13003 транзистор: Транзистор 13003: характеристики, цоколевка, отечественные аналоги

Транзистор MJE13003: характеристики, цоколевка и аналоги

Биполярный кремниевый транзистор MJE13003 по своим характеристикам может применяться в импульсных регуляторах, инверторах, системах управления электрическими двигателями. Он разработан для работы в высоковольтных, высокоскоростных индуктивных цепях, где важно время спада. Также он способен работать в схемах управляющих работой устройств большой мощности в качестве переключателей. Изготавливается по эпитаксиально-планарной технологии и имеет структуру n-p-n.

Цоколевка

Цоколевку транзистора MJE13003 разберём в двух корпусах в которых он производится, это ТО-126 и ТО-220. Если смотреть на него со стороны маркировки, то его выводы будут располагаться в таком порядке: база, коллектор, эмиттер. Следует учесть также что многие производители не наносят первые буквы MJE, которые говорят о том, что первым производителем этого транзистора была компания Motorola. И таким образом остаётся только надпись 13003.

Технические характеристики

В первую очередь следует рассмотреть максимально допустимые параметры устройства. Их превышение недопустимо даже на непродолжительный промежуток времени. Перейдём к рассмотрению этих характеристик для 13003:

• напряжение К-Э (длительное) V_{CЕO (SUS)} = 400 В;
• напряжение К-Э (пиковое) V_CEV = 700 В;
• напряжение Э-Б V_EBO = 9 В;
• ток коллектора (длительный) I_C = 1,5 А;
• ток коллектора (кратковременный) I_CМ = 3 А;
• ток через базу (длительный) I_В = 0,75 А;
• ток через базу (кратковременный) I_ВМ = 1,5 А;
• ток через эмиттер (длительный) I_Е = 2,25 А;
• ток через эмиттер (кратковременный) I_ЕМ = 4,5 А;
• мощность на коллекторе (без теплоотвода) Р_С = 1,4 Вт;
• мощность на коллекторе (с теплоотводом) Р_С = 40 Вт;
• термосопротивление кристалл-корпус R_θJC = 3,12 °С/Вт;
• термосопротивление кристалл-воздух R_θJА = 89 °С/Вт
  ;
• рабочие т-ры Tstg = от -65 до 150^ОС.

Не стоит также забывать и об электрических характеристиках. Именно от них зависят возможности транзистора. Они снимаются при температуре +25^ОС. Другие, важные для тестирования параметры, приведены в таблице в отдельной колонке, которая называется «Режимы измерения».

	Электрические характеристики транзистора MJE13003 (при Т = +25 оC)
Параметры		Режимы измерения	Обозн.	min	typ	max	Ед. изм
Поддерживающее напряжение, коллектор-эмиттер, база разомкнута		IC = 10 мA, IB = 0	VCEO(sus)	400			В
Обратный ток коллектор-эмиттер		VBE = 1,5 В	ICEV			1	мА
		VBE = 1,5 В, TC = 100°C				5
Обратный ток эмиттера		VEB = 9 В, IC = 0	IEBO			1	мА
Статический коэффициент передачи тока		VCE = 2 В, IC= 0. 5 A VCE = 2 В, IC = 1 A	hFE1 hFE2	8 5		40 25
Напряжение насыщения база-эмиттер		IB = 0,1 B, IC = 0,5 A IB = 0,25 B, IC = 1 A IB=0,25B, IC=1 A Tc=100℃	V ВE(sat)			1 1,2 1,1	В В В
Время закрытия		IC = 1 A, VCC = 125 В	tF	2		4	мкс
Время рассасывания.			tS	0,4		0,7	мкс

Аналоги

Похожих по характеристикам транзисторов не очень много, назовём несколько зарубежных:

• 2SC4917;
• MJ4360;
• BUJ101.

Существуют также российские аналоги MJE13003:

• КТ8137А;
• КТ8170А1;
• КТ8175А.

При этом следует учитывать, что все перечисленные устройства не являются полными аналогами, поэтому, перед заменой, следует обратиться к технической документации.

Производители

Среди производителей отметим самых крупных:

• First Silicon;
• Shenzhen SI Semiconductors;
• Savantic;
• Tiger Electronic;
• Jiangsu Changjiang Electronics Technology;
• Nanjing International Group;
• Shenzhen hui lida electronic.

Если вы хотите приобрести MJE13003, то в отечественных магазинах можно найти продукцию таких фирм:

• ON Semiconductor;
• KEC(Korea Electronics);
• Continental Device India Limited;
• Micro Commercial Components;
• Wing Shing Computer Components.

Скачать datasheet можно кликнув на название производителя.

NPN

Транзистор ST 13003

Описание

Описание Наличие

Описание

Описание

Transistor Type NPN
Current – Collector (Ic) (Max) 1. 5A
Voltage – Collector Emitter Breakdown (Max) 400V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 3V @ 500mA, 1.5A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 5 @ 1A, 2V
Power – Max 40W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-126-3

Наличие

Доступно на складах

Адрес магазина

Режим работы

Наличие

• Волгоградская улица, 105

  с 8:00 до 19:00

  Наличие:

  Нет в наличии

• Сухумское шоссе, 110А

  с 8:00 до 19:00

  Наличие:

  Нет в наличии

• Шоссейная улица, 150

  с 8:00 до 20:00

  Наличие:

  Нет в наличии

• Волгоградская улица, 99

  с 8:00 до 19:00

  Наличие:

  Нет в наличии

Просмотренные товары

30 ₽

В корзину 26 шт.

Артикул: ST 13003

На складе 26 шт.

Транзистор ST 13003

В корзину

Транзистор

MJE13003: эквивалент, распиновка, техническое описание, использует

Byadharsh Обновлено 4 мая 2022 г.

Транзистор 13003

Спецификация транзистора MJE13003

• 13003 или MJE13003 представляет собой транзистор NPN BJT
• Коэффициент усиления постоянного тока от 8 до 40 ч _FE
• Ток коллектора (I _C ) 1,5 А
• Базовый ток ( I _B ) составляет 0,75 А
• Напряжение между коллектором и базой ( В _CB ) составляет 700 В
• Напряжение между коллектором и эмиттером ( В _CE ) составляет 400 В
• Напряжение между эмиттером и базой ( В _EB ) составляет 9 В
• Температура перехода ( T _J ) составляет 150°C
• Рассеиваемая мощность на транзисторе 1,4 Вт
• Частота перехода ( F _T ) составляет 10 МГц

Транзистор MJE13003 Распиновка

Номер контакта	Имя контакта	Описание
1	База	Базовый вывод запускает транзистор
2	Коллектор	Ток протекает через коллектор
3	Излучатель	Ток протекает через эмиттер

 

13003 Распиновка транзистора

Корпус транзистора MJE13003

Транзистор 13003 представлен в другом корпусе, обычно в корпусах TO-225 и TO-126

способность работать с большей мощностью.

Корпус ТО-126 и ТО-225 выполнен из эпоксидной смолы и пластика, мощность достаточно высокая, на корпусе имеется отверстие для крепления транзистора с радиатором.

Транзистор MJE13003 Описание

13003 или MJE13003 транзистор типа NPN, который может работать с более высоким напряжением и имеет высокоскоростное переключение .

Транзисторы 13003 имеют более высокое значение напряжения между коллектором и базой 700 В и между коллектором и эмиттером 400 В , что делает его пригодным для приложений с более высоким напряжением.

Максимальный коэффициент усиления по току на транзисторах 13003 составляет от 8 до 40hFE , это значение более важно при операциях усилителя и коммутации.

Значение рассеиваемой мощности для этого транзистора указано 1,4 Вт , это силовой транзистор, который имеет больше применений в высоковольтных приложениях.

Значение частоты перехода для 13003 транзисторов составляет 10 МГц , эта номинальная частота отлично подходит для более мощного быстродействующего переключающего транзистора.

Техническое описание транзистора MJE13003  13003 Техническое описание транзистора

If you need the datasheet in pdf please click this link

MJE13003 transistor Equivalent 

The perfect equivalent transistors for 13003 are 5302D , BLD123D , BUJ101 , STL128D, and HLD133D каждый транзистор в этом списке идентичен транзистору 13003.

Но электрические и физические характеристики большинства транзисторов в этом списке немного отличаются, поэтому при замене транзисторов 13003 нам необходимо проверить и проверить спецификации для более безопасный исход.

13003 vs 13007 vs 5302D vs BUW85

Перечисленные ниже модели транзисторов практически идентичны и могут быть заменены транзисторами 13003.

В этой таблице мы пытаемся сравнить электрические характеристики каждого 13003 с 13007 и 5302D с BUW85.

Характеристики	13003	13007	5302D	BUW85
Напряжение между коллектором и базой (VCB)	700 В	700 В	800 В	800 В
Напряжение между коллектором и эмиттером (VCE)	400 В	400 В	400 В	400 В
Напряжение между эмиттером и базой (VEB)	9 В	9 В	10 В	1 В
Ток коллектора (IC)	1,5 А	8 А	1 А	2 А
Рассеиваемая мощность	1,4 Вт	80 Вт	1 Вт	50 Вт
Температура перехода (TJ)	150°C	150°C	150°C	150°C
Частота перехода (FT)	10 МГц	14 МГц	–	20 МГц
Шум (Н)	–	–	–	–
Коэффициент усиления (hFE)	8 до 40hFE	5 ДО 40hFE	от 5 до 40hFE	от 15 до 100Hfe
Пакет	ТО-225,ТО-126	ТО-225	ТО-92,ТО-251,ТО-252	ТО-225

Транзистор MJE13003 использует

• Схема сверхбыстрого переключения
• Цепи инвертора
• Цепи ИБП
• Цепи ИИП
• Цепи зарядного устройства
• Цепь усилителя звука
• Контроллер двигателя, цепь
• Цепи регулятора.

Транзисторный инвертор MJE13003 Транзисторный инвертор 13003

На рисунке показана схема основного приложения с использованием 13003 транзисторов, это простая модель схемы инвертора.

Схема из двух транзисторов 13003 подключена к повышающему трансформатору, мы знаем, что 13003 это быстродействующий транзистор.

Когда сигнал постоянного тока проходит в сеть инвертора, операция быстрого переключения превращает его в сигнал переменного тока.

Затем, после подачи переменного тока низкого напряжения в повышающий трансформатор, он увеличивает диапазон напряжения до более высокого уровня.

MJE13003 схема транзисторного усилителя 13003 схема транзисторного усилителя

На рисунке показана схема усилителя на 13003 транзисторах, это простая схема усилителя.

Транзистор предварительного усилителя обрабатывает входной аудиосигнал, усиливает его до уровня и передает на второй каскад.

Оба усилителя на транзисторах делают сигнал усиленным на выходе, а транзисторы 13003 в качестве усилителя не являются обычным явлением.

Похожие сообщения

Транзистор

Техническое описание транзистора

2N3053: аналог, распиновка, спецификация

Byadharsh 25 июня 2022 г. 25 июня 2022 г.

Транзистор 2N3053 Транзистор 2N3053 Электрические характеристики 2N3053 — силовой транзистор NPN общего назначения. Напряжение между коллектором и эмиттером составляет 40 В. Напряжение между коллектором и базой составляет 60 В. Напряжение между эмиттером и базой составляет…

Подробнее Техническое описание транзистора 2N3053: эквивалент, распиновка, спецификацияПродолжить

Транзистор

bc547 Транзистор: спецификация, распиновка, условное обозначение, эквивалент и спецификация

Byadharsh 9 августа 2021 г. 2 ноября 2022 г.

Транзистор

bc547 Спецификация BC547 Транзистор NPN BJT Диапазон коэффициента усиления по постоянному току составляет от 110 до 800 hFE Ток коллектора (IC) составляет 100 мА. Напряжение между эмиттером и базой (VBE) составляет 6 В. Подробнее Транзистор bc547: спецификация, распиновка, символ, эквивалент и техническое описаниеПродолжить

Транзистор

Транзистор C1970: аналог, распиновка, применение, техническое описание

Byadharsh 12 апреля 2023 г.

Транзистор C1970 Спецификация транзистора C1970 C1970 — кремниевый силовой транзистор NPN Напряжение между коллектором и эмиттером составляет 17 В Напряжение между коллектором и базой составляет 40 В Напряжение между эмиттером и базой составляет 4 В…

Подробнее Транзистор C1970: эквивалент, распиновка, использование, техническое описаниеПродолжить

Транзистор

Транзистор

NTE123AP: эквивалент, спецификация выводов, техническое описание

Byadharsh 2 ноября 2022 г.

NTE123AP Транзистор NPN NTE123AP Транзистор NTE123AP Электрические характеристики NTE123AP — кремниевый транзистор BJT NPN Напряжение между коллектором и эмиттером составляет 40 В Напряжение между коллектором и базой составляет 60 В Напряжение между эмиттером и базой…

Подробнее Транзистор NTE123AP: аналог, распиновка, техническое описаниеПродолжить

Транзистор

Транзистор

2N4403: эквивалент, распиновка, применение, спецификация, техническое описание

Byadharsh 7 мая 2022 г.

Транзистор 2N4403 Транзистор 2N4403 Электрические характеристики 2N4403 представляет собой транзистор общего назначения PNP Напряжение между коллектором и эмиттером составляет 40 В Напряжение между коллектором и базой составляет 40 В Напряжение между эмиттером и базой составляет…

Подробнее Транзистор 2N4403: эквивалент, распиновка, применение, спецификация, техническое описаниеПродолжить

Транзистор

эквивалент транзистора 2SC945, распиновка, упаковка, спецификация

Byadharsh 26 февраля 2022 г.

Спецификация транзистора 2SC945 2SC945 – Усилитель высокой частоты транзисторного типа NPN Напряжение между коллектором и эмиттером составляет 40 В Напряжение между коллектором и базой составляет 50 В Напряжение между эмиттером и базой составляет 5 В Ток коллектора…

Подробнее Аналог транзистора 2SC945, распиновка, корпус, техническое описаниеПродолжить

Купить 13003 Высоковольтный NPN-транзистор, упаковка из 20 шт.