телевизора от пыли и трупов мух. В схеме шасси KS1A по цепи питания шим контролера ka5qrt используется электролитический конденсатор 33мкф на 50в, который я и решил выпаять и проверить.

С 33мкф на 50в. С завышеное ESR. Схема телевизора SAMSUNG CS21Z47ZQ7 shassi S16G(P)aventyr.ru Схема телевизора SAMSUNG shassi aventyr.ru Схема телевизора SAMSUNG CK shassi aventyr.ru Схема телевизора SAMSUNG shassi S16C aventyr.ru Схема телевизора SAMSUNG shassi aventyr.ru Схема телевизора SAMSUNG shassi aventyr.ru Preview of SAMSUNG KS9A CHASSIS CS21M17MLZXNGC [2nd page] Click on the link for free download!

Please tick the box below to get download link: If you have any question about repairing write your question to the Message board. sziasztok erdekes,hogy a mindigtv adasait nem mutatja,de a Duna tv csatornain hang van kep nincs,a tobbi mindigtv adasain se kep se hand,ehelyett azt feliratozza a merevlemez nem tamogatott,nos,ezt nem ertem.

Состав: TDAPS/N3/3/, LA, TDAJF, A81DC Пришел со стандартным глюком, отключался. После замены 9 июля Обзор электрической схемы телевизора Samsung. Обзор моделей Cs 29a11ssq, Cs 29a11ssq, Ue39fakxru, Ve39fak, Ckz, Le32s81b. Схема телевизора Samsung CS 15k2mjq.

Статью подготовил: Константин Чевушкин. Телемастер. В настоящее время телевидение является определенной частью человеческой жизни. Практически в каждой семье присутствует подобные устройства, однако, как и любая другая электроника, телевизоры могут выходить из строя и нуждаться в ремонте.

Разумеется, не все поломки требуют вмешательства специалиста. Схема телевизора samsung. Здесь вы сможет скачать достаточно большую подборку схем и сервисных инструкций на кинескопные, жидкокристаллические и плазменные телевизоры Самсунг, а также подборку типовых неисправностей и пути устранения дефектов: Cхемы на LCD телевизоры Samsung.

Сервис мануал, схема, разборка на телевизор Samsung LA20S51BP, LA27S71B, LA27S71B1, LA32R71W, LA46F71B, LA46N71B, LA52F71B Схема TFT-LCD телевизора SAMSUNG chassis AE15EO, Model LE15E31S (chassis AE15EO)., LE19R71B, LE19R71W LE20S81BX LE23R71B, LE23R71BH, LE23R71W, LE23R86BD, LE23R86BCX, LE23R87BD, LE23R88BD, LE23R86WD L.

PDF, txt, EPUB, djvu

Промышленная технология лекарств. Электронный учебник

2.7. Типы таблеточных машин

Прессование на таблеточных машинах осуществляется пресс-инструментом, состоящим из матрицы и двух пуансонов (рис. 2.7).

Рис. 2.7. Пресс-инструмент
1 – пуансон-шток верхний; 2 – матрица; 3 – пуансон-шток нижний; 4 – маслосборник

Основными типами таблеточных машин является эксцентриковые или ударные и ротационные.

Эксцентриковые машины бывают салазочные (рис. 2.8) и промежуточные (башмачные) (рис. 2.9).

Салазочные машины. В этом типе машин загрузочная воронка движется при работе на специальных салазках. Материал, поступающий из загрузочной воронки, попадает в канал матрицы, прикрепленной к матричному столу и ограниченной снизу нижним пуансоном. После этого воронка с материалом удаляется, верхний пуансон опускается вниз, спрессовывает материал и поднимается. Затем поднимается нижний пуансон и выталкивает таблетку, которая толчком нижнего основания воронки сбрасывается в приемник.

Салазочные машины имеют ряд существенных недостатков. Основным из них является то, что прессование осуществляется только с одной стороны – сверху и кратковременно, по типу удара. Давление прессования в таблетке распределяется неравномерно (верхняя половина уплотнена больше), а некоторые порошки плохо прессуются вследствие кратковременности цикла сжатия. Такие машины малопроизводительны – 30-50 таблеток в минуту.

Рис. 2.8. Салазочная машина

Промежуточные машины. Таблеточные машины промежуточного типа (башмачные) по конструкции и принципу работы близки к салазочным, но отличаются от последних неподвижностью загрузочной воронки и матрицы. Таблетируемый материал подается в матрицу при помощи подвижного башмака, присоединенного к воронке посредством шарнира. Такое устройство питающего узла уменьшает возможность разрушения и расслоения гранулята.

По производительности эти машины равноценны машинам салазочного типа. Примером такой машины может служить таблеточный пресс австрийской фирмы «Энглер», таблеточный пресс типа НТМ, выпускаемый Мариупольским заводом технологического оборудования.

Рис. 2.9. Настольная промежуточная таблеточная машина

Ротационные таблеточные машины (РТМ) широко используются фармацевтической промышленностью Украины в производстве таблеток. В отличие от ударных машин РТМ имеют большое количество матриц и пуансонов (от 12 до 57). Матрицы вмонтированы во вращающийся матричный стол. Давление в РТМ нарастает постепенно, что обеспечивает мягкое и равномерное прессование таблеток. РТМ имеют высокую производительность (до 0,5 млн. таблеток в час). Технологический цикл таблетирования на РТМ состоит из ряда последовательных операций: заполнение матриц таблетируемым материалом (объемный метод дозирования), собственно прессование, выталкивание и сбрасывание таблеток. Эти операции выполняются последовательно, автоматически.

Пуансоны верхние и нижние скользят по направляющим (капирам) и проходят между прессующими роликами, которые оказывают на них одновременное давление. При этом давление нарастает и убывает постепенно, что приводит к равномерному и мягкому прессованию таблетки сверху и снизу. В зависимости от типа такие машины могут быть снабжены одной или двумя неподвижными загрузочными воронками. В загрузочные воронки может быть установлена мешалка.

Принцип работы РТМ показан на рис. 2.10. Проследим за движением одной из матриц.

Рис. 2.10. Схема процесса таблетирования на РТМ-12

Нижний пуансон (3) опустился в точно обусловленное положение. Верхний пуансон (2) в это время находится в самом верхнем положении, поскольку матричное отверстие (7) подошло под воронку (1) (операция загрузки). Как только матрица (с заполненным гнездом) прошла воронку вместе с вращением столешницы (4), начинается постепенное опускание верхнего пуансона. Достигнув противоположной стороны, он сразу же попадает под прессующий валик (5). Одновременно на нижний пуансон оказывает давление валик 6 (операция прессования). После прохода между валиками верхний пуансон начинает подниматься. Нижний пуансон также несколько приподнимается и выталкивает таблетку из матрицы. С помощью ножа (скребка) таблетка сбрасывается со столешницы – операция выталкивания таблетки.

Такое движение последовательно совершают все пресс-инструменты (матрица и пара пуансонов). Для того, чтобы обеспечить пуансонам должное движение, к рукояткам (которые здесь называются ползунами), приделаны ролики, с помощью которых они ползут (катятся) по верхним и нижним капирам (направляющим). Схема движения представлена на рис. 2.11. Во время операции загрузки ролик верхнего ползуна с пуансоном находится на высшей точке верхнего капира. Далее он скользит вниз по наклонной капира. Пуансон касается матричного отверстия, погружается в него и сдавливает материал. Давление нарастает и достигает максимума в тот момент, когда ролик ползуна окажется под давлением валика (операция прессования). После этого ролик с пуансоном начинает подниматься вверх по капиру и достигает максимума. В это время нижний ползун совершает следующие движения. В стадии загрузки его ролик подпирается валиком, регулирующим объем матричного отверстия. После этого нижний ползун движется по прямому капиру. В стадии прессования его ролик приподнимается давильным валиком, благодаря чему нижний пуансон со своей стороны оказывает давление на материал. Далее капир идет несколько вверх, в результате чего нижний пуансон выталкивает таблетку (операция выталкивания). После этого вследствие опускания капира нижний пуансон также опускается вниз и все повторяется сначала.

Рис. 2.11. Схема движения пуансонов в многоматричной ротационной машине
1 – ползун; 2 – ролик; 3 – верхний капир; 4 – верхний пуансон; 5 – столешница; 6 – матрица;
7 – нижний пуансон; 8 – нижний ползун; 9, 11, 12, 15 – ролики; 10 – нижний капир; 13 – воронки;
14 – мешалки в воронке; 16 – нож для сбрасывания таблеток; 17 – лоток; 18 – таблетка

Выпускаются таблеточные машины различных марок: РТМ-24; РТМ-3028; РТМ-41; РТМ-41М и др.
Широко используются РТМ-41 М2В, имеющая 41 пару пресс-инструмента и позволяющая выпускать таблетки диаметром 5-15 мм и 20 мм. Для прямого прессования предназначена РТМ-3028, имеющая 57 пар пуансонов. РТМ-300М служит для производства таблеток цилиндрической формы небольших диаметров с плоскими и сферическими торцами.

В процессе таблетирования контролируются масса таблеток и возможные механические включения. Массу таблеток определяют на ручных весах; имеются и автоматические устройства, в которых в случае отклонения массы таблеток от заданной включается сигнальная лампа.

Автоматический контроль на металлические включения производится с помощью устройства 456-2, которое обнаруживает и извлекает из потока таблетки с находящимися в них металлическими включениями. После окончания прессования таблетки помещают в установку 448 для обеспыливания, снабженную пылесосом.

На качество таблеток оказывают влияние величина давления, скорость прессования, состояние и износостойкость пресс-инструмента. Последний подвержен довольно сильному изнашиванию, так как испытывает большие нагрузки. Стойкость матриц в 2-3 раза меньше, чем у пуансонов, что объясняется химическим взаимодействием материала матрицы с таблетируемой массой, жестким нагружением матрицы, трением частиц прессуемого материала и таблетки о стенки матриц.

В Украине и за рубежом проводятся работы по упрочению пресс-инструмента, повышению его износостойкости. Белоусовым В.А. были проведены работы по электролизному, жидкостному и порошковому борированию пресс-инструмента. Разработана новая технология изготовления матриц методом порошковой металлургии, внедрена технология изготовления составных матриц на основе карбидов хрома и никеля.

Шасси aa41 схема

Типовые дефекты телевизоров samsung ks1a.

Samsung таблиця модель-шасі (частина 1) – tv-remont. Info.

Tv toshiba 40l2550ev шасси v28a00157501 ремонт tv по. Телевизоры samsung на базовом шасси ks1a. В помощь телемастеру. Схемы. Прошивки. Неисправности. Samsung.

Схемы телевизионного шасси ks9a(p) фирмы samsung.

Скачать электрические схемы, сервис-мануалы импортных.

Samsung(продолжение) » сервис мануалы скачать. Схемы. Samsung ck-5082zr шасси aa41-10412a. _lg 55uf950t lb52v | printed circuit board | soldering.
Схемы телевизоров samsung | tv service. Ищу схему на тв samsung ск-5083zr шасси-aa41-10410a.

Ремонт тв после грозы alpari шасси sch-ph002-21-001. Схема.

Ремонт телевизора на шасси ks1a который не запускается.

Поиск схем.

Из опыта ремонта телевизоров samsung на шасси s16a/b/c/d.
Принципиальная электрическая схема тв шасси s16a/b/c/d.

Тв самсунг шасси aa41-01027g схема circuit | каталог.

Samsung ck-5081zr/шасси-aa41-10410a слабо светит кинескоп. Академический школьный учебник математика 6 класс гдз C51 avr mcu схема География 5 6 класс учебник ответы на вопросы дронов Акт готовности избирательных участков к выборам скачать Армата птс скачать

Samsung CW21Z453NLXXEC-Narnia-color TV – Сервисный режим, сервисные настройки, обновление ПО, принципиальная схема, схемы PWB

Ультратонкий ЭЛТ, Система Multi Wide, Turbo Plus, ЗВУКОВОЙ эквалайзер – CW-21Z453N – Шасси S16C

Основные функции компонентов
– TDA12025PQ: Обработка видео / звука1 x MICOM
– STR-W6750F: мощность SMPS STR
– TDA7297SA: выход звука 5 ~ 15 Вт BTL AMP
– 24C16: 16K EEPROM
– LA7845: вертикальное отклонение AMP
– C5936: H-OUT S / W TR
– TDQ-6L: тюнер F / S PAL (опция LNA)
– TDA6107JF: R / G / B Привод AMP IC
– Flyback Trans: БСК29-0156Г (11П, 27кВ)

Feature
– AKB (Auto Kinetic Bais)
– Гребенчатый фильтр: гребенчатый фильтр 4H
– Размер изображения: 4: 3
– NICAM / STEREO / Line-STEREO
– Auto STEREO, Sound Equalizer, Auto Отключение звука, автоматическое ограничение громкости, PSEUDO STEREO, TURBO PLUS
– композитный (RCA A / V, DVD)
– Задний: 42P Scart вход / выход (Scart1 R / G / B вход)
– Передний или боковой вход A / V ( Сторона A / V Предпочтительно), Наушники.

Общая регулировка:
Как правило, цветной телевизор может обеспечить идеальное качество изображения за счет регулировки основных параметров, таких как размер по вертикали, размер по горизонтали, фокус и т. д.
Отображение черно-белого изображения на экран, чтобы проверить, четко ли отображается изображение.
Если на экран при отображении черно-белого изображения, размагнитите экран, используя катушка размагничивания. Если пятнистые точки остались, отрегулируйте чистоту и конвергенция.
На этом базовая производительность завершена. экспертиза.

Эти настройки и контрольный список предназначены только для применяется к моделям шасси S16C.
Используйте для измерительного набора только 230 В. При подаче питания на установите так, чтобы предотвратить шок для устройства или для себя.
В этих спецификациях по регулировке создан на базе отечественного шасси S16C с дистанционным управлением. модель. Некоторое содержимое может быть изменено в зависимости от места продажи.

При замене ГЛАВНОЙ Платы: Наклоните требуется регулировка, регулировка фокуса, напряжение экрана, регулировка W / B.Поскольку настройки, включая информацию о канале, отклонение и т. Д., Сохраняются в EEPROM, измените эти настройки при замене ГЛАВНОЙ платы.
Обозначение программного обеспечения информация: 1. T-NARPEU-1000 см. “БАЗОВАЯ МОДЕЛЬ НАРНИИ EUROPE.VER.1000 “
Так как настройки включают Информация о канале, отклонение и т. Д. Сохраняется в EEPROM, измените эти настройки при замене ГЛАВНОЙ платы.

2. При замене ЭЛТ в сборе: Нет требуются корректировки.
3.При замене передней панели Главный выключатель питания: регулировка не требуется.
4. При замене бокового блока AV: Никаких настроек не требуется.
5. При замене модуля PIP: Нет требуются корректировки.
6. При замене блока управления: Никаких настроек не требуется.
7. При замене PFC в сборе: Нет требуются корректировки.

Сервисный режим

Для входа в сервисный режим нажмите кнопки на пульт дистанционного управления в следующей последовательности. (в режиме ожидания)

Информация → Меню → Без звука → Включение

Если не удается войти в сервисный режим, повторить описанная выше процедура.

Начальный экран службы Режим.

Option1 XX XX XX XX XX
Option2
Отклонение
WSS Отклонение
Video Adjust1
Video Adjust2
Video Adjust3
Video Adjust4
Video Adjust5
YC Delay
Others
Bus Stop Off
CHECKSUM 0000
G2 Adjust
RESET
T-NARPEU -1000 2006 / XX / XX

Функции клавиш внутри Сервисный режим.

МЕНЮ > Показать все меню.

▲ / ▼> Переместите курсор, чтобы выбрать элемент.

◀ / ▶> Отрегулируйте выбранное значение конфигурации.

Белый Баланс> x: 286 ± 3 y: 290 ± 3 Y: 40 ± 3 х: 286 ± 3, у: 290 ± 3 Y: 2,0 ± 0,3

Завод данные

Обновление программного обеспечения.
1. Проверка версии программного обеспечения (аналоговое ПО)
1. Для входа в сервисный режим нажмите кнопки на пульте дистанционного управления в следующей последовательности. (в состоянии ожидания)
Информация → Меню → Без звука → Включение питания
2. При входе в сервисный режим информация о программном обеспечении отображается в верхней части экранного меню сервисного режима.Пример: T-HITPEU-1000 2005 / 0X / XX
Процедура загрузки услуги.
Дважды щелкните значок «WISP» на рабочем столе.
2. Проверить эталон.
– Отметьте назначение «Picasso N2»
– Отметьте пункт «Выбор вспышки». назначить «Ручной»
– Вы можете настроить время задержки программы для скорости программы, но мы используем обычное «5 [мс]».
– Проверьте зеленую лампу, если она горит. когда-нибудь красную лампу нельзя программировать.
3. Проверьте линию IIC.
– Нажмите кнопку «Войти в режим ISP». Если проблема с линией шины IIC или нет,
– Измените «Нажмите Отправить, чтобы войти в ISP. Режим”.
– Нажмите кнопку «Отправить».
4. Стереть перед программой.
– Нажмите кнопку «Стереть Flash» для перед стиранием программы
– Вы можете выбрать элемент выбора вспышки но мы используем обычный режим «Все».
– Измените «Выбрать флэш-память» на стереть. Когда будете готовы, нажмите «Отправить».
– Нажмите кнопку «Отправить»
5. Напишите новую программу.
– Нажмите кнопку «Записать флэш» для загрузка новой программы
– Измените файл «Load.hex» на программу мигает. ”
– Нажмите кнопку «Обзор» и найдите новая папка программы на вашем компьютере
– Нажмите кнопку «Отправить».
6. Проверьте новую программу.
– Нажмите кнопку «Проверить флэш».
– Измените «Выбрать флэш для проверки». правильное программирование.
Когда все будет готово, нажмите Отправить ».
– Нажмите кнопку «Отправить».
Регулировка фокуса.
Поскольку шасси S16C имеет встроенный одиночный цепь фокусировки, будьте осторожны при настройке фокуса.
Когда печатная плата CRT, FBT или CRT был заменен, фокус необходимо отрегулировать в соответствии со следующим процедуры.
1. Отобразите образец крестовой штриховки.
2. Установите настройку экрана на «Просмотр как стандартный».
3. Поверните Static Focus VR по часовой стрелке. в максимальное положение.
(конец по часовой стрелке)
4. Медленно поверните Static Focus VR. против часовой стрелки, чтобы центральная вертикальная линия
отображалась наиболее четко. [отрегулированная точка: центр (2/1)]
5. Проверьте фокусировку всего экрана и повторите шаги с 3 по 4, если необходимо.
Регулировка напряжения экрана.
1. Выберите «Power Off → Info → Menu → Mute → Power On», чтобы войти в сервисный режим.
2. Выполните инициализацию всех настроек в значения, соответствующие соответствующей модели.
3. Отобразите шаблон Toshiba.
4. Сначала проверьте IBRM в «G2 Adjust». заводских настроек и отрегулируйте экран VR до тех пор, пока цвет элемента IBRM не станет зеленым.
Регулировка баланса белого
1. Установите для всех настроек значения соответствующий к соответствующей модели.
2. Выберите «Информация → Меню → Без звука → Включение», чтобы войти в сервисный режим.
3. Выполните инициализацию всех настроек в значения, соответствующие соответствующей модели.
4. Отобразите шаблон Toshiba и отрегулируйте баланс белого с помощью CA100 с координатами соответствующего модель.
5. Войдите в настройку видео 1 в сервисном режиме. Регулировать Приглушенный свет.
– Отрегулируйте Sub Bright, чтобы установить Y.
– Отрегулируйте B Cutoff, чтобы установить y.
– Настройте R Cutoff, чтобы установить x.
6. Войдите в настройку видео 1 в сервисном режиме. Отрегулируйте High / Light.
– Отрегулируйте субконтраст, чтобы установить Y.
– Отрегулируйте B Drive, чтобы установить y.
– Отрегулируйте привод R, чтобы установить x.
7. Проверьте режим «Низкий / светлый» и отрегулируйте его, если значение было изменено.
8. Если вы перенастроили Низкое / Светлое, отрегулируйте заново. High / Light, пока два значения не будут идентичны координатам соответствующая модель.
Стандартные данные баланса белого.
Контрольный список для регулировки напряжения экрана и баланса белого.
1. Напряжение экрана и баланс белого подключены друг к другу, и оба они должны быть настроены на правильные ценности.
2. Отрегулируйте баланс белого после Напряжение экрана было отрегулировано, и проверьте, нормальное ли напряжение экрана после регулировка баланса белого.
3. Если баланс белого настроен заново, еще раз проверьте напряжение экрана.
4. По окончании регулировки проверьте следующий контрольный список.
– Если на экране есть пятно при выключении / включении телевизора снова отрегулируйте напряжение экрана.
– Если есть призрачная линия на экрана, снова отрегулируйте напряжение экрана.
Названия и роли основных частей.
* CN601: 4-контактный порт, подключенный к порту SPEAKER, который передает сигнал от усилителя к динамикам.
* CN602: 5-контактный порт, подключенный к AV ASSY, который передает сигнал на наушники.
* CN501: 9-контактный порт, подключенный к CRT ASSY, который выводит R / G / B сигнал на CRT ASS’Y для отображения и сигналы питания на CRT DRIVE.
* CN701: 8-контактный порт, подключенный к AV ASSY, который принимает внешний AV2 Вход.

Основная плата и разъем функции платы.
Принципиальная схема – Власть.
Принципиальная схема – Main.
Принципиальная схема – ЭЛТ и звук.
(A) Тетрамер авидина (PDB 2AVI), субъединицы которого пронумерованы в соответствии с …
Авидин (Avd) – это белок, впервые обнаруженный в белке куриного яйца, а затем в других птицах, рептилиях, земноводных и ланцетах. Помимо этих эукариотических видов, Avd также идентифицирован у нескольких видов грибов и многих видов бактерий, наиболее известным из которых является стрептавидин из Streptomyces avidinii. Avds – это высокостабильные гомотетрамерные, а в некоторых случаях и димерные, белки, известные своим чрезвычайно сильным сродством связывания с биотином; Kd ~ 10-15 M для курицы Avd – это самое высокое сродство, наблюдаемое для связывания нековалентного лиганда с макромолекулой.Из-за высокого сродства Avd к биотину, система связывания Avd-биотина использовалась во многих приложениях наук о жизни в области биотехнологии, медицинской диагностики и нанотехнологий. Наши сотрудники ранее разработали сконструированные с круговой перестановкой формы Avd, двухцепочечные (dc) и одноцепочечные (sc) Avds, которые содержат две и четыре, соответственно, субъединицы Avd, включенные в одну полипептидную цепь. Каждый «домен» в dc и sc Avd, таким образом, соответствует мономеру в Avd дикого типа и имеет полностью функциональный, высокоаффинный биотин-связывающий сайт, который можно независимо модифицировать.Целью этого тезиса было структурно охарактеризовать новые белки Avd, как естественные, так и сконструированные формы, которые связывают небиотиновые лиганды, например пептидные лиганды, стероиды и другие небольшие молекулы. Это дает возможность создавать сконструированные dc или sc Avds, содержащие два или четыре отдельных домена Avd, имеющих различную аффинность связывания лиганда с биотином или небиотиновыми лигандами. Этот тезис фокусируется на определении структуры нескольких Avds, которые распознают лиганды, отличные от биотина, которые могут быть включены в сконструированные dc и sc Avds со смесью предпочтений лигандов.Ряд искусственных куриных белков на основе Avd, в совокупности названных «антидинами», был разработан путем случайных и специфических мутаций и выбран для связывания лигандов, отличных от биотина. Разработанный стероид-связывающий антидин, связывающий прогестерон с микромолярным сродством, был выбран для испытаний по кристаллизации. Мы решили кристаллические структуры стероид-связывающего антидина sbAvd-2 (I117Y) без [код банка данных белков (PDB): 4U46] и с [PDB: 5LUR] прогестероном, связанным с каждым мономером тетрамера.Мы также смоделировали несколько высокоаффинных прогестерон-связывающих антидинов, обладающих наномолярным сродством к прогестероновому лиганду, и провели с ними вычислительные эксперименты по стыковке, чтобы оценить их комплексы с прогестероном и биотином. Это позволило нам оценить возможные взаимодействия антидинов с этими небольшими молекулами, даже без их рентгеновской структуры. Природный тетрамерный Avd, брадавидин из Bradyrhizobium diazoefficiens, азотфиксирующая бактерия, присутствующая в корневых клубеньках сои, открывает новые возможности для биотехнологического использования Avds, поскольку брадавидин дикого типа (wt) имеет уникальный внутренний C-концевой пептидный лиганд, известный как как «Брэд-тег», связанный с сайтом связывания соседней субъединицы.Мы решили рентгеновскую структуру кор-брадавидина – сконструированной формы брадавидина дикого типа, где C-концевые остатки Gly114-Lys138 были усечены, включая остатки Brad-tag Gly129-Lys138 – в комплексе с биотином [PDB: 4BBO]. Сравнение режима связывания брадавидина дикого брадавидина – Brad-tag и core-bradavidin – биотина выявило конформационные изменения, необходимые в сайте связывания брадавидина для размещения двух разных лигандов (Brad-tag против биотина). Чтобы лучше понять механизм и полезность Brad-tag в качестве внутреннего лиганда, мы также смоделировали структуру двух белков, содержащих последовательность Brad-tag и которые, вероятно, связывают ее: родавидин из Rhodopseudomonas palustris и брадавидин A2 из Bradyrhizobium sp.Ai1a-2. Avds, подробно описанные в этой диссертации, включают естественные Avds, связывающие внутренние пептидные лиганды, и искусственные Avds, созданные путем инженерии или случайного мутагенеза, связывая стероиды или другие небольшие молекулы. Это исследование предоставляет возможности для разработки каркасов на основе Avd с индивидуальным сродством к новым небиотиновым лигандам. Эти «домены» можно рассматривать как мономеры как таковые в димерных или тетрамерных Avds или как домены, интегрированные в dc или sc Avds, разработанные для различных био (нано) технологических приложений, в которых одновременное распознавание и / или сшивание нескольких молекулярных сущностей выгодно.
Схема: Упакованные Доляки | GW2Spidy
Список покупок
# Ингредиент шт. всего
Стоимость создания: 93 с 17 с
стоимость кармы:
Прибыль
Стоимость создания: 93 с 17 с
цена продажи: 0 c
листинговый сбор: 0 c
Комиссия за транзакцию: 0 c
прибыль: -93 с 17 с
Как это работает?
Выберите, какие части рецепта вы хотите купить, а какие вы хотите создать, мы отметили лучший выбор для вас по умолчанию 😉
Итоговый список покупок и стоимость / прибыль отображаются в сводке!
– Цена покупки – это самый низкий ордер на продажу (нажатие кнопки «купить сейчас» в игре).
– Цена продажи – это самый низкий ордер на продажу (создание списка, соответствующего самому низкому продавцу).
Легенда
КУПИТЬ РЕМЕСЛО Выгоднее покупать у TP, вы все равно можете его крафтить конечно!
КУПИТЬ РЕМЕСЛО Крафтить выгоднее, можно, конечно, купить!
НЕ ПРОДАНО У нас нет цены для этого предмета, поэтому единственный вариант – создать его
КУПИТЬ НЕ РАЗРАБОТАНО У нас нет рецепта этого предмета, поэтому единственный вариант – купить его
КАРМА ПОСТАВЩИК Этот предмет связан с душой и может быть приобретен, купив его у продавца кармы.
НЕ ИЗГОТОВЛЕНО, НЕ ПРОДАНО У нас нет рецепта и нет информации о цене продажи для этого предмета!
Скорее всего, это мистический рецепт кузницы, и результат завораживает!
Коинтеграция однотранзисторных нейронов и синапсов путем изготовления наноразмерных КМОП для высокомасштабируемого нейроморфного оборудования
Характеристики единичного устройства нейрона и синапса
N-канальный однотранзисторный нейрон и синапс имеют такую же структуру SONOS, как показано на рис.1B. Интеркалированный нитрид-ловушка для заряда (Si ₃ N ₄) в многослойных диэлектриках затвора допускает мультисостояния в зависимости от количества удерживаемых зарядов. Они могут выполнять две функции: (i) включать возбуждающую / тормозную функцию или настраивать пороговое напряжение срабатывания ( В, _{Тл, срабатывание}) в нейроне и (ii) управлять обновлением веса в синапсе. Подобно гомотипу, нейрон и синапс имеют одинаковую структуру, но работают по-разному, как показано на рис.1С. Для работы нейрона входной ток ( I, , _в), собранный из пресинапсов, подается на электрод стока (или истока) ⁺, а выходное напряжение ( В, , _из) создается из того же n ^{. +} электрод стока (или истока). Для работы синапса напряжение, передаваемое от пренейрона ( В, , _в), подается на электрод затвора синапса, а выходной ток ( I _из) проходит от источника n ⁺ (или сток) электрод.Эти нейроны и синапсы были изготовлены на 8-дюймовой пластине с использованием того же стандартного процесса Si CMOS и были связаны друг с другом посредством металлизации для монолитно интегрированной нейроморфной системы, как показано на рис. 1D. Детали изготовления описаны на рис. S1.Как упоминалось ранее, возбуждение / торможение нейрона определяется захватом электронов в нитриде структуры SONOS. Тормозная функция, которая отключает активацию нейрона, необходима, потому что она может повысить энергоэффективность нейроморфной системы путем выборочной активации определенного нейрона.Следовательно, он может реализовать эффективное обучение и логический вывод с помощью механизма WTA ( 21 – 23 ). Как показано на рис. 2А, если электроны не захватываются нитридом, нейрон находится в состоянии с низким сопротивлением. Таким образом, ток течет через канал, когда применяется I, , _в. Как следствие, заряды не интегрируются, и негерметичная функция интеграции и возгорания (LIF) подавляется. В противном случае нейрон находится в состоянии высокого сопротивления (HRS), когда захваченные электроны в нитриде создают потенциальный барьер между источником n ⁺ и каналом p-типа, называемым встроенным потенциалом p-n.Соответственно, заряды интегрируются до момента стрельбы. Для работы нейрона затвор нейронного транзистора является своего рода псевдозатвором, в отличие от обычного фактического затвора. Он используется не для работы LIF, а для улавливания заряда. Для захвата электронов в нитриде на псевдозатвор подается положительный импульс напряжения. После этого он поддерживается в плавающем состоянии для работы нейрона. Из-за энергонезависимости захваченных зарядов даже без смещения затвора потребление энергии намного меньше по сравнению с нашим предыдущим исследованием, которое требовало дополнительного и непрерывного контроля напряжения затвора ( 33 , 34 ).
Рис. 2. Единичная характеристика однотранзисторного нейрона и синапса.
( A ) Принцип работы однотранзисторного нейрона. Возбуждение / торможение нейрона определяется захватом электронов в нитриде. ( B ) Выходная характеристика ( I _D – V _D) изготовленного однотранзисторного нейрона. Явление однотранзисторной защелки (STL), которое позволяет пороговое переключение около В _{защелка}, наблюдалось только после захвата электронов (возбуждения).( C ) Пиковая характеристика изготовленного однотранзисторного нейрона. Спайк нейронов при операции LIF возбуждался после захвата электронов, тогда как он подавлялся до захвата электронов. ( D ) Принцип работы однотранзисторного синапса. Вес синапса можно регулировать, контролируя плотность захваченного заряда в нитриде. ( E ) Передаточная характеристика ( I _D – V _G) изготовленного однотранзисторного синапса после потенцирования и депрессии.Пороговое напряжение ( В, , _Т,) было смещено влево после потенцирования и вправо после нажатия. ( F ) Характеристика потенцирования-депрессии (P-D) изготовленного однотранзисторного синапса. Было защищено тридцать два уровня состояния проводимости (5 бит).
На рисунке 2B показаны выходные характеристики изготовленного n-канального однотранзисторного нейрона, которые представлены зависимостью тока стока от напряжения стока ( I _D – V _D).Длина его затвора ( L _G) и ширина канала ( W _CH) составляют 880 и 280 нм соответственно. Перед захватом электронов I _D течет независимо от V _D. После захвата электронов с напряжением затвора ( В, _G), равным 12 В, и длительностью импульса 100 мкс, I _D не течет при низком значении В _D. Однако большое количество I _D резко выходит за пределы критического V _D; это называется напряжением фиксации ( В, , _{, фиксация,}).Это явление известно как явление однотранзисторной защелки (STL) и служит пороговым переключателем ( 35 , 36 ). Рисунок 2C показывает зависимость V _out от времени при постоянном I _{in №} был нанесен на электрод стока однотранзисторного нейрона до и после захвата электронов. V _G 12 В применяли для захвата электронов (возбуждающего), а V _G -12 В применяли для улавливания электронов (ингибирование).После захвата и снятия ловушек вентиль поддерживался в плавающем состоянии для работы нейрона. Напряжение В, , _{, выход} было измерено на том же электроде стока. Перед захватом электронов нанесенный I _в непосредственно протекал через канал к источнику, и накопление заряда (интегрирование) не допускалось. В результате была задействована тормозная функция, в отличие от двухконцевого мемристорного нейрона. После захвата электронов примененный I _в не вытек к источнику, а заряды накапливались в паразитном конденсаторе ( C _пар).В соответствии с этим процессом интеграции, V _D эквивалент V _out был увеличен до V _{T, срабатывая}. Одновременно итеративная ударная ионизация вызывалась повышенным V _D и накоплением дырок в теле. Когда V _out достигает V _{защелки}, что совпадает с V _{T, стреляющим}, накопленные заряды в C _par внезапно разряжаются STL.Это процесс увольнения. Таким образом, имитировали импульс нейрона. На рисунке S2 показана диаграмма энергетических диапазонов во время работы LIF, полученная с помощью моделирования устройства с помощью технологии компьютерного проектирования (TCAD). Обратите внимание, что в момент выстрела энергетический барьер между источником n ⁺ и телом p-типа понижен настолько, чтобы позволить интегрированным зарядам уйти к источнику. Измеренная частота пиков ( f ) была увеличена по мере увеличения I _в.В дополнение к управлению возбуждением и торможением, V, , _{T, firing} можно было настраивать путем управления плотностью захваченного заряда в нитриде. Это настраиваемое свойство V, _{T, срабатывание} важно для реализации надежной нейроморфной системы ( 23 , 24 ). Если проводимость синапса является неприемлемо низкой или высокой из-за вызванной процессом изменчивости и проблем с выносливостью, то целевое количество запусков не может быть достигнуто.Для подавления этой нестабильности требуется настраиваемый V, _{T, поджиг}. Как показано на рис. S3A, защелка V была увеличена с помощью прикладного программного импульса. Это связано с тем, что количество носителей, подаваемых от источника к телу, было уменьшено из-за пониженного потенциала тела (то есть увеличенного встроенного потенциала у источника n ⁺ и тела p-типа) захваченных электронов. В результате В, _{Т, срабатывание} шипа было увеличено, как показано на рис.S3 (B и C). Таким образом, продемонстрированный многоступенчатый однотранзисторный нейрон использует как управляемость возбуждающей / тормозящей функции, так и настраиваемость V, _{T, запускающего}.
Характеристики утечки за счет диффузии ионов через мембрану важны для биологического нейрона. Это связано с тем, что при отсутствии характеристики утечки предыдущий сигнал ниже порогового значения будет сохранять напряжение до тех пор, пока другой входящий сигнал не вызовет зажигание, даже через долгое время.Мы провели измерения импульсов тока, чтобы подтвердить ЛИФ-характеристику изготовленного однотранзисторного нейрона. Прямоугольный импульс частотой 1 Гц с пиком 500 пА и скважностью 2% подавался на электрод стока, и напряжение В, , _из было измерено на том же электроде стока. Как показано на рис. S4A, было подтверждено, что V _out было уменьшено, когда не подавался входной ток. Это представляет собой негерметичное свойство. На основе измеренных данных поведение LIF однотранзисторного нейрона было смоделировано с помощью программы моделирования с симуляцией с акцентом на интегральную схему (SPICE) с использованием порогового переключателя и паразитного конденсатора, как показано на рис.S4B. Обратите внимание, что узлы для измерения напряжения и узлы для переключения равны в пороговом переключателе, управляемом напряжением. C _пар, V _{T, срабатывание} и сопротивление на HRS ( R _от) были установлены как 8 пФ, 3 В и 5 тером соответственно. Как следствие, было хорошее согласие между смоделированными и измеренными характеристиками выбросов (рис. S4A).
f нейрона LIF можно смоделировать следующим образом:
f = 1∫0VT, firing (CparIin − VoutRoff) dVout
, где R _off – ток в выключенном состоянии в HRS во время интеграции.По мере того, как V _{T, срабатывание} уменьшается, f увеличивается, потому что срабатывание происходит при более низком напряжении. Следует отметить, что V _{T, срабатывающий}, который соответствует V _{защелке} на рис. 2B, определяется различными параметрами, такими как L _G, концентрация легирования тела ( N _корпус) и энергетическая запрещенная зона ( 36 , 37 ). По мере увеличения L _G, V _{защелка} и V _{T, срабатывание} увеличивается, потому что для этого требуется более высокое напряжение стока для обеспечения фиксации из-за уменьшенного бокового электрического поля ( E _{бокового}).Обратите внимание, что E _{боковой} может быть приблизительно равен ( V _D – V _S) / L _G. На рисунке S5A показан V _{T, стреляющий} как функция от L _G. В дополнение к измерениям мы провели моделирование устройства, чтобы подтвердить аналогичную тенденцию между V _{T, стреляющим}, и L _G короче, чем изготовленный L _G с помощью Synopsys Sentaurus TCAD Переходное моделирование.Как и ожидалось, поскольку L _G было уменьшено, V _{T, срабатывание} было уменьшено за счет уменьшения V _latch. Когда L _G укорочен до 250 нм, V _{T, срабатывание} может быть уменьшено до 1,1 В. На рисунке S5 (B и C) показаны f и энергия на пик ( E / шип) в зависимости от L _G соответственно. E / пик в течение 1 с был рассчитан путем умножения I _на и площадь под одним выступом на рис.2C, на котором показано измеренное выходное напряжение ( В, , _из) в зависимости от времени. Таким образом, он извлекается как Iin · ∫01fVoutdt. Поскольку L _G был уменьшен, f был увеличен, а E / шип был уменьшен на уменьшенный V _{T, стреляя}. Когда L _G уменьшен до 250 нм, f может быть увеличен до 7,6 кГц, а E / пик может быть уменьшен до 1,3 пДж / пик на I _в из 10 нА. .С другой стороны, когда L _G меньше 250 нм, STL не возникает из-за утечки, вызванной сквозным током, непосредственно протекающим через сток n ⁺ к источнику n ⁺. Таким образом, работа нейрона может быть отключена. Дальнейшее уменьшение размера L _G станет возможным с помощью инженерии соединений, такой как имплантация карманов (или ореолов) путем подавления сквозной утечки, которая отключает STL.
По мере увеличения I _в скорость зарядки увеличивается, а f имеет тенденцию к увеличению.Помимо V _{T, стреляющих} и I _в, C _par играет важную роль в управлении f . Из приведенного выше уравнения f увеличивается по мере уменьшения C _par, поскольку для зарядки меньшего паразитного конденсатора требуется меньше времени. Чтобы подтвердить эффект C _par, мы измерили f и извлекли E / пик, подключив внешний конденсатор параллельно однотранзисторному нейрону. L _G было зафиксировано как 880 нм. На рисунке S6 (A и B) показано, что f был увеличен, а E / пик был уменьшен, поскольку C _par был уменьшен. Чтобы подтвердить характеристики нейрона с меньшим C _par, чем измеренный C _par, мы выполнили моделирование устройства с помощью Synopsys Sentaurus TCAD. Примечательно, что трудно охарактеризовать емкость уровня субпикофарад из-за емкости контактной площадки устройства.Обратите внимание, что размер контактной площадки больше, чем 100 мкм на 100 мкм для прямого зондирования, по сравнению с размером нейрона с одним транзистором. Согласно данным моделирования, когда C _par составлял 0,5 пФ, f можно было увеличить до 11,7 кГц, а E / пик можно было уменьшить до 0,7 пДж / пик при I _дюйм. из 10 нА. Поэтому лучше уменьшить C _пар однотранзисторного нейрона, чтобы повысить скорость вычислений и энергоэффективность.Это означает, что миниатюризация однотранзисторного нейрона благоприятна для повышения производительности нейрона, то есть они масштабируются по отношению друг к другу.
Сравнивалась потребляемая мощность однотранзисторного нейрона и мемристорного нейрона. Пиковая потребляемая мощность была получена путем умножения пикового тока и пикового значения В, , _и (рис. S7). Было обнаружено, что однотранзисторный нейрон потребляет пиковую мощность 1,5 мкВт, что в 7-261 раз меньше, чем нейроны на основе мемристора ( 18 , 20 ).Такое низкое пиковое энергопотребление по сравнению с нейронами на основе мемристора объясняется малой площадью поперечного сечения канала для протекания тока из-за высокой масштабируемости изготовления нанокМОП. Его изготовленная площадь была извлечена из произведения толщины канала (50 нм, т.е. высота канала) и ширины канала (280 нм). Кроме того, сравнивалась потребляемая мощность однотранзисторного нейрона и обычного нейрона на основе схемы. Средняя потребляемая мощность нейрона, основанного на схеме, находится в диапазоне 0.От 3 до 78,16 мкВт ( 9 – 11 ). Хорошо известно, что средняя потребляемая мощность намного меньше, чем пиковая потребляемая мощность. Обратите внимание, что пиковая потребляемая мощность однотранзисторного нейрона сравнима со средней потребляемой мощностью нейрона на основе схемы, потому что мощность не потребляется во время интеграции, когда пиковый ток не течет. Например, средняя мощность в одном пике была получена как 15,4 нВт, тогда как I _в составляла 10 нА.Следовательно, однотранзисторный нейрон может потреблять мало энергии для нейроморфных вычислений.
С другой стороны, стоит отметить, что однотранзисторный нейрон имеет двунаправленную характеристику, в которой операция пиков возможна как для ввода-вывода стока, так и для ввода-вывода истока (рис. S8). Когда ток подается на электрод стока (ввод / вывод стока), положительные заряды интегрируются в паразитный конденсатор на стороне стока. Соответственно, уровень V, , _out низкий в состоянии покоя и высокий в состоянии интеграции, как показано на фиг.S8A. Напротив, когда ток снимается с источника (ввод / вывод источника), отрицательные заряды интегрируются в паразитный конденсатор на стороне источника. Другими словами, уровень V _out высокий в состоянии покоя и низкий в состоянии интеграции, как показано на фиг. S8B. Эта двунаправленная характеристика может предоставить больше степеней свободы при проектировании нейроморфной системы. Таким образом, мы использовали оба метода для построения нейроморфной системы.
Поскольку устройство синапса имеет ту же структуру SONOS, что и нейрон, вес синапса можно регулировать, контролируя плотность захваченного заряда в нитриде.Например, если электроны захватываются путем приложения положительного смещения к затвору, то пороговое напряжение ( В, , _T) смещается вправо, а проводимость канала уменьшается при том же напряжении считывания, как показано на рис. 2D. . Это своего рода депрессия. В противном случае V _T сдвигается влево, а проводимость канала увеличивается при том же напряжении считывания. Это своего рода потенцирование. На рисунке 2E показаны передаточные характеристики изготовленного n-канального однотранзисторного синапса, которые представлены зависимостью тока стока от напряжения затвора ( I _D – V _G).Его L _G и W _CH имеют длину 1880 и 180 нм соответственно. В _T регулировалось приложенным напряжением затвора, которое контролирует плотность захваченного заряда. Кривая потенцирования-снижения (P-D) на фиг. 2F показывает изменение проводимости (обновление веса) в соответствии с количеством приложенных импульсов с идентичной амплитудой и рабочим циклом. Оба V _G и V _D для операции чтения были установлены как 1 В. V _G для потенцирования и депрессии был установлен как -11 В с длительностью импульса 100 мс и 11 В с шириной импульса 10 мкс, соответственно. В результате было обеспечено 32 уровня (5 бит) состояний проводимости. Примечательно, что V _G для потенцирования и депрессии может быть уменьшен путем разработки толщины туннельного оксида и диэлектрической проницаемости блокирующего оксида.
Совместная интеграция нейрона и синапса
Если нейрон и синапс гомотипны, то они могут быть интегрированы в одной плоскости в одно и то же время с одним и тем же устройством.После этого они могут быть соединены металлическими соединениями. Эта коинтеграция демонстрируется для двух слоев нейронной сети. Один из них – это предслой, состоящий из пресинаптического нейрона и переданного синапса. Другой – пост-слой, состоящий из передающего синапса и постсинаптического нейрона. На рис. 3 (от A до C) показан коинтегрированный пресинаптический нейрон и переданный синапс в качестве предварительного слоя. Ссылаясь на принципиальную схему на рис. 3A, постоянный входной ток ( I, , _{дюймов, нейрон}) подается на электрод стока нейрона, и сток подключается к затвору синапса для подачи выходного напряжения. от пресинаптического нейрона ( В, , _{, пренейрон}).Обратите внимание, что эта конфигурация использует вышеупомянутую схему ввода-вывода стока. Следовательно, когда происходит всплеск нейрона, соответствующий ток стока ( I _D) протекает через канал синапса. Его величина модулируется синаптическим весом. На рис. 3В показан изготовленный пресинаптический нейрон и переданный синапс, соединенные между собой посредством металлизации. Как показано на фиг. 3C, пиковый выходной ток переданного синапса ( I _{out, syn}) был увеличен в соответствии с V _{out, пренейроном} возбужденного пресинаптического нейрона в порядке веса: w ₁ w ₂ w ₃.Следует отметить, что f из I _{out, syn} был определен I _{in, нейроном}. Обратите внимание, что стабильная операция логического вывода разрешена, если толщина туннельного оксида синапса на основе SONOS не уменьшена (рис. S9). Это связано с тем, что синаптический вес не будет изменен В _{вне, пренейрон}, что мало по сравнению с напряжением потенциации / депрессии (P / D). Следовательно, он подходит для приложений обучения вне кристалла, где обучение не требуется на оборудовании.Однако путем разработки В, _{Т, срабатывания} нейрона и толщины туннельного оксида ( Т _ох) в синапсе, вес передаваемого синапса может быть изменен выходным напряжением пресинаптический нейрон без дополнительных схем импульсной модуляции. Это означает, что это также применимо к приложениям для обучения на кристалле.
Рис. 3. Однокомбинированный однотранзисторный нейрон и синапс.
( A ) Принципиальная схема соединения пресинаптического нейрона и передаваемого синапса в предуровне нейронной сети.Выходное напряжение пресинаптического нейрона ( В, , _{выход, пренейрон}) передается на затвор синапса. ( B ) Изготовленный пресинаптический нейрон и переданный синапс соединены между собой посредством металлизации. ( C ) Измеренный выходной ток синапса ( I _{out, syn}) как функция от синаптического веса. Уровень I _{out, syn} стал выше, когда синаптический вес был больше. ( D ) Принципиальная схема передающего синапса и постсинаптического нейрона в постсинаптическом слое нейронной сети.Ток передающего синапса прикладывается к источнику постсинаптического нейрона. ( E ) Изготовлены передающий синапс и постсинаптический нейрон, соединенные между собой посредством металлизации. ( F ) Измеренное выходное напряжение нейрона ( В, , _{выход, постнейрон}) как функция синаптического веса. Частота пиков ( f ) V _{out, постнейрон} становился выше, когда синаптический вес был больше.
Чтобы подтвердить применимость к обучению на кристалле, мы увеличили V, _{T, активировав} нейрона до 5.5 В путем увеличения N _{корпуса} до 1 × 10 ¹⁸ см ⁻³ и увеличения L _G до 1,9 мкм. В то же время, когда T _ox синапса уменьшается, вес синапса может быть дополнительно изменен за счет более низкого напряжения. Как показано на рис. S9A, гистерезис увеличивался при тех же условиях напряжения, когда T _ox синапса уменьшалось с 3 до 2 нм. Это означает, что большее смещение порогового напряжения ( В, , _Т,) и изменение проводимости могут быть выполнены при одном и том же напряжении P / D.На рисунке S9B показано, что когда T _ox синапса составлял 2 нм, V _T синапса постепенно сдвигался спайком нейрона. С другой стороны, когда T _ox составляет 3 нм, смещение V _T не было значительным, как показано на рис. S9C. Депрессия, при которой проводимость постепенно снижается, произошла из-за всплеска нейронов для T _ox длиной 2 нм, как показано на рис. S9D. Однако проводимость существенно не изменилась для T _ox 3 нм.С точки зрения удерживающих характеристик, T _ox 3 нм был лучше, чем T _ox 2 нм, как показано на рис. S9E. Следовательно, T _ox 3 нм подходит для приложений обучения вне кристалла, которые требуют хороших характеристик удерживания без изменения веса, а T _ox 2 нм подходит для приложений обучения на кристалле, которые требуют изменение веса при более низком напряжении P / D. Следует отметить, что формирование оксида затвора различной толщины уже использовалось для коммерческой логической микросхемы.Вышеупомянутые особенности легко реализуются при изготовлении КМОП. Кстати, на рис. S9D, потому что В _{на выходе, пренейрон} положителен, когда происходит срабатывание. Однако потенцирование также может быть достигнуто при использовании источника ввода / вывода. Когда 0 В подается на сток пресинаптического нейрона и входной ток подается на источник, выход В, _{, пренейрон} составляет 0 В в состоянии покоя, и он отрицательный, когда происходит возбуждение, что вызывает потенцирование передаваемый синапс.Следовательно, двунаправленная характеристика однотранзисторного нейрона может допускать как подавление, так и потенцирование.
На рис. 3 (от A до C) показан анализ одного пресинаптического нейрона и одного переданного синаптического соединения, когда был зафиксирован I _{in, нейрон} к возбужденному постсинаптическому нейрону. Чтобы показать эффект I _{in, нейрон} с возбуждающей / тормозной функцией в однотранзисторном нейроне, мы построили структуру массива для коинтеграции с высокой плотностью.На рисунке S10 показана матричная структура, в которой были связаны как пресинаптически возбужденные, так и ингибированные нейроны с разными значениями I, , _{дюймов,} и передаваемые синапсы с разной проводимостью (массой). Как показано на рис. S10A, каждый нейрон был связан с четырьмя синапсами с разным весом, и к каждому нейрону применяли разные I _{in, нейрон}. Синапсы имеют четыре разных веса ( w ₁ w ₂ w ₃ w ₄).Например, возбуждался нейрон от первого до третьего нейрона, в котором электроны были захвачены в слое ловушки заряда, а четвертый нейрон был подавлен, в котором электроны не были захвачены в слое ловушки заряда. Для каждого возбужденного нейрона применялся свой нейрон , , _{дюймов. Более подробно, 500 пА, 1 нА и 5 нА применялись для первого, второго и третьего нейронов соответственно. Наконец, I _{out, syn} переданного синапса был измерен в каждом синапсе.На рисунке S10B показана цветовая карта для представления f I _{out, syn} каждого синапса в массиве. f из I _{out, syn} был выражен с яркостью. Пиксель темного цвета указывает синапс с высоким значением f , а пиксель белого цвета указывает синапс с низким значением f . По мере того, как I _{in, нейрон}, примененный к пресинаптическому нейрону, увеличивался, частота пиков I _{out, syn} увеличивалась.На рисунке S10C показана цветовая карта, представляющая пиковый ток I _{in, нейрон} каждого синапса в массиве. Пиковый ток I _{in, нейрон} был выражен яркостью. Пиксель темного цвета указывает на синапс с высоким пиковым током, а пиксель белого цвета указывает на синапс с низким пиковым током. По мере увеличения синаптического веса с Вт ₁ до Вт ₄ пиковый ток I _{в нейроне} увеличивался.Синапсы в первом столбце не показали событий активации независимо от I _{in, нейрон} пресинаптического нейрона, потому что V _T синапса было выше, чем выходное напряжение пресинаптического нейрона. Синапсы в последней строке также не отображали событий активации независимо от синаптического веса. Это потому, что пресинаптический нейрон был подавлен. С другой стороны, любопытно, сколько переданных синапсов может быть коинтегрировано с одним пресинаптическим нейроном.Теоретически можно управлять несколькими передаваемыми синапсами, которые связаны с одним пресинаптическим нейроном. В качестве примера мы смоделировали архитектуру, состоящую из одного пресинаптического нейрона и 100 синапсов, с помощью симулятора цепи SPICE. Ток, протекающий от нейрона к синапсам, ничтожно мал, потому что затвор синапса имеет очень высокое входное сопротивление из-за низкого уровня тока утечки затвора. Следует отметить, что ток утечки затвора изготовленных синапсов составлял менее 1 пА.Поскольку нет постоянного тока, протекающего от нейрона к синапсам, количество передаваемых синапсов, которые могут быть выведены из строя с помощью пренейрона} пресинаптического нейрона V _{, не ограничено. В результате V _{out, пренейрон} был инвариантным, хотя 10 синапсов были связаны с одним пресинаптическим нейроном, как показано на рис. S10D. Кроме того, V, _{, пренейрон} не изменялся даже при изменении веса каждого синапса.Это важное преимущество коинтеграции с трехконтактным синапсом на основе MOSFET, таким как SONOS, по сравнению с коинтеграцией с двухконтактным синапсом на основе резистора, таким как мемристор. Из-за эффекта нагрузки количество синапсов неизбежно влияет на выход нейронов, когда соединены двухконцевые синапсы ( 38 , 39 ). Например, колебание нейрона было невозможно, когда количество двухконцевых синапсов с проводимостью ( G ) 1 нСм было больше 10.Это связано с тем, что ток течет к синапсам за счет повышенной проводимости, как показано на рис. S10E. Эта проблема усугубилась для более крупного G , как показано на рис. S10F, потому что по синапсам течет больший ток. Ссылаясь на рис. S10F, когда количество переданных синапсов увеличивалось, ток утечки в сторону синапсов увеличивался, а значение f пресинаптического нейрона уменьшалось. Затем, когда количество синапсов превышало определенный уровень, всплесков не происходило.Чтобы решить эту проблему двухполюсных синапсов, требуется конфигурация 1T1R, состоящая из дополнительного транзистора (1T) и мемристора (1R), или буферной схемы. Однако эти конфигурации приносят в жертву эффективность компоновки, усложняют изготовление и увеличивают стоимость оборудования. На рис. 3 (D – F) показан коинтегрированный постуровень, состоящий из передающего синапса и постсинаптического нейрона. Как показано на принципиальной схеме на рис. 3D, постоянное напряжение затвора ( В, , _{дюймов, синхросигнал}) прикладывается к передающему синапсу, а сток синапса соединяется с источником постсинаптического нейрона. I _{out, syn}, таким образом, применяется к постсинаптическому нейрону. Выходное напряжение измеряется у источника постсинаптического нейрона. Другими словами, он принимает схему ввода-вывода источника. Если выход I _{, syn} применяется от источника передающего синапса к стоку постсинаптического нейрона (схема ввода-вывода стока), тогда напряжение источника передающего синапса изменяется в зависимости от отклонения выходного сигнала. напряжение постсинаптического нейрона ( В, , _{вых, постнейрон}).В противном случае, если сток передающего синапса подключен к источнику постсинаптического нейрона (схема ввода-вывода источника), то такая проблема смягчается. Эта особенность связана с насыщенным током стока, который очень нечувствителен к изменению V _D в области насыщения. На рис. 3E показаны изготовленные передающий синапс и постсинаптический нейрон, соединенные между собой посредством металлизации. Как показано на рис. 3F, f V _{out, постнейрон} увеличивается согласно приращению I _{out, syn} от передающего синапса в порядке веса: w ₁ w ₂ w ₃.Другой способ соединения передающего синапса и постсинаптического нейрона предлагается на рис. S11A, где используется токовое зеркало. Текущее зеркало состоит из двух полевых МОП-транзисторов и двух полевых МОП-транзисторов. Поскольку длина канала передающего синапса активно уменьшается, I _{out, syn} не может быть достаточно насыщен эффектами короткого канала, даже в схеме ввода-вывода источника. В этом случае необходимо текущее зеркало между передающим синапсом и постсинаптическим нейроном, которое может изолировать разделяющий узел.Эта конфигурация также привлекательна для модуляции выхода I _{, syn} в широком диапазоне. Уменьшение I _{out, syn} важно для реализации сверхбольшой интеграции нейроморфной системы, где постсинаптический нейрон связан с многочисленными синапсами. Низкий уровень I _в менее 10 мкА, что ниже диапазона тока, в котором произошло защелкивание на рис. 2B, является предпочтительным для номинальной работы однотранзисторного нейрона.Когда значение I _в превышает 10 мкА, ток течет к источнику без интегрирования заряда. Следовательно, постсинаптический нейрон не работает, когда несколько синапсов связаны. Вышеупомянутые проблемы могут быть решены путем совместной интеграции текущего зеркала между передающим синапсом и постсинаптическим нейроном. На рисунке S11B показан коинтегрированный передающий синапс, текущее зеркало и постсинаптический нейрон, связанные между собой посредством металлизации.На рисунке S11C показаны измеренные передаточные характеристики изготовленного PMOSFET, а на рис. S11D показывает выходной ток выходного PMOSFET в токовом зеркале. В результате пик постсинаптического нейрона был достигнут, когда он был возбужден, как показано на рис. S11E. В противном случае, когда он был подавлен, всплесков не наблюдалось. В дополнение к токовому зеркалу, которое может использоваться для аналоговой схемы, инвертор, который является фундаментальным блоком для построения цифровой логической схемы, которая управляет нейронной сетью для сбора, обработки и передачи данных, также был изготовлен в той же плоскости с коинтеграцией. нейрона и синапса одновременно, как показано на рис.S12. Текущее зеркало и инвертор являются примерами, демонстрирующими возможность совместной интеграции с аналоговыми и цифровыми схемами. Распознавание букв с аппаратным моделированием схемы
Нейроморфная система обычно используется для распознавания изображений, таких как буквы, числа, объекты и лица. Распознавание букв было продемонстрировано с помощью моделирования цепей SPICE, основанного на измеренных характеристиках нейронов и синапсов. В качестве простой модели нейрон состоит из порогового переключателя и паразитного конденсатора, соединенных параллельно.В результате смоделированные электрические свойства аналогичны измеренным характеристикам изготовленного нейрона, как показано на рис. S3. Синапс был реализован с помощью трехконтактного полевого МОП-транзистора, и вес синапса контролировался регулировкой V _T. Мы реализовали два типа нейронных сетей: классификатор на основе однослойного персептрона (SLP) и автокодер на основе многослойного персептрона (MLP). Сначала была построена нейронная сеть для классификатора, чтобы различать буквы «n», «v» и «z», которая состояла из 3 × 3 черно-белых пикселей (рис.5А). Он состоял из девяти входных слоев, помеченных от « i ₁» до « i ₉», которые соответствуют каждому пикселю, и трех выходных слоев, помеченных « O _n», « O». _v, »и« O _z », которые соответствуют каждой букве (рис. 5B). Принципиальная схема классификатора представлена на рис. S13. Обратите внимание, что выходные нейроны были соединены друг с другом, чтобы обеспечить латеральное торможение. По выходному напряжению выходных нейронов каждая буква идентифицировалась.Первый всплеск произошел в первом нейроне при вводе n, второй нейрон был на вводе v, а третий нейрон был на вводе z. Следует отметить, что многоступенчатые свойства однотранзисторного нейрона играют важную роль в распознавании паттерна. Во-первых, было подтверждено, что нежелательные всплески подавлялись нейронным ингибированием до достижения V, _{T, срабатывания}, что может повысить энергоэффективность нейронной сети. Во-вторых, было подтверждено, что паттерн хорошо распознавался, путем соответствующей настройки V, _{T, срабатывания}, даже если синаптический вес был изменен ненормально.Эта функция может повысить надежность нейронной сети. Рис. 5. Распознавание букв с аппаратным моделированием схемы путем отражения измеренных характеристик однотранзисторного нейрона и синапса.
( A ) Входное изображение буквенного узора размером 3 × 3 пикселя. ( B ) SLP для классификатора и результатов классификации. Каждый входной слой представляет каждый пиксель, а каждый выходной слой представляет каждую букву. Классификация определялась тем, какой нейрон первым проявил спайк.Все остальные нейроны, кроме первого нейрона с импульсным выходом, подавлялись в латеральном направлении. ( C ) Сеть MLP для автокодировщика и результаты его кодирования / декодирования. Каждый входной слой представляет каждый пиксель входного сигнала с шумом, а каждый выходной слой представляет каждый пиксель восстановленного выходного сигнала автокодировщиком. Активированный выходной нейрон можно было заново декодировать как черный пиксель, а выходной нейрон, который не был активирован, можно было заново декодировать как белый пиксель, чтобы восстановить более четкое изображение из размытого зашумленного рисунка.
Если вес синапса слишком низок или высок из-за проблем с изменчивостью и выносливостью, вызванными процессом, то нейрон не может быть запущен с заданным числом. Например, V, _{T, запускающий} должен быть понижен, если текущий вход в нейрон слишком мал, потому что вес синапса ненормально низкий. В обратном случае, если вес синапса слишком велик, то V _{T, срабатывающий} необходимо увеличить. Это позволяет стабильно поддерживать количество срабатываний нейронов независимо от неидеальных операций синапсов.Чтобы продемонстрировать преимущества свойства порога многократного срабатывания, мы выполнили моделирование схемы SPICE. Рассмотрим ситуацию, когда входным шаблоном является n. Первый выходной нейрон должен быть запущен, а другие нейроны должны быть заблокированы перед возбуждением. Однако, когда пороговое напряжение ( В, , _T) синапсов с большим весом, подключенных к первому выходному нейрону, было ненормально увеличено до 0,35 В с 0 В, ток от синапсов к первому выходному нейрону уменьшился. В результате первый выходной нейрон не мог быть запущен, и вместо этого был запущен другой выходной нейрон, как показано на рис.S14A. Следовательно, распознавание образов не удалось. В это время нормального распознавания образов можно добиться, понизив В, , _{Т, запустив} первого нейрона до 2,6 В, как показано на рис. S14B. В противном случае, когда V _T синапсов с малым весом, подключенных ко второму выходному нейрону, ненормально уменьшилось до -0,1 В с 1 В, ток от синапсов ко второму выходному нейрону увеличился. Как следствие, второй выходной нейрон был активирован заранее к первому выходному нейрону, а первый выходной нейрон был подавлен, как показано на рис.S14C. Следовательно, распознавание образов не удалось. В это время нормального распознавания образов можно добиться, увеличив V, , _{T, активировав} второго нейрона до 3,4 В, как показано на рис. S14D. Таким образом, надежное распознавание образов было выполнено путем настройки V, , _{T, срабатывания} однотранзисторного нейрона, когда вес синапсов был ненормально изменен. Следует отметить, что для фактической реализации В _{Т требуется дополнительная схема, запускающая} настраиваемый однотранзисторный нейрон, который принимает В _из нейрона для считывания аномальной частоты пиков и передает импульс напряжения. к затвору для тюнинга В, , _{Т, обжиг}.
Для повышения скорости распознавания изображения обычно используется автокодировщик ( 48 ). Автоэнкодер может удалить эффект зашумленного ввода и восстановить изображение путем кодирования изображения и его повторного декодирования. Как показано на рис. 5C, мы реализовали автокодер с использованием сети MLP с одним промежуточным уровнем. Входной и выходной слои состояли из девяти нейронов, и каждый слой представлял каждый пиксель. После кодирования трех букв в первом восприятии информация каждого пикселя была заново декодирована во втором восприятии.Принципиальная схема автокодировщика представлена на рис. S15. Следует отметить, что тормозящая функция однотранзисторного нейрона позволяла работать автоэнкодеру. Более подробно, средние нейроны были связаны друг с другом, чтобы обеспечить латеральное торможение, и, следовательно, зашумленный сигнал можно было удалить. Получив сигнал от средних нейронов, некоторые выходные нейроны были активированы, а другие не активированы. Активированный выходной нейрон был декодирован как черный пиксель, в то время как неактивный выходной нейрон был декодирован как белый пиксель, как показано на рис.5С. В результате зашумленные входные изображения стали более четкими благодаря реконструкции изображения с помощью автокодировщика. Распознавание лиц с программным моделированием
Используя аппаратное моделирование схемы, мы реализовали обучение вне кристалла, которое применимо к операции вывода с фиксированными весами синапсов. С другой стороны, обучение на кристалле также возможно с использованием дополнительных схем. С помощью программного моделирования MATLAB была исследована сеть, способная распознавать лица посредством обучения на кристалле.Была спроектирована полностью связанная двухслойная нейронная сеть, состоящая из 32 × 32 входных нейронов, 20 нейронов в среднем слое и 3 выходных нейронов, как показано на рис. 6A. Измеренные характеристики нейрона-синапса были отражены в моделировании на основе принципиальной схемы на рис. 6В. Из базы данных лиц Йельского университета было выбрано девять тренировочных изображений, состоящих из 32 × 32 пикселей (рис. 6C) ( 49 ). После кластеризации перекладины без присмотра классификация оценивалась перекладиной под присмотром.Входные нейроны генерировали пресинаптические спайки ( V, , _до) со временем, пропорциональным интенсивности пикселей тренировочного образа, как показано на рис. S16A. Синапсы, получившие пресинаптические спайки, передавали ток постсинаптическим нейронам в зависимости от веса. Текущее зеркало использовалось в качестве интерфейсной схемы для снижения уровня тока от синапсов до постсинаптических нейронов. Следует подчеркнуть, что эти схемы для генерации сигналов могут быть объединены в одной плоскости с нейронами и синапсами с помощью стандартных конструкций КМОП.Постсинаптический нейрон, который получил самый высокий ток, вызвал запуск постсинаптических импульсов для обновления синаптических весов синапсов, которые были связаны с активированным постсинаптическим нейроном. Правильная форма постсинаптического спайка ( В, , _{, пост}) была создана генератором формы волны, который состоял из импульсного напряжения с последовательными отрицательной и положительной полярностями. Что касается импульсной схемы, показанной на рис. S16A, когда пресинаптический спайк сработал раньше, чем постсинаптический спайк ( t _до – t _пост = Δ t V _LTD) был применен к воротам синапса, который уменьшился. проводимость синапса.С другой стороны, проводимость синапса увеличивалась отрицательным напряжением долгосрочной потенциации ( В, _LTP), приложенным к воротам синапса, если пресинаптический спайк был запущен позже, чем постсинаптический спайк ( t ). _до – t _после = Δ t > 0) ( 23 ). Для обновления синаптического веса использовалась упрощенная схема правил обучения пластичности, зависящей от времени спайков ( 25 ). Распознавание лиц оценивалось с помощью 24 тестовых изображений, содержащих по 8 изображений каждого человека (рис.S16B). После тренировки определялась проводимость синапсов, как показано на диаграмме визуальной карты массива синапсов (рис. 6D и рис. S16C). В результате уровень распознавания 95,8% был достигнут для «после тренировки с боковым торможением» и ниже 60% наблюдался для «после тренировки без бокового торможения», как показано на рис. 6E. Если не применялось латеральное торможение, высокоуровневое распознавание не выполнялось, потому что глобальные обновления веса выполнялись посредством активации всех задействованных нейронов.Кроме того, хотя проводимость синапсов была ненормально изменена из-за вызванной процессом изменчивости или проблем с выносливостью, отказ распознавания был предотвращен с помощью V _{T, запускающего модуляцию}. На рисунке S16D показана скорость распознавания, извлеченная с помощью операции логического вывода без V _{T, активирующей модуляцию} и с V _{T, запускающую модуляцию}, когда проводимость синапсов ( G ) была аномально изменена процессом. -индуцированная изменчивость или проблемы с выносливостью.Например, можно предположить, что G случайно и ненормально изменено на 2 G _мин. Скорость распознавания была снижена по мере увеличения частоты отказов устройства, если только не применяется модуляция V _{T, срабатывающая модуляция}. В противном случае сбой распознавания был бы предотвращен, когда V _{T, срабатывание} было модулировано. Эти результаты доказывают, что эффективная и надежная нейронная сеть может быть реализована с помощью многоступенчатого однотранзисторного нейрона. Рис. 6. Распознавание лиц с программным моделированием путем отражения измеренных характеристик однотранзисторного нейрона и синапса.
( A ) Пиковая нейронная сеть для распознавания лиц. Входной слой состоит из 1024 нейронов, которые представляют каждый пиксель, средний слой состоит из 20 нейронов, а выходной слой состоит из трех нейронов, которые представляют лицо каждого человека. ( B ) Упрощенная принципиальная схема, представляющая соединение нейрона с синапсом.Выход нейронов преобразуется с помощью генератора сигналов для создания импульса правильной формы, применяемого к синапсу для обучения пластичности, зависящей от времени всплеска. ( C ) Девять тренировочных изображений трех человек. ( D ) Визуальная карта массива синапсов для представления проводимости синапсов: «до тренировки», «после тренировки с латеральным торможением» и «после тренировки без латерального торможения». ( E ) Сравнение скорости распознавания в зависимости от количества тренировочных эпох между «после тренировки с боковым торможением» и «после тренировки без бокового торможения».«Более высокая скорость распознавания достигается за счет тормозящей функции нейронов. Фото: J.-K. Хан, Корейский передовой институт науки и технологий (KAIST).
Чтобы реализовать такую крупномасштабную нейронную сеть, вариабельность должна быть минимизирована в максимально возможной степени. Поэтому были оценены межцикловые вариации и вариации от устройства к устройству однотранзисторного нейрона и синапса на основе SONOS, как показано на рис. S17. Синие символы обозначают состояние с высоким V _T, что захватывается больше электронов, а черные символы обозначают состояние с низким V _T, что меньше электронов захвачено.Обратите внимание, что более высокое значение V _T вызывает более высокое пороговое напряжение срабатывания для нейронного устройства и меньший вес для синаптического устройства. Напротив, более низкое значение V _T вызывает более низкое пороговое напряжение срабатывания для нейронного устройства и более высокий вес для синаптического устройства. Для переключения между двумя состояниями использовался программный импульс 11,5 В с длительностью импульса 500 мкс для захвата электронов, а стирающий импульс -11,5 В с длительностью импульса 50 мс использовался для удаления электронов.Кумулятивное распределение V _T, чтобы показать изменение от цикла к циклу, было построено после 50 циклов на рис. S17A. Его SD для высокого V _T и низкого V _T составляли 0,0103 и 0,0185 соответственно. Эти данные позволяют гарантировать стабильную работу. Другое совокупное распределение V _T, чтобы показать изменение от устройства к устройству, также было нанесено на график для 40 различных образцов на рис. S17B. Его SD для высокого V _T и низкого V _T были равны 0.0369 и 0,0428 соответственно. Исходя из этих данных, изменчивость устройства и процесса не может быть проблемой из-за хорошо зарекомендовавшей себя технологии CMOS. Кроме того, была измерена выносливость однотранзисторного нейрона и синапса на базе SONOS. Как показано на рис. S18 охарактеризован сдвиг V _T из-за повторяющихся ловушек в затворных диэлектриках. Такой сдвиг V _T также должен быть минимизирован как можно меньше, потому что пороговое напряжение срабатывания нейрона и вес синапса могут быть изменены.В противном случае это может спровоцировать снижение скорости обучения и ошибку логического вывода нейронной сети. Для дальнейшего улучшения характеристик износостойкости могут использоваться различные технологии, такие как отжиг под высоким давлением, нитрид с высоким содержанием кремния и разработка запрещенной зоны ( 50 – 52 ). Thermotron S-16 Mini-Max S-16C Температурная испытательная камера | бывшие в употреблении, бывшие в употреблении и излишки
Thermotron S-16 Mini-Max Камера для испытаний на температуру окружающей среды Камера гарантированно находится в рабочем состоянии.Однако устройству требуется хладагент. Блок был профессионально демонтирован, а холодильник вывезен владельцем. Я полагаю, что это были хладагенты R-13 и R-502, но я не знаю наверняка. Я сейчас пытаюсь это выяснить. Компрессоры имеют водяное охлаждение.
Табличка с серийным номером устройства читает:
Номер модели: S-16 Mini-Max
Серийный номер: 2S-2414-06
Требования к электрооборудованию: 208 В, 3 фазы, 40 А, 60 Гц
Опции:
Осушитель воздуха / Система продувки
Основные характеристики
:
Рабочий объем 16 кубических футов
Максимальный диапазон температур от -100 ° F до + 350 ° F (-73.От 3 ° C до + 177 ° C)
Механическая холодильная установка с воздушным охлаждением и герметичными компрессорами
Немедленное включение при подходящем подключении к сети
Вентилятор с большой циркуляцией воздуха
Порт доступа из нержавеющей стали
Технические характеристики:
Рабочее пространство: 113 литров
Объем: 16 кубических футов
Напряжение, ± 10%: 115 В / 1 фаза / 60 Гц
Рекомендуемый минимальный рабочий ток при 230 В: 50 А, однофазный или 40 А, трехфазный
Диапазон температур: -73.От 3 ° C до + 177 ° C (от -100 ° F до + 350 ° F)
Приблизительный вес: 1320 фунтов. (599 кг.) – без упаковки
Мощность камерного нагревателя: 3,5 кВт
Размер компрессора: (2) 2 л.с. Каскадная система (с водяным охлаждением)
Циркуляционный двигатель
: (2) 1/15 л.с., 3000 об / мин
Размеры рабочего пространства: ширина 30 дюймов, глубина 30 дюймов, высота 30 дюймов (ширина 76 см, глубина 76 см, высота 76 см)
Общие габаритные размеры камеры: 43 дюйма в ширину, 35,75 дюйма в глубину, 75 дюймов в высоту (109 см в ширину, 142 см в глубину x 191 см в высоту)
Окно: 20 дюймов x 20 дюймов (51 см x 51 см)
Диаметр порта доступа: 4 дюйма справа, в центре рабочего пространства
Примечание 1: Характеристики приведены для работы при 60 Гц и температуре окружающего воздуха + 75 ° F (+ 23 ° C).
Производительность *:
Понижение температуры из стабилизированного элемента управления при температуре +75 ° F (+ 23 ° C) без нагрузки:
до -40 ° F (-40 ° C): 15 мин.
От
до -65 ° F (-53,9 ° C): 30 мин.
От
до -100 ° F (-73,3 ° C): 60 мин.
Температура Нагрев от + 75 ° F без нагрузки:
От
до + 240 ° F (+ 116 ° C): 25 мин.
От
до +350 ° F (+ 177 ° C): 55 мин.
Способность выдерживать активные нагрузки только при температурах ниже + 100 ° F (рассеиваемая мощность в ваттах):
при 0 ° F (-17.8 ° C): 1000 Вт
при -40 ° F (-40 ° C): 700 Вт
при -65 ° F (-53,9 ° C): 400 Вт
Control: Контроль температуры воздуха, измеренный термопарой контроллера ± 2 ° F. Чувствительность ± 1/4 ° F.
*: Характеристики для работы при 60 Гц и температуре окружающего воздуха + 80 ° F. При работе с частотой 50 Гц производительность охлаждения и воздушного потока будет примерно на 17% меньше. (.8333). Производительность также может быть основана на контроллере новой модели, модели 2800, который в этой камере не установлен.
/ pub / cbm / схемы / компьютеры / c64 /
/ pub / cbm / схемы / компьютеры / c64 /
Вот несколько схематических диаграмм Commodore 64.
250469-rev.A-left.gif
2009-08-18
166347
250469-rev.A-right.gif
2009-08-18
134382
250469-ред.B-left-corrected2.gif
2020-05-06
165847
Содержит исправления по сравнению с официальными схемами
250469-rev.B-right-corrected.png
2020-03-30
250469-ред.B-right-corrected2.gif
2020-05-06
136060
Содержит исправления по сравнению с официальными схемами
Это номера схем 252311 или 252312
250469-изм.B-right.gif
2009-08-18
129880
Commodore 64c rev.A и rev.B (новый дизайн). Платы 64c имеют следующие надписи
: PCB ASSY NO. 250469 и № печатной платы. 252311 REV.A (или B на платах
более новых). Разница между двумя версиями заключается в микросхеме массива Gate
: микросхема в версии B включает ЦВЕТНОЕ ОЗУ. Поэтому отличается только правая половина
принципиальной схемы. Схема REV.A
также имеет номер детали 252312.
250469_bne-1.gif
2020-01-18
626038
250469_bne-2.гифка
2020-01-18
498353
Другая схема материнской платы C64 BN / E
Это схемные номера 252311 или 252312
251138-1of2-l.gif
2009-08-18
296752
251138-1of2-left.gif
2020-01-18
189727
251138-1of2-right.gif
2020-01-18
164204
251138-2of2-left.gif
2020-01-18
189908
251138-2of2-r.gif
2009-08-18
2
Принципиальная схема Commodore 64 251138 из Руководства по обслуживанию
Это для печатной платы номер сборки 250407-04 Ред. A (CR)
251138-2оф2-прав.гифка
2020-01-18
134973
Принципиальная схема Commodore 64 251138 из Руководства по обслуживанию
Это для печатной платы номер сборки 250407-04 Ред. A (CR)
251469-1of2.gif
2009-08-18
284360
251469-2of2.gif
2009-08-18
235530
Схема Commodore 64 251469 из Руководства по обслуживанию
PCB Номер сборки 250425-01 Ред. B и 240441-01 Ред. B-2.
252278-1.gif
2009-08-18
267284
252278-2.gif
2009-08-18
230917
Принципиальная схема Commodore 64 252278.Похоже, что это промежуточная версия
с уцененной ценой, с микросхемами памяти 64 КБÃ4, но небольшими ПЗУ.
Это для печатной платы номер сборки 250466 Ред. B-3
252312-left.gif
2009-08-18
626038
252312-right.gif
2009-08-18
498353
Немного лучше сканирование 250469 REV.A с 8 уровнями серого.
Для печатной платы номер сборки 250469 Ред. E
326100.png
2009-08-18
524126
Принципиальная схема машины Commodore MAX (также известная как “VICKIE”, VIC-10
и VC-10).Оригинал был очень шумным; контраст был улучшен после сканирования
. В процессе сканирования верхний левый и нижний правый углы
были по ошибке пропущены. Правый нижний угол был расширен.
326106-1of2-left.gif
2020-01-18
203385
326106-1of2-right.gif
2020-01-18
165040
326106-1of2.gif
2009-08-18
263850
326106-2of2-left.gif
2020-01-18
195856
326106-2of2-right.gif
2020-01-18
196164
Схема 326106 Commodore 64 из Руководства по обслуживанию.Это
для материнских плат PCB 326298-01 Rev A.
326106-2of2.gif
2009-08-18
281339
326106-cpu-left.gif
2009-08-18
196832
326106-cpu-right.gif
2009-08-18
117603
326106-vic-left.gif
2009-08-18
188463
326106-vic-right.gif
2009-08-18
174251
Принципиальная схема Commodore 64, сканированная с разрешением 360 точек на дюйм, 2 цвета. Кажется, что это
такая же (с ошибками) схема, которая была опубликована в Commodore 64
Programmer’s Reference Guide, но была частично переведена на немецкий язык.
Часть vic содержит ПЗУ, SID, видеоконтроллер, ОЗУ, декодирование адреса
, порт расширения и порт пользователя. Часть процессора содержит элементы порта
(CIA), процессор, адаптер переменного тока, таймер, схему портов. Все резисторы
0,25 Вт ± 5% и все конденсаторы в мкФ, если не указано иное. Это
для материнских плат PCB 326298-01 Rev A.
c64-кассета-io.gif
2009-08-18
24774
Блок-схема кассетного ввода-вывода Commodore 64. Взято из
SAMS C64 Руководство по поиску и устранению неисправностей.
c64-powersupply.gif
2009-08-18
31193
Блок-схема внутреннего источника питания Commodore 64 (как тактовые сигналы
+ 12V, + 9V и TOD генерируются на входе 9V AC).
Взято из Руководства по поиску и устранению неисправностей SAMS C64.
c64-r1.chips.gif
2009-08-18
52036
Схема расположения микросхемы первой версии платы C64. Номер сборки
неизвестен или, возможно, 251138. Взято из Руководства по поиску и устранению неисправностей SAMS C64.
c64-video.gif
2009-08-18
22896
Блок-схема видеосхемы первой версии платы C64.
Взято из Руководства по поиску и устранению неисправностей SAMS C64.
c64_external_power_supply_3-02.png
2018-06-22
384569
PS Схема основана на схеме Уильяма Левака с исправлениями Дэйва Бучана
c64_scope.mhtml
2020-07-27
1683832
Показания осциллографа C64, с http://tech.guitarsite.de
c64bus.gif
2009-08-18
29785
Блок-схема сигналов шины в C64.
c64extps.gif
2009-08-18
39589
Источник питания Commodore 64, арт.3-02, вход 116 В 60 Гц 40 Вт.
Это блок питания для Северной Америки, который можно разбирать.
Схема была нарисована Уильямом Леваком. По его словам, транзистор
и резистор на 300 Ом можно снять и заменить на стандартный регулятор напряжения
+ 5В 750 мА, который намного надежнее.
C64SchematicP1.png
2014-11-10
10745377
Страница 1, на основе схемы из ProgRefGuide – Карстен Йенсен C64SchematicP2.png
2014-11-10
96
Страница 2, на основе схемы из ProgRefGuide – Карстен Йенсен
ciasid.гифка
2009-08-18
86159
Распиновка и общие данные CIA и SID
cpupla.gif
2009-08-18
89302
Распиновка 6510 и PLA и общие данные
maxschematic.jpg
2009-08-18
964251
Схема Max Machine
модулятор-251025.gif
2009-08-18
120096
Схема модулятора 251025 из Сервис-мануала
модулятор-251696.gif
2009-08-18
83802
Схема модулятора 251696 из сервис-мануала
Модулятор_MD6_VA3403_UE3603.jpg
2020-04-13
176509
Частичная схема модулятора RF, нарисованная Адрианом Блэком
README
2021-05-10
1609
Детали и версии микропрограммного обеспечения для c64
ultimax.gif
2009-08-18
78504
Commodore VIC-10, он же UltiMax, он же “Викки”, схематическая диаграмма, нарисованная
Руудом Балтиссеном. Для получения дополнительной информации об этой чрезвычайно редкой машине
см. Http://www.funet.fi/pub/cbm/html/c64/ultimax.html.
См. Также 326100.png.
Зеркала сайтов
–
Общая информация
–
Типы файлов
–
Передача данных
.}

#	Ингредиент	шт.	всего
Стоимость создания:			93 с 17 с
стоимость кармы:

прибыль:			-93 с 17 с
Стоимость создания:			93 с 17 с
цена продажи:			0 c
листинговый сбор:			0 c
Комиссия за транзакцию:			0 c

КУПИТЬ РЕМЕСЛО	Выгоднее покупать у TP, вы все равно можете его крафтить конечно!
КУПИТЬ РЕМЕСЛО	Крафтить выгоднее, можно, конечно, купить!
НЕ ПРОДАНО	У нас нет цены для этого предмета, поэтому единственный вариант – создать его
КУПИТЬ НЕ РАЗРАБОТАНО	У нас нет рецепта этого предмета, поэтому единственный вариант – купить его
КАРМА ПОСТАВЩИК	Этот предмет связан с душой и может быть приобретен, купив его у продавца кармы.
НЕ ИЗГОТОВЛЕНО, НЕ ПРОДАНО	У нас нет рецепта и нет информации о цене продажи для этого предмета! Скорее всего, это мистический рецепт кузницы, и результат завораживает!

S16C схема: Samsung CS-21Z45ZQQ S16C ()

Как отключить АББ в телевизорах SAMSUNG

входим в сервисный режим телевизора

Отключаем АББ через servis-mode

Схема для обхода АББ

Автомоделизм – Изменения правил

Схема телевизора samsung cs-21k30f1q – aventyr.ru

Промышленная технология лекарств. Электронный учебник

2.7. Типы таблеточных машин

Шасси aa41 схема

Шасси aa41 схема

Samsung таблиця модель-шасі (частина 1) – tv-remont. Info.

Схемы телевизионного шасси ks9a(p) фирмы samsung.

Скачать электрические схемы, сервис-мануалы импортных.

_lg 55uf950t lb52v | printed circuit board | soldering.

Ремонт тв после грозы alpari шасси sch-ph002-21-001. Схема.

Поиск схем.

Из опыта ремонта телевизоров samsung на шасси s16a/b/c/d.

Samsung CW21Z453NLXXEC-Narnia-color TV – Сервисный режим, сервисные настройки, обновление ПО, принципиальная схема, схемы PWB

(A) Тетрамер авидина (PDB 2AVI), субъединицы которого пронумерованы в соответствии с …

Схема: Упакованные Доляки | GW2Spidy

Список покупок

Прибыль

Как это работает?

Легенда

Коинтеграция однотранзисторных нейронов и синапсов путем изготовления наноразмерных КМОП для высокомасштабируемого нейроморфного оборудования

Характеристики единичного устройства нейрона и синапса

Совместная интеграция нейрона и синапса

Распознавание букв с аппаратным моделированием схемы

Распознавание лиц с программным моделированием

Thermotron S-16 Mini-Max S-16C Температурная испытательная камера | бывшие в употреблении, бывшие в употреблении и излишки

/ pub / cbm / схемы / компьютеры / c64 /

Больше новостей

Добавить комментарий Отменить ответ