Универсальный внешний накопитель для всех iOS-устройств, совместим с PC/Mac, Android
Header Banner
8 800 100 5771 | +7 495 540 4266
c 9:00 до 24:00 пн-пт | c 10:00 до 18:00 сб

Микросхемы шим: Микросхемы ШИМ-контроллеров – АО «НИИЭТ»

0 Comments

АО «НИИЭТ»

Продукция

Новинки и текущие разработки

 

Интегральные микросхемы

 

Микросхемы в пластиковых корпусах

ВЧ/СВЧ транзисторы и модули

Макетно-отладочные устройства

Испытательное оборудование

Новости

Все новости

О предприятии

 

АО «НИИЭТ» – один из ведущих производителей электронных компонентов в России.

Научно-исследовательский институт электронной техники – это одна из старейших отечественных школ разработки, большие производственные мощности, квалифицированные кадры.

На нашем предприятии в 1965 году была создана первая отечественная микросхема с диэлектрической изоляцией компонентов. Благодаря огромному опыту – с одной стороны – и умению оперативно меняться в соответствии с потребностями страны – с другой – мы предлагаем своим потребителям качественные услуги разработки, сборки и испытаний современной электронной компонентной базы.

Сегодня НИИЭТ – это единственное в России предприятие, которое занимается серийным производством и поставками GaN-транзисторов на кремнии.

 

Направления деятельности

Разработка

Мы выполняем полный комплекс работ по проектированию цифровых и аналоговых микросхем, силовых, ВЧ-, СВЧ-транзисторов и блоков на их базе.

Сборка

Наш институт располагает современной производственной линией для сборки ИМС, силовых, ВЧ-, СВЧ-транзисторов во всех типах металлокерамических корпусов.

Испытания и измерения

Современное собственное оборудование и квалифицированные кадры позволяют нам проводить комплексные испытания изделий электронной техники с применением современных методик.

Наши партнёры

Партнёры

Госкорпорация «Росатом»

АО «Российские космические системы»

АО «Концерн Радиоэлектронные технологии»

ООО «НПФ Вектор»

АО «ВЗПП-Микрон»

Госкорпорация «Роскосмос»

АО «Концерн ВКО „Алмаз-Антей“»

ГК «Элемент»

ЗАО НТЦ «Модуль»

АО «Конструкторско-технологический центр «ЭЛЕКТРОНИКА»

Госкорпорация «Ростех»

АО «Концерн «Радиотехнические и Информационные Системы»

АО «НИИМА «ПРОГРЕСС»

АО «Воронежский Завод Полупроводниковых Приборов-Сборка»

АО «СКТБ ЭС»

Вузы-партнёры

ФГБОУ ВО ВГЛТУ им. Г.Ф. Морозова

ФГБОУ ВО «Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники»

ФГБОУ ВО «Воронежский государственный университет»

Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»

ФГБОУ ВО «Воронежский государственный технический университет»

Дилеры и дистрибьюторы

ООО «ЭНЭЛ»

ООО «Пятый элемент»

АО «ТЕСТПРИБОР»

АО «РТКТ»

ООО «Сигма-Проект»

Информационные партнеры

Научно-технический журнал «Электроника НТБ»

Журнал «Компоненты и технологии»

Единая отраслевая платформа по электронике, микроэлектронике и новым технологиям Industry Hunter

«РадиоЛоцман» – портал и журнал для разработчиков электроники

Журнал «Электронные компоненты»

КОМБИНИРОВАННЫЕ МИКРОСХЕМЫ (ШИМ + КЛЮЧ

    org/BreadcrumbList”>
  • Главная
  • База знаний
  • КОМБИНИРОВАННЫЕ МИКРОСХЕМЫ (ШИМ + КЛЮЧ – SMPS)

     Значительно упростить процесс разработки и изготовления ИИП стало возможным благодаря появлению нового поколения ИМС, совмещающих в одном корпусе ШИМ, цепи управления и защиты, высоковольтный полевой транзистор. Такая комбинация устройств предельно сокращает количество компонентов схемы (простейший обратноходовый ИИП содержит 15 – 20 элементов), на 50% снижает габариты и массу устройства.

При этом ИИП обладает высокой степенью защиты от перегрева и перегрузки, обладает хорошей электромагнитной совместимостью с другими устройствами. Стоимость комбинированных микросхем сопоставима со стоимостью мощных полевых транзисторов, применяемых в настоящее время в качестве выходных в ИИП. Если учесть экономию за счёт меньшего числа внешних компонентов, меньшего числа операций по сборке и наладке таких источников питания, то выгоды в промышленном производстве по сравнению с линейными источниками питания, ИИП на дискретных элементах и ШИМ, описанных ранее, становятся очевидными. Кроме невысокой стоимости ИИП на комбинированных микросхемах изготовители гарантируют конечному пользователю экономию за счёт меньшего потребления энергии самим устройством. В настоящее время на отечественном рынке представлены комбинированные микросхемы для ИИП производства Power Integrations (семейства TOPSwitch и последующих) и производства STMicroelectronics (семейства VIPer). Данные для выбора типа микросхемы в зависимости от требуемой мощности приведены в таблице.

     Принципы работы ШИМ комбинированных микросхем не отличаются от применяемых в ИМС, описанных ранее, они содержат те же основные узлы. Принципиальное отличие заключается в исполнении на одном кристалле и оформлении в одном корпусе (имеющем для разных типов микросхем от 3 до 8 выводов) всех цепей ИИП, кроме входных выпрямителей/фильтров, импульсного трансформатора, вторичных цепей, цепей обратной связи, конденсатора вывода управления. Для того, чтобы была возможность полностью оценить простоту реализации ИИП на комбинированных микросхемах, на рисунке приведена типовая схема включения ИМС семейства TOPSwitch, которое является одним из первых в этом классе. Типовые схемы других семейств выполнены примерно также, с тем же количеством элементов, но с большим числом функций.

Типовая схема ИИП для работы от сети переменного тока на ИМС семейства TOPSwitch:

Основные параметры комбинированных ИМС для импульсных источников питания:

Семейство Тип ИМС Типы корпусов Рекомендуемый диапазон мощности (Вт) Особенности применения Uраб, В1 Диапазон рабочих температур, °С2 Fраб, кГц Рабочий цикл, %
 Дополнительные функции
Защита от пониж. Uпит Защита от повыш. Uпит Дежурный режим “Мягкий” пуск Внешнее ограничение тока ЧМ рабочей частоты Внешняя синхронизация ДУ вкл/выкл
TOPSwitch TOP200…
204, 214		 TO-220/3 0…100 (в схемах корректора фактора мощности до 150)   36…700 -40…+145 100+10 1,8…67 +              
TOP100…104 0…60 (в схемах корректора фактора мощности до 110) Для работы в сети 110/100 В   +              
TOP209 DIP8 0…8   36…700 100+10 (TOP210)
70+15 (TOP209)		 +   +          
TOPSwitchII TOP221…227 TO220, PDIP8, SMD8 0…150   -40…+135 100+10 1,7…67 +   +          
TOPSwitch-FX TOP232…234 TO220-7B, PDIP8, SMD8 0…75 Возможна работа на частоте 0,5Fраб для уменьшения помех 132+8 или 66+4,5 1,5…78 + + + + + + + +
TOPSwitch-GX TOP242…250 TO220-7B, PDIP8, SMD8, TO263-7C, TO262-7C 0…290   -40…+140 03…66,8 + + + + + + + +
TinySwitch TNY253…255 DIP8, SO8 0…10 Возможна работа без обмотки ОС импульсного трансформ. (Типовая схема включения) 50…700 -40…+135 44+4 (TNY253, 254) 130+15 (TNY255) 03…68 +   +         +
TinySwitchII TNY256 TO220-7B, DIP8B, SOIC8B 0…23 130+15 03…66 +   +     +   +
TinySwitch Plus TNY264, 266…268 0…19 132+8 03…65 +   +     +   +
DPA-Switch DPA423…426 TO263-7C 0…83 (max 100) Для построения DC-DC конвертеров со входным напряжением 36…75 В 16…220 -40…+137 400+25 или 300+18 03…75 + + + + +   + +
LinkSwitch LNK500, 501 DIP8B, SOIC8 0…5,5 Для построения адаптеров и зарядных устройств 50…700 -40…+135 42+7,5 (LNK500) 42+4 (LNK501) 1,8…77     + +        
VIPer VIPer20/50/100 TO220/5, DIP8 До 20/50/100   До 620, до 700 (с индексами A, ASP) -40…+170 100+10, возможна работа до 200 кГц 03…65 +   + + +   +  

Примечание:

     1) В качестве нижнего предела указано напряжение стока, при котором гарантируется работа ИМС с указанными параметрами. Возможна работа при более низких напряжениях, но с отклонением параметров от нормы. В качестве верхнего предела указано напряжение пробоя исток-сток выходного транзистора.
     2) Для всех микросхем (кроме семейства VIPer) указан рабочий диапазон температур -40:+150°С, однако в таблице в качестве верхней границы приведена температура срабатывания термозащиты.
     3) У ИМС данных типов при отключении нагрузки уменьшается рабочий цикл (за счет пропуска рабочих периодов), а у некоторых – и рабочая частота. В результате в этих условиях рабочий цикл снижается практически до 0.

     Коротко о некоторых функциях комбинированных микросхем. Все описываемые микросхемы имеют встроенные цепи авторестарта (защищают ИИП и нагрузку в случае аварии – КЗ нагрузки, обрыв петли ОС), ограничения тока стока (защита выходного транзистора), цепи запуска при подаче напряжения питания (снижается количество внешних компонентов), термозащиты. У микросхем семейств TOPSwitch и TOPSwitchII термозащита выполнена с внутренней защёлкой (после перегрева необходим перезапуск устройства), у остальных – с гистерезисом температуры срабатывания (после остывания происходит автоматический перезапуск). Все ИМС имеют возможность внешней блокировки работы выходного каскада. Наличие таких цепей значительно снижает вероятность выхода из строя ИИП на комбинированных микросхемах.
     Для ИИП на основе ИМС семейств TOPSwitch и TOPSwitchII в некоторых условиях может потребоваться подключение искусственной нагрузки. Для остальных микросхем за счет усовершенствованных схемных решений это не требуется – рабочий цикл на холостом ходу снижается практически до 0.
     Частотная модуляция рабочей частоты преобразователя снижает уровень побочных излучений на 5:10 дБ, что улучшает электромагнитную совместимость устройств. Возможность внешней синхронизации предусматривает синхронизацию от внешнего источника с частотой ниже, чем частота внутреннего генератора ИМС.
     Наличие режима ДУ делает простой реализацию ИИП с микроконтроллерным управлением.

  • Наименование

    К продаже

    Цена от

К продаже:

31 606 шт.

Цена от:

28,62₽

К продаже:

5 578 шт.

Цена от:

65,42₽

К продаже:

1 142 шт.

Цена от:

26,39₽

К продаже:

400 шт.

Цена от:

361,78₽

К продаже:

1 541 шт.

Цена от:

54,59₽

К продаже:

27 шт.

Цена от:

48,34₽

К продаже:

1 366 шт.

Цена от:

29,02₽

К продаже:

31 шт.

Цена от:

89,43₽

К продаже:

74 шт.

Цена от:

52,05₽

К продаже:

60 шт.

Цена от:

31,53₽

К продаже:

162 шт.

Цена от:

41,14₽

К продаже:

37 шт.

Цена от:

64,38₽

К продаже:

18 330 шт.

Цена от:

37,78₽

К продаже:

2 308 шт.

Цена от:

46,05₽

К продаже:

190 шт.

Цена от:

157,98₽

Конструкция прокладки на кристалле для микрожидкостных ЯМР-детекторов

. 4 сентября 2018 г .; 90 (17): 10134-10138.

doi: 10. 1021/acs.analchem.8b02284. Epub 2018 20 августа.

С. Г. Дж. ван Меертен 1 , П.Дж.М. ван Бентум 1 , АПМ Кентгенс 1

принадлежность

  • 1 ЯМР твердого тела, Университет Радбуд, Heyendaalseweg 135, Неймеген, Нидерланды 6525 AJ.
  • PMID: 30080393
  • PMCID: PMC6127796
  • DOI: 10.1021/acs.analchem.8b02284

Бесплатная статья ЧВК

SG J van Meerten et al. Анальная хим. .

Бесплатная статья ЧВК

. 4 сентября 2018 г .; 90 (17): 10134-10138.

doi: 10.1021/acs.analchem.8b02284. Epub 2018 20 августа.

Авторы

С. Г. Дж. ван Меертен 1 , П.Дж.М. ван Бентум 1 , АПМ Кентгенс 1

принадлежность

  • 1 ЯМР твердого тела, Университет Радбуд, Heyendaalseweg 135, Неймеген, Нидерланды 6525 AJ.
  • PMID: 30080393
  • PMCID: PMC6127796
  • DOI: 10. 1021/acs.analchem.8b02284

Абстрактный

В этом вкладе мы представляем новую систему для шиммирования капиллярных образцов, например, используемую в головках микрожидкостного ЯМР-зонда. Из-за небольшого размера образца шиммирование микролитровых образцов с использованием обычных шиммирующих катушек затруднено. Здесь мы демонстрируем использование серии параллельных проводов, расположенных перпендикулярно B 0 в качестве системы прокладок Shim-on-Chip. Это достигается размещением плоского ленточного кабеля горизонтально над детектором ЯМР, в нашем случае это полосковая линия. Ток через каждый провод ленточного кабеля можно контролировать независимо с помощью 16-канального ЦАП. Это делает простую, дешевую и легкую в изготовлении альтернативу обычным системам прокладок. Тем не менее, Shim-on-Chip достаточно гибок в создании магнитного поля, которое соответствует неоднородности магнита в одном измерении. Капиллярная геометрия образца хорошо подходит для этого типа шимминга, поскольку его длина намного больше ширины. С помощью этой системы Shim-on-Chip мы достигли ширины линии 2,2 Гц (при 50%) и 27 Гц (при 0,55%) на спектрометре ЯМР 144 МГц без каких-либо других шиммов при комнатной температуре. В отличие от обычных прокладок, прокладка на кристалле находится внутри датчика ЯМР. Он всегда центрируется на образце ЯМР, поэтому прокладки оказывают интуитивное влияние на форму линии. Таким образом, ручное шиммирование проще по сравнению с обычной системой шиммирования, так как сложно расположить микролитровый образец точно по центру шиммирующих катушек. Кроме того, мы демонстрируем использование метода Shim-on-Chip в системе Rapid-Melt DNP с частотой 400 МГц. Приличная ширина линий была достигнута даже для образца, расположенного не по центру внутри магнита ЯМР.

Заявление о конфликте интересов

w3.org/1998/Math/MathML” xmlns:p1=”http://pubmed.gov/pub-one”> Авторы заявляют об отсутствии конкурирующих финансовых интересов.

Цифры

Рисунок 1

Схема установки Shim-on-Chip…

Рисунок 1

Схема установки Shim-on-Chip. (Слева) Вид сбоку на полосковую линию, капилляр, грунт…

Рисунок 1

Схема установки Shim-on-Chip. (Слева) Вид сбоку полосковой линии, капилляр, заземляющая пластина и регулировочные провода. (Посередине) Вид спереди без плита заземления. Ток через каждый провод можно контролировать независимо.

Рисунок 2

(слева) Расчетная прочность B…

Рисунок 2

(слева) Расчетная прочность B z в плоскости, перпендикулярной параллели…

фигура 2

(слева) Расчетная прочность B z в плоскости, перпендикулярной параллельным проволокам. Электрический ток профиль является линейным по парам проводов в диапазоне от 40 мА через по верхней паре проводов и −40 мА по нижней паре проводов. красная пунктирная линия показывает расположение капилляра. (справа) рассчитано напряженность поля ( Б г ) в капилляр.

Рисунок 3

Профиль поля, созданный…

Рисунок 3

Профиль поля, созданный оптимизированным текущим профилем z 1 . Верхний участок…

Рисунок 3

Профиль поля, созданный оптимизированным z 1 текущий профиль. Верхний график показывает токи через провода. Нижний график показывает сдвиг резонансной частоты в зависимости от положения. вызванные этими токами.

Рисунок 4

1 H спектры воды…

Рисунок 4

1 Н-спектры воды, шиммированные с помощью обычных шиммов (а) и с использованием…

Рисунок 4

1 H спектры воды, шиммированные с использованием обычных шиммов (а) и с использованием Shim-on-Chip (б).

Рисунок 5

1 H спектры этанола…

Рисунок 5

1 Н-спектры этанола с выключенным (а) и включенным (б) Shim-on-Chip.

Рисунок 5

1 H спектры этанола с выключенным Shim-on-Chip (а) и на (б).

Рисунок 6

1 Н-спектр 5-гексен-2-она.

Рисунок 6

1 Н-спектр 5-гексен-2-она.

Рисунок 6

1 Н-спектр 5-гексен-2-она.

Рисунок 7

1 Н-спектр углерода…

Рисунок 7

1 Н-спектр меченого углеродом метанола с прокладками и без них.

Рисунок 7

1 Н-спектр метанола, меченого углеродом, с добавлением и без прокладки.

См. это изображение и информацию об авторских правах в PMC

Похожие статьи

  • Тонкие прокладки высокого порядка для небольших дипольных магнитов ЯМР.

    Макдауэлл А., Конради М. Макдауэлл А. и др. Джей Магн Резон. 2017 авг; 281:7-16. doi: 10.1016/j.jmr.2017.04.013. Epub 2017 24 апр. Джей Магн Резон. 2017. PMID: 28499207

  • Динамическое шимминг B0 при 7T.

    Сенгупта С., Уэлч Э.Б., Чжао Ю., Фоксолл Д., Старевич П., Андерсон А.В., Гор Дж.К., Ависон М.Дж. Сенгупта С. и др. Магнитно-резонансная томография. 2011 май; 29(4):483-96. doi: 10.1016/j.mri.2011.01.002. Epub 2011 12 марта. Магнитно-резонансная томография. 2011. PMID: 21398062 Бесплатная статья ЧВК.

  • Электрохимическая ЯМР-спектроскопия in situ. Восстановление ароматических галогенидов.

    Вебстер РД. Вебстер РД. Анальная хим. 2004 15 марта; 76 (6): 1603-10. doi: 10.1021/ac0351724. Анальная хим. 2004. PMID: 15018557

  • Регулируемые пассивные прокладки для дипольных магнитов ЯМР.

    Макдауэлл АФ. Макдауэлл АФ. Джей Магн Резон. 2018 ноябрь; 296: 143-151. doi: 10.1016/j.jmr.2018.09.008. Epub 2018 22 сентября. Джей Магн Резон. 2018. PMID: 30268076

  • Парамагнитное шиммирование для широкодиапазонного ЯМР с переменным полем.

    Итидзё Н. , Такеда К., Такегоси К. Ичидзё Н. и др. Джей Магн Резон. 2014 Сентябрь; 246: 57-61. doi: 10.1016/j.jmr.2014.06.022. Epub 2014 12 июля. Джей Магн Резон. 2014. PMID: 25080372

Посмотреть все похожие статьи

Цитируется

  • Последние достижения в методах сортировки высокопроизводительной микрофлюидики на основе капель в ферментативно-направленной эволюции.

    Фу С, Чжан И, Сюй Ц, Сунь С, Мэн Ф. Фу Х и др. Фронт хим. 2021 23 апр;9:666867. doi: 10.3389/fchem.2021.666867. Электронная коллекция 2021. Фронт хим. 2021. PMID: 33996758 Бесплатная статья ЧВК. Обзор.

  • Ненастроенные широкополосные спиральные микрокатушки обеспечивают чувствительный многоядерный ЯМР TX/RX от микрожидкостных образцов.

    Давуди Х., Нордин Н., Мунаката Х., Корвинк Дж.Г., Маккиннон Н., Бадилита В. Давуди Х. и др. Научный представитель 2021 г. 8 апреля; 11 (1): 7798. doi: 10.1038/s41598-021-87247-2. Научный представитель 2021. PMID: 33833324 Бесплатная статья ЧВК.

  • Оптимизированная полосковая линия ЯМР для чувствительной сверхкритической флюидной хроматографии — ядерно-магнитный резонанс микролитровых образцов.

    ван Меертен С., ван Зелст Ф., Тийссен К., Кентгенс А. ван Меертен С. и др. Анальная хим. 2020 6; 9 окт.2(19):13010-13016. doi: 10.1021/acs.analchem.0c01827. Epub 2020 22 сентября. Анальная хим. 2020. PMID: 32865394 Бесплатная статья ЧВК.

Рекомендации

    1. Конзбуль П. ; Катушки Sveda K. Shim для соленоидных магнитов ЯМР и МРТ. Изм. науч. Технол. 1995, 6, 1116–1123. 10.1088/0957-0233/6/8/005. – DOI
    1. Golay MJE. Катушки гомогенизации поля для приборов ядерного спинового резонанса. преподобный наук. Инструм. 1958, 29, 313–315. 10.1063/1.1716184. – DOI
    1. Андерсон В. А. Прокладки электрического тока для коррекции магнитных полей. преподобный наук. Инструм. 1961, 32, 241–250. 10.1063/1.1717338. – DOI
    1. Ромео Ф. ; Холт Д. И. Профилирование магнитного поля: анализ и корректировка конструкции катушки. Магн. Резон. Мед. 1984, 1, 44–65. 10.1002/мрм.1910010107. – DOI – пабмед
    1. Остхук-де Врис А. Дж.; Барт Дж.; Тиггелаар Р. М.; Янссен Дж. В. Г.; ван Бентум П.Дж.М.; Садовники HJGE; Kentgens A.P.M. Спектроскопия 1 H и 13 C ЯМР с непрерывным потоком в микрожидкостных полосковых ЯМР-чипах. Анальный. хим. 2017, 89, 2296–2303. 10.1021/acs.analchem.6b03784. – DOI – ЧВК – пабмед

Типы публикаций

«Шимминг» — последняя афера с кредитными картами

В прошлом месяце в Калифорнии были арестованы пять мошенников по обвинению в «шимминге» банкоматов, и эксперты предупреждают потребителей о необходимости проявлять бдительность в отношении этой новой угрозы.

«Shimming» — это обновленная информация о скимминге, распространенной афере, при которой воры подключают устройство к считывателям кредитных карт в таких местах, как заправочные станции. Устройство считывает и копирует информацию с магнитного считывателя, позволяя мошенникам клонировать кредитную карту для последующего использования или продавать номер карты в даркнете.

Появление кредитных карт с чипом должно было помочь устранить уязвимость к краже личных данных и мошенничеству, поскольку эти карты нельзя было «снять». Но мошенники настойчивы, и они нашли способ снимать информацию с чиповых карт, используя эту новую технику под названием «шимминг», которая впервые была применена в таких местах, как Мексика и Аризона, несколько лет назад.

Как работает шимминг

С помощью этой новой техники мошенники вставляют тонкое, как бумага, устройство, или «шимм», снабженное микрочипом и флэш-накопителем, непосредственно в слот «вставь и жди» на считывателе карт, который принимает карты с чипом. .

Затем прокладка копирует и сохраняет информацию с вашей кредитной или дебетовой карты. Хотя информацию с чипа нельзя использовать для клонирования другой карты с чипом, ее можно использовать для создания версии карты с магнитной полосой, и многие розничные продавцы, особенно онлайн, все еще принимают такие карты.

В отличие от скимминговых устройств, которые часто бывают громоздкими, шимминговые устройства маленькие и незаметные. По данным PCMag, их можно легко вставить в считыватели карт на терминалах в магазине. И что еще хуже, мошенники могут собирать данные, вставляя специальную карту в картридер — так создается впечатление, что мошенник что-то платит или пользуется банкоматом.

Как защитить себя от шимминга

Хотя предприятия должны ежедневно проверять свои считыватели карт, чтобы убедиться, что они не были подделаны, есть некоторые вещи, которые вы можете сделать, чтобы сделать себя менее восприимчивыми к шиммингу. Если на вашей кредитной или дебетовой карте есть функция бесконтактного платежа, воспользуйтесь ею.

Вы никогда не вставите свою карту в считывающее устройство, которое оснащено шиммером таким образом. То же самое касается приложений для мобильных платежей, таких как Apple Pay или Google Pay — они оба безопаснее, чем вставлять карту в считывающее устройство.

При использовании банкомата обязательно закрывайте клавиатуру при вводе PIN-кода. А еще лучше старайтесь использовать банкоматы внутри банков, а не автономные терминалы, которые более уязвимы для мошенников. И если вы можете вообще избежать банкомата, обратившись к кассиру или просто вернув деньги за покупку, это лучший вариант.

Если вы все-таки вставите карту в считывающее устройство и почувствуете какое-либо сопротивление, немедленно прекратите транзакцию и сообщите об этом в свой банк и магазин.

«Если вы вставили карту, а она очень тугая, это может быть признаком, сообщите об этом продавцу», — сказал Брайан Оглсби из Better Business Bureau.

Что делать, если вас забанили?

Если номер вашей кредитной или дебетовой карты был украден в результате мошенничества, обратитесь к эмитенту вашей карты, чтобы отменить и немедленно получить новую карту (и номер).

Больше новостей

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *