Шим 200d6 схема включения: 50 оттенков ПНЯ*. Микроконтроллеры в импульсных источниках питания / Хабр

Импульсный блок питания (60Вт) на базе ШИМ UC3842

Схема представляет собой классический обратноходовый БП на базе ШИМ UC3842. Поскольку схема базовая, выходные параметры БП могут быть легко пересчитаны на необходимые. В качестве примера для рассмотрения выбран БП для ноутбука с питанием 20В 3А. При необходимости можно получить несколько напряжений, независимых или связанных.

Выходная мощность на открытом воздухе 60Вт (длительно). Зависит главным образом от параметров силового трансформатора. При их изменении можно получить выходную мощность до 100Вт в данном типоразмере сердечника. Рабочая частота блока выбрана 29кГц и может быть перестроена конденсатором С1. Блок питания рассчитан на неизменяющуюся или мало меняющуюся нагрузку, отсюда отсутствие стабилизации выходного напряжения, хотя оно стабильно при колебаниях сети 190…240вольт. БП работает без нагрузки, есть настраиваемая защита от к/з. КПД блока – 87%. Внешнего управления нет, но можно ввести с помощью оптопары или реле.

Силовой трансформатор (каркас с сердечником), выходной дроссель и дроссель по сети заимствованы с компьютерного БП. Первичная обмотка силового трансформатора содержит 60витков, обмотка на питание микросхемы – 10витков. Обе обмотки наматываются виток к витку проводом 0,5мм с одинарной межслойной изоляцией из фторопластовой ленты. Первичная и вторичная обмотки разделяются несколькими слоями изоляции. Вторичная обмотка пересчитывается из расчета 1,5вольта на виток. К примеру, 15вольтовая обмотка будет 10витков, 30вольтовая – 20 и т.д. Поскольку напряжение одного витка достаточно велико, при малых выходных напряжениях потребуется точная подстройка резистором R3 в пределах 15…30кОм.

Настройка
При необходимости получить несколько напряжений можно воспользоваться схемами (1), (2) или (3). Числа витков считаются отдельно для каждой обмотки в (1), (3), а (2) – иначе. Поскольку вторая обмотка является продолжением первой, то число витков второй обмотки определяется как W2=(U2-U1)/1. 5, где 1.5 – напряжение одного витка. Резистор R7 определяет порог ограничения выходного тока БП, а также максимальный ток стока силового транзистора. Рекомендуется выбирать максимальный ток стока не более 1/3 паспортного на данный транзистор. Ток можно высчитать по формуле I(Ампер)=1/R7(Ом).

Сборка
Силовой транзистор и выпрямительный диод во вторичной цепи устанавливаются на радиаторы. Их площадь не приводится, т.к. для каждого варианта исполнения (в корпусе, без корпуса, высокое выходное напряжение, низкое, и.т.д.) площадь будет отличаться. Необходимую площадь радиатора можно установить экспериментально, по температуре радиатора во время работы. Фланцы деталей не должны нагреваться выше 70градусов. Силовой транзистор устанавливается через изолирующую прокладку, диод – без неё.

ВНИМАНИЕ!
Соблюдайте указанные значения напряжений конденсаторов и мощностей резисторов, а также фазировку обмоток трансформатора. При неверной фазировке блок питания заведется, но мощности не отдаст.
Не касайтесь стока (фланца) силового транзистора при работающем БП! На стоке присутствует выброс напряжения до 500вольт.

Замена элементов
Вместо 3N80 можно применить BUZ90, IRFBC40 и другие. Диод D3 – КД636, КД213, BYV28 на напряжение не менее 3Uвых и на соответствующий ток.

Запуск
Блок заводится через 2-3 секунды после подачи сетевого напряжения. Для защиты от выгорания элементов при неверном монтаже первый запуск БП производится через мощный резистор 100 Ом 50Вт, включенный перед сетевым выпрямителем. Также желательно перед первым запуском заменить сглаживающий конденсатор после моста на меньшую емкость (около 10…22мкФ 400В). Блок включают на несколько секунд, потом выключают и оценивают нагрев силовых элементов. Далее время работы постепенно увеличивают, и в случае удачных запусков блок включается напрямую без резистора со штатным конденсатором.

Ну и последнее.
Описываемый БП собран в корпусе МастерКит BOX G-010. В нем держит нагрузку 40Вт, на большей мощности необходимо позаботиться о дополнительном охлаждении. В случае выхода БП из строя вылетает Q1, R7, 3842, R6, могут погореть C3 и R5.

Источник: www.radiokot.ru

Список радиоэлементов

Обозначение	Тип	Номинал	Количество	Примечание	Магазин	Мой блокнот
	ШИМ контроллер	UC3842	1		Поиск в магазине Отрон	В блокнот
Q1	MOSFET-транзистор	BUZ90	1	3N80, IRFBC40	Поиск в магазине Отрон	В блокнот
D1, D2	Выпрямительный диод	FR207	2		Поиск в магазине Отрон	В блокнот
D3	Диод	КД2994	1	КД636, КД213, BYV28	Поиск в магазине Отрон	В блокнот
C1	Конденсатор	22 нФ	1		Поиск в магазине Отрон	В блокнот
	Диодный мост		1		Поиск в магазине Отрон	В блокнот
C2	Конденсатор	100 пФ	1		Поиск в магазине Отрон	В блокнот
C3	Конденсатор	470 пФ	1		Поиск в магазине Отрон	В блокнот
C4	Конденсатор	1 нФ / 1 кВ	1		Поиск в магазине Отрон	В блокнот
C5	Электролитический конденсатор	100 мкФ 25В	1		Поиск в магазине Отрон	В блокнот
C6, C7	Электролитический конденсатор	2200 мкФ 35В	2		Поиск в магазине Отрон	В блокнот
C8	Электролитический конденсатор	100 мкФ 400В	1		Поиск в магазине Отрон	В блокнот
C9, C10	Конденсатор	0. 1 мкФ 400В	2		Поиск в магазине Отрон	В блокнот
C11	Конденсатор	0.33 мкФ 400В	1		Поиск в магазине Отрон	В блокнот
C12	Конденсатор	10 нФ	1		Поиск в магазине Отрон	В блокнот
R1	Резистор	680 Ом	1		Поиск в магазине Отрон	В блокнот
R2	Резистор	150 кОм	1		Поиск в магазине Отрон	В блокнот
R3	Резистор	20 кОм	1		Поиск в магазине Отрон	В блокнот
R4	Резистор	4. 7 кОм	1		Поиск в магазине Отрон	В блокнот
R5	Резистор	1 кОм	1		Поиск в магазине Отрон	В блокнот
R6	Резистор	22 Ом	1		Поиск в магазине Отрон	В блокнот
R7	Резистор	1 Ом	1		Поиск в магазине Отрон	В блокнот
R8	Резистор	22 кОм	1	2 Вт	Поиск в магазине Отрон	В блокнот
R9	Резистор	130 кОм	1	2 Вт	Поиск в магазине Отрон	В блокнот
R10	Резистор	3. 3 Ом	1		Поиск в магазине Отрон	В блокнот
	Трансформатор		1	Каркас и сердечник – из компьютерного БП	Поиск в магазине Отрон	В блокнот
	Сетевой дроссель		1	Из компьютерного БП	Поиск в магазине Отрон	В блокнот
L6	Дроссель		1	Из компьютерного БП	Поиск в магазине Отрон	В блокнот
	Плавкий предохранитель	220 В 1 А	1		Поиск в магазине Отрон	В блокнот
						Добавить все

^{Скачать список элементов (PDF)}

Теги:

• Блок питания

Основные схемы однофазных непосредственных ШИМ

Серебрянников Александр – alex-silver@mail. ru
Чумаров Сергей – [email protected]

№ 2’2019

PDF версия

Как известно, все преобразователи переменного напряжения в переменное (в том числе их частный случай — преобразователи частоты) можно разделить на схемы с промежуточным звеном постоянного тока и непосредственные преобразователи [1, 2]. В статье рассмотрены основные схемы однофазных непосредственных ШИМ-преобразователей переменного напряжения с принудительной коммутацией (регуляторов действующего значения переменного напряжения) [3, 4]. По сравнению с регуляторами переменного тока с фазовым управлением на тиристорах (с естественной коммутацией) [5] ШИМ-преобразователи переменного напряжения имеют важные преимущества: квазисинусоидальную форму тока, больший коэффициент мощности, лучшие динамические характеристики и меньшие габариты входных и выходных фильтров и всего устройства в целом. Кроме того, они обеспечивают высокую надежность, безопасную коммутацию транзисторов и высокий КПД. Также на базе непосредственных ШИМ-преобразователей переменного напряжения можно строить сетевые кондиционеры, дополнив схему трансформатором для последовательной компенсации напряжения.

Введение

Увеличение количества нелинейных нагрузок вызвало серьезную обеспокоенность по поводу качества электроэнергии и, следовательно, помех, действующих на чувствительные электронные приборы. Некоторые сетевые кондиционеры все еще строятся на тиристорах. Поглощаемые в таких кондиционерах гармоники имеют высокие амплитуды и низкие частоты. Из-за размещения этих гармоник вблизи основной в системе электропитания не рекомендуется использовать пассивные фильтры, к тому же размер, вес и цена пассивных элементов могут быть большими. А потому непосредственные преобразователи переменного напряжения с тиристорами не соответствуют новым стандартам по электромагнитной совместимости (ЭМС), которые ограничивают допустимые помехи в системе электропитания. К тому же реактивная мощность, поглощаемая этими преобразователями, и, как следствие, коэффициент мощности изменяется вместе с углом управления. Данные сетевые кондиционеры имеют низкое быстродействие и нуждаются в больших входных и выходных фильтрах для подавления низких гармоник.

Подключаемые к сети регуляторы переменного напряжения могут быть заменены ШИМ-преобразователями переменного напряжения, которые имеют в целом лучшие характеристики, и указанные выше проблемы удается решить, если эти регуляторы спроектировать для работы в импульсном режиме (chopping mode). В рассматриваемых в статье схемах используется ШИМ-регулирование, когда входное напряжение «нарезается» на сегменты, а действующее значение выходного напряжения определяется относительной длительностью его импульсов.

До 90-х годов XX века ШИМ-преобразователи переменного напряжения строились на четырех­квадрантных ключах, применение которых было приостановлено из-за коммутационных проблем. Для обеспечения безопасной коммутации без перенапряжений были разработаны принципы ШИМ-управления, однако надежность преобразователей зависела от точности управления, и сохранялся высокий риск возникновения перенапряжений и сверхтоков. После 1990 года были созданы различные топологии импульсных преобразователей переменного напряжения с сокращенным числом ключей или со стандартными двухквадрантными коммутационными ячейками. Для повышения надежности преобразователей использовались простые снабберы в виде конденсатора, подключенного параллельно ключам.

В статье описывается принцип работы двух основных схем непосредственных ШИМ-преобразователей переменного напряжения с простым снаббером — конденсатором без разрядных резисторов [3], подключенным непосредственно к силовым ключам для поглощения энергии, накопленной в паразитной индуктивности сети.

 

Принцип работы основных схем однофазных непосредственных ШИМ-преобразователей переменного напряжения

Принцип работы рассматриваемых ШИМ-преобразователей переменного напряжения аналогичен принципу действия импульсных преобразователей постоянного напряжения [6–9]. Они также могут и понижать, и повышать выходное напряжение относительно входного. Рассмотрим топологию (рис. 1) и схемотехнику (рис. 2) ШИМ-преобразователей переменного напряжения понижающего типа.

Рис. 1. Основные топологии однофазных ШИМ-преобразователей переменного напряжения:
а) дифференциальная;
б) недифференциальная

По режиму питания и способу подключения нагрузки ШИМ-преобразователи переменного напряжения делятся на дифференциальные (рис. 1а) и недифференциальные (рис. 1б). Оба варианта можно реализовать в виде схем, состоящих из двух ячеек коммутации на IGBT-транзисторах — двунаправленных по току и однонаправленных по напряжению. В работе [10] приведен пример использования в качестве ключей МДП-транзисторов.

В дифференциальной схеме (рис. 2а) ключи S₁ и S₂, источник напряжения и нагрузка подключаются последовательно. Помещая ключ S₂ между источником напряжения и ключом S₁, получают недифференциальную схему (рис. 2б). Вторая структура имеет преимущество, поскольку в ней входное и выходное напряжения имеют общий вывод.

Рис. 2. Основные схемы однофазных ШИМ-преобразователей переменного напряжения понижающего типа на IGBT-транзисторах:
а) дифференциальная;
б) недифференциальная

Оба преобразователя имеют одинаковый принцип управления в зависимости от знака сетевого напряжения u_с. Например, когда u_с > 0, ключи S₁ и S_1с управляются инверсными по отношению друг к другу ШИМ-сигналами с относительной длительностью импульсов γ и (1 – γ) соответственно, а ключи S₂ и S_2с все время открыты (рис. 3). Когда u_с< 0, схема переключения транзисторов изменяется на противоположную: ключи S₂ и S_2с становятся комплементарными и управляются ШИМ-сигналами, а ключи S₁ и S_1с постоянно открыты.

Рис. 3. Принцип управления ШИМ-преобразователем
(представлен случай относительной длительности импульсов γ = 0,5)

На выходе этих схем чаще всего стоит LC-фильтр для сглаживания тока и напряжения, поэтому выходной ток на схемах обозначен через i_L. Поскольку два ключа всегда включаются в течение полупериода источника напряжения, потери при переключении значительно уменьшаются.

В понижающих схемах (рис. 2) действующее значение выходного напряжения пропорционально относительной длительности импульсов:

U_вых = γU_с.

 

Режимы работы непосредственных ШИМ-преобразователей переменного напряжения

В течение одного периода переключения ШИМ-преобразователи переменного напряжения могут работать в одном из трех режимов: активный, свободного хода и обходной (транзитный).

Активный режим

В этом режиме ток дросселя i_L проходит через входные и выходные цепи и обеспечивает выход энергией. Ключи S₁ и S₂ открываются, а ток дросселя i_L проходит через ключ S₁ и диод ключа S₂ при i_L > 0 или через ключ S₂ и диод ключа S₁ при i_L< 0, как показано на рис. 4а.

Рис. 4. Пути протекания тока в различных режимах работы:
а) активный;
б) свободного хода;
в) обходной

Режим свободного хода (freewheeling mode)

Этот режим дополняет активный режим. Во время данного режима ключи S_1с и S_2с включаются и закорачивают выходную цепь, как показано на рис. 4б, и ток дросселя i_L течет в контуре, образованном этими двумя ключами и выходной цепью.

Обходной (транзитный) режим (Bypass mode)

Режим вызван нелинейностью работы силовых устройств. Чтобы избежать проблем с коммутацией во время паузы («мертвого времени»), для такого типа преобразования был предложен специальный принцип управления. В этом режиме для безопасной коммутации включены два дополнительных ключа. Когда входное напряжение

u_с > 0, для безопасной коммутации включаются ключи S₂ и S_2с. Во время паузы ток дросселя i_L проходит в положительном направлении через нагрузку, ключ S_2с и диод ключа S_1с. Отрицательный ток дросселя i_L проходит через источник напряжения, ключи S₂ и диод ключа S₁. Таким образом, в обходном режиме всегда существует путь для протекания тока дросселя в любом направлении. Пути тока в этом режиме для u_с > 0 показаны на рис. 4в.

В таблице представлены значения выходного напряжения в зависимости от управления ключами. Основными ограничениями для этого способа управления являются точность и скорость обнаружения перехода через ноль сетевого напряжения.

Таблица. Значения выходного напряжения в зависимости от управления ключами

	S1	S1c	S2	S2c	uвых
					iL > 0	iL < 0
uc > 0	1	0	1	1	uc	uc
	0	0	1	1	0	uc
	0	1	1	1	0	0
uc < 0	1	1	1	0	uc	uc
	1	1	0	0	uc	0
	1	1	0	1	0	0

 

Выводы

В статье представлены две основные схемы однофазных непосредственных ШИМ-преобразователей переменного напряжения на базе двухквадрантных коммутационных ячеек, а также самый простой принцип управления этими преобразователями, основанный на слежении за знаком сетевого напряжения.

Более того, подобным преобразователям не нужны устройства для ограничения тока, которые уменьшают потери. Структуры, основанные на ячейках коммутации с двухквадрантами ключами, более надежны, чем построенные на базе четырехквадрантных ключей. На ключах преобразователя во время коммутаций не возникают импульсы напряжения за счет использования простых снабберов, подключенных непосредственно к каждой коммутационной ячейке. Недифференциальная схема преобразователя переменного тока имеет такую же прочность, что и дифференциальная, но обладает преимуществом связи входа и выхода через общий вывод.

В соответствии со стандартами по ЭМС, устройства с фазовым управлением должны быть заменены современными структурами, например такими, какие представлены в этой статье. ШИМ-преобразователи переменного напряжения обеспечивают квазисинусоидальное напряжение, поэтому они находят применение во многих приложениях. При равной полной мощности ШИМ-преобразователи переменного напряжения дороже, чем трансформаторы, но на их базе можно построить регуляторы действующего значения переменного напряжения с большим КПД и малыми массогабаритными показателями.

Литература

1. Floricău D. PWM AC choppers: basic topologies and applications // U.P.B. Sci. Bull., Series C. 2006. Vol. 68. No. 4.
2. Hagemeyer M., Solanki J., Fröhleke N., Böcker J., Averberg A., Wallmeier P. Comparison of PWM AC Chopper Topologies. Proceedings of 40th Conference Industrial Electronics Society (IECON-2014), 2014.
3. Floricău D., Dumitrescu M., Popa I., Ivanov S. Basic topologies of direct PWM AC choppers // Annals of the University of Craiova. Electrical Engineering series. 2006. No. 30.
4. Prajapati S., Vora S., Patel N. N. Pulse width modulation controlled using ac chopper voltage controller // International Journal For Technological Research In Engineering. Vol. 2. Iss. 9.
5. Удовиченко А. В., Гришанов Е. В., Дыбко М. А., Кучак С. В., Брованов С. В. Математическая модель для анализа электромагнитных процессов в многозонном полупроводниковом преобразователе // Вестник ЮУрГУ. Серия «Энергетика». 2018. Т. 18. № 1.
6. Geng X., Tang H.-J., Jin N., Lan J.-Y. Direct Buck-type AC-AC Converters using VSC Method // Przegląd Elektrotechniczny. 2013. R. 89. NR 1b.
7. Ladoux P., Chéron Y., Lowinsky A., Raimondo G., Marino P. New Topologies for Static Reactive Power Compensator Based on PWM AC Choppers // 22 EPE Journal. 2011. Vol. 21. No. 3.
8. Nan J., Tang H.-J., Lan J.-Y., Yao C., Chen W.-W., An X.-Y. Dynamic Voltage Regulator based on PWM AC Chopper Converter: Topology and control // WSEAS Transactions on Systems. 2010. Vol. 9. Iss. 5.
9. Fedyczak Z., Strzelecki R., Benysek G. Single-phase PWM AC/AC Semiconductor Transformer Topologies and Applications. Proceedings of Power Electronics Specialists Conference (PESC-2002). IEEE 33rd Annual. February 2002. Vol. 2.
10. Коршунов А. Импульсные преобразователи напряжения переменного тока // Силовая электроника. 2006. № 1.

Шина лунной субмарины | Материаловая и инженерная инженерия

Moonsub Shim

Административные названия

• Директор по аспирантуру

Профессор, факультет Уиллетта и директор аспирантуры

(217) 333-7361

MSHIM@illinois. Edu

11119

[email protected] Materials Science & Eng Bld

Для получения дополнительной информации

• Страница исследовательской группы Shim

Профессиональные особенности

• Профессор Мунсуб Шим получил степень бакалавра наук. степень Калифорнийского университета в Беркли в 1997 году и его степень магистра. и доктор философии Он получил степени в Чикагском университете в 1998 и 2001 годах. После работы научным сотрудником с докторской степенью в Стэнфордском университете в 2002 году он присоединился к факультету факультета материаловедения и инженерии в Иллинойсе. Его достижения отмечены премией Xerox за факультетские исследования (2007 г.), премия Национального научного фонда «КАРЬЕРА» (2004 г.), звание доцента Рашеффа (2002–2004 гг.), Премия ученого факультета Уиллетта (2010–2014 гг.) И Премия декана за выдающиеся достижения в исследованиях (2014 г.).

Заявление об исследовании

Всеобъемлющая цель моей исследовательской программы состоит в том, чтобы понять явления заряда и разделения/рекомбинации заряда в материалах, особенно в низкоразмерных системах на нанометровом уровне. Зарядка и разделение/рекомбинация зарядов являются фундаментальными процессами, определяющими работу электронных, оптоэлектронных и фотогальванических устройств. Материалы с нанометровыми размерами могут обеспечить сложный контроль над процессами зарядки и разделения зарядов и открывают новые инженерные парадигмы и перспективы для устройств с беспрецедентной производительностью. Однако повсеместно большое отношение поверхности к объему материалов в этом размерном режиме часто приводит к большим отклонениям от ожидаемых свойств. Понимание такого неожиданного поведения может, в свою очередь, привести к новым средствам управления новыми явлениями, происходящими в наномасштабе. Таким образом, способность контролировать поверхностные и межфазные эффекты имеет решающее значение для выяснения свойств основных материалов и разработки любых будущих технологий. Поэтому я изучаю, как процессы зарядки и разделения зарядов влияют на структуру, электрические и оптические свойства и химическую активность, уделяя особое внимание реакции материалов на изменения на поверхностях и границах раздела. Выводы, полученные в результате этих исследований, затем используются для разработки новых материалов, демонстрирующих превосходные свойства, полезные для преобразования солнечной энергии и высокоэффективной нано- и макроэлектроники и оптоэлектроники.

Области исследований

• Электронные материалы
• Полимеры

Темы исследований

• Материалы для энергетики и окружающей среды
• Нанотехнологии

Избранные статьи в журналах

• Л. П. Китинг, Х. Ли, С. П. Роджерс, К. Хуанг и М. Шим, «Зарядка и заряженные частицы в светоизлучающих диодах с квантовыми точками», Nano Lett. 22, 9500 – 9506 (2022).
• Г. А. Дрейк, Л. П. Китинг и М. Шим, «Принципы проектирования коллоидных наностержневых гетероструктур», Chem. Преподобный (2022).
• А. Викрам, К. Бруднак, А. Захид, М. Шим и П. Дж. А. Кенис, «Ускоренный скрининг коллоидных нанокристаллов с использованием технологии автономного проточного реактора с искусственными нейронными сетями», Nanoscale 13, 17028 – 17039 (2021).
• Л. П. Китинг и М. Шим, «Механизм морфологических изменений в коллоидных наностержнях CuGaS2», Nanoscale Adv. 3, 5322 – 5331 (2021).
• А. Викрам, А. Захид, С. Бхаргава, Х. Джанг, А. Сутрисно, А. Кхаре, П. Трефонас, М. Шим и П. Дж. А. Кенис, «Раскрытие происхождения межфазного окисления квантовых точек на основе InP». с использованием автоматизированного проточного реактора с последовательным ростом оболочки», ACS Appl. Нано Матер. 3, 12325 – 12333 (2020).
• А. Викрам, А. Захид, С.С. Бхаргава, Л.П. Китинг, А. Сутрисно, А. Харе, П. Трефонас, М. Шим и П.Дж.А. Кенис, «Механистическое понимание роста нанокристаллов фосфида индия по размеру в присутствии следовых количеств воды», Chem. Матер. 32, 3577 – 3584 (2020).
• Х. Ли, Х. – Дж. Сонг, М. Шим и К. Ли, «На пути к коммерциализации солнечных элементов с коллоидными квантовыми точками: взгляд на структуру устройства и производство», Energy Environ. наук, 13, 404 – 431 (2020).
• Дж. К. Фланаган, Л. П. Китинг, М. Каласад и М. Шим, «Расширение спектрального диапазона наностержней с двойным гетеропереходом путем сплавления, опосредованного катионным обменом», Chem. Матер. 31, 9307 – 9316 (2019).
• Г. А. Дрейк, Дж. К. Фланаган и М. Шим, «Высоколюминесцентные наностержни с двойным гетеропереходом», J. Chem. физ. 151, 134706 (2019 г.).
• С.-Х. Ли, М. Ким, К. Но, Х.-С. Юн, Т.-Х. Лим, Ю. Чой, К.-Дж. Ким, Ю. Цзян, К. Бом, М. Ким, Ю.-Г. Ким, П. Ли, Н. О, Б. Х. Ким, К. Шин, Х. Х. Ли, Т. -С. Юн, М. Шим, Дж. Лим, К.-Б. Ким и С.-Ю. Чо, «Эффект пассивации этаноламином наночастиц ZnO в структуре светоизлучающего диода с квантовыми точками», Curr. заявл. физ. 19, 998 – 1005 (2019)
• С. Ли, Дж. К. Фланаган, Дж. Ким, А. Дж. Юн, Б. Ли, М. Шим и Б. Парк, «Эффективные гетеропереходные сенсибилизированные нанородом солнечные элементы типа II, реализованные путем контролируемого синтеза структуры ядра / неоднородной оболочки и Косенсибилизация CdS», Appl. Матер. Интерфейсы, 11, 19104 – 19114 (2019).
• Н. О, Л. П. Китинг, Г. А. Дрейк и М. Шим, “CuGaS2-CuInE2 (E = S, Se) Коллоидные наностержневые гетероструктуры”, Chem. Матер. 31, 1973 – 1980 (2019).
• Х. Кеум, Ю. Цзян, Дж. К. Парк, Дж. К. Фланаган, М. Шим и С. Ким, «Фоторезистивный контактный рисунок пленок с квантовыми точками», ACS Nano 12, 10024–10031 (2018).
• Викрам А., Кумар В., Рамеш У., Балакришнан К., Ох Н., Дешпанде К., Эверс Т., Трефонас П., Шим М., Кенис П.Дж. ступенчатый непрерывный синтез наночастиц InP/ZnSeS», ChemNanoMat 4, 943 – 953 (2018).
• Ю. Цзян, С. –Ю. Чо и М. Шим, “Светоизлучающие диоды коллоидных квантовых точек и наностержневых гетероструктур для будущих эмиссионных дисплеев”, J. Mater. хим. C, 6, 2618 – 2634 (2018). Приглашенная обзорная статья.
• Ф. Ву, Л. Чен, А. Чжан, Ю. Хун, Н. –Ю. Ши, С. –Ю. Чо, Г. А. Дрейк, Т. Флитхэм, С. Конг, К. Цао, К. Лю, Ю. Лю, К. Сюй, Ю. Ма, М. Шим, М. Э. Томпсон, В. Рен, Х. Ченг и К. Чжоу, «Высокопроизводительные субмикронные полевые транзисторы WSe2, подготовленные с использованием метода заливной печати с высокой плотностью тока в открытом состоянии и высоким коэффициентом тока в открытом состоянии», ACS Nano 11, 12536 – 12546 (2017).
• С. Ли, Дж. К. Фланаган, Б. Ли, Т. Хван, Дж. Ким, Б. Гил, М. Шим и Б. Парк, «Путь к улучшению фотоэлектрических элементов на основе наностержней с гетеропереходом CdSe/CdSexTe1-x типа II». : Влияние морфологии и косенсибилизации на рекомбинацию и транспорт носителей», ACS Appl. Матер. Интерфейсы 9, 31931 – 31939 (2017).
• Ю. Чжай, Дж. К. Фланаган и М. Шим, «Влияние деформации решетки и лиганда на формирование гетероструктур наностержней Cu2-xS/I-III-VI2 посредством частичного катионного обмена», Chem. Матер. 29, 6161 – 6167 (2017).
• К. Баумер, Р. Валента, К. Шмитц, А. Локателли, Т. О. Ментеш, С. П. Роджерс, А. Сала, Н. Рааб, С. Немсак, М. Шим, К. М. Шнайдер, С. Мензель, Р. Васер, Р. Диттманн, «Субфиламентарные сети вызывают межцикловую изменчивость в мемристивных устройствах», ACS Nano 11, 6921–6929 (2017).
• С. –Ю. Чо, Н. О, С. Нам, Ю. Цзян и М. Шим, «Увеличенный срок службы устройства нанородных светоизлучающих диодов с двойным гетеропереходом», Nanoscale 9, 6103–6110 (2017).
• Ю. Чжай и М. Шим, “Влияние реакционной способности предшественника меди на форму и фазу нанокристаллов сульфида меди”, Chem. Матер. 29, 2390 – 2397 (2017).
• С. П. Роджерс, Р. Сюй, С. Пандья, Л. В. Мартин и М. Шим, «Медленная релаксация проводимости в полевых транзисторах графена-сегнетоэлектрика», J. Phys. хим. С., 121, 7542 – 7548 (2017).
• М. Шим, “Коллоидные наностержневые гетероструктуры для оптоэлектроники”, J. Phys. Д 50, 173002 (2017). Приглашенный тематический обзор.
• Н. О, Б. Х. Ким, С. –Ю. Чо, С. Нам, С. П. Роджерс, Ю. Цзян, Дж. К. Фланаган, Ю. Чжай, Дж.-Х. Ким, Дж. Ли, Ю. Ю, Ю. К. Чо, Г. Хур, Дж. Чжан, П. Трефонас, Дж. А. Роджерс и М. Шим, «Светочувствительные светодиоды с двойным гетеропереходом наностержня для новых приложений отображения», Наука 355 , 616 – 619 (2017).
• Х. Кеум, Ю. Цзян, Дж. К. Парк, Дж. Фланаган, М. Шим и С. Ким, «Создание рисунка коллоидных пленок с квантовыми точками без использования растворителей с использованием полимеров с памятью формы», Micromachines 8, 18 (2017).
• В. Кумар, Х. А. Фустер, Н. О, Ю. Чжай, К. Дешпанде, М. Шим и П. Дж. А. Кенис, «Непрерывный синтез анизотропных наночастиц селенида кадмия и селенида цинка», ChemNanoMat, EarlyView (2017).
• Ю. Цзян, Н. О и М. Шим, «Светоизлучающие диоды с двойным гетеропереходом нанорода с высокой эффективностью при высокой яркости с использованием самособирающихся монослоев», ACS Photonics, 3, 1862–1868 (2016).
• Н. Ох и М. Шим, «Индуцированное олеатом металла травление и рост полупроводниковых нанокристаллов, наностержней и их гетероструктур», J. Am. хим. соц. 138, 10444 (2016).
• К. Баумер, К. Шмитц, А. Марчевка, Д. Н. Мюллер, Р. Валента, Дж. Хакл, Н. Рааб, С. П. Роджерс, М. И. Хан, С. Немсак, М. Шим, С. Мензель, К. М. Шнайдер, Р. Васер и Р. Диттманн, «Количественная оценка изменений барьера Шоттки, вызванных окислительно-восстановительным потенциалом, в мемристивных устройствах с помощью спектроскопии в процессе работы с электронно-прозрачными графеновыми электродами», Nature Comm. 7, 12398 (2016).
• Z. Jiang, S. Tian, ​​S. Lai, R. McAuliffe, S. Rogers, M. Shim, and D. Shoemaker, «Захват фазовой эволюции во время сольвотермического синтеза метастабильного Cu4O3», Chem. мат., 28, 3080 – 3089(2016).
• Б. Х. Ким, С. Нам, Н. О, С. Ю. Чо, К. Дж. Ю, Ч. Х. Ли, Дж. Чжан, К. Дешпанде, П. Трефонас, Дж.-Х. Ким, Дж. Ли, Дж. Х. Шин, Ю. Ю, Дж. Б. Лим, С.-Ю. Чо, С. М. Вон, Н. Х. Ким, К. Дж. Сео, Х. Ли, Т. Ким, М. Шим и Дж. А. Роджерс, «Многослойная трансферная печать для пиксельных многоцветных светоизлучающих диодов с квантовыми точками», ACS Nano, 10, 4920 – 4925 (2016).
• Дж. Хиннефельд, Р. Сюй, С. Роджерс, С. Пандья, М. Шим, Л. Мартин и Н. Мейсон, «Однозатворные PN-переходы в графен-сегнетоэлектрических устройствах», Appl. физ. лат. 108, 203109. (2016).
• Ю. Чжай и М. Шим, «Гетероструктурированные наностержни Cu2S/ZnS: катионный обмен против роста, подобного раствору, жидкости и твердому веществу», ChemPhysChem, 17, 741–751 (2016).
• С. Ли, Дж. К. Фланаган, М. Шим и Б. Парк, «Интеграция наностержней гетероперехода CdSe/CdSexTe1-x в иерархически пористый электрод TiO2 для эффективного преобразования солнечной энергии», Наука. 5, 17472 (2015).
• Ю. Чжай и М. Шим, «Выгоды от созревания Оствальда в легировании Mn полупроводниковых нанокристаллов II-VI», Nanoscale Res. лат. 10, 423 (2015).
• Дж. К. Фланаган и М. Шим, «Улучшенная стабильность на воздухе, разделение заряда и фототок в наностержнях с гетеропереходом CdSe/CdTe с помощью тиолов», J. Phys. хим. С., 119, 20162–20168 (2015).
• Джанг Дж., Должников Д.С., Лю В., Нам С., Шим М. и Талапин Д.В. Транзисторы, обработанные раствором, с использованием коллоидных нанокристаллов с подобранным по составу молекулярным «припоем»: приближение к подвижности монокристалла, Nano Lett. 15, 6309 – 6317 (2015).
• Б. Х. Ким, М. С. Онсес, Дж. Б. Лим, С. Нам, Н. О, Х. Дж. Ким, К. Дж. Ю, Дж. В. Ли, Дж. –Х. Ким, С. –К. Канг, Ч. Х. Ли, Дж. Ли, Дж. Х. Шин, Н. Х. Ким, К. Лил, М. Шим, Дж. А. Роджерс, «Шаблоны квантовых точек с высоким разрешением, образованные электрогидродинамической струйной печатью для светоизлучающих диодов», Nano Lett. 15, 969–973 (2015).
• С. Нам, Н. О, Ю. Чжай и М. Шим, «Высокая эффективность и оптическая анизотропия в светоизлучающих диодах Nanorod с двойным гетеропереходом», ACS Nano 9, 878–885 (2015).
• С. Ли, А. Р. Дамодаран, П. Гораи, Н. О, Дж. А. Мойер, Дж. –Х. Квон, Н. Фердоус, А. Шах, З. Чен, Э. Брекенфельд, Р. В. К. Мангалам, П. В. Браун, П. Шиффер, М. Шим, Дж.-М. Зуо, Э. Эртекин и Л. В. Мартин, «Новая самоорганизующаяся многослойная фаза в богатых титаном эпитаксиальных тонких пленках SrTiO3», Adv. Матер. 27, 861–868 (2015).
• Боймер К., Салдана-Греко Д., Раппе А.М., Шим М. и Мартин Л.В., «Модуляция плотности пространственных носителей с помощью сегнетоэлектричества в графене», Nature Commun. 6, 6136 (2015).
• Н. Р. Ким, К. Шин, И. Юнг, М. Шим и Х. М. Ли, «Наночастицы сплава Ag-Cu с повышенной устойчивостью к окислению: комбинированное экспериментальное и теоретическое исследование», J. Phys. хим. С 118, 26324 – 26331 (2014).
• Б.-Х. Сео, Дж. Юн и М. Шим, «Прямая лазерная запись воздухостабильных p-n переходов в графене», ACS Nano, 8, 8831–8836 (2014).
• Ю. Цзян, Ф. Сюн, К. – Л. Цай, Т. Озел, Э. Поп и М. Шим, «Самовыравнивающаяся маска для травления меди для металлических и полупроводниковых углеродных нанотрубок с индивидуальной адресацией», ACS Nano 8, 6500 – 6508 (2014).
• N.Oh, S. Nam, Y. Zhai, K. Deshpande, P. Trefonas и M. Shim, “Double Heterojunction Nanorods”, Nature Commun. 5, 3642 (2014).
• С. –Л. Цай, Ф. Сюн, Э. Поп и М. Шим, «Резистивная память с произвольным доступом, обеспечиваемая поперечными электродами из углеродных нанотрубок», ACS NANO 7, 5360-5366 (2013).
• 1С. Баумер, С. Роджерс, Р. Сюй, Л. В. Мартин и М. Шим, «Настраиваемый тип носителя и плотность в гибридных структурах графен/PbZr0,2Ti0,8O3 посредством ферроэлектрического переключения», Nano Lett. 13, 1693 – 1698 (2013).
• H. McDaniel, M. Pelton, N. Oh и M. Shim, «Влияние деформации решетки и смещения полосы на скорость переноса электронов в гетероструктурах Nanorod типа II», J. Phys. хим. лат. 3, 1094 – 1098 (2012).
• Х. Макдэниел, Н. Ох и М. Шим, “CdSe/CdSexTe1-x наностержневые гетероструктуры: настройка состава сплава и энергии пространственно непрямой рекомбинации”, J. Mater. хим. 22, 11621 – 11628 (2012).
• М. Шим, Х. Макдэниел и Н. О, “Перспективы напряженных наностержневых гетероструктур типа II”, J. Phys. хим. лат. 2, 2722 – 2727 (2011). Приглашенная перспектива.
• H. McDaniel, PE Heil, C.-L. Цай, К. Ким и М. Шим, «Интеграция гетероструктур Nanorod типа II в фотоэлектрические элементы», ACS Nano, 5, 7677–7683 (2011).
• С. –Л. Цай, А. Ляо, Э. Поп и М. Шим, «Рассеивание электрической мощности в углеродных нанотрубках на монокристаллическом кварце и аморфном SiO2», Appl. физ. лат. 99, 053120 (2011).
• К. Т. Нгуен, Д. Абдула, К.-Л. Цай и М. Шим, «Зависимые от температуры и напряжения затвора спектры комбинационного рассеяния однослойного графена», ACS Nano, 5, 5273 – 5279 (2011).
• Д. Абдула, К. Т. Нгуен, К. Канг, С. Фонг, Т. Озел, Д. Г. Кэхилл и М. Шим, «Влияние дефектов и легирования на время жизни оптических фононов и ширину линии комбинационного рассеяния в углеродных нанотрубках», Phys. Ред. B 83, 205419 (2011).
• С. Унарунотай, Дж. К. Кёпке, К. –Л. Цай, Ф. Ду, К. Э. Чиалво, Ю. Мурата, Р. Хааш, И. Петров, Н. Мейсон, М. Шим, Дж. Лидинг, Дж. А. Роджерс, «Послойный перенос листов графена большой площади, выращенных в многослойных пакетах на одной пластине SiC», ACS Nano 4, 5591 – 5598 (2010).
• С. Ким, С. Ким, Д. Б. Джейнс, С. Мохаммади, Дж. Бэк и М. Шим, «Моделирование постоянного тока и источник мерцающего шума в транзисторах с пассивированными углеродными нанотрубками», Нанотехнология 21, 385203 (2010).
• М. Шим и Х. МакДэниел, “Анизотропные нанокристаллические гетероструктуры: синтез и деформация решетки”, Curr. Соч. Сол. Государственный матер. науч. 14, 83 – 94 (2010).
• К. Канг, Д. Абдула, Д. Г. Кэхилл и М. Шим, «Время жизни оптических фононов в графене и графите с помощью некогерентного антистоксова комбинационного рассеяния с временным разрешением», Phys. Версия B 81, 165405 (2010).
• Х. Макдэниел, Дж. –М. Зуо и М. Шим, «Анизотропная кривизна, вызванная деформацией, в гетероструктурах типа II CdSe/CdTe Nanorod», J. Am. хим. соц. 132, 3286 (2010).
• К. Х. Сюй, Дж. Х. Бэк, К.-Х. Фунг, П. М. Феррейра, М. Шим и Н. К. Фанг, «Исследование усиления электромагнитного поля SERS с помощью быстрого комбинационного картирования фракталов оптического ковра Серпинского», J. Raman Spectroscopy, 41, 1124 (2010).
• JH Back, C. –L. Цай, С. Ким, С. Мохаммади и М. Шим, “Проявление аномалии Кона в колебаниях 1/f в металлических углеродных нанотрубках”, Phys. Преподобный Летт. 103, 215501 (2009 г.).
• Т. Озель, Д. Абдула, Э. Хванг и М. Шим, «Неравномерная деформация сжатия в горизонтально выровненных однослойных углеродных нанотрубках, выращенных на монокристаллическом кварце», ACS Nano 3, 2217 (2009).
• К. Т. Нгуен и М. Шим, «Роль ковалентных дефектов в смягчении фононов в металлических углеродных нанотрубках», J. Am. хим. соц. 131, 7103 (2009).
• Х. Макдэниел и М. Шим, «Структурная диверсификация, зависящая от размера и скорости роста, анизотропных нанокристаллических гетероструктур Fe3O4/CdS», ACS Nano 3, 434 (2009).).
• В. Дж. Хуанг, Дж. М. Цзо, Б. Цзян, К. В. Квон и М. Шим, «Дифракционная визуализация одиночных нанокристаллов с разрешением ниже Å», Nature Phys. 5, 129 (2009).
• С. Ким, С. Джу, Дж. Х. Бэк, Ю. Суан, П. Д. Йе, М. Шим, Д. Б. Джейнс и С. Мохаммади, «Полностью прозрачные тонкопленочные транзисторы на основе выровненных массивов углеродных нанотрубок и электродов из оксида индия и олова, ” Админ. Матер. 21, 564 (2009).
• Д. Абдула, Т. Озел, К. Канг, Д. Г. Кэхилл и М. Шим, «Влияние окружающей среды на температурную зависимость спектров комбинационного рассеяния однослойного графена», J. Phys. хим. С 112, 20131 (2008).
• К. Канг, Т. Озел, Д. Г. Кэхилл и М. Шим, «Время жизни оптических фононов в одностенных углеродных нанотрубках с помощью комбинационного рассеяния с временным разрешением», Nano Lett. 8, 4642 (2008).
• Д. Абдула и М. Шим, «Производительность и фотогальванический отклик легированных полимером углеродных нанотрубок p-n диодов», ACS Nano 2, 2154 (2008).
• А. Гаур и М. Шим, “Усиленная подложкой адсорбция O2 и комплексность в рамановских спектрах G-диапазона отдельных металлических углеродных нанотрубок”, Phys. Ред. В 78, 125422 (2008).
• М. Шим, А. Гаур, К. Т. Нгуен, Д. Абдула и Т. Озел, «Спектральное разнообразие в рамановских модах G-диапазона металлических углеродных нанотрубок в пределах одной хиральности», J. Phys. хим. С 112, 13017 (2008).
• К. Цао, Х.-С. Ким, Н. Пимпаркар, Дж. П. Кулкарни, К. Ван, М. Шим, К. Рой, М. А. Алам, Дж. А. Роджерс, «Средние тонкопленочные интегральные схемы из углеродных нанотрубок на гибких пластиковых подложках» », Природа 454, 495 (2008).
• Дж. Х. Бэк, С. Ким, С. Мохаммеди и М. Шим, «Низкочастотный шум в транзисторах с амбиполярными углеродными нанотрубками», Nano Lett. 8, 1090 (2008).
• М. Шим, «На пути к электронике из углеродных нанотрубок», Material Matters 2, 16–18 (2007).
• К. Кокабас, С. Дж. Канг, Т. Озел. М. Шим, Дж. А. Роджерс, «Улучшенный синтез выровненных массивов одностенных углеродных нанотрубок и их реализация в тонкопленочных транзисторах», J. Phys. хим. С 111, 17879 (2007).
• К. Ван, К. –В. Квон, М. Одлызко, Б. Х. Ли и М. Шим, «Нанокристаллы PbSe/гетероструктурированные пленки TiOx: простой путь к наноразмерным гетероинтерфейсам и фотокатализу», J. Phys. хим. С 111, 11734 (2007).
• С. К. Ким, Ю. Суан, П. Д. Е, С. Мохаммади, Дж. Х. Бэк и М. Шим, «Атомный слой осажденного Al2O3 для диэлектрика затвора и пассивирующего слоя транзисторов с одностенными углеродными нанотрубками», Appl. физ. лат. 90, 163108 (2007).
• Д. Абдула, К. Т. Нгуен и М. Шим, “Рамановский спектр эволюции в отдельных металлических одностенных углеродных нанотрубках при образовании ковалентной связи”, J. Phys. хим. С 111, 17755 (2007).
• К. Т. Нгуен, А. Гаур и М. Шим, «Форма линии Фано и смягчение фононов в одиночных изолированных металлических углеродных нанотрубках», Phys. Преподобный Летт. 98, 145504 (2007).
• Б. Х. Ли, К. –В. Квон и М. Шим, “Полупроводниковые/полимерные гибридные коллоидные наночастицы”, J. Mater. хим. 17, 1284 – 1291 (2007).
• С. Дж. Канг, К. Кокабас, Т. Озел, М. Шим, Н. Пимпаркар, А. Алам, С. В. Роткин и Дж. А. Роджерс, «Высокопроизводительная электроника на основе плотных, идеально выровненных массивов одностенных углеродных нанотрубок», Природа Нанотех. 2, 230 – 236 (2007).
• Q. Cao, MG Xia, C. Kocabas, M. Shim, JA Rogers, and S.V. Rotkin, «Емкостная связь затвора тонкопленочных транзисторов с одностенными углеродными нанотрубками», Appl. физ. лат. 90, 023516 (2007).
• Q. Cao, MG Xia, M. Shim, J. Rogers, «Двухслойные органо-неорганические диэлектрики под затвором для высокопроизводительных низковольтных тонкопленочных транзисторов с однослойными углеродными нанотрубками, комплементарных логических затворов и pn-диодов на пластиковые подложки», Adv. Функциональный матер. 16, 2355 – 2362 (2006).
• К. –З. Квон, Б. Х. Ли и М. Шим, “Структурная эволюция в гетероструктурах коллоидных нанокристаллов оксида металла/полупроводника”, Chem. Матер. 18, 6357–6363 (2006).
• Дж. Х. Бэк и М. Шим, «pH-зависимые свойства переноса электронов углеродных нанотрубок», J. Phys. хим. Б 110, 23736 – 23741 (2006).
• К. Д. Мэтьюз, М. Г. Леметр, Т. Ким, Х. Чен, М. Шим и Дж.-М. Цзо, «Режимы роста углеродных нанотрубок на металлических подложках», J. Appl. физ. 100, 044309 (2006).
• М. Шим, Т. Озел, А. Гаур и К. Ван, «Понимание легирования с переносом заряда и формы собственной фононной линии углеродных нанотрубок путем простой адсорбции полимера», J. Am. хим. соц. 128, 7522 – 7530 (2006).
• К. Кокабас, М. Шим и Дж. А. Роджерс, «Пространственно-селективный управляемый рост массивов с высоким покрытием и случайных сетей одностенных углеродных нанотрубок и их интеграция в электронные устройства», J. Am. хим. соц. 128, 4540 – 4541 (2006).
• Цао, К., З.-Т. Чжу, М.Г. Леметр, М.-Г. Ся, М. Шим, Дж. Роджерс, «Прозрачные гибкие органические тонкопленочные транзисторы, в которых используются печатные электроды из одностенных углеродных нанотрубок», Appl. физ. лат. 88, 113511 (2006).
• Хуа, Ф., А. Гаур, Ю. Сун, М. Уорд, Дж. Ниу, И. Адесида, М. Шим, Дж. А. Роджерс и А. Шим, «Обработка зависимого поведения литографии мягких отпечатков на 1- Масштаб 10 нм», IEEE Trans. Нанотех. 5, 301 – 308 (2006).
• Цао, К., С. Х. Хур, З. Чжу, Ю. Сун, К. Ван, М. Мейтл, М. Шим, Дж. А. Роджерс, «Гибкие прозрачные тонкопленочные транзисторы, в которых используются проводники и полупроводники на основе углеродных нанотрубок. с эластомерными диэлектриками», Adv. Матер. 18, 304 – 309 (2006).
• Hur, S.H., MH Yoon, A. Gaur, M. Shim, A. Facchetti, TJ Marks, JA Rogers, «Органические нанодиэлектрики для низковольтных тонкопленочных транзисторов из углеродных нанотрубок и дополнительных логических элементов», J. Am. хим. соц. 127, 13808 – 13809 (2005).
• Ван С., К. Цао, Т. Озел, А. Гаур, Дж. А. Роджерс и М. Шим, «Электронно-селективная химическая функционализация углеродных нанотрубок: корреляция между рамановскими спектральными и электрическими откликами», J. Am. хим. соц. 127, 11460 – 11468 (2005).
• Квон, К.–В. и М. Шим, “гамма-Fe2O3/II-VI сульфидные нанокристаллические гетеропереходы”, J. Am. хим. Soc, 127, 10268 – 10275 (2005).
• Кокабас, К., С.-Х. Хур, А. Гаур, М. Мейттл, М. Шим и Дж. А. Роджерс, «Управляемый рост крупномасштабных горизонтально выровненных массивов одностенных углеродных нанотрубок и их использование в тонкопленочных транзисторах», Смолл 1, 1110–1116 (2005 г.). ).
• Озел, Т. , А. Гаур, Дж. А. Роджерс и М. Шим, «Сетевые транзисторы с полимерным электролитом и углеродными нанотрубками», Nano Lett. 5, 905 – 911 (2005).
• Hur, S.-H., C. Kocabas, A. Gaur, M. Shim, O. O. Park, and J. A. Rogers, «Печатные тонкопленочные транзисторы и комплементарные логические элементы, в которых используются одностенные углеродные нанотрубки с полимерным покрытием», J , заявл. физ. 98, 114302 (2005).
• Шим, М., Дж. Х. Бэк, Т. Озел и К. В. Квон, «Влияние кислорода на электрон-транспортные свойства углеродных нанотрубок: УФ-десорбция и термически индуцированные процессы», Phys. Ред. Б, 71, 205411 (2005).
• Hua, F., Y. Sun, A. Gaur, M. Meitl, L. Bilhaut, L. Rotkina, J. F. Wang, P. Geil, M. Shim, J. A. Rogers, and A. Shim, «Полимерная импринт-литография с Молекулярное разрешение», Nano Lett. 4, 2467 – 2471 (2004).
• Кокабас С., Мейтл М., Гаур А., Шим М. и Роджерс Дж. А., «Выровненные массивы одностенных углеродных нанотрубок, созданные из случайных сетей с помощью ориентационно-селективной лазерной абляции», Nano Lett. 4, 2421 – 2426 (2004).
• Чжоу, Ю., А. Гаур, С. –Х. Хур, К. Кокабас, М. Мейтл, М. Шим, Дж. А. Роджерс, «p-канальные, n-канальные тонкопленочные транзисторы и p-n-диоды на основе сетей с одностенными углеродными нанотрубками», Nano Lett. 4, 2031 – 2035 (2004).
• Siddons, G.P., D. Merchin, JH Back, JK Jeong, M. Shim, «Высокоэффективное запирание и легирование углеродных нанотрубок полимерными электролитами», Nano Lett. 4, 927-931 (2004).
• Huxtable, S. T., D. G. Cahill, S. Shenogin, L. Xue, R. Ozisik, P. Barone, M. Usrey, M. S. Strano, G. Siddons и M. Shim, «Межфазный тепловой поток в суспензиях углеродных нанотрубок», Материалы природы, 2, 731-734 (2003).
• Шим, М. и Сиддонс Г.П., «Фотоиндуцированные изменения проводимости в транзисторах из углеродных нанотрубок», Appl. физ. лат. 83, 3564-3566 (2003).

Награды за научные исследования

• Премия декана факультета исследований Университета Иллинойса (2014 г.)
• Стипендиат факультета Виллет (2010-2014)
• Премия Xerox за факультетские исследования, Иллинойский университет (2007 г. )
• Премия Национального научного фонда за карьеру (2004 г.)
• Рачефф Ассистент-профессор Иллинойского университета (2002–2004 гг.)
• Премия Нортона, Чикагский университет (2000)

Последние пройденные курсы

• MSE 201 — Фазы и фазовые соотношения
• MSE 280 A – Технические материалы
• MSE 395 – Дизайн материалов
• MSE 396 — Введение в исследования
• MSE 404 LD1 (MSE 404 LD2, MSE 404 NP1, MSE 404 NP2) – Новая фотогальваника
• MSE 488 – Оптические материалы
• MSE 529 – Семинар по твердым материалам

Наращивание магнита – вопросы и ответы ​в МРТ

Если магнитные катушки находятся в замкнутом сверхпроводящем контуре, как подавать в них ток для первоначального увеличения поля?

Процесс разгона сверхпроводящего магнита до полного поля обычно занимает 2-3 дня. После того, как магнит установлен и готов, его охлаждают до сверхпроводящих температур, заполняя жидким гелием (по крайней мере, до уровня ~ 75%). Электрические клеммы для зарядки обмоток катушек расположены глубоко внутри криостата. Во многих проектах доступ к ним осуществляется путем вставки плунжеры  в магнит, как показано на видео справа.

Во время линейного изменения включается цепь нагревателя, в результате чего в резисторе R возникает конечное сопротивление. Как только начинает течь ток, нагреватель выключается, а сопротивление R падает до нуля, позволяя току бесконечно продолжаться через сверхпроводник. цикл в «режиме сохранения».

Слева показана упрощенная схема внутренней схемы магнита. Параллельно с обмотками основной катушки находится обходная ветвь, содержащая компонент, называемый переключателем послесвечения. Переключатель постоянного состояния состоит из резистора ( R ) и небольшого электрического нагревателя.

Постоянный резистор ( R ) нагревается выше температуры сверхпроводимости, поэтому он имеет небольшое конечное сопротивление (обычно ~ 100 Ом). Затем сервисный инженер подключает источник питания к плунжерам и начинает подавать ток в систему. Поскольку магнитные катушки являются сверхпроводящими (и имеют практически нулевое сопротивление), практически весь приложенный ток протекает непосредственно через них, а через персистентную конечность практически не проходит. Внешний ток медленно увеличивается в течение 24–48 часов (во избежание гашения) до тех пор, пока не будут достигнуты желаемый конечный уровень тока (обычно 500–1000 А) и напряженность поля.