Универсальный внешний накопитель для всех iOS-устройств, совместим с PC/Mac, Android
Header Banner
8 800 100 5771 | +7 495 540 4266
c 9:00 до 24:00 пн-пт | c 10:00 до 18:00 сб

2Т704А: 2Т704А транзистор >> 160 шт недорого купить

0 Comments

2Т704А, 2Т704Б, КТ704А, КТ704Б, КТ704В

Все картинки в новостях кликабельные, то есть при нажатии они увеличиваются.

Транзисторы кремниевые меза-планарные n-p-n высоковольтные низкочастотные мощные: 2Т704А, 2Т704Б, КТ704А, КТ704Б, КТ704В. Предназначены для работы в импульсных модуляторах. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жёсткими выводами. Вывод эмиттера маркируется условной точкой на корпусе.

Масса транзистора не более 20 гр.

Чертёж транзистора 2Т704А, 2Т704Б, КТ704А, КТ704Б, КТ704В

Электрические параметры.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=2,5 А, IБ=1,5 А, не более 5 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при IК=2,5 А, IБ=1,5 А, не более 3 В
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером
при Т=24,85°С, UКЭ=15 В, IК=1 А
2Т704А, 2Т704Б, КТ704А, КТ704Б 10-100
КТ704В, не менее 10
при Т=99,85°С, UКЭ=10 В, IК=0,5 А
2Т704А, 2Т704Б 6-300
при Т=60,15°С, UКЭ=15 В, IК=1 А  
2Т704А, 2Т704Б 6-100
Модуль коэффициента передачи тока при ƒ=1 МГц, UКБ=15 В, IК=0,1 А, не менее 3
Обратный ток коллектор-эмиттер при RБЭ=10 Ом, не более
при Т=24,85°С
2Т704А, КТ704А при UКЭ=1000 В 5 мА
2Т704Б, КТ704Б при UКЭ=700 В 5 мА
КТ704В при UКЭ=500 В 5 мА
при Т=99,85°С и Т=-60,15°С
2Т704А при UКЭ=700 В 10 мА
2Т704Б при UКЭ=500 В 10 мА
Обратный ток эмиттера при UБЭ=4 В, не более 100 мА

Предельные эксплуатационные данные.

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБЭ=10 Ом или UБЭ=1,5 В
при Тк=213-373 К
2Т704А 500 В
2Т704Б 350 В
при Тк=263-333 К КТ704Б, КТ704В 400 В
при Тк=228-358 К КТ704А 500 В
Импульсное напряжение коллектор-эмиттер при RБЭ=10 Ом или UБЭ=1,5 В,
τи=1-10 мс, τφ≥10 мкс, Q≥50 и τи≤1 мс, τφ≥10 мкс, Q≥10
при Тк=233-353 К
2Т704А, КТ704А 1000 В
2Т704Б, КТ704Б 700 В
КТ704В 500 В
при Тк=213-373 К
2Т704А 700 В
2Т704Б 500 В
Постоянное напряжение база-эмиттер при при Тк=213-373 К 2Т704А, 2Т704Б и
при Т=228-353 К КТ704А, КТ704Б, КТ704В		 4 В
Постоянный ток коллектора при Т
к=213-373 К 2Т704А, 2Т704Б и
при Т=228-353 К КТ704А, КТ704Б, КТ704В		 2,5 А
Импульсный ток коллектора при τи≤10 мс, Q≥2, Тк=213-373 К 2Т704А, 2Т704Б и
при Тк=223-353 К КТ704А, КТ704Б, КТ704В		 4 А
Постоянный ток базы при Тк=213-373 К 2Т704А, 2Т704Б и
при Тк=223-353 К КТ704А, КТ704Б, КТ704В		 2 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Тк=213-323 К
( при Тк=228-323 К КТ704А, КТ704Б, КТ704В)		 15 Вт
Температура перехода 124,85°С
Температура окружающей среды
2Т704А, 2Т704Б От -60,15 до Тк=99,85°С
КТ704А, КТ704Б, КТ704В От -45,15 до Т
к=84,85°С

Примечания. 1. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт, при Тк>49,85°С определяется по формуле:

РК макс=(Тп-Тк)/RТ п к,

где RТ п к – тепловое сопротивление переход-корпус, определяемое из области максимальных режимов.

За температуру корпуса принимается температура любой точки основания транзистора диаметром не более 13 мм со стороны опорной поверхности.

2. Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 2 мм от корпуса транзистора.

1. Входные характеристики. 2. Зависимость тока эмиттера от напряжения база-эмиттер. 3. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 4. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер, В, от отношения IК/IБ.

1. Входные характеристики. 2. Зависимость тока эмиттера от напряжения база-эмиттер. 3. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 4. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер, В, от отношения I

К/IБ.

1. Зависимость ёмкости эмиттерного перехода от напряжения база-эмиттер. 2. Зависимость ёмкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база. 3. Зависимость статического коэффициента передачи тока от температуры корпуса. 4. Зависимость относительного напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер. 5-6. Область максимальных режимов.

1. Зависимость ёмкости эмиттерного перехода от напряжения база-эмиттер. 2. Зависимость ёмкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база. 3. Зависимость статического коэффициента передачи тока от температуры корпуса. 4. Зависимость относительного напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер. 5-6. Область максимальных режимов.


Транзистор 2Т704А | Радиодетали в приборах

Транзисторы

30.06.2019

Arazbor

Транзистор 2Т704А
Справочник содержания драгоценных металлов в радиодеталях основанный на справочных данных различных организаций занимающихся переработкой лома радиодеталей, паспортах устройств, формулярах и других открытых источников. Стоит отметить, что реальное содержание может отличатся на 20-30% в меньшую сторону.

Радиодетали могут содержать золото, серебро, платину и МПГ (Металлы платиновой группы, Платиновая группа, Платиновые металлы, Платиноиды, ЭПГ)

Содержание драгоценных металлов в транзисторе: 2Т704А

Золото: 0.026
Серебро: 0.0273
Платина: 0
МПГ: 0
По данным: Справочник по драгоценным металлам ПРИКАЗ №70

Транзистор, полупроводниковый триод — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет его использовать для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов. В настоящее время транзистор является основой схемотехники подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.

Типы транзисторов

Существует два основных типа транзисторов: биполярные и полевые.

1. Биполярные транзисторы. Они являются, вероятно, более распространенным типом (именно о них, например, шла речь в предыдущих разделах этой главы). В базу такого транзистора подается небольшой ток, а он, в свою очередь, управляет количеством тока, протекающего между коллектором и эмиттером.
2. Полевые транзисторы. Имеют три вывода, но они называются затвор (вместо базы у биполярного), сток (вместо коллектора) и исток (вместо эмиттера). Аналогично воздействие на затвор транзистора (но на этот раз не тока, а напряжения) управляет током между стоком и истоком. Полевые транзисторы также имеют разную полярность: они бывают N-канальные (аналог NPN-биполярного транзистора) и Р-канальные (аналог PNP).

Маркировка транзисторов СССР

Обозначение транзисторов до 1964 года
Первый элемент обозначения — буква П, означающая, что данная деталь и является, собственно, транзистором. Биполярные транзисторы в герметичном корпусе обозначались двумя буквами — МП, буква М означала модернизацию. Второй элемент обозначения — одно, двух или трехзначное число, которое определяет порядковый номер разработки и подкласс транзистора, по роду полупроводникового материала, значениям допустимой рассеиваемой мощности и граничной(или предельной) частоты.
От 1 до 99 — германиевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 101 до 199 — кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 201 до 299 — германиевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 301 до 399 — кремниевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 401 до 499 — германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 501 до 599 — кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 601 до 699 — германиевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.
От 701 до 799 — кремниевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.

Обозначение транзисторов после 1964 года

Первый символ необходим для обозначения типа используемого материала
Буква Г или цифра 1 — германий.
Буква К или цифра 2 — кремний.
Буква А или цифра 3 — арсенид галлия.

Второй символ обозначает тип транзистора
П — полевой транзистор
Т — биполярный транзистор

Третий символ необходим для обозначения мощности и граничной частоты
1 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) низкочастотные(до 3 МГц).
2 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) средней частоты(до 30 МГц).
3 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) высокочастотные.
4 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
5 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),средней частоты(до 30 МГц).
6 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),высокочастотные и СВЧ.
7 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
8 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), средней частоты(до 30 МГц).
9 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), высокочастотные и СВЧ.

Четвертый и пятый элементы обозначения — определяют порядковый номер разработки.

Изменения в маркировке вступившие в силу в 1978 году. Изменения коснулись обозначения функциональных возможностей — третьего элемента.

Для биполярных транзисторов:
1 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
2 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
4 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой более 300 МГц.
7 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
8 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
9 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой свыше 300 МГц.

Понравилось это:

Нравится Загрузка…

Tags: транзистор

Интернет-магазин радиоламп и редких электронных компонентов

Выпадающие категории

  • ТРУБЫ
    • БУСТЕР
      • ДИОДНЫЕ ДЕТЕКТОРЫ
      • ТРИОД
        • ОДИНАРНЫЙ ТРИОД
        • ДВОЙНОЙ ТРИОД
      • ТЕТРОД
      • ПЕНТОД
      • СЛОЖНЫЙ
    • ТИРАТРОНЫ
    • ВЫПРЯМИТЕЛИ
    • СТАБИЛИЗАТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ И ТОКА
    • ГЕНЕРАТОРЫ И МОДУЛЯТОРЫ
    • МАГНЕТРОНЫ И КЛИСТРОНЫ
    • ЭЛТ ТРУБКА
    • СПЕКТРАЛЬНЫЙ
    • ФОТОЭЛЕКТРОННЫЕ УМНОЖИТЕЛИ И ФОТОЭЛЕМЕНТЫ
    • БЕГУЩАЯ ВОЛНА, ОБРАТНАЯ ВОЛНА
    • РЕНТГЕНОВСКИЙ
    • РАЗРЯДНИКИ ГАЗОВЫЕ РАЗРЯДЫ
    • ИНДИКАТОРЫ / MAGIC EYE / И ДЕКАТРОНЫ
  • СОЕДИНИТЕЛИ
    • ПРОМЫШЛЕННЫЕ И ВОЕННЫЕ СОЕДИНИТЕЛИ
      • ЦИРКУЛЯРНЫЙ
        • РОССИЙСКИЕ /СССР / СОЕДИНИТЕЛИ
          • РС, МР1
          • 2РМ, 2РМТ, 2РМД, 2РМДТ, 2РМГ
          • ШР , СШР ,2РТ ,2РТ-А
        • СОКАПЕКС, АМФЕНОЛ . ……
      • ПРЯМОУГОЛЬНЫЙ
    • СИГНАЛЬНЫЕ РАЗЪЕМЫ
    • РЧ РАЗЪЕМЫ
    • ДЛЯ ПЕЧАТНЫХ И КАБЕЛЬНЫХ КЛЕММ
  • КОНДЕНСАТОРЫ
    • КЕРАМИКА
      • ТРУБЧАТЫЙ
      • ДИСК
    • PIO
      • К40У-9 К40У-9
      • К42У-2 К40У-2
      • КБГ-И
      • К40П-2 А Б
      • КБГ-МН
      • МБГО
      • КБГ-М
      • МБГП
      • К41-1
      • К75-15
    • ТАНТАЛ
    • ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИЙ
    • ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ
      • ТРУБЧАТЫЙ
      • ДИСК
      • ВАКУУМ
      • PIO
    • ПЕРЕМЕННАЯ И ТРИММЕРНАЯ
    • слюда
      • КСО
        • 250В
        • 500В
        • 1000В
        • 2000В
        • 2500В
        • 3000В
        • 5000В
      • КСГ, ССГ
      • СГМ
    • СЕРЕБРЯНЫЙ ТАНТАЛ K52-1, K52-2, ETO
    • ТЕФЛОН ПТФЭ
      • ФТ-1 600 В
      • ФТ-1 200 В
    • ПОЛИПРОПИЛЕН, ПОЛИЭСТЕР, МКТ
    • ПОЛИКАРБОНАТ
    • ФИЛЬТР, ДЕМПФЕР
  • ПРОВОДА И КАБЕЛИ
    • ПРОВОЛОКА
      • СЕРЕБРЯНОЕ ПОКРЫТИЕ
      • УСТАНОВОЧНЫЕ ПРОВОДА
      • ТЕФЛОН
    • ЭКРАНИРОВАННЫЕ КАБЕЛИ
    • КОАКСИАЛЬНЫЙ
    • АВИАЦИЯ
  • НИКСИ ТУБС
    • НИКСИ ТУБС
  • РЕЗИСТОРЫ
    • ПРЕЦИЗИОННЫЕ РЕЗИСТОРЫ
      • 0,125 Вт
        • Металлопленка C2-29B 0,1÷1 %
      • 0,25 Вт
      • 0,5 Вт
        • ПТМН проволочная 0,25 % ÷ 0,5 %
        • Металлопленка С2-14-0,5 1%
        • Металлическая пленка C2-29B 1 %
      • 1 Вт
        • ПТМН проволочная 0,25 % ÷ 0,5 %
        • Металлопленка С2-14-1 1%
        • C5-5B проволочный 0,1 % ÷ 1%
      • 2 Вт
        • C5-5B проволочный 0,1 % ÷ 1%
      • 5 Вт
        • C5-5B проволочная 0,05 % ÷ 1%
      • 8 Вт
        • C5-5B проволочный 0,1 % ÷ 1%
      • 10 Вт
        • C5-5B проволочный 0,1 % ÷ 1%
    • НЕИНДУКТИВНЫЙ
    • ВЛАСТЬ
      • 2-5 Вт
      • 6-10 Вт
      • 11-20 Вт
      • 21-50 Вт
      • 51-100 Вт
      • >100 Вт
      • РЕГУЛИРУЕМЫЙ
    • РЕЗИСТОР АРРАУ
    • WS КИМ КВМ УЛМ
    • ТЕРМОРЕЗИСТОРЫ
    • ШУНТЫ
  • ГЕРМАНИЙ ДИОД
    • ДЕТЕКТОРЫ
    • ВЫПРЯМИТЕЛИ
  • ГЕРМАНИЙ ПЕРЕХОДНИКИ
    • ПНП
    • НПН
    • ВЛАСТЬ
    • ВЧ
  • ТРАНЗИСТОРЫ
    • БИПОЛЯРНЫЙ
    • полевые транзисторы
    • ВЧ/УКВ ТРАНЗИСТОРЫ
    • ТРАНЗИСТОРЫ АРРАУ
    • ОБЪЕДИНЕНИЕ
  • ДИОДЫ
    • ВЫПРЯМИТЕЛИ
    • ЗЕНЕР
    • ШОТТКИ
    • ВЫСОКАЯ ЧАСТОТА
    • ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ МОДУЛИ
  • ПОТЕНЦИОМЕТРЫ
    • ПРОВОД И РЕОСТАТ
      • 0-9 Вт
      • 11-20 Вт
      • 21-30 Вт
      • 31-50 Вт
      • 51-100 Вт
      • >100 Вт
    • УГЛЕРОД И КОМПОЗИТЫ
      • 0,5 Вт
      • 1 Вт
      • 2 Вт
    • ПОДРЕЗНЫЕ ПОТЕНЦИОМЕТРЫ
      • ОДИН ОБОРОТ
      • МНОГООБОРОТНЫЙ
  • ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ
    • время жизни
      • 5400. ..
      • 7400…..
      • 74LS00….
      • 74S00…. 74F00….
      • 74HC00… 74HCT00…
      • ФЖ
    • ОБЪЕМ ПАМЯТИ
    • КМОП
    • АНАЛОГОВЫЙ
      • ОПЕРАЦИОННЫЕ УСИЛИТЕЛИ
      • СТАБИЛИЗАТОРЫ
      • АЦП и ЦАП
    • ГИБРИДНЫЙ
    • МИКРОПРОЦЕССОРЫ И ПЕРИФЕРИЯ
      • ПРОЦЕССОРЫ
      • ПЕРИФЕРИЯ
    • КОНТРОЛЛЕРЫ
    • РАЗНООБРАЗНЫЙ
  • ТИРИСТОРЫ И СИМИСТОРЫ
    • ТИРИСТОРЫ
    • ТРИАКС
  • ФЕРРИТОВЫЕ СЕРДЕЧНИКИ
    • ФЕРРИТОВЫЕ СЕРДЕЧНИКИ
    • ФЕРРИТОВЫЕ КАТУШКИ
  • РЕЛЕ И КОНТАКТОРЫ
    • РЕЛЕ
      • ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЕ РЕЛЕ
      • герконовые реле
      • РЕЛЕ ВРЕМЕНИ
      • АВТОМОБИЛЬНЫЕ РЕЛЕ
      • РЕГУЛЯТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ
    • КОНТАКТОРЫ
    • герконовые переключатели
  • ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ И КНОПКИ
    • ПОВОРОТНЫЕ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ
    • ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ
    • КНОПКИ
    • ДЖОЙСТИКИ
    • МИКРОСКЛЮЧАТЕЛИ
    • КОНЕЧНЫЙ ВЫКЛЮЧАТЕЛЬ
    • КЛЮЧ МОРЗЕ
  • ЧПУ И ПРОМЫШЛЕННОСТЬ
    • АЛЛЕН БРЭДЛИ
    • ФАНУК
    • ТЕЛЕМЕХАНИКА
    • ФЕСТО
  • ИЗОЛЯЦИОННЫЕ МАТЕРИАЛЫ
    • ТЕФЛОН ПТФЭ
      • ФОЛЬГИРОВАННАЯ ЛЕНТА
      • ТРУБКИ
    • ТРУБКА ИЗ СТЕКЛОВОЛОКНА
  • ЛЮБИТЕЛЬСКОЕ РАДИО
  • АУДИО
  • ДЛЯ ГИТАРЫ
  • ДЛЯ ПРОИЗВОДИТЕЛЕЙ
  • КЛЕММНЫЕ БЛОКИ
    • КЛЕММНЫЕ БЛОКИ
    • КЛЕММНЫЕ БЛОКИ ДВУХУРОВНЕВЫЕ
    • КЛЕММЫ ЗАЗЕМЛЕНИЯ
    • ТАРЕЛКИ
  • ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ ПРИБОРЫ
    • АНАЛОГОВЫЙ
      • ВОЛЬТМЕТРЫ
      • АМПЕРМЕТР
      • ЧАСТОТОМЕРЫ
      • СЧЕТЧИКИ
  • ПАЯЛЬНОЕ ОБОРУДОВАНИЕ
    • ПРИПОЯ ПРОВОДА И ПРИПОИ
      • СВИНЦОВАЯ ИГРУШКА
      • БЕЗ СВИНЦА
      • БЕЗ СВИНЦА С СЕРЕБРОМ
    • ПАЯЛЬНИКИ
  • ИНСТРУМЕНТЫ
    • ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ИНСТРУМЕНТЫ
  • КАТУШКА ТЕСЛА
    • КОНДЕНСАТОРЫ
    • ИЗОЛЯЦИОННЫЕ МАТЕРИАЛЫ
  • ПРОВОД СОПРОТИВЛЕНИЯ
    • КОНСТАНТАН
    • НИХРОМ
      • КРУГЛЫЙ
        • 0,011 мм 57AWG
        • 0,012 мм 56AWG
        • 0,014 мм 55AWG
        • 0,016 мм 54AWG
        • 0,0115 мм 56AWG
        • 0,0175 мм 53AWG
        • 0,02 мм 52AWG
        • 0,0225 мм 51AWG
        • 0,025 мм 50AWG
        • 0,028 мм 49AWG
        • 0,03 мм 48АВГ
        • 0,05 мм 44AWG÷ 0,09мм 41AWG
        • 0,1 мм 38AWG÷ 1,0 мм 38AWG
        • > 1,0 мм 38AWG
      • ПЛОСКИЙ
  • ЛАМПОЧКА
    • ЛАМПЫ НАКАЛИВАНИЯ
    • СВЕТЯЩАЯСЯ НЕОНОВАЯ ЛАМПА
    • АВТОМОБИЛЬНЫЕ И АВИАЦИОННЫЕ ФОНАРИ
    • ДЕРЖАТЕЛИ ДЛЯ ЛАМП
  • КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ РЕЗОНАТОРЫ И ФИЛЬТРЫ
  • ИСТОЧНИКИ ЗВУКА
    • НАУШНИКИ
    • МИКРОФОН
      • УГЛЕРОД
      • ЭЛЕКТРЕТ И КОНДЕНСАТОР
      • ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЙ
    • ТЕЛЕФОННАЯ КАПСУЛА
    • ДИНАМИКИ
  • ЭЛЕКТРОДВИГАТЕЛИ И РЕЗОЛЬВЕРЫ
    • ЭЛЕКТРОДВИГАТЕЛИ
      • ОКРУГ КОЛУМБИЯ
      • переменный ток
      • ШАГОВЫЙ
    • РАЗРЕШИТЕЛИ
  • СЧЕТЧИКИ ГЕЙГЕРА-МЮЛЛЕРА
  • УСТРОЙСТВА
  • СЕЛЕНОВЫЕ ВЫПРЯМИТЕЛИ
  • ИНДУКТОРЫ
    • ИНДУКТОРЫ ВЫПРЯМИТЕЛЯ
    • ЛИНЕЙНЫЙ ЭМП-ФИЛЬТР
    • ТНТ
    • поверхностный слой
  • РАДИАТОРЫ
  • ПРЕДОХРАНИТЕЛИ
    • КЕРАМИЧЕСКИЙ
    • СТЕКЛО
      • 5Х20 мм
    • ДЕРЖАТЕЛИ ПРЕДОХРАНИТЕЛЕЙ
    • ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРЕДОХРАНИТЕЛИ
  • РОЗЕТКИ
    • ДЛЯ ТРУБЫ
    • ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНОЙ ЦЕПИ
    • ДЛЯ РЕЛЕ
  • ДАТЧИКИ
    • ТЕМПЕРАТУРА
    • ДАВЛЕНИЕ
    • БЛИЗОСТЬ
    • ДАТЧИКИ ХОЛЛА
  • ОПТИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ
    • ФОТОТРАНЗИСТОРЫ
    • ФОТОДИОДЫ
    • ОПТОПАРА
    • ФОТОРЕЗИСТОРЫ
    • ОТОБРАЖАТЬ
    • СВЕТОДИОДНЫЙ ДИОД
  • ЭМАЛИРОВАННАЯ МЕДНАЯ ПРОВОДА
    • 0,02мм
    • 0,03мм
  • ТЕРМОСТАТЫ И ЗАЩИТА ОТ ПЕРЕГРУЗКИ
    • ТЕРМОСТАТЫ
    • ТЕПЛОВАЯ ПЕРЕГРУЗКА
    • РЕЛЕ ПЕРЕГРУЗКИ ДВИГАТЕЛЯ
    • АВТОМАТИЧЕСКИЕ ВЫКЛЮЧАТЕЛИ
    • ТЕРМОРЕЗИСТОРЫ
    • ВАРИСТОРЫ
  • МАТЕРИАЛЫ ДЛЯ ПЛАТЫ
    • FR2 И FR4 ЛАМИНАТ, ПОКРЫТЫЙ МЕДЬЮ
      • ФОЛЬГИРОВАННОЕ СТЕКЛОВОЛОКНО ФР-4
        • ОДИНАРНЫЙ
          • 0,5мм
          • 1,5 мм
        • ДВОЙНОЙ ФОЛЬГИРОВАННЫЙ
      • ФОЛЬГИРОВАННАЯ СТЕКЛЯННАЯ БУМАГА FR-2
    • ПОСТАВКИ ПХД
  • СМД ЭЛЕМЕНТЫ
    • ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ
    • ТРАНЗИСТОРЫ
    • РЕЗИСТОРЫ
    • КОНДЕНСАТОРЫ
    • ПАССИВНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ
    • ДИОДЫ И ЗЕНЕРЫ
  • РАЗЛИЧНЫЙ
  • ТРАНСФОРМАТОРЫ
  • ТЕРМИНАЛЫ
    • КЛЕММЫ ДЛЯ ПХД

Главная › ТРАНЗИСТОРЫ › БИПОЛЯРНЫЕ › Транзистор 2T704A NPN 2,5 А 500 В 3 МГц 15 Вт

Код: 05929

Описание

Транзистор 2T704A NPN 2,5 А 500 В 3 МГц 15 Вт СССР


♦ – российский стандарт военного назначения

 

Модель: 2T704A

Тип: Си НПН

Максимальная рабочая частота: 3 МГц

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 500 В

Непрерывный ток коллектора: 2,5 А

х31Е – 10-100

Мощность: 15 Вт

Кейс: КТ-10

Изображение иллюстративное!

 

 

  • Производитель: СССР
  • Вес: 0,010 кг

Цена: 12. 00лв.

Количество:

Отправить другу Оцените этот продукт Добавить в список желаний

Джессика Элмхаммер (Стокгольм, 52 года)

Экономиколлен для Оксторгет

Па Джессикас gata tjänar man i snitt 474 865 крон на номер vilket betyder att man har en genomsnittlig månadslön på 39 572 кр. 90 897 . I Стокгольм tjänar man i snitt 36 380 крон за 1 мес. .

Па Джессикас гата хар Фарре персона en märkning än genomsnittet forör Стокгольм . I Стокгольм гар 2,9 % av alla personer en anmarkning.

I Стокгольм финны 47 689 Personer med registrerat skuldsaldo hos Kronofogden med ett genomsnitt на 53 272  крон . Totala skulden hos Kronofogden for alla i Стокгольм г.р. 2 540 495 516  крон .

På Oxtorget har majoriteten av invånarna goda chanser att få låna upp до 150 000 крон utan säkerhet. Testa ditt låneutrymme du med!

Предварительный API для доступа к данным о человеке, тегу номера телефона или номеру телефона. Ком игон!

Информация от Джессики Элмхаммер

Födelsedag och namnsdag

Джессика филлер 53 года Тордаг 10:е декабря.

цветок Скика Бломмор до Джессики

Det visste du inte om Джессика

Дет финнс 797 человек в Стокгольме Джессика (162:е ванлигасте) оч 23 682 человек в Швеции (150:e vanligaste).

Genomsnittsålder для Джессики и Стокгольм 34 года оч я Швеция 33 года.

Kändisar som fyller år samma dag

Намнрегистрация
Персонал Мириам Джессика Брорсдоттер Элмхаммер
Фёрнамн Мириам Джессика Брорсдоттер
Тилльтальснамн Джессика
Эфтернамн Эльмхаммер
Мелланнамн –
Фолькбокфоринг
Платье-гату Окторгет 3 Блгх 1301
Почтовый номер 111 57
Постор Стокгольм
Коммуна Стокгольмская коммуна (0180)
Лен Стокгольмская улица (01)
Särskild почтовый адрес
Jessica Elmhammer saknar särskild почтовый адрес

Предварительный API для доступа к данным о человеке, тегу номера телефона или номеру телефона. Ком игон!

Зарегистрируйтесь на сайте Оксторгет 3 Блгх 1301 я Стокгольм

Человек с таким адресом

Предложение по адресу

Фордон по адресу

Предварительный API для доступа к данным о человеке, тегу номера телефона или номеру телефона. Ком игон!

Телефонный номер до Джессики Эльмхаммер

Информация

Информация по номеру телефона и номеру мобильного телефона из Франции телеоператор. Hittar du inte det nummer du söker, kan просто det numret vara dolt for upplysningstjänster.

Andra format av samma phonenummer до Джессики Эльмхаммер

Предварительный API для доступа к данным о человеке, тегу номера телефона или номеру телефона. Ком игон!

Джессикас Джобб и Стайрелсеуппдраг

Bolagsengagemang

Джессика Элмхаммер saknar bolagsengagemang.

Верклиг Хувудман

Обновление данных 20.04.2023 .

Jessica Elmhammer är inte verklig huvudman eller företrädare for några bolag.

Болаг Геном Андель
Jessica Elmhammer är inte verklig huvudman for något foretag.

En verklig huvudman är den eller de personer som ytterst äger eller kontrollerar exempelvis ett företag eller en förening. En verklig huvudman kan också vara den eller de personer som tjänar på att någon annan agerar åt dem.

De flesta företag och föreningar ska anmäla verklig huvudman Till Болагсверкет. Nystartade foretag och föreningar måste anmäla inom фира вектор.

2015 antog Europaparlamentet ett nytt penningtvättsdirektiv. Enligt direktivet måste alla EU-lander ha ett register over верклига хувудман.

Больше новостей

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *