H13003D: H13003D датащи(PDF) – Shenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd

Метод Fiche ( Datasheet PDF Search )

В листе технических данных есть документ, состоящий из четырех частей конструктора составных частей, où фигурирующих в самых разных техниках изготовления: рассеиваемая мощность, максимальное тепловыделение, натяжение в процессе, натяжение в складках, температура на складе и т. д. Ils sont en général fournis gratuitement, et se présentent très régulièrement sous la form d’un document pdf.

Nouvelle Mise à Jour: 2022-10-26

Дата	Справочный номер	Описание	Фабрикант	ПДФ
22. 10.2022	КСД16415К5	N-канальный силовой МОП-транзистор 25 В	и т. д. ТИ	ПДФ
22.10.2022	КСД16414К5	N-канальный силовой МОП-транзистор	и т. д. ТИ	ПДФ
22.10.2022	КСД16413К5А	N-канальный силовой МОП-транзистор	и т. д. ТИ	ПДФ
22.10.2022	КСД16412К5А	N-канальный силовой МОП-транзистор	и т. д. ТИ	ПДФ
22.10.2022	КСД16411К3	N-канальный силовой МОП-транзистор 25 В	и т. д. ТИ	ПДФ
22.10.2022	КСД16410К5А	N-канальный силовой МОП-транзистор	и т. д. ТИ	ПДФ
22.10.2022	КСД16409К3	N-канальный силовой МОП-транзистор	и т. д. ТИ	ПДФ
22. 10.2022	КСД16408К5	N-канальный силовой МОП-транзистор	и т. д. ТИ	ПДФ

Техника Populaire Fiche

[VS-309UR160] [VS-309UR120] [VS-309UA250] [VS-309UA160] [VS-309U250] [VS-309U160] [VS-307URA250] [VS-307URA200] [VS-307URA160]. [ VS-307UR160 ]    [ VS-307U250 ]    [ VS-307U160 ]    [ VS-305URA250 ]    [ VS-305URA200 ]    [ VS-305URA160 ]    [ VS-305UR250P4 ]    [ VS-305UR200 ]    [ VS-305UR160 ]

www.DataSheet.fr    | 2017    | Свяжитесь с нами   | Английский

【Crystals】_Crystalsmanufactor_Crystalspurchase-Интеграция китайских чипов

Индекс > Список категорий > Кристаллы

Поставщик кристаллов ： 深圳市 电子 电子 有限 汕头 华汕 电子 器件 有限 公司 常州 银河 微 电子 股份 有限 公司 泰杰伟业 科技 有限 公司

Кристаллы Связанная классификация: Преобразователь давления / Пассивные компоненты / Резисторы для сквозных отверстий / Массивы резисторов / Аксессуары для резисторов / Потенциометры / Одиночные катушки индуктивности / Одиночные резисторы /

краткое введение: Введение: Кристалл представляет собой материал, состоящий из частиц, расположенных в структурированном порядке. Когда к кристаллу прикладывается энергия, он заставляет кристалл резонировать на определенной частоте, называемой резонансной частотой. Резонансная частота определяется типом используемого кристалла, способом его огранки и применяемой энергией. Электрический осциллятор можно сделать из кристалла с помощью пьезоэлектрического эффекта, который представляет собой взаимосвязь между механическим напряжением и электрическим потенциалом.

• Посмотреть альбом

  Полевой транзистор h23003H 汕头华汕电子器件有限公司 Кристаллы

  集电极—基极击穿电压IC=1 мА, IE=0 Подробные параметры…

  Цена： 1,00

  Подробнее

• Посмотреть альбом

  Полевой транзистор h23003D 汕头华汕电子器件有限公司 Кристаллы

  集电极—基极击穿电压IC=1 мА, IE=0 Подробные параметры. ..

  Цена： 1,00

  Подробнее

• Посмотреть альбом

  Полевой транзистор h23003 汕头华汕电子器件有限公司 Кристаллы

  集电极—基极击穿电压IC=1 мА, IE=0 Подробные параметры…

  Цена： 1,00

  Подробнее

• Посмотреть альбом

  Полевой транзистор х23002У 汕头华汕电子器件有限公司 Кристаллы

  集电极—基极击穿电压IC=1 мА, IE=0 Подробные параметры…

  Цена： 1,00

  Подробнее

• Посмотреть альбом

  Полевой транзистор h23002 汕头华汕电子器件有限公司 Кристаллы

  集电极—基极击穿电压IC=1 мА, IE=0 Подробные параметры. ..

  Цена： 1,00

  Подробнее

• Посмотреть альбом

  Полевой транзистор h23001 汕头华汕电子器件有限公司 Кристаллы

  集电极—基极击穿电压IC=1 мА, IE=0 Подробные параметры…

  Цена： 1,00

  Подробнее

• Посмотреть альбом

  Полевой транзистор HFU70N03V 汕头华汕电子器件有限公司 Кристаллы

  测 试 条 件:IB1=0.2A,IB2=-0.2A Подробные параметры…

  Цена： 1,00

  Подробнее

• Посмотреть альбом

  Полевой транзистор HFU2N60 汕头华汕电子器件有限公司 Кристаллы

  测 试 条 件:IB1=0.2A,IB2=-0.