AM29F400BB-90EC AMD Память – JOTRIN ELECTRONICS
The Am29F400B is a 4 Mbit, 5.0 volt-only Flash memory organized as 524,288 bytes or 262,144 words. The device is offered in 44-pin SO and 48-pin TSOP packages. The word-wide data (x16) appears on DQ15–DQ0; the byte-wide (x8) data appears on DQ7– DQ0. This device is designed to be programmed insystem with the standard system 5.0 volt VCC supply. A 12.0 V VPP is not required for write or erase operations. The device can also be programmed in standard EPROM programmers.
This device is manufactured using AMD’s 0.35 µm process technology, and offers all the features and benefits of the Am29F400, which was manufactured using 0.5 µm process technology.
The standard device offers access times of 55, 60, 70,
90, 120, and 150 ns, allowing high speed microprocessors to operate without wait states. To eliminate bus
contention the device has separate chip enable (CE#),
write enable (WE#) and output enable (OE#) controls.
The device requires only a single 5.0 volt power supply for both read and write functions. Internally generated and regulated voltages are provided for the program and erase operations.
The device is entirely command set compatible with the
JEDEC single-power-supply Flash standard. Commands are written to the command register using
standard microprocessor write timings. Register contents serve as input to an internal state-machine that
controls the erase and programming circuitry. Write
cycles also internally latch addresses and data needed
for the programming and erase operations. Reading
data out of the device is similar to reading from other
Flash or EPROM devices.
Device programming occurs by executing the program
command sequence. This initiates the Embedded
Program algorithm—an internal algorithm that automatically times the program pulse widths and verifies
proper cell margin.
Device erasure occurs by executing the erase command sequence. This initiates the Embedded Erase algorithm—an internal algorithm that automatically
preprograms the array (if it is not already programmed) before executing the erase operation.
The host system can detect whether a program or erase operation is complete by observing the RY/BY# pin, or by reading the DQ7 (Data# Polling) and DQ6/DQ2 (toggle) status bits. After a program or erase cycle has been completed, the device is ready to read array data or accept another command.
(Картинка: Pinout)
(Картинка: Diagram)
AM29F400BB-55EI datasheet – 4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory | AM29F400BB-55EI.
pdf by Advanced Micro Devices AM29F400BB-55EI datasheet – 4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory | AM29F400BB-55EI.pdf by Advanced Micro Devices | AM29F400BB-55EI documentation view on EHAM.RU AM29F400BB-55EI – 4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory| | Название/Part No: AM29F400BB-55EI Описание/Description: 4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory Производитель/Maker: Advanced Micro Devices (AMD) Ссылка на datasheet: ~/AM29F400BB-55EI.pdf |
| Компонент | Описание | Производитель | |
| AM29F400BB-55EC | 4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 5. | Advanced Micro Devices | |
| AM29F400BB-55EC | 4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory | Advanced Micro Devices | |
| AM29F400BB-55EC0 | 4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory | Advanced Micro Devices | |
| AM29F400BB-55ECB | 4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory | Advanced Micro Devices | |
| AM29F400BB-55ED | 4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 5. | Advanced Micro Devices | |
| AM29F400BB-55ED0 | 4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory | Advanced Micro Devices | |
| AM29F400BB-55EE | 4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory | Advanced Micro Devices | |
| AM29F400BB-55EE | 4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory | Advanced Micro Devices | |
| AM29F400BB-55EE0 | 4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 5. | Advanced Micro Devices | |
| AM29F400BB-55EEB | 4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory | Advanced Micro Devices |
0 Volt-only Boot Sector Flash Memory
0 Volt-only Boot Sector Flash Memory
Загрузка технического описания, для номера детали AM29F400BB-120EC, AM29F400BB-120SC
Загрузка технического описания, для номера детали AM29F400BB-120EC, AM29F400BB-120SC– Желаю вам радостной Пасхи! Sierra IC Inc. будет работать полдня 7 апреля 2023 г. и будет закрыта в понедельник, 10 апреля 2023 г. Наши обычные рабочие часы возобновятся во вторник, 11 апреля 2023 г.
Главная » Купить онлайн » Спецификация
Средство поиска по спецификациям Sierra IC© упрощает поиск электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов, соединителей, а также пассивных и активных компонентов.
| Номер детали | Производитель | Страница 1 из 1 | |
|---|---|---|---|
AM29F400BB-120EC Flash Mem Parallel 5V 4M-Bit 512K x 8/256K x 16 120 нс 48-контактный TSOP | Advanced Micro Devices Inc (AMD) | ||
Advanced Micro Devices Inc (AMD) | |||
Передовые микроустройства | |||
AM29F400BB-120SI 4 Мбит (512 К x 8 бит/256 К x 16 бит) CMOS 5,0 В, только загрузочный сектор Флэш-память | Передовые микроустройства | ||
Передовые микроустройства | |||
AM29F400BB-150EC 4 Мбит (512 К x 8 бит/256 К x 16 бит) CMOS 5,0 В, только загрузочный сектор Флэш-память | Передовые микроустройства | ||
АМ29Ф400ББ-150СК 4 Мегабита (512 К x 8 бит/256 К x 16 бит) CMOS 5. | Передовые микроустройства | ||
AM29F400BB-45EC Flash Mem Parallel 5V 4M-Bit 512K x 8/256K x 16 45ns 48-Pin TSOP | Передовые микроустройства | ||
Передовые микроустройства | |||
Передовые микроустройства | |||
AM29F400BB-55EC 4 Мбит (512 К x 8 бит/256 К x 16 бит) CMOS 5,0 В, только загрузочный сектор Флэш-память | Усовершенствованные микроустройства | ||
AM29F400BB-55EI 4 Мбит (512 К x 8 бит/256 К x 16 бит) CMOS 5,0 В, только загрузочный сектор Флэш-память | Передовые микроустройства | ||
Передовые микроустройства | |||
AM29F400BB-55SC 4 Мбит (512 К x 8 бит/256 К x 16 бит) CMOS 5,0 В, только загрузочный сектор Флэш-память | Передовые микроустройства | ||
AM29F400BB-55SE 4 Мбит (512 К x 8 бит/256 К x 16 бит) CMOS 5,0 В, только загрузочный сектор Флэш-память | Расширенные микроустройства | ||
:
Воспользуйтесь поиском спецификаций Sierra IC©.
Текущие и устаревшие спецификации доступны для бесплатной загрузки.
Покупайте онлайн в нашем каталоге активных и пассивных электронных компонентов от более чем 700 производителей.
| Номер связанной детали | |||||||||||||||||||||||||||||||||
|
7V PROM, 120 ns, PDSO48 
, Ltd. 
