Универсальный внешний накопитель для всех iOS-устройств, совместим с PC/Mac, Android
Header Banner
8 800 100 5771 | +7 495 540 4266
c 9:00 до 24:00 пн-пт | c 10:00 до 18:00 сб
0 Comments

Содержание

Транзисторы MJE13001(13001)и MJE13003(13003)- маркировка, цоколевка, основные параметры.

Транзисторы MJE13003 и 13003

Транзисторы MJE13003 и 13003 кремниевые мощные низкочастотные высоковольтные, структуры n-p-n, Как и 13001 производятся в странах ЮВА, применяются в импульсных блоках питания, зарядных устройствах для различных мобильных телефонов и планшетов.
Выпускаются в самых различных корпусах, обратите внимание на имеющиеся отличия в порядке расположения выводов(цоколевке) а так же - мощности рассеивания.

Маркировка буквенно - цифровая, на корпусе. На рисунке ниже - цоколевка 13003 с различными корпусами.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока - от 8 до 40, в зависимости от буквы
У MJE13003A - от 8 до 12.
У MJE13003B - от 12 до 18.
У MJE13003C - от 18 до 27.

У MJE13003D - от 27 до 40.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер - 400 В.

Максимальный ток коллектора - постоянный 1,5 А, пульсирующий - 3 А.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 1 А, базы 0,25 А - 1в.

Напряжение насыщения база-эмиттерпри токе коллектора 1 А, базы 0,25 А - - не выше 1,2в.

Рассеиваемая мощность коллектора:
В корпусе TO-126 - 1.4 ватт,
TO-220 - 50 ватт(с радиатором),
TO-252 и TO-251 - 25 ватт(с радиатором),
TO-92 и TO-92L - 1,1 ватт.

Граничная частота передачи тока - 4 МГц.

Схема "зарядки" для телефона.

R1 - 1 Ом, 1Ватт.
R2 - 20 кОм.
R3 - 680 кОм.
R4 - 100 кОм.
R5 - 43 Ом.
R6 - 5,1 Ом.
R7 - 33 Ом.
R8 - 1 кОм.
R9 - 1,5 кОм.
C1 - 22 мФ,25в(оксидный).
C2 - 1 нФ, 400в.
C3 - 3,3 нФ, 1000в.
C4 - 2,2 мФ,400в(оксидный).
C5 - 100 мФ,25в(оксидный).
VD1 - стабилитрон 5,6в.
VD2,VD3 - диод 1N407.
VD4 - диод 1N4937.
VD5 - индикаторный светодиод.
Транзистор - MJE13001(13001), MJE13003(13003), самый надежный вариант - MJE13005(13005).

На главную страницу

13003 Транзистор характеристики и его российские аналоги

В данном тексте вы узнаете все характеристики мощного силового 13003 (mje13003) транзистора с кремниевой NPN-структуры, высокой скоростью переключений и низкой полосой пропускания. Наиболее известен с обозначением mje13003, так как с этим префиксом он был когда то представлен миру компанией Motorola. В настоящее время его прототип наиболее широко применяется в бытовой электронике, особенно в режиме переключений SWITCHMODE. Позиционируются для коммутации от 115 до 229 вольт в различных схемах отклонения электронного луча, инверторов, регуляторах, а так же драйверов электромагнитных реле.

Распиновка

Цоколевка 13003 у большинства производителей выполняется в пластиковым корпусом ТО-126. У компании STMicroelectronics (STM) этот корпус называется SOT-32. Фирменный MJE13003 у компании Motorola имел пластиковый корпус — ТО-225A. Это тот же, немного улучшенный ТО-126, согласно системы стандартизации полупроводниковых приборов Jedec. Три гибких вывода из корпуса ТО-126, если смотреть на маркировку, имеют следующее назначение: самый левый контакт – база; посередине – коллектор; крайний справа – эмиттер.

В статье рассмотрено назначение выводов, встречающееся у большинства производителей, однако бывает и другая – нетипичная распиновка 13003 в ТО-126. У той же STM, если смотреть на прибор как описано выше, эмиттер будет слева, база справа, а коллектор посередине. Аналогичная цоколевка у KSE13003 (Fairchild Semiconductor). Очень редко, но встречаются приборы в корпусе ТО-220. Для наглядности просмотрите рисунок с цоколевкой от разных компаний.

Основные технические характеристики

13003 – это высоковольтный силовой транзистор, прежде всего спроектированный для работы с большими токами и пропускаемым напряжением между коллектором и базой. Высокая скорость переключений и низким временем задержки включения/выключения позволяет использовать его преимущественно в импульсных схемах с индуктивной нагрузкой.

Предельные режимы эксплуатации

13003 рассчитан на работу с большими напряжениями и токами. Так, заявленные производителями максимально допустимые характеристики постоянного рабочего напряжения достигают (VCEO) 400 вольт, а порогового (VCEV) 700 вольт. Номинальное значение постоянного коллекторного тока коллектора (IC) 1. 5 A, а импульсного пиковое (ICM), как у большинства силовых транзисторов, в два раза больше 3 A. Максимальная мощность рассеивания, при этом, не должна превышать 40 Ватт.

Предельные значения для пикового тока измерены при длительности импульса в 5 мс и величине обратной скважности не более 10%.

Электрические характеристики

Следует учесть, что для расчета возможности применения 13003 в своих схемах, величины предельных режимов эксплуатации обычно уменьшают на 25-30%. Это связано с тем, что они рассчитаны на работу прибора при температуре Тс=25°С. Рабочая же температура устройства будет значительно выше. Зная это, производители в электрических характеристиках на 13003, указывают параметры его использования не только при температуре Тс=25°С.

Как мы видим, в таблице электрических параметров 13003, величины напряжений насыщения и времени переключения приведены и для температуры 100 градусов. Если внимательно присмотреться, то можно увидеть, что эти значения указаны при максимальном токе коллектора IC не превышающем 1 A. А это в 1.5 раза (на 33%) меньше, приведенного значения в предельно допустимых параметрах.

Режима работы в SOA

Очень важной характеристикой для переключающего транзистора является параметры, относящиеся к область безопасной работы (Safe operating area (SOA). Они в даташит показаны в виде графиков активного (безопасного) режима работы в SOA (FBSOA) и выключения (RBSOA).

Режим FBSOA

На графике активного режима работы для mje13003 видно, что постоянный ток коллектора в 1 А допустим только при напряжении около 30 В, что не превышает номинальной мощности 30 Вт (при предельной мощности устройства в 40 Вт). При импульсном токе активная область расширяется. Например при импульсном токе в 3 A, в течении 100 мкс, допустимо напряжение около 150 В. Как видно из графика, при увеличении напряжения, величина используемого тока коллектора уменьшается. Область возможного вторичного пробоя указывается в правой части графика.

Выглядит это конечно замечательно, но стоит внести в эту идиллию ложку дёгтя. Как принято, безопасный режим работы рассчитывается производителями при температуре перехода до 25 градусов. В реальности нельзя поддерживать такую температуру у работающего полупроводникового прибора, так как при её увеличении мощность устройства падает. А при увеличении температуры до предельных 150 °С доходит до 0 Вт. В связи с этим радиолюбители стараются разными способами уменьшить нагрев корпуса, оснащая устройства радиаторами, добиваясь при этом средних рабочих температур.

Режим RBSOA

В справочнике на 13003 (рисунке 12), приводится график работы в режиме выключения — RBSOA. На графике показана область устойчивой работы транзистора при выключении и обратном смещении на переходе эмиттер-база VBE(off), при этом ток коллектора продолжает течь. Если на базе напряжение нулевое, то область RBSOA значительно меньше.

В схемах с импульсными источниками питания, для уменьшения проблем связанных с запиранием транзистора в момент его выключения, чаще всего используют обратное смещение базы.

Комплементарная пара

Комплементарной пары у mje13003 нет, учитывайте это при выборе компонента для своих схем или при замене вышедшего из строя устройства.

Маркировка

Маркируется на корпусе цифрами “13003”, указывающими на серийный номер устройства по системе JEDEC. Префикс MJE, в начале указывает на происхождение устройства у именитого брэнда — компании Motorola. В настоящее время префикс mje в обозначении своей продукции добавляют и другие производители радиоэлектронного оборудования. Так что, не удивительно встретить транзистор с таким префиксом от другого компании.

Также, вместо MJE, но с другими буквами в названиях, могут встречается похожие устройства: ST13003 SOT-32 (ST Microelectronics), FJP13003, KSE 13003 (Fairchild). В последнее время стали встречается копии устройств от китайских компаний с такой маркировкой на корпусе: 13003d, 13003br, j13003, e13003. В большинстве случаев у приборов с буквой “d” в конце есть встроенный защитный диод, а у остальных меньшая мощность до 25 Вт.

Замена и эквиваленты

Замену для 13003 можно подобрать из его ближайших аналогов ST13003, KSE13003, HMJE13003. Можно попробовать транзисторы из той же серии но, с более высокими характеристиками: mje13005, mje13007, mje13008, mje13009. В некоторых схемах может подойти BUJ101, 2SC4917 или PHD13003 с встроенным защитным диодом. Очень часто в качестве замены подходит его белорусский аналог от завода “Интеграл” — кт8170А1.

И напоследок интересное видео о сборке навесным монтажом простого аудиоусилителя.

Производители

Вот список основных производителей устройства, кликнув мышкой по наименованию компании можно скачать её DataSheet.

Транзисторы 13001 13003 13005 13007 13009

Транзисторы 13001 13003 13005 13007 13009 — это биполярные n-p-n транзисторы широко распространенные в импортных бытовых приборах (люмининсцентные энергосберегающие лампы, зарядные устройства и блоки питания от мощных компьютерных до маломощных бытовых).

Серия транзисторов MJE13001 — MJE13009 биполярные высоковольтные с N-P-N проводимостью специально разработана для использования в импульсной технике. Они характеризуются высоким напряжением и повышенным быстродействием.

Транзистор 13003 — аналог, datasheet, цоколевка, параметры, замена

Транзистор 13003 имеет множество имён, которые зависят от фирмы производителя. Под транзистором 13003 скрываются имена wg2gf 13003, wg 2 gf 13003, wg2 13003, alj 13003 и оригинальное название mje 13003 или MJE13003

Транзистор 13001 Цоколевка

В зависимости от фирмы-производителя цоколевка транзистора может отличаться от приведенной. Указанная распиновка соответствует транзисторам «Motorola Inc»

параметры биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13001

Absolute Maximum Ratings TC=25°C TO-92

Collector-Base Voltage V CBO 500 V

Collector-Emitter Voltage V CEO 400 V

Emitter- Base Voltage V EBO 9 V

Collector Current I C 0. 3 A

Total Power Dissipation P C 7 W

Junction Temperature Tj 150 °C

Storage Temperature Tstg -65-150 °C

параметры биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13009

Pc max Ucb max Uce max Ueb max Ic max Tj max, °C Ft max Cc tip Hfe
100W 700V 400V 9V 12A 150°C 160 8/40

Транзистор 13005 Цоколевка

Аналоги импортных транзисторов серии 13001, 13003, 13005, 13007, 13009

Профилактика и ремонт китайских настольных энергосберегалок

Автор: Antares
Опубликовано 11.04.2013
Создано при помощи КотоРед.

Мяу, товарищи!) Всем доброго времени суток!) Это – первая моя статья, поэтому прошу больно не бить.) Сегодня я расскажу Вам, какие неприятности может принести китайская экономия Вашей настольной лампе, как их ликвидировать и предотвратить.

В общем, история такова. Подарили мне как-то на день рождения настольную лампу. С люминесцентной лампочкой!) Счастья было полный лоток!) Радовался я ей, радовался, да не долго… Проработала она у меня с пол-года, а потом я выдернул из той же розетки, куда была включена эта лампа, советскую лампу дневного света с дроссельно-стартерным пуском… Из настольной лампы раздался звук выстрелившего пистона, лампочка погасла, и по комнате пополз запах радио.((( Я так понял, что причиной стал выброс напряжения из-за резкого отключения индуктивной нагрузки (советской лампы). Вскрытие пациента показало стандартную китайскую халтуру: тёмный припой, остатки активного флюса на плате, и… Полное отсутствие каких-либо фильтров и защит на входе 220 платы. Мало того, что такая кончина этой лампы была неизбежна, так ещё она неплохо какала в сеть помеху во время работы (да, забыл сказать, что в лампе используется импульсный ЭПРА по стандартной схеме двухтактного автогенератора). После обследования пациента с помощью мультиметра, выяснилось, что сгорели оба транзистора автогенератора (их разорвало на части) и четыре резистора (стояли в базовой и коллекторной цепях сгоревших транзисторов). К сожалению, я не сфотографировал платы со взорванными транзисторами, все фотки сделаны уже после ремонта.

Вот, собственно, пациент)

А вот и коробка, в которой он продавался. Если у Вас такой – настоятельно рекомендую взглянуть на плату ЭПРА. Возможно, там тоже нет никаких защит.

Плата. Вид сверху.

Итак, ЭПРА лампы сгорел. Что делать?

Покупать новую лампу я не собирался, благо у меня лежит куча рабочих пускателей от дохлых энергосберегалок, а схемы ЭПРА у них и пациента практически совпадают. Поэтому можно просто заменить горелые компоненты с одной платы на такие же с другой. Главное – проверить мультиметром исправность компонентов-доноров, иначе бабах может повториться). Замена компонентов занимает от силы 10 минут. В моём случае немного различаются номиналы резисторов (так я поставил 1 Ом вместо 1,2 Ом в эмиттерные цепи транзисторов и 10 Ом вместо 12 Ом – в базовые), но это вполне терпимо. А вот с транзисторами может получиться небольшая пакость. Дело в том, что у разных транзисторов может различаться цоколёвка. Так, у родных транзисторов 13001 цоколёвка была БКЭ, а у доноров 13002 цоколёвка уже ЭКБ, хотя оба выпускаются в одинаковых корпусах ТО-92. Называется, повернись избушка… Этот момент нужно учесть при замене транзисторов, иначе, в лучшем случае, генератор может не запуститься.

При замене транзисторов я бы рекомендовал не изобретать велосипед и ставить транзисторы серий 13001-13007, т.к. они специально разработаны для таких преобразователей, и их легко достать. Если таковых транзисторов у Вас нет – открываем даташит на родные транзисторы и смотрим максимальные напряжение коллектор-эмиттер, напряжение база-эмиттер, ток коллектора и коэффициент передачи тока h31. В моём случае Uke = 400V, Ube = 9V, Ik = 300mA, h31 = 8. Подбираем транзисторы-доноры по параметрам так, чтобы они были не хуже родных. Да, с составными транзисторами эта схема скорее всего не запустится, т.к. не хватит напряжения, даваемого коммутирущим трансформатором, для их открывания. И ещё, при замене транзисторов всегда меняем пару, а не один транзистор, даже если второй подаёт признаки жизни, причём транзисторы-доноры тоже должны быть из одного полумоста. В противном случае можно получить перекос напряжения на выходе преобразователя и нестабильную работу лампы.

Итак, горелые детали заменили на исправные, включаем первый раз лампу в сеть последовательно с лампочкой накаливания на 60 Вт. Лампочка в пациенте должна зажечься, а 60-ваттная лампа – максимум моргнуть при старте. Если лампа так и не заработала – продолжаем искать неисправные компоненты и ещё раз проверяем цоколёвку транзисторов. В первую очередь проверяем все полупроводниковые компоненты (диоды и транзисторы). Также часто пробиваются высоковольтные конденсаторы, подключаемые к лампочке. Для прозвонки нужно выпаивать компонент, т.к. низкоомные резисторы и обмотки трансформатора могут шунтировать цепи.Причём проверка мультиметром при низком напряжении показывает, что конденсатор исправен. В этом случае помогает проверка заменой. Также не забываем проверить целостность лампочки пациента и её нитей накала.

Лампа (снова) работает! Как избежать проблем в будущем?

Ну вот, лампу мы-то отремонтировали, но надолго ли? Если у Вас нет на входе защит и фильтров (как у меня), то ближайший всплеск напряжения в сети снова поджарит транзисторы в преобразователе. Причём, не обязательно выдёргивать советскую лампу из соседнего гнезда одной розетки – такой импульс даст отключение от сети любого более-менее мощного трансформатора. Поэтому я настоятельно рекомендую всем владельцам ламп без защит поставить таковую в лампу, тем более что собрать её можно из платы любой более-менее нормальной платы ЭПРА от энергосберегалки, а места в лампе-пациенте для фильтра достаточно. Итак, смотрим схему:

Конденсаторы C1, C2 (47 нФ * 400В) и дроссель L1 берутся из платы ЭПРА энергосберегалки (находятся возле входа 220В). Они образуют двусторонний П-образный ФНЧ, задача которого – не пропускать высокочастотные помехи от автогенератора в сеть и обратно.1)) = 430В.

Предохранитель F1 – выводной, от сгоревшей энергосберегалки. Обозначения на нём не было, но точно больше 0,5А, т.к. полуамперный предохранитель сгорел на втором пуске, хотя суммарная ёмкость фильтрующих конденсаторов 1,65 мкФ.

Всё это хозяйство можно смонтировать на небольшую плату, но, т.к. деталей в фильтре мало, я собрал его навесным монтажом и закрутил изолентой. В любом случае, нужно надёжно заизолировать все токоведущие части друг от друга и от окружающей среды, что избежать замыканий между компонентами фильтра и платой преобразователя. Полученный "кокон" укладываем в корпус преобразователя, находящийся в основании лампы, благо места там предостаточно. Я пытался приклеить его к стенке корпуса "моментом", но пластик пациента это клей не взял.(

Фильтр в изоленте

Вот на этом всё.) Разрешите откланяться. Да, не забывайте, что в данной схеме мы имеем дело с сетевым напряжением, что вполне себе смертельно опасно. Поэтому не забываем ВЫКЛЮЧАТЬ ЛАМПУ ИЗ РОЗЕТКИ, прежде чем что-то делать.

Транзистор MJE13003 — DataSheet

Кремниевый n-p-n эпитаксиальный планарный транзистор для импульсных источников питания и схем управления моторами и реле

Особенности

  • Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
  • Аналоги : BUJ101
Корпус TO-225AA
Вывод Назначение

Цоколевка транзистора MJE13003

1 База
2 Коллектор
3 Эмиттер
Корпус Коллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Обозначение Параметр Условия Мин. Тип. Макс. Ед. изм.
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер 400 В
Vebo Напряжение эмиттер-база 9 В
Ic Ток коллектора постоянный 1.5 А
Ib Ток базы 0.75 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С 20 Вт
Iebo Обратный ток эмиттера Veb = 9 В, Ic = 0 А 1 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ Vce = 2 В, Ic = 0.5 А 8 40
Vce = 2 В, Ic = 1 А 5 25
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 0.5 А, Ib = 0.1 А 0.5 В
Ic = 1 А, Ib = 0.25 А 1 В
Ic = 1.5 А, Ib = 0.5 А 3 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 0.5 А, Ib = 0.1 А 1 В
Ic = 1 А, Ib = 0.25 А 1.2 В
Купит MJE13003

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

13003 транзистор

13003 транзистор datasheet маркировка параметры характеристики цоколевка распиновка

 

 

Electronic component: Описание: Произв. Т°min Т°max Выводы Корпус Datasheet
CJD13003 NPN silicon power transistor distributor -65°C 150°C 4 DPAK 682 K
GC70BN9513003F Bar clamp for hockey punks distributor 241 K
GC70BN9513003FS Bar clamp for hockey punks distributor 241 K
GC70BR9513003FS Bar clamp for hockey punks distributor 241 K
MJE13003 400V switchmode series NPN power transistor distributor -65°C 150°C 3 182 K
MJE13003 NPN silicon power transistor Motorola -65°C 150°C 3 304 K
MJE13003 SWITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistors ON-Semiconductor 3 304 K
MJE13003 NPN silicon transistor. V(BR)cbo=700V, V(BR)ceo=400V, V(BR)ebo=9V Wing-Shing-Electronic-Co—-manufacturer-of-power-semiconductors 3 27 K
PHE13003AU Silicon Diffused Power Transistor Philips-Semiconductors SOT533 49 K
ST13003 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR SGS-Thomson-Microelectronics 71 K
GC70BR9513003F Bar clamp for hockey punks distributor 241 K
GC70SN9513003F Bar clamp for hockey punks distributor 241 K
GC70SN9513003FS Bar clamp for hockey punks distributor 241 K
GC70SR7013003F Bar clamp for hockey punks distributor 241 K
GC70SR7013003FS Bar clamp for hockey punks distributor 241 K
GC70SR9513003F Bar clamp for hockey punks distributor 241 K
GC70SR9513003FS Bar clamp for hockey punks distributor 241 K
HI13003 Emitter to base voltage:9V 1.5A NPN epitaxial planar transistor for high-voltage, high-speed power switching inductive circuit where fall time is critical distributor 3 34 K
HMJE13003 Emitter to base voltage:9V; 1.5A NPN epitaxial planar transistor distributor 3 38 K
R7013003XXUA 3000V, 300A general purpose single diode distributor 646 K
FJN13003 NPN Silicon Transistor Planar Silicon Transistor Fairchild-Semiconductor 49 K
HMJE13003D Emitter to base voltage:9V; 1.5A NPN epitaxial planar transistor distributor 3 44 K
HMJE13003T Emitter to base voltage:8V; 1A NPN epitaxial planar transistor for high voltage distributor 3 38 K
KSE13003 NPN Silicon Transistor Fairchild-Semiconductor 48 K
KSE13003T NPN Silicon Transistor Fairchild-Semiconductor 47 K
MJE13003 Switching Transistor Korea-Electronics-Co—Ltd- 394 K
PJ13003CK Emitter base voltage:9V; base current:0.75Amp; NPN epitaxial silicon transistor distributor -20°C 85°C 3 153 K
PJ13003CT Emitter base voltage:9V; base current:0.75Amp; NPN epitaxial silicon transistor distributor -20°C 85°C 3 153 K
STD13003 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR SGS-Thomson-Microelectronics 263 K
STK13003 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR SGS-Thomson-Microelectronics 217 K
STX13003 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR SGS-Thomson-Microelectronics 236 K

13003 Транзистор характеристики и его российские аналоги

Каталог Радиотех: MJE13003(TO-220) – Мощные транзисторы – Транзисторы – Электронные компоненты – электронные компоненты оптом и в розницу.

Распиновка

Цоколевка 13003 у большинства производителей выполняется в пластиковым корпусом ТО-126. У компании STMicroelectronics (STM) этот корпус называется SOT-32. Фирменный MJE13003 у компании Motorola имел пластиковый корпус — ТО-225A. Это тот же, немного улучшенный ТО-126, согласно системы стандартизации полупроводниковых приборов Jedec. Три гибких вывода из корпуса ТО-126, если смотреть на маркировку, имеют следующее назначение: самый левый контакт – база; посередине – коллектор; крайний справа – эмиттер.

В статье рассмотрено назначение выводов, встречающееся у большинства производителей, однако бывает и другая – нетипичная распиновка 13003 в ТО-126. У той же STM, если смотреть на прибор как описано выше, эмиттер будет слева, база справа, а коллектор посередине. Аналогичная цоколевка у KSE13003 (Fairchild Semiconductor). Очень редко, но встречаются приборы в корпусе ТО-220. Для наглядности просмотрите рисунок с цоколевкой от разных компаний.

Транзисторы MJE13001 и 13001

Транзисторы кремниевые структуры n-p-n, высоковольтные усилительные. Производство транзисторов 13001 локализовано в странах Юго-восточной Азии и в Индии. Применяются в маломощных импульсных блоках питания, зарядных устройствах для различных мобильных телефонов, планшетов и т. п.

Внимание! При близких(почти идеинтичных) общих параметрах у разных производителей транзисторы 13001 могут отличаться по расположению выводов.

Выпускаются в пластмассовых корпусах TO-92, с гибкими выводами и TO-126 с жесткими. Тип прибора указывается на корпусе.
На рисунке ниже – цоколевка MJE13001 и 13001 разных производителей, с разными корпусами.

Коэффициент передачи тока у 13001 может быть от 10 до 70, в зависимости от буквы.
У MJE13001A – от 10 до 15.
У MJE13001B – от 15 до 20.
У MJE13001C – от 20 до 25.
У MJE13001D – от 25 до 30.
У MJE13001E – от 30 до 35.
У MJE13001F – от 35 до 40.
У MJE13001G – от 40 до 45.
У MJE13001H – от 45 до 50.
У MJE13001I – от 50 до 55.
У MJE13001J – от 55 до 60.
У MJE13001K – от 60 до 65.
У MJE13001L – от 65 до 70.

Граничная частота передачи тока 8МГц.

Максимальное напряжение коллектор – эмиттер 400 в.

Максимальный ток коллектора(постоянный) 200 мА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 50мА, базы 10мА – 0,5в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 50мА, базы 10мА – не выше 1,2в.

Рассеиваемая мощность коллектора – в корпусе TO-92 – 0.75 Вт, в корпусе TO-126 – 1.2 Вт без радиатора.

Под заказ со склада поставщика

Товар отгружается только
по предварительному заказу
по электронной почте

Формирование заказа в течение 24 часов

Основные технические характеристики

13003 – это высоковольтный силовой транзистор, прежде всего спроектированный для работы с большими токами и пропускаемым напряжением между коллектором и базой. Высокая скорость переключений и низким временем задержки включения/выключения позволяет использовать его преимущественно в импульсных схемах с индуктивной нагрузкой.

Предельные режимы эксплуатации

13003 рассчитан на работу с большими напряжениями и токами. Так, заявленные производителями максимально допустимые характеристики постоянного рабочего напряжения достигают (VCEO) 400 вольт, а порогового (VCEV) 700 вольт. Номинальное значение постоянного коллекторного тока коллектора (IC) 1.5 A, а импульсного пиковое (ICM), как у большинства силовых транзисторов, в два раза больше 3 A. Максимальная мощность рассеивания, при этом, не должна превышать 40 Ватт.

Предельные значения для пикового тока измерены при длительности импульса в 5 мс и величине обратной скважности не более 10%.

Электрические характеристики

Следует учесть, что для расчета возможности применения 13003 в своих схемах, величины предельных режимов эксплуатации обычно уменьшают на 25-30%. Это связано с тем, что они рассчитаны на работу прибора при температуре Тс=25°С. Рабочая же температура устройства будет значительно выше. Зная это, производители в электрических характеристиках на 13003, указывают параметры его использования не только при температуре Тс=25°С.

Как мы видим, в таблице электрических параметров 13003, величины напряжений насыщения и времени переключения приведены и для температуры 100 градусов. Если внимательно присмотреться, то можно увидеть, что эти значения указаны при максимальном токе коллектора IC не превышающем 1 A. А это в 1.5 раза (на 33%) меньше, приведенного значения в предельно допустимых параметрах.

Комплементарная пара

Комплементарной пары  у mje13003 нет, учитывайте это при выборе компонента для своих схем или при замене вышедшего из строя устройства.

Смотрите также:

Обозначение транзисторов на схеме
Проверка транзисторов мультиметром
Импортные биполярные транзисторыСправочникГлавная

Параметры

Основные технические параметры 13001 (при температуре окружающей среды +25 °C) следующие:

  • принцип действия – биполярный;
  • корпус ТО-92 или SOT-23;
  • материал корпуса – пластик;
  • материал – монокристаллический кремний;

электрические (для устройства в корпусе ТО-92):

электрические (для устройств в корпусе SOT-23):

Схема “зарядки” для телефона.

R1 – 1 Ом, 1Ватт.
R2 – 20 кОм.
R3 – 680 кОм.
R4 – 100 кОм.
R5 – 43 Ом.
R6 – 5,1 Ом.
R7 – 33 Ом.
R8 – 1 кОм.
R9 – 1,5 кОм.
C1 – 22 мФ,25в(оксидный).
C2 – 1 нФ, 400в.
C3 – 3,3 нФ, 1000в.
C4 – 2,2 мФ,400в(оксидный).
C5 – 100 мФ,25в(оксидный).
VD1 – стабилитрон 5,6в.
VD2,VD3 – диод 1N407.
VD4 – диод 1N4937.
VD5 – индикаторный светодиод.
Транзистор – MJE13001(13001), MJE13003(13003), самый надежный вариант – MJE13005(13005).

На главную страницу
В начало

Использование каких – либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт “Электрика это просто”.

Производители

Вот список основных производителей устройства, кликнув мышкой по наименованию компании можно скачать её DataSheet.

  • Motorola Semiconductor;
  • KEC Semiconductor;
  • Unisonic Technologies (UTS).

Использование

Транзистор 13001 самые маломощные в линейке 13000. Его используют там, где не нужны высокие токи. Например в пускорегулирующих устройствах для люминисцентных ламп малой мощности и во многом другом.

Интересный факт что транзистор 13001 ставят в лягушки (зарядное устройства) в который из за сильного нагревания он часто выходит из строя.

Можно попробовать сделать усилитель низкой частоты своими руками.

( 1 оценка, среднее 5 из 5 )

Транзистор 13003 — аналог datasheet цоколевка параметры замена anod-masterru

Транзистор 13003 имеет огромное количество имён, которые зависят от компании производителя. Под транзистором 13003 скрываются имена wg2gf 13003, wg 2 gf 13003, wg2 13003, alj 13003 и оригинальное заглавие mje 13003 либо MJE13003. Транзистор 13003 имеет аналоги как из собственной серии 13001, 13003, 13005, 13007 так и российских разработок. При подмене из собственной серии подходят аналог транзистора 13003: 13005 либо 13007, они больше по мощности и неким характеристикам, будут работать с «припасом».

Биполярный транзистор 13003 мощнейший и высоковольтный, NPN, ввезенного производства с корпусом TO-126 имеет высокую скорость переключения. Область внедрения привезенных из других стран транзисторов серии mje13003 достаточно широка в привезенных из других стран бытовых электроприборах. В главном это энергосберегающие лампочки, зарядные устройства, регуляторы освещения и лампы дневного света. Замена 13003 на российские транзисторы согласно таблице аналогов.

Российские аналоги транзистора 13003 и подмена

аналог 13003 транзистора

российский

оригинальное заглавие транзистор 13003

Uкэ, В

Iк, А

h31

Uнас, В

tрас, мкс

[fгр, МГц]

корпус,

цоколевка 13003

аналог

КТ8137А

NJE13003

400

1.5

50

1.0

0.4

КТ27

КТ8170А1

MJE13003

400

1.5

40

1.0

[0.004]

КТ27

КТ8175А

MJE13003

700

1.5

40

0.4

КТ27

КТ8203А

MJE13003

400

1.5

25

0.7

КТ27

Главные характеристики транзистора 13003, представлены о таблице.

оригинальное заглавие транзистор

mje 13003 n-p-n

Uкэ, В

Iк, А

h31э

Pк макс, Вт

tраб, макс

МГц

корпус,

цоколевка транзистор 13003

NJE13003

400

1.5

4-10

40

4

TO-126 либо ТO-220 (бкэ)

Цоколевка транзистора 13003 вероятна в 2-ух вариантах: TO-126 и намного реже TO-220AB, возможно этот транзистор 13003 выдерживает огромные нагрузки.

Практически у всех транзисторов 13003 цоколевка бывает ЭКБ — MJE 13003, но у китайских может встречаться и БКЭ, отличительной особенностью этого варианта цоколевки транзистора 13003 является отсутствие буковкы после 13003.

Некие принимают транзистор 3DD13003E6D за mje 13003, но это далековато не так. Китайский транзистор 3DD13003E6D является составным транзистором Дарлингтона с интегрированным диодиком и не является аналогом 13003 mje.

Уникальный транзистор 13003 datasheet с параметрами транзистора представлен ниже.

13003 транзистор схема включения

Транзистор 13003 имеет множество имён, которые зависят от фирмы производителя. Под транзистором 13003 скрываются имена wg2gf 13003, wg 2 gf 13003, wg2 13003, alj 13003 и оригинальное название mje 13003 или MJE13003. Транзистор 13003 имеет аналоги как из своей серии 13001, 13003, 13005, 13007 так и отечественных разработок. При замене из своей серии подойдут аналог транзистора 13003: 13005 или 13007, они больше по мощности и некоторым параметрам, будут работать с «запасом».

Биполярный транзистор 13003 мощный и высоковольтный, NPN, импортного производства с корпусом TO-126 имеет высокую скорость переключения. Область применения импортных транзисторов серии mje13003 довольно широка в импортных бытовых электроприборах. В основном это энергосберегающие лампочки, зарядные устройства, регуляторы освещения и лампы дневного света. Замена 13003 на отечественные транзисторы согласно таблице аналогов.

Отечественные аналоги транзистора 13003 и замена

аналог 13003 транзистора

отечественный

оригинальное название транзистор 13003

Uкэ, В

Uнас, В

tрас, мкс
[fгр, МГц]

корпус,

цоколевка 13003

аналог

Основные параметры транзистора 13003, представлены о таблице.

Цоколевка транзистора 13003 возможна в двух вариантах: TO-126 и намного реже TO-220AB, вероятно этот транзистор 13003 выдерживает большие нагрузки.

У большинства транзисторов 13003 цоколевка бывает ЭКБ — MJE 13003, но у китайских может встречаться и БКЭ, отличительной особенностью этого варианта цоколевки транзистора 13003 является отсутствие буквы после 13003.

Некоторые принимают транзистор 3DD13003E6D за mje 13003, но это далеко не так. Китайский транзистор 3DD13003E6D является составным транзистором Дарлингтона с встроенным диодом и не является аналогом 13003 mje.

Оригинальный транзистор 13003 datasheet с параметрами транзистора представлен ниже.

13003 / MJE13003 Распиновка транзистора, эквивалент, применение, технические характеристики и другие сведения

Сегодня мы собираемся обсудить распиновку транзистора 13003 / MJE13003, эквивалент, использование, характеристики и другие подробности об этом транзисторе. Если вы ищете высоковольтный транзистор для вашей конструкции с высокой скоростью переключения, то 13003 может быть хорошим выбором.

Характеристики / Технические характеристики
  • Тип упаковки: TO-126
  • Тип транзистора: NPN
  • Максимальный ток коллектора (I C ): 5A
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (В CE ): 400 В
  • Максимальное напряжение коллектор-база (В CB ): 700 В
  • Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO): 9 В
  • Максимальное рассеивание коллектора (шт.): 40 Вт
  • Максимальная частота перехода (fT): 4 МГц
  • Минимальное и максимальное усиление постоянного тока (h FE ): 8–40
  • Максимальная температура хранения и эксплуатации должна быть: от -65 до +150 по Цельсию

Запасной и аналогичный

5302D, BLD123D, BUJ101, BLD135D, BUL381D, BUW84, STL128D BUW85, HLD133D, TTD1409B

13003 Описание транзистора

13003 - это кремниевый биполярный транзистор, доступный в корпусах TO-126, TO-92 и других (некоторые корпуса имеют немного другие характеристики тока коллектора, а также рассеиваемую мощность коллектора и напряжение).Он производится многими производителями компонентов электроники и имеет разные буквенные коды до и после фактического номера транзистора, например MJE13003, APT13003S, ST13003, KSE13003T и т. Д.

13003 - недорогой и легкодоступный транзистор. Он построен по специальной технологии, которая делает этот транзистор стабильным и надежным для работы при высоких напряжениях с очень высокой скоростью переключения. Устройство способно работать с напряжением коллектор-эмиттер 400 В постоянного тока и напряжением коллектор-эмиттер 700 В постоянного тока, что делает его идеальным для использования в широком спектре приложений высокого напряжения переменного и постоянного тока.Хотя это устройство предназначено для высокого напряжения и коммутации, оно также может использоваться для коммутации и усиления общего назначения.

Где и как использовать

13003 можно использовать во многих высоковольтных приложениях, таких как инверторы, ИБП, зарядные устройства, источники питания высокого напряжения, контроллеры двигателей, драйверы реле высокого напряжения и т. Д. Кроме того, он также может использоваться для коммутации и усиления общего назначения, а также может использоваться в проектах с батарейным питанием и низковольтных хобби и образовательных электронных проектах.

Приложения

Инверторные схемы

Цепи ИБП

Источники питания

Схемы зарядного устройства

Контроллеры двигателей

Усилитель звука

Коммутация высокого напряжения постоянного тока

Коммутация низкого напряжения постоянного тока

Как получить долгосрочную работу в цепи

Длительный срок службы и стабильная работа компонента в схеме также являются важным фактором, о котором следует думать, когда вы проектируете схему или используете ее в уже спроектированной схеме, которую вы собираете.Максимальная нагрузка не должна превышать 1,5 А и 400 В постоянного тока. Всегда используйте подходящий радиатор с транзистором и не храните и не эксплуатируйте транзистор при температуре ниже -65 и выше +150 по Цельсию.

Лист данных

Чтобы загрузить техническое описание, просто скопируйте и вставьте приведенную ниже ссылку в свой браузер.

https://www.onsemi.com/pub/Collateral/MJE13003-D.PDF

Транзисторы

MJE13003 и 13003. Вывод. Техническая спецификация.

Наименование прибора: 13003, MJE13003 .
Пакет: ТО-252, ТО-220, Т0-251, ТО-126, ТО-92, ТО-92Л.

Внимание! MJE13003 в корпусах ТО-92 и ТО-126 может иметь разное расположение выводов. (не как на первом изображении)!

Например:

Поэтому перед установкой контакты каждого 13003 необходимо проверить мультиметром или тестером.

Если транзистор неисправен таким образом, что мультиметр не может определить расположение его выводов. или тестером, нужно обратить внимание на его подключение к электронной схеме устройства, в котором он используется.
Эмиттер чаще всего подключается напрямую или через резистор с небольшим сопротивлением к отрицательному выводу входного сглаживающего конденсатора.
Коллектор всегда находится посередине.
Таким образом, третий штифт - это основание .

Некоторые 13003 содержат встроенные диоды, подключенные между эмиттером и коллектором. Их цель - защитить транзистор от импульсов обратного напряжения, возникающих при он работает с индуктивной нагрузкой - обычно обмоткой трансформатора.

Основные параметры модели 13003 (MJE13003).

Материал транзистора: Si
Полярность: NPN
Рассеиваемая мощность (P D ) при температуре окружающей среды 25 °, без радиатора. (| T A | = 25 °)
1,1 Вт (TO-92 и TO-92L).
ТО-220 - 2 Вт.
ТО-252 и ТО-251 - 1,56 Вт.
ТО-126 - 1,4 Вт.

Рассеивание мощности (P D ) при температуре коллектора не выше 25 °, поддерживаемой радиатором.(| T c | = 25 °
ТО-126 - 20 Вт
ТО-220 - 50 Вт.
ТО-252 и ТО-251 - 25 Вт.

Напряжение пробоя коллектор-база | В CBO |: 700 В.

Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | В CEO |: 400 В.

Напряжение пробоя эмиттер-база | В EBO |: 7 В.

Максимальный постоянный ток коллектора | I c max |: 1,5 A

.Максимальная температура перехода | T j |: +150 C

. Частота перехода (f t ): 10 МГц (мин).

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | В CE |: 1 В (IC = 1A, I B = 0,25A), 3 В (IC = 1,5A, I B = 0,5A ).

Напряжение насыщения база-эмиттер | В BE |: 1 В (IC = 0,5A, I B = 0,1A), 1,2 В (IC = 1A, I B = 0 , 25А).

Коэффициент передачи прямого тока | h FE | : 14-57 .

Время хранения | t с |: 1 мкс.

Время падения | t F |: 0,7 мкс.

MJE13003 Технический паспорт (PDF)
(Unisonic Technologies.)

13003 Транзистор: техническое описание, распиновка, SMD, преимущества

В этой статье мы объясняем тип мощного транзистора, который обычно используется в схемах усилителя и схемах быстрого переключения. Транзистор 13003 - это NPN BJT-транзистор, способный работать в диапазонах высокого напряжения.

Когда мы перечисляем возможности транзисторов 13003, обработка высокого напряжения и сверхбыстрая коммутация называются основными особенностями этого устройства.

Здесь, в этом посте, мы включаем технические характеристики, эквивалентные схемы, а также технические и физические характеристики 13003.

Таблица данных транзистора

13003

Прежде чем перейти к деталям распиновки транзисторов 13003, у этого транзистора есть разные типы корпусов и разные детали распиновки для каждого.

Распиновка транзистора 13003

Корпус ТО-92

TO-92 - это тип корпуса, используемый на транзисторах 13003, они сделаны из пластика и эпоксидного материала, по этой причине они менее дороги и компактны при меньших схемах.

13003 TO-92 Распиновка корпуса

13003 Распиновка транзистора

Распиновка для этого корпуса типа TO-92 следующая:

База (b) - Pin01

Коллектор (с) - Pin02

Эмиттер (e) - Pin03

Эта конкретная версия транзистора относится к типу с низким энергопотреблением, в котором используется TO-92.

ТО-126 Упаковка

TO-126 - это еще один тип корпуса, используемый в транзисторах 13003, они сделаны из пластика и эпоксидной смолы, но ширина и длина у этого типа больше, поэтому он подходит для более высоких требований.

13003 Распиновка транзистора

Для этого корпуса типа TO-126 детали распиновки отличаются следующим образом.

Излучатель (e) - Pin01

Коллектор (с) - Pin02

База (b) - Pin03

13003 Распиновка корпуса ТО-126

Данная версия транзистора имела высокое напряжение и мощность, по этой причине доступен корпус ТО-126.

Для транзисторов 13003, отличных от корпусов TO-92 и TO-126, доступно гораздо больше корпусов для различных схемотехнических приложений.

Номинальное напряжение 13003
  • Макс коллектор - эмиттер = 400в
  • Макс.коллектор - базовое напряжение = 700 В
  • Макс.эмиттер - базовое напряжение = 9 В

Номинальное напряжение между коллектором и эмиттером составляет 400 В, а номинальное напряжение между коллектором и базой составляет 700 В, эти номинальные напряжения делают его идеальным для использования в самых разнообразных схемах высокого напряжения переменного и постоянного тока.

Максимальное напряжение эмиттер-база составляет 9 В, это максимальное напряжение смещения для этого транзистора.

Текущий рейтинг 13003
  • Максимальный ток коллектора = 1.5A
  • Коэффициент передачи прямого тока или усиление постоянного тока = от 14 до 57 Hfe
  • Пиковый ток коллектора = 3A

Максимальный ток коллектора составляет 1,5 А, это значение показывает максимальную нагрузочную способность по току 13003 транзисторов.

Коэффициент усиления по постоянному току транзисторов составляет от 14 до 57 hfe, этот коэффициент усиления низкий по сравнению с другими типами транзисторов.

Рассеиваемая мощность

Рассеиваемая мощность транзистора 13003 отличается из-за разных типов корпусов, для TO-126 рассеиваемая мощность составляет 40 Вт, а для TO92 значение будет 1,1 Вт.

Максимальная температура хранения и эксплуатации = от -65 до + 150˚C

Частота перехода = 10 МГц

Время хранения = 1us

Время спада = 0,7 мкс

13003 транзисторный эквивалент

У транзисторов было много эквивалентных транзисторов, здесь мы перечисляем некоторые из них, например 5302D, BLD123D, HLD133D и STL128D.

SMD версия 13003 транзистора

SMD-версия транзисторов 13003 - TD13003SMD, характеристики для поверхностного монтажа почти такие же, как у этих транзисторов.

13003 схема транзистора Схема усилителя транзистора

1.13003

Простая схема усилителя, состоящая из двух транзисторов, транзистор D882 выступает в качестве основного компонента схемы усилителя, а транзистор 13003 предназначен только для процесса маломощного усиления, мы знаем, что коэффициент усиления по постоянному току транзисторов очень низкий.

Схема усилителя транзистора 13003

13003 транзистор преимущества
  • Стабильны при работе
  • Надежны для работы при высоких напряжениях.
  • Они способны работать на очень высокой скорости
  • Различные версии пакетов позволяют использовать их в приложениях общего назначения
  • Они дешевле
  • Их легко найти на местном рынке

13003 транзистор использует
  • Подходит для цепей высокого напряжения
  • Цепи усилителя
  • Цепи регулятора
  • Цепи зарядного устройства
  • Цепи драйвера двигателя
  • Цепи переключения высокого постоянного напряжения
  • ИМПС

w% 2013003% 20 техническое описание транзистора и примечания по применению

СТ 78592

Абстракция: Y012 блок питания 14-4y 1fw 7d 1dz 2 ta 2631n 1fw 0o 1df2
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF
W10G

Аннотация: 00Y11
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF
pj 986 iv

Аннотация: vw-01
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF opI56 56FUtÊ pj 986 iv vw-01
1DF2

Аннотация: B33A IR29 ENFPM ENFP
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF
8-контактный разъем HARTING

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Сканирование OCR
PDF D-32339 8-контактный разъем harting
2005-w1 co

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF
к234

Аннотация: kj e9
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF I56tg + k234 kj e9
к200а02

Аннотация: припой СН63А СН63А
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 21-S-004 035мм.k200a02 Припой SN63A SN63A
2003 - 56800E

Аннотация: DSP56800E DSP56800ESDK DSP56858
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF DSP56800ESDKPB / D DSP56800ESDK DSP56800E, DSP56800E 56800E DSP56800ESDK DSP56858
CC14M

Аннотация: C10M4I 10x38 gg C10G6 предохранитель 32A 10x38 690V C10G10 CD1038G25 w1 co C08M10 690V80kA
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 22X58 14X51 10X38 10x31 мм CHD10311D CHD10311D CHD1038D 10x38 мм CHD1038D 100Y400 CC14M C10M4I 10x38 гг Предохранитель C10G6 предохранитель 32А 10х38 690В C10G10 CD1038G25 w1 co C08M10 690В80кА
2011-FR10GR69V

Аннотация: Протистор FR10GR69V2 FR10GR69V32 FR10GR69V1 FR10GR69V4 G1014582 FR10GR69V30 FR10GR69V3 FR10GR69V20
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 10x38 690 В переменного тока 10 диапазон 100Y0 FR10GR69V FR10GR69V2 FR10GR69V32 FR10GR69V1 FR10GR69V4 G1014582 FR10GR69V30 FR10GR69V3 FR10GR69V20 протистор
2011 - Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF HM2P40SZE121 ----) HM2P40SZXXXXN9-примечание-3 I10-0110 BSC203204005 HM2P40SZ --------
1986 - ВИБ-6001

Реферат: VI-261-33 VI-264-46 VI-260-64 VI-2N0-08 VI-B01-04 VI-26L-04
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF E100527 94ME82889 VI-200 MEL \ 114307 VIB-6001 VI-261-33 VI-264-46 VI-260-64 VI-2N0-08 VI-B01-04 VI-26L-04
2009 - Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Сканирование OCR
PDF D-32339
1604Г-6Ф22-9В

Реферат: CR17345 varta 2cr5 VARTA-4LR44 2CR5 varta 6F22 9V АККУМУЛЯТОР VARTA CR2 VARTA CR1 / 2AA АККУМУЛЯТОР AAA, 1.5V R03 EVEREADY varta 9v литиевый
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF MR-03AA Cr17345 Duracell-DL123A ВАРТА-123А VARTA-4LR44 100лет-1 1604Г-6Ф22-9В CR17345 varta 2cr5 VARTA-4LR44 2CR5 varta 6F22 9В АККУМУЛЯТОР VARTA CR2 VARTA CR1 / 2AA АККУМУЛЯТОР AAA, 1,5 В R03 ВСЕГДА varta 9v литиевый
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Сканирование OCR
PDF SD-85801-
2SK2056

Резюме: 2sk1603 datasheet 2SK1603 TOSHIBA "ULTRA HIGH SPEED" DIODE 1A транзистор 2SK1603 1045y 2SK2915 EQUIVALENT 2SK3569 эквивалент 2SK3561 аналог 2SK1078
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF BCE0017B 2SK2056 2sk1603 лист данных 2SK1603 TOSHIBA "УЛЬТРА-ВЫСОКОСКОРОСТНОЙ" ДИОД 1А транзистор 2СК1603 1045лет 2СК2915 ЭКВИВАЛЕНТ Эквивалент 2SK3569 2SK3561 эквивалент 2SK1078
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Сканирование OCR
PDF Чип / MIL-C-55681 CDR01 CDR02 CDR03 CDR04 CDR05 C0805 C1805 C1808 C1812
2012 - СОТ04 45

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF DS705-00012-1v0-E SOT04 45
2SK3561 эквивалент

Аннотация: 2SK1603 un 1044 2SK2056 2SK2030 2SJ238 2sk1603 лист данных 2SK2039 2SK1487 2SK1078
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF BCE0017A 2SK3561 эквивалент 2SK1603 ООН 1044 2SK2056 2SK2030 2SJ238 2sk1603 лист данных 2SK2039 2SK1487 2SK1078
2003 - AGC DTX VAD

Аннотация: 56800E DSP56800E DSP56800ESDK DSP56858
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF DSP56800ESDKPB / D DSP56800ESDK DSP56800E, DSP56800E 56800E AGC DTX VAD DSP56800ESDK DSP56858
2013 - МБ91F523B

Аннотация: MB91520 MB91F523 MB91F522 MB91F526B
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF MB91520 32-битный FR81S MB91F522B / D / F / J / K / L MB91F523B / D / F / J / K / L, MB91F524B / D / F / J / K / L MB91F525B / D / F / J / K / L MB91F526B / D / F / J / K / L * MB91F526L DS705-00011 MB91F523B MB91F523 MB91F522 MB91F526B
2008 - ML8511

Аннотация: FJUL610Q421-02 T2d6 ML610Q422 ML610Q421 ML610Q422-NNNWA LED 8 x 8 Matrix RC-128 036hc
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF FJUL610Q421-02 ML610Q421 / ML610Q422 nX-U8 / 100 ML8511 FJUL610Q421-02 T2d6 ML610Q422 ML610Q421 ML610Q422-NNNWA Светодиодная матрица 8 x 8 RC-128 036hc

SWITCHMODE Series NPN Силовой транзистор

% PDF-1.4 % 1 0 объект > эндобдж 6 0 obj > эндобдж 2 0 obj > эндобдж 3 0 obj > эндобдж 4 0 obj > ручей Acrobat Distiller 7.0.5 (Windows) BroadVision, Inc.2020-09-09T10: 33: 19 + 02: 002006-01-12T17: 39: 42-07: 002020-09-09T10: 33: 19 + 02: 00приложение / pdf

  • MJE13003 - Кремниевый силовой транзистор
  • серии SWITCHMODE NPN
  • ОН Полупроводник
  • uuid: 0e8bdac9-a353-4704-aa04-0e21f67ad3e2uuid: f5fcd45d-e56d-4599-b6a2-a19e04079fd2 конечный поток эндобдж 5 0 obj > эндобдж 7 0 объект > эндобдж 8 0 объект > эндобдж 9 0 объект > эндобдж 10 0 obj > эндобдж 11 0 объект > эндобдж 12 0 объект > эндобдж 13 0 объект > эндобдж 14 0 объект > эндобдж 15 0 объект > эндобдж 16 0 объект > эндобдж 17 0 объект > эндобдж 18 0 объект > эндобдж 19 0 объект > эндобдж 20 0 объект > эндобдж 21 0 объект > эндобдж 22 0 объект > ручей HWYSHG> R sK ڪ ZbH **! DIm uLO_ f4} c7 "(SpFNWFƽCN & H "T {oGwnz0b5Ș * 2 (ï ^ [8 [) a (ʠU @ ȪxUMt ^ Y ې # x ״ u7Ç.SmЍ> `qui`7G4VC.04 (\ QkKpʅ29yMNa $ ـ 'LJ \ 2 & ؘ EczGN_D @ l> ٬ g2FC.9 ߶ hbM39 | 4urvp | G! W1 - @@ 69 =?] 3 & W (4 伺 LGa " т ȓxĘ [6or2

    m1 ݹ68 G & p cjs_m1’IV٢

    MJE13003 datasheet - Power 2A 400V SM NPN, Package: TO-225, Pins = 3

    BDX63 : Screening Options Available = ;; Полярность = NPN ;; Пакет = TO3 (TO204AA) ;; Vceo = 80V ;; IC (прод.) = 8A ;; HFE (мин) = 1000 ;; HFE (макс.) = - ;; @ Vce / ic = 3V / 3A ;; FT = 7 МГц ;; PD = 90Вт.

    FM120C-W : 1A, 20V, SCHTKY, SMA (DO-214AB).Низкий коммутационный шум Низкое прямое падение напряжения Высокая токовая способность Высокая коммутационная способность Высокая устойчивость к импульсным перенапряжениям Высокая надежность Корпус: Литой пластик Эпоксидная смола: Устройство имеет класс воспламеняемости UL 94V-O Свинец: MIL-STD-202E метод 208C Гарантия Металлургическая конструкция Монтажное положение: любой вес : 0,24 грамма. Температура окружающей среды o C.

    FN1A3Q : Миниатюрная форма встроенного транзистора PNP со среднескоростным резистором.

    FQB4N60 : N-канальный QFET 600 В.Эти силовые полевые транзисторы с N-канальным усилением производятся с использованием запатентованной Fairchild технологии плоских полосок DMOS. Эта передовая технология была специально разработана для минимизации сопротивления в открытом состоянии, обеспечения превосходных коммутационных характеристик и устойчивости к импульсам высокой энергии в лавинном и коммутационном режимах. Эти устройства.

    FSU20A60 : Устройство = FRD () ;; Пиковое обратное напряжение (В) = 600 ;; Средний выпрямленный ток (А) = 15 ;; Условия (cace или температура окружающей среды) = Tc = 57 ;; Импульсный прямой ток (A) = 170 ;; Максимальная рабочая температура перехода (C) = 150 ;; Температура хранения (C) = от -40 до 150 ;; Пиковое прямое напряжение (В) = 2.3 ;; Пиковый прямой ток (A) = 20 ;; Пик обратный.

    MA3S132EMA132WK :. Короткое время восстановления в обратном направлении trr Малая клеммная емкость, Ct Сверхмалый корпус типа SS-mini содержал два элемента, обеспечивающих высокую плотность монтажа Параметр Обратное напряжение (DC) Пиковое обратное напряжение Прямой ток (DC) Пиковый прямой ток Непериодический пиковый прямой скачок ток * Температура перехода Температура хранения Примечание) Одинарный Двойной Одинарный.

    MRF644 : Силовой транзистор RF NPN Silicon.. разработан для 12,5-вольтовых усилителей больших сигналов УВЧ в промышленном и коммерческом FM-оборудовании, работающем на частотах до 512 МГц. Специфицированные характеристики 12,5 В, 470 МГц Выходная мощность = 25 Вт Минимальное усиление 6,2 дБ КПД = 60% По данным серии эквивалентных параметров большого импеданса сигнала, встроенных в согласующую сеть для широкополосной работы.

    NTE2367 : Цифровые кремниевые комплементарные транзисторы с 2 встроенными резисторами смещения 4,7 кОм.

    SD24CTC : Однолинейный диод TVS для защиты от электростатических разрядов в портативной электронике.Однолинейный диод TVS для защиты от электростатического разряда в портативной электронике Диоды SDxxC TVS разработаны для замены многослойных варисторов (MLV) в портативных устройствах, таких как сотовые телефоны, ноутбуки и КПК. Они обладают превосходными электрическими характеристиками, такими как более низкое напряжение зажима и отсутствие деградации устройства по сравнению с MLV. SDxxC.

    UT361 : Выпрямители.

    SBR30200CT : Супербарьерные выпрямители SBR: 200–300 В. Низкое падение напряжения в прямом направлении Превосходная стабильность при высоких температурах Конструкция супербарьера Мягкая, возможность быстрого переключения Литые пластиковые корпуса TO-220AB и ITO-220AB Отделка без содержания свинца, соответствует требованиям RoHS (примечание 2) Материал корпуса: литой пластик, класс воспламеняемости UL 94V-0 Влага Чувствительность: Уровень 1 согласно J-STD-020C. Клеммы: матовое оловянное покрытие.

    05002-220BFZC : КОНДЕНСАТОР, КЕРАМИЧЕСКИЙ, МНОГОСЛОЙНЫЙ, 100 В, BP, 0,000022 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ НА ПОВЕРХНОСТИ, 0603. s: Конфигурация / форм-фактор: Чип-конденсатор; Технология: Многослойная; Диэлектрик: керамический состав; Диапазон емкости: 2.20E-5 мкФ; Допуск емкости: 1 (+/-%); WVDC: 100 вольт; Температурный коэффициент: 30 частей на миллион / ° C; Тип монтажа: технология поверхностного монтажа.

    0603SAJ125T10 : РЕЗИСТОР, 0,1 Вт, 5%, 200 ppm, 1200000 Ом, ПОВЕРХНОСТНОЕ КРЕПЛЕНИЕ, 0603.s: Категория / Применение: Общее использование; Монтаж / Упаковка: Технология поверхностного монтажа (SMT / SMD), 0603, CHIP; Диапазон сопротивления: 1,20Е6 Ом; Допуск: 5 +/-%; Температурный коэффициент: 200 ± ppm / ° C; Номинальная мощность: 0,1000 Вт (1,34E-4 л.с.); Рабочее напряжение постоянного тока: 50 вольт; Операционная.

    CDR31BP111BFYM : КОНДЕНСАТОР, КЕРАМИЧЕСКИЙ, МНОГОСЛОЙНЫЙ, 100 В, BP, 0,00011 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ НА ПОВЕРХНОСТИ, 0805. s: Конфигурация / форм-фактор: Чип-конденсатор; Технология: Многослойная; Диэлектрик: керамический состав; Соответствие RoHS: Да; Диапазон емкости: 1.10Е-4 мкФ; Допуск емкости: 1 (+/-%); WVDC: 100 вольт; Температурный коэффициент: 30 частей на миллион / ° C; Тип монтажа: Поверхность.

    HERAF1601GR : ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД. s: Тип диода: ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД; Применение диодов: выпрямитель.

    HFA200FA120P : 100 А, КРЕМНИЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД. s: Тип диода: ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД; Применение диодов: выпрямитель; IF: 100000 мА; Соответствует RoHS: RoHS; Пакет: ПАКЕТ, СООТВЕТСТВУЮЩИЙ ROHS-4; Количество контактов: 4; Количество диодов: 2.

    IN06130 : 1 ЭЛЕМЕНТ, 0,66 мкГн, ИНДУКТОР ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ, SMD. s: Вариант монтажа: Технология поверхностного монтажа; Устройств в упаковке: 1; Стиль вывода: ОБРАТНЫЙ; Стандарты и сертификаты: RoHS; Применение: универсальное; Диапазон индуктивности: 0,6600 мкГн; Номинальный постоянный ток: 27000 мА.

    NRLR101M385V20X30SF : КОНДЕНСАТОР, АЛЮМИНИЕВЫЙ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИЙ, НЕ ТВЕРДЫЙ, ПОЛЯРИЗОВАННЫЙ, 385 В, 100 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Соответствует RoHS: Да; : Поляризованный; Диапазон емкости: 100 мкФ; Допуск емкости: 20 (+/-%); WVDC: 385 вольт; Ток утечки: 589 мкА; СОЭ: 2487 миллиом; Тип установки: сквозное отверстие; Рабочая температура: от -25 до 85 C (от -13 до 185 F).

    203T1005LF : 1 ЭЛЕМЕНТ, 10000 мкГн, ИНДУКТОР ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ. s: Устройств в упаковке: 1; Стиль поводка: радиальный, летающий; Стандарты и сертификаты: RoHS; Применение: общего назначения, ВЧ дроссель; Диапазон индуктивности: 10000 мкГн; Рабочая температура: от -55 до 125 C (от -67 до 257 F).

    477BPS10M : КОНДЕНСАТОР, АЛЮМИНИЕВЫЙ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИЙ, НЕ ТВЕРДЫЙ, НЕПОЛЯРИЗОВАННЫЙ, 10 В, 470 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Конфигурация / Форм-фактор: Конденсатор с выводами; Соответствие RoHS: Да; Диапазон емкости: 470 мкФ; Допуск емкости: 20 (+/-%); WVDC: 10 вольт; Ток утечки: 14100 мкА; СОЭ: 847 миллиом; Тип установки: сквозное отверстие; Рабочая Температура:.

    Купить Современный диодный транзистор 13003 для ваших нужд

    О товарах и поставщиках:
     

    Выбрать. диод 13003 транзистор из огромной коллекции на Alibaba.com. Вы можете купить массив. , диод 13003, транзистор , включая, помимо прочего, светодиод, микрофон, выпрямитель, лазер, стабилитрон, триггер, Шоттки, SMD, энергосберегающую диодную лампу. Вы можете выбрать. диод 13003 транзистор из широкого набора основных параметров, спецификаций и номиналов для ваших целей.

    диод 13003 транзистор на Alibaba.com удобны в установке и использовании. Используемый пластик более высокого качества обеспечивает изоляцию, снижающую нагрев. Они доступны в кремнии и германии. диод 13003 транзистор используются в различных отраслях промышленности для множества электрических функций и датчиков. Они используются в инверторах, светодиодах, автомобильной электронике, потребительских товарах, USB 2.0 и USB 3.0, HDMI 1.3 и HDMI 1.4, SIM-карте, мобильной одежде, беспроводной связи, автомобильном генераторе и лазерной эпиляции.Они используются в качестве выпрямителя, датчика освещенности, излучателя света, для рассеивания нагрузки и т. Д. Различная физическая упаковка для. диод 13003 транзистор предлагаются для монтажа на печатной плате, радиатора, проводного и поверхностного монтажа.

    Основные особенности. , диод 13003, транзистор - это толстая медная опорная пластина, низкая утечка, высокая токовая нагрузка, низкое прямое падение напряжения, легирование золотом, низкое инкрементное сопротивление перенапряжения, отличная зажимная способность, быстрое время отклика и т. Д. Технические характеристики, предлагаемые на., диод, 13003, транзистор , обладают различными оптическими и электрическими характеристиками, такими как максимальная мощность, напряжение, оптический выход, время обратного восстановления, рабочая температура и т. Д. , диод, 13003, транзистор, , производятся в соответствии со стандартными процедурами для поддержания высочайшего качества. Они соответствуют требованиям RoHS и IEEE 1394.

    Получите лучшее. диод 13003 транзистор предлагает на Alibaba.com от различных поставщиков и оптовиков. Получите высшее качество. диод 13003 транзистор для требований вашего проекта.

    .

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *