Аналоги для BUZ11 / Fairchild
| Исходное наименование | i | Упаковка | Корпус | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BUZ11 (FAIR)
BUZ11 (ONS-FAIR) | TO-220-3 | 30A, 50V, 0. | |||||||||||||||||
| Аналогичная по основным параметрам, но без гарантии совместимости по корпусу или выводам замена | |||||||||||||||||||
| 30N06 (YOUTAI)
| A+ |
| в ленте 2500 шт | ± | |||||||||||||||
| STP55NF06 (ST)
| A+ | в линейках 50 шт | |||||||||||||||||
| STD35NF06LT4 (ST)
| A+ | в ленте 2500 шт | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0. 02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | ||||||||||||||||
| STD30NF06L (YOUTAI)
| A+ |
| в ленте 2500 шт | ± | |||||||||||||||
| WMK50N06TS (WAYON)
| A+ | в линейках 1000 шт | TO-220-3 | ||||||||||||||||
| WMO50N06TS (WAYON)
| A+ |
| в ленте 2500 шт | ||||||||||||||||
| STP65NF06 (ST)
| A+ | в линейках 50 шт | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 60V, 0. 014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | ||||||||||||||||
| STD20NF06L (YOUTAI)
| A+ |
| в ленте 2500 шт | ± | |||||||||||||||
| WMQ098N06LG2 (WAYON)
| A+ |
| 3000 шт | ||||||||||||||||
| CSD18537NQ5A (TI)
| A+ |
| в ленте 2500 шт | DFN-8 TDFN8 | 60-V N-Channel NexFET Power MOSFET | ||||||||||||||
| IRFI1010NPBF (INFIN)
| A+ |
| в линейках 50 шт | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel | |||||||||||||||
| IRFZ34NPBF (INFIN)
| A+ |
| в линейках 50 шт | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel | |||||||||||||||
| IRFZ44NSPBF (INFIN)
| A+ | в линейках 50 шт | TO-263-3 D2PAK | ||||||||||||||||
| IRLZ44Z (INFIN)
| A+ | TO-220-3 | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel | ||||||||||||||||
| STP60NF06L (ST)
| A+ | 50 шт | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 60V, 0. 016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | ||||||||||||||||
| STD35NF06 (ST)
| A+ | 1 шт | — | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | |||||||||||||||
| STD30NF06T4 (ST)
| A+ | в ленте 2500 шт | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 60V, 0. 028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | ||||||||||||||||
| STD30NF06LT4 (ST)
| A+ | в ленте 2500 шт | |||||||||||||||||
| STB45NF06T4 (ST)
| A+ | 1000 шт | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 60V, 0. 028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | ||||||||||||||||
| STP60NF06 (ST)
| A+ | в линейках 50 шт | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 60V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | ||||||||||||||||
| STB60NF06T4 (ST)
| A+ | в ленте 1000 шт | N-channel 60V – 0. 014Om – 60A STripFET™ II Power MOSFET | ||||||||||||||||
| STB55NF06T4 (ST)
| A+ | 1000 шт | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | ||||||||||||||||
| STB55NF06LT4 (ST)
| A+ | 1000 шт | Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 60V, 0. 02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | ||||||||||||||||
| STP55NF06L (ST)
| A+ | в линейках 50 шт | Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 60V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | ||||||||||||||||
| STP55NF06FP (ST)
| A+ | в линейках 50 шт | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0. 018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | ||||||||||||||||
| Близкий по наименованию товар | |||||||||||||||||||
| BUZ11A (ISC)
| SN |
| — | ||||||||||||||||
N-MOSFET; полевой; 50В; 30А; 75Вт; TO220AB производства ONSEMI BUZ11
Полярность
полевой
Рассеиваемая мощность
75Вт
Вид канала
обогащенный
Монтаж
THT
Напряжение затвор-исток
±20В
Корпус
TO220AB
Сопротивление в открытом состоянии
40мОм
Вид упаковки
туба
Тип транзистора
N-MOSFET
Напряжение сток-исток
50В
Ток стока
30А
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Вес
1.
962g
962gБесплатная доставка
заказов от 5000 ₽
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи
BUZ11 MOSFET Распиновка, объяснение, характеристики, эквиваленты, особенности, применение В этом посте мы собираемся обсудить распиновку BUZ11 MOSFET, объяснение, спецификации, эквиваленты, функции, приложения и другую важную информацию об этом устройстве.
Реклама
Реклама
Характеристики/технические характеристики:
- Тип упаковки: ТО-220АБ
- Тип транзистора: Канал N
- Максимальное напряжение от стока к источнику: 50 В
- Максимальное напряжение между затвором и источником должно быть: ± 20 В
- Максимальный постоянный ток утечки: 30 А
- Максимальный импульсный ток стока: 120 А
- Максимальная рассеиваемая мощность: 75 Вт
- Макс. сопротивление сток-исток во включенном состоянии (RDS вкл.): 0,040 Ом
- Максимальная температура хранения и рабочая температура должна быть: от -55 до +150 по Цельсию
сопротивление сток-исток во включенном состоянии (RDS вкл.): 0,040 Ом Replacement and Equivalent:
BUZ11A, BUZ11AL, BUZ11FI, BUZ11S2, IRLZ24N, IRLZ34, IRLZ34N, STP32N06L, STP36N06, MTP30N06EL, RFP23N06LE, STP32N05L, BUK555-60A
BUZ11 Transistor Explained / Description:
BUZ11 — широко используемый N-канальный полевой МОП-транзистор в корпусе TO-220AB, способный выдерживать непрерывную нагрузку до 30 А. Он в первую очередь предназначен для таких приложений, как высокоскоростное переключение, сильноточное переключение, импульсные стабилизаторы, схемы преобразования постоянного тока в переменный и постоянный ток, драйверы реле, мощные аудиоусилители и драйверы двигателей. Но его также можно использовать в самых разных общих приложениях, которые подпадают под его рейтинги.
Полевой МОП-транзистор имеет множество функций и преимуществ, таких как:
Высокая нагрузка по току и напряжению
Транзистор способен выдерживать непрерывную нагрузку с высоким током до 30 А и нагрузкой с высоким напряжением до 50 В.
Скорость переключения в наносекундах
Функция переключения в наноскорости делает его идеальным для приложений, в которых крайне важна очень высокая скорость переключения, например, в цепи ИБП.
100% лавинное тестирование
МОП-транзистор прошел 100% лавинное тестирование, благодаря чему он может выдерживать и стабильно работать, когда его напряжение сток-исток превышает максимальные пределы.
Работает непосредственно от интегральных схем
Транзистор прост в управлении и может напрямую управлять ИС и электронными платформами, такими как Arduino и Raspberry Pi.
Высокое входное сопротивление
Высокий входной импеданс снижает входной ток и рассеиваемую мощность MOSFET.
Очень низкий RDS(on)
МОП-транзистор имеет очень низкое сопротивление сток-исток во включенном состоянии, что обеспечивает меньшее рассеивание тепла во время работы.
Другими особенностями являются возможности линейной передачи, устройство с основной несущей и т.д. ток стока 120А, максимальная рассеиваемая мощность 75Вт.
Где мы можем его использовать и как использовать:
Как обсуждалось выше, транзистор в первую очередь предназначен для высокоскоростного переключения и переключения сильного тока, драйверов реле, регуляторов переключения, драйверов двигателей, постоянного тока в переменный. и преобразование постоянного тока в постоянный и использование мощного аудиоусилителя, но также может использоваться для самых разных целей общего назначения.
Применение:
Источники питания
Солнечные зарядные устройства и расходные материалы
Автомобильные приложения
Другие схемы зарядных устройств батареи
Схемы управления аккумуляторами
БЕЗОПАСНЫ производительности в ваших проектах предлагается не использовать какое-либо устройство выше его абсолютных максимальных значений и оставаться на 20% ниже его максимальных значений, и то же самое относится к BUZ11 MOSFET.
Максимальное напряжение сток-исток составляет 50 В, поэтому не подключайте нагрузку более 50 В. Максимальное напряжение сток-исток составляет 50 В, поэтому не подключайте нагрузку более 40 В и всегда храните или эксплуатируйте транзистор при температуре выше -55 °C и ниже +150 °C.
Техническое описание:
Чтобы загрузить техническое описание, просто скопируйте и вставьте ссылку ниже в адресную строку браузера.
https://cdn.datasheetspdf.com/pdf-down/B/U/Z/BUZ11-FairchildSemiconductor.pdf N-канальный полупроводниковый МОП-транзистор средней мощности, который в основном используется для коммутации и управления приложениями.
Спецификация BUZ11- BUZ11 представляет собой N-канальный полевой МОП-транзистор с улучшенным режимом работы
- Напряжение сток-исток ( В DS ) 50 В
- Напряжение затвор-исток ( В GS ) составляет +/- 20 В
- Затвор для порогового напряжения ( В ГС (й) ) 1В, 3В и 4В
- Ток стока ( I D ) 30A
- Импульсный ток стока ( I DM ) 120A
- Рассеиваемая мощность ( P D ) 75 Вт
- Сопротивление сток-исток в открытом состоянии ( R DS (ON) ) от 03 Ом до 0,04 Ом
- Входная емкость ( C ISS ) составляет от 1500 до 2000 пф
- Выходная емкость ( C ob ) 750 до 1100пФ
- Температура соединения/температура хранения находится в пределах от -55 до 150 ℃
- Термическое сопротивление, переход к корпусу ( R th J-C) составляет 67℃/Вт
- Время восстановления внутреннего диода ( trr ) составляет 200 нс
- Время нарастания ( tr ) составляет от 70 до 110 нс
- 100% лавинное испытание
- Повторяющиеся лавинные данные при масштабе 100 %
- Низкая зарядка затвора
- Способность к сильному току
- SOA — рассеиваемая мощность
- Наносекундная скорость переключения
- Линейная передаточная характеристика
- Высокое входное сопротивление
- Устройство мажоритарной несущей
| Номер контакта | Имя контакта | Описание |
| 1 | ВОРОТ | Клемма затвора используется для запуска МОП-транзистора |
| 2 | СЛИВ | Клемма стока является входом MOSFET |
| 3 | ИСТОЧНИК | В источнике терминальный ток вытекает из MOSFET |
БУЗ11 в корпусе
БУЗ11 представляет собой полупроводниковый прибор средней мощности в корпусе ТО-220АБ.
TO-220AB изготовлен из эпоксидно-пластикового материала, который обладает более высокой термостойкостью и компактностью.
BUZ11 n-канальный полевой МОП-транзистор, объяснение электрических характеристикВ этом разделе мы объясняем электрические характеристики BUZ11 MOSFET, это объяснение действительно полезно для процесса замены.
Характеристики напряженияХарактеристики напряжения n-канального МОП-транзистора BUZ11: напряжение сток-исток составляет 50 В, напряжение затвор-исток составляет +/-20 В, а пороговое напряжение затвора составляет 2,1 В, 3 В и 4 В. .
Характеристики напряжения n-канального МОП-транзистора BUZ11 показывают, что это устройство средней мощности с низкими значениями напряжения.
Характеристики токаЗначение тока коллектора N-канального МОП-транзистора BUZ11 составляет 30 А, это нагрузочная способность устройства.
Импульсный ток коллектора n-канального МОП-транзистора BUZ11 составляет 120 А, импульсный ток в три раза превышает текущее значение.
Рассеиваемая мощность BUZ11 составляет 75 Вт, она в основном зависит от комплекта компонентов.
Сопротивление сток-исток в открытом состоянииСопротивление сток-исток во включенном состоянии составляет от 0,03 до 0,04 Ом, это полное значение сопротивления данного устройства МОП-транзистор от – 55 до +150℃ .
Входная емкостьВходная емкость N-канального МОП-транзистора BUZ11 составляет от 1500 до 2000 Пф, это полное значение емкости, предлагаемое устройством МОП-транзистора.
Выходная емкостьВыходная емкость BUZ11 N-канального MOSFET составляет от 750 до 1100PF
BUZ11 DataSheetЕсли вам нужен DataShiet в PDF113
9000 2 9000 2, если вам нужна DataShiet в PDF,
.
Полупроводниковые устройства, такие как BUZ11A, IRLZ24N, IRLZ34N, STP32N06L, STP36N06 и BUK555-60A, являются эквивалентными MOSFET-устройствами BUZ11 MOSFET. Все эти устройства имеют одинаковый набор электрических характеристик, поэтому мы можем легко использовать их в качестве замены цепям.
BUZ11, BUZ11A и IRLZ34В этой таблице мы перечислили электрические характеристики BUZ11, BUZ11A и IRLZ34.
| Характеристики | BUZ11 | BUZ11A | IRLZ34 |
|---|---|---|---|
| Напряжение сток-исток (VDS)) | 50 В | 50 В | 60 В |
| Напряжение затвор-исток (Vgs) | +/-20 В | +/-20 В | +/-10 В |
| Пороговое напряжение затвора (Vg(th)) | 2,1 В, 3 В и 4 В | 2,1 В, 3 В и 4 В | 1 В до 2 В |
| Ток стока (ID) | 30 мА | 26 А | 30 А |
| Импульсный ток стока (IDM) | 120 А | 110 А | 110 А |
| Рассеиваемая мощность (PD) | 75 Вт | 88 Вт | 88 Вт |
| Температура перехода (ТДж) | от -55 до +150°C | от -55 до +175°C | от -55 до +175°C |
| Термическое сопротивление, соединение с корпусом | 1,67 ℃/Вт | 1,7 ℃/Вт | 1,7 ℃/Вт |
| Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (RDS) | от 0,03 до 0,04 Ом | от 0,045 до 0,055 Ом | 0,050 Ом |
| Восстановление диода корпуса | 200 нс | 85 нс | 120–180 нс |
| Входная емкость | от 1500 до 2000пф | 1400пф | 1600пф |
| Выходная емкость | от 750 до 1100 пф | 200 пф | 660 пф |
| Пакет | ТО-220АБ | ТО-220 | ТО-220АБ |
- Драйвер реле
- Драйвер двигателя
- Импульсный регулятор
- Импульсный преобразователь
- Приложения для высокоскоростных драйверов
- Приложения драйвера с низкими воротами
- Интегрированные приложения, драйверы соленоидов и реле
- Преобразователь постоянного/постоянного тока и преобразователь переменного/переменного тока
- Цепь управления двигателем
- Приложения автоматизации
- Цепь драйвера лампы
На рисунке показаны выходные характеристики n-канального МОП-транзистора BUZ11, а на графике представлена зависимость тока стока от напряжения сток-исток.
