Гт308В характеристики: Транзистор ГТ308В – параметры, цоколевка, аналоги, обозначение – Справочник по отечественным транзисторам

Маркировка транзисторов

КП302А

ГТ308В

особенность в данной группе (n–p по U_обр, коэф. передачи тока и т. д.)

номер разработки

диапазон осн. параметров (мощность, частоты и т. д.)

биполярный

материал

• Г, К, А – материал: германий, кремний, арсенид галлия;

• П – полевой, Т – биполярный;

• цифра, указывающая диапазон основных параметров;

• номер разработки;

• буква, указывающая на особенность в данной группе.

Схемы включения пт и их особенности

Полевые транзисторы по аналогии с биполярными имеют три схемы включения: с общим истоком (ОИ), с общим стоком (ОС), с общим затвором (ОЗ).

с

Схема с ОИ (рисунок 1.46).

E₂

E₁

R_н

~

+

+

–

–

и

з

Рисунок 1.46 – Схема с ОИ

Схема с ОИ аналогична схеме с ОЭ. Каскад с ОИ дает очень большое усиление по току и по мощности и так же как схема с ОЭ переворачивает фазу напряжения при усилении.

Схема с ОЗ (рисунок 1.47).

+

+

–

–

E₂

E₁

R_н

с

и

з

~

Рисунок 1. 47 – Схема с ОЗ

Схема с ОЗ аналогична схеме с ОБ. Она не дает усиления по току, поэтому усиление по мощности в ней во много раз меньше, чем в схеме с ОИ.

R_{вх.мало}, т. к. входным током является ток стока. Фаза напряжения при усилении не переворачивается, так же как в схеме с ОБ.

с

Схема с ОС (рисунок 1.48).

–

–

+

+

E₂

E₁

R_н

и

з

~

Рисунок 1.48 – Схема с ОС

Каскад по схеме с ОС подобен схеме с ОК или эмиттерному повторителю и может быть назван истоковым повторителем с

К_и ≈ 1 вых. напряжение по значению и фазе повторяет выходное. Для такого каскада характерны небольшое выходное сопротивление и повышенное входное.

Преимущества полевых транзисторов перед биполярными

• ПТ являются более температуростабильными, т. к. в ПТ I_с вызван перемещением основных носителей заряда, концентрация которых определяется в основном количеством примеси и поэтому мало зависит от температуры.

• ПТ обладает высокой стойкостью к действию ионизирующего излучения.

Недостатком ПТ является сравнительно невысокая крутизна, т. е. меньшее быстродействие, чем у БТ.

1.8 Тиристоры

Тиристор – это четырехслойный полупроводник переключающий прибор, обладающий двумя устойчивыми состояниями: низкой проводимости (тиристор закрытый) и состоянием высокой проводимости (тиристор открытый). Основными типами являются диодные тиристоры и триодные тиристоры.

Диодный тиристор

Он имеет три p-n-перехода, причем два из них П1 и П3 работают в прямом направлении, а средний П2 в обратном направлении. Крайнюю область р- называют анодом, а крайнюю область n-катодом. Тиристор можно представить в виде эквивалентной схемы, состоящей из двух транзисторов Т1 n-p-n-типа, и Т2 p-n-p-типа, соединенных между собой. Получается, что переходы П1 и П3 являются эмиттерными переходами этих транзисторов, а переход П2 в обоих транзисторах работает как коллекторный переход.

Область базы Б1 транзистора Т1 одновременно является коллекторной областью К2 Т2, а база Б2 транзистора Т2 одновременно служит коллекторной областью К1 транзистора Т1 (рисунок 1.49). Соответственно этому коллекторный ток

i_к1 = i_б2, а i_к2 = i_б1. Обычно тиристоры делают из Li, концентрация примеси в базовых областях (средних областях) значительно меньше, чем в эмиттерных (крайних областях).

i = i_э2

i = i_э2

i_k0

Т1

К1

Б1

Т2

К2

Б2

Э2

Э2

Б2 (К1)

Б1 (К2)

Э1

Э1

К

П1

П1

П3

П2

П2

П2

П3

i_k1 = i_б2

i_б1 = i_k2

p

p

p

p

p

n

n

n

n

n

E

A

i = i_э1

i = i_э1

R_н

R_н

Рисунок 1. 49 – Структура и эквивалентная схема тиристора

I_пр, mA

Рассмотрим ВАХ тиристора (рисунок 1.50).

В

А

Б

5

10

U_пр, В

U_вкл

U_откр

I_вкл

I_уд

I_mах

Рисунок 1.50 – ВАХ тиристора

При увеличении U_пр, ток невелик и растет медленно, что соответствует участку ОА. В этом режиме тиристор можно считать закрытым. На сопротивление коллекторного перехода П2 влияют два взаимно противоположных процесса. С одной стороны, повышение обратного напряжения на этом переходе увеличивает его сопротивление т. к. под влиянием обратного процесса основные носители уходят в разные стороны от границы, т.

е. переход П2 все больше основными носителями. Но, с другой стороны, повышение прямых напряжений на эмиттерных переходах П1 и П3 усиливает инжекцию носителей, которые переходят к переходу П2, обогащают его и уменьшают его сопротивление. До точки А при котором напряжение (десятки или сотни вольт), называемом напряжением включения U_вкл, влияние обоих процессов уравновешивается, а затем даже очень малое повышение подводимого напряжения создает перевес второго процесса и сопротивление перехода П2 начинает уменьшаться. Тогда возникает лавинообразный процесс быстрого отпирания тиристора. Этот процесс объясняется следующим образом.

Ток резко возрастает (это участок АБ на характеристике), т. к. увеличивается напряжение на П1 и П3 уменьшает сопротивление на П2 и напряжение на нем, за счет чего еще больше возрастают напряжения на П1 и П2, а это, в свою очередь, приводит к еще большему возрастанию тока, уменьшению сопротивления П2 и т. д. в результате такого процесса устанавливается режим, напоминающий режим насыщения транзистора большой ток при малом напряжении (участок БВ).

Ток в этом режиме, когда тиристор открыт, определяется главным образом сопротивлением нагрузки R_н, включенным последовательно с тиристором. За счет возникшего большого тока почти все напряжение источника питания падает на нагрузке R_н.

В открытом состоянии из-за накопления больших зарядов около П2 напряжение на нем прямое, что как известно, характерно для коллекторного перехода в режиме насыщения. Поэтому полное напряжение на тиристоре складывается из трех небольших прямых напряжений на переходе и четырех так же небольших падений напряжения в n- и р- областях. Т. к. каждое из этих напряжений составляет доли вольта, то общее напряжение на открытом тиристоре обычно не превышает нескольких вольт и, следовательно, тиристор в этом состоянии имеет малое сопротивление.

Диодный тиристор характеризуется следующими параметрами:

• I_max – максимальное значение прямого тока (т. В), при котором на приборе будет небольшое напряжение U_откр;

• I_уд – ток удерживания (т. Б), который возникает при резком уменьшении прямого тока, при этом напряжение резко возрастает, т. е. тиристор переходит скачком обратно в закрытое состояние, соответствующее участку ОА;

• t_вкл и t_выкл – время выключения и время включения тиристора t

  _вкл обычно не более единиц микросекунд t_выкл, связанное с рекомбинацией носителей доходит до десятков микросекунд. Поэтому тиристоры могут работать только на правильно низких частотах;

• Собщ. – общая емкость, которая складывается из емкостей всех p-n-переходов;

• U_обр.max – обратное максимальное напряжение.

Измеритель частотных характеристик | Авторская платформа Pandia.

ru

Рис. 17. Развертка корпуса прибора

Рис. 18 Чертеж ручек-координат переключателей аттенюатора и зву­кового генератора

Входные цепи милливольтметра и коммутационные элементы, связанные с этими цепями, следует экрани­ровать. Лицевая панель корпуса закрыта фальшпанелью, выполненной из органического стекла толщиной 1 мм с прямоугольным отверстием размером 130×190 мм для графика. Внешний вид прибора показан на рис. 19.

В приборе можно применить маломощные транзи­сторы со статическим коэффициентом передачи тока h31Э > 80. Транзисторы ГТ308В можно заменить на П416Б, транзистор KT312B — транзисторами КТ315Б, КТ342А. В милливольтметре транзистор КП103Ж мож­но заменить на КП103Е, КП103И, КП10К, транзисторы КТ350 — любыми маломощными кремниевыми транзи­сторами проводимости р-n-р. Мощные транзисторы ПЗОЗ на П601…П609, а КТ203Б транзисторами КТ209, КТ501, КТ361. Конденсаторы СЗ, С4 (см. рис. 4) и Cl, C2 (см. рис. 7) К53-1, включенные встречно-последователь­но, можно заменить неполярными конденсаторами емкостью 20…50 мкФ. Все остальные электролитические конденсаторы К50-6. Конденсаторы в милливольтметре КМ-5, КМ-б. Подстроечные резисторы СПО-0,5. Перемен­ный резистор R10 (см. рис. 4) ППЗ-40, остальные пере­менные резисторы СПЗ-4аМ. Постоянные — МЛТ и ВС. Термистор ТПМ2-0,5 можно заменить термистором Т9.

Рис. 19 Внешний вид прибора

На мощных транзисторах в стабилизаторах напря­жения укреплены радиаторы из листовой латуни, согну­тые в виде флажка, площадью около 40 см2.

Трансформатор питания – прибора выполнен на маг-нитопроводе Ш20Х30. Обмотка I содержит 1750 витков провода ПЭВ-1 0,12, а обмотки II, III, IV по 240 витков провода ПЭВ-1 0,3. В милливольтметре в качестве изме­рительной головки РА1 применен прибор M200I чувстви­тельностью 50 мкА, возможно применение микроампер­метра чувствительностью 50…200 мкА.

Налаживание прибора целесообразно начать со звукового генератора. Режимы транзисторов приведе­ны на принципиальных схемах прибора. Если эти режи­мы отличаются от указанных на схеме более чем на 10…15 %, то необходимо подобрать резисторы, отмечен­ные звездочкой; в звуковом генераторе это резисторы Rl, R13 (см. рис. 4), в милливольтметре — R18 (см. рис. 6), аттенюаторе — R2 (см. рис. 7).

Стабильность амплитуды выходного напряжения по диапазону и коэффициент гармоник генератора зависят от точности согласования сопротивлений резисторов R1…R17 и R18…R34 (см. рис. 5), эти резисторы жела­тельно подобрать предварительно парами с точностью до 1…2 %. К конденсаторам С1…СЗ и С4…С6 предъявля­ются такие же требования, конденсаторы СЗ, С6 емкостью 5000 пФ выбраны из конденсаторов типа БМ-2 емкостью 5100 пФ, конденсаторы С1, С4 — МБМ, С2, С5 — К73-ПЗ. Выходное напряжение генератора, рав­ное 2 В, устанавливают подстроечным резистором R7 (см. рис. 4), при этом потенциометр R10 должен нахо­диться в верхнем по схеме положении. После наладки ЗГ проверяют неравномерность АЧХ по диапазону, кото­рая не должна превышать 0,3 дБ. Проверяют соответ­ствие фиксированных частот генератора с оцифровкой шкалы на ручке-координате К1, для контроля исполь-зуют частотомер или образцовый генератор с осцилло­графом. При необходимости можно вдвинуть весь частот­ный диапазон в любую сторону подбором резисторов R3, R4 (см. рис. 4). Проверяют коэффициент ослабления сиг­нала аттенюатором генератора (К2) во всех положениях переключателя S1 (см. рис. 4), при необходимости под­бирают резисторы R29 и R17, эти резисторы подбирают в положениях переключателя S1 « — 20 дБ» и « — 80 дБ» соответственно.

Таблича 1

Значения нели­нейной шкалы, ДБ	+2	+ 1	+0,5	0	— 0,5	— 1	— 2	— 3
Значения линей­ной шкалы, В	2,02	1,8	1,7	1,6	1,51 Pages: 1 2 3 4 5 Твитнуть Правообладателям Сообщить о нарушении Архивы pandia. ru Алфавит: А • Б • В • Г • Д • Е • З • И • К • Л • М • Н • О • П • Р • С • Т • У • Ф • Ц • Ч • Ш • Э Я Авто История · Термины Бытовая техника Климатическая · Кухонная Бизнес и финансы Инвестиции · Недвижимость Все для дома и дачи Дача, сад, огород · Интерьер · Кулинария Дети Беременность · Прочие материалы Животные и растения Компьютеры Интернет · IP-телефония · Webmasters Красота и здоровье Народные рецепты Новости и события Общество · Политика · Финансы Образование и науки Право · Математика · Экономика Техника и технологии Авиация · Военное дело · Металлургия Производство и промышленность Cвязь · Машиностроение · Транспорт Страны мира Азия · Америка · Африка · Европа Религия и духовные практики Секты · Сонники Словари и справочники Бизнес · БСЕ · Этимологические · Языковые Строительство и ремонт Материалы · Ремонт · Сантехника 

Zvex Effects Fuzz Factory 7 USA Vexter

< Все продукты

• shopify.com/s/files/1/0647/9057/products/ZVEXfuzzfactory7_73e29041-1868-4b8b-8636-bc57db04e186_large.jpg?v=1675807831″ data-title=”Zvex Effects Fuzz Factory 7 USA Vexter”>

399,99 долларов США

---

Производитель: Zvex

Модель:  Русская пуховая фабрика 7

Состояние: Новый

 

Описание:

Очередное издание Fuzz Factory 7 с использованием двух редких российских германиевых транзисторов GT308V.

Германиевые транзисторы. Что делает их такими особенными? Потому что они быстрее включаются. Рано. Они включаются намного быстрее, чем любые другие транзисторы. Да, у меня есть любимый транзистор, блестящий хрупкий удивительный мосфет. Но германиевый, биполярный, легко возбудимый и хрупкий, который любит, когда его включают, – мой самый запоминающийся транзистор. Наслаждаться. Она ждет тебя, респектабельная и чудесная, счастливейшая из всех полупроводников, самая нежная и совершенная. Раскачать.

Там, где Fat Fuzz Factory имеет 3-позиционный переключатель, FF7 имеет девятипозиционный поворотный переключатель и охватывает огромную звуковую территорию, от потрясающих низких частот до «собачьего свистка» (образно говоря) высоких частот. Fuzz Factory 7 также имеет пассивную регулировку тембра (с собственным переключателем) для спада высоких частот, если это необходимо.

---

---

Твитнуть

ИСПОЛЬЗОВАННЫЙ – Фабрика ZVEX Fuzz, ручная роспись 275,00 долларов США 9 долларов США0003

+ Быстрый просмотр

ИСПОЛЬЗОВАННЫЙ – Фабрика ZVEX Fuzz Ручная роспись

275,00 долларов США

---

Производитель: ZVEX Модель: Fuzz Factory, ручная роспись Состояние: очень хорошее : В очень хорошем состоянии, без родной коробки.

Посмотреть полную информацию о продукте →

Zvex Effects Fuzz Factory Вертикальный Продано – 199,00 долларов США

долларов США

+ Быстрый просмотр

Zvex Effects Fuzz Factory Вертикальный

Распроданный – 199,00 долларов США

---

Производитель: Zvex Модель: Fuzz Factory Вертикальное состояние: Новый : Это пятикнопочный фузз, в котором используются два новых германиевых транзистора шестидесятых годов прошлого века. Схема не смоделирована по образцу какого-либо классического фузза…

Посмотреть полную информацию о продукте →

Зонд Zvex Effects Fuzz Probe Vexter Продано – 239,00 долларов США

долларов США

+ Быстрый просмотр

Zvex Effects Fuzz Probe Vexter

Распроданный – 239,00 долларов США

---

Производитель: Zvex Модель: Fuzz Probe Vexter Состояние: Новое : ОБЗОР Fuzz Probe — это нечто среднее между терменвоксом и фабрикой пуха. Есть антенна 3 5/8”…

Посмотреть полную информацию о продукте →

Zvex Effects Nano Ламповый усилитель 519,99 долларов США

долларов США

+ Быстрый просмотр

Ламповый усилитель Zvex Effects Nano

519,99 долларов США

---

Производитель: Zvex Модель: Nano Head Tube Amplifier Состояние: Новое : Полностью революционный полностью ламповый гитарный усилитель размером с ладонь с полваттной ревущей ламповой мощностью! Поразительно богатые обертоны от любых 8-16…

Посмотреть полную информацию о продукте →




АМЕТИСТ КЛАСТЕР ПРОВОЛОЧНЫЙ ОБЕРТЫВАННЫЙ 17,55 CTS [GT308]

1. Дом
2. Аукционы
3. Подвески
4. Подвески из натурального аметиста
5. Серебряные подвески с аметистом
6. Пункт № 59284

Аукцион № 59284

Информация о товаре

Размеры (мм)	25 х 16 х 10 мм
Вес (караты)	17,55 карата
Цвета
Металл	Серебро

      КУЛОН С АМЕТИСТОМ

Аметист – фиолетовая форма кварца, камень рождения  связан с февралем. Этот кластер был добыт в Индии и был отобран вручную из-за его интересной кристаллической структуры. Это натуральный необработанный кластер, который был обернут вручную проволокой и готов к ношению в качестве кулона.

     Общий вес  17,55 карат прил.

        размер 25 x 16 x 10 мм прил. yst встречается в первичных оттенках от светлого слегка розовато-фиолетового до темно-фиолетового виноградного. Аметист может иметь один или оба вторичных оттенка, красный и/или синий. Идеальный сорт называется «Глубокий сибирский» и имеет первичный пурпурный оттенок около 75–80 процентов, 15–20 процентов синего и (в зависимости от источника света) красного вторичных оттенков

Подробнее

Вам также может понравиться

Все отзывы

Последние отзывы клиентов

Отзыв от катт

Отзыв от катт

Информация об аудите

Программа Gemstone Sheriff позволяет нашим участникам запросить аудит любого аукциона, который проводится независимым геммологом, который оценивает точность описания предмета и изображений.

Цены и подробности

Идентификатор аукциона	59284
Наблюдатели	2 смотреть
Просмотрено	2202 раза
Пуск	12 февраля 2019 г., 17:24 по тихоокеанскому стандартному времени

Доставка и страхование

Поставщик	Доставка	Транзит
FedEx	$39.00	10 дней
Заказное отправление	$16. Больше новостей Добавить комментарий Отменить ответ Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены * Комментарий * Имя * Email * Сайт