Схема включения полевого транзистора: Полевые транзисторы: типовые схемы включения

Полевые транзисторы: типовые схемы включения

Полевые транзисторы, схемы включения и правильная их настройка, именно это является основой корректной работы устройства, в котором задействованы полевые транзисторы. Широкий спектр преимуществ, таких как высокое входное сопротивление, простота изготовления, простота операций и так далее, делает МОП-транзисторы (FET) широко используемыми в различных устройствах, особенно в системах интегральных схем.

Полевые транзисторы — это МОП-транзисторы 2-го поколения после биполярных. Их можно использовать в качестве усилителей в осциллографах, испытательных и измерительных приборах, электронных вольтметрах, а также при коммутации.

Давайте вначале посмотрим подробно на схемы включения FET-транзисторов, варианты которых показаны ниже. В способах включения полевиков в схему нет ничего нового, принцип почти такой же как у биполярных приборах. То есть, существует три основных варианта включения: с общим истоком, с общим стоком или с общим затвором. Но управляются эти два полупроводника по разному: у биполярного прибора базовый ток является управляющим, а у полевого — напряжение затвора.

Содержание

1. Основы проектирования схем на полевых транзисторах
2. Полевые транзисторы включенные с общим истоком
3. Полевые транзисторы включенные с общим стоком
4. МОП-транзисторы включенные с общим затвором

Полевые транзисторы включенные с общим истоком

Схема подключения полевика с общим истоком, в принципе такая же как и у биполярного прибора включенного с общим эмиттером. Такой тип включения обусловлен возможностью передавать большой ток и мощность, при этом в цепи стока транзистора происходит переворот напряжения фазы.

Сопротивление на входе цепи затвор-исток становится очень высоким, которое насчитывает несколько сотен мОм. Однако его можно уменьшить, если включить в схему дополнительный резистор в разрыв затвора и истока, тем самым гальванически подтянется затвор на общую точку проводов. Такой вариант является защитой МОП-транзистора от электромагнитных наводок.

Номинальное сопротивление резистора защиты Rз может находится в диапазоне 1-3 мОм, а его подбор выполняется таким образом, чтобы этот шунт не мог очень влиять на сопротивление перехода затвор-исток, однако и нельзя позволить возникновению слишком большого напряжения от управляющего p-n перехода, смещенного в обратном направлении.

Значительное сопротивление на входе полевого транзистора, подключенного по схеме с общим истоком, можно считать важным преимуществом относительно других подобных полупроводников, особенно когда его применяют в конструкциях для усиления напряжения и мощности. Во всяком случае общее сопротивление резистора Rc, установленного в цепи стока, как правило больше нескольких килоом не бывает.

Полевые транзисторы включенные с общим стоком

Полевой транзистор с общим стоком, и если сравнивать этот тип подключения с биполярным прибором, то это, не что иное как подключение с общим коллектором. Такой способ подключение в основном применяется в каскадах согласования силовых цепей, и обеспечивать выходное напряжение совпадающее по фазе с входным.

МОП-транзисторы включенные с общим затвором

Полевик с общим затвором — по аналогии с биполярным прибором, будет означать — каскад с общей базой. Токовое усиление здесь отсутствует, соответственно и коэффициент усиления по мощности в несколько крат ниже каскада включенного с общим истоком. В период усиления, напряжение находится в той же фазе, которая является управляющей.

Справедливо считать, что если выходной ток имеет такое же значение как и входной, в таком случае коэффициент токового усиления равняется «1», а коэффициент увеличения напряжения, будет составлять более единицы.

В этом включении имеется особенная характеристика — обратная отрицательная токовая связь в параллели, так как во время увеличения напряжения управления на входе, возможности истока нарастают, а ток стока идет в сторону меньшего значения, следовательно понижает напряжение на установленном резисторе в цепочке истока Rи.

Исходя из выше сказанного можно определить, что в одном случае напряжение на истоковом резисторе увеличивается за счет повышения входящего сигнала, но вместе с тем происходит уменьшение снижение тока в цепи стока — это то, что называется отрицательной обратной связью.

Такое фактическое явление создает более широкий диапазон высоких частот, следовательно схема включения с общим затвором очень распространена в устройствах усиливающих высокочастотное напряжение.

Схемы включения транзисторов – Ремонт220

Статьи

Автор Светозар Тюменский На чтение 3 мин. Просмотров 4.3k. Опубликовано 10 марта Обновлено 19 ноября

Что такое транзистор более или менее представляют практически все, кому довелось иметь дело с различными электроприборами, особенно – созданием и починкой этих самых приборов. Однако правильно подключить транзистор может не каждый. Тем более что подключать их следует согласно одной из нескольких схем.

Прежде чем перейти непосредственно к включению, давайте вспомним, чем различаются два типа приборов, о которых пойдет речь в статье – биполярные и полевые транзисторы.

Биполярный транзистор – это полупроводниковый прибор, в котором к трем последовательно расположенным слоям полупроводника подключены электроды.

Полевой транзистор – это полупроводниковый прибор, ток которого изменяется под воздействием электрического поля, которое создается на затворе благодаря напряжению. В полевом транзисторе используются заряды только одного типа, что существенно отличает его от биполярного транзистора.
В сегодняшней статье мы рассмотрим схемы включения биполярного и полевого транзистора. И в том, и в другом случае существуют три основные схемы. О достоинствах и недостатках каждой из них скажем отдельно.

Содержание

1. Схемы включения биполярного транзистора
2. 1. Схема с общим эмиттером.
3. 2. Схема с общей базой.
4. 3. Схема с общим коллектором.
5. Схема включения полевых транзисторов

Схемы включения биполярного транзистора

1. Схема с общим эмиттером.

Считается, что подобная схема позволяет получить наибольшее усиление по мощности, а потому именно она наиболее распространена. Еще одним преимуществом является удобство питания от одного источника. На коллектор и базу идет подача питающего напряжения одного знака. Из недостатков следует отметить более низкие температурные и частотные свойства. Усиление в схеме с общим эмиттером будет снижаться при повышении частоты. Да и каскад при усилении будет вносить искажения, зачастую – значительные.

2. Схема с общей базой.

Подобный план включения значительного усиления не даст, зато обладает температурными и частотными свойствами. В этом его преимущество перед предыдущей схемой. Правда применяется он не так часто. Как и в схеме с общим эмиттером, здесь такой же коэффициент усиления напряжения. И входное сопротивление в десятки раз ниже. Плюс ко всему, такая схема вносит намного меньше искажений при усилении, чем первая.

3. Схема с общим коллектором.

Иначе ее еще называют эмиттерным повторителем. Главная особенность подобной схемы в том, что в ней очень сильна отрицательная обратная связь. Связано это с тем, что напряжение на входе полностью передается обратно на вход. В такой схеме отсутствует фазовый сдвиг между напряжением входным и выходным. Кстати, именно поэтому она называется эмиттерным повторителем (из-за напряжения). Важным преимуществом такой схемы является очень высокое сопротивление на входе и достаточно небольшое – на выходе.

Схема включения полевых транзисторов

Распространены три схемы включения полевых транзисторов. Первая схема – с общим истоком. Вторая – с общим стоком. Третья – с общим затвором.
Самой распространенной является схема с общим истоком. Она очень похожа на схему биполярного транзистора с общим эмиттером. Очень большое усиление мощности и тока достигается каскадом с общим истоком.

Схема с общим затвором также сравнима с одной из схем биполярных транзисторов, а именно – с общей базой. Усиления тока она не дает, а потому не трудно предположить, что в ней и усиление мощности намного меньше, чем в схеме с общим истоком.

Последняя схема – с общим затвором – имеет достаточно ограниченное применение на практике. Связано это в первую очередь с тем, что каскад общего затвора имеет крайне низкое сопротивление на входе.

Оцените автора

FET в качестве коммутатора | Работа MOSFET или JFET в качестве переключателя

В этом руководстве мы узнаем о полевых транзисторах или FET, их работе, областях работы и увидим работу FET в качестве переключателя. Мы увидим, как JFET и MOSFET можно использовать в коммутационных приложениях.

Краткое описание

Введение

Широкий спектр преимуществ, таких как высокое входное сопротивление, простота изготовления, простота эксплуатации и т. д., делает полевые транзисторы широко используемыми в различных приложениях, особенно в системах с интегральными схемами. 9Полевые транзисторы 0003

— это транзисторы поколения 2 ^{-го поколения} после биполярных транзисторов. Их можно использовать в качестве усилителей в осциллографах, контрольно-измерительных приборах, электронных вольтметрах и т. д., а также в коммутационных действиях.

Давайте подробно рассмотрим работу полевого транзистора в качестве переключателя. Но перед этим мы должны сначала взглянуть на основы полевого транзистора и его работы.

[адсенс1]

НАВЕРХ

Полевой транзистор — это униполярное устройство, в котором ток переносится только основными носителями (либо мотыгами, либо электронами). FET — это устройство, управляемое напряжением, что означает, что за счет управления напряжением между затвором и истоком выходной ток изменяется.

Давайте рассмотрим N-канальный JFET для понимания рабочих областей. Работа или характеристики JFET разделены на три разные области, а именно омическую область, область насыщения и область отсечки. Напряжение, прикладываемое к стоку, обозначается как V _DS (иногда также обозначается как V _DD ), а напряжение на затворе обозначается как V _GS или V _GG .

Омическая область (V _DS > 0 и V _DS P )

В этом региональном канале. Разбит канал. а полевой транзистор действует как переменный резистор.

При этом значение V _DS больше нуля и меньше V _P , чтобы канал не защемлялся, а ток I _D увеличивался. Когда мы увеличиваем напряжение истока затвора V _GS , проводимость канала падает, а сопротивление увеличивается. Следовательно, области истощения будут расширяться больше, что делает канал узким. Сопротивление канала обычно изменяется от 100 Ом до 10 кОм и, очевидно, регулирует напряжение. Следовательно, в этой области транзистор действует как резистор, управляемый напряжением.

[адсенс2]

Область насыщения (V _DS > V _GS – V _P )

Эта область начинается с точки, где V _DS больше, чем V _GS Минус V _P , здесь V _{V GS V P , V GS V P , V GS V P , V GS V P} , V _GS V _P , V _GS . P — напряжение отсечки. В этой области ток стока I _D полностью зависит от V _GS и не зависит от V _DS . Полевой транзистор работает в этой области для усиления сигналов, а также для операций переключения. Из рисунка видно, что при V _GS равен нулю, протекает максимальный ток I _D . Когда мы меняем V _GS на более отрицательное, то ток стока падает. При определенном значении V _GS ток стока протекает через устройство постоянно. Следовательно, эту область также называют областью постоянного тока.

Область отсечки (V _GS < V _P )

Это область, в которой ток стока I _D равен нулю и устройство выключено. При этом напряжение истока затвора V _GS меньше напряжения отсечки V _P . Это означает, что значение V _GS более отрицательное, чем V _P . Следовательно, канал закрывается и не пропускает ток через устройство.

НАВЕРХ

Из приведенного выше обсуждения становится ясно, что полевой транзистор можно использовать в качестве переключателя, работая в двух областях: области отсечки и области насыщения. . Когда V _GS равно нулю, полевой транзистор работает в области насыщения и через него протекает максимальный ток. Следовательно, это похоже на полностью включенное состояние. Точно так же, когда приложенное VGS более отрицательное, чем напряжение отсечки, полевой транзистор работает в области отсечки и не пропускает ток через устройство. Следовательно, полевой транзистор находится в полностью выключенном состоянии. Полевой транзистор можно использовать в качестве переключателя в различных конфигурациях, некоторые из них приведены ниже.

НАВЕРХ

Полевой транзистор, используемый в качестве шунтирующего переключателя

Давайте посмотрим на рисунок ниже, где полевой транзистор подключен параллельно нагрузке и действует как аналоговый переключатель.

• Когда VGS равен нулю, полевой транзистор включается, работая в области насыщения, а его сопротивление очень мало, около 100 Ом. Выходное напряжение на полевом транзисторе равно V _OUT = V _in * {R _DS / (R _D  + R _{DS (ON)} )}. Так как сопротивление R _D очень велико, выходное напряжение приблизительно считается равным нулю.
• Когда мы подаем отрицательное напряжение, равное напряжению отсечки на затворе, полевой транзистор работает в области отсечки и действует как высокоомное устройство, а выходное напряжение равно входному напряжению.

  НАВЕРХ

Полевой транзистор используется в качестве последовательного переключателя

На рисунке ниже показана другая конфигурация схемы переключателя на полевых транзисторах. В этой схеме полевой транзистор действует как последовательный переключатель. Он действует как замкнутый переключатель, если управляющее напряжение равно нулю, и открытый переключатель, если управляющее напряжение отрицательное. Когда FET включен, входной сигнал появится на выходе, а когда он выключен, выход равен нулю.

НАВЕРХ

Пример N-канального JFET в качестве переключателя

На рисунке ниже показано, как N-канальный JFET используется для переключения светодиода. Светодиод подключается между клеммой питания и источника через резистор. Здесь резистор используется для ограничения тока через светодиод. Вывод затвора транзистора подключен к отрицательному источнику питания.

• Из приведенного выше обсуждения следует, что нулевое напряжение на клемме затвора приводит к протеканию тока через светодиод, поскольку полевой транзистор находится в режиме насыщения. Поэтому светодиод загорается.
• При достаточном отрицательном напряжении на клемме затвора (около 3-4 вольт) полевой транзистор JFET переходит в режим отсечки, поэтому светодиод гаснет.

  НАВЕРХ

До сих пор мы обсуждали N-канальный JFET в качестве переключателя. Другой тип JFET – это P-канальный JFET, и работа этого полевого транзистора также аналогична N-типу, но разница заключается только в положительном напряжении на клемме затвора.

• Когда напряжение затвор-исток равно нулю, полевой транзистор работает в области насыщения, поэтому полевой транзистор включается, что, в свою очередь, вызывает протекание тока от стока к истоку.
• И положительное напряжение между затвором и истоком приводит к отключению тока через полевой транзистор. Таким образом, полевой транзистор находится в состоянии разомкнутой цепи.

В НАЧАЛО

Пример P-канального JFET в качестве переключателя

Подобно светодиоду, управляемому N-канальным JFET, схема P-канального переключаемого JFET приведена ниже. Разница между двумя схемами заключается в источнике питания на клемме затвора.

• Состояние включения остается одинаковым для обеих цепей, т.е. нулевое напряжение на клемме затвора заставляет светодиод светиться, когда полевой транзистор активен.
• Для переключения полевого транзистора в режим отсечки достаточное положительное напряжение (в данном случае от 3 до 4 вольт) останавливает ток в цепи. Поэтому светодиод выключается. Мы также можем использовать полевые транзисторы для включения цепей реле, драйверов двигателей и других электронных схем управления.

  НАВЕРХ

Другой тип полевого транзистора — это МОП-транзистор, который также является устройством, управляемым напряжением. Уровень V _GS , при котором ток стока увеличивается или начинает протекать, называется пороговым напряжением V _T . Следовательно, если мы увеличим V _GS , ток стока также увеличится. И если мы увеличим V _GS , оставив V _DS постоянным, то ток стока достигнет уровня насыщения, как в случае JFET.

MOSFET работает в режиме отсечки, когда V _GS ниже порогового уровня. Следовательно, в этом режиме ток стока не течет. Таким образом, действует как переключатель OPEN

. Для лучшего понимания рассмотрите рисунок ниже, где N-канальный полевой МОП-транзистор переключается для разных напряжений на клеммах затвора.

• На приведенном ниже рисунке клемма затвора MOSFET подключена к V _DD , так что напряжение на клемме затвора максимально. Это делает сопротивление канала настолько малым, что позволяет протекать максимальному току стока. Это называется режимом насыщения, и в этом режиме полевой МОП-транзистор полностью включается как замкнутый переключатель. Для полевого МОП-транзистора с P-каналом для включения потенциал затвора должен быть более отрицательным по отношению к истоку.
• В области отсечки приложенное V _GS меньше порогового уровня напряжения, поэтому ток стока равен нулю. Следовательно, МОП-транзистор находится в выключенном состоянии, как разомкнутый переключатель, как показано на рисунке.

НАВЕРХ

Пример MOSFET в качестве переключателя

Рассмотрим схему MOSFET, которая управляет светодиодом, как показано на рисунке. Здесь N-канальный полевой МОП-транзистор используется для переключения светодиода с помощью простого переключателя.

• Когда переключатель находится в разомкнутом состоянии, напряжение на затворе равно нулю относительно земли или истока. Таким образом, МОП-транзистор остается выключенным, и светодиод не светится.
• Когда переключатель нажат, чтобы закрыть его, соответствующее положительное напряжение (в данном случае 5 В) подается на клемму затвора. Итак, МОП-транзистор включается, и светодиод начинает светиться.
• Здесь это простая резистивная нагрузка, но в случае любых индуктивных нагрузок, таких как двигатели, реле, мы должны использовать обратные диоды на нагрузке для защиты МОП-транзистора от наведенных напряжений.

В большинстве схем в качестве переключателя используется МОП-транзистор по сравнению с JFET из-за его преимуществ. Мы также можем использовать схему переключения (для работы нагрузки на определенной частоте переключения) для JFET и MOSFET для получения сигналов ШИМ в зависимости от требований нагрузки.

Мы надеемся, что эта общая информация помогла вам понять, как мы можем переключать нагрузки с помощью полевых транзисторов с условиями переключения и необходимыми цифрами. Вы также можете написать нам о любых сомнениях или технической помощи по этой концепции в разделе комментариев ниже.

Верхнее

Предыдущий-Транзистор как переключатель

Далее-Дарлингтон Транзистор

Простой схему переключения MOSFET-как включить / включить N-канал и P-канал MOSFET

MOSFET IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS ISE IS ISE IS IS IS ISE IS ISE IS IS ISE IS ISE IS SHAN. транзистор, использующий полевой эффект. MOSFET расшифровывается как Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor , который имеет затвор. Для простоты можно представить эти ворота как водопроводный кран, вы поворачиваете кран против часовой стрелки, вода начинает течь из крана, вы поворачиваете его по часовой стрелке, вода перестает течь из крана. Точно так же напряжение затвора определяет проводимость устройства. В зависимости от этого напряжения затвора мы можем изменить проводимость и, таким образом, мы можем использовать его в качестве переключателя или усилителя, как мы используем транзистор в качестве переключателя или усилителя. С момента появления мощного полевого МОП-транзистора в 1980-х годов переключение питания стало быстрее и эффективнее. Почти во всех современных импульсных источниках питания в качестве переключающих элементов используются силовые полевые МОП-транзисторы той или иной формы. МОП-транзисторы предпочтительнее из-за их низких потерь проводимости, низких потерь на переключение, а поскольку затвор МОП-транзистора состоит из конденсаторов, он имеет нулевой постоянный ток затвора. Итак, в этой статье мы поговорим о различных способах включения и выключения MOSFET и в конце рассмотрим несколько практических примеров, показывающих, как это влияет на MOSFET.

В одной из наших предыдущих статей мы обсуждали, что такое полевой МОП-транзистор: его конструкция, типы и работа, вы можете проверить это, если хотите узнать об основах полевого МОП-транзистора.

Основные свойства полевого МОП-транзистора

Подобно транзистору с биполярным переходом или BJT , МОП-транзистор представляет собой трехвыводное устройство, три вывода которого являются ЗАТВОР, сток и ИСТОЧНИК, причем затвор управляет проводимостью между выводами стока и истока.

Технически говоря, полевой транзистор по своей природе является двунаправленным, но способ, которым силовые МОП-транзисторы сконструированы на уровне кремния, добавляет паразитный встречно-параллельный диод между стоком и истоком, что заставляет МОП-транзистор работать, когда напряжение на нем меняется на противоположное. , что нужно иметь в виду. На большинстве схемных обозначений мощных полевых МОП-транзисторов изображен паразитный диод. ^[1]

МОП-транзистор можно рассматривать как переменный резистор , управляемый напряжением , точно так же, как транзистор BJT можно считать источником тока, управляемым током . Однако, как и у BJT, это свойство не является линейным, то есть сопротивление не уменьшается линейно с приложенным напряжением затвора, как показано на рисунке ниже из таблицы данных популярного IRF3205, в то время как мы говорим о внутреннем сопротивлении, тепло играет большую роль. ключевую роль, когда речь идет о внутреннем сопротивлении.

По большей части это не имеет значения, так как силовые полевые МОП-транзисторы предназначены для коммутационных приложений, хотя линейное использование возможно. При использовании MOSFET в качестве переключателя необходимо учитывать несколько важных моментов.

Напряжение пробоя сток-исток и ток стока: 

Зависит от области применения — доступны силовые полевые МОП-транзисторы с номиналом пробоя от 20 В до 1200 В и током в диапазоне от миллиампер до килоампер. шесть десятилетий.

Пороговое напряжение затвора:  

Это похоже на напряжение база-эмиттер обычного биполярного транзистора, но с МОП-транзисторами это напряжение не так четко определено. Хотя полевой МОП-транзистор может включаться при относительно низком напряжении, он способен пропускать полный ток только при определенном напряжении затвор-исток. С этим следует быть осторожным, так как большинство полевых МОП-транзисторов рассчитаны на 10 В _ГС . Доступны МОП-транзисторы логического уровня, которые определяют полный ток при 4,5 В.

Входная емкость:

Поскольку затвор электрически изолирован от токопроводящего пути от стока к истоку, он образует небольшой конденсатор, который необходимо заряжать и разряжать при каждом включении и выключении МОП-транзистора. Для мощных полевых МОП-транзисторов эта емкость может составлять от сотен пикофарад до десятков нанофарад.

N-канальные МОП-транзисторы включаются, когда напряжение затвора на несколько вольт выше напряжения истока, номинальные значения для этих напряжений указаны в техническом описании, а напряжение сток-исток указано в положительных вольтах. Ток течет в сток и из истока. P-канальные МОП-транзисторы включаются, когда напряжение на затворе составляет несколько вольт ниже исток, а напряжение сток-исток отрицательное. Ток течет в исток и вытекает из стока.

На рисунке ниже показана простейшая конфигурация для N- и P-канальных МОП-транзисторов.

Затворы MOSFET быстро заряжаются от напряжения питания, открывая их. Но что, если после включения MOSFET затвор останется в покое? После отключения питания от затвора полевой МОП-транзистор все еще остается включенным!

Как и обычный конденсатор, затвор сохраняет свой заряд до тех пор, пока его не удалят или он не утечет из-за очень малого тока утечки затвора. Чтобы избавиться от этого заряда, затвор необходимо разрядить. Это можно сделать, подключив гейт обратно к терминалу источника. Но что, если ворота остаются плавающими из-за управляющей схемы? Если в затворе накапливается достаточное количество паразитных зарядов, чтобы поднять напряжение затвора выше порогового значения, то полевой МОП-транзистор непреднамеренно включается, что может привести к повреждению схемы ниже по потоку. По этой причине часто можно увидеть подтягивающий/подтягивающий резистор между затвором и истоком, который снимает заряд с затвора всякий раз, когда снимается напряжение затвора. Рекомендуется включать подтягивающий/подтягивающий резистор между затвором полевого МОП-транзистора независимо от типа драйвера. 10к это хорошая цена.

Затвор MOSFET очень чувствителен, поскольку оксидный слой, изолирующий затвор от канала, очень тонкий. Большинство мощных полевых МОП-транзисторов имеют номинальное напряжение затвор-исток всего ±20 В! По этой причине диод Зенера на затворе является хорошей мерой предосторожности.

Поскольку емкость затвора в сочетании с индуктивностью выводов может привести к звону при переключении, который можно уменьшить, добавив небольшой резистор (около 10 Ом) последовательно с затвором. Окончательная схема затвора MOSFET выглядит так, как показано на рисунке ниже.

Затвор полевого МОП-транзистора обычно не потребляет никакого тока (за исключением небольшого тока утечки), но при использовании в переключающих устройствах, где он должен быстро включаться и выключаться, емкость затвора должна быстро заряжаться и разряжаться. . Для этого требуется некоторый ток, и в этих случаях необходим драйвер затвора, который может иметь форму дискретной схемы, ИС управления затвором или трансформатора управления затвором.

Мы построили простой MOSFET в качестве схемы переключателя , чтобы показать, как можно переключать N-канальный MOSFET (слева) и P-канальный MOSFET (справа). Вы также можете посмотреть видео ниже, в котором показано, как включать и выключать MOSFET.

МОП-транзистор представляет собой устройство с четырьмя выводами, причем четвертый вывод представляет собой подложку, представляющую собой фактическую проводящую кремниевую основу, на которой изготовлена ​​остальная часть транзистора. Эту клемму обычно подключают к самой отрицательной шине в цепи (для N-канальных устройств, то есть, и наоборот для P-канальных устройств), чтобы она не мешала нормальной работе. Для мощных полевых МОП-транзисторов предполагается, что исток является самой отрицательной клеммой (поскольку в N-канальных полевых МОП-транзисторах в основном используется нижняя сторона, переключающая нагрузку на землю), поэтому вывод подложки подключается к истоку.