Универсальный внешний накопитель для всех iOS-устройств, совместим с PC/Mac, Android
Header Banner
8 800 100 5771 | +7 495 540 4266
c 9:00 до 24:00 пн-пт | c 10:00 до 18:00 сб
0 Comments

Транзистор 2SK1117 TO-220 – КСП Електроникс

Транзистор 2SK1117 TO-220 – КСП Електроникс

Търсене

Начало Полупроводници и Интегрални Схеми Транзистори MOSFET Транзистори NFET < 1500 V NFET Транзистори Транзистор 2SK1117 TO-220

2,39 лв.

с вкл. ДДС ( 1,99 лв. без ДДС )

Добавете в кошницата

Искате по-атрактивни цени?
Обадете ни се на тел: 0700/19-077

Описание
Описание
Код на продукта 2SK1117 TO-220
Barcode 016628
Състояние NEW / НОВ
Марка / Производител TOSHIBA
Описание
, MOS-N-FET Vdss=600V Id=6A Rds(on)=0. 95R 100W, same as:2SK2544,
Складова наличност 46
Техническа характеристика

Изтеглете файла от тук >

Не намирате това, което търсите? Нека Ви помогнем. Направете запитване

Безплатна

доставка Безплатна доставка за всички поръчки над 100лв. Безплатна междунардна доствка за всички поръки над 100€

Сигурно

разплащане 3D Сигурност на плащане с карта (Verified by Visa или Mastercard SecureCode)

Застраховка

на пратките Застраховка, проследяване и 14 дни безплатно връщане или замяна.

Компетентен

съпорт Използвайте онлайн чата или ни се обадете на
тел: 0700 19 077

2SK1117 транзистор (1117 N-ch 006A00 0600V TO-220 2SK1117 TOSHIBA)

  1. Продукція
  2. Транзистори
  3. 2SK….

Виробник: TOSHIBA

Код товару: Т0000017325

Маркування: ???

Параметри

Найменування Значення Одиниці вимірювання Режим вимірювання
Проводимость N-Channel
Функціональне призначення контактів 1=G 2=D 3=S
Напруга SOURCE-DRAIN 600 V
Напруга GATE-SOURCE ±20 V
Опір SOURCE-DRAIN у відкритому стані 0,95 Ohm @[email protected]=3A
Струм DRAIN 6 A
Струм DRAIN імпульсний 24
A
Заряд GATE загальний 110 nC [email protected][email protected]=6A
Заряд GATE-SOURCE 32 nC [email protected][email protected]=6A
Заряд GATE-DRAIN 24 nC [email protected][email protected]=6A
Потужність розсіювання 100 W @25*C (на радиаторе)
Температура робоча -55. ..+150 *C

Одиниці вимірювання

Найменування K Вага, г
min кратність пакування 1
упаковка (шт) 1
шт 1

Категорії
Аналоги

6NK60F

Корпус

9.9×29.0x4.5mm ++2.54mm

Схема підключення

DataSheet PDF Search Site




Новые списки

Номер детали Функция Производители ПДФ
1N3215 Диод
Американский микрополупроводник
1N3944 Диод
Американ Микрополупроводник
1N3956 Диод
Американский микрополупроводник
1N4314
Диод
Американ Микрополупроводник
1N4315 Диод
Американский микрополупроводник
1N4316 Диод
Американ Микрополупроводник
1N4317 Диод
Американский микрополупроводник
1N4318
Диод

Американ Микрополупроводник
1N4319 Диод
Американский микрополупроводник
1N4381 Диод
Американ Микрополупроводник



K1117 Технический паспорт в формате PDF — 600 В, N-канальный МОП-транзистор

Posted on by Pinout

Номер детали: K1117

Функция: V DSS = 600V, N-канальный MOSFET

Пакет: TO-220AB Тип

Производители: Toshiba

Изображение:

Описание:

. Тип
2. Высокоскоростные, сильноточные преобразователи постоянного тока, релейные и моторные приводы.

Схема контактов

Абсолютные максимальные номинальные значения (Ta = 25°C)

Напряжение сток-исток: VDSS = 600 В
Напряжение затвор-исток: VGSS = 600 В
Пиковый ток стока: ID(pulse) = 6 A
Ток стока: IDR = 24 A
Рассеиваемая мощность стока: Pd = 100 Вт
Температура канала: Tch = 100 °C
Температура хранения: Tstg = -55 ~ +150 °C C

Другие листы данных в файле: 2SK1117

K1117 Лист данных PDF Скачать

Сообщения, связанные с «FET»

Номер детали Описание
ФТВ20Н50А FTW20N50A – N-канальный МОП-транзистор
CS20N50 CS20N50 — кремниевый силовой N-канальный МОП-транзистор
2SK134 140 В, N-канальный, МОП-транзистор
МТ3245 45В, 120А, НЧ МОП-транзистор
72T02GH 72T02GH Nch Power MOSFET – AP72T02GH Лист данных
4511GH N и P-Ch Mode Power MOSFET
КМ20Н50Ф N-канальный, 500 В, МОП-транзистор
40N03GP 40N03GP — N-канальный мощный полевой МОП-транзистор в режиме расширения
1D0N60D 600 В, 1 А, N-канальный, МОП-транзистор – KEC
МДФ11Н60 600 В, 11 А, N-Ch MOSFET – Magnachip

 

Эта запись была размещена в Toshiba с меткой MOSFET, Toshiba, транзистор.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *