FQPF5N60C, Транзистор, QFET, N-канал, 600В, 4.5А [TO-220]
Описание
FQPF5N60C является N-канальным, силовым МОП-транзистором QFET® 600В с режимом обогащения и использованием запатентованной и технологии DMOS от компании Fairchild Semiconductor. Эта усовершенствованная технология была специально разработана для минимизации сопротивления в активном состоянии и обеспечения превосходных коммутационных характеристик и стойкости к высоким импульсам энергии в лавинном и коммутационном режимах. Это устройство хорошо подходит для высокоэффективных импульсных источников питания, активной коррекции коэффициента мощности и электронного балласта на базе полумостовой топологии. Этот продукт является универсальным и подходит для различных применений.
• Низкий заряд затвора
• Лавинное тестирование 100%
• Повышенная надежность системы в топологиях PFC и мягкой коммутации
• Улучшение потерь коммутации
• Более низкие потери проводимости
Технические параметры
| Base Product Number | FQPF5 -> |
| Current – Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 4.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 670pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Power Dissipation (Max) | 33W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5Ohm @ 2.25A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | QFETВ® -> |
| Supplier Device Package | TO-220F |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Datasheet FQPF5N60C
Datasheet FQPF5N60C
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Транзистор полевой – проверка исправности – Транзисторы полевые – РАДИОДЕТАЛИ – Каталог статей
Полевые транзисторы (ПТ), благодаря ряду уникальных параметров, в том числе высокому входному сопротивлению, малому сопротивлению в открытом состоянии, находят широкое применение в блоках питания
1 Меры предосторожности при работе с полевыми транзисторами
Чтобы предотвратить выход из строя транзистора во время проверки, очень важно соблюдать правила безопасности. Полевые транзисторы очень чувствительны к статическому электричеству, поэтому их рекомендуется проверять, предварительно организовав заземление. Для того чтобы снять с себя накопленные статические электрические заряды, необходимо надеть на руку заземляющий антистатический браслет.
При отсутствии браслета достаточно коснуться рукой батареи отопления или любых заземленных предметов, так как электростатические заряды между телами при их разделении распределяются пропорционально массе тел. Поэтому для их «обезвреживания» бывает достаточно прикоснуться даже к любой большой незаземленной металлической поверхности.
При хранении полевых транзисторов, особенно маломощных, их выводы должны быть замкнуты между собой.
2 Определение цоколёвки полевых транзисторов
Полевые транзисторы, выполненные по технологии МОП (металл-оксид-полупроводник) или МДП (металл-диэлектрик-полупроводник) в англоязычной литературе носят наименование MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor). Расположение выводов (цоколёвка) полевых транзисторов Затвор (Gate) – Сток (Drain) – Исток (Source) может быть различным. Чаще всего выводы транзистора можно определить по маркировке на плате ремонтируемого аппарата (обычно выводы маркируются латинскими буквами G, D, S). Если такой маркировки нет, то желательно воспользоваться справочными данными (datasheet). Их можно найти в инете, например на сайте
Основные типы корпусов полевых транзисторов импортного производства
Корпус типа D²PAK, так же известен как TO-263-3. Встречается в основном на пожилых платах, на современных используется редко.
Корпус типа DPAK, так же известен как TO-252-3. Наиболее часто используется, представляет собой уменьшенный D²PAK.
Корпус типа SO-8.Встречается на материнских платах и видеокартах, чаще на последних. Внутри может скрываться один или два полевых транзистора.
Корпус типа SuperSO-8, он же – TDSON-8. тличается от SO-8 тем, что 4 вывода соединены с подложкой транзистора, что облегчает температурный режим. Характерен для продуктов фирмы Infineon. Легко заменяется на аналог в корпусе SO-8
Корпус типа IPAK так же известен как TO-251-3. По сути – полный аналог DPAK, но с полноценной второй ногой. Такой тип транзисторов очень любит использовать фирма Интел на ряде своих плат
Для электронных компонентов иностранного производства справочные данные беруться из Даташит (Datasheet – в дословном переводе “бумажка с информацией) — официального документа от производителя электронных компонентов, в котором приводятся описание, параметры, характеристики изделия, типовые схемы и т.д. Datasheet обычно представляет собой файл в формате PDF.
3 Основные характеристики N-канального полевого транзистора
Различных параметров важных, и не очень, у полевых транзисторов много. Мы подойдем к вопросу с прикладной точки зрения и ограничимся рассмотрением необходимых нам практически параметров.
·
· Vgs – Gate to Source Voltage – максимальное напряжение затвор-исток.
· Id – Drain Current – максимальный ток стока.
· Vgs(th) – Gate to Source Threshold Voltage – пороговое напряжение затвор-исток при котором начинает открываться переход сток-исток.
· Rds(on) – Drain to Source On Resistance – сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии.
· Q(tot) – Total Gate Charge – полныйзарядзатвора.
Параметр Rds(on) может указываться при разных напряжениях затвор-исток, как правило это 10 и 4.5 вольта, это важная особенность которую нужно обязательно учитывать.
4 Система маркировки полевых транзисторов
Рассмотрим на примере транзистора 20N03. Это означает, что он рассчитан на напряжение (Vds) ~30V и ток (Id) ~20A. Буква N означает, что это N-канальный транзистор. Но из любого правила есть исключения, так, например, фирма Infineon указывает в маркировке Rds, а не максимальный ток.
· IPP15N03L – Infineon OptiMOS N-channel MOSFET Vds=30V Rds=12.6mΩ Id=42A TO220
· IPB15N03L – Infineon OptiMOS N-channel MOSFET Vds=30V Rds=12.6mΩ Id=42A TO263(D²PAK)
· SPI80N03S2L-05 – Infineon OptiMOS N-channel MOSFET Vds=30V Rds=5.2mΩ Id=80A TO262
· NTD40N03R – On Semi Power MOSFET 45 Amps, 25 Volts Rds=12.6mΩ
· STD10PF06 – ST STripFET™ II Power P-channel, MOSFET 60V 0.18Ω 10A IPAK/DPAK
Итак, в случае маркировки XXYZZ мы можем утверждать, что XX – или Rds, или Id Y – тип канала ZZ – Vds.
Проверку можно проводить стрелочным омметром (предел х100), но более удобно это делать цифровым мультиметром в режиме тестирования P-N переходов (предел, отмеченный значком ). Показываемое мультиметром значение сопротивления на этом пределе численно равно напряжению на P-N переходе в милливольтах.
Рассмотрим проверку на примере транзистора 20N03:
У исправного полевого транзистора между всеми его выводами должно быть бесконечное сопротивление. Причем бесконечное сопротивление прибор должен показывать независимо от полярности прикладываемого напряжения (щупов).
В современных мощных полевых транзисторах между стоком и истоком имеется встроенный диод поэтому канал «сток-исток» при проверке ведет себя как обычный диод.
Черным (отрицательным) щупом прикасаемся к подложке – СТОКУ (D), красным (положительным) – к выводу ИСТОКА (S). Мультиметр показывает прямое падение напряжения на внутреннем диоде (500 – 800 мВ). В обратном смещении мультиметр должен показывать бесконечно большое сопротивление, транзистор закрыт.
Далее, не снимая черного щупа, касаемся красным щупом вывода ЗАТВОРА (G) и опять возвращаем его на вывод ИСТОКА (S). Мультиметр показывает близкое к нулю значение, причём при любой полярности приложенного напряжения – полевой транзистор открылся прикосновением. На некоторых цифровых мультиметрах возможно значение будет не 0, а 150…170 мВ
Если теперь черным щупом коснуться вывода ЗАТВОРА (G), не отпуская красного щупа, и вернуть его на вывод подложки – СТОКА (D), то полевой транзистор закроется и мультиметр снова будет показывать падение напряжения на диоде. Это верно для большинства N-канальных полевых транзисторов в корпусе DPAK и D²PAK, применяемых на материнских платах и видеокартах.
Транзистор выполнил всё, что от него требовалось. Диагноз – исправен.
Для проверки P-канальных полевых транзисторов нужно поменять полярность напряжений открытия-закрытия. Для этого просто меняем щупы мультиметра местами.
Методика проверки исправности полевых транзисторов с достаточной стапенью правильности показана в видеоролике от магазина Чип и Дип
|
|
IRF840 характеристики транзистора на русском, datasheet, аналоги
В тексте приведены характеристики силового N-канальный МОП-транзистора IRF840 на русском языке от производителя International Rectifier (IR). Компания Vishay, поглотившая в свое время IR, теперь выпускает его с дополнительным обозначением SiHF740. В даташит указывается, что это современный транзистор третьего поколения, несмотря на экономичность конструкции и корпуса имеет достаточно хорошие технические параметры. Особенно подчеркивается его мощность, высокое быстродействие, маленькое сопротивление открытого канала и низкая стоимость. Это делает его привлекательным для использования не только на производстве, но и в радиолюбительской среде.
Распиновка
Цоколевка IRF840 выполнена в стандартном корпусе ТО-220AB, способном выдерживать мощность рассеивания до 50 Вт. Расположение выводов идентична различным mosfet фирмы IR в таком корпусе. Для определения назначения выводов возьмите транзистор и поверните его так, чтобы можно было прочитать маркировку на его корпусе. Выводы при этом должны быть внизу. Левый электрод называется — затвором (G), средний — стоком (D), а самый правый – истоком (S). Вывод D соединен с радиатором ТО-220AB. Для наглядности приведем распиновку на рисунке.
Характеристики
В любом техническом описании на транзистор производитель указывает максимально допустимые и электрические параметры эксплуатации, при температуре окружающей среды до 25 °C. Как правило, значения параметров указываются для идеальных условий эксплуатации, которых в реальной жизни добиться практически невозможно. Но именно на эти параметры ориентируется разработчик в своих проектах.
Максимальные
Главные максимально допустимые значения при эксплуатации указаны в самом начале технического описания. Это своеобразная реклама на устройство – чем выше значения параметров, тем лучше. Напомним, что значения этих параметров не должны превышаться ни при каких условиях. Для мощного mosfet irf840 такими параметрами являются: максимальное напряжение сток-исток VDS до 500 В, сопротивление в открытом состоянии RDS(ON) 0,85 Ом, суммарный заряд затвора QGMAX 63 Нк и максимальный ток ID 8.0 A. В отдельную таблицу сведены другие предельно допустимые характеристики, указанные для температуры окружающей среды 25 °C.
Электрические
Максимальные значения дают лишь общее понятия о параметрах устройства и возможность сравнить его с другими транзисторами. Кроме максимальных значений в datasheet на irf840 приводится таблица других не менее важных параметров с названием — электрические характеристики. Эти значения также приводятся с учетом температуры окружающей среды в 25 °C. Рассмотрим их поподробнее.
У таблицы электрических параметров имеется дополнительный столбец с условиями, при которых производитель проводил тестирование устройства. Все значения приведенные в таблице в той или иной мере важны для применения в проектах, однако в первую очередь из этого списка обращают внимание на следующие характеристики irf840: напряжение пробоя V(BR)DSS до 500 В, напряжение отсечки VGS(th) от 2 до 4 В, токи утечки затвора IDSS до 100 нА и канала IDSS до 250 мкА. Их производитель указывает в первую очередь.
Время переключения
Для применения в ключевых схемах стоит обратить внимание на ёмкостные значения (СRSS, СISS, СOSS), которые определяют время открытия TD (ON) и закрытия TD(OFF) канала проводимости. Чем оно ниже, тем лучше работа устройства в ключевом режиме и меньше его нагрев. У irf840 эти значения составляют 14 и 49 наносекунд соответственно. Обратите внимание, что в даташит эти значения приводятся производителем для определенных условий тестирования, соответственно на практике они могут отличатся от указанных.
Ёмкостные характеристики
Так же, для ключевых схем могут понадобиться так называемые паразитные емкости между выводами транзистора (СGD, СGS, CDC). Некоторые производители не указывают их значения, но при необходимости их можно вычислить по формулам:Зная величину обратной переходной ёмкости у irf840 (CRSS = 120 пФ), вычисляем ёмкостные величины у паразитных конденсаторов: CGD 120 пФ; CGS 1180 пФ; CDS 180 пФ. Следует знать, что при включении (открытии канала) емкость CGD образует отрицательную обратную связь между входом и выходом прибора, называемую эффектом Миллера. Значения величин CGD и CDS сильно зависят от напряжения в нагрузке и лишь иногда указываются в документации для тестирования.
Тепловые параметры
Все вышеперечисленные параметры сильно зависят от нагрева самого irf840 и окружающих его элементов, во время работы. Так, при нагреве корпуса до 100 0С максимальный постоянный ток стока, который может перегнать через себя этот транзистор, резко уменьшается до 5.1 A, при этом IGSS будет расти. Максимальные значения отдельных характеристик при переменном токе, таких как IDM, IEA, EAR так же ограничивает температура перехода TJ и об этом производитель указывает дополнительно в пояснениях.
Для расчетов TJ при импульсном токе в даташит приводится график зависимости теплового импеданса между подложкой-корпусом ZthJC (0С/Вт) от коэффициента заполнения D (Duty Factor). Чем больше Duty Factor, тем выше ZthJC и тем сильнее нагревается кристалл, температура которого у irf840 ограничена 150 °C.
Снизить нагрев прибора возможно при установке дополнительных пассивных или активных схем охлаждения с помощью внешних устройств. Пассивная схема предполагает использование радиатора. Для расчета его площади и других свойств, позволяющих уменьшить нагрев irf840, в его спецификации приводят значения тепловых сопротивлений тепловых: кристалл-корпус (Junction-to-Case ), корпус-среду (Junction-to-Ambient).
Аналог
Ближайшие зарубежные аналоги у irf840: это 2SK554 (Toshiba) и STP5NK50Z (STM). Отечественной заменой могут быть КП777А, КП840. К сожалению их очень трудно найти в продаже, особенно российского производства.
Маркировка
Первые символы в обозначении irf840 указывают на его первого производителя — американскую компанию, специализирующуюся на изготовлении электронных компонентов International Rectifier (IR). Эта компании также известна созданием в 1979 году передовой технологии Hexfet, позволившей значительно снизить сопротивление открытого канала у полевого транзистора. По данной технологии по настоящее время изготавливается рассматриваемый образец. В настоящее время компания IR стала одним из подразделений Vishay, которая выпускает транзисторы по без свинцовой технологии с маркикровой irf840PbF (SiHF840-E3) .
Управление от микроконтроллера
Как видно из представленных характеристик напряжение отсечки, при котором irf840 закрыт, составляет 4 В. В связи с этим у многих радиолюбителей появляется желание управления этим mosfet от микроконтроллера напрямую, например таким как Arduino. Однако, этого лучше не делать. Из некоторых условий видно, что значения RDS(ON) и QGMAX измерялись производителем при напряжении на затворе в 10 В. Это связано с тем, что irf840 не открывается полностью при более низких напряжениях, а значит не является транзистором логического уровня и не рекомендован изготовителем для управления от микроконтроллера. Для стабильной работы в схемах управления от микроконтроллера потребуется отдельный драйвер, способный выдать на затвор более 10 В. Обычно, у транзисторов логического уровня в условиях измерений напряжение затвора приближено к 5 В. Компания Vishay рекомендует для этих целей IRF840LC (SiHF840LC).
Схемы включения
Как элемент схемы, он является активным несимметричным четырёхполюсником, одни из выводов у которого общий для цепей входа и выхода. Схемы включения irf840 соответствуют типовому включению в цепях: с общим; с общим стоком; c общим затвором. Типовые способы подключения для полевых транзисторов смотрите на рисунке.
Стабилизатор анодного напряжения
В последнее время у многих радиолюбителей появляется интерес к разработке и сборке анодных стабилизаторов напряжения на мощных mosfet. Идеи для сборки подобных схем подсмотрены в технической документации от компании National Semiconductor и доработаны радиолюбителями на различных форумах. Приведем пример одной из таких схем (c общим затвором) стабилизатора на 250 вольт, с использованием irf840 и микросхемы lm317.
Схема представляет из себя два каскада. В первом каскаде установлен irf840, он выполняет роль истокового повторителя. Во вором каскаде уставлена нагрузка — микросхема lm317. Максимальная величина напряжения между входом и выходом не должна превышать 37 В. Поэтому стабилитроны Z2 и Z3 защищают эту микросхему от напряжения превышающего 30 В.
Резисторы D1, D2, D3, Z3 защищают полупроводниковые устройства от различных нагрузок. R6 нужно поставить для обеспечения ток холостого хода у lm, он должен быть примерно 6.4 мА. Мощность резистора R4 должна быть не менее 30 Вт. Нагрузку обычно подсоединяют с помощью плавкого предохранителя. Микросхему и транзистор необходимо прикрепить на отдельные радиаторы, которые при работе стабилизатора будут достаточно хорошо греться. Указанный стабилизатор выдерживает предельны ток в нагрузке до 110 мА, ограниченный резистором R2.
Производители
Для наиболее полного знакомства предлагаем ознакомится с datasheet irf840 некоторых производителей. На российском рынке в основном его продает компания Vishay. На зарубежном рынке широко представлен фирмами: Fairchild Semiconductor, Samsung, STMicroelectronics, Motorola и др.
5N60C – РАДИОМАГ РКС КОМПОНЕНТЫ
В наличии/под заказ
Техническое описание 5N60C
Цена 5N60C от 0 грн до 0 грн
С этим товаром покупают
196 шт – склад Киев6 шт – РАДИОМАГ-Киев
34 шт – РАДИОМАГ-Львов
5 шт – РАДИОМАГ-Харьков
32 шт – РАДИОМАГ-Днепр Производитель: TI
Микросхемы – Логика
Корпус: DIP-14
Описание: Четыре логических элемента 2ИЛИ-НЕ
Монтаж: THT
Аналог RUS: ЛЕ1
| Возможные замены |
|
CD74HC02M Код товара: 2735 |
| 4N35 Код товара: 2416 |
Микросхемы – Оптроны (оптопары)
Корпус: DIP-6
Тип: Транзистор
Uизол, kV: 3,5 kV
Iвх/ Iвых, mA: 60/100 mA
U вых, V: 30 V
Ton/Toff, µs: 7/7 µs
Рабочая температура, °С: -55…+100°C
Кол-во каналов: 1 419 шт – склад Киев
26 шт – РАДИОМАГ-Киев
17 шт – РАДИОМАГ-Львов
13 шт – РАДИОМАГ-Харьков
7 шт – РАДИОМАГ-Одесса
88 шт – РАДИОМАГ-Днепр
| Возможные замены |
|
LTV-4N35 Код товара: 121687 |
Микросхемы – Оптроны (оптопары)
Корпус: DIP-6
Тип: Транзистор
Uизол, kV: 7,5 kV
Iвх/ Iвых, mA: 60/150 mA
U вых, V: 30 V
Ton/Toff, µs: 2,8/4,5 µs
Рабочая температура, °С: -55…+100°C 14 шт – РАДИОМАГ-Харьков
29 шт – РАДИОМАГ-Одесса
2 шт – РАДИОМАГ-Днепр
| Возможные замены |
|
LTV-4N25 Код товара: 121685 |
E13007 Transistor Pdf
E13007 Transistor PdfA-Z Keywords
Keyword Suggestions
Images for E13007 Transistor Pdf
E13007-2_1379708.PDF Datasheet Download — IC-ON-LINE
maxim4u.com
E13007-1 даташит – Vcbo = 700V, NPN Transistor – Fairchild …
stackpathcdn.com
MJ2955G_1107775.PDF Datasheet Download — IC-ON-LINE
gdcy.com Tags: E13007 TRANSISTOR PDF, E13007 TRANSISTOR PDF, E13007 TRANSISTOR PDF, E13007 TRANSISTOR PDF, E13007 TRANSISTOR DATASHEET PDF, E13007 TRANSISTOR DATASHEET PDF, E13007 DATASHEET PDF, E130072 Datasheet 8A Vcbo700V NPN Transistor, E13007 TRANSISTOR PDF, E13007 TRANSISTOR PDF, E13007 DATASHEET PDF,
Keyword examples:
Sitemap
Таблица сравнения полевых транзисторов
Не смотря на планы купить отдельную повышающую плату для питания стола, решил все же заменить транзистор нагрева стола на Ramps. Вообще, поводом к этому стала переломленная нога предохранителя. Раз уж все равно разбирать бутерброд и паять, то почему бы не перепаять еще и транзистор? Но о самой работе и результатах расскажу позже.Прежде чем что-то менять, надо сначала это что-то выбрать. Про замену транзистора написано много постов и не только тут, но вот беда – никто так и не соизволил (а если и сделал, то я этого не нашел) расписать более подробную инфу про транзисторы и их ключевые характеристики. Все сводится к ‘вот этот точно работает, ставь его’ и к мерилкам ‘экспертностью’ в комментах без раскрытия темы.
В этом посте хочу поделиться со всеми, кто в теме не шарит, но интересуется, нарытой мной информацией и материалами. Что-то найдено тут, что-то на других ресурсах, а что-то узнал от специалистов в местных магазинах радиотоваров.
Начнем с характеристик полевых транзисторов. Их так много, что с ходу в тему не влететь, черт ногу сломит, некоторые из них еще и меняются в температурных диапазонах, а что-то приведено в даташитах в виде графиков. Для нас же, важны следующие:
Максимальный ток Стока, ld (А) – это максимальный продолжительный ток, с которым может работать транзистор. Чем больше, тем лучше.
Напряжение Сток-Исток, Vdss (В) – максимальное напряжение, которое может проходить через транзистор. Этот момент зависит от того, каким напряжением питаете стол через Ramps. Если 24В, то транзистор на 25, чтобы с запасом. Этого хватит, сильно много не надо.
Пороговое напряжение открытия транзистора, Vgs(th) min/max (В) – напряжение, при котором транзистор начинает работать и пропускать ток. Чем меньше значение, тем лучше. В данной характеристике важным моментом является обозначение ‘(th)’, ибо есть похожая характеристика.
Максимальное напряжение Затвор-Исток, Vgs (В) – напряжение полного раскрытия транзистора.
Сопротивление Сток-Исток Rds(Ом) – сопротивление при открытом канале. Чем оно меньше, тем лучше.
Теперь посмотрим как это все связано друг с другом и как работает. Ардуино подает на дроссель Vgs(th) и тем самым открывает ‘дверь’ транзистора. От степени открытия этой двери зависит текущий ток ld, который она может пропустить. Максимальный ток ld будет достигнут, когда значение напряжения на дросселе достигнет Vgs. Иллюстрируется это следующим графиком:
Тут можно видеть, что, чем выше напряжение Vgs, тем больше ток ld. Но реальность такова, что без дополнительных доработок у нас Vgs будет на уровне максимум 5В и ток будет соответствующий. Поэтому, чем больше максимальный ток транзистора, тем больше его мы можем получить себе в перспективе с наших 5В. Чем меньше Vgs(th), тем раньше мы начнем ток получать. А чем меньше Vgs, тем ближе мы будем к максимальному току транзистора с нашим напряжением в 5В. Сопротивление Rds так же должно быть минимальным, чем оно меньше, тем меньше наши потери тока на пути к столу и меньше нагрев транзистора.Кроме сопротивления Rds есть еще одна связь с температурой транзистора. Греется он в работе. Чем больше открыт дроссель, чем больший ток он пропускает и чем дольше работает, тем сильнее разогревается сам. Соответственно, больший ток ld при меньшем напряжении на затворе Vgs позволяет, меньше, реже и на меньшее время открываться транзистору, быстрее нагревая стол и меньше нагреваясь самому. Утепление самого стола позволяет транзистору меньше напрягаться с его подогревом.
Мной были просмотрены местные темы про замену транзистора на рампсе и темы на других сайтах, в результате свел все в одну гуглотаблицу с расписанием указанных выше характеристик.
Электронный вариант таблицы с возможностью оставлять комментарии тут:https://docs.google.com/spreadsheets/d/1vytRAPAFucIo5Fq3LOEikMxhKLOYDs3fuzYW6Lwr1MY/edit?usp=sharing
Если будут еще варианты, пишите мне, дополню таблицу, так же пишите, на какие еще характеристики стоит обратить внимание при подборе транзистора для наших целей.
Подобрать транзистор по некоторым параметрам можно тут:
http://paratran.com/1ExtendedSearchFET.php
Тут можно почитать про их характеристики:
http://electricalschool.info/electronica/1696-parametry-polevykh-tranzistorov-chto.html
А тут найти даташит по названию:
http://www.radioradar.net/datasheet_search//index.html
FQPF5N60C datasheet – N-канальный 600V Advance Q-FET C-series
204HT / P15 :. 0,25 мм. ЧАСТЬ № Материал микросхемы 204HT / P15 Цвет излучаемого GaP Ярко-красный Цвет линзы Красный Trans Office 7C: Здание, промышленный район порта Лянь Хуа, зона ценообразования на условиях бонда Лиан Хуа Шань Пан Ю, Гуан Чжоу, Китай Факс (020) 84860600: http //www.everlight. com: A0110087, S0110028 5 Пиковый прямой ток рассеиваемой мощности (режим работы при 1 кГц), обратное напряжение i Pd IF (пик).
BA-1.5W-K :.Реле тонкого типа для монтажа с высокой плотностью монтажа, признано CSA Соответствует IEC60950, Bellcore и FCC, часть 68 – Зазор между катушкой и контактами более 2,0 мм – Длина утечки между катушкой и контактами более 2,5 мм – Диэлектрическая прочность 2000 В переменного тока между катушкой и контактами – Сила скачка напряжения 3000 В между катушкой и контактами (при скачке напряжения 10 с) Высокая чувствительность.
BDX53 : NPN Silicon Power Darlingtons. Предназначен для дополнительного использования с BDX54A, BDX54B и при температуре корпуса 25 ° C 8 A Минимальный постоянный ток коллектора hFE Абсолютный максимум 3 A при температуре корпуса 25 ° C (если не указано иное) НОМЕР BDX53 Напряжение коллектор-база (IE BDX53C BDX53 Напряжение коллектор-эмиттер (IB BDX53B BDX53C Напряжение эмиттер-база Непрерывный ток коллектора.
MAX4506 : общего назначения. Защитные устройства для высоковольтных сигнальных линий с защитой от сбоев.
MC33465 : общего назначения. Цепи измерения пониженного напряжения Micropower с задержкой на выходе.
RA354GP : 35-амперный выпрямитель с пассивным стеклом, от 50 до 1000 вольт. Пассивированный стеклом чип Низкая утечка, низкая стоимость Низкое падение напряжения в прямом направлении Возможность высокого тока для применения в автомобилях Среднее значение IF (AV) в прямом направлении = 150 ° C, пиковый импульс тока в прямом направлении IFSM 500A 8.3 мс, полусинусоида Максимальный ток 1,0 В IFM = 35 А; Мгновенное прямое напряжение VF = 25C * Максимальный обратный постоянный ток = 25C Номинальное постоянное напряжение блокировки 00 C Типичное напряжение.
HMN2568D : Энергонезависимый модуль SRAM 2 мбит (256 КБ x 8 бит), 32 контакта, падение напряжения, 5 В. Энергонезависимая SRAM HMN2568D представляет собой 2097152-битное статическое ОЗУ, организованное как 262144 байта по 8 бит. HMN2568D имеет автономный литиевый источник энергии, обеспечивающий надежную энергонезависимость в сочетании с неограниченными циклами записи стандартной SRAM и интегральной схемой управления, которая постоянно контролирует одиночный источник питания 5 В на предмет недопустимых условий.
CN4ST3103 : Металл, петля (петли) из нержавеющей стали, проволока – 3 коробки, корпуса, стойки; КОРОБКА СТАЛЬНАЯ 36X6X5 “СЕРЫЙ. S: Цвет: Серый; Дизайн: Распашная дверь, Крышка;: Петли из нержавеющей стали, Проволока – 3; Материал: Металл, Сталь; Классы защиты: IP66, NEMA 3R, 4,12; Информация о доставке : Поставляется компанией Digi-Key; размер / размер: 36,000 дюймов (длина) x 6,000 дюймов (ширина) (914,40 мм x 152,40 мм); толщина:
мм.2103 : ДЕРЖАТЕЛЬ АККУМУЛЯТОРА, 1 / 2AA, PCB. s: Тип аксессуара: -; Для использования с: батареями 1 / 2AA; Допустимые размеры батарей: 1 / 2AA; Нет.Батарейок: 1; Крепление держателя батареи: PC Board; Клеммы аккумулятора: проушины для ПК.
DAC7513N / 3KG4 : Сбор данных – ЦАП Интегральная схема (IC) Лента и катушка (TR) с однополярным питанием; IC 12-битный R-R D / A CONV SOT23-8. s: Интерфейс передачи данных: DSP, MICROWIRE, QSPI, Serial, SPI; Количество бит: 12; Рабочая температура: -40 ° C ~ 105 ° C; Упаковка / ящик: SOT-23-8; Упаковка: лента и катушка (TR); Источник напряжения питания: одиночный.
MMS-120-01-T-SV : Прямоугольное оловянное сквозное отверстие – коллекторы, розетки, гнездовые соединители, соединительные розетки; CONN RCPT 2MM 20POS SGL VERT PCB.s: Цвет: черный; Тип разъема: розетка; Контактная отделка: олово; : -; Тип установки: Сквозное отверстие; Количество загруженных позиций: все; Количество рядов: 1; Шаг: 0,079 дюйма (2,00 мм); Расстояние между рядами: -; Упаковка: Трубка.
6-1676970-9 : 383 Ом 0,063 Вт, Чип резистор 1/16 Вт – поверхностный монтаж; RES 383 OHM 1 / 16W 0,1% 0603. s: Сопротивление (Ом): 383; Мощность (Вт): 0,063 Вт, 1/16 Вт; Допуск: 0,1%; Упаковка: лента и катушка (TR); Состав: Тонкая пленка; Температурный коэффициент: 10 ppm / C; Статус без свинца: без свинца; Статус RoHS: Соответствует RoHS.
WA-1R249-A42 : мгновенное действие, концевой переключатель, рычажный переключатель; ВЫКЛЮЧАТЕЛЬ ПЛУНЖЕР SPST 20A ВИНТ. s: Без свинца Статус: Без свинца; Статус RoHS: Соответствует RoHS.
N3627-630T02RB : прямоугольное отверстие со сквозным отверстием под золото – разъемы, штекерные разъемы, соединительный разъем, закрытый; 24 / HDR / STR / LL. s: Цвет: серый; Тип разъема: Заголовок, закрытый; Контактная отделка: золото; Длина сопряжения контактов: 0,240 дюйма (6,10 мм);: -; Тип установки: сквозное отверстие; Количество загруженных позиций: все; Количество рядов: 2; Шаг: 0.100 дюймов (2,54 мм); Расстояние между рядами:
UTO-1065 : УСИЛИТЕЛЬ СРЕДНЕЙ МОЩНОСТИ ВЧ / СВЧ / СВЧ ВЧ / СВЧ, 10 МГц – 1000 МГц. s: Тип усилителя: Усилитель мощности; Области применения: микроволновая печь RF; Диапазон частот: от 10 до 1000 МГц; Минимальное усиление: 12 дБ; Входной КСВН: 2,5 1; Выходной КСВН: 2,5 1; Тип упаковки: ГЕРМЕТИЧЕСКАЯ, ТО-3, 4 КОНТАКТА; Номинальное сопротивление: 50; Рабочая температура: от -55 до 85 C (от -67 до 185 F).
Брошюра с описанием транзисторовDff2n60
Технический паспорт продукта заменяет данные для aug 5 20 дискретных полупроводников pbss4480x 80 v, 4 a npn low vcesat (biss) transistor book, half page m3d109.Описание больше информации в наличии упаковка упаковка кол-во. 2n2222a – это транзистор-буклет с описанием транзистора npn dff2n60, поэтому коллектор и эмиттер будут оставаться открытыми (смещенными в обратном направлении), когда базовый вывод удерживается на земле, и будут замкнуты (смещены в прямом направлении), когда сигнал подается на базовый вывод. Что такое транзисторный транзистор? 2sb1198k fra силовой транзистор (- 80v, – 500ma) техническое описание aec- q101 квалифицированное значение параметра схемы sot- 346 sc- 59 vceo- 80v ic- 500ma smt3 lfeatures linner circuit 1) low vce (sat).
Ознакомьтесь с таблицей данных, посмотрите, узнаете ли вы какие-нибудь знакомые характеристики. Dff2n60 datasheet, dff2n60 datasheets, dff2n60 pdf, цена dff2n60, купить dff2n60, сток dff2n60. Справочник транзисторов и диодов 1-е изд. Интернет-архив. Может быть несколько доступных плюс дополнительные фотографии, краткие данные и спецификации. Dff2n60 datasheet pdf узнать больше. Техническое описание и примечания к применению транзистора bc – datasheet archive. Особенности транзисторов npn-кремния • Доступны пакеты без pb- * максимальные номинальные характеристики номинальное обозначение значение единица коллектор – эмиттер напряжение vceo 40 vdc коллектор – базовое напряжение vcbo 60 vdc эмиттер – базовое напряжение vebo 6.Dg2n60 datasheet, dg2n60 pdf, dg2n60 data sheet, dg2n60 manual, dg2n60 pdf, dg2n60, datenblatt, electronics dg2n60, alldatasheet, free, datasheet, даташиты, данные. Время обратного восстановления 5 В trr * 4 = 20a. Таким образом, транзистор подобен переменному регулируемому резистору. Параметры и характеристики.
Около 37% из них – транзисторы, 37% – интегральные схемы. Внутренняя принципиальная схема. Пожалуйста, ознакомьтесь с последним выпущенным листом данных перед тем, как приступить к проектированию или завершить его.Буклет с описанием транзисторов Bu npn dff2n60 эпитаксиальный кремниевый транзистор Дарлингтона. Поиск по перекрестным ссылкам. Ao4606 datasheet, pdf – ao 30v дополнительное описание mosfet общее описание продукта ao использует передовые траншейные технологии n-channel p-channel mosfet для обеспечения превосходного качества. Bu datasheet pdf bu datasheet pdf bu datasheet pdf скачать. Подобно транзистору 2n3904, транзистор 2n3906 имеет три вывода, также называемых выводами или контактами. 5n60c datasheet, 5n60c pdf, 5n60c data sheet, 5n60c manual, 5n60c pdf, в комплекте, * 5n60c.6) аттестован aec- q101. Техническое описание транзисторов и диодов Texas Instruments 1-е изд. Техническое описание транзисторов dff2n60, буклет с описанием транзисторов, диодов от 1n и транзисторов от 2n до acrobat 7 pdf, bd datasheet, bd pdf, bd data sheet, bd manual, bd pdf, bd, dff2n60. электроника bd, alldatasheet, free, datasheet, datasheets, data sheet.
Dff2n65 datasheet pdf, dff2n65 pdf datasheet, аналог, схема буклета транзистора dff2n60, спецификации dff2n65, dff2n65 wiki, транзистор, перекрестная ссылка, загрузка pdf, сайт бесплатного поиска, распиновка.У нас есть много схем ниже, простой буклет с описанием транзистора dff2n60 для одного транзистора с разницей 3.
Технические характеристики продукта заменяют данные 19 дискретных полупроводников bcp54; bcp55; bcp56npn Transistorsbook средней мощности, halfpagem3d087 поиск в таблицах данных, таблицы данных, сайт поиска в таблицах электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов и других полупроводников. Максимальное количество тока. В чем разница между транзистором и резистором? Техническое описание транзистора dff2n60, эквивалент dff2n60, технические данные в pdf.База данных транзисторов. Шаговый двигатель – это двигатель, управляемый брошюрами с описанием транзисторов dff2n60 и электромагнитными катушками с описанием транзисторов dff2n60.Книга данных по силовым транзисторам и полупроводникам Toshiba 1983 г. корпорация toshiba 1983 г. acrobat. Nch 60v 250ma small signal mosfet datasheet loutline vdss 60v sot- 23 rds (буклет с описанием транзистора dff2n60 включен) (макс. Кремниевый транзистор npn высокой мощности, предпочтительные продажи stmicroelectronics, описание типов 2n3771, 2n3772 – кремниевые npn-транзисторы с эпитаксиальной базой, установленные в jedec 3 металлический корпус.Буклет с описанием транзисторов dff2n60 dff2n60 – n-канальный МОП-транзистор, pdf, распиновка, эквивалент, замена, схема, руководство, данные, схема, детали, техническое описание. Philips npn транзисторы общего назначения, все технические данные, технические данные, сайт поиска технических данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников. Выпрямительные диоды с последовательным быстрым плавным восстановлением тепловых сопротивлений. Bd аннотация: Спецификация продукции savantic semiconductor bd кремниевые npn-транзисторы.Отсканировано artmisa с использованием планшетного ПК canon dr2580c +. Если клапан может точно регулировать ширину трубы, то транзистор может точно регулировать сопротивление буклета, указанное в таблице данных транзистора dff2n60, между коллектором и эмиттером.
2n2222a имеет значение усиления от 110 до 800, это значение определяет емкость усиления транзистора. R6020pnj datasheet lbody диод электрические характеристики (исток-сток) (ta = 25 ° c) параметр символ условия значения единица измерения мин. Отсканировано artmisa с помощью планшетного компьютера canon dr2580c +.Описание руководства по замене транзисторов японский производитель сборников данных, буклет с техническими данными на транзисторы dff2n60 и буклет с техническими данными на транзисторы dff2n60 другое техническое описание 2sc1951, пожалуйста, просмотрите текущие списки для этого технического описания. Таблица данных транзистора 2n1711, тип файла в формате pdf – таблица данных по каталогу, производитель и тип, pdf, теги документов. Примечание по применению 2sc1951. Популярные транзисторы. Примечания по применению доступны в большинстве таблиц в формате pdf. По даташиту, по даташитам, по pdf, по схемам. Характеристики транзисторов smd npn: • брошюра с описанием транзисторов dff2n60 кремниевые планарные эпитаксиальные транзисторы • конфигурация выводов npn-транзисторов общего назначения: 1.Эти контакты подключаются к базе, коллектору и эмиттеру внутри корпуса транзистора, как показано здесь и указано на схеме контактов на упаковке продукта или в техническом описании (проверьте в Интернете).
7кОм, брошюра с описанием транзисторов r2 dff2n60 = 47кОм. Главная »скачать» техническое описание »скачать базу данных микросхем – эквивалентное руководство База данных программного обеспечения микросхем 100 тысяч компонентов, датированная с информацией из базы данных более чем 100 000 полупроводников, таких как транзисторы и интегральные схемы. 50 В напряжение коллектор-эмиттер (v be = 0) v ces напряжение коллектор-эмиттер (разомкнуто.Pnp – 100ma – 50v цифровой транзистор dff2n60 брошюра с описанием транзистора (резистор смещения, встроенный транзистор) техническое описание loutline значение параметра dff2n60 брошюра с описанием транзистора sot- 723 sot- 416fl vcc- 50v ic (макс. Диоды и транзисторы (pdf 28p) охватывает это примечание следующие темы: основы физики полупроводников, диоды, нелинейная модель диода, анализ линии нагрузки, модели диодов с большим сигналом, модель смещенных диодов, транзисторы, модель bjt с большим сигналом, анализ линии нагрузки, модель буклета с описанием транзисторов dff2n60 для малых сигналов и усиление транзисторов.Примечания к техническому паспорту вертикального d-mos транзистора bsp126 1. Номер детали: dff2n функции: это разновидность полупроводника. Цена в нас $ порядка 2sa564: 2sa564 pnp транзистор звуковой частоты: да: to- 92: буклет с описанием транзистора dff2n60 1: $ 0. Замена и эквивалентный транзистор для 2n free essys, помощь в выполнении домашних заданий, карточки, исследовательские работы, книжный отчет, курсовые работы , история, наука, политика.
Паспорт всех транзисторов. Непрерывный прямой ток составляет * 1 tc = 25 ℃ – – 20 Импульсный прямой ток isp * прямое напряжение vsd * 4 vgs dff2n60 буклет с описанием транзистора = 0 В, is = 20a – – 1.Широкий выбор транзисторов 5н60с. Буклет с описанием транзисторов 5n60c dff2n60 mosfet можно найти на сайте Mouser Electronics. Bc337 datasheet, bc337 pdf, bc337 datasheet, bc337 manual, bc337 pdf, bc337, datenblatt, электроника bc337, dff2n60 брошюра с техническими данными транзистора alldatasheet, free, datasheet, datasheets, data sheet. 7kω dta043zm dta043zeb r2 47kω (vmt3) (emt3f) sot- 323fl lfeatures 1) встроенные резисторы смещения, r1 = 4. Rca datasheet, аналог, поиск в сети. Переключающий транзистор npn 2n3904 примечания к состоянию 1.2n3904 – это действительно распространенный транзистор, который мы используем все время (а 2n3906 – его брат по pnp). Npn-транзисторы высоковольтные 2n5550; 2n5551 примечания к техническому паспорту 1. Электронный каталог компонентов.
Dff2n60 datasheet – n-channel mosfet, pdf, распиновка, эквивалент, замена, схема, руководство, данные, схема, части, техническое описание. Брошюра с описанием транзисторов и диодов Texas Instruments dff2n60, 1-е издание, 1973, даташиты для диодов от 1n251 и транзисторов от 2n117 на acrobat.Центры технической поддержки: соединенные штаты и америка: голосовая почта:: телефон:: часы: пн-пт, 9: 00–17: 00 мст (GMT – 07: 00). Исходя из нашей аналогии с водой, ширина трубы аналогична сопротивлению в цепи.
0 vdc ток коллектора – непрерывный ic 600 madc полное рассеивание устройства при ta = 25 ° c снижение мощности выше 25 ° c pd 625 5. 5в привод) 3) защита от электростатического разряда до 2кв (hbm) 4) свинцовое покрытие без содержания свинца; Соответствует RoHS. Количество каналов, полярность транзистора, vds – напряжение пробоя сток-исток, id – непрерывный сток.Кремниевые npn-транзисторы stmicroelectronics предпочтительные типы продаж Описание npn-транзисторов 2n3439 и 2n3440 – это кремниевые эпитаксиальные планарные npn-транзисторы в металлическом корпусе jedec to-39, разработанные для использования в бытовых и промышленных приложениях, работающих от сети. Статус продукта устройств, описанных в этом техническом паспорте, мог измениться с момента его публикации. 4ω sst3 id ± 250ma pd 350mw linner характеристики схемы 1) очень быстрое переключение 2) сверхмалое напряжение транзистора dff2n60, буклет напряжения, привод (2.Его название означает, что транзисторы выполняют как логическую функцию (первый «транзистор»), так и функцию усиления (второй «транзистор»), в отличие от резисторно-транзисторной логики (буклет с техническими данными транзистора dff2n60, RTL) или диода-dff2n60. транзисторная логика (ДТЛ). Они предназначены для линейных усилителей и устройств с индуктивной коммутацией. Транзистор 2n2222a? Вы научитесь определять транзистор, разбираетесь в буклете с описанием транзистора dff2n60, содержащем информацию, содержащуюся в таблице данных транзистора, и выучите символы, используемые для определения типа транзистора.2n3904 datasheet- – еще один способ узнать о транзисторах – это покопаться в их даташите.
Абсолютные максимальные характеристики коллектора: описание символ bc847b блоки напряжение коллектор-база (открытый эмиттер) v cbo макс. 2n2102 даташит, pdf. Транзисторно-транзисторная логика (ТТЛ) представляет собой семейство логических схем, построенных на основе транзисторов с биполярным переходом. Полученный в результате транзистор демонстрирует исключительно высокие характеристики усиления в сочетании с очень низким напряжением насыщения.
Поиск
может быть отправлен в тот же день.Paypal принят, закажите онлайн сегодня!
Тщательно выберите номер детали, производителя и упаковку из приведенной ниже таблицы, а затем добавьте в корзину, чтобы перейти к оформлению заказа.
Купите сейчас и получите удовольствие
✓Отправьте заказ в тот же день!
✓ Доставка по всему миру!
✓ Распродажа с ограниченным сроком
✓ Легкий возврат.
| Обзор продукта | |
| Название продукта | Поиск |
| Доступное количество | Возможна немедленная отправка |
| Модель NO. | |
| Код ТН ВЭД | 85290 |
| Минимальное количество | От одного куска |
| Атрибуты продукта | |
| Категории | |
| идентификатор товара | |
| артикул | |
| gtin14 | |
| mpn | |
| Состояние детали | Активный |
Paypal (AMEX принимается через Paypal)
Мы также принимаем банковский перевод. Просто отправьте нам электронное письмо с URL-адресами или кодами продукта. Укажите свой адрес доставки и предпочтительный способ доставки. Затем мы отправим вам полные инструкции по электронной почте.
Мы никогда не храним данные вашей карты, они остаются в Paypal
Товары доставляются почтовыми службами и оплачиваются по себестоимости.Товары будут отправлены в течение 1-2 рабочих дней с момента оплаты. Доставка может быть объединена при покупке большего количества.
Другие способы перевозки могут быть доступны при оформлении заказа – вы также можете сначала связаться со мной для уточнения деталей.
| Судоходная компания | Расчетное время доставки | Информация для отслеживания |
|---|---|---|
| Плоская транспортировочная | 30-60 дней | Нет в наличии |
| Заказная Авиапочта | 15-25 дней | В наличии |
| DHL / EMS / FEDEX / TNT | 5-10 дней | В наличии |
| Окончательный срок поставки Может быть задержан вашей местной таможней из-за таможенного оформления. | ||
Благодарим за покупку нашей продукции на нашем веб-сайте.
Чтобы иметь право на возмещение, вы должны вернуть товар в течение 30 календарных дней с момента покупки. Товар должен быть в том же состоянии, в котором вы его получили, и не иметь каких-либо повреждений.
После того, как мы получим ваш товар, наша команда профессионалов проверит его и обработает ваш возврат. Деньги будут возвращены на исходный способ оплаты, который вы использовали при покупке. При оплате кредитной картой возврат средств может появиться в выписке по кредитной карте в течение 5–10 рабочих дней.
Если товар поврежден каким-либо образом или вы инициировали возврат по прошествии 30 календарных дней, вы не имеете права на возврат.
Если что-то неясно или у вас есть вопросы, свяжитесь с нашей службой поддержки клиентов.
Получите заказанный товар или верните свои деньги.
Покрывает вашу закупочную цену и первоначальную доставку.
Если вы не получите товар в течение 25 дней, просто сообщите нам, будет выпущена новая посылка или замена.
PayPal Защита покупателей
Защита вашей покупки от клика до доставки
Вариант 1) Полный возврат средств, если вы не получили свой заказ
Вариант 2) Полный или частичный возврат, если товар не соответствует описанию
Если ваш товар значительно отличается от нашего описания продукта, вы можете: A: вернуть его и получить полный возврат, или B: получить частичный возврат и сохранить товар.
Спецификация или технические характеристики в формате PDF доступны по запросу для загрузки.
Почему выбирают нас?
Каковы ваши основные продукты?
| Наша основная продукция | ||
| Интегральные схемы (ИС) | Дискретный полупроводник | Потенциометры, переменные R |
| Аудио специального назначения | Принадлежности | Реле |
| Часы / синхронизация | Мостовые выпрямители | Датчики, преобразователи |
| Сбор данных | Diacs, Sidacs | Резисторы |
| Встроенный | Диоды | Индукторы, катушки, дроссели |
| Интерфейс | МОП-транзисторы | Фильтры |
| Изоляторы – драйверы затворов | БТИЗ | Кристаллы и генераторы |
| линейный | JFET-транзисторы (полевой эффект перехода) | Разъемы, межкомпонентные соединения |
| Логика | Полевые транзисторы РФ | Конденсаторы |
| Память | РЧ Транзисторы (БЮТ) | Изоляторы |
| PMIC | SCR | светодиод |
| Транзисторы (БЮТ) | ||
| Транзисторы | ||
| Симисторы |
Какая цена?
Какой способ оплаты?
Что такое возврат и замена?
Какое минимальное количество для заказа вашей продукции?
Когда вы пришлете мне детали?
Как разместить заказ?
Предлагаете ли вы техническую поддержку?
Предлагаете ли вы гарантию?
Как сделать наш бизнес долгосрочным и хорошим?
По любым другим вопросам обращайтесь к нам.Мы всегда к вашим услугам!
5N60C FAIRCHILD Транзисторы | Весвин Электроникс Лимитед
Электронный компонент 5N60C запущен в производство компанией FAIRCHILD, входит в состав Transistors. Каждое устройство доступно в небольшом корпусе TO-220 и рассчитано на работу в расширенном температурном диапазоне от -40 ° C до 105 ° C (TA).
Категории- Транзисторы
- Производитель
- Фэйрчайлд Полупроводник
- Номер детали Veswin
- V1070-5N60C
- Статус бессвинцового / RoHS
- Бессвинцовый / соответствует требованиям RoHS
- Состояние
- Новое и оригинальное – заводская упаковка
- Состояние на складе
- Наличие на складе
- Минимальный заказ
- 1
- Расчетное время доставки
- 28 мая – 2 июня (выберите ускоренную доставку)
- Модели EDA / CAD
- 5N60C от SnapEDA
- Условия хранения
- Шкаф для сухого хранения и пакет защиты от влажности
Ищете 5N60C? Добро пожаловать в Весвин.com, наши специалисты по продажам всегда готовы помочь вам. Вы можете получить доступность компонентов и цены для 5N60C,
просмотреть подробную информацию, включая производителя 5N60C и спецификации. Вы можете купить или узнать о 5N60C прямо здесь, прямо сейчас.
Veswin – дистрибьютор электронных компонентов для бытовых, обычных, устаревших / труднодоступных электронных компонентов. Veswin поставляет промышленные,
Коммерческие компоненты и компоненты Mil-Spec для OEM-клиентов, клиентов CEM и ремонтных центров по всему миру.У нас есть большой запас электронных компонентов,
который может включать 5N60C, готовый к отправке в тот же день или в короткие сроки. Компания Veswin является поставщиком и дистрибьютором 5N60C с полным спектром услуг.
У нас есть возможность закупить и поставить 5N60C по всему миру, чтобы помочь вам с цепочкой поставок электронных компонентов. сейчас!
- Вопрос: Как заказать 5N60C?
- A: Нажмите кнопку «Добавить в корзину» и перейдите к оформлению заказа.
- Q: Как платить за 5N60C?
- A: Мы принимаем T / T (банковский перевод), Paypal, оплату кредитной картой через PayPal.
- Вопрос: Как долго я могу получить 5N60C?
- A: Мы отправим через FedEx, DHL или UPS, обычно доставка в ваш офис занимает 4 или 5 дней.
Мы также можем отправить заказной авиапочтой, обычно доставка в ваш офис занимает 14-38 дней.
Пожалуйста, выберите предпочтительный способ доставки при оформлении заказа на нашем веб-сайте. - Вопрос: 5N60C Гарантия?
- A: Мы предоставляем 90-дневную гарантию на наш продукт.
- Вопрос: Техническая поддержка 5N60C?
- A: Да, наш технический инженер поможет вам с информацией о распиновке 5N60C, примечаниями по применению, заменой, таблица данных в pdf, руководство, схема, эквивалент, перекрестная ссылка.
СЕРТИФИКАЦИЯ ISO
Регистрация ISO дает вам уверенность в том, что системы Veswin Electronics точны, всеобъемлющи и соответствуют строгим требованиям стандарта ISO. Эти требования обеспечивают долгосрочную приверженность компании Veswin Electronics постоянному совершенствованию.
Примечание. Мы делаем все возможное, чтобы на нашем веб-сайте появлялись правильные данные о товарах.Перед заказом обратитесь к техническому описанию продукта / каталогу для получения подтвержденных технических характеристик от производителя. Если вы заметили ошибку, сообщите нам об этом.
Время обработки ： Стоимость доставки зависит от зоны и страны.
Товары доставляются почтовыми службами и оплачиваются по себестоимости.
Товары будут отправлены в течение 1-2 рабочих дней с момента оплаты.Доставка может быть объединена при покупке большего количества.
Другие способы перевозки могут быть доступны при оформлении заказа – вы также можете сначала связаться со мной для уточнения деталей.
ПРИМЕЧАНИЕ. Все основные кредитные и дебетовые карты через PayPal. (AMEX принимается через Paypal).
Мы также можем принять банковский перевод. Просто отправьте нам электронное письмо с URL-адресами или артикулом продукта.Укажите свой адрес доставки и предпочтительный способ доставки. Затем мы отправим вам полные инструкции по электронной почте.
Мы никогда не храним данные вашей карты, они остаются в Paypal.
- Гарантия 90 дней;
- Предотгрузочная инспекция (PSI) будет применяться;
- Если некоторые из полученных вами товаров не идеального качества, мы ответственно организуем вам возврат или замену.Но предметы должны оставаться в исходном состоянии;
- Если вы не получите товар в течение 25 дней, просто сообщите нам, будет выпущена новая посылка или замена.
- Если ваш товар значительно отличается от нашего описания продукта, вы можете: A: вернуть его и получить полный возврат средств, или B: получить частичное возмещение и оставить товар себе.
- Налоги и НДС не будут включены;
- Для получения более подробной информации просмотрите нашу страницу часто задаваемых вопросов.
Привет, товар доставлен немного позже ожидаемой даты доставки, поэтому я попросил пять звезд у продавца и получил пять звезд от veswin.Но теперь я получил товар, поэтому пытаюсь связаться с продавцом, чтобы вернуть деньги. Если вы продавец, пожалуйста, посмотрите сообщение на veswin. Кроме того, я заказал сразу 6 штук, теперь я плачу таможенную пошлину (533) здесь, в Индии. Пожалуйста, не заказывайте оптовое количество, если вы являетесь индийским пользователем.
Опубликовано: 12 июня, 2019
Комментарий
Поставщики транзисторов Mosfet5n65, все поставщики транзисторов Mosfet качества 5n65 на Alibaba.com
Страна / регион: Китай Основные продукты:Полупроводниковые электронные компоненты ( MOSFET , SCR, SBD, FRD, Voitage)
Общий доход:1 миллион долларов США – 2 доллара США.5 миллионов
Топ-3 рынка:Внутренний рынок 90,0% , Юго-Восточная Азия 8,0% , Южная Азия 2.0%
Страна / регион: Китай Основные продукты:Mosfet , SCR, SBD, FRD, Voitage
Общий доход:5 миллионов долларов США – 10 миллионов долларов США
Топ-3 рынка:Внутренний рынок 95.0% , Восточная Азия 5,0%
Страна / регион: Китай Основные продукты:МОП-транзистор , ТРАНЗИСТОР , ДИОД, ИС, ЗАРЯДНОЕ УСТРОЙСТВО
Общий доход:2 доллара США.5 миллионов – 5 миллионов долларов США
Топ-3 рынка:Внутренний рынок 40% , Южная Америка 10% , Юго-Восточная Азия 10%
Страна / регион: Китай Основные продукты:микросхема конденсаторов, резисторы, суперконденсатор, электролитический конденсатор, колба
Топ-3 рынка:Центральная Америка 10% , Африка 10% , Восточная Азия 10%
Страна / регион: Китай Основные продукты:Mosfet , интегральная схема, транзистор , конденсатор SMD, диод
Общий доход:1 миллион долларов США – 2 доллара США.5 миллионов
Топ-3 рынка:Северная Америка 50% , Восточная Европа 12% , Восточная Азия 10%
Страна / регион: Китай Основные продукты:Пресс для резки, фальцевальные машины, обувные машины, светодиодная продукция, электронные компоненты
Общий доход:10 миллионов долларов США – 50 миллионов долларов США
Топ-3 рынка:Средний Восток 11% , Северная Америка 11% , Западная Европа 11%
Страна / регион: Китай Основные продукты:Semicondutor, интегральные схемы, диод, транзистор , конденсаторы
Общий доход:5 миллионов долларов США – 10 миллионов долларов США
Топ-3 рынка:Внутренний рынок 20% , Северная Америка 10% , Южная Америка 10%
Страна / регион: Китай Основные продукты:Интегральные схемы, сопротивление емкости, разъем, светодиод, адаптер
Общий доход:1 миллион долларов США – 2 доллара США.5 миллионов
Топ-3 рынка:Восточная Европа 10% , Южная Азия 10% , Северная Европа 10%
Страна / регион: Китай Основные продукты:IC CHIP, интегральная схема, диод, транзистор , конденсатор
Общий доход:Менее 1 миллиона долларов США
Топ-3 рынка:Средний Восток 22% , Центральная Америка 20% , Восточная Азия 20%
Страна / регион: Китай Основные продукты:микросхемы IC, оборудование, разъемы, дисплей, печатная плата
Общий доход:Более 100 миллионов долларов США
Топ-3 рынка:Северная Америка 25% , Южная Европа 25% , Южная Америка 20%
Страна / регион: Китай Основные продукты:Электронные компоненты, Активные компоненты, Интегральные схемы, Транзисторы , Датчики
Общий доход:Более 100 миллионов долларов США
Топ-3 рынка:Средний Восток 14% , Восточная Европа 13% , Южная Европа 13%
Страна / регион: Китай Основные продукты:ДИОДЫ, ТРАНЗИСТОРЫ , Mosfet , мостовой ректификатор, регулятор напряжения
Общий доход:10 миллионов долларов США – 50 миллионов долларов США
Топ-3 рынка:Внутренний рынок 50% , Восточная Азия 12% , Юго-Восточная Азия 10%
Страна / регион: Китай Основные продукты:Интегральные схемы, пассивный компонент, активный компонент, полупроводники, разъем
Общий доход:10 миллионов долларов США – 50 миллионов долларов США
Топ-3 рынка:Южная Азия 20% , Восточная Европа 20% , Восточная Азия 15%
Страна / регион: Китай Основные продукты:Интегральные схемы, микросхема датчика изображения CMOS, корпус, разъемы, клеммы
Общий доход:5 миллионов долларов США – 10 миллионов долларов США
Топ-3 рынка:Восточная Европа 25% , Африка 12% , Восточная Азия 11%
Страна / регион: Китай Основные продукты:Печатная плата, электронные компоненты, сборка печатной платы
Общий доход:Менее 1 миллиона долларов США
Топ-3 рынка:Oceania 24.0% , Юго-Восточная Азия 22,0% , Северная Америка 20,0%
Страна / регион: Китай Основные продукты:Полупроводниковые электронные компоненты ( MOSFET , SCR, SBD, FRD, Voitage)
Общий доход:1 миллион долларов США – 2 доллара США.5 миллионов
Топ-3 рынка:Внутренний рынок 90,0% , Юго-Восточная Азия 8,0% , Южная Азия 2.0%
Страна / регион: Китай Основные продукты:ic, биполярный транзистор , разъем, разъем, PCBA
Топ-3 рынка:Юго-Восточная Азия 8% , Центральная Америка 8% , Южная Азия 8%
Страна / регион: Китай Основные продукты:IC, интегральная схема, транзистор , диод, конденсатор
Общий доход:2 доллара США.5 миллионов – 5 миллионов долларов США
Топ-3 рынка:Юго-Восточная Азия 20% , Северная Америка 15% , Центральная Америка 10%
Страна / регион: Китай Основные продукты:компоненты, емкость, сопротивление, диод, Триод
Общий доход:Менее 1 миллиона долларов США
Топ-3 рынка:Восточная Азия 20% , Восточная Европа 20% , Африка 20%
Страна / регион: Китай Основные продукты:IC, конденсатор, Транзистор , модуль, разъем
Общий доход:10 миллионов долларов США – 50 миллионов долларов США
Топ-3 рынка:Внутренний рынок 40.0% , Юго-Восточная Азия 9,0% , Южная Америка 6,0%
Страна / регион: Китай Основные продукты:диод, резистор, конденсатор, транзистор , разъем
Общий доход:50 миллионов долларов США – 100 миллионов долларов США
Страна / регион: Китай Основные продукты:Электронные компоненты, кнопочный переключатель, защитный кожух для печатной платы, изготовление на заказ пресс-формы
Топ-3 рынка:Западная Европа 20% , Северная Америка 15% , Средний Восток 15%
Страна / регион: Китай Основные продукты:Розетка и вилка, интегрированные схемы, транзистор , диод, конденсатор
Общий доход:Более 100 миллионов долларов США
Топ-3 рынка:Южная Европа 10% , Юго-Восточная Азия 10% , Средний Восток 10%
Страна / регион: Китай Основные продукты:Интегральная схема, ИС, микросхема, электронный компонент, реле
Общий доход:Более 100 миллионов долларов США
Топ-3 рынка:Восточная Европа 10% , Внутренний рынок 10% , Средний Восток 10%
Страна / регион: Китай Основные продукты:ИС, интегральная схема, конденсатор, резистор, Транзисторы
Общий доход:1 миллион долларов США – 2 доллара США.5 миллионов
Топ-3 рынка:Юго-Восточная Азия 20% , Восточная Европа 20% , Средний Восток 20%
Страна / регион: Китай Основные продукты:Диод, Транзистор , выпрямительный мост, оптрон, IC
Общий доход:1 миллион долларов США – 2 доллара США.5 миллионов
Топ-3 рынка:Внутренний рынок 40% , Южная Америка 10% , Северная Америка 10%
Страна / регион: Китай Основные продукты:Электронные компоненты, датчик камеры, электролитические конденсаторы, резистор, диод
Общий доход:Менее 1 миллиона долларов США
Топ-3 рынка:Восточная Европа 15% , Южная Америка 10% , Северная Америка 10%
Страна / регион: Китай Основные продукты:Интегральные схемы – ИС, пассивные компоненты, светодиодное освещение, электромеханические, разъемы
Общий доход:Более 100 миллионов долларов США
Топ-3 рынка:Северная Америка 10% , Средний Восток 10% , Центральная Америка 10%
Страна / регион: Турция Основные продукты:Тиристорные модули для конденсатора, тиристорные модули для реактора, тиристорные блоки управления мощностью, динамический контроллер коэффициента мощности, трансформаторы тока малой мощности (LPCT)
Общий доход:5 миллионов долларов США – 10 миллионов долларов США
Топ-3 рынка:Восточная Европа 20% , Средний Восток 20% , Внутренний рынок 5%
Страна / регион: Китай Основные продукты:интегральная схема (ИС), микроконтроллер, датчик, транзистор , индуктор
Страна / регион: Китай Основные продукты:МОП-транзистор , ТРАНЗИСТОР , ДИОД, ИС, ЗАРЯДНОЕ УСТРОЙСТВО
Общий доход:2 доллара США.5 миллионов – 5 миллионов долларов США
Топ-3 рынка:Внутренний рынок 40% , Юго-Восточная Азия 10% , Африка 10%
Страна / регион: Китай Основные продукты:СВЧ-модуль, радарный датчик, светодиодная линейная ламповая панель, светодиодные солнечные лампы, индукционные лампы для микроволновых радаров
Топ-3 рынка:Северная Америка 20% , Центральная Америка 10% , Северная Европа 10%
Страна / регион: Китай Основные продукты:Модуль Интернета вещей, электронные компоненты, ИС, транзистор, микроконтроллер
Общий доход:10 миллионов долларов США – 50 миллионов долларов США
Топ-3 рынка:Восточная Азия 20% , Восточная Европа 20% , Северная Америка 13%
Страна / регион: Китай Основные продукты:Военное дело, связь, авиация, статическое хранение, Система наблюдения и национальная оборона
Общий доход:5 миллионов долларов США – 10 миллионов долларов США
Топ-3 рынка:Южная Европа 30% , Западная Европа 20% , Северная Америка 20%
Страна / регион: Китай Основные продукты:Диод, диод Шоттки, стабилитрон, мостовой выпрямитель, TVS
Общий доход:50 миллионов долларов США – 100 миллионов долларов США
Топ-3 рынка:Юго-Восточная Азия 40% , Восточная Европа 20% , Восточная Азия 15%
Страна / регион: Китай Основные продукты:Транзистор , mosfet , тиристор, igbt, диод
Общий доход:Более 100 миллионов долларов США
Топ-3 рынка:Юго-Восточная Азия 50% , Восточная Азия 50%
Страна / регион: Китай Основные продукты:Микросхема, конденсатор, транзистор , светодиод, сопротивление
Топ-3 рынка:Внутренний рынок 48% , Юго-Восточная Азия 10% , Восточная Азия 10%
Страна / регион: Китай Основные продукты:транзистор , mosfet , модуль, диод, микросхема
Топ-3 рынка:Северная Америка 20% , Западная Европа 20% , Северная Европа 20%
| PART | Описание | Чайник |
| CZTA42 CZTA92 | Малосигнальный транзистор SMD, высокое напряжение PNP Малосигнальный транзистор SMD, высокое напряжение, NPN ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЙ КРЕМНИЙ ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ НА ПОВЕРХНОСТИ | CENTRAL [Central Semiconductor Corp] |
| 2SC2782 2SC2792 E000765 | ТРАНЗИСТОР (РЕГУЛЯТОР ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ И ПРИМЕНЕНИЕ ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ / ВЫСОКОСКОРОСТНОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ DC-DC) ПРИМЕНЕНИЕ УСИЛИТЕЛЯ МОЩНОСТИ УКВ диапазона ПРИМЕНЕНИЕ ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ, БЫСТРОСКОРОСТНОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ DC-DC) | TOSHIBA [Toshiba Semiconductor] |
| MMBT5551-X-AE3-R MMBT5551L-X-AE3-R MMBT5551-C-AE3- | ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР 600 мА, 160 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 2SA1967 | Трехкратный диффузионный планарный кремниевый транзистор NPN, высоковольтный усилитель, коммутация высокого напряжения | Sanyo |
| 2SC4493 | Трехкратный диффузионный планарный кремниевый транзистор NPN, высоковольтный усилитель, коммутация высокого напряжения | SANYO |
| 2SC4476 | NPN Трехкратный диффузионный планарный кремниевый транзистор 1800 В / 10 мА Высоковольтный усилитель, высоковольтные коммутационные приложения | Sanyo |
| 2SC3676 | NPN Трехкратный диффузионный планарный кремниевый транзистор Высоковольтный усилитель 900 В / 300 мА Высоковольтные коммутационные устройства | Sanyo |
| MMBT5550 | Высоковольтный операционный усилитель с полевым транзистором 8-SO PowerPAD NPN (ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ТРАНЗИСТОР) | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO.LTD. |
| CSC2611 | 1.250Вт Высоковольтный NPN-транзистор с пластиковыми выводами. 300 В Vceo, 0,100 A Ic, 30 – 200 hFE. УСИЛИТЕЛЬ ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ И ВЫХОД ДЛЯ ТВ-ВИДЕО | Continental Device India Limited |
| 2SC4257 0458 | NPN Трехкратный диффузионный планарный кремниевый транзистор 1200 В / 30 мА Высоковольтный усилитель, коммутация высокого напряжения Из старой системы технических данных | Sanyo |
| BFN21 Q62702-F1059 | Из старой системы технических данных Кремниевый высоковольтный транзистор PNP (подходит для выходных видео каскадов в телевизорах и импульсных источниках питания Высокое напряжение пробоя) | SIEMENS [Siemens Semiconductor Group] |
Bc857bw Поставщики диодных транзисторов, Производитель, Дистрибьютор, Заводы, Alibaba
Страна / регион: Китай Основные продукты:Интегральные схемы, сопротивление емкости, разъем, светодиод, адаптер
Общий доход:1 миллион долларов США – 2 доллара США.5 миллионов
Топ-3 рынка:Центральная Америка 10% , Северная Европа 10% , Южная Европа 10%
Страна / регион: Китай Основные продукты:Диод Шоттки , стабилитрон , диод SMD , мостовые выпрямители, SIDAC
Общий доход:2 доллара США.5 миллионов – 5 миллионов долларов США
Топ-3 рынка:Восточная Европа 25% , Южная Америка 25% , Восточная Азия 15%
Страна / регион: Китай Основные продукты:Модуль Интернета вещей, электронные компоненты, ИС, транзистор, микроконтроллер
Общий доход:10 миллионов долларов США – 50 миллионов долларов США
Топ-3 рынка:Восточная Азия 20% , Восточная Европа 20% , Северная Америка 13%
Страна / регион: Китай Основные продукты:IC CHIP, интегральная схема, диод , транзистор , конденсатор
Общий доход:Менее 1 миллиона долларов США
Топ-3 рынка:Средний Восток 22% , Центральная Америка 20% , Восточная Азия 20%
Страна / регион: Китай Основные продукты:компонентов, емкость, сопротивление, диод , триод
Общий доход:Менее 1 миллиона долларов США
Топ-3 рынка:Восточная Азия 20% , Восточная Европа 20% , Африка 20%
Страна / регион: Китай Основные продукты:Интегральные схемы, Диоды , Транзисторы , Конденсатор, Резистор
Общий доход:1 миллион долларов США – 2 доллара США.5 миллионов
Топ-3 рынка:Северная Америка 50% , Восточная Азия 13% , Юго-Восточная Азия 10%
Страна / регион: Китай Основные продукты:Электронный компонент, модуль, интегральная схема, Транзистор , служба спецификации
Топ-3 рынка:Средний Восток 20% , Восточная Азия 10% , Северная Европа 10%
Страна / регион: Китай Страна / регион: Китай Основные продукты:IC, интегральная схема, транзистор , диод , конденсатор
Общий доход:2 доллара США.5 миллионов – 5 миллионов долларов США
Топ-3 рынка:Юго-Восточная Азия 20% , Северная Америка 15% , Центральная Америка 10%
Страна / регион: Китай Основные продукты:Интегральные схемы (ИС), Диоды , CAN, Транзистор , модули
Общий доход:Менее 1 миллиона долларов США
Топ-3 рынка:Восточная Азия 20% , Африка 10% , Северная Европа 10%
Страна / регион: Китай Основные продукты:ic, биполярный транзистор , разъем, разъем, PCBA
Топ-3 рынка:Юго-Восточная Азия 8% , Центральная Америка 8% , Южная Азия 8%
Страна / регион: Китай Основные продукты:Электронные компоненты, микросхема, транзистор , диод , датчик
Общий доход:2 доллара США.5 миллионов – 5 миллионов долларов США
Топ-3 рынка:Южная Америка 35% , Северная Америка 12% , Восточная Европа 10%
Страна / регион: Китай Основные продукты:Интегральные схемы, пассивный компонент, активный компонент, полупроводники, разъем
Общий доход:10 миллионов долларов США – 50 миллионов долларов США
Топ-3 рынка:Южная Азия 20% , Восточная Европа 20% , Восточная Азия 15%
Страна / регион: Китай Основные продукты:Интегральные схемы, микросхема датчика изображения CMOS, корпус, разъемы, клеммы
Общий доход:5 миллионов долларов США – 10 миллионов долларов США
Топ-3 рынка:Восточная Европа 25% , Африка 12% , Восточная Азия 11%
Страна / регион: Китай Основные продукты:Предохранитель, модуль SCR, модуль IGBT, тиристор, диод
Общий доход:10 миллионов долларов США – 50 миллионов долларов США
Топ-3 рынка:Океания 7% , Южная Азия 7% , Внутренний рынок 7%
Страна / регион: Китай Основные продукты:ic, диод , транзистор , конденсатор, резистор
Общий доход:10 миллионов долларов США – 50 миллионов долларов США
Топ-3 рынка:Восточная Азия 22% , Юго-Восточная Азия 11% , Средний Восток 10%
Страна / регион: Китай Основные продукты:Полупроводниковые электронные компоненты (MOSFET, SCR, SBD, FRD, Voitage)
Общий доход:1 миллион долларов США – 2 доллара США.5 миллионов
Топ-3 рынка:Внутренний рынок 90,0% , Юго-Восточная Азия 8,0% , Южная Азия 2.0%
Страна / регион: Китай Основные продукты:PCB, PCBA, LED FPC, мембранный переключатель, разработка модульной платы
Общий доход:1 миллион долларов США – 2 доллара США.5 миллионов
Топ-3 рынка:Южная Америка 15% , Северная Америка 15% , Восточная Европа 10%
Страна / регион: Китай Основные продукты:IC, транзистор , реле, модуль, разъем
Общий доход:Более 100 миллионов долларов США
Топ-3 рынка:Северная Америка 20% , Центральная Америка 15% , Южная Европа 10%
Страна / регион: Китай Основные продукты:транзистор , диод , резистор, триод, IC
Общий доход:Менее 1 миллиона долларов США
Топ-3 рынка:Юго-Восточная Азия 50% , Южная Азия 20% , Восточная Азия 10%
Страна / регион: Китай Основные продукты:Интегральные схемы – ИС, пассивные компоненты, светодиодное освещение, электромеханические, разъемы
Общий доход:Более 100 миллионов долларов США
Топ-3 рынка:Северная Америка 10% , Средний Восток 10% , Центральная Америка 10%
Страна / регион: Китай Основные продукты:ICS, конденсатор, индуктор, автомобильный лазер, модуль GPS
Общий доход:2 доллара США.5 миллионов – 5 миллионов долларов США
Топ-3 рынка:Южная Европа 40% , Южная Америка 20% , Северная Америка 10%
Страна / регион: Китай Основные продукты:IC, конденсатор, Транзистор , модуль, разъем
Общий доход:10 миллионов долларов США – 50 миллионов долларов США
Топ-3 рынка:Внутренний рынок 40.0% , Юго-Восточная Азия 9,0% , Южная Америка 6,0%
Страна / регион: Китай Основные продукты:IC, резистор, светодиод, модуль, конденсатор
Общий доход:1 миллион долларов США – 2 доллара США.5 миллионов
Топ-3 рынка:Южная Америка 50% , Юго-Восточная Азия 10% , Африка 10%
Страна / регион: Китай Основные продукты:IC, Транзистор , конденсатор, потенциометр, модуль
Общий доход:10 миллионов долларов США – 50 миллионов долларов США
Топ-3 рынка:Северная Америка 15% , Южная Америка 13% , Юго-Восточная Азия 10%
Страна / регион: Китай Основные продукты:Светодиодный светильник, компонентный светодиод
Общий доход:Менее 1 миллиона долларов США
Топ-3 рынка:Внутренний рынок 30% , Южная Европа 15% , Юго-Восточная Азия 10%
Страна / регион: Китай Основные продукты:диод , транзистор , микросхема, компоненты
Общий доход:10 миллионов долларов США – 50 миллионов долларов США
Топ-3 рынка:Западная Европа 20% , Северная Америка 20% , Африка 15%
Страна / регион: Китай Основные продукты:Интегральная схема, электронные компоненты, печатная плата, МОДУЛЬ, РАЗЪЕМ
Общий доход:Менее 1 миллиона долларов США
Топ-3 рынка:Восточная Европа 30% , Южная Европа 25% , Юго-Восточная Азия 20%
Страна / регион: Китай Основные продукты:Микросхемы, резисторы, конденсаторы, коннекторы, индукторы
Общий доход:2 доллара США.5 миллионов – 5 миллионов долларов США
Топ-3 рынка:Восточная Европа 25% , Северная Америка 20% , Юго-Восточная Азия 20%
Страна / регион: Китай Основные продукты:микросхема, модуль, транзистор , диод , оптопары
Общий доход:1 миллион долларов США – 2 доллара США.5 миллионов
Топ-3 рынка:Восточная Европа 30% , Западная Европа 10% , Южная Америка 10%
Страна / регион: Китай Основные продукты:ДИОДЫ , ТРАНЗИСТОРЫ , Мосфет, мостовой преобразователь, регулятор напряжения
Общий доход:10 миллионов долларов США – 50 миллионов долларов США
Топ-3 рынка:Внутренний рынок 50% , Восточная Азия 12% , Юго-Восточная Азия 10%
Страна / регион: Китай Основные продукты:Электронные компоненты, кнопочный переключатель, защитный кожух для печатной платы, изготовление на заказ пресс-формы
Топ-3 рынка:Западная Европа 20% , Северная Америка 15% , Средний Восток 15%
Страна / регион: Китай Основные продукты:СВЧ-модуль, радарный датчик, светодиодная линейная ламповая панель, светодиодные солнечные лампы, индукционные лампы для микроволновых радаров
Топ-3 рынка:Северная Америка 20% , Центральная Америка 10% , Северная Европа 10%
Страна / регион: Китай Основные продукты:ИС, конденсатор, резистор, модуль, транзистор
Общий доход:5 миллионов долларов США – 10 миллионов долларов США
Топ-3 рынка:Южная Америка 40% , Средний Восток 20% , Внутренний рынок 10%
Страна / регион: Китай Основные продукты:Электронные индукционные печные конденсаторы, Бак конденсатора с воздушным и водяным охлаждением, Среднечастотные конденсаторы, Шунтирующие конденсаторы высокого и низкого напряжения, Конденсатор фильтра переменного / постоянного тока
Общий доход:2 доллара США.5 миллионов – 5 миллионов долларов США
Топ-3 рынка:Южная Европа 27% , Западная Европа 22% , Южная Азия 19%
Страна / регион: Китай Основные продукты:IC, Диод , Транзистор , конденсатор, резистор
Топ-3 рынка:Северная Европа 7% , Юго-Восточная Азия 7% , Африка 7%
Страна / регион: Китай Основные продукты:Военное дело, связь, авиация, статическое хранение, Система наблюдения и национальная оборона
Общий доход:5 миллионов долларов США – 10 миллионов долларов США
Топ-3 рынка:Южная Европа 30% , Западная Европа 20% , Северная Америка 20%
Страна / регион: Китай Основные продукты:Электронные компоненты, интегральные схемы, Транзисторы , аксессуары для мобильных телефонов, МОДУЛЬ IGBT
Общий доход:2 доллара США.5 миллионов – 5 миллионов долларов США
Топ-3 рынка:Юго-Восточная Азия 10% , Северная Америка 10% , Восточная Азия 10%
.