06.11.2019НИХРОМ-
23.10.2019Спирт изопропиловый Спирт изопропиловый ОСЧ SNR-IPN (1л/0,8кг) – осуществляет мягкую очистку любого электронного, механического и оптического оборудования. При подготовке оптических волокон к сварке спирт используется для их очистки (обезжиривания). ТУ 2632-064-44493179-01. Производитель: SNR Спирт изопропиловый абсолютированный, 1л SNR-IPN-ABS – Состав: изопропиловый спирт 96% (изопропанол). Производитель: SNR . Обращаться в маг. по адресу: пр. Курако, 20 или по тел.+7-906-926-1066 Спирт изопропиловый… Схема проезда
14.10.2019Новые наборы для детского творчества BB2872 арт. 38810 Робот динозавр, Французские опыты Науки с Буки – Собери модель двигающегося динозавра Он будет качать головой и двигать хвостом. Узнай как работают электродвигатели и электрические цепи. 8+. Производитель: Bondibon . Обращаться в маг. по адресу: пр. Курако, 20 или по тел.+7-906-926-1066 BB2024 арт… Схема проезда
30.09.2019Новые неодимовые магниты БЕРЕЧЬ ОТ ДЕТЕЙ! Неодимовый магнит
23.09.2019Plastik 71 500мл
23.09.2019ФЛЮС пр. Курако, 20 или по тел.+7-906-926-1066 Флюс ФКТ.. ФИМ… Схема проезда
23.09.2019Минидрели – граверы RC-40A; SDCJ-05
08.09.2019Термореле REX-C100 в комплекте с термопарой, SSR-40DA, с радиатором
02.09.2019Контроллер заряда-разряда для Li-ion батарей, 3-5 ячеек, до 50А. с балансировкой, QS-B305A 97600 Есть светодиодная индикация окончания заряда, когда происходит балансировка аккумуляторов. Обращаться в маг. по адресу: – пр. Курако, 20 или по тел.+7-906-926-1066 Контроллер заряда-разряда для Li-ion батарей, 3-5 ячеек, до 50А… Схема проезда
18.07.2019Радиоприемник “Эфир-14” |
www.delta-n.ru
2Т920А, (90-93г) – 480.00 р. Доступно: 37 шт. на складе в Москве
2Т920А, (90-93г) – 480.00 р. Доступно: 37 шт. на складе в МосквеРЭК – поставка микросхем и электронных компонентов. Более 1 700 000 наименований отечественных и импортных производителей.
Производитель: Россия
Арт: 26634
Техническая спецификация
| Структура | NPN |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*: Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В | – |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В | 36 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | – |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А) | 0.25 |
| Статический коэффициент передачи тока h31э мин | 30 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр,МГц | 400 |
| Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт) | 5 |
| Корпус | KT-17 |
Описание
2Т920А, (90-93г) – Транзисторы биполярные отечественные
Транзисторы биполярные отечественные 2Т920А, (90-93г)
Цена (условия и цену уточните у менеджеров)
Доступно: 37 шт.
| Мин. кол-во | Цена |
|---|---|
| 1 | 480.00 р. |
| 2 | 400.00 р. |
| 20 | 320.00 р. |
Отправить заявку
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.
r-ek.ru
Транзистор КТ920 — DataSheet
Цоколевка транзистора КТ920
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n генераторные высокочастотные. Предназначены для применения в схемах усилителей мощности в том числе с амплитудной модуляцией, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 50-200 МГц при напряжении питания 12,6 В. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими ленточными выводами и монтажным винтом. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 4,5 г.
| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | КТ920А | 2N5589, 2SC1603 *2, C1-28 *3 | |||
| КТ920Б | BLW18, 2N5590, 2SC2066 *2 | ||||
| КТ920В | 2N5591, 2SC2642 *3, J03020 *3 | ||||
| КТ920Г | BLY88A, MRF660 *3, ТН553 *2 | ||||
| Структура | — | n-p-n | |||
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ920А | 50 °C | 5* | |
| КТ920Б | 50 °C | 10* | |||
| КТ920В | 50 °C | 25* | |||
| КТ920Г | 50 °C | 25* | |||
| Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h31б, f**h31э, f***max | КТ920А | — | ≥400 | МГц |
| КТ920Б | — | ≥400 | |||
| КТ920В | — | ≥400 | |||
| КТ920Г | — | ≥350 | |||
| Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ920А | — | 36 | В |
| КТ920Б | — | 36 | |||
| КТ920В | — | 36 | |||
| КТ920Г | — | 36 | |||
| Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ920А | — | 4 | В |
| КТ920Б | — | 4 | |||
| КТ920В | — | 4 | |||
| КТ920Г | — | 4 | |||
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ920А | — | 0.25(1*) | А |
| КТ920Б | — | 1(2*) | |||
| КТ920В | — | 3(7*) | |||
| КТ920Г | — | 3(7*) | |||
| Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ920А | 36 В | ≤2* | мА |
| КТ920Б | 36 В | ≤4* | |||
| КТ920В | 36 В | ≤7.5* | |||
| КТ920Г | 36 В | ≤7.5* | |||
| Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ920А | — | — | |
| КТ920Б | — | — | |||
| КТ920В | — | — | |||
| КТ920Г | — | — | |||
| Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ920А | 10 В | ≤15 | пФ |
| КТ920Б | 10 В | ≤25 | |||
| КТ920В | 10 В | ≤75 | |||
| КТ920Г | 10 В | ≤75 | |||
| Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. | КТ920А | — | ≥7.5** | Ом, дБ |
| КТ920Б | — | ≥4.5** | |||
| КТ920В | — | ≥3** | |||
| КТ920Г | — | ≥3** | |||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ920А | 175 МГц | ≥2** | Дб, Ом, Вт |
| КТ920Б | 175 МГц | ≥5** | |||
| КТ920В | 175 МГц | ≥20** | |||
| КТ920Г | 175 МГц | ≥15** | |||
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ920А | — | ≤20 | пс |
| КТ920Б | — | ≤20 | |||
| КТ920В | — | ≤20 | |||
| КТ920Г | — | ≤20 |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
rudatasheet.ru
Транзистор 2Т920, КТ920 | | Радиодетали в приборах
Транзистор 2Т920, КТ920
Справочник содержания драгоценных металлов в радиодеталях основанный на справочных данных различных организаций занимающихся переработкой лома радиодеталей, паспортах устройств, формулярах и других открытых источников. Стоит отметить, что реальное содержание может отличатся на 20-30% в меньшую сторону.
Радиодетали могут содержать золото, серебро, платину и МПГ (Металлы платиновой группы, Платиновая группа, Платиновые металлы, Платиноиды, ЭПГ)
Содержание драгоценных металлов в транзисторе: 2Т920, КТ920
Золото: 0.0682
Серебро: 0.0313
Платина: 0
МПГ: 0
По данным: Справочник по драгоценным металлам ПРИКАЗ №70
Транзистор, полупроводниковый триод — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет его использовать для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов. В настоящее время транзистор является основой схемотехники подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.
Типы транзисторов
Существует два основных типа транзисторов: биполярные и полевые.
1. Биполярные транзисторы. Они являются, вероятно, более распространенным типом (именно о них, например, шла речь в предыдущих разделах этой главы). В базу такого транзистора подается небольшой ток, а он, в свою очередь, управляет количеством тока, протекающего между коллектором и эмиттером.
2. Полевые транзисторы. Имеют три вывода, но они называются затвор (вместо базы у биполярного), сток (вместо коллектора) и исток (вместо эмиттера). Аналогично воздействие на затвор транзистора (но на этот раз не тока, а напряжения) управляет током между стоком и истоком. Полевые транзисторы также имеют разную полярность: они бывают N-канальные (аналог NPN-биполярного транзистора) и Р-канальные (аналог PNP).
Маркировка транзисторов СССР
Обозначение транзисторов до 1964 года
Первый элемент обозначения – буква П, означающая, что данная деталь и является, собственно, транзистором. Биполярные транзисторы в герметичном корпусе обозначались двумя буквами – МП, буква М означала модернизацию. Второй элемент обозначения – одно, двух или трехзначное число, которое определяет порядковый номер разработки и подкласс транзистора, по роду полупроводникового материала, значениям допустимой рассеиваемой мощности и граничной(или предельной) частоты.
От 1 до 99 – германиевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 101 до 199 – кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 201 до 299 – германиевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 301 до 399 – кремниевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 401 до 499 – германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 501 до 599 – кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 601 до 699 – германиевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.
От 701 до 799 – кремниевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.
Обозначение транзисторов после 1964 года
Первый символ необходим для обозначения типа используемого материала
Буква Г или цифра 1 – германий.
Буква К или цифра 2 – кремний.
Буква А или цифра 3 – арсенид галлия.
Второй символ обозначает тип транзистора
П – полевой транзистор
Т – биполярный транзистор
Третий символ необходим для обозначения мощности и граничной частоты
1 – транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) низкочастотные(до 3 МГц).
2 – транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) средней частоты(до 30 МГц).
3 – транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) высокочастотные.
4 – транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
5 – транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),средней частоты(до 30 МГц).
6 – транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),высокочастотные и СВЧ.
7 – транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
8 – транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), средней частоты(до 30 МГц).
9 – транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), высокочастотные и СВЧ.
Четвертый и пятый элементы обозначения – определяют порядковый номер разработки.
Изменения в маркировке вступившие в силу в 1978 году. Изменения коснулись обозначения функциональных возможностей – третьего элемента.
Для биполярных транзисторов:
1 – транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
2 – транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
4 – транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой более 300 МГц.
7 – транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
8 – транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
9 – транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой свыше 300 МГц.
Поделиться ссылкой:
Похожее
priborazbor.ru
