2Sd5072: 2SD5072, Транзистор биполярный, NPN, Ic=5А, Vceo=800В, Vcbo=1500В, Pd=60Вт , hFE= =8 [TO-3PML], Inchange

Содержание

характеристики (параметры), схема, советские аналоги

Главная » Транзистор

2SD5072 — кремниевый NPN транзистор, разработанный для систем горизонтальной развертки цветных телевизионных приемников. Конструктивное исполнение TO-3MPL.

Содержание

Цоколевка и корпус
Характерные особенности
Предельные эксплуатационные характеристики (при Ta=25°C)
Электрические характеристики (при Ta=25°C)
Модификации транзистора D5072
Аналоги
Советское производство
Зарубежное производство
Графические данные

Цоколевка и корпус

Характерные особенности

Высокое напряжение пробоя коллекторного перехода UCBO ≥ 1500 В;
Высокая скорость переключений;
Высокая надежность;
Встроенный защитный диод;
Малый разброс основных параметров выпускаемых изделий от партии к партии.

Предельные эксплуатационные характеристики (при Ta=25°C)

Характеристика	Символ	Значение
Напряжение коллектор-база, В	U_CBO	1500
Напряжение коллектор-эмиттер, В	U_CEO	800
Напряжение база-эмиттер, В	U_EBO	6
Ток коллектора постоянный, А	I_CO	5
Ток коллектора импульсный, А	I_CM	16
Мощность рассеяния на коллекторе, Вт	P_C	60
Предельная температура кристалла, °С	T_J	150
Диапазон температур при хранении, °С	T_STG	от -55 до 150

Электрические характеристики (при Ta=25°C)

Характеристика	Символ	Параметры при измерениях	Значение
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В	U_CE(sat)	I_C=4А, I_B=0,8А	≤ 5,0
Напряжение насыщения база-эмиттер, В	U_BE(sat)	I_C=4А, I_B=0,8А	≤ 1,5
Ток коллектора выключения, мкА	I_CBO	U_CB=800В, I_E=0	≤ 10
Ток эмиттера выключения, мА	I_EBO	U_EB=800В, I_C=0	от 40 до 200
Коэффициент усиления статический	h_FE	U_CE=5В, I_C=1А	≥ 8
Падение напряжения на защитном диоде, В	U_ECF	I_F=5А	≤ 2,0
Частота среза, МГц	f_T	U_CE=10В, I_C=1А	Типовое значение = 3
Время спада, мксек	t_f	I_C=1А, I_B1=0,8А, I_B2=-1,6А, R_L=50 Ом, U_CC=200В	≤ 0,4

Модификации транзистора D5072

(по материалам компании-производителя ISC Inchange Semiconductor)

В таблице представлены только те параметры, которые изменяются от модели к модели.

Модель	P_C	I_CO/I_CM	I_EBO	U_CE(sat)	Корпус	Защитный диод
2SD5072	60	5/16	От 40 до 200	5	TO-3MPL	Есть
2SD5070	50	2,5/10	От 40 до 200	8	TO-3MPL
2SD5071	50	3,5/10	От 40 до 200	8	TO-3MPL
2SD5074	50	2,5/10	1	8	TO-3MPL	Нет
2SD5075	50	3,5/10	1	8	TO-3MPL
2SD5075T	75	3,5/10	1	8	TO-220C
2SD5076	60	5/16	1	5	TO-3MPL

Аналоги

Транзисторы кремниевые, NPN, переключательные, высоковольтные. Разработаны для применения в генераторах строчной развертки видеомодулей повышенной информационной емкости и источниках вторичного электропитания. Данные получены из даташитов производителей.

Советское производство

Модель	P_C	f_T	U_CBO	U_EBO	I_C	h_FE	Корпус
2SD5072	60	≥ 3	1500	6	5/16	8	TO-3MPL
КТ8107-2 (А/Б/В/Г/Д/Е)	50 – 125	≥ 7	1000 – 1500	5 – 6	5 – 10	2 – 12	TO-3 (КТ-9)
КТ846А/Б/В	12,5	≥ 2	1200 – 1500	5 – 7	5 – 7,5		TO-3 (КТ-9)
КТ838А/Б	12,5	≥ 3	1200 – 1500	5 – 7	5 – 7,5	≥ 4	TO-3 (КТ-9)
КТ839А	50	≥ 5	1500	5	10	≥ 5	TO-3 (КТ-9)
КТ872А/Б/В	100	≥ 7	1200 – 1500	6	8/15	≥ 6	TO-218 (КТ-43-1)
КТ886А1/Б1	75	–	1400 – 1000	7	10/15	6 – 25	TO-218

Зарубежное производство

Источник информации — даташит производителей.

Модель	P_C	f_T	U_CBO	U_EBO	I_C	h_FE	Корпус
2SD5072	60	≥ 3	1500	6	5/16	8	TO-3MPL
2SC4923	70		1500	6	8	8	TO-3MPL
2SC4924	70		1500	6	10	8
2SC4941	65	8	1500	7	6	15
2SC5002	80	4	1500	6	7	8
2SC5003	80	4	1500	6	7	8
2SC5042	60		1600	6	7	15
2SC5124	100	3	1500	6	10	8
2SC5296	60		1500	6	8	15
2SC5297	60		1500	6	8	20
2SC5299	70		1500	6	10	20
2SD2578	60		1500	6	8	15
2SD2579	60		1500	6	8	20
2SD2580	70		1500	6	10	15
TT2142	65		1500	8	8	10	TO-3PMLH

Графические данные

Рис. 1. Зависимость коллекторного тока I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE при различных значениях тока базы I_B.

Рис. 2. Передаточная характеристика: зависимость тока коллектора I_C от управляющего напряжения база-эмиттер U_BE.

Рис. 3. Зависимость статического коэффициента усиления по току от величины тока коллектора I_C.

Рис. 4. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер U_CE₍_sat₎ от тока коллектора I_C.

Рис. 5. Ограничение тепловой нагрузки P_C транзистора при возрастании температуры корпуса T_C.

Транзистор D5072 (2SD5072): характеристики, аналоги и datasheet

Высоковольтный биполярный кремниевый транзистор D5072 по характеристикам отлично подходил для применение в импульсной радиотехнике и электронике. А изначально разрабатывался и предназначался для систем строчной развёртки цветных кинескопных телевизоров.

Он выполнен в корпусе ТО-3PML с буквенной маркировкой D5072 (первые 2S символа обычно пропускают) и с тремя металлическими выводами (Б, К, Э). Внутри корпуса транзистора, между эмиттером и коллектором встроен, диод, который служит для погашения импульсов ЭДС в цепях с индуктивной нагрузкой. Электронная проводимость радиоэлемента соответствует типу N-P-N.

Цоколевка

Корпус транзистора герметичный и непрозрачный. Он выполнен из материала, представляющего сложную композицию, состоящую из полимерной основы с примесью фенолформальдегидной смолы и других добавок.

Внутри корпуса располагается кристалл кремния, состоящий из трёх частей – базы, коллектора и эмиттера, которые соединены с контактами 1, 2, 3. Цоколевка D5072 указана на рисунке.

Помимо выводов в корпус встроен (кристаллодержатель) металлический теплоотвод с отверстием для установки на внешний радиатор.

Транзистор D5072 промаркирован в соответствии с японским промышленным стандартом JIS и считается комбинацией в системах обозначений Pro-Electron и JEDEEC.

Маркировка 2SD5072 расшифровывается следующим образом: Цифра 2 обозначает тип радиокомпонента – транзистор. Буква S указывает, что это полупроводник. Буква D определяет класс – низкочастотный с PNP переходом. Число 5072 обозначает номер разработки.

Режимы работы

Биполярный транзистор D5072 может работать в следующих режимах:

Режим отсечки

В этом режиме при разнице значений между базой и эмиттером примерно на 0,6V база-эмиттерный переход закрывается, так как ток базы отсутствует. Вследствие того, что в базовом слое нет свободных электронов, коллекторный ток также перестает протекать. В результате всего этого транзистор переходит в режим отсечки. Таким образом, транзистор можно использовать как ключ в открытом положении.

Режим насыщения

В этот режим транзистор переходит в результате увеличения базового тока до предельной величины, из-за которой р-п переход открывается. Значение тока в этом режиме зависит от величины питающего напряжения цепи и нагрузки, возникающей на коллекторе. В этом случае входной сигнал не усиливается, так как коллекторный ток не реагирует на изменение базового тока. Таким образом, транзистор можно использовать как ключ в закрытом положении.

Режим усиления

В этом режиме используется для усиления сигнала. На базу подаётся разность потенциалов, вследствие чего открывается база-эмиттерный переход. В результате, в транзисторе начинается движение коллекторных и базовых токов. В итоге радиокомпонент выполняет свою основную задачу.

Режим барьера

В подобном режиме транзистор используют в качестве диода с последовательно подключённым резистором. С этой целью базу соединяют с коллектором напрямую или через небольшое сопротивление. Таким образом, транзистор используют в высокочастотных устройствах и для уменьшения числа компонентов в схеме

Характеристики

К основным и важным параметрам биполярного транзистора 2SD5072 относятся следующие показатели:

Сила коллекторного тока (I_C
), которая на порядок превышает ток базы (I_B) и является основным параметром – коэффициентом усиления по току. Определить этот параметр можно при соблюдении двух условий. Во-первых, при работе транзистора нагрузка на коллекторе должна отсутствовать. Во – вторых, должно присутствовать постоянное напряжение на коллекторе и эмиттере. Такое соотношение I_ко/ I_баздает нужный показатель. При уменьшении I_КОснижается значение коэффициента.
Входное сопротивление вычисляется путём соотношения U_бэ (напряжение база — эмиттер) к I_баз (тока базы).
Коэффициент усиления по напряжению – соотношение величин входного и выходного напряжений (по каналу база – эмиттер). При настройке работы транзистора нужно помнить, что управляющие базовые напряжения отличаются друг от друга по коэффициенту усиления.

Граничная частота коэффициента передачи тока этот параметр важен, так как при увеличении частоты величина коэффициента усиления значительно уменьшается.

Кроме выше перечисленных существует ещё целый ряд параметров, влияющих на окончательное решение при выборе транзистора для конкретной схемы.

Максимально допустимые параметры

Напряжение на эмиттер-база (U_EBO) – 6V
Напряжение на база-коллектор (U_CBO ) – 1500V
Макс. напряжение на эмиттер- коллектор (U_CEO) – 800V
Постоянный ток коллектора (I_CO) – 5A
Импульсный ток коллектора (I_CM) – 16A
Макс. допустимая температура кристалла (T_J) – 150 ⁰C
Диапазон температур при эксплуатации (T_STG) – от -55 до 150 ⁰C

Мощность рассеивания на коллекторе (P_C) – 60W

Электрические параметры транзистора

Параметр	Обозначение	Тип измерения	Допустимое отклонение
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер	U_{CE (SAT}₎	I_C= 4A, I_B= 0,8A	± 5,0 V
Напряжение насыщения база-эмиттер	U_{BE (SAT}₎	I_C= 4A, I_B= 0,8A	± 1,5 V
Ток отключения коллектора	I_CBO	U_CB=800V,I_E=0	± 10 µA
Ток отключения эмиттера	I_EBO	U_EB=800V, I_C =0	от 40 до 200 mA
Коэффициент усиления по постоянному току	h_FE	U_CE=5V, I_C=1A	± 8
Прямое падение напряжения на защитном диоде	U_ECF	I_F=5A	± 2,0 V
Частота перехода	f_T	U_CE=10V, I_C=1A	= 3 MHz
Время спада	T_F	I_C= 1A,I_B1=0,8A, I_B2=1,6A,RL=50Ω, U_CC=200V	± 0,4 µS

Воздействие температуры

При изменении температуры D5072 начинает работать нестабильно, и это является его большим недостатком. С повышением температуры увеличивается начальный коллекторный ток. В результате происходит изменение характеристик P-N перехода. Меняются обратные токи и коэффициент усиления.

Поэтому при подборе транзистора следует обращать внимание на диапазон температур, при которых он будет работать стабильно.

Схема включения

Теперь приведёт три основные схемы включения, это:

С общим эмиттером;
С общей базой;
С общим коллектором.

Графически данные

Ниже представлено три графика:

Зависимость тока коллектора от управляющего напряжения база-эмиттер;
Зависимость коллектора тока от напряжения коллектор-эмиттер;
Зависимость коэффициента усиления от величины коллекторного тока.

Аналоги

Транзистор 2SD5072 имеет следующие аналоги:

BU508AS2H;
2SD1651;
KSD5072.

Причём корпус транзистора KSD5072 и 2SD5072 маркируется одинаково (D5072).

Производители

Транзистор 2SD5072 (datasheet по клику на название) производится сразу несколькими фирмами такими как:

Fairchild;
Inchange Semiconductor;
Savanticж
Samsung.

На российском рынке преимущество имеют транзисторы производителя Inchange Semiconductor.

Hoja de datos ( техническое описание в формате PDF ) электронных компонентов

Номер пьезы	Описание	Фабрикантес	ПДФ
1N3004W	Кремниевый эпитаксиальный планарный диод	НАГРУЗКА	ПДФ
1N4148WTGH	Кремниевый эпитаксиальный планарный диод	НАГРУЗКА	ПДФ
24HST1041	МАГНИТНЫЕ МОДУЛИ 1000 BASE-T	Обе руки США	ПДФ
24HST1041-2	МАГНИТНЫЕ МОДУЛИ 1000 BASE-T	Обе руки США	ПДФ
24ХСТ1041-3ЛФ	МАГНИТНЫЕ МОДУЛИ 1000 BASE-T	Обе руки США	ПДФ
24ХСТ1041А	1000 МАГНИТНЫЕ МОДУЛИ BASE-T	Обе руки США	ПДФ
24ХСТ1041А-2	МАГНИТНЫЕ МОДУЛИ 1000 BASE-T	Обе руки США	ПДФ
24ХСТ1041А-2ЛФ	МАГНИТНЫЕ МОДУЛИ 1000 BASE-T	УМЭК	ПДФ
24ХСТ1041А-3ЛФ	МАГНИТНЫЕ МОДУЛИ 1000 BASE-T	УМЭК	ПДФ
24ХСТ1041А-3ЛФ	МАГНИТНЫЕ МОДУЛИ 1000 BASE-T	Обе руки США	ПДФ
24ХСТ1041Б	МАГНИТНЫЕ МОДУЛИ 1000 BASE-T	Обе руки США	ПДФ
24ХСТ1041К	МАГНИТНЫЕ МОДУЛИ 1000 BASE-T	Обе руки США	ПДФ
2SB1561U	PNP Кремниевый эпитаксиальный планарный диод	НАГРУЗКА	ПДФ
2SC3356	NPN Кремниевый РЧ-транзистор	Ренесас	ПДФ
Una ficha técnica, hoja técnica u hoja de datos (datasheet на английском языке), también ficha de características u hoja de características, es un documento que резюме el funcionamiento y otras caracteristicas de un componente (por ejemplo, un componente electronico) o subsistema por ejemplo, una fuente de alimentación) con el suficiente detalle para ser utilizado por un ingeniero de diseño y diseñar el componente en un sistema. DataSheet.es является веб-страницей, которая функционирует как репозиторий руководств или hoja de datos de muchos de los productos más Populares, allowiéndote verlos en linea o descargarlos en PDF.

2SD5072_4421409.PDF Загрузить техническое описание — IC-ON-LINE

Номер детали	Горячий поиск: ХС108 МБР254 4КТМКК АТ89К5 М4005 СЭ5614Л А3140 МУР1100Э
Описание продукта
Полнотекстовый поиск

Деталь №

2SD5072

Описание

Кремниевые силовые транзисторы NPN

Размер файла

134.

01K / 3 Страница

Производитель

Savantic, Inc.

ДЖИТОНГ TECHNOLOGY
(CHINA HK & SZ)
Спонсор Datasheet.hk

Деталь: 2SD525

Производитель: TOS

Упаковка: TO-220

На складе: зарезервировано

Цена за единицу для :

50: 1,02 доллара

100: 0,96 доллара США

org/Offer” bgcolor=”#EBEAE4″> 1000: 0,91 $

Электронная почта: [email protected]

Свяжитесь с нами

Домашняя страница

http://www.svntc.com/

Скачать

[ 2SD5072 Datasheet PDF Скачать с IC-ON-LINE.CN ]
[ 2SD5072 Datasheet PDF Скачать с Datasheet.HK ]
[2SD5072 Datasheet PDF Скачать с Maxim4U.com ] 🙂

[Просмотреть в Интернете] [ Искать больше 2SD5072 ]

[ Цена и наличие 2SD5072 на FindChips.com ]

Полнотекстовый поиск: Кремниевые силовые транзисторы NPN

Номер связанной детали

ЧАСТЬ	Описание	Производитель
TWT4805-15BI TWT1205-15BI TWT4805-15BZ TWT2405-15B	ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ КРЕМНИЕВЫЕ СИЛОВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Кремниевый NPN-транзистор большой мощности Кремниевый NPN-переключающий транзистор Кремниевый NPN-транзистор Силовой PNP-транзистор Малосигнальный NPN-транзистор Кремниевый NPN-транзистор средней мощности транзисторы 模拟IC Аналоговые ИС 模拟IC	RECOM Electronic GmbH Vishay Intertechnology, Inc.
BUS98 BUS98A ON0252	SITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistors Из старой системы технических данных 30 AMPERES NPN SILICON POWER TRANSISTORS (SWITCHMODE SERIES)	Motorola Inc. Motorola, Inc. ONSEMI[ON Semiconductor] MOTOROLA[Motorola, Inc.] http://
МДЖ10016 ОН1971 МДЖ10015	NPN SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS 50 А NPN SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS 400 И 500 ВОЛЬТ 250 ВАТТ Из старой системы технических данных	MOTOROLA[Motorola, Inc] ONSEMI[ON Semiconductor]
МДЖЭ1300906 МДЖЭ13009Г МДЖЭ13009	SWITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistors (开关模式系列NPN硅功率晶体管) 12 А, 400 В, NPN, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР, TO-220AB	ОНСЕМИ[ОН Полупроводник]
2SC4414	NPN Эпитаксиальные планарные кремниевые транзисторы Низкочастотные усилители мощности PNP/NPN Эпитаксиально планарные кремниевые транзисторы	Санио
2N6387 2N6388 ON0090	DARLINGTON NPN SILICON POWER TRANSISTORS 8 И 10 AMPER NPN SILICON Из старой системы спецификаций	ОНСЕМИ[ОН Полупроводник]
2N3716 2N3715 ON0040	Силовые преобразователи Sllllcon NPN ТРАНЗИСТОРЫ МОЩНОСТИ 10 АМПЕР КРЕМНИЯ NPN 60,80 ВОЛЬТ 150 ВАТТ Из старой системы спецификаций	Motorola Inc ON Semi MOTOROLA[Motorola Inc] MOTOROLA[Motorola, Inc]
MJE13002 MJE13003	Транзистор средней мощности NPN мощностью 1400 Вт с пластиковыми выводами. 300 В Vceo, 1500 A Ic, 8–40 hFE. ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ КРЕМНИЕВЫЕ СИЛОВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ NPN	Continental Device India Limited
2N5682 2N5681 2N5681SMD	100V VCE, 1A IC, 30 МГц NPN Биполярный транзистор NPN Кремниевые транзисторы . ）)	SEME-LAB[Seme LAB] Semelab(Magnatec)
МДЖЭ2955Т	Кремниевые силовые транзисторы NPN Кремниевые силовые транзисторы PNP MJE2955T Кремниевые силовые транзисторы PNP MJE2955Т	Savantic, Inc.
2SC2371	Кремниевые силовые транзисторы NPN 0,1 А, 300 В, NPN, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР, TO-126	Micro Commercial Components, Corp.
BD436 BD438 BD434	Кремниевые силовые транзисторы NPN Кремниевые силовые транзисторы PNP	Savantic, Inc.

Связанное ключевое слово из системы полнотекстового поиска

2SD5072 Сервер	2SD5072 эквивалент ic	2SD5072 Скачать	2SD5072 Инструмент	Транзистор 2SD5072
2SD5072 参数网	2SD5072 размер	2SD5072 данные	2SD5072 Серийный номер	2SD5072 Правило снижения номинальных характеристик

Цена и наличие 2SD5072 от

[Добавить закладку] [Контакты Нам] [Обмен ссылками] [Политика конфиденциальности]

Сайты-зеркала: [www.

2Sd5072: 2SD5072, Транзистор биполярный, NPN, Ic=5А, Vceo=800В, Vcbo=1500В, Pd=60Вт , hFE= =8 [TO-3PML], Inchange

характеристики (параметры), схема, советские аналоги

Цоколевка и корпус

Предельные эксплуатационные характеристики (при Ta=25°C)

Электрические характеристики (при Ta=25°C)

Модификации транзистора D5072

Аналоги

Советское производство

Зарубежное производство

Графические данные

Транзистор D5072 (2SD5072): характеристики, аналоги и datasheet

Цоколевка

Режимы работы

Характеристики

Максимально допустимые параметры

Воздействие температуры

Схема включения

Графически данные

Аналоги

Производители

Hoja de datos ( техническое описание в формате PDF ) электронных компонентов

2SD5072_4421409.PDF Загрузить техническое описание — IC-ON-LINE

Больше новостей

Добавить комментарий Отменить ответ