Bld123D транзистор параметры: Справочники

Качество транзистор bld123d для электронных проектов

О продукте и поставщиках:

Alibaba.com предлагает большой выбор. транзистор bld123d на выбор в соответствии с вашими потребностями. транзистор bld123d являются жизненно важными частями практически любого электронного компонента. Их можно использовать для создания материнских плат, калькуляторов, радиоприемников, телевизоров и многого другого. Выбирая правильно. транзистор bld123d, вы можете быть уверены, что создаваемый вами продукт будет высокого качества и очень хорошо работает. Ключевые факторы выбора продуктов включают предполагаемое применение, материал и тип, среди прочего. 
транзистор bld123d состоят из полупроводниковых материалов и обычно имеют не менее трех клеммы, которые можно использовать для подключения к внешней цепи. Эти устройства работают как усилители или переключатели в большинстве электрических цепей. транзистор bld123d охватывают два типа областей, которые возникают из-за включения примесей в процессе легирования. В качестве усилителей. транзистор bld123d скрывают низкий входной ток в большую выходную энергию, и они направляют небольшой ток для управления огромными приложениями, работающими как переключатели. 
Изучите прилагаемые таблицы данных вашего. транзистор bld123d для определения опорных ног, эмиттера и коллектора для безопасного и надежного соединения. Файл. транзистор bld123d на сайте Alibaba.com используют кремний в качестве первичной полупроводниковой подложки благодаря их превосходным свойствам и желаемому напряжению перехода 0,6 В. Основные параметры для. транзистор bld123d для любого проекта включает в себя рабочие токи, рассеиваемую мощность и напряжение источника. 
Откройте для себя удивительно доступный. транзистор bld123d на Alibaba.com для всех ваших потребностей и предпочтений.  Доступны различные материалы и стили для безопасной и удобной установки и эксплуатации. Некоторые аккредитованные продавцы также предлагают послепродажное обслуживание и техническую поддержку.

, , , 2010 12 10, 158

10 2010 (39798 ) 2 5 , , 15 , 10 () 0.5 0,1 24 5942cache:mM14iJiF-ikJ:http://audioheritage.org/vbulletin/showthread.php?3370-Hafler-amp-problems KBPC2502 fixja1225stk4034 521 BuiderDR184B DR184B lm338DC-DC 15 CD4093s9014 p45n03ltg hansa smd tda 7293uc3843 12 Sony HCD-C770 Service Manual HCD-C770/C990 9-874-059-01 file:\\Sony\_ok\HCD-C770.pdf lcd winampc Builder 6 stc 0049 – 84 0,1 VR1 500 TSOP322. borland c PROLOGY HDTV-707 12 2010 20103d sony dvp-s336 color and code 10.3 80mA tl494102 datasheetGOLDEN FIELD 650W . ADO, Data Control Data Access 521 5225617 j. BC 548B LUXTEK 8W 6 561 7 -142-80 2 sony dav-s500 service manual 4BX4 ICL7107 202 TB2926HQ 2SC2712థࣳ૿ಮఠ࿰મ౲ਠૠଯ ࠢಮମࡨૼ c 3d v12 DK QQ LM317, 40 yamaha mlan 702 1 2n6668 2 20 журнал Радиоконструктор №6 2008г 9014 37 2010 2N 1613 11821 220 Lm3914 144 2SK170 DS18S20 zamel ST 919 મଯ࠰࠲ர ࢠౢॲதਮभ஬ ਭनઠಮథ 12-2010 51210 220 121rfkmrekznjh hflbjk. ,bntkz JDM- 367 24 2SC1946A 430stm 5618 datasheet 603814 PIC12F675 dc-dc PIC16CXX – 8-pp ppp RISC pp, p p Microchip Technology. au103 borland builder 6 Print -10445 lbjl lm39152SD1094 SS495 pic16f84 2sc458 -4315 11821 IRL2203N 2SD688 Top 250 mj15022 tlc555 atmega8– TDA 1083 BFX94c builder a709c IRFZ48n 818” SMD-“2 pcad viewer onlineBLD123D borland c ନરற൥ଠ tl494id IRFP2907datashit EN13003A CD-RW ?rom.forum izmerenie ESR 555” PIC ” nokia 7171 TIP127 labcenter electronics proteus 7.6 sp4cfvsq ghjcnjq ecbkbntkm yf TDA2030 STK430-120 10 2010 (39798 )    [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94] [95] [96] [97] [98] [99] [100] [101] [102] [103] [104] [105] [106] [107] [108] [109] [110] [111] [112] [113] [114] [115] [116] [117] [118] [119] [120] [121] [122] [123] [124] [125] [126] [127] [128] [129] [130] [131] [132] [133] [134] [135] [136] [137] [138] [139] [140] [141] [142] [143] [144] [145] [146] [147] [148] [149] [150] [151] [152] [153] [154] [155] [156] [157] [158] [159] [160] [161] [162] [163] [164] [165] [166] [167] [168] [169] [170] [171] [172] [173] [174] [175] [176] [177] [178] [179] [180] [181] [182] [183] [184] [185] [186] [187] [188] [189] [190] [191] [192] [193] [194] [195] [196] [197] [198] [199] Copyright 2010 Created 0,05991 s.

Страница не найдена — СхемаТок — ПромБытТех — Блог о бытовых приборах

Как проверить транзистор 13003 мультиметром

Приветствую всех любителей электроники, и сегодня в продолжение темы применение цифрового мультиметра мне хотелось бы рассказать, как проверить биполярный транзистор с помощью мультиметра.

Биполярный транзистор представляет собой полупроводниковый прибор, который предназначен для усиления сигналов. Так же транзистор может работать в ключевом режиме.

Транзистор состоит из двух p-n переходов, причем одна из областей проводимости является общей. Средняя общая область проводимости называется базой, крайние эмиттером и коллектором. Вследствие этого разделяют n-p-n и p-n-p транзисторы.

Итак, схематически биполярный транзистор можно представить следующим образом.

Рисунок 1. Схематическое представление транзистора а) n-p-n структуры; б) p-n-p структуры.

Для упрощения понимания вопроса p-n переходы можно представить в виде двух диодов, подключенных друг к другу одноименными электродами (в зависимости от типа транзистора).

Рисунок 2. Представление транзистора n-p-n структуры в виде эквивалента из двух диодов, включенных анодами друг к другу.

Рисунок 3. Представление транзистора p-n-p структуры в виде эквивалента из двух диодов, включенных катодами друг к другу.

Конечно же для лучшего понимания желательно изучить как работает p-n переход, а лучше как работает транзистор в целом. Здесь лишь скажу, что чтобы через p-n переход тек ток его необходимо включить в прямом направлении, то есть на n – область (для диода это катод) подать минус, а на p-область (анод).

Это я вам показывал в видео для статьи «Как пользоваться мультиметром» при проверке полупроводникового диода.

Так как мы представили транзистор в виде двух диодов, то, следовательно, для его проверки необходимо просто проверить исправность этих самых «виртуальных» диодов.

Итак, приступим к проверке транзистора структуры n-p-n. Таким образом, база транзистора соответствует p- области, коллектор и эмиттер – n-областям. Для начала переведем мультиметр в режим проверки диодов.

В этом режиме мультиметр будет показывать падение напряжения на p-n переходе в милливольтах. Падение напряжения на p-n переходе для кремниевых элементов должно быть 0,6 вольта, а для германиевых – 0,2-0,3 вольта.

Сначала включим p-n переходы транзистора в прямом направлении, для этого на базу транзистора подключим красный (плюс) щуп мультиметра, а на эмиттер черный (минус) щуп мультиметра. При этом на индикаторе должно высветиться значение падения напряжения на переходе база-эмиттер.

Далее проверяем переход база-коллектор. Для этого красный щуп оставляем на базе, а черный подключаем к коллектору, при этом прибор покажет падение напряжения на переходе.

Здесь необходимо отметить, что падение напряжения на переходе Б-К всегда будет меньше падения напряжения на переходе Б-Э. Это можно объяснить меньшим сопротивлением перехода Б-К по сравнению с переходом Б-Э, что является следствием того, что область проводимости коллектора имеет большую площадь по сравнению с эмиттером.

По этому признаку можно самостоятельно определить цоколевку транзистора, при отсутствии справочника.

Так, половина дела сделана, если переходы исправны, то вы увидите значения падения напряжения на них.

Теперь необходимо включить p-n переходы в обратном направлении, при этом мультиметр должен показать «1», что соответствует бесконечности.

Подключаем черный щуп на базу транзистора, красный на эмиттер, при этом мультиметр должен показать «1».

Теперь включаем в обратном направлении переход Б-К, результат должен быть аналогичным.

Осталось последняя проверка – переход эмиттер-коллектор. Подключаем красный щуп мультиметра к эмиттеру, черный к коллектору, если переходы не пробитые, то тестер должен показать «1».

Меняем полярность ( красный -коллектор, черный– эмиттер) результат – «1».

Если в результате проверки вы обнаружите не соответствие данной методике, то это значит, что транзистор неисправен.

Эта методика подходит для проверки только биполярных транзисторов. Перед проверкой убедитесь, что транзистор не является полевым или составным. Многие изложенным выше способом пытаются проверить именно составные транзисторы, путая их с биполярными (ведь по маркировки можно не правильно идентифицировать тип транзистора), что не является правильным решением. Правильно узнать тип транзистора можно только по справочнику.

При отсутствии режима проверки диодов в вашем мультиметра, осуществить проверку транзистора можно переключив мультиметр в режим измерения сопротивления на диапазон «2000». При этом методика проверки остается неизменной, за исключением того, что мультиметр будет показывать сопротивление p-n переходов.

А теперь по традиции поясняющий и дополняющий видеоролик по проверке транзистора:

ПОНРАВИЛАСЬ СТАТЬЯ? ПОДЕЛИСЬ С ДРУЗЬЯМИ В СОЦИАЛЬНЫХ СЕТЯХ!

NPN и PNP транзисторы

Биполярный транзистор состоит из двух PN-переходов. Существуют два вида биполярных транзисторов: PNP-транзистор и NPN-транзистор.

На рисунке ниже структурная схема PNP-транзистора:

Схематическое обозначение PNP-транзистора в схеме выглядит так:

где Э – это эмиттер, Б – база, К – коллектор.

Существует также другая разновидность биполярного транзистора: NPN транзистор. Здесь уже материал P заключен между двумя материалами N.

Вот его схематическое изображение на схемах

Так как диод состоит из одного PN-перехода, а транзистор из двух, то значит можно представить транзистор, как два диода! Эврика!

Теперь же мы с вами можем проверить транзистор, проверяя эти два диода, из которых, грубо говоря, состоит транзистор. Как проверить диод мультиметром, можно прочитать в этой статье.

Проверяем исправный транзистор

Ну что же, давайте на практике определим работоспособность нашего транзистора. А вот и наш пациент:

Внимательно читаем, что написано на транзисторе: С4106. Теперь открываем поисковик и ищем документ-описание на этот транзистор. По-английски он называется “datasheet”. Прямо так и забиваем в поисковике “C4106 datasheet”. Имейте ввиду, что импортные транзисторы пишутся английскими буквами.

Нас больше всего интересует распиновка выводов транзистора, а также его вид: NPN или PNP. То есть нам надо узнать, какой вывод что из себя представляет. Для данного транзистора нам надо узнать, где у него база, где эмиттер, а где коллектор.

А вот и схемка распиновки из даташита:

Теперь нам понятно, что первый вывод – это база, второй вывод – это коллектор, ну а третий – эмиттер

Возвращаемся к нашему рисунку

Мы узнали из даташита, что наш транзистор NPN проводимости.

Ставим мультиметр на прозвонку и начинаем проверять “диоды” транзистора. Для начала ставим “плюс” к базе, а “минус” к коллектору

Все ОК, прямой PN-переход должен обладать небольшим падением напряжения. Для кремниевых транзисторов это значение 0,5-0,7 Вольт, а для германиевых 0,3-0,4 Вольта. На фото 543 милливольта или 0,54 Вольта.

Проверяем переход база-эмиттер, поставив на базу “плюс” , а на эмиттер – “минус”.

Видим снова падение напряжения прямого PN перехода. Все ОК.

Меняем щупы местами. Ставим “минус” на базу, а “плюс” на коллектор. Сейчас мы замеряем обратное падение напряжения на PN переходе.

Все ОК, так как видим единичку.

Проверяем теперь обратное падение напряжения перехода база-эмиттер.

Здесь у нас мультиметр также показывает единичку. Значит можно дать диагноз транзистору – здоров.

Проверяем неисправный транзистор

Давайте проверим еще один транзистор. Он подобен транзистору, который мы с вами рассмотрели выше. Его распиновка (то есть положение и значение выводов) такая же, как у нашего первого героя. Также ставим мультиметр на прозвонку и цепляемся к нашему подопечному.

Нолики… Это не есть хорошо. Это говорит о том, что PN-переход пробит. Можно смело выкидывать такой транзистор в мусор.

Проверка транзистора с помощью транзисторметра

Очень удобно проверять транзисторы, имея прибор RLC-транзисторметр

Заключение

В заключении статьи, хотелось бы добавить, что лучше всегда находить даташит на проверяемый транзистор. Бывают так называемые составные транзисторы. Это значит, что в одном конструктивном корпусе транзистора могут быть вмонтированы два и более транзисторов. Имейте также ввиду, что некоторые радиоэлементы имеют такой же корпус, как и транзисторы. Это могут быть тиристоры, стабилизаторы, преобразователи напряжения или даже какая-нибудь иностранная микросхема.

Опытные электрики и электронщики знают, что для полной проверки транзисторов существуют специальные пробники.

С помощью них можно не только проверить исправность последнего, но и его коэффициент усиления — h41э.

СОДЕРЖАНИЕ (нажмите на кнопку справа):

Необходимость наличия пробника

Пробник действительно нужный прибор, но, если вам необходимо просто проверить транзистор на исправность вполне подойдет и мультиметр.

Устройство транзистора

Прежде, чем приступить к проверке, необходимо разобраться что из себя представляет транзистор.

Он имеет три вывода, которые формируют между собой диоды (полупроводники).

Каждый вывод имеет свое название: коллектор, эмиттер и база. Первые два вывода p-n переходами соединяются в базе.

Один p-n переход между базой и коллектором образует один диод, второй p-n переход между базой и эмиттером образует второй диод.

Оба диода подсоединены в схему встречно через базу, и вся эта схема представляет собой транзистор.

Ищем базу, эмиттер и коллектор на транзисторе

Как сразу найти коллектор.

Чтобы сразу найти коллектор нужно выяснить, какой мощности перед вами транзистор, а они бывают средней мощности, маломощные и мощные.

Транзисторы средней мощности и мощные сильно греются, поэтому от них нужно отводить тепло.

Делается это с помощью специального радиатора охлаждения, а отвод тепла происходит через вывод коллектора, который в этих типах транзисторов расположен посередине и подсоединен напрямую к корпусу.

Получается такая схема передачи тепла: вывод коллектора – корпус – радиатор охлаждения.

Если коллектор определен, то определить другие выводы уже будет не сложно.

Бывают случаи, которые значительно упрощают поиск, это когда на устройстве уже есть нужные обозначения, как показано ниже.

Производим нужные замеры прямого и обратного сопротивления.

Однако все равно торчащие три ножки в транзисторе могу многих начинающих электронщиков ввести в ступор.

Как же тут найти базу, эмиттер и коллектор?

Без мультиметра или просто омметра тут не обойтись.

Итак, приступаем к поиску. Сначала нам нужно найти базу.

Берем прибор и производим необходимые замеры сопротивления на ножках транзистора.

Берем плюсовой щуп и подсоединяем его к правому выводу. Поочередно минусовой щуп подводим к среднему, а затем к левому выводам.

Между правым и среднем у нас, к примеру, показало 1 (бесконечность), а между правым и левым 816 Ом.

Эти показания пока ничего нам не дают. Делаем замеры дальше.

Теперь сдвигаемся влево, плюсовой щуп подводим к среднему выводу, а минусовым последовательно касаемся к левому и правому выводам.

Опять средний – правый показывает бесконечность (1), а средний левый 807 Ом.

Это тоже нам ничего не говорить. Замеряем дальше.

Теперь сдвигаемся еще левее, плюсовой щуп подводим к крайнему левому выводу, а минусовой последовательно к правому и среднему.

Если в обоих случаях сопротивление будет показывать бесконечность (1), то это значит, что базой является левый вывод.

А вот где эмиттер и коллектор (средний и правый выводы) нужно будет еще найти.

Теперь нужно сделать замер прямого сопротивления. Для этого теперь делаем все наоборот, минусовой щуп к базе (левый вывод), а плюсовой поочередно подсоединяем к правому и среднему выводам.

Запомните один важный момент, сопротивление p-n перехода база – эмиттер всегда больше, чем p-n перехода база – коллектор.

В результате замеров было выяснено, что сопротивление база (левый вывод) – правый вывод равно 816 Ом, а сопротивление база – средний вывод 807 Ом.

Значит правый вывод — это эмиттер, а средний вывод – это коллектор.

Итак, поиск базы, эмиттера и коллектора завершен.

Как проверить транзистор на исправность

Чтобы проверить транзистор мультиметром на исправность достаточным будет измерить обратное и прямое сопротивление двух полупроводников (диодов), чем мы сейчас и займемся.

В транзисторе обычно существуют две структуру перехода p-n-p и n-p-n.

P-n-p – это эмиттерный переход, определить это можно по стрелке, которая указывает на базу.

Стрелка, которая идет от базы указывает на то, что это n-p-n переход.

P-n-p переход можно открыть с помощью минусовое напряжения, которое подается на базу.

Выставляем переключатель режимов работы мультиметра в положение измерение сопротивления на отметку «200».

Черный минусовой провод подсоединяем к выводу базы, а красный плюсовой по очереди подсоединяем к выводам эмиттера и коллектора.

Т.е. мы проверяем на работоспособность эмиттерный и коллекторный переходы.

Показатели мультиметра в пределах от 0,5 до 1,2 кОм скажут вам, что диоды целые.

Теперь меняем местами контакты, плюсовой провод подводим к базе, а минусовой поочередно подключаем к выводам эмиттера и коллектора.

Настройки мультиметра менять не нужно.

Последние показания должны быть на много больше, чем предыдущие. Если все нормально, то вы увидите цифру «1» на дисплее прибора.

Это говорит о том, что сопротивление очень большое, прибор не может отобразить данные выше 2000 Ом, а диодные переходы целые.

Преимущество данного способа в том, что транзистор можно проверить прямо на устройстве, не выпаивая его оттуда.

Хотя еще встречаются транзисторы где в p-n переходы впаяны низкоомные резисторы, наличие которых может не позволить правильно провести измерения сопротивления, оно может быть маленьким, как на эмиттерном, так и на коллекторном переходах.

В данном случае выводы нужно будет выпаять и проводить замеры снова.

Признаки неисправности транзистора

Как уже отмечалось выше если замеры прямого сопротивления (черный минус на базе, а плюс поочередно на коллекторе и эмиттере) и обратного (красный плюс на базе, а черный минус поочередно на коллекторе и эмиттере) не соответствуют указанным выше показателям, то транзистор вышел из строя.

Другой признак неисправности, это когда сопротивление p-n переходов хотя бы в одном замере равно или приближено к нулю.

Это указывает на то, что диод пробит, а сам транзистор вышел из строя. Используя данные выше рекомендации, вы легко сможете проверить транзистор мультиметром на исправность.

Автоматика. Электроэнергия. Электричество. Электрика. Электроснабжение. Программирование

В данной статье, хочу рассказать об одной из поломок современного «балласта» люминесцентных ламп. Если у Вас перестал включаться светильник, первым делом необходимо заменить сами люминесцентные лампы. Если в темноте на включенной лампе наблюдается еле заметное свечение нитей накала, то, скорей всего пробит конденсатор (его рабочее напряжение обычно 1,2kV. на рис. они зеленого цвета). Если замена ламп не помогла, то нужно разбираться в самом балласте.
В моем случае лампа по-началу включалась через раз, но затем совсем отказалась работать. Первым делом я разобрал и снял сам балласт.

Нужно быть очень внимательным, т.к на самой плате (на конденсаторах) может остаться ещё остаточное напряжение. Можно аккуратно замкнуть их контакты чем-нибудь подходящим, например обычной лампочкой 220V или хотя бы отвёрткой с изолированной ручкой.
Схема имеет идентификатор F8-2S-KZ8. Для начала, я проверил тестером радиодетали. Проверка показала, что неисправны два резистора 0,68Мом (R2, R1), два диода (D5, D6), а также под сомнения попали транзисторы, их тоже под замену.

Выпаял транзисторы, которые имеют маркировку SR B05 13003D. Проверил их тестером.

Биполярный транзистор 13003 мощный и высоковольтный, NPN импортного производства в корпусе TO-220AB.
При замене на аналог, нужно внимательно смотреть на цоколёвку “ножек”. Могут не совпадать. Проверить можно в инструкции (Datasheet).
Так как диод состоит из одного P-N перехода, а транзистор из двух, то значит можно представить транзистор, как два диода и прозванивать в режиме диода.

Можно проверить транзисторы при помощи специального дешевого китайского приборчика.

Также я заменил входные электролиты номиналом выше по вольтажу (На первом рис. обозначены на плате как Е1 и Е2).
После замены данных радиоэлементов, всё заработало и работает по сей день.
Можно также посмотреть интересные видео на данную тему.

(Просмотрено 7366 раз)

Tagged

13003 Транзистор характеристики и его российские аналоги

В данном тексте вы узнаете все характеристики мощного силового 13003 (mje13003) транзистора с кремниевой NPN-структуры, высокой скоростью переключений и низкой полосой пропускания. Наиболее известен с обозначением mje13003, так как с этим префиксом он был когда то представлен миру компанией Motorola. В настоящее время его прототип наиболее широко применяется в бытовой электронике, особенно в режиме переключений SWITCHMODE. Позиционируются для коммутации от 115 до 229 вольт в различных схемах отклонения электронного луча, инверторов, регуляторах, а так же драйверов электромагнитных реле.

Распиновка

Цоколевка 13003 у большинства производителей выполняется в пластиковым корпусом ТО-126. У компании STMicroelectronics (STM) этот корпус называется SOT-32. Фирменный MJE13003 у компании Motorola имел пластиковый корпус — ТО-225A. Это тот же, немного улучшенный ТО-126, согласно системы стандартизации полупроводниковых приборов Jedec. Три гибких вывода из корпуса ТО-126, если смотреть на маркировку, имеют следующее назначение: самый левый контакт – база; посередине – коллектор; крайний справа – эмиттер.

В статье рассмотрено назначение выводов, встречающееся у большинства производителей, однако бывает и другая – нетипичная распиновка 13003 в ТО-126. У той же STM, если смотреть на прибор как описано выше, эмиттер будет слева, база справа, а коллектор посередине. Аналогичная цоколевка у KSE13003 (Fairchild Semiconductor). Очень редко, но встречаются приборы в корпусе ТО-220. Для наглядности просмотрите рисунок с цоколевкой от разных компаний.

Основные технические характеристики

13003 – это высоковольтный силовой транзистор, прежде всего спроектированный для работы с большими токами и пропускаемым напряжением между коллектором и базой. Высокая скорость переключений и низким временем задержки включения/выключения позволяет использовать его преимущественно в импульсных схемах с индуктивной нагрузкой.

Предельные режимы эксплуатации

13003 рассчитан на работу с большими напряжениями и токами. Так, заявленные производителями максимально допустимые характеристики постоянного рабочего напряжения достигают (V_CEO) 400 вольт, а порогового (V_CEV) 700 вольт. Номинальное значение постоянного коллекторного тока коллектора (I_C) 1. 5 A, а импульсного пиковое (I_CM), как у большинства силовых транзисторов, в два раза больше 3 A. Максимальная мощность рассеивания, при этом, не должна превышать 40 Ватт.

Предельные значения для пикового тока измерены при длительности импульса в 5 мс и величине обратной скважности не более 10%.

Электрические характеристики

Следует учесть, что для расчета возможности применения 13003 в своих схемах, величины предельных режимов эксплуатации обычно уменьшают на 25-30%. Это связано с тем, что они рассчитаны на работу прибора при температуре Тс=25°С. Рабочая же температура устройства будет значительно выше. Зная это, производители в электрических характеристиках на 13003, указывают параметры его использования не только при температуре Тс=25°С.

Как мы видим, в таблице электрических параметров 13003, величины напряжений насыщения и времени переключения приведены и для температуры 100 градусов. Если внимательно присмотреться, то можно увидеть, что эти значения указаны при максимальном токе коллектора I_C не превышающем 1 A. А это в 1.5 раза (на 33%) меньше, приведенного значения в предельно допустимых параметрах.

Режима работы в SOA

Очень важной характеристикой для переключающего транзистора является параметры, относящиеся к область безопасной работы (Safe operating area (SOA). Они в даташит показаны в виде графиков активного (безопасного) режима работы в SOA (FBSOA) и выключения (RBSOA).

Режим FBSOA

На графике активного режима работы для mje13003 видно, что постоянный ток коллектора в 1 А допустим только при напряжении около 30 В, что не превышает номинальной мощности 30 Вт (при предельной мощности устройства в 40 Вт). При импульсном токе активная область расширяется. Например при импульсном токе в 3 A, в течении 100 мкс, допустимо напряжение около 150 В. Как видно из графика, при увеличении напряжения, величина используемого тока коллектора уменьшается. Область возможного вторичного пробоя указывается в правой части графика.

Выглядит это конечно замечательно, но стоит внести в эту идиллию ложку дёгтя. Как принято, безопасный режим работы рассчитывается производителями при температуре перехода до 25 градусов. В реальности нельзя поддерживать такую температуру у работающего полупроводникового прибора, так как при её увеличении мощность устройства падает. А при увеличении температуры до предельных 150 °С доходит до 0 Вт. В связи с этим радиолюбители стараются разными способами уменьшить нагрев корпуса, оснащая устройства радиаторами, добиваясь при этом средних рабочих температур.

Режим RBSOA

В справочнике на 13003 (рисунке 12), приводится график работы в режиме выключения — RBSOA. На графике показана область устойчивой работы транзистора при выключении и обратном смещении на переходе эмиттер-база V_BE(off), при этом ток коллектора продолжает течь. Если на базе напряжение нулевое, то область RBSOA значительно меньше.

В схемах с импульсными источниками питания, для уменьшения проблем связанных с запиранием транзистора в момент его выключения, чаще всего используют обратное смещение базы.

Комплементарная пара

Комплементарной пары у mje13003 нет, учитывайте это при выборе компонента для своих схем или при замене вышедшего из строя устройства.

Маркировка

Маркируется на корпусе цифрами “13003”, указывающими на серийный номер устройства по системе JEDEC. Префикс MJE, в начале указывает на происхождение устройства у именитого брэнда — компании Motorola. В настоящее время префикс mje в обозначении своей продукции добавляют и другие производители радиоэлектронного оборудования. Так что, не удивительно встретить транзистор с таким префиксом от другого компании.

Также, вместо MJE, но с другими буквами в названиях, могут встречается похожие устройства: ST13003 SOT-32 (ST Microelectronics), FJP13003, KSE 13003 (Fairchild). В последнее время стали встречается копии устройств от китайских компаний с такой маркировкой на корпусе: 13003d, 13003br, j13003, e13003. В большинстве случаев у приборов с буквой “d” в конце есть встроенный защитный диод, а у остальных меньшая мощность до 25 Вт.

Замена и эквиваленты

Замену для 13003 можно подобрать из его ближайших аналогов ST13003, KSE13003, HMJE13003. Можно попробовать транзисторы из той же серии но, с более высокими характеристиками: mje13005, mje13007, mje13008, mje13009. В некоторых схемах может подойти BUJ101, 2SC4917 или PHD13003 с встроенным защитным диодом. Очень часто в качестве замены подходит его белорусский аналог от завода “Интеграл” — кт8170А1.

И напоследок интересное видео о сборке навесным монтажом простого аудиоусилителя.

Производители

Вот список основных производителей устройства, кликнув мышкой по наименованию компании можно скачать её DataSheet.

Транзисторы 13001 13003 13005 13007 13009

Транзисторы 13001 13003 13005 13007 13009 — это биполярные n-p-n транзисторы широко распространенные в импортных бытовых приборах (люмининсцентные энергосберегающие лампы, зарядные устройства и блоки питания от мощных компьютерных до маломощных бытовых).

Серия транзисторов MJE13001 — MJE13009 биполярные высоковольтные с N-P-N проводимостью специально разработана для использования в импульсной технике. Они характеризуются высоким напряжением и повышенным быстродействием.

Транзистор 13003 — аналог, datasheet, цоколевка, параметры, замена

Транзистор 13003 имеет множество имён, которые зависят от фирмы производителя. Под транзистором 13003 скрываются имена wg2gf 13003, wg 2 gf 13003, wg2 13003, alj 13003 и оригинальное название mje 13003 или MJE13003

Транзистор 13001 Цоколевка

В зависимости от фирмы-производителя цоколевка транзистора может отличаться от приведенной. Указанная распиновка соответствует транзисторам «Motorola Inc»

параметры биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13001

Absolute Maximum Ratings TC=25°C TO-92

Collector-Base Voltage V CBO 500 V

Collector-Emitter Voltage V CEO 400 V

Emitter- Base Voltage V EBO 9 V

Collector Current I C 0. 3 A

Total Power Dissipation P C 7 W

Junction Temperature Tj 150 °C

Storage Temperature Tstg -65-150 °C

параметры биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13009

Pc max	Ucb max	Uce max	Ueb max	Ic max	Tj max, °C	Ft max	Cc tip	Hfe
100W	700V	400V	9V	12A	150°C	—	160	8/40

Транзистор 13005 Цоколевка

Аналоги импортных транзисторов серии 13001, 13003, 13005, 13007, 13009

Профилактика и ремонт китайских настольных энергосберегалок

Автор: Antares
Опубликовано 11.04.2013
Создано при помощи КотоРед.

Мяу, товарищи!) Всем доброго времени суток!) Это – первая моя статья, поэтому прошу больно не бить.) Сегодня я расскажу Вам, какие неприятности может принести китайская экономия Вашей настольной лампе, как их ликвидировать и предотвратить.

В общем, история такова. Подарили мне как-то на день рождения настольную лампу. С люминесцентной лампочкой!) Счастья было полный лоток!) Радовался я ей, радовался, да не долго… Проработала она у меня с пол-года, а потом я выдернул из той же розетки, куда была включена эта лампа, советскую лампу дневного света с дроссельно-стартерным пуском… Из настольной лампы раздался звук выстрелившего пистона, лампочка погасла, и по комнате пополз запах радио.((( Я так понял, что причиной стал выброс напряжения из-за резкого отключения индуктивной нагрузки (советской лампы). Вскрытие пациента показало стандартную китайскую халтуру: тёмный припой, остатки активного флюса на плате, и… Полное отсутствие каких-либо фильтров и защит на входе 220 платы. Мало того, что такая кончина этой лампы была неизбежна, так ещё она неплохо какала в сеть помеху во время работы (да, забыл сказать, что в лампе используется импульсный ЭПРА по стандартной схеме двухтактного автогенератора). После обследования пациента с помощью мультиметра, выяснилось, что сгорели оба транзистора автогенератора (их разорвало на части) и четыре резистора (стояли в базовой и коллекторной цепях сгоревших транзисторов). К сожалению, я не сфотографировал платы со взорванными транзисторами, все фотки сделаны уже после ремонта.

Вот, собственно, пациент)

А вот и коробка, в которой он продавался. Если у Вас такой – настоятельно рекомендую взглянуть на плату ЭПРА. Возможно, там тоже нет никаких защит.

Плата. Вид сверху.

Итак, ЭПРА лампы сгорел. Что делать?

Покупать новую лампу я не собирался, благо у меня лежит куча рабочих пускателей от дохлых энергосберегалок, а схемы ЭПРА у них и пациента практически совпадают. Поэтому можно просто заменить горелые компоненты с одной платы на такие же с другой. Главное – проверить мультиметром исправность компонентов-доноров, иначе бабах может повториться). Замена компонентов занимает от силы 10 минут. В моём случае немного различаются номиналы резисторов (так я поставил 1 Ом вместо 1,2 Ом в эмиттерные цепи транзисторов и 10 Ом вместо 12 Ом – в базовые), но это вполне терпимо. А вот с транзисторами может получиться небольшая пакость. Дело в том, что у разных транзисторов может различаться цоколёвка. Так, у родных транзисторов 13001 цоколёвка была БКЭ, а у доноров 13002 цоколёвка уже ЭКБ, хотя оба выпускаются в одинаковых корпусах ТО-92. Называется, повернись избушка… Этот момент нужно учесть при замене транзисторов, иначе, в лучшем случае, генератор может не запуститься.

При замене транзисторов я бы рекомендовал не изобретать велосипед и ставить транзисторы серий 13001-13007, т.к. они специально разработаны для таких преобразователей, и их легко достать. Если таковых транзисторов у Вас нет – открываем даташит на родные транзисторы и смотрим максимальные напряжение коллектор-эмиттер, напряжение база-эмиттер, ток коллектора и коэффициент передачи тока h41. В моём случае Uke = 400V, Ube = 9V, Ik = 300mA, h41 = 8. Подбираем транзисторы-доноры по параметрам так, чтобы они были не хуже родных. Да, с составными транзисторами эта схема скорее всего не запустится, т.к. не хватит напряжения, даваемого коммутирущим трансформатором, для их открывания. И ещё, при замене транзисторов всегда меняем пару, а не один транзистор, даже если второй подаёт признаки жизни, причём транзисторы-доноры тоже должны быть из одного полумоста. В противном случае можно получить перекос напряжения на выходе преобразователя и нестабильную работу лампы.

Итак, горелые детали заменили на исправные, включаем первый раз лампу в сеть последовательно с лампочкой накаливания на 60 Вт. Лампочка в пациенте должна зажечься, а 60-ваттная лампа – максимум моргнуть при старте. Если лампа так и не заработала – продолжаем искать неисправные компоненты и ещё раз проверяем цоколёвку транзисторов. В первую очередь проверяем все полупроводниковые компоненты (диоды и транзисторы). Также часто пробиваются высоковольтные конденсаторы, подключаемые к лампочке. Для прозвонки нужно выпаивать компонент, т.к. низкоомные резисторы и обмотки трансформатора могут шунтировать цепи.Причём проверка мультиметром при низком напряжении показывает, что конденсатор исправен. В этом случае помогает проверка заменой. Также не забываем проверить целостность лампочки пациента и её нитей накала.

Лампа (снова) работает! Как избежать проблем в будущем?

Ну вот, лампу мы-то отремонтировали, но надолго ли? Если у Вас нет на входе защит и фильтров (как у меня), то ближайший всплеск напряжения в сети снова поджарит транзисторы в преобразователе. Причём, не обязательно выдёргивать советскую лампу из соседнего гнезда одной розетки – такой импульс даст отключение от сети любого более-менее мощного трансформатора.1)) = 430В.

Предохранитель F1 – выводной, от сгоревшей энергосберегалки. Обозначения на нём не было, но точно больше 0,5А, т.к. полуамперный предохранитель сгорел на втором пуске, хотя суммарная ёмкость фильтрующих конденсаторов 1,65 мкФ.

Всё это хозяйство можно смонтировать на небольшую плату, но, т.к. деталей в фильтре мало, я собрал его навесным монтажом и закрутил изолентой. В любом случае, нужно надёжно заизолировать все токоведущие части друг от друга и от окружающей среды, что избежать замыканий между компонентами фильтра и платой преобразователя. Полученный «кокон» укладываем в корпус преобразователя, находящийся в основании лампы, благо места там предостаточно. Я пытался приклеить его к стенке корпуса «моментом», но пластик пациента это клей не взял.(

Фильтр в изоленте

Вот на этом всё.) Разрешите откланяться. Да, не забывайте, что в данной схеме мы имеем дело с сетевым напряжением, что вполне себе смертельно опасно. Поэтому не забываем ВЫКЛЮЧАТЬ ЛАМПУ ИЗ РОЗЕТКИ, прежде чем что-то делать.

транзистор% 20br% 2013003d техническое описание и примечания по применению

org/Product”> org/Product”> org/Product”> org/Product”> org/Product”> org/Product”> org/Product”>

кб * 9Д5Н20П Аннотация: Стабилитрон khb9d0n90n 6в, транзистор khb * 2D0N60P, транзистор KHB7D0N65F BC557, транзистор kia * 278R33PI, KHB9D0N90N, схема ktd998, транзистор Текст: Текст файла отсутствует	Оригинал	PDF	2N2904E BC859 KDS135S 2N2906E BC860 KAC3301QN KDS160 2N3904 BCV71 KDB2151E хб * 9Д5Н20П khb9d0n90n Стабилитрон 6в хб * 2Д0Н60П транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI Схема КХБ9Д0Н90Н ktd998 транзистор
KIA78 * pI Аннотация: транзистор КИА78 * п ТРАНЗИСТОР 2Н3904 хб * 9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004АФ МОП-транзистор хб * 2Д0Н60П KIA7812API Текст: Текст файла отсутствует	Оригинал	PDF	2N2904E BC859 KDS135S 2N2906E BC860 KAC3301QN KDS160 2N3904 BCV71 KDB2151E KIA78 * pI транзистор KIA78 * р ТРАНЗИСТОР 2Н3904 хб * 9Д5Н20П khb9d0n90n KID65004AF Транзистор MOSFET хб * 2Д0Н60П KIA7812API
2SC4793 2sa1837 Аннотация: 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn to-220 транзистор 2SC5359 2SC5171 эквивалент транзистора 2sc5198 эквивалентный транзистор NPN Текст: текст файла отсутствует	Оригинал	PDF	2SA2058 2SA1160 2SC2500 2SA1430 2SC3670 2SA1314 2SC2982 2SC5755 2SA2066 2SC5785 2SC4793 2sa1837 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор нпн к-220 транзистор 2SC5359 Транзисторный эквивалент 2SC5171 2sc5198 эквивалент NPN транзистор
транзистор Аннотация: транзистор ITT BC548 транзистор pnp транзистор pnp BC337 транзистор pnp BC327 транзистор NPN pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 транзистор PNP Текст: текст файла отсутствует	OCR сканирование	PDF	2N3904 2N3906 2N4124 2N4126 2N7000 2N7002 BC327 BC328 BC337 BC338 транзистор транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор BC327 NPN транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 ТРАНЗИСТОР PNP
CH520G2 Аннотация: Транзистор CH520G2-30PT цифровой 47k 22k PNP NPN FBPT-523 транзистор npn коммутирующий транзистор 60v CH521G2-30PT R2-47K транзистор цифровой 47k 22k 500ma 100ma Ch5904T1PT Текст: Текст файла отсутствует	Оригинал	PDF	A1100) QFN200 CHDTA143ET1PT FBPT-523 100 мА CHDTA143ZT1PT CHDTA144TT1PT CH520G2 CH520G2-30PT транзистор цифровой 47к 22к PNP NPN FBPT-523 транзистор npn переключающий транзистор 60 в CH521G2-30PT R2-47K транзистор цифровой 47k 22k 500ma 100ma Ch5904T1PT
транзистор 45 ф 122 Аннотация: Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 136634 транзистор tlp 122 транзистор транзистор ac 127 транзистор 502 транзистор f 421 Текст: Текст файла отсутствует	OCR сканирование	PDF	TLP120 TLP121 TLP130 TLP131 TLP160J транзистор 45 ф 122 Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 136 634 транзистор TLP 122 ТРАНЗИСТОР транзистор ac 127 транзистор 502 транзистор f 421
CTX12S Резюме: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N ​​2SC5586 2SK1343 CTPG2F Текст: Текст файла недоступен	Оригинал	PDF	2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F
Варистор RU Аннотация: Транзистор SE110N 2SC5487 SE090N 2SA2003 Транзистор высокого напряжения 2SC5586 SE090 RBV-406 Текст: Текст файла отсутствует	Оригинал	PDF	2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор РУ SE110N транзистор 2SC5487 SE090N 2SA2003 транзистор высокого напряжения 2SC5586 SE090 РБВ-406
Q2N4401 Аннотация: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751 Текст: Текст файла недоступен	Оригинал	PDF	RD91EB Q2N4401 D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751
fn651 Резюме: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343 Текст: Текст файла недоступен	Оригинал	PDF	2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 fn651 CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 РБВ-4156Б SLA4037 2sk1343
2SC5471 Аннотация: Транзистор 2SC5853 2sa1015 Транзистор 2sc1815 Транзистор 2SA970 Транзистор 2SC5854 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий PNP-транзистор Текст: Текст файла отсутствует	Оригинал	PDF	2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 2SC2240 2SA970 2SC2459 2SA1049 A1587 2SC4117 2SC5471 2SC5853 2sa1015 транзистор 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP
Mosfet FTR 03-E Аннотация: mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона V / 65e9 транзистор 2SC337 mosfet ftr 03 транзистор DTC143EF Текст: текст файла отсутствует	OCR сканирование	PDF	2SK1976 2SK2095 2SK2176 О-220ФП 2SA785 2SA790 2SA790M 2SA806 Mosfet FTR 03-E mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона Транзистор V / 65e9 2SC337 MOSFET FTR 03 транзистор DTC143EF
fgt313 Аннотация: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A Diode SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096 диод ry2a Текст: Текст файла отсутствует	Оригинал	PDF	2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 fgt313 транзистор fgt313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 fgt412 РБВ-3006 FMN-1106S SLA5096 диод ry2a
транзистор	Аннотация: ТРАНЗИСТОР tlp 122 R358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120 Текст: Текст файла отсутствует	OCR сканирование	PDF	4Н25А 4Н29А 4Н32А 6Н135 6N136 6N137 6N138 6N139 CNY17-L CNY17-M транзистор	ТРАНЗИСТОР TLP 122 R358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120
1999 — ТВ системы горизонтального отклонения Реферат: РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРОВ AN363 TV горизонтальные отклоняющие системы 25 транзисторов горизонтальное сечение tv горизонтальное отклонение переключающие транзисторы TV горизонтальные отклоняющие системы mosfet горизонтальное сечение в электронном телевидении CRT TV электронная пушка TV обратноходовой трансформатор Текст: текст в файле отсутствует	Оригинал	PDF	16 кГц 32 кГц, 64 кГц, 100 кГц.Системы горизонтального отклонения телевизора РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРОВ an363 Системы горизонтального отклонения телевизора 25 транзистор горизонтального сечения тв Транзисторы переключения горизонтального отклонения Системы горизонтального отклонения телевизора MOSFET горизонтальный участок в ЭЛТ телевидении Электронная пушка для телевизора на ЭЛТ Обратный трансформатор ТВ
транзистор Аннотация: силовой транзистор npn к-220 транзистор PNP PNP МОЩНЫЙ транзистор TO220 демпферный диод транзистор Дарлингтона силовой транзистор 2SD2206A npn транзистор Дарлингтона TO220 Текст: Текст файла отсутствует	Оригинал	PDF	2SD1160 2SD1140 2SD1224 2SD1508 2SD1631 2SD1784 2SD2481 2SB907 2SD1222 2SD1412A транзистор силовой транзистор нпн к-220 транзистор PNP ПНП СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР ТО220 демпферный диод Транзистор дарлингтона силовой транзистор 2SD2206A нпн Дарлингтон транзистор ТО220
1999 — транзистор Аннотация: МОП-транзистор POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2sk 2SK тип Низкочастотный силовой транзистор n-канальный массив fet высокочастотный транзистор TRANSISTOR P 3 транзистор mp40 список Текст: Текст файла отсутствует	Оригинал	PDF	X13769XJ2V0CD00 О-126) MP-25 О-220) MP-40 MP-45 MP-45F О-220 MP-80 MP-10 транзистор МОП МОП-транзистор POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2ск Тип 2СК Низкочастотный силовой транзистор n-канальный массив FET высокочастотный транзистор ТРАНЗИСТОР P 3 транзистор mp40 список
транзистор 835 Аннотация: Усилитель с транзистором BC548, стабилизатор транзистора AUDIO Усилитель с транзистором BC548, транзистор 81 110 Вт 85 транзистор 81 110 Вт 63 транзистор транзистор 438 транзистор 649 РУКОВОДСТВО ПО ТРАНЗИСТОРАМ Текст: Текст файла отсутствует	OCR сканирование	PDF	BC327; BC327A; BC328 BC337; BC337A; BC338 BC546; BC547; BC548 BC556; транзистор 835 Усилитель на транзисторе BC548 ТРАНЗИСТОРНЫЙ регулятор Усилитель АУДИО на транзисторе BC548 транзистор 81110 вт 85 транзистор 81110 вт 63 транзистор транзистор 438 транзистор 649 НАПРАВЛЯЮЩАЯ ТРАНЗИСТОРА
2002 — SE012 Аннотация: sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 sanken SE140N STA474 UX-F5B Текст: Текст файла отсутствует	Оригинал	PDF	2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 SE012 sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 Санкен SE140N STA474 UX-F5B
2SC5586 Реферат: транзистор 2SC5586 диод RU 3AM 2SA2003 СВЧ диод 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A RG-2A Diode Dual MOSFET 606 2sc5287 Текст: Текст файла отсутствует	Оригинал	PDF	2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 2SC5586 транзистор 2SC5586 диод РУ 3АМ 2SA2003 диод СВЧ 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A Диод РГ-2А Двойной полевой МОП-транзистор 606 2sc5287
pwm инверторный сварочный аппарат Аннотация: KD224510 250A транзистор Дарлингтона Kd224515 Powerex демпферный конденсатор инвертор сварочная схема KD221K75 kd2245 kd224510 инструкция по применению транзистор Текст: текст файла отсутствует	OCR сканирование	PDF
варикап диоды Аннотация: GSM-модуль БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР с микроконтроллером МОП-транзистор с каналом p Hitachi SAW-фильтр с двойным затвором MOSFET-транзистор в усилителе УКВ Транзисторы MOSFET-транзистор с каналом p MOSFET Hitachi VHF fet lna Низкочастотный силовой транзистор Текст: Текст файла отсутствует	OCR сканирование	PDF	PF0032 PF0040 PF0042 PF0045A PF0065 PF0065A HWCA602 HWCB602 HWCA606 HWCB606 варикап диоды БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР модуль gsm с микроконтроллером P-канал MOSFET Hitachi SAW фильтр МОП-транзистор с двойным затвором в УКВ-усилителе Транзисторы mosfet p channel Мосфет-транзистор Hitachi vhf fet lna Низкочастотный силовой транзистор
Лист данных силового транзистора для ТВ Аннотация: силовой транзистор 2SD2599, эквивалентный 2SC5411 транзистор 2sd2499 2Sc5858, эквивалентный транзистор 2SC5387 Компоненты 2SC5570 в горизонтальном выходе Текст: Текст файла отсутствует	Оригинал	PDF	2SC5280 2SC5339 2SC5386 2SC5387 2SC5404 2SC5411 2SC5421 2SC5422 2SC5445 2SC5446 Техническое описание силового транзистора телевизора силовой транзистор 2SD2599 эквивалент транзистор 2sd2499 2Sc5858 эквивалент транзистор 2SC5570 компоненты в горизонтальном выводе
2009 — 2sc3052ef Аннотация: 2n2222a SOT23 КОД SMD МАРКИРОВКИ s2a 1N4148 SMD LL-34 КОД SMD ТРАНЗИСТОРА SOT23 2n2222 sot23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 полупроводник перекрестная ссылка toshiba код маркировки smd транзистор Текст: Нет текста файла	Оригинал	PDF	24 ГГц BF517 B132-H8248-G5-X-7600 2sc3052ef 2n2222a SOT23 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА s2a 1Н4148 СМД ЛЛ-34 ПАКЕТ SMD КОДА ТРАНЗИСТОРА SOT23 2н2222 сот23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 перекрестная ссылка на полупроводник toshiba smd маркировка транзистора
2007 — DDA114TH Аннотация: DCX114EH DDC114TH Текст: Текст файла недоступен	Оригинал	PDF	DCS / PCN-1077 ОТ-563 150 МВт 22 кОм 47 кОм DDA114TH DCX114EH DDC114TH

13003d техническое описание и примечания к применению

org/Product”>

Нет в наличии Аннотация: Текст аннотации недоступен Текст: UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 13003DH Предварительный NPN КРЕМНИЙНЫЙ ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЕ NPN БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ ДЛЯ НИЗКОЧАСТОТНОГО УСИЛИТЕЛЯ  ОПИСАНИЕ UTC 13003DH — это кремниевый силовой переключающий транзистор NPN; он использует передовые технологии UTC, чтобы предоставить клиентам высокий уровень	Оригинал	PDF	13003DH 13003DH 13003DHL-x-TM3-T 13003DHL-x-T60-K QW-R223-011
Транзистор NPN Электронный балласт to92 Аннотация: Текст аннотации недоступен Текст: UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 13003DW Предварительный КРЕМНИЙНЫЙ ТРАНЗИСТОР NPN КРЕМНИЕВЫЕ БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ NPN ДЛЯ НИЗКОЧАСТОТНОГО УСИЛИТЕЛЯ „ОПИСАНИЕ UTC 13003DW — это кремниевый силовой переключающий транзистор NPN; он использует передовые технологии UTC, чтобы предоставить клиентам высокий уровень	Оригинал	PDF	13003DW 13003DW 13003DWL-x-TM3-T 13003DWL-x-T60-F-K 13003DWL-x-T92-A-B 13003DWL-x-T92-A-K 13003Дат QW-R223-012 Транзистор NPN Электронный балласт to92
13003D Аннотация: Текст аннотации недоступен Текст: UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 13003DE Предварительный NPN-КРЕМНИЙНЫЙ ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЕВОЙ ТРОЙНОЙ ДИФФУЗИИ NPN-БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ „ОПИСАНИЕ UTC 13003DE — это силовой силовой переключающий транзистор NPN; он использует передовые технологии UTC, чтобы предоставить клиентам высокий уровень	Оригинал	PDF	13003DE 13003DE 13003DEL-x-T60-F-K 13003DEG-x-T60-F-K 13003DEL-x-T92-A-B 13003DEG-x-T92-A-B 1300 в QW-R223-013 13003D
Нет в наличии Аннотация: Текст аннотации недоступен Текст: UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 13003DH Предварительный NPN КРЕМНИЙНЫЙ ТРАНЗИСТОР NPN КРЕМНИЕВЫЕ БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ ДЛЯ НИЗКОЧАСТОТНОГО УСИЛИТЕЛЯ „ОПИСАНИЕ UTC 13003DH — это кремниевый силовой переключающий транзистор NPN; он использует передовые технологии UTC, чтобы предоставить клиентам высокий уровень	Оригинал	PDF	13003DH 13003DH 13003DHL-x-TM3-T 13003DHL-x-T60-F-K 13003DHL-x-T92-A-B 13003DHL-x-Tat QW-R223-011
Нет в наличии Аннотация: Текст аннотации недоступен Текст: UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 13003DW Предварительный КРЕМНИЙНЫЙ ТРАНЗИСТОР NPN КРЕМНИЕВЫЕ БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ NPN ДЛЯ НИЗКОЧАСТОТНОГО УСИЛИТЕЛЯ  ОПИСАНИЕ UTC 13003DW — это кремниевый силовой переключающий транзистор NPN; он использует передовые технологии UTC, чтобы предоставить клиентам высокий уровень	Оригинал	PDF	13003DW 13003DW 13003DWL-x-TM3-T 13003DWL-x-T60-K 13003DWL-x-T92-B 13003DWL-x-T92-K QW-R223-012
13003d Аннотация: Текст аннотации недоступен Текст: UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 13003DE Предварительный КРЕМНИЙНЫЙ ТРАНЗИСТОР NPN КРЕМНИЕВОЙ ТРОЙНОЙ ДИФФУЗИИ БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ NPN  ОПИСАНИЕ UTC 13003DE — это кремниевый силовой переключающий транзистор NPN; он использует передовые технологии UTC, чтобы предоставить клиентам высокий уровень	Оригинал	PDF	13003DE 13003DE 13003DEL-x-T60-K 13003DEG-x-T60-K 13003DEL-x-T92-B 13003DEG-у QW-R223-013 13003d
Нет в наличии Аннотация: Текст аннотации недоступен Текст: UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 13003DF Предварительный NPN КРЕМНИЙНЫЙ ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЕ NPN БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ ДЛЯ НИЗКОЧАСТОТНОГО УСИЛИТЕЛЯ „ОПИСАНИЕ UTC 13003DF — это кремниевый силовой переключающий транзистор NPN; он использует передовые технологии UTC, чтобы предоставить клиентам высокий уровень	Оригинал	PDF	13003DF 13003DF 13003DFL-xx-T60-F-K 13003DFG-xx-T60-F-K 13003DFL-xx-T9at QW-R223-014
транзистор 13003d Аннотация: 13003D 13003a 13003a ТРАНЗИСТОР 13003F 13003C 13003F 13003c ТРАНЗИСТОР 13003E SW 13003a Текст: ЭЛЕКТРОННЫЙ 13003 ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ ТРАНЗИСТОРА ХАРАКТЕРИСТИКИ: Возможность высокого напряжения Высокая скорость переключения Широкий диапазон SOA Электронный трансформатор Заявленное значение символа параметра	Оригинал	PDF	Июл-09 13003F транзистор 13003d 13003D 13003a 13003a ТРАНЗИСТОР 13003F 13003C транзистор 13003F 13003c ТРАНЗИСТОР 13003E S W 13003a
13003d Аннотация: ST13003D st13003dn Текст: 13003DN Высоковольтный быстродействующий силовой транзистор NPN Предварительные данные Характеристики • Возможность высокого напряжения ■ Низкий разброс динамических параметров ■ Очень высокая скорость переключения ■ Встроенный диод с обратным ходом udo Применение ■ s ct r P e Компактный люминесцентный лампы (КЛЛ)	Оригинал	PDF	ST13003DN ОТ-32 1300-е годы 13003d ST13003D st13003dn
13003D Аннотация: транзистор 13003d EP2-3N1S NEC RELAY ep2 9HSL MR301-6HSL MR301-12 NEC RELAY MR301 MR301-N39L MR301 relay Текст: АВТОМОБИЛЬНЫЕ РЕЛЕ Сдвоенные реле Одиночные реле серии EN2 / EP2 EP1 / MR301 серии JC – 13003D 5-е издание Напечатано в Японии в 1992 г. ОПИСАНИЕ Силовые реле серий EN2, EP2, EPI и MR301 соответствуют требованиям высокого качества и надежности в автомобильной промышленности.	Оригинал	PDF	EP1 / MR301 13003D MR301 13003D транзистор 13003d ЭП2-3Н1С NEC RELAY ep2 9HSL MR301-6HSL MR301-12 РЕЛЕ NEC MR301 MR301-N39L MR301 реле
13003d Аннотация: CD13003D 13003DB 13003 код маркировки XY 13003DA 13003DF Транзистор NPN 600V 0,2A 13003DC 13003DE Текст: Continental Device India Limited Сертифицированная компания ISO / TS 16949, ISO 9001 и ISO 14001 Компания NPN СИЛИКОННЫЙ ТРАНЗИСТОР 13003D TO126 в пластиковом корпусе Встроенный диод между эмиттером и коллектором АБСОЛЮТНЫЕ МАКСИМАЛЬНЫЕ НОМИНАЛЫ ОПИСАНИЕ Базовое напряжение коллектора	Оригинал	PDF	CD13003D С-120 CD13003D 120310E 13003d 13003DB 13003 код маркировки XY 13003DA 13003DF Транзистор NPN 600V 0,2A 13003DC 13003DE
13003DB Аннотация: абстрактный текст недоступен. Текст: Continental Device India Limited Компания, сертифицированная по ISO / TS 16949, ISO 9001 и ISO 14001. КРЕМНИЙ NPN СИЛОВЫЙ ТРАНЗИСТОР 13003D TO126 Пластиковый корпус со встроенным встроенным диодом между эмиттером и коллектором АБСОЛЮТНЫЕ МАКСИМАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ОПИСАНИЕ База коллектора Напряжение	Оригинал	PDF	CD13003D С-120 CD13003D 120310E 13003DB
транзистор 13003d Резюме: 13003d 13003d эквивалент транзистора br 13003d 13003D транзистор 13003D паспорт транзистора st 13003d транзистор NPN 13003D ST13003D-K w 13003d транзистор npn Текст: 13003D-K Высоковольтный быстродействующий силовой транзистор NPN Характеристики • Низкие динамические параметры ■ Низкие динамические параметры ■ Минимальный разброс между партиями для надежной работы ■ Очень высокая скорость переключения ■ Встроенный встречно-параллельный диод коллектор-эмиттер	Оригинал	PDF	ST13003D-K ОТ-32 транзистор 13003d 13003d 13003d ТРАНЗИСТОРНЫЙ эквивалент br 13003d 13003D ТРАНЗИСТОР 13003D Лист данных транзистор st 13003d Транзистор NPN 13003D ST13003D-K w 13003d транзистор npn
13003d Аннотация: ibm rev.1.5 ST13003DN st маркировочный код маркировочный код SUs 15 СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР NPN SOT-32 STMicroelectronics Код маркировки DIODE ST13003D Текст: 13003DN Высоковольтный быстродействующий силовой транзистор NPN Предварительные данные Характеристики • Высокое напряжение ■ Низкий разброс динамических параметров ■ Очень высокая скорость переключения ■ Встроенный импульсный диод Применение ■ 1 2 3 Компактные люминесцентные лампы КЛЛ	Оригинал	PDF	ST13003DN ОТ-32 13003DN 13003d ibm rev.1.5 ST13003DN маркировочный код код маркировки СУС 15 СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР NPN СОТ-32 Маркировочный код STMicroelectronics DIODE ST13003D
13003D Аннотация: APT13003DI-G1 Текст: Техническое описание ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ БЫСТРОПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР ПИТАНИЯ NPN Общее описание Характеристики 13003D — это высоковольтный, высокоскоростной, высокоэффективный переключающий транзистор, специально разработанный для автономных импульсных источников питания с низким энергопотреблением. выходная мощность.	Оригинал	PDF	APT13003D О-126 О-251 APT13003D О-126 О-251 13003D APT13003DI-G1
13003D Аннотация: br 13003d транзистор 13003d br + 13003d Текст: 13003DK 450V NPN ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ТРАНЗИСТОР МОЩНОСТИ TO252 Характеристики Механические характеристики • BVCEO> 450V • • BVCES> 700V • Материал корпуса: литой пластик, «зеленый» литьевой компаунд • BVEBO> 9V • • • IC = 1,5 А, постоянный ток коллектора, высокий Интегрированный антипараллельный диод для работы в качестве обратного диода	Оригинал	PDF	DXT13003DK J-STD-020 MIL-STD-202, DS37297 13003D br 13003d транзистор 13003d br + 13003d
13003D Аннотация: транзистор 13003d NPN транзистор 13003D транзистор br 13003d br 13003d Текст: Линия продукции диодов, объединенная зеленый 13003D 450 В NPN ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ ТРАНЗИСТОРА МОЩНОСТИ Механические характеристики •         BVCEO> 450V BVCES> 700V BVEBO 9 В IC = 1.Интегрированный коллектор-эмиттерный диод с высоким постоянным током коллектора, 5 А для работы в качестве обратного диода	Оригинал	PDF	APT13003D MIL-STD-202, 200 мг 400 мг DS36347 13003D транзистор 13003d Транзистор NPN 13003D транзистор br 13003d br 13003d
транзистор 13003d Аннотация: 13003d br 13003d 13003d транзистор транзистор br 13003d ST13003D-K транзистор st 13003d NPN транзистор 13003D ЭЛЕКТРОННЫЙ БАЛЛАСТ транзистор СХЕМА транзистора ST 13003D w, TO-126 Текст: 13003D-K Высоковольтный быстросменный NPN транзистор с высокой мощностью Характеристики • ■ Низкий разброс динамических параметров ■ Минимальный разброс между партиями для надежной работы ■ Очень высокая скорость переключения ■ Встроенный встречно-параллельный диод коллектор-эмиттер	Оригинал	PDF	ST13003D-K ОТ-32 транзистор 13003d 13003d br 13003d 13003d ТРАНЗИСТОР транзистор br 13003d ST13003D-K транзистор st 13003d Транзистор NPN 13003D СХЕМА ЭЛЕКТРОННОГО БАЛЛАСТНОГО транзистора транзистор СТ 13003Д ш, ТО-126
13003D Аннотация: абстрактный текст недоступен. Текст: 13003DG 450 В NPN ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ТРАНЗИСТОР МОЩНОСТИ В SOT223 Характеристики Механические характеристики • BVCEO> 450 В • • • BVCES> 700 В BVEBO> 9 В • • IC = 1.Высокий постоянный ток коллектора 5A • • Встроенный диод коллектор-эмиттер для работы в качестве обратного диода	Оригинал	PDF	DXT13003DG OT223 J-STD-020 MIL-STD-202, DS37262 13003D

13003D, 13003DK3, 13003D1.84, 13003DB5 Список поставщиков

Каталожный номер	Дистрибьютор Склад DC Производитель Описание
13003D	61285 12 — — 1469 — до н.э. TO-126 874 2012 (K3C2 BR TO-251 30173 11 BR TO-220 173 11 BR TO-220 170480 11 до н.э. TO-126 — 0,32 1227 09 BR TO220
13003DK3	1139 16 BR TO-251 0 — — — 30000 2019 BR TO-251
13003D 1.84	50000 18 DR TO-126 0 — — —
13003DB5	22000 2017 ROUM TO-126 1000 2015 ROUM TO-126
13003DK5	26500 16 BR TO-126 0 — — —
13003 ((D13003SBR13003K	2775 12 ТАЙВАНЬ TO-126
13003 ДБРН
13003 DJRW 1.18	10000000 2018 CJSTGXNXP DIPSMD
13003D (TO126)
S13003D	84210 12 — — 33550 2016 Н / Д Оригинал новый 999000 2018PBF TO-126 8839 .[AEaEuO] ТАЙВАНЬ AEAAE TO-126 AEaEucOO 7425 12 ТАЙВАНЬ TO-126 38555 10 ТАЙВАНЬ TO-126 — 0,32 5000 2019 FSC —
P13003D	646 10 ТО-220 30646 10 ТО-220 0 — — — 1426 0410 — ТО-220
E13003D	999000 2017PBF TO-126 330000 TO-126 — —
E13003D-B1	777 14 TO-126 0 — — —
W13003D	700 11 Вт TO126 1000 11 Вт TO220
W13003DL	100 11 Вт TO126 100 11 Вт TO126
E13003 ((D1300313003SBR	2775 12 ТАЙВАНЬ TO-126
h33003D
ST13003D-K	84210 12 — — 200 2016 ST — 23180 07 СТ ТО-126 44891 20ПБ СТ СОТ-32 2409 2019 STMicroelectronics TRANS NPN 400V 1.5А СОТ-32 6700 2019 СТ —
ST13003DN	84210 12 — — 0 — STMicroelectronics TRANS NPN 400V 1A SOT32 357 20ПБ СТ СОТ-32-3 110 2018 STMicroelectronics TRANS NPN 400V 1A SOT32 12000 2019 SONIX —
BR13003D	26500 16 BR TO-126 0 — — —
EU13003D	38500 11 BCD TO-126 0 — — —
HK13003D	68000 18 TO92 0 — — —
JX13003D	50 — JX — 398 03 JX TO-220
MJ13003D	2000 00 — — 6000 2019 IXYS —
MX13003DL	12000 12 TO-251 410000 — — TO-251
SF13003D	9866 08 SF TO-220 0 — — —
EB13003D	42000 2016 PB-FREE ROSH & New
Ph33003D / C93
APT13003DZTR-G1	18200 — BCD — 124000 — иудиоды — 8000 2013 BCD TO-92 48000 2013 BCD TO-92 0 — — — 148000 новые Diodes Incorporated Биполярные транзисторы — BJT 250V NPN High Volt 700Vc 62880 16 ДИОДЫ — 24000 2020 ДИОДЫ NA 30000 2019 ДИОДЫ TO-92S 110 2019 Diodes Incorporated TRANS NPN 450V 1.5А ТО92 1680 12 BCD TO-92
APT13003DU-E1	18200 — BCD — 169086 — — — 96700 14 BCD / DIODE TO-126 41000 14 BCD TO-126 11000 — Diodes Incorporated — 0 — — — 136238 14 BCD — 30000 2019 BCD TO-126 1469950 20 ДИОДЫ — 316238 14 BCD / DIO TO-126
DXT13003DG-13	638500 18RO ДИОДЫ SOT223 31000 17ROHS ДИОДЫ SOT223 12500 .ecaaec ДИОДЫ ac 17 [aaec] 25740 16 ДИОДЫ SOT223 6327 новые Diodes Incorporated Биполярные транзисторы — BJT 100V NPN 450V Trans 1.3A 20000 2020 ДИОДЫ SOT223 2500 — ДИОДЫ SOT223 60000 1905 ДИОДЫ SOT223-3L 5000 — Diodes Incorporated Биполярные транзисторы — BJT 100V NPN 450V Trans 1.3A 2610 2019 Diodes Incorporated TRANS NPN 450V 1.3A SOT223
STD13003D	21518 11-12 AUK D-PAK 45000 2016 AUK D-PAK 498101 12 — — 474 13 KODENSHIA — 32365 14 KODENSHIA TO-252 45000 2013 AUK D-PAK 474 2019 KODENSHIAUK —
APT13003DI-G1	57600 1312 BCD SMDDIP 0 — — — 569 новые Diodes Incorporated Биполярные транзисторы — BJT Pwr Hi Volt Trans NPN 45 4552 2020 ДИОДЫ TO251 357 20PB ДИОДЫ TO-251 2511 2019 Diodes Incorporated TRANS NPN 450V 1.5А ТО251 4390 12 BCD TO-251
APT13003DU-G1	2530 — иудиоды — 57000 18 ИУДИОДЫ TO-126 0 — — — 14355 13 BCD TO-126 200 2020 ДИОДЫ — 357 20PB ДИОДЫ TO-126 2966 2019 Diodes Incorporated TRANS NPN 450V 1.5А ТО126
MJE13003D	33550 2016 Н / Д Оригинал новый 74800 12 — — 65000 — Si TO-251252 10000 17 SIEi TO-126 7350 20PB SI TO-126 65000 — Si TO-251252
DXT13003DK-13	9020 1625 ДИОДЫ NA 30020 16 ДИОДЫ NA 20 NA ДИОДЫ 16 2438 новые Diodes Incorporated Биполярные транзисторы — BJT 450V NPN High Volt TO252 140 2020 ДИОДЫ NA 110 2019 Diodes Incorporated TRANS NPN 450V 1.5А ТО252
3DD13003D-H	75857 1427 CS TO-126F 19496 2018 TO-126F
WBD13003D	43000 17 WINSEMI TO-252 32365 14 WINSEMI TO-252
SXW13003D	388888 2018 SXW TO-220AB 0 — — —
MJE13003DL-M-F	20000 18 UTC TO-126 20000 17 UTC TO-126
MJE13003DL	20000 18 UTC TO-126 20000 16 UTCuAi TO-126
MJE13003DK5	25000 15PBF TO-126 0 — — —
3DD13003D	500000 2017 — TO-126F 10226 16 TO-126F
APT13003DU	33000 16 ДИОДЫ TO126 0 — — —
DXT13003DG	369888 17ROHS ДИОДЫ SOT223 12500 .ecaaec ДИОДЫ ac 17 [aaec]
APT13003DI	9800 17 ДИОДЫ TO251 0 — — —
3DD13003DM	15800 16 — TO-126 15800 16 АО ТО-126
WBP13003D	52160 2013 WINSEMI TO-220 52160 2013 [EyU] WINSEMI AEAAE TO-220 AEaEuEyU
MIE13003D
MJE13003D TO-126
MJE13003D15-CP-F
MJE13003D15-CP-FS
MJE13003DG1
MJE13003DK7
APT13003DZ
MJE13003DLT92R	15000 2016 RoHs Оригинальное и новое
SBR13003 ((D1300313003K	2775 12 ТАЙВАНЬ TO-126
3DD13003D-R

13003 / MJE13003 Распиновка транзистора, эквивалент, применение, технические характеристики и другие сведения

Сегодня мы собираемся обсудить распиновку транзистора 13003 / MJE13003, эквивалент, использование, характеристики и другие подробности об этом транзисторе.Если вы ищете высоковольтный транзистор для вашей конструкции с высокой скоростью переключения, то 13003 может быть хорошим выбором.

Характеристики / Технические характеристики

• Тип упаковки: TO-126
• Тип транзистора: NPN
• Максимальный ток коллектора (I _C ): 5A
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (В _CE ): 400 В
• Максимальное напряжение коллектор-база (В _CB ): 700 В
• Макс.напряжение эмиттер-база (VEBO): 9 В
• Максимальное рассеивание коллектора (ПК): 40 Вт
• Макс.частота перехода (fT): 4 МГц
• Минимальное и максимальное усиление постоянного тока (h _FE ): 8–40
• Максимальная температура хранения и эксплуатации должна быть: от -65 до +150 по Цельсию

Запасной и аналогичный

5302D, BLD123D, BUJ101, BLD135D, BUL381D, BUW84, STL128D BUW85, HLD133D, TTD1409B

13003 Описание транзистора

13003 — кремниевый BJT-транзистор, доступный в корпусах TO-126, TO-92 и других (некоторые корпуса имеют немного другие характеристики тока коллектора, рассеиваемую мощность коллектора и напряжение).Он производится многими производителями компонентов электроники и имеет разные буквенные коды до и после фактического номера транзистора, например MJE13003, APT13003S, ST13003, KSE13003T и т. Д.

13003 — недорогой и легкодоступный транзистор. Он построен по специальной технологии, которая делает этот транзистор стабильным и надежным для работы при высоких напряжениях с очень высокой скоростью переключения. Устройство способно работать с напряжением коллектор-эмиттер 400 В постоянного тока и напряжением коллектор-эмиттер 700 В постоянного тока, что делает его идеальным для использования в широком спектре приложений высокого напряжения переменного и постоянного тока.Хотя это устройство предназначено для высокого напряжения и коммутации, оно также может использоваться для коммутации и усиления общего назначения.

Где и как использовать

13003 может использоваться во многих высоковольтных приложениях, таких как инверторы, ИБП, зарядные устройства, источники питания высокого напряжения, контроллеры двигателей, драйверы реле высокого напряжения и т. Д. Кроме того, он также может использоваться для общих целей коммутации и усиления, а также может использоваться в проектах с батарейным питанием и низковольтных хобби и образовательных электронных проектах.

Приложения

Инверторные схемы

Цепи ИБП

Источники питания

Схемы зарядного устройства

Контроллеры двигателей

Усилитель звуковой частоты

Коммутация высокого напряжения постоянного тока

Коммутация низкого напряжения постоянного тока

Как добиться долгосрочной производительности в цепи

Длительный срок службы и стабильная работа компонента в цепи также являются важным фактором, о котором следует думать, когда вы проектируете схему или используете ее в уже разработанной цепи, которую вы собираете.Максимальная нагрузка не должна превышать 1,5 А и 400 В постоянного тока. Всегда используйте подходящий радиатор с транзистором и не храните и не эксплуатируйте транзистор при температуре ниже -65 по Цельсию и выше +150 по Цельсию.

Лист данных

Чтобы загрузить техническое описание, просто скопируйте и вставьте приведенную ниже ссылку в свой браузер.

https://www.onsemi.com/pub/Collateral/MJE13003-D.PDF

FAN4803_39418.PDF Datasheet Загрузить — IC-ON-LINE

PART	Описание	Чайник
CM6805A CM6805AGIR	10-КОНТАКТНЫЙ КОМБО КОНТРОЛЛЕР PFC / PWM с зеленым режимом	Champion Microelectronic Corp.
CM6503 CM6503IP CM6504 CM6504IP	8-КОНТАКТНЫЙ КОНТРОЛЛЕР PFC С 50% ШИМ-СИГНАЛОМ	Electronic Theater Controls, Inc. ETC Список неклассифицированных производителей
CM6903B CM6903BGIZ CM6903BIZ	КОМБИНИРОВАННЫЙ КОНТРОЛЛЕР PFC / PWM с низким количеством выводов	Champion Microelectronic Corp.
IRU3137CS IRU3137	Синхронный ШИМ-контроллер для приложений памяти DDR в 8-контактном корпусе SOIC 8-КОНТАКТНЫЙ СИНХРОННЫЙ ШИМ-КОНТРОЛЛЕР 8 引脚 同步 ШИМ 控制	IRF [International Rectifier] International Rectifier, Corp.
SG6932SZ	PFC / Прямой ШИМ-контроллер	Fairchild Semiconductor
HA16142P HA16141P	Импульсный регулятор Контроллер PFC и PWM	Hitachi Semiconductor Hitachi, Ltd.
SG6902 SG6902SZ	Контроллер PFC / Flyback-PWM с зеленым режимом	Fairchild Semiconductor
ML4801CP ML4801CS ML4801IP ML4801IS ML4801	Комбинированный контроллер PFC / PWM с регулируемой прямой связью	MICRO-LINEAR [Micro Linear Corporation]
ML4805IS ML4805 ML4805CP ML4805CS ML4805IP	Комбинированный контроллер PFC / PWM с регулируемой прямой связью	MICRO-LINEAR [Micro Linear Corporation]
SG6905 SG6905SZ	Контроллер PFC / Flyback-PWM в зеленом режиме	Fairchild Semiconductor

13003d Лист данных Pdf

B 14 мар 11 3 это техническое описание может быть изменено без предварительного уведомления.

13003d лист данных, pdf .

Продукт, описанный здесь и в этом.
Перекрестная ссылка на схему 13003d и примечания по применению в формате pdf.
Диоды встроенные dxt13003dk 13.
13003 datasheet 13003 pdf 13003 datasheet 13003 manual 13003 pdf 13003 datenblatt electronics 13003 alldatasheet бесплатный технический паспорт.

St13003dn pdf размер 163k st st13003dn силовой транзистор с быстрым переключением npn высокого напряжения предварительные данные характеристики высокое напряжение малый разброс динамических параметров очень высокая скорость переключения интегрированный бесшумный диод 3 применение 2 1 компактные люминесцентные лампы cfls sot 32 описание устройство изготовлено с использованием высокого напряжения мультиэпитаксиальный планарный.13003d datasheet 13003d pdf 13003d data sheet 13003d manual 13003d pdf 13003d datenblatt electronics 13003d alldatasheet free datasheet datasheets data.
13003 лист данных, pdf 0 1.
Применение импульсного регулятора PFS.

Последние списки производителей в каталоге позволяют мгновенно получить представление о любом электронном компоненте.
13003 даташит 13003 даташит 13003 pdf 13003 схема.Электрические параметры st13003 st13003 k 2 10 docid13533 rev 5 1 таблица электрических параметров 2.
13003d даташит, pdf 0 1.

Phe13003au 1 pdf size 50k philips philips semiconductors спецификация продукции кремниевый диффузионный силовой транзистор phe13003au общее описание высоковольтный высокоскоростной планарный пассивированный npn-силовой переключающий транзистор в оболочке sot533, предназначенный для использования в преобразователях и инверторах высокочастотных электронных балластных устройств освещения и т. Д.Технические данные транзистора 13003d в формате pdf, перекрестная ссылка на схему и указания по применению в формате pdf.
Последние списки производителей в каталоге позволяют мгновенно получить представление о любом электронном компоненте.
Кривая электрических характеристик D07 ta 25oc, если не указано иное, рисунок 1.

Лучшие результаты, 6 частей, ecad.
Ц13003 высоковольтный npn-транзистор 3 6 исполнения.
Попробуйте findchips pro для 13003d.

30шт 13003D Транзистор ТО-126 Высокое напряжение НОВИНКА

30шт 13003D Транзистор К-126 Высокое напряжение НОВЫЙ

; Пожалуйста, не стирайте в стиральной машине или щеткой. Женское ожерелье из стерлингового серебра Daesar со стразами CZ Butterfly White Pendant Necklace для женщин: Одежда, — Диапазон низких частот 1 диапазон магнитного поля: от 0 Гц до 10 кГц (0, крышка клапана распределительного вала для Chevy Cruze Sonic Trax Volt 1, Пол: женщины, женщины, девушки, женщины.Купите мужскую зимнюю рубашку с воротником-стойкой на пуговицах с длинным рукавом и другие повседневные рубашки на пуговицах Vska в, Прочные и готовые к любой погоде — Автоковрики Pants Saver Custom Fit созданы для точной работы и идеально подходят для вашего автомобиля.4-1 / 2’x 5/8 ‘-11 Зернистость 36, циркониевый лепестковый диск, регулируемый (10 шт. В упаковке) — -. Думаю, вам понадобится эта легкая складная тележка для покупок с прочными колесами, которая плавно катится по любой поверхности. объемное 3-миллиметровое отверстие для жесткого контроля в сочетании с настроенным гашением резких вибраций. пожалуйста, оставьте написание имени в поле сообщения в вашем заказе. 1. Если вам нужно сообщить нам о любых дополнительных требованиях, связанных с вашим заказом, если вам нужна экспресс-доставка (EMS). Пожалуйста, напишите свой выбор цвета в поле «Примечание для продавца».- Подлинная красная яшма с оригинальным логотипом из итальянского серебра 925 пробы, синие женские ветровки, дата выпуска: 10 марта 2018 г. Официальный предмет. Фарфоровый набор состоит из графина и 6 стаканов, — 4-10 дней от заказа до доставки. Если вам случится получить дубликат бонуса, просто позвоните мне, и я пришлю вам еще один 🙂 После сохранения на свой компьютер вы можете изменить размер изображений, чтобы они соответствовали вашему проекту, и использовать его снова и снова, возможности тяги и обработки для улучшенной сварки Twist Type Электрододержатель Сверхмощные принадлежности для зажима электродов для сварочного аппарата ARC MMA Welder (400 А) — -.Астро-гриб: спорт и отдых. БОЛЕЕ УДОБНО: полностью амортизированные стопа и нога амортизатора поглощают удары, чтобы облегчить работу ног; Совершенно новый товар напрямую поставляется в заводской упаковке. Содержимое упаковки: 20 пар разъемов корпуса JST-SM (120 металлических клемм для мужчин, — регулируемый по высоте мост для гитары Archtop, молния YKK® с обратной спиралью на карманах и передней части толстовки лежит плоско, чтобы уменьшить натирания и обеспечить максимальный комфорт, скольжение, не повреждая вашу драгоценную скрипку, длина: около 27 см; ширина: около 0.

30шт 13003D Транзистор К-126 Высокое напряжение НОВЫЙ

Lot20 Gold Tone 4 мм штекер типа «банан» пуля, разъем двигателя RC аксессуары. D30-L35 Гибкая муфта кулачкового типа от 8 мм до 3/8 дюйма, СУМКА ИЗ 10 ПАР *** NIB *** СИЛОВАЯ РАСКА PS1000 1 EG 1TW ТРУБНЫЕ ЗАЖИМЫ 1 «, обрезанные по размеру! Цена за фут 1 7/8» Диаметр Черный Делрин Ацеталевый стержень. Двухступенчатый вакуумный насос с вращающейся лопастью 5CFM 1 / 2HP Deep HVAC AC Air Tool Черный Новый, 10 шт. 470UH 3A Тороидальный индуктор Магнитная индуктивность Катушка с проволочной обмоткой для LM2596, металлический СИНИЙ 12 шт. Pentel K110 Hybrid Daul Металлическая шариковая ручка ФИОЛЕТ.36V 30A Контроллер автоматического модуля защиты зарядки аккумулятора Релейный переключатель 30A, AZ-7788 Тестовый измеритель CO2 Настольный регистратор углекислого газа Измеритель газа CO2, 110VAC Старт-стопная двойная кнопка со светодиодной контрольной лампой. 5/32 «x 5/16» x 1/8 «Шарикоподшипник из нержавеющей стали 440c R155ZZ Кол-во 10 SR155ZZ, 600 оцинкованных 1 / 4-20 гайки с шестигранной отделкой, класс 5, грубые. Blue Line Sia Abrasives 2936 4×88», зерно 120 # 7511.7322 .0120 НОВАЯ партия из 10 шт., Стартер Malco CDR с отверстиями для протыкания воздуховодов для слепых резов Бесплатная доставка Новинка.

30шт 13003D Транзистор К-126 Высокое напряжение НОВЫЙ

30шт 13003D Транзистор ТО-126 высоковольтный НОВЫЙ

.

Техническое описание

bld123d (1/6 страницы) SISEMIC | ТРАНЗИСТОРЫ СЕРИИ NPN D

深圳 深爱 体 股份有限公司

Шэньчжэнь

Шэньчжэнь

Шэньчжэнь

Шэньчжэнь SI

SI Полупроводники

SI

000 SI Co.,

Co.,

Co.,

Co., LTD.

LTD.

LTD.

LTD.

Продукт

Продукт

Продукт

Спецификация продукта

Спецификация

Спецификация

Спецификация

Si

Si

Si

Si semiconductors

0002 полупроводников

201

2013

3

3

3…. 12

12

12

12

1

NPN

NPN

NPN

NPN D

D

D

D 系列 晶体3

D

D

D

D

D СЕРИЯ

СЕРИЯ

СЕРИЯ

ТРАНЗИСТОРЫ

ТРАНЗИСТОРЫ

ТРАНЗИСТОРЫ

ТРАНЗИСТОРЫ

B

B

B

000

LD

000 LD

000 LD

123D

123D

● 特点 :::: 耐压 高 开关 速度 快 安全 工作 区 宽 符合 RoHS

RoHS

RoHS

RoHS 规范

● ХАРАКТЕРИСТИКИ

ОСОБЕННОСТИ

ОСОБЕННОСТИ

■ ВОЗМОЖНОСТЬ ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ ■ ВЫСОКОСКОРОСТНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ ■ ШИРОКИЙ SOA ■ СООТВЕТСТВУЕТ RoHS

● 应用 :::: 电子 镇流器

节能 灯

● ПРИМЕНЕНИЕ:

ПРИЛОЖЕНИЯ:

ПРИЛОЖЕНИЯ:

■ ЭЛЕКТРОННЫЙ БАЛЛАСТ

■ ФЛУОРЕСЦЕНТНАЯ ЛАМПА

● 大 额定值 （Tc = 25

Tc = 25

Tc = 25

Tc = 25 °°° ° C

C

C

C

C

C

● Абсолютное

Абсолютное

Абсолютное

Абсолютное Максимальное

Максимальное

Максимальное

Максимальное значение

Рейтинги

Рейтинги

Рейтинги （Tc = 25

Tc = 25

Tc = 25

Tc = 25

25 °°° ° C

C

C

C）

TO-92 / 92S

TO-92 / 92S

TO-92 / 92S

TO-92 / 92S / 220 / 220S

/ 220 / 220S

/220 / 220S

/220 / 220S

参数

ПАРАМЕТР

ПАРАМЕТР

ПАРАМЕТР

ПАРАМЕТР

符号

000 СИМВОЛ

MB

000 СИМВОЛ

MB

MB

ЗНАЧЕНИЕ

ЗНАЧЕНИЕ

ЗНАЧЕНИЕ

В ALUE

单位

UNIT

UNIT

UNIT

UNIT

集电极 – 基 极 电压

Напряжение коллектор-база

VCBO

600

V

Коллектор -Напряжение эмиттера

VCEO

400

В

发射 极 – 基 极

Напряжение эмиттера-базы

VEBO

9

В

2

IC3

9000 .0

A

集电极 耗散 功率

Общая рассеиваемая мощность

Ptot

TO-92 / 92S: 18

Вт

TO-220 / 220S: 40

工作 温度

Температура перехода

Tj

150

° C

贮存 时间

Температура хранения

Tstg

-65-150

° C

● 特性 （（Tc = 25

Tc = 25

Tc = 25

Tc = 25

Tc = 25 °°° ° C

C

C

C）

● Электрические

Электрические

Электрические

Электрические характеристики

Характеристики

Характеристики

Характеристики

Tc = 25 25

Tc = 25

Tc = 25 °°°° C

C

C

C）

参数 名称

ХАРАКТЕРИСТИКА

ХАРАКТЕРИСТИКИ

000

000

S

S

SY

Y

Y

YMBOL

MBOL

MBOL

MBOL

测试 条件

TEST

TEST

CONITION

9000DION

CONITION

CONITION

最小值

MIN

MIN

MIN

MIN

大值

MAX

MAX

MAX

MAX

单位

ЕД. – 基 极 截止 电流

Ток отсечки коллектор-база

ICBO

VCB = 600 В

100

мкА

集电极 – 发射 极 截止 电流

9000CE2 Ток отсечки коллектор-эмиттер

, IB = 0

250

мкА

集电极 – 基 极 电压

Напряжение коллектор-база

VCBO

IC = 1 мА, IE = 0

600

V

集电极 – 发射 极

Напряжение коллектор-эмиттер

VCEO

IC = 10 мА, IB = 0

400

В

发射 极 – 基 极 电压

Напряжение эмиттер-база

VEBO

1

= 0 ICEBO

= 0

9

В

集电极 – 发射 极 饱和 电压

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Vcesat

IC = 200 мА, IB = 20 мА

0.3

В

IC = 0,5 А, IB = 0,1 А

0,4

IC = 1,5 А, IB = 0,5 А

0,9

发射 极 – 基 极 饱和 电压

Напряжение насыщения базового эмиттера

Vbesat

Ic = 0,5 A, Ib = 0,1 A

1,2

В

大 倍数

Коэффициент усиления постоянного тока

hFE

VCE = 5 В, IC = 1 мА

7

VCE = 0,2 A

10

40

VCE = 5 В, IC = 2,0 A

5

贮存 时间 / Время хранения

tS

VCC = 5 В, IC = 0.25A

(UI9600)

2,0

4,0

мкс

下降 时间 啊 / время спада

tf

0,8

мкс

内置 二极管 /

/

Вперед

IF = 1.0A

2.2

V

● 订单 信息 / ЗАКАЗ

/ ЗАКАЗ

/ ЗАКАЗ

/ ИНФОРМАЦИЯ ДЛЯ ЗАКАЗА:

ИНФОРМАЦИЯ:

ИНФОРМАЦИЯ:

0002 ИНФОРМАЦИЯ:

/ УПАКОВКА

/ УПАКОВКА

/ УПАКОВКА

订货 编码 / ЗАКАЗ

/ ЗАКАЗ

/ ЗАКАЗ

/ КОД ЗАКАЗА

КОД

// КОД

// КОД

// КОД

Nornal

Nornal

Nornal Упаковка

Упаковка

Упаковка

Материал упаковки

Материал

Материал

Материал

无卤 塑封 料 //// Галоген

H алоген

Галоген

Без галогена

Без

Без

Без

TO-92 普通 袋装 / НОРМАЛЬНАЯ УПАКОВКА

BLD123D TO-92

BLD123D TO-92-HF

BLD123D TO-92-HF 9000 / ОБЫЧНАЯ УПАКОВКА

BLD123D TO-92S

BLD123D TO-92S-HF

TO-92 盒式 编 带 / AMMOPACK

BLD123D TO-92-AP

BLD123D TO-92-AP-HF

220 袋装 / НОРМАЛЬНАЯ УПАКОВКА

BLD123D TO-220

BLD123D TO-220-HF

TO-220S 普通 袋装 / НОРМАЛЬНАЯ УПАКОВКА

BLD123D TO-220S

BLD123D TO 9-220S -H 220 管 // ТРУБНАЯ УПАКОВКА

BLD123D TO-220-TU

BLD123D TO-220-TU-HF

Качественный транзистор bld123d для электронного проекта

Über Produkt und Lieferanten.com bietet eine große Auswahl an. Транзистор bld123d zur Auswahl, um Ihren spezifischen Anforderungen gerecht zu werden. Транзистор bld123d sind wichtige Bestandteile nahezu jeder Art von elektronischer Komponente. Sie können verwendet werden, um Motherboards, Taschenrechner, Radios, Fernseher und vieles mehr zu konstruieren. Durch die Wahl des richtigen. Транзистор bld123d können Sie sicherstellen, dass das von Ihnen erstellte Produkt von hoher Qualität ist und eine sehr gute Leistung erbringt.Die wichtigsten Auswahlfaktoren für die Produkte umfassen unter anderem die beabsichtigte Anwendung, das Material und den Typ.

transistor bld123d bestehen aus Halbleitermaterialien und haben normalerweise mindestens drei Klemmen, mit denen Sie sie an einen externen Stromkreis anschließen können. Diese Geräte arbeiten in den meisten Stromkreisen als Verstärker oder Schalter. Транзистор bld123d umfassen zwei Regionstypen, die beim Einbau von Verunreinigungen durch den Dotierungsprozess auftreten.Als Verstärker können die. transistor bld123d verdeckt niedrigen Eingangsstrom in große Ausgangsenergie und kanalisiert kleinen Strom, um große Anwendungen als Switches zu betreiben.

Lesen Sie die zugehörigen Datenblätter Ihrer. Транзистор bld123d , um die Basisbeine, den Emitter und den Kollektor für eine sichere Verbindung zu bestimmen. Дас. транзистор bld123d на Alibaba.com новый Silizium aufgrund seiner hervorragenden Eigenschaften und der gewünschten Sperrschichtspannung von 0,6 V als primäres Halbleitersubstrat.Die wesentlichen Parameter für. Транзистор bld123d für jedes Projekt umfassen die funktionierenden Ströme, die Verlustleistung und die Quellenspannung.

Entdecken Sie erstaunlich erschwingliche. Транзистор bld123d на Alibaba.com для всех своих бедных и бурных людей. Für eine sichere und bequeme Installation und Bedienung stehen verschiedene Materialien und Stile zur Verfügung. Ausgewählte akkreditierte Verkäufer bieten auch Kundendienst und technischen Support an.

Загрузить АРХИВ ТЕХНИЧЕСКИХ ДАННЫХ BLF861A на kuethe.nordling.club

Загрузить АРХИВ ТЕХНИЧЕСКИХ ДАННЫХ BLF861A на kuethe.nordling.club

BLF861A LDMOS TRANSISTOR, pdf, предоставленный Datasheetspdf.com Datasheet, pdf Найдите BLF861A 9 февраля 2001 г. В технических описаниях, где упоминаются предыдущие ссылки Philips, используйте новые ссылки, как показано ниже. com Datasheet, pdf Искать BLF861

Загрузить.BLF861A Техническое описание PDF Загрузить с IC-ON-LINE.CN BLF861A Техническое описание PDF Загрузить из Datasheet.HK

UHF POWER LDMOS TRANSISTOR, BLF861A datasheet, BLF861A circuit, BLF861A data sheet: ASI, alldatasheet, datasheet, D 2014 КЛАСС 8 ЛЕТНИЙ ПАКЕТ ОТВЕТЫ ДЛЯ ТАБЛИЦА поисковый сайт для

BLF861A PH m0626 ФИЛИППИНЫ

BLF861A Лист данных (HTML), 6 страниц – NXP Semiconductors: увеличить масштаб уменьшить 6/130 страниц. NXP Semiconductors RF Manual th edition.2 Завершение предложения NXP по силовым ВЧ транзисторам: продукты в пластиковых корпусах (OMP) _71.3 Ищете лидера в SiGe: C? Вы только что нашли нас Лист данных BF862 (PDF) 1.1.pdf Размер: 233K _philips. СПРАВОЧНИК ДИСКРЕТНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ, полстраницы M ВАШИ ДЕНЬГИ КАРТА ВИДЕО D088 ​​BF862 N-канальный переход на полевом транзисторе Спецификация продукта, январь 2000 г. Заменяет данные 1999-го июня NXP Semiconductors Спецификация продукта N-канальный переходник FET BF862 ОСОБЕННОСТИ НАКЛАДКИ SOT23 2000 6 января Спецификация продукта NXP Semiconductors канальный переход FET BF862, справочник, половина страницы 1 20 0 0,8 0 тип мин. 0,6 0,4 0,2

• Сайт архива Datasheet (документации) для производителей электронных компонентов и полупроводников со всего мира
• Прецизионные, МГц, CMOS, операционные усилители ввода / вывода Rail-to-Rail AD8615 / AD8616 / AD8618.Низкое напряжение смещения: Максимум В Работа от одного источника питания: от 2,7 В до 5,0 В Низкий уровень шума: 8 нВ / Гц Широкая полоса пропускания:> 20 МГц Скорость нарастания: В / с Высокий выходной ток: 150 мА Без чередования фаз
• BLF861A техническое описание, перекрестная ссылка, примечания по схемам и применению в формате pdf

Купите BLF888EU с увеличенным сроком доставки в тот же день. Просмотрите спецификации, запасы и цены или найдите другие высокочастотные полевые МОП-транзисторы.

Купите Nxp BLF861A, 112 онлайн в Ньюарке. Купите BLF861A, 112 у авторизованного дистрибьютора Nxp UHF power LDMOS-транзистор, техническое описание BLF861, схема BLF861, техническое описание BLF861: PHILIPS, alldatasheet, datasheet, сайт поиска технических данных для электронных компонентов AP6356 Datasheet.Вступление. Компания AMPAK Technology объявляет о выпуске недорогого модуля с низким энергопотреблением, в котором есть все возможности Wi-Fi и

• Купить ER – Транзистор, MOSFET, BLF8, BLF861A. Просмотрите наши последние предложения по полевым МОП-транзисторам. Бесплатная доставка на следующий день
• 30 июня 2001 г. BLF861A. Стандартное прекращение производства. См. Замена. СВЧ силовой транзистор. 934034150112.31 марта 2002 г. 30 июня 02
• BLF888EU ВЧ-транзистор мощности от силового ВЧ-транзистора Ampleon, от 0,47 до 0,79 ГГц, 750 Вт, дБ, SOT539A, LDMOS
Бюллетень по продукту
• , изучите или купите принтеры, настольные компьютеры, ноутбуки, серверы, системы хранения данных, корпоративные решения и многое другое HP на официальном веб-сайте Hewlett-Packard – блейд-сервер HP Integrity BL860c i2 – краткие характеристики – c04111681.pdf

Advanced Semiconductor BLF861A ТРАНЗИСТОР. BLF861A UHF POWER LDMOS-ТРАНЗИСТОР ОПИСАНИЕ: ASI BLF861A – кремниевый N-канал. Очень прочный силовой LDMOS-транзистор мощностью 1700 Вт для вещательных и промышленных приложений в диапазоне HF до 500 МГц, Ampleon BLF189XR поддерживает приложения CO2, плазменные RF, радио и VHF. Транзисторы напрямую заменяют конкурирующие детали по параметрам постоянного и радиочастотного тока в реальных операционных системах. Однако возможно, что

Advanced Semiconductor Datasheet (документация) архивный сайт для производителей электронных компонентов и полупроводников со всего мира Архив 1.687.043 компоненты Datasheets Перекрестная ссылка Online-Stock

BLF861A – ОРИГИНАЛ. UHF силовой LDMOS-транзистор. Частота: 470-860 МГц. Тип: RF, RFID, транзисторы ZigBee и полевые транзисторы. Мы проектируем и производим FM-передатчик, ТВ-передатчик, усилитель мощности RF. Отгрузка товара будет осуществляться через нас BLF861A. ИНФОРМАЦИЯ ПО ПРИМЕНЕНИЮ ВЧ характеристики в испытательной цепи с общим источником 860 МГц. Th = C; Rth mb-h = 0,15 К / Вт; Если не указано иное, BLF861A BLF861A datasheet, BLF861A pdf, NXP Semiconductors – UHF power LDMOS транзистор, BLF861A BLF861A UHF POWER LDMOS TRANSISTOR, BLF861A datasheet, BLF861A схема, BLF861A таблица данных и данные для BLF861 : BLF861A 112 Транзисторы: BLF861A: NXP Semiconductors: BLF861A против BLF861A 112: BLF861 Транзисторы: ТРАНЗИСТОРНЫЙ 2-КАНАЛЬНЫЙ УВЧ-ДИАПАЗОН Si N-КАНАЛЬНЫЙ МОП-МОП-транзистор ВЧ-сигнала SOT-540A 4-контактный полевой транзистор ВЧ-питание: NXP Semiconductors против BLF861A против BLF861A

BLF861A электронный компонент ic.Горячие продукты сбывания BLF861A. LDMOS-ТРАНЗИСТОР УВЧ МОЩНОСТИ BLF861A способен выдерживать рассогласование нагрузки, соответствующее КСВН = 10: 1 на всех фазах при следующих условиях: VDS = V; f = 860 МГц при номинальной мощности нагрузки. BLF861A является улучшенной версией BLF861 по прочности и способен противостоять резким ошибкам несоответствия источника или нагрузки при номинальном питании. Покупайте BLF861A, 112 с увеличенным сроком доставки в тот же день. Просмотрите спецификации, наличие и цены или найдите другие высокочастотные полевые МОП-транзисторы Транзистор MAR 826, техническое описание, перекрестные ссылки, схемы и примечания по применению в паре с п е т е р и ч е с т е н и я UHF мощный LDMOS транзистор BLF861 ПРИМЕНЕНИЕ Номер детали: BLF861A BGL278 BLF177 BLF145.Типичные вопросы о продуктах. Поддерживает ли этот продукт настраиваемый UHF-силовой LDMOS-транзистор, SOT-540Amfr. NXPDateceode 08+ У вас есть вопрос. Пункт 4 1PCS NXP BLF861A UHF power LDMOS-транзистор 150W 470-860 MHz – 1PCS NXP BLF861A UHF power LDMOS-транзистор 150W 470-860 MHz.50 доставка Купите International Rectifier 85EPF12 в Win Source. Источник 85EPF12 Цена, найти 85EPF12 техническое описание, проверить 85EPF12 На складе и лист ответов FQ из интернет-магазинов электроники

Blf861 лист данных.Почему GetDatasheet.com? У нас больше Special DataSheet, чем на других сайтах. Если поиск не ведется, запросите! (Он будет обновляться через несколько часов.) ChipManuals – это бесплатный инструмент для электронной инженерии, который позволяет вам находить спецификации продуктов из сотен электронных таблиц. BLF861 UHF силовой LDMOS-транзистор. Предварительная спецификация UHF power LDMOS-транзистор, спецификация BLF861A, схема BLF861A, спецификация BLF861A: PHILIPS, alldatasheet, datasheet, сайт поиска данных для электронных компонентов

Datasheet Search Engine – 350 миллионов таблиц технических данных от 8500 производителей BLF861A от NXP.Найдите техническое описание в формате PDF, технические характеристики и информацию о распространителе. Технические данные BLF861A, технические описания BLF861A, BLF861A pdf, схема BLF861A: ASI – UHF POWER LDMOS TRANSISTOR, alldatasheet, datasheet, сайт поиска технических данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, триакх semiconductors BLF861A Лист данных (HTML) 9 Страница – NXP Semiconductors: увеличить масштаб уменьшить 9/130 страниц. NXP Semiconductors RF Manual th edition. Изюминка продукта: BLF8G10LS-160. Силовой LDMOS-транзистор мощностью 160 Вт для базовой станции W-CDMA и.приложения с несколькими несущими на частотах от 920 до 960 МГц. Характеристики BLF861A техническое описание. Почему ChipManuals.com? У нас больше Special DataSheet, чем на других сайтах. Если поиск не ведется, запросите! (Он будет обновляться через несколько часов.) ChipManuals – это бесплатный инструмент для электронной инженерии, который позволяет вам находить спецификации продуктов из сотен электронных таблиц. Datasheet Archive – большой бесплатный ресурс для электронных таблиц данных компонентов и отсканированных книг данных. 29 сентября 2013 года компания предприняла амбициозные усилия по открытию архива технических данных для электроники.более 350 миллионов таблиц данных в свободном доступе datasheetarchive.com Последнее обновление: 7 лет назад

BLF861A Transistor Datasheet, BLF861A Equivalent, PDF Data Sheets. Описание MOSFET, BLF861A; UHF Power Ldmos Transistor ;; Пакет: SOT540A (LDMOST). Компания Philips Semiconductors (приобретена NXP). Принадлежность

ASI поставляет полную линейку транзисторов BLF, которые заменяют оригинальный транзистор Philips BLF. Диапазон фиксированных / мобильных радиостанций и транспозиторов / передающих транзисторов находится в диапазоне частот от 150 кГц до 1.5 ГГц, с выходной мощностью от 100 мВт до 300 Вт и в различных вариантах комплектации

BLF861A Hoja de datos, BLF861A datasheet, NXP Semiconductors – UHF power LDMOS транзистор, Hoja T cnica, BLF861A pdf, датаарк, wiki, arduino, регулятор, усилитель, схема, Distribuidor UHF POWER LDMOS транзистор BLF61, данные BLF61 транзистора BLF61, данные BLAF61 BLAF Sheet: ASI, alldatasheet, datasheet, сайт поиска данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников BLF861A.ИНФОРМАЦИЯ О ПРИМЕНЕНИИ ВЧ характеристики в испытательной цепи с общим источником 860 МГц Лист данных BLF861A, BLF861A pdf, технический паспорт BLF861A, технический паспорт, технический паспорт, pdf, NXP Semiconductors, UHF power LDMOS транзистор BLF861 – BLF861: BLF861A Характеристики tc61 BLF8F8F ; UHF Power Ldmos Transistor ХАРАКТЕРИСТИКИ Высокое усиление мощности Простое управление мощностью Превосходная надежность Источник на нижней стороне исключает использование изоляторов постоянного тока; уменьшение синфазной индуктивности. Разработан для широкополосной работы (диапазон УВЧ). Внутреннее согласование входа и выхода для высокого усиления и оптимального результата. Файл: BLF861A.jpg. Из Wikimedia Commons, бесплатного хранилища мультимедиа. Перейти к навигации Перейти к поиску Mp3 2 X Blf861A Amplifier 432 Mhz 8.73 MB,: 6: 192 Kbps BLF861A datasheet, BLF861A PDF, BLF861A Распиновка, эквивалент, замена – UHF POWER LDMOS TRANSISTOR – Advanced Semiconductor, Schematic, Circuit-P1, Manual1 Транзистор, ВЧ мощность, 150 Вт, 50 В, 175 МГц, P1dB, Транзистор BLF861A, NXP, Транзистор BLF248, Philips, Транзистор BLF278-NXP, Двухтактный МОП УКВ, NXP BLF861A – Бесплатная загрузка в формате PDF (.pdf), текстовый файл (.txt) или бесплатно читайте онлайн BLF878 Datasheet (PDF) 1.1.pdf Размер: 148K _nxp BLF878 UHF power LDMOS-транзистор Ред. 15 июня 2009 г. Технические характеристики продукта Профиль продукта 1.1 Общее описание Мощность LDMOS RF 300 Вт транзистор для радиовещательных передатчиков и промышленных приложений, февраль 2001 г. В технических описаниях, где упоминаются предыдущие ссылки Philips, используйте новые ссылки, как показано ниже. Техническое описание полупроводников BLF861, перекрестная ссылка Архив технических данных. Недавняя аннотация: BLF861 2222730821 керамический конденсатор BLF861A Текст: Request NXP Semiconductors BLF861A: Двухтактный двухтактный D-MOS кремниевый N-канальный транзистор в корпусе SOT540A с керамической крышкой с керамической крышкой онлайн, просмотрите и загрузите BLF861A pdf datasheet, NXP Технические характеристики полупроводников BLF861A Transistor Datasheet, BLF861A Equivalent, PDF Data Sheets.Параметры и характеристики. Технический паспорт каталога электронных компонентов: BLF861A. Размер файла: 117559 КБ. Производитель: PHILIPS Philips Semiconductors О силовом LDMOS-транзисторе BLF861A NXP UHF – Применение: передатчики связи TV и UHF; Описание: UHF LDMOS RF POWER BLD123D техническое описание и примечания по применению – Datasheet Archive. bld123d техническое описание, перекрестная ссылка, примечания по схемам и применению в формате pdf BF861A Philips Semiconductors техническое описание pdf техническое описание БЕСПЛАТНОЕ техническое описание (техническое описание) поиск интегральных схем (ic), полупроводников и других электронных компонентов, таких как Transistor 2001 h2 Datasheets Контекстный поиск Текст: UHF-мощный LDMOS-транзистор ПРИМЕЧАНИЯ BLF861A 13 февраля 2001 Philips Semiconductors Продукт NXP Semiconductors Спецификация продукта HF / VHF-мощный МОП-транзистор BLF177, полстраницы 0 5 MGP090 2 1 110 4 3 2 1 ID (A) T .C.4 Температурный коэффициент затвор-исток ATtiny861A. Статус: в производстве. Просмотреть спецификации Найти, где можно купить BLF861, BLF861; UHF Power Ldmos Транзистор

• BLF861A Лист данных (PDF) 1.1.pdf Размер: 114K _philips. ДИСКРЕТНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ СПЕЦИФИКАЦИЯ M3D392 BLF861A UHF-мощный LDMOS-транзистор Спецификация продукта, февраль 2001 г. Заменяет данные августа 2000 г. Philips Semiconductors Спецификация продукта UHF-мощный LDMOS-транзистор BLF861A ХАРАКТЕРИСТИКИ ШТИФТ – SOT540A Высокий коэффициент усиления.
• Компоненты Jotrin Electronics [защищенные по электронной почте] тщательно отобраны и проходят строгий контроль качества
• UHF силовой LDMOS-транзистор.ОСОБЕННОСТИ. Высокое усиление мощности Простое управление мощностью Превосходная надежность Разработана, чтобы выдерживать резкие ошибки несоответствия нагрузки
• BLF861A UHF power LDMOS транзистор Техническое описание компонентов pdf техническое описание БЕСПЛАТНО из Datasheet4U.com Datasheet (технический паспорт) поиск интегральных схем (ic), полупроводников и другой электроники
• Описание, BLF861A; UHF Power Ldmos Transistor ;; Пакет: SOT540A (LDMOST). Компания Philips Semiconductors (приобретена NXP). Принадлежность
• NXP BLF861A.Предыдущий товар

BLF861A Лист данных (HTML) 1 страница – Advanced Semiconductor. Номер детали BLF861A, 112 RF Mosfet LDMOS (двойной), общий источник 32 В 860 МГц 14,5 дБ 150 Вт LDMOST от Ampleon USA Inc. Цены и доступность миллионов электронных запросов NXP Semiconductors BLF861A: Кремниевый N-канальный режим улучшения, боковой D-MOS, двухтактный транзистор в корпусе SOT540A с керамической крышкой онлайн от Elcodis, просмотрите и загрузите BLF861A pdf техническое описание, спецификации NXP Semiconductors. Стр. 9 BLF861A, NXP доступны в Chuangxinda Electronics.Chuangxinda предлагает инвентарь, цены и таблицы данных для BLF861A BLF861A Загрузить техническое описание Этот продукт больше не выпускается. Щелкните здесь для получения информации о прекращении производства. BLF861A BLF861A: 9340 564 99112::: BLF861A. UHF силовой LDMOS-транзистор. NXP Semiconductors. UHF силовой LDMOS-транзистор. Найдено информационных бюллетеней: 3 бюллетеня продуктов, исследование серверов Hewlett Packard Enterprise, систем хранения, сетей, корпоративных решений и программного обеспечения. Узнайте больше на официальном веб-сайте Hewlett Packard Enterprise. Com предлагает 300 продуктов blf188xr.Примерно это интегральные схемы, другие электронные компоненты и транзисторы. Вам доступен широкий выбор вариантов blf188xr, таких как название бренда, тип и упаковка.

1999, август 262, Philips Semiconductors Предварительная спецификация UHF-мощность LDMOS-транзистор BLF861 ХАРАКТЕРИСТИКИ Высокое усиление мощности Простое управление мощностью Поиск в технических паспортах, таблицах данных, сайте поиска технических данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов и других полупроводников Рабочее напряжение – от одного источника питания до двух .От 5 В до 3,0 В. Высокое отношение сигнал / шум, 100 дБ Низкие искажения, -65 дБ Большое колебание выходного напряжения Отличное подавление пульсаций источника питания Низкое энергопотребление Устранение короткого замыкания Широкий температурный диапазон Нет BLF861A UHF-мощность LDMOS-транзистор R e v. 3 1 S ep te mber 2 0 1 5 Технический паспорт продукта ВАЖНОЕ ПРИМЕЧАНИЕ Уважаемый покупатель! С 7 декабря 2015 года BL RF Power компании NXP Semiconductors будет работать как независимая компания под новым торговым названием Ampleon, которое будет использоваться в будущих технических паспортах вместе с новым контактным лицом. подробнее RF MOSFET BLF861A.Сайт поставщика BLF861A Загрузить техническое описание Обзор Подробная информация о продукте Документация для заказа Поддержка дизайна Этот продукт больше не выпускается. Щелкните здесь для получения информации о прекращении производства. Замена: BLF984P. UHF силовой LDMOS-транзистор. Кремниевый N-канальный двухтактный D-MOS транзистор в корпусе SOT540A с керамической крышкой Производственная спецификация 4 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER Серия BL817 Номер документа: BL / SSOC001 www.galaxycn.com Силовой LDMOS-транзистор мощностью 350 Вт для вещания передатчики и промышленные примененияПревосходная прочность этого устройства делает его идеальным для применения в цифровых и аналоговых передатчиках. Описание: Pemancar TV Barang Baru Ready Stock Price = 1200 долларов США ТВ-усилители Усилитель на паллетах с высокочастотным MOSFET-транзистором мощностью 400 Вт VHFTV-400-H – это линейный усилитель на поддонах класса AB с золотыми металлизированными LDMOS-транзисторами, квадратурная комбинация с входным и выходным сопротивлением 50 Ом.
BF861A N-канальные полевые транзисторы Техническое описание компонентов pdf техническое описание БЕСПЛАТНО из Datasheet4U.com Datasheet (технический паспорт) поиск интегральных схем (ic), полупроводников и других электронных компонентов, таких как резисторы, конденсаторы, транзисторы и диоды
Закажите сегодня, отправьте сегодня. BLF188XRU RF Mosfet LDMOS (Dual), общий источник 50 В 40 мА 108 МГц 24,4 дБ 1400 Вт SOT539A от Ampleon USA Inc. Цены и наличие миллионов электронных компонентов от Digi-Key Electronics Архив технических данных. Каталог производителей, которые недавно были опубликованы. Получите мгновенное представление о любом электронном компоненте.Попробуйте Findchips PRO для BLF861. Искать на складе. NXP Semiconductors BLF861A, 112 МОП-транзистор, RF, N-КАНАЛ, 65 В, 18 А, SOT-540A-5; Напряжение истока стока Vds: 65 В;

UHF power LDMOS транзистор, лист данных BLF861A_2015, схема BLF861A_2015, лист данных BLF861A_2015: JMNIC, все данные, технические данные, даташит не содержит данных по компонентам, электронике и полупроводникам, а также другим компонентам 908 Информация о файлах в архиве: Результат распаковки: OK: Извлеченные файлы: Имя файла: Текст: psmn1r5-40ps.pdf: PSMN1R5-40PS B -22 TO N-channel V 1,6 м полевой МОП-транзистор стандартного уровня в TO220. Апрель 2011 г. Технический паспорт продукта Профиль продукта 1.1 Общее описание N-канальный MOSFET стандартного уровня в корпусе TO220 (SOT78) Блейд-сервер HP Integrity BL860c i2 Экономичная критически важная конвергентная инфраструктура Блейд-серверы HP Integrity – первая критически важная конвергентная инфраструктура Технические данные: BLF861A Технические данные ADVANCEDSEMICONDUCTOR, IN C.REV. A7525 ETHEL AVENUE NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 (818) 982-1202 ФАКС (818) 765-30041 / 1 Технические характеристики могут быть изменены без предварительного уведомления.ХАРАКТЕРИСТИКИ TC = CSYMBOLTEST УСЛОВИЯ МИНИМАЛЬНЫЙ поиск в технических данных, в технических описаниях, на сайте поиска технических данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов и прочего BLF188XR 88-108MHz 1000W FM Pallet Информация о файлах в архиве: Результат распаковки: OK: Извлеченные файлы: Имя файла: Текст: blf861a.pdf: ПАСПОРТ ДИСКРЕТНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ M3D392 BLF861A Энергетический LDMOS-транзистор УВЧ Технические характеристики изделия, февраль 2001 г. Заменяет данные августа 2000 г. Philips Semiconductors Технические характеристики изделия СВЧ-силовой LDMOS-транзистор BLF861A ОСОБЕННОСТИ ШТИФТ – SOT540A 1.Профиль продукта 1.1 Общее описание N-канальные полевые транзисторы с симметричным переходом в корпусе SOT23.2 Характеристики и преимущества BLF861A.15 фунтов ТЕХНИЧЕСКИЙ ПАСПОРТ Обозначение Параметр Условия Мин. Тип. / Ном. Макс. Ед. Диапазон f: диапазон частот: 470: 860: МГц: P L (1 дБ) номинальная выходная мощность

BF861A_BF861B_BF861C. Паспорт продукта. Таблица Предельные значения В соответствии с Системой абсолютных максимумов (IEC 60134) BLF861A Техническое описание: UHF POWER LDMOS TRANSISTOR, BLF861A PDF Загрузить Advanced Semiconductor, BLF861A Datasheet PDF, Распиновки, Технический паспорт, эквивалент, схема, перекрестная ссылка, устарело
OPA861 – это универсальный монолитный усилитель крутизны, разработанный для широкой полосы частот.
Запасные части и аксессуары.BLF861A BLF861 RF MOSFET Transistors RF Transistor 0.0 (0 голоса (ов)) Магазин: Shenzhen yuanxinwei Store Cheap Integrated Circuits, Buy Quality Electronic Components & Supplies Directly from China Suppliers: TRANSISTOR BLF861A BLF 861A Наслаждайтесь бесплатной доставкой по всему миру! Распродажа с ограниченным сроком действия Легкий возврат Найдите лучшие цены на NXP Semiconductors BLF861A, сравнивая оптовые скидки от дистрибьюторов. Octopart – мировой источник информации о наличии, ценах и технических характеристиках BLF861A, а также других электронных компонентах. Цену, доставку и техническое описание BLF861A см. В таблице компонентов ниже.Для получения подробной информации о деталях, отличных от BLF861A, щелкните нужный номер детали в списке деталей внизу этой страницы.

• Согласно паспорту BLV861 (тот же случай) она составляет 0,2 C / Вт, т.е. Другими словами, температура радиатора ниже (рядом с ней)
• BLF861A Технический паспорт, PDF – Advanced Semiconductor. UHF МОЩНОСТЬ LDMOS ТРАНЗИСТОР
• Привет, администраторы, у меня очень странная проблема на моем сервере BL860c i2. Я установил на него OpenVMS V8.4, используя диск SAN в качестве системного диска.Я могу увидеть этот диск в оболочке EFI по четырем путям: fs0, fs1, fs2 и fs4. Я могу загрузить систему с помощью команды: fs0: \\ EFI \\ VMS \\ VMS_LOADER.EFI. Но когда система загрузочная

BLF861A UHF POWER LDMOS TRANSISTOR Техническое описание компонентов pdf техническое описание БЕСПЛАТНО из Datasheet4U.com Datasheet (технический паспорт) поиск интегральных схем (ic), полупроводников и других электронных компонентов, таких как резисторы, конденсаторы, транзисторы и диоды Серия FEBCO LF860 Small Lead Free Reduced Сборки зоны давления используются для защиты от высокоопасных (токсичных) жидкостей в системах водоснабжения промышленных предприятий, больниц, моргов, моргов и химических заводов. Номер детали: BLF188XRU.Транзисторы – полевые, полевые МОП-транзисторы – RF (RF FET LDMOS 135V 24.4DB SOT539A). Производитель: Ampleon USA Inc. На складе: 1467 шт. Цена за единицу: Запрос предложений. ETD: июль – 2 августа

kuethe.nordling.club 88: 89: 90: 91: 92: 94: 95: 96: 97: 98: 93

g308008 BC847 SOT23 Hottech – [PDF-документ]

Страница: P3-P1

Пластиковый герметик Транзисторы

GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO ,. LTD.

ХАРАКТЕРИСТИКИ Для общих приложений AF

Высокий ток коллектора

Высокий коэффициент усиления по току

Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Маркировка BC846A BC846B BC847A BC847B

1A 1B 1E 1E 1F

C2

48 BCA 1E 1F

C2

48

48

48 МАКСИМАЛЬНЫЕ НОМИНАЛЫ (TA = 25, если не указано иное) Параметр Обозначение Значение Единица

Напряжение коллектор-база

BC846 VCBO 80 В

BC847 VCBO 50

BC848 VCBO 30

Напряжение коллектор-эмиттер

BC846

BC846

BC846 BC847 VCEO 45

BC848 VCEO 30

Напряжение эмиттер-база VEBO 6 В

Ток коллектора – непрерывный IC -0.