Диод 1N5819 по своим характеристикам, относится к мощным полупроводниковым устройствам с барьером Шоттки. Применяется в импульсных блоках питания, зарядках, различных преобразователях электрического питания, выпрямителях, в качестве шунтирующих устройств в разнообразном оборудовании различного назначения. При прямом включении способен пропускать через себя ток величиной в 1 А, при достаточно низком падении напряжения (до 0,6 В).
Цоколевка
Распиновка у рассматриваемого диода стандартная, она не отличается от большинства подробных устройств. Корпус DO-41 выполнен в виде черного пластмассового цилиндра, который имеет два аксиальных вывода. Со стороны катода нарисована белая тонкая полоска.
Технические характеристики
1n5819 выгодно отличается от обычных кремниевых собратьев меньшим падением напряжения при прямом включении, что способствует выделению более низкой рассеиваемой мощности в виде тепла. P-n-переход заменен барьер Шоттки, у которого очень низкая электрическая ёмкость (110 пФ), позволяющая работать устройству на высоких частотах (до 1000 кГц).
Максимальные параметры
Рассмотрим максимальные параметры диода 1n5819:
- обратное напряжение (VRRM max) до 40 В;
- падение прямого напряжения на диоде (VF max) до 0,6 В;
- прямой (от анода к катоду) действующий ток (IF max) до 1 А;
- диапазон рабочих температур перехода (TJ) -65 … +150 oC.
Превышение максимальных параметров может привести к выйду диода из строя.
Электрические параметры
Способность к быстрому восстановлению при переключениях делают 1n5819 незаменимым спутником многих логических интегральных микросхем. Однако, с ростом температуры кристалла резко увеличивается ток утечки и падение прямого напряжения на переходе. Эта особенность наглядно продемонстрирована в таблице электрических параметров и является одним из основных недостатков всех диодов Шоттки.
Скачать основные характеристики диода 1n5819 на русском языке можно по этой ссылке.
Аналоги
Американец SB140 от Vishay — это полноценный аналог 1N5819. Это копия старичка 11DQ04 от японской компании Nihon Inter Electronics Corporation. В качестве функциональной замены можно использовать: 1N5822 (STM), MBR140P (ON Semiconductor), BYV10-40 (STM), но они имеют другое корпусное исполнение.
КДШ2105В – отечественный аналог в пластиковой упаковке КТ-26 (ТО-92) от белорусского предприятия «Интеграл».
Достоинства и недостатки
Несмотря на свои неплохие параметры, 1n5819 не способен стать полноценной заменой для обычных выпрямительных диодов с p-n-переходом. Это связано с его конструктивными особенностями и свойствами. Он неплохо работает в высокочастотных цепях, меньше греется из-за низкого прямого падения напряжения не нём. Но есть и минусы, которые перекрывают все эти плюсы.
В сравнении с обычными диодами, которые неспособны работать в высокочастотных режимах, у Шоттки в разы меньшая величина максимально допустимого обратного напряжения. У них гораздо больший ток утечки, который непропорционально быстро растет с повышением температуры кристалла. В этом можно наглядно убедиться, если сравнить параметры из даташит этих устройств между собой.
Производители
Скачать datasheet на 1N5819 можно, если кликнуть мышкой по наименованию производителя. Устройство выпускается многими зарубежными компаниями. В России распространены следующие брэнды: STMicroelectronics, ON Semiconductor, Fairchild Semiconductor.
Диоды Шоттки – отдельный тип полупроводниковых приборов, в которых не используется p – n переход, элементом с односторонней проводимостью в них является зона контакта металла с полупроводником. Они часто называются диодом с барьером Шоттки, по имени германского исследователя Вальтера Шоттки, определившего свойства потенциального барьера в контактном слое металл – полупроводник, в том числе его выпрямительные свойства. Полупроводник в таких структурах – кремний или арсенид галлия, наиболее часто применяемые металлы – золото, серебро, платина.
Корпус DO-41
Общая информация
Диоды, использующие барьер Шоттки, широко распространены и обладают рядом свойств, отличных от кремниевых приборов с p – n переходом:
- При прямом включении диода Шоттки падение напряжения на нём в 2-3 раза ниже, чем у обычных выпрямительных. При значительном увеличении обратного напряжения (более 100 вольт) этот параметр увеличивается и приближается к значениям для стандартного диода, что определяет основной диапазон напряжений при использовании – десятки вольт;
- Малая ёмкость перехода, позволяющая работать на высоких частотах в цифровых схемах;
- Способность к быстрому восстановлению допускает применение в выпрямителях напряжения до 100 и более килогерц, например, в блоках питания компьютеров.
При необходимости использовать диод с барьером Шоттки на обратное напряжение не более 40 вольт и средний ток 1 ампер наибольшее распространение нашёл диод 1N5819.
Диоды выпускаются в пластмассовом корпусе JEDEC DO – 41 с аксиальными выводами для монтажа ТНТ – установки в отверстия печатной платы, параллельно или перпендикулярно поверхности. Рядом с отрицательным выводом (катод) наносится кольцевая полоска.
Также производится в корпусе SMA (DO – 214AC) для SMD-монтажа, маркируются как SS14. Катод указывается аналогично обозначению на ТНТ – на корпусе.
In5819 для поверхностного монтажа
Электрические параметры
Для любого исполнения корпуса 1N5819 характеристики полностью идентичны:
- Пиковое и максимальное рабочее обратное напряжение – 40 В;
- Переменное обратное напряжение – 28 В;
- Выпрямленный ток (средний) – 1 А;
- Общая ёмкость кристалла и корпуса – 110 пФ;
- Рабочая температура – от -65 до +125 оС.
Важно обратить внимание на одинаковые величины обратных напряжений – пикового и рабочего. Такая особенность параметров свойственна практически всем диодам Шоттки – высокая чувствительность даже к небольшому превышению допустимого обратного напряжения.
Особенности применения
Особенности технологии производства диодов с барьером Шоттки накладывают ограничение на их применение в схемах с возможным увеличением относительно указанного в описании обратного напряжения. В таких ситуациях прибор выходит из строя очень быстро. В выпрямителях импульсных блоков питания применяются совместно со снаббером цепочки из последовательно включённых резистора и конденсатора для подавления высокочастотных импульсов. In5819 часто применяется как шунтирующий выводы сток – исток MOSFET транзисторов небольшой мощности.
Необходимо обратить внимание на отвод тепла от корпуса. Несмотря на то, что рабочая температура диода 125 оС, чрезмерный нагрев может спровоцировать неконтролируемый рост обратного тока, с неминуемым пробоем перехода или его разрушением.
Если обратное напряжение не более 30 вольт, можно использовать диод 1N5818, а до 20 вольт – 1N5817. Производители электронных компонентов выпускают множество ближайших и полных аналогов, как с обозначением типа 1N5819, так и другими: 11DQ03 – фирмы IOR, BYV10 – PHILIPS. Диод 1N5819 – прототип отечественного (белорусской компании «Интеграл») изделия КДШ2105В, это диод Шоттки с аналогичными параметрами, но в корпусе ТО – 92 (КТ – 26).
Видео
Оцените статью:Страна Albania Algeria American Minor Outlying Islands American Samoa American Virgin Islands Andorra Angola Anguilla Antarctica Antigua and Barbuda Argentina Armenia Aruba Australia Austria Azerbaijan Bahamas Bahrain Bangladesh Barbados Belarus Belgium Belize Benin Bermuda Bhutan Blue Bolivia Bonaire, Saint Eustatius and Saba Bosnia and Herzegovina Botswana Bouvet Islands Brazil British Indian Ocean Territory British Virgin Islands Brunei Darussalam Bulgaria Burkina Faso Burma Burundi Cambodia Cameroon Canada Cape Verde Cayman Islands Central African Republic Chad Chile China Christmas Islnd Coconut Islands Colombia Comoros Cook Islands Costa Rica Croatia Curaçao Cyprus Czech Republic Denmark Djibouti Dominica Dominican Republic East Timor Ecuador Egypt El Salvador Equatorial Guinea Estonia Ethiopia Falkland Islands Faroe Islands Fiji Finland France French Guyana French Polynesia French S.Territ Gabon Gambia Georgia Germany Ghana Gibraltar Greece Greenland Grenada Guadeloupe Guam Guatemala Guyana Haiti Heard and McDonald Islands Honduras Hungary Iceland India Indonesia Iraq Ireland Israel Italy Jamaica Japan Jordan Kazakhstan Kenya Kiribati Kosovo Kuwait Kyrgyzstan Laos Latvia Lesotho Liberia Liechtenstein Lithuania Luxembourg Macau, China Madagascar Malawi Malaysia Maldives Mali Malta Marshall Islands Martinique Mauretania Mauritius Mayotte Mexico Micronesia Moldova Monaco Mongolia Montserrat Morocco Mozambique Namibia Nauru Nepal Netherlands New Caledonia New Zealand Nicaragua Niger Nigeria Niue Norfolk Islands North Mariana Islands Norway Oman Pakistan Palau Palestine Panama Papua New Guinea Paraguay Peru Philippines Pitcairn Islands Poland Portugal Puerto Rico Qatar Republic of North Macedonia Reunion Romania Russian Federation Rwanda Saint Helena Saint Kitts and Nevis Saint Martin Samoa San Marino Sao Tome and Principe Saudi Arabia Senegal Seychelles Sierra Leone Singapore Sint Maarten (Dutch part) Slovakia Slovenia Solomon Islands South Africa South Georgia and the Southern Sandwich Islands South Korea Spain Sri Lanka St. Lucia St. Pierre and Miquelon St. Vincent and the Grenadines Suriname Svalbard Swaziland Sweden Switzerland Taiwan, China Tajikistan Tanzania Thailand Togo Tokelau Islands Tonga Trinidad and Tobago Tunisia Turkey Turkmenistan Turks and Caicos Islands Tuvalu Uganda Ukraine United Arab Emirates United Kingdom Uruguay USA Uzbekistan Vanuatu Vatican City Venezuela Vietnam Wallis and Futuna Islands West Sahara Zambia Гонконг, China Сербия Черногория
Язык Русский English
Габариты, электрические параметры, характеристики, маркировка 1N5817 1N5818 1N5819…
Диоды 1N5818 1N5819, это выпрямители Шоттки, изделия оптимизированы для выпрямления очень низких напряжений, с умеренным током утечки. Типичные области применения, это импульсные источники питания, преобразователи, диоды, защита аккумуляторов.
Особенности ДИОДОВ 1N5817 1N5818 1N5819
Низкий профиль
Высокая чистота инкапсуляции, температурная стойкость
Очень низкое падение напряжения
Устройство разработано для применения на промышленном уровне.Расширенная механическая прочность и влагостойкость
Высокая частота операций
Свинец (Pb) -свободная плакировка
Предохранительное кольцо для улучшения прочности и надежности
Общие сведения | ||
1n5818 1n5819 | ||
Категория | Дискретные, полупроводниковые продукты | |
Семейство | Диоды, однополупериодные выпрямители | |
Прямое напряжение при токе 1A | 600mВ | |
Обратное напряжение постоянного тока1n5818 | 30В | |
Обратное напряжение постоянного тока1n5819 | 40В | |
Выпрямляемый ток | 1A | |
Обратный ток утечки 1n5818 | 1мА при 30В | |
Обратный ток утечки 1n5819 | 1мА при 40В | |
Тип диода | Шоттки | |
Скорость | Быстрое восстановление =< 500нс > 200мА | |
Тип монтажа | Через отверстие | |
Корпус | DO-204AL, DO-41, Axial | |
Другое название 1n5819 | 1N5819IR |
Основные параметры, характеристики и габариты вы можете узнать скачав Datasheet
DATASHEET-1n5817-1n5818-1n5819-Fairchild-Semiconductor-Corporation
DATASHEET-1n5819-Vishay-Semiconductors
DATASHEET-1n5818-1n5819-IRF
DATASHEET-1n5817-IRF
DATASHEET-1n5817-1n5818-1n5819-Philips-Semiconductors
1N5819 – это диод Шоттки с низким падением прямого напряжения и высокой скоростью переключения. Обычно используется в высокочастотных приложениях, таких как инверторы, преобразователи постоянного тока и т. Д.
Конфигурация контактов
Контактный № | ПИН-код | Описание |
1 | Анод | Ток всегда входит через анод |
2 | катод | Ток всегда выходит через катод |
Особенности
- Выпрямительный Диод Шоттки
- Средний прямой ток составляет 1А
- прямой импульсный ток 25A
- Прямое падение напряжения 600 мВ при 1A
- Пиковое обратное напряжение составляет 40 В RMS обратного напряжения
- составляет 28 В
- Доступен в пакете DO-41
Примечание. Полная техническая информация приведена в техническом описании 1N5819 , приведенном в конце этой страницы.
Другие диоды Шоттки
1N5822, 1N5824, BAT54A
Альтернативные диоды
1N4148, 1N4733A, 1N5408, 1N5822, стабилитроны.
1N5819 Обзор диодов
Диод – это устройство, которое пропускает ток только в одном направлении. То есть ток всегда должен течь от анода к катоду. Катодный вывод можно идентифицировать с помощью серой полосы, как показано на рисунке выше.
1N5819 представляет собой диод Шоттки с прямым падением напряжения 600 мВ и постоянным током 1 А. Поскольку у него очень низкое прямое падение напряжения, его можно использовать в схемах защиты от обратной полярности, в отличие от обычного диода, который имеет более 1 В, поскольку прямое падение напряжения 1N5819 имеет только падение напряжения 600 мВ, когда через него протекает ток 1A.
По сравнению с обычными диодами диод Шоттки также имеет относительно более высокие скорости переключения и, следовательно, может использоваться в высокочастотных коммутационных цепях.Напряжение обратной блокировки для 1N5819 составляет всего около 28 В, что является своего рода недостатком для всех диодов Шоттки, поэтому убедитесь, что это не влияет на производительность вашей цепи.
Применение диода
- Может использоваться для предотвращения проблемы обратной полярности
- высокочастотных инверторов
- Используется как защитное устройство .
- Регуляторы расхода тока
- приложений защиты от полярности
2D представление (DO-41)
Этот диод доступен в упаковке DO-41.Размеры для пакета DO-41 показаны ниже
,Лист данных
Описание
Особенности
n ЧРЕЗВЫЧАЙНО НИЗКИЙ V
F
n НИЗКАЯ МОЩНОСТЬ ПОТЕРЯ – ВЫСОКАЯ ЭФФЕКТИВНОСТЬ
Механические размеры
НИЗКАЯ НИЗКАЯ; БОЛЬШИНСТВО
ПРОВЕДЕНИЕ ПЕРЕВОЗЧИКА
n ВСТРЕЧАЕТСЯ С UL СПЕЦИФИКАЦИЯ 94V-0
Электрические характеристики @ 25OC.
Максимальные значенияПиковое повторяющееся обратное напряжение … V
RRM
Рабочее пиковое обратное напряжение…V
RWM
DC Напряжение блокировки … V
DC
RMS Обратное напряжение … V
R (rms)
IN5817, 18 & 19 Series
Лист данных
1.0 Amp SCHOTTKY
Барьер ВЫПРЯМИТЕЛИ
Единицы
IN5817
IN5818
IN5819
20
30
40
20
30
40
20
30
40
14
21
28
Вольт
Вольт
Вольт
Вольт
.450
.550
.600
110
ампер
ампер
Вольт
мАмп.
мАмп.
F (av)
@ T
A = 55 ° C
Неповторяющийся пиковый прямой импульсный импульс … I
FSM
@ Условия номинальной нагрузки, ½ волны, 60 Гц, T
I = 75 ° C
Прямое напряжение … V
F
@ I
F = 3.0 Amps
DC обратный ток … I
R
@ Номинальное напряжение блокировки постоянного тока
T
I = 25 ° C
T
I = 100 ° C
Типичная емкость соединения … C
J
Диапазон рабочих и складских температур … T
J, TSTRG
……………………….. ………. от -65 до 125 ……………………………… ……..
…………………………………. ….. 1.0 ………………………………………..
…………… ………………………… 2 5 ……………… ………………………..
………………. …………………….. 1.0 ………………….. ……………………
…………………… ………………… 1 0 ……………………… ………………..
<...................... .70 ... .................>
Типичные обратные характеристики
Мгновенные прямые характеристики
Прямое напряжение (вольт)
Типичная емкость соединения
Обратное напряжение (вольт)
Обратное Напряжение (В
R) – Вольт
Т
J = 125
o
C
T
J = 75
o
C
T
C
1N5817
1N5819
.205
.160
1,00 мин.
.031 тип.
.080
.107
JEDEC
D0-41
.