Микросхемы.
Микросхемы ТТЛ (74…).
На рисунке показана схема самого распространенного логического элемента — основы микросхем серии К155 и ее зарубежного аналога — серии 74. Эти серии принято называть стандартными (СТТЛ). Логический элемент микросхем серии К155 имеет среднее быстродействие tзд,р,ср.= 13 нс. и среднее значение тока потребления Iпот = 1,5…2 мА. Таким образом, энергия, затрачиваемая этим элементом на перенос одного бита информации, примерно 100 пДж.
Для обеспечения выходного напряжения высокого уровня U1вых. 2,5 В в схему на рисунке потребовалось добавить диод сдвига уровня VD4, падение напряжения на котором равно 0,7 В. Таким способом была реализована совместимость различных серий ТТЛ по логическим уровням. Микросхемы на основе инвертора, показанного на рисунке (серии К155, К555, К1533, К1531, К134, К131, К531), имеют очень большую номенклатуру и широко применяются.
| ТТЛ серия | Параметр | Нагрузка | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Российские | Зарубежные | Pпот. мВт. | tзд.р. нс | Эпот. пДж. | Cн. пФ. | Rн. кОм. |
| К155 КМ155 | 74 | 10 | 9 | 90 | 15 | 0,4 |
| К134 | 74L | 1 | 33 | 33 | 50 | 4 |
| К131 | 74H | 22 | 6 | 132 | 25 | 0,28 |
| К555 | 74LS | 2 | 9,5 | 19 | 15 | 2 |
| К531 | 74S | 19 | 3 | 57 | 15 | 0,28 |
| К1533 | 74ALS | 1,2 | 4 | 4,8 | 15 | 2 |
| К1531 | 74F | 4 | 3 | 12 | 15 | 0,28 |
При совместном использовании микросхем ТТЛ высокоскоростных, стандартных и микромощных следует учитывать, что микросхемы серии К531 дают увеличенный уровень помех по шинам питания из-за больших по силе и коротких по времени импульсов сквозного тока короткого замыкания выходных транзисторов логических элементов. При совместном применении микросхем серий К155 и К555 помехи невелики.
| Нагружаемый выход |
Число входов-нагрузок из серий | ||
|---|---|---|---|
| К555 (74LS) | К155 (74) | К531 (74S) | |
| К155, КM155, (74) | 40 | 10 | 8 |
| К155, КM155, (74), буферная | 60 | 30 | 24 |
| К555 (74LS) | 20 | 5 | 4 |
| К555 (74LS), буферная | 60 | 15 | 12 |
| К531 (74S) | 50 | 12 | 10 |
| К531 (74S), буферная | 150 | 37 | 30 |
Выходы однокристальных, т. е. расположенных в одном корпусе, логических элементов ТТЛ, можно соединять вместе. При этом надо учитывать, что импульсная помеха от сквозного тока по проводу питания пропорционально возрастет. Реально на печатной плате остаются неиспользованные входы и даже микросхемы (часто их специально «закладывают про запас») Такие входы логического элемента можно соединять вместе, при этом ток I oвх. не увеличивается. Как правило, микросхемы ТТЛ с логическими функциями И, ИЛИ потребляют от источников питании меньшие токи, если на всех входах присутствуют напряжения низкого уровня. Из-за этого входы таких неиспользуемых элементов ТТЛ следует заземлять.
| Параметр | Условия измерения | К155 | К555 | К531 | К1531 | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Мин. | Тип. | Макс. | Мин. | Тип. | Макс. | Мин. | Макс. | Мин. | Макс. | |||
| U1вх, В схема |
U1вх или U0вх Присутствуют на всех входах | 2 | 2 | 2 | 2 | |||||||
| U0вх, В схема |
0,8 | 0,8 | 0,8 | |||||||||
| U0вых, В схема | Uи.п.= 4,5 В | 0,4 | 0,35 | 0,5 | 0,5 | 0,5 | ||||||
| I0вых= 16 мА | I0вых= 8 мА | I0вых= 20 мА | ||||||||||
| U1вых, В схема |
Uи.п.= 4,5 В | 2,4 | 3,5 | 2,7 | 3,4 | 2,7 | 3,4 | 2,7 | ||||
| I1вых= -0,8 мА | I1вых= -0,4 мА | I1вых= -1 мА | ||||||||||
| I1вых, мкА с ОК схема | U1и.п.= 4,5 В, U1вых=5,5 В | 250 | 100 | 250 | ||||||||
| I1вых схема |
U1и.п.= 5,5 В, U1вых= 2,4 В на входе разрешения Е1 Uвх= 2 В | 40 | 20 | 50 | ||||||||
| I0вых, мкА Состояние Z схема |
U1и.п.= 5,5 В, Uвых= 0,4 В, Uвх= 2 В | -40 | -20 | -50 | ||||||||
| I1вх, мкА схема | U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 2,7 В | 40 | 20 | 50 | 20 | |||||||
| I1вх, max, мА | U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 10 В | 1 | 0,1 | 1 | 0,1 | |||||||
| I0вх, мА схема |
U1и.п.= 5,5 В, U0вх= 0,4 В | -1,6 | -0,4 | -2,0 | -0,6 | |||||||
| Iк.з., мА | U1и.п.= 5,5 В, U0вых= 0 В | -18 | -55 | -100 | -100 | -60 | -150 | |||||
2N2222 – 2N2222 – qaz.wiki
Обычный биполярный переходной транзистор NPN
2N2222A в металлическом корпусе TO-18 с эмиттером, базой и коллектором, обозначенными E, B и C соответственно. Поперечный разрез 2N2222 в металлическом корпусе TO-18 с изображением соединительных проводов между внешними выводами и матрицей .2N2222 считается очень распространенным транзистором и используется как образец транзистора NPN. Он часто используется как малосигнальный транзистор и остается маленьким транзистором общего назначения, пользующимся неизменной популярностью.
2N2222 был частью семейства устройств, описанных Motorola на съезде IRE 1962 года . С тех пор его производят многие полупроводниковые компании, например, Texas Instruments .
Характеристики
JEDEC регистрация номера устройства обеспечивает определенные номинальные значения будут выполнены все части предлагаемых под этим номером. Параметры, зарегистрированные в JEDEC, включают габаритные размеры, усиление тока слабого сигнала , частоту перехода , максимальные значения выдерживаемого напряжения, номинальный ток, мощность рассеивания и температуру и другие параметры, измеренные в стандартных условиях испытаний. Другие номера деталей будут иметь другие параметры. Точные характеристики зависят от производителя, типа корпуса и разновидности. Поэтому важно обращаться к техническому описанию, чтобы узнать точный номер детали и производителя.
| Производитель | V ce | Я c | P D | f T |
|---|---|---|---|---|
| СТ Микроэлектроника 2Н2222А | 40 В | 800 мА | 500 мВт / 1,8 Вт | 300 МГц |
Все варианты имеют бета- коэффициент или текущий коэффициент усиления (h fe ) не менее 100 в оптимальных условиях. Он используется в различных приложениях для аналогового усиления и переключения.
Другие переключающие транзисторы
Распиновка вариантов 2Н2222 в пластиковом корпусе ТО-92 .Кремниевые NPN-транзисторы с аналогичными свойствами также производятся в различных небольших корпусах для сквозного монтажа и поверхностного монтажа, включая TO-92 , SOT-23 и SOT-223.
Замены для 2N2222 обычно доступны в более дешевой упаковке TO-92 , где он известен как PN2222 или P2N2222, который имеет аналогичные характеристики, за исключением более низкого максимального тока коллектора. P2N2222 имеет другой порядок выводов, чем металлический корпус 2N2222, с коммутационными соединениями эмиттера и коллектора; другие транзисторы в пластиковом корпусе также имеют другие выводы.
Одиночные транзисторы также доступны в нескольких различных корпусах для поверхностного монтажа, и ряд производителей продают корпуса для поверхностного монтажа, которые включают в себя несколько транзисторов типа 2N2222 в одном корпусе в виде массива транзисторов. Общие характеристики различных вариантов схожи, самая большая разница заключается в максимально допустимом токе и рассеиваемой мощности.
Семейство BC548 , в том числе от BC547A до BC550C, представляет собой транзисторы общего назначения с низким напряжением и током в корпусах TO-92 европейского производства, которые часто используются в схемах усиления и коммутации слабых сигналов того типа, в котором 2N2222 может иначе можно использовать. Это не настоящая замена, а сопоставимые устройства, которые могут быть заменены только в цепях, в которых не превышаются максимальные номинальные ток и напряжение.
2N2907 является одинаково популярны ПНП транзистор комплементарной к 2N2222.
2N3904 является транзистором NPN , который может переключаться только одну трети тока 2N2222 , но имеет иной сходные характеристики. 2N3904 демонстрирует свой пик прямого усиления (бета) при более низком токе, чем 2N2222, и может использоваться в усилителях с пониженным I c , например (пик усиления при 10 мА для 2N3904 и 150 мА для 2N2222).
Версия 2N2222A в более крупном металлическом корпусе TO-39 , 2N2219A имела более высокий показатель рассеиваемой мощности (3 Вт при подключении к радиатору, поддерживающему температуру корпуса на уровне 25 C, или 0,8 Вт на открытом воздухе, по сравнению с 1,8 Вт). Ватт и 0,5 Вт (соответственно) для 2N2222A.
Номера деталей
2N2222 (NPN) и 2N2907 (PNP) представляют собой комплементарные пары транзисторов.
Смотрите также
Рекомендации
дальнейшее чтение
- Исторические справочники
внешняя ссылка
| Викискладе есть медиафайлы по теме 2N2222 . |
Что такое транзистор 2N2222?
Транзистор 2N222 – это обычный биполярный транзистор с отрицательным положительным и отрицательным (NPN) током, который находит применение во многих различных видах электронного оборудования. Он используется как для усиления аналоговых сигналов, так и для коммутации. Функциональные части транзистора 2N2222 заключены в так называемый корпус TO-18, напоминающий небольшую металлическую банку. Широкий спектр применения транзистора 2N2222 и его небольшой размер делают его – и его варианты – наиболее широко используемыми транзисторами в электронике.
Функциональная часть транзистора 2N2222 представляет собой конструкцию NPN BJT. Транзистор 2N2222 сделан из германия или кремния, который был насыщен положительно или отрицательно измененным материалом в процессе, называемом «легирование». У 2N2222 есть положительно заряженный участок, расположенный между двумя отрицательно заряженными участками. Результирующие два соединения между тремя секциями – это то, где 2N2222 получает название «биполярный переходный транзистор». Используемые материалы расположены в порядке отрицательного, положительного, а затем отрицательного, поэтому устройство также называется NPN-транзистором.
2N2222 имеет три провода, которые используются для пайки его к печатным платам: коллектор, эмиттер и основание. Когда на коллекторе транзистора присутствует электронный сигнал, подача сигнала на базу транзистора приведет к излучению сигнала от эмиттера устройства. Таким образом, 2N2222 часто используется для включения и выключения сигналов.
Способность переключения транзистора 2N2222 также делает его полезным в качестве простого затвора «и». При использовании в этом качестве транзистор будет отправлять сигнал только при наличии двух отдельных сигналов: одного на его коллекторе и одного на его основании. Это позволяет использовать 2N2222 для автоматического управления потоком сигналов в цепи в зависимости от того, какие сигналы присутствуют или отсутствуют.
В приложениях усиления 2N2222 принимает аналоговый сигнал, такой как аудиосигнал, через коллектор, и к его базе подается отдельный сигнал. Выход на эмиттере транзистора будет тогда идентичен сигналу коллектора, за исключением того, что его мощность увеличивается на величину, пропорциональную сигналу, приложенному к его базе. Кроме того, изменение сигнала, подаваемого на базу, будет влиять на усиление сигнала, выходящего из излучателя.
Эксплуатационные характеристики делают устройство 2N2222 малым и средним током (до 600 мА), маломощным (до 625 мВ), средним напряжением (до 40 В). Хотя эти параметры могут показаться ограничивающими полезность 2N2222, 2N2222 идеально подходит для множества приложений по обработке и обработке сигналов до усиления высокой мощности. Транзисторы 2N2222 также используются для обработки сигналов до и после применения на более совершенных цифровых устройствах.
Хотя 2N2222 был первым в своем роде, он породил несколько вариантов, которые в совокупности называются транзисторами типа «2N2222», поскольку все они имеют функционально-конструктивные и эксплуатационные характеристики, идентичные оригинальному транзистору 2N2222. Главным среди этих вариантов является транзистор P2N2222, который заключен в небольшой черный корпус TO-92, выполненный из эпоксидной смолы или пластика. Сочетание большого количества применений для 2N2222 и экономичного пакета TO-92 сделало P2N2222 наименее дорогим и наиболее используемым транзистором в электронике.
ДРУГИЕ ЯЗЫКИ
bc547 транзистор характеристики, аналоги, datasheet, распиновка
Данный вид устройства часто используется радиолюбителями и учебными заведениями, так как характеристики биполярного NPN- транзистор BC547 транзистора позволяют ему быть задействованным в различных электронных устройствах. Поставляется преимущественно в упаковке TO-92 или усовершенствованной ТО-226. Максимальный выходной ток, который способен выдержать этот полупроводниковый прибор, составляет 100 мА.
Так же он имеет очень хорошее усиление (до 800 hFE) и низкий уровень шума (до 10 дБ), благодаря чему идеально подходит для первичных каскадов усиления сигнала. Возможность работы в полосе 300 МГц позволяет его называть высокочастотным. Типовое напряжение насыщения составляет всего 90 мВ, являющееся его несомненным преимуществом при использовании в схемах в качестве переключателя.
Распиновка
Bc547 впервые появился на рынке радиоэлектронных компонентов в апреле 1966 года, благодаря компаниям Philips (Голландия) и Mullard (Великобритания). Это совместная доработка популярного в то время bc107. Он был идентичный по своим техническим характеристикам, но выпускался в отличии от металлического bc107 в пластиковом герметичном корпусе ТО-92. В настоящее время является действующей заменой для более старых BC107 или BC147, которые включены во множество разработок компаний Mullard и Philips.
Цоколевка корпуса ТО-92 (или ТО-226AA) у bc547 имеет три гибких вывода для дырочного монтажа. Если смотреть на скошенную часть спереди, то назначение этих выводов слева направо: эмиттер, база, коллектор. На рисунке показан базовый внешний вид устройства, который будет немного отличаться в зависимости от конкретной марки, однако характеристики и назначения выводов остаются идентичными.
Основные технические характеристики
В datasheet на bc547 обычно присутствует описание на похожие, по своим характеристикам, транзисторы серий: BC546, BC548, BC549 и BC550. Похожие, но не совсем. Между собой они все таки отличающиеся. Например, bc547 отличается величинами пороговых напряжений и находится в таблице максимальных параметров между bc546 и bc548. Также, все типы устройств разбиты по группам максимального коэффициента усиления по току hFE– от А до С. У группы «A» коэффициент усиления будет самый маленький, а у «C» наибольший.
Bc547, bc548, bc549 — это одни и те же транзисторы, создаваемые на одной и той же производственной линии. Во время процесса их тестирования непосредственно перед выпуском, на основании измерений VBCO и VCEO и шумовых составляющих их классифицирую как -7, -8 или -9.
Подробное описание можно найти в даташит от производителя. Обычно оно включает таблицу предельно допустимых значений эксплуатационных параметров и электрические характеристики, при которых устройство работает стабильно.
Предельно допустимые параметры
Предельно допустимые значения эксплуатационных параметров указываются изготовителем в самом начале технического описания. Они включают в себя следующие параметры:
- VCEO -показывает максимальную разность потенциалов, которая может применяться между контактами коллектор- эмиттер. Например, BC547 не способен удерживать более 45 вольт, поэтому эта величина указана как безопасное рабочее напряжение, которое должно быть включено в нагрузку коллектора.
- IС (max) — максимально допустимый ток коллектора, который может быть подан через выводы коллектор-эмиттер. Для bc547 он не должен быть больше 100 мА, так как эта величина будет пределом пробоя, выше которого устройство наверняка сгорит. Так можно заметить, что оно начинает хорошо греться даже не достигая этого предела, уже при 60 мА. Поэтому рекомендуется его использование при значениях в двое меньше IС (max).
- PC (max) — максимальная мощность устройств или номинальная нагрузка, которая может быть подключена через его коллектор-эмиттер. Это величина вполне соответствует IС(max) и взаимосвязана с ним, составляет 500 мВт или пол ватта для всей группы.
Дополнение «max», в обозначении допустимых параметров, указывает на их максимальные значения, но иногда оно опускается в описании. Ниже приведены полный перечень предельно допустимых значений при эксплуатации bc547, взятый из тех описания у компании Fairchild Semiconductor.
Электрические характеристики
Теперь рассмотрим электрические параметры bc547. Они указываются изготовителем устройств сразу после описания придельных значений. В этих характеристиках, в отдельном столбце (test condition) указываются значения, при которых устройство было протестировано производителем. Обычно тестирование проводится при температуре окружающей среды, не более 25 градусов.
Коэффициент усиления
BC547 обладает достаточно большим коэффициентом усиления по току (hFE). Группа «C», согласно классификации по hFE У , начинается с уровня 420 и заканчивается на 800. Данные значения очень важны для биполярника и являются одним из первых критериев его выбора. Повышение уровня hFE просто приписывает конкретному устройству большую чувствительность, что означает, что оно способно запускаться при минимальных базовых токах, но при этом переключать более тяжелые нагрузки через его коллектор.
Комплементарная пара
У малошумящего транзистора, заточенного на усиление слабых сигналов высокой частот, почти всегда есть комплементарник с другим типом проводимости и близким по величине коэффициентом усиления hFE. Это обусловлено широким применением таких устройств в первичных каскадах усиления в паре. Комплементарной парой с PNP-структурой для него является BC557.
Аналоги и возможная замена
Полный современный аналог транзистора BC547 это — bc550. Так же, перед поиском аналогов рекомендуется присмотреться к соседям по даташиту, имеющим лишь небольшие отличия по пороговым напряжениям пробоя: bc546, bc548, bc549. Некоторые радиолюбители используют в качестве замены 2n3904, 2n4401, bc337, bc639, 2N3055, 2N2369, 2SC5200.
Еще одним, из наиболее распространенных заменителей является транзистор 2N2222. Он имеет аналогичные характеристики, включая распиновку и корпус. Различия лишь в большей по величине мощности рассеивания (до 625 мВт), токе коллектора до 600 мА и немного увеличенными входными и выходными емкостями. Входные и выходные емкости могут влиять лишь на цепи во время работы на высоких частотах. Таким образом, если нужно большее усиление, то можно использовать 2n2222.
Устройство серии КТ3102, минского производителя электронных компонентов «Интеграл», так же подойдет для замены. А отечественные аналоги транзистора bc547 будут — КТ3102Г и КТ3102Е, если выбирать по коэффициенту усиления (до 1000 hFE ), они даже лучше bc547c. Ниже приведена таблица соответствия для различных групп этой серии.
Маркировка
BC547 разработан компанией Philips в 1966 году в Голландии, поэтому маркировка у него соответствует европейской системе Pro Electron. Первая буква обозначает тип используемого полупроводника — «B» для кремния. Вторая буква указывает на частоту работы — «C» маломощный, низкочастотный. Несмотря на то, что он высокочастотный (до 300 МГц), изготовитель по каким то причинам указал его в маркировке низкочастотным. О причинах такого наименования история умалчивает. Иногда в обозначении не пишут первую букву и тогда получается: c547b, c547c, с547в, c547b.
Немного о стандартах
Изготовители постоянно совершенствуют процесс производства и могут изменять указанные характеристики, но они не должны быть меньше величин зарегистрированных для bc457 в стандарте Pro Electron. Например, у компании On Semiconductor максимальная мощность (при 25°C) устройства достигает 625 мВт, оно в настоящее время наиболее распространено. У компании Philips коэффициент усиления hFE для группы «B» варьируется от 220 до 475. У некоторых компаний-изготовителей появилась поддержка импульсного тока коллектора (до 200 мА). Поэтому пред использованием устройства в своих проектах повторно ознакомьтесь с его техническим описанием.
Принцип работы
Когда на клеммы подается входное напряжение, некоторое количество тока (IB) начинает течь от базы к эмиттеру и управляет током на коллекторе (IC). Напряжение между базой и эмиттером (VBE) для NPN-структуры должно быть прямым. Т.е. на базу прикладывается положительный потенциал, а на эмиттер отрицательный. Полярность напряжения, приложенного к каждому выводу, показана на рисунке ниже.
Входной сигнал усиливается на базе, а затем передается на эмиттер. Меньшее количество тока в базе используется для управления большим, между коллектором и эмиттером (IC).
Транзисторы n-p-n-структуры иногда называют полупроводниковыми приборами обратной проводимости.
Когда транзистор открыт, он способен пропускать IC до 100 мА. Этот этап называется областью насыщения. При этом допустимое напряжение между коллектором и эмиттером (VBE) может составлять около 200 мВ,а VBE достигать 900 мВ. Когда ток базы перестает течь, транзистор полностью отключается, эта ступень называется областью отсечки, а VBE будет составлять около 650 мВ.
Применение
Широко применяется в ключевом и усиливающем режиме, в различных схемах управления драйверами реле, светодиодов, двигателей, а также схемах усиления сигналов низкой и высокой частоты. Примеры схем и порядок создания простых устройств, методом навесного монтажа, можно посмотреть в видео. В нем представлена информация по возможностям использования bc547 в некоторых проектах: задержку выключения своими руками, автоматического освещения, светодиодный стробоскоп, простейшая охранная сигнализация и аудио усилитель.
Производители
Такие компании, как NXP, Philips, Micro Electronics, Fairchild, ON Semiconductor, Vishay и многие другие, являются лидерами в производстве этого устройства.
2N2222 to-92 | Биполярные транзисторы
| Код товара : | M-161-7055 |
|---|---|
| Обновление: | 2019-09-14 |
| Тип корпуса : | TO-92 |
Дополнительная информация:
Обратите внимание, что транзисторы одной марки могут иметь различный тип корпуса (исполнение), поэтому смотрите картинку и параметры корпуса. На нашем сайте опубликованы только основные параметры и характеристики. Полная информация о том как проверить 2N2222 to-92, чем его заменить, схема включения, отечественный аналог, цоколевка, полный Datasheet и другие данные по этому транзистору, может быть найдена в PDF файлах раздела DataSheet и на сайтах поисковых систем Google, Яндекс и тд.
В магазине указаны розничные цены. Для оптовиков, мы готовы предложить оптовые цены (скидки), в этом случае, присылайте ваш запрос на наш емайл, мы отправим вам коммерческое предложение.
Что еще купить вместе с 2N2222 to-92 ?
Огромное количество электронных компонентов и технической информации на сайте Dalincom, может затруднить Вам поиск и выбор требуемых дополнительных радиотоваров, радиодеталей, инструментов и тд. Следующую информационную таблицу мы подготовили для Вас, на основании выбора других наших покупателей.
| Код | Наименование | Краткое описание | Розн. цена |
** более подробную информацию (фото, описание, маркировку, параметры, технические характеристики, и тд.) вы сможете найти перейдя по ссылке описания товара | |||
| 7055 | 2N2222 to-92 | Транзистор 2N2222A (2N2222) – NPN Transistor 40V, 800mA, 30 MHz, TO-92 | 1.6 pyб. |
| 1658 | Щупы для мультиметра (модель FC-136) | Набор из двух прочных универсальных щупов для различных мультиметров (тестеров). Длина провода 1 метр. | 127 pyб. |
| 7334 | 2N3904 to-92 | Транзистор 2N3904 – NPN Bipolar Transistor 40V, 200mA, TO-92 | 1.4 pyб. |
| 282 | TL431A to-92 | Микросхемы TL431 (TL431A) – Voltage Regulator IC (источник опорного напряжения), TO-92 | 1.7 pyб. |
| 1104 | LM358P dip-8 | Микросхема LM358 (LM358P) – Dual operational amplifier, DIP-8 | 4 pyб. |
| 9802 | Конденсатор 10uF 50V (JCCON) | Конденсатор электролитический 10 мкф 50в (JCCON, LOW ESR, 105°C, размер 5х11мм) | 1.6 pyб. |
| 9659 | Конденсатор 1000uF 25V (JCCON) | Конденсаторы электролитические 1000 мкф 25в (JCCON, 105°C, размер 10×20мм) | 6 pyб. |
| 7396 | S9014 to-92 | Транзистор S9014 – Plastic-Encapsulate Transistors NPN, 25V, 50mA, 0.2W, TO-92 | 1.4 pyб. |
| 7338 | BC557 | Транзистор BC557 – PNP Bipolar Transistor 50V, 100mA, TO-92 | 2 pyб. |
| 1770 | LM324N dip-14 | Микросхема LM324N – Low power quad operational amplifiers, DIP-14 | 9 pyб. |
Линейный Транзистор TO-92-3 Коробка NPN PNP BC337 2N2222 XSR Транзисторы Набор
Характеристики:– Материал: кремний
– Черный цвет
– Размер: 12,5×6,2×2,2 см / 4,9×2,4×0,9 ”
Особенности:
● Транзистор – это основное полупроводниковое устройство, управляющее током, которое также можно использовать как бесконтактный переключатель.
● В этом наборе всего 200 штук транзисторов в 10 значениях, которые удовлетворят основные потребности.
● Все транзисторы хорошо упакованы и упакованы в прозрачную коробку для удобного хранения.
● Каждый транзистор имеет четкую маркировку, поэтому вы можете легко определить, какой тип транзисторов вам нужен.
● Это большой ассортимент транзисторов для профессионалов или любителей электроники.
В комплект поставки входят:
20x BC337Биполярный (BJT) транзистор NPN 45 В, 800 мА, 100 МГц, 625 мВт, сквозное отверстие TO-92-3
20x BC327Биполярный (BJT) транзистор PNP 45 В, 800 мА, 100 МГц, 625 мВт, сквозное отверстие TO-92-3
20x2N2222Биполярный (BJT) транзистор NPN 40В, 600 мА, 200 МГц, 625 мВт, сквозное отверстие TO-92-3
20x 2N2907Биполярный (BJT) транзистор PNP 40 В, 600 мА, 200 МГц, 625 мВт, сквозное отверстие TO-92-3
20x 2N3904Биполярный (BJT) транзистор NPN 40В 200мА 200МГц 625мВт через отверстие TO-92-3
20x 2N3906Биполярный (BJT) транзистор PNP 40 В 200 мА, 200 МГц, 625 мВт, сквозное отверстие TO-92-3
20x S8050Биполярный (BJT) транзистор NPN 25В 0,5A 100 МГц 1W сквозное отверстие TO-92-3
20x S8550Биполярный (BJT) транзистор PNP 25 В 0,5A 100 МГц 1W сквозное отверстие TO-92-3
20x A1015Биполярный (BJT) транзистор PNP 50 В 150 мА, 80 МГц, 400 мВт, сквозное отверстие TO-92-3
20x C1815Биполярный (BJT) транзистор NPN 50 В 150 мА, 80 МГц, 400 мВт, сквозное отверстие TO-92-3
Доступные разновидности товара:
https://imgaz2.staticbg.com/images/oaupload/banggood/images/D5/31/011ec8e9-3039-444a-a0ec-eac4a45d14de.JPG
| Отправка из: Склад в Китае | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Тип доставки | Страна и регион | Доставка за 1-7 дней | Доставка за 8-15 дней | Доставка за 16-30 дней | Доставка за 31-45 дней | Средний срок достакви (дней) | |
| Простая доставка без отлеживания на территории страны получателя/Простая доставка с отслеживанием | США | 0.52% | 23.78% | 69.62% | 5.87% | 19.2 | |
| Испания, Великобритания, Италия, Германия, Франция и Португалия | 1.58% | 35.8% | 56.84% | 5.71% | 21.92 | ||
| Нидерланды, Греция, Польша | 5.59% | 24.44% | 55.84% | 13.00% | 22.68 | ||
| Россия | 0% | 11.50% | 70.29% | 16.21% | 26.6 | ||
| Япония, Корея | 0% | 21.30% | 68.80% | 9.66% | 15.95 | ||
| Бразилия | 0% | 0% | 23.91% | 72.09% | 38.6 | ||
| Тайланд, Сингапур и Малайзия | 0% | 18.38% | 54.27% | 25.34% | 19.03 | ||
| Другие страны | 0.7% | 38.79% | 47.94% | 8.56% | 23.57 | ||
| Ускоренная доставка | США | 28.94% | 67.73% | 2.69% | 0% | 11.9 | |
| Испания, Великобритания, Италия, Германия, Франция и Португалия | 5.6% | 65.76% | 27.25% | 0.38% | 11.75 | ||
| Россия | 0% | 0.75% | 88.30% | 9.05% | 22.86 | ||
| Австралия | 7.67% | 86.60% | 5.68% | 0% | 11 | ||
| Корея | 35.54% | 44.45% | 19.32% | 0% | 11.65 | ||
| Япония | 95.80% | 2.09% | 0% | 0% | 6.84 | ||
| Тайланд, Сингапур и Малайзия | 58.96% | 41.04% | 0% | 0% | 8.45 | ||
| Другие страны | 40.75% | 49.96% | 5.13% | 0% | 13 | ||
| Доставка курьерской службой | Все страны (EMS) | 39.85% | 50.09% | 8.96% | 0% | 11.86 | |
| Все страны (DHL) | 90.15% | 9.84% | 0% | 0% | 4.48 | ||
| Склад в GW: обычно доставка занимает 3-5 дней в Великобританию, 3-7 дней в другие страны. | |||||||
| Склад в США: в среднем 3-7 дней. | |||||||
| Склад в ЕС: 2-5 дней в Испанию, 3-7 дней в Португалию. | |||||||
| Отправка и доставка со склада, который ближе всего к адресу доставки, осуществляется гораздо быстрее. Могут взиматься дополнительные сборы. | |||||||
| Примечание: Это общее руководство, и задержки могут быть вызваны форс-мажорными обстоятельствами, стихийными бедствиями, неблагоприятной погодой, войной, праздничными днями и факторами вне нашего контроля. | |||||||
2N2222 datasheet – Технические характеристики: Полярность транзистора: NPN; Коллектор
DB103G : МОСТ ВЫПРЯМИТЕЛЬ, 200В, 1А, ДБ. s: Количество фаз: одиночные; Повторяющееся обратное напряжение Vrrm Макс .: 200 В; Прямой ток, если (AV): 1А; Максимальное прямое напряжение VF: 1,1 В; Рассеиваемая мощность Pd: -; Тип установки диода: на сквозное отверстие; Диапазон рабочих температур: от -65 ° C до + 150 ° C; Тип корпуса мостового выпрямителя: DB; Количество контактов: 4.
VSIB700 : МОСТ-ВЫПРЯМИТЕЛЬ, ОДИНОЧНЫЙ, 1000 В, 6 А, THD.s: Количество фаз: одиночные; Повторяющееся обратное напряжение Vrrm Макс: 1 кВ; Ток в прямом направлении, если (AV): 8А; Максимальное прямое напряжение VF: 1,1 В; Рассеиваемая мощность Pd: -; Тип установки диода: на сквозное отверстие; Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 150 ° C; Тип корпуса мостового выпрямителя: -; Количество контактов: 4.
1SS380TE-17 : ДИОД, ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ, 35 В, 0,1 А, SOD-323. s: Тип диода: Импульсный; Прямой ток, если (AV): 100 мА; Повторяющееся обратное напряжение Vrrm Макс: 40 В; Максимальное прямое напряжение VF: 1,2 В; Макс. Время обратного восстановления trr: -; Прямой импульсный ток Ifsm Макс: 400 мА; Диапазон рабочих температур: – ; Тип корпуса диода: SOD-323; Нет.контактов: 2; MSL: -.
BB179B, 115 : Диод переменной емкости. s: емкость Cd Max @ Vr F: 20 пФ; Q @ Vr F: -; Прямой ток, если (AV): 20 мА; Повторяющееся обратное напряжение Vrrm Макс: 35 В; Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 125 ° C; Тип корпуса диода: SOD-523; Количество контактов: 2.
1N5227B-TAP : стабилитрон, 500 мВт, 3,6 В, DO-35. s: напряжение стабилитрона Vz Тип: 3,6 В; Рассеиваемая мощность Pd: 500 мВт; Тип корпуса диода: DO-35; Количество контактов: 2; Диапазон рабочих температур: – ; MSL: -.
BLL6H0514-25,112 : N CH L-BAND LDMOS ТРАНЗИСТОР, 50 В, 500 МГц – 1400 МГц, 2-SOT-467C. s: Тип транзистора: RF MOSFET; Напряжение истока стока Vds: 50 В; Id непрерывного тока утечки: 2,5 А; Рассеиваемая мощность Pd: 25 Вт; Диапазон рабочих частот: от 500 МГц до 1400 МГц; Типовой коэффициент шума: 21 дБ; Диапазон рабочих температур: – ; Корпус ВЧ-транзистора: SOT-467C; Количество контактов: 2; MSL :.
FP25R12W2T4 : Модуль IGBT. s: Конфигурация модуля: -; Полярность транзистора: канал N; Постоянный ток коллектора: 25А; Напряжение коллектора-эмиттера Vces: 1.2кВ; Рассеиваемая мощность Pd: 175 Вт; Напряжение коллектора-эмиттера V (br) ceo: -; Диапазон рабочих температур: – ; Тип корпуса транзистора: EasyPIM; Количество контактов: 23.
1MBI200S-120 : МОДУЛЬ IGBT, 1200 В, 200 А. s: Конфигурация модуля: -; Полярность транзистора: канал N; Ток коллектора постоянного тока: 300 А; Напряжение коллектор-эмиттер Vces: 2.6V; Рассеиваемая мощность Pd: 1,5 кВт; Напряжение коллектор-эмиттер V (br) ceo: 1,2 кВ; Диапазон рабочих температур: – ; Тип корпуса транзистора: Модуль; Количество контактов: 4.
CPV364M4U : МОДУЛЬ IGBT, 600 В, 20 А, SIP. s: Конфигурация модуля: Шесть; Полярность транзистора: канал N; Ток коллектора постоянного тока: 20А; Напряжение коллектор-эмиттер Vces: 600V; Рассеиваемая мощность Pd: 63 Вт; Напряжение коллектора-эмиттера V (br) ceo: 600V; Диапазон рабочих температур: от -40 ° C до + 150 ° C; Тип корпуса транзистора: -; Количество контактов: 13.
IRG4BC30F-SPBF : ОДИН IGBT, 600 В, 31 А. s: Тип транзистора: IGBT; Постоянный ток коллектора: 31А; Напряжение коллектора-эмиттера Vces: 1.8В; Рассеиваемая мощность Pd: 100 Вт; Напряжение коллектора-эмиттера V (br) ceo: 600V; Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 150 ° C; Тип корпуса транзистора: D2PAK; Количество контактов: 3; MSL: -.
IXA20IF1200HB : XPT IGBT COPACK, 1200 В, 48 А, TO-247. s: Тип транзистора: IGBT; Постоянный ток коллектора: 38А; Напряжение коллектор-эмиттер Vces: 1,8 В; Рассеиваемая мощность Pd: 165 Вт; Напряжение коллектор-эмиттер V (br) ceo: 1,2 кВ; Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 150 ° C; Тип корпуса транзистора: TO-247AD; Нет.контактов: 3; MSL: -.
MMBF4393LT3G : N-КАНАЛЬНЫЙ JFET, -30 В, SOT-23. s: Тип транзистора: JFET; Напряжение пробоя Vbr: 30 В; Idss тока стока нулевого напряжения затвора: -; Напряжение отсечки затвор-исток Vgs (выкл.) Макс .: -3 В; Рассеиваемая мощность Pd: 225 мВт; Диапазон рабочих температур: – ; Тип корпуса транзистора: СОТ-23; Количество контактов: 3.
IRF7316GTRPBF : МОП-транзистор DUAL P CH, -30 В, SOIC-8. s: Полярность транзистора: канал P; Идентификатор постоянного тока утечки, канал N: -; Идентификатор постоянного тока стока, канал P: -4.9А; Напряжение истока стока Vds, N Канал: -; Напряжение истока стока Vds, канал P: -30 В; On Resistance Rds (on), канал N: -; На сопротивлении Rds (вкл.), Канал P: 0,042 Ом; Rds (on) Испытательное напряжение Vgs :.
VS-22RIA20 : тиристор SCR. s: Пиковое повторяющееся напряжение в закрытом состоянии, Vdrm: 200 В; Максимальный ток срабатывания затвора, Igt: 60 мА; Текущий It av: 22A; В состоянии действующее значение тока IT (среднеквадратичное значение): 35A; Пиковый неповторяющийся импульсный ток Itsm 50 Гц: 400 А; Максимальный ток удержания Ih: 130 мА; Максимальное напряжение срабатывания затвора: 2 В; Диапазон рабочих температур: от -65 ° C до + 125 ° C; Корпус тиристора: ТО-48; Нет.контактов :.
BC847BV, 115 : BJT ARRAY, DUAL NPN, 45V, 100MA, 6-SOT-666. s: Конфигурация модуля: Dual; Полярность транзистора: NPN; Напряжение коллектора-эмиттера V (br) ceo: 45V; Частота перехода Типичная: 100 МГц; Рассеиваемая мощность Pd: 300 мВт; Ток коллектора постоянного тока: 100 мА; Коэффициент усиления постоянного тока hFE: 200; Диапазон рабочих температур: от -65 ° C до + 150 ° C; Тип корпуса транзистора: SOT-666; Количество контактов :.
BCM61B : ТРАНЗИСТОР, СООТВЕТСТВИЕ NPN / NPN, SOT143B. s: Конфигурация модуля: Dual; Полярность транзистора: NPN; Напряжение коллектора-эмиттера V (br) ceo: 45V; Частота перехода Типичная: 250 МГц; Рассеиваемая мощность Pd: 390 мВт; Ток коллектора постоянного тока: 100 мА; Коэффициент усиления постоянного тока hFE: 290; Диапазон рабочих температур: от -65 ° C до + 150 ° C; Тип корпуса транзистора: СОТ-143Б; Нет.контактов :.
PDTA115TE, 115 : ТРАНЗИСТОР BRT, PNP, -50V, -100MA, 100KOHM / OPEN, 3-SOT-416. s: Напряжение коллектора-эмиттера V (br) ceo: -50V; Постоянный ток коллектора Ic: -100 мА; Базовый входной резистор R1: 100 кОм; Резистор база-эмиттер R2: -; Соотношение резисторов R1 / R2: -; Корпус ВЧ транзистора: СОТ-416; Количество контактов: 3.
PDTC124TU, 115 : ТРАНЗИСТОР BRT, NPN, 50 В, 100 мА, 22 КОм / ОТКРЫТО, 3-СОТ-323. s: Напряжение коллектора-эмиттера V (br) ceo: 50V; Постоянный ток коллектора Ic: 100 мА; Базовый входной резистор R1: 22 кОм; Резистор база-эмиттер R2: -; Соотношение резисторов R1 / R2: -; Корпус ВЧ транзистора: СОТ-323; Нет.контактов: 3.
BFU690F, 115 : ТРАНЗИСТОР, RF, NPN, 5,5 В, 18 ГГц, SOT-343F. s: Полярность транзистора: NPN; Напряжение коллектора-эмиттера V (br) ceo: 5.5V; Частота перехода Типичная: 18 ГГц; Рассеиваемая мощность Pd: 230 мВт; Ток коллектора постоянного тока: 70 мА; Коэффициент усиления постоянного тока hFE: 90; Диапазон рабочих температур: – ; Корпус ВЧ-транзистора: СОТ-343Ф; Количество контактов: 4.
BFG93A, 215 : RF ШИРОКОПОЛОСНЫЙ ТРАНЗИСТОР, NPN, 12 В, 6 ГГц, 4-SOT-143B. s: Полярность транзистора: NPN; Напряжение коллектор-эмиттер V (br) ceo: 12V; Частота перехода Типичная: 6 ГГц; Рассеиваемая мощность Pd: 300 мВт; Ток коллектора постоянного тока: 35 мА; Коэффициент усиления постоянного тока hFE: 90; Диапазон рабочих температур: – ; Корпус ВЧ транзистора: СОТ-143Б; Нет.контактов: 4.
2N2222A Распиновка, характеристики, эквивалент и техническое описание
Конфигурация контактов:
Номер контакта | Имя контакта | Описание |
1 | Эмиттер | Ток утечки через эмиттер |
2 | База | Управляет смещением транзистора |
3 | Коллектор | Ток протекает через коллектор |
Особенности:
- Биполярный сильноточный NPN-транзистор
- Коэффициент усиления постоянного тока (h FE) – 100
- Постоянный ток коллектора (I C ) составляет 800 мА
- Напряжение базы эмиттера (В BE ) составляет 6 В
- Напряжение коллектор-эмиттер (В CE ) 30 В
- Базовый ток (I B ) не более 5 мА
- Доступен в пакете To-92
Примечание. Полную техническую информацию можно найти в таблице данных 2N2222A , приведенной в конце этой страницы.
Альтернатива для 2N2222A:
BC549, BC636, BC639, BC547, 2N2369, 2N3055, 2N3904, 2N3906, 2SC5200
Транзисторы, эквивалентные2N2222A:
2N2907 (PNP), 2N3904 (PNP), 2N3906 (PNP), BC637, S9014, BC148, 2N4403, MPS2222, PN2222, KN2222, KTN2222
Краткое описание 2N2222A:
2N2222A – это NPN-транзистор , поэтому коллектор и эмиттер будут оставаться открытыми (с обратным смещением), когда базовый вывод удерживается на земле, и будут закрыты (с прямым смещением), когда сигнал подается на базовый вывод.2N2222A имеет значение усиления от 110 до 800, это значение определяет усилительную способность транзистора. Максимальный ток, который может протекать через вывод коллектора, составляет 800 мА, поэтому мы не можем подключать нагрузки, потребляющие более 800 мА, с помощью этого транзистора. Для смещения транзистора мы должны подать ток на вывод базы, этот ток (I B ) должен быть ограничен до 5 мА.
Когда этот транзистор полностью смещен, он может пропускать максимум 800 мА через коллектор и эмиттер.Эта стадия называется областью насыщения, и типичное напряжение, допустимое на коллектор-эмиттер (V CE ) или база-эмиттер (V BE ), может составлять 200 и 900 мВ соответственно. Когда ток базы снимается, транзистор полностью отключается, этот этап называется областью отсечки, и напряжение на базе эмиттера может составлять около 660 мВ.
Где использовать 2N2222A
Транзистор 2N2222A очень похож на обычно используемый NPN-транзистор BC547.Но есть две важные особенности, которые отличают обоих. 2N2222A может пропускать ток коллектора до 800 мА, а также имеет рассеиваемую мощность 652 мВт, которая может использоваться для управления большими нагрузками, чем по сравнению с BC547.
Итак, если вы ищете транзистор NPN, который мог бы переключать нагрузки с более высоким током, тогда 2N2222A может быть правильным выбором для вашего проекта.
Как использовать 2N2222A
Этот транзистор, как и все, можно использовать либо как переключатель, либо как усилитель.Напряжение база-эмиттер этого транзистора составляет 6 В, поэтому вам просто нужно подать это напряжение на базу и эмиттер транзистора, чтобы вызвать ток базы в транзистор. Этот транзистор смещает его в прямом направлении и, таким образом, замыкает соединение между коллектором и эмиттером. Однако одна важная вещь, на которую следует обратить внимание, – это базовый резистор, также известный как токоограничивающий резистор. Как следует из названия, этот резистор ограничивает ток, протекающий через транзистор, чтобы предотвратить его повреждение. Значение этого резистора можно рассчитать по формуле
.R B = V BE / I B
Для простоты я показал упрощенную схему, позволяющую сделать транзистор переключателем.В реальных схемах могут потребоваться модификации. Я использовал базовое напряжение 5 В и номинал 1 кОм в качестве токоограничивающего резистора.
Обратите внимание, что двигатель здесь потребляет около 500 мА от источника питания 12 В, поскольку 2N2222 имеет номинальный ток коллектора до 800 мА, эта схема возможна, если бы это был BC547, транзистор должен был сгореть.
Приложения
- Может использоваться для переключения сильноточных (до 800 мА) нагрузок
- Его также можно использовать в различных коммутационных приложениях.
- Контроль скорости двигателей
- Инверторные и прочие выпрямительные схемы
- Может использоваться в паре Дарлингтона.
2D-Модель
Размеры2D помогут вам разместить этот компонент во время изготовления схемы на печатной плате или печатной плате.
P2N2222A – Усилитель на транзисторах NPN Silicon
% PDF-1.4 % 1 0 объект > эндобдж 5 0 obj > эндобдж 2 0 obj > эндобдж 3 0 obj > транслировать BroadVision, Inc.2020-08-11T13: 15: 24 + 02: 002013-01-10T10: 59: 36-07: 002020-08-11T13: 15: 24 + 02: 00application / pdf
} -ݏ HH_4 # zSDH9% D @ (8ei.// hF +
BJT 2N2222, 2N2222A Техническое описание и примечания по применению
В этой статье объясняются основные характеристики, схемы выводов и информация, относящаяся к применению транзистора NPN BJT 2N2222, 2N2222A, а также его дополнительной пары PNP 2N2907 BJT
Введение в одном из моих предыдущих постов мы обсуждали несколько типов транзисторов с низким уровнем сигнала, таких как BC547, BC557 и т. д. Здесь мы собираемся изучить широко распространенное семейство транзисторов 2N2222, а также относительно реализации их спецификаций и пороговых значений.
Транзистор 2N2222 является одним из важных и очень часто используемых типов транзисторов, которые находят множество применений для переключения в электронных схемах.
Главной особенностью этого транзистора является его способность выдерживать относительно большие токи по сравнению с другими подобными типами транзисторов с малым сигналом.
Обычно транзистор 2N2222 может коммутировать через него ток нагрузки 800 мА, что можно считать довольно высоким по сравнению с миниатюрными размерами, которыми обладают эти устройства.
Возможность переключения высокого тока также делает это устройство идеально подходящим для применения в линейных усилителях.
Основные характеристики этого устройства можно понять по следующим пунктам:
Транзистор 2N2222 или 2N2222A является типом NPN и имеет следующие электрические параметры:
- Максимальный допуск устройства (напряжение пробоя) на его коллекторе и базе составляет 60 вольт для 2N2222 и 75 вольт для 2N2222A с открытыми эмиттерами.
- При открытом основании вышеуказанный допуск для их коллекторных и эмиттерных выводов составляет 30 В для 2N2222 и 40 В для 2N2222A.
- Как было сказано ранее, максимальный ток , который может подаваться на коллектор и эмиттер транзистора через нагрузку, не превышает 800 мА.
- Общая рассеиваемая мощность устройства не должна превышать 500 мВт.
- hFE или коэффициент усиления постоянного тока транзисторов 2N2222 будет около 7 5 минимум при напряжениях около 10 и токе коллектора 10 мА.
- Максимальная частота пропускная способность или частота перехода составляет 250 МГц для 2N2222 и 300 МГц для 2N2222A .
Схема расположения выводов 2N2222
· Напряжение насыщения база-эмиттер для 2N2222 обычно составляет 1,3 В при 15 мА, когда ток коллектора составляет около 150 мА. При токе коллектора, превышающем 500 мА, оптимальное базовое напряжение запуска становится 2,6 В. Для 2N2222A значения составляют 1,2 и 2 вольта соответственно.
Практическое конфигурирование устройства в электронных схемах для любого соответствующего приложения:
Это можно сделать, выполнив следующие шаги, описанные ниже:
Вывод или ножка, отмеченная эмиттером, должна быть подключена к отрицательной линии питающей шины.
Нагрузка, которую необходимо переключить, должна быть подключена между коллектором транзистора и положительным источником питания, то есть положительный вывод нагрузки идет к положительному источнику питания, а другой вывод нагрузки подключается к коллектору. вывод транзистора.
- На базу подается напряжение источника или напряжение срабатывания через токоограничивающий резистор.
- Значение резистора ограничения тока можно рассчитать с помощью формулы, приведенной в конце этой статьи.
- Транзистор 2N2907 является комплементарной парой для 2N2222 и имеет те же характеристики, что и выше, однако, будучи типом PNP, соответствующие полярности совершенно противоположны.
Complete 2N2222 Datasheet
ОКНО КОММЕНТАРИЙ ОТКЛЮЧЕНО В МОМЕНТ, ТАК, КАК САЙТ В ТЕЧЕНИЕ НЕКОТОРЫХ ТЕХНИЧЕСКОГО ОБСЛУЖИВАНИЯ.
О Swagatam
Я инженер-электронщик (dipIETE), любитель, изобретатель, разработчик схем / печатных плат, производитель. Я также являюсь основателем сайта: https: // www.homemade-circuits.com/, где я люблю делиться своими новаторскими идеями и руководствами по схемам.
Если у вас есть какой-либо вопрос, связанный со схемой, вы можете взаимодействовать с ним через комментарии, я буду очень рад помочь!
2N2222A BJT Datasheet and Pinout – Биполярный транзистор NPN
2N2222A относится к разновидности биполярного переходного транзистора NPN, используемого для общих маломощных усилительных или коммутационных приложений. Он разработан для высокоскоростного переключения при токе коллектора до 800 мА и имеет полезный коэффициент усиления по току в широком диапазоне тока коллектора, низкие токи утечки и низкое напряжение насыщения.Основная функциональная зона 2Н2222А заключена в корпус ТО-18. Из-за невысокой стоимости и небольших размеров это наиболее часто используемый транзистор. Одна из его ключевых особенностей – способность выдерживать большие токи по сравнению с другими подобными небольшими транзисторами.
Транзистор2N2222A работает от низкого до среднего тока, малой мощности, среднего напряжения и может работать на умеренно высоких скоростях. коллектор и эмиттер будут оставаться открытыми (с обратным смещением), когда базовый штифт удерживается на земле, и будут закрыты (с прямым смещением), когда на базовый штифт будет подан сигнал.
2N2222A Лист данных
Согласно спецификации 2N2222A:
Максимальное рассеиваемая мощность коллектора (Pc): 0,5 Вт
Максимальное напряжение коллектор-база | Vcb |: 75 V
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер | Vce |: 40 V Максимальное напряжение эмиттер-база
| Veb |: 6 В
Максимальный ток коллектора | Ic max |: 0,8 A
Макс. Рабочая температура перехода (Tj): 175 ° C
Частота перехода (футы): 300 МГц
Емкость коллектора (Cc): 8 пФ
Коэффициент передачи прямого тока (hFE), МИН .: 100
Упаковка: TO18
Транзистор 2N2222A используется в широком диапазоне схем, наиболее распространенные приложения:
Может использоваться для переключения нагрузок с высоким током (до 800 мА)
Он также может использоваться в различных коммутационных приложениях.
Контроль скорости двигателей
Инвертор и другие выпрямительные схемы
Может использоваться в паре Дарлингтона.
Щелкните, чтобы просмотреть и загрузить 2N2222A PDF Datasheet.
2N2222A Распиновка
2N2222A имеет всего 3 контакта. Однако вам нужно знать функции каждого контакта, прежде чем он сможет работать лучше для вас.
Распиновка 2N2222A показана на рисунке ниже:
и конфигурации контактов 2N2222A перечислены ниже:
Контакт 1, эмиттер, ток на выходе через эмиттер
Контакт 2, база, управляет смещением транзистора
Контакт 3, коллектор, ток течет через коллектор
2N2222A Цепь
Принципиальная схема может помочь нам лучше понять, как компонент или микросхема используется и работает в схемах.Это ссылка, чтобы заставить их работать в реальной цепи.
Следующая принципиальная схема 2N2222A является образцом для справки.
2N2222A Аналог / замена
Эквивалентными для 2N2222A IC являются 2N2907, 2N3904, 2N3906, BC637, 2N4403.
Пожалуйста, изучите их различия, сравнив таблицу данных, распиновку и приложения, прежде чем выбрать замену.
2n2222 транзистор рабочий
С помощью этих режимов конфигурации можно легко увеличить ток, напряжение и мощность.800 мА. После этого мы увидим пример управления двигателем постоянного тока с помощью Arduino Uno. Это было краткое описание основных характеристик транзистора 2N2222. Это было описание контактов транзистора. Первоначально он был изготовлен в корпусе ТО или упаковке, как показано здесь. Напряжение перехода база-эмиттер – это то, что включает и выключает транзистор (насыщение) или управляет усилением, если оно не насыщено.
Это означает, что у него высокий коллектор, поэтому он в основном используется в тех цепях, где требуется низкий или средний ток.Вот почему путь эмиттера от транзистора должен идти прямо на землю для NPN или на Vcc для PNP.
D2 – безынерционный диод. Чтобы продолжить работу с нашим сайтом, просто отключите блокировку рекламы и обновите страницу. Например, 2N3904 показывает пик усиления при 10 мА, а 2N2222 при 150 мА.
Я также работаю фрилансером и выполнял множество проектов, связанных с программированием и электрическими схемами.
Текущая форма вышеуказанного моделирования показана на рисунке ниже. Один транзистор 2A2222 выдерживает 40 светодиодов, но для тестирования мы поместили всего 5 светодиодов.Этот транзистор на самом деле предназначен как для низких, так и для средних значений напряжения и тока. Распиновка 2N2222 показана на рисунке ниже: Функции, связанные с каждым контактом 2N2222, вместе с именами контактов показаны в таблице, приведенной ниже.
Двухмерная диаграмма помогает при разработке схемы печатной платы и при сборке электронных компонентов. Текущая форма вышеуказанного моделирования показана на рисунке ниже: Вы можете загрузить полный исходный код Arduino и моделирование в одном пакете, нажав здесь кнопку, показанную ниже.Нагрузки всегда следует размещать на стороне коллектора транзистора. Собственно контакты коллектора и эмиттера поменяны местами.
Транзисторы отключаются при работе в области отсечки и включаются при работе в области насыщения. Суммарная мощность этого компонента не должна превышать 500 мВт. Коллекторный контакт является выходным контактом, и он используется для подачи транзисторного тока на выходную нагрузку. Конфигурация контактов транзистора 2N2222 NPN: Этот транзистор 2N2222 NPN имеет три контакта: эмиттер, базу и коллектор.
Альтернативы 2N2222 теперь широко доступны в упаковке TO-92, например. Copyright © 2013-2020 Все права защищены. Электрически аналогичные транзисторы в корпусе ТО-92: MPS2222, PN2222, KN2222, KTN2222.
Теперь, если вы примените логику 5 В на входе базы, вы увидите светящийся светодиод.
Этого значения тока достаточно, чтобы зажечь один светодиод, но вам может потребоваться зажечь несколько светодиодов с помощью одного контакта.
Сегодня я собираюсь познакомить вас с 2N2222.Напряжение от коллектора к эмиттеру составляет VCEO = 50 В, когда база открыта, напряжение от эмиттера к базе составляет VEBO = 6 В, когда коллектор открыт, напряжение от коллектора к базе составляет VCBO = 75, когда эмиттер открыт, постоянный ток коллектора постоянного тока составляет IC = 800 мА. , Общая рассеиваемая мощность устройства составляет PT = 1 Вт, Максимальное тепловое сопротивление от перехода к корпусу составляет R0JC = 150C0 / Вт, Максимальное тепловое сопротивление от перехода к окружающей среде составляет R0JA = 325C0 / Вт. Этот транзистор 2N2222 NPN имеет почти те же технические характеристики, что и Транзистор BC547 NPN, но единственная разница между ними – это непрерывный ток коллектора и общая рассеиваемая мощность этого транзистора, поэтому его можно использовать в таком приложении, как переключение и усиление, где использовался транзистор BC547.В коммутационном приложении он работает в двух областях, таких как область насыщения и область отсечки. В области насыщения полный ток течет от эмиттера к коллектору в диапазоне от 110 до 800 мА, и в этом состоянии он действует как переключатель. Получайте уведомления, когда появляется новый проект в вашей желаемой категории. Конфигурация контактов показана на рисунке ниже. Вывод эмиттера используется для отвода всего тока транзистора. Работа этой схемы точно такая же, как вы видели в предыдущем разделе, за исключением того, что используется двигатель постоянного тока.Сначала мы рассмотрим пример простого примера управления светодиодом с помощью переключателя. В противном случае он останется выключенным.
Схема проста, но действительно эффективна и работает лучше всего. Я сделал еще одну симуляцию в Proteus ISIS, чтобы управлять простым двигателем постоянного тока, используя. Номинальные значения тока, мощности и напряжения для транзистора 2N 2222 показаны в таблице ниже. 2N2222 – это NPN-транзистор с биполярным переходом общего назначения. Это было краткое описание номинальных значений мощности, тока и напряжения IC 2N2222.Следовательно, пользователь не может подключить нагрузку, ток которой превышает 800 мА. Аналогично, в области отсечки ток не течет от эмиттера к коллектору, тогда он действует как выключатель, ограничивающий ток резистор также находится в цепи для ограничения базовый ток, потому что это может привести к повреждению транзистора, если ток источника больше 5 мА. Резистор 10 кОм ограничивает ток ниже прямого тока, необходимого для включения светодиода. Схема его конфигурации выводов показана здесь в соответствии с таблицей данных: Аналогично в приложении усиления, он может быть подключен в трех конфигурациях, таких как общий эмиттер, общий коллектор и общая база.
© Circuit-Diagramz.com, 2016, на базе FDS, все права защищены. P2N2222, который имеет аналогичные характеристики, за исключением более низкого максимального тока коллектора Ic. Сообщите мне о последующих комментариях по электронной почте. Биполярное расстройство хорошо изучать, но в имеющемся на рынке продукте вы, вероятно, предпочтете использовать NFET. Он состоит из реле, транзистора и некоторых пассивных устройств, таких как резисторы, конденсаторы и переключатели. Ниже показана принципиальная электрическая схема, на которой кружки представляют светодиоды, а прямоугольные блоки – резисторы.
Пирог Орео в чашке, Компании по производству лапши быстрого приготовления, Программное обеспечение Primavera для гражданского строительства, Растворение Наох, Проводка датчика температуры Ls 2 Wire, Вифлеем, что означает на тамильском языке, Драйв Медикал Уокер, Системы контроля доступа закрытого типа, Контракт с полицией Тампы на 2020 год, Можно ли есть Эдамаме, Fentimans Cherry Cola 750 мл, Jntuk R16 Syllabus 4-1, Итальянский рецепт супа из фенхеля, Jntuk R16 Syllabus 4-1,
Поиск электронных компонентов и запчастей
Усилители
Аналоговые ИС
Аккумуляторы
Зуммеры, динамики и микрофоны
Кабели и провода
Конденсаторы
Разъемы
Кристаллы
Совет по развитию / Совет по проверке программ
Диоды
ИС драйвера
ИС встроенной периферии
Встроенные процессоры и контроллеры
Фильтры
Функциональные модули
Предохранители
Оборудование и прочее
Катушки индуктивности, дроссели и трансформаторы
Интерфейсные ИС
Логические ИС
Память
Двигатель
Оптопары, светодиоды и инфракрасный порт
ИС управления питанием
Кнопочные переключатели и реле
RF и радио
Резисторы
Датчики
Инструменты и аксессуары
Транзисторы
прочие
