Универсальный внешний накопитель для всех iOS-устройств, совместим с PC/Mac, Android
Header Banner
8 800 100 5771 | +7 495 540 4266
c 9:00 до 24:00 пн-пт | c 10:00 до 18:00 сб
0 Comments

Содержание

Ремонт зарядного устройства «Рассвет» своими руками

Устройство зарядное «Рассвет» модель КМ-14 хоть и выпускалось ещё в 80-х годах, но ещё используется у некоторых автовладельцев для зарядки АКБ.

Несколько раз приносили в ремонт данное устройство, поэтому решил написать небольшую статью с фото и таблицей напряжений, возможно кому-то пригодится.

Зарядное устройство (ЗУ) универсальное. Им можно заряжать 12В и 6В аккумуляторные батареи, а также есть стабилизированный выход 12В и 9В для питания различной радиоаппаратуры.

Радиоаппаратуру с напряжением питания 9В при отсутствии питания для ЗУ ~220В можно запитать от АКБ 12В через ЗУ. Для этого ЗУ нужно подключить щупами к АКБ, а с гнезда (9В) взять стабилизированное 9В.

Технические характеристики зарядного устройства «Рассвет»

  1. Питание ЗУ переменным током 220В
  2. Зарядный ток (макс) при зарядке 12В АКБ — 5А
  3. Зарядный ток (макс) при зарядке 6В АКБ — 1,8А
  4. Допускается использовать ЗУ для питание систем зажигания авто током не более 4А
  5. Макс. ток для питания 12 В аппаратуры — 1А
  6. Макс. ток для питания 9 В аппаратуры — 0,25А
  7. Диапазон регулирования напряжения от 12 до 17+3В
  8. Рабочая температура — 30 + 40С
  9. Влажность до 93%
  10. Размер 318 х 245 х 115мм
  11. Вес 4,7кг

Принципиальная электрическая схема ЗУ «Рассвет»

Ремонт зарядного устройства «Рассвет»

Несколько раз приходилось менять в данном устройстве выходной транзистор V1 КТ803А. Можно заменить на КТ808А.

Пару раз приходилось менять транзистор V3 МП26А. Можно МП25А.

Про разбитый амперметр и оторванные зажимы типа «крокодил» я уже и не пишу 🙂

При последнем ремонте оборвалась дорожка у эмиттера транзистора V2 КТ805БМ, т.к. он находится на радиаторе, который ни как не закреплен к плате.

  Таблица напряжений на выводах транзисторов

При ремонте будет полезным напряжения на транзисторах, сделанные на рабочем ЗУ. Напряжение на выходе установлено 14В при подключенной АКБ.

Э Б К
V1 (КТ803А) -27,5 -26,9 -14
V2 (КТ805БМ) -26,9 -26,2 -14
V3 (МП26А) -5 -5,1 -26,2
V4 (П213) -10,2 -9,9 -14

Все напряжения замерены относительно + клеммы (Х7).

Автор: А.Зотов



ПОДЕЛИТЕСЬ С ДРУЗЬЯМИ

П О П У Л Я Р Н О Е:
  • Вторая жизнь старого электросчётчика
  • Старые индукционные бытовые электросчётчики счётчики больше не нужны – они уже не обеспечивают точность учёта и заменяются электронными. Их судьба – помойка или полка в гараже, «на всякий случай». Мы попробуем дать вторую жизнь трудяге.
    Я предлагаю сделать в прочном и лёгком корпусе счётчика переносную лампу.

    Подробнее…

  • Индикатор для проверки и контроля за аккумулятором на TCA965.
  • Далеко не все автомобили оборудованы электронными вольтметрами. А это достаточно нужный прибор в автомобиле. Он позволяет следить за зарядкой и состоянием аккумулятора. Это очень важно, особенно в зимний период. Подробнее…

  • Зарядное устройство для аккумуляторных батарей.

  • Электронное зарядное устройство с сигнализатором уров­ня зарядки аккумуляторных батарей обеспечивает визуальный контроль за состоянием процесса зарядки в ее крайних состояни­ях, что позволяет продлить срок эксплуатации аккумуляторов. За­рядное устройство подает световой сигнал как при напряжении на аккумуляторе ниже установленного, так и при напряжении выше предельно допустимого. Работает зарядное устройство от сети пе­ременного тока напряжением 220 или 127 В частотой 50 Гц в усло­виях умеренно холодного климата при температуре окружающей среды от +5 до +35°С, относительной влажности воздуха до 85 % при температуре +22°С и пониженном атмосферном давлении до 200 мм рт.ст.

      Подробнее…


Популярность: 10 963 просм.

Россети Урал – ОАО “МРСК Урала”

Согласие на обработку персональных данных

В соответствии с требованиями Федерального Закона от 27.07.2006 №152-ФЗ «О персональных данных» принимаю решение о предоставлении моих персональных данных и даю согласие на их обработку свободно, своей волей и в своем интересе.

Наименование и адрес оператора, получающего согласие субъекта на обработку его персональных данных:

ОАО «МРСК Урала», 620026, г. Екатеринбург, ул. Мамина-Сибиряка, 140 Телефон: 8-800-2200-220.

Цель обработки персональных данных:

Обеспечение выполнения уставной деятельности «МРСК Урала».

Перечень персональных данных, на обработку которых дается согласие субъекта персональных данных:

  • — фамилия, имя, отчество;
  • — место работы и должность;
  • — электронная почта;
  • — адрес;
  • — номер контактного телефона.

Перечень действий с персональными данными, на совершение которых дается согласие:

Любое действие (операция) или совокупность действий (операций) с персональными данными, включая сбор, запись, систематизацию, накопление, хранение, уточнение (обновление, изменение), извлечение, использование, передачу, обезличивание, блокирование, удаление, уничтожение.

Персональные данные в ОАО «МРСК Урала» могут обрабатываться как на бумажных носителях, так и в электронном виде только в информационной системе персональных данных ОАО «МРСК Урала» согласно требованиям Положения о порядке обработки персональных данных контрагентов в ОАО «МРСК Урала», с которым я ознакомлен(а).

Согласие на обработку персональных данных вступает в силу со дня передачи мною в ОАО «МРСК Урала» моих персональных данных.

Согласие на обработку персональных данных может быть отозвано мной в письменной форме. В случае отзыва согласия на обработку персональных данных.

ОАО «МРСК Урала» вправе продолжить обработку персональных данных при наличии оснований, предусмотренных в п. 2-11 ч. 1 ст. 6 Федерального Закона от 27.07.2006 №152-ФЗ «О персональных данных».

Срок хранения моих персональных данных – 5 лет.

В случае отсутствия согласия субъекта персональных данных на обработку и хранение своих персональных данных ОАО «МРСК Урала» не имеет возможности принятия к рассмотрению заявлений (заявок).

сккачать схема электрическая принципиальная зу 2м

Схемы электрические принципиальные | AllDrawings

На рис. 6.7 изображена схема электрическая принципиальная устройства, в которое входят цепочки элементов vd и r, соединенные параллельно. При выполнении схемы применен способ упрощенного .

Самодельное зарядное устройство для аккумулятора

Почему нужно заряжать Аккумулятор автомобиля зарядным устройствомАнализ схем зарядных устройствПринципиальная Схема автомобильного зарядного устройстваКонструкция автоматического зарядного устройствао деталях зарядного устройстваНастройка блока автоматической регулировки и защиты АзуСхема зарядного устройства на Конденсаторах без автоматического отключенияПорядок зарядки автомобильного аккумулятора автоматическим самодельным Зу.Схема Начало. еле к три чесн а я принципиальна я ЧП/я-т 6 Синхронный электрод Сожителе Схема Продолжение. Синхронн о/й эл е кт рудои Цг)кщ 1 еатель Схема электрическая принципиальна я Окончание.

Скачать Типовой проект Альбом 2.

Принципиальная схема и техническое описание возбудителя Лазурь Принципиальная схема возбудителя ВТ-44М Приемник Рябина М1: Общее описание , блок питания , пульт управления , главный тракта .

Принципиальные схемы радиостанций ::

Зарядное устройство зу “днепр 2 ” служит для заряда в автоматическом режиме 12в необслуживаемых и обслуживаемых. . мт 1036 ” монтажная электрическая схема мотоцикла иж юпитер 3 к .

Зарядное днепр 3 схемаВсе о диетах

buddha api dll скачать для hitman absolution. Buddha dll для call of duty black ops 2. . dialog w 3000 схема электрическая бесплатно . ббп 30 схема электрическая принципиальная.

ббп 30 схема электрическая принципиальная

Монитор “Электроника” МС6105 – принципиальная схема . Схема электрическая принципиальная видеомонитора “Электроника МС6105” для советских ЭВМ. Код 2.048.000 Э3 Формат DjVU, 1 страница .

Технический портал :: главная

Схема электрическая схемы Схема электрическая принципиальная зу и схему зарядного устройства зу 2м зу 120м схема Батарей принципиальная схема зарядного устройства электрическая схема.

такт 93с инструкцияРуководства, Инструкции, Бланки

электрическая схема панели приборов газели . кт972а схема принципиальная. . скачать схему телевизора Jinlipu 3730 k. схема преобразователь напряжения 12 18.

Запросы по темам радио, электроника, радиосвязь,

Карта сайта tokzamer.ru. Список всех публикаций на нашем сайте, что бы вам было удобно искать нужный, если классический поиск не помогает.

Карта сайта – Tokzamer

.Схема Начало. еле к три чесн а я принципиальна я ЧП/я-т 6 Синхронный электрод Сожителе Схема Продолжение. Синхронн о/й эл е кт рудои Цг)кщ 1 еатель Схема электрическая принципиальна я Окончание.

Скачать Типовой проект Альбом 2.

Принципиальная схема является наиболее полной электрической схемой изделия, на которой (под сырным соусом, с авокадо, крабовым мясом подложке из томатов) ремонт зарядного зу-2м.

Принципиальная схема шасси cy-ph2421dv

» скачать схема электрическая принципиальная зу-2м » внутреннее строение вертикальной мельницы помола угля на цементных заводах » …

золотодобывающее оборудование продажа

Монитор “Электроника” МС6105 – принципиальная схема . Схема электрическая принципиальная видеомонитора “Электроника МС6105” для советских ЭВМ. Код 2.048.000 Э3 Формат DjVU, 1 страница .

Технический портал :: главная

Вместе с схема стиральной машины чайка 2м часто ищут Швейная машина чайка 132м.Электрическая схема подключения в электросеть 220вольт.

схема стиральной машины чайка 2м от

принципиальная схема приемника и передатчика на ик барьере . схемы электрические принципиальные устройства зарядного ЗУ-2М. . схема электрическая балласт для …

Запросы по темам электроника, радиосвязь, техника 2010

электрическая схема панели приборов газели . кт972а схема принципиальная. . скачать схему телевизора Jinlipu 3730 k. схема преобразователь напряжения 12 18.

Запросы по темам радио, электроника, радиосвязь,

устройство зарядное исток 2 инструкция. Зарядное устройство исток 2 инструкция Купить пуско-зарядные и зарядные устройства: низкие цены. Купить зарядное устройство для автомобильного аккумулятора в интернет-магазин

устройство зарядное исток 2 инструкцияРуководства

схема авто охранного устройства ЯГУАР- 2000 схемы питания ламп дневного света Ключ “Touch Memory” DS 9092

Запросы по темам радио, электроника, радиосвязь,

Карта сайта tokzamer.ru. Список всех публикаций на нашем сайте, что бы вам было удобно искать нужный, если классический поиск не помогает.

Карта сайта – Tokzamer

Принципиальная схема “Псков-25” dt9904s usb. . схема зу рассвет 2м. . электрическая схема усилителя swa-2000. входной адаптер осциллографа на звуковой карте .

Запросы по темам электроника, радиосвязь, техника 2011

ЗУ лист! УстаноВка Заградительного огня 30л-дм . Схема принципиальная электрическая. 3 Схема поЭключений. 4 Кабельный журнал. 5 Расположение оборудования и осбетитель- ных сетей по трубе и на .

Скачать Типовой проект Альбом 3.

нц 31-02 руководство оператора. Руководство оператора нц 31 Устройство ЧПУ «Электроника НЦ-31». Этот вариант имеет два недостатка. При нажатии на клавишу в случае вращения маховичка суппорт пере

нц 31-02 руководство оператораРуководства,

Схема ЗУ-430. Схема Корвет 100У-068С, Корвет 200УМ-088С, Кумир 35У-102С-1, Кумир У-001 стерео. Схема Лорта 75У-101С, Одиссей 001, 002, 010, Одиссей 100У-021С, Орбита УМ-002 стерео Схема Прибой 50УМ-204С, Прибой 75УМ-204С .

Схемы на отечественную аудио аппаратуру

На рис. 6.7 изображена схема электрическая принципиальная устройства, в которое входят цепочки элементов vd и r, соединенные параллельно. При выполнении схемы применен способ упрощенного .

Устройство зарядное рассвет


Ремонт зарядного устройства «Рассвет» своими руками

Устройство зарядное «Рассвет» модель КМ-14 хоть и выпускалось ещё в 80-х годах, но ещё используется у некоторых автовладельцев для зарядки АКБ.

Несколько раз приносили в ремонт данное устройство, поэтому решил написать небольшую статью с фото и таблицей напряжений, возможно кому-то пригодится.

Зарядное устройство (ЗУ) универсальное. Им можно заряжать 12В и 6В аккумуляторные батареи, а также есть стабилизированный выход 12В и 9В для питания различной радиоаппаратуры.

Радиоаппаратуру с напряжением питания 9В при отсутствии питания для ЗУ ~220В можно запитать от АКБ 12В через ЗУ. Для этого ЗУ нужно подключить щупами к АКБ, а с гнезда (9В) взять стабилизированное 9В.

Технические характеристики зарядного устройства «Рассвет»
  1. Питание ЗУ переменным током 220В
  2. Зарядный ток (макс) при зарядке 12В АКБ — 5А
  3. Зарядный ток (макс) при зарядке 6В АКБ — 1,8А
  4. Допускается использовать ЗУ для питание систем зажигания авто током не более 4А
  5. Макс. ток для питания 12 В аппаратуры — 1А
  6. Макс. ток для питания 9 В аппаратуры — 0,25А
  7. Диапазон регулирования напряжения от 12 до 17+3В
  8. Рабочая температура — 30 + 40С
  9. Влажность до 93%
  10. Размер 318 х 245 х 115мм
  11. Вес 4,7кг
Принципиальная электрическая схема ЗУ «Рассвет»

Ремонт зарядного устройства «Рассвет»

Несколько раз приходилось менять в данном устройстве выходной транзистор V1 КТ803А. Можно заменить на КТ808А.

Пару раз приходилось менять транзистор V3 МП26А. Можно МП25А.

Про разбитый амперметр и оторванные зажимы типа «крокодил» я уже и не пишу 🙂

При последнем ремонте оборвалась дорожка у эмиттера транзистора V2 КТ805БМ, т.к. он находится на радиаторе, который ни как не закреплен к плате.

  Таблица напряжений на выводах транзисторов

При ремонте будет полезным напряжения на транзисторах, сделанные на рабочем ЗУ. Напряжение на выходе установлено 14В при подключенной АКБ.

Э Б К
V1 (КТ803А) -27,5 -26,9 -14
V2 (КТ805БМ) -26,9 -26,2 -14
V3 (МП26А) -5 -5,1 -26,2
V4 (П213) -10,2 -9,9 -14

Все напряжения замерены относительно + клеммы (Х7).

Автор: А.Зотов

ПОДЕЛИТЕСЬ С ДРУЗЬЯМИ

П О П У Л Я Р Н О Е:
  • Принципиальная электрическая схема автомобиля ВАЗ-2107
  • Имея под рукой принципиальную электрическую схему автомобиля и любой простейший вольтметр для измерения постоянного напряжения минимум до 15 вольт и омметр (можно собрать самому этот), имея даже небольшие познания в электротехнике можно самому разобраться в поломке электрической части своего автомобиля.  Подробнее…

  • Питание ноутбука в автомобиле
  • Многие современные ноутбуки имеют возможность питания от бортовой сети автомобиля через гнездо прикуривателя.

    Если же в вашем ноутбуке такая возможность не предусмотрена, поможет описанное здесь устройство. Оно обеспечивает на выходе напряжение 16.5 В при токе до 4 А. Подробнее…

  • Как показать температуру двигателя в Renault и Driving Eco2 в MediaNav?
  • На сайте drive2 можно встретить ни одну активацию различных функций в MediaNav, в прочем и в других блоках тоже.

    Обладателям бензиновых версий автомобилей Renault в комплектации со штатным автозапуском и MediaNav повезло больше — с завода у них в машине установлен блок BIC 283468105R который коммутирует две шины автомобиля: CAN1 и CAN2, передавая данные бортового компьютера и температуры окружающей среды на экран MediaNav.

    Подробнее…

Популярность: 4 278 просм.

Зарядное устройство “;Рассвет-2”;

Ангел Костов, Болгария.
shumen (at) inbox.ru

Предлагаю Вашему вниманию схему зарядного устройства “Рассвет-2”, которую я снял с оригинального зарядного устройства. По этой схеме сделал 2 ЗУ и они работают точно как и оригинальное.

Конструктивно зарядное устройство (ЗУ) изготовлено в виде отдельного блока, закрытого корпусом от попадания непогоды и влаги. На основании корпуса крепятся силовой трансформатор, vощные управляющие тиристоры на радиаторах, плата стабилизации тока заряда и управления тиристорами, клеммы для подсоединения заряжаемого аккумулятора проводами, сечением не менее 2,5 мм2(“+” на корпусе) и выключатель питания.Схема представлена на рис. 1.

Рис. 1.

Плата управления и стабилизации установлена на передней панели корпуса таким образом, чтобы кнопки переключателей режима заряда – “Ручной – автоматический” и включения заряда попадали в специально прорезанный паз и легко переключались. Так же на переднюю панель выведены ручной регулятор тока заряда (Rp). Схема платы управления представлена на рис. 2.

Рис. 2.

Спецификация комплектующих деталей (на болгарском языке, но по-моему все понятно и перевода не требует).

  1. Транзистори:
  2. а/ VT1 и VT10 = КТ209 или ВС557
    б/ VT3 и VT7 = КТ315Д
    в/ VT2, VT4, VT5, VT6, VT8 и VT9 = КТ361Д или ВС557

  3. Диоди:
  4. а/ VD13 = KC147 /ценер/
    б/ VD19 = Д816Д /ценер/
    в/ VD5 = светодиод, руски, /червен/
    г/ VD6 = светодиод, руски, /зелен/
    д/ VS1 и VS2 = КУ202Л
    е/ VD1-VD4, VD8, VD9, VD12, VD15-VD18 = Д226В или 1N4003

  5. Съпротивления /резистори/:
  6. а/ Rp /потенциометър външен/ = 4,7k
    б/ Ra /тример-потенциометър за силата на зарядния ток, Imax=6,3 A/ = 3,3k
    в/ Ru /тример-потенциометър за долната граница на разряд при автом. цикъл 13,9V/ = 3,3k
    г/ резисторы 1Вт:
    R4 = 150ом, 1W;
    R8 = 300ом, 1W;
    R12 = 1k, 1W

    д/ Съпротивления 0,25W:

    R1, R3, R21, R23 = 3,6k;
    R2 = 510ом;
    R5, R10 = 20k;
    R6, R7, R13, R24 = 1к;
    R11 = 75k;
    R14 = 3k;
    R18, R19, R25 = 10k;
    R22 = 9,1k;
    R26 = 300ом
    R27 = 51k;

  7. Кондензатори
  8. C1, C2, C3 = 0,1 µF, 160 V
    С4 = 20 µF, 16 V;
    C5, C6 = 100 µF, 25 V;
    C7 = 20 µF, 50 V

Внешний вид печатной платы представлен на рис. 3.

Рис. 3.

А вид платы со стороны разводки на рис.4.

Рис. 4.

В качестве силового трансформатора может быть применен любой мощность 180-250 Вт, выдающий переменное напряжение ~16…22 В и расчитанный на ток 6…10 А.

В заключении хотелось бы сказать несколько слов о высокой надежности схемы – т. к. в качестве мощных регулирующих элементов применены тиристоры работающие в ключевом режиме.

Зapядное устройство РАССВЕТ-2

Устройство зарядное УЗС-П-6/12-6,3 УХЛ 3.1 “Рассвет-2” предназначено для заряда и подзаряда аккумуляторных батарей легковых автомобилей и мотоциклов.

Зарядное устройство производит заряд стабилизированным током в любом из двух режимов:

  1. В ручном – заряд 6 В и 12 В свинцово-кислотных аккумуляторных батарей. 
  2. В автоматическом – заряд и подзаряд 12 В свинцово-кислотных аккумуляторных батарей.

Устройство зарядное “Рассвет-2” имеет электронную защиту от короткого замыкания на его выходе и ошибочного (по полярности) подключения к клеммам батареи. 

Кроме того “Рассвет-2” позволяет определить степень заряженности аккумуляторной батареи, исправность АКБ, полярность клемм батареи при отсутствии на них маркировки.

Зарядное устройство “РАССВЕТ-2М”.

Устройство зарядное УЗ-12-6 УХЛ3.1 “Рассвет-2М”предназначено для заряда и подзаряда исправных кислотных аккумуляторных батарей легковых автомобилей с номинальным напряжением 12В и емкостью 40-75 А*ч.

Устройство обеспечивает заряд аккумуляторных батарей в режиме, близком к режиму “постоянного напряжения”,что обеспечивает их сохранность и долговечность.

Зарядное устройство “Рассвет-2М” имеет защиту электрических цепей от короткого замыкания.


Технические характеристики зарядных устройств “РАССВЕТ-2” и “РАССВЕТ-2М”

 

РАССВЕТ-2

РАССВЕТ-2М

Номинальное напряжение питания, В

220

Частота, Гц

50

Номинальное напряжение заряжаемых АКБ, В

6 и 12

12

Зарядный ток в режиме “4А max”, А
              – максимальный
              – минимальный

-


4,5
1,0

Зарядный ток в режиме “6А max”, А
              – максимальный
              – минимальный

-


6,5
2,5

Номинальное значение тока, А

6,3

-

Регулировка величины тока плавная, в диапазоне, А

0,1 -> 6,3

-

Рабочий диапазон температур

-10 до +40

Габаритные размеры, мм

267х142х112

Масса, кг

3,2

3,2

Расход электроэнергии, кВт.ч, не более

0,16

0,12


ЗАРЯДНОЕ УСТРОЙСТВО “РАССВЕТ-2” – Зарядные устройства (для авто) – Источники питания

Ангел Костов, Болгария.

Здравствуйте.

Предлагаю Вашему вниманию схему зарядного устройства “Рассвет-2”, которую я снял с оригинального зарядного устройства. По этой схеме сделал 2 ЗУ и они работают точно как и оригинальное.

Конструктивно зарядное устройство (ЗУ) изготовлено в виде отдельного блока, закрытого корпусом от попадания непогоды и влаги. На основании корпуса крепятся силовой трансформатор, vощные управляющие тиристоры на радиаторах, плата стабилизации тока заряда и управления тиристорами, клеммы для подсоединения заряжаемого аккумулятора проводами, сечением не менее 2,5 мм2(“+” на корпусе) и выключатель питания.Схема представлена на рис. 1.


Рис. 1.

Плата управления и стабилизации установлена на передней панели корпуса таким образом, чтобы кнопки переключателей режима заряда – “Ручной – автоматический” и включения заряда попадали в специально прорезанный паз и легко переключались. Так же на переднюю панель выведены ручной регулятор тока заряда (Rp). Схема платы управления представлена на рис. 2.


Рис. 2.

Спецификация комплектующих деталей (на болгарском языке, но по-моему все понятно и перевода не требует).

  1. Транзистори:
  2. а/ VT1 и VT10 = КТ209 или ВС557
    б/ VT3 и VT7 = КТ315Д
    в/ VT2, VT4, VT5, VT6, VT8 и VT9 = КТ361Д или ВС557

  3. Диоди:
  4. а/ VD13 = KC147 /ценер/
    б/ VD19 = Д816Д /ценер/
    в/ VD5 = светодиод, руски, /червен/
    г/ VD6 = светодиод, руски, /зелен/
    д/ VS1 и VS2 = КУ202Л
    е/ VD1-VD4, VD8, VD9, VD12, VD15-VD18 = Д226В или 1N4003

  5. Съпротивления /резистори/:
  6. а/ Rp /потенциометър външен/ = 4,7k
    б/ Ra /тример-потенциометър за силата на зарядния ток, Imax=6,3 A/ = 3,3k
    в/ Ru /тример-потенциометър за долната граница на разряд при автом. цикъл 13,9V/ = 3,3k
    г/ резисторы 1Вт:
    R4 = 150ом, 1W;
    R8 = 300ом, 1W;
    R12 = 1k, 1W

    д/ Съпротивления 0,25W:

    R1, R3, R21, R23 = 3,6k;
    R2 = 510ом;
    R5, R10 = 20k;
    R6, R7, R13, R24 = 1к;
    R11 = 75k;
    R14 = 3k;
    R18, R19, R25 = 10k;
    R22 = 9,1k;
    R26 = 300ом
    R27 = 51k;

  7. Кондензатори
  8. C1, C2, C3 = 0,1 µF, 160 V
    С4 = 20 µF, 16 V;
    C5, C6 = 100 µF, 25 V;
    C7 = 20 µF, 50 V

Внешний вид печатной платы представлен на рис. 3.


Рис. 3.

А вид платы со стороны разводки на рис.4.


Рис. 4.

В качестве силового трансформатора может быть применен любой мощность 180-250 Вт, выдающий переменное напряжение ~16…22 В и расчитанный на ток 6…10 А.

В заключении хотелось бы сказать несколько слов о высокой надежности схемы – т. к. в качестве мощных регулирующих элементов применены тиристоры работающие в ключевом режиме.

Как зарядить аккумулятор рассвет 2. Зарядные устройства (для авто)

В разделе на вопрос Как правильно зарядить Аккамулятор от зарядного устройства “Рассвет 2” ? заданный автором Inkvizitor лучший ответ это Емкость аккумулятора смотрите и делите на 10 получается ток заряда!
Тобишь 60 а/ч значит ток 6 ампер, а вообще чем медленней тем лучше, обычно хорошо заряжать на 2 амперах
ArtoriuS
Гуру
(4073)
Автоматике я не верю, лучше посчитать сколько времени нужно на зарядку такой емкости на таком токе и просто проследить!)
Например 60 а/ч на 2А это 30 часов, если есть такой вариант столько ждать, то лучше так, а автоматика она сначала сильный ток дает, а потом понижает потихоньку и в конце зарядки опять сильный, получается просто побыстрее, а насколько эффективно это эксперименты ставить нужно! =)

Ответ от Алексей Золотов [гуру]
до заката…. два))

Ответ от Андрей Костин [гуру]
В атоматическом режиме ток заряда сам уменьшается и будет 0 когда акб заряжен, начальный ток выставить на 4-5А.
В ручном режиме надо самому постепенно уменьшать силу тока (правильный цикл 4-5А – 10мин, 3А – 30мин 2А – 2-3часа 1А 1час итого 4-5часов приполностью разряженном акб)

Ответ от Александр Чипизубов [эксперт]
А что.можно зарядить не правильно? Если акб 12 в.выпримитель 12в и в перёд.а если по 1 а.будеш 6 лет заряжать.

Ответ от Евгений Мамонов [новичек]

При этом зарядное устройство. По эксплуатации зарядного устройства рассвет 2.

Я, конечно, не электрик арестованный, поэтому поправьте, если ошибаюсь 60 или 77 ач – это емкость аккумулятора. На ЗУ нет ограничения по емкости заряжаемых аккумуляторов. Есть показатель максимальной силы тока выдаваемый ЗУ, а это немного другие вещи.

Ставьте на “авто” режим и не заморачивайтесь с силой тока и расчетом времени зарядки. ЗУ импульсами отлично заряжает. А емкость говорит о том, что при одной и той же силе тока, 60ач зарядится быстрее, чем 77ач.

Это как набирать 10л и 15л ведро 1л бутылкой. В 15л ведро уйдет больше бутылок, что займет больше времени. Это что бы совсем понятно стало) Успехов. Пробки выкручивают только для долива дистиллированой воды или контроля режима заряда, Если электролит не покрывает пластины на 1см, а так только для осмотра что пластины покрыты электролитом.

Во всех банках есть специальные дренажные отверстия для выхода водорода во время зарядки, так что я никогда не оставляю открытыми отверстия для контроля и долива во время Зарядки аккумулятора. Если бы этих отверстий небыло, аккумы бы вспучивались на авто во время поездки, ведь зарядка идет почти постоянно после завода двигателя.

Помогите пожалуйста найти неисправность в зарядном устройстве Рассвет-2. В сети нашел только схему, описания и инструкции по эксплуатации найти не удалось.

Суть в следующем: При включении устройства горит светодиод “сеть”, напряжения на выходе трансформатора в норме. В автоматическом режиме зарядка не “запускается”. В ручном режиме, при увеличении тока заряда более 1А (по шкале потенциометра) зарядка не идет, но если нажать кнопку “контроль”, то загорается светодиод “заряд” и идет зарядка. В автоматическом режиме при нажатии кнопки “контроль” светодиод “заряд” начинает моргать, при отпускании кнопки – гаснет. Транзисторы и диоды прозвонил, вроде все исправны. Заменил электролиты.

Не хочется тупо менять все элементы. Может быть у кого есть опыт ремонта данного устройства, или какие мысли по дальнейшим действиям? Ток желательно выставлять на разряженном аккуме, а напряжение включения импульса на заряженном(на разряженном импульс подается по другому принципу), по инструкции 13,9+-0,5. При 25 градусах(дома) у меня заряженный дает паузу 1,5 мин. При этом отсечка 13,95 в, в пике импульса – 16,2. На видео аккум еще не заряжен до конца, поэтому пауза небольшая. Для полного спокойствия сделай 13,8 в – это минимальное напряжение выдаваемое регулятором в авто.

А пауза будет зависеть от состояния АКБ, саморазряд больше – пауза меньше, да и от других обстоятельств, кальций там, серебро и пр. У меня АКБ Ca-Ca Титан Азия 47 а ч.

Доброго времени суток.У меня зарядное устройство “Рассвет 2”. Очень давно ним пользовался. Давал знакомым пользоваться.

На днях обнаружил, что ЗУ не работает, не заряжает. Обнаружил обрыв в схеме. В интернете нашел схему, скачал.

По схеме нашел обрыв, припаял. Сейчас ЗУ работает постоянно, что в ручном режиме, что в автоматическом. Пробовал регулировать R-20, результата нет. Либо постоянно заряд, либо отключается и не включается.

Напряжение 14 – 17,6v. Если кто может подскажите.

Не охота тупо выпаивать все транзисторы и кондеры для проверки. Схему скачал здесь.

Vitek74, ИМХО Проверить довольно таки просто. Подключить к Максиму ЗУ которое ограничивает порог напряжения при зарядке (чтобы выставлялось руками) и выставить ток 5А (типа Кулона) и посмотреть как ЗУ будет сбрасывать ток заряда во время зарядки. Если продолжительно время ток будет не уменьшаться держаться 5А значит вн. Сопротивление батареи не увеличивается и батарея хорошо берет ток заряжается. И проделать подобное на любом другом АКБ (тоже 2 х годовалом как у Торкона и не разу не видавшего ЗУ – понятно что одинаковых условий нам не добиться) и посмотреть как там будут дела обстоять.

Но ведь этого не будет ни кто делать. Опять же в доках к Максиму рекомендуют заряжать большими токами 10-30А. У других таких рекомендаций нет (Ток заряда равен 1 10 емкости). Сообщение отредактировал Zamok: 02 Февраль 2014 – 15:06. Не кипит при такой напруге?сколько заряжал, всегда выше 14,8 сильное кипение.У разных типов батарей – разное конечное напряжение полного заряда. Сам только пару лет назад это узнал, когда пытался не обслуживаемый АКБ с “серебряными” пластинами восстановить.

Целый месяц его гонял автоматической зарядкой для классических батарей (которая отключается при 14,5 В), и все без толку – АКБ емкость и плотность не восстанавливала. Полез в гугл долго рылся и нарыл, что такую батарею нужно довести небольшим током до 16B при восстановлении. Подключил банально от зарядки ноутбука 19В через лампочку 21W (для ограничения тока), и довел до 16B. Кстати первые маленькие пузырьки появились как раз к 16B. Плотность восстановилась, и вот уже второй год батарея живая и здоровая (а я её уже выбрасывать собирался).

PS На “блатных” ЗУ есть спец режимы “зимний заряд”, “восстановительный заряд”, “батарея AGM” в них напряжение заряда доходит до 14.8-16B. Вот пример CTEK MXS 5.0 Напряжение заряда: 14.4В Normal, 14.7В Cold/AGM, 15.8B Recond PS 2 Главное при повышенном напряжении не передерживать батарею, по достижению его нужно сразу отключить. Ну и руководствоваться типом АКБ, простым классическим свинцовым батареям, такое высокое напряжение не нужно. Вот этот Орион PW 415 не советую брать, он не заряжает аккум по нормальному. Я им гонял гонял – поднял вроде до 13.5, когда пришел поставил на машину 12.5. Только завел машину гена поняла что аккум не заряжен и дала ему аж 15 вольт. Хотя если он заряжен он даст максимум 13В.

И к тому же устройство все время сбрасывало силу тока недозарядив аккум. Но оговорюсь у меня AGM в котором нет кислоты в жидком виде и у меня могут быть другие ощущения. Abc задавал вопрос, мол “такой дорогой аккум а зарядного не купил”. Причины были две 1) Мне не надо было ничего заряжать при обычной эксплуатации, он же заряжается быстрее кислотника в 2-3 раза. Вообще никаких проблем нет типа “снимите аккум и дайте ему полностью зарядится перед зимой” или “в зимнее время при коротких поездках аккумулятор не заряжается”.

То что он быстро заряжается, наглядно видно, посидел на прикуривании 10 минут и он поднялся я 11.8В до 12.5В – всего 10 минут! Посидел 20 минут – он уже 13.5В. 2) Я не знал можно ли заряжать мой аккумулятор, ведь у кислотников при зарядке кипит э

Зу рассвет 2 инструкция. Зарядные устройства (для авто). Выбираем зарядное устройство. Отзывы. Как заряжать Аккумулятор зарядным устройством

Конструктивно зарядное устройство (ЗУ) изготовлено в виде отдельного блока, закрытого корпусом от попадания непогоды и влаги. На основании корпуса крепятся силовой трансформатор, vощные управляющие тиристоры на радиаторах, плата стабилизации тока заряда и управления тиристорами, клеммы для подсоединения заряжаемого аккумулятора проводами, сечением не менее 2,5 мм 2 (“+” на корпусе) и выключатель питания.Схема представлена на рис. 1.

Плата управления и стабилизации установлена на передней панели корпуса таким образом, чтобы кнопки переключателей режима заряда – “Ручной – автоматический” и включения заряда попадали в специально прорезанный паз и легко переключались. Так же на переднюю панель выведены ручной регулятор тока заряда (Rp). Схема платы управления представлена на рис. 2.

Спецификация комплектующих деталей (на болгарском языке, но по-моему все понятно и перевода не требует).

  1. Транзистори:
  2. а/ VT1 и VT10 = КТ209 или ВС557
    б/ VT3 и VT7 = КТ315Д
    в/ VT2, VT4, VT5, VT6, VT8 и VT9 = КТ361Д или ВС557

  3. Диоди:
  4. а/ VD13 = KC147 /ценер/
    б/ VD19 = Д816Д /ценер/
    в/ VD5 = светодиод, руски, /червен/
    г/ VD6 = светодиод, руски, /зелен/
    д/ VS1 и VS2 = КУ202Л
    е/ VD1-VD4, VD8, VD9, VD12, VD15-VD18 = Д226В или 1N4003

  5. Съпротивления /резистори/:
  6. а/ Rp /потенциометър външен/ = 4,7k
    б/ Ra /тример-потенциометър за силата на зарядния ток, Imax=6,3 A/ = 3,3k
    в/ Ru /тример-потенциометър за долната граница на разряд при автом. цикъл 13,9V/ = 3,3k
    г/ резисторы 1Вт:
    R4 = 150ом, 1W;
    R8 = 300ом, 1W;
    R12 = 1k, 1W

    д/ Съпротивления 0,25W:

    R1, R3, R21, R23 = 3,6k;
    R2 = 510ом;
    R5, R10 = 20k;
    R6, R7, R13, R24 = 1к;
    R11 = 75k;
    R14 = 3k;
    R18, R19, R25 = 10k;
    R22 = 9,1k;
    R26 = 300ом
    R27 = 51k;

  7. Кондензатори
  8. C1, C2, C3 = 0,1 µF, 160 V
    С4 = 20 µF, 16 V;
    C5, C6 = 100 µF, 25 V;
    C7 = 20 µF, 50 V

Внешний вид печатной платы представлен на рис. 3.

предназначено для заряда и подзаряда aккумулятopных бaтapeй легковых автомобилей и мотоциклов.

Зapядное устройство Рассвет-2 производит заряд стабилизированным током в любом из двух режимов:

В ручном – заряд 6 В и 12 В свинцово-кислотных aккумулятopных бaтapeй.
В автоматическом – заряд и подзаряд 12 В свинцово-кислотных aккумулятopных бaтapeй.

Устройство зapядное “Рассвет-2” имеет электронную защиту от короткого замыкания на его выходе и ошибочного (по полярности) подключения к клеммам бaтapeи.

Кроме того “Рассвет-2” позволяет определить степень заряженности aккумулятopной бaтapeи, исправность АKБ, полярность клемм бaтapeи при отсутствии на них маркировки.

Зapядное устройство УЗ-12-6 УХЛ3.1 “Рассвет-2М” предназначено для заряда и подзаряда исправных кислотных aккумулятopных бaтapeй легковых автомобилей с номинальным напряжением 12В и 40-75 А*ч.

Устройство обеспечивает заряд aккумулятopных бaтapeй в режиме, близком к режиму “постоянного напряжения”,что обеспечивает их сохранность и долговечность. Зapядное устройство “Рассвет-2М” имеет защиту электрических цепей от короткого замыкания.

ОПИСАНИЕ ЗУ РАССВЕТ-2

Зарядное устройство Рассвет-2 для автоаккумуляторов изготовлено в виде отдельного блока, закрытого корпусом от попадания непогоды и влаги. На основании корпуса крепятся силовой трансформатор, мощные управляющие тиристоры на радиаторах, плата стабилизации тока заряда и управления тиристорами, клеммы для подсоединения заряжаемого АКБ и выключатель питания. В качестве мощных регулирующих элементов применены тиристоры работающие в ключевом режиме.

Технические характеристики зapядных устройств “РАССВЕТ-2” и “РАССВЕТ-2М”

РАССВЕТ-2

РАССВЕТ-2М

Номинальное напряжение питания, В
Частота, Гц
Номинальное напряжение заряжаемых АKБ, В

Зapядный ток в режиме “4А max”, А
– максимальный
– минимальный

Зapядный ток в режиме “6А max”, А
– максимальный
– минимальный

Номинальное значение тока, А
Регулировка величины тока плавная, в диапазоне, А
Рабочий диапазон температ

диктофон samsung yv 150 инструкция по эксплуатации

диктофон samsung yv 150 инструкция по эксплуатации


наименование документа по английски-диктофон samsung yv 150 инструкция по эксплуатации

дата окончания норматива-диктофон samsung yv 150 инструкция по эксплуатации


описание документа-диктофон samsung yv 150 инструкция по эксплуатации


код КГС диктофон samsung yv 150 инструкция по эксплуатации


дата ввода норматива:диктофон samsung yv 150 инструкция по эксплуатации


общероссийский классификатор стандартов диктофон samsung yv 150 инструкция по эксплуатации


метка-диктофон samsung yv 150 инструкция по эксплуатации

разные с


настроить телефон в ниссан примьера-настроить телефон в ниссан примьера
универсальный пульт руководство пользователя универсальный пульт руководство пользователя

jane pro slalom instruction:jane pro slalom instruction

диктофон samsung yv 150 инструкция по эксплуатации диктофон samsung yv 150 инструкция по эксплуатации

скачать бесплатно книгу по ремонту пежо 807-скачать бесплатно книгу по ремонту пежо 807
acer aspire 5536g руководство пользователя скачать acer aspire 5536g руководство пользователя скачать

с5 нокиа китай инструкция-с5 нокиа китай инструкция


неисправности сивамат 432-неисправности сивамат 432


indesit инструкция по эксплуатации witxl-indesit инструкция по эксплуатации witxl
инструкция к бензопиле урал 2м-инструкция к бензопиле урал 2м

зу рассвет 2 инструкция по ремонту скачать-зу рассвет 2 инструкция по ремонту скачать

газовый котел beretta паспорт-газовый котел beretta паспорт

bosch 2462 oe инструкция-bosch 2462 oe инструкция

мануал на филдера:мануал на филдера


зилактин цена инструкция-зилактин цена инструкция


sl2 141 руководство на русском-sl2 141 руководство на русском


huawei ets2055 maneal huawei ets2055 maneal

инструкция принтер hp f2480:инструкция принтер hp f2480


Смотреть в начало

(PDF) Схема семантической структуры и аннотации китайского родства

/ lao ba

/ die и

老子

/ lao zi). Различия между ними в основном заключаются в

различных непропозициональных значениях, таких как подразумевающая степень намека

между отцом и его потомством, разговорная речь и т. Д. Хотя похожие синонимы родства

существуют и в английском языке, например, например, мать, мама и мама, китайский язык

содержит значительно более богатый словарный запас в этом отношении.

Следует отметить, что китайская система родства и терминология продолжают развиваться и сегодня. Традиционно китайское родство можно различать по полу (например, разница

между братом и сестрой), между поколениями (например, разница

между ребенком и родителем), а также между родственниками по крови и браку.

По мере эволюции состава и концепции семей в современном Китае

человек начали уделять все больше и больше внимания семье с одним ребенком, одиноким

родительским семьям и семьям, возглавляемым однополыми парами или гетеросексуалами

партнера.Например, со времени проведения в Китае «политики одиноких детей» в

1980-х годах у большинства детей, выросших с тех пор в Китае, нет братьев и сестер. Только

, когда они состоят в повторно состоящей в браке семье, у них может быть сводный брат, сводная сестра,

сводный брат или сводная сестра.

Итак, китайский язык имеет богатую, детальную и описательную терминологию родства.

Каждый термин отражает измерение отношений, пола и поколения. Для сравнения,

английских терминов родства более грубые.Чем чуждее отношение, тем более неопределенными являются термины родства (Qiu 2003). Как упоминалось ранее, довольно часто мы можем не найти эквивалентных терминов между этими двумя языками. В частности,

некоторые английские термины родства должны быть устранены с точки зрения возраста, пола и т. Д. В

, чтобы определить их правильные китайские переводы. Такое большое семантическое расхождение

между китайским и английским словарями родства представляет собой сложную задачу

при переносе существующей английской схемы аннотации родства на китайский язык

.В следующем разделе мы предлагаем семантическую модель китайского родства,

, которая организует китайские термины родства в логическую структуру. Такая модель

поможет нам соединить китайские термины родства и их аналог на английском языке.

3.2. Схема китайского родства

Чтобы учесть уникальные особенности китайского родства, мы предлагаем схему аннотаций

с иерархической структурой. Мы расширили и усовершенствовали традиционную схему родства

(Хуанг и Цзя, 2000), чтобы получить более широкий охват семантических полей родства

.На верхнем уровне схема имеет пять семантических категорий:

Родители, Братья и сестры, Семейные отношения, Потомство и партнерство (см. Приложение 1). Это семантическое дерево

является проекцией китайских родственных отношений с точки зрения

«эго».

Набор тегов используется для обозначения семантических категорий. Кроме того, некоторые вспомогательные коды

используются для обозначения вторичных подкатегорий – идея, заимствованная из схемы кодирования USAS

.Например, буквы m и f обозначают мужчину и женщину соответственно

(муж (m) и жена (f)), e и y обозначают старшего и младшего родственника соответственно

(старший брат (e), младший брат (y) ) и т. д. Гендерные различия между

и

аналогичными позициями в дереве таксономии, например, племянник против племянницы, обозначаются цифрами

m, f, e и y или их комбинациями (см. теги S4.2.1.3mfey и С4.2.2.3мфей).

5

SEC.gov | Превышен порог скорости запросов

Чтобы обеспечить равный доступ для всех пользователей, SEC оставляет за собой право ограничивать запросы, исходящие от необъявленных автоматизированных инструментов.Ваш запрос был идентифицирован как часть сети автоматизированных инструментов за пределами допустимой политики и будет обрабатываться до тех пор, пока не будут приняты меры по объявлению вашего трафика.

Пожалуйста, объявите свой трафик, обновив свой пользовательский агент, чтобы включить в него информацию о компании.

Чтобы узнать о передовых методах эффективной загрузки информации с SEC.gov, в том числе о последних документах EDGAR, посетите sec.gov/developer. Вы также можете подписаться на рассылку обновлений по электронной почте о программе открытых данных SEC, в том числе о передовых методах, которые делают загрузку данных более эффективной, и о SEC.gov, которые могут повлиять на процессы загрузки по сценарию. Для получения дополнительной информации обращайтесь по адресу [email protected]

Для получения дополнительной информации см. Политику конфиденциальности и безопасности веб-сайта SEC. Благодарим вас за интерес к Комиссии по ценным бумагам и биржам США.

Код ссылки: 0.14ecef50.1636350138.3d127dad

Дополнительная информация

Политика безопасности в Интернете

Используя этот сайт, вы соглашаетесь на мониторинг и аудит безопасности.В целях безопасности и для обеспечения того, чтобы общедоступная услуга оставалась доступной для пользователей, эта правительственная компьютерная система использует программы для мониторинга сетевого трафика для выявления несанкционированных попыток загрузки или изменения информации или иного причинения ущерба, включая попытки отказать пользователям в обслуживании.

Несанкционированные попытки загрузить информацию и / или изменить информацию в любой части этого сайта строго запрещены и подлежат судебному преследованию в соответствии с Законом о компьютерном мошенничестве и злоупотреблениях 1986 года и Законом о защите национальной информационной инфраструктуры 1996 года (см. Раздел 18 U.S.C. §§ 1001 и 1030).

Чтобы обеспечить хорошую работу нашего веб-сайта для всех пользователей, SEC отслеживает частоту запросов на контент SEC.gov, чтобы гарантировать, что автоматический поиск не влияет на возможность доступа других лиц к контенту SEC.gov. Мы оставляем за собой право блокировать IP-адреса, которые отправляют чрезмерное количество запросов. Текущие правила ограничивают пользователей до 10 запросов в секунду, независимо от количества машин, используемых для отправки запросов.

Если пользователь или приложение отправляет более 10 запросов в секунду, дальнейшие запросы с IP-адреса (-ов) могут быть ограничены на короткий период.Как только количество запросов упадет ниже порогового значения на 10 минут, пользователь может возобновить доступ к контенту на SEC.gov. Эта практика SEC предназначена для ограничения чрезмерного автоматического поиска на SEC.gov и не предназначена и не ожидается, чтобы повлиять на людей, просматривающих веб-сайт SEC.gov.

Обратите внимание, что эта политика может измениться, поскольку SEC управляет SEC.gov, чтобы гарантировать, что веб-сайт работает эффективно и остается доступным для всех пользователей.

Примечание: Мы не предлагаем техническую поддержку для разработки или отладки процессов загрузки по сценарию.

Ler Hellsing: The Dawn Online em Português

  • Mangas
  • Категории
  • Favoritos
Mangá sortido!
  • Информация о Mangá
  • Lista de Capítulos
  • Mangás do Mesmo Autor + 5
  • Recomendados
  • Todos (AZ)
  • Favoritos
  • Recém 9013 Atualizados 901

Limpar Favoritos

×

  • 4

    Kinsou no Vermeil: Gakeppuchi Majutsushi wa Saikyou no Yakusai to Mahou Sekai wo Tsukisusumu

    Completo 9013 Amança 9013 Amançia 9013, Kouta 9013 Демониос
  • Драма
  • Эччи
  • Эсколар
  • Фантазия
  • Хентай
  • Магия
  • Романтика
  • Сёнен
  • 1

    Хитэн Нокаи Нока 5 (Хитэн но Асука Нокаи) Иджоуок 5 218, Амана, Коута

    • Асао
    • Эччи
    • Fantasia
    • Harém
    • Romance
  • 93

    Hellsing

    Completo Hirano, Kouta
    • Ação
    • Histórico
    • Horror
    • Seinrosia Хирано, Kouta
      • Ação
      • Demência
      • Сейнэн
    • 80

      дрейфующие

      Completo Хирано, Kouta
      • Ação
      • Авентура
      • Comedia
      • Фантазия
      • Histórico
      • Самурай
      • Сейнэн
    • 12

      Completo Akina, Hazuki, Minase, Tsukako
      • Ação
      • Comédia
      • Ecchi
      • Escolar
      • Romance
      • Isekara
      • Romance
      • Иосиэра Сэйкацу: Да i-3 Shou – Truth of Zero Completo Daichi, Matsuse, Nagatsuki, Tappei
        • Ação
        • Fantasia
        • Seinen
      • 20

        Kos134

    • 20

      Samolari Drive

      Fuumi Fujiko Fujiko Fujiko 901
    • Shoujo
  • 20

    Magic Fairy

    Completo юаней
    • Ação
    • Artes Marciais
    • Aventura
    • Fantasia
  • On Family 9011 9017 One Shot Horny 905
  • Mistério
  • Seinen
  • Slice of Life
  • 6

    Heureka

    Completo Hitoshi, Iwaaki
    • Histórico
    • Seinen
  • Seinen
  • SAE, HINK 9011 9017 9017 SAV: 9011 9011 9017 SAV: Авентура
  • Ecchi
  • Harém
  • Хентай
  • R omance
  • Seinen
  • Hirano, Kouta +5 mangás
    • Ação
    • Horror
    • Seinen
    • Sobrenatural
    • Vampiros cap403
    9011 9018 901 Livre 2021

    Полупроводниковые кубиты на практике | Nature Reviews Physics

  • 1.

    Ди Винченцо, Д. Физическая реализация квантовых вычислений. Fortschr. Phys. 48 , 771–783 (2008).

    MATH Статья Google ученый

  • 2.

    Hensen, B. et al. Нарушение неравенства Белла без петель с использованием электронных спинов, разделенных расстоянием 1,3 км. Природа 526 , 682–686 (2015).

    ADS Статья Google ученый

  • 3.

    Aslam, N. et al. Наноразмерный ядерный магнитный резонанс с химическим разрешением. Наука 357 , 67–71 (2017).

    ADS Статья Google ученый

  • 4.

    Boss, J. M., Cujia, K. S., Zopes, J. & Degen, C. L. Квантовое зондирование с произвольным частотным разрешением. Наука 356 , 837–840 (2017).

    ADS Статья Google ученый

  • 5.

    Michler, P. Квантовые точки для квантовых информационных технологий (Springer, 2017).

  • 6.

    Kjaergaard, M. et al. Сверхпроводящие кубиты: текущее состояние дел. Annu. Rev. Condens. Matter Phys. 11 , 369–395 (2020).

    Артикул Google ученый

  • 7.

    Lutchyn, R.M. et al. Нулевые моды Майорана в гетероструктурах сверхпроводник – полупроводник. Нат. Rev. Mater. 3 , 52–68 (2018).

    ADS Статья Google ученый

  • 8.

    Reed, M. et al. Наблюдение дискретных электронных состояний в нульмерной полупроводниковой наноструктуре. Phys. Rev. Lett. 60 , 535–537 (1988).

    ADS Статья Google ученый

  • 9.

    Elzerman, J. M. et al. Схема малоэлектронных квантовых точек со встроенным считываемым зарядом. Phys. Ред. B 67 , 161308 (2003).

    ADS Статья Google ученый

  • 10.

    Хаяси, Т., Фудзисава, Т., Чеонг, Х. Д., Чон, Ю. Х. и Хираяма, Ю. Когерентное манипулирование электронными состояниями в двойной квантовой точке. Phys. Rev. Lett. 91 , 226804 (2003).

    ADS Статья Google ученый

  • 11.

    Петерсон, К.Д., Петта, Дж. Р., Лу, Х. и Госсард, А. С. Квантовая когерентность в одноэлектронном полупроводниковом зарядовом кубите. Phys. Rev. Lett. 105 , 246804 (2010).

    ADS Статья Google ученый

  • 12.

    Cao, G. et al. Сверхбыстрое универсальное квантовое управление кубитом с квантовыми точками с использованием интерференции Ландау – Зинера – Штюкельберга. Нат. Commun. 4 , 1401 (2013).

    ADS Статья Google ученый

  • 13.

    Шенфилд, Дж. С., Фриман, Б. М. и Цзян, Х. Когерентное манипулирование состояниями долины при множественных зарядовых конфигурациях кремниевого устройства с квантовыми точками. Нат. Commun. 8 , 64 (2017).

    ADS Статья Google ученый

  • 14.

    Пенторн, Н. Э., Шенфилд, Дж. С., Руни, Дж. Д., Эдж, Л. Ф. и Цзян, Х. Двухосевое квантовое управление кубитом быстрой долины в кремнии. Npj Quantum Inf. 5 , 94 (2019).

    ADS Статья Google ученый

  • 15.

    Ми, Х., Кэди, Дж. В., Заяк, Д. М., Дилман, П. В. и Петта, Дж. Р. Сильная связь одиночного электрона в кремнии с микроволновым фотоном. Наука 355 , 156–158 (2017).

    ADS Статья Google ученый

  • 16.

    Scarlino, P. et al. Когерентная связь между полупроводником и сверхпроводящим кубитом, опосредованная микроволновыми фотонами. Нат. Commun. 10 , 3011 (2019).

    ADS Статья Google ученый

  • 17.

    Mi, X. et al. Когерентный спин-фотонный интерфейс в кремнии. Природа 555 , 599–603 (2018).

    ADS Статья Google ученый

  • 18.

    Самхарадзе Н. и др. Сильная спин-фотонная связь в кремнии. Наука 359 , 1123–1127 (2018).

    ADS Статья Google ученый

  • 19.

    Landig, A. et al. Когерентное спин-фотонное взаимодействие с использованием резонансного обменного кубита. Природа 560 , 179–184 (2018).

    ADS Статья Google ученый

  • 20.

    Буркард, Г., Гулланс, М. Дж., Ми, X. и Петта, Дж. Р. Квантовая электродинамика гибридных цепей сверхпроводников и полупроводников. Нат.Rev. Phys. 2 , 129–140 (2020).

    Артикул Google ученый

  • 21.

    Лосс, Д. и Ди Винченцо, Д. Квантовые вычисления с квантовыми точками. Phys. Ред. A 57 , 120–126 (1998).

    ADS Статья Google ученый

  • 22.

    Yang, C.H. et al. Работа элементарной ячейки кремниевого квантового процессора при температуре выше одного градуса Кельвина. Природа 580 , 350–354 (2020).

    ADS Статья Google ученый

  • 23.

    Petit, L. et al. Универсальная квантовая логика в горячих кремниевых кубитах. Природа 580 , 355–359 (2020).

    ADS Статья Google ученый

  • 24.

    Veldhorst, M. et al. Адресный кубит с квантовыми точками с отказоустойчивым управлением. Природа 9 , 981–985 (2014).

    Google ученый

  • 25.

    Yoneda, J. et al. Спиновый кубит с квантовыми точками с когерентностью, ограниченной зарядовым шумом, и точностью выше 99,9%. Нат. Nanotechnol. 13 , 102–106 (2018).

    ADS Статья Google ученый

  • 26.

    Koppens, F. et al. Управляемые когерентные колебания спина одиночного электрона в квантовой точке. Nature 442 , 766–771 (2006).

    ADS Статья Google ученый

  • 27.

    Brunner, R. et al. Двухкубитовый вентиль комбинированного одинарного вращения и межточечного спинового обмена в двойной квантовой точке. Phys. Rev. Lett. 107 , 146801 (2011).

    ADS Статья Google ученый

  • 28.

    Veldhorst, M. et al. Двухкубитовый логический вентиль в кремнии. Природа 526 , 410–414 (2015).

    ADS Статья Google ученый

  • 29.

    West, A. et al. Однократное считывание спинов в кремнии на затворе. Нат. Nanotechnol. 14 , 437–441 (2019).

    ADS Статья Google ученый

  • 30.

    Хиггинботам А. П., Куэммет Ф., Хансон М. П., Госсард А. К. и Маркус К. М. Когерентные операции и экранирование в многоэлектронных спиновых кубитах. Phys. Rev. Lett. 112 , 026801 (2014).

    ADS Статья Google ученый

  • 31.

    Леон, Р. К. С. и др. Когерентное управление спином s-, p-, d- и f-электронов в кремниевой квантовой точке. Нат. Commun. 11 , 797 (2020).

    ADS Статья Google ученый

  • 32.

    Мель, С. и Ди Винченцо, Д. П. Шумозащитный вентиль для шестиэлектронного двухточечного кубита. Phys. Ред. B 88 , 161408 (2013).

    ADS Статья Google ученый

  • 33.

    Malinowski, F. et al. Быстрый спин-обмен через многоэлектронный медиатор. Нат. Commun. 10 , 1196 (2019).

    ADS Статья Google ученый

  • 34.

    Petta, J. et al. Когерентное манипулирование связанными электронными спинами в полупроводниковых квантовых точках. Наука 309 , 2180–2184 (2005).

    ADS Статья Google ученый

  • 35.

    Леви Дж. Универсальные квантовые вычисления с парами спина 1/2 и обменом Гейзенберга. Phys. Rev. Lett. 89 , 147902 (2002).

    ADS MathSciNet МАТЕМАТИКА Статья Google ученый

  • 36.

    Бенджамин, С. К. Простые импульсы для универсальных квантовых вычислений с цепочкой Гейзенберга ABAB. Phys. Ред. A 64 , 054303 (2001).

    ADS Статья Google ученый

  • 37.

    Фолетти, С., Блум, Х., Махалу, Д., Умански, В. и Якоби, А. Универсальный квантовый контроль двухэлектронных квантовых битов спина с использованием динамической ядерной поляризации. Нат. Phy. 5 , 903–908 (2009).

    Артикул Google ученый

  • 38.

    Reed, M. D. et al. Снижение чувствительности к зарядовому шуму в спиновых полупроводниковых кубитах за счет симметричной операции. Phys. Rev. Lett. 116 , 110402 (2016).

    ADS Статья Google ученый

  • 39.

    Martins, F. et al. Подавление шума с помощью симметричных обменных вентилей в спиновых кубитах. Phys. Rev. Lett. 116 , 116801 (2016).

    ADS MathSciNet Статья Google ученый

  • 40.

    Bertrand, B. et al. Квантовая манипуляция двухэлектронных спиновых состояний в изолированных двойных квантовых точках. Phys. Rev. Lett. 115 , 096801 (2015).

    ADS Статья Google ученый

  • 41.

    Корнич В., Клоффель К. и Лосс Д. Фонон-опосредованный распад синглет-триплетных кубитов в двойных квантовых точках. Phys. Ред. B 89 , 085410 (2014).

    ADS Статья Google ученый

  • 42.

    Medford, J. et al. Самосогласованное измерение и томография состояния обменного спинового кубита. Нат. Nanotechnol. 8 , 654–659 (2013).

    ADS Статья Google ученый

  • 43.

    Eng, K. et al. Изотопически усиленный кубит с тройными квантовыми точками. Sci. Adv. 1 , e1500214 (2015).

    ADS Статья Google ученый

  • 44.

    Ди Винченцо, Д., Бэкон, К., Кемпе, Дж., Буркард, Г., Уэйли, К. Универсальные квантовые вычисления с обменным взаимодействием. Nature 408 , 339–342 (2000).

    ADS Статья Google ученый

  • 45.

    Malinowski, F. K. et al. Симметричная работа резонансного обменного кубита. Phys. Ред. B 96 , 045443 (2017).

    ADS Статья Google ученый

  • 46.

    Русс М. и Буркард Г. Трехэлектронные спиновые кубиты. J. Phys. Конденс. Дело 29 , 3

    (2017).

    Артикул Google ученый

  • 47.

    Kim, D. et al. Квантовое управление и томография процесса гибридного кубита с полупроводниковой квантовой точкой. Природа 511 , 70–74 (2014).

    ADS Статья Google ученый

  • 48.

    Русс М., Петта Дж. Р. и Буркард Г. Квадруполярный обменный спиновый кубит. Phys. Rev. Lett. 121 , 177701 (2018).

    ADS Статья Google ученый

  • 49.

    Сала, А., Квист, Дж. Х. и Данон, Дж. Высоко настраиваемый синглетный кубит только для обмена в тройной квантовой точке GaAs. Phys. Rev. Res. 2 , 012062 (2020).

    Артикул Google ученый

  • 50.

    Вукушич, Л., Кукучка, Дж., Ватцингер, Х. и Катсарос, Г. Быстрое туннелирование дыр в германиевых проводах хижины, измеренное с помощью однократной рефлектометрии. Nano Lett. 17 , 5706 (2017).

    ADS Статья Google ученый

  • 51.

    Maurand, R. et al. КМОП-кремниевый спиновый кубит. Нат. Commun. 7 , 13575 (2016).

    ADS Статья Google ученый

  • 52.

    Хендрикс, Н. В., Франке, Д. П., Саммак, А., Скаппуччи, Г. и Велдхорст, М. Быстрая двухкубитная логика с дырками в германии. Nature 577 , 487–491 (2020).

    ADS Статья Google ученый

  • 53.

    Scappucci, G. et al. Квантовый информационный маршрут германия. Нат. Rev. Mater. https://doi.org/10.1038/s41578-020-00262-z (2020).

    Артикул Google ученый

  • 54.

    Camenzind, L.C. et al. Спиновая релаксация сверхтонких фононов в одноэлектронной квантовой точке GaAs. Нат. Commun. 9 , 3454 (2018).

    ADS Статья Google ученый

  • 55.

    Yoneda, J. et al. Квантовое неразрушающее считывание электронного спина в кремнии. Нат. Commun. 11 , 1144 (2020).

    ADS Статья Google ученый

  • 56.

    Elzerman, J. et al. Однократное считывание спина отдельного электрона в квантовой точке. Nature 430 , 431–435 (2004).

    ADS Статья Google ученый

  • 57.

    Petersson, K. et al. Считывание заряда и спинового состояния двойной квантовой точки, связанной с резонатором. Nano Lett. 10 , 2789–2793 (2010).

    ADS Статья Google ученый

  • 58.

    Бартель, К., Рейли, Д., Маркус, К., Хэнсон, М. и Госсард, А. Быстрое однократное измерение синглет-триплетного кубита. Phys. Rev. Lett. 103 , 160503 (2009).

    ADS Статья Google ученый

  • 59.

    Zheng, G. et al. Быстрое считывание спина на основе затвора в кремнии с использованием встроенного резонатора. Нат. Nanotechnol. 14 , 742–746 (2019).

    ADS Статья Google ученый

  • 60.

    Гонсалес-Залба, М., Барро, С., Фергюсон, А. и Бец, А. Исследование пределов определения заряда на затворе. Нат. Commun. 6 , 6084 (2015).

    ADS Статья Google ученый

  • 61.

    Оно, К., Остинг, Д. Г., Токура, Ю. и Таруча, С. Выпрямление тока с помощью исключения Паули в системе слабосвязанных двойных квантовых точек. Наука 297 , 156–158 (2002).

    Артикул Google ученый

  • 62.

    Reilly, D., Marcus, C., Hanson, M. & Gossard, A. Быстрое однозарядное обнаружение с помощью точечного РЧ-квантового контакта. Заявл. Phys. Lett. 91 , 162101 (2007).

    ADS Статья Google ученый

  • 63.

    Crippa, A. et al. Дисперсионное считывание затворной рефлектометрии и когерентное управление спиновым кубитом в кремнии. Нат. Commun. 10 , 2776 (2019).

    ADS Статья Google ученый

  • 64.

    Urdampilleta, M. et al. Высокоточное считывание спина на основе затвора в CMOS-устройстве. Нат. Nanotechnol. 14 , 737–741 (2019).

    Артикул Google ученый

  • 65.

    Harvey-Collard, P. et al. Высокоточное однократное считывание спинового кубита с помощью усовершенствованного механизма фиксации. Phys. Ред. X 8 , 021046 (2018).

    Google ученый

  • 66.

    Pla, J. J. et al. Высокоточное считывание и контроль ядерного спинового кубита в кремнии. Природа 496 , 334–338 (2013).

    ADS Статья Google ученый

  • 67.

    Watson, TF, Weber, B., House, MG, Büch, H. & Simmons, MY Высококачественная быстрая инициализация и считывание спина электрона через одиночный донор D состояние заряда. Phys. Rev. Lett. 115 , 166806 (2015).

    ADS Статья Google ученый

  • 68.

    Новак К., Коппенс Ф., Назаров Ю. В. и Вандерсипен Л. Когерентное управление спином одного электрона электрическими полями. Наука 318 , 1430–1433 (2007).

    ADS Статья Google ученый

  • 69.

    Надж-Перге, С., Фролов, С., Баккерс, Э. и Кувенховен, Л. Спин-орбитальный кубит в полупроводниковой нанопроволоке. Природа 468 , 1084–1087 (2010).

    ADS Статья Google ученый

  • 70.

    Corna, A. et al. Электронно-спиновый резонанс с электрическим приводом, опосредованный взаимодействием спин-долина-орбита в кремниевой квантовой точке. Npj Quantum Inf. 4 , 6 (2018).

    ADS Статья Google ученый

  • 71.

    Crippa, A. et al. Электрическое вращение с помощью модуляции матрицы g в спин-орбитальных кубитах. Phys. Rev. Lett. 120 , 137702 (2018).

    ADS Статья Google ученый

  • 72.

    Головач В. Н., Борхани М. и Лосс Д. Электродипольный спиновой резонанс в квантовых точках. Phys. Ред. B 74 , 165319 (2006).

    ADS Статья Google ученый

  • 73.

    Pioro-Ladriere, M. et al. Одноэлектронный спиновой резонанс с электрическим приводом в наклонном зеемановском поле. Нат. Phys. 4 , 776–779 (2008).

    Артикул Google ученый

  • 74.

    Kawakami, E. et al. Электрический контроль долгоживущего спинового кубита в квантовой точке Si / SiGe. Нат. Nanotechnol. 9 , 666–670 (2014).

    ADS Статья Google ученый

  • 75.

    Zajac, D. et al. Резонансно управляемый вентиль CNOT для электронных спинов. Наука 359 , 439–442 (2018).

    ADS MathSciNet МАТЕМАТИКА Статья Google ученый

  • 76.

    Malinowski, F. et al. Notch фильтрует ядерное окружение спинового кубита. Нат. Nanotechnol. 12 , 16–20 (2017).

    ADS Статья Google ученый

  • 77.

    Cerfontaine, P. et al. Замкнутый контур управления синглет-триплетным спиновым кубитом на основе GaAs с 99.5% точность затвора и низкая утечка. Природа 11 , 4144 (2020).

    Google ученый

  • 78.

    Mortemousque, P. et al. Когерентное управление отдельными электронными спинами в двумерном массиве квантовых точек. Нат. Nanotechnol. https://doi.org/10.1038/s41565-020-00816-w (2020).

    Артикул Google ученый

  • 79.

    Qiao, H. et al.Когерентная многоспиновая обменная связь в спиновой цепочке квантовых точек. Phys. Ред. X 10 , 031006 (2020).

    Google ученый

  • 80.

    Kandel, Y. P. et al. Когерентный перенос спинового состояния посредством обмена Гейзенберга. Nature 573 , 553–557 (2019).

    ADS Статья Google ученый

  • 81.

    Dehollain, J. P. et al. Ферромагнетизм Нагаока, наблюдаемый на плакете с квантовыми точками. Природа 579 , 528–533 (2020).

    ADS Статья Google ученый

  • 82.

    Pla, J. J. et al. Одноатомный электронный кубит со спином в кремнии. Природа 489 , 541–545 (2012).

    ADS Статья Google ученый

  • 83.

    Maune, B.M. et al. Когерентные синглет-триплетные колебания в двойной квантовой точке на основе кремния. Природа 481 , 344–347 (2012).

    ADS Статья Google ученый

  • 84.

    Ansaloni, F. et al. Одноэлектронное управление в литейном двумерном массиве кубитов. Nat Commun. 11 , 6399 (2020).

    ADS Статья Google ученый

  • 85.

    Zajac, D., Hazard, T., Mi, X., Nielsen, E. & Petta, J.Масштабируемая архитектура затвора для одномерного массива спиновых кубитов полупроводника. Phys. Rev. Appl. 6 , 054013 (2016).

    ADS Статья Google ученый

  • 86.

    Ито, К. М. и Ватанабе, Х. Изотопная инженерия кремния и алмаза для квантовых вычислений и сенсорных приложений. MRS Commun. 4 , 143–157 (2014).

    Артикул Google ученый

  • 87.

    Zwanenburg, F. A. et al. Кремниевая квантовая электроника. Ред. Мод. Phys. 85 , 961 (2013).

    ADS Статья Google ученый

  • 88.

    Watzinger, H. et al. Спиновый кубит с дырочками из германия. Нат. Commun. 9 , 3902 (2018).

    ADS Статья Google ученый

  • 89.

    Malinowski, F. K. et al. Спектр ядерного окружения для спиновых кубитов GaAs. Phys. Rev. Lett. 118 , 177702 (2017).

    ADS Статья Google ученый

  • 90.

    Тахан, К. Демократизация спиновых кубитов. Препринт: arXiv 2001.08251 (2020).

  • 91.

    Хоффман С., Шрейд К., Клиновая Дж. И Лосс Д. Универсальные квантовые вычисления с гибридными спин-майорановскими кубитами. Phys. Ред. B 94 , 045316 (2016).

    ADS Статья Google ученый

  • 92.

    Hensgens, T. et al. Квантовое моделирование модели Ферми – Хаббарда с использованием массива полупроводниковых квантовых точек. Nature 548 , 70–73 (2017).

    ADS Статья Google ученый

  • 93.

    Велдхорст, М., Ининк, Х., Янг, К. и Дзурак, А. Кремниевая КМОП-архитектура для спинового квантового компьютера. Нат. Commun. 8 , 1766 (2017).

    ADS Статья Google ученый

  • 94.

    Vandersypen, L. et al. Взаимодействие спиновых кубитов в квантовых точках и донорах – горячих, плотных и когерентных. Npj Quantum Inf. 3 , 34 (2017).

    ADS Статья Google ученый

  • 95.

    Watson, T. et al. Программируемый двухкубитный квантовый процессор на кремнии. Природа 555 , 633–637 (2018).

    ADS Статья Google ученый

  • 96.

    Bertrand, B. et al. Быстрая передача спиновой информации между удаленными квантовыми точками с использованием отдельных электронов. Нат. Nanotechnol. 11 , 672–676 (2016).

    ADS Статья Google ученый

  • 97.

    Mills, A. et al. Перемещение одного заряда через одномерный массив кремниевых квантовых точек. Нат. Commun. 10 , 1063 (2019).

    ADS Статья Google ученый

  • 98.

    Триф М., Головач В. Н. и Лосс Д. Спиновая динамика в квантовых точках нанопроволоки InAs, связанных с линией передачи. Phys. Ред. B 77 , 045434 (2008).

    ADS Статья Google ученый

  • 99.

    Borjans, F., Croot, X. G., Mi, X., Gullans, M. J. & Petta, J. R. Резонансные микроволновые взаимодействия между удаленными электронными спинами. Природа 577 , 195–198 (2020).

    ADS Статья Google ученый

  • 100.

    Кон В. и Латтинджер Дж. Теория донорных состояний в кремнии. Phys. Ред. 98 , 915 (1955).

    ADS МАТЕМАТИКА Статья Google ученый

  • 101.

    Фехер, Г. и Гир, Э. Эксперименты по электронному спиновому резонансу на донорах в кремнии. II. Эффекты спиновой релаксации электронов. Phys. Ред. 114 , 1245 (1959).

    ADS Статья Google ученый

  • 102.

    Кейн, Б. Э. Основанный на кремнии квантовый компьютер с ядерным спином. Nature 393 , 133–137 (1998).

    ADS Статья Google ученый

  • 103.

    Тырышкин А. и др. Когерентность спиновых кубитов в кремнии. J. Phys. Конденс. Дело 18 , S783 (2006).

    Артикул Google ученый

  • 104.

    Тырышкин А.М. и др.Когерентность электронного спина превышает секунды в кремнии высокой чистоты. Нат. Матер. 11 , 143–147 (2012).

    ADS Статья Google ученый

  • 105.

    Morse, K. J. et al. Исследование доноров фосфора в кремнии 28 с помощью оптического магнитного резонанса в нулевом поле. Phys. Ред. B 97 , 115205 (2018).

    ADS Статья Google ученый

  • 106.

    Ma, W.-L., Wolfowicz, G., Li, S.-S., Morton, J. J. L. & Liu, R.-B. Классическая природа ядерного спинового шума вблизи часовых переходов би доноров в кремнии. Phys. Ред. B 92 , 161403 (2015).

    ADS Статья Google ученый

  • 107.

    Витцель В., Х. и Сарма С.Д. Декогеренция, индуцированная анизотропным сверхтонким взаимодействием в спиновых кубитах Si. Phys. Ред. B 76 , 035212 (2007).

    ADS Статья Google ученый

  • 108.

    Morton, J. J. et al. Твердотельная квантовая память с использованием ядерного спина 31 P. Nature 455 , 1085–1088 (2008).

    ADS Статья Google ученый

  • 109.

    Simmons, S. et al. Запутанность в твердотельном спиновом ансамбле. Nature 470 , 69–72 (2011).

    ADS Статья Google ученый

  • 110.

    Steger, M. et al. Хранение квантовой информации более 180 с с использованием донорных спинов в «полупроводниковом вакууме» 28Si. Наука 336 , 1280–1283 (2012).

    ADS Статья Google ученый

  • 111.

    Saeedi, K. et al. Хранение квантовых битов при комнатной температуре более 39 минут с использованием ионизированных доноров в кремнии-28. Наука 342 , 830–833 (2013).

    ADS Статья Google ученый

  • 112.

    Bienfait, A. et al. Управление спиновой релаксацией с помощью полости. Nature 531 , 74–77 (2016).

    ADS Статья Google ученый

  • 113.

    Fuechsle, M. et al. Одноатомный транзистор. Нат. Nanotechnol. 7 , 242–246 (2012).

    ADS Статья Google ученый

  • 114.

    Джеймисон, Д. Н. и др. Контролируемая неглубокая одноионная имплантация в кремний с использованием активной подложки для ионов с энергией менее 20 кэВ. Заявл. Phys. Lett. 86 , 202101 (2005).

    ADS Статья Google ученый

  • 115.

    Ангус, С. Дж., Фергюсон, А. Дж., Дзурак, А. С. и Кларк, Р. Г. Квантовые точки, определенные воротами, в собственном кремнии. Nano Lett. 7 , 2051–2055 (2007).

    ADS Статья Google ученый

  • 116.

    Morello, A. et al. Однократное считывание спина электрона в кремнии. Природа 467 , 687–691 (2010).

    ADS Статья Google ученый

  • 117.

    Бюх, Х., Махапатра, С., Рахман, Р., Морелло, А. и Симмонс, М. Считывание спина и адресация кластеров доноров фосфора в кремнии. Нат. Commun. 4 , 2017 (2013).

    ADS Статья Google ученый

  • 118.

    Keith, D. et al. Однократное считывание спина в полупроводниках вблизи предела чувствительности к дробовому шуму. Phys. Ред. X 9 , 041003 (2019).

    Google ученый

  • 119.

    Pakkiam, P. et al. Однократное считывание спина ВЧ-сигнала с одним затвором на кремнии. Phys. Ред. X 8 , 041032 (2018).

    Google ученый

  • 120.

    Tenberg, S. B. et al. Электронная спиновая релаксация одиночных доноров фосфора в наноразмерных устройствах металл-оксид-полупроводник. Phys. Ред. B 99 , 205306 (2019).

    ADS Статья Google ученый

  • 121.

    Watson, T. F. et al. Время жизни спина электронов, полученное методом атомной инженерии, в кремнии 30 с. Sci. Adv. 3 , e1602811 (2017).

    ADS Статья Google ученый

  • 122.

    Gumann, P. et al. ЯМР-исследование оптически гиперполяризованных донорных ядер фосфора в кремнии. Phys. Ред. B 98 , 180405 (2018).

    ADS Статья Google ученый

  • 123.

    Dreher, L., Hoehne, F., Stutzmann, M. & Brandt, M.С. Ядерные спины ионизированных доноров фосфора в кремнии. Phys. Rev. Lett. 108 , 027602 (2012).

    ADS Статья Google ученый

  • 124.

    Muhonen, J. T. et al. Хранение квантовой информации в течение 30 секунд в наноэлектронном устройстве. Нат. Nanotechnol. 9 , 986–991 (2014).

    ADS Статья Google ученый

  • 125.

    Dehollain, J. P. et al. Нарушение неравенства Белла со спинами в кремнии. Нат. Nanotechnol. 11 , 242–246 (2016).

    ADS Статья Google ученый

  • 126.

    Muhonen, J. et al. Количественная оценка точности квантовых вентилей одноатомных спиновых кубитов в кремнии с помощью рандомизированного тестирования. J. Phys. Конденс. Дело 27 , 154205 (2015).

    ADS Статья Google ученый

  • 127.

    Dehollain, J. P. et al. Оптимизация твердотельного электронного спинового кубита с помощью вентильной томографии. New J. Phys. 18 , 103018 (2016).

    ADS Статья Google ученый

  • 128.

    Wolfowicz, G. et al. Переходы атомных часов в спиновых кубитах на основе кремния. Нат. Nanotechnol. 8 , 561–564 (2013).

    ADS Статья Google ученый

  • 129.

    Asaad, S. et al. Когерентный электрический контроль одиночного высокоспинового ядра в кремнии. Природа 579 , 205–209 (2020).

    ADS Статья Google ученый

  • 130.

    Кобаяши Т. Разработка длинных времен спиновой когерентности спин-орбитальных кубитов в кремнии. Нат. Матер. 20 , 38–42 (2021).

    ADS Статья Google ученый

  • 131.

    Морелло А., Пла Дж. Дж., Бертет П. и Джеймисон Д. Н. Донорные спины в кремнии для квантовых технологий. Adv. Quantum Technol. 3 , 2000005 (2020).

    Артикул Google ученый

  • 132.

    Franke, D. P. et al. Взаимодействие деформации и ядерных спинов в кремнии: квадрупольные эффекты на ионизированных донорах. Phys. Rev. Lett. 115 , 057601 (2015).

    ADS Статья Google ученый

  • 133.

    Zhang, Q. et al. Одиночные ионы редкоземельных элементов как зонды атомного масштаба в сверхмасштабных транзисторах. Nano Lett. 19 , 5025–5030 (2019).

    ADS Статья Google ученый

  • 134.

    Пеззе, Л., Смерци, А., Оберталер, М. К., Шмид, Р., Трейтлейн, П. Квантовая метрология с неклассическими состояниями атомных ансамблей. Ред. Мод. Phys. 90 , 035005 (2018).

    ADS MathSciNet Статья Google ученый

  • 135.

    Мацузаки Ю., Бенджамин С. и Фитцсимонс Дж. Определение магнитного поля за пределами стандартного квантового предела под действием декогеренции. Phys. Ред. A 84 , 012103 (2011).

    ADS Статья Google ученый

  • 136.

    Wüst, G. et al. Роль электронного спина в определении когерентности ядерных спинов в квантовой точке. Нат. Nanotechnol. 11 , 885–889 (2016).

    ADS Статья Google ученый

  • 137.

    Delbecq, M. R. et al. Квантовая дефазировка в стробированной тройной квантовой точке GaAs из-за неэргодического шума. Phys. Rev. Lett. 116 , 046802 (2016).

    ADS Статья Google ученый

  • 138.

    Mądzik, M. T. et al. Управляемое замораживание ядерной спиновой ванны в одноатомном спиновом кубите. Sci. Adv. 6 , eaba3442 (2020).

    ADS Статья Google ученый

  • 139.

    Salfi, J. et al. Квантовое моделирование модели Хаббарда с атомами примеси в кремнии. Нат. Commun. 7 , 11342 (2016).

    ADS Статья Google ученый

  • 140.

    Sieberer, L. M. et al. Цифровое квантовое моделирование, ошибки Троттера и квантовый хаос взбалмошной волчицы. Npj Quantum Inf. 5 , 78 (2019).

    ADS Статья Google ученый

  • 141.

    Mourik, V. et al. Изучение квантового хаоса с одним ядерным спином. Phys. Ред. E 98 , 042206 (2018).

    ADS Статья Google ученый

  • 142.

    Dehollain, J. P. et al. Однократное считывание и релаксация синглетных и триплетных состояний в обменно-связанных 31 P электронных спинах в кремнии. Phys. Rev. Lett. 112 , 236801 (2014).

    ADS Статья Google ученый

  • 143.

    González-Zalba, M. F. et al. Обменно-связанная донорная молекула в кремнии. Nano Lett. 14 , 5672–5676 (2014).

    ADS Статья Google ученый

  • 144.

    He, Y. et al. Двухкубитовый затвор между электронами донора фосфора в кремнии. Nature 571 , 371–375 (2019).

    ADS Статья Google ученый

  • 145.

    Калра Р., Лаухт А., Хилл К. Д. и Морелло А. Надежные двухкубитные вентили для доноров в кремнии, управляемые сверхтонкими взаимодействиями. Phys. Ред. X 4 , 021044 (2014).

    Google ученый

  • 146.

    Mądzik, M. T. et al. Условная квантовая операция двух обменно-связанных однодонорных спиновых кубитов в МОП-совместимом кремниевом устройстве. Нат. Commun. 12 , 181 (2021).

    Артикул Google ученый

  • 147.

    Койллер Б., Х. и Сарма С. Д. Обмен в архитектуре квантового компьютера на основе кремния. Phys. Rev. Lett. 88 , 027903 (2001).

    ADS Статья Google ученый

  • 148.

    Сриниваса, В., Сюй, Х. и Тейлор, Дж. М. Настраиваемое спин-кубитовое взаимодействие посредством многоэлектронной квантовой точки. Phys. Rev. Lett. 114 , 226803 (2015).

    ADS Статья Google ученый

  • 149.

    Mohiyaddin, F.A. et al. Транспорт спиновых кубитов с донорными цепочками в реальных условиях эксперимента. Phys. Ред. B 94 , 045314 (2016).

    ADS Статья Google ученый

  • 150.

    Трифунович, Л., Педрокки, Ф.Л. и Лосс, Д. Запутывание спиновых кубитов на большие расстояния через ферромагнетик. Phys. Ред. X 3 , 041023 (2013).

    Google ученый

  • 151.

    Салфи, Дж., Мол, Дж. А., Калсер, Д., Рогге, С. Нечувствительный к заряду одноатомный спин-орбитальный кубит в кремнии. Phys. Revi. Lett. 116 , 246801 (2016).

    ADS Статья Google ученый

  • 152.

    Кальдерон М., Койллер Б., Ху Х. и Сарма С. Д. Квантовое управление донорными электронами на границе Si – SiO 2 . Phys. Rev. Lett. 96 , 096802 (2006).

    ADS Статья Google ученый

  • 153.

    Tosi, G. et al. Кремниевый квантовый процессор с надежными связями между кубитами на большие расстояния. Нат. Commun. 8 , 450 (2017).

    ADS Статья Google ученый

  • 154.

    Harvey-Collard, P. et al. Когерентная связь между квантовой точкой и донором в кремнии. Нат. Commun. 8 , 1029 (2017).

    ADS Статья Google ученый

  • 155.

    Hill, C. D. et al. Квантовый компьютер с поверхностным кодом в кремнии. Sci. Adv. 1 , e1500707 (2015).

    ADS Статья Google ученый

  • 156.

    О’Горман, Дж., Никерсон, Н. Х., Росс, П., Мортон, Дж. Дж. И Бенджамин, С. С. Квантовый компьютер с поверхностным кодом на основе кремния. Npj Quantum Inf. 2 , 15019 (2016).

    ADS Статья Google ученый

  • 157.

    Пика, Г., Ловетт, Б. В., Бхатт, Р. Н., Шенкель, Т. и Лайон, С. А. Архитектура поверхностного кода для доноров и точек в кремнии с неточными и неоднородными связями кубитов. Phys. Ред.В 93 , 035306 (2016).

    ADS Статья Google ученый

  • 158.

    Wesenberg, J.H. et al. Квантовые вычисления с ансамблем электронных спинов. Phys. Rev. Lett. 103 , 070502 (2009).

    ADS Статья Google ученый

  • 159.

    Morse, K. J. et al. Фотонная платформа для донорных спиновых кубитов в кремнии. Sci.Adv. 3 , e1700930 (2017).

    ADS Статья Google ученый

  • 160.

    Yan, X. et al. Архитектура квантового компьютера на основе кремниевых донорных кубитов, связанных фотонами. Adv. Quantum Technol. 3 , 2000011 (2020).

    Артикул Google ученый

  • 161.

    Yin, C. et al. Оптическая адресация отдельного иона эрбия в кремнии. Природа 497 , 91–94 (2013).

    ADS Статья Google ученый

  • 162.

    Dutt, M. V. G. et al. Квантовый регистр на основе отдельных электронных и ядерных спиновых кубитов в алмазе. Наука 316 , 1312–1316 (2007).

    Артикул Google ученый

  • 163.

    Dolde, F. et al. Запутывание при комнатной температуре между одиночными спинами дефектов в алмазе. Нат. Phys. 9 , 139–143 (2013).

    Артикул Google ученый

  • 164.

    Neumann, P. et al. Квантовый регистр на основе связанных электронных спинов в твердом теле при комнатной температуре. Нат. Phys. 6 , 249–253 (2010).

    Артикул Google ученый

  • 165.

    Bradley, C.E. et al. Твердотельный спиновый регистр с десятью кубитами и квантовой памятью до одной минуты. Phys. Ред. X 9 , 031045 (2019).

    Google ученый

  • 166.

    Maze, J. R. et al. Наномасштабное магнитное зондирование с индивидуальным электронным спином в алмазе. Nature 455 , 644–647 (2008).

    ADS Статья Google ученый

  • 167.

    Taylor, J. M. et al. Высокочувствительный алмазный магнитометр с наноразмерным разрешением. Нат. Phys. 4 , 810–816 (2008).

    Артикул Google ученый

  • 168.

    Ловчинский И. и др. Обнаружение ядерного магнитного резонанса и спектроскопия отдельных белков с использованием квантовой логики. Наука 351 , 836–841 (2016).

    ADS MathSciNet МАТЕМАТИКА Статья Google ученый

  • 169.

    Schmitt, S. et al.Магнитная спектроскопия субмиллигерцового диапазона, выполненная с помощью квантового датчика нанометрового диапазона. Наука 356 , 832–837 (2017).

    ADS Статья Google ученый

  • 170.

    Togan, E. et al. Квантовая запутанность между оптическим фотоном и твердотельным спиновым кубитом. Природа 466 , 730–734 (2010).

    ADS Статья Google ученый

  • 171.

    Уорбертон, Р. Дж. Одиночные спины в самоорганизующихся квантовых точках. Нат. Матер. 12 , 483–493 (2013).

    ADS Статья Google ученый

  • 172.

    Widmann, M. et al. Когерентный контроль одиночных спинов в карбиде кремния при комнатной температуре. Нат. Матер. 14 , 164–168 (2015).

    ADS Статья Google ученый

  • 173.

    Robledo, L. et al. Высокоточное проективное считывание твердотельного спинового квантового регистра. Природа 477 , 574–578 (2011).

    ADS Статья Google ученый

  • 174.

    Nagy, R. et al. Высокоточный спиновый и оптический контроль одиночных центров вакансий кремния в карбиде кремния. Нат. Commun. 10 , 1954 (2019).

    ADS Статья Google ученый

  • 175.

    Abobeih, M.H. et al. Односекундная когерентность для одного спина электрона, связанного с многокубитовой средой ядерных спинов. Нат. Commun. 9 , 2552 (2018).

    ADS Статья Google ученый

  • 176.

    Сукачев Д. Д. и др. Спиновый кубит кремния и вакансии в алмазе: квантовая память более 10 мс с однократным считыванием состояния. Phys. Rev. Lett. 119 , 223602 (2017).

    ADS Статья Google ученый

  • 177.

    Raha, M. et al. Оптическое квантовое неразрушающее измерение одиночного кубита редкоземельного иона. Нат. Commun. 11 , 1605 (2020).

    Артикул Google ученый

  • 178.

    Hadden, J. P. et al. Сильно улучшенный сбор фотонов из центров алмазных дефектов под встроенными твердотельными иммерсионными линзами микровготовки. Заявл. Phys. Lett. 97 , 241901 (2010).

    ADS Статья Google ученый

  • 179.

    Дибос, А. М., Раха, М., Фениси, К. М. и Томпсон, Дж. Д. Атомный источник одиночных фотонов в телекоммуникационном диапазоне. Phys. Rev. Lett. 120 , 243601 (2018).

    ADS Статья Google ученый

  • 180.

    Hausmann, B.J.M. et al. Интегрированные алмазные сети для квантовой нанофотоники. Nano Lett. 12 , 1578–1582 (2012).

    ADS Статья Google ученый

  • 181.

    Gould, M. et al. Крупномасштабная интегрированная фотонная платформа на основе GaP-на-алмазе для квантовой информации на основе NV-центров. J. Opt. Soc. Являюсь. B 33 , B35 – B42 (2016).

    ADS Статья Google ученый

  • 182.

    Барклай, П. Э., Фу, К.-М. К., Сантори, К., Фараон, А. и Босолей, Р. Г. Гибридное резонансное усиление эмиссии центров окраски в алмазе с помощью гибридной нанополости. Phys. Ред. X 1 , 011007 (2011).

    Google ученый

  • 183.

    Штайнер, М., Нойман, П., Бек, Дж., Железко, Ф. и Ррахтруп, Дж. Универсальное повышение точности оптического считывания одноэлектронных спинов на центрах вакансий азота в алмазе. Phys. Ред. B 81 , 035205 (2010).

    ADS Статья Google ученый

  • 184.

    Шилдс, Б. Дж., Унтеррайтмайер, К.П., Де Леон, Н. П., Парк, Х. и Лукин, М. Д. Эффективное считывание одного спинового состояния в алмазе посредством преобразования спина в заряд. Phys. Rev. Lett. 114 , 136402 (2015).

    ADS Статья Google ученый

  • 185.

    Jiang, L. et al. Повторяющееся считывание одиночного электронного спина с помощью квантовой логики с помощью вспомогательных функций ядерного спина. Наука 326 , 267–272 (2009).

    ADS Статья Google ученый

  • 186.

    Хоппер Д., Шулевиц Х. и Бассетт Л. Спиновые методы считывания азотно-вакансионных центров в алмазе. Микромашины 9 , 437 (2018).

    Артикул Google ученый

  • 187.

    Сиюшев П. и др. Фотоэлектрическая визуализация и когерентное считывание спиновых состояний одиночных центров вакансий азота в алмазе. Наука 363 , 728–731 (2019).

    ADS Статья Google ученый

  • 188.

    Niethammer, M. et al. Когерентное электрическое считывание спинов дефектов в карбиде кремния путем фотоионизации в условиях окружающей среды. Нат. Commun. 10 , 5569 (2019).

    ADS Статья Google ученый

  • 189.

    Acosta, V. M. et al. Динамическая стабилизация оптических резонансов одиночных азот-вакансионных центров в алмазе. Phys. Rev. Lett. 108 , 206401 (2012).

    ADS Статья Google ученый

  • 190.

    Андерсон, К. П. и др. Электрический и оптический контроль одиночных спинов, интегрированный в масштабируемые полупроводниковые устройства. Наука 366 , 1225–1230 (2019).

    ADS Статья Google ученый

  • 191.

    Ли, Д., Ли, К. В., Кэди, Дж. В., Овартчайяпонг, П. и Джейич, А. С. Б. Тематический обзор: вращение и механика в алмазе. J. Opt. 19 , 033001 (2017).

    ADS Статья Google ученый

  • 192.

    Маккуори, Э. Р., Госави, Т. А., Юнгвирт, Н. Р., Бхаве, С. А. и Фукс, Г. Д. Механический контроль спина азотно-вакансионных центров в алмазе. Phys. Rev. Lett. 111 , 227602 (2013).

    ADS Статья Google ученый

  • 193.

    Чеботарева А. и др. Запутанность между алмазным спиновым кубитом и фотонным кубитом с временным интервалом на телекоммуникационной длине волны. Phys. Rev. Lett. 123 , 063601 (2019).

    ADS Статья Google ученый

  • 194.

    Хереманс, Ф. Дж., Йель, К. Г. и Авшалом, Д. Д. Контроль спиновых дефектов в широкозонных полупроводниках для квантовых технологий. Proc. IEEE 104 , 2009–2023 (2016).

    Артикул Google ученый

  • 195.

    Awschalom, D. D., Hanson, R., Wrachtrup, J. & Zhou, B. B. Квантовые технологии с оптически сопряженными твердотельными спинами. Нат. Фотоника 12 , 516–527 (2018).

    ADS Статья Google ученый

  • 196.

    Ататюр, М., Энглунд, Д., Вамивакас, Н., Ли, С.-Й. & Wrachtrup, J. Материальные платформы для основанных на спине фотонных квантовых технологий. Нат. Rev. Mater. 3 , 38–51 (2018).

    ADS Статья Google ученый

  • 197.

    Weber, J.R. et al. Квантовые вычисления с дефектами. Proc. Natl Acad. Sci. США 107 , 8513–8518 (2010).

    ADS Статья Google ученый

  • 198.

    Bassett, L.C., Alkauskas, A., Exarhos, A. L. & Fu, K.-M. В. Квантовые дефекты по замыслу. Нанофотоника 8 , 1867–1888 (2019).

    Артикул Google ученый

  • 199.

    Steinert, S.и другие. Высокочувствительная магнитная визуализация с использованием набора алмазных вращений. Rev. Sci. Instrum. 81 , 043705 (2010).

    ADS Статья Google ученый

  • 200.

    Staudacher, T. et al. Спектроскопия ядерного магнитного резонанса на образце (5 нанометров) объемом 3. Наука 339 , 561–563 (2013).

    ADS Статья Google ученый

  • 201.

    Kucsko, G. et al. Термометрия в нанометровом масштабе в живой клетке. Природа 500 , 54–58 (2013).

    ADS Статья Google ученый

  • 202.

    Chu, Y. et al. Когерентные оптические переходы в центрах имплантированных вакансий азота. Nano Lett. 14 , 1982–1986 (2014).

    ADS Статья Google ученый

  • 203.

    Maurer, P. C. et al. Квантово-битовая память при комнатной температуре, превышающая одну секунду. Наука 336 , 1283–1286 (2012).

    ADS Статья Google ученый

  • 204.

    Эванс, Р. Э., Сипахигил, А., Сукачев, Д. Д., Зибров, А. С. и Лукин, М. Д. Узкополосные однородные оптические излучатели в алмазных наноструктурах посредством имплантации ионов кремния. Phys. Rev. Appl. 5 , 044010 (2016).

    ADS Статья Google ученый

  • 205.

    Rogers, L. J. et al. Полностью оптическая инициализация, считывание и когерентная подготовка одиночных спинов кремниевых вакансий в алмазе. Phys. Rev. Lett. 113 , 263602 (2014).

    ADS Статья Google ученый

  • 206.

    Nguyen, C. T. et al. Квантовые сетевые узлы на основе алмазных кубитов с эффективным нанофотонным интерфейсом. Phys. Rev. Lett. 123 , 183602 (2019).

    ADS Статья Google ученый

  • 207.

    Nguyen, C. T. et al. Интегрированный нанофотонный квантовый регистр на основе спинов кремниевых вакансий в алмазе. Phys. Ред. B 100 , 165428 (2019).

    ADS Статья Google ученый

  • 208.

    Зон, Ю.-И. и другие. Управление когерентностью вращающегося алмазного кубита через его деформационную среду. Нат. Commun. 9 , 2012 (2018).

    ADS Статья Google ученый

  • 209.

    Iwasaki, T. et al. Квантовые эмиттеры олова-вакансии в алмазе. Phys. Rev. Lett. 119 , 253601 (2017).

    ADS Статья Google ученый

  • 210.

    Trusheim, M. E. et al. Свинцовые квантовые излучатели в алмазе. Phys. Ред.В 99 , 075430 (2019).

    ADS Статья Google ученый

  • 211.

    Сиюшев П. и др. Оптическое и микроволновое управление спинами центров вакансий германия в алмазе. Phys. Ред. B 96 , 081201 (2017).

    ADS Статья Google ученый

  • 212.

    Trusheim, M. E. et al. Фотоны с ограничением преобразования из когерентного спина вакансии олова в алмазе. Phys. Rev. Lett. 124 , 023602 (2020).

    ADS Статья Google ученый

  • 213.

    Rose, B.C. et al. Обнаружение экологически нечувствительного твердотельного спинового дефекта в алмазе. Наука 361 , 60–63 (2018).

    ADS Статья Google ученый

  • 214.

    Green, B. L. et al. Нейтральный центр вакансии кремния в алмазе: спиновая поляризация и времена жизни. Phys. Rev. Lett. 119 , 096402 (2017).

    ADS Статья Google ученый

  • 215.

    Rose, B.C. et al. Сильно анизотропная спиновая релаксация в нейтральном центре вакансии кремния в алмазе. Phys. Ред. B 98 , 235140 (2018).

    ADS Статья Google ученый

  • 216.

    Ли, К., Давансо, М., Сринивасан, К.Эффективные и малошумящие интерфейсы однофотонного преобразования частоты с использованием кремниевой нанофотоники. Нат. Фотоника 10 , 406–414 (2016).

    ADS Статья Google ученый

  • 217.

    Лукин Д.М. и др. 4H-карбид кремния на изоляторе для интегральной квантовой и нелинейной фотоники. Нат. Фотоника 14 , 330–334 (2020).

    ADS Статья Google ученый

  • 218.

    Lohrmann, A., Johnson, B.C., McCallum, J.C. и Castelletto, S. Обзор источников одиночных фотонов в карбиде кремния. Rep. Prog. Phys. 80 , 034502 (2017).

    ADS Статья Google ученый

  • 219.

    Son, N. T. et al. Разработка карбида кремния для квантовой спинтроники. Заявл. Phys. Lett. 116 , 1 (2020).

    ADS Статья Google ученый

  • 220.

    Christle, D. J. et al. Изолированные электронные спины в карбиде кремния с миллисекундными временами когерентности. Нат. Матер. 14 , 160–163 (2015).

    ADS Статья Google ученый

  • 221.

    Бурасса, А. Запутанность и контроль одиночных ядерных спинов в карбиде кремния, полученном изотопной инженерией. Нат. Матер. 19 , 1319–1325 (2020).

    ADS Статья Google ученый

  • 222.

    Zargaleh, S.A. Свидетельства фотолюминесценции в ближнем инфракрасном диапазоне центров вакансий азота в 4H-SiC. Phys. Ред. B 94 , 060102 (2016).

    ADS Статья Google ученый

  • 223.

    Wolfowicz, G. et al. Спиновые кубиты ванадия как квантовые излучатели в телекоммуникационной сфере в карбиде кремния. Sci. Adv. 6 , eaaz1192 (2020).

    ADS Статья Google ученый

  • 224.

    Crook, A. L. et al. Усиление по Перселлу одного центра окраски из карбида кремния с когерентным контролем спина. Nano Lett. 20 , 3427–3434 (2020).

    ADS Статья Google ученый

  • 225.

    Лукин Д.М. и др. Спектрально реконфигурируемые квантовые излучатели благодаря оптимизированной быстрой модуляции. Npj Quantum Inf. 6 , 80 (2020).

    ADS Статья Google ученый

  • 226.

    Тиль, К., Беттгер, Т. и Кон, Р. Материалы, легированные редкоземельными элементами, для приложений в области хранения квантовой информации и обработки сигналов. J. Lumin. 131 , 353–361 (2011).

    Артикул Google ученый

  • 227.

    Zhong, T. et al. Нанофотонная квантовая память на редкоземельных элементах с оптически управляемым восстановлением. Наука 357 , 1392–1395 (2017).

    ADS MathSciNet Статья Google ученый

  • 228.

    Zhong, T. et al. Оптическая адресация отдельных ионов редкоземельных элементов в нанофотонном резонаторе. Phys. Rev. Lett. 121 , 183603 (2018).

    ADS Статья Google ученый

  • 229.

    Kornher, T. et al. Определение индивидуальных ядерных спинов с помощью одного спина редкоземельного электрона. Phys. Rev. Lett. 124 , 170402 (2020).

    ADS Статья Google ученый

  • 230.

    Макослан Д. Л., Бартоломью Дж. Г., Селларс М. Дж. И Лонгделл Дж. Дж. Уменьшение декогеренции оптических и спиновых переходов в материалах, легированных ионами редкоземельных металлов. Phys. Ред. A 85 , 032339 (2012).

    ADS Статья Google ученый

  • 231.

    Phenicie, C.M. et al. Узкие ширины оптических линий в эрбии, имплантированном в TiO 2 . Nano Lett. 19 , 8928–8933 (2019).

    ADS Статья Google ученый

  • 232.

    Kornher, T. et al. Выход продукции редкоземельных ионов, имплантированных в оптический кристалл. Заявл. Phys. Lett. 108 , 053108 (2016).

    ADS Статья Google ученый

  • 233.

    Ферренти, А. М., де Леон, Н. П., Томпсон, Дж. Д. и Кава, Р. Дж. Выявление кандидатов-хозяев для квантовых дефектов с помощью интеллектуального анализа данных. Npj Comput. Матер. 6 , 126 (2020).

    ADS Статья Google ученый

  • 234.

    Andrich, P. et al. Тепловое картирование с микромасштабным разрешением с использованием гибкой платформы структурированных квантовых датчиков. Nano Lett. 18 , 4684–4690 (2018).

    ADS Статья Google ученый

  • 235.

    Ноулз, Х. С., Кара, Д.М. & Ататюр, М. Наблюдение объемной спиновой когерентности алмаза в высокочистых наноалмазах. Нат. Матер. 13 , 21–25 (2014).

    ADS Статья Google ученый

  • 236.

    Boudou, J.-P. и другие. Производство флуоресцентных наноалмазов с высоким выходом. Нанотехнологии 20 , 235602 (2009).

    ADS Статья Google ученый

  • 237.

    Andrich, P. et al. Разработаны микро- и наноразмерные алмазы в качестве мобильных датчиков для обнаружения жидкостей с высоким разрешением. Nano Lett. 14 , 4959–4964 (2014).

    ADS Статья Google ученый

  • 238.

    Beke, D. et al. Дефектные кубиты в ультрамалых нанокристаллах при комнатной температуре. J. Phys. Chem. Lett. 11 , 1675–1681 (2020).

    Артикул Google ученый

  • 239.

    Trusheim, M. E. et al. Масштабируемое изготовление нанокристаллов алмаза высокой чистоты с центрами вакансий азота с длинной спиновой когерентностью. Nano Lett. 14 , 32–36 (2014).

    ADS Статья Google ученый

  • 240.

    Ryan, R.G. et al. Влияние функционализации поверхности на квантовую когерентность азотно-вакансионных центров в наноалмазах. ACS Appl. Матер. Интерфейсы 10 , 13143–13149 (2018).

    Артикул Google ученый

  • 241.

    Tsukahara, R. et al. Устранение не зависящей от размера декогеренции электронного спина квантовых сенсоров наноалмазов путем аэробного окисления. ACS Appl. Nano Mater. 2 , 3701–3710 (2019).

    Артикул Google ученый

  • 242.

    Barry, J. F. et al. Оптимизация чувствительности для NV-алмазной магнитометрии. Ред.Мод. Phys. 92 , 015004 (2020).

    ADS Статья Google ученый

  • 243.

    Лю Ю.-Х., Эйджой А. и Каппелларо П. Наноразмерная векторная магнитометрия постоянного тока с помощью вспомогательного преобразования частоты с повышением частоты. Phys. Rev. Lett. 122 , 100501 (2019).

    ADS Статья Google ученый

  • 244.

    Шлосс, Дж. М., Барри, Дж.Ф., Тернер М. Дж. И Уолсворт Р. Л. Одновременная широкополосная векторная магнитометрия с использованием твердотельных спинов. Phys. Rev. Appl. 10 , 034044 (2018).

    ADS Статья Google ученый

  • 245.

    Balasubramanian, G. et al. Сверхдлинное время когерентности вращения в алмазе, полученном изотопной инженерией. Нат. Матер. 8 , 383–387 (2009).

    ADS MathSciNet Статья Google ученый

  • 246.

    Laraoui, A. et al. Отображение теплопроводности с наноразмерным разрешением с помощью сканирующего спинового зонда. Нат. Commun. 6 , 8954 (2015).

    ADS Статья Google ученый

  • 247.

    Pelliccione, M. et al. Сканирующая зондовая визуализация наноразмерного магнетизма при криогенных температурах с помощью квантового датчика с одним спином. Нат. Nanotechnol. 11 , 700–705 (2016).

    ADS Статья Google ученый

  • 248.

    Zhou, T. X., Stöhr, R. J. & Yacoby, A. Сканирующие алмазные NV-центральные зонды, совместимые с традиционной технологией AFM. Заявл. Phys. Lett. 111 , 163106 (2017).

    ADS Статья Google ученый

  • 249.

    Fukami, M. et al. Полностью оптическая криогенная термометрия на основе азотно-вакансионных центров в наноалмазах. Phys. Rev. Appl. 12 , 014042 (2019).

    ADS Статья Google ученый

  • 250.

    Nguyen, C.T. et al. Полностью оптическая наноразмерная термометрия с центрами кремний-вакансий в алмазе. Заявл. Phys. Lett. 112 , 203102 (2018).

    ADS Статья Google ученый

  • 251.

    Анисимов А.Н. и др. Оптическая термометрия на основе антипересечения уровней в карбиде кремния. Sci. Отчет 6 , 33301 (2016).

    ADS Статья Google ученый

  • 252.

    Myers, B.A. et al. Зондирование поверхностного шума алмазными спинами с калибровкой по глубине. Phys. Rev. Lett. 113 , 027602 (2014).

    ADS Статья Google ученый

  • 253.

    Fávaro de Oliveira, F. et al. Подстройка спиновых дефектов в алмазе зарядкой решетки. Нат. Commun. 8 , 15409 (2017).

    ADS Статья Google ученый

  • 254.

    Sangtawesin, S. et al. Истоки поверхностного шума алмаза выясняются путем сопоставления односпиновых измерений с поверхностной спектроскопией. Phys. Ред. X 9 , 031052 (2019).

    Google ученый

  • 255.

    Yao, N. et al. Масштабируемая архитектура твердотельного процессора квантовой информации при комнатной температуре. Нат. Commun. 3 , 800 (2012).

    ADS Статья Google ученый

  • 256.

    Serbyn, M. et al. Интерферометрические зонды многочастичной локализации. Phys. Rev. Lett. 113 , 147204 (2014).

    ADS Статья Google ученый

  • 257.

    Кай, Дж., Рецкер, А., Железко, Ф. и Пленио, М. Б. Крупномасштабный квантовый симулятор на поверхности алмаза при комнатной температуре. Нат. Phys. 9 , 168–173 (2013).

    Артикул Google ученый

  • 258.

    Abobeih, M.H. et al. Получение изображений кластера с 27 ядерными спинами в атомном масштабе с помощью квантового датчика. Nature 576 , 411–415 (2019).

    ADS Статья Google ученый

  • 259.

    Choi, S. et al. Наблюдение дискретного времени-кристаллического порядка в неупорядоченной диполярной системе многих тел. Природа 543 , 221–225 (2017).

    ADS Статья Google ученый

  • 260.

    Zu, C. et al. Экспериментальная реализация универсальных геометрических квантовых вентилей с твердотельными спинами. Nature 514 , 72–75 (2014).

    ADS Статья Google ученый

  • 261.

    Bernien, H. et al. Объявлено запутывание между твердотельными кубитами, разделенными на три метра. Природа 497 , 86–90 (2013).

    ADS Статья Google ученый

  • 262.

    Dréau, A., Tcheborateva, A., Mahdaoui, A. E., Bonato, C. & Hanson, R. Квантовое преобразование частоты одиночных фотонов из азотно-вакансионного центра в алмазе в длины волн связи. Phys. Rev. Appl. 9 , 064031 (2018).

    ADS Статья Google ученый

  • 263.

    Sipahigil, A. et al. Неразличимые фотоны от отдельных центров кремниевых вакансий в алмазе. Phys. Ред.Lett. 113 , 113602 (2014).

    ADS Статья Google ученый

  • 264.

    Sipahigil, A. et al. Интегрированная платформа алмазной нанофотоники для квантово-оптических сетей. Наука 354 , 847–850 (2016).

    ADS Статья Google ученый

  • 265.

    Evans, R.E. et al. Фотонно-опосредованные взаимодействия между квантовыми излучателями в алмазной нанорезонаторе. Наука 362 , 662–665 (2018).

    ADS Статья Google ученый

  • 266.

    Zhang, Z.-H. и другие. Оптически обнаружен магнитный резонанс в нейтральных центрах вакансий кремния в алмазе через связанные экситонные состояния. Phys. Rev. Lett. 125 , 237402 (2020).

    ADS Статья Google ученый

  • 267.

    Сантори, К.и другие. Нанофотоника для квантовой оптики с использованием центров вакансий азота в алмазе. Нанотехнологии 21 , 274008 (2010).

    Артикул Google ученый

  • 268.

    Bhaskar, M. K. et al. Экспериментальная демонстрация квантовой связи с улучшенной памятью. Nature 580 , 60–64 (2020).

    ADS Статья Google ученый

  • 269.

    Деген, К. Л., Рейнхард, Ф. и Каппелларо, П. Квантовое зондирование. Ред. Мод. Phys. 89 , 035002 (2017).

    ADS MathSciNet Статья Google ученый

  • 270.

    Коннорс, Э. Дж., Нельсон, Дж., Цяо, Х., Эдж, Л. Ф. и Никол, Дж. М. Низкочастотный зарядовый шум в квантовых точках Si / SiGe. Phys. Ред. B 100 , 165305 (2019).

    ADS Статья Google ученый

  • 271.

    Ми, X., Колер, С. и Петта, Дж. Р. Интерферометрия Ландау-Зинера состояний долинной орбиты в двойных квантовых точках Si / SiGe. Phys. Ред. B 98 , 161404 (2018).

    ADS Статья Google ученый

  • 272.

    Dial, O. et al. Спектроскопия зарядового шума с использованием когерентных обменных колебаний в синглет-триплетном кубите. Phys. Rev. Lett. 110 , 146804 (2013).

    ADS Статья Google ученый

  • 273.

    Kim, D. et al. Когерентная работа зарядового кубита полупроводниковой квантовой точки, вызванная СВЧ-излучением. Нат. Nanotechnol. 10 , 243–247 (2015).

    ADS Статья Google ученый

  • 274.

    Yang, C. et al. Качество кремниевых кубитов приближается к пределам некогерентного шума с помощью импульсной инженерии. Нат. Электрон. 2 , 151–158 (2019).

    Артикул Google ученый

  • 275.

    Rong, X. et al. Экспериментальные отказоустойчивые универсальные квантовые вентили с твердотельными спинами в условиях окружающей среды. Нат. Commun. 6 , 8748 (2015).

    ADS Статья Google ученый

  • 276.

    Glenn, D. R. et al. Магнитно-резонансная спектроскопия высокого разрешения с использованием твердотельного датчика вращения. Природа 555 , 351–354 (2018).

    ADS Статья Google ученый

  • 277.

    Simin, D. et al. Блокировка спиновой когерентности электронов выше 20 мс в природном карбиде кремния. Phys. Ред. B 95 , 161201 (2017).

    ADS Статья Google ученый

  • 278.

    Michl, J. et al. Надежное и точное измерение электрического поля с помощью твердотельных спиновых ансамблей. Nano Lett. 19 , 4904–4910 (2019).

    ADS Статья Google ученый

  • 279.

    Волк, К., Чаттерджи, А., Ансалони, Ф., Маркус, К. М. и Куэммет, Ф. Быстрое считывание заряда квантовых точек Si / SiGe через высокочастотный накопительный вентиль. Nano Lett. 19 , 5628–5633 (2019).

    ADS Статья Google ученый

  • % PDF-1.4 % 772 0 объект > эндобдж xref 772 92 0000000016 00000 н. 0000002209 00000 н. 0000002435 00000 н. 0000002593 00000 н. 0000004405 00000 н. 0000004565 00000 н. 0000004648 00000 н. 0000004761 00000 н. 0000004876 00000 н. 0000005009 00000 н. 0000005065 00000 н. 0000005195 00000 н. 0000005251 00000 н. 0000005506 00000 н. 0000005562 00000 н. 0000005863 00000 н. 0000005919 00000 н. 0000006077 00000 н. 0000006211 00000 н. 0000006388 00000 п. 0000006444 00000 н. 0000006622 00000 н. 0000006678 00000 н. 0000006798 00000 н. 0000006919 00000 н. 0000006975 00000 н. 0000007031 00000 н. 0000007210 00000 н. 0000007266 00000 н. 0000007378 00000 н. 0000007434 00000 н. 0000007490 00000 н. 0000007598 00000 н. 0000007654 00000 н. 0000007710 00000 н. 0000007821 00000 п. 0000007877 00000 н. 0000008124 00000 н. 0000008180 00000 н. 0000008339 00000 н. 0000008455 00000 н. 0000008635 00000 н. 0000008691 00000 п. 0000008887 00000 н. 0000008943 00000 н. 0000009064 00000 н. 0000009180 00000 н. 0000009310 00000 п. 0000009366 00000 п. 0000009422 00000 н. 0000009478 00000 п. 0000009534 00000 п. 0000009664 00000 н. 0000009784 00000 н. 0000009840 00000 п. 0000009896 00000 н. 0000009952 00000 н. 0000010067 00000 п. 0000010123 00000 п. 0000010329 00000 п. 0000010384 00000 п. 0000010543 00000 п. 0000010658 00000 п. 0000010840 00000 п. 0000010896 00000 п. 0000010951 00000 п. 0000011107 00000 п. 0000011232 00000 п. 0000011382 00000 п. 0000011438 00000 п. 0000011592 00000 п. 0000011648 00000 п. 0000011704 00000 п.

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *