Fds8884: FDS8884, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 8,5А, 2,5Вт, SO8, ON Semiconductor

Транзистор FDS8884 SO-8 – КСП Електроникс

Транзистор FDS8884 SO-8 – КСП Електроникс

Search

Home Semiconductors Transistors MOSFET Transistors NFET < 200 V NFET Transistors Транзистор FDS8884 SO-8

BGN 2.23

with VAT ( BGN 1.

86 Without VAT )

Add to cart

You want more attractive prices?
Call us at: 0700/19-077

Description

Description
Code	FDS8884 SO-8
Barcode	019665
Condition	NEW / НОВ
Brand / Manufacturer	FAIRCHILD
Description	, MOS-N-FET Vdss=30V Idss=8.5A Rds(on)=23mR 2.5W P05SN,
Quantity in stock	24
Technical documentation	Download >

Can’t find what you’re looking for? Let us help you. Inquiry

Free

shipping Free delivery for all orders over BGN 100. Free international delivery for all orders over 100 €

Secure payment

3D Card Payment Security (Verified by Visa or Mastercard SecureCode)

Shipment Insurance

Insurance, tracking and 14 days free return or exchange.

Competent support

Use the online chat or call us on
tel: 0700 19 077

FDS8884 – РАДИОМАГ РКС КОМПОНЕНТЫ

Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDS8884

Код товару: 34721

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

Технічний опис FDS8884

Інші пропозиції FDS8884 за ціною від 10.

67 грн до 47.8 грн

FDS8884	Виробник: ONSEMI Material: FDS8884 SMD N channel transistors	на замовлення 843 шт термін постачання 7-14&nbspдні (днів)	7+  38.24 грн 25+  31.01 грн 43+  20.17 грн 117+  19.37 грн
FDS8884	Виробник: ONSEMI Material: FDS8884 SMD N channel transistors	на замовлення 843 шт термін постачання 21-30&nbspдні (днів)	46+  31. 86 грн 55+  24.88 грн 80+  16.81 грн 117+  16.14 грн
FDS8884	Виробник: ONSEMI Description: ONSEMI – FDS8884 – Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)	на замовлення 4545 шт термін постачання 21-31&nbspдні (днів)	100+  32.3 грн 500+  18.96 грн 2500+  14.34 грн
FDS8884	Виробник: ONSEMI Description: ONSEMI – FDS8884 – Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8. 5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 8.5 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 – unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2.5 Bauform – Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: PowerTrench Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1.7 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)	на замовлення 4545 шт термін постачання 21-31&nbspдні (днів)	16+  47.8 грн 18+  42.08 грн 100+  32.3 грн 500+  18.96 грн 2500+  14. 34 грн
FDS8884	Виробник: Fairchild N-MOSFET 8.5A 30V 2.5W 0.023Ω FDS8884 TFDS8884 кількість в упаковці: 50 шт	на замовлення 100 шт термін постачання 28-31&nbspдні (днів)	50+  10.67 грн
FDS8884	Виробник: onsemi / Fairchild MOSFET 30V N-Channel PwrTrench MOSFET	на замовлення 17300 шт термін постачання 563-570&nbspдні (днів)	7+  46. 7 грн 10+  40.54 грн 100+  27.05 грн 500+  21.37 грн 1000+  17.11 грн 2500+  15.49 грн 5000+  14.01 грн

FDS8884 онполу | Discrete Semiconductor Products

Product Attributes

9 2923

Type	Description	Select
Category	Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Одиночные FET, MOSFET
Производитель	onsemi
Series	PowerTrench®
Package	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Состояние продукта	Active
FET тип	N-канал
Технология
Технология
. 0026	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Current – Continuous Drain (Id) @ 25°C	8.5a (TA)
В напряжении приводной 23 мОм при 8,5 А, 10 В
VGS (TH) (MAX) @ ID	2,5V @ 250 мкА
Заряд (QG) (MAX) @ VGS 9003	@ VGS		3	3	@ VGS 9003		3 3	3	3	3	.
Vgs (Max)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	635 pF @ 15 V
FET Feature
Power Dissipation (Max)	2. 5W (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Тип	Поверхностное крепление
Пакет устройства поставщика	8-SOIC
Пакет / Кейс	9000 2 8-STARIIC 40023 / CASE	9000 2 8-STARIIC 2 ».Ширина 0 мм)
Номер базового продукта	FDS88

FDS8884 – OnSemi – DataShiet, цены и Inventorory

92929292. Просмотреть все авторизованные результаты для FDS8884

Смотрите другие детали, такие как FDS8884

Режим канала

Улучшение

Id – непрерывный ток стока

8,5 А

Максимальная рабочая температура

+ 150 С

Минимальная рабочая температура

– 55 С

Тип монтажа

СМД/СМТ

Количество каналов

1 канал

Пакет/кейс

СОИК-8

Pd — рассеиваемая мощность

2,5 Вт

Qg – Заряд затвора

13 нКл

Rds On — сопротивление сток-исток

23 мОм

Технологии

Си

Полярность транзистора

N-канал

Vds – Напряжение пробоя сток-исток

30 В

Vgs – напряжение затвор-исток

– 20 В, + 20 В

Vgs th – Пороговое напряжение затвор-исток

1,2 В

Описание

Онсеми также может упоминаться как

AMI Semiconductor

AMI Semiconductor Inc.