Bd140: Страница не найдена

Транзистор BD140: характеристики (параметры), отечественный аналог

Главная » Транзистор

BD140 — биполярный, кремниевый транзистор средней мощности и низкой частоты, с PNP структурой. Изготавливается в пластиковом корпусе ТО-126. В классификации JEDEC обновленный корпус называется ТО-225АА.

Содержание

1. Корпус, размеры и цоколевка
2. Предназначение
3. Характерные особенности
4. Предельные эксплуатационные характеристики
5. Типовые термические характеристики
6. Электрические параметры
7. Маркировка
8. Аналоги
9. Основные графические зависимости

Корпус, размеры и цоколевка

Предназначение

Основной особенностью является высокая зависимость коллекторного тока от температуры, что позволяет использовать транзистор в устройствах термостабилизации в усилителях мощности.

Кроме этого, BD140 получил широкое применение в регуляторах питания, ключах и стабилизаторах.

Характерные особенности

• Рабочая температура до 150 °C;
• Пластиковый корпус;
• Низкая частота;
• Низкая стоимость, в сравнении с аналогичными транзисторами подобной мощности;
• Высокая зависимость коллекторного тока от температуры.

Стоит отметить, что за счет пластикового корпуса и отсутствия радиатора, данный транзистор необходимо устанавливать на дополнительный радиатор охлаждения.

Предельные эксплуатационные характеристики

Характеристика	Обозначение	Величина
Граничное напряжение транзистора	VCEO	80 В DC
Пробивное напряжение коллектор-база	VCBO	100 В DC
Пробивное напряжение эмиттер-база	VEBO	5 В DC
Максимальный ток коллектора	IC	1.5 А DC
Максимальный ток базы	IB	0,5 А DC
Максимальный импульсный ток коллектора	ICM	2 А DC
Рассеиваемая мощность транзистора	Ptot	8 Вт
Максимальная температура при хранении	Tstg	+150 °C
Максимальная температура при переходе	Tj	+150 °C
Максимальная температура окружающей среды	Tamb	+150 °C

Типовые термические характеристики

Характеристика	Обозначение	Максимальная величина
Теплопередача от кристалла к окружающей среде	Rth j-a	10 °C/Вт
Теплопередача от кристалла к монтажному основанию	Rth j-mb	100 °C/Вт

Электрические параметры

Данные в таблице приведены для работы при температуре 25°C.

Характеристика	Обозначение	Величина
Обратный ток коллектора	ICBO	10 мкА DC
Обратный ток эмиттера	IEBO	10 мкА DC
Пробивное напряжение коллектор-эмиттер	VCEO(sus)	80 V DC
Напряжение насыщения колектор-эмиттер	VCE(sat)	0.5 V DC
Напряжение на переходе база-эмиттер	VBE	1 V DC
Коэффициент передачи	hFE	Для группы 10 от 63 до 160
		Для группы 16 от 100 до 250

Маркировка

Полное название радиоэлемента — биполярный кремниевый транзистор BD140, где:

• BD – символы обозначают, что транзистор является кремниевым и обладает высокой мощностью и низкой частотой;
• 140 – серийный номер транзистора.

Первым кто выпустил радиокомпонент является фирма Philips. В настоящее время она производством не занимается. И чаще всего можно встретить транзисторы BD140 следующих производителей:

• Motorola;
• Siemens;
• UTC;
• SPC;
• STM;
• TEL;
• FAIRCHILD.

Аналоги

Тип	Pc, W	Ucb, V DC	Uce, V DC	Ueb, V DC	Ic, A DC	Tj, °C
Оригинал
BD140	12	80	100	5	1	150
Зарубежные аналоги
BD238G	30	100	100	5	4	150
BD348	20	80	80	5	3	150
BD380-25	25	100	80	5	2	150
MJE172	12	100	80	7	3	150
MJE702	40	80	80	5	4	150
MJE703	40	80	80	5	4	150
HBD682	0	100	100	5	4	150
Отечественные аналоги
КТ814Г	10	100	100	–	1. 5	150

Стоит отметить, что Российский аналог значительно отличается по значению граничной частоты от оригинала.

Примечание: данные в таблице взяты из даташип компаний-производителя.

Основные графические зависимости

Рис 1. Область безопасной работы транзистора. В области токов ограничением является максимальное значение тока коллектора, а в области напряжения — максимальное напряжение коллектор-эмиттер.

Рис 2. Зависимость статического коэффициента усиления по току h_FE транзистора от величины коллекторной нагрузки I_C.

Рис 3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер U_CE(sat) от величины коллекторной нагрузки I_C.

Рис 4. Передаточная характеристика транзистора – зависимость тока коллектора I_C от напряжения управления (базы) U_BE.

Рис 5. Ограничение мощности рассеивания транзистора при возрастании температуры его корпуса T_C.

BD140 Транзистор: характеристики и аналоги отечественные

Средней мощности характеристики транзистора BD140 позволяют его использовать в Hi-Fi усилителях низкой частоты, телевизионных приёмниках, а также в схемах термостабилизации УНЧ.  Его структура p-n-p. У него зависимость тока через коллектор от окружающей температуры выше, чем у большинства других аналогичных устройств.

Цоколевка

Рассматривать цоколевку транзистора BD140 будем в пластмассовом корпусе ТО-126 в котором имеются три жёстких вывода. Если разместить его маркировкой к себе так, чтобы ножки смотрели вниз, то назначение выводов будет следующим: слева будет находиться эмиттер, в середине расположиться коллектор а база справа. Геометрические размеры, внешний вид и основные параметры показаны на рисунке.

Технические характеристики

Работа с параметрами выше указанных, недопустима из-за риска выхода устройства из строя. Кроме этого не рекомендуется нагружать транзистор до максимальных уровней. Длительное воздействие этих нагрузок на устройство негативно скажется на надёжности и долговечности BD140. Их измерение проводилось при т-ре +25°C.

Максимальные характеристики BD140:

• напряжение К – Б U_{кб max} (V_CBO) = -80 В;
• напряжение К – Э U _{кэ max} (V_CЕO) = -80 В;
• напряжение Э – Б U_{эб max} (V_ЕBO) = -5 В;
• ток через коллектор I_{к max} (I_C) = -1,5 А;
• пиковый ток через коллектор I_{к max пик} (I_CР) = -3 А;
• ток через базу I_{Б max} (I_В) = -0,5 А;
• мощность:
  • с охлаждением P_{к max} (P_D) = 12,5 Вт;
  • без охлаждения P_{к max} (P_D) = 1,25 Вт;
• тепловое сопротивление кристалл-воздух R_{th (j-a)} = 100 °С/Вт;
• тепловое сопротивление кристалл-корпус R_{th (j-с)} = 10 °С/Вт;
• т-ра рабочая и хранения T_stg = -55 … +150°С;
• предельная т-ра кристалла Т_j = 150°С.

Теперь следует ознакомиться с электрическими параметрами. Именно от них зависят функциональные возможности и сфера применения. Все они тестируются при стандартной т-ре +25°C. Другие параметры измерения, влияющие на результаты измерения находятся в колонке «Режимы изм.».

Электрические параметры транзистора BD140 (при Т = +25 оC)
Параметры	Режимы изм	Обозн.	мин	тип	макс	Ед. изм
Поддерживающее напряжение К-Э	IC = -30 мA, IВ= 0	VCEO(sus)	-80			В
Ток К – Б (напр. обратное)	VCВ = -30 В, IЕ = 0	ICВO			-0,1	мкА
Ток Э –Б (напр. обратное)	VEB = -5 В, IC = 0	IEBO			-10	мкА
К-т усиления	VCE=-2 В,IC= -5 мA	hFE1	25
	VCE=-2 В,IC= -0,5 мA	hFE2	25
	VCE=-2 В,IC= -150мA	hFE3	40		250
Разность потенциалов насыщения К-Э	IC=-500мA,IB=-50мA	V CE(sat)			-0,5	В
Разность потенциалов отключения Б-Э	IC=-0,5мA, VCE=-2 В	V ВE(on)			-1	В

В зависимости от значения величины коэффициента усиления h_FE3 (V_CE = -2 В, I_C = -150 мA) транзисторы BD140 делятся на три категории:

• 6 – h_FE3 = от 40 до 100;
• 10 – h_FE3 = от 63 до 160;
• 16 – h_FE3 = от 100 до 250;

Аналоги

Самые подходящие отечественные аналоги BD140:

• КТ814Г;
• КТ6109А;
• КТ626В;
• КТ626Ж.

Также есть похожие по параметрам зарубежные транзисторы:

• 2N4920;
• 2N5195;
• BD138.

Комплементарной парой рассматриваемого устройства является BD139.

Производители и Datasheet

Ниже представлен список производителей BD140 и их datasheet:

• Unisonc Technologies;
• Fairchild Semicnductor;
• SeCoS Halbletertechnologie GmbH;
• Siemens Semicnductor Group;
• Foshan Electronics;
• Motorola;
• TRANSYS Electronics Limited;
• Inchange Semicondyctor Company;
• Savantic;
• Jiangsu Changiang Electroncs Technlogy.

В отечественных магазинах можно найти устройства произведённые фирмами:

• STMicroelectronics;
• Micro Commercal Components;
• ON Semconductor;
• NXP Semconductors;
• Continental Device Indja.

Распиновка транзистора BD140

, техническое описание, эквивалент, схема и характеристики.

14 марта 2022 – 0 комментариев

БД140 Транзистор
Схема контактов транзистора BD140

Модель BD140 представляет собой эпитаксиальный планарный транзистор PNP, смонтированный в пластиковом корпусе SOT-32. Они предназначены для аудиоусилителей

и драйверов , использующих комплементарные или квазикомплементарные схемы. Дополнение NPN – BD139.и этот транзистор поставляется с VCE -80 В и непрерывным током коллектора -1,5 А. Его можно использовать в качестве переключающего транзистора с малым сигналом. Кроме того, у него низкое базовое напряжение -5 В.

 

Конфигурация выводов BD140

Номер контакта	Название контакта	Описание контакта
1	Излучатель	Утечка тока через эмиттер, обычно соединенный с землей
2	Коллектор	Ток протекает через коллектор, нормально подключенный к нагрузке
3	Базовый	Управляет смещением транзистора, используемым для включения или выключения транзистора.

 

Характеристики и характеристики

• Биполярный PNP-транзистор
• Непрерывный ток коллектора (IC) составляет -1,5 А
• Напряжение коллектор-эмиттер (VCE) равно 80 В
• Напряжение коллектор-база (VCB) равно 80 В
• Базовый ток (Ib) составляет -0,5 А
• Напряжение пробоя базы эмиттера (VBE) равно -5 В
• Коэффициент усиления постоянного тока (hfe) составляет от 40 до 160
• Доступен в пакетах То-225 и СОТ-32
• Рассеиваемая мощность коллектора: 12,5 Вт
• Макс. рабочая температура перехода (Tj): 150°C

 

Примечание: Полную техническую информацию можно найти в Спецификация BD140 приведена в конце этой страницы.

 

BD140 Эквивалентные транзисторы

BD139, BD136, BD138, D882

 

Обзор транзистора 9002 9002 BD1402 Транзистор BD140 — очень универсальный транзистор, который можно использовать во многих различных приложениях. Это PNP-транзистор , поэтому его коллектор и эмиттер остаются открытыми, когда на базу транзистора подается положительное напряжение, и закрываются, когда на базе отсутствует напряжение.

Значение бета этого транзистора может находиться в диапазоне от 40 до 160, этот параметр определяет коэффициент усиления устройства, максимальный номинальный ток для этого транзистора составляет 1,5 А. Таким образом, мы можем подключить нагрузку до 1,5 А, но нам нужно учитывать номинальную мощность и температуру. Этот транзистор имеет максимальное напряжение база-эмиттер 5 В, что означает, что его можно использовать для приложений логического уровня во встроенных системах.

Когда этот транзистор находится в смещенном состоянии, он может пропустить максимум 1,5 А через переход эмиттер-коллектор, это состояние устройства называется состоянием насыщения, протекание тока, превышающего 1,5 А, может повредить устройство. Когда ток базы удаляется, транзистор полностью закрывается, этот этап называется областью отсечки, поэтому ток через устройство не протекает. Первоначально BD140 производился компанией Phillips с номинальной частотой 160 МГц для определенных аудиоприложений, позже они были клонированы другими производителями, такими как Samsung, ST, ON Semi и т. д.

 

Как пользоваться транзистором BD140

Транзисторы — это устройства, управляемые током, поэтому для их включения требуется небольшой ток. Для транзистора BD140 этот базовый ток меньше 10 мА, так как BD140 представляет собой PNP-транзистор, что означает, что он будет включен, когда база соединена с землей, и будет выключен, когда на базу транзистора подается положительное напряжение. транзистор.

Смоделированная схема ниже показывает, как этот транзистор ведет себя, когда база базовой схемы подключена к земле и когда он подключен к 12 В источника питания.

Когда мы включаем транзистор, соединив базу с землей, транзистор останется включенным, пока напряжение на базе транзистора не превысит напряжение выключения базы, для этого транзистора оно находится где-то посередине 0,7 -0,9В. База транзистора не может оставаться плавающей, иначе может произойти ложное срабатывание, что может привести к проблемам в цепи. Чтобы решить эту проблему, нам нужно добавить подтягивающие резисторы, как показано в примере, резистор 10K используется для подтягивания базы транзистора к VCC.

 

Приложения

• Умеренный Применения переключения тока
• Драйвер сильноточного реле
• Микрофонные предусилители
• Системы освещения
• Аудиоусилители
• Средняя мощность, линейная и коммутационная
• Усилители сигналов

 

2D-модель и размеры

Если вы проектируете печатную плату или плату Perf с этим компонентом, следующее изображение из таблицы данных будет полезно, чтобы узнать его тип упаковки и размеры.

Теги

Транзистор

Транзистор PNP

Силовая электроника

Распиновка транзистора BD140, эквивалент, использование, особенности и применение

В этом посте объясняется распиновка транзистора BD140, эквивалент, использование, особенности и применение, а также другая полезная информация о том, как и где его использовать.

Объявления

 

Объявления

Особенности/технические характеристики:

• Тип упаковки:  ТО-126
• Тип транзистора: PNP
• Максимальный ток коллектора (I _C ): -1,5 А
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (В _CE ): – 80 В
• Макс. напряжение коллектор-база (В _CB ): – 80 В
• Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO): – 5 В
• Максимальное рассеивание коллектора (шт.): 12,5 Вт
• Максимальная частота перехода (fT): 190 МГц
• Минимальное и максимальное усиление постоянного тока (h _FE ):  25–250
• Максимальная температура хранения и рабочая температура должна быть: от -55 до +150 градусов по Цельсию

 

Дополнительный NPN:

PNP Дополнительный BD140: BD139

 

Замена и аналог:

BD238G, MJE171, MJE702, BD792

 

BD140 Транзистор Объяснение / Описание: это известный тип транзистора P4, BD 190 используется во многих электронных схемах, этот транзистор может выдерживает ток до 1,5 А или 1500 мА, благодаря чему его можно использовать для управления нагрузками до 1,5 А в электронных схемах, например, для мощных светодиодов, реле, двигателей и т. д. Благодаря этим функциям он имеет множество других функций, таких как высокий коллектор Напряжение эмиттера и базы коллектора, равное 80 В, делает его идеальным транзистором для использования в схемах, использующих 80 В постоянного тока или ниже 80 В. Кроме того, рассеивание коллектора этого транзистора составляет около 12,5 Вт, что делает его хорошим транзистором для использования в схемах аудиоусилителей. Минимальное базовое напряжение или напряжение насыщения транзистора составляет -0,5В.

 

Где мы можем его использовать и как использовать:

BD140 — идеальный транзистор для использования в образовательных и хобби-проектах по электронике, например, в аналоговых схемах, проектах Arduino и других проектах микроконтроллеров. Кроме того, он также используется в промышленной электронике. Максимальная нагрузка, которую может обслуживать этот транзистор, составляет 1,5 А, поэтому его можно использовать для управления различными нагрузками до 1,5 А.