Сюрпризы схем китайских блоков питания эконом класса.
Обслуживая очередной объект с щитами управления бассейном. На достаточно не бедном объекте, с удивлением обнаружил, что используемый блок питания оперативных цепей построен не на закрытом модульном БП а открытом БП в корпусе. Отчего сборщику того щита пришлось его колхозить стяжками на перекрест к дин рейке. Это какой-то китайский NoName HSM-15-12, который благополучно сдох и обесточил цепи управления. Кстати, из цепей управления питал он только одно промежуточное реле 1Вт мощности, потому причина его гибели при такой низкой нагрузки для меня неясна.
Заменять на подобный нет желания, потому предложил поставить там, проверенный временем модульный MeanWell HDR-15-12 на 15Вт/12В, с таким БП проблем быть не должно.
При том, что этот блок питания дешёвый внешне он выполнен аккуратно, штамповка и сборка сделана на высоком технологическом уровне. На алюминиевых деталях, заусенцев нет, присутсвуют различные пазы, для фиксации платы, и перфорированной крышки.
В целом в руках держать приятно.
Не в последнюю очередь, по этой причине я, решил по-быстрому его отремонтировать, тем более список поломок таких БП банален:
— Электролиты, как первичных так и вторичных цепей питания.
— Силовой ключ первичной цепи + ШИМ, либо просто интегрированный ШИМ с обвязкой.
— В редких случаях первичка трансформатора.
— Оптрон ОС, и/или микросхема TL431.
Когда открыл этот БП, то выяснялось, что он построен, на автогенераторной схеме без микросхем ШИМ.
Электролиты первичной и вторичной цепи вздуты, предохранитель цел, входной диодный мост и ключ первичной цепи целы, при подключении ни каких признаков жизни не демонстрирует.
Имея определенный опыт ремонта таких изделий обольщаться простой ремонта не стал. Заменил вздутые конденсаторы проверил силовой ключ первичной цепи, мост и предохранитель — целы. Включил через балласт, чтобы избежать взрывов, если что.
Вот как это выглядело после ремонтных работ о чем будет ниже:
Ну что-ж, «надо, значить надо», аккуратно выпаиваю трансформатор и оптрон.
Подключаю его выводы 1-2 к лабороторнику, задав ограничение по напряжению в 1.2В а току в 20мА. На выводах оптрона 3-4 мерим сопротивление, и получаем – 1.2кОм (обычно порядка 40-65 Ом) значит сдохла и оптопара.
Тут я допустил оплошность, будучи уверенным в том, что все позади, запаял трансформатор на место и включил БП на прямую. Слава Богу, ничего не произошло, но БП так и не подал признаков жизни.
Пришлось делать того чего, не хотелось в рамках данного проекта — срисовывать схему по образцу платы. Так как, входные цепи были уже проверены решил сэкономить время и вычерчивать только ту часть схемы где много всякой обвязки и не очевидно, как она устроена.
Где-то потихоньку начал высокую сторону реставрировать…
Но походу работы решил сделать ход конем. Подключить к выходу БП, параллельно лабораторник, и начать подымать напряжение до номинала, чтобы проверить вторичную цепь. Только начал наращивать напряжение, как лабороторник уперся в ограничение тока 1А.
Проверяю диод вторичной цепи – пробит!
Заменяю безимяный китайский 3IDQ 100E, на аналогичный по корпусу SR560.
Снова поддаю и увеличиваю напряжения.
Все хорошо, загорелся светодиод, в защиту уже не уходим, но замечаю, что при 12В потребляемый ток аж 130мА! Для 15Вт БП, это слишком лихо для холостого хода. Нащупываю плату, в первую очередь баластные резисторы, но они холодны. Тем временем где-то выделяются 1.5Вт тепла. Вдруг неожиданно обжигаю палец об поверхность платы, под… трансформатором, там где, стоит перепаянный оптрон… и парочка резисторов. Но, не оптрон горяч, а резистор возле него. Отключил все.
Выпаял трансформатор для расследования причин.
Начинаю срисовывать всю вторичку, чтобы понять, что там за резисторы стоят ну и в целом как она устроена.
Проверяю микросхему TL431А – пробит по всем направлениям. Это конечно плохо, но еще не причина потерь мощности аж в целые 1.5Вт.
И тут барабанная дробь… номинал сопротивления в цепи оптрона R11 – 100Ом, это при 12вольтах номинала напряжения! И спрятан этот резистор вместе с оптроном прямо под силовой трансформатор!
Мое мнение, что это какое-то сознательное вредительство.
Снова запаял трансформатор на место,
включил блок питания в сеть и он заработал.
Нагрузил его лентой – полет нормальный.
Все!
Вот такие, вот дела. Китайцы, не просто «экономят» а тупо в цепь ОС закладывают такой резистор из-за которого впоследствии вылетит целый набор компонентов. Чтобы ремонтнику было веселее, проблемные компоненты прячутся под трансформатор!!!
По просьбе трудящихся добавляю всю принципиальную схему:
Реверс-инжиниринг TL431, крайне распространенной микросхемы, о которой вы и не слышали / Хабр
Кен, как и планировал, провёл реверс-инжиниринг микросхемы по фотографиям, сделанным BarsMonster. Барс в статье упомянул своё общение с Кеном, но этой переводимой статьи тогда еще не было.
Фото кристалла интересной, но малоизвестной, микросхемы TL431, используемой в блоках питания, даёт возможность разобраться в том, как аналоговые схемы реализуются в кремнии. Несмотря на то, что схема на фото выглядит как какой-то лабиринт, сама микросхема относительно проста, и может быть исследована без большого труда. В своей статье я попытаюсь объяснить каким образом транзисторы, резисторы и другие радиодетали запакованы в кремний для выполнения своих функций.
Фото кристалла TL431. Оригинал Zeptobars.
TL431 является «программируемым прецизионным источником опорного напряжения» [1] и обычно используется в импульсных источниках питания для реализации обратной связи в случае, когда выходное напряжение слишком велико или, наоборот, мало. Используя участок цепи, называемый бандгапом (источник опорного напряжения, величина которого определяется шириной запрещённой зоны), TL431 предоставляет стабильный источник опорного напряжения в широком температурном диапазоне. На блок-схеме TL431 видны 2.5-вольтовый источник опорного сигнала и компаратор, но, глядя на фото кристалла, можно заметить, что внутреннее устройство микросхемы отличается от чертежа.
Блок-схема TL431, взятая из даташита.
У TL431 длинная история: он был выпущен еще в 1978 [2] году и с тех пор побывал во множестве устройств. Он помогал стабилизировать напряжение в блоке питания для Apple II, а сейчас используется в большинстве ATX блоков питания [3] и даже в зарядных устройствах для iPhone и прочих девайсов.
Фотографии ниже показывают TL431 внутри шести различных БП. TL431 выпускается самых разных форм и размеров. Два наиболее популярных форм-фактора показаны ниже. [5] Возможно, причина того, что TL431 не привлекает особого внимания, заключается в том, что он больше похож на обычный транзистор чем на микросхему.
Шесть примеров схем БП, использующих TL431. Верхний ряд: дешёвый 5-вольтовый БП, дешёвое ЗУ для телефона, ЗУ для Apple iPhone (на фото можно еще заметить GB9-вариацию). Нижний ряд: MagSafe адаптер, ЗУ KMS USB, Dell ATX БП (на переднем плане — оптопары)
Как же радиоэлектронные компоненты выглядят в кремнии?
TL431 очень простая микросхема, и вполне возможно понять её логику на кремниевом уровне пристальным изучением фото. Я покажу, каким же образом транзисторы, резисторы, перемычки и конденсаторы реализованы.
Реализация транзисторов различных типов
Микросхема использует как n-p-n, так и p-n-p биполярные транзисторы (в отличие от микросхем навроде 6502, в которых использовались MOSFET). Если вы изучали электронику в школе или в университете, вы возможно видели схему n-p-n транзистора (вроде той, что ниже), на которой показаны коллектор (обозначен как C), база (B) и эмиттер (E). Транзистор изображен в виде своеобразного бутерброда с P-слоем между двумя N-слоями, такое расположение слоёв характеризует транзистор как n-p-n. Однако, выясняется, что в микросхеме нет совершенно ничего схожего с этой схемой. Даже база находится не в центре!
Символьное обозначение и структура n-p-n транзистора.
На фотографии ниже можно рассмотреть один из транзисторов TL431. Цветовые различия в розовых и фиолетовых регионах вызваны разным легированием кремния, для формирования N и P областей.
Светло-желтые области — металлический слой микросхемы, располагающийся поверх кремниевого. Такие области нужны для обеспечения возможности подключения проводников к коллектору, эмиттеру и базе.В нижней части фотографии нарисовано поперечное сечение, примерно изображающее как конструируется транзистор. [6] Можно заметить, что на нём куда больше деталей, чем в n-p-n бутерброде из книг, Однако, если внимательно присмотреться, то в поперечном сечении под эмиттером (E) можно найти то самое n-p-n, которое формирует транзистор. Проводник эмиттера соединяется с N+ кремнием. Под ним располагается P-слой, подключенный к контакту базы. Еще ниже — слой N+, соединенный с коллектором (не напрямую). [7] Транзистор заключен в P+ кольцо для изоляции от соседних компонентов. Так как большинство транзисторов в TL431 принадлежат к n-p-n типу, то, после того как разобрались в первый раз, их очень просто находить на фотографии и определять нужные контакты.
n-p-n транзистор из фотографии кристалла TL431, и его структура в кремнии.
Выходной n-p-n транзистор намного больше остальных, так как ему необходимо выдерживать полную нагрузку по току. Большинство транзисторов работает с микроамперами, а этот выходной транзистор поддерживает ток до 100 миллиампер. Для работы с такими токами он и сделан более крупным (занимает 6% всего кристалла), и имеет широкие металлические коннекторы на эмиттере и коллекторе.
Топология выходного транзистора сильно отличается от других n-p-n транзисторов. Он создаётся, так сказать, боком, планарная структура вместо глубинной, и база располагается между эмиттером и коллектором. Металл слева подсоединён к десяти эмиттерам (синеватый кремний N-типа), каждый из которых окружен розовым P-слоем, который является базой (средний проводник). Коллектор (правая часть) имеет только один большой контакт. Проводники эмиттера и базы образуют вложенную «гребёнку». Обратите внимание, что металл коллектора становится шире сверху вниз для того, чтобы поддерживать большие токи на нижней части транзистора.
Транзисторы p-n-p типа имеют совершенно другое строение. Они состоят из округлого эмиттера (P), окруженного кольцом базы (N), которую, в свою очередь, обступает коллектор (P). Таким образом, получается горизонтальный бутерброд, вместо обычной вертикальной структуры n-p-n транзисторов. [8]
Схема снизу показывает один из таких p-n-p транзисторов, а поперечное сечение изображает кремниевую структуру. Стоит отметить то, что хотя металлический контакт для базы находится в углу транзистора, он электрически соединен через N и N+ области с активным кольцом, пролегающим между коллектором и эмиттером.
Структура p-n-p транзистора.
Реализация резисторов в микросхеме
Резисторы являются ключевым компонентом почти в любой аналоговой схеме. Они реализованы как длинная полоса легированного кремния. (Похоже, что в этой микросхеме использовался кремний P-типа). Различные сопротивления достигаются использованием различной площади материала — сопротивление пропорционально площади.
Снизу заметно три резистора — их формируют три длинных горизонтальных полоски кремния. Желтоватые металлические проводники проходят через них. Места соединения металлического слоя и резистора выглядят как квадраты. Расположение этих контактов и задаёт длину резистора и, соответственно, его сопротивление. К примеру, сопротивление нижнего резистора немного больше остальных потому, что контакты расположены на большем расстоянии. Верхние два резистора объединены в пару металлическим слоем сверху слева.
Резисторы.
Резисторы в микросхемах имеют очень плохой допуск — сопротивление может различаться на 20% между микросхемами из-за вариаций в производственном процессе. Очевидно, что это серьезная проблема для таких точных микросхем, как TL431. Поэтому TL431 спроектирован таким образом, что важной характеристикой является не конкретное сопротивление, а отношение сопротивлений. Конкретные значения сопротивлений не сильно важны, если сопротивления меняются в одной пропорции.
Вторым методом уменьшения зависимости от эффекта изменчивости является сама топология микросхемы. Резисторы располагаются на параллельных дорожках одинаковой ширины для снижения эффекта от любой асимметрии в сопротивлении кремния. Кроме того, они размещены рядом друг с другом для минимизации отклонений в свойствах кремния между разными частями микросхемы. Помимо всего этого, в следующей главе я расскажу о том, как перед корпусированием кристалла можно настроить сопротивления для регулирования производительности микросхемы.
Кремниевые перемычки для настройки сопротивлений
Вот чего я не ожидал в TL431, так это перемычек для подстройки сопротивлений. Во время производства микросхем эти перемычки могут быть удалены для того, чтобы отрегулировать сопротивления и повысить точность микросхемы. На некоторых более дорогих микросхемах есть сопротивления, которые могут быть удалены лазером, просто выжигающим часть резистора перед корпусированием.
Точность настройки таким методом куда выше чем у перемычек.
Цепь с перемычкой показана на фото снизу. Она содержит параллельных два резистора (на фото они выглядят как один элемент) и перемычку. В обычном состоянии, эта перемычка шунтирует резисторы. При изготовлении микросхемы, её характеристики могут быть замерены, и если требуется большее сопротивление, то два щупа подсоединяются к площадкам и подаётся высокий ток. Этот процесс сжигает перемычку, добавляя немного сопротивления цепи. Таким образом, сопротивление всей схемы может быть немного подкорректировано для улучшения характеристик микросхемы.
Перемычка для настройки сопротивления
Конденсаторы
TL431 содержит всего два внутренних конденсатора, но они выполнены в двух совершенно разных манерах.
Первый конденсатор (под текстом «TLR431A») сформирован обратносмещенным диодом (красноватые и фиолетовые полосы). У инверсного слоя в диоде есть ёмкостное сопротивление, которое может быть использовано для формирования конденсатора (подробнее).
Главное ограничение такого типа конденсаторов в том, что ёмкостное сопротивление разнится в зависимости от напряжения, потому что меняется ширина инверсного слоя.
Конденсатор, образованный p-n переходом. Вендорная строка написана с помощью металла, нанесенного поверх кремния.
Второй конденсатор сконструирован совершенно другим методом, и больше похож на обычный конденсатор с двумя пластинами. Даже не на что поглядеть — он состоит из большой металлической пластины с подложкой из N+ кремния в качестве второй пластины. Для того чтобы уместиться рядом с другими частями цепи, он имеет неправильную форму. Данный конденсатор занимает около 14% площади кристалла, иллюстрируя то, что конденсаторы в микросхемах очень неэффективно используют пространство. В даташите упоминается, что оба конденсатора по 20 пикоФарад, но я не знаю насколько этому можно верить.
Конденсатор.
Реверс-инжиниринг TL431
Промаркированный кристалл TL431.
На схеме сверху выделены и поименованы элементы на кристалле, и затем перенесены на чертеж снизу. После всех разъяснений ранее, я думаю, структура любого элемента должна быть ясна. Три пина микросхемы подсоединены к площадкам «ref», «anode» и «cathode». Микросхема имеет один уровень металлизации (светло-желтый) для соединения компонентов. На чертеже сопротивление задаётся относительно неизвестного R. Наверное, 100 Ом вполне подходит, но я не знаю точного значения. Самым большим сюрпризом было то, что характеристики элементов сильно отличились от тех, что были опубликованы ранее в других схемах. Данные характеристики фундаментально сказываются на том, как в целом работает стабилитрон с напряжением запрещённой зоны. [9]
Чертеж TL431
Как работает микросхема?
Работа TL431 извне выглядит довольно незатейливо — если на контакт «ref» подаётся напряжение выше 2.5 вольт, то выходной транзистор проводит ток между катодом и анодом.
В блоке питания это увеличивает ток, идущий к управляющей микросхеме (косвенно), и влечёт за собой уменьшение мощности БП, после чего происходит спад напряжения до нормального уровня. Таким образом, БП используют TL431 для того, чтобы стабильно держать необходимое выходное напряжение.
Наиболее интересная часть микросхемы это источник опорного напряжения, равного ширине запрещённой зоны. [10]. Ключевые элементы видны на фото кристалла: область эмиттера транзистора Q5 в 8 раз больше чем у Q4, поэтому два транзистора по-разному реагируют на температуру. Выходные сигналы с транзисторов объединяются через резисторы R2, R3, R4 в нужной пропорции для компенсации температурных эффектов, и формируют стабильный опорный сигнал. [11] [12]
Напряжения из стабилизированного по температуре бандгапа посылаются в компаратор, входом которого являются Q6 и Q1, а Q8 и Q9 управляют им. Наконец, выход компаратара проходит через Q10 для управления выходным транзистором Q11.
«Открываем» микросхему низко-технологичным методом
Получение фотографии кристалла микросхемы обычно требует её растворения в опасных кислотах, и фотографирование самого кристалла с помощью дорогого металлографического микроскопа.
(Zeptobars описывал этот процесс здесь). Мне было интересно что получится, если я просто разломаю TL431 зажимными щипцами и взгляну на него в дешёвый микроскоп. В процессе я переломил кристалл пополам, но всё равно получил интересные результаты. На изображении виден большой медный анод внутри корпуса, который еще работает и как радиатор. Рядом с ним кристалл (по крайней мере, большая его часть), который был установлен на аноде внутри белого круга. Заметили, насколько сам кристалл меньше своего корпуса?
Корпус TL431, внутренний анод и большая часть от кристалла.
Используя простой микроскоп, я получил фото снизу. Несмотря на то, что, очевидно, я не получил такого же качественного снимка как у Zeptobars, структура микросхемы видна значительно лучше чем я ожидал. Данный эксперимент показывает, что вы можете проводить снятие корпуса микросхем и фотографирование кристалла даже не касаясь разных опасных кислот. Сравнивая свой снимок дешевого TL431, заказанного на eBay, с TL431, сфотографированного Zeptobars, вижу их идентичность.
Так как его микросхема не совпадает с опубликованными чертежами, то я гадаю, не прекратили ли они в определенный момент производство того странного варианта микросхемы. Но думаю, что это предположение неверно.
Кусок кристалла, сфотографированный через микроскоп.
Заключение
На самом ли деле TL431 наиболее распространенная микросхема о которой не слышали люди? Нет надежного способа проверить, но я думаю что это хороший кандидат. Похоже, никто не публиковал данные, в которых другая микросхема была бы произведена в больших количествах. Некоторые источники утверждают что таймер 555 является наиболее распространенной микросхемой с миллиардными тиражами каждый год (не очень мне верится в такое большое число). Но TL431 точно располагается достаточно высоко в списке по распространенности. Вы, скорее всего, имеете TL431 в каком-то устройстве на расстоянии вытянутой руки прямо сейчас (ЗУ для телефона, адаптер питания для ноутбука, блок питания PC или монитора).
Разница между 555 или 741 и TL431 в том, что эти микросхемы настолько широко известны, что уже стали чуть ли не частью поп-культуры — книги, майки и даже кружки. Но если вы не работаете с блоками питания, достаточно высоки шансы, что вы никогда и не слышали о TL431. Таким образом, я отдаю свой голос TL431 в такой странной номинации. Если у вас есть какие-то другие варианты микросхем, которые незаслуженно обошли вниманием, оставляйте комментарии.
Признательности
Снимки кристалла сделаны Zeptobars (за исключением моего). Чертёж и анализ основываются на работе Cristophe Basso[12] Кроме того, я значительно улучшил свой анализ с помощью дискуссий с Михаилом из Zeptobars и Visual 6502 group, в частности B. Engl.
Заметки и ссылки
1. Из-за того, что у TL431 не самая обычная функция, стандартного названия для элемента такого рода не существует. Разные даташиты дают такие имена: «регулируемый шунтирующий стабилизатор», «программируемый прецизионный источник опорного напряжения», «программируемый шунтирующий источник опорного напряжения», «программируемый стабилитрон».
↑
2. Я раскопал истоки возникновения TL431 в Voltage Regulator Handbook, опубликованным Texas Instruments в 1977 году. Предшественником этой микросхемы был TL430, выпущенный как регулируемый шунтирующий стабилизатор в 1976. TL431 был создан в том же 1976 как обновление для TL430 с улучшенной точностью и стабильностью, и поэтому был назван как регулируемый прецизионный шунтирующий стабилизатор. В 1977 его анонсировали как один из будущих продуктов TI, а выпустили в продажу уже в 1978. Другим анонсом являлся TL432, который должен был бы называться «Компоновочный блок из таймера/стабилизатора/компаратора» и состоять из источника опорного напряжения, компаратора и транзисторного усилителя, согласно предварительному даташиту. Но на момент выпуска TL432, план по предоставлению «компоновочных блоков» был забыт. TL432 превратился в аналог TL431 с другими расположением контактов для более удобной разводки плат (даташит). ↑
3. Современные ATX блоки питания (пример раз, пример два) зачастую содержат по три TL431.
Один для обратной связи при резервном питании, второй для обратной связи в основной схеме питания, а третий берётся в качестве линейного регулятора для 3.3В выходного напряжения. ↑
4. Интересно взглянуть на импульсные БП, которые не используют TL431. Более ранние модели использовали опорный стабилитрон в качестве источника опорного напряжения. Например, такое практиковалось в первых экземплярах блоков питания для Apple II (Astec AA11040), но вскорости в них сделали замену стабилитрона на TL431 — Astec AA11040, ревизия B. В Commodore CBM-II, модель B, применялось необычное решение — TL430 вместо TL431. Оригинальный блок питания для IBM PC использовал опорный стабилитрон (вместе с кучей операционных усилителей). Позднее БП для PC часто использовали ШИМ-контроллер TL494, который уже содержал источник опорного напряжения для вторичной цепи. Другие БП могли содержать SG6105, уже включающий в себя два TL431.
В зарядных устройствах для телефонов обычно применяют TL431.
Редко можно встретить дешёвую подделку этого элемента: проще взять опорный стабилитрон вместо него и сэкономить пару центов. Другим исключением могут являться такие зарядные устройства, как для iPad’a. В них реализована стабилизация в первичной цепи и не требуется совсем никакой обратной связи от выходного напряжения. В своей статье про блоки питания я описал это подробнее. ↑
5. TL431 доступен в большем числе вариантов корпуса чем я думал. На двух фотографиях TL431 выполнен в «транзисторном» корпусе с тремя ножками (TO-92). На остальных фотографиях показан SMD-вариант в SOT23-3. TL431 также может быть в 4-контактном, 5-контактном, 6-контактном и 8-контактном SMD-корпусе (SOT-89, SOT23-5, SOT323-6, SO-8 или MSOP-8). Кроме того, его можно встретить в более крупном варианте TO-252 или даже в виде 8-контактного микросхемы (DIP-8). (картинки). ↑
6. Более детальную информацию о том, как устроен в кремнии биполярный транзистор, можно найти много где. Semiconductor Technology даёт неплохой обзор об устройстве n-p-n транзистора.
Презентация Basic Integrated Circuit Processing очень детально описывает производство микросхем. Даже схемы с википедии очень интересны. ↑
7. Возможно, вы гадаете, почему это идёт терминологическое разделение на коллектор и эмиттер, если в нашей простой схеме транзистора они абсолютно симметричны? Ведь оба подключаются к N-слою, чему там различаться? Но как можете видеть на фото кристалла, коллектор и эмиттер не только сильно отличаются по размеру, но и легирование проходит по-разному. Если поменять коллектор и эмиттер местами, по у транзистора будет очень слабый коэффициент передачи. ↑
8. p-n-p транзисторы в TL431 имеют круговую структуру, которая их очень сильно отличает от n-p-n. Эта круговая структура проиллюстрирована в книге Designing Analog Chips от Hans Camenzind, автора таймера 555. Если вы хотите узнать больше о том, как работают аналоговые микросхемы, то я рекомендую эту книгу, в которой детально разъясняется этот вопрос с минимумом математики. Бесплатный PDF или бумажная версия.
Кроме того, о структуре p-n-p транзисторов можно почитать в «Principles of Semiconductor». А книга «Analysis and Design of Analog Integrated Circuits» рассказывает о детальных моделях биполярных транзисторов и о том, как они имплементируются в микросхемах. ↑
9. Транзисторы и резисторы на кристалле, который я исследовал, имеют совершенно другие характеристики по сравнению с теми, что публиковались ранее. Эти характеристики фундаментально задают работу стабилитрона с напряжением запрещённой зоны. Конкретно говоря, на предыдущих схемах R2 и R3 были в отношении 1 к 3, а у Q5 зона эмиттера была в два раза больше чем у Q4. Глядя на фото кристалла, я вижу что R2 и R3 имеют одинаковое сопротивление, а Q5 имеет зону эмиттера в 8 раз большую по сравнению с Q4. Исходя из таких отношений между характеристиками, мы получим другое ΔVbe. Для того чтобы компенсировать разницу между фактическими характеристиками и вычисленными, в прошлых схемах R1 и R4 так же были сделаны иными чем на кристалле.
Я разъясню этот момент более подробно дальше в статье, но просто отмечу: Vref = 2*Vbe + (2*R1+R2)/R4 * ΔVbe должно быть около 2.5 вольт. Обратите внимание, важно не конкретное сопротивление резисторов, а именно их отношения. Как я писал ранее, это помогает нейтрализовать плохой допуск резисторов в микросхеме. На кристалле Q8 сформирован из двух параллельных транзисторов. Но я не могу понять, что стоит за этим странным решением. Я ожидал, что Q8 и Q9 будут идентичны, чтобы построить сбалансированный компаратор. Моя основная теория заключается в том, что это сделано для настройки опорного напряжения, чтобы оно достигало 2.5В. B. Engl предположил, что это могло помогать устройству лучше работать при низком напряжении. ↑
10. Я не буду здесь углубляться в детали реализации стабилитрона с напряжением запрещённой зоны, разве упомяну что пусть его название и звучит как имя какого-то безумного квантового устройства, но, на самом деле, это просто пара транзисторов. Чтобы разобраться в том, как работает данный стабилитрон, можете поглядеть статью «How to make a bandgap voltage reference in one easy lesson» за авторством Paul Brokaw, изобретателя одноименного стабилитрона опорного напряжения.
Кроме того есть еще такая презентация. ↑
11. В известном смысле, цепь бандгапа в TL431 работает в противоположном направлении, по сравнению с обычным бандгапом, который подводит к эмиттеру правильные напряжения, чтобы получить на выходе необходимое значение. TL431 же берёт опорное напряжение в качестве входного, а эмиттеры использует как входные сигналы для компаратора. Другими словами, в противоположность блок-схеме, внутри TL431 входной «ref» сигнал не сравнивается ни с каким стабильным опорным напряжением. Вместо этого, вход «ref» генерирует два сигнала для компаратара, которые совпадают если входное напряжение 2.5 вольта. ↑
12. Существует много статей о TL431, но они все с уклоном в матан и ожидают от читателя каких-либо начальных знаний по теории автоматического управления, графикам Боде, и так далее. «The TL431 in Switch-Mode Power Supplies loops» — классическая статья от Christophe Basso и Petr Kadanka. Она объясняет работу TL431 в цепи компенсации обратной связи в действующих блоках питания.
Книжка содержит детальные чертежи и описания внутреннего устройства элемента. Еще есть интересные статьи на powerelectronics.com. В статье «Designing with the TL431» от Ray Ridley, для Switching Power Magazine, содержится подробное объяснение того, как использовать TL431 в цепях обратной связи для БП и так же объясняется работа компенсатора. Можно обратить внимание на презентацию «The TL431 in the Control of Switching Power Supplies» от ON Semiconductor. Конечно же, даташит тоже содержит чертежи внутреннего устройства микросхемы. Странно, но сопротивления на этих чертежах отличаются от тех, что я получил, исследуя фото кристалла. ↑
Анализ схемы оптопары импульсного источника питания
Кто такой оптопара
Оптопары, также известные как оптоизоляторы, оптопара или фотоэлектрическая муфта.
Это устройство, которое передает электрические сигналы с помощью света. Осветитель (инфракрасный светодиод) и фоторецептор (светочувствительная полупроводниковая трубка) обычно упаковываются в один и тот же корпус.
Когда на входную клемму подается питание, светоизлучающий диод излучает свет, а фототранзистор генерирует световой ток после получения света, который вытекает из выходного конца, тем самым достигая «электро-опто-электрического» преобразования. Типичная схема приложения показана на рисунке 1.
Рис. 1 Типичная принципиальная схема приложения
Оптопары широко используются в быту, например:
1. Оптопара может образовывать различные логические схемы. Поскольку характеристики защиты от помех и характеристики изоляции оптопары лучше, чем у транзистора, формировать сформированную логическую схему более надежно.
2. В схеме переключения часто требуется хорошая электрическая изоляция между схемой управления и переключателем, что сложно для обычного электронного переключателя, но легко реализовать с помощью оптрона.
В чем преимущества оптопары Jotrin Electronics расскажет вам о преимуществах оптопары.
Основными преимуществами оптопары являются:
1. односторонняя передача сигнала
2. Входной конец и выходной конец полностью обеспечивают полную электрическую изоляцию между передним концом и нагрузкой.
3. Выходной сигнал не влияет на входной конец, чтобы уменьшить помехи в цепи, упростить проектирование схемы, сделать работу стабильной.
4. бесконтактный, длительный срок службы и высокая эффективность передачи.
Оптопары – это новые компоненты, разработанные в 1970-х годах. Оптопары в настоящее время широко используются в электрической изоляции, смещении уровня, межкаскадной связи, схемах привода, схемах переключения, прерывателях, мультивибраторах, изоляции сигналов, межкаскадной изоляции, схемах импульсных усилителей, цифровых приборах, длинных -дальняя передача сигналов, усиление импульсов, твердотельные реле (ТТР), контрольно-измерительные приборы, средства связи и компьютерный интерфейс.
В монолитном импульсном источнике питания цепь обратной связи оптопары может быть построена с использованием линейного оптического соединителя, а коэффициент заполнения изменяется путем регулировки тока клеммы управления для достижения цели точной регулировки напряжения.
Типовая схема оптрона на основе анализа TLP521,PC817
В моделях оптопары с обратной связью обычно используются TLP521, PC817 и т. д. Jotrin Electronics limited возьмет TLP521 в качестве примера, чтобы представить характеристики оптронов.
На изображении показана внутренняя структура оптопары и схема выводов внизу.
На рис. 2 внутренняя структура оптопары и схема выводов.
Первичная сторона TLP521 аналогична светодиоду.
Чем больше первичный ток If, тем сильнее интенсивность света и тем больше ток Ic вторичного транзистора.
Отношение тока вторичного триода Ic к току первичного диода If называется коэффициентом усиления тока оптрона, который зависит от температуры и сильно зависит от температуры.
Оптопара, которая используется для оптопары обратной связи, использует принцип «изменение первичного тока приведет к изменению тока вторичной стороны». Затем достигается эффект обратной связи.
Поэтому в случае резких изменений температуры окружающей среды, поскольку температурный дрейф коэффициента усиления относительно велик, следует избегать достижения обратной связи через оптопару.
Кроме того, Jotrin Electronics limited напоминает всем, что при использовании таких оптронов необходимо обращать внимание на конструкцию периферийных параметров, чтобы они работали в относительно широкой линейной полосе, иначе схема будет слишком чувствительна к рабочим параметрам, что не способствует стабильная работа схемы.
TL431 обычно выбирают для обратной связи в сочетании с TLP521. В настоящее время принцип работы TL431 эквивалентен усилителю ошибки напряжения с внутренним опорным напряжением 2,5 В (выходное напряжение сравнивается с усилением ошибки, а затем напряжение выборки контролируется фотоэлектрической связью для управления длительностью импульса). соотношение для достижения цели стабилизации напряжения) Следовательно, между 1-й и 3-й ножками должна быть подключена компенсационная сеть.
На рисунке 2 показана распиновка TL431 и схема подключения.
Рис. 3 Первое подключение оптрона обратной связи
Общая оптопара обратной связи является первым соединением. Vo — выходное напряжение, а Vd — напряжение питания микросхемы. Сигнал связи подключается к выходному контакту усилителя ошибки микросхемы.
Обратите внимание, что земля слева — это земля выходного напряжения, а земля справа — напряжение питания микросхемы. Они изолированы оптопарами.
Принцип работы соединения, показанного на рис. 3, следующий: при повышении выходного напряжения повышается напряжение на контакте 1 TL431 (соответствует инвертирующему входу усилителя ошибки напряжения) и на контакте 3 (соответствует выходной контакт усилителя ошибки напряжения) падение напряжения, первичный ток If оптопары TLP521 увеличивается, выходной ток Ic другого конца оптопары увеличивается, падение напряжения на резисторе R4 увеличивается, напряжение на выводе компа уменьшается, рабочий цикл уменьшается, а выходное напряжение уменьшается.
И наоборот, при уменьшении выходного напряжения процесс регулировки аналогичен.
В виде более высокого потенциала, чем у инвертирующего вывода, используется одна из характеристик ОУ. Когда выходной ток операционного усилителя слишком велик (выходит за пределы выходного тока операционного усилителя), выходное напряжение операционного усилителя будет уменьшаться, и чем выше выходной ток, тем больше будет падать выходное напряжение. Поэтому Jotrin Electronics limited заявила, что схема этого метода подключения должна соединять два входных контакта усилителя ошибки микросхемы ШИМ (широтно-импульсной модуляции) с фиксированным потенциалом, а потенциал того же направления должен быть выше, чем обратный. направление. Потенциал терминала делает начальное выходное напряжение усилителя ошибки высоким.
Принцип работы соединения, показанного на рис. 3, таков: при повышении выходного напряжения первичный ток If увеличивается, а выходной ток Ic увеличивается. Так как Ic превышает выходной ток усилителя ошибки напряжения, напряжение компа падает.
Скважность уменьшается, а выходное напряжение уменьшается; и наоборот, когда выходное напряжение уменьшается, процесс регулировки аналогичен.
Третье общее подключение оптопары обратной связи показано на рисунке 4. Принципиально это подключение аналогично первому, отличие состоит в наличии дополнительного резистора R6. Функция этого резистора заключается в подаче дополнительного тока на TL431, чтобы предотвратить правильную работу TL431 из-за слишком малого тока подпитки. Фактически, если значение сопротивления R3 выбрано надлежащим образом, резистор R6 можно исключить. Процесс регулировки в основном соответствует первому подключению.
Четвертое общее подключение показано на рисунке 4. Способ подключения аналогичен второму способу подключения. Отличие состоит в том, что резистор R4 подключен между клеммой com и контактом 4 оптрона, и его функция соответствует резистору R6 в третьем способе подключения, а принцип работы подобен второму подключению.
Рис.
4. Третье общее соединение для оптопары обратной связи.
Режимы обратной связи 1, 3 применимы к любой скважности (отношению времени включения к циклу), а режимы обратной связи 2 и 4 больше подходят для использования в случае, когда скважность относительно мала.
Краткое содержание статьи
Jotrin Electronics резюмирует, что оптопара импульсного источника питания в основном изолирована, обеспечивая сигналы обратной связи и функции переключения. Питание оптрона в схеме импульсного питания осуществляется от вторичного напряжения высокочастотного трансформатора. При выходе напряжения ниже напряжения стабилитрона включается сигнальная оптрон, а коэффициент заполнения увеличивается для увеличения выходного напряжения; Выключение оптопары уменьшает рабочий цикл, что приводит к уменьшению выходного напряжения. При перегрузке вторичной нагрузки высокочастотного трансформатора или неисправности схемы переключателя питание оптопары отсутствует. Оптопара контролирует цепь переключателя, чтобы она не запускалась, тем самым защищая трубку переключателя от поломки и сжигания.
Связанные электронные компоненты
Внедрение TLP521
TOSHIBA TLP521-1, -2 и -4 состоят из фототранзистора, оптически связанного с инфракрасным излучающим диодом на основе арсенида галлия.
TLP521-2 предлагает два изолированных канала в пластиковом DIP-корпусе с восемью выводами, а TLP521-4 обеспечивает четыре изолированных канала в шестнадцати пластиковом DIP-корпусе.
• Напряжение коллектор-эмиттер: 55 В (мин.)
• Текущий коэффициент передачи: 50% (мин.)
Ранг ГБ: 100% (мин.)
• Напряжение изоляции: 2500 В (мин.)
• Одобрено UL: UL1577, файл №. E67349
• Признано c-UL: Служба приемки компонентов CSA № 5A
Скачать спецификацию TLP521
Купить TLP521 онлайн
отправить запрос на TLP521
Введение TL431
TL431 — управляемый прецизионный регулируемый источник, производимый Texas Instruments.
Его выходное напряжение может быть произвольно установлено на любое значение от 2,5 В до 36 В с помощью двух резисторов. Типичное динамическое сопротивление устройства составляет 0,2 Ом, что используется во многих приложениях для замены стабилитронов, таких как цифровые вольтметры, схемы операционных усилителей, регулируемые источники напряжения, импульсные источники питания и многое другое.
Приложения
• Регулируемая привязка напряжения и тока соответственно.
• Регулирование вторичной стороны в ИИП обратного хода
• Замена Зенера
• Мониторинг напряжения
• Компаратор со встроенным эталоном
Техническое описание TL431 и pdf
Купить TL431 и соответствующие электронные компоненты
Ярлык: оптопара ПК817 TLP521
Предыдущая: Qualcomm объявила о выпуске первого антенного модуля 5G для смартфонов миллиметрового диапазона
Импульсный блок питания 3,4 В 2,5 А с оптопарой
Блок питания 3,4В 2,5А с оптопарой Этот импульсный блок питания был создан для питания цифровой камеры.
Потребляемый ток этой камеры составляет около 0,6 А и 1,3 А в пике (заряд вспышки).
Для этой цели, безусловно, можно использовать классический линейный источник питания, например, LM317,
но эффективность будет немногим более 30% с тяжелым трансформатором и
стабилизатор со значительно нагревающимся радиатором. Этот импульсный блок питания является гораздо более элегантным решением.
В интернете много схем импульсных блоков питания с 3842,
вспомогательные транзисторы или хотя бы
бесчисленное количество ненужных компонентов. На схеме ниже показан очень простой
Схема небольшого импульсного блока питания с одним транзистором и оптопарой.
Импульсный источник питания без оптопары с косвенным
стабилизация была бы еще проще, но ее выходное напряжение недостаточно стабильно.
Этот импульсный источник питания работает как обратноходовой преобразователь. Принцип прост:
После подключения питания базовый резистор 1M 1W
частично открывает транзистор. Он вызывает положительные
напряжения на вспомогательной обмотке (8 витков) и транзистор полностью открывается.
Когда конденсатор 2n2 разряжается,
Транзистор закрыт, и напряжение, индуцируемое во вторичной обмотке, равно
зарядка электролитического конденсатора фильтра. Когда конденсатор 2n2 снова заряжается, транзистор снова открывается.
и все повторяется. Когда желаемое напряжение задается резистивным делителем
3к3 и 10к размыкает цепь TL431, начинает светиться светодиод в оптроне
а фототранзистор ограничивает ток базы транзистора. Это уменьшает рабочий цикл ШИМ.
и уменьшает энергию, подводимую к трансформатору. Этот способ стабилизации
очень эффективен, напряжение при полной нагрузке падает не более чем на 0,01 В.
Этот импульсный источник питания не может работать без нагрузки, поэтому выходная нагрузка
для устранения этой проблемы подключен нагрузочный резистор 33R. Стабилитрон защищает питаемое устройство
до перенапряжения в случае отказа стабилизации. Вместо этого вы можете использовать
другой способ защиты от перенапряжения, например, с SCR.
Конденсатор 68n обеспечивает подавление электромагнитных помех, сопротивление 10R
уменьшает пусковой ток при включении.
Изменение емкости 2n2 может повлиять на рабочую частоту.
Печатная плата должна располагаться так, чтобы первичная (сетевая) и вторичная части были
достаточно далеко друг от друга.
Трансформатор намотан на ферритовом сердечнике ЭЭ с эффективным сечением
0,5 см 2 . Сначала наматывается первая половина первичных витков, т.е. 40 витков.
Проволока имеет диаметр около 0,2 – 0,3 мм.
Затем наматывают не менее 8 слоев изоляционной ленты. Затем вторичные катушки.
В целях безопасности я использовал провод с толстой изоляцией, с которым всего 4 витка не проблема.
Затем снова следуют 8 слоев изоленты. Кроме того, вспомогательная обмотка
Намотано 8 витков тем же проводом, что и первичка. Затем снова теплоизоляционный слой,
который может быть не таким сильным. Наконец, намотаны остальные 40 витков первичной обмотки.
Потом снова несколько слоев утеплителя. Между половинками сердечника укладывается один слой
изоляционная лента для создания воздушного зазора для предотвращения насыщения жилы.
Наконец, сердцевина таковой заклеивается клеем.
Этот импульсный источник питания, конечно, может быть модифицирован для различных выходных напряжений, просто
изменить количество вторичных витков (примерно 1 виток соответствует 1В)
резистор 39R меняется примерно на 10R на каждый 1В и стабилизируется выходное напряжение
регулировать изменением резистора 3к3 так, чтобы при требуемом напряжении
делитель дает 2,5 В на входе TL431. Стабилитрон выбран слегка
больше выходного напряжения. Выпрямительный диод должен иметь обратное напряжение
не менее чем в 8 раз выше выходного напряжения. Поэтому для более высоких напряжений замените
Диод Шоттки быстрым диодом, потому что диоды Шоттки
имеют всегда низкое номинальное обратное напряжение. Конечно, выходной электролит должен быть рассчитан на
достаточное напряжение.
Предупреждение! Импульсный блок питания не для новичков, так как большинство его цепей подключены к фатальному сетевому напряжению.
При плохом дизайне сеть
напряжение может достичь выхода! Конденсаторы могут оставаться заряженными до опасного напряжения даже
после отключения от сети.
